JP2001102279A - Stage device and aligner - Google Patents

Stage device and aligner

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JP2001102279A
JP2001102279A JP27345599A JP27345599A JP2001102279A JP 2001102279 A JP2001102279 A JP 2001102279A JP 27345599 A JP27345599 A JP 27345599A JP 27345599 A JP27345599 A JP 27345599A JP 2001102279 A JP2001102279 A JP 2001102279A
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Japan
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stage
speed
reticle
wafer
vibration
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Masato Takahashi
正人 高橋
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Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform high-precision position control, while avoiding the influence of vibration. SOLUTION: Devices are equipped with a stage main body 2 which holds a sample and moves, speed detection parts 54 to 56 which are provided to the stage main body 2 and detect information regarding the speed of the stage main body 2, and a speed control system which controls the moving speed of the stage main body 2 according to the detection results of the speed detection parts 54 to 56.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクや基板等の
試料を保持するステージ本体が移動するステージ装置、
およびこのステージ装置に保持されたマスクと基板とを
用いて露光処理を行う露光装置に関し、特に半導体集積
回路や液晶ディスプレイ等のデバイスを製造する際に、
リソグラフィ工程で用いて好適なステージ装置および露
光装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stage apparatus in which a stage body for holding a sample such as a mask or a substrate moves.
And an exposure apparatus that performs an exposure process using a mask and a substrate held by the stage apparatus, particularly when manufacturing a device such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display,
The present invention relates to a stage apparatus and an exposure apparatus suitable for use in a lithography process.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体デバイスの製造工程の
1つであるリソグラフィ工程においては、マスク又はレ
チクル(以下、レチクルと称する)に形成された回路パ
ターンをレジスト(感光剤)が塗布されたウエハ又はガ
ラスプレート等の基板上に転写する種々の露光装置が用
いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a lithography process which is one of the manufacturing processes of a semiconductor device, a circuit pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter referred to as a reticle) is coated with a resist (photosensitive agent) on a wafer. Alternatively, various exposure apparatuses for transferring the image onto a substrate such as a glass plate have been used.

【0003】例えば、半導体デバイス用の露光装置とし
ては、近年における集積回路の高集積化に伴うパターン
の最小線幅(デバイスルール)の微細化に応じて、レチ
クルのパターンを投影光学系を用いてウエハ上に縮小転
写する縮小投影露光装置が主として用いられている。
For example, as an exposure apparatus for a semiconductor device, a pattern of a reticle is projected using a projection optical system in accordance with the miniaturization of the minimum line width (device rule) of a pattern accompanying the high integration of an integrated circuit in recent years. A reduction projection exposure apparatus that performs reduction transfer on a wafer is mainly used.

【0004】この縮小投影露光装置としては、レチクル
のパターンをウエハ上の複数のショット領域(露光領
域)に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の
静止露光型の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)
や、このステッパを改良したもので、特開平8−166
043号公報等に開示されるようなレチクルとウエハと
を一次元方向に同期移動してレチクルパターンをウエハ
上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキ
ャン方式の走査露光型の露光装置(いわゆるスキャニン
グ・ステッパ)が知られている。
As this reduction projection exposure apparatus, a step-and-repeat type static exposure reduction projection exposure apparatus (so-called stepper) for sequentially transferring a reticle pattern to a plurality of shot areas (exposure areas) on a wafer.
And an improved version of this stepper.
No. 043, etc., a reticle and a wafer are synchronously moved in a one-dimensional direction to transfer a reticle pattern to each shot area on the wafer. Scanning steppers) are known.

【0005】これらの縮小投影露光装置においては、ス
テージ装置として、床面に先ず装置の基準になるベース
プレートが設置され、その上に床振動を遮断するための
防振台を介してレチクルステージ、ウエハステージおよ
び投影光学系(投影レンズ)等を支持する本体コラムが
載置されたものが多く用いられている。最近のステージ
装置では、前記防振台として、内圧が制御可能なエアマ
ウント、ボイスコイルモータ等のアクチュエータを備
え、本体コラム(メインフレーム)に取り付けられた、
例えば6個の加速度計の計測値に基づいて前記ボイスコ
イルモータ等を制御することにより本体コラムの振動を
制御するアクティブ防振台が採用されている。
In these reduction projection exposure apparatuses, as a stage apparatus, first, a base plate serving as a reference of the apparatus is installed on a floor surface, and a reticle stage, a wafer, and a wafer are placed on the base plate via a vibration isolating table for isolating floor vibration. A stage on which a main body column supporting a stage, a projection optical system (projection lens), and the like is mounted is often used. In recent stage devices, an actuator such as an air mount and a voice coil motor capable of controlling the internal pressure is provided as the vibration isolating table, and the actuator is attached to a main body column (main frame).
For example, an active vibration isolating table that controls the vibration of the main body column by controlling the voice coil motor and the like based on the measurement values of six accelerometers is employed.

【0006】上記のステッパ等は、ウエハ上のあるショ
ット領域に対する露光の後移動し、他のショット領域に
対して順次露光を繰り返すものであり、ウエハステージ
(ステッパの場合)、あるいはレチクルステージおよび
ウエハステージ(スキャニング・ステッパの場合)の位
置は、レーザ干渉計等の光干渉計により計測されてモニ
タされている。これらステージに対する位置制御は、計
測されたステージの位置をフィードバック制御する、い
わゆる位置制御方式に比較して制御性が優れていること
から速度制御方式が採用されている。
The above-mentioned stepper or the like moves after exposure of a certain shot area on a wafer and sequentially repeats exposure of another shot area. A wafer stage (in the case of a stepper) or a reticle stage and a wafer The position of the stage (in the case of a scanning stepper) is measured and monitored by an optical interferometer such as a laser interferometer. The position control for these stages employs a speed control method because of its superior controllability as compared with a so-called position control method for performing feedback control of the measured position of the stage.

【0007】図7は、速度制御方式による、ステージ位
置に対する従来の制御ループである。この図に示すよう
に、与えられた目標値に対してPIDコントローラ等の
関数部C1は、この目標値と光干渉計の計測結果との位
置偏差に基づいて、ステージを目標位置に移動させる際
の速度を出力する。同様に、PIDコントローラ等の関
数部C2は、光干渉計の計測結果を微分して得られた速
度と関数部C1から出力された速度との偏差に基づいて
ステージの駆動力を出力する。以後、制御ループでは、
この駆動力に基づき得られた速度と、光干渉計が計測し
た位置情報を微分して得られる速度との速度偏差に基づ
いてステージの位置を制御する。
FIG. 7 shows a conventional control loop for the stage position by the speed control method. As shown in this figure, a function unit C1 such as a PID controller for a given target value moves the stage to a target position based on the positional deviation between the target value and the measurement result of the optical interferometer. Output the speed of Similarly, the function unit C2 such as a PID controller outputs the driving force of the stage based on the deviation between the speed obtained by differentiating the measurement result of the optical interferometer and the speed output from the function unit C1. Thereafter, in the control loop,
The position of the stage is controlled based on the speed deviation between the speed obtained based on the driving force and the speed obtained by differentiating the position information measured by the optical interferometer.

【0008】ところが、この速度制御方式では、光干渉
計が計測した位置情報を微分することによりステージの
速度を求めているため、求めた値に高周波ノイズが含ま
れてしまい精度的に難があった。また、検出される速度
情報は、光干渉計の位置検出分解能とサンプリング時間
に依存してしまうので、検出精度にも限界があった。そ
のため、現状では速度制御を行わず、ステージの位置を
フィードバックする位置制御方式でステージ位置を制御
している。
However, in this speed control method, since the stage speed is obtained by differentiating the position information measured by the optical interferometer, high frequency noise is included in the obtained value, which is difficult in accuracy. Was. Further, the speed information to be detected depends on the position detection resolution of the optical interferometer and the sampling time, so that the detection accuracy is limited. Therefore, at present, speed control is not performed, and the stage position is controlled by a position control method that feeds back the position of the stage.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のステージ装置および露光装置には、以下
のような問題が存在する。近時においては、半導体デバ
イスの微細化や露光処理の高速度化の要請が益々高まっ
ているが、上記ステージの移動(加速、等速、減速運
動)によって生じる反力が本体コラムの振動要因となっ
て、投影光学系とウエハ等との相対位置誤差を生じさせ
るという虞がある。アライメント時や露光時における上
記相対位置誤差は、結果的にウエハ上で設計値と異なる
位置にパターンが転写されたり、その位置誤差に振動成
分を含む場合には像ボケ(パターン線幅の増大)を招く
可能性がある。
However, the conventional stage apparatus and exposure apparatus as described above have the following problems. In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization of semiconductor devices and high-speed exposure processing. However, the reaction force generated by the movement of the stage (acceleration, constant velocity, deceleration) causes vibration of the main body column. As a result, a relative position error between the projection optical system and the wafer or the like may occur. The relative position error at the time of alignment or exposure may result in an image blur (increase in pattern line width) when a pattern is transferred to a position different from the design value on the wafer as a result, or when the position error includes a vibration component. May be caused.

【0010】各ステージは、移動用のガイドにエアベア
リングを使用しているため、本体コラムの比較的高周波
の振動をこのエアベアリングで遮断することができる。
ところが、このエアベアリングにより本体コラムの高周
波振動成分をキャンセルできたとしても、なお微振動が
ステージに伝わりステージの目標位置追従誤差を悪化さ
せるという不都合が存在する。
Since each stage uses an air bearing as a guide for movement, relatively high frequency vibration of the main body column can be blocked by the air bearing.
However, even if the high frequency vibration component of the main body column can be canceled by the air bearing, there still exists a disadvantage that the fine vibration is still transmitted to the stage and the target position following error of the stage is deteriorated.

【0011】係る不都合を抑制するために、例えばステ
ッパの場合には、ウエハステージが所望の位置に位置決
めされ十分に整定されるのを待ってアライメント動作や
露光動作を開始したり、スキャニング・ステッパの場合
には、レチクルステージとウエハステージとの同期整定
を十分に確保した状態で露光を行う等、上記のアクティ
ブ防振台等により本体コラムの振動を十分に減衰させる
ことも考えられる。ところが、この場合、スループット
(生産性)を悪化させる要因となるため、現実的ではな
かった。
In order to suppress such inconvenience, for example, in the case of a stepper, an alignment operation or an exposure operation is started after the wafer stage is positioned at a desired position and sufficiently settled, or a scanning stepper is used. In such a case, it is conceivable that the vibration of the main body column is sufficiently attenuated by the above-described active vibration isolating table or the like, for example, exposure is performed in a state where the synchronous setting of the reticle stage and the wafer stage is sufficiently ensured. However, in this case, it is not realistic because it causes a decrease in throughput (productivity).

【0012】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、振動の影響を回避しながら高精度の位置制
御が可能なステージ装置、およびマスクのパターンを基
板に露光転写するに際し、デバイスの微細化に対応でき
るとともに、転写精度の向上を実現できる露光装置を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above points, and has been made in consideration of the above-described problems. It is another object of the present invention to provide an exposure apparatus that can cope with miniaturization of a device and that can improve transfer accuracy.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図5に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明のステージ
装置は、試料(R、W)を保持して移動するステージ本
体(2、5)と、ステージ本体(2、5)に設けられ、
ステージ本体(2、5)の速度に関する情報を検出する
速度検出部(54〜56、57〜59、61〜63、6
4〜66)と、速度検出部(54〜56、57〜59、
61〜63、64〜66)の検出結果に基づいてステー
ジ本体(2、5)の移動速度を制御する速度制御系とを
備えたことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following structure corresponding to FIGS. 1 to 5 showing an embodiment. A stage device of the present invention is provided on a stage body (2, 5) that holds and moves a sample (R, W), and on the stage body (2, 5),
Speed detectors (54 to 56, 57 to 59, 61 to 63, 6) for detecting information on the speed of the stage body (2, 5)
4 to 66) and a speed detection unit (54 to 56, 57 to 59,
61 to 63, 64 to 66), and a speed control system for controlling the moving speed of the stage main body (2, 5) based on the detection results.

