JP2002210823A - Laminating method and apparatus therefor - Google Patents

Laminating method and apparatus therefor

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JP2002210823A
JP2002210823A JP2001014259A JP2001014259A JP2002210823A JP 2002210823 A JP2002210823 A JP 2002210823A JP 2001014259 A JP2001014259 A JP 2001014259A JP 2001014259 A JP2001014259 A JP 2001014259A JP 2002210823 A JP2002210823 A JP 2002210823A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminating method capable of realizing good lamination by reducing the air bubble sump generated between a film and a base material by simple constitution in a process for laminating the film on the base material, and a laminating apparatus used in the laminating method. SOLUTION: At first, an upper film 5 and a lower film 7 are superposed on the base material 10 to be pressed under heating by a first heating roll 9 in a vacuum tank 4 held to a reduced pressure atmosphere and, subsequently, the upper and lower films 5 and 7 are pressed under heating in an atmospheric pressure atmosphere.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基材上にフィルム
をラミネートするラミネート方法、および、そのラミネ
ート方法に用いるラミネート装置、詳しくは、配線回路
基板の製造工程の途中において、基材上にドライレジス
トフィルムなどをラミネートするラミネート方法、およ
び、そのラミネート方法に用いるラミネート装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminating method for laminating a film on a substrate, and a laminating apparatus used for the laminating method. The present invention relates to a laminating method for laminating a resist film and the like, and a laminating apparatus used for the laminating method.

【0002】[0002]

【従来の技術】 従来より、フレキシブル配線回路基板
や回路付サスペション基板などの配線回路基板の製造工
程の途中において、例えば、ステンレス箔などからなる
金属支持層、ポリイミドフィルムなどからなる絶縁層、
または、銅箔などからなる導体層などが、単層または多
層として積層されている各種の基材に、めっきにより導
体回路パターンを形成する場合や、エッチングにより所
定のパターンを形成する場合には、めっきレジストやエ
ッチングレジストなどのドライフィルムレジストを、基
材上にラミネートして、そのラミネートされたドライフ
ィルムレジストを所定のパターンに加工することによっ
て、めっきやエッチングをしないその他の部分を被覆す
るようにした後、そのドライフィルムレジストをレジス
トとして、めっきを行なったり、基材をエッチングした
りしている。
2. Description of the Related Art Conventionally, during a manufacturing process of a wiring circuit board such as a flexible wiring circuit board or a suspension board with a circuit, for example, a metal support layer made of a stainless steel foil or the like, an insulating layer made of a polyimide film or the like,
Or, when a conductor layer or the like made of copper foil or the like, on a variety of substrates that are laminated as a single layer or multilayer, when forming a conductor circuit pattern by plating, or when forming a predetermined pattern by etching, By laminating a dry film resist such as a plating resist or an etching resist on a substrate, and processing the laminated dry film resist into a predetermined pattern so as to cover other parts that are not plated or etched. After that, the dry film resist is used as a resist for plating or etching the base material.

【0003】このようなドライフィルムレジストを基材
上にラミネートする工程においては、ラミネートしたド
ライフィルムレジストと基材との間に、気泡溜まりが生
じて、パターンの形状不良を生じる場合がある。
In the step of laminating such a dry film resist on a substrate, bubbles may be formed between the laminated dry film resist and the substrate, resulting in a pattern shape defect.

【0004】そのため、そのような気泡溜まりが生じな
いように、ドライフィルムレジストを基材上にラミネー
トする方法として、従来より、例えば、ヒートロールを
備える真空ラミネータを用いて、減圧雰囲気下におい
て、ヒートロールによって、加熱しつつ加圧する方法、
例えば、複数のヒートロールを備える多段ラミネータを
用いて、常圧雰囲気下において、複数のヒートロールに
よって、多段で、加熱しつつ加圧する方法、例えば、基
材上にドライフィルムレジストをラミネートした後、オ
ートクレーブを用いて、高温高圧雰囲気下で一定時間保
持する方法などが提案されている。
[0004] Therefore, as a method of laminating a dry film resist on a base material so as not to generate such air bubble accumulation, conventionally, for example, a vacuum laminator provided with a heat roll is used to heat the film under a reduced pressure atmosphere. Method of pressing while heating by roll,
For example, using a multi-stage laminator with a plurality of heat rolls, under normal pressure atmosphere, by a plurality of heat rolls, in multiple stages, a method of pressing while heating, for example, after laminating a dry film resist on a substrate, A method has been proposed in which an autoclave is used to hold the device under a high-temperature and high-pressure atmosphere for a certain period of time.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、ヒートロール
を備える真空ラミネータを用いる方法では、気泡溜まり
の発生を低減することはできるが、パターンによって
は、大きな気泡溜まりを生じる場合がある。また、多段
ラミネータを用いる方法では、確かに1段目よりも2段
目の方が気泡溜まりが低減するが、その効果は小さい。
さらに、オートクレーブを用いる方法では、気泡溜まり
をかなり減少させることができるが、処理に時間がかか
り、また、一度に処理できる量が少ない。
However, in a method using a vacuum laminator provided with a heat roll, the occurrence of air bubbles can be reduced, but large air bubbles may be generated depending on the pattern. Further, in the method using the multi-stage laminator, the bubble accumulation is certainly reduced in the second stage than in the first stage, but the effect is small.
Further, in the method using an autoclave, the accumulation of bubbles can be considerably reduced, but the processing takes time and the amount that can be processed at one time is small.

【0006】一方、近年においては、配線回路基板の高
密度化や小型化が進み、それに伴なって、金属支持層、
絶縁層または導体層などからなる基材も、様々の仕様の
ものが要求されるようになってきており、例えば、数十
μmを超える段差を有する基材に、ドライフィルムレジ
ストをラミネートしなければならない場合も多く、その
ような場合には、その段差の部分において、ドライフィ
ルムレジストが基材上に良好に密着せずに気泡溜まりを
生じてしまい、上記した方法では、そのような気泡溜ま
りを効率的に低減することがきわめて困難な場合も多
い。
On the other hand, in recent years, the density and miniaturization of printed circuit boards have been advanced, and accordingly, metal support layers,
Substrates made of an insulating layer or a conductor layer are also required to have various specifications.For example, a substrate having a step exceeding tens of μm must be laminated with a dry film resist. In many cases, the dry film resist does not closely adhere to the base material and bubbles are generated in such a step portion. In the above-described method, such bubbles are generated. It is often very difficult to reduce efficiently.

