JP2005276932A - Aligner and device-manufacturing method - Google Patents

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JP2004085084A
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Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Nishikawa
仁 西川
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To perform high precision exposure extending over a long time, without deteriorating optical performance of a projection optical system. <P>SOLUTION: A specific mirror Mc, which makes illumination light EL incident on a reflecting mask R at a prescribed incident angle, is held by an illumination system holding mount 56 which is separated physically from a body 26 holding a projection unit PU. Even if generation of heat (temperature rise) of the specific mirror resulting from irradiation of illumination light arises, transmission of heat is suppressed to an optical member, constituting the projection optical system in the projection unit by heat conduction. Thus, deterioration in the optical performance (including image forming characteristic) of the projection optical system due to thermal deformation of the optical member can be suppressed effectively. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは半導体素子等を製造するためのリソグラフィ工程で用いられる露光装置及び該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method, and more particularly to a device manufacturing method using the exposure apparatus and the exposure apparatus used in a lithography process for manufacturing semiconductor devices and the like.

従来より、半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)に形成されたパターンを、投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板(以下、適宜ウエハともいう)上に転写する露光装置が用いられている。 Conventionally, semiconductor devices, in a lithography process for manufacturing a liquid crystal display element or the like, a pattern formed on a mask or reticle (hereinafter collectively referred to as "reticle"), a resist or the like is applied via the projection optical system substrate wafer or glass plate is coated with a resist on (hereinafter, appropriately wafer also referred to). 近年この種の装置として、スループットを重視する観点から、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆる「ステッパ」)や、このステッパを改良したステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置などの逐次移動型の投影露光装置が主として用いられている。 As recently this type of apparatus, from the viewpoint that emphasizes throughput, reduction projection exposure apparatus by a step-and-repeat method (a so-called "steppers") and, like scanning exposure apparatus of step-and-scan method that improves the stepper sequential movement type projection exposure apparatus is used primarily.

これらの露光装置では露光用の照明光(露光ビーム)として超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線、例えばi線(波長365nm)や、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などが使用されていた。 In these exposure apparatus illumination light for exposure bright lines in the ultraviolet region from (exposure beam) as a super-high pressure mercury lamp, for example, i-line (wavelength 365 nm) and, like a KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) was used. 近年ではより高い解像度(解像力)を得るために、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)を露光ビームとする露光装置も実用化されている。 In order to obtain a higher resolution (resolving power) in recent years, even an exposure apparatus for an ArF excimer laser beam (wavelength 193 nm) as the exposure beam has been put to practical use. これらの露光装置の投影光学系としては屈折系、又は反射屈折系が主として用いられていた。 Refraction system as the projection optical system of the exposure apparatus, or catadioptric system has been mainly used.

しかし、最近では、これらの露光装置に対し、更に一層高い解像度を実現するために、波長が100nm以下の極端紫外光(EUV(Extreme Ultraviolet)光)を発生するSOR(Synchrotron Orbital Radiation)リング又はレーザプラズマ光源等を露光光源として使用するEUV露光装置(EUVL)の開発が進められている。 However, recently, for these exposure apparatuses, in order to realize a higher resolution, SOR (Synchrotron Orbital Radiation) having a wavelength for generating a 100nm following extreme ultraviolet (EUV (Extreme Ultraviolet) light) ring or laser development of an EUV exposure apparatus (EUVL) that uses a plasma light source or the like as an exposure light source is being advanced.

EUV露光装置では、EUV光を好適に透過する光学材料が現時点では存在しないことから、照明光学系及び投影光学系は、反射型の光学部材(反射光学素子)のみから成るオール反射の光学系が採用され、レチクルもまた反射型レチクルが用いられる。 In the EUV exposure apparatus, since the optical material is not present at the moment to suitably transmit EUV light, an illumination optical system and projection optical system, the optical system of the all-reflective consisting of only reflection type optical element (reflective optical element) is employed, a reticle is also reflective reticle is used. また、EUV光は、殆どの物質で吸収されるため、EUV光の光路空間は所定の高真空状態に設定する必要があり、通常EUV露光装置の本体は、真空チャンバ内に設置される。 Furthermore, EUV light is absorbed by most materials, the optical path space of the EUV light must be set to a predetermined high vacuum, usually the body of the EUV exposure apparatus is placed in a vacuum chamber.

しかるに、EUV露光装置のように、オール反射の照明光学系を用いて、反射型レチクルに露光ビームを入射させ、そのレチクルからの反射光をオール反射の投影光学系に入射させ、ウエハ上に投射する場合、投影光学系の物体面側(レチクル側)は非テレセントリックとなるので、投影光学系の光軸方向に関するレチクルの位置誤差が、ウエハ上に形成されるレチクルパターンの像の横ずれの要因となる。 However, as in the EUV exposure apparatus, using an illumination optical system of the all-reflective, is incident exposure beam on the reflective reticle, is incident reflected light from the reticle to the all reflection of the projection optical system, projected onto the wafer to case, since the object plane side of the projection optical system (reticle side) is non-telecentric, the position error of the reticle associated with the direction of the optical axis of the projection optical system, and cause lateral displacement of the image of the reticle pattern to be formed on the wafer Become. 投影光学系の光軸方向に関するレチクルの位置誤差が同一の値である場合、露光ビームの入射角が小さいほど上記の横ずれ量は小さくなる。 If reticle position error associated with the direction of the optical axis of the projection optical system have the same value, as the above lateral displacement amount is small incident angle of the exposure beam is reduced. EUV露光装置が対象とする最小線幅が70nm程度以下の高集積度のデバイスの製造に際しては、許容されるトータルオーバーレイ誤差が非常に小さいので、必要な解像度を得られる開口数(N.A.)を確保した上で、露光ビームの入射角は小さく設定される。 In producing the minimum line width is less than about 70nm in device density EUV exposure apparatus is intended, since the total overlay error allowed is very small, the numerical aperture obtained the required resolution (N.A. ) after securing the angle of incidence of the exposure beam is set to be small. 例えば露光ビームの波長が13nmである場合には、レチクルに対する露光ビームの入射角は、約50〔mrad〕に設定される(例えば、下記特許文献1参照)。 For example, when the wavelength of the exposure beam is 13nm, the angle of incidence of the exposure beam with respect to the reticle is set to about 50 [mrad] (e.g., see Patent Document 1). このため、露光装置の大型化防止の観点から、照明光学系と投影光学系とを近接配置し、前記照明光学系からレチクルに対して直接に(すなわち露光エネルギの低下につながる不要な反射光学素子を介さずに)露光ビームを入射させる場合には、そのレチクルに対して露光ビームを入射させる照明光学系の一部のミラー(以下「特定ミラー」と呼ぶ)はレチクルのほぼ直下に設置されることとなる。 Therefore, from the viewpoint of preventing increase in size of the exposure apparatus, the illumination optical system and disposed close to the projection optical system, directly (i.e. unnecessary reflected optical element leads to a decrease in exposure energy to the reticle from the illumination optical system in case of incident not to) the exposure beam through the are referred to as "specific mirror" part of the mirror (hereinafter the illumination optical system to be incident exposure beam for the reticle) is placed substantially immediately below the reticle and thus. しかるに、通常、レチクルの直下には投影光学系が配置されるため、特定ミラーを、投影光学系の内部や投影光学系の最近傍に設置することが必要になる。 However, usually, since the right under the reticle projection optical system is arranged, the particular mirror, it is necessary to place closest to the interior or the projection optical system of the projection optical system.

特定ミラーを、投影光学系内部又は最近傍の位置に設置する場合、特定ミラーに対し露光ビームが照射され、その特定ミラーが熱を吸収することに起因する温度上昇により、周囲の部材に悪影響を与えるおそれがある。 The particular mirror, when installing the position of the projection optical system within or nearest neighbor, the exposure beam for a particular mirror is irradiated, the temperature increase that particular mirror is due to the absorption of heat, affect the peripheral members there is a possibility of giving. 特に、特定ミラーを投影光学系内部に配置する場合には、その特定ミラーからの熱が主として熱伝導によって鏡筒を介して投影光学系内の他の光学部材に伝播され、投影光学系内の他の光学部材に熱変形が生じ、結果的に投影光学系の結像特性を低下させるおそれがある。 In particular, the when disposed within the projection optical system is a particular mirror, the heat from a particular mirror are propagated to other optical members within the barrel via a projection optical system mainly by heat conduction, in the projection optical system thermal deformation occurs on the other optical members, resulting in may deteriorate the imaging characteristics of the projection optical system. 特定ミラーを投影光学系の最近傍の位置に設置し、投影光学系の鏡筒の一部に形成された切り欠き部を介してレチクルに露光ビームを照射する場合にも、特定ミラーからの鏡筒を介した熱の伝播により他の光学部材に熱変形が生じ得る。 Established a specific mirror closest to the position of the projection optical system, even in the case of irradiating the exposure beam on the reticle through the cutout portion formed in a part of the barrel of the projection optical system, a mirror from a particular mirror thermal deformation may occur in other optical members by propagation of heat through the cylinder.

しかしながら、これまでは、前述したように、露光装置の投影光学系としては屈折系、又は反射屈折系が主として用いられていたため、上記の特定ミラーのように、照明光学系内の光学素子を、投影光学系の内部や投影光学系の最近傍に設置する構成については殆ど考慮されたことがないのが、実情である。 However, so far, as described above, a refraction system as the projection optical system of the exposure apparatus, or to catadioptric system has been used mainly as the specific mirror, the optical element in the illumination optical system, the never been considered almost the structure to be installed closest to the interior or the projection optical system of the projection optical system is a reality.

また、上述の説明からも分かるように、特定ミラーは、その反射面の位置・角度調整ができた方が望ましいが、その特定ミラーの調整機構を投影光学系の鏡筒に設けると、その調整機構の駆動力又はその反力が、鏡筒を介して投影光学系内の他の光学素子に伝達し、他の光学素子の振動要因と成りかねない。 Moreover, as can be seen from the foregoing description, certain mirror is desirably better to be the position and angle adjustment of the reflecting surface, providing an adjustment mechanism of the particular mirror barrel of the projection optical system, the adjustment driving force or a reaction force mechanism, through the barrel is transmitted to the other optical elements in the projection optical system, it could become a vibration source other optical elements.

米国特許第6,406,820号明細書 US Pat. No. 6,406,820

本発明は、上述した事情の下でなされたもので、第1の観点からすると、反射型マスク(R)を介した照明光(EL)で感光物体(W)を露光し、前記反射型マスクに形成されたパターンを前記感光物体上に転写する露光装置であって、照明光を前記反射型マスクに対して所定の入射角で入射させる特定ミラー(Mc)を含む照明光学系と;前記反射型マスクから射出された前記照明光を感光物体上に投射する投影光学系を有する投影ユニット(PU)と;前記投影ユニットを保持するボディ(26)と;前記照明光学系を構成する前記特定ミラーを含む複数の光学部材を保持し、前記ボディとは物理的に分離した照明系保持架台(56)と;を備える露光装置である。 The present invention has been made under the circumstances described above, to a first aspect, exposing the photosensitive object (W) by the reflection type mask illumination light via the (R) (EL), wherein the reflective mask a pattern formed on an exposure apparatus for transferring onto the photosensitive object, an illumination optical system including a specific mirror to be incident at a predetermined incident angle illumination light to the reflection type mask (Mc); said reflector projection unit having a projection optical system that projects the illumination light emitted from the mold the mask onto the photosensitive object and (PU); a body (26) for holding the projection unit; the particular mirrors constituting the illumination optical system an exposure device including a; holding a plurality of optical members including, from said body and lighting system holding frame which is physically separated (56).

これによれば、特定ミラーが投影光学系を保持するボディとは物理的に分離した照明系保持架台で保持されていることから、特定ミラーが投影ユニット近傍(又は内部)に配置されているにも拘わらず、照明光の照射に起因する特定ミラーの発熱(温度上昇)が生じても、その熱が投影ユニット内の投影光学系を構成する光学部材に熱伝導によって伝播するのが抑制される。 According to this, since the specific mirror is held in the illumination system holding frame which is physically separate from the body that holds the projection optical system, the particular mirror are disposed in the projection unit near (or inside) Nevertheless, even if the heat generation of the particular mirror due to the irradiation of the illumination light (temperature rise) occurs, it is suppressed from propagating by thermal conduction to the optical member that heat is the projection optical system in the projection unit . これにより、光学部材の熱変形に起因する投影光学系の光学性能(結像特性を含む)の低下を効果的に抑制して、長期間に渡り、その投影光学系を用いて、高精度な露光(感光物体へのパターンの転写)を実現することが可能となる。 Thus, to effectively suppress the reduction of the projection optical system of the optical performance due to the thermal deformation of the optical member (including the imaging characteristics), over a long period of time, using the projection optical system, highly accurate exposure can be realized (the transfer of the pattern onto the photosensitive object).

