JP2002198285A - Stage device and its damping method and projection aligner - Google Patents

Stage device and its damping method and projection aligner

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JP2002198285A
JP2002198285A JP2000393837A JP2000393837A JP2002198285A JP 2002198285 A JP2002198285 A JP 2002198285A JP 2000393837 A JP2000393837 A JP 2000393837A JP 2000393837 A JP2000393837 A JP 2000393837A JP 2002198285 A JP2002198285 A JP 2002198285A
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To contribute to improvement in exposure accuracy. SOLUTION: The pattern of a mask R is projected onto a substrate W by a projection optical system PL for exposure. There are detection devices 73 and 74, and a drive control device. The detection devices 73 and 74 detect the relative speed between the projection optical system PL regarding the direction of nearly an optical axis of the projection optical system PL, and the substrate W. In the drive control device, based on a result detected by the detection devices 73 and 74, at least the substrate W is followed in the optical axis direction to the projection optical system PL for drive.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクや基板等の
試料を保持するステージ本体が移動するステージ装置、
およびこのステージ装置における振動を制御するための
制振方法、並びにステージ装置に保持されたマスクと基
板とを用いて露光処理を行う露光装置に関し、特に半導
体集積回路や液晶ディスプレイ等のデバイスを製造する
際に、リソグラフィ工程で用いて好適なステージ装置お
よびその制振方法並びに露光装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stage apparatus in which a stage body for holding a sample such as a mask or a substrate moves.
And a vibration damping method for controlling vibration in the stage apparatus, and an exposure apparatus for performing an exposure process using a mask and a substrate held by the stage apparatus, and particularly to manufacturing devices such as semiconductor integrated circuits and liquid crystal displays. The present invention relates to a stage apparatus suitable for use in a lithography process, a vibration damping method thereof, and an exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程の
1つであるリソグラフィ工程においては、マスク又はレ
チクル(以下、レチクルと称する)に形成された回路パ
ターンをレジスト(感光剤)が塗布されたウエハ又はガ
ラスプレート等の基板上に転写する種々の露光装置が用
いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a lithography process which is one of the manufacturing processes of a semiconductor device, a circuit pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter referred to as a reticle) is coated with a resist (photosensitive agent) on a wafer. Alternatively, various exposure apparatuses for transferring the image onto a substrate such as a glass plate have been used.

【0003】例えば、半導体デバイス用の露光装置とし
ては、近年における集積回路の高集積化に伴うパターン
の最小線幅(デバイスルール)の微細化に応じて、レチ
クルのパターンを投影光学系を用いてウエハ上に縮小転
写する縮小投影露光装置が主として用いられている。
For example, as an exposure apparatus for a semiconductor device, a pattern of a reticle is projected using a projection optical system in accordance with the miniaturization of the minimum line width (device rule) of a pattern accompanying the high integration of an integrated circuit in recent years. A reduction projection exposure apparatus that performs reduction transfer on a wafer is mainly used.

【0004】この縮小投影露光装置としては、レチクル
のパターンをウエハ上の複数のショット領域(露光領
域)に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の
静止露光型の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)
や、このステッパを改良したもので、特開平8−166
043号公報等に開示されるようなレチクルとウエハと
を一次元方向に同期移動してレチクルパターンをウエハ
上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキ
ャン方式の走査露光型の露光装置(いわゆるスキャニン
グ・ステッパ)が知られている。
As this reduction projection exposure apparatus, a step-and-repeat type static exposure reduction projection exposure apparatus (so-called stepper) for sequentially transferring a reticle pattern to a plurality of shot areas (exposure areas) on a wafer.
And an improved version of this stepper.
No. 043, etc., a reticle and a wafer are synchronously moved in a one-dimensional direction to transfer a reticle pattern to each shot area on the wafer. Scanning steppers) are known.

【0005】これらの縮小投影露光装置においては、ス
テージ装置として、床面に先ず装置の基準になるベース
プレートが設置され、その上に床振動を遮断するための
防振台を介してレチクルステージ、ウエハステージおよ
び投影光学系(投影レンズ)等を支持する本体コラムが
載置されたものが多く用いられている。最近のステージ
装置では、前記防振台として、内圧が制御可能なエアマ
ウントやボイスコイルモータ等のアクチュエータ(推力
付与装置)を備え、本体コラム(メインフレーム)に取
り付けられた、例えば6個の加速度計の計測値に基づい
て前記ボイスコイルモータ等の推力を制御することによ
り本体コラムの振動を制御するアクティブ防振台が採用
されている。
In these reduction projection exposure apparatuses, as a stage apparatus, first, a base plate serving as a reference of the apparatus is installed on a floor surface, and a reticle stage, a wafer, and a wafer are placed on the base plate via a vibration isolating table for isolating floor vibration. A stage on which a main body column supporting a stage, a projection optical system (projection lens), and the like is mounted is often used. In recent stage devices, an actuator (thrust applying device) such as an air mount or a voice coil motor capable of controlling the internal pressure is provided as the vibration isolating table, and for example, six accelerations attached to a main body column (main frame) are provided. An active anti-vibration table that controls the vibration of the main body column by controlling the thrust of the voice coil motor or the like based on the measurement value of the meter is employed.

【0006】ところで、上記のステッパやスキャニング
・ステッパは、ウエハ上のあるショット領域に対する露
光の後、他のショット領域に対して順次露光を繰り返す
ものであるから、ウエハステージ(ステッパの場合)、
あるいはレチクルステージおよびウエハステージ(スキ
ャニング・ステッパの場合)の加速、減速運動によって
生じる反力が本体コラムの振動要因となって、投影光学
系とウエハ等との相対位置誤差を生じさせ、ウエハ上で
設計値と異なる位置にパターンが転写されたり、その位
置誤差に振動成分を含む場合には像ボケ(パターン線幅
の増大)を招く原因になるという不都合があった。
The above-mentioned stepper or scanning stepper repeats exposure to a shot area on a wafer and then to other shot areas sequentially, so that a wafer stage (in the case of a stepper),
Alternatively, the reaction force generated by the acceleration and deceleration movements of the reticle stage and wafer stage (in the case of a scanning stepper) causes vibration of the main body column, causing a relative position error between the projection optical system and the wafer or the like. When the pattern is transferred to a position different from the design value or when the position error includes a vibration component, there is a problem that image blurring (increase in pattern line width) is caused.

【0007】そこで、従来、上記のようなアクティブ防
振台では、定盤上をステージ本体が移動する際に定盤に
加わる反力による振動を、予め計算された装置のパラメ
ータ、例えばボディ重心、慣性主軸、サーボゲイン、非
干渉化ブロック等を用いてボディの動特性を制御するこ
とで、上述した不都合を抑制していた。また、例えば特
開平8−166475号公報等に記載されるように、ウ
エハステージの移動により発生する反力を定盤に対して
振動的に独立して配設されたフレーム部材を用いて機械
的に床(大地)に逃がす発明や、例えば特開平8−33
0224号公報等に記載されるように、レチクルステー
ジの移動により発生する反力を定盤に対して振動的に独
立して配設されたフレーム部材を用いて機械的に床(大
地)に逃がす発明が上記の不都合を改善するものとして
知られている。
Therefore, conventionally, in the above-described active vibration isolating table, vibrations caused by a reaction force applied to the surface plate when the stage body moves on the surface plate are calculated by using parameters of the apparatus calculated in advance, for example, the center of gravity of the body, The inconvenience described above has been suppressed by controlling the dynamic characteristics of the body using an inertia spindle, a servo gain, a decoupling block, and the like. In addition, as described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-166475, a reaction force generated by movement of a wafer stage is mechanically controlled by using a frame member which is arranged vibrationally independent of a surface plate. In addition, inventions that escape to the floor (ground),
As described in Japanese Patent No. 0224 or the like, a reaction force generated by the movement of the reticle stage is mechanically released to the floor (ground) by using a frame member which is arranged independently in vibration with respect to the surface plate. The invention is known to remedy the above disadvantages.

【0008】さらに、従来では投影光学系と例えばウエ
ハを移動させるステージ装置とが一体化した構成が採用
され、これらの振動がほぼ追従する構成であったが、近
年では、これらを独立して設置し、個々にアクティブ防
振台を設け振動を制御することで、ステージの移動に起
因する振動が投影光学系に伝達されることを抑制する方
式が検討されている。
Further, conventionally, a configuration in which a projection optical system and a stage device for moving a wafer, for example, are integrated has been adopted, and these vibrations almost follow, but in recent years, these components are independently installed. In addition, a method of suppressing the transmission of vibration due to the movement of the stage to the projection optical system by individually providing an active vibration isolation table and controlling the vibration has been studied.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のステージ装置およびその制振方法並びに
露光装置には、以下のような問題が存在する。近時にお
いては、半導体デバイスの微細化や露光処理の高速化の
要請が益々高まってきており、この要請に応えることが
できるステージ装置および露光装置が強く要望されてい
る。ところが、予めコンピュータ等で計算されたパラメ
ータを用いてステージ装置の振動を制御していても実機
と計算値とでは若干の差異があるため、どうしてもボデ
ィ振動の残留振動が計算値よりも悪くなり、露光精度の
向上に支障を来すという問題があった。
However, the following problems exist in the above-described conventional stage apparatus, its vibration control method, and exposure apparatus. In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization of semiconductor devices and high-speed exposure processing, and there has been a strong demand for a stage apparatus and an exposure apparatus which can meet this demand. However, even when controlling the vibration of the stage device using parameters calculated in advance by a computer or the like, there is a slight difference between the actual machine and the calculated value, so the residual vibration of the body vibration is inevitably worse than the calculated value, There is a problem that it hinders the improvement of the exposure accuracy.

【0010】また、投影光学系とウエハ等との相対位置
誤差を抑制するために、近年ではレーザ干渉計等により
計測されたステージの位置をフィードバック制御する、
いわゆる位置制御方式に比較して制御性が優れているこ
とからステージの速度をフィードバック制御する、いわ
ゆる速度制御方式が採用されている。ところが、この場
合、ステージ装置単体の振動を高精度に制御しても投影
光学系が振動してしまうとこれらの追従制御が充分に実
施できず、投影光学系とウエハ等との相対位置を維持で
きないという問題があった。
In recent years, in order to suppress a relative position error between a projection optical system and a wafer or the like, recently, the position of a stage measured by a laser interferometer or the like is feedback controlled.
Since the controllability is superior to that of the so-called position control method, a so-called speed control method of performing feedback control of the stage speed is employed. However, in this case, even if the vibration of the stage device alone is controlled with high accuracy, if the projection optical system vibrates, these follow-up controls cannot be sufficiently performed, and the relative position between the projection optical system and the wafer or the like is maintained. There was a problem that it was not possible.

【0011】また、露光精度の向上のためには、ウエハ
ステージが所望の位置に位置決めされ十分に整定される
のを待ってアライメント動作や露光動作を開始したり、
スキャニング・ステッパの場合には、レチクルステージ
とウエハステージとの同期整定を十分に確保した状態で
露光を行う等、上記のアクティブ防振台等により本体コ
ラムの振動を十分に減衰させることが考えられる。とこ
ろが、この場合スループット(生産性)を悪化させる要
因となるため、現実的ではなかった。例えばウエハステ
ージはショット領域の位置に応じて定盤上を移動する
が、このウエハステージが定盤の外側で移動するときに
は回転方向の振動が中央側の振動よりも大きくなり、整
定に要する時間が長くなるという問題があった。
In order to improve the exposure accuracy, an alignment operation or an exposure operation is started after the wafer stage is positioned at a desired position and sufficiently settled.
In the case of the scanning stepper, it is conceivable that the vibration of the main body column is sufficiently attenuated by the above-described active vibration isolating table or the like, for example, by performing exposure in a state where the synchronous setting of the reticle stage and the wafer stage is sufficiently secured. . However, in this case, the throughput (productivity) is deteriorated, which is not practical. For example, the wafer stage moves on the surface plate according to the position of the shot area, but when this wafer stage moves outside the surface plate, the vibration in the rotation direction becomes larger than the vibration on the center side, and the time required for settling is increased. There was a problem of becoming long.

【0012】一方、ステージに設けられた可動子が固定
子に対して移動すると、固定子には移動に伴う反力が作
用するが、この反力をフレーム部材を用いて機械的に床
(大地)に逃がす際には、固定子とフレーム部材との間
にボイスコイルモータ等を介在させることで、固定子の
位置を制御しながら反力をフレーム部材に伝達すること
ができる。ところが、この反力は1000Nに達するも
のもあるため、大型のボイスコイルモータが必要にな
り、装置の大型化およびコスト上昇を招くという問題が
あった。
On the other hand, when the mover provided on the stage moves with respect to the stator, a reaction force accompanying the movement acts on the stator, and this reaction force is mechanically applied to the floor (ground) using a frame member. In the case where the stator is released, a reaction force can be transmitted to the frame member while controlling the position of the stator by interposing a voice coil motor or the like between the stator and the frame member. However, since this reaction force reaches 1000 N, a large-sized voice coil motor is required, and there is a problem that the apparatus is increased in size and cost is increased.

【0013】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、露光精度の向上に寄与するステージ装置お
よびその制振方法並びに露光装置を提供することを目的
とする。また、本発明の別の目的は、スループットの向
上に寄与するステージ装置および露光装置を提供するこ
とである。さらに、本発明の別の目的は、装置の小型化
に寄与するステージ装置および露光装置を提供すること
である。
The present invention has been made in consideration of the above points, and has as its object to provide a stage device which contributes to an improvement in exposure accuracy, a vibration damping method thereof, and an exposure device. Another object of the present invention is to provide a stage apparatus and an exposure apparatus that contribute to an improvement in throughput. Still another object of the present invention is to provide a stage apparatus and an exposure apparatus that contribute to downsizing of the apparatus.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図11に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明のステー
ジ装置の制振方法は、定盤(6)上を駆動されるステー
ジ本体(5)を有するステージ装置(7)に対して定盤
(6)に推力を付与して制振する方法であって、定盤
(6)を加振した際のステージ装置(7)における重心
位置と慣性主軸とを検出し、検出した重心位置と慣性主
軸とに基づいて推力を補正することを特徴とするもので
ある。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 11 showing an embodiment. According to the vibration damping method for a stage device of the present invention, a thrust is applied to a surface plate (6) to a stage device (7) having a stage body (5) driven on the surface plate (6) to suppress the vibration. A method of detecting a position of a center of gravity and a principal axis of inertia in a stage device (7) when a platen (6) is vibrated, and correcting a thrust based on the detected position of the center of gravity and a principal axis of inertia. It is assumed that.

【0015】従って、本発明のステージ装置の制振方法
では、設計上の重心位置と慣性主軸ではなく、実機にお
いて定盤(6)を加振したり、シミュレーションにより
検出した、定盤(6)を加振した際の実際の重心位置と
慣性主軸とに基づいて推力を補正するので、定盤(6)
の残留振動を効果的に抑制することができる。
Therefore, in the vibration control method for the stage device of the present invention, the surface plate (6) is vibrated on the actual machine or detected by simulation instead of the position of the center of gravity and the main axis of inertia in design. The thrust is corrected based on the actual position of the center of gravity and the principal axis of inertia when the vibration is applied.
Can be effectively suppressed.

【0016】また、本発明のステージ装置は、定盤
(6)上を駆動されるステージ本体(5)と、定盤
(6)に推力を付与する推力付与装置(31)とを備え
たステージ装置(7)であって、定盤(6)が加振され
た際のステージ装置(7)における重心位置と慣性主軸
とを検出する検出装置(74)と、検出装置(74)の
検出結果に基づいて定盤(6)に付与する推力を補正す
る補正装置(70)とを有することを特徴とするもので
ある。
The stage device of the present invention comprises a stage body (5) driven on a surface plate (6) and a thrust applying device (31) for applying a thrust to the surface plate (6). A detecting device (74) for detecting a position of a center of gravity and an inertia main axis of the stage device (7) when the surface plate (6) is vibrated, and a detection result of the detecting device (74) And a correcting device (70) for correcting the thrust applied to the surface plate (6) based on the

【0017】従って、本発明のステージ装置では、設計
上の重心位置と慣性主軸ではなく、実機において定盤
(6)を加振したり、シミュレーションにより検出し
た、定盤(6)を加振した際の実際の重心位置と慣性主
軸とに基づいて推力を補正するので、定盤(6)の残留
振動を効果的に抑制することができる。
Therefore, in the stage device of the present invention, the surface plate (6) is vibrated in an actual machine or the surface plate (6) detected by simulation is vibrated instead of the position of the center of gravity and the inertia main axis in design. Since the thrust is corrected based on the actual position of the center of gravity and the inertia main axis at this time, the residual vibration of the surface plate (6) can be effectively suppressed.

