JP2002193920A - Disulfone derivative and its producing method - Google Patents

Disulfone derivative and its producing method

Info

Publication number
JP2002193920A
JP2002193920A JP2001263141A JP2001263141A JP2002193920A JP 2002193920 A JP2002193920 A JP 2002193920A JP 2001263141 A JP2001263141 A JP 2001263141A JP 2001263141 A JP2001263141 A JP 2001263141A JP 2002193920 A JP2002193920 A JP 2002193920A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
general formula
represented
reaction
derivative
allyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001263141A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiya Takahashi
寿也 高橋
Shinzo Seko
信三 世古
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2001263141A priority Critical patent/JP2002193920A/en
Publication of JP2002193920A publication Critical patent/JP2002193920A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a disulfone derivative as an important intermediate from which retinol useful for medicine, feed additive and food additive can be easily obtained. SOLUTION: This disulfone derivative is shown by general formula (1) (wherein, Ar is an aryl group that may have a substituent; R1 is hydrogen or a blocking group for a hydroxy group; a wavy line means either of E/Z geometrical isomers, or their mixture) and produced by reacting an allyl sulfone derivative shown by general formula (2) (wherein, Ar and a wavy line are as defined above) and an allyl halide derivative shown by general formula (3) (wherein, X is a halogen atom; R is a blocking group for a hydroxy group; a wavy line means as defined above) in the presence of bases.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、飼料添加
物、食品添加物の中間体、例えばレチノール誘導体の中
間体として有用なジスルホン誘導体およびその製法に関
する。
The present invention relates to a disulfone derivative which is useful as an intermediate of a pharmaceutical, feed additive or food additive, for example, an intermediate of a retinol derivative, and a process for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、本発明のジスルホン誘導体は、知られていない。ま
た、本発明者らは、特開平11-222479号公報に示すよう
に、一般式(5)で示されるスルホン類とC10のアル
コール類(ゲラニオールなど)から誘導されるアリルハ
ライド類とのカップリング反応によるレチノールの重要
中間体であるスルホン誘導体を見出しているが、レチノ
ールの製造方法として、原料の価格、中間体の精製、工
程数等の観点からさらに優れた製造法の開発が望まれて
いた。
2. Description of the Related Art Conventionally, the disulfone derivative of the present invention has not been known. In addition, as disclosed in JP-A-11-222479, the present inventors have proposed coupling of a sulfone represented by the general formula (5) with an allyl halide derived from a C10 alcohol (eg, geraniol). We have found a sulfone derivative that is an important intermediate of retinol by the reaction, but as a method for producing retinol, it has been desired to develop a more excellent production method from the viewpoints of raw material price, purification of the intermediate, and number of steps. .

【0003】[0003]

【課題を解決するための手段】このような状況下、本発
明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結
果、本発明に至った。 すなわち、本発明は、一般式(1) (式中、Arは置換基を有していてもよいアリール基、
1は水素原子または水酸基の保護基、波線はE/Z幾
何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物である
ことを表す。)で示されるジスルホン誘導体; 一般式(2) (式中、Arおよび波線は前記と同じ意味を表す。)で
示されるアリルスルホン誘導体と一般式(3) (式中、Xはハロゲン原子、Rは水酸基の保護基を示
し、波線は前記と同じ意味を表す。)で示されるアリル
ハライド誘導体とを塩基類の存在下に反応させる一般式
(1)で示されるジスルホン誘導体の製法; 一般式(4) (式中、Ar、Rおよび波線は前記と同じ意味を表
す。)で示されるスルホン誘導体をスルホン化反応に供
し一般式(2)で示されるアリルスルホン誘導体を得、
得られたアリルスルホン誘導体と一般式(3)で示され
るアリルハライド誘導体とを塩基類の存在下反応させる
一般式(1)で示されるジスルホン誘導体の製法およ
び、一般式(5) (式中、Arは前記と同じ意味を表す。)で示されるス
ルホン類と一般式(3)で示されるアリルハライド誘導
体とを塩基化合物の存在下に反応させ一般式(4)で示
されるスルホン誘導体を得、得られたスルホン誘導体を
スルホン化反応に供し一般式(2)で示されるアリルス
ルホン誘導体を得、得られたアリルスルホン誘導体と一
般式(3)で示されるアリルハライド誘導体とを塩基類
の存在下反応させることを特徴とする一般式(1)で示
されるジスルホン誘導体の製法を提供するものである。
Under these circumstances, the present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have accomplished the present invention. That is, the present invention relates to the general formula (1) (Wherein, Ar is an aryl group which may have a substituent,
R 1 represents a hydrogen atom or a protecting group for a hydroxyl group, and a wavy line represents one of E / Z geometric isomers or a mixture thereof. A) a disulfone derivative represented by the following formula; (Wherein Ar and wavy lines represent the same meanings as described above), and an allyl sulfone derivative represented by the general formula (3): (Wherein, X represents a halogen atom, R represents a hydroxyl-protecting group, and wavy lines represent the same meanings as described above). In the general formula (1), the allyl halide derivative is reacted in the presence of a base. Method for producing disulfone derivative represented by general formula (4) (Wherein Ar, R and wavy lines represent the same meanings as described above), and subjected to a sulfonation reaction to obtain an allyl sulfone derivative represented by the general formula (2)
A method for producing a disulfone derivative represented by the general formula (1) in which the obtained allyl sulfone derivative is reacted with an allyl halide derivative represented by the general formula (3) in the presence of a base; Wherein Ar represents the same meaning as described above, and a sulfone represented by the general formula (4) by reacting a sulfone represented by the general formula (3) with an allyl halide derivative represented by the general formula (3). A derivative is obtained, and the obtained sulfone derivative is subjected to a sulfonation reaction to obtain an allyl sulfone derivative represented by the general formula (2). The obtained allyl sulfone derivative and an allyl halide derivative represented by the general formula (3) are base A process for producing a disulfone derivative represented by the general formula (1), wherein the reaction is carried out in the presence of a compound.

【0004】[0004]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明化合物である一般式(1)で示されるジス
ルホン誘導体におけるR1は、水素原子または水酸基の
保護基を示し、一般式(3)、(4)におけるRは、水
酸基の保護基を示す。かかる水酸基の保護基としては、
例えばホルミル、アセチル、エトキシアセチル、フルオ
ロアセチル、ジフルオロアセチル、トリフルオロアセチ
ル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロア
セチル、ブロモアセチル、ジブロモアセチル、トリブロ
モアセチル、プロピオニル、2−クロロプロピオニル、
3−クロロプロピオニル、ブチリル、2−クロロブチリ
ル、3−クロロブチリル、4−クロロブチリル、2−メ
チルブチリル、2−エチルブチリル、バレリル、2−メ
チルバレリル、4−メチルバレリル、ヘキサノイル、イ
ソブチリル、イソバレリル、ピバロイル、ベンゾイル、
o−クロロベンゾイル、m−クロロベンゾイル、p−ク
ロロベンゾイル、 o−ヒドロキシベンゾイル、m−ヒ
ドロキシベンゾイル、p−ヒドロキシベンゾイル、 o
−アセトキシベンゾイル、 o−メトキシベンゾイル、
m−メトキシベンゾイル、p−メトキシベンゾイル、p
−ニトロベンゾイル等のアシル基、トリメチルシリル、
トリエチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、t−ブ
チルジフェニルシリルなどのシリル基、テトラヒドロピ
ラニル、メトキシメチル、メトキシエトキシメチル、1
−エトキシエチルなどのアルコキシアルキル基、ベンジ
ル基、p−メトキシベンジル基などの置換基を有しても
よいアラルキル基、t−ブチル基、トリチル基、メチル
基、2,2,2−トリクロロエトキシカルボニル基など
のハロアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル
基などのアリルオキシカルボニル基等が挙げられる。通
常、アシル基が好ましく用いられる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the disulfone derivative represented by the general formula (1), which is the compound of the present invention, R 1 represents a hydrogen atom or a hydroxyl-protecting group, and R in the general formulas (3) and (4) represents a hydroxyl-protecting group. As such a protecting group for a hydroxyl group,
For example, formyl, acetyl, ethoxyacetyl, fluoroacetyl, difluoroacetyl, trifluoroacetyl, chloroacetyl, dichloroacetyl, trichloroacetyl, bromoacetyl, dibromoacetyl, tribromoacetyl, propionyl, 2-chloropropionyl,
3-chloropropionyl, butyryl, 2-chlorobutyryl, 3-chlorobutyryl, 4-chlorobutyryl, 2-methylbutyryl, 2-ethylbutyryl, valeryl, 2-methylvaleryl, 4-methylvaleryl, hexanoyl, isobutyryl, isovaleryl, pivaloyl, benzoyl,
o-chlorobenzoyl, m-chlorobenzoyl, p-chlorobenzoyl, o-hydroxybenzoyl, m-hydroxybenzoyl, p-hydroxybenzoyl, o
-Acetoxybenzoyl, o-methoxybenzoyl,
m-methoxybenzoyl, p-methoxybenzoyl, p
Acyl groups such as nitrobenzoyl, trimethylsilyl,
Silyl groups such as triethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, t-butyldiphenylsilyl, tetrahydropyranyl, methoxymethyl, methoxyethoxymethyl, 1
An aralkyl group which may have a substituent such as an alkoxyalkyl group such as -ethoxyethyl, a benzyl group, a p-methoxybenzyl group, a t-butyl group, a trityl group, a methyl group, a 2,2,2-trichloroethoxycarbonyl And a haloalkoxycarbonyl group such as a phenyl group, and an allyloxycarbonyl group such as a phenoxycarbonyl group. Usually, an acyl group is preferably used.