この場合において、前記特定ミラーは前記投影ユニットを構成する鏡筒内に配置された場合、前記照明光は、前記鏡筒に形成された開口を介して前記特定ミラーに入射し、前記反射型マスクに向けて反射されることとすることができる。 In this case, if the specific mirror is disposed in the lens barrel constituting the projection unit, the illumination light is incident on the particular mirror through the opening formed in the lens barrel, the reflective mask It may be to be reflected toward the.

また、リソグラフィ工程において、本発明の露光装置を用いて露光を行うことにより、長期間に渡り、精度良く反射型マスクのパターンを感光物体上に転写することができ、これにより、より高集積度のマイクロデバイスを歩留まり良く製造することができ、その生産性を向上させることができる。 Further, in a lithography process, by performing exposure using the exposure apparatus of the present invention, for a long period of time, it is possible to transfer the pattern accurately reflective mask onto the photosensitive object, thereby, a higher degree of integration the microdevices with good yield can be produced, it is possible to improve the productivity. 従って、本発明は第2の観点からすると、本発明の露光装置を用いるデバイス製造方法であるとも言える。 Accordingly, the present invention can be said and the the second from the viewpoint, a device manufacturing method using the exposure apparatus of the present invention.

以下、本発明の一実施形態を図1〜図11に基づいて説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1-11.

図1には、一実施形態に係る露光装置10の全体構成が概略的に示されている。 1, the overall configuration of an exposure apparatus 10 according to an embodiment is schematically shown. この図1では、露光装置10を構成する、後述する上側チャンバ42、下側チャンバ44及びミラーチャンバ40が、それぞれ一部破断して示されている。 In FIG. 1, constituting an exposure device 10, the upper chamber 42 will be described later, the lower chamber 44 and the mirror chamber 40 is shown partially broken respectively.

この露光装置10では、反射型マスクとしてのレチクルRからの反射光束を、感光物体としてのウエハW上に垂直に投射する投影光学系を内部に有する投影ユニットPUが採用されているので、以下においては、この投影光学系からウエハWへの照明光の投射方向を投影光学系の光軸方向と呼ぶとともに、この光軸方向をZ軸方向、これに直交する面内で図1における紙面内左右方向をY軸方向、紙面に直交する方向をX軸方向として説明する。 In the exposure apparatus 10, the reflected light beam from the reticle R as a reflection type mask, since the projection unit PU having therein a projection optical system for projecting perpendicularly onto the wafer W as a photosensitive object is employed in the following , together referred to as the optical axis direction of the illumination light projection optical system projecting direction of the wafer W from the projection optical system, the optical axis direction Z-axis direction, the paper in the left and right in FIG. 1 in a plane perpendicular thereto describing the direction Y-axis direction, a direction perpendicular to the paper surface as the X-axis direction.

この露光装置10は、レチクルRに形成された回路パターン(以下、「レチクルパターン」と略述する)の一部の像を投影ユニットPU内の投影光学系を介してウエハW上に投影しつつ、レチクルRとウエハWとを投影ユニットPUに対して1次元方向(Y軸方向)に相対走査することにより、レチクルパターンをウエハW上の複数のショット領域の各々にステップ・アンド・スキャン方式で転写するものである。 The exposure apparatus 10, the circuit pattern formed on a reticle R (hereinafter, shortly referred to as "reticle pattern") with projected onto the wafer W through the projection optical system in the projection unit PU part of the image of , the reticle R and the wafer W by relative scanning in one dimensional direction (Y axis direction) with respect to projection unit PU, the reticle pattern by the step-and-scan method to each of the plurality of shot areas on the wafer W it is intended to transfer.

露光装置10は、レチクルRを照明光(EUV光)ELで照明する照明系10Aと、該照明系10Aの+Y側に近接して配置された露光装置本体部10Bとを備えている。 The exposure apparatus 10 includes an illumination system 10A which illuminates a reticle R illumination light (EUV light) EL, and an exposure apparatus main unit 10B arranged close to the + Y side of the illumination system 10A.

照明系10Aは、第1部分照明系12と、第2部分照明系15とを備えている。 The illumination system 10A includes a first partial illumination system 12, and a second partial illumination system 15. このうち、第1部分照明系12は、図1では、図示の便宜上から単なるブロックで示されているが、実際には、図3に模式的に示されるように、波長11nmの軟X線領域の照明光(EUV光)ELを射出するSOR(Synchrotron Orbital Radiation)リングから成る不図示の露光光源と、集光ミラー及びコリメータミラーなどを含んで構成されるミラー系114と、反射型のオプティカル・インテグレータ(ホモジナイザ)としての第1のフライアイミラー116A及び第2のフライアイミラー116Bとを備えている。 Among them, the first partial illumination system 12 in FIG. 1, is shown just blocks from the convenience of illustration, in practice, as schematically shown in FIG. 3, the soft X-ray region having a wavelength of 11nm an exposure light source (not shown) consisting of SOR (Synchrotron Orbital Radiation) ring illumination light emitted extreme ultraviolet (EUV light) EL, and the mirror system 114 configured to include a like condensing mirror and the collimator mirror, reflective optical of integrator and a first fly-eye mirror 116A and the second fly-eye mirror 116B as (homogenizer). 照明光ELは、不図示の露光光源から不図示のビームラインを介してミラー系114を構成する集光ミラーに導かれている。 The illumination light EL is guided to the condensing mirrors constituting the mirror system 114 via a beam line (not shown) from an exposure light source (not shown).

前記第1のフライアイミラー116Aは、例えば、図4(A)に示されるように、複数列(図4(A)では3列)の光学素子群118A〜118Cから構成され、光学素子群118A〜118Cのそれぞれは、円弧状の細長い反射面を有する反射光学素子(ミラーエレメント)120を複数備えている。 The first fly-eye mirror 116A is, for example, as shown in FIG. 4 (A), is composed of the optical element group 118A~118C plural rows (three rows in FIG. 4 (A)), the optical element group 118A each ~118C, provided with a plurality of reflecting optical elements (mirror elements) 120 having an arcuate elongated reflecting surface. 前記第2のフライアイミラー116Bは、図4(B)に示されるように、複数群(図4(B)では3群)の光学素子群122A〜122Cから構成され、光学素子群122A〜122Cのそれぞれは、ほぼ正方形状の反射面を有する反射光学素子(ミラーエレメント)123を複数備えている。 The second fly-eye mirror 116B, as shown in FIG. 4 (B), is composed of the optical element group 122A~122C the plurality of groups (see FIG. 4 (B) in 3 groups), an optical element group 122A~122C each has a plurality of reflecting optical elements (mirror elements) 123 having a substantially square shape of the reflecting surface. 光学素子群122A〜122Cを構成する光学素子は全体として概略円形となるように配置されている。 Optical elements constituting the optical element group 122A~122C are arranged so as to be approximately circular as a whole.

これら第1のフライアイミラー116A、第2のフライアイミラー116Bでは、第1のフライアイミラー116Aの光学素子群118Aと第2のフライアイミラー116Bの光学素子群122A、光学素子群118Bと光学素子群122B、光学素子群118Cと光学素子群122Cとがそれぞれ対応しており、例えば、図4(C)に示されるように、光学素子群118Aの図4(A)の紙面上下方向に隣接する3つの光学素子で反射された光が、光学素子群122Aの図4(B)の紙面左右方向に隣接する3つの光学素子に入射するようになっている。 The first fly-eye mirror 116A, the second fly-eye mirror 116B, the first fly-eye mirror 116A of the optical element group 118A and the second fly-eye mirror 116B of the optical element group 122A, the optical element group 118B and the optical element group 122B, the optical element group 118C and the optical element group 122C are respectively correspond, for example, as shown in FIG. 4 (C), adjacent to the up-down direction shown in FIG. 4 (a) of the optical element group 118A the light reflected by the three optical elements that is adapted to enter the three optical elements adjacent to the left-right direction in FIG optics group 122A 4 (B).

この場合、第1のフライアイミラー116Aの紙面上下方向の反射光学素子の配列数は、第2のフライアイミラー116Bの紙面上下方向の反射光学素子の配列数の3倍程度となっており、積分効果によって第2のフライアイミラー116Bの各反射光学素子上での照度は均一化される。 In this case, the sequence number of the reflecting optical element up and down direction of the first fly-eye mirror 116A is a sequence number 3 times in up-down direction of the reflective optical elements of the second fly-eye mirror 116B, illumination intensity on the reflecting optical element of the second fly-eye mirror 116B by the integrating effect is uniform.

図1に戻り、前記第2部分照明系15は、第1部分照明系12から射出された照明光ELを順次反射して最終的に所定の入射角、例えば約50〔mrad〕でレチクルRのパターン面(図1における下面(−Z側の面))に入射させる複数枚のミラーを有するミラーユニット14と、該ミラーユニット14を収容するミラーチャンバ40とを備えている。 Returning to Figure 1, the second partial illumination system 15, eventually predetermined incident angle emitted illumination light EL from the first partial illumination system 12 sequentially reflected by, for example, the reticle R at about 50 [mrad] a mirror unit 14 having a plurality of mirrors to be incident on the pattern surface (lower surface in FIG. 1 (the -Z side surface)), and a mirror chamber 40 housing the mirror unit 14.

前記ミラーユニット14は、床面F上に設けられた複数本(ここでは3本又は4本)の支持部材52によりほぼ水平に支持された支持定盤50上に固定されている。 The mirror unit 14, a plurality of which are provided on the floor surface F (here, three or four) are fixed on a support plate 50 which is supported substantially horizontally by the support member 52. この支持定盤50の上面側に、前述のミラーチャンバ40が設けられている。 The upper surface of the support plate 50, the mirror chamber 40 described above is provided. このミラーチャンバ40の−Y側の側壁には第1部分照明系12からの照明光ELを入射させるための第1開口49が形成され、ミラーチャンバ40の+Y側の側壁には照明光ELを射出するための第2開口48が形成されている。 This is the side wall of the -Y side of the mirror chamber 40 is first opened 49 formed to be incident illumination light EL from the first partial illumination system 12, the illumination light EL in the side wall of the + Y side of the mirror chamber 40 the second opening 48 for injection is formed.

ミラーチャンバ40は、該ミラーチャンバ40と支持定盤50とによって区画される空間等の高真空状態を維持できるように、気密性が高く構成されている。 Mirror chamber 40, so they can maintain a high vacuum state such as space defined by the mirror chamber 40 and the support plate 50, is configured high air-tightness.

前記ミラーユニット14は、その一部分が支持部材52の上方の所定の空間を覆うミラーチャンバ40の第2開口48からはみ出した状態とされている。 The mirror unit 14 is in a state where a portion thereof protruding from the second opening 48 of the mirror chamber 40 for covering the upper side of the predetermined space of the support member 52. このミラーユニット14は、図2及び図3に示されるように、3つのトロイダル非球面斜入射ミラーから成る反射ミラー(第1反射ミラーMa、第2反射ミラーMb、第3反射ミラーMc)と、該3つの反射ミラーを所定の位置関係で保持する保持台60とを備えている。 The mirror unit 14, as shown in FIGS. 2 and 3, a reflection mirror consisting of three toroidal aspherical grazing incidence mirror (the first reflection mirror Ma, second reflecting mirror Mb, third reflecting mirror Mc), and a holder 60 for holding the three reflection mirrors in a predetermined positional relationship. これら反射ミラーMa〜Mcによりコンデンサ系が構成されている。 Condenser system is composed of these reflecting mirrors Ma~Mc. なお、このミラーユニット14については後に更に詳述する。 Note that the mirror unit 14 will be described in more detail later.

本実施形態では、上述したミラー系114、第1のフライアイミラー116A、第2のフライアイミラー116B、及びミラーユニット14の第1〜第3の反射ミラーMa〜Mcによって、照明光学系が構成されている。 In the present embodiment, the mirror system 114 described above, the first fly-eye mirror 116A, a second fly-eye mirror 116B, and the first to third reflecting mirrors Ma~Mc of the mirror unit 14, the illumination optical system is configured It is.

