JP2002198572A - Infrared rays data communication module and its manufacturing method - Google Patents

Infrared rays data communication module and its manufacturing method

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JP2002198572A JP2000396782A JP2000396782A JP2002198572A JP 2002198572 A JP2002198572 A JP 2002198572A JP 2000396782 A JP2000396782 A JP 2000396782A JP 2000396782 A JP2000396782 A JP 2000396782A JP 2002198572 A JP2002198572 A JP 2002198572A
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communication module
infrared data
hole
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Japanese (ja)
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Tomoharu Horio
友春 堀尾
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Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an infrared rays data communication module wherein a trench-shaped connection terminal formed on a side surface of a substrate can be prevented from being filled and choked with resin for forming a resin package or resist material for forming a protective film on the surface of the substrate. SOLUTION: This infrared rays data communication module is provided with the substrate wherein component groups including a light emitting element and a light receiving element are mounted on a single surface, and a resin package which is so formed that the component groups are sealed and the single surface of the substrate is covered wholly. On the side surface of the substrate, the trench-shaped connection terminal which is stretched in the whole part in the thickness direction of the substrate and has a conductor layer on an inner peripheral surface is formed. Aperture parts of the resin package side in the connection terminal are previously choked with conductive choking pads which are electrically connected with the conductor layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本願発明は、いわゆるIrD
A(Infrared Data Association)規格に準じた赤外線
データ通信を行うために用いられる赤外線データ通信モ
ジュールに関する。
The present invention relates to a so-called IrD
The present invention relates to an infrared data communication module used for performing infrared data communication conforming to the A (Infrared Data Association) standard.

【0002】[0002]

【従来の技術】IrDA準拠の赤外線データ通信モジュ
ール(以下、単に「モジュール」という)は、ノートパ
ソコンの分野においてその普及が著しく、最近において
は、携帯電話や電子手帳などにも普及しつつある。この
種のモジュールは、赤外線用の発光素子および受光素子
や、これらの素子を制御するための制御回路素子などを
ワンパッケージ化して双方向にワイヤレス通信を可能と
したものであり、通信速度や通信距離などがバージョン
により統一規格として定められている。このような赤外
線データ通信機能の高性能化が推進されるなか、モジュ
ール全体の形態は、ダウンサイジングによりますます小
型化され、製造プロセスにおいては、厳しい寸法精度が
要求されるとともにコスト低減が叫ばれている。
2. Description of the Related Art IrDA-compliant infrared data communication modules (hereinafter simply referred to as "modules") have become very popular in the field of notebook personal computers, and have recently become widespread in mobile phones and electronic notebooks. This type of module integrates a light-emitting element and a light-receiving element for infrared rays, and a control circuit element for controlling these elements into one package, and enables bidirectional wireless communication. The distance and the like are defined as a unified standard by the version. As the performance of infrared data communication functions has been enhanced, the size of the entire module has become smaller and smaller due to downsizing.In the manufacturing process, strict dimensional accuracy is required and cost reduction is called for. I have.

【0003】この種の従来の赤外線データ通信モジュー
ルの一例を図18に示す。また、図18に示す赤外線デ
ータ通信モジュール100を外部の回路基板に実装した
状態を示す概略斜視図を図19に示す。図18に示すよ
うに、このモジュール100は、基板101と、基板1
01の片面101aを全体的に覆うように形成された樹
脂パッケージ5とによって外観が形成されている。基板
101には、発光素子2、受光素子3、およびこれらを
制御するLSIチップ4を含む部品群Eが片面101a
に搭載され、樹脂パッケージ5は、これらの部品群Eを
封止するように形成されている。このモジュール100
には、発光素子2の対向する面に発光用レンズ部51が
形成され、また、受光素子3の対向する面に受光用レン
ズ部52が形成されている。
FIG. 18 shows an example of such a conventional infrared data communication module. FIG. 19 is a schematic perspective view showing a state where the infrared data communication module 100 shown in FIG. 18 is mounted on an external circuit board. As shown in FIG. 18, the module 100 includes a substrate 101 and a substrate 1
The outer appearance is formed by the resin package 5 formed so as to entirely cover the one surface 101a of the optical disc 101. On the substrate 101, a component group E including a light emitting element 2, a light receiving element 3, and an LSI chip 4 for controlling the light emitting element 2, the light receiving element 3, and the
And the resin package 5 is formed so as to seal these component groups E. This module 100
, A light emitting lens portion 51 is formed on a surface facing the light emitting element 2, and a light receiving lens portion 52 is formed on a surface facing the light receiving element 3.

【0004】基板101の側面には、基板101の厚み
方向全体にわたって延びるとともに内周面に導体層17
0を有する溝状の接続端子部107が複数形成されてい
る。基板101の裏面101bには、図19に示すよう
に、接続端子部107の開口部分を囲むように形成され
た端子パッド6が設けられている。端子パッド6は、図
18に示すように、接続端子部107の内周面の導体層
170を介して、基板101の片面101aに形成され
た図示しない配線パターンと接続されている。
[0004] On the side surface of the substrate 101, the conductor layer 17 extends over the entire thickness direction of the substrate 101 and has an inner peripheral surface.
A plurality of groove-shaped connection terminal portions 107 having 0 are formed. As shown in FIG. 19, a terminal pad 6 formed so as to surround the opening of the connection terminal portion 107 is provided on the back surface 101b of the substrate 101. As shown in FIG. 18, the terminal pad 6 is connected to a wiring pattern (not shown) formed on one surface 101a of the substrate 101 via a conductor layer 170 on the inner peripheral surface of the connection terminal portion 107.

【0005】このようなモジュール100を製造する際
には、たとえば、図20に示すように、シート状のガラ
スエポキシ樹脂からなる原基板110を用い、この原基
板110から多数個のモジュール100を得る。具体的
には、まず、上記基板101となる基板エリアSを複数
行複数列含む原基板110に対して、その片面110a
および裏面の全域に銅などの導体被膜をメッキ形成し、
この導体被膜をエッチングすることにより、原基板11
0の片面110aに配線パターンを、その裏面に端子パ
ッド6を含む所定のパターンを、各基板エリアSのそれ
ぞれに形成する。
When such a module 100 is manufactured, for example, as shown in FIG. 20, an original substrate 110 made of a sheet-like glass epoxy resin is used, and a large number of modules 100 are obtained from the original substrate 110. . Specifically, first, one side 110a of the original substrate 110 including the substrate area S serving as the substrate 101, which includes a plurality of rows and columns.
And plating a conductor film such as copper on the entire back surface,
By etching this conductor coating, the original substrate 11
A wiring pattern is formed on one side 110a of the “0” and a predetermined pattern including the terminal pads 6 is formed on the back surface of each of the substrate areas S.

【0006】次いで、図20に示すように、各基板エリ
アSの境界線上に所定数のスルーホール171を貫通形
成し、図21に示すように、原基板110の片面110
aの配線パターンと裏面の端子パッド6とを導通させる
ように、スルーホール171の内周面に導体層170を
形成する。スルーホール171は、後に切断されること
によりその一部が上記接続端子部107となる。
Next, as shown in FIG. 20, a predetermined number of through-holes 171 are formed through the boundary of each substrate area S, and as shown in FIG.
A conductor layer 170 is formed on the inner peripheral surface of the through hole 171 so as to conduct the wiring pattern a and the terminal pad 6 on the back surface. The through-hole 171 is partially cut to become the connection terminal portion 107 by being cut later.