【0005】一般式(1)、(2)、(4)、(5)お
よび下記一般式(6)で示される化合物におけるArは
置換基を有してもよいアリール基を示し、アリール基と
してはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基と
しては、C1からC5の直鎖または分枝状のアルキル
基、C1からC5の直鎖または分枝状のアルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基等が挙げられる。置換基Arの
具体例としては、フェニル、ナフチル、o−トリル,m
−トリル,p−トリル、o−メトキシフェニル、m−メ
トキシフェニル、p−メトキシフェニル、o−クロロフ
ェニル、m−クロロフェニル、p−クロロフェニル、o
−ブロモフェニル、m−ブロモフェニル、p−ブロモフ
ェニル、o−ヨードフェニル、m−ヨードフェニル、p
−ヨードフェニル、o−フルオロフェニル、m−フルオ
ロフェニル、p−フルオロフェニル、o−ニトロフェニ
ル、m−ニトロフェニル、p−ニトロフェニル等が挙げ
られる。
In the compounds represented by the general formulas (1), (2), (4), (5) and the following general formula (6), Ar represents an aryl group which may have a substituent. Represents a phenyl group, a naphthyl group or the like, and examples of the substituent include a C1 to C5 linear or branched alkyl group, a C1 to C5 linear or branched alkoxy group,
Examples include a halogen atom and a nitro group. Specific examples of the substituent Ar include phenyl, naphthyl, o-tolyl, m
-Tolyl, p-tolyl, o-methoxyphenyl, m-methoxyphenyl, p-methoxyphenyl, o-chlorophenyl, m-chlorophenyl, p-chlorophenyl, o
-Bromophenyl, m-bromophenyl, p-bromophenyl, o-iodophenyl, m-iodophenyl, p
-Iodophenyl, o-fluorophenyl, m-fluorophenyl, p-fluorophenyl, o-nitrophenyl, m-nitrophenyl, p-nitrophenyl and the like.

【0006】一般式(3)で示されるアリルハライド誘
導体におけるXはハロゲン原子を示し、具体的には塩素
原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。
X in the allyl halide derivative represented by the general formula (3) represents a halogen atom, and specific examples thereof include a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

【0007】以下、本発明の製造法について順次詳細に
説明する。最初の工程で用いる原料化合物であるスルホ
ン類(5)はChem.Lett. 479(1975)に記載された方法に
よりうることができる。またアリルハライド誘導体
(3)は、米国特許4175204号明細書に記載された方法
によりイソプレンから2工程で簡便に製造できる。
Hereinafter, the production method of the present invention will be described in detail. The sulfones (5), which are starting compounds used in the first step, can be obtained by the method described in Chem. Lett. 479 (1975). Further, the allyl halide derivative (3) can be easily produced from isoprene in two steps by the method described in US Pat. No. 4,175,204.

【0008】まず、一般式(4)で示されるスルホン誘
導体は、一般式(5)で示されるスルホン類と一般式
(3)で示されるアリルハライド誘導体とを塩基化合物
の存在下反応させることにより製造することができる。
First, a sulfone derivative represented by the general formula (4) is prepared by reacting a sulfone represented by the general formula (5) with an allyl halide derivative represented by the general formula (3) in the presence of a basic compound. Can be manufactured.

【0009】上記反応に用いられる塩基化合物として
は、例えばアルキルリチウム、アルカリ金属のアルコキ
シド、アルカリ金属のアミド、アルカリ金属の水素化物
であり、具体的には、例えばn−ブチルリチウム、s−
ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、ナトリウムメト
キシド、カリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチウムエ
トキシド、カリウムt−ブトキシド、ナトリウムt−ブ
トキシド、リチウムt−ブトキシド、ナトリウムt−ア
ミレート、カリウムt−アミレート、リチウムアミド、
カリウムアミド、ナトリウムアミド、リチウムジイソプ
ロピルアミド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カ
リウムヘキサメチルジシラジド、リチウムヘキサメチル
ジシラジド、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素
化リチウム等が挙げられる。これらは、例えば、ナトリ
ウムt−ブトキシドと水素化ナトリウムの組み合わせな
どのように2種類以上の塩基類を組み合わせて使用して
もよいし、例えば、t−ブタノールと水素化ナトリウム
からナトリウムt−ブトキシドを系中で生成させたり、
ジイソプロピルアミンとn−ブチルリチウムからリチウ
ムジイソプロピルアミドを系中で生成させるなど、上記
記載の塩基化合物を、それぞれその原料化合物から系中
で生成させて使用してもよい。かかる塩基類の使用量は
スルホン類(5)に対して通常、0.5〜3モル倍程度
である。
The base compound used in the above reaction includes, for example, alkyl lithium, alkali metal alkoxide, alkali metal amide, and alkali metal hydride. Specifically, for example, n-butyl lithium, s-
Butyllithium, t-butyllithium, sodium methoxide, potassium methoxide, lithium methoxide, sodium ethoxide, potassium ethoxide, lithium ethoxide, potassium tert-butoxide, sodium tert-butoxide, lithium tert-butoxide, sodium tert-oxide Amylate, potassium t-amylate, lithium amide,
Examples thereof include potassium amide, sodium amide, lithium diisopropylamide, sodium hexamethyldisilazide, potassium hexamethyldisilazide, lithium hexamethyldisilazide, sodium hydride, potassium hydride, and lithium hydride. These may be used in combination of two or more bases such as, for example, a combination of sodium t-butoxide and sodium hydride.For example, sodium t-butoxide may be obtained from t-butanol and sodium hydride. Generated in the system,
Each of the above-described base compounds may be used in the form of a starting compound, for example, lithium diisopropylamide is formed in the system from diisopropylamine and n-butyllithium. The amount of the base to be used is usually about 0.5 to 3 moles per mol of the sulfones (5).

【0010】塩基化合物としてアルカリ金属の水素化物
を用いる場合は、添加剤として活性水素を持つ化合物を
添加することもできる。活性水素を有する化合物として
は、例えばアルコール、アミン、スルホン、スルホキシ
ド類であり、具体的には、例えばn−ブチルアルコー
ル、s−ブチルアルコール、t−ブチルアルコール、t
−アミルアルコール、アニリン、ジイソプロピルアミ
ン、ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド等が挙げ
られる。かかる添加剤の使用量は、スルホン類(5)に
対して通常、0.1〜3モル倍程度であるが、溶媒量使
用してもよい。これらは、単一であっても2種以上混合
して使用してもよい。また、アニオンの活性化剤とし
て、アルカリ金属への配位性を有する化合物、例えば、
クラウンエーテル類やテトラメチルエチレンジアミンな
どを添加してもよいし、アリルハライドの活性化剤とし
て、ハロゲン交換を誘起する化合物、例えば、アルカリ
金属ヨウ化物やヨウ化テトラアルキルアンモニウムなど
を添加してもよい。
When a hydride of an alkali metal is used as the base compound, a compound having active hydrogen can be added as an additive. Examples of the compound having active hydrogen include alcohols, amines, sulfones, and sulfoxides. Specifically, for example, n-butyl alcohol, s-butyl alcohol, t-butyl alcohol, t-butyl alcohol,
-Amyl alcohol, aniline, diisopropylamine, dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide and the like. The amount of the additive to be used is usually about 0.1 to 3 moles per mol of the sulfones (5), but a solvent may be used. These may be used alone or in combination of two or more. Further, as an anion activator, a compound having a coordination property to an alkali metal, for example,
A crown ether, tetramethylethylenediamine, or the like may be added, or a compound that induces halogen exchange, such as an alkali metal iodide or tetraalkylammonium iodide, may be added as an activator of the allyl halide. .

【0011】上記反応は、通常、有機溶媒中で実施さ
れ、使用される溶媒としてはアセトニトリル、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホリックトリアミド、スルホラン、1,3−
ジメチル−2−イミダゾリジノン、1−メチル−2−ピ
ロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジメト
キシエタン、アニソール、ジグライム、トリグライム、
テトラグライム等のエーテル系溶媒、t−ブタノールな
どのアルコール系溶媒、n-ヘキサン、シクロヘキサ
ン、n-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単一であっ
ても2種以上の混合溶媒で使用してもよい。また、使用
する塩基類の種類によって、最適な溶媒を選択すること
が望ましい。
The above reaction is usually carried out in an organic solvent, and the solvent used is acetonitrile, N, N-
Dimethylformamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoric triamide, sulfolane, 1,3-
Aprotic polar solvents such as dimethyl-2-imidazolidinone, 1-methyl-2-pyrrolidinone, diethyl ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, dimethoxyethane, anisole, diglyme, triglyme,
Examples thereof include ether solvents such as tetraglyme, alcohol solvents such as t-butanol, and hydrocarbon solvents such as n-hexane, cyclohexane, n-pentane, benzene, toluene, and xylene. These may be used alone or in a mixture of two or more. In addition, it is desirable to select an optimum solvent depending on the type of the base used.

【0012】反応温度は通常、−78℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、使用する原料化合
物、塩基化合物および溶媒の種類によって最適な反応温
度を選択することが望ましい。使用する塩基化合物が、
平衡反応により基質の水素引き抜きを行い、アニオンを
発生させるタイプ(例えば、アルカリ金属のアルコキシ
ドなど)の場合、アニオン化(塩基化合物とスルホン類
(5)との反応)の温度を高く設定し、アリルハライド
誘導体(3)との反応温度を低く設定することにより収
率を向上させることもできる。反応時間は、使用する原
料化合物、塩基化合物、溶媒ならびに反応温度など諸条
件によって異なるが、通常5分間から24時間程度の範
囲である。反応は、非酸素下条件が好ましく、不活性ガ
ス(窒素、アルゴン)雰囲気下行い、使用する溶媒も十
分に脱気しておくことが望ましい。また、安定剤として
3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシトルエン(B
HT)、2−&3−t−ブチル−4−ヒドロキシアニソ
ール(BHA)、ビタミンE、エトキシキン等の酸化防
止剤を加えておくとさらに好ましい。反応後は、通常の
後処理、例えば抽出、洗浄、晶析、各種クロマトグラフ
ィーなどの操作をすることによりスルホン誘導体(4)
を製造することができる。反応条件によりスルホン誘導
体(4)のRが水素原子であるアルコールが10−30
%程度得られるが、常法により再保護化することができ
る。
The reaction temperature can usually be arbitrarily selected within the range of -78 ° C to the boiling point of the solvent, but it is desirable to select an optimum reaction temperature depending on the types of the starting compound, the base compound and the solvent to be used. The base compound used is
In the case of a type in which hydrogen is extracted from a substrate by an equilibrium reaction to generate an anion (for example, an alkoxide of an alkali metal), the temperature of anionization (reaction between a basic compound and a sulfone (5)) is set high, The yield can also be improved by setting the reaction temperature with the halide derivative (3) low. The reaction time varies depending on various conditions such as a starting compound, a base compound, a solvent and a reaction temperature to be used, but is usually in a range of about 5 minutes to 24 hours. The reaction is preferably carried out under non-oxygen conditions, and is preferably carried out in an inert gas (nitrogen, argon) atmosphere, and the solvent used is desirably sufficiently degassed. As a stabilizer, 3,5-di-t-butyl-4-hydroxytoluene (B
HT), 2- & 3-t-butyl-4-hydroxyanisole (BHA), vitamin E, ethoxyquin and the like. After the reaction, the sulfone derivative (4) is subjected to usual post-treatments such as extraction, washing, crystallization, and various kinds of chromatography.
Can be manufactured. Depending on the reaction conditions, the alcohol wherein R of the sulfone derivative (4) is a hydrogen atom is 10-30.
%, But can be reprotected by a conventional method.