【0007】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであって、その目的とするところは、基材上にフィ
ルムをラミネートする工程において、簡易な構成によっ
て、フィルムと基材との間に生じる気泡溜まりを低減し
て、良好なラミネートを実現し得る、ラミネート方法、
および、そのラミネート方法に用いるラミネート装置を
提供することにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for laminating a film on a substrate by a simple structure in a step of laminating the film on the substrate. A laminating method, which can realize good lamination by reducing bubble accumulation generated in
Another object of the present invention is to provide a laminating apparatus used for the laminating method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基材上にフィルムをラミネートするラミ
ネート方法であって、減圧雰囲気下において、基材上に
フィルムを重ねて、加熱しつつ押圧する第1の工程、お
よび、前記第1の工程においてフィルムが重ねられた基
材を、常圧雰囲気下において、加熱しつつ押圧する、ま
たは、加熱する第2の工程を含んでいることを特徴とし
ている。
In order to achieve the above object, the present invention is a laminating method for laminating a film on a substrate, comprising: laminating a film on a substrate in a reduced-pressure atmosphere; A first step of pressing while heating, and a second step of pressing or heating the substrate on which the film is stacked in the first step while heating under a normal pressure atmosphere. It is characterized by:

【0009】このような方法では、第1の工程におい
て、減圧雰囲気下で、基材上にフィルムが重ねられた
後、加熱しつつ押圧されるので、フィルムと基材との間
に気泡溜まりが生じると、その気泡溜まりの内部は引圧
状態となる。そして、第2の工程において、常圧雰囲気
下で、加熱しつつ押圧するか、または、加熱すれば、そ
の気泡溜まりを被覆するフィルムが流動して、基材に良
好に密着される。したがって、このラミネート方法で
は、たとえ、フィルムと基材との間に気泡溜まりが生じ
ても、その気泡溜まりを、簡易な方法によって、効率的
に低減することができ、良好なラミネートを実現するこ
とができる。
In such a method, in the first step, after the film is overlaid on the substrate under a reduced pressure atmosphere, the film is pressed while being heated, so that air bubbles remain between the film and the substrate. When this occurs, the inside of the bubble reservoir is in a state of pressure reduction. Then, in the second step, if the film is pressed while being heated or heated under a normal pressure atmosphere, the film covering the air bubble pool flows and adheres well to the substrate. Therefore, in this lamination method, even if air bubbles are generated between the film and the substrate, the air bubbles can be efficiently reduced by a simple method, and a good laminate can be realized. Can be.

【0010】また、本発明のラミネート方法は、前記基
材に段差が形成されているものに、好適に適用すること
ができ、その場合には、前記第1の工程において、前記
フィルムを、少なくとも前記段差上に重ねればよい。
[0010] The laminating method of the present invention can be suitably applied to a substrate having a step formed on the substrate. In this case, in the first step, the film is formed by removing at least the film. What is necessary is just to overlap on the said step.

【0011】基材に段差が形成されていると、その基材
上にフィルムを重ねて加熱しつつ押圧しても、その段差
の低い部分において、フィルムが基材上に良好に密着せ
ず、どうしても気泡溜まりを生じる場合があるが、その
ような場合においても、本発明のラミネート方法によれ
ば、第2の工程において、フィルムを基材に密着させ
て、そのような気泡溜まりを効率的に低減することがで
きる。そのため、本発明のラミネート方法では、段差が
形成されている基材であっても、その段差部分において
フィルムを良好にラミネートすることができる。
When a step is formed on the base material, even when the film is overlaid on the base material and pressed while heating, the film does not adhere well to the base material in a portion where the step is low, Although bubbles may inevitably occur, even in such a case, according to the laminating method of the present invention, in the second step, the film is brought into close contact with the base material to efficiently remove such bubbles. Can be reduced. Therefore, according to the laminating method of the present invention, it is possible to satisfactorily laminate the film on the step portion even if the substrate has a step.

【0012】また、本発明のラミネート方法では、前記
第1の工程および前記第2の工程において、ヒートロー
ルを用いて、加熱しつつ押圧してもよく、また、前記第
1の工程において、ヒートロールを用いて、加熱しつつ
押圧し、前記第2の工程において、温風加熱ヒータ、赤
外線または遠赤外線ヒータを用いて、加熱してもよい。
In the laminating method of the present invention, in the first step and the second step, pressing may be performed while heating using a heat roll. The roll may be pressed while being heated, and in the second step, heating may be performed using a warm air heater, an infrared or far-infrared heater.

【0013】また、本発明は、基材上にフィルムをラミ
ネートするためのラミネート装置であって、槽内が減圧
される減圧槽、および、前記減圧槽内に設けられ、フィ
ルムを基材上に重ねて加熱しつつ押圧するための加熱押
圧手段を備える第1ラミネート装置と、前記第1ラミネ
ート装置によってフィルムが重ねられた基材を、常圧下
において、加熱しつつ押圧するための加熱押圧手段また
は加熱するための加熱手段を備える第2ラミネート装置
とを備えているラミネート装置をも含んでいる。
[0013] The present invention also relates to a laminating apparatus for laminating a film on a substrate, comprising: a decompression tank in which the pressure in the tank is reduced; A first laminating apparatus including a heating and pressing unit for pressing while heating while overlapping, and a heating and pressing unit for pressing while heating the substrate on which the film is stacked by the first laminating device under normal pressure or And a second laminating apparatus having a heating means for heating.

【0014】このようなラミネート装置では、まず、第
1ラミネート装置において、槽内が減圧される減圧槽内
で、加熱押圧手段が、フィルムを基材上に重ねて加熱し
つつ押圧するので、フィルムと基材との間に気泡溜まり
が生じると、その気泡溜まりの内部は引圧状態となる。
そして、第2ラミネート装置において、常圧下で、第1
ラミネート装置によってフィルムが重ねられた基材を、
加熱押圧手段が加熱しつつ押圧するか、あるいは、加熱
手段が加熱すれば、その気泡溜まりを被覆するフィルム
が流動して、基材に良好に密着される。したがって、こ
のラミネート装置では、たとえ、フィルムと基材との間
に気泡溜まりが生じても、その気泡溜まりを、簡易な構
成によって、効率的に低減することができ、良好なラミ
ネートを実現することができる。
In such a laminating apparatus, first, in the first laminating apparatus, the heating and pressing means presses the film while heating the film on the substrate in the decompression tank in which the pressure in the tank is reduced. When air bubbles accumulate between the substrate and the base material, the inside of the air bubbles is in a state of pressure reduction.
Then, in the second laminating apparatus, the first
The base material on which the film is stacked by the laminating device,
When the heating / pressing unit presses while heating, or when the heating unit heats, the film covering the bubble reservoir flows and adheres well to the substrate. Therefore, in this laminating apparatus, even if air bubbles are generated between the film and the substrate, the air bubbles can be efficiently reduced with a simple configuration, and a good lamination can be realized. Can be.

【0015】また、本発明のラミネート装置では、前記
第1ラミネート装置および第2ラミネート装置に備えら
れる加熱押圧手段が、ヒートロールであってもよく、ま
た、前記第1ラミネート装置に備えられる加熱押圧手段
が、ヒートロールであり、前記第2ラミネート装置に備
えられる加熱手段が、温風加熱ヒータ、赤外線または遠
赤外線ヒータのいずれかであってもよい。
[0015] In the laminating apparatus of the present invention, the heating and pressing means provided in the first laminating apparatus and the second laminating apparatus may be a heat roll, and the heating and pressing means provided in the first laminating apparatus may be used. The means may be a heat roll, and the heating means provided in the second laminating apparatus may be any one of a warm air heater, an infrared heater, and a far infrared heater.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1は、本発明のラミネート装置
の一実施形態を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing one embodiment of a laminating apparatus according to the present invention.

【0017】図1において、このラミネート装置には、
第1ラミネート装置としての真空ラミネータ1と、第2
ラミネート装置および加熱押圧手段としての第2ヒート
ロール2と、上側フィルム5および下側フィルム7がラ
ミネートされる基材10を巻き取るための巻取ロール3
とが、基材10の巻取方向おける上流側から下流側に沿
って、順次、設けられている。
In FIG. 1, this laminating apparatus includes:
A vacuum laminator 1 as a first laminating device;
A second heat roll 2 as a laminating device and a heating and pressing means, and a winding roll 3 for winding a substrate 10 on which the upper film 5 and the lower film 7 are laminated.
Are sequentially provided from the upstream side to the downstream side in the winding direction of the base material 10.