上述のようにして構成された照明光学系によると、前記露光光源から射出された照明光ELは、ミラー系114を構成する集光ミラーにより集光され、コリメータミラーの反射面によって反射及び偏向されてほぼ平行光束となって、第1のフライアイミラー116Aに入射する。 According to an illumination optical system configured as described above, the emitted illumination light EL from the exposure light source is condensed by the condenser mirrors constituting the mirror system 114, it is reflected and deflected by the reflecting surface of the collimator mirror nearly parallel beam Te, incident on the first fly-eye mirror 116A. 第1のフライアイミラー116Aで反射された照明光ELは、第2のフライアイミラー116Bで反射されて照度分布が均一化された状態でミラーユニット14を構成する第1反射ミラーMaに入射する。 Illumination light EL reflected by the first fly-eye mirror 116A is incident on the first reflecting mirror Ma which has been illuminance distribution reflected by the second fly-eye mirror 116B constitute the mirror unit 14 in uniform state . その後、照明光ELは、コンデンサ系を構成する第1反射ミラーMa、第2反射ミラーMb、第3反射ミラーMcで順次反射、集光されて、レチクルRのパターン面(下面)を円弧スリット状の照明光となって照明する(実際には、照明光ELは、後述する投影ユニットPUの鏡筒の開口部を介して第3反射ミラーMc及びレチクルRに到達する(図2参照))。 Thereafter, the illumination light EL, the first reflecting mirror Ma constituting the condenser system, the second reflecting mirror Mb, sequentially reflected by the third reflecting mirror Mc, is condensed, the pattern surface of the reticle R (the lower surface) of the arc slit-like It is to be illuminated with illumination light (in fact, the illumination light EL reaches the third reflection mirror Mc and the reticle R through the opening of the barrel of projection unit PU to be described later (see FIG. 2)).

これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、第3反射ミラーMcによって特定ミラーが構成されている。 Previous as is apparent from the discussion, in the present embodiment, the particular mirror by the third reflecting mirror Mc is configured. また、床面F上に設けられた複数本の支持部材52、これらの支持部材によって水平に支持された支持定盤50、及び該支持定盤50上に固定され前記第1〜第3反射ミラーMa〜Mcを保持する保持台60によって、照明系保持架台56が構成されている。 Further, a plurality of support members 52 provided on the floor surface F, these support plate 50 is supported horizontally by the support member, and is fixed on the support plate 50 the first to third reflecting mirrors the holding stage 60 for holding the Ma~Mc, illumination system holding frame 56 is configured.

前記露光装置本体部10Bは、図1及び図2に示されるように、レチクルRを保持するレチクルステージRST、前記レチクルRのパターン面で反射された照明光ELをウエハWの被露光面に投射する投影光学系を含む投影ユニットPU、ウエハWが載置されるウエハステージWST、投影ユニットPUを保持するボディとしての本体ボディ26、該ボディ26を構成する鏡筒定盤(メインフレーム)20上に設置され、レチクルステージRST及び投影ユニットPUの下端部近傍の一部を除く残りの部分を取り囲む上側チャンバ42、及び鏡筒定盤20の下面に吊り下げ支持され、ウエハステージWST等を収容する下側チャンバ44を備えている。 The exposure apparatus main unit 10B, as shown in FIGS. 1 and 2 projection, a reticle stage RST that holds a reticle R, a illumination light EL reflected by the pattern surface of the reticle R to be exposed surface of the wafer W a projection unit PU including a projection optical system for wafer stage WST on which a wafer W is mounted, the main body 26 as a body that holds projection unit PU, the barrel base (mainframe) constituting the body 26 20 top is installed in, the upper chamber 42 surrounding the remaining portion except a portion of the lower end vicinity of the reticle stage RST and the projection unit PU, and hung on the lower surface of barrel platform 20 support, to accommodate the wafer stage WST, etc. and a lower chamber 44.

前記上側チャンバ42は、図1及び図2に示されるように、概略直方体状の形状を有し、その内部に投影ユニットPU、後述するアライメント検出系ALG、レチクルステージRST、レチクルステージベース32及び不図示の支持コラム等が収容されている。 The upper chamber 42, as shown in FIGS. 1 and 2, has a substantially rectangular parallelepiped shape, projection unit PU in its interior, which will be described later alignment detection system ALG, a reticle stage RST, reticle stage base 32 and not such support illustrated column is accommodated. この上側チャンバ42の−Y側の側壁の一部(前記ミラーチャンバ40に形成された第2開口48に対向する部分)には、該第2開口48とほぼ同一の大きさ及び形状を有する開口47が形成されている。 This part of the side wall of the -Y side of the upper chamber 42 (portion facing the second opening 48 formed in the mirror chamber 40), an opening having substantially the same size and shape as the second opening 48 47 is formed.

上側チャンバ42とミラーチャンバ40との間には、前述の第2開口48及び開口47の周囲部分に、両チャンバ42、40を接続する伸縮自在のベローズ46が設けられている。 Between the upper chamber 42 and the mirror chamber 40, the peripheral portion of the second opening 48 and the opening 47 of the foregoing, expansion bellows 46 which connects the two chambers 42 and 40 are provided. このベローズ46により、上側チャンバ42の内部空間とミラーチャンバ40の内部空間とが、外部に対してほぼ気密状態で隔離されるとともに、両チャンバ42、40間における振動の伝達が抑制されている。 The bellows 46, the internal space and the internal space of the mirror chamber 40 of the upper chamber 42, along with isolated on substantially airtight to the outside, the transmission of vibration between the two chambers 42 and 40 is suppressed.

前記上側チャンバ42は、該上側チャンバ42と鏡筒定盤20とによって区画される空間等の高真空状態を維持できるように、気密性が高く構成されている。 The upper chamber 42 so as to maintain a high vacuum state such as space defined by said upper chamber 42 and lens barrel base 20, is constructed high air-tightness.

前記レチクルステージRSTは、前述の支持コラム(不図示)によって水平に支持されたレチクルステージベース32上に配置され、レチクルステージ駆動部34(図1では図示せず、図11参照)を構成する例えば磁気浮上型2次元リニアアクチュエータが発生する磁気浮上力によって前記レチクルステージベース32上で浮上支持されている。 The reticle stage RST is placed on the reticle stage base 32 supported horizontally by the aforementioned support columns (not shown), constituting a reticle stage drive section 34 (not shown in FIG. 1, see FIG. 11) for example It is floatingly supported on the reticle stage base 32 by the magnetic levitation force magnetic levitation type two-dimensional linear actuator occurs. レチクルステージRSTは、レチクルステージ駆動部34が発生する駆動力によってY軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、X軸方向及びθz方向(Z軸回りの回転方向)にも微小量駆動されるようになっている。 The reticle stage RST, while being driven at a predetermined stroke in the Y axis direction by the driving force reticle stage drive section 34 is generated, to be driven a small amount in X-axis direction and the θz direction (Z-axis rotation direction) It has become. また、このレチクルステージRSTは、レチクルステージ駆動部34が複数箇所で発生する磁気浮上力の調整によってZ軸方向及びXY面に対する傾斜方向(X軸回りの回転方向であるθx方向及びY軸回りの回転方向であるθy方向)にも微小量だけ駆動可能に構成されている。 Further, the reticle stage RST, [theta] x direction and the Y-axis around a rotational direction of the inclination direction (X-axis with respect to the Z-axis direction and the XY plane by the adjustment of the magnetic levitation force reticle stage drive section 34 is generated at a plurality of points only a very small amount in θy direction) is the rotational direction is drivable configuration.

レチクルステージRSTの下面側に不図示の静電チャック方式(又はメカチャック方式)のレチクルホルダが設けられ、該レチクルホルダによってレチクルRが保持されている。 Reticle holder of an electrostatic chuck method (not shown) on the lower surface side of the reticle stage RST (or mechanical chuck method) is provided, the reticle R is held by the reticle holder. このレチクルRとしては、照明光ELが波長11nmのEUV光であることと対応して反射型レチクルが用いられている。 As the reticle R, which corresponds used reflection type reticle and that the illumination light EL is EUV light having a wavelength of 11 nm. このレチクルRは、そのパターン面が下面となる状態でレチクルホルダによって保持されている。 The reticle R is held by a reticle holder with its patterned surface is a lower surface. このレチクルRは、シリコンウエハ、石英、低膨張ガラスなどの薄い板から成り、その−Z側の表面(パターン面)には、EUV光を反射する反射膜が形成されている。 The reticle R, a silicon wafer, quartz, a thin plate such as low expansion glass, on the surface (pattern surface) of the -Z side, reflective film for reflecting EUV light is formed. この反射膜は、モリブデンMoとベリリウムBeの膜が交互に約5.5nmの周期で、約50ペア積層された多層膜である。 The reflective film is a period of about 5.5nm film molybdenum Mo and beryllium Be is alternately a multilayer film laminated to about 50 pairs. この多層膜は波長11nmのEUV光に対して約70%の反射率を有する。 The multilayer film has a reflectance of about 70% to EUV light having a wavelength of 11 nm.

レチクルRのパターン面に形成された多層膜の上には、吸収層として例えばニッケルNi又はアルミニウムAlが一面に塗布され、その吸収層にパターンニングが施されて回路パターンが形成されている。 On the multilayer film formed on the pattern surface of the reticle R, for example, nickel Ni, aluminum Al as an absorption layer is applied to one side, the circuit pattern patterned is applied to the absorption layer is formed.

レチクルRの吸収層が残っている部分に当たった照明光(EUV光)ELはその吸収層によって吸収され、吸収層の抜けた部分(吸収層が除去された部分)の反射膜に当たった照明光ELはその反射膜によって反射され、結果として回路パターンの情報を含んだ照明光ELがレチクルRのパターン面からの反射光として投影ユニットPUへ向かう。 Illumination light striking the remaining portions absorption layer of the reticle R (EUV light) EL is absorbed by the absorption layer, the illumination impinging on the reflective film missing portion of the absorbent layer (portion where the absorption layer has been removed) light EL is reflected by the reflective film, resulting in the illumination light EL that contains information of the circuit pattern toward the projection unit PU as a reflected light from the pattern surface of the reticle R.

レチクルステージRST(レチクルR)のステージ移動面内での位置(XY面内の位置)は、レチクルステージRSTに設けられた(又は形成された)反射面にレーザビームを投射するレチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)82Rによって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出される。 Position on the stage moving plane of the reticle stage RST (reticle R) (positions in the XY plane) is provided on the reticle stage RST (or formed) by a reticle laser interferometer for projecting a laser beam on the reflecting surface ( hereinafter, the "reticle interferometer") 82R, for example, always detected at a resolution of about 0.5-1 nm. ここで、実際には、レチクル干渉計は、レチクルステージRSTのX軸方向位置(X位置)を計測するレチクルX干渉計とレチクルステージRSTのY軸方向位置(Y位置)を計測するレチクルY干渉計とが設けられているが、図1ではこれらが代表的にレチクル干渉計82Rとして示されている。 Here, in practice, the reticle interferometers reticle Y interferometer that measures the Y-axis direction position of the reticle X interferometer and a reticle stage RST for measuring the X-axis direction position of the reticle stage RST (X position) (Y position) Although the total is provided, in Fig. 1 these are representatively shown as a reticle interferometer 82R. そして、レチクルY干渉計とレチクルX干渉計の少なくとも一方、例えばレチクルY干渉計は、測長軸を2軸有する2軸干渉計であり、このレチクルY干渉計の計測値に基づきレチクルステージRST(レチクルR)のY位置に加え、θz方向(Z軸回りの回転方向)の回転量(ヨーイング量)も計測できるようになっている。 Then, at least one of the reticle Y interferometer and reticle X interferometer, e.g., a reticle Y interferometer, a two-axis interferometer that measurement axes 2 Jikuyu, the reticle Y interferometer based on the measurement values ​​reticle stage RST ( in addition to the Y position of reticle R), the amount of rotation of the θz direction (Z-axis rotation direction) (yawing amount) is also adapted to be measured.

前記レチクルRのZ軸方向の位置及びXY面に対する傾斜(θx、θy方向の回転量)は、レチクルRのパターン面に対し斜め方向(投影光学系の光軸方向に対して所定角度傾斜した方向)から複数の結像光束を照射する送光系13aと、レチクルRのパターン面で反射された各結像光束の反射光束を個別に受光する複数の受光素子を有する受光系13bとから構成される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るレチクルフォーカスセンサ(13a,13b)によって計測(検出)されている。 The position in the Z-axis direction of the reticle R and inclined with respect to the XY plane ([theta] x, the amount of rotation of the θy direction), a direction inclined at a predetermined angle with respect to the optical axis in an oblique direction (a projection optical system with respect to the pattern surface of the reticle R ) and transmitting system 13a for irradiating a plurality of imaging light beam from being configured with reflected light beam of each imaging light beam reflected by the pattern surface of the reticle R and a light receiving system 13b having a plurality of light receiving elements for separately receiving that oblique incidence type multipoint focal position consisting detection system reticle focus sensor (13a, 13b) are measured (detected) by. このレチクルフォーカスセンサ(13a,13b)と同様の構成の多点焦点位置検出系は、例えば特開平6−283403号公報(対応米国特許第5,448,332号)等に詳細に開示されている。 The reticle focus sensor (13a, 13b) multiple point focal point position detection system having the same configuration as is disclosed in detail in, for example, JP-A-6-283403 Publication (corresponding U.S. Pat. No. 5,448,332), etc. .