【0013】一般式(2)で示されるアリルスルホン誘
導体はスルホン誘導体(4)をスルホン化反応に供する
ことにより製造することができる。上記反応には、通
常、一般式(6) (式中、Arは前記と同じ意味を表し、Mはアルカリ金
属を示す。)で示されるアリールスルフィン酸塩が用い
られる。かかるアリールスルフィン酸塩におけるMはア
ルカリ金属を示し、具体的には、リチウム、ナトリウ
ム、カリウムが挙げられる。一般式(6)で示されるア
リールスルフィン酸塩としては、ベンゼンスルフィン酸
リチウム、ベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ベンゼン
スルフィン酸カリウム、 1−ナフタレンスルフィン酸
ナトリウム、2−ナフタレンスルフィン酸ナトリウム、
o−トルエンスルフィン酸リチウム、o−トルエンスル
フィン酸ナトリウム、o−トルエンスルフィン酸カリウ
ム、m−トルエンスルフィン酸リチウム、m−トルエン
スルフィン酸ナトリウム、m−トルエンスルフィン酸カ
リウム、p−トルエンスルフィン酸リチウム、p−トル
エンスルフィン酸ナトリウム、p−トルエンスルフィン
酸カリウム、o−メトキシベンゼンスルフィン酸リチウ
ム、o−メトキシベンゼンスルフィン酸ナトリウム、o
−メトキシベンゼンスルフィン酸カリウム、m−メトキ
シベンゼンスルフィン酸リチウム、m−メトキシベンゼ
ンスルフィン酸ナトリウム、m−メトキシベンゼンスル
フィン酸カリウム、p−メトキシベンゼンスルフィン酸
リチウム、p−メトキシベンゼンスルフィン酸ナトリウ
ム、p−メトキシベンゼンスルフィン酸カリウム、o−
クロロベンゼンスルフィン酸リチウム、o−クロロベン
ゼンスルフィン酸ナトリウム、o−クロロベンゼンスル
フィン酸カリウム、m−クロロベンゼンスルフィン酸リ
チウム、m−クロロベンゼンスルフィン酸ナトリウム、
m−クロロベンゼンスルフィン酸カリウム、p−クロロ
ベンゼンスルフィン酸リチウム、p−クロロベンゼンス
ルフィン酸ナトリウム、p−クロロベンゼンスルフィン
酸カリウム、o−ブロモベンゼンスルフィン酸ナトリウ
ム、m−ブロモベンゼンスルフィン酸ナトリウム、p−
ブロモベンゼンスルフィン酸ナトリウム、o−ヨードベ
ンゼンスルフィン酸ナトリウム、m−ヨードベンゼンス
ルフィン酸ナトリウム、p−ヨードベンゼンスルフィン
酸ナトリウム、o−フルオロベンゼンスルフィン酸ナト
リウム、m−フルオロベンゼンスルフィン酸ナトリウ
ム、p−フルオロベンゼンスルフィン酸ナトリウム、o
−ニトロベンゼンスルフィン酸ナトリウム、m−ニトロ
ベンゼンスルフィン酸ナトリウム、p−ニトロベンゼン
スルフィン酸ナトリウム、o−ニトロベンゼンスルフィ
ン酸カリウム、m−ニトロベンゼンスルフィン酸カリウ
ム、p−ニトロベンゼンスルフィン酸カリウム等が挙げ
られるが、特にベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ベン
ゼンスルフィン酸カリウム、 p−トルエンスルフィン
酸ナトリウム、p−トルエンスルフィン酸カリウムが好
ましく用いられる。それらは、結晶水を含有していても
良い。その使用量はスルホン誘導体(4)に対して1〜
3モル倍程度である。
The allyl sulfone derivative represented by the general formula (2) can be produced by subjecting the sulfone derivative (4) to a sulfonation reaction. In the above reaction, the general formula (6) (Wherein, Ar has the same meaning as described above, and M represents an alkali metal). M in such an aryl sulfinic acid salt represents an alkali metal, and specific examples include lithium, sodium, and potassium. The aryl sulfinates represented by the general formula (6) include lithium benzenesulfinate, sodium benzenesulfinate, potassium benzenesulfinate, sodium 1-naphthalenesulfinate, sodium 2-naphthalenesulfinate,
lithium o-toluenesulfinate, sodium o-toluenesulfinate, potassium o-toluenesulfinate, lithium m-toluenesulfinate, sodium m-toluenesulfinate, potassium m-toluenesulfinate, lithium p-toluenesulfinate, p -Sodium toluenesulfinate, potassium p-toluenesulfinate, lithium o-methoxybenzenesulfinate, sodium o-methoxybenzenesulfinate, o
-Potassium methoxybenzenesulfinate, lithium m-methoxybenzenesulfinate, sodium m-methoxybenzenesulfinate, potassium m-methoxybenzenesulfinate, lithium p-methoxybenzenesulfinate, sodium p-methoxybenzenesulfinate, p-methoxy Potassium benzenesulfinate, o-
Lithium chlorobenzenesulfinate, sodium o-chlorobenzenesulfinate, potassium o-chlorobenzenesulfinate, lithium m-chlorobenzenesulfinate, sodium m-chlorobenzenesulfinate,
potassium m-chlorobenzenesulfinate, lithium p-chlorobenzenesulfinate, sodium p-chlorobenzenesulfinate, potassium p-chlorobenzenesulfinate, sodium o-bromobenzenesulfinate, sodium m-bromobenzenesulfinate, p-
Sodium bromobenzenesulfinate, sodium o-iodobenzenesulfinate, sodium m-iodobenzenesulfinate, sodium p-iodobenzenesulfinate, sodium o-fluorobenzenesulfinate, sodium m-fluorobenzenesulfinate, p-fluorobenzene Sodium sulfinate, o
Sodium nitrobenzenesulfinate, sodium m-nitrobenzenesulfinate, sodium p-nitrobenzenesulfinate, potassium o-nitrobenzenesulfinate, potassium m-nitrobenzenesulfinate, potassium p-nitrobenzenesulfinate, and the like. Sodium, potassium benzenesulfinate, sodium p-toluenesulfinate and potassium p-toluenesulfinate are preferably used. They may contain water of crystallization. The amount of use is 1 to 1 with respect to the sulfone derivative (4).
It is about 3 mole times.

【0014】上記反応にはパラジウム触媒が使用でき、
例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム、アリルクロライドパラジウムダイマー、酢酸パラジ
ウム、酸化パラジウム、塩化パラジウム、水酸化パラジ
ウム、プロピオン酸パラジウム、ジクロロビス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウム、ジ−μ−クロロビス
(η−アリル)パラジウム、ジクロロ(η−1,5−シ
クロオクタジエン)パラジウム、ジクロロ(η−2,5
−ノルボルナジエン)パラジウム、ジクロロビス(アセ
トニトリル)パラジウム、ジクロロビス(ベンゾニトリ
ル)パラジウム、ジクロロビス(N,N−ジメチルホル
ムアミド)パラジウム、ビス(アセチルアセトナト)パ
ラジウム、パラジウム炭素等があげられる。かかるパラ
ジウム触媒の使用量は、スルホン誘導体(4)に対し
て、通常は0.001〜20モルパーセントが好まし
い。
In the above reaction, a palladium catalyst can be used,
For example, tetrakistriphenylphosphine palladium, allyl chloride palladium dimer, palladium acetate, palladium oxide, palladium chloride, palladium hydroxide, palladium propionate, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, di-μ-chlorobis (η-allyl) palladium, Dichloro (η-1,5-cyclooctadiene) palladium, dichloro (η-2,5
-Norbornadiene) palladium, dichlorobis (acetonitrile) palladium, dichlorobis (benzonitrile) palladium, dichlorobis (N, N-dimethylformamide) palladium, bis (acetylacetonato) palladium, palladium carbon and the like. Usually, the amount of the palladium catalyst to be used is preferably 0.001 to 20 mol% based on the sulfone derivative (4).

【0015】上記反応には、配位子を使用してもよく、
配位子としては、リン配位子が挙げられる。リン配位子
として具体的には、置換基を有していてもよいトリアリ
ールホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリス(ジ
アルキルアミノ)ホスフィン、トリアリールホスファイ
ト、トリアルキルホスファイトなどが挙げられ、具体的
には、例えば、トルフェニルホスフィン、トリt−ブチ
ルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジシク
ロヘキシルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシル−o
−トリルホスフィン、ジシクロヘキシル−m−トリルホ
スフィン、ジシクロヘキシル−p−トリルホスフィン、
ジシクロヘキシル−o−アニシルホスフィン、ジシクロ
ヘキシル−o−ビフェニルホスフィン、ジアダマンチル
−n−ブチルホスフィン、トリ−o−トリルホスフィ
ン、トリ−m−トリルホスフィン、トリ−p−トリルホ
スフィン、トリスジメチルアミノホスフィン、トリフェ
ニルホスファイト、トリ−p−トリルホスファイト、ト
リ−m−トリルホスファイト、トリ−o−トリルホスフ
ァイト、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファ
イト、トリイソプロピルホスファイト、トリス(トリデ
シル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−ブチル
フェニル)ホスファイトなどが挙げられる。かかる配位
子の使用量は、通常、パラジウム触媒中のパラジウム金
属に対して、1モル〜20モル倍の範囲である。また、
パラジウム触媒自身が、リン配位子を有している場合
は、リン配位子を別途加える必要はない。
In the above reaction, a ligand may be used.
Examples of the ligand include a phosphorus ligand. Specific examples of the phosphorus ligand include an optionally substituted triarylphosphine, a trialkylphosphine, a tris (dialkylamino) phosphine, a triarylphosphite, and a trialkylphosphite. Include, for example, tolphenylphosphine, tri-t-butylphosphine, tricyclohexylphosphine, dicyclohexylphenylphosphine, dicyclohexyl-o
-Tolylphosphine, dicyclohexyl-m-tolylphosphine, dicyclohexyl-p-tolylphosphine,
Dicyclohexyl-o-anisylphosphine, dicyclohexyl-o-biphenylphosphine, diadamantyl-n-butylphosphine, tri-o-tolylphosphine, tri-m-tolylphosphine, tri-p-tolylphosphine, trisdimethylaminophosphine, tris Phenyl phosphite, tri-p-tolyl phosphite, tri-m-tolyl phosphite, tri-o-tolyl phosphite, trimethyl phosphite, triethyl phosphite, triisopropyl phosphite, tris (tridecyl) phosphite, tris ( 2,4-di-t-butylphenyl) phosphite and the like. The usage amount of such a ligand is usually in a range of 1 mol to 20 mol times with respect to the palladium metal in the palladium catalyst. Also,
When the palladium catalyst itself has a phosphorus ligand, it is not necessary to separately add a phosphorus ligand.