【0018】真空ラミネータ1は、減圧槽としての真空
槽4と、その真空槽4内に、上側フィルム5が巻回され
ている上側巻回ロール6と、下側フィルム7が巻回され
ている下側巻回ロール8と、加熱押圧手段としての第1
ヒートロール9とを備えている。
The vacuum laminator 1 has a vacuum tank 4 as a decompression tank, an upper winding roll 6 around which an upper film 5 is wound, and a lower film 7 wound in the vacuum tank 4. A lower winding roll 8 and a first pressing means
And a heat roll 9.

【0019】真空槽4は、槽内が減圧されるように、図
示しない真空ポンプなどが接続されるとともに、基材1
0を通過させるための上流側通過口11および下流側通
過口12が、本体の前壁および後壁に、それぞれ開口形
成されている。また、上流側通過口11の上流側近傍お
よび下流側通過口12の下流側近傍には、真空槽4内の
真空度を保持するための上流側真空シールロール13お
よび下流側真空シールロール14がそれぞれ設けられて
いる。
A vacuum pump (not shown) is connected to the vacuum tank 4 so that the pressure in the tank is reduced.
An upstream-side passage port 11 and a downstream-side passage port 12 for passing 0 are formed in the front wall and the rear wall of the main body, respectively. Further, near the upstream side of the upstream side passage opening 11 and near the downstream side of the downstream side passage opening 12, an upstream side vacuum seal roll 13 and a downstream side vacuum seal roll 14 for maintaining the degree of vacuum in the vacuum chamber 4 are provided. Each is provided.

【0020】上側巻回ロール6および下側巻回ロール8
は、真空槽4内を通過する基材10を挟んで、所定の間
隔を隔てて上下方向に対向配置されている。上側巻回ロ
ール6には、基材10の上側をラミネートするための上
側フィルム5が巻回されており、また、下側巻回ロール
8には、基材10の下側をラミネートするための下側フ
ィルム7が巻回されている。
Upper winding roll 6 and lower winding roll 8
Are vertically opposed to each other at a predetermined interval with the base material 10 passing through the vacuum chamber 4 interposed therebetween. An upper film 5 for laminating the upper side of the base material 10 is wound around the upper winding roll 6, and a lower winding roll 8 for laminating the lower side of the base material 10 is laminated on the lower winding roll 8. The lower film 7 is wound.

【0021】第1ヒートロール9は、互いに対向する1
対の上側ロール15および下側ロール16からなり、真
空槽4内における上流側通過口11および下流側通過口
12を結ぶ直線上に配置されている。上側ロール15お
よび下側ロール16は、図示しないヒータによって加熱
されており、その加熱された状態で、基材10を挟み込
んで、その基材10を送りながら、加熱しつつ押圧する
ように構成されている。
The first heat rolls 9 are opposed to each other.
It consists of a pair of upper roll 15 and lower roll 16 and is arranged on a straight line connecting the upstream passage port 11 and the downstream passage port 12 in the vacuum chamber 4. The upper roll 15 and the lower roll 16 are heated by a heater (not shown). In the heated state, the base roll 10 is sandwiched, and the base roll 10 is fed while being pressed while being heated. ing.

【0022】また、上側ロール15には、その上方に配
置される上側巻回ロール6からの上側フィルム5が引き
出されており、また、下側ロール16には、その下方に
配置される下側巻回ロール8からの下側フィルム7が引
き出されている。そして、上側ロール15で、上側フィ
ルム5を基材10の上側に重ね合わせた状態で押圧する
とともに、下側ロール16で、下側フィルム7を基材1
0の下側に重ね合わせた状態で押圧するように構成され
ている。
The upper film 15 is pulled out from the upper winding roll 6 disposed above the upper roll 15, and the lower film 16 disposed below the upper roll 5 is drawn from the lower roll 16. The lower film 7 is pulled out from the winding roll 8. Then, the upper film 5 is pressed by the upper roll 15 in a state where the upper film 5 is overlaid on the upper side of the substrate 10, and the lower film 7 is
It is configured so as to be pressed in a state of being superimposed on the lower side of 0.

【0023】第2ヒートロール2は、真空ラミネータ1
に対して、基材10の巻取方向おける下流側に配置さ
れ、互いに対向する1対の上側ロール17および下側ロ
ール18を備えている。上側ロール17および下側ロー
ル18は、図示しないヒータによって加熱されており、
その加熱された状態で、上側フィルム5および下側フィ
ルム7が積層された基材10を挟み込んで、その基材1
0を送りながら、加熱しつつ押圧するように構成されて
いる。
The second heat roll 2 comprises a vacuum laminator 1
In contrast, a pair of upper rolls 17 and lower rolls 18 are arranged on the downstream side in the winding direction of the base material 10 and face each other. The upper roll 17 and the lower roll 18 are heated by a heater (not shown),
In the heated state, the substrate 10 on which the upper film 5 and the lower film 7 are laminated is sandwiched, and the substrate 1
It is configured to press while heating while feeding 0.

【0024】また、巻取ロール3は、第2ヒートロール
2に対して、基材10の巻取方向おける下流側に配置さ
れ、真空ラミネータ1によって、上側フィルム5および
下側フィルム7が積層され、第2ヒートロール2によっ
て、それらが加熱しつつ押圧された基材10を巻き取る
ようにしている。
The winding roll 3 is arranged downstream of the second heat roll 2 in the winding direction of the substrate 10, and the upper film 5 and the lower film 7 are laminated by the vacuum laminator 1. The second heat roll 2 winds the substrate 10 pressed while heating them.

【0025】次に、このようなラミネート装置を用い
て、例えば、フレキシブル配線回路基板や回路付サスペ
ション基板などの配線回路基板の製造工程の途中におい
て、基材10に、上側フィルム5および下側フィルム7
をラミネートする方法について説明する。
Next, using such a laminating apparatus, the upper film 5 and the lower film 5 are attached to the base material 10 during the manufacturing process of a wiring circuit board such as a flexible wiring circuit board or a suspension board with a circuit. 7
The method of laminating the will be described.

【0026】基材10としては、ステンレス箔などから
なるサスペンション基板などの金属支持層、ポリイミド
フィルムなどからなる絶縁フィルムなどの絶縁層、また
は、銅箔などからなる金属箔などの導体層などが、単層
または多層として積層されている、配線回路基板の製造
工程の途中における各種の基材が用いられる。
As the substrate 10, a metal supporting layer such as a suspension board made of stainless steel foil or the like, an insulating layer such as an insulating film made of a polyimide film or the like, or a conductor layer such as a metal foil made of a copper foil or the like is used. Various base materials that are laminated as a single layer or multiple layers during the manufacturing process of the printed circuit board are used.

【0027】また、上側フィルム5および下側フィルム
7としては、例えば、基材10上にめっきにより導体回
路パターンを形成するためのめっきレジストや、基材1
0にエッチングによりパターン化するためのエッチング
レジストなどのドライフィルムレジストなどが用いられ
る。このようなドライフィルムレジストは、例えば、軟
化点が、80〜130℃、好ましくは、100〜115
℃の感光性のホットメルト樹脂によって形成されてお
り、後の工程において、露光および現像するフォトリソ
グラフ法によって、所定のパターンに加工できるものが
用いられる。
As the upper film 5 and the lower film 7, for example, a plating resist for forming a conductive circuit pattern on the base material 10 by plating,
A dry film resist such as an etching resist for patterning by etching to 0 is used. Such a dry film resist has, for example, a softening point of 80 to 130 ° C., preferably 100 to 115 ° C.
It is formed of a photosensitive hot melt resin having a temperature of ° C., and can be processed into a predetermined pattern by a photolithographic method of exposing and developing in a later step.