【0018】また、本発明のステージ装置は、定盤
(6)上を駆動されるステージ本体(5)を備えたステ
ージ装置(7)であって、固定子(35a)および可動
子を有し、ステージ本体(5)を駆動する駆動装置(3
5)と、定盤(6)に対して振動的に独立して配設され
た支持部(8)と、支持部(8)と固定子(35a)と
の間に介装され、ステージ本体(5)の移動により固定
子(35a)に発生する反力を支持部(8)に伝達する
反力伝達装置(34)とを備え、反力伝達装置(34)
は、E型コアとI型コアとの結合によるEIコアを有す
ることを特徴とするものである。
The stage device of the present invention is a stage device (7) having a stage main body (5) driven on a surface plate (6), and has a stator (35a) and a mover. And a driving device (3) for driving the stage body (5).
5), a support portion (8) disposed independently of the platen (6) in terms of vibration, and a stage body interposed between the support portion (8) and the stator (35a). A reaction force transmitting device (34) for transmitting a reaction force generated on the stator (35a) by the movement of (5) to the support portion (8);
Is characterized by having an EI core formed by bonding an E-type core and an I-type core.

【0019】従って、本発明のステージ装置では、EI
コアがボイスコイルモータと比較して1.5倍程度の推
力を出力できることから、同じ推力を出力するには2/
3程度の大きさのEIコアで反力を支持部(8)に伝達
することができ、装置の小型化が実現する。
Therefore, in the stage apparatus of the present invention, the EI
Since the core can output about 1.5 times as much thrust as the voice coil motor, to output the same thrust, 2 /
The reaction force can be transmitted to the support portion (8) by the EI core having a size of about 3 and the size of the device can be reduced.

【0020】また、本発明のステージ装置は、定盤
(6)上を駆動されるステージ本体(56)と、定盤
(6)に推力を付与する推力付与装置(31)とを備え
たステージ装置(7)であって、ステージ本体(5)の
位置に応じた定盤(6)の振動特性を記憶する記憶装置
(76)と、定盤(6)の振動特性を検出する振動検出
装置(74)と、振動検出装置(74)の検出結果と記
憶装置(76)の記憶内容とに基づいて推力付与装置
(31)の駆動を制御する制御装置(70)とを有する
ことを特徴とするものである。
The stage device of the present invention comprises a stage body (56) driven on a surface plate (6) and a thrust applying device (31) for applying thrust to the surface plate (6). An apparatus (7), a storage device (76) for storing vibration characteristics of the surface plate (6) corresponding to the position of the stage body (5), and a vibration detection device for detecting the vibration characteristics of the surface plate (6) (74) and a control device (70) that controls the driving of the thrust applying device (31) based on the detection result of the vibration detection device (74) and the storage content of the storage device (76). Is what you do.

【0021】従って、本発明のステージ装置では、ステ
ージ本体(5)の位置に応じて発生する残留振動等の振
動特性を予め把握できるので、振動検出装置(74)が
検出した振動特性に基づいて、定盤(6)に発生する振
動特性を推定することが可能になる。そのため、定盤
(6)の残留振動をフィードフォワード制御で減衰させ
ることができるので、整定までに要する時間を短くする
ことができる。
Therefore, in the stage device of the present invention, since the vibration characteristics such as residual vibration generated according to the position of the stage body (5) can be grasped in advance, the stage device can be obtained based on the vibration characteristics detected by the vibration detection device (74). Thus, it is possible to estimate the vibration characteristics generated in the surface plate (6). Therefore, the residual vibration of the surface plate (6) can be attenuated by the feedforward control, so that the time required for settling can be shortened.

【0022】また、本発明の露光装置は、マスクステー
ジ(2)に保持されたマスク(R)のパターンを基板ス
テージ(5)に保持された基板(W)に露光する露光装
置(1)において、マスクステージ(2)と基板ステー
ジ(5)との少なくとも一方のステージとして、請求項
4から請求項9のいずれか1項に記載されたステージ装
置(7)が用いられることを特徴とするものである。
The exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus (1) for exposing a pattern of a mask (R) held on a mask stage (2) to a substrate (W) held on a substrate stage (5). The stage device (7) according to any one of claims 4 to 9 is used as at least one of the mask stage (2) and the substrate stage (5). It is.

【0023】従って、本発明の露光装置では、マスク
(R)または基板(W)を移動させた際の定盤(6)の
残留振動を効果的に抑制することができるとともに、小
型のステージ装置(7)によりマスク(R)または基板
(W)を移動させることができる。また、ステージ
(5)の位置決め時にも整定時間を短くすることができ
るため、スループットを向上させることができる。
Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, the residual vibration of the surface plate (6) when the mask (R) or the substrate (W) is moved can be effectively suppressed, and a small stage apparatus can be used. According to (7), the mask (R) or the substrate (W) can be moved. Further, the settling time can be shortened even when positioning the stage (5), so that the throughput can be improved.

【0024】また、本発明の露光装置は、マスク(R)
のパターンを投影光学系(PL)により基板(W)に投
影露光する露光装置(1)において、投影光学系(P
L)の略光軸方向に関する投影光学系(PL)と基板
(W)との相対速度を検出する検出装置(73、74)
と、検出装置(73、74)の検出結果に基づいて少な
くとも基板(W)を投影光学系(PL)に対して光軸方
向に追従駆動させる駆動制御装置(70)とを備えるこ
とを特徴とするものである。
Further, the exposure apparatus of the present invention provides a mask (R)
In the exposure apparatus (1) for projecting and exposing the pattern on the substrate (W) by the projection optical system (PL),
A detection device (73, 74) for detecting a relative speed between the projection optical system (PL) and the substrate (W) in the substantially optical axis direction of L).
And a drive control device (70) that drives at least the substrate (W) to follow the projection optical system (PL) in the optical axis direction based on the detection results of the detection devices (73, 74). Is what you do.

【0025】従って、本発明の露光装置では、例えば投
影光学系(PL)が振動した場合でも、検出装置(7
3、74)が検出した投影光学系(PL)と基板(W)
との相対速度を用いた速度制御下で基板(W)を投影光
学系(PL)に追従させることができる。そのため、投
影光学系(PL)と基板(W)との相対位置を維持して
パターンの転写精度を向上させることができる。この場
合、基板(W)のみならず投影光学系(PL)を駆動す
ることも可能である。
Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, even if the projection optical system (PL) vibrates, for example, the detection apparatus (7
3, 74) detected by the projection optical system (PL) and the substrate (W)
The substrate (W) can be made to follow the projection optical system (PL) under speed control using the relative speed with respect to the projection optical system (PL). Therefore, it is possible to maintain the relative position between the projection optical system (PL) and the substrate (W) and improve the pattern transfer accuracy. In this case, not only the substrate (W) but also the projection optical system (PL) can be driven.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明のステージ装置およ
びその制振方法並びに露光装置の実施の形態を、図1な
いし図12を参照して説明する。ここでは、例えば露光
装置として、レチクルとウエハとを同期移動しつつ、レ
チクルに形成された半導体デバイスの回路パターンをウ
エハ上に転写する、スキャニング・ステッパ(走査型露
光装置)を使用する場合の例を用いて説明する。また、
この露光装置においては、本発明のステージ装置をウエ
ハステージに適用するものとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a stage apparatus, a vibration damping method thereof, and an exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, for example, an example in which a scanning stepper (scanning type exposure apparatus) that transfers a circuit pattern of a semiconductor device formed on the reticle onto a wafer while synchronously moving the reticle and the wafer as an exposure apparatus is used. This will be described with reference to FIG. Also,
In this exposure apparatus, the stage device of the present invention is applied to a wafer stage.

【0027】図1に示す露光装置1は、光源LS(図2
参照)からの露光用照明光によりレチクル(マスク)R
上の矩形状(あるいは円弧状)の照明領域を均一な照度
で照明する照明光学系IUと、レチクルRを保持して移
動するレチクルステージ(マスクステージ)2および該
レチクルステージ2を支持するレチクル定盤3を含むス
テージ装置4と、レチクルRから射出される照明光をウ
エハ(基板)W上に投影する投影光学系PLと、ウエハ
Wを保持して移動するウエハステージ(基板ステージ、
ステージ本体)5および該ウエハステージ5を保持する
ウエハ定盤(定盤)6を含むステージ装置7と、上記ス
テージ装置4および投影光学系PLを支持するリアクシ
ョンフレーム8とから概略構成されている。なお、ここ
で投影光学系PLの光軸方向をZ方向とし、このZ方向
と直交する方向でレチクルRとウエハWの同期移動方向
をY方向とし、非同期移動方向をX方向とする。また、
それぞれの軸周りの回転方向をθZ、θY、θXとす
る。
The exposure apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a light source LS (FIG. 2).
Reticle (mask) R by exposure illumination light from
An illumination optical system IU that illuminates an upper rectangular (or arc) illumination area with uniform illuminance, a reticle stage (mask stage) 2 that holds and moves a reticle R, and a reticle stage that supports the reticle stage 2. A stage device 4 including a board 3; a projection optical system PL for projecting illumination light emitted from a reticle R onto a wafer (substrate) W; and a wafer stage (substrate stage,
A stage device 7 includes a stage main body 5 and a wafer surface plate (surface plate) 6 that holds the wafer stage 5, and a reaction frame 8 that supports the stage device 4 and the projection optical system PL. Here, the optical axis direction of the projection optical system PL is defined as the Z direction, the direction of the synchronous movement of the reticle R and the wafer W is defined as the Y direction, and the direction of the asynchronous movement is defined as the X direction in a direction perpendicular to the Z direction. Also,
The rotation directions around the respective axes are θZ, θY, and θX.

【0028】光源LSとしては、ここでは波長192〜
194nmの間で酸素の吸収帯を避けるように狭帯化さ
れたパルス紫外光を出力するArFエキシマレーザ光源
が用いられており、この光源LSの本体は、半導体製造
工場のクリーンルーム内の床面FD上に設置されてい
る。光源LSには、不図示の光源制御装置が併設されて
おり、この光源制御装置では、射出されるパルス紫外光
の発振中心波長及びスペクトル半値幅の制御、パルス発
振のトリガ制御、レーザチャンバ内のガスの制御等を行
うようになっている。なお、光源LSとして、波長24
8nmのパルス紫外光を出力するKrFエキシマレーザ
光源あるいは波長157nmのパルス紫外光を出力する
2レーザ光源等用いても良い。また、光源LSをクリ
ーンルームよりクリーン度が低い別の部屋(サービスル
ーム)、あるいはクリーンルームの床下に設けられるユ
ーティリティスペースに設置しても構わない。
Here, the light source LS has a wavelength of 192 to 192.
An ArF excimer laser light source that outputs pulsed ultraviolet light narrowed so as to avoid an oxygen absorption band between 194 nm is used, and the main body of the light source LS is a floor FD in a clean room of a semiconductor manufacturing plant. It is installed above. The light source LS is provided with a light source control device (not shown). The light source control device controls the oscillation center wavelength and the half width of the spectrum of the emitted pulsed ultraviolet light, triggers the pulse oscillation, and controls the inside of the laser chamber. Gas control and the like are performed. The light source LS has a wavelength of 24.
It may be used F 2 laser light source for outputting a pulsed ultraviolet light of KrF excimer laser light source or a wavelength 157nm for outputting 8nm pulse ultraviolet light. Further, the light source LS may be installed in another room (service room) having a lower degree of cleanness than in the clean room, or in a utility space provided under the floor of the clean room.

【0029】図2に示すように、光源LSは、図2では
作図の都合上その図示が省略されているが、実際には遮
光性のベローズ及びパイプを介してビームマッチングユ
ニットBMUの一端(入射端)に接続されており、この
ビームマッチングユニットBMUの他端(出射端)は、
内部にリレー光学系を内蔵したパイプ61を介して照明
光学系IUの第1照明光学系IU1に接続されている。
ビームマッチングユニットBMU内には、リレー光学系
や複数の可動反射鏡等(いずれも不図示)が設けられて
おり、これらの可動反射鏡等を用いて光源LSから入射
する狭帯化されたパルス紫外光(ArFエキシマレーザ
光)の光路を第1照明光学系IU1との間で位置的にマ
ッチングさせている。
As shown in FIG. 2, the light source LS is not shown in FIG. 2 for the sake of drawing. However, actually, one end of the beam matching unit BMU (incident light) is interposed via a light-shielding bellows and a pipe. End of the beam matching unit BMU.
It is connected to a first illumination optical system IU1 of the illumination optical system IU via a pipe 61 having a relay optical system built therein.
The beam matching unit BMU is provided with a relay optical system, a plurality of movable reflecting mirrors and the like (both not shown), and a narrow band pulse incident from the light source LS using these movable reflecting mirrors and the like. The optical path of ultraviolet light (ArF excimer laser light) is positionally matched with the first illumination optical system IU1.

【0030】照明光学系IUは、第1照明光学系IU1
と第2照明光学系IU2との2部分から構成されてい
る。第1照明光学系IU1は、床面FDに水平に載置さ
れた装置の基準となるフレームキャスタと呼ばれるベー
スプレート10上に設置されている。また、第2照明光
学系IU2は、リアクションフレーム(支持部)8の上
面に固定された支持コラム9によって下方から支持され
ている。従って、第1照明光学系IU1とリアクション
フレーム8(すなわち第2照明光学系IU2)とは振動
的に独立した構成になっている。
The illumination optical system IU includes a first illumination optical system IU1.
And the second illumination optical system IU2. The first illumination optical system IU1 is installed on a base plate 10 called a frame caster, which is a reference of an apparatus mounted horizontally on the floor FD. Further, the second illumination optical system IU2 is supported from below by a support column 9 fixed to the upper surface of the reaction frame (support portion) 8. Therefore, the first illumination optical system IU1 and the reaction frame 8 (that is, the second illumination optical system IU2) are vibrationally independent.

【0031】第1照明光学系IU1は、所定の位置関係
で配置されたミラー、可変減光器、ビーム成形光学系、
オプティカルインテグレータ、集光光学系、振動ミラ
ー、照明系開口絞り板、ビームスプリッタ、リレーレン
ズ系、及びレチクルブラインド機構を構成する可動視野
絞りとしての可動レチクルブラインド(照明領域設定装
置)62等を備えている。光源LSからのパルス紫外光
がビームマッチングユニットBMU及びリレー光学系を
介して第1照明光学系IU1内に水平に入射すると、こ
のパルス紫外光は、可変減光器のNDフィルタにより所
定のピーク強度に調整された後、ビーム整形光学系によ
り、オプティカルインテグレータに効率よく入射するよ
うにその断面形状が整形される。
The first illumination optical system IU1 includes a mirror, a variable dimmer, a beam shaping optical system, and a mirror arranged in a predetermined positional relationship.
An optical integrator, a condensing optical system, a vibration mirror, an illumination system aperture stop plate, a beam splitter, a relay lens system, and a movable reticle blind (illumination area setting device) 62 as a movable field stop constituting a reticle blind mechanism are provided. I have. When the pulsed ultraviolet light from the light source LS is horizontally incident on the first illumination optical system IU1 via the beam matching unit BMU and the relay optical system, the pulsed ultraviolet light is given a predetermined peak intensity by the ND filter of the variable dimmer. After that, the beam shaping optical system shapes the cross-sectional shape of the optical integrator so as to efficiently enter the optical integrator.

【0032】次いで、このパルス紫外光がオプティカル
インテグレータに入射すると、射出端側に面光源、すな
わち多数の光源像(点光源)から成る2次光源が形成さ
れる。これらの多数の点光源の各々から発散するパルス
紫外光は、照明系開口絞り板28G上のいずれかの開口
絞りを通過した後、露光光として可動レチクルブライン
ド62に到達する。
Next, when the pulsed ultraviolet light enters the optical integrator, a surface light source, that is, a secondary light source composed of a large number of light source images (point light sources) is formed on the exit end side. The pulsed ultraviolet light diverging from each of these many point light sources passes through one of the aperture stops on the illumination system aperture stop plate 28G, and then reaches the movable reticle blind 62 as exposure light.

【0033】可動レチクルブラインド62は、図3に示
すように、2枚のL字型の可動ブレードと、この可動ブ
レードを駆動するアクチュエータ63とを有する。2枚
の可動ブレードは、レチクルRの走査方向に対応する方
向及び走査方向に直交する非走査方向に対応する方向の
位置が可変となっている。この可動レチクルブラインド
62は、不要な部分の露光を防止するため、走査露光の
開始時及び終了時に可動ブレードにより後述するように
固定レチクルブラインドによって規定されるレチクルR
上の照明領域を更に制限するために用いられる。この可
動レチクルブラインド62の駆動は、調整装置としての
後述する主制御装置70によって制御される(図6参
照)。
As shown in FIG. 3, the movable reticle blind 62 has two L-shaped movable blades and an actuator 63 for driving the movable blades. The positions of the two movable blades in the direction corresponding to the scanning direction of the reticle R and the direction corresponding to the non-scanning direction orthogonal to the scanning direction are variable. The movable reticle blind 62 has a reticle R defined by a fixed reticle blind by a movable blade at the start and end of scanning exposure, as described later, in order to prevent exposure of unnecessary portions.
Used to further limit the upper illumination area. The driving of the movable reticle blind 62 is controlled by a main controller 70 described later as an adjusting device (see FIG. 6).