【0016】上記反応には、リン配位子と併用して添加
剤を用いることにより反応を効率的に進行させることが
でき、高価なパラジウム触媒の使用量の削減が可能であ
る。本反応に用いられる添加剤としては、アミンもしく
は酸が挙げられる。アミンとしては、具体的にはエチル
アミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n
−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、t−ブチルア
ミン、n−ペンチルアミン、n−ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミンなどのモノC2〜C6アルキルアミ
ン、アニリン、o−、m−、p−アニシジン、4−n−
ブチルアニリンなどの1級アリールアミン、ジエチルア
ミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブチルアミン、
ジ−n−ヘキシルアミンなどのジC2〜C6アルキルア
ミン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリンなどの2級
環状アミン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリ
ン、N−n−ブチルアニリン、N−メチル−p−アニシ
ジン、ジフェニルアミンなどの2級アリールアミン、ト
リエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリイソ
プロピルアミン、N、N−ジイソプロピルエチルアミ
ン、トリ−n−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、
トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン
などのトリC2〜C6アルキルアミン、N−メチルピロ
リジン、N−メチルピペリジン、N−エチルピペリジ
ン、N−メチルモルホリンなどの3級環状アミン、N,
N−ジエチルアニリン、N,N−ジ−n−ブチルアニリ
ン、トリフェニルアミンなどの3級アリールアミン、エ
チレンジアミン、N、N、N'、N'−テトラメチルエチ
レンジアミンなどのジアミン誘導体などが挙げられ、そ
の使用量はスルホン誘導体(4)に対して通常、0.0
1〜0.5モル倍程度であり、好ましくは0.1〜0.
4モル倍程度である。酸としては、具体的には、ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、安息香酸、シュウ酸、p−ニトロ
安息香酸、p−クロロ安息香酸などのカルボン酸類が挙
げられ、その使用量はスルホン誘導体(4)に対して通
常、0.5〜10モル倍程度である。
In the above reaction, the use of an additive in combination with the phosphorus ligand allows the reaction to proceed efficiently, and the amount of expensive palladium catalyst used can be reduced. Examples of the additives used in this reaction include amines and acids. As the amine, specifically, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n
Monobutyl C2 -C6 alkylamines such as -butylamine, sec-butylamine, t-butylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, cyclohexylamine, aniline, o-, m-, p-anisidine, 4-n-
Primary arylamines such as butylaniline, diethylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine,
Di-C2-C6 alkylamines such as di-n-hexylamine, secondary cyclic amines such as pyrrolidine, piperidine and morpholine, N-methylaniline, N-ethylaniline, Nn-butylaniline, N-methyl-p- Anisidine, secondary arylamine such as diphenylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, triisopropylamine, N, N-diisopropylethylamine, tri-n-butylamine, triisobutylamine,
Tertiary cyclic amines such as tri-C2-C6 alkylamines such as tri-n-pentylamine and tri-n-hexylamine, N-methylpyrrolidine, N-methylpiperidine, N-ethylpiperidine and N-methylmorpholine;
N-diethylaniline, N, N-di-n-butylaniline, tertiary arylamines such as triphenylamine, ethylenediamine, diamine derivatives such as N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, and the like; The amount used is usually 0.0% based on the sulfone derivative (4).
It is about 1 to 0.5 mole times, preferably 0.1 to 0.1 times.
It is about 4 mole times. As the acid, specifically, formic acid,
Examples thereof include carboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, benzoic acid, oxalic acid, p-nitrobenzoic acid, and p-chlorobenzoic acid. The amount of the carboxylic acid is usually 0.5 to 10 mol based on the sulfone derivative (4). It is about twice.

【0017】上記反応は、通常、有機溶媒中で実施さ
れ、使用される溶媒としてはジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジメトキシエタ
ン、アニソール、ジグライム、トリグライム、テトラグ
ライム等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、
2−プロパノール、t−ブタノール等のアルコール系溶
媒、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、
ヘキサメチルホスホリックトリアミド、スルホラン、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1−メチル
−2−ピロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、n-ヘ
キサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒などが挙げられ
る。これらは単一であっても2種以上の混合溶媒で使用
してもよい。
The above reaction is usually carried out in an organic solvent, and the solvents used include ether solvents such as diethyl ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, dimethoxyethane, anisole, diglyme, triglyme and tetraglyme; Methanol, ethanol,
Alcohol solvents such as 2-propanol and t-butanol, acetonitrile, N, N-dimethylformamide,
Hexamethylphosphoric triamide, sulfolane,
Aprotic polar solvents such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and 1-methyl-2-pyrrolidinone; and hydrocarbon solvents such as n-hexane, cyclohexane, n-pentane, benzene, toluene and xylene. No. These may be used alone or in a mixture of two or more.

【0018】反応温度は通常、−78℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、好ましくは20〜
100℃程度の範囲である。また、反応時間は、用いる
触媒およびリン配位子の種類ならびに反応温度によって
異なるが、通常1時間から48時間程度の範囲である。
反応後、通常の後処理、例えば水洗浄、抽出、晶析、各
種クロマトグラフィーなどの操作をすることによりアリ
ルスルホン誘導体(2)を製造することができる。
The reaction temperature can be arbitrarily selected within the range of -78 ° C to the boiling point of the solvent, but is preferably 20 to
It is in the range of about 100 ° C. The reaction time varies depending on the type of catalyst and phosphorus ligand used and the reaction temperature, but is usually in the range of about 1 to 48 hours.
After the reaction, an allylsulfone derivative (2) can be produced by ordinary post-treatments such as washing with water, extraction, crystallization, and various kinds of chromatography.

【0019】一般式(1)で示されるジスルホン誘導体
はアリルスルホン誘導体(2)と一般式(3)で示され
るアリルハライド誘導体とを塩基類の存在下反応させる
ことにより製造することができる。
The disulfone derivative represented by the general formula (1) can be produced by reacting the allyl sulfone derivative (2) with the allyl halide derivative represented by the general formula (3) in the presence of a base.

【0020】上記反応に用いられる塩基類としては、前
記塩基化合物として例示した化合物の他に、アルカリ金
属水酸化物が挙げられ、具体的には、例えば水酸化リチ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが挙げられ
る。かかる塩基類の使用量はアリルスルホン誘導体
(2)に対して通常、0.5〜3モル倍程度である。上
記反応では、使用する溶媒に対する溶解度が低い塩基類
を使用する場合、相間移動触媒の添加により反応が促進
される場合がある。かかる相間移動触媒としては、第4
級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩、スルホニウ
ム塩等が挙げられ、好ましくは、第4級アンモニウム塩
が挙げられる。
The bases used in the above reaction include, in addition to the compounds exemplified as the above base compounds, alkali metal hydroxides. Specifically, for example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide Is mentioned. The amount of the base to be used is usually about 0.5 to 3 moles per mol of the allyl sulfone derivative (2). In the above reaction, when a base having low solubility in the solvent used is used, the reaction may be promoted by addition of a phase transfer catalyst. As such a phase transfer catalyst, the fourth
Examples thereof include quaternary ammonium salts, quaternary phosphonium salts, and sulfonium salts, and preferably quaternary ammonium salts.