【0028】また、上側フィルム5および下側フィルム
7としては、ドライフィルムレジストの他に、例えば、
後述するベース絶縁層32やカバー絶縁層34を形成す
るための絶縁フィルムや、基材10の各層を接合するた
めの粘着フィルムなど、基材10を構成する各種のフィ
ルムであってもよい。
As the upper film 5 and the lower film 7, in addition to the dry film resist, for example,
Various films constituting the base material 10 such as an insulating film for forming the base insulating layer 32 and the cover insulating layer 34 described later, and an adhesive film for bonding each layer of the base material 10 may be used.

【0029】また、この方法は、とりわけ、段差が形成
されている基材10に好適に適用することができる。よ
り具体的には、例えば、図2(a)に示すように、回路
付サスペンション基板を製造する最終工程において、好
適に適用することができる。すなわち、図2(a)にお
いて、この基材10は、回路付サスペンション基板の最
終工程の基材であって、金属支持層31上に所定のパタ
ーンでベース絶縁層32が形成され、そのベース絶縁層
32上に導体層33が所定の導体回路パターンとして形
成され、さらに、その導体層33がカバー絶縁層34に
よって被覆されており、金属支持層31の上面とカバー
絶縁層34の上面との間には、ベース絶縁層32、導体
層33およびカバー絶縁層34の厚さ分の大きな段差
(例えば、5μm以上、さらには、10〜50μmの段
差)36が形成されている。
This method can be particularly preferably applied to the substrate 10 having a step. More specifically, for example, as shown in FIG. 2A, it can be suitably applied in the final step of manufacturing a suspension board with circuit. That is, in FIG. 2A, the base material 10 is a base material in the final step of the suspension board with circuit, and the base insulating layer 32 is formed in a predetermined pattern on the metal support layer 31 and the base insulating layer 32 is formed. A conductor layer 33 is formed as a predetermined conductor circuit pattern on the layer 32, and the conductor layer 33 is covered with a cover insulating layer 34. A large step (for example, a step of 5 μm or more, furthermore, a step of 10 to 50 μm) corresponding to the thickness of the base insulating layer 32, the conductor layer 33 and the cover insulating layer 34 is formed.

【0030】そして、この回路付サスペンション基板の
最終工程では、図2(b)に示すように、ドライフィル
ムレジストからなる上側フィルム5および下側フィルム
7をこの基材10の両面にラミネートした後、図2
(c)に示すように、上側フィルム5および下側フィル
ム7を、露光および現像するフォトリソグラフ法によっ
て、所定のパターンに加工した後、図2(d)に示すよ
うに、上側フィルム5および下側フィルム7をレジスト
として、金属支持層31を所定のパターンにエッチング
する。
In the final step of the suspension board with circuit, as shown in FIG. 2B, after the upper film 5 and the lower film 7 made of dry film resist are laminated on both sides of the substrate 10, FIG.
As shown in FIG. 2C, the upper film 5 and the lower film 7 are processed into a predetermined pattern by a photolithographic method of exposing and developing, and then, as shown in FIG. The metal support layer 31 is etched into a predetermined pattern using the side film 7 as a resist.

【0031】そして、まず、この方法では、第1の工程
として、真空ラミネータ1の真空槽4内を、例えば、1
0KPa以下、好ましくは、1.5KPa以下の減圧雰
囲気とした後、例えば、約90〜130℃、好ましく
は、約100〜110℃に加熱された上側ロール15
で、上側フィルム5を基材10の上側に重ね合わせた状
態で加熱しつつ押圧するとともに、同じく、例えば、約
80〜120℃、好ましくは、約100〜110℃に加
熱された下側ロール16で、下側フィルム7を基材10
の下側に重ね合わせた状態で加熱しつつ押圧することに
より、基材10の上側および下側に、上側フィルム5お
よび下側フィルム7を重ね合わせて積層する。なお、こ
の第1ヒートロール9の押圧力は、例えば、0.2〜
0.5MPaとなるように設定されている。
First, in this method, as a first step, the inside of the vacuum tank 4 of the vacuum laminator 1 is
After a reduced pressure atmosphere of 0 KPa or less, preferably 1.5 KPa or less, for example, the upper roll 15 heated to about 90 to 130 ° C., preferably about 100 to 110 ° C.
Then, the upper film 5 is pressed while being heated in a state of being superposed on the upper side of the substrate 10, and, similarly, for example, the lower roll 16 heated to about 80 to 120 ° C., preferably about 100 to 110 ° C. Then, the lower film 7 is
The upper film 5 and the lower film 7 are overlaid and laminated on the upper and lower sides of the base material 10 by heating and pressing while being superimposed on the lower side. The pressing force of the first heat roll 9 is, for example, 0.2 to
It is set to be 0.5 MPa.

【0032】また、このようにして上側フィルム5およ
び下側フィルム7が重ね合わされた基材10において、
とりわけ、図2(a)に示すような、大きな段差36を
有する基材10では、第1ヒートロール9によって、上
側フィルム5を基材10上に加熱しつつ押圧しても、そ
の段差36の近傍の低い部分である金属支持層31の表
面には、上側フィルム5が良好に密着せず、図2(b)
に示すように、気泡溜まり35を生じやすくなる。
Further, in the substrate 10 on which the upper film 5 and the lower film 7 are superposed in this manner,
In particular, in the case of the substrate 10 having a large step 36 as shown in FIG. 2A, even if the upper film 5 is pressed onto the substrate 10 while being heated by the first heat roll 9, the step 36 The upper film 5 does not adhere well to the surface of the metal support layer 31 which is the lower part in the vicinity, and FIG.
As shown in FIG.

【0033】すなわち、このような気泡溜まり36は、
例えば、図3(a)に示すように、積層時において、第
1ヒートロール9が段差36を乗り上げる時に、第1ヒ
ートロール9の硬度や、段差36に対する上側フィルム
5のラミネート方向37などに起因して、上側フィルム
5が段差36の角部まで十分に充填されず、その結果、
段差36の近傍にその段差36に沿った線状の隙間42
が残り、次いで、図3(b)に示すように、第1ヒート
ロール9が段差36に乗り上がった時に、その上側フィ
ルム5が押し戻されるとともに、表面張力の作用によっ
て、その直線状の隙間が丸状となることにより形成され
る。そして、段差36に積層された上側フィルム5は、
第1ヒートロール9から送り出されるとすぐに冷えてし
まうので、上側フィルム5は、その内部が引圧状態とな
る気泡溜まり35を生じたまま流動性を失って、その気
泡溜まり35を被覆する部分において残留応力が生じる
ようになる。
That is, such a bubble pool 36 is
For example, as shown in FIG. 3A, when the first heat roll 9 rides over the step 36 during lamination, the first heat roll 9 is hardened due to the hardness of the first heat roll 9 and the laminating direction 37 of the upper film 5 with respect to the step 36. As a result, the upper film 5 is not sufficiently filled up to the corners of the step 36, and as a result,
In the vicinity of the step 36, a linear gap 42 along the step 36
Then, as shown in FIG. 3 (b), when the first heat roll 9 rides on the step 36, the upper film 5 is pushed back, and the linear gap is formed by the action of surface tension. It is formed by being round. And the upper film 5 laminated on the step 36 is
Since the upper film 5 is cooled immediately after being sent out from the first heat roll 9, the upper film 5 loses fluidity with the bubble pool 35 in which the inside is in a state of being pulled down, and the upper film 5 covers the bubble pool 35. , A residual stress occurs.