【0014】従って、本発明のステージ装置では、ステ
ージ本体(2、5)の速度の情報をこのステージ本体
(2、5)に設けられた速度検出部(54〜56、57
〜59)で検出するので、ステージ本体(2、5)に伝
わる外乱振動の影響をキャンセルできる。また、この速
度検出部(54〜56、57〜59、61〜63、64
〜66)は、位置情報を微分するのではなく、ステージ
本体(2、5)の速度の情報を検出するため、優れた位
置制御性を奏することができる。
Therefore, in the stage apparatus of the present invention, the information on the speed of the stage main body (2, 5) is converted into the speed detectors (54 to 56, 57) provided in the stage main body (2, 5).
To 59), the influence of disturbance vibration transmitted to the stage body (2, 5) can be canceled. The speed detectors (54 to 56, 57 to 59, 61 to 63, 64
To 66) do not differentiate the position information, but detect the information on the speed of the stage body (2, 5), so that excellent position controllability can be achieved.

【0015】また、本発明の露光装置は、マスクステー
ジ(2)に保持されたマスク(R)のパターンを基板ス
テージ(5)に保持された基板(W)に露光する露光装
置(1)において、マスクステージ(2)と基板ステー
ジ(5)との少なくとも一方のステージとして、請求項
1から5のいずれかに記載されたステージ装置(4、
7)が設置されることを特徴とするものである。
The exposure apparatus of the present invention is directed to an exposure apparatus (1) for exposing a pattern of a mask (R) held on a mask stage (2) to a substrate (W) held on a substrate stage (5). The stage apparatus according to claim 1, wherein at least one of the mask stage (2) and the substrate stage (5) is provided.
7) is installed.

【0016】従って、本発明の露光装置では、振動の影
響を排除し、且つ優れた位置制御性を伴ってマスク
(R)と基板(W)とを位置決めできるので、基板
(W)に転写されるパターンの線幅誤差および位置誤差
を抑制することができる。そのため、微細な線幅で、且
つ高精度にマスク(R)のパターンを基板(W)に転写
することができる。
Therefore, in the exposure apparatus of the present invention, the mask (R) and the substrate (W) can be positioned with excellent position controllability while eliminating the influence of vibration. The line width error and the position error of the pattern can be suppressed. Therefore, the pattern of the mask (R) can be transferred onto the substrate (W) with a fine line width and high accuracy.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明のステージ装置およ
び露光装置の第1の実施の形態を、図1ないし図4を参
照して説明する。ここでは、例えば露光装置として、レ
チクルとウエハとを同期移動しつつ、レチクルに形成さ
れた半導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写す
る、スキャニング・ステッパを使用する場合の例を用い
て説明する。また、この露光装置においては、本発明の
ステージ装置をレチクルステージおよびウエハステージ
の双方に適用するものとする。これらの図において、従
来例として示した図7と同一の構成要素には同一符号を
付し、その説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of a stage apparatus and an exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, an example in which a scanning stepper that transfers a circuit pattern of a semiconductor device formed on a reticle onto a wafer while synchronously moving a reticle and a wafer is used as an exposure apparatus will be described. In this exposure apparatus, the stage apparatus of the present invention is applied to both a reticle stage and a wafer stage. In these figures, the same components as those in FIG. 7 shown as a conventional example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0018】図1に示す露光装置1は、光源(不図示)
からの露光用照明光によりレチクル(マスク)R上の矩
形状(あるいは円弧状)の照明領域を均一な照度で照明
する照明光学系IU、試料であるレチクルRを保持する
マスクステージとしてのレチクルステージ(ステージ本
体)2および該レチクルステージ2を支持するレチクル
定盤3を含むステージ装置4、レチクルRから射出され
る照明光をウエハ(基板)W上に投影する投影光学系P
L、別の試料であるウエハWを保持する基板ステージと
してのウエハステージ(ステージ本体)5および該ウエ
ハステージ5を保持するウエハ定盤6を含むステージ装
置7、上記ステージ装置4および投影光学系PLを支持
するリアクションフレーム8とから概略構成されてい
る。なお、ここで投影光学系PLの光軸方向をZ方向と
し、このZ方向と直交する方向でレチクルRとウエハW
の同期移動方向をY方向とし、非同期移動方向をX方向
とする。また、それぞれの軸周りの回転方向をθZ、θ
Y、θXとする。
An exposure apparatus 1 shown in FIG. 1 has a light source (not shown).
An illumination optical system IU for illuminating a rectangular (or circular) illumination area on a reticle (mask) R with uniform illumination by exposure illumination light from the reticle, and a reticle stage as a mask stage for holding a reticle R as a sample (Stage body) 2 and a stage device 4 including a reticle surface plate 3 supporting the reticle stage 2, and a projection optical system P for projecting illumination light emitted from a reticle R onto a wafer (substrate) W
L, a stage device 7 including a wafer stage (stage main body) 5 as a substrate stage for holding a wafer W as another sample and a wafer surface plate 6 for holding the wafer stage 5, the stage device 4 and the projection optical system PL And a reaction frame 8 that supports the same. Here, the direction of the optical axis of the projection optical system PL is defined as a Z direction, and the reticle R and the wafer W are aligned in a direction orthogonal to the Z direction.
, And the asynchronous movement direction is the X direction. Also, the rotation directions around the respective axes are θZ, θ
Y and θX.

【0019】照明光学系IUは、リアクションフレーム
8の上面に固定された支持コラム9によって支持され
る。なお、露光用照明光としては、例えば超高圧水銀ラ
ンプから射出される紫外域の輝線(g線、i線)および
KrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外
光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長19
3nm)およびF2レーザ光(波長157nm)等の真
空紫外光(VUV)などが用いられる。
The illumination optical system IU is supported by a support column 9 fixed on the upper surface of the reaction frame 8. Examples of the illumination light for exposure include far ultraviolet light (DUV light) such as an ultraviolet bright line (g-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm) emitted from an ultra-high pressure mercury lamp, and ArF. Excimer laser light (wavelength 19
Vacuum ultraviolet light (VUV) such as 3 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm).

【0020】リアクションフレーム8は、床面に水平に
載置されたベースプレート10上に設置されており、そ
の上部側および下部側には、内側に向けて突出する段部
8aおよび8bがそれぞれ形成されている。
The reaction frame 8 is installed on a base plate 10 placed horizontally on the floor, and has inwardly projecting step portions 8a and 8b formed on its upper and lower sides, respectively. ing.

【0021】ステージ装置4の中、レチクル定盤3は、
各コーナーにおいてリアクションフレーム8の段部8a
に防振ユニット11を介してほぼ水平に支持されており
(なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せ
ず)、その中央部にはレチクルRに形成されたパターン
像が通過する開口3aが形成されている。防振ユニット
11は、内圧が調整可能なエアマウント12とボイスコ
イルモータ13とが段部8a上に直列に配置された構成
になっている。これら防振ユニット11によって、ベー
スプレート10およびリアクションフレーム8を介して
レチクル定盤3に伝わる微振動がマイクロGレベルで絶
縁されるようになっている。
In the stage device 4, the reticle platen 3
Step 8a of reaction frame 8 at each corner
An opening 3a through which a pattern image formed on the reticle R passes is supported in a substantially horizontal manner via an anti-vibration unit 11 (note that the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown). Are formed. The anti-vibration unit 11 has a configuration in which an air mount 12 whose internal pressure can be adjusted and a voice coil motor 13 are arranged in series on the step 8a. With these vibration isolation units 11, micro vibrations transmitted to the reticle surface plate 3 via the base plate 10 and the reaction frame 8 are insulated at a micro G level.

【0022】レチクル定盤3上には、レチクルステージ
2が該レチクル定盤3に沿って2次元的に移動可能に支
持されている。レチクルステージ2の底面には、非接触
ベアリングである複数のエアベアリング(エアパッド)
14が固定されており、これらのエアベアリング14に
よってレチクルステージ2がレチクル定盤3上に数ミク
ロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
また、レチクルステージ2の中央部には、レチクル定盤
3の開口3aと連通し、レチクルRのパターン像が通過
する開口2aが形成されている。
A reticle stage 2 is supported on the reticle base 3 so as to be two-dimensionally movable along the reticle base 3. On the bottom surface of the reticle stage 2, a plurality of air bearings (air pads) which are non-contact bearings
The reticle stage 2 is levitated and supported by the air bearings 14 on the reticle surface plate 3 with a clearance of about several microns.
At the center of the reticle stage 2, there is formed an opening 2a which communicates with the opening 3a of the reticle platen 3 and through which the pattern image of the reticle R passes.

【0023】レチクルステージ2について詳述すると、
図2に示すように、レチクルステージ2は、レチクル定
盤3上を一対のYリニアモータ15、15によってY軸
方向に所定ストロークで駆動されるレチクル粗動ステー
ジ16と、このレチクル粗動ステージ16上を一対のX
ボイスコイルモータ17Xと一対のYボイスコイルモー
タ17YとによってX、Y、θZ方向に微小駆動される
レチクル微動ステージ18とを備えた構成になっている
(なお、図1では、これらを1つのステージとして図示
する)。
The reticle stage 2 will be described in detail.
As shown in FIG. 2, the reticle stage 2 includes a reticle coarse movement stage 16 that is driven on the reticle surface plate 3 by a pair of Y linear motors 15 in a predetermined stroke in the Y-axis direction. A pair of X above
A reticle fine movement stage 18 that is finely driven in the X, Y, and θZ directions by a voice coil motor 17X and a pair of Y voice coil motors 17Y is provided. As illustrated).

【0024】各Yリニアモータ15は、レチクル定盤3
上に複数のエアベアリング(エアパッド)19によって
浮上支持されY軸方向に延びる固定子20と、この固定
子20に対応して設けられ、連結部材22を介してレチ
クル粗動ステージ16に固定された可動子21とから構
成されている。なお、一例として、固定子20は磁石ユ
ニットから構成され、可動子21は電機子コイルから構
成されている。
Each Y linear motor 15 has a reticle surface plate 3
A stator 20 is provided above and supported by a plurality of air bearings (air pads) 19 and extends in the Y-axis direction. The stator 20 is provided corresponding to the stator 20 and fixed to the reticle coarse movement stage 16 via a connecting member 22. And a mover 21. In addition, as an example, the stator 20 is configured by a magnet unit, and the mover 21 is configured by an armature coil.

【0025】レチクル粗動ステージ16は、レチクル定
盤3の中央部に形成された上部突出部3bの上面に固定
されY軸方向に延びる一対のYガイド51、51によっ
てY軸方向に案内されるようになっている。また、レチ
クル粗動ステージ16は、これらYガイド51、51に
対して不図示のエアベアリングによって非接触で支持さ
れている。
The reticle coarse movement stage 16 is fixed to the upper surface of an upper protruding portion 3b formed at the center of the reticle surface plate 3 and guided in the Y-axis direction by a pair of Y guides 51, 51 extending in the Y-axis direction. It has become. The reticle coarse movement stage 16 is supported by the Y guides 51 and 51 by an air bearing (not shown) in a non-contact manner.