【0034】第2照明光学系IU2は、照明系ハウジン
グ64と、該照明系ハウジング64内に所定の位置関係
で収納された固定レチクルブラインド、レンズ、ミラ
ー、リレーレンズ系、メインコンデンサレンズ等(いず
れも不図示)を備えている。固定レチクルブラインド
は、照明系ハウジング64の入射端近傍のレチクルRの
パターン面に対する共役面から僅かにデフォーカスした
面に配置され、レチクルR上の照明領域を規定する所定
形状の開口部が形成されている。この固定レチクルブラ
インドの開口部は、投影光学系PLの円形視野内の中央
で走査露光時のレチクルRの移動方向(Y軸方向)と直
交したX軸方向に直線的に伸びたスリット状又は矩形状
に形成されているものとする。
The second illumination optical system IU2 includes an illumination system housing 64, a fixed reticle blind, a lens, a mirror, a relay lens system, and a main condenser lens housed in the illumination system housing 64 in a predetermined positional relationship. (Not shown). The fixed reticle blind is arranged on a surface slightly defocused from a conjugate plane with respect to the pattern surface of the reticle R near the incident end of the illumination system housing 64, and an opening having a predetermined shape that defines an illumination area on the reticle R is formed. ing. The opening of the fixed reticle blind has a slit or rectangular shape linearly extending in the X-axis direction orthogonal to the moving direction (Y-axis direction) of the reticle R during scanning exposure at the center of the circular visual field of the projection optical system PL. It is assumed that it is formed in a shape.

【0035】可動レチクルブラインド62のブレードの
開口部を通過したパルス紫外光は、固定レチクルブライ
ンドの開口部を一様な強度分布で照明する。固定レチク
ルブラインドの開口部を通ったパルス紫外光は、レン
ズ、ミラーM3、リレーレンズ系、主コンデンサレンズ
系を経て、レチクルステージ2上に保持されたレチクル
R上の所定の照明領域(X軸方向に直線的に伸びたスリ
ット状又は矩形状の照明領域)を均一な照度分布で照明
する。ここで、レチクルRに照射される矩形スリット状
の照明光は、図2中の投影光学系PLの円形投影視野の
中央にX軸方向(非走査方向)に細長く延びるように設
定され、その照明光のY軸方向(走査方向)の幅はほぼ
一定に設定されている。
The pulsed ultraviolet light passing through the opening of the blade of the movable reticle blind 62 illuminates the opening of the fixed reticle blind with a uniform intensity distribution. The pulsed ultraviolet light passing through the opening of the fixed reticle blind passes through a lens, a mirror M3, a relay lens system, and a main condenser lens system, and passes through a predetermined illumination area (X-axis direction) on a reticle R held on a reticle stage 2. Illuminating a slit-shaped or rectangular illumination area extending linearly with a uniform illuminance distribution. Here, the rectangular slit-shaped illumination light applied to the reticle R is set so as to extend in the X-axis direction (non-scanning direction) at the center of the circular projection field of the projection optical system PL in FIG. The width of the light in the Y-axis direction (scanning direction) is set substantially constant.

【0036】なお、第1照明光学系IU1と第2照明光
学系IU2とを強固に接合すると、可動レチクルブライ
ンド62の駆動に起因して露光動作中に第1照明光学系
IU1に生じる振動がリアクションフレーム8に支持さ
れた第2照明光学系IU2にそのまま伝達されることと
なって、好ましくない。このため、本実施形態では、第
1照明光学系IU1と第2照明光学系IU2との間は、
両者の相対変位を可能にし、かつその内部を外気に対し
て気密状態にすることが可能な接続部材としての伸縮自
在の蛇腹状部材65を介して接合されている。
When the first illumination optical system IU1 and the second illumination optical system IU2 are firmly joined, the vibration generated in the first illumination optical system IU1 during the exposure operation due to the driving of the movable reticle blind 62 reacts. This is undesirably transmitted to the second illumination optical system IU2 supported by the frame 8 as it is. For this reason, in the present embodiment, between the first illumination optical system IU1 and the second illumination optical system IU2,
The two members are joined via a telescopic bellows-like member 65 as a connecting member that enables relative displacement between the two and makes the inside airtight with respect to the outside air.

【0037】また、第1照明光学系IU1には、第2照
明光学系IU2の近傍、具体的には可動レチクルブライ
ンド62の近傍に位置して、光電センサ等の位置センサ
(検出装置)66が配置されている。位置センサ66
は、可動レチクルブラインド62と第2照明光学系IU
2のIU1側の端部(例えば固定レチクルブラインド)
との相対距離(相対位置関係)をX軸およびY軸で規定
される2次元平面で検出するものであって、その検出結
果は主制御装置70に出力される(図6参照)。
In the first illumination optical system IU1, a position sensor (detection device) 66 such as a photoelectric sensor is provided near the second illumination optical system IU2, specifically, near the movable reticle blind 62. Are located. Position sensor 66
Is a movable reticle blind 62 and a second illumination optical system IU.
2 IU1 end (for example, fixed reticle blind)
Is detected on a two-dimensional plane defined by the X axis and the Y axis, and the detection result is output to the main controller 70 (see FIG. 6).

【0038】図1に戻り、リアクションフレーム8は、
床面に水平に載置されたベースプレート10上に設置さ
れており、その上部側および下部側には、内側に向けて
突出する段部8aおよび8bがそれぞれ形成されてい
る。
Returning to FIG. 1, the reaction frame 8
It is installed on a base plate 10 placed horizontally on the floor surface, and its upper and lower sides are formed with step portions 8a and 8b protruding inward, respectively.

【0039】ステージ装置4の中、レチクル定盤3は、
各コーナーにおいてリアクションフレーム8の段部8a
に防振ユニット11を介してほぼ水平に支持されており
(なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せ
ず)、その中央部にはレチクルRに形成されたパターン
像が通過する開口3aが形成されている。なお、レチク
ル定盤3の材料として金属やセラミックスを用いること
ができる。防振ユニット11は、内圧が調整可能なエア
マウント12とレチクル定盤3に対して推力を付与する
ボイスコイルモータ13とが段部8a上に直列に配置さ
れた構成になっている。これら防振ユニット11によっ
て、ベースプレート10およびリアクションフレーム8
を介してレチクル定盤3に伝わる微振動がマイクロGレ
ベルで絶縁されるようになっている(Gは重力加速
度)。
In the stage device 4, the reticle platen 3
Step 8a of reaction frame 8 at each corner
An opening 3a through which a pattern image formed on the reticle R passes is supported in a substantially horizontal manner via an anti-vibration unit 11 (note that the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown). Are formed. Note that metal or ceramics can be used as the material of the reticle surface plate 3. The anti-vibration unit 11 has a configuration in which an air mount 12 whose internal pressure can be adjusted and a voice coil motor 13 that applies thrust to the reticle surface plate 3 are arranged in series on the step 8a. The base plate 10 and the reaction frame 8 are
The micro-vibration transmitted to the reticle surface plate 3 through the reticle is insulated at the micro G level (G is the gravitational acceleration).

【0040】レチクル定盤3上には、レチクルステージ
2が該レチクル定盤3に沿って2次元的に移動可能に支
持されている。レチクルステージ2の底面には、非接触
ベアリングとして複数のエアベアリング(エアパッド)
14が固定されており、これらのエアベアリング14に
よってレチクルステージ2がレチクル定盤3上に数ミク
ロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
また、レチクルステージ2の中央部には、レチクル定盤
3の開口3aと連通し、レチクルRのパターン像が通過
する開口2aが形成されている。また、このレチクル定
盤3上には、複数(例えば3つ、図1では1つのみ図
示)の加速度計75が設けられている。加速度計75の
計測結果は後述する主制御装置70に出力される(図6
参照)。
A reticle stage 2 is supported on the reticle base 3 so as to be two-dimensionally movable along the reticle base 3. A plurality of air bearings (air pads) are provided on the bottom of the reticle stage 2 as non-contact bearings.
The reticle stage 2 is levitated and supported by the air bearings 14 on the reticle surface plate 3 with a clearance of about several microns.
At the center of the reticle stage 2, there is formed an opening 2a which communicates with the opening 3a of the reticle platen 3 and through which the pattern image of the reticle R passes. A plurality of (for example, three, only one is shown in FIG. 1) accelerometers 75 are provided on the reticle surface plate 3. The measurement result of the accelerometer 75 is output to a main controller 70 described later (FIG. 6).
reference).

【0041】レチクルステージ2について詳述すると、
図4に示すように、レチクルステージ2は、レチクル定
盤3上を一対のYリニアモータ15、15によってY軸
方向に所定ストロークで駆動されるレチクル粗動ステー
ジ16と、このレチクル粗動ステージ16上を一対のX
ボイスコイルモータ17Xと一対のYボイスコイルモー
タ17YとによってX、Y、θZ方向に微小駆動される
レチクル微動ステージ18とを備えた構成になっている
(なお、図1では、これらを1つのステージとして図示
している)。
The reticle stage 2 will be described in detail.
As shown in FIG. 4, the reticle stage 2 includes a reticle coarse movement stage 16 driven on the reticle surface plate 3 by a pair of Y linear motors 15 and 15 in a predetermined stroke in the Y-axis direction. A pair of X above
A reticle fine movement stage 18 that is finely driven in the X, Y, and θZ directions by a voice coil motor 17X and a pair of Y voice coil motors 17Y is provided. As illustrated).

【0042】各Yリニアモータ15は、レチクル定盤3
上に非接触ベアリングである複数のエアベアリング(エ
アパッド)19によって浮上支持されY軸方向に延びる
固定子20と、この固定子20に対応して設けられ、連
結部材22を介してレチクル粗動ステージ16に固定さ
れた可動子21とから構成されている。このため、運動
量保存の法則により、レチクル粗動ステージ16の+Y
方向の移動に応じて、固定子20は−Y方向に移動す
る。この固定子20の移動によりレチクル粗動ステージ
16の移動に伴う反力を相殺するとともに、重心位置の
変化を防ぐことができる。
Each Y linear motor 15 has a reticle surface plate 3
A stator 20 floating above and supported in the Y-axis direction by a plurality of air bearings (air pads) 19 as non-contact bearings, and a reticle coarse movement stage provided corresponding to the stator 20 via a connecting member 22 The movable element 21 is fixed to the movable element 16. Therefore, the reticle coarse movement stage 16 has + Y
In accordance with the movement in the direction, the stator 20 moves in the −Y direction. The movement of the stator 20 cancels the reaction force caused by the movement of the reticle coarse movement stage 16 and can prevent a change in the position of the center of gravity.

【0043】なお、固定子20は、レチクル定盤3上に
代えて、リアクションフレーム8に設けてもよい。固定
子20をリアクションフレーム8に設ける場合には、エ
アベアリング19を省略し、固定子20をリアクション
フレーム8に固定して、レチクル粗動ステージ16の移
動により固定子20に作用する反力をリアクションフレ
ーム8を介して床に逃がしてもよい。
The stator 20 may be provided on the reaction frame 8 instead of on the reticle surface plate 3. When the stator 20 is provided on the reaction frame 8, the air bearing 19 is omitted, the stator 20 is fixed to the reaction frame 8, and the reaction force acting on the stator 20 due to the movement of the reticle coarse movement stage 16 is reacted. You may escape to the floor via the frame 8.

【0044】レチクル粗動ステージ16は、レチクル定
盤3の中央部に形成された上部突出部3bの上面に固定
されY軸方向に延びる一対のYガイド51、51によっ
てY軸方向に案内されるようになっている。また、レチ
クル粗動ステージ16は、これらYガイド51、51に
対して不図示のエアベアリングによって非接触で支持さ
れている。
The reticle coarse movement stage 16 is guided in the Y-axis direction by a pair of Y guides 51 fixed to the upper surface of an upper protruding portion 3b formed in the center of the reticle surface plate 3 and extending in the Y-axis direction. It has become. The reticle coarse movement stage 16 is supported by the Y guides 51 and 51 by an air bearing (not shown) in a non-contact manner.

【0045】レチクル微動ステージ18には、不図示の
バキュームチャックを介してレチクルRが吸着保持され
るようになっている。レチクル微動ステージ18の−Y
方向の端部には、コーナキューブからなる一対のY移動
鏡52a、52bが固定され、また、レチクル微動ステ
ージ18の+X方向の端部には、Y軸方向に延びる平面
ミラーからなるX移動鏡53が固定されている。そし
て、これら移動鏡52a、52b、53に対して測長ビ
ームを照射する3つのレーザ干渉計(ここではレーザ干
渉計67のみ図示)が各移動鏡の反射面と投影光学系P
Lの鏡筒上端に固定された参照鏡68とに向けてそれぞ
れレーザ光を照射するとともに、その反射光と入射光と
の干渉に基づいて、移動鏡と参照鏡との相対変位を計測
することにより、レチクルステージ2(ひいてはレチク
ルR)のX、Y、θZ(Z軸回りの回転)方向の位置が
所定の分解能、例えば0.5〜1nm程度の分解能でリ
アルタイムに計測される。なお、レチクル微動ステージ
18の材質としては、高剛性、且つ低熱膨張率の材料が
好ましく、金属やコージェライトまたはSiCからなる
セラミックスを用いることができる。
The reticle R is suction-held on the reticle fine movement stage 18 via a vacuum chuck (not shown). -Y of reticle fine movement stage 18
A pair of Y moving mirrors 52a and 52b formed of corner cubes are fixed to the ends in the direction, and an X moving mirror formed of a plane mirror extending in the Y axis direction is provided to the + X direction end of the reticle fine movement stage 18. 53 is fixed. Then, three laser interferometers (here, only the laser interferometer 67 is shown) for irradiating the movable mirrors 52a, 52b, and 53 with a measurement beam are provided with the reflecting surface of each movable mirror and the projection optical system P
Irradiating the laser light toward the reference mirror 68 fixed to the upper end of the lens barrel of L, and measuring the relative displacement between the movable mirror and the reference mirror based on the interference between the reflected light and the incident light. Thus, the position of the reticle stage 2 (and thus the reticle R) in the X, Y, and θZ (rotation around the Z axis) direction is measured in real time with a predetermined resolution, for example, a resolution of about 0.5 to 1 nm. The reticle fine movement stage 18 is preferably made of a material having high rigidity and a low coefficient of thermal expansion, and a metal, cordierite, or ceramics made of SiC can be used.

【0046】図1に戻り、投影光学系PLとして、ここ
では物体面(レチクルR)側と像面(ウエハW)側の両
方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や
蛍石を光学硝材とした屈折光学素子(レンズ素子)から
なる1/4(または1/5)縮小倍率の屈折光学系が使
用されている。このため、レチクルRに照明光が照射さ
れると、レチクルR上の回路パターンのうち、照明光で
照明された部分からの結像光束が光学系69(後述)を
介して投影光学系PLに入射し、その回路パターンの部
分倒立像が投影光学系PLの像面側の円形視野の中央に
スリット状に制限されて結像される。これにより、投影
された回路パターンの部分倒立像は、投影光学系PLの
結像面に配置されたウエハW上の複数のショット領域の
うち、1つのショット領域表面のレジスト層に縮小転写
される。
Returning to FIG. 1, as the projection optical system PL, here, both the object plane (reticle R) side and the image plane (wafer W) side are telecentric and have a circular projection field. A refraction optical system having a 1/4 (or 1/5) reduction magnification composed of a refraction optical element (lens element) made of a glass material is used. For this reason, when the reticle R is irradiated with the illumination light, the imaging light flux from the portion of the circuit pattern on the reticle R illuminated with the illumination light is transmitted to the projection optical system PL via the optical system 69 (described later). The light enters, and a partial inverted image of the circuit pattern is formed in a slit shape at the center of the circular field on the image plane side of the projection optical system PL and is formed. As a result, the projected partial inverted image of the circuit pattern is reduced and transferred to the resist layer on the surface of one of the plurality of shot regions on the wafer W arranged on the imaging plane of the projection optical system PL. .

【0047】この投影光学系PLとレチクルRとの間に
は、レチクルRを照明して透過した露光光をテレセント
リックな平行光束として投影光学系PLに入射する光学
系69が配設されている。光学系(例えばガラス)69
は、板バネやコイルスプリング等のバネ定数が小さい弾
性部材71を介して投影光学系PLの鏡筒に支持されて
いる。また、光学系69の露光光透過領域外には、加速
度計(計測装置)72が3つ(図1では2つのみ図示)
配置されている。加速度計72は、光学系69に作用す
る加速度を計測することで、光学系69と投影光学系P
Lとの相対的な傾き(相対位置関係)を計測するもので
あって、その計測結果は調整装置としての主制御装置7
0に出力される(図6参照)。
An optical system 69 is provided between the projection optical system PL and the reticle R to irradiate the reticle R and transmit the exposure light as a telecentric parallel light beam to the projection optical system PL. Optical system (for example, glass) 69
Is supported by the lens barrel of the projection optical system PL via an elastic member 71 having a small spring constant such as a leaf spring or a coil spring. Outside the exposure light transmitting area of the optical system 69, three accelerometers (measuring devices) 72 (only two are shown in FIG. 1)
Are located. The accelerometer 72 measures the acceleration acting on the optical system 69, and thereby the optical system 69 and the projection optical system P are measured.
L, which measures the relative inclination (relative positional relationship) with respect to L. The measurement result is the main control device 7 as an adjusting device.
0 (see FIG. 6).