【0007】次いで、図21に示すように、原基板11
0の表面に一般にグリーンレジストと呼ばれる保護膜1
09を形成する。この保護膜109は、たとえば、液状
のレジスト材料を原基板110の表面に比較的薄く塗布
し、所望のパターンが描かれたマスクを用いて露光し、
露光されたレジスト材料を現像することにより所定の箇
所が開口されるように形成される。このとき、後述する
ようにして上記樹脂パッケージ5を形成する際に、溶融
した樹脂がスルーホール171に侵入するのを防止する
ために、スルーホール171の開口部のうち、原基板1
10の片面110a側の開口部を、保護膜109で塞い
でおく。
[0007] Next, as shown in FIG.
0, a protective film 1 generally called a green resist.
09 is formed. For example, the protective film 109 is formed by applying a liquid resist material to the surface of the original substrate 110 relatively thinly and exposing it using a mask on which a desired pattern is drawn.
By developing the exposed resist material, a predetermined portion is formed so as to be opened. At this time, when the resin package 5 is formed as described later, in order to prevent molten resin from entering the through hole 171, the original substrate 1 is removed from the opening of the through hole 171.
The opening on the one surface 110a side of the substrate 10 is closed with a protective film 109.

【0008】次いで、上記部品群Eを実装し、その後、
図22に示すように、原基板110上に樹脂パッケージ
5を形成するための樹脂を、平面視で上記各基板エリア
Sよりも大となるようにモールドする。ここでは、隣り
合う2つの基板エリアに一括してモールド成形した中間
封止体5aを形成する。樹脂パッケージ5を形成するた
めの樹脂としては、可視光に対しては透光性を有しない
反面、赤外線に対しては透光性を有するエポキシ樹脂な
どが用いられる。このような樹脂のモールドに際して
は、トランスファーモールド法などが用いられる。より
詳細には、上記中間封止体5aの形状に対応したキャビ
ティを有する金型を原基板110の片面110a側にセ
ットし、このキャビティ内に溶融した樹脂を注入した
後、樹脂が硬化してから上記金型を除去する。
Next, the component group E is mounted.
As shown in FIG. 22, a resin for forming the resin package 5 on the original substrate 110 is molded so as to be larger than each of the substrate areas S in plan view. Here, an intermediate encapsulant 5a is formed by molding on two adjacent substrate areas at once. As a resin for forming the resin package 5, an epoxy resin or the like that does not transmit visible light but transmits infrared light is used. In molding such a resin, a transfer molding method or the like is used. More specifically, a mold having a cavity corresponding to the shape of the intermediate sealing body 5a is set on one side 110a of the original substrate 110, and after the molten resin is injected into the cavity, the resin is cured. Then, the mold is removed.

【0009】そして、原基板110を各基板エリアSに
沿って切断し、複数のモジュール100を得る。このと
き、図23に示すように、円筒内面状を呈した各スルー
ホール171をその軸心方向に沿って略半分が残るよう
に切断する。これにより、各基板110の側面に溝状の
上記接続端子部107が、その内周面が外部に露出する
ように形成される。
Then, the original substrate 110 is cut along each substrate area S, and a plurality of modules 100 are obtained. At this time, as shown in FIG. 23, each through hole 171 having a cylindrical inner surface is cut so that approximately half remains along the axial direction. Thus, the groove-shaped connection terminal portion 107 is formed on the side surface of each substrate 110 such that the inner peripheral surface thereof is exposed to the outside.

【0010】このように製造されたモジュール100
は、検査工程を経て外部の回路基板に実装される。上記
検査工程では、検査装置の測定用プローブを上記接続端
子部107の内周面に接触させて種々の特性が測定され
る。
The module 100 manufactured as described above
Are mounted on an external circuit board through an inspection process. In the inspection process, various characteristics are measured by bringing a measurement probe of the inspection device into contact with the inner peripheral surface of the connection terminal 107.

【0011】モジュール100を外部の回路基板Bに実
装する際には、たとえば、図24に示すように、接続端
子部107の内周面が外部の回路基板Bに面するように
モジュール100を半田付けする。このとき、半田フィ
レットFが接続端子部107の内周面、上記端子パッド
6、および外部の回路基板Bの表面に形成された導体パ
ターンPを互いに接合するように形成される。このよう
に半田付けすることにより、モジュール100を、その
側面が外部の回路基板Bに接するように実装することが
できる。
When mounting the module 100 on the external circuit board B, for example, as shown in FIG. 24, the module 100 is soldered such that the inner peripheral surface of the connection terminal 107 faces the external circuit board B. Attach. At this time, the solder fillet F is formed so as to join the inner peripheral surface of the connection terminal portion 107, the terminal pad 6, and the conductor pattern P formed on the surface of the external circuit board B to each other. By performing such soldering, the module 100 can be mounted such that the side surface thereof is in contact with the external circuit board B.

【0012】しかしながら、上述したように、上記樹脂
パッケージ5を形成する前に、上記スルーホール171
の開口部のうち、原基板110の片面110a側の開口
部を保護膜109で塞いでおくのであるが、この保護膜
109を形成するためのレジスト材料は、比較的薄く塗
布されるとはいえ液状であるので、図21に示すよう
に、スルーホール171に対して必要以上の深さdまで
侵入することがある。その結果、スルーホール171が
切断されて上記接続端子部107が形成される際に、ス
ルーホール171内に侵入したレジスト材料の一部が切
りカスとなってしまう。また、製造されたモジュール1
00においては、溝状の接続端子部107がレジスト材
料で填塞された状態となる。その結果、モジュール10
0を検査する際に、検査装置の測定用プローブが上記接
続端子部107を填塞するレジスト材料に当接してしま
い、正確な測定ができないことがある。さらに、モジュ
ール100を外部の回路基板Bに半田付けする際に、図
24に示すように、上記接続端子部107の内周面全域
に半田フィレットFを形成することができず、実装強度
が低下してしまう。
However, as described above, before the resin package 5 is formed, the through hole 171 is formed.
Of the openings, the opening on the one surface 110a side of the original substrate 110 is covered with the protective film 109. The resist material for forming the protective film 109 is applied relatively thinly. Since it is liquid, it may penetrate into the through hole 171 to a depth d more than necessary as shown in FIG. As a result, when the through-hole 171 is cut to form the connection terminal portion 107, a part of the resist material that has entered the through-hole 171 becomes a cutting residue. Also, the manufactured module 1
At 00, the groove-shaped connection terminal 107 is filled with a resist material. As a result, module 10
When inspecting 0, the measurement probe of the inspection apparatus may come into contact with the resist material filling the connection terminal 107, and accurate measurement may not be performed. Further, when the module 100 is soldered to the external circuit board B, as shown in FIG. 24, the solder fillet F cannot be formed on the entire inner peripheral surface of the connection terminal portion 107, and the mounting strength is reduced. Resulting in.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本願発明は、上記した
事情のもとで考え出されたものであって、基板の側面に
溝状に形成された接続端子部が、樹脂パッケージを形成
するための樹脂、あるいは基板表面の保護膜を形成する
ためのレジスト材料によって填塞されるのを防止するこ
とができる赤外線データ通信モジュールを提供すること
をその課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived in view of the above-mentioned circumstances, and has a structure in which a connection terminal formed in a groove shape on a side surface of a substrate forms a resin package. It is an object of the present invention to provide an infrared data communication module that can be prevented from being blocked by a resin or a resist material for forming a protective film on a substrate surface.

【0014】[0014]

【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.