【0026】レチクル微動ステージ18には、不図示の
バキュームチャックを介してレチクルRが吸着保持され
るようになっている。レチクル微動ステージ18の−Y
方向の端部には、コーナキューブからなる一対のY移動
鏡52a、52bが固定され、また、レチクル微動ステ
ージ18の+X方向の端部には、Y軸方向に延びる平面
ミラーからなるX移動鏡53が固定されている。そし
て、これら移動鏡52a、52b、53に対して測長ビ
ームを照射する3つのレーザ干渉計(いずれも不図示)
が各移動鏡との距離を計測することにより、レチクルス
テージ2のX、Y、θZ(Z軸周りの回転)方向の位置
が高精度に計測される。
The reticle R is suction-held on the reticle fine movement stage 18 via a vacuum chuck (not shown). -Y of reticle fine movement stage 18
A pair of Y moving mirrors 52a and 52b formed of corner cubes are fixed to the ends in the direction, and an X moving mirror formed of a plane mirror extending in the Y axis direction is provided to the + X direction end of the reticle fine movement stage 18. 53 is fixed. Then, three laser interferometers (all not shown) for irradiating the movable mirrors 52a, 52b, and 53 with a length measurement beam.
By measuring the distance from each movable mirror, the position of the reticle stage 2 in the X, Y, θZ (rotation around the Z axis) direction can be measured with high accuracy.

【0027】また、図3に示すように、このレチクル微
動ステージ18には、該レチクル微動ステージ18の移
動速度を検出する速度センサ(速度検出部)54、5
5、56がそれぞれ対で設けられている(なお、図3で
は、ステージ18の中央部に配置される構成要素を省略
している)。速度センサ54は、レチクル微動ステージ
18のY方向の移動速度を検出するものであって、この
レチクル微動ステージ18のX方向両側縁に設けられて
いる。なお、これら速度センサ54は、レチクルR、レ
チクル粗動ステージ16、レチクル微動ステージ18等
を含むレチクルステージ2の重心を挟む位置に配置され
ている。
As shown in FIG. 3, the reticle fine movement stage 18 has speed sensors (speed detection units) 54, 5 for detecting the moving speed of the reticle fine movement stage 18.
5 and 56 are provided in pairs (in FIG. 3, components arranged in the center of the stage 18 are omitted). The speed sensors 54 detect the moving speed of the reticle fine movement stage 18 in the Y direction, and are provided on both side edges of the reticle fine movement stage 18 in the X direction. The speed sensors 54 are arranged at positions sandwiching the center of gravity of the reticle stage 2 including the reticle R, the reticle coarse movement stage 16, the reticle fine movement stage 18, and the like.

【0028】速度センサ55、56は、共にレチクル微
動ステージ18のX方向の移動速度を検出するものであ
って、このレチクル微動ステージ18のY方向両側縁に
それぞれ設けられている。またこれらの速度センサ5
5、56も速度センサ54と同様に、レチクルステージ
2の重心を挟んで、それぞれ配置されている。各速度セ
ンサ54、55、56は、その内部にコイルおよび磁石
を有する構造になっており、コイルと磁石との相対移動
に伴って発生するローレンツ力(F=q(v×B);Bは磁束密
度、vは電気量qの荷電粒子の速度)の関係からレチクル
微動ステージ18の速度を検出し、不図示の制御系(速
度制御系)に出力する構成になっている。
The speed sensors 55 and 56 both detect the moving speed of the reticle fine movement stage 18 in the X direction, and are provided on both side edges of the reticle fine movement stage 18 in the Y direction. These speed sensors 5
Similarly to the speed sensor 54, the reference numerals 5 and 56 are arranged with the center of gravity of the reticle stage 2 interposed therebetween. Each of the speed sensors 54, 55, 56 has a structure having a coil and a magnet therein, and the Lorentz force (F = q (v × B); B is generated by the relative movement between the coil and the magnet; The configuration is such that the speed of the reticle fine movement stage 18 is detected from the relationship between the magnetic flux density and v (the speed of the charged particles of the electric quantity q) and output to a control system (speed control system) not shown.

【0029】制御系は、速度センサ54〜56の検出結
果を演算部としてのCPUで演算処理し、Yリニアモー
タ15、15、Xボイスコイルモータ17X、Yボイス
コイルモータ17Yを介してレチクル粗動ステージ16
およびレチクル微動ステージ18の移動速度を駆動制御
する構成になっている。この駆動制御としては、図4に
示すように、速度センサ54〜56の検出結果による速
度サーボを形成する速度制御ループSRをマイナールー
プとし、レーザ干渉計の検出結果に基づいて速度制御ル
ープSRを制御する位置制御ループPRをメインループ
とする、いわゆるカスケード型の制御系が形成されてい
る。
The control system carries out arithmetic processing on the detection results of the speed sensors 54 to 56 by a CPU as an arithmetic unit, and performs coarse movement of the reticle through the Y linear motors 15, 15, the X voice coil motor 17X, and the Y voice coil motor 17Y. Stage 16
The driving speed of the reticle fine movement stage 18 is controlled. As the drive control, as shown in FIG. 4, a speed control loop SR that forms a speed servo based on the detection results of the speed sensors 54 to 56 is a minor loop, and the speed control loop SR is based on the detection result of the laser interferometer. A so-called cascade control system is formed in which the position control loop PR to be controlled is a main loop.

【0030】図1に戻り、投影光学系PLとして、ここ
では物体面(レチクルR)側と像面(ウエハW)側の両
方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や
蛍石を光学硝材とした屈折光学素子(レンズ素子)から
なる1/4(または1/5)縮小倍率の屈折光学系が使
用されている。このため、レチクルRに照明光が照射さ
れると、レチクルR上の回路パターンのうち、照明光で
照明された部分からの結像光束が投影光学系PLに入射
し、その回路パターンの部分倒立像が投影光学系PLの
像面側の円形視野の中央にスリット状に制限されて結像
される。これにより、投影された回路パターンの部分倒
立像は、投影光学系PLの結像面に配置されたウエハW
上の複数のショット領域のうち、1つのショット領域表
面のレジスト層に縮小転写される。
Returning to FIG. 1, as the projection optical system PL, here, both the object plane (reticle R) side and the image plane (wafer W) side are telecentric and have a circular projection visual field. A refraction optical system having a 1/4 (or 1/5) reduction magnification composed of a refraction optical element (lens element) made of a glass material is used. For this reason, when the reticle R is irradiated with the illumination light, of the circuit pattern on the reticle R, an image forming light beam from a portion illuminated by the illumination light enters the projection optical system PL, and the circuit pattern is partially inverted. The image is limited to a slit shape and formed at the center of the circular field on the image plane side of the projection optical system PL. Thus, the projected partial inverted image of the circuit pattern is transferred to the wafer W placed on the image forming plane of the projection optical system PL.
Of the plurality of upper shot areas, the reduced transfer is performed to the resist layer on the surface of one shot area.

【0031】投影光学系PLの鏡筒部の外周には、該鏡
筒部に一体化されたフランジ23が設けられている。そ
して、投影光学系PLは、リアクションフレーム8の段
部8bに防振ユニット24を介してほぼ水平に支持され
た鋳物等で構成された鏡筒定盤25に、光軸方向をZ方
向として上方から挿入されるとともに、フランジ23が
係合している。
On the outer periphery of the lens barrel of the projection optical system PL, a flange 23 integrated with the lens barrel is provided. Then, the projection optical system PL is mounted on a lens barrel base 25 made of a casting or the like substantially horizontally supported on the step portion 8b of the reaction frame 8 via a vibration isolating unit 24 with the optical axis direction being the Z direction. And the flange 23 is engaged.

【0032】フランジ23の素材としては、低熱膨張の
材質、例えばインバー(Inver;ニッケル36%、
マンガン0.25%、および微量の炭素と他の元素を含
む鉄からなる低膨張の合金)が用いられている。このフ
ランジ23は、投影光学系PLを鏡筒定盤25に対して
点と面とV溝とを介して3点で支持する、いわゆるキネ
マティック支持マウントを構成している。このようなキ
ネマティック支持構造を採用すると、投影光学系PLの
鏡筒定盤25に対する組み付けが容易で、しかも組み付
け後の鏡筒定盤25および投影光学系PLの振動、温度
変化等に起因する応力を最も効果的に軽減できるという
利点がある。
The material of the flange 23 is a material having a low thermal expansion, for example, Invar (nickel 36%,
(A low-expansion alloy composed of 0.25% of manganese and iron containing trace amounts of carbon and other elements). The flange 23 constitutes a so-called kinematic support mount that supports the projection optical system PL at three points with respect to the barrel base 25 via points, surfaces, and V-grooves. When such a kinematic support structure is employed, it is easy to assemble the projection optical system PL to the lens barrel base 25, and it is caused by vibrations, temperature changes, and the like of the assembled lens barrel base 25 and the projection optical system PL. There is an advantage that stress can be reduced most effectively.

【0033】防振ユニット24は、鏡筒定盤25の各コ
ーナーに配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットにつ
いては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント26
とボイスコイルモータ27とが段部8b上に直列に配置
された構成になっている。これら防振ユニット24によ
って、ベースプレート10およびリアクションフレーム
8を介して鏡筒定盤25(ひいては投影光学系PL)に
伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁されるようにな
っている。
The anti-vibration unit 24 is disposed at each corner of the lens barrel base 25 (the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown), and an air mount 26 whose internal pressure can be adjusted.
And the voice coil motor 27 are arranged in series on the step 8b. These vibration isolation units 24 insulate, at the micro G level, minute vibrations transmitted to the lens barrel base 25 (and the projection optical system PL) via the base plate 10 and the reaction frame 8.

【0034】ステージ装置7は、ウエハWを保持するウ
エハステージ5、このウエハステージ5をXY平面に沿
った2次元方向に移動可能に支持するウエハ定盤6を主
体に構成されている。ウエハステージ5の底面には、非
接触ベアリングである複数のエアベアリング(エアパッ
ド)28が固定されており、これらのエアベアリング2
8によってウエハステージ5がウエハ定盤6上に、例え
ば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持され
ている。
The stage device 7 mainly includes a wafer stage 5 for holding a wafer W, and a wafer surface plate 6 for supporting the wafer stage 5 movably in a two-dimensional direction along the XY plane. A plurality of air bearings (air pads) 28 which are non-contact bearings are fixed to the bottom surface of the wafer stage 5.
The wafer stage 5 is floated and supported on the wafer surface plate 6 by a clearance of, for example, about several microns.

【0035】ウエハ定盤6は、ベースプレート10の上
方に、防振ユニット29を介してほぼ水平に支持されて
いる。防振ユニット29は、ウエハ定盤6の各コーナー
に配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットについては
図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント30とボイ
スコイルモータ31とがベースプレート10上に並列に
配置された構成になっている。これら防振ユニット29
によって、ベースプレート10を介してウエハ定盤6に
伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁されるようにな
っている。
The wafer surface plate 6 is supported substantially horizontally above the base plate 10 via an anti-vibration unit 29. The anti-vibration unit 29 is disposed at each corner of the wafer surface plate 6 (the anti-vibration unit on the back side of the drawing is not shown), and the air mount 30 and the voice coil motor 31 whose internal pressure can be adjusted include the base plate 10. It has a configuration arranged in parallel on the top. These anti-vibration units 29
Thus, micro vibration transmitted to the wafer surface plate 6 via the base plate 10 is insulated at the micro G level.

