JP2002190267A - Display device and its manufacturing method - Google Patents

Display device and its manufacturing method

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JP2002190267A
JP2002190267A JP2000388864A JP2000388864A JP2002190267A JP 2002190267 A JP2002190267 A JP 2002190267A JP 2000388864 A JP2000388864 A JP 2000388864A JP 2000388864 A JP2000388864 A JP 2000388864A JP 2002190267 A JP2002190267 A JP 2002190267A
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JP
Japan
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spacer
polyimide resin
display device
layer
resin layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000388864A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaki Higa
正貴 日賀
Atsuo Inoue
篤郎 井上
Satoshi Honda
智 本田
Mitsuhiro Nishio
光弘 西尾
Fujio Takahashi
不二男 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000388864A priority Critical patent/JP2002190267A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device, which has a field emission type cold cathode formed with high speed vacuum micro elements for emitting electrons on the surface of one substrate of two substrates arranged face to face is spaced apart to each other with spacers, of which the spacers can be formed arbitrarily, and also to provide a manufacturing method of the display device. SOLUTION: In the display device having a field emission type cold cathode formed with high speed vacuum micro elements for emitting electrons on the surface of one of two substrates, spacers 21, 22 supporting a glass panel 14 are made with frit glass or polyamide resin.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】互いに対向して設置される2
枚の間隙を保持するスペーサを有し、高速真空マイクロ
素子を用いた表示装置とその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 2
The present invention relates to a display device having a spacer for holding a gap between sheets and using a high-speed vacuum micro element, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高速真空マイクロ素子を使用した
平面型の画像表示装置が開発されており、その中に電界
放出型冷陰極画像表示装置(FED;Field Em
ission Display)がある。その開発動向
は薄型化および大画面化が進展している。このFED画
像表示装置は対向配置する2枚のガラス基板の一方の側
に、2次元電子を放出するためのエミッタを有し、もう
一方のガラス基板に蛍光面を形成し、エミッタから放出
させた電子ビームを蛍光面に照射させて所定の画像を得
るものである。この画像表示装置においては、電子ビー
ムを照射させることができるように、エミッタと蛍光面
の間(ガラス基板の間)を高真空に保つ必要がある。こ
のガラス基板の内部が高真空であるために、2枚のガラ
ス基板は大気圧により、ガラス同士が接触する方向に外
力が加わるため、ガラス基板が変形してしまう。したが
って、高真空によるガラス基板の変形を防止し、ガラス
基板の間隙を保持するために、間隙保持用のスペーサが
必要となる。
2. Description of the Related Art In recent years, a flat type image display device using a high-speed vacuum micro element has been developed, and among them, a field emission type cold cathode image display device (FED; Field Em) has been developed.
issue Display). The development trend is for thinner and larger screens. This FED image display device has an emitter for emitting two-dimensional electrons on one side of two glass substrates opposed to each other, a phosphor screen is formed on the other glass substrate, and emission is performed from the emitter. A predetermined image is obtained by irradiating the phosphor screen with an electron beam. In this image display device, it is necessary to maintain a high vacuum between the emitter and the phosphor screen (between the glass substrates) so that the electron beam can be irradiated. Since the inside of this glass substrate is in a high vacuum, an external force is applied to the two glass substrates by the atmospheric pressure in the direction in which the glass comes into contact with each other, so that the glass substrates are deformed. Therefore, in order to prevent deformation of the glass substrate due to high vacuum and to maintain the gap between the glass substrates, a spacer for maintaining the gap is required.