レチクル干渉計82R及びレチクルフォーカスセンサ(13a,13b)の計測値は、主制御装置120(図11参照)に供給され、該主制御装置120によってそれらレチクル干渉計82R及びレチクルフォーカスセンサ(13a,13b)の計測値に基づいてレチクルステージ駆動部34を介してレチクルステージRSTが駆動されることで、レチクルRの6次元方向の位置及び姿勢制御が行われるようになっている。 Measurement values ​​of the reticle interferometer 82R and the reticle focus sensor (13a, 13b), the main control unit 120 is supplied (see FIG. 11), they reticle interferometer by main controller 120 82R and reticle focus sensor (13a, 13b ) based on the measured values ​​by the reticle stage RST is driven via reticle stage drive section 34, so that the position and attitude control of the 6-dimensional direction of the reticle R is performed.

前記本体ボディ26は、図2に示されるように、床面F上に設けられた複数本(例えば3本又は4本)の支持部材22と、各支持部材22上部にそれぞれ各1つ設けられた複数の防振ユニット24と、該防振ユニット24を介して前記複数本の支持部材22によりほぼ水平に支持された前記鏡筒定盤20と、該鏡筒定盤20の下面に吊り下げ状態で固定された吊り下げコラム43と、鏡筒定盤20の上面に設けられ、前述したレチクルステージベース32を支持する不図示の支持コラムとを備えている。 The main body 26, as shown in FIG. 2, the support member 22 a plurality of which are provided on a floor surface F (for example, three or four), each provided each one in each support member 22 the upper and a plurality of vibration isolation units 24, and the lens barrel surface plate 20 supported almost horizontally by a plurality of support members 22 via-proof vibration unit 24, suspended on the lower surface of the lens barrel surface plate 20 a hanging column 43 fixed in the state, provided on the upper surface of barrel platform 20, and a support column (not shown) which supports the reticle stage base 32 described above.

前記各防振ユニット24は、支持部材22の上部に直列(又は並列)に配置された内圧が調整可能なエアマウントとボイスコイルモータとを含んで構成されている。 Wherein each vibration isolating unit 24, the internal pressure which is arranged in series (or parallel) to the upper portion of the support member 22 is configured to include an air mount and the voice coil motor can be adjusted. 各防振ユニット24のエアマウントによって、床面F及び支持部材22を介して鏡筒定盤20に伝わる床面Fからの微振動がマイクロGレベルで絶縁されるようになっている。 By the air mount Kakubofu unit 24, micro-vibration from the floor surface F transmitted to the lens barrel surface plate 20 through the floor surface F and the support member 22 is adapted to be insulated by a micro G level.

前記鏡筒定盤20は鋳物等から成り、その中央部に形成された平面視(上方から見て)円形の第1開口20aと該第1開口20aから+X方向に所定距離離れた位置に形成された第2開口(不図示)とを有している。 Formed in positions the lens barrel surface plate 20 made of cast or the like, the center portion which is formed in a planar view (when viewed from above) a predetermined distance away from the circular first opening 20a and the first opening 20a in the + X direction It has been the second opening has a (not shown) and.

前記鏡筒定盤20の第1開口20aの内部に、前述の投影ユニットPUが上方から挿入され、鏡筒定盤20上に設けられた3つの防振ユニット(投影ユニットPUの裏側に位置する1つの防振ユニットは不図示)28によって、投影ユニットPUのフランジ部FLG1が下方から3点支持されている。 Inside the first opening 20a of the lens barrel surface plate 20 is disposed on the back side of the above projection unit PU is inserted from above, the three anti-vibration unit provided on the lens barrel base 20 (projection unit PU by one of the image-stabilizing unit is not shown) 28, the flange portion FLG1 of projection unit PU is supported at three points from below. 各防振ユニット28としては、前述の防振ユニット24と同様の構成のものが用いられている。 The Kakubofu unit 28, have been used the same configuration as the vibration isolating unit 24 described above.

前記投影ユニットPUは、図2に示されるように、鏡筒16と、該鏡筒16の内部に同図に示されるような所定の位置関係で上から下に順に配置された、第2ミラーM2、第4ミラーM4、第3ミラーM3及び第1ミラーM1の合計4つのミラー(反射光学素子)から成る投影光学系とを備えている。 The projection unit PU, as shown in FIG. 2, a barrel 16, placed in order from the top down in a predetermined positional relationship as shown in the drawing inside the lens barrel 16, a second mirror M2, the fourth mirror M4, and a projection optical system consisting of a total of four mirrors of the third mirror M3 and the first mirror M1 (reflecting optical element). この投影光学系は、開口数(N.A.)が例えば0.1で、投影倍率が1/4倍に設定されている。 The projection optical system, the numerical aperture (N.A.) in, for example, 0.1, the projection magnification is set to 1/4.

前記第1〜第4ミラーM1〜M4は、いずれも投影ユニットPU(投影光学系)の光軸、すなわち鏡筒16の中心軸に関して回転対称の反射面を有しており、特に第1ミラーM1及び第4ミラーM4の反射面は球面となっている。 The first to fourth mirror M1~M4 are all have the optical axis of the projection unit PU (projection optical system), i.e. the reflecting surface of rotational symmetry with respect to the central axis of the lens barrel 16, particularly the first mirror M1 and a reflective surface of the fourth mirror M4 has a spherical surface. 各反射面の凹凸誤差は設計値に対しRMS値(標準偏差)で0.2nmから0.3nm以下に抑えられている。 Irregularities error of each of the reflecting surfaces is suppressed to 0.3nm or less from 0.2nm in RMS value (standard deviation) with respect to the design value. また、第4ミラーM4には、図2に示されるように、開口が形成されている。 Further, the fourth mirror M4, as shown in FIG. 2, an opening is formed.

また、鏡筒16には、図2及び投影ユニットPU及びミラーユニット14を斜視図にて示す図5から分かるように、周壁の−Y側に開口59aが形成されており、該開口59aを介して、鏡筒16の内側に前述のミラーユニット14を構成する第3反射ミラーMcが挿入されている。 Further, the lens barrel 16, as can be seen from Figure 5 showing the FIG. 2 and the projection unit PU and the mirror unit 14 in a perspective view, an opening 59a is formed on the -Y side of the peripheral wall, through the opening 59a Te, third reflecting mirror Mc constituting the mirror unit 14 of the aforementioned inner barrel 16 is inserted. 更に、鏡筒16の上壁(天井壁)及び底壁には、図2に示されるように、照明光ELの通路となる開口59b,59cが形成されている。 Further, the upper wall (ceiling wall) and the bottom wall of the lens barrel 16, as shown in FIG. 2, the opening 59b of the passage of the illumination light EL, 59c are formed.

このようにして構成された投影ユニットPUによると、図2に示されるように、前述のコンデンサ系を構成する第1反射ミラーMa、第2反射ミラーMbで順次反射された照明光ELが、ミラーチャンバ40の第2開口48、上側チャンバ42の開口47及び鏡筒16の開口59aを順次介して第3反射ミラーMcの反射面に到達し、その反射面で反射、集光された後、鏡筒16の開口59bを介してレチクルRのパターン面(下面)に所定の入射角、例えば50(mrad)で入射する。 Thus was due to projection unit PU is configured, as shown in FIG. 2, the first reflecting mirror Ma constituting the capacitor system described above, it is sequentially reflected illumination light EL by the second reflecting mirror Mb, mirror the second opening 48 of the chamber 40, and reaches the reflective surface of the third reflection mirror Mc sequentially through the opening 59a of the opening 47 and the barrel 16 of the upper chamber 42, reflected by the reflecting surface, after being converged, mirror predetermined incident angle to the pattern surface of the reticle R (the lower surface) through the opening 59b of the tube 16, for example, is incident at 50 (mrad). これにより、レチクルRのパターン面が円弧スリット状の照明光ELにより照明される。 Thus, the pattern surface of the reticle R is illuminated by illumination light EL arc slit-like.

そして、そのレチクルRのパターン面で反射されたレチクルパターンの情報を含む照明光ELは、開口59bを介して鏡筒16内に入射し、第1ミラーM1に到達する。 Then, the illumination light EL that contains information of the reticle pattern reflected by the pattern surface of the reticle R is incident on the lens barrel 16 through the opening 59b, and reaches the first mirror M1. この第1ミラーM1の反射面で反射された照明光ELは、第4ミラーM4の開口を介して第2ミラーM2の反射面に入射し、その反射面で反射され第4ミラーM4の開口を介して第3ミラーM3の反射面に入射する。 The illumination light EL reflected by the reflecting surface of the first mirror M1, through the opening of the fourth mirror M4 is incident on the reflecting surface of the second mirror M2, the aperture of the fourth mirror M4 and is reflected by the reflecting surface incident on the reflecting surface of the third mirror M3 through. その第3ミラーM3の反射面で反射された照明光ELは、第4ミラーM4の反射面で反射され、主光線の向きが鉛直下向きに偏向される。 The illumination light EL reflected by the reflecting surface of the third mirror M3 is reflected by the reflecting surface of the fourth mirror M4, the orientation of the principal ray is deflected vertically downward. そして、この照明光ELは、ウエハW上に投射される。 Then, the illumination light EL is projected onto the wafer W. これによりレチクルパターンの縮小像がウエハW上に形成される。 Thus reduced image of the reticle pattern is formed on the wafer W.

前記鏡筒定盤20の前記第2開口の内部には、図1に示されるように、前記アライメント検出系ALGが上方から挿入され、外周部に設けられたフランジFLG2を介して鏡筒定盤20に固定されている。 Wherein said barrel surface plate 20 to the inside of the second opening, as shown in FIG. 1, the alignment detection system ALG is inserted from above, the lens barrel base via a flange FLG2 provided on an outer peripheral portion and it is fixed to 20. このアライメント検出系ALGとしては、ブロードバンド光をウエハW上のアライメントマーク(又は後述する空間像計測器FM)に照射し、その反射光を受光して画像処理によりマーク検出を行うFIA(Field Image Alignment )方式のアライメントセンサ、レーザ光をウエハW上の回折格子状のアライメントマークに2方向から照射し、発生した2つの回折光を干渉させ、その位相からアライメントマークの位置情報を検出するLIA(Laser Interferometric Alignment)方式のアライメントセンサ、レーザ光をウエハW上のアライメントマークに照射し、回折・散乱された光の強度を利用してマーク位置を計測するLSA(Laser Step Alignment)方式のアライメントセンサやAFM(原子間力顕微鏡)のような走査型プローブ顕微鏡等種々のものを用いるこ As the alignment detection system ALG, irradiated broadband light to the alignment mark on the wafer W (or later-described aerial image measuring instrument FM), FIA (Field Image Alignment performing mark detection by image processing by receiving the reflected light ) scheme alignment sensor, a laser beam is irradiated from two directions on the diffraction grating-shaped alignment marks on the wafer W, by interfering two diffracted light generated, LIA (laser for detecting the position information of the alignment marks from the phase Interferometric alignment) method alignment sensor, a laser beam irradiating the alignment mark on the wafer W, by using the intensity of diffracted and scattered light LSA to measure the mark position (laser Step alignment) system alignment sensor and AFM Mochiiruko having various scanning probe microscope or the like, such as (atomic force microscope) とができる。 Door can be.

さらに、投影ユニットPUの鏡筒16には、不図示の保持部を介してウエハフォーカスセンサ(104a,104b)が一体的に取り付けられている。 Further, the lens barrel 16 of projection unit PU, a wafer focus sensor (104a, 104b) via the holding portion (not shown) is integrally attached. このウエハフォーカスセンサ(104a,104b)としては、投影光学系の光軸に対して所定角度傾斜した方向から被検面(ウエハWの表面)に複数の結像光束を照射する照射系104aと、各結像光束の被検面からの反射光を個別に受光する複数の受光素子を有する受光系104bとを備えた、前述のレチクルフォーカスセンサと同様の構成の多点焦点位置検出系が用いられている。 As the wafer focus sensor (104a, 104b), the illumination system 104a for irradiating a plurality of imaging light beam from a direction inclined at a predetermined angle to the test surface (surface of the wafer W) with respect to the optical axis of the projection optical system, the reflected light from the test surface of each imaging light beam and a light receiving system 104b having a plurality of light receiving elements for separately receiving, used is multiple point focal point position detection system having the same configuration as the reticle focus sensor described above ing. このウエハフォーカスセンサ(104a,104b)によって、投影ユニットPUの鏡筒16を基準とするウエハW表面のZ軸方向の位置及び傾斜量が計測されている。 The wafer focus sensor (104a, 104b), the position and tilt of the Z-axis direction of the wafer W surface relative to the barrel 16 of projection unit PU is measured.