【0021】第4級アンモニウム塩としては、例えば、
塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、塩化テト
ラブチルアンモニウム、塩化テトラペンチルアンモニウ
ム、塩化テトラヘキシルアンモニウム、塩化テトラヘプ
チルアンモニウム、塩化テトラオクチルアンモニウム、
塩化テトラヘキサデシルアンモニウム、塩化テトラオク
タデシルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモ
ニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベ
ンジルトリブチルアンモニウム、塩化1−メチルピリジ
ニウム、塩化1−ヘキサデシルピリジニウム、塩化1,
4−ジメチルピリジニウム、塩化テトラメチルー2−ブ
チルアンモニウム、塩化トリメチルシクロプロピルアン
モニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラ
エチルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウ
ム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラペンチ
ルアンモニウム、臭化テトラヘキシルアンモニウム、臭
化テトラヘプチルアンモニウム、臭化テトラオクチルア
ンモニウム、臭化テトラヘキサデシルアンモニウム、臭
化テトラオクタデシルアンモニウム、臭化ベンジルトリ
メチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニ
ウム、臭化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化1―
メチルピリジニウム、臭化1−ヘキサデシルピリジニウ
ム、臭化1,4−ジメチルピリジニウム、臭化テトラメ
チル−2−ブチルアンモニウム、臭化トリメチルシクロ
プロピルアンモニウム、沃化テトラメチルアンモニウ
ム、沃化テトラブチルアンモニウム、沃化テトラオクチ
ルアンモニウム、沃化t―ブチルエチルジメチルアンモ
ニウム、沃化テトラデシルトリメチルアンモニウム、沃
化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、沃化オクタデ
シルトリメチルアンモニウム、沃化ベンジルトリメチル
アンモニウム、沃化ベンジルトリエチルアンモニウム、
沃化ベンジルトリブチルアンモニウム等が挙げられる。
As the quaternary ammonium salt, for example,
Tetramethylammonium chloride, tetraethylammonium chloride, tetrapropylammonium chloride, tetrabutylammonium chloride, tetrapentylammonium chloride, tetrahexylammonium chloride, tetraheptylammonium chloride, tetraoctylammonium chloride,
Tetrahexadecyl ammonium chloride, tetraoctadecyl ammonium chloride, benzyltrimethylammonium chloride, benzyltriethylammonium chloride, benzyltributylammonium chloride, 1-methylpyridinium chloride, 1-hexadecylpyridinium chloride, 1,1 chloride
4-dimethylpyridinium, tetramethyl-2-butylammonium chloride, trimethylcyclopropylammonium chloride, tetramethylammonium bromide, tetraethylammonium bromide, tetrapropylammonium bromide, tetrabutylammonium bromide, tetrapentylammonium bromide, tetrabromide Hexyl ammonium, tetraheptyl ammonium bromide, tetraoctyl ammonium bromide, tetrahexadecyl ammonium bromide, tetraoctadecyl ammonium bromide, benzyl trimethyl ammonium bromide, benzyl triethyl ammonium bromide, benzyl tributyl ammonium bromide, 1-
Methylpyridinium, 1-hexadecylpyridinium bromide, 1,4-dimethylpyridinium bromide, tetramethyl-2-butylammonium bromide, trimethylcyclopropylammonium bromide, tetramethylammonium iodide, tetrabutylammonium iodide, iodine Tetraoctylammonium iodide, t-butylethyldimethylammonium iodide, tetradecyltrimethylammonium iodide, hexadecyltrimethylammonium iodide, octadecyltrimethylammonium iodide, benzyltrimethylammonium iodide, benzyltriethylammonium iodide,
And benzyltributylammonium iodide.

【0022】第4級ホスホニウム塩としては、例えば、
塩化トリブチルメチルホスホニウム、塩化トリエチルメ
チルホスホニウム、塩化メチルトリフェノキシホスホニ
ウム、塩化ブチルトリフェニルホスホニウム、塩化テト
ラブチルホスホニウム、塩化ベンジルトリフェニルホス
ホニウム、塩化ヘキサデシルトリメチルホスホニウム、
塩化ヘキサデシルトリブチルホスホニウム、塩化ヘキサ
デシルジメチルエチルホスホニウム、塩化テトラフェニ
ルホスホニウム、臭化トリブチルメチルホスホニウム、
臭化トリエチルメチルホスホニウム、臭化メチルトリフ
ェノキシホスホニウム、臭化ブチルトリフェニルホスホ
ニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化ベンジル
トリフェニルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリメチ
ルホスホニウム、臭化ヘキサデシルトリブチルホスホニ
ウム、臭化ヘキサデシルジメチルエチルホスホニウム、
臭化テトラフェニルホスホニウム、沃化トリブチルメチ
ルホスホニウム、沃化トリエチルメチルホスホニウム、
沃化メチルトリフェノキシホスホニウム、沃化ブチルト
リフェニルホスホニウム、沃化テトラブチルホスホニウ
ム、沃化ベンジルトリフェニルホスホニウム、沃化ヘキ
サデシルトリメチルホスホニウム等が挙げられる。
As the quaternary phosphonium salt, for example,
Tributylmethylphosphonium chloride, triethylmethylphosphonium chloride, methyltriphenoxyphosphonium chloride, butyltriphenylphosphonium chloride, tetrabutylphosphonium chloride, benzyltriphenylphosphonium chloride, hexadecyltrimethylphosphonium chloride,
Hexadecyltributylphosphonium chloride, hexadecyldimethylethylphosphonium chloride, tetraphenylphosphonium chloride, tributylmethylphosphonium bromide,
Triethylmethylphosphonium bromide, methyltriphenoxyphosphonium bromide, butyltriphenylphosphonium bromide, tetrabutylphosphonium bromide, benzyltriphenylphosphonium bromide, hexadecyltrimethylphosphonium bromide, hexadecyltributylphosphonium bromide, hexahexyl bromide Decyldimethylethylphosphonium,
Tetraphenylphosphonium bromide, tributylmethylphosphonium iodide, triethylmethylphosphonium iodide,
Examples include methyltriphenoxyphosphonium iodide, butyltriphenylphosphonium iodide, tetrabutylphosphonium iodide, benzyltriphenylphosphonium iodide, and hexadecyltrimethylphosphonium iodide.

【0023】スルホニウム塩としては、例えば、塩化ジ
ブチルメチルスルホニウム、塩化トリメチルスルホニウ
ム、塩化トリエチルスルホニウム、臭化ジブチルメチル
スルホニウム、臭化トリメチルスルホニウム、臭化トリ
エチルスルホニウム、沃化ジブチルメチルスルホニウ
ム、沃化トリメチルスルホニウム、沃化トリエチルスル
ホニウム等が挙げられる。
Examples of the sulfonium salt include dibutylmethylsulfonium chloride, trimethylsulfonium chloride, triethylsulfonium chloride, dibutylmethylsulfonium bromide, trimethylsulfonium bromide, triethylsulfonium bromide, dibutylmethylsulfonium iodide, trimethylsulfonium iodide, And triethylsulfonium iodide.

【0024】かかる相間移動触媒の使用量は、アリルス
ルホン誘導体(2)に対して通常0.01〜0.2モル倍程度
であり、好ましくは0.02〜0.1モル倍程度であ
る。
The amount of the phase transfer catalyst to be used is generally about 0.01 to 0.2 mol times, preferably about 0.02 to 0.1 mol times, relative to the allyl sulfone derivative (2).

【0025】上記反応は、通常、有機溶媒中で実施さ
れ、使用される溶媒としてはアセトニトリル、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホリックトリアミド、スルホラン、1,3−
ジメチル−2−イミダゾリジノン、1−メチル−2−ピ
ロリジノン等の非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジメト
キシエタン、アニソール、ジグライム、トリグライム、
テトラグライム等のエーテル系溶媒、t−ブタノールな
どのアルコール系溶媒、n-ヘキサン、シクロヘキサ
ン、n-ペンタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の
炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単一であっ
ても2種以上の混合溶媒で使用してもよい。また、使用
する塩基類の種類によって、最適な溶媒を選択すること
が望ましい。
The above reaction is usually carried out in an organic solvent, and the solvent used is acetonitrile, N, N-
Dimethylformamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoric triamide, sulfolane, 1,3-
Aprotic polar solvents such as dimethyl-2-imidazolidinone, 1-methyl-2-pyrrolidinone, diethyl ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, dimethoxyethane, anisole, diglyme, triglyme,
Examples thereof include ether solvents such as tetraglyme, alcohol solvents such as t-butanol, and hydrocarbon solvents such as n-hexane, cyclohexane, n-pentane, benzene, toluene, and xylene. These may be used alone or in a mixture of two or more. In addition, it is desirable to select an optimum solvent depending on the type of the base used.

【0026】反応温度は通常、−78℃から溶媒の沸点
までの範囲内で任意に選択できるが、使用する原料化合
物、塩基類および溶媒の種類によって最適な反応温度を
選択することが望ましい。反応時間は、使用する原料化
合物、塩基類、溶媒ならびに反応温度など諸条件によっ
て異なるが、通常5分間から24時間程度の範囲であ
る。反応は、非酸素下条件が好ましく、不活性ガス(窒
素、アルゴン)雰囲気下行い、使用する溶媒も十分に脱
気しておくことが望ましい。また、安定剤として3,5
―ジ−t−ブチルー4−ヒドロキシトルエン(BH
T)、2−&3−t−ブチル−4−ヒドロキシアニソー
ル(BHA)、ビタミンE、エトキシキン等の酸化防止
剤を加えておくとさらに好ましい。反応後は、通常の後
処理、例えば抽出、洗浄、晶析、各種クロマトグラフィ
ーなどの操作をすることによりジスルホン誘導体(1)
を製造することができる。
The reaction temperature can usually be arbitrarily selected within the range of -78 ° C. to the boiling point of the solvent, but it is desirable to select an optimum reaction temperature depending on the types of starting compounds, bases and solvent used. The reaction time varies depending on various conditions such as a starting compound, a base, a solvent and a reaction temperature to be used, but is usually in a range of about 5 minutes to 24 hours. The reaction is preferably carried out under non-oxygen conditions, and is preferably carried out in an inert gas (nitrogen, argon) atmosphere, and the solvent used is desirably sufficiently degassed. In addition, 3,5 as a stabilizer
-Di-t-butyl-4-hydroxytoluene (BH
It is more preferable to add an antioxidant such as T), 2- & 3-t-butyl-4-hydroxyanisole (BHA), vitamin E, and ethoxyquin. After the reaction, the disulfone derivative (1) is subjected to usual post-treatments such as extraction, washing, crystallization, and various types of chromatography.
Can be manufactured.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明のジスルホン誘導体(1)は、塩
基と反応させることにより簡便にレチノールに導くこと
ができることから、医薬、飼料添加物、食品添加物とし
て有用なレチノールの重要中間体となりうる。
Industrial Applicability The disulfone derivative (1) of the present invention can be easily converted into retinol by reacting with a base, so that it can be an important intermediate of retinol useful as a pharmaceutical, feed additive or food additive. .

【0028】[0028]

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより限定されるものでは
ない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0029】(実施例1) カリウムt−ブトキシド224mg(2mmol)をDMF6mlに溶
解した溶液を−60℃に冷却し、スルホン(I)585mg(2mmo
l)のDMF(4ml)溶液を20秒間で滴下し、滴下後、同
温度で30分間保温した。次いで、アリルハライド(II)(9
6%)215mg(1mmol)のDMF(4ml)溶液を同温度で5分
間で滴下し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモ
ニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得ら
れた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩
水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去することにより黄色オイルの粗生成物を得た。得
られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量
したところ、スルホン誘導体(III)および(IV)の収率
は、それぞれ71.2%、15.4%であった。
(Example 1) A solution of 224 mg (2 mmol) of potassium t-butoxide dissolved in 6 ml of DMF was cooled to -60 ° C, and 585 mg of sulfone (I) (2 mmol) was added.
A solution of l) in DMF (4 ml) was added dropwise over 20 seconds. After the addition, the mixture was kept at the same temperature for 30 minutes. Then, allyl halide (II) (9
(6%) A solution of 215 mg (1 mmol) in DMF (4 ml) was added dropwise at the same temperature for 5 minutes, and the mixture was stirred for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and a saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yields of the sulfone derivatives (III) and (IV) were 71.2% and 15.4%, respectively.

