JP2001077408A - Infrared transmission/reception module and manufacture thereof - Google Patents

Infrared transmission/reception module and manufacture thereof

Info

Publication number
JP2001077408A
JP2001077408A JP25512999A JP25512999A JP2001077408A JP 2001077408 A JP2001077408 A JP 2001077408A JP 25512999 A JP25512999 A JP 25512999A JP 25512999 A JP25512999 A JP 25512999A JP 2001077408 A JP2001077408 A JP 2001077408A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
solder
substrate
filled
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25512999A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoharu Horio
友春 堀尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP25512999A priority Critical patent/JP2001077408A/en
Publication of JP2001077408A publication Critical patent/JP2001077408A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent peeling of a conductor layer by coating a solder paste in the opening of a through-hole, before being heated to fill the through-hole with the solder, and cutting a substrate along the axial core direction of the through-hole filled with the solder. SOLUTION: A mask comprising a window hole, for example, corresponding to the hole position of a through-hole 24 is used. The window hole and its vicinity are coated with a solder paste where granular solder, for example, and flux are kneaded, and the paste is extruded toward the through-hole 24 side. The aggregate substrate is heated to melt the solder paste, which is allowed to flow in the through-hole 24, so that it is filled with a solder S. Then the through-hole 24 is cut in the axial core direction, to form the channel on the side of a substrate 2. With this configuration, the through-hole 24 is filled with the solder S in advance, while the conductor layer 10 is covered with the solder S, so that the conductor layer 10 will not peel when it is cut thereafter.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本願発明は、IrDA(Infr
ared Data Association )による赤外線データ通信を行
うために用いられる赤外線送受信モジュールの製造方
法、および赤外線送受信モジュールに関する。
[0001] The present invention relates to IrDA (Infr.
The present invention relates to a method of manufacturing an infrared transmitting / receiving module used for performing infrared data communication by an ared data association, and an infrared transmitting / receiving module.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、携帯型情報機器やノート型パ
ーソナルコンピュータなどに用いられ、それらの機器同
士あるいはプリンタなどの周辺機器との間において、I
rDAによる赤外線データ通信が行われている。
2. Description of the Related Art Heretofore, it has been used in portable information devices and notebook personal computers, etc., and an I / O is required between these devices or peripheral devices such as a printer.
Infrared data communication by rDA is performed.

【0003】このような赤外線データ通信においては、
内部に赤外線用の発光素子および受光素子が備えられた
赤外線送受信モジュール(以下、単に「モジュール」と
いう)が用いられる。このモジュールには、たとえば、
基板上に上記各素子などを搭載しそれらを一体的にモー
ルドした基板実装型のものがある。
In such infrared data communication,
An infrared transmitting / receiving module (hereinafter, simply referred to as a “module”) including a light emitting element and a light receiving element for infrared rays is used. This module includes, for example,
There is a substrate mounting type in which the above-described elements are mounted on a substrate and are integrally molded.

【0004】図13は、この基板実装型のモジュールの
一例を示し、特にモジュールが外部の回路基板に実装さ
れた状態を背面側から見た場合を示す。このモジュール
1は、同図に示すように、基板2と、基板2に一体的に
形成された封止体6とによって外観が形成されている。
基板2には、発光素子、受光素子、およびこれらを制御
するLSIチップ(いずれも図示せず)が搭載され、こ
れらの電子部品を覆うように封止体6が形成されてい
る。モジュール1の正面側には、図示していないが、発
光素子の対向する面に発光用レンズ部が形成され、ま
た、受光素子の対向する面に受光用レンズ部14が形成
されている。
FIG. 13 shows an example of this board-mounted module, and particularly shows a state in which the module is mounted on an external circuit board when viewed from the back side. As shown in the drawing, the appearance of the module 1 is formed by a substrate 2 and a sealing body 6 formed integrally with the substrate 2.
A light-emitting element, a light-receiving element, and an LSI chip (not shown) for controlling the light-emitting element and the light-receiving element are mounted on the substrate 2, and a sealing body 6 is formed so as to cover these electronic components. On the front side of the module 1, although not shown, a light emitting lens portion is formed on a surface facing the light emitting element, and a light receiving lens portion 14 is formed on a surface facing the light receiving element.

【0005】基板2の裏面(モジュール1の背面)に
は、外部の回路基板Bと半田付けされて接合される接続
端子部8が形成されている。基板2の側面には、内周面
に銅メッキが施された溝部9が形成され、上記接続端子
部8は、この溝部9を介して、基板2の、発光素子など
が実装された面に形成された図示しない導体パターンと
接続されている。なお、図中Pは、外部の回路基板Bの
配線パターンを示す。
[0005] On the back surface of the substrate 2 (the back surface of the module 1), there are formed connection terminal portions 8 which are soldered and joined to an external circuit board B. On the side surface of the substrate 2, a groove 9 having an inner peripheral surface plated with copper is formed. Through the groove 9, the connection terminal portion 8 is formed on the surface of the substrate 2 on which the light emitting element or the like is mounted. It is connected to the formed conductor pattern (not shown). In the drawing, P indicates a wiring pattern of the external circuit board B.

【0006】このようなモジュール1を製作する際に
は、たとえば、略矩形状のガラスエポキシからなる集合
基板を用い、この集合基板から多数個のモジュール1を
得る。モジュール1は、集合基板上において区画された
領域ごとに製作される。具体的には、各領域ごとに集合
基板の厚み方向に貫通するスルーホールを適宜数形成
し、その表面および裏面に所定の導体パターンを形成し
た後、上記した電子部品を実装し、その後、それらを覆
うように封止体6をそれぞれ形成する。そして、集合基
板を縦横に切断して、多数個のモジュール1を得る。
When such a module 1 is manufactured, for example, an aggregate substrate made of a substantially rectangular glass epoxy is used, and a large number of modules 1 are obtained from the aggregate substrate. The module 1 is manufactured for each partitioned area on the collective substrate. Specifically, an appropriate number of through-holes penetrating in the thickness direction of the collective substrate are formed in each region, and after forming a predetermined conductor pattern on the front surface and the back surface, the electronic components described above are mounted. Are respectively formed so as to cover. Then, the aggregate substrate is cut vertically and horizontally to obtain a large number of modules 1.