【0034】このようにして生じた気泡溜まり35は、
例えば、図2(c)に示すように、上側フィルム5およ
び下側フィルム7を所定のパターンに加工して、下側フ
ィルム7に金属支持層31のエッチング部分38を形成
した時に、そのエッチング部分38に重なっていると、
エッチング部分38の周りも上側フィルム5によって被
覆されない状態となるため、図2(d)に示すように、
金属支持層31を所定のパターンにエッチングする時に
おいては、そのエッチング部分38の周りもエッチング
されてしまい、パターンの形状不良を生じる。
The bubble pool 35 generated in this way is
For example, as shown in FIG. 2C, when the upper film 5 and the lower film 7 are processed into a predetermined pattern to form the etched portion 38 of the metal support layer 31 on the lower film 7, the etched portion When it overlaps 38,
Since the periphery of the etched portion 38 is not covered with the upper film 5, as shown in FIG.
When the metal support layer 31 is etched into a predetermined pattern, the periphery of the etched portion 38 is also etched, resulting in a pattern shape defect.

【0035】また、このような気泡溜まり35は、上記
したように、第1ヒートロール9が段差36を乗り上げ
る時に生じるので、例えば、図4に示すような回路付サ
スペンション30においては、そのラミネート方向37
に対して直交する部分39において、特に発生しやす
く、その他のラミネート方向37に沿う部分40や、ラ
ミネート方向37に対して傾斜する部分41において
は、発生しにくい。
Further, since such a bubble pool 35 is generated when the first heat roll 9 rides on the step 36 as described above, for example, in the suspension 30 with a circuit as shown in FIG. 37
This is particularly likely to occur in a portion 39 perpendicular to the lamination direction, and hardly occurs in a portion 40 along the laminating direction 37 and a portion 41 inclined with respect to the laminating direction 37.

【0036】次いで、この方法では、第2の工程とし
て、常圧雰囲気において、上側フィルム5および下側フ
ィルム7の軟化点以上、例えば、約90〜130℃、好
ましくは、約100〜110℃に加熱された第2ヒート
ロール2の上側ロール17および下側ロール18で、上
側フィルム5および下側フィルム7が積層された基材1
0を挟み込んで、その基材10を送りながら、加熱しつ
つ押圧する。なお、この第2ヒートロール2の押圧力
は、例えば、0.2〜0.5MPaとなるように設定さ
れている。
Next, in this method, as a second step, at normal pressure atmosphere, the upper film 5 and the lower film 7 are heated to a temperature higher than the softening point, for example, about 90 to 130 ° C., preferably about 100 to 110 ° C. The substrate 1 on which the upper film 5 and the lower film 7 are laminated by the upper roll 17 and the lower roll 18 of the heated second heat roll 2
While pressing 0, the base material 10 is pressed while being heated while being fed. The pressing force of the second heat roll 2 is set to be, for example, 0.2 to 0.5 MPa.

【0037】このように、常圧雰囲気下において、上側
フィルム5および下側フィルム7の軟化点以上に加熱し
つつ押圧すれば、上側フィルム5および下側フィルム7
が熱によって再び流動するので、段差36の近傍に発生
した気泡溜まり35は、その内部が引圧状態となってい
ることから、残留応力の緩和によって押しつぶされて、
例えば、図3(c)に示すように、パターンの形成に影
響がない程度に収縮される。
As described above, when the upper film 5 and the lower film 7 are pressed while being heated to the softening point or higher under the normal pressure atmosphere, the upper film 5 and the lower film 7 are pressed.
Flows again due to the heat, so that the bubble reservoir 35 generated near the step 36 is crushed by the relaxation of the residual stress because the inside of the bubble reservoir 35 is in a state of being pulled,
For example, as shown in FIG. 3C, the contraction is performed to such an extent that the formation of the pattern is not affected.

【0038】そのため、このようなラミネート方法によ
れば、たとえ、上側フィルム5および下側フィムル7と
基材10との間、とりわけ、段差36の近傍に、気泡溜
まり35が生じても、その気泡溜まり35を、簡易な方
法によって、効率的に低減することができ、良好なラミ
ネートを実現することができる。したがって、めっき時
やエッチング時において、良好なパターンを形成するこ
とができる。
Therefore, according to such a laminating method, even if a bubble pool 35 is formed between the upper film 5 and the lower film 7 and the base material 10, particularly, in the vicinity of the step 36, the bubble is not removed. The pool 35 can be efficiently reduced by a simple method, and a good laminate can be realized. Therefore, a good pattern can be formed during plating or etching.

【0039】また、このようなラミネート方法では、第
2の工程において、とりわけ、上側フィルム5を流動さ
せて、気泡溜まり35を収縮させればよいため、例え
ば、第2ヒートロール2に代えて、図5に示すように、
加熱手段および温風加熱ヒータとしてブロワ19を用
い、圧力をかけずに加熱するのみでもよい。すなわち、
図5に示すラミネート装置では、ブロワ19が、真空ラ
ミネータ1に対して、基材10の巻取方向おける下流側
において、基材10の上方に配置されている。このブロ
ワ19は、温風の吹出口20が下向きとされ、上側フィ
ルム5に向けて温風を吹き出すように構成されている。
Further, in such a laminating method, in the second step, in particular, the upper film 5 may be caused to flow to shrink the bubble reservoir 35. For example, instead of the second heat roll 2, As shown in FIG.
The blower 19 may be used as the heating means and the hot air heater, and heating may be performed without applying pressure. That is,
In the laminating apparatus shown in FIG. 5, the blower 19 is disposed above the substrate 10 on the downstream side in the winding direction of the substrate 10 with respect to the vacuum laminator 1. The blower 19 has a configuration in which the outlet 20 for the warm air is directed downward, and blows the warm air toward the upper film 5.

【0040】そのため、図5に示すラミネート装置を用
いた場合には、第2の工程では、常圧雰囲気において、
ブロワ19によって、上側フィルム5の軟化点以上、例
えば、約150〜200℃、好ましくは、約160〜1
80℃に加熱された温風が、その吹出口20から、基材
10の上側フィルム5に吹き付けられる。そうすると、
上側フィルム5が熱によって再び流動するので、段差3
6の近傍に発生した気泡溜まり35は、その内部が引圧
状態となっていることから、残留応力の緩和によって押
しつぶされて、上記と同様に、例えば、図3(c)に示
すように、パターンの形成に影響がない程度に収縮され
る。
Therefore, when the laminating apparatus shown in FIG. 5 is used, in the second step, in a normal pressure atmosphere,
By the blower 19, the softening point of the upper film 5 or more, for example, about 150 to 200 ° C, preferably about 160 to 1
Warm air heated to 80 ° C. is blown from the outlet 20 to the upper film 5 of the substrate 10. Then,
Since the upper film 5 flows again by heat, the step 3
The bubble pool 35 generated in the vicinity of 6 is crushed by the relaxation of the residual stress because the inside of the bubble pool 35 is in a state of the pressure reduction, and as described above, for example, as shown in FIG. It is shrunk to the extent that it does not affect the formation of the pattern.