【0015】すなわち、本願発明の第1の側面により提
供される赤外線データ通信モジュールは、発光素子およ
び受光素子を含む部品群が片面に搭載された基板と、上
記部品群を封止するとともに上記基板の上記片面を全体
的に覆うように形成された樹脂パッケージとを備えてお
り、上記基板の側面には、上記基板の厚み方向全体にわ
たって延びるとともに内周面に導体層を有する溝状の接
続端子部が形成されている赤外線データ通信モジュール
であって、上記接続端子部における上記樹脂パッケージ
側の開口部分は、上記導体層と導通する導電性閉塞パッ
ドによって予め塞がれていることを特徴としている。
That is, the infrared data communication module provided by the first aspect of the present invention includes a substrate on which a component group including a light emitting element and a light receiving element is mounted on one surface; A resin package formed so as to entirely cover the one surface of the substrate, and a groove-shaped connection terminal extending on the side surface of the substrate over the entire thickness direction of the substrate and having a conductor layer on an inner peripheral surface. An infrared data communication module in which a portion is formed, wherein an opening portion of the connection terminal portion on the resin package side is previously closed by a conductive closing pad that is electrically connected to the conductor layer. .

【0016】好ましい実施の形態においては、この赤外
線データ通信モジュールは、外部の回路基板に対して、
上記接続端子部の内周面が面するように実装される。
In a preferred embodiment, the infrared data communication module is provided with respect to an external circuit board.
It is mounted so that the inner peripheral surface of the connection terminal portion faces.

【0017】本願発明の第1の側面においては、上記接
続端子部における上記樹脂パッケージ側の開口部分は、
上記導電性閉塞パッドによって予め塞がれるので、樹脂
パッケージを形成するための樹脂や、基板表面を保護す
る保護膜を形成するためのレジスト材料によって上記接
続端子部が填塞されるのを防止することができる。その
結果、この赤外線データ通信モジュールを検査する場合
において、検査装置の測定用プローブを上記接続端子部
の内周面に接触させる際に、樹脂やレジスト材料に測定
用プローブが当接することにより正確な測定ができなく
なるのを防止することができる。また、赤外線データ通
信モジュールを外部の回路基板に半田付けする際に、上
記接続端子部の内周面全域に半田フィレットを形成する
ことができ、実装強度を向上することができる。
According to a first aspect of the present invention, an opening portion on the resin package side in the connection terminal portion includes:
The connection terminal portion is prevented from being filled with a resin for forming a resin package or a resist material for forming a protective film for protecting a substrate surface since the connection terminal portion is previously closed by the conductive closing pad. Can be. As a result, when testing the infrared data communication module, when the measurement probe of the inspection device is brought into contact with the inner peripheral surface of the connection terminal portion, the measurement probe comes into contact with the resin or the resist material, thereby providing accurate measurement. Measurement can be prevented from becoming impossible. Further, when the infrared data communication module is soldered to an external circuit board, a solder fillet can be formed over the entire inner peripheral surface of the connection terminal portion, and the mounting strength can be improved.

【0018】本願発明の第2の側面により提供される赤
外線データ通信モジュールの製造方法は、発光素子およ
び受光素子を含む部品群が片面に搭載された基板と、上
記部品群を封止するとともに上記基板の上記片面を全体
的に覆うように形成された樹脂パッケージとを備えてお
り、上記基板の側面には、上記基板の厚み方向全体にわ
たって延びるとともに内周面に導体層を有する溝状の接
続端子部が形成されている赤外線データ通信モジュール
を製造する方法であって、上記基板の裏面側となる第1
基板エリアを有する第1材料基板に対して、上記第1基
板エリアの境界線上にスルーホールを貫通形成する工程
と、上記第1基板エリアと対応する第2基板エリアを有
するとともに裏面側に接着剤が塗布されている第2材料
基板を、上記第1材料基板上に貼り合わせることにより
原基板を形成する工程と、上記第2材料基板の表面全域
に導体被膜を形成する工程と、上記導体被膜をエッチン
グすることにより、上記第2材料基板の表面側の上記ス
ルーホールに対応する位置に、上記スルーホールの開口
面積よりも大なる導電性閉塞パッドを形成する工程と、
上記第2材料基板に対してデスミア処理を行い、上記ス
ルーホールと連通する孔部を、その開口部分が上記導電
性閉塞パッドで塞がれるように形成する工程と、上記ス
ルーホールおよび上記孔部の内周面に上記導電性閉塞パ
ッドと導通するように上記導体層を形成する工程と、上
記原基板の上記第2材料基板側に上記部品群を実装する
工程と、上記原基板の上記第2材料基板上に上記樹脂パ
ッケージを形成する工程と、上記原基板を上記第1基板
エリアおよび第2基板エリアに沿って切断する工程と、
を含むことを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an infrared data communication module, comprising: a substrate on which a component group including a light emitting element and a light receiving element is mounted on one side; A resin package formed so as to entirely cover the one surface of the substrate, and a groove-shaped connection extending on the side surface of the substrate over the entire thickness direction of the substrate and having a conductor layer on an inner peripheral surface. A method for manufacturing an infrared data communication module having a terminal portion formed thereon, the method comprising:
Forming a through-hole on a boundary line of the first substrate area through a first material substrate having a substrate area; and providing an adhesive on a back side having a second substrate area corresponding to the first substrate area. Forming an original substrate by laminating a second material substrate on which the second material substrate is coated on the first material substrate, forming a conductive film over the entire surface of the second material substrate, Forming a conductive closing pad larger than the opening area of the through hole at a position corresponding to the through hole on the surface side of the second material substrate by etching
Performing a desmear process on the second material substrate to form a hole communicating with the through hole so that the opening is closed by the conductive closing pad; Forming the conductive layer on the inner peripheral surface of the conductive substrate so as to be electrically connected to the conductive blocking pad; mounting the component group on the second material substrate side of the original substrate; Forming the resin package on a two-material substrate, cutting the original substrate along the first substrate area and the second substrate area,
It is characterized by including.

【0019】この製造方法は、上記した本願発明の第1
の側面に係る赤外線データ通信モジュールの製造方法で
ある。したがって、本願発明の第1の側面に係る赤外線
データ通信モジュールについて上述したのと同様の利点
を享受することができる。
This manufacturing method is the first method of the present invention described above.
A method for manufacturing an infrared data communication module according to the aspect of (1). Therefore, the same advantages as described above for the infrared data communication module according to the first aspect of the present invention can be enjoyed.

【0020】好ましい実施の形態においては、上記第2
材料基板は、ガラスエポキシ樹脂により形成されるとと
もに、上記第2材料基板の裏面側に塗布された接着剤
は、エポキシ樹脂系接着剤であり、上記デスミア処理を
行う工程は、エポキシ樹脂を溶解しうる溶液に、上記導
電性閉塞パッドが形成された原基板を浸漬することによ
って行なわれる。
In a preferred embodiment, the second
The material substrate is formed of a glass epoxy resin, and the adhesive applied to the back surface of the second material substrate is an epoxy resin-based adhesive, and the step of performing the desmearing process dissolves the epoxy resin. This is carried out by immersing the original substrate on which the above-mentioned conductive closing pad is formed in a solution.

【0021】このような構成によれば、接着材と第2材
料基板を同時に溶解することができる。
According to such a configuration, the adhesive and the second material substrate can be simultaneously dissolved.

【0022】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of embodiments of the present invention.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0024】図1は、本願発明に係る赤外線データ通信
モジュールの一例を示す概略斜視図、図2は、図1に示
す赤外線データ通信モジュールを外部の回路基板に実装
した状態を示す概略斜視図、図3は、図2のIII-III線
に沿う断面図である。また、図4、および図7ないし図
16は、本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
製造方法を説明するための概略図である。さらに、図5
は、図4における第1材料基板の裏面からの概略図、図
6は、図4のVI-VI線に沿う断面図、図17は、図16
のXVII-XVII線に沿う断面図である。なお、これらの図
において、従来例を示す図18ないし図24に表された
部材、部分等と同等のものにはそれぞれ同一の符号を付
してある。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of an infrared data communication module according to the present invention, FIG. 2 is a schematic perspective view showing a state where the infrared data communication module shown in FIG. 1 is mounted on an external circuit board, FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III in FIG. FIGS. 4 and 7 to 16 are schematic diagrams for explaining a method of manufacturing the infrared data communication module according to the present invention. Further, FIG.
4 is a schematic view from the back of the first material substrate in FIG. 4, FIG. 6 is a sectional view taken along the line VI-VI in FIG. 4, and FIG.
FIG. 7 is a sectional view taken along line XVII-XVII of FIG. In these figures, the same reference numerals are given to members and parts equivalent to those shown in FIGS. 18 to 24 showing a conventional example.