【0036】ウエハステージ5は、該ウエハステージ5
をX方向に駆動する一対のリニアモータ32(ウエハス
テージ5よりも紙面手前側のリニアモータは図示せず)
と、ウエハステージ5をY方向に駆動する一対のリニア
モータ33とによってウエハ定盤6上をXY2次元方向
に移動自在になっている。リニアモータ32の固定子
は、ウエハステージ5のY方向両外側にX方向に沿って
延設されており、一対の連結部材34によって両端部相
互間が連結されて、矩形の枠体35が構成されている。
リニアモータ32の可動子は、ウエハステージ5のY方
向両側面に固定子に対向するように突設されている。
The wafer stage 5 is
A pair of linear motors 32 for driving the wafer in the X direction (a linear motor on the front side of the paper surface with respect to the wafer stage 5 is not shown)
And a pair of linear motors 33 for driving the wafer stage 5 in the Y direction, so that the wafer stage 5 can be moved on the wafer surface plate 6 in the XY two-dimensional directions. The stator of the linear motor 32 is extended along the X direction on both outer sides of the wafer stage 5 in the Y direction, and both ends are connected to each other by a pair of connecting members 34 to form a rectangular frame 35. Have been.
The mover of the linear motor 32 is provided on both sides of the wafer stage 5 in the Y direction so as to face the stator.

【0037】また、枠体35を構成する一対の連結部材
34またはリニアモータ32の下端面には、電機子ユニ
ットからなる可動子36,36がそれぞれ設けられてお
り、これらの可動子36,36に対応する磁石ユニット
を有する固定子37,37がY方向に延設されてベース
プレート10に突設されている。そして、これら可動子
36および固定子37によってムービングコイル型のリ
ニアモータ33が構成されており、可動子36は固定子
37との間の電磁気的相互作用によりY方向に駆動され
るようになっている。すなわち、このリニアモータ33
によって枠体35と一体的にウエハステージ5がY方向
に駆動されるようになっている。
On the lower end surfaces of the pair of connecting members 34 or the linear motor 32 constituting the frame 35, movers 36, 36 each composed of an armature unit are provided, respectively. Are extended in the Y direction and protrude from the base plate 10. The moving coil 36 and the stator 37 constitute a moving coil type linear motor 33. The moving element 36 is driven in the Y direction by electromagnetic interaction with the stator 37. I have. That is, this linear motor 33
Thereby, the wafer stage 5 is driven integrally with the frame 35 in the Y direction.

【0038】ウエハステージ5の上面には、ウエハホル
ダ41を介してウエハWが真空吸着等によって固定され
る。また、ウエハステージ5のX方向の位置は、投影光
学系PLの鏡筒下端に固定された参照鏡42を基準とし
て、ウエハステージ5の一部に固定された移動鏡43の
位置変化を計測するレーザ干渉計44によって所定の分
解能、例えば0.5〜1nm程度の分解能でリアルタイ
ムに計測される。なお、上記参照鏡42、移動鏡43、
レーザ干渉計44とほぼ直交するように配置された不図
示の参照鏡、移動鏡、レーザ干渉計によってウエハステ
ージ5のY方向の位置が計測される。なお、これらレー
ザ干渉計の中、少なくとも一方は、測長軸を2軸以上有
する多軸干渉計であり、これらレーザ干渉計の計測値に
基づいてウエハステージ5(ひいてはウエハW)のXY
位置のみならず、θ回転量あるいはこれらに加え、レベ
リング量をも求めることができるようになっている。
A wafer W is fixed on the upper surface of the wafer stage 5 via a wafer holder 41 by vacuum suction or the like. Further, the position of wafer stage 5 in the X direction measures a change in position of movable mirror 43 fixed to a part of wafer stage 5 with reference to reference mirror 42 fixed to the lower end of the barrel of projection optical system PL. The measurement is performed in real time by the laser interferometer 44 at a predetermined resolution, for example, about 0.5 to 1 nm. The reference mirror 42, the moving mirror 43,
The position of the wafer stage 5 in the Y direction is measured by a reference mirror, a moving mirror, and a laser interferometer (not shown) that are arranged substantially orthogonal to the laser interferometer 44. At least one of these laser interferometers is a multi-axis interferometer having two or more measurement axes. Based on the measurement values of these laser interferometers, the XY
In addition to the position, the θ rotation amount or the leveling amount in addition to the θ rotation amount can be obtained.

【0039】また、ウエハステージ5には、レチクルス
テージ2と同様に、ウエハステージ5の移動速度を検出
する速度センサ(速度検出部)57、58、59がそれ
ぞれ対で設けられている。速度センサ57は、ウエハス
テージ5のY方向の移動速度を検出するものであって、
ウエハステージ5のX方向両側縁に設けられている。こ
れら速度センサ57は、ウエハW、ウエハホルダ41等
を含むウエハステージ5の重心を挟んだ位置に配置され
ている。
Further, similarly to the reticle stage 2, the wafer stage 5 is provided with a pair of speed sensors (speed detecting units) 57, 58, 59 for detecting the moving speed of the wafer stage 5. The speed sensor 57 detects the moving speed of the wafer stage 5 in the Y direction.
It is provided on both side edges of the wafer stage 5 in the X direction. These speed sensors 57 are arranged at positions sandwiching the center of gravity of the wafer stage 5 including the wafer W, the wafer holder 41 and the like.

【0040】速度センサ58、59は、共にウエハステ
ージ5のX方向の移動速度を検出するものであって、こ
のウエハステージ5のY方向両側縁にそれぞれ設けられ
ている。また、これらの速度センサ58、59も速度セ
ンサ57と同様に、ウエハステージ5の重心を挟むよう
にそれぞれ配置されている。各速度センサ57〜59
は、速度センサ54〜56と同様に、その内部にコイル
および磁石を有する構造になっており、コイルと磁石と
の相対移動に伴って発生するローレンツ力の関係からウ
エハステージ5の速度を検出し、不図示の制御系に出力
する構成になっている。
The speed sensors 58 and 59 both detect the moving speed of the wafer stage 5 in the X direction, and are provided on both side edges of the wafer stage 5 in the Y direction. These speed sensors 58 and 59 are also arranged so as to sandwich the center of gravity of wafer stage 5 similarly to speed sensor 57. Each speed sensor 57-59
Has a structure having a coil and a magnet inside thereof, like the speed sensors 54 to 56, and detects the speed of the wafer stage 5 from the relationship of Lorentz force generated with the relative movement between the coil and the magnet. , Output to a control system (not shown).

【0041】制御系は、速度センサ57〜59の検出結
果を演算部としてのCPUで演算理し、リニアモータ3
2、33を介してウエハステージ5の移動速度を駆動制
御する構成になっている。この駆動制御としては、レチ
クルステージ2と同様に、図4に示すように、速度セン
サ57〜59の検出結果による速度サーボを形成する速
度制御ループSRをマイナーループとし、レーザ干渉計
の検出結果に基づいて速度制御ループSRを制御する位
置制御ループPRをメインループとする、いわゆるカス
ケード型の制御系が形成されている。
The control system calculates the detection results of the speed sensors 57 to 59 by a CPU as a calculation unit,
The drive speed of the movement of the wafer stage 5 is controlled via 2 and 33. As in the reticle stage 2, as shown in FIG. 4, the speed control loop SR that forms the speed servo based on the detection results of the speed sensors 57 to 59 is a minor loop, and the drive control is performed based on the detection result of the laser interferometer. A so-called cascade control system is formed in which a position control loop PR that controls the speed control loop SR based on the main loop is used.

【0042】また、上記レチクル定盤3、ウエハ定盤
6、鏡筒定盤25には、各定盤のZ方向の振動を計測す
る3つの振動センサ(例えば加速度計;不図示)と、X
Y面内方向の振動を計測する3つの振動センサ(例えば
加速度計;不図示)とがそれぞれ取り付けられている。
後者の振動センサのうち2つは、各定盤のY方向の振動
を計測し、残りの振動センサはX方向の振動を計測する
ものである(以下、便宜上これらの振動センサを振動セ
ンサ群と称する)。そして、これらの振動センサ群の計
測値に基づいてレチクル定盤3、ウエハ定盤6、鏡筒定
盤25の6自由度(X、Y、Z、θX、θY、θZ)の
振動をそれぞれ求めることができる。
The reticle surface plate 3, the wafer surface plate 6, and the lens barrel surface plate 25 each include three vibration sensors (for example, an accelerometer; not shown) for measuring the vibration of each surface plate in the Z direction.
Three vibration sensors (for example, an accelerometer; not shown) for measuring the vibration in the Y-plane direction are respectively attached.
Two of the latter vibration sensors measure the vibration of each surface plate in the Y direction, and the remaining vibration sensors measure the vibration in the X direction (hereinafter, for convenience, these vibration sensors are referred to as a vibration sensor group). Name). Then, vibrations of the reticle surface plate 3, the wafer surface plate 6, and the lens barrel surface plate 25 with six degrees of freedom (X, Y, Z, θX, θY, θZ) are obtained based on the measurement values of these vibration sensor groups. be able to.

【0043】さらに、投影光学系PLのフランジ23に
は、異なる3カ所に3つのレーザ干渉計45が固定され
ている(ただし、図1においてはこれらのレーザ干渉計
のうち1つが代表的に示されている)。各レーザ干渉計
45に対向する鏡筒定盤25の部分には、開口25aが
それぞれ形成されており、これらの開口25aを介して
各レーザ干渉計45からZ方向の測長ビームがウエハ定
盤6に向けて照射される。ウエハ定盤6の上面の各測長
ビームの対向位置には、反射面がそれぞれ形成されてい
る。このため、上記3つのレーザ干渉計45によってウ
エハ定盤6の異なる3点のZ位置がフランジ23を基準
としてそれぞれ計測される(ただし、図1においては、
ウエハステージ5上のウエハWの中央のショット領域が
投影光学系PLの光軸の直下にある状態が示されている
ため、測長ビームがウエハステージ5で遮られた状態に
なっている)。なお、ウエハステージ5の上面に反射面
を形成して、この反射面上の異なる3点のZ方向位置を
投影光学系PLまたはフランジ23を基準として計測す
る干渉計を設けてもよい。
Further, three laser interferometers 45 are fixed to three different places on the flange 23 of the projection optical system PL (however, one of these laser interferometers is representatively shown in FIG. 1). Has been). Openings 25a are formed in portions of the barrel base 25 facing each of the laser interferometers 45, and a measurement beam in the Z direction is sent from each laser interferometer 45 through these openings 25a to the wafer base. Irradiation toward 6. A reflection surface is formed on the upper surface of the wafer surface plate 6 at a position facing each measurement beam. Therefore, the three laser interferometers 45 measure three different Z positions of the wafer surface plate 6 with reference to the flange 23 (however, in FIG. 1,
The state where the central shot area of the wafer W on the wafer stage 5 is directly below the optical axis of the projection optical system PL is shown, so that the length measurement beam is blocked by the wafer stage 5). Note that an interferometer that forms a reflection surface on the upper surface of the wafer stage 5 and measures three different Z-direction positions on the reflection surface with reference to the projection optical system PL or the flange 23 may be provided.

【0044】次に、上記の構成のステージ装置4、7う
ち、最初にステージ装置4の動作について説明する。制
御系は、速度センサ54〜56の出力とレーザ干渉計の
出力とを、図4に示す制御ループに基づいて処理し、レ
チクルステージ2の位置制御を行う。具体的には、まず
制御系は各速度センサ54〜56毎に出力を平均する。
これにより、X方向およびY方向の双方について、レチ
クルステージ2の重心位置における速度を近似計算で求
めることができる。
Next, the operation of the stage device 4 among the stage devices 4 and 7 having the above configuration will be described first. The control system processes the outputs of the speed sensors 54 to 56 and the output of the laser interferometer based on the control loop shown in FIG. 4 to control the position of the reticle stage 2. Specifically, first, the control system averages the output for each of the speed sensors 54 to 56.
Thereby, the speed at the position of the center of gravity of the reticle stage 2 can be obtained by the approximate calculation in both the X direction and the Y direction.