【0048】一方、投影光学系PLの鏡筒部の外周に
は、該鏡筒部に一体化されたフランジ23が設けられて
いる。そして、投影光学系PLは、リアクションフレー
ム8の段部8bに防振ユニット24を介してほぼ水平に
支持された鋳物等で構成された鏡筒定盤25に、光軸方
向をZ方向として上方から挿入されるとともに、フラン
ジ23が係合している。なお、鏡筒定盤25として、高
剛性・低熱膨張のセラミックス材を用いてもよい。
On the other hand, a flange 23 integrated with the lens barrel is provided on the outer periphery of the lens barrel of the projection optical system PL. The projection optical system PL is mounted on a lens barrel base 25 made of a casting or the like substantially horizontally supported on the stepped portion 8b of the reaction frame 8 via an anti-vibration unit 24 with the optical axis direction being the Z direction. And the flange 23 is engaged. The lens barrel base 25 may be made of a ceramic material having high rigidity and low thermal expansion.

【0049】フランジ23の素材としては、低熱膨張の
材質、例えばインバー(Inver;ニッケル36%、
マンガン0.25%、および微量の炭素と他の元素を含
む鉄からなる低膨張の合金)が用いられている。このフ
ランジ23は、投影光学系PLを鏡筒定盤25に対して
点と面とV溝とを介して3点で支持する、いわゆるキネ
マティック支持マウントを構成している。このようなキ
ネマティック支持構造を採用すると、投影光学系PLの
鏡筒定盤25に対する組み付けが容易で、しかも組み付
け後の鏡筒定盤25および投影光学系PLの振動、温度
変化等に起因する応力を最も効果的に軽減できるという
利点がある。
The material of the flange 23 is a material having a low thermal expansion, for example, Invar (nickel 36%,
(A low-expansion alloy composed of 0.25% of manganese and iron containing trace amounts of carbon and other elements). The flange 23 constitutes a so-called kinematic support mount that supports the projection optical system PL at three points with respect to the barrel base 25 via points, surfaces, and V-grooves. When such a kinematic support structure is employed, it is easy to assemble the projection optical system PL to the lens barrel base 25, and it is caused by vibrations, temperature changes, and the like of the assembled lens barrel base 25 and the projection optical system PL. There is an advantage that stress can be reduced most effectively.

【0050】防振ユニット24は、鏡筒定盤25の各コ
ーナーに配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットにつ
いては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント26
と鏡筒定盤25に対して推力を付与するボイスコイルモ
ータ27とが段部8b上に直列に配置された構成になっ
ている。これら防振ユニット24によって、ベースプレ
ート10およびリアクションフレーム8を介して鏡筒定
盤25(ひいては投影光学系PL)に伝わる微振動がマ
イクロGレベルで絶縁されるようになっている。
The anti-vibration unit 24 is disposed at each corner of the lens barrel base 25 (the anti-vibration unit at the back of the drawing is not shown), and an air mount 26 whose internal pressure can be adjusted.
A voice coil motor 27 for applying a thrust to the lens barrel base 25 is arranged in series on the step 8b. These vibration isolation units 24 insulate, at the micro G level, minute vibrations transmitted to the lens barrel base 25 (and the projection optical system PL) via the base plate 10 and the reaction frame 8.

【0051】この鏡筒定盤25上には、複数(例えば3
つ、図1では1つのみ図示)の加速度計73がウエハ定
盤6との相対速度検出用の検出装置として設けられてい
る。加速度計73の計測結果はウエハステージ5の駆動
制御装置としての主制御装置70に出力される(図6参
照)。主制御装置70は、加速度計73の出力に基づき
防振ユニット24を駆動することで投影光学系PLに対
する振動を制御するが、その詳細については後述する。
A plurality of (for example, 3)
In FIG. 1, only one accelerometer 73 is provided as a detecting device for detecting a relative speed with respect to the wafer surface plate 6. The measurement result of the accelerometer 73 is output to a main controller 70 as a drive controller of the wafer stage 5 (see FIG. 6). The main controller 70 controls the vibration with respect to the projection optical system PL by driving the anti-vibration unit 24 based on the output of the accelerometer 73, the details of which will be described later.

【0052】ステージ装置7は、図1から明らかなよう
に、ステージ装置4と投影光学系PLとから分離してベ
ースプレート10上に設けられている。ステージ装置7
は、ウエハステージ5、このウエハステージ5をXY平
面に沿った2次元方向に移動可能に支持するウエハ定盤
6、ウエハステージ5と一体的に設けられウエハWを吸
着保持する試料台ST、これらウエハステージ5および
試料台STを相対移動自在に支持するXガイドバーXG
を主体に構成されている。ウエハステージ5の底面に
は、非接触ベアリングである複数のエアベアリング(エ
アパッド)28が固定されており、これらのエアベアリ
ング28によってウエハステージ5がウエハ定盤6上
に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上
支持されている。
As is apparent from FIG. 1, the stage device 7 is provided on the base plate 10 separately from the stage device 4 and the projection optical system PL. Stage device 7
A wafer stage 5, a wafer surface plate 6 for supporting the wafer stage 5 so as to be movable in a two-dimensional direction along the XY plane, a sample stage ST provided integrally with the wafer stage 5 and holding a wafer W by suction. X guide bar XG for supporting wafer stage 5 and sample stage ST movably relative to each other
It is mainly configured. A plurality of air bearings (air pads) 28, which are non-contact bearings, are fixed to the bottom surface of the wafer stage 5, and the air bearings 28 allow the wafer stage 5 to be placed on the wafer base 6 with a clearance of, for example, about several microns. It is supported floating through.

【0053】ウエハ定盤6は、ベースプレート10の上
方に、防振ユニット29を介してほぼ水平に支持されて
いる。防振ユニット29は、ウエハ定盤6の各コーナー
に配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットについては
図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント30とウエ
ハ定盤6に対して推力を付与するボイスコイルモータ
(推力付与装置)31とがベースプレート10上に並列
に配置された構成になっている。これら防振ユニット2
9によって、ベースプレート10を介してウエハ定盤6
に伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁されるように
なっている。なお、ウエハ定盤6のベースプレート10
(床)に対する相対位置は、位置センサ78で検出され
主制御系70に出力される(図6参照)。
The wafer surface plate 6 is supported substantially horizontally above the base plate 10 via an anti-vibration unit 29. The anti-vibration units 29 are arranged at each corner of the wafer base 6 (the anti-vibration units on the back side of the drawing are not shown), and the thrust is applied to the air mount 30 and the wafer base 6 whose internal pressure is adjustable. And a voice coil motor (thrust applying device) 31 for applying the force is arranged in parallel on the base plate 10. These anti-vibration units 2
9, the wafer surface plate 6 through the base plate 10.
Is insulated at the micro G level. The base plate 10 of the wafer surface plate 6
The position relative to (floor) is detected by the position sensor 78 and output to the main control system 70 (see FIG. 6).

【0054】このウエハ定盤6上には、複数(例えば3
つ、図1では1つのみ図示)の加速度計74が鏡筒定盤
25(投影光学系PL)との相対速度検出用の検出装
置、およびウエハ定盤6の振動特性を検出するための振
動検出装置として設けられている。加速度計74の計測
結果はウエハステージ5の駆動制御装置としての主制御
装置70に出力される(図6参照)。主制御装置70
は、加速度計74の出力に基づき防振ユニット29を駆
動することで投影光学系PLに対する振動を制御する
が、その詳細については後述する。
A plurality of (for example, 3
In FIG. 1, only one accelerometer 74 is used to detect a relative speed with respect to the lens barrel base 25 (projection optical system PL), and to detect vibration characteristics of the wafer base 6. It is provided as a detection device. The measurement result of the accelerometer 74 is output to a main controller 70 as a drive controller of the wafer stage 5 (see FIG. 6). Main controller 70
Controls the vibration of the projection optical system PL by driving the anti-vibration unit 29 based on the output of the accelerometer 74, the details of which will be described later.

【0055】図5に示すように、XガイドバーXGは、
X方向に沿った長尺形状を呈しており、その長さ方向両
端には電機子ユニットからなる可動子36,36がそれ
ぞれ設けられている。これらの可動子36,36に対応
する磁石ユニットを有する固定子37,37は、ベース
プレート10に突設された支持部32、32に設けられ
ている(図1参照、なお図1では可動子36および固定
子37を簡略して図示している)。そして、これら可動
子36および固定子37によってムービングコイル型の
リニアモータ33、33が構成されており、可動子36
が固定子37との間の電磁気的相互作用により駆動され
ることで、XガイドバーXGはY方向に移動するととも
に、リニアモータ33、33の駆動を調整することでθ
Z方向に回転移動する。すなわち、このリニアモータ3
3によってXガイドバーXGとほぼ一体的にウエハステ
ージ5(および試料台ST、以下単にウエハステージ5
と称する)がY方向およびθZ方向に駆動されるように
なっている。なお、ウエハステージ5は、Y方向の移動
にはガイド部材を有さないガイドレスステージとなって
いるが、ウエハステージ5のX方向の移動に関しても適
宜ガイドレスステージとすることができる。
As shown in FIG. 5, the X guide bar XG is
It has a long shape along the X direction, and movers 36, 36 each composed of an armature unit are provided at both ends in the length direction. The stators 37, 37 having magnet units corresponding to the movers 36, 36 are provided on support portions 32, 32 protruding from the base plate 10 (see FIG. 1, and in FIG. 1, the mover 36). And the stator 37 is shown in a simplified manner). The moving coil 36 and the stator 37 constitute moving coil linear motors 33, 33.
Is driven by electromagnetic interaction with the stator 37, the X guide bar XG moves in the Y direction, and the drive of the linear motors 33, 33 is adjusted so that θ
Rotate in the Z direction. That is, this linear motor 3
3, the wafer stage 5 (and the sample stage ST, hereinafter simply referred to as the wafer stage 5) almost integrally with the X guide bar XG.
) Are driven in the Y direction and the θZ direction. Although the wafer stage 5 is a guideless stage having no guide member for the movement in the Y direction, the guide stage can be appropriately formed for the movement of the wafer stage 5 in the X direction.

【0056】ウエハステージ5は、XガイドバーXGと
の間にZ方向に所定量のギャップを維持する磁石および
アクチュエータからなる磁気ガイドを介して、Xガイド
バーXGにX方向に相対移動自在に非接触で支持・保持
されている。また、ウエハステージ5は、Xガイドバー
XGに埋設された固定子35aを有するXリニアモータ
35による電磁気的相互作用によりX方向に駆動され
る。なお、Xリニアモータの可動子は図示していない
が、ウエハステージ5に取り付けられている。
The wafer stage 5 is non-movably movable in the X direction relative to the X guide bar XG via a magnetic guide including a magnet and an actuator that maintains a predetermined gap in the Z direction between the wafer stage 5 and the X guide bar XG. Supported and held in contact. Further, the wafer stage 5 is driven in the X direction by electromagnetic interaction by an X linear motor 35 having a stator 35a embedded in the X guide bar XG. The mover of the X linear motor is not shown, but is attached to the wafer stage 5.

【0057】ウエハステージ5の上面には、ウエハホル
ダ41を介してウエハWが真空吸着等によって固定され
る(図1参照、図5では図示略)。また、ウエハステー
ジ5のX方向の位置は、投影光学系PLの鏡筒下端に固
定された参照鏡42を基準として、ウエハステージ5の
一部に固定された移動鏡43の位置変化を計測するレー
ザ干渉計44によって所定の分解能、例えば0.5〜1
nm程度の分解能でリアルタイムに計測される。なお、
上記参照鏡42、移動鏡43、レーザ干渉計44とほぼ
直交するように配置された不図示の参照鏡、レーザ干渉
計および移動鏡48(図5参照)によってウエハステー
ジ5のY方向の位置が計測される。なお、これらレーザ
干渉計の中、少なくとも一方は、測長軸を2軸以上有す
る多軸干渉計であり、これらレーザ干渉計の計測値に基
づいてウエハステージ5(ひいてはウエハW)のXY位
置のみならず、θ回転量あるいはこれらに加え、レベリ
ング量をも求めることができるようになっている。
A wafer W is fixed on the upper surface of the wafer stage 5 via a wafer holder 41 by vacuum suction or the like (see FIG. 1, not shown in FIG. 5). Further, the position of wafer stage 5 in the X direction measures a change in position of movable mirror 43 fixed to a part of wafer stage 5 with reference to reference mirror 42 fixed to the lower end of the barrel of projection optical system PL. A predetermined resolution, for example, 0.5 to 1 by the laser interferometer 44
It is measured in real time with a resolution of about nm. In addition,
The position of the wafer stage 5 in the Y direction is set by a reference mirror, a laser interferometer, and a movable mirror 48 (see FIG. 5), which are arranged substantially perpendicular to the reference mirror 42, the movable mirror 43, and the laser interferometer 44. Measured. At least one of these laser interferometers is a multi-axis interferometer having two or more measurement axes. Based on the measurement values of these laser interferometers, only the XY position of the wafer stage 5 (and thus the wafer W) is determined. Instead, the θ rotation amount or the leveling amount can be obtained in addition to the θ rotation amount.

【0058】また、XガイドバーXGの−X方向側に
は、ボイスコイルモータで構成されたXトリムモータ
(反力伝達装置)34の可動子34aが取り付けられて
いる。Xトリムモータ34は、Xリニアモータ35の固
定子としてのXガイドバーXGとリアクションフレーム
8との間に介装され、その固定子34bはリアクション
フレーム8に設けられている。このため、ウエハステー
ジ5をX方向に駆動する際の反力は、Xトリムモータ3
4によりリアクションフレーム8に伝達され、さらにリ
アクションフレーム8を介してベースプレート10に伝
達される。
On the -X direction side of the X guide bar XG, a mover 34a of an X trim motor (reaction transmitting device) 34 constituted by a voice coil motor is mounted. The X trim motor 34 is interposed between the X guide bar XG as a stator of the X linear motor 35 and the reaction frame 8, and the stator 34 b is provided on the reaction frame 8. For this reason, the reaction force when driving the wafer stage 5 in the X direction is reduced by the X trim motor 3.
4 and transmitted to the reaction frame 8, and further transmitted to the base plate 10 via the reaction frame 8.

【0059】さらに、投影光学系PLのフランジ23に
は、異なる3カ所に3つのレーザ干渉計45が、ウエハ
定盤6とのZ方向の相対位置を検出するための検出装置
として固定されている(ただし、図1においてはこれら
のレーザ干渉計のうち1つが代表的に示されている)。
各レーザ干渉計45に対向する鏡筒定盤25の部分に
は、開口25aがそれぞれ形成されており、これらの開
口25aを介して各レーザ干渉計45からZ方向のレー
ザビーム(測長ビーム)がウエハ定盤6に向けて照射さ
れる。ウエハ定盤6の上面の各測長ビームの対向位置に
は、反射面がそれぞれ形成されている。このため、上記
3つのレーザ干渉計45によってウエハ定盤6の異なる
3点のZ位置がフランジ23を基準としてそれぞれ計測
される(ただし、図1においては、ウエハステージ5上
のウエハWの中央のショット領域が投影光学系PLの光
軸の直下にある状態が示されているため、測長ビームが
ウエハステージ5で遮られた状態になっている)。な
お、ウエハステージ5の上面に反射面を形成して、この
反射面上の異なる3点のZ方向位置を投影光学系PLま
たはフランジ23を基準として計測する干渉計を設けて
もよい。
Further, on the flange 23 of the projection optical system PL, three laser interferometers 45 are fixed at three different places as detection devices for detecting the relative position of the wafer surface plate 6 in the Z direction. (However, one of these laser interferometers is typically shown in FIG. 1).
Openings 25a are respectively formed in portions of the lens barrel base 25 facing each of the laser interferometers 45, and a laser beam (length measuring beam) in the Z direction is transmitted from each of the laser interferometers 45 through these openings 25a. Is irradiated toward the wafer surface plate 6. A reflection surface is formed on the upper surface of the wafer surface plate 6 at a position facing each measurement beam. Therefore, the three laser interferometers 45 measure three different Z positions of the wafer surface plate 6 with reference to the flange 23 (however, in FIG. 1, the center of the wafer W on the wafer stage 5 is located at the center). Since the shot area is shown immediately below the optical axis of the projection optical system PL, the measurement beam is blocked by the wafer stage 5). Note that an interferometer that forms a reflection surface on the upper surface of the wafer stage 5 and measures three different Z-direction positions on the reflection surface with reference to the projection optical system PL or the flange 23 may be provided.