【0025】図1に表れているように、この赤外線デー
タ通信モジュール(以下、単に「モジュール」という)
Aは、基板1と、基板1の片面1aに搭載された部品群
Eと、部品群Eを封止するように形成された樹脂パッケ
ージ5とを具備して構成されている。
As shown in FIG. 1, this infrared data communication module (hereinafter simply referred to as “module”)
A includes a substrate 1, a component group E mounted on one side 1a of the substrate 1, and a resin package 5 formed so as to seal the component group E.

【0026】上記基板1は、図1に示すように、全体と
して平面視略長矩形状に形成されている。基板1の片面
1aには、所定の配線パターン(図示略)が形成されて
いる。基板1の側面には、基板1の厚み方向全体にわた
って延びるとともに内周面に導体層70を有する溝状の
接続端子部7が複数形成されている。基板1の裏面1b
には、図2に示すように、このモジュールAを外部の回
路基板Bに実装するための端子パッド6が、接続端子部
7の開口部分を周むように形成されている。端子パッド
6は、図1に示すように、接続端子部7の内周面の導体
層70を介して基板1の片面1aの配線パターンと電気
的に接続されている。
As shown in FIG. 1, the substrate 1 is generally formed in a substantially rectangular shape in plan view. On one side 1a of the substrate 1, a predetermined wiring pattern (not shown) is formed. On the side surface of the substrate 1, a plurality of groove-like connection terminal portions 7 extending over the entire thickness direction of the substrate 1 and having the conductor layer 70 on the inner peripheral surface are formed. Back surface 1b of substrate 1
As shown in FIG. 2, a terminal pad 6 for mounting the module A on an external circuit board B is formed so as to surround an opening of the connection terminal portion 7. As shown in FIG. 1, the terminal pad 6 is electrically connected to a wiring pattern on one surface 1 a of the substrate 1 via a conductor layer 70 on the inner peripheral surface of the connection terminal portion 7.

【0027】上記各接続端子部7は、モジュールAの製
造工程において、後述するようにして形成されたスルー
ホールおよびこれと連通する孔部の一部が切欠きされる
ことにより形成されたものである。より詳細には、スル
ーホールおよびこれと連通する孔部の軸心方向に沿って
原基板が切断され、スルーホールおよび孔部の一部が残
るように形成されたものであり、切断された結果、接続
端子部7の内周面上の導体層70が外部に露出される。
Each of the connection terminal portions 7 is formed by cutting out a part of a through-hole formed as described later and a hole communicating with the through-hole in the manufacturing process of the module A. is there. In more detail, the original substrate is cut along the axial direction of the through hole and the hole communicating with the through hole, and the through hole and a part of the hole are formed so as to remain. Then, the conductor layer 70 on the inner peripheral surface of the connection terminal portion 7 is exposed to the outside.

【0028】上記部品群Eには、図1に示すように、発
光素子2、受光素子3、およびLSIチップ4が含まれ
る。発光素子2は、たとえば、赤外線を発することがで
きる赤外線発光ダイオードなどからなり、基板1の片面
1aに実装され、金線などによってワイヤボンディング
されて配線パターンと接続されている。受光素子3は、
たとえば、赤外線を感知することができるPINフォト
ダイオードなどからなり、発光素子2と同様に、基板1
の片面1aに実装され、金線などによってワイヤボンデ
ィングされて配線パターンと接続されている。また、L
SIチップ4は、発光素子2および受光素子3による送
受信動作を制御するためのものであり、基板1の片面1
aに実装され、金線などによってワイヤボンディングさ
れて配線パターンと接続され、かつ配線パターンを通じ
て発光素子2および受光素子3に接続される。
As shown in FIG. 1, the component group E includes a light emitting element 2, a light receiving element 3, and an LSI chip 4. The light emitting element 2 is composed of, for example, an infrared light emitting diode that can emit infrared light, is mounted on one surface 1a of the substrate 1, and is connected to a wiring pattern by wire bonding with a gold wire or the like. The light receiving element 3
For example, the light emitting element 2 is formed of a PIN photodiode capable of sensing infrared rays.
And is connected to a wiring pattern by wire bonding with a gold wire or the like. Also, L
The SI chip 4 is for controlling the transmission / reception operation by the light emitting element 2 and the light receiving element 3,
a, is connected to a wiring pattern by wire bonding with a gold wire or the like, and is connected to the light emitting element 2 and the light receiving element 3 through the wiring pattern.

【0029】上記樹脂パッケージ5は、たとえば顔料を
含んだエポキシ樹脂などからなり、基板1の片面1aを
全体的に覆うように形成されている。この樹脂パッケー
ジ5は、可視光に対しては透光性を有しない反面、赤外
線に対しては透光性を有する材料からトランスファーモ
ールド法などの手法により形成されている。この樹脂パ
ッケージ5には、図1に示すように、発光素子2に対向
する面に発光用レンズ部51が一体的に形成されてお
り、発光素子2の上面から放射された光を集光しつつ出
射するように構成されている。また、樹脂パッケージ5
の受光素子3に対向する面には、受光用レンズ部52が
一体的に形成されており、このモジュールAに送信され
てきた光を集光して受光素子3に入射するように構成さ
れている。
The resin package 5 is made of, for example, an epoxy resin containing a pigment, and is formed so as to entirely cover one surface 1 a of the substrate 1. The resin package 5 has no translucency with respect to visible light, but is formed of a material having translucency with respect to infrared rays by a method such as a transfer molding method. As shown in FIG. 1, the resin package 5 has a light emitting lens portion 51 integrally formed on a surface facing the light emitting element 2, and collects light emitted from the upper surface of the light emitting element 2. It is configured to emit light. In addition, resin package 5
A light receiving lens portion 52 is integrally formed on the surface facing the light receiving element 3, and is configured to condense the light transmitted to the module A and make the light incident on the light receiving element 3. I have.

【0030】また、各接続端子部7における樹脂パッケ
ージ5側の開口部分は、図1に示すように、接続端子部
7の内周面上の導体層70と導通する導電性閉塞パッド
8によって塞がれており、上記樹脂パッケージ5に対し
て隔絶されている。この導電性閉塞パッド8は、上記配
線パターンと導通するように形成されている。また、こ
の導電性閉塞パッド8は、本実施形態では、後述するよ
うにして基板1の片面1aに形成した導体被膜をエッチ
ングすることにより形成される。
As shown in FIG. 1, the opening of each connection terminal 7 on the side of the resin package 5 is closed by a conductive closing pad 8 which is electrically connected to the conductor layer 70 on the inner peripheral surface of the connection terminal 7. It is separated from the resin package 5. The conductive closing pad 8 is formed so as to be electrically connected to the wiring pattern. In the present embodiment, the conductive closing pad 8 is formed by etching a conductive film formed on one surface 1a of the substrate 1 as described later.

【0031】このような構成を有するモジュールAは、
以下に説明する手順で製造される。
The module A having such a configuration is:
It is manufactured by the procedure described below.