【0045】次に、与えられた目標値(目標位置)に対
してPIDコントローラ等の関数部C1は、位置制御ル
ープPRにおいて、この目標値とレーザ干渉計の計測結
果との位置偏差に基づいてレチクルステージ2を移動さ
せる速度を出力する。速度制御ループSRにおいて、P
IDコントローラ等の関数部C2は、速度センサ54〜
56の検出したレチクルステージ2の重心位置における
速度と、関数部C1から出力された速度との速度偏差に
基づいてレチクルステージ2の駆動力を出力する。そし
て、リニアモータ15、ボイスコイルモータ17X、1
7Yをこの出力された駆動力で駆動するとともに、速度
センサ54〜56の計測結果をフィードバックすること
でレチクルステージ2の速度を所定速度に制御する。こ
の後、レチクルステージ2が所定位置に達するまで、レ
ーザ干渉計が計測した位置情報と、速度センサ54〜5
6が検出した速度を積分(演算処理)することで得られ
るレチクルステージ2の位置とに基づき位置位置制御ル
ープPRが速度制御ループSRを制御する。
Next, for a given target value (target position), a function unit C1 such as a PID controller or the like, in a position control loop PR, based on the positional deviation between the target value and the measurement result of the laser interferometer. The speed at which the reticle stage 2 is moved is output. In the speed control loop SR, P
The function part C2 of the ID controller or the like includes speed sensors 54 to
The driving force of the reticle stage 2 is output based on the speed deviation between the speed at the position of the center of gravity of the reticle stage 2 detected by 56 and the speed output from the function section C1. Then, the linear motor 15, the voice coil motor 17X,
7Y is driven by the output driving force, and the speed of the reticle stage 2 is controlled to a predetermined speed by feeding back the measurement results of the speed sensors 54 to 56. Thereafter, the position information measured by the laser interferometer and the speed sensors 54 to 5 until the reticle stage 2 reaches the predetermined position.
The position / position control loop PR controls the speed control loop SR based on the position of the reticle stage 2 obtained by integrating (calculating) the speed detected by the speed controller 6.

【0046】ウエハステージ5の場合もレチクルステー
ジ2と同様に、まず制御系が各速度センサ57〜59毎
に出力を平均することにより、X方向およびY方向の双
方について、ウエハステージ5の重心位置における速度
を近似計算で求める。次に、与えられた目標値に対して
関数部C1が、位置制御ループPRにおいてこの目標値
とレーザ干渉計44、45の計測結果との位置偏差に基
づいてウエハステージ5を移動させる速度を出力する。
そして、リニアモータ32、33をこの出力された駆動
力で駆動するとともに、速度センサ57〜59の計測結
果をフィードバックすることでウエハステージ5の速度
を所定速度に制御する。この後、ウエハステージ5が所
定位置に達するまで、レーザ干渉計44、45が計測し
た位置情報と、速度センサ57〜59が検出した速度を
積分することで得られるウエハステージ5の位置とに基
づき位置位置制御ループPRが速度制御ループSRを制
御する。
In the case of the wafer stage 5 as well, similarly to the reticle stage 2, the control system first averages the output of each of the speed sensors 57 to 59, so that the center of gravity of the wafer stage 5 in both the X direction and the Y direction. Is calculated by an approximate calculation. Next, for the given target value, the function part C1 outputs the speed at which the wafer stage 5 is moved in the position control loop PR based on the positional deviation between the target value and the measurement results of the laser interferometers 44 and 45. I do.
Then, the linear motors 32 and 33 are driven by the output driving force, and the measurement results of the speed sensors 57 to 59 are fed back to control the speed of the wafer stage 5 to a predetermined speed. Thereafter, until the wafer stage 5 reaches a predetermined position, the position information measured by the laser interferometers 44 and 45 and the position of the wafer stage 5 obtained by integrating the speeds detected by the speed sensors 57 to 59 are used. The position / position control loop PR controls the speed control loop SR.

【0047】なお、上記レチクルステージ2、ウエハス
テージ5では、速度センサ54〜56、57〜59によ
り各ステージ2、5のX方向、Y方向それぞれの速度を
検出するとともに、θZ方向の速度成分も同時に検出で
きる。
In the reticle stage 2 and the wafer stage 5, the speed sensors 54 to 56 and 57 to 59 detect the speeds of the stages 2 and 5 in the X and Y directions, and also determine the speed components in the θZ direction. Can be detected at the same time.

【0048】また、上記レチクルステージ2において、
レチクル粗動ステージ16がレチクル微動ステージ18
と一体で走査方向(Y軸方向)に移動する際には、レチ
クル粗動ステージ16に固定されたYリニアモータ1
5、15の可動子21と固定子20とが相対的に逆方向
に移動する。すなわち、レチクルステージ2と固定子2
0とが相対的に逆方向に移動する。レチクルステージ2
と固定子20とレチクル定盤3との三者間の摩擦が零で
ある場合には、運動量保存の法則が成立し、レチクルス
テージ2の移動量は、レチクルステージ2全体(レチク
ル粗動ステージ16、レチクル微動ステージ18、連結
部材22、可動子21、レチクルR等)と固定子全体
(固定子20、エアベアリング19等)の重量比で決定
される。このため、レチクルステージ2の走査方向の加
減速時の反力は、固定子20の移動によって吸収され、
反力によってレチクル定盤3が振動することを防止でき
る。また、レチクルステージ2と固定子20とが相対的
に逆方向に移動して、レチクルステージ2、レチクル定
盤3等を含む系全体の重心位置が所定位置に維持される
ので、重心位置の変動による偏荷重が発生しないように
なっている。
In the reticle stage 2,
Reticle coarse movement stage 16 is reticle fine movement stage 18
When the Y linear motor 1 fixed to the reticle coarse movement stage 16 moves in the scanning direction (Y-axis direction)
The movers 21 and the stator 20 of 5 and 15 relatively move in opposite directions. That is, the reticle stage 2 and the stator 2
0 relatively moves in the opposite direction. Reticle stage 2
When the friction between the three members of the reticle stage 2 and the reticle surface plate 3 is zero, the law of conservation of momentum is satisfied, and the movement amount of the reticle stage 2 is controlled by the entire reticle stage 2 (reticle coarse movement stage 16). , Reticle fine movement stage 18, connecting member 22, mover 21, reticle R, etc.) and the entire stator (stator 20, air bearing 19, etc.). Therefore, the reaction force of the reticle stage 2 during acceleration / deceleration in the scanning direction is absorbed by the movement of the stator 20, and
The reticle surface plate 3 can be prevented from vibrating due to the reaction force. In addition, the reticle stage 2 and the stator 20 move relatively in opposite directions, and the center of gravity of the entire system including the reticle stage 2, the reticle base 3, and the like is maintained at a predetermined position. Eccentric load is not generated.

【0049】続いて、上記の構成の露光装置1における
露光動作について以下に説明する。予め、ウエハW上の
ショット領域を適正露光量(目標露光量)で走査露光す
るための各種の露光条件が設定されているものとする。
そして、いずれも不図示のレチクル顕微鏡およびオフア
クシス・アライメントセンサ等を用いたレチクルアライ
メント、ベースライン計測等の準備作業が行われ、その
後アライメントセンサを用いたウエハWのファインアラ
イメント(EGA;エンハンスト・グローバル・アライ
メント等)が終了し、ウエハW上の複数のショット領域
の配列座標が求められる。
Next, the exposure operation of the exposure apparatus 1 having the above configuration will be described below. It is assumed that various exposure conditions for scanning and exposing a shot area on the wafer W with an appropriate exposure amount (target exposure amount) are set in advance.
Preparation work such as reticle alignment and baseline measurement using a reticle microscope and an off-axis alignment sensor (not shown) is performed, and then fine alignment of wafer W using an alignment sensor (EGA; enhanced global) is performed. (Alignment etc.) is completed, and the arrangement coordinates of a plurality of shot areas on the wafer W are obtained.

【0050】このようにして、ウエハWの露光のための
準備動作が完了すると、アライメント結果に基づいてレ
ーザ干渉計44の計測値をモニタしつつ、リニアモータ
32、33を制御してウエハWの第1ショットの露光の
ための走査開始位置にウエハステージ5を移動する。そ
して、リニアモータ15、33を介してレチクルステー
ジ2とウエハステージ5とのY方向の走査を開始し、両
ステージ2、5がそれぞれの目標走査速度に達すると、
露光用照明光によってレチクルRのパターン領域が照明
され、走査露光が開始される。
When the preparatory operation for the exposure of the wafer W is completed in this way, the linear motors 32 and 33 are controlled while monitoring the measurement values of the laser interferometer 44 based on the alignment result to control the wafer W. The wafer stage 5 is moved to a scanning start position for the exposure of the first shot. Then, the reticle stage 2 and the wafer stage 5 start scanning in the Y direction via the linear motors 15 and 33, and when both stages 2 and 5 reach their respective target scanning speeds,
The pattern area of the reticle R is illuminated by the exposure illumination light, and scanning exposure is started.

【0051】この走査露光時には、レチクルステージ2
のY方向の移動速度と、ウエハステージ5のY方向の移
動速度とが投影光学系PLの投影倍率(1/5倍あるい
は1/4倍)に応じた速度比に維持されるように、リニ
アモータ15、33を介してレチクルステージ2および
ウエハステージ5を同期制御する。そして、レチクルR
のパターン領域の異なる領域が照明光で逐次照明され、
パターン領域全面に対する照明が完了することにより、
ウエハW上の第1ショットの走査露光が完了する。これ
により、レチクルRのパターンが投影光学系PLを介し
てウエハW上の第1ショット領域に縮小転写される。
At the time of this scanning exposure, the reticle stage 2
And the moving speed of the wafer stage 5 in the Y direction is maintained at a speed ratio corresponding to the projection magnification (1/5 or 1/4) of the projection optical system PL. The reticle stage 2 and the wafer stage 5 are synchronously controlled via the motors 15 and 33. And reticle R
Different areas of the pattern area are sequentially illuminated with illumination light,
By completing the illumination of the entire pattern area,
The scanning exposure of the first shot on the wafer W is completed. Thereby, the pattern of reticle R is reduced and transferred to the first shot area on wafer W via projection optical system PL.

【0052】このようにして、第1ショットの走査露光
が終了すると、リニアモータ32、33を介してウエハ
ステージ5がX、Y方向にステップ移動され、第2ショ
ットの露光のため走査開始位置に移動される。このステ
ップ移動の際に、ウエハステージ5の位置(ウエハWの
位置)を検出するレーザ干渉計44の計測値に基づい
て、ウエハステージ5のX、Y、θZ方向の位置をリア
ルタイムで計測する。そして、この計測結果に基づき、
リニアモータ32、33を制御してウエハステージ5の
XY位置変位が所定の状態になるようにウエハステージ
5の位置を制御する。また、ウエハステージ5のθZ方
向の変位に関しては、この変位の情報に基づいてウエハ
W側の回転変位の誤差を補正するように、レチクルステ
ージ2(レチクル微動ステージ18)を回転制御する。
この後、上記第1ショット領域と同様に、第2ショット
領域に対して走査露光を行う。
When the scanning exposure of the first shot is completed in this way, the wafer stage 5 is moved stepwise in the X and Y directions via the linear motors 32 and 33, and moves to the scanning start position for the exposure of the second shot. Be moved. At the time of this step movement, the position of the wafer stage 5 in the X, Y, and θZ directions is measured in real time based on the measurement value of the laser interferometer 44 that detects the position of the wafer stage 5 (the position of the wafer W). And, based on this measurement result,
By controlling the linear motors 32 and 33, the position of the wafer stage 5 is controlled so that the XY position displacement of the wafer stage 5 becomes a predetermined state. Further, with respect to the displacement of wafer stage 5 in the θZ direction, rotation of reticle stage 2 (reticle fine movement stage 18) is controlled so as to correct a rotational displacement error on wafer W side based on the information on the displacement.
Thereafter, similarly to the first shot area, the second shot area is subjected to scanning exposure.