【0003】このスペーサの製造方法に関しては、例え
ば、シリコン単結晶をエッチング法によりスペーサを形
成する方法等が、特開平9−167567号公報に開示
されている。
As a method of manufacturing the spacer, for example, a method of forming a spacer by etching a silicon single crystal by an etching method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-167567.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
の製造技術等で用いられている、シリコン単結晶基板を
異方性エッチングにより、シリコン基板を選択的に除去
してスペーサを形成する方法では、材料の異方性を利用
してスペーサを形成するため、スペーサの形状や大きさ
に制約があり、形状に制約の無い所望のアスペクト比を
有するスペーサを形成することは困難で、このため、が
その大きさを微細化することが難しい。
However, in the method of forming a spacer by selectively removing a silicon substrate by anisotropic etching of a silicon single crystal substrate, which is used in a semiconductor manufacturing technology or the like, the material is Since the spacer is formed by utilizing the anisotropy of the spacer, the shape and size of the spacer are restricted, and it is difficult to form a spacer having a desired aspect ratio with no restriction on the shape. It is difficult to reduce the size.

【0005】本発明はこれらの事情にもとづいてなされ
たもので、対向して設置され相互の間隔が所望のアスペ
クト比を有するスペーサにより支持された2枚の基板の
一方の側の基板の表面に電子を放出するための高速真空
マイクロ素子が形成された表示装置とその製造方法を提
供することを目的としている。
The present invention has been made in view of these circumstances, and has been described with reference to the surface of a substrate on one side of two substrates supported by spacers which are installed to face each other and have a desired interval between each other. It is an object of the present invention to provide a display device on which a high-speed vacuum micro element for emitting electrons is formed and a method for manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明による手
段によれば、対向して設置され相互の間隔をスペーサに
より支持された2枚の基板の少なくとも一方の側の基板
の表面に電子を放出するための素子が形成された電界放
出型冷陰極による表示装置において、前記スペーサは、フ
リットガラスにより形成されていることを特徴とする表
示装置である。
According to the first aspect of the present invention, electrons are applied to the surface of at least one side of two substrates which are installed to face each other and are spaced apart from each other and supported by spacers. In a display device using a field emission type cold cathode on which an element for emission is formed, the spacer is formed of frit glass.

【0007】また請求項2の発明による手段によれば、
対向して設置され相互の間隔をスペーサにより支持され
た2枚の基板の少なくとも一方の側の基板の表面に電子
を放出するための素子が形成された電界放出型冷陰極に
よる表示装置において、前記スペーサは、ポリイミド樹脂
により形成されていることを特徴とする表示装置であ
る。
[0007] According to the second aspect of the present invention,
A display device using a field emission type cold cathode in which an element for emitting electrons is formed on a surface of at least one of two substrates which are opposed to each other and are supported by a spacer at a distance from each other, The spacer is a display device formed of a polyimide resin.

【0008】また請求項3の発明による手段によれば、
エミッタに絶縁層を介して積層されたゲート層の表面に
ポリイミド樹脂層を形成する第1工程と、前記ポリイミ
ド樹脂層に対してマスクを介してエキシマレーザ光を照
射して前記マスクのパターに応じて前記ポリイミド樹脂
層を除去する第2工程と、前記第2工程において生成し
た凹部にフリットガラスを注入してスペーサを形成する
第3工程と、前記ゲート層の表面に残っている前記ポリ
イミド樹脂を第2のマスクを介してエキシマレーザ光を
照射して除去する第4工程と、前記スペーサの頂部にガ
ラスパネルを接合させる第5工程を有することを特徴と
する表示装置の製造方法である。
[0008] According to the means of the invention of claim 3,
A first step of forming a polyimide resin layer on the surface of a gate layer laminated on the emitter via an insulating layer, and exposing an excimer laser beam to the polyimide resin layer via a mask in accordance with the pattern of the mask A second step of removing the polyimide resin layer by using a method described above, a third step of forming a spacer by injecting frit glass into the recess formed in the second step, and removing the polyimide resin remaining on the surface of the gate layer. A method for manufacturing a display device, comprising: a fourth step of irradiating an excimer laser beam through a second mask to remove the excimer laser light; and a fifth step of bonding a glass panel to the top of the spacer.