【0032】まず、図4および図6に示すように、上記
基板1の裏面側となる第1基板エリアSaを有する第1
材料基板12aに対して、上記基板エリアSaの境界線
上に所定数のスルーホール71を貫通形成する。より詳
細には、この第1材料基板12aは、複数行複数列の第
1基板エリアSaを有しており、第1基板エリアSaの
裏面が上記基板1の裏面1bとなる(図5参照)。この
第1材料基板12aは、ガラスエポキシ樹脂から形成さ
れており、その厚みは、たとえば0.7mm程度とされ
ている。なお、第1材料基板12aの裏面には、図5に
示すように、各第1基板エリアSaごとに、公知のフォ
トリソグラフィー法により上記端子パッド6が予め形成
されているものとする。すなわち、この工程では、ま
ず、裏面に銅箔を施した第1材料基板12aに対してレ
ジスト材料を塗布し、所望のパターンが描かれたマスク
を用いて露光し、露光されたレジスト材料を現像するこ
とにより、銅箔のうちの端子パッド6に対応する領域外
を露出させた状態とする。次に、銅を溶融可能な溶液に
この第1材料基板12aを浸漬するなどして銅箔の露出
部分を溶融し、レジスト材料を剥離する。このようにし
て端子パッド6を予め形成した第1材料基板12aの所
定部分に、たとえばドリルなどにより円筒内面状に孔を
開けることにより、スルーホール71を形成する。
First, as shown in FIGS. 4 and 6, a first substrate area Sa having a first substrate area Sa on the back side of the substrate 1 is provided.
A predetermined number of through holes 71 are formed through the material substrate 12a on the boundary line of the substrate area Sa. More specifically, the first material substrate 12a has a first substrate area Sa in a plurality of rows and a plurality of columns, and the back surface of the first substrate area Sa is the back surface 1b of the substrate 1 (see FIG. 5). . The first material substrate 12a is formed of a glass epoxy resin, and has a thickness of, for example, about 0.7 mm. Note that, as shown in FIG. 5, the terminal pads 6 are previously formed on the back surface of the first material substrate 12a for each first substrate area Sa by a known photolithography method. That is, in this step, first, a resist material is applied to the first material substrate 12a having a copper foil on the back surface, exposed using a mask on which a desired pattern is drawn, and the exposed resist material is developed. By doing so, the outside of the area corresponding to the terminal pad 6 of the copper foil is exposed. Next, the exposed portion of the copper foil is melted by dipping the first material substrate 12a in a solution capable of melting copper, and the resist material is peeled off. A through hole 71 is formed in a predetermined portion of the first material substrate 12a on which the terminal pad 6 has been formed in advance in this manner by, for example, drilling a hole in a cylindrical inner surface.

【0033】次いで、図7に示すように、裏面側に接着
剤13が塗布されている第2材料基板12bを、上記第
1材料基板12a上に貼り合わせることにより原基板1
0を形成する。第2材料基板12bは、図8に示すよう
に、上記第1基板エリアSaと対応する第2基板エリア
Sbを有しており、第1材料基板12aの各第1基板エ
リアSa上に第2材料基板12bの第2基板エリアSb
が重なるように配置される。すなわち、第2基板エリア
Sbの表面が上記基板1の片面1aとなる。この第2材
料基板12bは、本実施形態では、ガラスエポキシ樹脂
により形成されている。また、第2材料基板12aの厚
みは、たとえば0.1mm程度とされ、第1材料基板1
2aに比して薄くなるように規定されるのが好ましい。
上記接着剤13としては、本実施形態では、エポキシ樹
脂系接着剤が使用され、後述するようにしてデスミア処
理を行う際に、第2材料基板12aと同時に溶解する。
Next, as shown in FIG. 7, a second material substrate 12b, the back surface of which is coated with an adhesive 13, is laminated on the first material substrate 12a to form an original substrate 1
0 is formed. As shown in FIG. 8, the second material substrate 12b has a second substrate area Sb corresponding to the first substrate area Sa, and a second substrate area Sb is provided on each first substrate area Sa of the first material substrate 12a. Second substrate area Sb of material substrate 12b
Are arranged to overlap. That is, the surface of the second substrate area Sb becomes the one surface 1a of the substrate 1. In the present embodiment, the second material substrate 12b is formed of glass epoxy resin. The thickness of the second material substrate 12a is, for example, about 0.1 mm.
It is preferable that the thickness is defined so as to be thinner than 2a.
In the present embodiment, an epoxy resin-based adhesive is used as the adhesive 13 and is dissolved at the same time as the second material substrate 12a when desmearing is performed as described later.

【0034】次いで、図9に示すように、上記第2材料
基板12bの表面全域に導体被膜81を形成する。導体
被膜81は、第2材料基板12bの表面全域に銅箔をメ
ッキするなどして形成される。
Next, as shown in FIG. 9, a conductor film 81 is formed on the entire surface of the second material substrate 12b. The conductor coating 81 is formed by plating a copper foil over the entire surface of the second material substrate 12b.

【0035】次いで、図10に示すように、上記導体被
膜81をエッチングすることにより、上記導電性閉塞パ
ッド8を形成する。導電性閉塞パッド8は、上記第2材
料基板12bの表面側の上記各スルーホール71に対応
する位置に、かつ各スルーホール71の開口面積よりも
大となるように形成される。このとき、各基板エリアS
bにおいて回路をなす配線パターン(図示略)が形成さ
れ、導電性閉塞パッド8は、配線パターンと連続するよ
うに形成される。これらの配線パターンおよび導電性閉
塞パッド8は、公知のフォトリソグラフィー法を用いて
導体被膜81をエッチングすることにより、一括して形
成される。すなわち、まず、第2材料基板12b上の導
体被膜の全域にレジスト材料を塗布し、所望のパターン
が描かれたマスクを用いて露光し、露光されたレジスト
材料を現像することにより、導体被膜81のうちの配線
パターンと導電性閉塞パッド8とに対応する領域外を露
出させた状態とする。次に、銅を溶融可能な溶液にこの
原基板10を浸漬するなどして導体被膜81の露出部分
を溶融し、レジスト材料を剥離する。なお、この工程
は、本実施形態では、後述する孔部72を形成する前に
行なわれているが、この工程を孔部72の形成直後に行
ってもよい。
Next, as shown in FIG. 10, the conductive coating 81 is etched to form the conductive closing pad 8. The conductive closing pad 8 is formed at a position corresponding to each of the through holes 71 on the front surface side of the second material substrate 12b and so as to be larger than the opening area of each of the through holes 71. At this time, each substrate area S
In (b), a wiring pattern (not shown) forming a circuit is formed, and the conductive closing pad 8 is formed so as to be continuous with the wiring pattern. The wiring pattern and the conductive closing pad 8 are formed collectively by etching the conductive film 81 using a known photolithography method. That is, first, a resist material is applied to the entire area of the conductor film on the second material substrate 12b, exposed using a mask on which a desired pattern is drawn, and developed by exposing the exposed resist material to form the conductor film 81. Out of the region corresponding to the wiring pattern and the conductive closing pad 8. Next, the exposed portion of the conductor coating 81 is melted by dipping the original substrate 10 in a solution capable of melting copper, and the resist material is peeled off. In this embodiment, this step is performed before forming a hole 72 described later, but this step may be performed immediately after forming the hole 72.

【0036】次いで、図11に示すように、上記第2材
料基板12bに対してデスミア処理を行い、上記スルー
ホール71と連通する孔部72を、その開口部分が上記
導電性閉塞パッド8で塞がれるように形成する。この工
程は、本実施形態では、エポキシ樹脂を溶解しうる溶液
に、上記導電性閉塞パッド8が形成された状態の原基板
10を浸漬することによって行なわれる。このとき、第
2材料基板12bおよびこの裏面側に塗布された接着剤
13のうち、スルーホール71に対応する部分が徐々に
溶解していき、やがて第2材料基板12bがその厚み方
向全体にわたって溶解して上記導電性閉塞パッド8の裏
側が露出することにより、孔部72が形成される。
Next, as shown in FIG. 11, a desmear process is performed on the second material substrate 12b, and a hole 72 communicating with the through hole 71 is closed by the conductive closing pad 8. It is formed so that it comes off. In this embodiment, this step is performed by immersing the original substrate 10 on which the conductive closing pad 8 is formed in a solution capable of dissolving the epoxy resin. At this time, of the second material substrate 12b and the adhesive 13 applied to the back side thereof, the portion corresponding to the through hole 71 gradually dissolves, and the second material substrate 12b eventually dissolves over the entire thickness direction. Then, the hole 72 is formed by exposing the back side of the conductive closing pad 8.