【0053】このようにして、ウエハW上のショット領
域の走査露光と次ショット露光のためのステップ移動と
が繰り返し行われ、ウエハW上の露光対象ショット領域
の全てにレチクルRのパターンが順次転写される。
In this manner, the scanning exposure of the shot area on the wafer W and the step movement for the next shot exposure are repeatedly performed, and the pattern of the reticle R is sequentially transferred to all the exposure target shot areas on the wafer W. Is done.

【0054】本実施の形態のステージ装置および露光装
置では、レチクルステージ2およびウエハステージ5の
移動速度を、位置情報を微分するのではなく、コイルお
よび磁石を有する速度センサ54〜56、57〜59で
それぞれ直接検出しているので、位置検出分解能やサン
プリング時間等の制約を受けることなく、各ステージ
2、5の位置制御を高精度に実施することができる。ま
た、これらの速度センサ54〜56、57〜59は、各
ステージ2、5にそれぞれ搭載されているので、各ステ
ージ2、5の移動に伴う反力等によりリアクションフレ
ーム8やベースプレート10で発生する微振動等、外乱
の影響を排除することができ、各ステージ2、5の位置
を高精度に制御することが可能になる。しかも、レチク
ル定盤3が防振ユニット11を介してリアクションフレ
ーム8に支持され、ウエハ定盤6が防振ユニット29を
介してベースプレート10に支持されるので、リアクシ
ョンフレーム8およびベースプレート10の残留振動が
レチクル定盤3およびウエハ定盤6に伝わることを抑制
することで、各ステージ2、5の位置制御性を維持する
ことができる。従って、これらのステージ2、5に保持
されたレチクルR、ウエハWを用いて露光処理を実施す
れば、振動によりパターン線幅が増大したり、転写され
たパターンに位置誤差が発生することを抑制できる。
In the stage apparatus and the exposure apparatus of the present embodiment, the moving speeds of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 are not differentiated from the position information, but are velocity sensors 54 to 56 and 57 to 59 having coils and magnets. , The positions of the stages 2 and 5 can be controlled with high accuracy without being restricted by the position detection resolution, sampling time, and the like. In addition, since these speed sensors 54 to 56 and 57 to 59 are respectively mounted on the stages 2 and 5, the speed sensors 54 to 56 and 57 to 59 are generated on the reaction frame 8 and the base plate 10 by a reaction force or the like accompanying the movement of each of the stages 2 and 5. The influence of disturbance such as micro vibration can be eliminated, and the positions of the stages 2 and 5 can be controlled with high accuracy. Moreover, since the reticle base 3 is supported by the reaction frame 8 via the vibration isolating unit 11 and the wafer base 6 is supported by the base plate 10 via the vibration isolating unit 29, the residual vibration of the reaction frame 8 and the base plate 10 Is prevented from being transmitted to the reticle platen 3 and the wafer platen 6, whereby the position controllability of each of the stages 2, 5 can be maintained. Therefore, if the exposure processing is performed using the reticle R and the wafer W held on these stages 2 and 5, it is possible to prevent the pattern line width from increasing due to vibration and the occurrence of positional errors in the transferred pattern. it can.

【0055】加えて、本実施の形態では、レチクルステ
ージ2、ウエハステージ5および投影光学系PLが防振
ユニット11、29、24によって振動的に独立してい
るので、レチクルステージ2および上ウエハステージ5
の駆動に起因する振動が投影光学系PLに伝わることを
防止でき、投影光学系PLの振動に起因するパターン転
写位置のずれや像ボケ等の発生を効果的に防止して露光
精度の向上を図ることもできる。
In addition, in the present embodiment, since reticle stage 2, wafer stage 5, and projection optical system PL are vibrationally independent by vibration isolating units 11, 29, and 24, reticle stage 2 and upper wafer stage 5
Can be prevented from being transmitted to the projection optical system PL due to the driving of the projection optical system PL, and the shift of the pattern transfer position and the occurrence of image blur due to the vibration of the projection optical system PL can be effectively prevented, thereby improving the exposure accuracy. You can also plan.

【0056】また、本実施の形態では、各速度センサ5
4〜56、57〜59が各ステージ2、5において、重
心を挟んだ両側に配置されているので、各速度センサ5
4〜56、57〜59の計測結果を平均することで、各
ステージ2、5の重心における速度をそれぞれ近似的に
求めることができ、各ステージ2、5の速度制御をより
高精度に行うことで、優れた位置制御性を奏することが
可能になる。
In this embodiment, each speed sensor 5
4 to 56 and 57 to 59 are arranged on both sides of the center of gravity in each of the stages 2 and 5, so that each speed sensor 5
By averaging the measurement results of 4 to 56 and 57 to 59, the speed at the center of gravity of each stage 2 and 5 can be approximately obtained, and the speed control of each stage 2 and 5 can be performed with higher accuracy. Thus, excellent position controllability can be achieved.

【0057】そして、本実施の形態では、速度センサを
各ステージ2、5に対してX方向、Y方向の各方向毎に
設けているので、両方向共優れた位置制御性を発現する
ことができ、走査移動方向のみならず非走査であるステ
ップ移動方向においても、各ステージ2、5を目標位置
に正確に移動させることができる。
In this embodiment, since the speed sensors are provided for each of the stages 2 and 5 in each of the X and Y directions, excellent position control in both directions can be achieved. The stages 2, 5 can be accurately moved to the target position not only in the scanning movement direction but also in the non-scanning step movement direction.

【0058】図5は、本発明のステージ装置および露光
装置の第2の実施の形態を示す図である。この図におい
て、図1ないし図4に示す第1の実施の形態の構成要素
と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省
略する。第2の実施の形態と上記の第1の実施の形態と
が異なる点は、レチクルステージ2およびウエハステー
ジ5に速度センサに代わって加速度センサをそれぞれ設
けたことである。
FIG. 5 is a view showing a stage apparatus and an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention. In this figure, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The difference between the second embodiment and the first embodiment is that the reticle stage 2 and the wafer stage 5 are provided with acceleration sensors instead of the speed sensors.

【0059】すなわち、本実施の形態では、図1から図
3に示すように、第1の実施の形態で説明した速度セン
サ54〜56、57〜59が設けられた位置に速度検出
部として、レチクルステージ2に加速度センサ61〜6
3が、ウエハステージ5に加速度センサ64〜66がそ
れぞれ設けられている。
That is, in the present embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3, a speed detecting section is provided at the position where the speed sensors 54 to 56 and 57 to 59 described in the first embodiment are provided. Reticle stage 2 has acceleration sensors 61 to 6
3 is provided with acceleration sensors 64 to 66 on the wafer stage 5, respectively.

【0060】加速度センサ61は、レチクル微動ステー
ジ18のY方向の加速度を検出するものであって、この
レチクル微動ステージ18のX方向両側縁に、レチクル
R、レチクル粗動ステージ16、レチクル微動ステージ
18等を含むレチクルステージ2の重心を挟んだ位置に
配置されている。加速度センサ62、63は、共にレチ
クル微動ステージ18のX方向の加速度を検出するもの
であって、このレチクル微動ステージ18のY方向両側
縁に、レチクルステージ2の重心を挟んだ位置にそれぞ
れ設けられている。
The acceleration sensor 61 detects the acceleration of the reticle fine movement stage 18 in the Y direction. A reticle R, a reticle coarse movement stage 16 and a reticle fine movement stage 18 are provided on both sides of the reticle fine movement stage 18 in the X direction. The reticle stage 2 is disposed at a position sandwiching the center of gravity of the reticle stage 2. The acceleration sensors 62 and 63 both detect the acceleration of the reticle fine movement stage 18 in the X direction, and are provided at both sides of the reticle fine movement stage 18 in the Y direction at positions sandwiching the center of gravity of the reticle stage 2. ing.

【0061】同様に、加速度センサ64は、ウエハステ
ージ5のY方向の加速度を検出するものであって、ウエ
ハステージ5のX方向両側縁に、ウエハW、ウエハホル
ダ41等を含むウエハステージ5の重心を挟んだ位置に
設けられている。加速度センサ65、66は、共にウエ
ハステージ5のX方向の移動速度を検出するものであっ
て、このウエハステージ5のY方向両側縁に、ウエハス
テージ5の重心を挟む位置にそれぞれ設けられている。
Similarly, the acceleration sensor 64 detects the acceleration of the wafer stage 5 in the Y direction, and the center of gravity of the wafer stage 5 including the wafer W, the wafer holder 41 and the like is provided on both side edges of the wafer stage 5 in the X direction. It is provided at a position sandwiching. The acceleration sensors 65 and 66 both detect the moving speed of the wafer stage 5 in the X direction, and are provided at both sides of the wafer stage 5 in the Y direction at positions sandwiching the center of gravity of the wafer stage 5. .

【0062】各加速度センサ61〜63、64〜66
は、例えば、その内部に振り子と、該振り子の加速度検
出方向両側に配置された電磁石とを有し、電磁石に加え
られる電流の強さを調節して、振り子が常に中央の位置
にあるようにしておき、その際所要の電流の大きさから
加速度を検出するようになっている。検出された加速度
は、制御系(速度制御系)に出力される構成になってい
る。
Each of the acceleration sensors 61-63, 64-66
Has, for example, a pendulum therein and electromagnets arranged on both sides of the pendulum in the direction of acceleration detection, and adjusts the intensity of the current applied to the electromagnet so that the pendulum is always at the center position. In that case, the acceleration is detected from the magnitude of the required current. The detected acceleration is output to a control system (speed control system).

【0063】制御系は、加速度センサ61〜63、64
〜66の検出結果を演算部としてのCPUで演算理し、
Yリニアモータ15、15、Xボイスコイルモータ17
X、Yボイスコイルモータ17Yを介してレチクル粗動
ステージ16およびレチクル微動ステージ18の移動速
度を、リニアモータ32、33を介してウエハステージ
5の移動速度をそれぞれ駆動制御する。この駆動制御と
しては、図5に示すように、加速度センサ61〜63、
64〜66の検出結果による速度サーボを形成する速度
制御ループSRをマイナーループとし、レーザ干渉計の
検出結果に基づいて速度制御ループSRを制御する位置
制御ループPRをメインループとするカスケード型の制
御系が形成されている。他の構成は、上記第1の実施の
形態と同様である。
The control system includes acceleration sensors 61 to 63, 64
The detection results of Nos. 66 are calculated by a CPU as a calculation unit,
Y linear motors 15, 15, X voice coil motor 17
The moving speed of the reticle coarse moving stage 16 and the moving speed of the reticle fine moving stage 18 are controlled by the X and Y voice coil motors 17Y, and the moving speed of the wafer stage 5 is controlled by the linear motors 32 and 33, respectively. As the drive control, as shown in FIG.
A cascade control in which a speed control loop SR for forming a speed servo based on the detection results of 64 to 66 is a minor loop, and a position control loop PR for controlling the speed control loop SR based on a detection result of the laser interferometer is a main loop. A system has formed. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

【0064】上記の構成のステージ装置4、7の動作に
ついて説明する。ここでは、レチクルステージ2とウエ
ハステージ5とについて同時に説明するが、実際の制御
は個々に独立して行われる。まず制御系は、各加速度セ
ンサ61〜63、64〜66毎に出力を平均する。これ
により、X方向およびY方向の双方について、レチクル
ステージ2およびウエハステージ5の重心位置における
加速度を近似計算で求めることができる。
The operation of the stage devices 4 and 7 having the above configuration will be described. Here, the reticle stage 2 and the wafer stage 5 will be described simultaneously, but the actual control is performed independently. First, the control system averages the output for each of the acceleration sensors 61 to 63 and 64 to 66. Thus, the acceleration at the position of the center of gravity of reticle stage 2 and wafer stage 5 in both the X direction and the Y direction can be obtained by approximate calculation.