【0007】ここで、上記溝部9は、集合基板を切断す
る際、上記スルーホールの軸心方向に沿って切断される
ことによって形成される。すなわち、円柱状のスルーホ
ールの略半分が残るように形成され、その結果、溝部9
の内周面が外部に露出される。
Here, the groove 9 is formed by cutting along the axial direction of the through hole when cutting the collective substrate. That is, it is formed so that approximately half of the cylindrical through hole remains, and as a result, the groove 9 is formed.
Is exposed to the outside.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ス
ルーホールがその軸心方向に沿って切断されると、スル
ーホールの内周面に、銅メッキにより形成された導体層
の一部が剥離してばりが生じることがある。そのため、
このモジュール1を外部の回路基板Bに実装させる場
合、溝部9が形成された基板2の側面が回路基板Bの表
面と当接するため、上記ばりによってモジュール1と回
路基板Bとの間に隙間を生じさせ、モジュール1が良好
に回路基板Bに実装できないことがある。
However, when the through hole is cut along the axial direction, a part of the conductor layer formed by copper plating is peeled off on the inner peripheral surface of the through hole. Burrs may occur. for that reason,
When the module 1 is mounted on an external circuit board B, the side surface of the board 2 in which the groove 9 is formed is in contact with the surface of the circuit board B. In some cases, the module 1 cannot be mounted on the circuit board B properly.

【0009】[0009]

【発明の開示】本願発明は、上記した事情のもとで考え
出されたものであって、基板をスルーホールに沿って切
断することにより生じる、スルーホールの内周面に形成
された導体層の剥離などを未然に防止することのできる
赤外線送受信モジュールの製造方法を提供することを、
その課題とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been conceived in view of the above circumstances, and has been developed in view of the above circumstances, and is a conductor layer formed on an inner peripheral surface of a through hole, which is generated by cutting a substrate along the through hole. To provide a method of manufacturing an infrared transmitting and receiving module that can prevent peeling of the like beforehand,
The subject.

【0010】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical measures.

【0011】本願発明の第1の側面によれば、発光素子
および受光素子を搭載しかつ内周面に導体層を有するス
ルーホールが設けられた基板を、スルーホールに沿って
分割することにより、基板の側面に溝部を形成する赤外
線送受信モジュールを製造するための製造方法であっ
て、スルーホールの開口部分に半田ペーストを塗布した
後、加熱することによりスルーホール内に半田を充填す
る半田充填工程と、半田が充填されたスルーホールの軸
心方向に沿うように基板を切断する切断工程と、を有す
ることを特徴とする、赤外線送受信モジュールの製造方
法が提供される。
According to the first aspect of the present invention, a substrate on which a light emitting element and a light receiving element are mounted and a through hole having a conductor layer is provided on an inner peripheral surface is divided along the through hole. A manufacturing method for manufacturing an infrared transmitting / receiving module in which a groove is formed on a side surface of a substrate, wherein a solder paste is applied to an opening of a through-hole and then heated to fill the through-hole with solder. And a cutting step of cutting the substrate along the axial direction of the through hole filled with solder.

【0012】この方法によれば、たとえば、集合基板を
切断して多数個の基板を形成する場合に、集合基板に形
成されたスルーホールに沿って切断することにより基板
側面に溝部を形成するが、溝部の形成は、スルーホール
に半田が充填された後に行われるので、半田がスルーホ
ールの内周面に形成された導体層を覆うことになり、そ
のため、導体層の剥離が生じることはない。したがっ
て、上記剥離の発生を未然に防止することができる。ま
た、たとえば、この赤外線送受信モジュールが外部の回
路基板に実装される場合、基板の側面が上記回路基板の
表面に当接されて実装されるとき、赤外線送受信モジュ
ールは、溝部に充填された半田によって、外部の回路基
板に対して容易に接合することができる。
According to this method, for example, when a plurality of substrates are formed by cutting an aggregate substrate, a groove is formed on a side surface of the substrate by cutting along a through hole formed in the aggregate substrate. Since the formation of the groove is performed after the solder is filled in the through-hole, the solder covers the conductor layer formed on the inner peripheral surface of the through-hole, and therefore, the peeling of the conductor layer does not occur. . Therefore, the occurrence of the peeling can be prevented beforehand. Also, for example, when this infrared transmitting / receiving module is mounted on an external circuit board, when the side surface of the board is mounted on the surface of the circuit board in contact with the infrared transmitting / receiving module, the infrared transmitting / receiving module is filled with solder filled in the groove. It can be easily joined to an external circuit board.

【0013】本願発明の好ましい実施の形態によれば、
基板の表面に搭載した各素子を基板とともに樹脂により
封止する封止工程を有し、半田充填工程では、封止工程
によって封止した後、基板を表裏反転させ、基板の裏面
側から半田を充填する。これによれば、基板の表側は樹
脂により封止されているので、半田を充填するときに
は、スルーホールの下方側開口が閉塞されることにな
る。そのため、スルーホールから半田が漏洩することな
く、確実に半田を充填することができる。
According to a preferred embodiment of the present invention,
It has a sealing step of sealing each element mounted on the surface of the substrate with the resin together with the substrate, and in the solder filling step, after sealing by the sealing step, the substrate is turned upside down, and the solder is applied from the back side of the substrate. Fill. According to this, since the front side of the board is sealed with the resin, the lower opening of the through hole is closed when the solder is filled. Therefore, the solder can be reliably filled without the solder leaking from the through hole.