【0037】次いで、図12に示すように、上記スルー
ホール71および上記孔部72の内周面に上記導電性閉
塞パッド8と導通するように導体層70を形成する。こ
れにより、第2材料基板12bの表面の配線パターンと
第1材料基板12aの端子パッド6とが導電性閉塞パッ
ド8と導体層70とを介して電気的に接続される。
Next, as shown in FIG. 12, a conductor layer 70 is formed on the inner peripheral surfaces of the through hole 71 and the hole 72 so as to be electrically connected to the conductive closing pad 8. Thereby, the wiring pattern on the surface of the second material substrate 12b and the terminal pad 6 of the first material substrate 12a are electrically connected via the conductive closing pad 8 and the conductor layer 70.

【0038】次いで、図13に示すように、原基板10
の表裏面、すなわち第1材料基板12aの裏面および第
2材料基板12bの表面に、それぞれ、一般にグリーン
レジストと呼ばれる保護膜9aおよび保護膜9bを形成
する。保護膜9aは、上記配線パターンの所定の部位
(上記部品群Eを実装するためのチップボンディングパ
ッドおよびワイヤボンディングパッド)が開口するよう
に形成される。一方、保護膜9bは、スルーホール71
における第1材料基板12aの裏面側の開口部分と、上
記端子パッド6とが開口するように形成される。これら
の保護膜9a、9bは、レジスト材料を原基板10に塗
布し、所望のパターンが描かれたマスクを用いて露光
し、露光したレジスト材料を現像することにより形成さ
れる。
Next, as shown in FIG.
Of the first material substrate 12a and the surface of the second material substrate 12b are respectively formed with a protective film 9a and a protective film 9b generally called a green resist. The protective film 9a is formed so that predetermined portions of the wiring pattern (chip bonding pads and wire bonding pads for mounting the component group E) are opened. On the other hand, the protective film 9b is
Is formed so that the opening on the back surface side of the first material substrate 12a and the terminal pad 6 are opened. These protective films 9a and 9b are formed by applying a resist material to the original substrate 10, exposing it using a mask on which a desired pattern is drawn, and developing the exposed resist material.

【0039】このとき、上記スルーホール71と連通す
る孔部72は、上述したように、その開口部分が上記導
電性閉塞パッド8によって塞がれているので、上記孔部
72およびスルーホール71内に、上記レジスト材料が
侵入するのを防止することができる。
At this time, since the opening of the hole 72 communicating with the through hole 71 is closed by the conductive closing pad 8 as described above, the inside of the hole 72 and the inside of the through hole 71 are formed. In addition, it is possible to prevent the resist material from entering.

【0040】本実施形態では、次いで、図14に示すよ
うに、スルーホール71および孔部72の内周上の上記
導体層70と、導電性閉塞パッド8の裏面と、端子パッ
ド6、ワイヤボンディングパッドとに金メッキ80を施
す。このとき、予め、各第2基板エリアSbに形成した
配線パターンが互いに連続するように形成しておけば、
原基板10の各パッドに対して一括して金メッキするこ
とができる。
In this embodiment, as shown in FIG. 14, the conductor layer 70 on the inner periphery of the through hole 71 and the hole 72, the back surface of the conductive closing pad 8, the terminal pad 6, the wire bonding Gold plating 80 is applied to the pads. At this time, if the wiring patterns formed in each second substrate area Sb are formed in advance so as to be continuous with each other,
Each pad of the original substrate 10 can be collectively plated with gold.

【0041】次いで、図15に示すように、上記原基板
10の上記第2材料基板12b側、より詳細には、第2
材料基板12bの各第2基板エリアSb上に、上記部品
群Eを実装する。このとき、各部品群Eを、それぞれ、
所定のチップボンディングパッド上にチップボンディン
グし、所定のワイヤボンディングパッド上に金線Wによ
ってワイヤボンディングする。本実施形態では、ワイヤ
ボンディングパッド上には金メッキが施されているの
で、各部品群Eを良好に接続することができる。
Next, as shown in FIG. 15, the original substrate 10 is on the second material substrate 12b side, more specifically, the second material substrate 12b.
The component group E is mounted on each second substrate area Sb of the material substrate 12b. At this time, each component group E is
Chip bonding is performed on a predetermined chip bonding pad, and wire bonding is performed using a gold wire W on a predetermined wire bonding pad. In the present embodiment, since the gold plating is applied on the wire bonding pads, the respective component groups E can be connected well.

【0042】次いで、上記原基板10の上記第2材料基
板12b上に上記樹脂パッケージ5を形成する。この工
程では、エポキシ樹脂などの透光性樹脂を材料として、
平面視で上記各第2基板エリアSbよりも大となるよう
に、実装された部品群Eを所定の金型を用いてトランス
ファーモールド成形によってモールドする。ここでは、
図16に示すように、隣り合う2つの第2基板エリアS
bに一括してモールド成形した中間封止体5aを一体的
に形成する。より詳細には、上記所定の金型には上記中
間封止体5aの形状に対応したキャビティが形成されて
おり、この金型を第2材料基板12b上にセットし、上
記キャビティ内に溶融した樹脂を注入した後、樹脂が硬
化してから金型を除去する。
Next, the resin package 5 is formed on the second material substrate 12b of the original substrate 10. In this process, a translucent resin such as epoxy resin is used as a material,
The mounted component group E is molded by transfer molding using a predetermined mold so as to be larger than each of the second substrate areas Sb in plan view. here,
As shown in FIG. 16, two adjacent second substrate areas S
b, the intermediate sealing body 5a which is molded at once is integrally formed. More specifically, a cavity corresponding to the shape of the intermediate sealing body 5a is formed in the predetermined mold, and the mold is set on the second material substrate 12b and melted in the cavity. After the resin is injected, the mold is removed after the resin has hardened.

【0043】このとき、上記スルーホール71と連通す
る孔部72は、上述したように、その開口部分が上記導
電性閉塞パッド8によって塞がれているので、図17に
示すように、上記孔部72およびスルーホール71内
に、溶融した樹脂が侵入するのを防止することができ
る。
At this time, since the opening of the hole 72 communicating with the through hole 71 is closed by the conductive closing pad 8 as described above, as shown in FIG. The molten resin can be prevented from entering the portion 72 and the through hole 71.

【0044】そして、上記原基板10を上記第1基板エ
リアSaおよび第2基板エリアSbに沿って切断する。
まず、第1基板エリアSaおよび第2基板エリアSbの
長手方向に沿って、具体的には、たとえば厚み0.35
mm程度の円形のブレードを用いて、図17に示すよう
に、一点鎖線Lに沿って中間封止体5aおよび原基板1
0を切断する。このとき、スルーホール71および孔部
72は、その軸心方向に沿って切断され、これにより上
記接続端子部7が形成される。その後、第1基板エリア
Saおよび第2基板エリアSbの短辺に沿って切断する
ことにより、複数のモジュールAを得ることができる。
Then, the original substrate 10 is cut along the first substrate area Sa and the second substrate area Sb.
First, along the longitudinal direction of the first substrate area Sa and the second substrate area Sb, specifically, for example, a thickness of 0.35
As shown in FIG. 17, the intermediate sealing body 5a and the original substrate 1 are taken along a dashed line L using a circular blade of about mm.
Cut 0. At this time, the through-hole 71 and the hole 72 are cut along the axial direction thereof, whereby the connection terminal 7 is formed. Thereafter, by cutting along the short sides of the first substrate area Sa and the second substrate area Sb, a plurality of modules A can be obtained.