【0041】さらに、例えば、第2ヒートロール2に代
えて、図6に示すように、加熱手段として赤外線または
遠赤外線のヒータ21を用いてもよい。すなわち、図6
に示すラミネート装置では、ヒータ21が、真空ラミネ
ータ1に対して、基材10の巻取方向おける下流側にお
いて、基材10の上方に配置されている。このヒータ2
1は、赤外線または遠赤外線の放射面22が下向きとさ
れ、上側フィルム5に向けて赤外線または遠赤外線を放
射するように構成されている。
Further, for example, instead of the second heat roll 2, an infrared or far infrared heater 21 may be used as a heating means as shown in FIG. That is, FIG.
In the laminating apparatus shown in FIG. 1, the heater 21 is disposed above the substrate 10 on the downstream side in the winding direction of the substrate 10 with respect to the vacuum laminator 1. This heater 2
Reference numeral 1 denotes an infrared or far-infrared radiating surface 22 that faces downward and emits infrared or far-infrared rays toward the upper film 5.

【0042】そのため、図6に示すラミネート装置を用
いた場合には、第2の工程では、常圧雰囲気において、
ヒータ21によって、赤外線または遠赤外線が、基材1
0の上側フィルム5に照射される。そうすると、上側フ
ィルム5が、熱によって軟化点以上になると再び流動す
るので、段差36の近傍に発生した気泡溜まり35は、
その内部が引圧状態となっていることから、残留応力の
緩和によって押しつぶされて、上記と同様に、例えば、
図3(c)に示すように、パターンの形成に影響がない
程度に収縮される。
Therefore, when the laminating apparatus shown in FIG. 6 is used, in the second step, in a normal pressure atmosphere,
The heater 21 emits infrared rays or far-infrared rays
0 is irradiated on the upper film 5. Then, since the upper film 5 flows again when the temperature becomes equal to or higher than the softening point due to heat, the bubble reservoir 35 generated near the step 36 is
Since the inside is in a state of pressure reduction, it is crushed by relaxation of residual stress, and for example, as described above, for example,
As shown in FIG. 3C, the contraction is performed to such an extent that the pattern formation is not affected.

【0043】なお、この方法では、真空ラミネータ1に
おいて、基材10の上側および下側に、上側フィルム5
および下側フィルム7を重ね合わせて積層した後、なる
べく早く、第2ヒートロール2によって加熱しつつ押圧
する(または、ブロワ19やヒータ21によって加熱す
る)ことが好ましい。基材10の上側および下側に、上
側フィルム5および下側フィルム7を重ね合わせて積層
した後、一定時間が経過すると、大気から上側フィルム
5を浸透して気泡溜まり35に空気が入り、第2ヒート
ロール2で加熱しつつ押圧(または、ブロワ19やヒー
タ21によって加熱)しても、気泡溜まり35が良好に
収縮されない場合がある。
In this method, in the vacuum laminator 1, the upper film 5 is provided on the upper and lower sides of the base material 10.
After laminating the lower film 7 and the lower film 7, it is preferable to press while heating by the second heat roll 2 (or heat by the blower 19 or the heater 21) as soon as possible. After the upper film 5 and the lower film 7 are overlaid and laminated on the upper and lower sides of the base material 10, after a certain period of time, air penetrates the upper film 5 from the atmosphere and air enters the bubble reservoir 35, 2 Even when pressed with heating by the heat roll 2 (or heated by the blower 19 or the heater 21), the bubble reservoir 35 may not be satisfactorily shrunk.

【0044】そのため、より具体的には、真空ラミネー
タ1において、基材10の上側および下側に、上側フィ
ルム5および下側フィルム7を重ね合わせて積層した
後、10分以内、さらには、200秒以内に、第2ヒー
トロール2によって加熱しつつ押圧(または、ブロワ1
9やヒータ21によって加熱)することが好ましい。
Therefore, more specifically, in the vacuum laminator 1, the upper film 5 and the lower film 7 are superposed and laminated on the upper and lower sides of the base material 10, and then within 10 minutes, and further, Within a second, press (or blower 1) while heating with the second heat roll 2
9 or heater 21).

【0045】また、第2の工程においては、ブロワ19
や赤外線または遠赤外線のヒータ21を用いて加熱のみ
を行なうよりも、第2ヒートロール2を用いて、加熱し
つつ加圧する方が、より気泡溜まり35を収縮させるこ
とができるが、ブロワ19や、赤外線または遠赤外線の
ヒータ21を用いた場合には、それらの装置は、基材と
接触しないのでメンテナンスが容易となる。
In the second step, the blower 19
However, the air bubbles 35 can be more contracted by applying pressure while heating using the second heat roll 2 than by performing only heating using the heater 21 for infrared rays or far infrared rays. When the infrared or far-infrared heater 21 is used, those devices do not come into contact with the base material, so that maintenance becomes easy.

【0046】また、このようなラミネート方法では、上
記した基材10の他、例えば、所定の導体回路パターン
とされた導体層33にカバー絶縁層34をラミネートす
る場合などにおいて、その導体回路パターンの間に生じ
る気泡溜まり35(図7参照)を効率的に低減して、そ
の導体回路パターンの間部分における良好なラミネート
を実現することもできる。
Further, in such a laminating method, for example, when the cover insulating layer 34 is laminated on the conductor layer 33 having a predetermined conductor circuit pattern, in addition to the base material 10 described above, the conductor circuit pattern is not formed. It is also possible to efficiently reduce the air bubble pool 35 (see FIG. 7) generated therebetween, and to realize a good laminate in a portion between the conductor circuit patterns.

【0047】また、上記の説明では、基材10の両面に
上側フィルム5および下側フィルム7をラミネートした
が、その目的および用途によって、いずれか片方のみを
ラミネートしてもよく、また、このラミネート装置にお
いて、基材10は、真空ラミネータ1および第2ヒート
ロール2(または、ブロワ19やヒータ21)を通過で
きればよく、巻取ロール3によって巻き取る構成に代え
て、その他の基材10の搬送手段を用いて、基材10
を、真空ラミネータ1および第2ヒートロール2(また
は、ブロワ19やヒータ21)に搬送するようにしても
よい。
In the above description, the upper film 5 and the lower film 7 are laminated on both sides of the base material 10. However, depending on the purpose and use, only one of them may be laminated. In the apparatus, the base material 10 only needs to be able to pass through the vacuum laminator 1 and the second heat roll 2 (or the blower 19 or the heater 21). By means of the substrate 10
May be conveyed to the vacuum laminator 1 and the second heat roll 2 (or the blower 19 or the heater 21).

【0048】[0048]

【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。
The present invention will be described more specifically with reference to the following Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the Examples and Comparative Examples.

【0049】実施例1 厚さ25μmのステンレス箔上に、ポリアミック酸樹脂
の溶液を塗工し、乾燥後、350℃でイミド化させるこ
とにより、厚さ10μmのポリイミドからなるベース絶
縁層を形成した。次いで、ベース絶縁層上に、厚さ10
μmの銅からなる導体層を、セミアディティブ法により
所定の導体回路パターンとして形成した後、その導体層
上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工し、乾燥後、3
50℃でイミド化させることにより、厚さ4μmのポリ
イミドからなるカバー絶縁層を形成した。この基材は、
図2(a)に示す基材に相当し、24μmの段差が形成
された。
Example 1 A solution of a polyamic acid resin was applied on a stainless steel foil having a thickness of 25 μm, dried, and then imidized at 350 ° C. to form a base insulating layer made of polyimide having a thickness of 10 μm. . Next, on the base insulating layer, a thickness of 10
After a conductor layer made of copper having a thickness of μm is formed as a predetermined conductor circuit pattern by a semi-additive method, a solution of a polyamic acid resin is applied on the conductor layer, dried, and then dried.
By imidizing at 50 ° C., a cover insulating layer made of polyimide having a thickness of 4 μm was formed. This substrate is
A step of 24 μm was formed, corresponding to the substrate shown in FIG.