【0014】本願発明の他の好ましい実施の形態によれ
ば、半田充填工程では、スルーホールの開口と対応する
窓孔を有するマスクを用い、マスクの窓孔から半田ペー
ストを上記スルーホール側に押し出す。この方法によれ
ば、マスクによって、たとえばスルーホールの開口部周
辺に半田ペーストが広がることなく、適切にスルーホー
ル内に半田を充填することができる。
According to another preferred embodiment of the present invention, in the solder filling step, a mask having a window hole corresponding to the opening of the through hole is used, and the solder paste is extruded from the window hole of the mask toward the through hole. . According to this method, the solder can be appropriately filled in the through hole by the mask without spreading the solder paste around the opening of the through hole, for example.

【0015】本願発明の他の好ましい実施の形態によれ
ば、半田充填工程では、半田が基板の表裏面と略面一に
なるように半田を充填する。この方法によれば、半田が
基板の側面と略面一になるように充填されるので、たと
えば、この赤外線送受信モジュールを外部の回路基板に
実装する場合、外部の回路基板との接合がよりスムーズ
にかつ確実に行え、この赤外線送受信モジュールと外部
の回路基板との接合強度を高めることができる。
According to another preferred embodiment of the present invention, in the solder filling step, the solder is filled so that the solder is substantially flush with the front and back surfaces of the substrate. According to this method, the solder is filled so as to be substantially flush with the side surface of the board. For example, when this infrared transmitting / receiving module is mounted on an external circuit board, the bonding with the external circuit board is smoother. The bonding strength between the infrared transmitting / receiving module and an external circuit board can be increased.

【0016】本願発明の第2の側面によって提供される
赤外線送受信モジュールは、本願発明の第1の側面によ
って提供される赤外線送受信モジュールの製造方法によ
り製造されたことを特徴としている。
The infrared transmitting / receiving module provided by the second aspect of the present invention is characterized by being manufactured by the method of manufacturing an infrared transmitting / receiving module provided by the first aspect of the present invention.

【0017】本願発明に係る赤外線送受信モジュールに
おいては、本願発明の第1の側面によって得られる作用
効果と同様な作用効果が期待できる。
In the infrared transmitting / receiving module according to the present invention, the same operation and effect as those obtained by the first aspect of the present invention can be expected.

【0018】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
[0018] Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings.

【0020】図1は、本願発明に係る赤外線送受信モジ
ュールの斜視図である。図2および図3は、図1に示す
赤外線送受信モジュールの内部構成を示す図である。
FIG. 1 is a perspective view of an infrared transceiver module according to the present invention. 2 and 3 are diagrams showing the internal configuration of the infrared transceiver module shown in FIG.

【0021】この赤外線送受信モジュール(以下、単に
「モジュール」という)1は、図1ないし図3に示すよ
うに、略矩形状の基板2と、基板2に実装された発光素
子3、受光素子4、およびLSIチップ5と、これらを
一体的に封止する封止体6とを具備して構成されてい
る。
As shown in FIGS. 1 to 3, the infrared transmitting / receiving module (hereinafter simply referred to as "module") 1 has a substantially rectangular substrate 2, a light emitting element 3 and a light receiving element 4 mounted on the substrate 2. , And an LSI chip 5, and a sealing body 6 for integrally sealing them.

【0022】基板2は、ガラスエポキシ樹脂からなり、
その表面2aには、所定の導体パターン7が形成され、
その裏面2bには、このモジュール1を実装するための
外部回路基板(後述)と接合される接続端子部8が形成
されている。基板2の側面2cには、略半円柱状の溝部
9が形成され、溝部9の内周面には、メッキされた銅に
よる導体層10が形成されている。この導体層10を介
して、基板2表面2aの導体パターン7と裏面2bの接
続端子部8とが電気的に接続される。
The substrate 2 is made of glass epoxy resin,
A predetermined conductor pattern 7 is formed on the surface 2a,
On the back surface 2b, a connection terminal portion 8 to be joined to an external circuit board (described later) for mounting the module 1 is formed. A substantially semi-cylindrical groove 9 is formed on the side surface 2 c of the substrate 2, and a conductor layer 10 made of plated copper is formed on the inner peripheral surface of the groove 9. Via the conductor layer 10, the conductor pattern 7 on the front surface 2a of the substrate 2 and the connection terminal portion 8 on the back surface 2b are electrically connected.

【0023】溝部9は、基板2の製造工程(後述)にお
いて、基板2を厚み方向に貫通するように形成されたス
ルーホールが切断されることにより形成されたものであ
る。詳細には、上記溝部9は、スルーホールの軸心方向
に沿って切断され、略円柱状のスルーホールの略半分が
残るように形成されたものであり、切断された結果、溝
部9の内周面が外部に露出されている。
The groove 9 is formed by cutting a through hole formed so as to penetrate the substrate 2 in the thickness direction in a manufacturing process of the substrate 2 (described later). In detail, the groove 9 is cut along the axial direction of the through hole so that approximately half of the substantially cylindrical through hole remains. The peripheral surface is exposed to the outside.

【0024】また、溝部9には、半田Sが充填されてい
る。詳細には、図4に示すように、略半円柱状の溝部9
において、上記半田Sが基板2の側面2cに対して略面
一になるように充填されている。
The groove 9 is filled with solder S. More specifically, as shown in FIG.
In the above, the solder S is filled so as to be substantially flush with the side surface 2c of the substrate 2.

【0025】基板2の表面2aおよび裏面2bには、そ
れらを保護するための絶縁層(図示せず)が形成されて
いる。この絶縁層は、外部に露出する必要のあるべき部
分以外を覆うもので、たとえば、接続端子部8は、外部
回路基板との間で半田フィレットを介して接合されるた
め、絶縁層によって覆われない。
An insulating layer (not shown) for protecting the front surface 2a and the back surface 2b of the substrate 2 is formed. This insulating layer covers portions other than those that need to be exposed to the outside. For example, since the connection terminal portion 8 is joined to an external circuit board via a solder fillet, it is covered with the insulating layer. Absent.