前記吊り下げコラム43は、図2に示されるように、鏡筒定盤20の下面にその一端がそれぞれ接続された複数本の支持部材45と、該複数本の支持部材45の他端がそれぞれ接続され、それらの支持部材45によって鏡筒定盤20の下方で水平になるように吊り下げ支持されたウエハステージベース30とを備えている。 The hanging column 43, as shown in FIG. 2, a plurality of support members 45 of which one end on the lower surface are respectively connected to the lens barrel base 20, the other end of the support member 45 of several plurality respectively are connected, and a wafer stage base 30 that is suspended supported so as to horizontally below the barrel base 20 by their support member 45.

前記ウエハステージWSTは、例えば磁気浮上型2次元リニアアクチュエータから成るウエハステージ駆動部62(図1及び図2では不図示、図11参照)によって上記ウエハステージベース30上に浮上支持されている。 The wafer stage WST, for example, a magnetic levitation type wafer stage drive section 62 comprising a two-dimensional linear actuator (FIG. 1 and not shown in FIG. 2, see FIG. 11) are floatingly supported on the wafer stage base 30 by. ウエハステージWSTは、前記ウエハステージ駆動部62によってX軸方向及びY軸方向に所定ストローク(ストロークは例えば300〜400mmである)で駆動されるとともに、θz方向(Z軸回りの回転方向)にも微小量駆動されるようになっている。 Wafer stage WST, the with wafer stage predetermined stroke in the X-axis and Y-axis directions by the driving unit 62 (the stroke is, for example, 300 to 400 mm) are driven, even in the θz direction (Z-axis rotation direction) It is adapted to be small quantity driven. また、このウエハステージWSTは、ウエハステージ駆動部62によってZ軸方向及びXY面に対する傾斜方向にも微小量だけ駆動可能に構成されている。 Further, the wafer stage WST is only drivable configured small amount in the tilt direction with respect to the Z-axis direction and the XY plane by a wafer stage drive section 62.

ウエハステージWSTの上面には、静電チャック方式の不図示のウエハホルダが載置され、該ウエハホルダによってウエハWが吸着保持されている。 On the upper surface of wafer stage WST, wafer holder (not shown) the electrostatic chuck method is placed, the wafer W is attracted and held by the wafer holder. ウエハステージWSTの位置は、外部に配置されたウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」という)82Wにより、例えば、0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。 Position of wafer stage WST, a wafer laser interferometer disposed outside (hereinafter, "wafer interferometer") by 82W, for example, is constantly detected at a resolution of about 0.5-1 nm. なお、実際には、X軸方向に測長軸を有する干渉計及びY軸方向に測長軸を有する干渉計が設けられているが、図1ではこれらが代表的にウエハ干渉計82Wとして示されている。 In practice, although interferometer having a measurement axis interferometer and Y-axis directions with a measurement axis in the X-axis direction is provided, in Fig. 1 these shows as representatively wafer interferometer 82W It is. それらの干渉計は、測長軸を複数有する多軸干渉計で構成され、ウエハステージWSTのX、Y位置の他、回転(ヨーイング(Z軸回りの回転であるθz回転)、ピッチング(X軸回りの回転であるθx回転)、ローリング(Y軸回りの回転であるθy回転))も計測可能となっている。 These interferometers are constituted by a multi-axis interferometer having a plurality of measurement axes, X of wafer stage WST, other Y position, rotation ([theta] z rotation, which is yawing (the Z-axis rotation), pitching (X-axis θx rotation, which is around a rotation), rolling ([theta] y rotation, which is rotation around the Y-axis)) can also be measured.

ウエハ干渉計82W及びウエハフォーカスセンサ(104a、104b)の計測値は、主制御装置120(図11参照)に供給され、該主制御装置120によってウエハステージ駆動部62が制御され、ウエハステージWSTの6次元方向の位置及び姿勢制御が行われるようになっている。 Measurement values ​​of wafer interferometer 82W and the wafer focus sensor (104a, 104b) is supplied to the main controller 120 (see FIG. 11), the wafer stage drive section 62 is controlled by the main control unit 120, the wafer stage WST the position and attitude control of the 6-dimensional direction is to be carried out.

ウエハステージWST上面の一端部には、レチクルRに形成されたパターンがウエハW面上に投影される位置と後述するアライメント検出系ALGとの相対位置関係の計測(いわゆるベースライン計測)等を行うための空間像計測器FMが設けられている。 At one end of the wafer stage WST top, to measure (the so-called baseline measurement), etc. The relative positional relationship between the alignment detection system ALG which will be described later the position of the pattern formed on the reticle R is projected onto the wafer W surface spatial image measuring instrument FM for is provided. この空間像計測器FMは、従来のDUV露光装置の基準マーク板に相当するものである。 The aerial image measuring instrument FM is equivalent to the reference mark plate of a conventional DUV exposure apparatus.

この空間像計測器FMの上面には、開口としてのスリットが形成されている。 The upper surface of the aerial image measuring instrument FM, slits are formed as openings. このスリットは、ウエハステージWSTの上面に固定された所定厚さの蛍光発生物質の表面に形成されたEUV光の反射層にパターンニングされたものである。 The slits are those patterned to a predetermined thickness reflective layer of the EUV light formed on the surface of the fluorescing substance of which is fixed to the upper surface of wafer stage WST. そのスリットの底面側のウエハステージWSTの内部には、フォトマルチプライヤ等の光電変換素子が配置されている。 Inside of the wafer stage WST on the bottom side of the slit, the photoelectric conversion element such as a photomultiplier is arranged. この配置で、投影光学系を介して上方から空間像計測器FMに照明光ELが照射されると、スリットを透過した照明光ELが蛍光発生物質に到達し、この蛍光発生物質がEUV光に比べて波長の長い光を発する。 In this arrangement, when the illumination light EL from above aerial image measuring instrument FM is irradiated via projection optical system, the illumination light EL having passed through the slit reaches the fluorescing substance, the fluorogenic material to the EUV light compared emits light of long wavelength. この光を光電変換素子によって受光し、その光の強度に応じた検出信号に変換することによって、レチクルパターンのウエハステージWST上での投影位置を容易に求めることができる。 The light received by the photoelectric conversion element, by converting the detection signal corresponding to the intensity of the light, the projection position on the wafer stage WST of the reticle pattern can be easily obtained. なお、反射層に代えてEUV光の吸収層を設け、この吸収層にスリットを形成しても良い。 Note that a absorption layer of the EUV light in place of the reflective layer may be formed a slit in this absorption layer.

前記下側チャンバ44は、上面が開口した概略箱状の形状を有し、上述した吊り下げコラム43を下方から取り囲む状態で、鏡筒定盤20の下面に固定されている。 The lower chamber 44 has an upper surface having an open ended substantially box-like shape, while surrounding the suspension column 43 described above from below, it is fixed to the lower surface of barrel platform 20. この下側チャンバ44は、該下側チャンバ44と鏡筒定盤20とによって区画される閉空間の高真空状態を維持できるように構成されている。 The lower chamber 44 is configured so they can maintain a high vacuum state of the closed space partitioned by the lower side chamber 44 and the lens barrel surface plate 20.

本実施形態の露光装置10では、主制御装置120により、鏡筒定盤20の振動を検出する振動センサSR1(図1では不図示、図11参照)の出力に基づいて、鏡筒定盤20の振動が相殺されるように各防振ユニット24が制御されるとともに、例えば鏡筒定盤20と支持定盤50との間の間隔(ギャップ)を検出するギャップセンサSR2(図1では不図示、図11参照)の出力に基づいて、そのギャップが所望の値となるように各防振ユニット28が制御されるようになっている。 In the exposure apparatus 10 of the present embodiment, the main control unit 120, based on the output of the vibration sensor SR1 for detecting vibration of the lens barrel surface plate 20 (not shown in FIG. 1, see FIG. 11), the barrel base 20 with Kakubofu unit 24 is controlled so that the vibration is canceled, for example barrel base 20 and the support plate 50 not shown in the gap sensor SR2 (Fig. 1 for detecting the interval (gap) between the , based on the output of FIG. 11), Kakubofu unit 28 so that the gap becomes a desired value are controlled. このため、例えばウエハステージWSTの駆動時などに鏡筒定盤20に生じた振動が速やかに減衰されるとともに、異なる架台(ボディ26及び前述の照明系保持架台56)によってそれぞれ支持(保持)された、前述の第1〜第3反射ミラーMa〜Mcと、投影ユニットPU内の投影光学系との位置関係を常に所望の位置関係に維持することが可能になっている。 Thus, for example, with vibration generated in the barrel surface plate 20, such as during driving of the wafer stage WST is attenuated quickly, a different cradle respectively supported by (body 26 and the illumination system holding frame 56 above) (holding) and, it has been possible to maintain the first to third reflecting mirrors Ma~Mc described above, the positional relationship between the projection optical system in the projection unit PU always desired positional relationship.

次に、図6〜図10に基づいて、前記ミラーユニット14の構成等について詳細に説明する。 Next, based on FIGS. 6 10, it will be described in detail, such as construction of the mirror unit 14. ここで、図6には、ミラーユニット14の斜視図が示されている。 Here, in FIG. 6 is a perspective view of the mirror unit 14 is shown.

この図6に示されるように、ミラーユニット14は、図1の支持定盤50上に固定された保持台60と、該保持台60に取り付けられた熱遮断機構としての遮熱機構92(図8参照)と、該遮熱機構92上に所定間隔で設けられた3つの温調機構90a,90b,90c(図9参照)と、温調機構90a,90b,90cそれぞれの上に固定された前述の3つの反射ミラー(第1、第2、第3反射ミラーMa、Mb、Mc)と、を備えている。 As shown in FIG. 6, the mirror unit 14, and the supporter 60 fixed on the support plate 50 in FIG. 1, the heat mechanism 92 (FIG barrier as a heat blocking mechanism mounted on the holder 60 8 reference), three temperature adjustment mechanism 90a provided at predetermined intervals on the shielding heat mechanism 92, 90b, and 90c (see FIG. 9), temperature regulating mechanisms 90a, 90b, 90c fixed on the respective three reflecting mirrors described above (first, second, third reflecting mirror Ma, Mb, Mc) is provided with a, a.

前記保持台60は、該保持台60を取り出して示す図7から分かるように、左右対称の右側壁部124a、左側壁部124bと、両側壁部124a,124bを連結する背面連結部126及び底部連結部128との4つの部分を有する、全体として一体成形された構成部材である。 The holding base 60, as can be seen from Figure 7 showing taken out the holding base 60, right side wall portion 124a of symmetry, the left side wall portion 124b, the rear connecting portions 126 and the bottom connecting both side wall portions 124a, the 124b with four portions of the connecting portion 128 is a structural member that is integrally molded as a whole.

前記右側壁部124aは、前方(−Y側)から後方(+Y側)に行くにつれて、XY面に対する傾斜角度が段階的に大きくなる、3つの斜面部(第1斜面部、第2斜面部、第3斜面部)が連続して形成されている。 The right side wall portion 124a, as the going from the front (-Y side) to the rear (+ Y side), the inclination angle is gradually increased with respect to the XY plane, three slope portion (first inclined surface portion, the second inclined surface portion, the third inclined surface portion) are formed continuously. この右側壁部124aは、側面から見ると、2番目の斜面部までの部分が、概略台形状の形状を有している。 The right side wall portion 124a, when viewed from the side, portions of up to the second inclined surface portion has a shape substantially trapezoidal. 左側壁部124bは、右側壁部124aと左右対称(YZ面に対して対称)の形状を有している。 Left side wall portion 124b has a shape of the right side wall portion 124a and the symmetric (symmetric with respect to the YZ plane).

また、右側壁部124a、左側壁部124b及び背面連結部126は、軽量化のため所々に開口が設けられている。 Also, the right side wall portion 124a, left side wall 124b and the rear coupling portion 126, an opening is provided in some places for weight reduction.