【0030】(実施例2)カリウムt−ブトキシド224mg
(2mmol)をDMF6mlに溶解した溶液を−20℃に冷却し、
スルホン(I)585mg(2mmol)のDMF(4ml)溶液を20秒
間で滴下し、滴下後、同温度で5分間保温した。−60℃
に冷却して、次いで、アリルハライド(II)(96%)215mg
(1mmol)のDMF(3ml)溶液を同温度で5分間かけて滴
下し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム
水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有
機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順
次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去
することにより黄色オイルの粗生成物を得た。得られた
粗生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量したと
ころ、スルホン誘導体(III)の収率は、99.5%であった。
Example 2 224 mg of potassium t-butoxide
(2 mmol) dissolved in 6 ml of DMF was cooled to −20 ° C.
A solution of 585 mg (2 mmol) of sulfone (I) in DMF (4 ml) was added dropwise over 20 seconds, and the mixture was kept at the same temperature for 5 minutes. −60 ° C
And then allyl halide (II) (96%) 215 mg
A solution of (1 mmol) in DMF (3 ml) was added dropwise at the same temperature over 5 minutes and stirred for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and a saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yield of the sulfone derivative (III) was 99.5%.

【0031】(実施例3)ナトリウムt−ブトキシド116
mg(1.2mmol)をDMF6mlに溶解した溶液を0℃に冷却
し、スルホン(I)876mg(3mmol)のDMF(4ml)溶液を
20秒間で滴下し、同温度で5分間保温した後、−20℃に
冷却した。次いで、アリルハライド(II)(96%)215mg(1m
mol)のDMF(3ml)溶液を同温度で5分間かけて滴下
し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水
溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機
層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去す
ることにより黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗
生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量したとこ
ろ、スルホン誘導体(III)の収率は、65.9%であった。
Example 3 Sodium t-butoxide 116
A solution of mg (1.2 mmol) in 6 ml of DMF was cooled to 0 ° C., and a solution of 876 mg (3 mmol) of sulfone (I) in 4 ml of DMF was added.
The solution was dropped for 20 seconds, kept at the same temperature for 5 minutes, and then cooled to -20 ° C. Then, 215 mg of allyl halide (II) (96%) (1 m
mol) in DMF (3 ml) was added dropwise over 5 minutes at the same temperature and stirred for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and a saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yield of the sulfone derivative (III) was 65.9%.

【0032】(実施例4)スルホン(I)585mg(2mmol)
をテトラヒドロフラン(THF)6mlに溶解した溶液を
−60℃に冷却し、ナトリウムヘキサメチルジシラジドの
0.96mol/l THF溶液1.16ml(1.2mmol)を20秒間で滴下
し、同温度で30分間保温した。次いで、アリルハライド
(II)(96%)215mg(1mmol)のTHF(3ml)溶液を同温度
で5分間かけて滴下し、3時間攪拌した。反応後、飽和塩
化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて抽出し
た。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、
飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、溶媒を留去することにより黄色オイルの粗生成物を
得た。得られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィー
にて定量したところ、スルホン誘導体(III)の収率は、7
0.0%であった。
Example 4 585 mg (2 mmol) of sulfone (I)
Was dissolved in 6 ml of tetrahydrofuran (THF), cooled to -60 ° C, and sodium hexamethyldisilazide was dissolved.
1.16 ml (1.2 mmol) of a 0.96 mol / l THF solution was added dropwise over 20 seconds, and the mixture was kept at the same temperature for 30 minutes. Then allyl halide
(II) A solution of 215 mg (1 mmol) (96%) in THF (3 ml) was added dropwise at the same temperature over 5 minutes, and the mixture was stirred for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer is a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate,
The extract was washed successively with saturated saline, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yield of the sulfone derivative (III) was found to be 7
0.0%.

【0033】(実施例5)水素化ナトリウム(60%、オイ
ル懸濁品)80mg(2mmol)をDMF5mlに懸濁させt-ブタノ
ール88.9mg(1.2mmol)を加え50℃で2時間加熱撹拌し
た。次いでスルホン(I)585.mg(2mmol)及び3,5-ジt-ブ
チル-4-ヒドロキシトルエン(BHT)4mg(0.02mmol)のD
MF(3ml)溶液を同温度で滴下し、3分間撹拌した後、
−20℃に冷却し、アリルハライド(II)(96%)215mg(1mmo
l)のDMF(2ml)溶液を1分間で滴下し、同温度で2時
間攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注
加し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することに
より黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗生成物を
高速液体クロマトグラフィーにて定量分析したところ、
スルホン誘導体(III)の収率は、59.5%であった。
Example 5 80 mg (2 mmol) of sodium hydride (60%, oil suspension) was suspended in 5 ml of DMF, and 88.9 mg (1.2 mmol) of t-butanol was added, followed by heating and stirring at 50 ° C. for 2 hours. Then, 585 mg (2 mmol) of sulfone (I) and 4 mg (0.02 mmol) of 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxytoluene (BHT) were added to D.
An MF (3 ml) solution was added dropwise at the same temperature, and the mixture was stirred for 3 minutes.
After cooling to −20 ° C., allyl halide (II) (96%) 215 mg (1 mmo
A solution of l) in DMF (2 ml) was added dropwise over 1 minute, and the mixture was stirred at the same temperature for 2 hours. After the reaction, the reaction solution was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate and a saturated saline solution,
After drying over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantitatively analyzed by high performance liquid chromatography,
The yield of the sulfone derivative (III) was 59.5%.

【0034】(実施例6) 窒素雰囲気下、塩化パラジウム9mg(0.05mmol)、p−
トルエンスルフィン酸ナトリウム178mg(1mmol)をメタノ
ール2mlに懸濁し、トリフェニルホスファイト62mg(0.2
mmol)およびスルホン誘導体(III)211mg(98.3%)(0.5mmo
l)のテトラヒドロフラン(THF)(2ml)溶液を加え、室
温にて1.5時間攪拌した後、60℃に昇温し、5.5時間攪拌
した。反応後、水および飽和食塩水を注加して酢酸エチ
ルで抽出し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。次いで溶媒を留去することにより得られた粗
生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量分析した
ところ、アリルスルホン誘導体(V)の収率は、89.1%であ
った。
(Embodiment 6) Under a nitrogen atmosphere, palladium chloride 9 mg (0.05 mmol), p-
178 mg (1 mmol) of sodium toluenesulfinate was suspended in 2 ml of methanol, and 62 mg of triphenyl phosphite (0.2 mg) was suspended.
mmol) and 211 mg (98.3%) of the sulfone derivative (III) (0.5 mmo
A solution of l) in tetrahydrofuran (THF) (2 ml) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours, heated to 60 ° C., and stirred for 5.5 hours. After the reaction, water and saturated saline were added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate. Then, the crude product obtained by distilling off the solvent was quantitatively analyzed by high performance liquid chromatography, and the yield of the allyl sulfone derivative (V) was 89.1%.

【0035】(実施例7)窒素雰囲気下、塩化パラジウ
ム9mg(0.05mmol)、トリフェニルホスフィン54mg(0.2
mmol)、p−トルエンスルフィン酸ナトリウム4水和物
250mg(1mmol)およびスルホン誘導体(III)211mg(98.3%)
(0.5mmol)をメタノール1mlとトルエン3mlに懸濁させ、6
0℃にて4時間攪拌した。反応後、水を注加して酢酸エチ
ルで抽出し、得られた有機層を飽和塩化アンモニウム水
および飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去することにより黄色オイル状の粗
生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィー
にて定量分析したところ、アリルスルホン誘導体(V)の
収率は、78%であった。
Example 7 9 mg (0.05 mmol) of palladium chloride and 54 mg (0.2 mg) of triphenylphosphine under a nitrogen atmosphere.
mmol), sodium p-toluenesulfinate tetrahydrate
250 mg (1 mmol) and 211 mg (98.3%) of the sulfone derivative (III)
(0.5 mmol) was suspended in 1 ml of methanol and 3 ml of toluene, and 6
The mixture was stirred at 0 ° C for 4 hours. After the reaction, water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate.The obtained organic layer was washed successively with saturated aqueous ammonium chloride and brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and evaporated to remove a yellow oil. A crude product was obtained. Quantitative analysis of the crude product by high performance liquid chromatography revealed that the yield of the allyl sulfone derivative (V) was 78%.

【0036】(実施例8)窒素雰囲気下、塩化パラジウ
ム9mg(0.05mmol)、p−トルエンスルフィン酸ナトリ
ウム4水和物254mg(1mmol)をメタノール1mlに懸濁し、
トリフェニルホスフィン52mg(0.2mmol)、スルホン誘
導体(III)211mg(98.3%)(0.5mmol)および酢酸60mg(1mmo
l)のトルエン(3ml)溶液を加え、60℃で3時間攪拌した。
反応後、水および飽和食塩水を注加して酢酸エチルで抽
出し、得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。次いで溶媒を留去することにより得られた粗
生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定量分析した
ところ、アリルスルホン誘導体(V)の収率は、76.9%であ
った。
Example 8 Under a nitrogen atmosphere, 9 mg (0.05 mmol) of palladium chloride and 254 mg (1 mmol) of sodium p-toluenesulfinate tetrahydrate were suspended in 1 ml of methanol.
52 mg (0.2 mmol) of triphenylphosphine, 211 mg (98.3%) (0.5 mmol) of the sulfone derivative (III) and 60 mg (1 mmo) of acetic acid
A solution of l) in toluene (3 ml) was added, and the mixture was stirred at 60 ° C for 3 hours.
After the reaction, water and saturated saline were added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was washed successively with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and saturated saline, and dried over anhydrous magnesium sulfate. Then, the crude product obtained by distilling off the solvent was quantitatively analyzed by high performance liquid chromatography, and the yield of the allyl sulfone derivative (V) was 76.9%.