【0009】また請求項4の発明による手段によれば、
エミッタに絶縁層を介して積層されたゲート層の表面に
ポリイミド樹脂層を形成する第1工程と、前記ポリイミ
ド樹脂層に対してマスクを介してエキシマレーザ光を照
射して前記マスクのパターに応じて前記ポリイミド樹脂
層を除去してポリイミド樹脂のスペーサを形成する第2
工程と、前記スペーサの頂部にガラスパネルを接合させ
る第3工程を有することを特徴とする表示装置の製造方
法である。
According to the means of the invention of claim 4,
A first step of forming a polyimide resin layer on the surface of a gate layer laminated on the emitter via an insulating layer, and exposing an excimer laser beam to the polyimide resin layer via a mask in accordance with the pattern of the mask To form a polyimide resin spacer by removing the polyimide resin layer.
And a third step of bonding a glass panel to the top of the spacer.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】図1は、本発明の表示装置である高速真空
マイクロ素子を使用した平面型の画像の表示装置である
電界放出型冷陰極を有する表示装置(FED)の製造工
程についての第1の実施の形態に関するフローチャート
であり、図2〜図11は各工程における状態を示す構成
図である。以下、順次、このフローチャートに従って、
各工程について説明する。
FIG. 1 shows a first process of manufacturing a display device (FED) having a field emission type cold cathode which is a flat type image display device using a high-speed vacuum micro element which is a display device of the present invention. FIG. 2 is a flowchart illustrating an embodiment, and FIGS. 2 to 11 are configuration diagrams illustrating states in respective steps. Hereinafter, sequentially according to this flowchart,
Each step will be described.

【0012】まず、予め作製されている図示しない成型
用の精密金型を用いて、この精密金型の形状を転写する
転写モールド法により、図2に示すようなNiエミッタ
基板1を形成する(S1)。転写モールド法において
は、エミッタの形状の反転形状が形成された金型の表面
に、電鋳によりNi膜を形成し、金型とこのNi膜とを
剥離する。これによりNi膜の表面に形成された金属突
起をエミッタとして利用する。なお、FED画像表示装
置では画面サイズに応じて多数の画素が必要になり、ま
た、1画素につき50以上のエミッタが必要とされるこ
とから、カラーのVGAに対応させる場合、Niエミッ
タ基板1が具えるエミッタの数は50×10個程度と
なる。
First, a Ni emitter substrate 1 as shown in FIG. 2 is formed by a transfer molding method for transferring the shape of the precision mold by using a precision mold for molding (not shown) which has been manufactured in advance. S1). In the transfer molding method, a Ni film is formed by electroforming on the surface of a mold having an inverted shape of the emitter, and the mold and the Ni film are separated. Thereby, the metal protrusion formed on the surface of the Ni film is used as an emitter. In the FED image display device, a large number of pixels are required in accordance with the screen size, and more than 50 emitters are required for each pixel. The number of provided emitters is about 50 × 10 6 .

【0013】次に、形成されたNiエミッタ基板1の表
面上にCVD(気相成長法)によって、図3に示すよう
に一様なSiOの絶縁層2を形成する(S2)。さら
に、このSiO層の表面上に、例えば、Ni、Cr、
W等の導電材料をスパッタリングすることにより、図4
に示すような一様なゲート層3を形成する。その後、こ
のゲート層3に対してラインパターニングを施して、所
定の方向に平行な複数の信号線となるように形成する
(S3)。
Next, as shown in FIG. 3, a uniform insulating layer 2 of SiO 2 is formed on the surface of the formed Ni emitter substrate 1 by CVD (vapor phase epitaxy) (S2). Further, on the surface of the SiO 2 layer, for example, Ni, Cr,
By sputtering a conductive material such as W, FIG.
A uniform gate layer 3 is formed as shown in FIG. Thereafter, the gate layer 3 is subjected to line patterning to form a plurality of signal lines parallel to a predetermined direction (S3).

【0014】次に、ドライエッチングにより、ゲート層
3とSiOの絶縁層2の所定の部分を選択的に除去し
て、図5に示すようにNiエミッタ基板1の頭頂部が露
出するようにゲート4に開口を設ける。(S4)。
Next, predetermined portions of the gate layer 3 and the insulating layer 2 of SiO 2 are selectively removed by dry etching so that the top of the Ni emitter substrate 1 is exposed as shown in FIG. An opening is provided in the gate 4. (S4).