【0050】次いで、この基材の両面に、図1に示すラ
ミネート装置を用いて、ドライフィルムレジストをラミ
ネートした。すなわち、まず、真空ラミネータにおい
て、減圧雰囲気下、基材の両面に、ドライフィルムレジ
ストを積層した。この時のラミネート条件は、下記の通
りである。
Next, a dry film resist was laminated on both sides of the substrate using a laminating apparatus shown in FIG. That is, first, in a vacuum laminator, a dry film resist was laminated on both surfaces of a substrate under a reduced pressure atmosphere. The lamination conditions at this time are as follows.

【0051】ドライフィルムレジスト:軟化点100〜
115℃のホットメルト樹脂系ドライフィルムレジスト 真空槽内の真空度:1.5KPa 第1ヒートロールの表面温度:約110℃ 第1ヒートロールの圧力:0.4MPa 巻取ロールの搬送速度:0.5m/分 その後、ドライフィルムレジストが積層された基材中に
発生した気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡
溜まりの直径は、約140μmであった。また、この基
材を水中に沈めて、ドライフィルムレジストにおける気
泡溜まりの部分に孔を開けたところ、その内部に水が充
填されたので、これによって、気泡溜まりが引圧状態と
なっていることを確認することができた。
Dry film resist: softening point 100-
Hot melt resin-based dry film resist at 115 ° C. Degree of vacuum in vacuum chamber: 1.5 KPa Surface temperature of first heat roll: about 110 ° C. Pressure of first heat roll: 0.4 MPa Transport speed of take-up roll: 0. 5 m / min. Thereafter, air bubbles generated in the substrate on which the dry film resist was laminated were observed with an optical microscope. The diameter of the bubble pool was about 140 μm. Also, when this substrate was submerged in water and a hole was made in the portion of the air bubble reservoir in the dry film resist, the interior was filled with water, so that the air bubble reservoir was in a state of pressure reduction. Could be confirmed.

【0052】次いで、第2ヒートロールによって、ドラ
イフィルムレジストが積層された基材を、下記の条件で
加熱しつつ押圧した。
Next, the substrate on which the dry film resist was laminated was pressed by a second heat roll while heating under the following conditions.

【0053】 第2ヒートロールの表面温度:約110℃ 第2ヒートロールの圧力:0.4MPa 巻取ロールの搬送速度:0.5m/分 その後、ドライフィルムレジストが積層された基材中の
気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まりの
直径は、約30μmで、約1/5まで収縮していること
が確認された。
Surface temperature of the second heat roll: about 110 ° C. Pressure of the second heat roll: 0.4 MPa Transport speed of the take-up roll: 0.5 m / min. Then, air bubbles in the substrate on which the dry film resist is laminated The pool was observed with an optical microscope. The diameter of the bubble reservoir was about 30 μm, and it was confirmed that the diameter was reduced to about 1/5.

【0054】なお、この第2ヒートロールによる加熱お
よび押圧は、別途、真空ラミネータでの積層に連続して
行ない、真空ラミネータから送り出された後、約200
秒後に第2ヒートロールによって加熱しつつ押圧した。
The heating and pressing by the second heat roll are separately performed continuously in a laminator using a vacuum laminator.
Seconds later, the sheet was pressed while being heated by the second heat roll.

【0055】実施例2 図5に示すラミネート装置を用いた以外は、実施例1と
同様の操作により、ドライフィルムレジストを基材にラ
ミネートした。なお、ブロワの熱風温度は、約170℃
で、その処理時間は、約60秒であった。また、実施例
1と同様に、ドライフィルムレジストが積層された基材
中の気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜ま
りの直径は、約37μmであった。
Example 2 A dry film resist was laminated on a substrate by the same operation as in Example 1 except that the laminating apparatus shown in FIG. 5 was used. The hot air temperature of the blower is about 170 ° C
The processing time was about 60 seconds. Further, similarly to Example 1, the bubble accumulation in the substrate on which the dry film resist was laminated was observed with an optical microscope. The diameter of the bubble reservoir was about 37 μm.

【0056】実施例3 図6に示すラミネート装置を用いた以外は、実施例1と
同様の操作により、ドライフィルムレジストを基材にラ
ミネートした。なお、ヒータは、赤外線ヒータを用い、
その処理時間は、約60秒であった。また、実施例1と
同様に、ドライフィルムレジストが積層された基材中の
気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まりの
直径は、約37μmであった。
Example 3 A dry film resist was laminated on a substrate by the same operation as in Example 1 except that the laminating apparatus shown in FIG. 6 was used. The heater uses an infrared heater,
The processing time was about 60 seconds. Further, similarly to Example 1, the bubble accumulation in the substrate on which the dry film resist was laminated was observed with an optical microscope. The diameter of the bubble reservoir was about 37 μm.

【0057】比較例1 市販の多段ラミネータ装置を用いて、実施例1と同様の
基材の両面に、ドライフィルムレジストをラミネートし
た。なお、この多段ラミネータは、2つのヒートロール
を備えており、ラミネートは、常圧雰囲気下において、
それぞれのヒートロールで加熱しつつ押圧することを、
2回繰り返すことにより行なった。その後、実施例1と
同様に、ドライフィルムレジストが積層された基材中の
気泡溜まりを光学顕微鏡で観察した。その気泡溜まり
は、多数箇所にあり、中には直径200μmを越えるも
のもあった。
Comparative Example 1 A dry film resist was laminated on both surfaces of the same substrate as in Example 1 using a commercially available multi-stage laminator apparatus. In addition, this multi-stage laminator is provided with two heat rolls, and lamination is performed under normal pressure atmosphere.
Pressing while heating with each heat roll,
Performed by repeating twice. Then, similarly to Example 1, the bubble accumulation in the substrate on which the dry film resist was laminated was observed with an optical microscope. The bubble pools were present in many places, some of which exceeded 200 μm in diameter.

【0058】比較例2 市販のラミネータ装置を用いて、実施例1と同様の基材
の両面に、ドライフィルムレジストをラミネートした
後、市販のオートクレーブを用いて、50℃、0.5M
Paで保持した。そして、実施例1と同様に、ドライフ
ィルムレジストが積層された基材中の気泡溜まりを光学
顕微鏡で観察したところ、気泡溜まりが消失するまで
に、1時間以上の長い時間を要した。
COMPARATIVE EXAMPLE 2 A dry film resist was laminated on both sides of the same substrate as in Example 1 using a commercially available laminator apparatus, and then a 50 ° C., 0.5 M
It was kept at Pa. Then, as in Example 1, when the bubble accumulation in the substrate on which the dry film resist was laminated was observed with an optical microscope, it took a long time of one hour or more before the bubble accumulation disappeared.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上述べたように、本発明のラミネート
装置を用いて、本発明のラミネート方法を行なうと、た
とえ、フィルムと基材との間に気泡溜まりが生じても、
その気泡溜まりを、簡易な方法によって、効率的に低減
することができ、良好なラミネートを実現することがで
きる。そのため、段差が形成されている基材であって
も、その段差部分においてフィルムを良好にラミネート
することができる。
As described above, when the laminating method of the present invention is performed using the laminating apparatus of the present invention, even if air bubbles are generated between the film and the substrate,
The bubble accumulation can be efficiently reduced by a simple method, and a good laminate can be realized. Therefore, even if the substrate has a step, the film can be satisfactorily laminated at the step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のラミネート装置の一実施形態を示す概
略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a laminating apparatus of the present invention.