【0026】発光素子3は、発光ダイオードなどからな
り、図2に示すように、基板2上に実装され、金線11
などによってワイヤボンディングされて導体パターン7
と接続されている。受光素子4は、PINフォトダイオ
ードなどからなり、発光素子3と同様に、基板2上に実
装され、金線12などによってワイヤボンディングされ
て導体パターン7と接続されている。また、LSIチッ
プ5は、発光素子3および受光素子4による送受信動作
を制御するものであり、基板2上に実装され、金線13
などによってワイヤボンディングされて導体パターン7
と接続され、かつ導体パターン7を通じて発光素子3お
よび受光素子4に接続される。
The light emitting element 3 is composed of a light emitting diode or the like, and is mounted on the substrate 2 as shown in FIG.
Conductor pattern 7
Is connected to The light receiving element 4 is formed of a PIN photodiode or the like, is mounted on the substrate 2 like the light emitting element 3, and is connected to the conductor pattern 7 by wire bonding with a gold wire 12 or the like. The LSI chip 5 controls the transmission / reception operation of the light emitting element 3 and the light receiving element 4 and is mounted on the substrate 2 and includes a gold wire 13.
Conductor pattern 7
Are connected to the light emitting element 3 and the light receiving element 4 through the conductor pattern 7.

【0027】封止体6は、たとえば顔料を含んだエポキ
シ樹脂からなり、発光素子3、受光素子4およびLSI
チップ5を覆うように一体的に封止して形成されてい
る。この封止体6は、可視光に対しては透光性を有しな
いが、赤外光は十分良好に透過させる。封止体6の、発
光素子3および受光素子4に対向する面には、発光用レ
ンズ部14および受光用レンズ部15がそれぞれ形成さ
れている。
The sealing body 6 is made of, for example, an epoxy resin containing a pigment, and the light emitting element 3, the light receiving element 4, and the LSI
The chip 5 is integrally sealed so as to cover the chip 5. The sealing body 6 does not transmit visible light, but transmits infrared light sufficiently well. On the surface of the sealing body 6 facing the light emitting element 3 and the light receiving element 4, a light emitting lens part 14 and a light receiving lens part 15 are formed, respectively.

【0028】また、図1には図示していないが、このモ
ジュール1には、周囲における電磁波の影響を抑制する
ためのシールドケースなどが、モジュール1の外形を覆
うように設けられてもよい。
Although not shown in FIG. 1, the module 1 may be provided with a shield case or the like for suppressing the influence of electromagnetic waves around the module 1 so as to cover the outer shape of the module 1.

【0029】このような構成のモジュール1を外部の回
路基板に実装する場合、たとえば、図5に示すように、
基板2の裏面2bが外部回路基板Bの表面に対して直交
方向に沿うように、すなわち、発光素子3および受光素
子4の受発光の方向が外部回路基板Bの表面と平行にな
るように実装される。この場合、半田フィレットFが裏
面2bの接続端子部8、および外部回路基板Bの表面に
形成された配線パターンPを互いに接合するように形成
される。
When the module 1 having such a configuration is mounted on an external circuit board, for example, as shown in FIG.
The mounting is performed so that the back surface 2b of the substrate 2 extends in a direction orthogonal to the surface of the external circuit board B, that is, the light receiving and emitting directions of the light emitting element 3 and the light receiving element 4 are parallel to the surface of the external circuit board B. Is done. In this case, the solder fillet F is formed so as to join the connection terminal portion 8 on the back surface 2b and the wiring pattern P formed on the surface of the external circuit board B to each other.

【0030】そして、図示しない相手側機器の他のモジ
ュールと対向して配されることにより、赤外線によるデ
ータ通信が行われる。すなわち、発光素子3では、導体
パターン7を通じて送られてくる、LSIチップ5から
の電気信号を光信号に変換し、外部に対してその光信号
としての赤外光を放射する。一方、受光素子4は、外部
から受けた光信号としての赤外光を電気信号に変換し、
LSIチップ5に対して電気信号を与える。
The data communication by infrared rays is performed by being arranged opposite to another module (not shown). That is, the light emitting element 3 converts an electric signal sent from the LSI chip 5 transmitted through the conductor pattern 7 into an optical signal and emits infrared light as the optical signal to the outside. On the other hand, the light receiving element 4 converts infrared light as an optical signal received from the outside into an electric signal,
An electric signal is given to the LSI chip 5.

【0031】上記したように、このモジュール1を外部
の回路基板Bに実装する場合、基板2の側面2cが外部
の回路基板Bの表面に当接するようにモジュール1を実
装すれば、溝部9が外部の回路基板Bの表面に対向する
ので、溝部9に充填された半田Sによって、モジュール
1を容易にかつスムーズに外部の回路基板Bに実装する
ことができる。さらに、モジュール1を外部の回路基板
Bに実装する際、基板2の裏面に形成された接続端子部
8と、外部の回路基板Bの配線パターンPとの間で半田
フィレットFが形成され、この場合、溝部9に充填され
た半田Sが半田フィレットFと良好に結合し、モジュー
ル1の外部の回路基板Bに対する実装強度を高めること
ができる。
As described above, when this module 1 is mounted on an external circuit board B, if the module 1 is mounted such that the side surface 2c of the board 2 contacts the surface of the external circuit board B, the groove 9 is formed. Since it faces the surface of the external circuit board B, the module 1 can be easily and smoothly mounted on the external circuit board B by the solder S filled in the groove 9. Further, when mounting the module 1 on the external circuit board B, a solder fillet F is formed between the connection terminal portion 8 formed on the back surface of the board 2 and the wiring pattern P of the external circuit board B. In this case, the solder S filled in the groove 9 is well coupled to the solder fillet F, and the mounting strength of the module 1 on the circuit board B outside the module 1 can be increased.