【0065】次に、与えられた目標値(目標位置)に対
してPIDコントローラ等の関数部C1は、位置制御ル
ープPRにおいて、この目標値とレーザ干渉計の計測結
果との位置偏差に基づいてレチクルステージ2、ウエハ
ステージ5を移動させる速度を出力する。そして、速度
制御ループSRにおいては、加速度センサ61〜63、
64〜66が検出した加速度を積分(演算処理)するこ
とにより、各ステージ2、5の移動速度を算出する。P
IDコントローラ等の関数部C2は、算出されたレチク
ルステージ2、ウエハステージ5の速度と、関数部C1
から出力された速度との速度偏差に基づいてレチクルス
テージ2、ウエハステージ5の駆動力を出力する。そし
て、リニアモータ15、32、33、ボイスコイルモー
タ17X、17Yをこの出力された駆動力で駆動すると
ともに、加速度センサ61〜63、64〜66の計測結
果をフィードバックすることでレチクルステージ2、ウ
エハステージ5の移動速度をそれそれ所定速度に制御す
る。
Next, for a given target value (target position), a function unit C1 such as a PID controller or the like, in a position control loop PR, based on the positional deviation between the target value and the measurement result of the laser interferometer. The speed at which the reticle stage 2 and the wafer stage 5 are moved is output. Then, in the speed control loop SR, the acceleration sensors 61 to 63,
The moving speed of each of the stages 2 and 5 is calculated by integrating (calculating) the accelerations detected by the 64-64. P
The function part C2 of the ID controller or the like includes the calculated speeds of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 and the function part C1.
The driving force of reticle stage 2 and wafer stage 5 is output based on the speed deviation from the speed output from. Then, the linear motors 15, 32, 33 and the voice coil motors 17X, 17Y are driven by the output driving force, and the measurement results of the acceleration sensors 61 to 63, 64 to 66 are fed back, so that the reticle stage 2, the wafer The moving speed of the stage 5 is controlled to a predetermined speed.

【0066】この後、レチクルステージ2およびウエハ
ステージ5が所定位置に達するまで、レーザ干渉計4
4、45が計測した位置情報と、加速度センサ61〜6
3、64〜66が検出した速度を二回積分することで得
られるレチクルステージ2,ウエハステージ5の位置と
に基づき位置位置制御ループPRが速度制御ループSR
を制御する。なお、上記レチクルステージ2、ウエハス
テージ5では、加速度センサ61〜63、64〜66に
より各ステージ2、5のX方向、Y方向それぞれの加速
度を検出するとともに、θZ方向の加速度成分も同時に
検出できる。
Thereafter, until the reticle stage 2 and the wafer stage 5 reach predetermined positions, the laser interferometer 4
The position information measured by the sensors 4 and 45 and the acceleration sensors 61 to 6
3, the position and position control loop PR is based on the position of the reticle stage 2 and the position of the wafer stage 5 obtained by integrating the speeds detected by the 64 to 66 twice.
Control. In the reticle stage 2 and the wafer stage 5, the acceleration sensors 61 to 63 and 64 to 66 detect the accelerations of the stages 2 and 5 in the X and Y directions, respectively, and can simultaneously detect the acceleration components in the θZ direction. .

【0067】本実施の形態のステージ装置および露光装
置では、上記第1の実施の形態と同様の効果が得られる
ことに加えて、加速度を積分することでレチクルステー
ジ2、ウエハステージ5の移動速度を求めているので、
フィルタをかけたように滑らかでより正確な移動速度を
検出できる。そのため、各ステージ2、5の位置制御を
一層高精度に実施することが可能になり、デバイスの微
細化および転写精度の向上が一層期待できる。
In the stage apparatus and the exposure apparatus of the present embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, the moving speed of the reticle stage 2 and the wafer stage 5 can be obtained by integrating the acceleration. I am looking for
Smooth and more accurate moving speed can be detected as if filtered. For this reason, it is possible to control the positions of the stages 2 and 5 with higher accuracy, and it is possible to expect further miniaturization of the device and improvement of transfer accuracy.

【0068】なお、上記実施の形態において、レチクル
ステージ2、ウエハステージ5の双方において速度セン
サまたは加速度センサを設ける構成としたが、どちらか
一方のステージのみに設けるような構成であってもよ
い。また、一方に速度センサを他方に加速度センサを設
けてもよい。さらに、上記実施の形態では、速度センサ
または加速度センサをX方向、Y方向それぞれに対応さ
せて設けたが、走査型の露光装置の場合、走査移動方向
にのみ速度センサまたは加速度センサを設けるような構
成であってもよい。また、上記実施の形態では、本発明
のステージ装置を露光装置1に適用する構成としたが、
これに限定されるものではなく、露光装置1以外にも転
写マスクの描画装置、マスクパターンの位置座標測定装
置等の精密測定機器にも適用可能である。また、上記実
施の形態において、リニアモータ15、32、33をム
ービングコイル型としたが、ムービングマグネット型に
してもよいことはいうまでもない。
In the above embodiment, the speed sensor or the acceleration sensor is provided on both the reticle stage 2 and the wafer stage 5, but may be provided on only one of the stages. Further, one may be provided with a speed sensor and the other with an acceleration sensor. Further, in the above embodiment, the speed sensor or the acceleration sensor is provided in correspondence with the X direction and the Y direction, but in the case of the scanning type exposure apparatus, the speed sensor or the acceleration sensor is provided only in the scanning movement direction. It may be a configuration. In the above embodiment, the stage apparatus of the present invention is applied to the exposure apparatus 1.
The present invention is not limited to this, and can be applied to precision measuring devices such as a transfer mask drawing device and a mask pattern position coordinate measuring device other than the exposure device 1. Further, in the above embodiment, the linear motors 15, 32, 33 are of the moving coil type, but it is needless to say that they may be of the moving magnet type.

【0069】なお、本実施の形態の基板としては、半導
体デバイス用の半導体ウエハWのみならず、液晶ディス
プレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)
等が適用される。
The substrate of the present embodiment is not limited to a semiconductor wafer W for a semiconductor device, but also a glass substrate for a liquid crystal display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask or a mask used in an exposure apparatus. Reticle master (synthetic quartz, silicon wafer)
Etc. are applied.

【0070】露光装置1としては、レチクルRとウエハ
Wとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRの
パターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させる
ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステ
ッパー)にも適用することができる。
The exposure apparatus 1 includes a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper; US Pat. No. 5,473,410) for scanning and exposing the pattern of the reticle R by synchronously moving the reticle R and the wafer W. To
The present invention can also be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) that exposes the pattern of the reticle R while the reticle R and the wafer W are stationary and sequentially moves the wafer W stepwise.

【0071】露光装置1の種類としては、ウエハWに半
導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用
の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチ
クルなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。
The type of the exposure apparatus 1 is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device for exposing a semiconductor device pattern onto a wafer W, but may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, an image pickup device (CCD). Alternatively, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a reticle and the like.

【0072】また、露光用照明光の光源として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h
線(404.7nm)、i線(365nm))、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、レチクルRを用いる構成としてもよい
し、レチクルRを用いずに直接ウエハ上にパターンを形
成する構成としてもよい。また、YAGレーザや半導体
レーザ等の高周波などを用いてもよい。
As the light source of the illumination light for exposure, a bright line (g-line (436 nm), h
Line (404.7 nm), i-line (365 nm)), KrF
Not only an excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), and an F 2 laser (157 nm) but also a charged particle beam such as an X-ray or an electron beam can be used. For example, when an electron beam is used, a thermionic emission type lanthanum hexaborite (LaB 6 ) or tantalum (Ta) can be used as an electron gun. When an electron beam is used, a configuration using a reticle R may be used, or a configuration may be used in which a pattern is directly formed on a wafer without using the reticle R. Alternatively, a high frequency such as a YAG laser or a semiconductor laser may be used.

【0073】投影光学系PLの倍率は、縮小系のみなら
ず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系PLとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし(レチクルRも反射型
タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系
PLを用いることなく、レチクルRとウエハWとを密接
させてレチクルRのパターンを露光するプロキシミティ
露光装置にも適用可能である。
The magnification of the projection optical system PL may be not only a reduction system but also an equal magnification system or an enlargement system. Further, As the projection optical system PL, using a material which transmits far ultraviolet rays such as quartz and fluorite as the glass material when using a far ultraviolet ray such as an excimer laser, catadioptric system, or in the case of using the F 2 laser or X-ray An optical system of a refraction system (a reticle R of a reflection type is also used). When an electron beam is used, an electron optical system including an electron lens and a deflector may be used as the optical system. It is needless to say that the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state. Further, the present invention can also be applied to a proximity exposure apparatus that exposes the pattern of the reticle R by bringing the reticle R and the wafer W into close contact without using the projection optical system PL.

【0074】ウエハステージ5やレチクルステージ2に
リニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)
を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型お
よびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮
上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ2、5
は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを
設けないガイドレスタイプであってもよい。
A linear motor (see US Pat. No. 5,623,853 or US Pat. No. 5,528,118) is mounted on the wafer stage 5 and the reticle stage 2.
Is used, any of an air levitation type using an air bearing and a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force may be used. In addition, each stage 2, 5
May be a type that moves along a guide or a guideless type that does not have a guide.

【0075】各ステージ2、5の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニット(永久磁石)と、二
次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電
磁力により各ステージ2、5を駆動する平面モータを用
いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニット
とのいずれか一方をステージ2、5に接続し、磁石ユニ
ットと電機子ユニットとの他方をステージ2、5の移動
面側(ベース)に設ければよい。
As a driving mechanism of each of the stages 2 and 5, a magnet unit (permanent magnet) having a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit having a two-dimensionally arranged coil are opposed to each other, and each stage 2 and 5 is driven by electromagnetic force. 5 may be used. In this case, one of the magnet unit and the armature unit may be connected to the stages 2 and 5, and the other of the magnet unit and the armature unit may be provided on the moving surface side (base) of the stages 2 and 5.

【0076】以上のように、本願実施形態の露光装置1
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
As described above, the exposure apparatus 1 of the present embodiment
Is a system that includes various components including the components listed in the claims of the present application, with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy,
It is manufactured by assembling to maintain optical accuracy. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electric systems to ensure these various accuracy Are adjusted to achieve electrical accuracy. The process of assembling the exposure apparatus from various subsystems includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits among the various subsystems. It goes without saying that there is an assembling process for each subsystem before the assembling process from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【0077】半導体デバイスは、図6に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設
計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するス
テップ202、シリコン材料からウエハを製造するステ
ップ203、前述した実施形態の露光装置1によりレチ
クルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ
204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、
ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検
査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 6, for a semiconductor device, a step 201 for designing the function and performance of the device, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, a step 203 for manufacturing a wafer from a silicon material A wafer processing step 204 of exposing a reticle pattern to a wafer by the exposure apparatus 1 of the above-described embodiment, a device assembling step (dicing step,
(Including a bonding step and a package step) 205, an inspection step 206, and the like.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係るス
テージ装置は、ステージ本体に設けられた速度検出部が
ステージ本体の速度に関する情報を検出し、この検出結
果に基づいて速度制御系がステージ本体の移動速度を制
御する構成となっている。これにより、このステージ装
置では、速度検出部が外乱の影響を排除した状態で、ス
テージ本体の移動速度を直接検出するので、位置検出分
解能やサンプリング時間等の制約を受けることなく、ス
テージ本体の位置制御を高精度に実施できるという効果
が得られる。
As described above, in the stage device according to the first aspect, the speed detecting section provided on the stage main body detects information on the speed of the stage main body, and the speed control system is based on the detection result. The moving speed of the stage body is controlled. Thus, in this stage device, the speed detecting unit directly detects the moving speed of the stage main body in a state where the influence of the disturbance is eliminated, so that the position of the stage main body is not restricted by the position detection resolution and the sampling time. The effect that control can be performed with high precision is obtained.