【0060】また、上述したように、レチクル定盤3、
鏡筒定盤25、ウエハ定盤6には、それぞれ各定盤のZ
方向の振動を計測する3つの加速度計75、73、74
が振動センサ群として取り付けられているが、さらに、
各定盤にはXY面内方向の振動を計測する3つの振動セ
ンサ(例えば加速度計;不図示)がそれぞれ取り付けら
れている。これらの振動センサのうち2つは、各定盤の
Y方向の振動を計測し、残りの振動センサはX方向の振
動を計測するものである(以下、便宜上これらの振動セ
ンサを振動センサ群77と称する;図6参照)。そし
て、これらの加速度計73〜75、振動センサ群77の
計測値に基づいて、主制御装置70がレチクル定盤3、
ウエハ定盤6、鏡筒定盤25の6自由度(X、Y、Z、
θX、θY、θZ)の振動をそれぞれ求めることができ
る構成になっている。
As described above, the reticle surface plate 3,
The lens barrel base 25 and the wafer base 6 each have a Z of each base.
Three accelerometers 75, 73, 74 for measuring vibration in the direction
Are installed as a group of vibration sensors,
Each surface plate is provided with three vibration sensors (for example, an accelerometer; not shown) for measuring vibrations in the XY plane. Two of these vibration sensors measure the vibration of each surface plate in the Y direction, and the remaining vibration sensors measure the vibration in the X direction (hereinafter, these vibration sensors are referred to as a vibration sensor group 77 for convenience). ; See FIG. 6). Then, based on the measurement values of these accelerometers 73 to 75 and vibration sensor group 77, main controller 70 controls reticle surface plate 3,
Six degrees of freedom of the wafer surface plate 6 and the lens barrel surface plate 25 (X, Y, Z,
θX, θY, θZ).

【0061】図6に露光装置1の制御系を示す。この図
に示すように、位置センサ、加速度計、振動センサ群、
レーザ干渉計の各種計測装置の計測結果は主制御装置7
0に出力される。そして、主制御装置70は、これら計
測装置の計測結果に基づいて各種演算処理を行い、その
結果に基づきレチクル駆動用リニアモータ、ウエハ駆動
用リニアモータ、ウエハ駆動用トリムモータ、可動レチ
クルブラインド駆動用アクチュエータ、防振ユニット等
を統括的に制御する。また、主制御装置70には、ウエ
ハ定盤6の振動パターン(振動特性)をマップとして記
憶する記憶装置76が付設されている。
FIG. 6 shows a control system of the exposure apparatus 1. As shown in this figure, a position sensor, an accelerometer, a vibration sensor group,
The measurement results of various measuring devices of the laser interferometer are stored in the main controller 7
Output to 0. The main controller 70 performs various arithmetic processing based on the measurement results of these measuring devices, and based on the results, a reticle driving linear motor, a wafer driving linear motor, a wafer driving trim motor, a movable reticle blind driving It controls actuators, vibration isolation units, etc. In addition, the main controller 70 is provided with a storage device 76 for storing the vibration pattern (vibration characteristics) of the wafer surface plate 6 as a map.

【0062】次に、上記のように構成されたステージ装
置および露光装置による露光処理の動作について説明す
る。まず、露光処理に先立って、ウエハステージ5の位
置に応じたウエハ定盤6の振動特性を求めるとともに、
ウエハステージ5の位置に応じたステージ装置7の重心
位置と慣性主軸とを求める。ウエハ定盤6の振動特性を
求めるには、ウエハステージ5を例えばウエハ定盤6上
の−X側端部近傍、中央部近傍、+X側端部近傍(それ
ぞれ図1中、右側、中央、左側)に位置させる。そし
て、その位置でウエハステージ5を移動させ、この移動
に伴う振動を加速度計74および振動センサ群77によ
り検出して記憶装置76に記憶する。
Next, the operation of the exposure processing performed by the stage apparatus and the exposure apparatus configured as described above will be described. First, prior to the exposure processing, vibration characteristics of the wafer surface plate 6 according to the position of the wafer stage 5 are determined, and
The position of the center of gravity of the stage device 7 corresponding to the position of the wafer stage 5 and the principal axis of inertia are determined. In order to obtain the vibration characteristics of the wafer surface plate 6, the wafer stage 5 is moved, for example, near the -X side end portion, near the center portion, and near the + X side end portion on the wafer surface plate 6 (in FIG. 1, right side, center, left side, respectively). ). Then, the wafer stage 5 is moved at that position, and the vibration accompanying this movement is detected by the accelerometer 74 and the vibration sensor group 77 and stored in the storage device 76.

【0063】このときに検出される回転方向成分の加速
度出力を図7に示す。図7(a)はウエハ定盤6の−X
側で検出された加速度出力であり、(b)は中央部で検
出された加速度出力であり、(c)は+X側で検出され
た加速度出力である。主制御装置70は、得られた加速
度の出力パターンを相殺(減衰)する加速度出力パター
ン(推力パターン)のマップと、ウエハステージ5の位
置に応じた補正係数とを設定し記憶装置76に記憶す
る。なお、マップ設定の際のウエハステージ5の移動パ
ターンは実露光時に行われる行程と同一で実行する。
FIG. 7 shows the acceleration output of the rotational direction component detected at this time. FIG. 7A shows the −X of the wafer surface plate 6.
(B) is the acceleration output detected at the center, and (c) is the acceleration output detected at the + X side. Main controller 70 sets a map of an acceleration output pattern (thrust pattern) that cancels (attenuates) the obtained acceleration output pattern and a correction coefficient corresponding to the position of wafer stage 5 and stores them in storage device 76. . The movement pattern of the wafer stage 5 when setting the map is the same as the process performed during actual exposure.

【0064】また、ステージ装置7における重心位置と
慣性主軸とを求めるには、ウエハステージ5を前述の−
X側端部近傍、中央部近傍、+X側端部近傍のそれぞれ
の位置で停止させるとともに、例えば主制御部70が防
振ユニット29のボイスコイルモータ31を駆動してウ
エハ定盤6にインパルス波形のダミー振動を与える。こ
の振動を振動センサ群77と加速度計74とが検出した
結果に基づいて、主制御装置70が所定の演算シーケン
スを実行することで、ウエハステージ5の位置に応じた
ステージ装置7の慣性系における重心位置と慣性主軸と
を求めて同定することができる。そして、上記の同定処
理により、この重心位置Pと慣性主軸ζ、η、ξとを求
めることができる。なお、ウエハ定盤6に対する加振
は、ボイスコイルモータの駆動ではなく、ウエハステー
ジ5の駆動で行ってもよい。また、ウエハステージ5の
測定個所は前述の3箇所だけではなく任意の位置で求め
ることができる。
To determine the position of the center of gravity and the principal axis of inertia in the stage device 7, the wafer stage 5 must be
Stop at the respective positions near the X-side end, near the center, and near the + X-side end. For example, the main control unit 70 drives the voice coil motor 31 of the vibration isolation unit 29 to generate an impulse waveform on the wafer surface plate 6. Gives a dummy vibration. Main controller 70 executes a predetermined calculation sequence based on the result of detection of this vibration by vibration sensor group 77 and accelerometer 74, whereby the inertial system of stage device 7 according to the position of wafer stage 5 The position of the center of gravity and the principal axis of inertia can be determined and identified. Then, by the above-described identification processing, the position of the center of gravity P and the principal axes of inertia ζ, η, and ξ can be obtained. The vibration on the wafer surface plate 6 may be performed by driving the wafer stage 5 instead of driving the voice coil motor. In addition, the measurement positions of the wafer stage 5 can be obtained at any positions other than the above three positions.

【0065】このように、推力マップ、重心位置、およ
び慣性系の慣性主軸を求めた後に、露光処理を実施す
る。ここでは、予め、ウエハW上のショット領域を適正
露光量(目標露光量)で走査露光するための各種の露光
条件が設定されているものとする。そして、いずれも不
図示のレチクル顕微鏡およびオフアクシス・アライメン
トセンサ等を用いたレチクルアライメント、ベースライ
ン計測等の準備作業が行われ、その後アライメントセン
サを用いたウエハWのファインアライメント(EGA;
エンハンスト・グローバル・アライメント等)が終了
し、ウエハW上の複数のショット領域の配列座標が求め
られる。
After obtaining the thrust map, the position of the center of gravity, and the principal axis of inertia of the inertial system, the exposure processing is performed. Here, it is assumed that various exposure conditions for scanning and exposing a shot area on the wafer W with an appropriate exposure amount (target exposure amount) are set in advance. Preparatory operations such as reticle alignment and baseline measurement using a reticle microscope and an off-axis alignment sensor (not shown) are performed, and then fine alignment (EGA;
(Enhanced global alignment, etc.) is completed, and the arrangement coordinates of a plurality of shot areas on the wafer W are obtained.

【0066】このようにして、ウエハWの露光のための
準備動作が完了すると、アライメント結果に基づいてレ
ーザ干渉計44の計測値をモニタしつつ、リニアモータ
33、35を制御してウエハWの第1ショットの露光の
ための走査開始位置にウエハステージ5を移動する。そ
して、リニアモータ15、33を介してレチクルステー
ジ2とウエハステージ5とのY方向の走査を開始し、両
ステージ2、5がそれぞれの目標走査速度に達すると、
可動レチクルブラインド62で設定された照明光学系I
Uからの露光用照明光により、レチクルR上の所定の矩
形状の照明領域が均一な照度で照明される。この照明領
域に対してレチクルRがY方向に走査されるのに同期し
て、この照明領域と投影光学系PLに関して共役な露光
領域に対してウエハWを走査する。
When the preparation operation for exposure of the wafer W is completed as described above, the linear motors 33 and 35 are controlled to monitor the measurement value of the laser interferometer 44 on the basis of the alignment result, thereby controlling the wafer W. The wafer stage 5 is moved to a scanning start position for the exposure of the first shot. Then, the reticle stage 2 and the wafer stage 5 start scanning in the Y direction via the linear motors 15 and 33, and when both stages 2 and 5 reach their respective target scanning speeds,
Illumination optical system I set by movable reticle blind 62
A predetermined rectangular illumination area on the reticle R is illuminated with uniform illuminance by the exposure illumination light from U. In synchronization with the reticle R being scanned in the Y direction with respect to this illumination area, the wafer W is scanned with respect to an exposure area conjugate with respect to this illumination area and the projection optical system PL.

【0067】ここで、可動レチクルブラインド62にお
いては、可動ブレードを移動させることで、露光前等の
露光を実施しないときに照明光を遮光し、両ステージ
2、5、すなわちレチクルRおよびウエハWが露光位置
へそれぞれ到達して露光を実施するときに開口を形成し
所定の照明領域を設定する。これにより、光源LSから
照射された照明光は可動ブレードの開口で設定された矩
形状の領域でレチクルRを照明する。
Here, in the movable reticle blind 62, the movable blade is moved to block the illumination light when exposure is not performed, such as before exposure, so that both the stages 2, 5, ie, the reticle R and the wafer W are moved. When the exposure is performed after reaching the exposure position, an opening is formed and a predetermined illumination area is set. As a result, the illumination light emitted from the light source LS illuminates the reticle R in a rectangular area set by the opening of the movable blade.

【0068】そして、レチクルRのパターン領域を透過
した照明光が投影光学系PLにより1/4倍に縮小さ
れ、レジストが塗布されたウエハW上に照射される。そ
して、ウエハW上の露光領域には、レチクルRのパター
ンが逐次転写され、1回の走査でレチクルR上のパター
ン領域の全面がウエハW上のショット領域に転写され
る。この走査露光時には、レチクルステージ2のY方向
の移動速度と、ウエハステージ5のY方向の移動速度と
が投影光学系PLの投影倍率(1/5倍あるいは1/4
倍)に応じた速度比に維持されるように、リニアモータ
15、33を介してレチクルステージ2およびウエハス
テージ5を同期制御する。
Then, the illumination light transmitted through the pattern area of the reticle R is reduced by a factor of 4 by the projection optical system PL, and is irradiated onto the resist-coated wafer W. Then, the pattern of the reticle R is sequentially transferred to the exposure area on the wafer W, and the entire pattern area on the reticle R is transferred to the shot area on the wafer W by one scan. During this scanning exposure, the moving speed of the reticle stage 2 in the Y direction and the moving speed of the wafer stage 5 in the Y direction are determined by the projection magnification (1/5 or 1/4) of the projection optical system PL.
The reticle stage 2 and the wafer stage 5 are synchronously controlled via the linear motors 15 and 33 so as to maintain the speed ratio according to (times).

【0069】レチクルステージ2の走査方向の加減速時
の反力は、固定子20の移動により吸収され、ステージ
装置4における重心の位置がY方向において実質的に固
定される。また、レチクルステージ2と固定子20とレ
チクル定盤3との3者間の摩擦が零でなかったり、レチ
クルステージ2と固定子20との移動方向が僅かに異な
る等の理由で、レチクル定盤3の6自由度方向の微少な
振動が残留した場合にも、振動センサ群77や加速度計
75の計測値に基づいて上記残留振動を除去すべく、エ
アマウント12およびボイスコイルモータ13をフィー
ドバック制御する。
The reaction force at the time of acceleration / deceleration of the reticle stage 2 in the scanning direction is absorbed by the movement of the stator 20, and the position of the center of gravity of the stage device 4 is substantially fixed in the Y direction. Further, the reticle surface plate is not used because the friction between the reticle stage 2, the stator 20, and the reticle surface plate 3 is not zero or the moving direction between the reticle stage 2 and the stator 20 is slightly different. Even when a minute vibration in the direction of 3-6 degrees of freedom remains, feedback control of the air mount 12 and the voice coil motor 13 is performed based on the measurement values of the vibration sensor group 77 and the accelerometer 75 so as to eliminate the residual vibration. I do.

【0070】また、鏡筒定盤25においては、レチクル
ステージ2、ウエハステージ5の移動による微振動が発
生しても、主制御装置70が鏡筒定盤25に設けられた
振動センサ群77や加速度計73の計測値に基づいて6
自由度方向の振動を求め、エアマウント26およびボイ
スコイルモータ27をフィードバック制御することによ
りこの微振動をキャンセルして、鏡筒定盤25を定常的
に安定した位置に維持することができる。
In the lens barrel base 25, even if a slight vibration occurs due to the movement of the reticle stage 2 and the wafer stage 5, the main controller 70 controls the vibration sensor group 77 provided on the lens barrel base 25, 6 based on the measurement value of the accelerometer 73
By obtaining the vibration in the direction of the degree of freedom and performing feedback control of the air mount 26 and the voice coil motor 27, this minute vibration can be canceled, and the lens barrel base 25 can be constantly maintained at a stable position.

【0071】同様に、ステージ装置7では、主制御装置
70がレーザ干渉計44等の計測値に基づいて、ウエハ
ステージ5の移動に伴う重心の変化による影響をキャン
セルするカウンターフォースを防振ユニット29に対し
てフィードフォワードで与え、この力を発生するように
エアマウント30およびボイスコイルモータ31を駆動
する。また、ウエハステージ5とウエハ定盤6との摩擦
が零でない等の理由で、ウエハ定盤6の6自由度方向の
微少な振動が残留した場合にも、振動センサ群77や加
速度計74の計測値に基づいて上記残留振動を除去すべ
く、エアマウント30およびボイスコイルモータ31を
フィードバック制御する。このボイスコイルモータ31
の駆動に関して主制御装置70は、予め検出したウエハ
ステージ5の位置に応じた重心位置および慣性系の慣性
主軸の座標系における推力に変換してボイスコイルモー
タ31を駆動する。これにより、ウエハ定盤6に対して
は設計値ではなく、真の慣性主軸の座標系における適切
な推力が付与され、より正確で効果的な制振を実施でき
る。
Similarly, in the stage device 7, the main controller 70 controls the anti-vibration unit 29 based on the measurement value of the laser interferometer 44 or the like to cancel the influence of the change in the center of gravity due to the movement of the wafer stage 5. , And the air mount 30 and the voice coil motor 31 are driven so as to generate this force. Further, even when a slight vibration of the wafer base 6 in the direction of six degrees of freedom remains due to the fact that the friction between the wafer stage 5 and the wafer base 6 is not zero, the vibration sensor group 77 and the accelerometer 74 Based on the measured value, the air mount 30 and the voice coil motor 31 are feedback-controlled to eliminate the residual vibration. This voice coil motor 31
The main controller 70 drives the voice coil motor 31 by converting the center of gravity corresponding to the position of the wafer stage 5 detected in advance and the thrust in the coordinate system of the inertia main axis of the inertia system. As a result, an appropriate thrust in the coordinate system of the true inertia main axis is applied to the wafer surface plate 6 instead of the design value, and more accurate and effective vibration suppression can be performed.

【0072】さらに、ボイスコイルモータ31の駆動に
際して主制御装置70は、記憶装置76に記憶されてい
る加速度出力パターンのマップに対して、ウエハ定盤6
におけるウエハステージ6の位置に応じて補正係数で補
正し、この補正したマップに基づいてボイスコイルモー
タ31を駆動する。また、ボイスコイルモータ31を駆
動してもさらに残留振動が存在する場合は、この残留振
動を減衰させるように補正係数を設定してマップに基づ
いた推力をボイスコイルモータ31を駆動させる。この
ときの制御ループを図9に示す。このように、予め検出
したマップと補正係数とを用いて、ステージ装置7にお
けるボイスコイルモータ31の推力をフィードフォワー
ドで推力指令値として出力しているので、残留振動を短
時間で効果的に減衰できる。
Further, when driving voice coil motor 31, main controller 70 compares wafer output table 6 with the map of the acceleration output pattern stored in storage device 76.
Is corrected by a correction coefficient in accordance with the position of the wafer stage 6 in the step (1), and the voice coil motor 31 is driven based on the corrected map. If there is still residual vibration even after driving the voice coil motor 31, a correction coefficient is set so as to attenuate the residual vibration, and the thrust based on the map is driven to drive the voice coil motor 31. FIG. 9 shows a control loop at this time. As described above, since the thrust of the voice coil motor 31 in the stage device 7 is output as a thrust command value in a feedforward manner using the map and the correction coefficient detected in advance, the residual vibration is effectively attenuated in a short time. it can.