【0032】次に、上記モジュール1の製造方法につい
て説明する。まず、図6に示すように、略矩形状に延び
たシート状のガラスエポキシ樹脂からなる集合基板20
を用いる。この集合基板20は、多数個のモジュール1
を配列できる大きさを有し、各モジュール1のそれぞれ
に対応して一定の大きさの領域21が区画されている。
集合基板20の両サイドには、モジュール1を製作する
ときに、この集合基板20を固定するための係合穴22
が形成されている。また、集合基板20には、所定数の
領域21ごとに、集合基板20の反れを防止するための
縦方向に延びたスリット23が形成されている。
Next, a method of manufacturing the module 1 will be described. First, as shown in FIG. 6, a collective substrate 20 made of a sheet-like glass epoxy resin extending in a substantially rectangular shape.
Is used. The assembly board 20 includes a large number of modules 1
Are arranged, and a region 21 having a certain size is defined corresponding to each of the modules 1.
Engagement holes 22 for fixing the collective substrate 20 when manufacturing the module 1 are provided on both sides of the collective substrate 20.
Are formed. In addition, a slit 23 extending in the vertical direction for preventing warping of the collective substrate 20 is formed in the collective substrate 20 for each of the predetermined number of regions 21.

【0033】次いで、集合基板20の各領域21ごと
に、集合基板20の表裏面を導通させるための最終的に
溝部9となるスルーホール24を適宜数形成する。この
スルーホール24は、集合基板20を貫通するように形
成され、その内周面には銅メッキが施されることにより
導体層10が形成される。
Next, for each region 21 of the collective substrate 20, an appropriate number of through-holes 24, which finally become the grooves 9, for conducting the front and back surfaces of the collective substrate 20 are formed. The through hole 24 is formed so as to penetrate the collective substrate 20, and the inner peripheral surface thereof is plated with copper to form the conductor layer 10.

【0034】次に、集合基板20の表面および裏面に対
して、各領域21ごとに、公知のフォトリソグラフィー
法により所定の導体パターン7を形成する。すなわち、
表面に銅箔を施した集合基板20に対してレジスト材料
を塗布し、所望のパターンが描かれたマスクを用いて露
光・現像し、エッチングにより銅箔の不要部分を除去す
ることにより、導体パターン7を形成する。この場合、
集合基板20の裏面においては、スルーホール24の開
口部の周囲に、適当な大きさの接続端子部8が形成され
る。
Next, a predetermined conductor pattern 7 is formed on the front and back surfaces of the collective substrate 20 for each region 21 by a known photolithography method. That is,
A resist material is applied to the collective substrate 20 having a copper foil on the surface, exposed and developed using a mask on which a desired pattern is drawn, and unnecessary portions of the copper foil are removed by etching. 7 is formed. in this case,
On the back surface of the collective substrate 20, connection terminals 8 of an appropriate size are formed around the openings of the through holes 24.

【0035】次に、集合基板20の表面および裏面に対
して、絶縁層を形成し、外部に露出する必要のあるべき
部分以外を覆う。この場合も、フォトリソグラフィー法
を用い、たとえば、導体パターン7のうち、露出させる
べき部分と対応した窓孔をもつマスクを用いて予め集合
基板20全面に形成した絶縁層に露光処理を行い、続い
て現像を行うことにより、絶縁層に開口を形成する。
Next, an insulating layer is formed on the front and back surfaces of the collective substrate 20 to cover portions other than those which need to be exposed to the outside. Also in this case, the insulating layer formed in advance on the entire surface of the collective substrate 20 is exposed using a photolithography method, for example, using a mask having a window hole corresponding to a portion to be exposed in the conductor pattern 7, An opening is formed in the insulating layer by performing the development.

【0036】この場合、集合基板20の表面側は、後述
するように、透光性樹脂によるモールド成形が行われる
ので、樹脂がスルーホール24内に侵入しないように、
表面側のスルーホール24の開口は、絶縁層によって閉
塞させておく。一方、集合基板20の裏面側におけるス
ルーホール24を含む接続端子部8においては、絶縁層
に開口を形成し外部に露出させる。
In this case, since the front side of the collective substrate 20 is molded with a translucent resin as described later, the resin is prevented from entering the through hole 24.
The opening of the through hole 24 on the front side is closed by an insulating layer. On the other hand, in the connection terminal portion 8 including the through hole 24 on the back surface side of the collective substrate 20, an opening is formed in the insulating layer to be exposed to the outside.

【0037】次いで、集合基板20上の各領域21ごと
に、発光素子3などの電子部品を実装し、その後、図7
に示すように、エポキシ樹脂などの透光性樹脂を用い
て、実装された電子部品を所定の金型を用いてトランス
ファーモールド成形によって一体的にモールドする。こ
こでは、2つの領域21における各モジュール1を一括
してモールド成形し、中間封止体25を形成する。発光
素子3および受光素子4に対向する中間封止体25の上
面には、略半球形状の発光用レンズ部14および受光用
レンズ部15が形成される。
Next, electronic components such as the light emitting element 3 are mounted on each area 21 on the collective substrate 20, and thereafter, as shown in FIG.
As shown in (1), the mounted electronic component is integrally molded by transfer molding using a predetermined mold using a translucent resin such as an epoxy resin. Here, the modules 1 in the two regions 21 are collectively molded to form the intermediate sealing body 25. On the upper surface of the intermediate sealing body 25 facing the light emitting element 3 and the light receiving element 4, a substantially hemispherical light emitting lens part 14 and a light receiving lens part 15 are formed.

【0038】次に、スルーホール24内に半田を充填す
る。これには、図8に示すように、集合基板20を表裏
反転させ、たとえば、スルーホール24の穴位置に対応
した窓孔を有するマスク26を用い、そのマスク26の
窓孔およびその周囲に、たとえば、粉状の半田とフラッ
クスとを混練した半田ペーストを塗布する。そして、図
9に示すように、スキージ27などにより半田ペースト
をマスク26の窓穴からスルーホール24側に押し出
す。その後、集合基板20を加熱することにより、半田
ペーストを溶融させ、図10に示すように、スルーホー
ル24内に流し込み、スルーホール24内を半田Sで埋
める。
Next, the through holes 24 are filled with solder. For this purpose, as shown in FIG. 8, the collective substrate 20 is turned upside down, and for example, a mask 26 having a window hole corresponding to the hole position of the through hole 24 is used. For example, a solder paste in which powdery solder and flux are kneaded is applied. Then, as shown in FIG. 9, the solder paste is extruded from the window hole of the mask 26 toward the through hole 24 by a squeegee 27 or the like. After that, the solder paste is melted by heating the collective substrate 20 and poured into the through holes 24 as shown in FIG.