【0079】請求項2に係るステージ装置は、速度検出
部がコイルと磁石とを有する構成となっている。これに
より、このステージ装置では、コイルと磁石との相対速
度に応じた磁束密度に基づいてステージ本体の移動速度
を検出するので、位置検出分解能やサンプリング時間等
の制約や外乱の影響を受けることなく、ステージ本体の
位置制御を高精度に実施できるという効果が得られる。
The stage device according to the second aspect is configured such that the speed detecting section has a coil and a magnet. Thereby, in this stage device, the moving speed of the stage main body is detected based on the magnetic flux density according to the relative speed between the coil and the magnet, so that the stage device is not affected by restrictions such as position detection resolution and sampling time and disturbance. Thus, the effect that the position of the stage body can be controlled with high accuracy can be obtained.

【0080】請求項3に係るステージ装置は、速度検出
部がステージ本体の移動に伴う加速度を検出し、速度制
御系の演算部が検出された加速度を演算処理してステー
ジ本体の移動速度を求める構成となっている。これによ
り、このステージ装置では、滑らかでより正確な移動速
度を検出できるため、ステージ本体の位置制御を一層高
精度に実施できるという効果が得られる。
According to a third aspect of the present invention, the speed detecting section detects the acceleration accompanying the movement of the stage main body, and the calculating section of the speed control system calculates the detected acceleration to obtain the moving speed of the stage main body. It has a configuration. Thus, in this stage device, the movement speed can be detected more smoothly and more accurately, so that the effect of controlling the position of the stage body with higher accuracy can be obtained.

【0081】請求項4に係るステージ装置は、速度検出
部がステージ本体の複数の移動方向のそれぞれに対応し
て設けられる構成となっている。これにより、このステ
ージ装置では、ステージ本体の移動方向全てに優れた位
置制御性を発現することができ、例えば走査移動方向の
みならず非走査であるステップ移動方向において、ステ
ージ本体の位置制御を高精度に実施できるという効果が
得られる。
The stage device according to the fourth aspect has a configuration in which the speed detecting section is provided corresponding to each of the plurality of moving directions of the stage body. As a result, in this stage device, excellent position controllability can be exhibited in all the moving directions of the stage main body. For example, the position control of the stage main body can be enhanced not only in the scanning moving direction but also in the non-scanning step moving direction. The effect that it can be implemented with high accuracy is obtained.

【0082】請求項5に係るステージ装置は、速度検出
部がステージ本体の重心を挟んだ両側に配置される構成
となっている。これにより、このステージ装置では、速
度検出部の計測結果を平均することで、ステージ本体の
重心における速度を求めることができ、ステージ本体の
速度制御をより高精度に行うことで、優れた位置制御性
を奏するという効果が得られる。
In the stage device according to the fifth aspect, the speed detecting section is arranged on both sides of the center of gravity of the stage body. Thus, in this stage device, by averaging the measurement results of the speed detection unit, the speed at the center of gravity of the stage body can be obtained, and by performing the speed control of the stage body with higher accuracy, excellent position control is achieved. The effect of exhibiting the effect is obtained.

【0083】請求項6に係る露光装置は、マスクステー
ジと基板ステージとの少なくとも一方のステージとして
請求項1から5のいずれかに記載されたステージ装置が
設置される構成となっている。これにより、この露光装
置では、ステージ本体の移動に伴う反力等の外乱の影響
を排除した状態で、マスクと基板との位置を高精度に制
御することが可能になり、マスクのパターンを線幅が増
大したり、位置誤差が発生することなく、基板に転写で
き、露光精度の向上が実現できるという効果が得られ
る。
The exposure apparatus according to claim 6 is configured such that the stage device according to any one of claims 1 to 5 is installed as at least one of a mask stage and a substrate stage. As a result, in this exposure apparatus, the position of the mask and the substrate can be controlled with high precision while eliminating the influence of disturbances such as reaction force due to the movement of the stage body, and the pattern of the mask can be linearly adjusted. The transfer to the substrate can be performed without increasing the width or generating a position error, and the effect of improving the exposure accuracy can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態を示す図であって、レチ
クルステージ、ウエハステージおよび投影光学系が振動
に関して独立して配置された露光装置の概略構成図であ
る。
FIG. 1 is a view showing an embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus in which a reticle stage, a wafer stage, and a projection optical system are independently arranged with respect to vibration.

【図2】 同露光装置を構成するレチクルステージの外
観斜視図である。
FIG. 2 is an external perspective view of a reticle stage included in the exposure apparatus.

【図3】 同レチクルステージの側縁に速度センサが配
置された概略平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view in which a speed sensor is arranged on a side edge of the reticle stage.

【図4】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、速度制御ループをマイナーループとし、位置制御ル
ープをメインループとするカスケード型制御系の制御ル
ープ図である。
FIG. 4 is a diagram showing the first embodiment of the present invention, and is a control loop diagram of a cascade control system in which a speed control loop is a minor loop and a position control loop is a main loop.

【図5】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、速度制御ループをマイナーループとし、位置制御ル
ープをメインループとするカスケード型制御系の制御ル
ープ図である。
FIG. 5 is a view showing a second embodiment of the present invention, and is a control loop diagram of a cascade control system in which a speed control loop is a minor loop and a position control loop is a main loop.

【図6】 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフロ
ーチャート図である。
FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing process of a semiconductor device.

【図7】 従来の制御系の一例を示す制御ループ図であ
る。
FIG. 7 is a control loop diagram showing an example of a conventional control system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

R レチクル(マスク、試料) W ウエハ(基板、試料) 1 露光装置 2 レチクルステージ(マスクステージ、ステージ本
体) 4、7 ステージ装置 5 ウエハステージ(基板ステージ、ステージ本体) 54、55、56、57、58、59 速度センサ(速
度検出部) 61、62、63、64、65、66 加速度センサ
(速度検出部)
R Reticle (mask, sample) W Wafer (substrate, sample) 1 Exposure device 2 Reticle stage (mask stage, stage body) 4, 7 Stage device 5 Wafer stage (substrate stage, stage body) 54, 55, 56, 57, 58, 59 Speed sensor (speed detection unit) 61, 62, 63, 64, 65, 66 Acceleration sensor (speed detection unit)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 516B 525D ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 516B 525D

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 試料を保持して移動するステージ本体
と、 該ステージ本体に設けられ、該ステージ本体の速度に関
する情報を検出する速度検出部と、 該速度検出部の検出結果に基づいて前記ステージ本体の
移動速度を制御する速度制御系とを備えたことを特徴と
するステージ装置。
A stage body that holds and moves a sample; a speed detection unit that is provided on the stage body and detects information about the speed of the stage body; and the stage based on a detection result of the speed detection unit. A stage device comprising a speed control system for controlling a moving speed of a main body.
【請求項2】 請求項1記載のステージ装置において、 前記速度検出部は、コイルと磁石とを有していることを
特徴とするステージ装置。
2. The stage device according to claim 1, wherein the speed detector has a coil and a magnet.
【請求項3】 請求項1記載のステージ装置において、 前記速度検出部は、前記ステージ本体の移動に伴う加速
度を検出し、 前記速度制御系は、前記検出された加速度を演算処理し
て前記ステージ本体の移動速度を求める演算部を有する
ことを特徴とするステージ装置。
3. The stage device according to claim 1, wherein the speed detection unit detects an acceleration associated with movement of the stage body, and the speed control system performs an arithmetic processing on the detected acceleration to perform the stage operation. A stage device comprising a calculation unit for calculating a moving speed of a main body.
【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載のステ
ージ装置において、 前記ステージ本体は複数の方向に移動し、 前記速度検出部は、前記複数の方向のそれぞれに対応し
て設けられることを特徴とするステージ装置。
4. The stage device according to claim 1, wherein the stage main body moves in a plurality of directions, and the speed detecting section is provided corresponding to each of the plurality of directions. A stage device characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 請求項1から4のいずれかに記載のステ
ージ装置において、 前記速度検出部は、前記ステージ本体の重心を挟んだ両
側に配置されていることを特徴とするステージ装置。
5. The stage device according to claim 1, wherein the speed detector is disposed on both sides of a center of gravity of the stage body.
【請求項6】 マスクステージに保持されたマスクのパ
ターンを基板ステージに保持された基板に露光する露光
装置において、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
一方のステージとして、請求項1から5のいずれかに記
載されたステージ装置が設置されることを特徴とする露
光装置。
6. An exposure apparatus for exposing a pattern of a mask held on a mask stage to a substrate held on a substrate stage, wherein at least one of the mask stage and the substrate stage is used. An exposure apparatus, wherein the stage device according to any one of the above is installed.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1517187A2 (en) * 2003-09-22 2005-03-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2005286321A (en) * 2004-03-04 2005-10-13 Asml Netherlands Bv Movable object carrier, lithographic apparatus including movable object carrier, and device manufacturing method
JP2007165875A (en) * 2005-12-08 2007-06-28 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing device
CN100451835C (en) * 2003-09-22 2009-01-14 Asml荷兰有限公司 Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2009011356A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Nikon Corporation Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus
JP2009524237A (en) * 2006-01-18 2009-06-25 エレクトログラス・インコーポレーテッド Method and apparatus for improved stability in probing systems
US8624445B2 (en) 2010-03-04 2014-01-07 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Stage apparatus
CN107264844A (en) * 2017-06-26 2017-10-20 浙江大学 A kind of electromagnetic location vibration-isolating platform

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1517187A3 (en) * 2003-09-22 2008-10-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1517187A2 (en) * 2003-09-22 2005-03-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
CN100451835C (en) * 2003-09-22 2009-01-14 Asml荷兰有限公司 Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4560426B2 (en) * 2004-03-04 2010-10-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Movable article carrying apparatus, lithographic apparatus including movable article carrying apparatus, and device manufacturing method
JP2005286321A (en) * 2004-03-04 2005-10-13 Asml Netherlands Bv Movable object carrier, lithographic apparatus including movable object carrier, and device manufacturing method
JP2007165875A (en) * 2005-12-08 2007-06-28 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing device
JP4555276B2 (en) * 2005-12-08 2010-09-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009524237A (en) * 2006-01-18 2009-06-25 エレクトログラス・インコーポレーテッド Method and apparatus for improved stability in probing systems
WO2009011356A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Nikon Corporation Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus
JPWO2009011356A1 (en) * 2007-07-18 2010-09-24 株式会社ニコン Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus
US9316917B2 (en) 2007-07-18 2016-04-19 Nikon Corporation Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus
US9372410B2 (en) 2007-07-18 2016-06-21 Nikon Corporation Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus
US9804506B2 (en) 2007-07-18 2017-10-31 Nikon Corporation Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus
US8624445B2 (en) 2010-03-04 2014-01-07 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Stage apparatus
CN107264844A (en) * 2017-06-26 2017-10-20 浙江大学 A kind of electromagnetic location vibration-isolating platform

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