前記遮熱機構92は、保持台60と遮熱機構92のみを取り出して斜視図にて示す図8からわかるように、左右側壁部124a,124b間に配置されている。 The thermal isolation 92, as can be seen from Figure 8 that shows a perspective view taken out only holding stage 60 and the heat insulating mechanism 92, right and left side wall portions 124a, is arranged between 124b. この遮熱機構92は、前述の第1斜面部、第2斜面部、及び第3斜面部にほぼ沿うように折り曲げられた板のような形状を有しており、底部連結部128の前端の一段高い部分で一端が係止され、背面連結部126の上端でその裏面の一部が支持された状態で、保持台60に取り付けられている。 The thermal isolation 92, first inclined surface portion of the aforementioned second inclined surface portion, and has a shape such as a plate which is bent to substantially along the third inclined surface portion, the front end of the bottom connecting part 128 one end is locked in raised portion, in a state where a part of the back surface is supported at the upper end of the rear coupling portion 126 is attached to the holding table 60.

前記第1の温調機構90aは、図6のミラーユニット14から反射ミラーMa〜Mcを取り除いた状態を示す図9からわかるように、遮熱機構92の最も前方側の最も傾斜角度が緩い斜面(便宜上「第1斜面」と呼ぶ)上に固定されている。 It said first temperature adjustment mechanism 90a, as can be seen from Figure 9 showing a condition of removing a reflection mirror Ma~Mc from the mirror unit 14 of FIG. 6, most inclination angle is loose slope most front side of the thermal isolation 92 It is fixed on a (for convenience referred to as "first slope"). 前記第3の温調機構90cは、遮熱機構92の最も後方の最も傾斜角度が急な斜面(便宜上「第3斜面」とよぶ)上に固定されている。 It said third temperature control mechanism 90c is rearmost most inclination angle of the thermal isolation 92 is fixed on the steep slope (for convenience referred to as "third slope"). また、前記第2の温調機構90bは、遮熱機構92の上記第1斜面と第2斜面との間の2番目に傾斜角度が緩い斜面(便宜上「第2斜面」と呼ぶ)上に固定されている。 Further, the second temperature control mechanism 90b is fixed on the second tilt angle to the loose slope between the first slope and a second slope of the thermal isolation 92 (for convenience referred to as a "second slope") It is. なお、遮熱機構92及び第1〜第3の温調機構90a〜90cの具体的な構成については後に詳述する。 It will be described in detail later specific configuration of the thermal isolation 92 and the first to third temperature control mechanism 90 a to 90 c.

前記第1反射ミラーMaは、図6に示されるように、第1の温調機構90a上に配置され、ボイスコイルモータ86a〜86cを介して保持台60の右側壁部124a又は左側壁部124bに接続されている。 The first reflecting mirror Ma, as shown in FIG. 6, the first arranged temperature adjustment mechanism 90a on the right side wall portion 124a of the holder 60 via the voice coil motor 86a~86c or left side wall portion 124b It is connected to the. ボイスコイルモータ86a、86bは、左側壁部124b側に設けられ、ボイスコイルモータ86cは、右側壁部124a側に設けられている。 A voice coil motor 86a, 86b is provided on the left wall 124b side, a voice coil motor 86c is provided on the right side wall 124a side. ボイスコイルモータ86a〜86cのそれぞれは、固定子が保持台60に固定され、可動子が第1反射ミラーMaに固定されている。 Each of the voice coil motor 86a-86c, the stator is fixed to the holder 60, the movable element is fixed to the first reflecting mirror Ma. 前記ボイスコイルモータ86a〜86cのそれぞれは、例えば電機子コイルを含む電機子ユニットから成る固定子と、永久磁石を含む磁極ユニットから成る可動子とを備え、第1反射ミラーMaに対し、X軸方向の駆動力を作用させることにより、第1反射ミラーMaを第1の温調機構90aに接触した状態でX軸方向に微小駆動する。 Each of the voice coil motor 86a-86c, and, for example, a stator comprising an armature unit including the armature coils, and an armature made of a magnetic pole unit includes a permanent magnet, to the first reflecting mirror Ma, X-axis by the action of the direction of the driving force, finely drives the X-axis direction while in contact with the first reflection mirror Ma to the first temperature control mechanism 90a.

前記第1反射ミラーMaは、前述した投影ユニットPU内の投影光学系を構成するミラーと同様に、シリコンウエハ、石英、低膨張ガラスなどの薄い板から成り、その表面には、照明光ELを反射する反射膜が形成されている。 The first reflecting mirror Ma, like the mirrors constituting the projection optical system in the projection unit PU described above, a silicon wafer, quartz, a thin plate such as low expansion glass, and on the surface thereof, the illumination light EL reflective reflecting film is formed. この反射膜は、モリブデンMoとベリリウムBeの膜が交互に約5.5nmの周期で、約50ペア積層された多層膜である。 The reflective film is a period of about 5.5nm film molybdenum Mo and beryllium Be is alternately a multilayer film laminated to about 50 pairs. この多層膜は波長11nmのEUV光に対して約70%の反射率を有している。 The multilayer film has a reflectance of about 70% to EUV light having a wavelength of 11 nm.

前記第2反射ミラーMbは、第2の温調機構90b上に配置され、ボイスコイルモータ87a〜87cを介して保持台60の右側壁部124a又は左側壁部124bに接続されている。 The second reflecting mirror Mb is disposed on the second temperature regulating mechanism 90b, and is connected to the right side wall portion 124a or the left side wall portion 124b of the holder 60 via the voice coil motor 87A~87c. この第2反射ミラーMbは、ボイスコイルモータ87a〜87cによるX軸方向の駆動力により、第2の温調機構90bに接触した状態でX軸方向に微小駆動可能とされている。 The second reflecting mirror Mb is driven by force of X-axis direction by the voice coil motor 87A~87c, there is a small drivable in the X-axis direction in contact with the second temperature control mechanism 90b. この第2反射ミラーMbは、上記第1反射ミラーMaと同様の素材から成り、その表面には、同様の反射膜が形成されている。 The second reflecting mirror Mb is made of the same material as the first reflecting mirror Ma, on its surface, similar reflecting film is formed.

前記第3反射ミラーMcは、第3の温調機構90c上に配置され、ボイスコイルモータ88a〜88cを介して保持台60の右側壁部124a又は左側壁部124bに接続されている。 The third reflecting mirror Mc is disposed in a third temperature control mechanism 90c on and connected to the right side wall portion 124a or the left side wall portion 124b of the holder 60 via the voice coil motor 88a-88c. この第3反射ミラーMcは、その固定子が保持台60に固定されたボイスコイルモータ88a〜88cによるX軸方向の駆動力により、第3の温調機構90cに接触した状態でX軸方向に微小駆動可能とされている。 The third reflecting mirror Mc is the driving force of the X-axis direction in which the stator according to the voice coil motor 88a~88c fixed to the holding base 60, the X-axis direction in contact with the third temperature control mechanism 90c there is a small drivable. この第3反射ミラーMcは、上記第1反射ミラーMaと同様の素材から成り、その表面には、同様の反射膜が形成されている。 The third reflecting mirror Mc is made of the same material as the first reflecting mirror Ma, on its surface, similar reflecting film is formed.

上記の説明から明らかなように、本実施形態では、ボイスコイルモータ86a〜86c、87a〜87c、88a〜88cによって、第1〜第3反射ミラーMa〜Mcと一体的に照明系保持架台56を構成する保持台60に保持される保持・調整機構が構成されている。 As apparent from the above description, in the present embodiment, the voice coil motor 86a-86c, 87A~87c, by 88a-88c, the first to third reflecting mirrors Ma~Mc integrally with the illumination system holding frame 56 holding and adjusting mechanism which is held in the holder 60 constituting is configured.

図10には、第1〜第3反射ミラー(Ma〜Mc)、第1〜第3の温調機構(90a〜90c)及び遮熱機構92を+X側から見た図が概略的に示されている。 Figure 10 is a first to third reflecting mirrors (Ma~Mc), figure viewed from the first to third temperature control mechanism (90 a to 90 c) and a thermal isolation 92 + X side of the schematically illustrated ing. この図10から分かるように、第1〜第3の温調機構90a〜90cのそれぞれは、例えば、ペルチェ素子から構成されている。 As can be seen from FIG. 10, each of the first to third temperature regulating mechanisms 90 a to 90 c, for example, and a Peltier element. このペルチェ素子は、異種の金属の接触面を通じて電流が流れたときに、その電流の方向により熱が発生したり吸収されたりする現象であるペルチェ効果を利用した温度調節装置であり、ペルチェ素子に接続された電気配線を介して所定の電流が供給されることにより、第1〜第3反射ミラーMa〜Mcが冷却されるようになっている。 The Peltier device, when the current flows through the contact surfaces of the dissimilar metals, a temperature control device utilizing the Peltier effect is a phenomenon in which heat by the direction of the current is or is absorbed or generated, the Peltier element by a predetermined current is supplied through a connected electric wiring, first to third reflecting mirrors Ma~Mc is adapted to be cooled. このペルチェ素子への電流の供給は、例えば、ミラー裏面側に設けられた温度センサSR3(図10では不図示、図11参照)の出力に基づいて、主制御装置120により制御されている(図11参照)。 Current supply to the Peltier device, for example, a temperature sensor SR3 provided on the mirror back surface side (in FIG. 10 not shown, see FIG. 11) based on the output of, being controlled by the main controller 120 (FIG. 11 reference). なお、温度センサSR3に代えて、例えば主制御装置120がミラーの温度変化を予測し、その予測結果に応じてペルチェ素子への電流の供給を制御することとしても良い。 Instead of the temperature sensor SR3, for example the main controller 120 predicts the temperature change of the mirror, it is also possible to control the supply of current to the Peltier element according to the prediction result.

遮熱機構92は、一例として、本体部材73と、該本体部材73内部全体にわたって敷設された液体配管72とを有している。 Thermal isolation 92, as an example, has a body member 73, and a liquid pipe 72 laid over the inner body member 73. 遮熱機構92では、液体配管72に対し、液体供給装置172(図11参照)から冷却液体が供給されることにより、温調機構(ペルチェ素子)90a〜90cと遮熱機構92との間で熱伝導による熱交換が行われる。 In thermal isolation 92, to the liquid piping 72, by the cooling liquid is supplied from the liquid supply device 172 (see FIG. 11), temperature adjustment mechanism between (Peltier element) 90 a to 90 c and the thermal isolation 92 heat exchanger by heat conduction takes place. これにより、温調機構(ペルチェ素子)90a〜90cの裏面側が冷却され、その温度上昇が抑制される。 Thus, the back surface side of the temperature adjustment mechanism (Peltier device) 90 a to 90 c is cooled, the temperature rise is suppressed. この場合、液体供給装置172の冷却液体の流量制御等は、図11の主制御装置120により行われる。 In this case, the flow rate control of the cooling liquid of the liquid supply apparatus 172 is performed by the main controller 120 of FIG. 11.

このようにして構成されるミラーユニット14では、第1〜第3反射ミラーMa〜Mcに照明光ELが入射することにより発熱した場合であっても、温調機構(ペルチェ素子)90a〜90cの冷却機能により、第1〜第3反射ミラーMa〜Mcを冷却することが可能であり、また、これによりペルチェ素子90a〜90cの裏面側が温度上昇しても、遮熱機構92の液体配管72内の液体がその熱を吸収して高温の液体となって外部に排出されるので、ミラーユニット14周囲への熱の伝達がほぼ遮断されるようになっている。 In the mirror unit 14 constituted this way, even when the heat generation by the illumination light EL to the first to third reflecting mirrors Ma~Mc is incident, temperature adjustment mechanism (Peltier device) 90 a to 90 c of the cooling function, the first to third it is possible to cool the reflecting mirror Ma~Mc, also thereby be the rear surface side of the Peltier element 90a~90c rises temperature, the thermal isolation 92 liquid pipe 72 since liquid is discharged to the outside become a hot liquid absorbs the heat, the heat transmission to the mirror unit 14 periphery is adapted to be substantially blocked.

図11には、本実施形態に係る露光装置10の制御系の主要な構成が示されている。 Figure 11 is a main configuration of a control system of an exposure apparatus 10 according to this embodiment. この制御系は、装置全体を統括的に制御する主制御装置120を中心として構成されている。 The control system is mainly configured of main controller 120 for centrally controlling the entire apparatus.

次に、上述のように構成された本実施形態に係る露光装置10による露光動作について説明する。 Next, a description will be given of an exposure operation by the exposure apparatus 10 according to the present embodiment configured as described above.