【0039】この場合、スキージ27などによる半田ペ
ーストの押し出し処理は、複数回行ってもよく、スルー
ホール24の切断時における導体層10の剥離の発生の
可能性を低くするために、半田Sをスルーホール24内
に隙間なく充填することが望ましい。
In this case, the solder paste may be extruded with the squeegee 27 or the like a plurality of times. In order to reduce the possibility of peeling of the conductor layer 10 when the through hole 24 is cut, the solder S is removed. It is desirable to fill the through hole 24 without gaps.

【0040】また、上記のように、スルーホール24の
穴位置に対応した窓孔を有するマスク26を用いること
によって、スルーホール24の開口部周辺の接続端子部
8上に直接、半田ペーストが広がるといったことがな
く、適切にスルーホール24内に半田Sを充填すること
ができる。さらに、集合基板20の表側は封止体6およ
び絶縁層が形成されており、半田Sが充填されるときに
は、この封止体6および絶縁層によってスルーホール2
4の下方側開口が閉塞されることになる。そのため、ス
ルーホール24から半田Sが漏洩することなく、確実に
半田Sを充填することができる。
Further, as described above, by using the mask 26 having the window hole corresponding to the hole position of the through hole 24, the solder paste spreads directly on the connection terminal 8 around the opening of the through hole 24. Therefore, the solder S can be appropriately filled in the through hole 24. Furthermore, a sealing body 6 and an insulating layer are formed on the front side of the collective substrate 20, and when the solder S is filled, the through hole 2 is formed by the sealing body 6 and the insulating layer.
4 will be closed. Therefore, the solder S can be reliably filled without the solder S leaking from the through hole 24.

【0041】その後、図11および図12に示すよう
に、集合基板20を縦横に切断する。なお、図11は集
合基板20の裏側から見た図である。まず、集合基板2
0の縦方向に沿って、具体的には図11に示す一点破線
L1に沿って集合基板20を切断する。集合基板20の
切断には、たとえば、φ56mm、厚み0.35mmの
ブレード28を用い、図12に示すように、封止体6、
集合基板20およびスルーホール24が切断される。こ
の場合、中間封止体21においては、縦方向に2分割さ
れるように切断され、また、スルーホール24は、その
軸心方向に沿って切断され、基板2の側面2cの溝部9
が形成される。
Thereafter, as shown in FIGS. 11 and 12, the collective substrate 20 is cut vertically and horizontally. FIG. 11 is a view as seen from the back side of the collective substrate 20. First, collective board 2
The collective substrate 20 is cut along the vertical direction of 0, specifically, along the dashed line L1 shown in FIG. For cutting the aggregate substrate 20, for example, a blade 28 having a diameter of 56 mm and a thickness of 0.35 mm is used, and as shown in FIG.
The collective substrate 20 and the through holes 24 are cut. In this case, the intermediate sealing body 21 is cut so as to be divided into two in the vertical direction, and the through-hole 24 is cut along the axial direction, and the groove 9 on the side surface 2 c of the substrate 2 is cut.
Is formed.

【0042】この場合、スルーホール24には、予め半
田Sが充填されている。そのため、従来のように半田が
充填されていない状態でスルーホールを切断すると、ス
ルーホールの切断部分においてその内周面に形成された
導体層10が剥離することがあるが、本実施形態のよう
に、スルーホール24内に半田Sが予め充填されておれ
ば、導体層10は半田Sにより覆われるので、その後切
断されても、導体層10に剥離が生じることはない。し
たがって、基板をスルーホール24に沿って切断するこ
とにより生じる、スルーホール24内における導体層1
0の剥離を未然に防止することができる。
In this case, the through holes 24 are filled with solder S in advance. Therefore, when the through hole is cut in a state where the solder is not filled as in the conventional case, the conductor layer 10 formed on the inner peripheral surface of the cut portion of the through hole may be peeled off. If the through holes 24 are filled with the solder S in advance, the conductor layer 10 is covered with the solder S, so that even if the conductor layer 10 is cut afterwards, the conductor layer 10 does not peel off. Therefore, the conductor layer 1 in the through-hole 24 generated by cutting the substrate along the through-hole 24
0 can be prevented beforehand.

【0043】なお、スルーホール24を切断した際に、
スルーホール24内に予め充填された半田Sに剥離が生
じる場合も考えられるが、このモジュール1が外部の回
路基板Bに実装されるときには、半田リフロー処理によ
り半田Sは熱収縮されるため問題はない。
When the through hole 24 is cut,
It is conceivable that the solder S pre-filled in the through-hole 24 may be peeled off. However, when the module 1 is mounted on an external circuit board B, the solder S is thermally contracted by the solder reflow process, so that a problem occurs. Absent.

【0044】次に、溝部9が形成された側の反対側にお
ける領域21の端部に沿って、具体的には図11に示す
一点破線L2に沿って切断し、縦長の中間品を得る。そ
の後、中間品において、各領域21の上下に位置する不
要部分を除去するために、すなわち、図11に示す一点
破線L3に沿って中間品を切断する。このように、集合
基板20を切断して、多数個のモジュール1が得られ
る。
Next, along the end of the region 21 on the side opposite to the side where the groove 9 is formed, specifically, along the dashed line L2 shown in FIG. 11, a vertically long intermediate product is obtained. Thereafter, the intermediate product is cut along an alternate long and short dash line L3 shown in FIG. 11 to remove unnecessary portions located above and below each region 21. Thus, by cutting the collective substrate 20, a large number of modules 1 are obtained.