【0073】なお、加速度出力パターンのマップは、必
ずしも露光処理前に作成する必要はなく、実機における
ウエハステージ5の駆動に基づいて作成されるのであれ
ば、プロセス処理中に作成して、随時更新するような構
成としてもよい。例えば、露光処理中に、図7(a)に
おいて二点鎖線で示す加速度出力が得られた場合は、出
力差εを用いてマップを修正すればよい。また、ステー
ジ装置7(ウエハ定盤6)に関して、マップを用いた推
力調整について説明したが、レチクル定盤3や鏡筒定盤
25に対しても、予めマップを作成し、マップと補正係
数とを用いてレチクルステージ2やウエハステージ5の
位置に応じてボイスコイルモータの推力を調整すること
ができる。
The map of the acceleration output pattern does not necessarily need to be created before the exposure processing. If the map is created based on the driving of the wafer stage 5 in the actual machine, the map is created during the processing and updated at any time. May be configured. For example, when an acceleration output indicated by a two-dot chain line in FIG. 7A is obtained during the exposure processing, the map may be corrected using the output difference ε. In addition, thrust adjustment using a map has been described for the stage device 7 (wafer surface plate 6), but a map is created in advance for the reticle surface plate 3 and the lens barrel surface plate 25, and the map, the correction coefficient, , The thrust of the voice coil motor can be adjusted according to the position of the reticle stage 2 or the wafer stage 5.

【0074】さらに、ステージ移動に伴う振動制御およ
び露光処理制御について詳述する。上記レチクルステー
ジ2およびウエハステージ5の移動によりリアクション
フレーム8に振動が発生する可能性がある。特に、ウエ
ハステージ5のX方向の移動に伴う反力は、Xトリムモ
ータ34を介してリアクションフレーム8に伝達される
ため、リアクションフレーム8の残留振動により支持コ
ラム9を介して第2照明光学系IU2が第1照明光学系
IU1に対して振動(相対移動)する可能性がある。ま
た、レチクルRへの照明領域設定のために可動レチクル
ブラインド62がアクチュエータ63を介して駆動され
ると、この駆動に伴い発生した振動により、第1照明光
学系IU1が第2照明光学系IU2に対して振動(相対
移動)する可能性がある。
Further, the vibration control and the exposure processing control accompanying the stage movement will be described in detail. The movement of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 may cause the reaction frame 8 to vibrate. In particular, since the reaction force accompanying the movement of the wafer stage 5 in the X direction is transmitted to the reaction frame 8 via the X trim motor 34, the residual illumination of the reaction frame 8 causes the second illumination optical system via the support column 9. There is a possibility that the IU2 vibrates (relatively moves) with respect to the first illumination optical system IU1. When the movable reticle blind 62 is driven via the actuator 63 for setting an illumination area on the reticle R, the first illumination optical system IU1 is transmitted to the second illumination optical system IU2 due to the vibration generated by the driving. Vibration (relative movement) may occur.

【0075】このとき、主制御装置70は、位置センサ
66が検出した可動レチクルブラインド62と第2照明
光学系IU2との相対距離に応じて、アクチュエータ6
3を介して可動ブレードをX方向およびY方向のそれぞ
れに関して移動させる。これにより、第1照明光学系I
U1と第2照明光学系IU2とが相対移動するような振
動が発生した場合でも、可動レチクルブラインド62と
第2照明光学系IU2との相対位置関係、すなわちレチ
クルRに対する照明領域が変動することなく所定位置に
維持される。なお、可動レチクルブラインド62をZ方
向に移動させるアクチュエータを設け、Z方向に関する
相対位置関係を補正するようにしてもよい。
At this time, main controller 70 controls actuator 6 according to the relative distance between movable reticle blind 62 detected by position sensor 66 and second illumination optical system IU2.
The movable blade is moved in each of the X direction and the Y direction via 3. Thereby, the first illumination optical system I
Even when vibration occurs such that the U1 and the second illumination optical system IU2 move relatively, the relative positional relationship between the movable reticle blind 62 and the second illumination optical system IU2, that is, the illumination area for the reticle R does not change. It is kept in place. Note that an actuator for moving the movable reticle blind 62 in the Z direction may be provided to correct the relative positional relationship in the Z direction.

【0076】また、投影光学系PLの微振動等により、
光学系69が投影光学系PL(の光軸)に対して傾く
(チルト)場合がある。この場合、レチクルRを透過し
た露光光は、光学系69を透過することにより、光学系
69の傾きに応じて投影光学系PLの光軸に対して傾い
た平行光束で入射する。この結果、レチクルRのパター
ン像は、ウエハW上で所定位置からシフトした位置で結
像することになる。そのため、主制御装置70は、加速
度計72が計測した光学系69と投影光学系PLとの相
対的な傾きから、ウエハW上に結像するパターンのシフ
ト量を算出し、このシフト量を補正するようにレチクル
ステージ2を駆動する。具体的には、レチクルステージ
2に対する駆動量に対して、シフト量に対応するオフセ
ット値を持たせる。これにより、ウエハW上に結像する
パターン像位置が所定位置に補正される。なお、光学系
69と投影光学系PLとの相対位置関係を計測する手段
としては加速度計の他に、レーザ干渉計等、相対距離を
計測する計測装置を用いてもよい。また、ウエハW上に
結像するパターンのシフト量を補正するためには、レチ
クルステージ2の駆動量にオフセット値を持たせる他
に、ウエハステージ5の駆動量にシフト量に対応するオ
フセット値を持たせてもよい。
Also, due to the slight vibration of the projection optical system PL, etc.
The optical system 69 may be tilted with respect to (the optical axis of) the projection optical system PL. In this case, the exposure light transmitted through the reticle R is transmitted through the optical system 69, and is incident as a parallel light beam inclined with respect to the optical axis of the projection optical system PL according to the inclination of the optical system 69. As a result, the pattern image of the reticle R is formed on the wafer W at a position shifted from a predetermined position. Therefore, main controller 70 calculates the shift amount of the pattern formed on wafer W from the relative inclination between optical system 69 and projection optical system PL measured by accelerometer 72, and corrects this shift amount. Reticle stage 2 is driven. Specifically, an offset value corresponding to the shift amount is given to the drive amount for reticle stage 2. Thereby, the position of the pattern image formed on the wafer W is corrected to the predetermined position. As a means for measuring the relative positional relationship between the optical system 69 and the projection optical system PL, a measuring device for measuring a relative distance, such as a laser interferometer, may be used in addition to the accelerometer. In addition, in order to correct the shift amount of the pattern formed on the wafer W, the drive amount of the reticle stage 2 has an offset value in addition to the drive amount of the reticle stage 2 and the offset value corresponding to the shift amount. You may have it.

【0077】また、上記走査露光に関しては鏡筒定盤2
5とウエハ定盤6とを、すなわち投影光学系PLとウエ
ハWとを速度制御系により追従させている。この制御ル
ープを図10に示す。この図において符号S1は投影光
学系PL(すなわち鏡筒定盤25、防振ユニット24)
に関する制御ループ(制御系)であり、符号S2はウエ
ハW(すなわちウエハ定盤6、防振ユニット29)に関
する制御ループ(制御系)である。また、制御系S1に
おける二点鎖線は、鏡筒定盤25、防振ユニット24を
示すプラント部であり、制御系S2における二点鎖線
は、ウエハ定盤6、防振ユニット29を示すプラント部
である。
Further, regarding the above scanning exposure, the lens barrel surface plate 2
5 and the wafer surface plate 6, that is, the projection optical system PL and the wafer W are made to follow by the speed control system. This control loop is shown in FIG. In this figure, reference numeral S1 denotes a projection optical system PL (that is, a lens barrel base 25 and an anti-vibration unit 24).
Reference numeral S2 denotes a control loop (control system) related to the wafer W (that is, the wafer surface plate 6, the anti-vibration unit 29). The two-dot chain line in the control system S1 is a plant part showing the lens barrel base 25 and the vibration isolation unit 24, and the two-dot chain line in the control system S2 is a plant part showing the wafer surface plate 6 and the vibration isolation unit 29. It is.

【0078】この図に示すように、制御系S1は、加速
度計73の検出した加速度を積分(演算処理)して得ら
れる速度による速度サーボを形成する速度制御ループS
R1をマイナーループとし、位置センサ78の計測結果
に基づいて速度制御ループSR1を制御する位置制御ル
ープPR1をメインループとするカスケード型の制御系
で構成されている。同様に、制御系S2は、加速度計7
4の検出した加速度を積分して得られる速度による速度
サーボを形成する速度制御ループSR2をマイナールー
プとし、レーザ干渉計45の計測結果に基づいて速度制
御ループSR2を制御する位置制御ループPR2をメイ
ンループとするカスケード型の制御系で構成されてい
る。なお、上記速度制御ループでは主に10〜20Hz
の高周波領域の振動を制振し、位置制御ループでは例え
ば0.1Hz程度の低周波領域の振動を制振している。
As shown in this figure, the control system S1 includes a speed control loop S for forming a speed servo based on a speed obtained by integrating (calculating) the acceleration detected by the accelerometer 73.
A cascaded control system is provided in which R1 is a minor loop, and a position control loop PR1 that controls the speed control loop SR1 based on the measurement result of the position sensor 78 is a main loop. Similarly, the control system S2 includes the accelerometer 7
A speed control loop SR2 for forming a speed servo based on a speed obtained by integrating the acceleration detected in step 4 is a minor loop, and a position control loop PR2 for controlling the speed control loop SR2 based on the measurement result of the laser interferometer 45 is a main loop. It is composed of a cascade control system that forms a loop. In the speed control loop, mainly 10 to 20 Hz
In the position control loop, vibration in a low frequency region of, for example, about 0.1 Hz is suppressed.

【0079】そして、本実施の形態では、制御系S1内
の速度制御ループSR1における加速度を制御系S2内
の速度制御ループSR2に出力している。制御系S2で
は、ウエハ定盤6の加速度と鏡筒定盤25の加速度との
差、すなわち相対加速度を積分して得られる相対速度に
よる速度サーボを行う。これにより、ウエハ定盤6は鏡
筒定盤25に対して速度制御の下で追従駆動される。換
言すると、ウエハWが投影光学系PLに対して追従する
ように同期駆動される。
In this embodiment, the acceleration in the speed control loop SR1 in the control system S1 is output to the speed control loop SR2 in the control system S2. In the control system S2, speed servo is performed based on the difference between the acceleration of the wafer surface plate 6 and the acceleration of the lens barrel surface plate 25, that is, the relative speed obtained by integrating the relative acceleration. As a result, the wafer surface plate 6 is driven to follow the lens barrel surface plate 25 under speed control. In other words, the wafer W is driven synchronously so as to follow the projection optical system PL.

【0080】なお、投影光学系PLとウエハWとの相対
速度を検出する方法としては、加速度計73、74を用
いることなく、投影光学系PLとウエハ定盤6との相対
距離を検出するレーザ干渉計45の検出結果を微分(演
算処理)しても求めることができる。このときの制御ル
ープを図11に示す。この図に示すように、制御系S2
では、レーザ干渉計45の検出した相対距離を微分する
ことで求めた相対速度により速度制御を実施できる。
As a method for detecting the relative speed between the projection optical system PL and the wafer W, a laser for detecting the relative distance between the projection optical system PL and the wafer base 6 without using the accelerometers 73 and 74 is used. It can also be obtained by differentiating (calculating) the detection result of the interferometer 45. FIG. 11 shows a control loop at this time. As shown in this figure, the control system S2
In, the speed control can be performed based on the relative speed obtained by differentiating the relative distance detected by the laser interferometer 45.

【0081】以上説明したように、本実施の形態のステ
ージ装置および露光装置では、鏡筒定盤25に加わる加
速度とウエハ定盤6に加わる加速度、すなわち投影光学
系PLに加わる加速度とウエハWに加わる加速度とに基
づいて検出したこれらの相対速度による速度制御を行
い、光軸方向においてウエハWを投影光学系PLに追従
させているので、何らかの理由で投影光学系PLが振動
した場合でも投影光学系PLとウエハWとを光軸方向で
同期させることができ、これらの相対位置関係を維持す
ることができる。そのため、レチクルR上のパターンを
ウエハW上に露光形成する場合でも、常に投影光学系P
Lの焦点位置をウエハWの所定位置(レジスト塗布面)
に維持することができ、像ボケ等の発生を防止して露光
精度の向上を図ることができる。なお、この相対速度と
しては、レーザ干渉系45の計測結果により求めた投影
光学系PLとウエハ定盤6との相対距離を微分処理して
得た場合でも同様の効果を得ることができる。
As described above, in the stage apparatus and the exposure apparatus of the present embodiment, the acceleration applied to the barrel base 25 and the acceleration applied to the wafer base 6, that is, the acceleration applied to the projection optical system PL and the acceleration applied to the wafer W Speed control is performed based on the relative speeds detected based on the applied acceleration and the wafer W is made to follow the projection optical system PL in the optical axis direction. Therefore, even when the projection optical system PL vibrates for some reason, the projection optical system The system PL and the wafer W can be synchronized in the optical axis direction, and their relative positional relationship can be maintained. Therefore, even when the pattern on the reticle R is formed on the wafer W by exposure, the projection optical system P
The focal position of L is set to a predetermined position of wafer W (resist coated surface)
, And it is possible to prevent the occurrence of image blur or the like, thereby improving the exposure accuracy. The same effect can be obtained when the relative speed is obtained by differentiating the relative distance between the projection optical system PL and the wafer surface plate 6 obtained from the measurement result of the laser interference system 45.

【0082】また、本実施形態のステージ装置の制振方
法では、ウエハ定盤6が加振された際の重心位置および
慣性主軸を求め、この重心位置および慣性主軸に基づい
て定盤に付与する推力を補正しているので、真の慣性系
に応じた適切な推力を付与することができ、正確で効果
的な制振(短時間の振動減衰)を実施できる。また、シ
ミュレーションにより装置の重心位置および慣性主軸を
求めて振動制御を行っても上記と同様に正確な制振を実
施できるが、特に、本実施の形態では設計値による計算
ではなく、実機においてウエハ定盤6に振動を与えるこ
とで重心位置および慣性主軸を求めているので、より正
確な制振が可能になる。
In the vibration damping method of the stage device according to the present embodiment, the position of the center of gravity and the principal axis of inertia when the wafer surface plate 6 is vibrated are obtained, and are applied to the surface plate based on the position of the center of gravity and the principal axis of inertia. Since the thrust is corrected, an appropriate thrust according to the true inertial system can be given, and accurate and effective vibration suppression (short-time vibration damping) can be performed. In addition, even if vibration control is performed by obtaining the position of the center of gravity of the apparatus and the principal axis of inertia by simulation, accurate vibration suppression can be performed in the same manner as described above. Since the position of the center of gravity and the main axis of inertia are determined by applying vibration to the surface plate 6, more accurate vibration suppression is possible.

【0083】本実施の形態においては、ウエハ定盤6に
対するウエハステージ5の位置に応じて重心位置と慣性
主軸とをそれぞれ検出しているので、ウエハステージ5
がスキャン動作またはステップ動作で移動した際にも、
ウエハ定盤6に付与する推力をその都度正確な重心位置
および慣性主軸の座標系に変換して求めることができ、
より正確で効果的な制振を実施することができる。ま
た、ウエハ定盤6に対して推力を付与する方向として
は、Z方向に沿う方向の他に、重心位置に向かう方向で
あってもよい。この場合、推力付与に際して回転モーメ
ントが発生しないので、より安定した短時間での制振が
可能になる。
In the present embodiment, the position of the center of gravity and the principal axis of inertia are detected in accordance with the position of wafer stage 5 with respect to wafer surface plate 6, respectively.
Is moved by scanning or stepping,
The thrust to be applied to the wafer surface plate 6 can be obtained by converting the thrust applied to the wafer center plate 6 into a coordinate system of an accurate center of gravity and a principal axis of inertia.
More accurate and effective vibration suppression can be performed. The direction in which the thrust is applied to the wafer surface plate 6 may be a direction toward the center of gravity, in addition to the direction along the Z direction. In this case, since no rotational moment is generated when the thrust is applied, more stable vibration suppression can be performed in a short time.

【0084】さらに、本実施の形態では、ウエハ定盤6
の振動特性を予めマップとして記憶しておき、このマッ
プとウエハステージ5の位置に応じた補正係数とを用い
て、ステージ装置7におけるボイスコイルモータ31の
推力をフィードフォワードで推力指令値として出力して
いるので、残留振動を効果的に減衰させることができ、
整定までに要する時間を短くすることができる。しか
も、このマップは、実機においてウエハステージ5を駆
動して求めているので、計算や実験で求めた場合のよう
に補正項を考慮する必要がなく、実機に即したより正確
な振動特性を記憶することができる。
Further, in this embodiment, the wafer surface plate 6
Is stored in advance as a map, and the thrust of the voice coil motor 31 in the stage device 7 is output as a thrust command value by feedforward using the map and a correction coefficient corresponding to the position of the wafer stage 5. So that the residual vibration can be effectively attenuated,
The time required for settling can be shortened. Moreover, since this map is obtained by driving the wafer stage 5 in the actual machine, there is no need to consider a correction term as in the case of calculation or experiment, and a more accurate vibration characteristic according to the actual machine is stored. can do.