まず、不図示のレチクル搬送系によりレチクルRが搬送され、ローディングポジションにあるレチクルステージRSTに吸着保持される。 First, the reticle R is transferred by a reticle transfer system (not shown) is attracted and held by the reticle stage RST in the loading position. 次に、主制御装置120により、ウエハステージWST、及びレチクルステージRSTの位置が制御され、レチクルR上に形成された不図示のレチクルアライメントマークのウエハW面上への投影像が空間像計測器FMを用いて検出され、レチクルアライメントマークのウエハW面上への投影位置が求められる。 Next, the main control unit 120, the wafer stage WST, and positions of the reticle stage RST is controlled, the projected image is an aerial image measuring instrument onto the wafer W surface of the reticle alignment mark (not shown) formed on the reticle R detected using FM, projection position onto the wafer W surface of the reticle alignment mark is determined. すなわち、レチクルアライメントが行われる。 In other words, the reticle alignment is performed.

次に、主制御装置120によって、空間像検出器FMがアライメント検出系ALGの直下へ位置するように、ウエハステージWSTが移動され、アライメント検出系ALGの検出信号及びその時のウエハ干渉計82Wの計測位置に基づいて、間接的にレチクルRのパターン像のウエハW面上への結像位置とアライメント検出系ALGの相対距離、すなわちベースライン距離が求められる。 Next, the main control unit 120, so that the spatial image detector FM located directly below the alignment detection system ALG, a wafer stage WST is moved, the measurement of the detection signal and the wafer interferometer 82W at that time of the alignment detection system ALG based on the location, indirectly imaging position and alignment detection system relative distance ALG onto the wafer W surface of the pattern image of the reticle R, that is, the baseline distance is determined.

かかる、ベースライン計測が終了すると、主制御装置120により、ウエハアライメント(例えばEGAなど)が行われ、ウエハW上の全てのショット領域の位置情報(例えばウエハ干渉計の測長軸で規定されるステージ座標系上の位置座標)が求められる。 Such, the baseline measurement is completed, the main control unit 120, wafer alignment (such as EGA) is performed, and is defined by the position information (e.g., measurement of wafer interferometer long axis of all the shot areas on the wafer W position on the stage coordinate system coordinates) are determined.

そして、その後、主制御装置120の管理の下、上記のベースラインの計測結果とウエハアライメント結果とを用いて、ウエハW上の各ショット領域の露光のための走査開始位置(加速開始位置)にウエハステージWSTを移動させる動作と、そのショット領域に対して走査露光方式でレチクルパターンを転写する動作とを、交互に繰り返す、ステップ・アンド・スキャン方式の露光が通常のスキャニング・ステッパ(スキャナ)と同様に行われる。 Thereafter, under the control of main controller 120, by using the measurement result and the wafer alignment results of the baseline, the scan starting position for exposure of each shot area on the wafer W (acceleration starting position) the operation of moving the wafer stage WST, the act of transferring a reticle pattern in the scanning exposure method with respect to the shot area are repeated alternately, the exposure by the step-and-scan method the normal scanning stepper (scanner) It is similarly performed.

以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置10によると、照明光ELをレチクルRに対して所定の入射角で入射させる特定ミラーとしての第3反射ミラーMcを含む照明光学系の一部が、レチクルRから射出された照明光ELをウエハW上に投射する投影ユニットPU等が保持される本体ボディ26とは、物理的に分離された照明系保持架台56を構成する保持台60により保持されている。 As described above in detail, according to exposure apparatus 10 of the present embodiment, the illumination optical system including a third reflection mirror Mc of the illumination light EL as a particular mirror for incident at a predetermined incident angle with respect to the reticle R one part is, holder illumination light EL emitted from the reticle R and the main body 26 of projection unit PU or the like is held for projecting on the wafer W constitutes an illumination system holding frame 56 that is physically separated 60 It is held by. このため、第3反射ミラーMcが投影ユニットPUの鏡筒の内部に配置されているにも拘わらず、第3反射ミラーMcに照明光ELの照射に起因する発熱(温度上昇)が発生しても、その熱が投影ユニットPU内の投影光学系を構成する光学部材(ミラーM1〜M4)に熱伝導によって伝播するのが抑制される。 Therefore, despite the third reflecting mirror Mc is disposed inside the barrel of projection unit PU, heat generation resulting from the irradiation of the illumination light EL to the third reflecting mirror Mc (temperature rise) occurs also, to propagate by thermal conduction is suppressed in the optical member (mirror M1 to M4) whose heat is the projection optical system in the projection unit PU. これにより、ミラーM1〜M4の熱変形に起因する投影光学系の光学性能(結像特性を含む)の低下を効果的に抑制して、長期間に渡り、その投影光学系を用いて、高精度な露光(ウエハWへのレチクルパターンの転写)を実現することが可能となる。 Thus, the reduction projection optical system of the optical performance due to the thermal deformation of the mirror M1 to M4 (including the imaging characteristics) was effectively inhibited, over a long period of time, using the projection optical system, high it is possible to realize the accurate exposure (transfer of the reticle pattern to the wafer W).

また、本実施形態では、第1反射ミラーMa、第2反射ミラーMb,第3反射ミラーMcを駆動するボイスコイルモータ86a〜86c、87a〜87c、88a〜88cから成る保持・調整機構が設けられているので、レチクルRに入射する照明光ELの入射角度の調整が可能であり、結果的に露光精度(重ね合わせ精度)を維持することができる。 Further, in the present embodiment, the first reflecting mirror Ma, second reflecting mirror Mb, voice coil motors 86a-86c, 87A~87c, the holding-adjusting mechanism consisting 88a~88c provided for driving the third reflecting mirror Mc since it is, it is possible to adjust the incidence angle of the illumination light EL that is incident on reticle R, can be maintained as a result, the exposure accuracy (overlay accuracy). また、保持・調整機構(ボイスコイルモータ86a〜86c、87a〜87c、88a〜88c)を備えるミラーユニット14は、投影ユニットPUを支持する本体ボディ26とは、物理的に分離された保持台60にて保持されているので、第1反射ミラーMa、第2反射ミラーMb,第3反射ミラーMcの駆動力の反力が投影ユニットPUへ伝達されることがなく、その投影ユニットの振動要因となることがない。 Also, holding and adjusting mechanism (voice coil motor 86a~86c, 87a~87c, 88a~88c) mirror unit 14 comprising a can, the main body 26 which supports the projection unit PU, the holding base 60 that is physically separated because it is held by the first reflecting mirror Ma, second reflecting mirror Mb, the reaction force of the driving force of the third reflection mirror Mc is without being transmitted to the projection unit PU, and the vibration causes the projection unit It is not to become. 同様に、床振動がミラーユニット14に伝達されても、その振動が、投影ユニットPUへ伝達されることはない。 Likewise, floor vibration is transmitted to the mirror unit 14, the vibration is not transmitted to the projection unit PU.

また、本実施形態では、第1、第2、第3反射ミラーMa、Mb、Mcの裏面側に温調機構(ペルチェ素子)90a、90b、90cを備えていることから、第1、第2、第3反射ミラーMa、Mb、Mcに照明光ELが入射することによる第3反射ミラーMcの発熱の周辺部材への影響を極力抑制することができる。 Further, in the present embodiment, first, second, third reflecting mirror Ma, Mb, temperature control mechanism on the back side of the Mc (Peltier element) 90a, 90b, since it has a 90c, first, second can the third reflecting mirror Ma, Mb, illumination light EL in Mc utmost to suppress due to the heating of the peripheral members of the third reflection mirror Mc being incident.

更に、本実施形態では、温調機構(ペルチェ素子)90a、90b、90cの第1、第2、第3反射ミラーMa、Mb、Mcとは反対側に遮熱機構92が設けられているので、ペルチェ素子による第1、第2、第3反射ミラーMa、Mb、Mcの冷却に起因してペルチェ素子の裏面側に生じる熱が、周辺の部材に伝達するのを抑制することが可能である。 Further, in the present embodiment, temperature control mechanism (Peltier element) 90a, 90b, the first 90c, second, third reflecting mirror Ma, Mb, since thermal isolation 92 is provided on the side opposite to the Mc , first by the Peltier element, the second, third reflecting mirror Ma, Mb, heat generated on the back side of the Peltier element due to the cooling of Mc is, it is possible to suppress the transmission to the periphery of the member .

更に、本実施形態の露光装置10によると、極めて波長の短い照明光ELを露光光として用い、色収差のないオール反射の投影ユニットPUを介してレチクルRのパターンがウエハW上に転写されるので、レチクルR上の微細パターンをウエハW上の各ショット領域に高精度に転写することができる。 Further, according to exposure apparatus 10 of the present embodiment, using a very short illumination light EL wavelength as the exposure light, since the pattern of the reticle R is transferred onto the wafer W through the projection unit PU of the achromatic ol reflection it can be transferred with high precision fine pattern on the reticle R onto each shot area on the wafer W. 具体的には、最小線幅70nm程度の微細パターンの高精度な転写が可能である。 Specifically, it is possible to accurately transfer the minimum line width 70nm about a fine pattern.

なお、上記実施形態では、特定ミラーとしての第3反射ミラーMcを、投影ユニットPU内に配置する場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、レチクルRに対して所定角度でEUV光を入射させることができるのであれば、投影ユニットの外部に特定ミラーを配置することとしても良い。 In the above embodiment, the third reflecting mirror Mc as the specific mirror, a case has been described in which positioned within projection unit PU, but the present invention is limited thereto, at a predetermined angle with respect to the reticle R if it can be made to enter the EUV light, it is also possible to arrange a specific mirror to the outside of the projection unit.

なお、上記実施形態では、ミラーユニット14として3枚の反射ミラーを有する場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、光源から射出されたEUV光をレチクルRに導くことができれば、反射ミラーの数は何枚であっても良い。 In the above embodiment has described a case having a reflective mirror of the three as a mirror unit 14, but the present invention is limited thereto, if it is possible to guide the EUV light emitted from the light source to the reticle R , the number of the reflection mirror may be a number of sheets.

また、上記実施形態では、ミラーユニットを構成する反射ミラーのそれぞれにボイスコイルモータ(駆動機構)、温調機構としてのペルチェ素子、及び熱遮断機構としての熱交換器を設けることとしたが、本発明がこれに限られるものではなく、反射ミラーの少なくとも1つに駆動機構、ペルチェ素子、及び熱交換機構のうちの少なくとも一つを設けることとしても良い。 In the above embodiment, the voice coil motor (drive mechanism) to each of the reflecting mirrors constituting the mirror unit, a Peltier element as a temperature adjustment mechanism, and it is assumed that providing a heat exchanger as a heat blocking mechanism, the invention is not limited thereto, at least one drive mechanism of the reflecting mirror, the Peltier device, and may be provided at least one of the heat exchange system. また、全ての反射ミラーに、駆動機構、ペルチェ素子及び熱交換機構の全てを設けないこととしても良い。 Further, all of the reflecting mirror, the drive mechanism, it is also possible not to provide all of the Peltier element and heat exchange system.

なお、上記実施形態では、ミラーチャンバ40と上側チャンバ42との間にベローズを設けることとしたが、本発明がこれに限られるものではなく、特定ミラーに発生する熱の、投影ユニットPU内のミラーへの伝達の抑制の観点からは、必ずしもベローズを設けなくても良い。 In the above embodiment, it is assumed that providing a bellows between the mirror chamber 40 and the upper chamber 42, but the present invention is limited thereto, the heat generated to a particular mirror, in the projection unit PU from the viewpoint of suppressing the transmission of the mirror, not necessarily provided a bellows.

なお、上記実施形態では、本体ボディ26が防振ユニットを備える場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、例えば、照明系保持架台56側にも床面F及び支持部材52を介して支持定盤50に伝わる床面Fからの振動がマイクロGレベルで絶縁するための防振ユニットを設けても良い。 In the above embodiment, the case has been described where the main body 26 is provided with a vibration isolating unit, but the present invention is limited thereto, for example, the floor F in the illumination system holding frame 56 side and the support member 52 vibration from the floor F transmitted to the supporting plate 50 via a may be provided an anti-vibration unit for insulating a micro G level. この場合の防振ユニットとして、パッシブな防振ユニットを採用しても良いし、前述した防振ユニット24と同様の構成のアクティブな防振ユニットを採用しても良い。 The as anti-vibration unit in the case, may adopt a passive anti-vibration unit may be employed an active vibration isolation units having the same structure as the vibration isolating unit 24 described above.

また、上記実施形態では、ミラーユニット14は3枚の反射ミラーで構成されているが、本発明がこれに限られるものではなく、光源からミラーユニット14に入射した照明光が、所定の入射角でレチクルRに入射することができればよい。 Further, in the above embodiment, the mirror unit 14 is constituted by three reflection mirrors, but the present invention is limited thereto, the illumination light incident from the light source to the mirror unit 14, the predetermined angle of incidence in only it has to be incident on the reticle R. 従って、ミラーの数などに関しては任意に設定することができる。 Therefore, with respect to such as the number of mirrors can be arbitrarily set.