【0045】このとき、上述したように、上記スルーホ
ール71および孔部72は、樹脂パッケージ5を形成す
るための樹脂や保護膜9a、9bを形成するためのレジ
スト材料が侵入するのが防止されているので、これらの
樹脂やレジスト材料の一部が切りカスとなるのを防止す
ることができる。
At this time, as described above, the penetration of the resin for forming the resin package 5 and the resist material for forming the protective films 9a and 9b are prevented from entering the through hole 71 and the hole 72. Therefore, it is possible to prevent a part of the resin or the resist material from becoming a cutting residue.

【0046】また、このようにして製造されたモジュー
ルAでは、樹脂パッケージ5を形成するための樹脂や保
護膜9a、9bを形成する際のレジスト材料によって上
記接続端子部7が填塞されるのを防止することができ
る。
In the module A manufactured as described above, the connection terminal portion 7 is filled with the resin for forming the resin package 5 and the resist material for forming the protective films 9a and 9b. Can be prevented.

【0047】このモジュールAは、検査工程を経て外部
の回路基板に実装される。検査工程では、検査装置の測
定用プローブを上記接続端子部7の内周面に接触させ
る。
The module A is mounted on an external circuit board through an inspection process. In the inspection process, the measurement probe of the inspection device is brought into contact with the inner peripheral surface of the connection terminal portion 7.

【0048】このとき、上記モジュールAでは、樹脂や
レジスト材料に測定用プローブが当接するのが防止され
るので、正確な検査を行うことができる。
At this time, in the module A, since the measurement probe is prevented from coming into contact with the resin or the resist material, an accurate inspection can be performed.

【0049】このモジュールAを外部の回路基板Bに実
装する際には、たとえば、図2に示すように、接続端子
部7の内周面が外部の回路基板Bに面するように、すな
わち接続端子部7が形成された基板1の側面が外部の回
路基板Bに面するようにモジュールAを半田付けする。
これにより、モジュールAは、発光素子2および受光素
子3の受発光の方向が外部の回路基板Bの表面に対して
平行となるように実装される。このとき、図17に示す
ように、半田フィレットFが接続端子部7の内周面、上
記端子パッド6、および外部の回路基板Bの表面に形成
された導体パターンPを互いに接合するように形成され
る。
When the module A is mounted on the external circuit board B, for example, as shown in FIG. 2, the connection terminal portion 7 has its inner peripheral surface facing the external circuit board B, The module A is soldered so that the side surface of the substrate 1 on which the terminal portions 7 are formed faces the external circuit board B.
Thus, the module A is mounted such that the light emitting and receiving directions of the light emitting element 2 and the light receiving element 3 are parallel to the surface of the external circuit board B. At this time, as shown in FIG. 17, the solder fillet F is formed so as to join the inner peripheral surface of the connection terminal portion 7, the terminal pad 6, and the conductor pattern P formed on the surface of the external circuit board B to each other. Is done.

【0050】このとき、本実施形態では、接続端子部7
の内周面上の導体層70、導電性閉塞パッド8の裏面、
および端子パッド6は、上述したように、金メッキ80
が施されているので、外部の回路基板Bの導体パターン
Pに対してモジュールAを良好な導通状態をもって実装
することができる。
At this time, in this embodiment, the connection terminal 7
Conductor layer 70 on the inner peripheral surface of the conductive backing pad 8,
And the terminal pads 6 are made of gold plating 80 as described above.
Is applied, the module A can be mounted on the conductor pattern P of the external circuit board B with good conduction.

【0051】また、このモジュールAでは、上述したよ
うに、樹脂パッケージ5を形成するための樹脂や保護膜
9a、9bを形成する際のレジスト材料によって上記接
続端子部7が填塞されるのを防止されているので、この
モジュールAを外部の回路基板Bに半田付けする際に
は、図3に示すように、接続端子部7の内周面全域に半
田フィレットFを形成することができる。したがって、
モジュールAの回路基板Bに対する実装強度を向上する
ことができる。
Further, in the module A, as described above, the connection terminal portion 7 is prevented from being blocked by the resin for forming the resin package 5 and the resist material for forming the protective films 9a and 9b. Therefore, when the module A is soldered to an external circuit board B, a solder fillet F can be formed on the entire inner peripheral surface of the connection terminal portion 7 as shown in FIG. Therefore,
The mounting strength of the module A on the circuit board B can be improved.

【0052】そして、図示しない相手側機器の他のモジ
ュールと対向して配されることにより、赤外線によるデ
ータ通信が行なわれる。すなわち、発光素子2では、L
SIチップ4から送られてくる電気信号を光信号に変換
し、外部に対してその光信号としての赤外光を放射す
る。一方、受光素子3は、外部から受けた光信号として
の赤外光を電気信号に変換し、LSIチップ4に対して
電気信号を与える。
The data communication by infrared rays is performed by being arranged opposite to another module (not shown). That is, in the light emitting element 2, L
The electric signal transmitted from the SI chip 4 is converted into an optical signal, and infrared light as the optical signal is emitted to the outside. On the other hand, the light receiving element 3 converts infrared light as an optical signal received from the outside into an electric signal, and gives the LSI chip 4 an electric signal.

【0053】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されるものではない。たとえば、上記した
実施の形態では、裏面に接着剤が塗布された第2材料基
板12bを第1材料基板12aに貼り合わせてから、第
2材料基板12b上に導体被膜81を形成しているが、
この第2材料基板12bの代わりに、エポキシ樹脂系の
接着層と銅箔層とでガラスエポキシ樹脂製の絶縁層を挟
み込んだように形成されたプリプレグ材を用いてもよ
い。
Of course, the scope of the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, the second material substrate 12b having the back surface coated with the adhesive is bonded to the first material substrate 12a, and then the conductive film 81 is formed on the second material substrate 12b. ,
Instead of the second material substrate 12b, a prepreg material formed by sandwiching an insulating layer made of glass epoxy resin between an epoxy resin adhesive layer and a copper foil layer may be used.

【0054】また、上記した接続端子部の形成方法は、
赤外線データ通信モジュールを製造する際にのみ適用す
るに限らず、スルーホールを切断して基板側面に溝状の
接続端子部形成する他の半導体装置に適用することがで
きる。
Further, the method of forming the connection terminal portion described above is as follows.
The present invention is not limited to application only when manufacturing an infrared data communication module, and can be applied to other semiconductor devices in which through-holes are cut to form groove-shaped connection terminal portions on the side surfaces of the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
一例を示す概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of an infrared data communication module according to the present invention.

【図2】図1に示す赤外線データ通信モジュールを外部
の回路基板に実装した状態を示す概略斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a state where the infrared data communication module shown in FIG. 1 is mounted on an external circuit board.

【図3】図2のIII-III線に沿う断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III of FIG. 2;

【図4】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
製造方法を説明するための概略平面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view for explaining a method of manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図5】図4における第1材料基板12aの裏面からの
概略図である。
FIG. 5 is a schematic view of the first material substrate 12a in FIG. 4 as viewed from the back surface.

【図6】図4のVI-VI線に沿う断面図である。6 is a sectional view taken along the line VI-VI of FIG.