【0085】また、本実施の形態では、可動レチクルブ
ラインド62をリアクションフレーム8と振動的に独立
して配置しているので、ブレード駆動に伴う振動がリア
クションフレーム8を介して投影光学系PLやレチクル
R、ウエハWに伝わることを防止でき、これらの振動に
起因するパターン転写位置のずれや像ボケ等の発生を効
果的に防止して露光精度の向上を図ることができる。ま
た、レチクルステージ2やウエハステージ5の駆動に伴
う振動や可動レチクルブラインド62の駆動に伴う振動
により、第1照明光学系IU1と第2照明光学系IU2
に対して相対移動)する可能性があるが、本実施の形態
では、可動レチクルブラインド62と第2照明光学系I
U2との相対距離に応じて可動ブレードをX方向および
Y方向のそれぞれに関して移動させているので、レチク
ルRに対する照明領域を所定位置に維持することがで
き、ウエハW上に露光形成されるパターンの位置精度や
重ね合わせ精度の低下を未然に防ぐことができる。さら
に、本実施の形態では、可動ブレードの位置を2次元平
面内で調整しているので、第1照明光学系IU1と第2
照明光学系IU2との相対移動が2次元的に発生した場
合でも対処することができる。
In this embodiment, since the movable reticle blind 62 is arranged independently of the reaction frame 8 in terms of vibration, vibration caused by driving of the blade is transmitted through the reaction frame 8 to the projection optical system PL or the reticle. R and the wafer W can be prevented, and the displacement of the pattern transfer position and the occurrence of image blur due to these vibrations can be effectively prevented, and the exposure accuracy can be improved. Further, the first illumination optical system IU1 and the second illumination optical system IU2 are caused by vibration accompanying the driving of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 and vibration accompanying the driving of the movable reticle blind 62.
However, in the present embodiment, the movable reticle blind 62 and the second illumination optical system I
Since the movable blade is moved in each of the X direction and the Y direction in accordance with the relative distance to U2, the illumination area with respect to reticle R can be maintained at a predetermined position, and the pattern formed on wafer W by exposure is formed. It is possible to prevent a decrease in positional accuracy and overlay accuracy beforehand. Further, in the present embodiment, since the position of the movable blade is adjusted within a two-dimensional plane, the first illumination optical system IU1 and the second illumination optical system IU1 are adjusted.
It is possible to cope with the case where the relative movement with the illumination optical system IU2 occurs two-dimensionally.

【0086】さらに、本実施の形態では、光学系69と
投影光学系PLとの相対的な傾きからウエハW上に結像
するパターンのシフト量を算出し、このシフト量を補正
するようにレチクルステージ2の駆動量を補正している
ので、光学系69の位置誤差に起因するウエハW上のパ
ターン位置ずれを防止することができ、露光精度の向上
に寄与することができる。
Further, in the present embodiment, the shift amount of the pattern formed on the wafer W is calculated from the relative inclination of the optical system 69 and the projection optical system PL, and the reticle is corrected so as to correct the shift amount. Since the drive amount of the stage 2 is corrected, it is possible to prevent a pattern position shift on the wafer W due to a position error of the optical system 69, which can contribute to an improvement in exposure accuracy.

【0087】なお、上記実施の形態において、ウエハス
テージ5の移動に伴いXガイドバーXGに加わる反力を
リアクションフレーム8に伝達するためのXトリムモー
タ34としてボイスコイルモータを用いる構成とした
が、この構成に限定されるものではなく、E型コアとI
型コアとの結合によるEIコアを設置してもよい。この
場合、E型コアとI型コアとの一方をXガイドバーXG
側に配置し、他方をリアクションフレーム8側に配置す
ればよく、ムービングコイル型でもムービングマグネッ
ト型でもいずれの方式でも適用可能である。ムービング
マグネット型であれば、移動するXガイドバーXGに対
する配線が不要になり、装置構成の簡素化および配線を
伝わる振動の悪影響を排除できる。ムービングコイル型
であれば、コイルに対して通電する領域が小さくてすむ
ので、通電により発生する熱の影響を抑制することがで
きる。
In the above embodiment, the voice coil motor is used as the X trim motor 34 for transmitting the reaction force applied to the X guide bar XG to the reaction frame 8 as the wafer stage 5 moves. The present invention is not limited to this configuration.
An EI core may be provided by coupling with the mold core. In this case, one of the E-shaped core and the I-shaped core is connected to the X guide bar XG.
Side, and the other side may be disposed on the reaction frame 8 side, and any of a moving coil type and a moving magnet type can be applied. The moving magnet type eliminates the need for wiring for the moving X guide bar XG, thereby simplifying the device configuration and eliminating the adverse effects of vibration transmitted through the wiring. In the case of the moving coil type, since the area for energizing the coil is small, the influence of heat generated by energization can be suppressed.

【0088】EIコアは、ボイスコイルモータと比較し
て1.5倍程度の推力を出力することができる。そのた
め、Xトリムモータ34としてEIコアを設けること
で、同じ推力を出力するボイスコイルモータの2/3程
度の大きさで済み、装置の小型化を実現することができ
る。特に、XガイドバーXGに加わる反力は、1000
Nにもなるので、この反力を伝達できるだけの推力を出
力するモータとして、この大きさの差は装置全体の小型
化に大きく寄与することになる。
The EI core can output about 1.5 times as much thrust as the voice coil motor. Therefore, by providing an EI core as the X trim motor 34, the size of the voice coil motor that outputs the same thrust can be about /, and the size of the apparatus can be reduced. In particular, the reaction force applied to the X guide bar XG is 1000
N, the difference in magnitude greatly contributes to miniaturization of the entire device as a motor that outputs a thrust capable of transmitting the reaction force.

【0089】なお、Xトリムモータ34は、Xガイドバ
ーXGのX方向の位置Pを調整するものなので、EIコ
アにおいてはE型コアとI型コアとの間の相対位置を厳
密に制御する必要がある。ここで、EIコアが充分な推
力を出力するには、E型コアとI型コアとの間の相対位
置を所定範囲内に規制する必要があるため、この相対位
置関係を計測する計測装置を設けることが望ましい。こ
の場合、主制御装置70は、計測したE型コアとI型コ
アとの間の相対位置に基づいてバイアス電流を制御する
ことで、この相対位置を所定範囲内に維持することがで
き、結果としてXガイドバーXGに加わる反力に対抗す
るために充分な推力を常に出力することができる。
Since the X trim motor 34 adjusts the position P of the X guide bar XG in the X direction, it is necessary to strictly control the relative position between the E type core and the I type core in the EI core. There is. Here, in order for the EI core to output a sufficient thrust, it is necessary to regulate the relative position between the E-shaped core and the I-shaped core within a predetermined range. It is desirable to provide. In this case, main controller 70 can maintain the relative position within a predetermined range by controlling the bias current based on the measured relative position between the E-type core and the I-type core. As a result, a thrust sufficient to counter the reaction force applied to the X guide bar XG can always be output.

【0090】なお、上記実施の形態では、本発明のステ
ージ装置を露光装置1に適用する構成としたが、これに
限定されるものではなく、露光装置1以外にも転写マス
クの描画装置、マスクパターンの位置座標測定装置等の
精密測定機器にも適用可能である。また、上記実施の形
態において、リニアモータ15、33をムービングコイ
ル型としたが、ムービングマグネット型にしてもよいこ
とはいうまでもない。
In the above embodiment, the stage apparatus of the present invention is applied to the exposure apparatus 1. However, the present invention is not limited to this. The present invention is also applicable to precision measuring devices such as a pattern position coordinate measuring device. Further, in the above embodiment, the linear motors 15 and 33 are of the moving coil type, but it is needless to say that they may be of the moving magnet type.

【0091】なお、本実施の形態の基板としては、半導
体デバイス用の半導体ウエハWのみならず、液晶ディス
プレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)
等が適用される。
The substrate of the present embodiment is not limited to a semiconductor wafer W for a semiconductor device, but also a glass substrate for a liquid crystal display device, a ceramic wafer for a thin-film magnetic head, or a mask or a mask used in an exposure apparatus. Reticle master (synthetic quartz, silicon wafer)
Etc. are applied.

【0092】露光装置1としては、レチクルRとウエハ
Wとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRの
パターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させる
ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステ
ッパー)にも適用することができる。
The exposure apparatus 1 includes a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper; US Pat. No. 5,473,410) for scanning and exposing the pattern of the reticle R by synchronously moving the reticle R and the wafer W. To
The present invention is also applicable to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the reticle R while the reticle R and the wafer W are stationary and sequentially moves the wafer W stepwise.

【0093】露光装置1の種類としては、ウエハWに半
導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用
の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチ
クルなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。
The type of the exposure apparatus 1 is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device for exposing a semiconductor device pattern onto a wafer W, but may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, an image pickup device (CCD). Alternatively, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a reticle and the like.

【0094】また、露光用照明光の光源として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h
線(404.7nm)、i線(365nm))、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、レチクルRを用いる構成としてもよい
し、レチクルRを用いずに直接ウエハ上にパターンを形
成する構成としてもよい。また、YAGレーザや半導体
レーザ等の高周波などを用いてもよい。
As the light source of the illumination light for exposure, a bright line (g-line (436 nm), h
Line (404.7 nm), i-line (365 nm)), KrF
Not only an excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), and an F 2 laser (157 nm) but also a charged particle beam such as an X-ray or an electron beam can be used. For example, when an electron beam is used, a thermionic emission type lanthanum hexaborite (LaB 6 ) or tantalum (Ta) can be used as an electron gun. When an electron beam is used, a configuration using a reticle R may be used, or a configuration may be used in which a pattern is directly formed on a wafer without using the reticle R. Alternatively, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.

【0095】投影光学系PLの倍率は、縮小系のみなら
ず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系PLとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし(レチクルRも反射型
タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系
PLを用いることなく、レチクルRとウエハWとを密接
させてレチクルRのパターンを露光するプロキシミティ
露光装置にも適用可能である。
The magnification of the projection optical system PL may be not only a reduction system but also any one of an equal magnification system and an enlargement system. Further, As the projection optical system PL, using a material which transmits far ultraviolet rays such as quartz and fluorite as the glass material when using a far ultraviolet ray such as an excimer laser, catadioptric system, or in the case of using the F 2 laser or X-ray An optical system of a refraction system (a reticle R of a reflection type is also used). When an electron beam is used, an electron optical system including an electron lens and a deflector may be used as the optical system. It is needless to say that the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state. Further, the present invention can also be applied to a proximity exposure apparatus that exposes the pattern of the reticle R by bringing the reticle R and the wafer W into close contact without using the projection optical system PL.

【0096】ウエハステージ5やレチクルステージ2に
リニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)
を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型お
よびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮
上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ2、5
は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを
設けないガイドレスタイプであってもよい。
A linear motor (see US Pat. No. 5,623,853 or US Pat. No. 5,528,118) is mounted on the wafer stage 5 and the reticle stage 2.
Is used, any of an air levitation type using an air bearing and a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. In addition, each stage 2, 5
May be a type that moves along a guide or a guideless type that does not have a guide.

【0097】各ステージ2、5の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニット(永久磁石)と、二
次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電
磁力により各ステージ2、5を駆動する平面モータを用
いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニット
とのいずれか一方をステージ2、5に接続し、磁石ユニ
ットと電機子ユニットとの他方をステージ2、5の移動
面側(ベース)に設ければよい。
As a driving mechanism of each of the stages 2 and 5, a magnet unit (permanent magnet) having a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit having a two-dimensionally arranged coil are opposed to each other, and each stage 2 and 5 is driven by electromagnetic force. 5 may be used. In this case, one of the magnet unit and the armature unit may be connected to the stages 2 and 5, and the other of the magnet unit and the armature unit may be provided on the moving surface side (base) of the stages 2 and 5.

【0098】以上のように、本願実施形態の露光装置1
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
As described above, the exposure apparatus 1 of the present embodiment is
Is a system that includes various components including the components listed in the claims of the present application, with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy,
It is manufactured by assembling to maintain optical accuracy. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electric systems to ensure these various accuracy Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the exposure apparatus from various subsystems includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits among the various subsystems. It goes without saying that there is an assembling process for each subsystem before the assembling process from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【0099】半導体デバイスは、図12に示すように、
デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この
設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作する
ステップ202、シリコン材料からウエハを製造するス
テップ203、前述した実施形態の露光装置1によりレ
チクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステッ
プ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工
程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)20
5、検査ステップ206等を経て製造される。
The semiconductor device, as shown in FIG.
Step 201 for designing the function and performance of the device, step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on this design step, step 203 for manufacturing a wafer from a silicon material, and the pattern of the reticle by the exposure apparatus 1 of the above-described embodiment. Wafer processing step 204 for exposing a wafer, device assembling step (including dicing step, bonding step, package step) 20
5. It is manufactured through an inspection step 206 and the like.

【0100】[0100]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係るス
テージ装置の制振方法は、定盤を加振した際に検出され
る重心位置と慣性主軸とに基づいて、定盤に付与する推
力を補正する手順となっている。これにより、このステ
ージ装置の制振方法では、設計値ではなく真の慣性系に
応じた適切な推力を付与することができ、短時間で正確
な制振を実施できるという効果が得られる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, a vibration control method for a stage device is provided to a surface plate based on the position of the center of gravity detected when the surface plate is vibrated and the principal axis of inertia. The procedure is to correct thrust. As a result, according to the vibration damping method of the stage device, it is possible to apply an appropriate thrust according to a true inertial system instead of a design value, and to obtain an effect that accurate vibration damping can be performed in a short time.

【0101】請求項2に係るステージ装置の制振方法
は、ステージ本体を駆動して定盤を加振する手順となっ
ている。これにより、このステージ装置の制振方法で
は、設計値ではなく、ステージ本体駆動の際の、真の慣
性系に応じた適切な推力を付与することができ、短時間
でより正確な制振を実施できるという効果が得られる。
In the vibration control method for a stage device according to the second aspect, the stage body is driven to vibrate the surface plate. As a result, in this method of controlling the vibration of the stage device, it is possible to apply an appropriate thrust according to the true inertial system at the time of driving the stage body, instead of the design value, and more accurate vibration control in a short time. The effect that it can be implemented is obtained.

【0102】請求項3に係るステージ装置の制振方法
は、定盤に対するステージ本体の位置に応じた重心位置
と慣性主軸とを検出する手順となっている。これによ
り、このステージ装置の制振方法では、ステージ本体の
移動に伴って重心位置および慣性主軸が移動しても、そ
都度、より正確で効果的な制振を実施できるという効果
が得られる。
The third aspect of the present invention provides a vibration control method for a stage apparatus, which comprises detecting a center of gravity position and an inertia main axis corresponding to a position of a stage main body with respect to a surface plate. As a result, according to the vibration damping method of the stage device, even if the position of the center of gravity and the main axis of inertia move with the movement of the stage body, more accurate and effective vibration damping can be achieved each time.

【0103】請求項4に係るステージ装置は、定盤が加
振された際のステージ装置における重心位置と慣性主軸
とに基づいて定盤に付与する推力を補正する構成となっ
ている。これにより、このステージ装置では、設計値で
はなく真の慣性系に応じた適切な推力を付与することが
でき、短時間で正確な制振を実施できるという効果が得
られる。
The stage device according to claim 4 is configured to correct the thrust applied to the surface plate based on the position of the center of gravity and the inertia main axis of the stage device when the surface plate is vibrated. As a result, in this stage device, it is possible to apply an appropriate thrust according to a true inertial system instead of a design value, and it is possible to obtain an effect that accurate vibration suppression can be performed in a short time.

【0104】請求項5に係るステージ装置は、推力が重
心位置に向けて付与される構成となっている。これによ
り、このステージ装置では、推力付与に際して回転モー
メントが発生せず、より安定した短時間での制振が可能
になるという効果を奏する。
The stage device according to claim 5 is configured such that thrust is applied toward the position of the center of gravity. Thus, in this stage device, there is an effect that a rotational moment is not generated at the time of applying a thrust, and more stable vibration suppression can be performed in a short time.

【0105】請求項6に係るステージ装置は、ステージ
本体の移動により固定子に発生する反力を支持部に伝達
する反力伝達装置がE型コアとI型コアとの結合による
EIコアを有する構成となっている。これにより、この
ステージ装置では、装置の小型化を実現できるという効
果が得られる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the stage device, the reaction force transmitting device for transmitting the reaction force generated on the stator to the support portion by the movement of the stage body has an EI core formed by coupling the E-type core and the I-type core. It has a configuration. As a result, in this stage device, an effect that the device can be downsized can be obtained.

【0106】請求項7に係るステージ装置は、E型コア
とI型コアとの相対位置に基づいてEIコアの駆動を制
御する構成となっている。これにより、このステージ装
置では、固定子に加わる反力に対向するために充分な推
力を常に出力できるという効果を奏する。
The stage device according to claim 7 is configured to control the driving of the EI core based on the relative position between the E-shaped core and the I-shaped core. As a result, this stage device has an effect that a thrust sufficient to always oppose the reaction force applied to the stator can always be output.