なお、上記実施形態では、露光光としてEUV光を用い、4枚のミラーのみから成るオール反射の投影光学系を用いる場合について説明したが、これは一例であって、本発明がこれに限定されないことは勿論である。 In the above embodiment, using EUV light as the exposure light has been described the case of using an all-reflective projection optical system comprising only four mirrors, this is only an example, not the present invention is not limited thereto it is a matter of course. すなわち、例えば、6枚のミラーのみから成る投影光学系を備えた露光装置は勿論、光源に波長100〜160nmのVUV光源、例えばAr 2レーザ(波長126nm)を用い、4〜8枚のミラーを有する投影光学系などを用いることもできる。 That is, for example, not only an exposure apparatus having a projection optical system consisting only of six mirrors, VUV light source of wavelength 100~160nm the light source, for example, using the Ar 2 laser (wavelength 126 nm), the 4-8 mirrors It can also be used such as a projection optical system having. また、投影光学系としては、レンズのみから成る屈折系の投影光学系、レンズを一部に含む反射屈折系の投影光学系のいずれであっても良い。 Further, as the projection optical system, lens refractive system of the projection optical system consisting only of lenses may be either a projection optical system of the catadioptric system that includes a part.

なお、上記実施形態では、露光光として波長11nmのEUV光を用いる場合について説明したが、これに限らず、露光光として波長13nmのEUV光を用いても良い。 In the above embodiment has described the case of using EUV light having a wavelength of 11nm as the exposure light is not limited thereto, may be used EUV light having a wavelength of 13nm as the exposure light. この場合には、波長13nmのEUV光に対して約70%の反射率を確保するため、各ミラーの反射膜としてモリブデンMoとケイ素Siを交互に積層した多層膜を用いる必要がある。 In this case, to ensure the reflectance of about 70% to EUV light having a wavelength of 13 nm, it is necessary to use a multilayer film formed by alternately laminating molybdenum (Mo) and silicon Si as a reflection film of each mirror.

また、上記実施形態では、露光光源としてSOR(Synchrotron Orbital Radiation)を用いるものとしたが、これに限らず、レーザ励起プラズマ光源、ベータトロン光源、ディスチャージド光源、X線レーザなどのいずれを用いても良い。 In the above embodiment, it is assumed to use a SOR (Synchrotron Orbital Radiation) as the exposure light source is not limited thereto, laser-excited plasma light source, betatron light source, discharge de sources, any X-ray laser with it may be.

《デバイス製造方法》 "Device manufacturing method"
次に上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用するデバイスの製造方法の実施形態について説明する。 Next will be described an embodiment of a device manufacturing method for use in a lithographic process the above-described exposure apparatus.

図12には、デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートが示されている。 FIG 12, the device (IC or LSI, etc. of the semiconductor chip, a liquid crystal panel, CCD, thin film magnetic head, micromachine, or the like) is a flow chart an example of manufacturing shown. 図12に示されるように、まず、ステップ201(設計ステップ)において、デバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。 As shown in FIG. 12, first, in step 201 (design step), function and performance design of device (e.g., circuit design of semiconductor device) is performed, and pattern design to realize the function. 引き続き、ステップ202(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。 In step 202 (mask manufacturing step), a mask formed with a designed circuit pattern. 一方、ステップ203(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。 On the other hand, in step 203 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using materials such as silicon.

次に、ステップ204(ウエハ処理ステップ)において、ステップ201〜ステップ203で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。 Next, in step 204 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in steps 201 to 203, as described below, the actual circuit and the like are formed on the wafer by lithography or the like. 次いで、ステップ205(デバイス組立てステップ)において、ステップ204で処理されたウエハを用いてデバイス組立てを行う。 Then, in step 205 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step 204. このステップ205には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。 The step 205, a dicing process, a bonding process, and packaging process (chip encapsulation) are included as needed.

最後に、ステップ206(検査ステップ)において、ステップ205で作成されたデバイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。 Finally, in step 206 (inspection step), the operation confirmation test device made in Step 205, the inspection of such durability test performed. こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。 Device is completed After these steps and shipped.

図13には、半導体デバイスにおける、上記ステップ204の詳細なフロー例が示されている。 Figure 13 is the semiconductor device, a detailed flow example of step 204 is shown. 図13において、ステップ211(酸化ステップ)においてはウエハの表面を酸化させる。 13, the surface of the wafer is oxidized at step 211 (oxidation step). ステップ212(CVDステップ)においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。 In step 212 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. ステップ213(電極形成ステップ)においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。 In step 213 (electrode formation step) formed by depositing an electrode on the wafer. ステップ214(イオン打ち込みステップ)においてはウエハにイオンを打ち込む。 In step 214 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. 以上のステップ211〜ステップ214それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 Each above steps 211 to step 214 constitutes the pre-process in each step of wafer processing, it is selectively executed in accordance with the processing required in each step.

ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。 In the respective steps in the wafer process, the above pre-process is completed, post-process is executed as follows. この後処理工程では、まず、ステップ215(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。 In this post-process, first in step 215 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. 引き続き、ステップ216(露光ステップ)において、上で説明した露光装置10によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。 Subsequently, in step 216 (exposure step), the exposure apparatus 10 described above to transfer the circuit pattern of the mask on the wafer. 次に、ステップ217(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップ218(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。 Next, the exposed wafer is developed at step 217 (development step), in step 218 (etching step), the resist is removed by etching an exposed member of an area other than the area remaining. そして、ステップ219(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。 Then, in step 219 (resist removing step), the unnecessary resist after etching.

これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。 By repeatedly performing these pre-process and post-process, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程(ステップ216)において上記実施形態の露光装置が用いられるので、ウエハ上に形成されるパターンの転写像におけるパターン忠実度の劣化を無視できる程度に抑え、全体としての像のぼけを極力抑え、パターンを所望の線幅で転写することが可能となる。 By using the device manufacturing method of the embodiment described above, because the exposure apparatus in the embodiment above is used in the exposure process (step 216), ignoring the pattern fidelity degradation of a transferred image of the pattern formed on the wafer suppressed to the extent possible, minimizing the blurring of the image as a whole, it is possible to transfer the pattern with a desired line width. 従って、チップ内のパターンの線幅均一性が良好な電子デバイスの製造が可能になり、結果的に集積度の高い電子デバイスの生産性(歩留まりを含む)を向上させることが可能になる。 Accordingly, the line width uniformity of the pattern in the chip becomes possible to manufacture a good electronic device, it is possible to improve the result in highly integrated electronic devices productivity (including the yield).

本発明の露光装置は、反射型マスクを介した照明光で感光物体を露光し、前記反射型マスクに形成されたパターンを前記感光物体上に転写するのに適している。 The exposure apparatus of the present invention is suitable for exposing the photosensitive object with illumination light through the reflective mask was formed on the reflection type mask pattern to transfer onto the photosensitive object. また、本発明のデバイス製造方法は、半導体素子等のデバイスを製造するのに適している。 Further, the device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing devices such as semiconductor devices.

本発明の一実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。 Is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1の露光装置を示す縦断面図である。 It is a longitudinal sectional view showing an exposure apparatus of FIG. 照明系の構成を示す図である。 It is a diagram showing a configuration of the illumination system. 図4(A)は、図3の第1のフライアイミラー116Aを示す図であり、図4(B)は、図3の第2のフライアイミラー116Bを示す図であり、図4(C)は、両フライアイミラーの作用を説明するための図である。 4 (A) is a diagram showing a first fly-eye mirror 116A of FIG. 3, FIG. 4 (B) is a diagram showing a second fly-eye mirror 116B in FIG. 3, FIG. 4 (C ) is a diagram for explaining the operation of both fly-eye mirror. 図1の投影ユニットとミラーユニットとを示す斜視図である。 It is a perspective view showing a projection unit and a mirror unit in FIG. 図5のミラーユニットを示す斜視図である。 It is a perspective view showing a mirror unit in FIG. 図5のミラーユニットを構成する保持台を示す斜視図である。 Is a perspective view showing a holder constituting a mirror unit in FIG. 図7の保持台に、遮熱機構が設けられた状態を示す斜視図である。 The holder of FIG. 7 is a perspective view showing a state in which the thermal isolation is provided. 図6のミラーユニットから反射ミラーMa〜Mcをボイスコイルモータとともに取り外した状態を示す斜視図である。 The reflection mirror Ma~Mc from the mirror unit of FIG. 6 is a perspective view showing a state removed with a voice coil motor. ミラーユニットを構成する反射ミラーのX方向視概略図である。 An X-direction as viewed schematic view of a reflection mirror constituting the mirror unit. 一実施形態の制御系を示すブロック図である。 It is a block diagram showing a control system of an embodiment. 本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。 Is a flow chart for explaining an embodiment of a device manufacturing method according to the present invention. 図12のステップ204の詳細を示すフローチャートである。 It is a flowchart showing details of step 204 in FIG. 12.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10…露光装置、26…本体ボディ(ボディ)、56…照明系保持架台、86a〜88c…ボイスコイルモータ(保持・調整機構)、90a〜90c…温調機構、92…熱遮断機構)、EL…EUV光(照明光)、Mc…第3反射ミラー(特定ミラー)、PU…投影ユニット、R…レチクル(反射型マスク)、W…ウエハ(感光物体)。 10 ... exposure apparatus, 26 ... main body (body), 56 ... illumination system holding frame, 86A~88c ... voice coil motor (holding and adjusting mechanism), 90 a to 90 c ... temperature adjustment mechanism, 92 ... thermal shutdown mechanism), EL ... EUV light (illumination light), Mc ... third reflecting mirror (specific mirror), PU ... projection unit, R ... reticle (reflection type mask), W ... wafer (photosensitive object).

Claims (8)

  1. 反射型マスクを介した照明光で感光物体を露光し、前記反射型マスクに形成されたパターンを前記感光物体上に転写する露光装置であって、 A reflective mask is exposed a photosensitive object with illumination light through the exposure apparatus for transferring a pattern formed on the reflective mask onto the photosensitive object,
    照明光を前記反射型マスクに対して所定の入射角で入射させる特定ミラーを含む照明光学系と; The illumination light to the reflection type mask and an illumination optical system including a specific mirror to be incident at a predetermined incident angle;
    前記反射型マスクから射出された前記照明光を感光物体上に投射する投影光学系を有する投影ユニットと; A projection unit having a projection optical system for projecting the said illumination light emitted from the reflection type mask onto a photosensitive object;
    前記投影ユニットを保持するボディと; A body for holding said projection unit;
    前記照明光学系を構成する前記特定ミラーを含む複数の光学部材を保持し、前記ボディとは物理的に分離した照明系保持架台と;を備える露光装置。 A plurality of holding the optical member, and the illumination system holding frame physically separate from said body containing the specific mirror which constitutes the illumination optical system; an exposure apparatus equipped with.
  2. 前記特定ミラーは前記投影ユニットを構成する鏡筒内に配置され、 The specific mirror is disposed in the lens barrel constituting the projection unit,
    前記照明光は、前記鏡筒に形成された開口を介して前記特定ミラーに入射し、前記反射型マスクに向けて反射されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 The illumination light, an exposure apparatus according to claim 1 through an opening formed in the lens barrel enters the particular mirror, characterized in that it is reflected toward the reflective mask.
  3. 前記複数の光学部材と一体的に前記照明系保持架台に保持される保持・調整機構を更に備える請求項1又は2に記載の露光装置。 Wherein the plurality of optical members and an exposure apparatus according to claim 1 or 2 further comprising a holding and adjusting mechanism which is held integrally with said illumination system holding frame.
  4. 前記複数の光学部材と一体的に前記照明系保持架台に保持される温調機構を更に備える請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置。 Wherein the plurality of optical members and an exposure apparatus according to claim 1, further comprising a temperature control mechanism to be held integrally with said illumination system holding frame.
  5. 前記複数の光学部材と一体的に前記照明系保持架台に保持される熱遮断機構を更に備える請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1 further comprising a thermal cut-off mechanism which is held in the plurality of optical members integrally with the illumination system holding frame.
  6. 前記照明光学系及び前記投影光学系が、ともに反射光学系であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置。 The illumination optical system and the projection optical system, both the exposure apparatus according to any one of claims 1-5, characterized in that the reflecting optical system.
  7. 前記照明光は、極端紫外光であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置。 The illumination light, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the extreme ultraviolet light.
  8. リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、 A device manufacturing method including a lithographic process,
    前記リソグラフィ工程で、請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置を用いて感光物体を露光することを特徴とするデバイス製造方法。 Wherein in the lithography process, a device manufacturing method characterized by exposing a photosensitive object using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7.
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