【0045】上記の製造方法により製作されたモジュー
ル1は、たとえば、外部の回路基板Bに実装する場合、
基板2の側面2cが外部の回路基板Bの表面に当接する
ように、たとえば、半田リフロー処理によって実装され
る(図4参照)。この場合、溝部9に充填された半田S
によって、基板2は外部の回路基板Bに良好に接合さ
れ、また、接続端子部8および外部の回路基板Bの配線
パターンPの間には、半田フィレットFが形成され、両
者の接合性を高めることができる。
The module 1 manufactured by the above-described manufacturing method is mounted on an external circuit board B, for example.
The board 2 is mounted by, for example, a solder reflow process so that the side surface 2c of the board 2 contacts the surface of the external circuit board B (see FIG. 4). In this case, the solder S filled in the groove 9
Thereby, the board 2 is satisfactorily bonded to the external circuit board B, and a solder fillet F is formed between the connection terminal portion 8 and the wiring pattern P of the external circuit board B, thereby improving the bonding property between the two. be able to.

【0046】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されるものではない。たとえば、基板2の
側面2cに形成される溝部9の端子数は、図1に示すよ
うに8個に限るものではない。
Of course, the scope of the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the number of terminals of the groove 9 formed on the side surface 2c of the substrate 2 is not limited to eight as shown in FIG.

【0047】また、上記した切断方法は、赤外線送受信
モジュールを製造する際にのみ適用するに限らず、スル
ーホールを切断して基板側面に溝部を形成する他のモジ
ュール装置などに適用することができる。
The above-described cutting method is not limited to being applied only when manufacturing an infrared transmitting / receiving module, but may be applied to other module devices that cut through holes and form grooves on the side surfaces of the substrate. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明に係る赤外線送受信モジュールの斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view of an infrared transceiver module according to the present invention.

【図2】図1に示す赤外線送受信モジュールの内部構成
図である。
FIG. 2 is an internal configuration diagram of the infrared transceiver module shown in FIG. 1;

【図3】図1に示す赤外線送受信モジュールの内部構成
図である。
FIG. 3 is an internal configuration diagram of the infrared transceiver module shown in FIG. 1;

【図4】赤外線送受信モジュールの一部切欠側面図であ
る。
FIG. 4 is a partially cutaway side view of the infrared transceiver module.

【図5】図1に示す赤外線送受信モジュールを外部回路
基板に実装した状態を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state in which the infrared transceiver module shown in FIG. 1 is mounted on an external circuit board.

【図6】赤外線送受信モジュールの製造方法を説明する
ための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the infrared transmitting / receiving module.

【図7】赤外線送受信モジュールの製造方法を説明する
ための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of manufacturing the infrared transmitting / receiving module.

【図8】赤外線送受信モジュールの製造方法を説明する
ための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of manufacturing the infrared transmitting / receiving module.

【図9】赤外線送受信モジュールの製造方法を説明する
ための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a method of manufacturing the infrared transmitting / receiving module.

【図10】赤外線送受信モジュールの製造方法を説明す
るための図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a method for manufacturing the infrared transmitting / receiving module.

【図11】赤外線送受信モジュールの製造方法を説明す
るための図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a method for manufacturing the infrared transmitting / receiving module.

【図12】赤外線送受信モジュールの製造方法を説明す
るための図である。
FIG. 12 is a diagram for explaining a method of manufacturing the infrared transmitting / receiving module.

【図13】従来の赤外線送受信モジュールの一例を示す
図である。
FIG. 13 is a diagram showing an example of a conventional infrared transmitting / receiving module.

【符号の説明】 1 赤外線送受信モジュール 2 基板 2c 側面 3 発光素子 4 受光素子 6 封止体 9 溝部 10 導体層 20 集合基板 24 スルーホール B 回路基板[Description of Signs] 1 Infrared transmitting / receiving module 2 Substrate 2c Side surface 3 Light emitting element 4 Light receiving element 6 Sealing body 9 Groove 10 Conductive layer 20 Assembly board 24 Through hole B Circuit board

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子および受光素子を搭載しかつ内
周面に導体層を有するスルーホールが設けられた基板
を、上記スルーホールに沿って分割することにより、上
記基板の側面に溝部を形成する赤外線送受信モジュール
を製造するための製造方法であって、 上記スルーホールの開口部分に半田ペーストを塗布した
後、加熱することにより上記スルーホール内に半田を充
填する半田充填工程と、 上記半田が充填されたスルーホールの軸心方向に沿うよ
うに上記基板を切断する切断工程と、を有することを特
徴とする、赤外線送受信モジュールの製造方法。
A substrate, on which a light emitting element and a light receiving element are mounted and provided with a through hole having a conductor layer on an inner peripheral surface, is divided along the through hole to form a groove on a side surface of the substrate. A method for manufacturing an infrared transmitting / receiving module, comprising: applying a solder paste to an opening of the through-hole, and then heating and filling the inside of the through-hole by heating; and A cutting step of cutting the substrate along the axial direction of the filled through-holes.
【請求項2】 上記基板の表面に搭載した上記各素子を
上記基板とともに樹脂により封止する封止工程を有し、 上記半田充填工程では、上記封止工程によって封止した
後、上記基板を表裏反転させ、上記基板の裏面側から半
田を充填する、請求項1に記載の赤外線送受信モジュー
ルの製造方法。
2. The method according to claim 2, further comprising a sealing step of sealing each of the elements mounted on the surface of the substrate with a resin together with the substrate. In the solder filling step, after sealing in the sealing step, the substrate is sealed. 2. The method for manufacturing an infrared transmitting / receiving module according to claim 1, wherein the substrate is turned upside down and filled with solder from the back side of the substrate.
【請求項3】 上記半田充填工程では、上記スルーホー
ルの開口と対応する窓孔を有するマスクを用い、上記マ
スクの窓孔から半田ペーストを上記スルーホール側に押
し出す、請求項1または2に記載の赤外線送受信モジュ
ールの製造方法。
3. The solder filling step according to claim 1, wherein a mask having a window hole corresponding to the opening of the through hole is used, and the solder paste is extruded from the window hole of the mask toward the through hole. Manufacturing method of the infrared transmitting / receiving module.
【請求項4】 上記半田充填工程では、上記半田が上記
基板の表裏面と略面一になるように半田を充填する、請
求項1ないし3のいずれかに記載の赤外線送受信モジュ
ールの製造方法。
4. The method of manufacturing an infrared transmitting / receiving module according to claim 1, wherein in the solder filling step, the solder is filled so that the solder is substantially flush with the front and back surfaces of the substrate.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載の製
造方法によって製造されたことを特徴とする、赤外線送
受信モジュール。
5. An infrared transmission / reception module manufactured by the manufacturing method according to claim 1. Description:
JP25512999A 1999-09-09 1999-09-09 Infrared transmission/reception module and manufacture thereof Pending JP2001077408A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25512999A JP2001077408A (en) 1999-09-09 1999-09-09 Infrared transmission/reception module and manufacture thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25512999A JP2001077408A (en) 1999-09-09 1999-09-09 Infrared transmission/reception module and manufacture thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001077408A true JP2001077408A (en) 2001-03-23