【0107】請求項8に係るステージ装置は、ステージ
本体の位置に応じて記憶された定盤の振動特性に基づい
て推力付与装置の駆動を制御する構成となっている。こ
れにより、このステージ装置では、残留振動を効果的に
減衰させることができ、整定までに要する時間を短くで
きるという効果が得られる。
The stage device according to claim 8 is configured to control the driving of the thrust applying device based on the vibration characteristics of the surface plate stored in accordance with the position of the stage body. Thus, in this stage device, the residual vibration can be effectively attenuated, and the time required for settling can be shortened.

【0108】請求項9に係るステージ装置は、ステージ
本体が駆動された際の定盤の振動特性を記憶する構成と
なっている。これにより、このステージ装置では、計算
や実験で求めた場合のように補正項を考慮する必要がな
く、実機に即したより正確な振動特性を記憶できるとい
う効果を奏する。
The stage device according to the ninth aspect is configured to store the vibration characteristics of the surface plate when the stage main body is driven. As a result, in this stage device, there is no need to consider a correction term as in the case of calculation or experiment, and an effect that a more accurate vibration characteristic suitable for an actual machine can be stored.

【0109】請求項10に係る露光装置は、マスクステ
ージと基板ステージとの少なくとも一方のステージとし
て、請求項4から請求項9のいずれか1項に記載された
ステージ装置が用いられる構成となっている。これによ
り、この露光装置では、マスクまたは基板を移動させた
際にも、整定に要する時間が短かくなり生産効率が向上
するとともに、正確な制振により露光精度が向上すると
いう効果を奏する。
An exposure apparatus according to a tenth aspect is configured such that the stage apparatus according to any one of the fourth to ninth aspects is used as at least one of the mask stage and the substrate stage. I have. Thus, in this exposure apparatus, even when the mask or the substrate is moved, the time required for settling is shortened, the production efficiency is improved, and the exposure accuracy is improved by accurate vibration suppression.

【0110】請求項11に係る露光装置は、投影光学系
の略光軸方向に関する投影光学系と基板との相対速度に
基づいて少なくとも基板を投影光学系に対して光軸方向
に追従駆動させる構成となっている。これにより、この
露光装置では、これらの相対位置関係を維持することが
できるため、常に投影光学系の焦点位置を基板上の所定
位置に維持することができ、像ボケ等の発生を効果的に
防止して露光精度の向上を図ることができる。
An exposure apparatus according to claim 11 drives at least the substrate to follow the projection optical system in the optical axis direction based on the relative speed between the projection optical system and the substrate in the direction of the optical axis of the projection optical system. It has become. Accordingly, in the exposure apparatus, since these relative positional relationships can be maintained, the focal position of the projection optical system can always be maintained at a predetermined position on the substrate, and the occurrence of image blur and the like can be effectively prevented. Thus, exposure accuracy can be improved.

【0111】請求項12に係る露光装置は、検出装置が
投影光学系に加わる加速度と基板に加わる加速度とを演
算処理して相対速度を検出する構成となっている。これ
により、この露光装置では、加速度計を用いた際にも、
常に投影光学系の焦点位置を基板上の所定位置に維持す
ることができ、像ボケ等の発生を効果的に防止して露光
精度の向上を図ることができる。
The exposure apparatus according to the twelfth aspect is configured so that the relative velocity is detected by the detection apparatus calculating the acceleration applied to the projection optical system and the acceleration applied to the substrate. Thereby, in this exposure apparatus, even when the accelerometer is used,
The focus position of the projection optical system can always be maintained at a predetermined position on the substrate, and the occurrence of image blur and the like can be effectively prevented, and the exposure accuracy can be improved.

【0112】請求項13に係る露光装置は、検出装置が
光軸方向における投影光学系と基板との相対位置を演算
処理して相対速度を検出する構成となっている。これに
より、この露光装置では、レーザ干渉計等により投影光
学系と基板との相対位置を検出した際にも、常に投影光
学系の焦点位置を基板上の所定位置に維持することがで
き、像ボケ等の発生を効果的に防止して露光精度の向上
を図ることができる。
An exposure apparatus according to a thirteenth aspect has a configuration in which the detection device calculates the relative position between the projection optical system and the substrate in the optical axis direction to detect the relative speed. Thus, in this exposure apparatus, even when the relative position between the projection optical system and the substrate is detected by a laser interferometer or the like, the focus position of the projection optical system can always be maintained at a predetermined position on the substrate, Exposure can be improved by effectively preventing blurring or the like.

【0113】請求項14に係る露光装置は、検出装置が
定盤を介して相対速度を検出する構成となっている。こ
れにより、この露光装置では、光軸と直交する方向で定
盤がほぼ静止しており、また基板に比較して大面積であ
るため、相対速度を容易に検出できるという効果を奏す
る。
An exposure apparatus according to a fourteenth aspect is configured such that the detecting device detects the relative speed via the surface plate. Thus, in this exposure apparatus, the surface plate is almost stationary in the direction orthogonal to the optical axis, and has a large area compared to the substrate, so that the relative speed can be easily detected.

【0114】請求項15に係る露光装置は、マスクと基
板とを走査してパターンを基板に露光する走査型露光装
置である構成となっている。これにより、この露光装置
では、マスクと基板とを走査した際にも、整定に要する
時間が短かくなり生産効率が向上するとともに、正確な
制振により露光精度が向上するという効果を奏する。
The exposure apparatus according to the fifteenth aspect is configured to be a scanning type exposure apparatus that scans a mask and a substrate to expose a pattern on the substrate. Thus, in this exposure apparatus, even when the mask and the substrate are scanned, the time required for settling is shortened, the production efficiency is improved, and the exposure accuracy is improved by accurate vibration suppression.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の露光装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus of the present invention.

【図2】 第2照明光学系がリアクションフレームに
支持された露光装置の概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus in which a second illumination optical system is supported by a reaction frame.

【図3】 照明光学系を構成する可動レチクルブライ
ンドの平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a movable reticle blind constituting an illumination optical system.

【図4】 同露光装置を構成するレチクルステージの
外観斜視図である。
FIG. 4 is an external perspective view of a reticle stage included in the exposure apparatus.

【図5】 同露光装置を構成するウエハ側ステージ装
置の外観斜視図である。
FIG. 5 is an external perspective view of a wafer-side stage device constituting the exposure apparatus.

【図6】 露光装置の制御系を示す制御ブロック図で
ある。
FIG. 6 is a control block diagram illustrating a control system of the exposure apparatus.

【図7】 (a)〜(c)は、ウエハ定盤の加速度計
の出力軌跡をそれぞれ示す図である。
FIGS. 7A to 7C are diagrams respectively showing output trajectories of an accelerometer on a wafer surface plate.

【図8】 露光装置における重心位置および慣性主軸
を説明するための図である。
FIG. 8 is a view for explaining the position of the center of gravity and the principal axis of inertia in the exposure apparatus.

【図9】 マップを用いた振動制御の制御ループを示
す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a control loop of vibration control using a map.

【図10】 投影光学系とウエハとを速度制御下で追
従駆動させるための制御ループを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a control loop for driving the projection optical system and the wafer to follow each other under speed control.

【図11】 投影光学系とウエハとを速度制御下で追
従駆動させるための制御ループを示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a control loop for driving the projection optical system and the wafer to follow each other under speed control.

【図12】 半導体デバイスの製造工程の一例を示す
フローチャート図である。
FIG. 12 is a flowchart illustrating an example of a semiconductor device manufacturing process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

IU 照明光学系 IU1 第1照明光学系(照明光学系) IU2 第2照明光学系(照明光学系) PL 投影光学系 R レチクル(マスク) W ウエハ(基板) 1 露光装置 2 レチクルステージ(マスクステージ) 5 ウエハステージ(基板ステージ、ステージ本体) 6 ウエハ定盤(定盤) 7 ステージ装置 8 リアクションフレーム(支持部) 31 ボイスコイルモータ(推力付与装置) 34 Xトリムモータ(反力伝達装置) 35 Xリニアモータ(駆動装置) 35a 固定子 45 レーザ干渉計(検出装置、相対速度検出装置) 62 レチクルブラインド(照明領域設定装置) 66 位置センサ(検出装置、相対位置検出装置) 69 光学系 70 主制御装置(調整装置、制御装置、補正装置、駆
動制御装置) 72 加速度計(計測装置、相対傾き計測装置) 73 加速度計(検出装置、相対速度検出装置) 74 加速度計(検出装置、相対速度検出装置、振動検
出装置) 76 記憶装置
IU illumination optical system IU1 first illumination optical system (illumination optical system) IU2 second illumination optical system (illumination optical system) PL projection optical system R reticle (mask) W wafer (substrate) 1 exposure apparatus 2 reticle stage (mask stage) Reference Signs List 5 wafer stage (substrate stage, stage body) 6 wafer surface plate (surface plate) 7 stage device 8 reaction frame (supporting part) 31 voice coil motor (thrust applying device) 34 X trim motor (reaction transmitting device) 35 X linear Motor (drive device) 35a Stator 45 Laser interferometer (detection device, relative speed detection device) 62 Reticle blind (illumination area setting device) 66 Position sensor (detection device, relative position detection device) 69 Optical system 70 Main control device ( Adjustment device, control device, correction device, drive control device) 72 Accelerometer (measuring device, relative tilt) Measuring device) 73 Accelerometer (detection device, relative speed detection device) 74 Accelerometer (detection device, relative speed detection device, vibration detection device) 76 Storage device

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 定盤上を駆動されるステージ本体を有
するステージ装置に対して前記定盤に推力を付与して制
振する方法であって、 前記定盤を加振した際の前記ステージ装置における重心
位置と慣性主軸とを検出し、検出した前記重心位置と前
記慣性主軸とに基づいて前記推力を補正することを特徴
とするステージ装置の制振方法。
1. A method for applying a thrust to a stage device having a stage main body driven on a surface plate to control vibration, wherein the stage device is vibrated when the surface plate is vibrated. Detecting the position of the center of gravity and the principal axis of inertia in step (a), and correcting the thrust based on the detected position of the center of gravity and the principal axis of inertia.
【請求項2】 請求項1記載のステージ装置の制振方
法において、 前記ステージ本体を駆動することで前記定盤を加振する
ことを特徴とするステージ装置の制振方法。
2. The vibration damping method for a stage device according to claim 1, wherein the surface plate is vibrated by driving the stage main body.
【請求項3】 請求項1または請求項2記載のステー
ジ装置の制振方法において、 前記定盤に対する前記ステージ本体の位置に応じた前記
重心位置と前記慣性主軸とを検出することを特徴とする
ステージ装置の制振方法。
3. The vibration damping method for a stage device according to claim 1, wherein the position of the center of gravity corresponding to the position of the stage main body with respect to the surface plate and the principal axis of inertia are detected. Stage device vibration suppression method.
【請求項4】 定盤上を駆動されるステージ本体と、
前記定盤に推力を付与する推力付与装置とを備えたステ
ージ装置であって、 前記定盤が加振された際の前記ステージ装置における重
心位置と慣性主軸とを検出する検出装置と、 該検出装置の検出結果に基づいて前記定盤に付与する推
力を補正する補正装置とを有することを特徴とするステ
ージ装置。
4. A stage body driven on a surface plate,
A stage device comprising: a thrust applying device that applies thrust to the surface plate, wherein the detection device detects a center of gravity position and an inertia main axis of the stage device when the surface plate is vibrated, A correction device for correcting a thrust applied to the surface plate based on a detection result of the device.
【請求項5】 請求項4記載のステージ装置におい
て、 前記推力は、前記重心位置に向けて付与されることを特
徴とするステージ装置。
5. The stage device according to claim 4, wherein the thrust is applied toward the position of the center of gravity.
【請求項6】 定盤上を駆動されるステージ本体を備
えたステージ装置であって、 固定子および可動子を有し、前記ステージ本体を駆動す
る駆動装置と、 前記定盤に対して振動的に独立して配設された支持部
と、 該支持部と前記固定子との間に介装され、前記ステージ
本体の移動により前記固定子に発生する反力を前記支持
部に伝達する反力伝達装置とを備え、 該反力伝達装置は、E型コアとI型コアとの結合による
EIコアを有することを特徴とするステージ装置。
6. A stage device comprising a stage main body driven on a surface plate, comprising: a driving device having a stator and a mover for driving the stage main body; And a reaction force which is interposed between the support portion and the stator and transmits a reaction force generated on the stator by movement of the stage body to the support portion. A stage device comprising a transmission device, wherein the reaction force transmission device has an EI core formed by coupling an E-shaped core and an I-shaped core.
【請求項7】 請求項6記載のステージ装置におい
て、 前記E型コアと前記I型コアとの相対位置を計測する計
測装置と、 該計測装置の計測結果に基づいて前記EIコアの駆動を
制御する制御装置とを有することを特徴とするステージ
装置。
7. The stage device according to claim 6, wherein the measuring device measures a relative position between the E-shaped core and the I-shaped core, and controls driving of the EI core based on a measurement result of the measuring device. A stage device, comprising:
【請求項8】 定盤上を駆動されるステージ本体と、
前記定盤に推力を付与する推力付与装置とを備えたステ
ージ装置であって、 前記ステージ本体の位置に応じた前記定盤の振動特性を
記憶する記憶装置と、 前記定盤の振動特性を検出する振動検出装置と、 該振動検出装置の検出結果と前記記憶装置の記憶内容と
に基づいて前記推力付与装置の駆動を制御する制御装置
とを有することを特徴とするステージ装置。
8. A stage body driven on a surface plate,
A stage device comprising: a thrust applying device that applies a thrust to the surface plate; a storage device that stores vibration characteristics of the surface plate according to a position of the stage main body; and detects vibration characteristics of the surface plate. A stage device comprising: a vibration detecting device that performs the driving, and a control device that controls driving of the thrust applying device based on a detection result of the vibration detecting device and a content stored in the storage device.
【請求項9】 請求項8記載のステージ装置におい
て、 前記記憶装置は、前記ステージ本体が駆動された際の前
記定盤の振動特性を記憶することを特徴とするステージ
装置。
9. The stage device according to claim 8, wherein the storage device stores vibration characteristics of the surface plate when the stage body is driven.
【請求項10】 マスクステージに保持されたマスク
のパターンを基板ステージに保持された基板に露光する
露光装置において、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
一方のステージとして、請求項4から請求項9のいずれ
か1項に記載されたステージ装置が用いられることを特
徴とする露光装置。
10. An exposure apparatus for exposing a pattern of a mask held on a mask stage to a substrate held on a substrate stage, wherein at least one of the mask stage and the substrate stage is used. 10. An exposure apparatus, wherein the stage apparatus according to any one of 9 is used.
【請求項11】 マスクのパターンを投影光学系によ
り基板に投影露光する露光装置において、 前記投影光学系の略光軸方向に関する該投影光学系と前
記基板との相対速度を検出する検出装置と、 該検出装置の検出結果に基づいて少なくとも前記基板を
前記投影光学系に対して前記光軸方向に追従駆動させる
駆動制御装置とを備えることを特徴とする露光装置。
11. An exposure apparatus for projecting and exposing a pattern of a mask onto a substrate by a projection optical system, comprising: a detection device for detecting a relative speed between the projection optical system and the substrate in a direction substantially along an optical axis of the projection optical system; An exposure apparatus, comprising: a drive control device that drives at least the substrate to follow the projection optical system in the optical axis direction based on a detection result of the detection device.
【請求項12】 請求項11記載の露光装置におい
て、 前記検出装置は、前記投影光学系に加わる加速度と前記
基板に加わる加速度とを演算処理して前記相対速度を検
出することを特徴とする露光装置。
12. The exposure apparatus according to claim 11, wherein the detection device calculates the acceleration applied to the projection optical system and the acceleration applied to the substrate to detect the relative speed. apparatus.
【請求項13】 請求項11記載の露光装置におい
て、 前記検出装置は、前記光軸方向における前記投影光学系
と前記基板との相対位置を演算処理して前記相対速度を
検出することを特徴とする露光装置。
13. The exposure apparatus according to claim 11, wherein the detection device calculates the relative position between the projection optical system and the substrate in the optical axis direction to detect the relative speed. Exposure equipment.
【請求項14】 請求項11から請求項13のいずれ
か1項に記載の露光装置において、 前記基板を保持して移動するステージと、該ステージを
移動自在に支持する定盤とを備え、 前記検出装置は、前記定盤を介して前記相対速度を検出
することを特徴とする露光装置。
14. The exposure apparatus according to claim 11, further comprising: a stage that holds and moves the substrate; and a surface plate that movably supports the stage. An exposure apparatus, wherein the detection device detects the relative speed via the surface plate.
【請求項15】 請求項10から請求項14のいずれ
か1項記載の露光装置において、 前記露光装置は、前記マスクと前記基板とを走査して前
記パターンを前記基板に露光する走査型露光装置である
ことを特徴とする露光装置。
15. The exposure apparatus according to claim 10, wherein the exposure apparatus scans the mask and the substrate to expose the pattern on the substrate. An exposure apparatus, comprising:
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