【図2】回路付サスペンション基板を製造する最終工程
を説明するための工程図であって、(a)は、回路付サ
スペンション基板の最終工程の基材を示す要部断面図、
(b)は、上側フィルムおよび下側フィルムを、基材の
両面にラミネートする工程を示す要部断面図、(c)
は、上側フィルムおよび下側フィルムを、所定のパター
ンに加工する工程を示す要部断面図、(d)は、上側フ
ィルムおよび下側フィルムをレジストとして、金属支持
層を所定のパターンにエッチングする工程を示す要部断
面図である。
FIGS. 2A and 2B are process diagrams for explaining a final step of manufacturing a suspension board with circuit; FIG. 2A is a cross-sectional view of a main part showing a base material of the final step of the suspension board with circuit;
(B) is a fragmentary cross-sectional view showing a step of laminating the upper film and the lower film on both surfaces of the substrate, and (c).
Is a cross-sectional view of a main part showing a step of processing the upper film and the lower film into a predetermined pattern, and (d) is a step of etching the metal support layer into a predetermined pattern using the upper film and the lower film as a resist. It is principal part sectional drawing which shows.

【図3】図2に示す回路付サスペンション基板を製造す
る最終工程において、気泡溜まりが発生する過程を説明
するための要部平面図であって、(a)は、段差に沿っ
た線状の隙間が生じた状態を示す要部平面図、(b)
は、直線状の隙間が丸状の気泡溜まりとなった状態を示
す要部断面図、(c)は、気泡溜まりが収縮された状態
を示す要部断面図である。
3A and 3B are main-part plan views for explaining a process in which air bubble accumulation occurs in a final step of manufacturing the suspension board with circuit shown in FIG. 2; FIG. 3A is a linear plan view along a step; Main part plan view showing a state in which a gap has occurred, (b)
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part showing a state in which a linear gap becomes a round bubble pool, and FIG. 4C is a cross-sectional view of a main part showing a state in which the bubble pool is contracted.

【図4】回路付サスペンション基板における気泡溜まり
が発生する部分と、ラミネート方向との関係を説明する
ための要部平面図である。
FIG. 4 is a plan view of an essential part for explaining a relationship between a portion of the suspension board with circuit where bubbles are generated and a laminating direction.

【図5】図1と異なる実施形態のラミネート装置(第2
ヒートロールに代えてブロワを備える)を示す概略構成
図である。
5 is a laminating apparatus (second embodiment) different from that of FIG.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating a blower provided in place of a heat roll).

【図6】図1と異なる実施形態のラミネート装置(第2
ヒートロールに代えて赤外線または遠赤外線ヒータを備
える)を示す概略構成図である。
FIG. 6 shows a laminating apparatus (second embodiment) different from that of FIG.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating an infrared or far-infrared heater instead of a heat roll.

【図7】導体回路パターンの間に気泡溜まりが生じてい
る状態を説明するための要部断面図である。
FIG. 7 is an essential part cross-sectional view for explaining a state where air bubbles are generated between conductor circuit patterns.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 第2ヒートロール 4 真空槽 5 上側フィルム 7 下側フィルム 9 第1ヒートロール 10 基材 19 ブロワ 21 赤外線または遠赤外線ヒータ 36 段差 2 Second heat roll 4 Vacuum tank 5 Upper film 7 Lower film 9 First heat roll 10 Base material 19 Blower 21 Infrared or far infrared heater 36 Step

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材上にフィルムをラミネートするラミ
ネート方法であって、 減圧雰囲気下において、基材上にフィルムを重ねて、加
熱しつつ押圧する第1の工程、および、 前記第1の工程においてフィルムが重ねられた基材を、
常圧雰囲気下において、加熱しつつ押圧する、または、
加熱する第2の工程を含んでいることを特徴とする、ラ
ミネート方法。
1. A laminating method for laminating a film on a substrate, comprising: a first step of laminating the film on the substrate in a reduced-pressure atmosphere, and pressing the film while heating, and the first step In the substrate on which the film was layered,
Under normal pressure atmosphere, press while heating, or
A laminating method comprising a second step of heating.
【請求項2】 前記基材には段差が形成されており、 前記第1の工程において、前記フィルムを、少なくとも
前記段差上に重ねることを特徴とする、請求項1に記載
のラミネート方法。
2. The laminating method according to claim 1, wherein a step is formed on the base material, and the film is overlaid on at least the step in the first step.
【請求項3】 前記第1の工程および前記第2の工程に
おいて、ヒートロールを用いて、加熱しつつ押圧するこ
とを特徴とする、請求項1または2に記載のラミネート
方法。
3. The laminating method according to claim 1, wherein in the first step and the second step, pressing is performed while heating using a heat roll.
【請求項4】 前記第1の工程において、ヒートロール
を用いて、加熱しつつ押圧し、前記第2の工程におい
て、温風加熱ヒータ、赤外線または遠赤外線ヒータを用
いて、加熱することを特徴とする、請求項1または2に
記載のラミネート方法。
4. The method according to claim 1, wherein in the first step, heating and pressing are performed using a heat roll, and in the second step, heating is performed using a warm air heater, an infrared ray or a far infrared ray heater. The lamination method according to claim 1 or 2, wherein
【請求項5】 基材上にフィルムをラミネートするため
のラミネート装置であって、 槽内が減圧される減圧槽、および、前記減圧槽内に設け
られ、フィルムを基材上に重ねて加熱しつつ押圧するた
めの加熱押圧手段を備える第1ラミネート装置と、 前記第1ラミネート装置によってフィルムが重ねられた
基材を、常圧下において、加熱しつつ押圧するための加
熱押圧手段または加熱するための加熱手段を備える第2
ラミネート装置とを備えていることを特徴とする、ラミ
ネート装置。
5. A laminating apparatus for laminating a film on a substrate, comprising: a decompression tank in which pressure is reduced in the tank; and a laminating apparatus provided in the decompression tank, wherein the film is stacked on the substrate and heated. A first laminating apparatus having a heating and pressing means for pressing while pressing, a heating and pressing means for heating and pressing the substrate on which the film is stacked by the first laminating apparatus under normal pressure, or for heating. Second with heating means
A laminating apparatus, comprising: a laminating apparatus.
【請求項6】 前記第1ラミネート装置および第2ラミ
ネート装置に備えられる加熱押圧手段が、ヒートロール
であることを特徴とする、請求項5に記載のラミネート
装置。
6. The laminating apparatus according to claim 5, wherein the heating and pressing means provided in the first laminating apparatus and the second laminating apparatus is a heat roll.
【請求項7】 前記第1ラミネート装置に備えられる加
熱押圧手段が、ヒートロールであり、前記第2ラミネー
ト装置に備えられる加熱手段が、温風加熱ヒータ、赤外
線または遠赤外線ヒータのいずれかであることを特徴と
する、請求項5に記載のラミネート装置。
7. The heating and pressing means provided in the first laminating apparatus is a heat roll, and the heating means provided in the second laminating apparatus is one of a hot air heater, an infrared heater and a far infrared heater. The laminating apparatus according to claim 5, characterized in that:
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