【0037】(実施例9)塩化パラジウム2.6mg(0.015
mmol)、トリフェニルホスフィン156mg(0.6mmol)、p
−トルエンスルフィン酸ナトリウム4水和物452mg(1.8m
mol)およびスルホン誘導体(III)634mg(99.6%)(1.5mmol)
をメタノール1mlに溶解させた後、トリエチルアミン46m
g(0.45mmol)およびトルエン3mlを加え、60℃にて10時
間攪拌した。反応後、水を注加して酢酸エチルで抽出
し、得られた有機層を飽和塩化アンモニウム水および飽
和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。次いで溶媒を留去することにより得られた粗生成物
を高速液体クロマトグラフィーにて定量分析したとこ
ろ、アリルスルホン誘導体(V)の収率は、74%であった。
Example 9 2.6 mg of palladium chloride (0.015
mmol), 156 mg (0.6 mmol) of triphenylphosphine, p
-452 mg of sodium toluenesulfinate tetrahydrate (1.8 m
mol) and sulfone derivative (III) 634 mg (99.6%) (1.5 mmol)
Was dissolved in 1 ml of methanol and triethylamine 46m
g (0.45 mmol) and 3 ml of toluene were added, and the mixture was stirred at 60 ° C. for 10 hours. After the reaction, water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was washed successively with saturated aqueous ammonium chloride and saturated brine, and dried over anhydrous magnesium sulfate. Next, the crude product obtained by distilling off the solvent was quantitatively analyzed by high performance liquid chromatography, and the yield of the allyl sulfone derivative (V) was 74%.

【0038】(実施例10)塩化パラジウム4.9mg(0.0
28mmol)、p−トルエンスルフィン酸ナトリウム4水和
物151.6mg(0.61mmol)およびスルホン誘導体(III)211.9m
g(99.6%)(0.5mmol) 、トリス(トリデシル)ホスファイ
ト124.3mg(0.2mmol)およびトリエチルアミン16.2mg
(0.16mmol)をメタノール1mlおよびトルエン3mlに溶解
させ、60℃にて6時間攪拌した。反応後、水を注加して
酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を飽和塩化アンモ
ニウム水および飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。次いで溶媒を留去することにより
得られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィーにて定
量分析したところ、アリルスルホン誘導体(V)の収率
は、83%であった。
Example 10 4.9 mg of palladium chloride (0.0 mg)
281.6 mmol), 151.6 mg (0.61 mmol) of sodium p-toluenesulfinate tetrahydrate and 211.9 m of the sulfone derivative (III)
g (99.6%) (0.5 mmol), tris (tridecyl) phosphite 124.3 mg (0.2 mmol) and triethylamine 16.2 mg
(0.16 mmol) was dissolved in 1 ml of methanol and 3 ml of toluene and stirred at 60 ° C. for 6 hours. After the reaction, water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was washed successively with saturated aqueous ammonium chloride and saturated brine, and dried over anhydrous magnesium sulfate. Then, the crude product obtained by distilling off the solvent was quantitatively analyzed by high performance liquid chromatography, and the yield of the allyl sulfone derivative (V) was 83%.

【0039】(実施例11) ナトリウムt−ブトキシド47mg(0.49mmol)をDMF6ml
に溶解した溶液を0℃に冷却し、アリルスルホン誘導体
(V)196mg(0.38mmol)のDMF(3ml)溶液を5秒間で滴
下し、滴下後、同温度で2分間保温した。次いで、-60℃
に冷却し、アリルハライド(II)(96%)88mg(0.41mmol)
のDMF(3ml)溶液を同温度で20秒間で滴下し、3時間
攪拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加
し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することによ
り黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗生成物を高
速液体クロマトグラフィーで定量したところ、ジスルホ
ン誘導体(VI)の収率は92.8%であった。 ジスルホン誘導体(VI)1 H-NMR δ(CDCl3) 0.66-1.69(21H, m), 1.91-2.04(3H, m), 1.91-2.04(2H,
m), 2.43(3H, s), 2.45(3H, s), 2.52-3.11(2H, m),
3.58-3.94(2H, m), 4.35-4.50(2H, m), 4.86-4.94(1H,
m), 5.18-5.38(1H, m), 7.28-7.39(4H, m), 7.65-7.79
(4H, m)
(Embodiment 11) Sodium t-butoxide 47 mg (0.49 mmol) in DMF 6 ml
The solution dissolved in
(V) A solution of 196 mg (0.38 mmol) in DMF (3 ml) was added dropwise over 5 seconds. After the addition, the mixture was kept at the same temperature for 2 minutes. Then -60 ° C
And allyl halide (II) (96%) 88 mg (0.41 mmol)
(3 ml) solution was added dropwise at the same temperature for 20 seconds and stirred for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and a saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yield of the disulfone derivative (VI) was 92.8%. Disulfone derivative (VI) 1 H-NMR δ (CDCl 3 ) 0.66-1.69 (21H, m), 1.91-2.04 (3H, m), 1.91-2.04 (2H,
m), 2.43 (3H, s), 2.45 (3H, s), 2.52-3.11 (2H, m),
3.58-3.94 (2H, m), 4.35-4.50 (2H, m), 4.86-4.94 (1H,
m), 5.18-5.38 (1H, m), 7.28-7.39 (4H, m), 7.65-7.79
(4H, m)

【0040】(実施例12)水素化ナトリウム(60%、オ
イル懸濁品)19mg(0.48mmol)をDMF6mlに溶解した溶液
を0℃に冷却し、アリルスルホン誘導体(V)190mg(0.37m
mol)のDMF(3ml)溶液を20秒間で滴下し、20分間保
温した。次いで、アリルハライド(II)(96%)88mg(0.41m
mol)のDMF(3ml)溶液を同温度で5分間で滴下し、
その後室温まで自然昇温し、3時間攪拌した。反応後、
飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、酢酸エチルにて
抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去することにより黄色オイルの粗生
成物を得た。得られた粗生成物を高速液体クロマトグラ
フィーで定量したところ、ジスルホン誘導体(VI)の収率
は、94.8%であった。
Example 12 A solution prepared by dissolving 19 mg (0.48 mmol) of sodium hydride (60%, oil suspension) in 6 ml of DMF was cooled to 0 ° C., and 190 mg of an allyl sulfone derivative (V) (0.37 m
mol) in DMF (3 ml) was added dropwise over 20 seconds, and the mixture was kept warm for 20 minutes. Then, allyl halide (II) (96%) 88 mg (0.41m
mol) in DMF (3 ml) was added dropwise at the same temperature in 5 minutes,
Thereafter, the temperature was naturally raised to room temperature, followed by stirring for 3 hours. After the reaction,
The mixture was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and a saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yield of the disulfone derivative (VI) was 94.8%.

【0041】(実施例13)水酸化ナトリウム21mg(0.5
3mmol)と塩化ベンジルトリエチルアンモニウム4.5mg(0.
02mmol)をDMF6mlに溶解した溶液に、アリルスルホン
誘導体(V)211mg(0.41mmol)のDMF(3ml)溶液を室
温で20秒間かけて滴下し、同温度で20分間保温した。次
いで、アリルハライド(II)(96%)88mg(0.41mmol)のD
MF(3ml)溶液を同温度で20秒間で滴下し、3時間攪拌
した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加し、
酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することにより黄
色オイルの粗生成物を得た。得られた粗生成物を高速液
体クロマトグラフィーで定量したところ、ジスルホン誘
導体(VI)の収率は、60.8%であった。
Example 13 21 mg of sodium hydroxide (0.5 mg)
3 mmol) and 4.5 mg of benzyltriethylammonium chloride (0.
02 mmol) in 6 ml of DMF was added dropwise with a solution of 211 mg (0.41 mmol) of the allyl sulfone derivative (V) in 3 ml of DMF at room temperature over 20 seconds, and the mixture was kept at the same temperature for 20 minutes. Then, 88 mg (0.41 mmol) of allyl halide (II) (96%)
An MF (3 ml) solution was added dropwise at the same temperature in 20 seconds, and the mixture was stirred for 3 hours. After the reaction, poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution,
Extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and a saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yield of the disulfone derivative (VI) was 60.8%.

【0042】(実施例14)水酸化カリウム46mg(0.82m
mol)と塩化ベンジルトリエチルアンモニウム4.5mg(0.02
mmol)をDMF6mlに溶解した溶液を0℃に冷却し、アリ
ルスルホン誘導体(V)211mg(0.41mmol)のDMF(3m
l)溶液を同温度で20秒間で滴下し、20分間保温した。
次いで、アリルハライド(II)(96%)88mg(0.41mmol)の
DMF(3ml)溶液を同温度で20秒間で滴下し、3時間攪
拌した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液に注加
し、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層は飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去することによ
り黄色オイルの粗生成物を得た。得られた粗生成物を高
速液体クロマトグラフィーで定量したところ、ジスルホ
ン誘導体(VI)の収率は、68.1%であった。
Example 14 46 mg of potassium hydroxide (0.82 m
mol) and 4.5 mg of benzyltriethylammonium chloride (0.02
was dissolved in 6 ml of DMF and cooled to 0 ° C., and 211 mg (0.41 mmol) of the allyl sulfone derivative (V) in DMF (3 m
l) The solution was added dropwise at the same temperature for 20 seconds and kept warm for 20 minutes.
Next, a solution of 88 mg (0.41 mmol) of allyl halide (II) (96%) in DMF (3 ml) was added dropwise at the same temperature for 20 seconds, and the mixture was stirred for 3 hours. After the reaction, the reaction solution was poured into a saturated aqueous ammonium chloride solution and extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate and a saturated saline solution, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain a crude product as a yellow oil. When the obtained crude product was quantified by high performance liquid chromatography, the yield of the disulfone derivative (VI) was 68.1%.