【図7】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図8】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
製造方法を説明するための概略平面図である。
FIG. 8 is a schematic plan view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図9】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図10】本願発明に係る赤外線データ通信モジュール
の製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図11】本願発明に係る赤外線データ通信モジュール
の製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図12】本願発明に係る赤外線データ通信モジュール
の製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図13】本願発明に係る赤外線データ通信モジュール
の製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図14】本願発明に係る赤外線データ通信モジュール
の製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図15】本願発明に係る赤外線データ通信モジュール
の製造方法を説明するための概略斜視図である。
FIG. 15 is a schematic perspective view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図16】本願発明に係る赤外線データ通信モジュール
の製造方法を説明するための概略斜視図である。
FIG. 16 is a schematic perspective view for explaining the method for manufacturing the infrared data communication module according to the present invention.

【図17】図16のXVII-XVII線に沿う断面図である。17 is a sectional view taken along the line XVII-XVII in FIG.

【図18】従来の赤外線データ通信モジュールの一例を
示す概略斜視図である。
FIG. 18 is a schematic perspective view showing an example of a conventional infrared data communication module.

【図19】図18に示す赤外線データ通信モジュールを
外部の回路基板に実装した状態を示す概略斜視図であ
る。
19 is a schematic perspective view showing a state where the infrared data communication module shown in FIG. 18 is mounted on an external circuit board.

【図20】従来の赤外線データ通信モジュールの製造方
法を説明するための概略平面図である。
FIG. 20 is a schematic plan view for explaining a method for manufacturing a conventional infrared data communication module.

【図21】図20のXXI-XXI線に沿う断面図である。21 is a sectional view taken along the line XXI-XXI in FIG.

【図22】従来の赤外線データ通信モジュールの製造方
法を説明するための概略斜視図である。
FIG. 22 is a schematic perspective view for explaining a method for manufacturing a conventional infrared data communication module.

【図23】図22のXXIII-XXIII線に沿う断面図であ
る。
FIG. 23 is a sectional view taken along the line XXIII-XXIII of FIG. 22;

【図24】図19のXXIV-XXIV線に沿う断面図である。FIG. 24 is a sectional view taken along the line XXIV-XXIV of FIG. 19;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 発光素子 3 受光素子 5 樹脂パッケージ 7 接続端子部 10 原基板 12a 第1材料基板 12b 第2材料基板 13 接着剤 70 導体層 71 スルーホール 72 孔部 81 導体被膜 A 赤外線データ通信モジュール E 部品群 Sa 第1基板エリア Sb 第2材料基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Light emitting element 3 Light receiving element 5 Resin package 7 Connection terminal part 10 Original substrate 12a First material substrate 12b Second material substrate 13 Adhesive 70 Conductive layer 71 Through hole 72 Hole 81 Conductive film A Infrared data communication module E Parts Group Sa First substrate area Sb Second material substrate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子および受光素子を含む部品群が
片面に搭載された基板と、上記部品群を封止するととも
に上記基板の上記片面を全体的に覆うように形成された
樹脂パッケージとを備えており、上記基板の側面には、
上記基板の厚み方向全体にわたって延びるとともに内周
面に導体層を有する溝状の接続端子部が形成されている
赤外線データ通信モジュールであって、 上記接続端子部における上記樹脂パッケージ側の開口部
分は、上記導体層と導通する導電性閉塞パッドによって
予め塞がれていることを特徴とする、赤外線データ通信
モジュール。
1. A substrate on which a component group including a light emitting element and a light receiving element is mounted on one side, and a resin package formed so as to seal the component group and entirely cover the one side of the substrate. Equipped on the side of the substrate,
An infrared data communication module in which a groove-shaped connection terminal portion extending over the entire thickness direction of the substrate and having a conductor layer on an inner peripheral surface is formed, wherein the connection terminal portion has an opening on the resin package side, An infrared data communication module, wherein the infrared data communication module is closed in advance by a conductive closing pad that conducts with the conductor layer.
【請求項2】 外部の回路基板に対して、上記接続端子
部の内周面が面するように実装される、請求項1に記載
の赤外線データ通信モジュール。
2. The infrared data communication module according to claim 1, wherein the infrared data communication module is mounted so that an inner peripheral surface of the connection terminal portion faces an external circuit board.
【請求項3】 発光素子および受光素子を含む部品群が
片面に搭載された基板と、上記部品群を封止するととも
に上記基板の上記片面を全体的に覆うように形成された
樹脂パッケージとを備えており、上記基板の側面には、
上記基板の厚み方向全体にわたって延びるとともに内周
面に導体層を有する溝状の接続端子部が形成されている
赤外線データ通信モジュールを製造する方法であって、 上記基板の裏面側となる第1基板エリアを有する第1材
料基板に対して、上記第1基板エリアの境界線上にスル
ーホールを貫通形成する工程と、 上記第1基板エリアと対応する第2基板エリアを有する
とともに裏面側に接着剤が塗布されている第2材料基板
を、上記第1材料基板上に貼り合わせることにより原基
板を形成する工程と、 上記第2材料基板の表面全域に導体被膜を形成する工程
と、 上記導体被膜をエッチングすることにより、上記第2材
料基板の表面側の上記スルーホールに対応する位置に、
上記スルーホールの開口面積よりも大なる導電性閉塞パ
ッドを形成する工程と、 上記第2材料基板に対してデスミア処理を行い、上記ス
ルーホールと連通する孔部を、その開口部分が上記導電
性閉塞パッドで塞がれるように形成する工程と、 上記スルーホールおよび上記孔部の内周面に上記導電性
閉塞パッドと導通するように上記導体層を形成する工程
と、 上記原基板の上記第2材料基板側に上記部品群を実装す
る工程と、 上記原基板の上記第2材料基板上に上記樹脂パッケージ
を形成する工程と、 上記原基板を上記第1基板エリアおよび第2基板エリア
に沿って切断する工程と、を含むことを特徴とする、赤
外線データ通信モジュールの製造方法。
3. A board on which a component group including a light emitting element and a light receiving element is mounted on one surface, and a resin package formed to seal the component group and to entirely cover the one surface of the substrate. Equipped on the side of the substrate,
A method for manufacturing an infrared data communication module in which a groove-shaped connection terminal portion having a conductor layer on an inner peripheral surface is formed and extends over the entire thickness direction of the substrate, wherein the first substrate is a rear surface side of the substrate. Forming a through hole on a boundary line of the first substrate area with respect to a first material substrate having an area; and having an adhesive on the back side having a second substrate area corresponding to the first substrate area. A step of forming an original substrate by laminating the applied second material substrate on the first material substrate; a step of forming a conductive film over the entire surface of the second material substrate; By etching, at a position corresponding to the through hole on the surface side of the second material substrate,
Forming a conductive blocking pad larger than the opening area of the through-hole; performing desmear processing on the second material substrate to form a hole communicating with the through-hole; Forming the conductive layer so as to be closed by a closing pad; forming the conductive layer on the inner peripheral surface of the through hole and the hole so as to be electrically connected to the conductive closing pad; A step of mounting the component group on the two-material board side; a step of forming the resin package on the second material board of the original board; and a step of moving the original board along the first board area and the second board area. And cutting the infrared data communication module.
【請求項4】 上記第2材料基板は、ガラスエポキシ樹
脂により形成されるとともに、上記第2材料基板の裏面
側に塗布された接着剤は、エポキシ樹脂系接着剤であ
り、 上記デスミア処理を行う工程は、エポキシ樹脂を溶解し
うる溶液に、上記導電性閉塞パッドが形成された原基板
を浸漬することによって行なわれる、請求項3に記載の
赤外線データ通信モジュールの製造方法。
4. The second material substrate is formed of glass epoxy resin, and the adhesive applied to the back surface of the second material substrate is an epoxy resin-based adhesive, and performs the desmear process. The method for manufacturing an infrared data communication module according to claim 3, wherein the step is performed by immersing the original substrate on which the conductive blocking pad is formed in a solution capable of dissolving an epoxy resin.
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