Family

ID=17274501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25512999A Pending JP2001077408A (en) 1999-09-09 1999-09-09 Infrared transmission/reception module and manufacture thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001077408A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261380A (en) * 2005-03-17 2006-09-28 Rohm Co Ltd Optical communication module
JP2007234970A (en) * 2006-03-02 2007-09-13 Sharp Corp Light receiving apparatus, light receiving and emitting apparatus provided with the light receiving apparatus, optical space transmission device provided with the light receiving apparatus or the light receiving and emitting apparatus, and electronic apparatus provided with the light receiving apparatus or the light receiving and emitting apparatus or the optical space transmission device
JP2008546192A (en) * 2005-05-30 2008-12-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Casing body and method of manufacturing casing body
JP2009194319A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Citizen Electronics Co Ltd Surface-mounted led
JP2010062456A (en) * 2008-09-05 2010-03-18 Sharp Corp Light source, video image display device, lighting device, and method of manufacturing them
JP2013506985A (en) * 2009-10-01 2013-02-28 エクセリタス カナダ,インコーポレイテッド Optoelectronic device with laminate-less carrier packaging in landscape or upside-down device arrangement
US8791492B2 (en) 2009-10-01 2014-07-29 Excelitas Canada, Inc. Semiconductor laser chip package with encapsulated recess molded on substrate and method for forming same
US9018074B2 (en) 2009-10-01 2015-04-28 Excelitas Canada, Inc. Photonic semiconductor devices in LLC assembly with controlled molding boundary and method for forming same
JP2017092320A (en) * 2015-11-12 2017-05-25 旭化成エレクトロニクス株式会社 Optical sensor device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006261380A (en) * 2005-03-17 2006-09-28 Rohm Co Ltd Optical communication module
JP2008546192A (en) * 2005-05-30 2008-12-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Casing body and method of manufacturing casing body
US8772065B2 (en) 2005-05-30 2014-07-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing body and method for production thereof
JP2007234970A (en) * 2006-03-02 2007-09-13 Sharp Corp Light receiving apparatus, light receiving and emitting apparatus provided with the light receiving apparatus, optical space transmission device provided with the light receiving apparatus or the light receiving and emitting apparatus, and electronic apparatus provided with the light receiving apparatus or the light receiving and emitting apparatus or the optical space transmission device
JP2009194319A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Citizen Electronics Co Ltd Surface-mounted led
US7791083B2 (en) 2008-02-18 2010-09-07 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode
JP2010062456A (en) * 2008-09-05 2010-03-18 Sharp Corp Light source, video image display device, lighting device, and method of manufacturing them
JP2013506985A (en) * 2009-10-01 2013-02-28 エクセリタス カナダ,インコーポレイテッド Optoelectronic device with laminate-less carrier packaging in landscape or upside-down device arrangement
US8791492B2 (en) 2009-10-01 2014-07-29 Excelitas Canada, Inc. Semiconductor laser chip package with encapsulated recess molded on substrate and method for forming same
US9018074B2 (en) 2009-10-01 2015-04-28 Excelitas Canada, Inc. Photonic semiconductor devices in LLC assembly with controlled molding boundary and method for forming same
JP2017092320A (en) * 2015-11-12 2017-05-25 旭化成エレクトロニクス株式会社 Optical sensor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6284353B1 (en) Printed wiring board and method of manufacturing the same
US6900535B2 (en) BGA/LGA with built in heat slug/spreader
EP0959648B1 (en) Printed wiring board and manufacturing method therefor
US20060198570A1 (en) Hybrid module and production method for same, and hybrid circuit device
KR100462138B1 (en) Electronic device sealing electronic element therein and manufacturing method thereof, and printed wiring board suitable for such electronic device
JP2008205356A (en) Circuit board and method for mounting electronic component onto circuit board
JP2001077408A (en) Infrared transmission/reception module and manufacture thereof
JPH1050734A (en) Chip type semiconductor
JP2002198572A (en) Infrared rays data communication module and its manufacturing method
JP2002176184A (en) Infrared data communication module and its manufacturing method
JP2003008066A (en) Infrared data communication module and its mounting method
JP4822484B2 (en) Surface mount type electronic component and manufacturing method thereof
JP2001044452A (en) Optical communication module
JP4003847B2 (en) Infrared data communication module and manufacturing method thereof
JP2000012773A (en) Semiconductor device and its manufacture
JP4440381B2 (en) Infrared transceiver module
JP2000082827A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP2001177159A (en) Semiconductor device
JP2001201672A (en) Conversion module having optical semiconductor and method for manufacturing such conversion module
JP2001077405A (en) Method of manufacturing infrared transmitting/receiving module and the module
JP4554831B2 (en) Method for manufacturing individual substrate, individual substrate and collective substrate
JP4902046B2 (en) Infrared data communication module and manufacturing method thereof
TW201929617A (en) Flexible substrate
JP2000353770A (en) Integrated circuit package, millimeter wave integrated circuit package, and method of assembling and mounting integrated circuit package on board
JP2597846B2 (en) Substrate for mounting electronic components

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060501

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080602

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090310