【0043】(参考例1) ジスルホン誘導体(VI)256mg(0.4mmol)をヘキサン(BHT30
0ppm含有)2mlに溶解後、95%の水酸化カリウム240mg(4mm
ol)、メタノール7mg(0.2mmol)、塩化ベンジルトリエチ
ルアンモニウム4mg(0.02mmol)を仕込み、30℃で18時間
攪拌した。反応後、飽和食塩水を注加し、酢酸エチルに
て抽出した。得られた有機層は水、飽和食塩水で順次洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去するこ
とにより赤色オイルの粗レチノールを得た。得られた粗
レチノールを常法によりアセチル化し、高速液体クロマ
トグラフィーにて定量したところ、レチノールアセテー
ト(VII)の収率は91.3%であった。
(Reference Example 1) Disulfone derivative (VI) 256 mg (0.4 mmol) was treated with hexane (BHT30
After dissolving in 2 ml, 240 mg of 95% potassium hydroxide (4 mm
ol), 7 mg (0.2 mmol) of methanol and 4 mg (0.02 mmol) of benzyltriethylammonium chloride, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 18 hours. After the reaction, saturated saline was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was sequentially washed with water and saturated saline, dried over anhydrous sodium sulfate, and then the solvent was distilled off to obtain crude retinol as a red oil. The obtained crude retinol was acetylated by a conventional method and quantified by high performance liquid chromatography. As a result, the yield of retinol acetate (VII) was 91.3%.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式(1) (式中、Arは置換基を有していてもよいアリール基、
1は水素原子または水酸基の保護基、波線はE/Z幾
何異性体のいずれか一方もしくはそれらの混合物である
ことを表す。)で示されるジスルホン誘導体。
1. The general formula (1) (Wherein, Ar is an aryl group which may have a substituent,
R 1 represents a hydrogen atom or a protecting group for a hydroxyl group, and a wavy line represents one of E / Z geometric isomers or a mixture thereof. ).
【請求項2】一般式(2) (式中、Arおよび波線は前記と同じ意味を表す。)で
示されるアリルスルホン誘導体と一般式(3) (式中、Xはハロゲン原子、Rは水酸基の保護基を示
し、波線は前記と同じ意味を表す。)で示されるアリル
ハライド誘導体とを塩基類の存在下に反応させることを
特徴とする一般式(1)で示されるジスルホン誘導体の
製法。
2. The general formula (2) (Wherein Ar and wavy lines represent the same meanings as described above) and an allyl sulfone derivative represented by the general formula (3): (Wherein X represents a halogen atom, R represents a hydroxyl-protecting group, and wavy lines represent the same meanings as described above) in the presence of a base in the presence of a base. A method for producing a disulfone derivative represented by the formula (1).
【請求項3】一般式(4) (式中、Ar、Rおよび波線は前記と同じ意味を表
す。)で示されるスルホン誘導体をスルホン化反応に供
し一般式(2)で示されるアリルスルホン誘導体を得、
得られたアリルスルホン誘導体と一般式(3)で示され
るアリルハライド誘導体とを塩基類の存在下反応させる
ことを特徴とする一般式(1)で示されるジスルホン誘
導体の製法。
3. The formula (4) (Wherein Ar, R and wavy lines represent the same meanings as described above), and subjected to a sulfonation reaction to obtain an allyl sulfone derivative represented by the general formula (2).
A process for producing a disulfone derivative represented by the general formula (1), wherein the obtained allyl sulfone derivative is reacted with an allyl halide derivative represented by the general formula (3) in the presence of a base.
【請求項4】一般式(5) (式中、Arは前記と同じ意味を表す。)で示されるス
ルホン類と一般式(3)で示されるアリルハライド誘導
体とを塩基化合物の存在下に反応させ一般式(4)で示
されるスルホン誘導体を得、得られたスルホン誘導体を
スルホン化反応に供し一般式(2)で示されるアリルス
ルホン誘導体を得、得られたアリルスルホン誘導体と一
般式(3)で示されるアリルハライド誘導体とを塩基類
の存在下反応させることを特徴とする一般式(1)で示
されるジスルホン誘導体の製法。
4. The formula (5) Wherein Ar represents the same meaning as described above, and a sulfone represented by the general formula (4) by reacting a sulfone represented by the general formula (3) with an allyl halide derivative represented by the general formula (3). A derivative is obtained, the obtained sulfone derivative is subjected to a sulfonation reaction to obtain an allyl sulfone derivative represented by the general formula (2), and the obtained allyl sulfone derivative and an allyl halide derivative represented by the general formula (3) are base-substituted. A method for producing a disulfone derivative represented by the general formula (1), wherein the reaction is carried out in the presence of a compound.
【請求項5】塩基化合物が、アルキルリチウム、アルカ
リ金属のアルコキシド、アルカリ金属のアミドまたはア
ルカリ金属の水素化物である請求項4に記載の製法。
5. The process according to claim 4, wherein the basic compound is an alkyl lithium, an alkali metal alkoxide, an alkali metal amide or an alkali metal hydride.
【請求項6】塩基類が、アルキルリチウム、アルカリ金
属のアルコキシド、アルカリ金属のアミド、アルカリ金
属の水素化物またはアルカリ金属の水酸化物である請求
項2、3または4に記載の製法。
6. The method according to claim 2, wherein the base is an alkyl lithium, an alkali metal alkoxide, an alkali metal amide, an alkali metal hydride or an alkali metal hydroxide.
【請求項7】スルホン化反応が、一般式(6) (式中、Arは前記と同じ意味を表し、Mはアルカリ金
属を表す。)で示されるアリールスルフィン酸塩を用い
て反応させる請求項3または4に記載の製法。
7. The sulfonation reaction represented by the general formula (6) (Wherein Ar represents the same meaning as described above, and M represents an alkali metal.) The method according to claim 3 or 4, wherein the reaction is carried out using an arylsulfinate salt represented by the formula:
【請求項8】スルホン化反応がパラジウム触媒存在下、
一般式(6)で示されるアリールスルフィン酸塩を用い
て反応させる請求項3または4に記載の製法。
8. The sulfonation reaction is carried out in the presence of a palladium catalyst.
The process according to claim 3 or 4, wherein the reaction is carried out using an arylsulfinate salt represented by the general formula (6).
【請求項9】スルホン化反応がパラジウム触媒、リン配
位子の存在下、一般式(6)で示されるアリールスルフ
ィン酸塩を用いて反応させる請求項3または4に記載の
製法。
9. The process according to claim 3, wherein the sulfonation reaction is carried out in the presence of a palladium catalyst and a phosphorus ligand by using an arylsulfinate represented by the general formula (6).
【請求項10】スルホン化反応がパラジウム触媒、リン
配位子および添加剤の存在下、一般式(6)で示される
アリールスルフィン酸塩を用いて反応させる請求項3ま
たは4に記載の製法。
10. The process according to claim 3, wherein the sulfonation reaction is carried out in the presence of a palladium catalyst, a phosphorus ligand and an additive using an arylsulfinate represented by the general formula (6).
【請求項11】添加剤がアミンである請求項10に記載
の製法。
11. The method according to claim 10, wherein the additive is an amine.
【請求項12】添加剤が酸である請求項10に記載の製
法。
12. The method according to claim 10, wherein the additive is an acid.
【請求項13】アリールスルフィン酸塩が、ベンゼンス
ルフィン酸ナトリウム、ベンゼンスルフィン酸カリウ
ム、 p−トルエンスルフィン酸ナトリウムまたはp−
トルエンスルフィン酸カリウムである請求項7から10
のいずれかに記載の製法。
13. The arylsulfinate is sodium benzenesulfinate, potassium benzenesulfinate, sodium p-toluenesulfinate or p-toluenesulfinate.
11. The composition according to claim 7, which is potassium toluenesulfinate.
The production method according to any one of the above.
【請求項14】Rがアシル基である請求項2、3または
4に記載の製法。
14. The method according to claim 2, wherein R is an acyl group.
JP2001263141A 2000-10-18 2001-08-31 Disulfone derivative and its producing method Withdrawn JP2002193920A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001263141A JP2002193920A (en) 2000-10-18 2001-08-31 Disulfone derivative and its producing method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000317548 2000-10-18
JP2000-317548 2000-10-18
JP2001263141A JP2002193920A (en) 2000-10-18 2001-08-31 Disulfone derivative and its producing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002193920A true JP2002193920A (en) 2002-07-10

Family

ID=26602293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001263141A Withdrawn JP2002193920A (en) 2000-10-18 2001-08-31 Disulfone derivative and its producing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002193920A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806387B2 (en) 2001-09-10 2004-10-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for preparation of allyl sulfone derivatives and intermediates for the preparation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6806387B2 (en) 2001-09-10 2004-10-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for preparation of allyl sulfone derivatives and intermediates for the preparation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11130787A (en) Production of phosphonium salt, phosphonium salt, and production of lycopene
JP2002193920A (en) Disulfone derivative and its producing method
JP2002193917A (en) Method for producing retinol
EP2797883B1 (en) Catalytic synthesis of vitamin a intermediate
US6784321B2 (en) Process for producing retinol and intermediate compounds for producing the same
JP2002193918A (en) Allyl sulfone derivative and its producing method
JP4023156B2 (en) Method for producing retinoid intermediate
JP2010189371A (en) Sulfone compound, and method for producing the same
US20040034257A1 (en) Novel sulfone derivatives and process for producing these
JP4250882B2 (en) Sulfone derivative and process for producing the same
JP2003212838A (en) Method for producing sulfone derivative
JP2001114756A (en) METHOD FOR PRODUCING beta-CAROTENE
US6552219B1 (en) Process for the preparation of vitamin a, intermediates, and process for the preparation of the intermediates
JP2003277354A (en) Method for producing allylsulfone derivative
JP3799875B2 (en) Sulfone derivative and process for producing the same
US20020107422A1 (en) Process for producing allyl halide compound
JP2000063351A (en) Production of retinal, intermediate and its production
JP4158451B2 (en) Method for producing allyl sulfone derivative
US20010025127A1 (en) Dihalo-compound and process for producing vitamin A derivative
JPH11315065A (en) Sulfone derivative and its production
JP2003212825A (en) Method for producing ester compound
US6806387B2 (en) Process for preparation of allyl sulfone derivatives and intermediates for the preparation
JP2002255924A (en) Method for producing disulfone derivative
JP4250970B2 (en) Process for producing intermediate of retinol derivative
JP2001316356A (en) One pot synthetic process

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20080128

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080717

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20110224