【0015】続いて、図6に示すように、ゲート4が開
口した導電性材料のゲート層3の上にポリイミド樹脂層
5を形成する。ポリイミド樹脂層5を形成する方法とし
ては、プレス装置(不図示)により、ポリイミドシート
を加熱し、その後、既にエミッタの形状をした導電性材
料の層の上載置して平坦な加熱ツールにより加圧して、
表面が平坦になるように成形する。実験によれば、Ni
エミッタ基板1がポリイミドシート中に完全に押し込ま
れた状態の層状とするためには、ポリイミドシートをガ
ラス転移点より少し高めの230℃に加熱し、ツールに
よる加圧力は平均面圧が、3.0〜3.5kgf/mm
とすればよい(S5)。
Subsequently, as shown in FIG. 6, a polyimide resin layer 5 is formed on the gate layer 3 made of a conductive material with the gate 4 opened. As a method of forming the polyimide resin layer 5, a polyimide sheet is heated by a press device (not shown), and then placed on a layer of a conductive material which is already in the shape of an emitter, and pressed by a flat heating tool. hand,
Mold so that the surface is flat. Experiments have shown that Ni
In order to form the layer in a state where the emitter substrate 1 is completely pressed into the polyimide sheet, the polyimide sheet is heated to 230 ° C., which is slightly higher than the glass transition point, and the pressing force by the tool is 3. 0 to 3.5 kgf / mm
The number may be set to 2 (S5).

【0016】次に、図7に示すように、Niエミッタ基板
1の裏面に、絶縁層6を設けると共に、この絶縁層6の
表面に対してスパッタリング法によりカソード層7を設
け、このカソード層7をゲート層3に対してクロスライ
ンとなるようにパターニングして互いに平行な複数の信
号線を形成する(S6)。
Next, as shown in FIG. 7, an insulating layer 6 is provided on the back surface of the Ni emitter substrate 1, and a cathode layer 7 is provided on the surface of the insulating layer 6 by a sputtering method. Is patterned so as to be a cross line with respect to the gate layer 3 to form a plurality of signal lines parallel to each other (S6).

【0017】次に、図8に示すように、後述するスペー
サを立てる部分のポリイミド樹脂層5に対して、スペー
サの寸法と形状に対応した金属製のマスク8を介してレ
ーザ光源(不図示)からエキシマレーザ光を照射し、ア
ブレーション加工を施して除去する。このレーザ光によ
るアブレーション加工は、後述するように、紫外領域の高
エネルギ線であるエキシマレーザ光の照射を受ける被加
工体を構成する各層をなすそれぞれの物質が有する光ア
ブレーション現象を引起す際のエネルギ密度のしきい値
の差を利用して加工するため、ゲート層3の部分には影
響与えずに所望の領域のポリイミド樹脂のみを選択的に
除去する(S7)。
Next, as shown in FIG. 8, a laser light source (not shown) is applied to a portion of the polyimide resin layer 5 where a spacer to be described later is to be formed via a metal mask 8 corresponding to the size and shape of the spacer. Then, an excimer laser beam is applied from the substrate, and ablation processing is performed to remove the excimer laser beam. As described later, the ablation processing by the laser light is performed when an ablation phenomenon caused by each material constituting each layer constituting the workpiece to be irradiated with excimer laser light, which is a high energy ray in the ultraviolet region, is caused. Since the processing is performed using the difference in the threshold value of the energy density, only the polyimide resin in a desired region is selectively removed without affecting the portion of the gate layer 3 (S7).

【0018】次に、図9に示すように、ポリイミド樹脂
層5のエキシマレーザ光によるアブレーション加工によ
りポリイミド樹脂が除去された部分に、ディスペンサ
(不図示)によりフリット状態のフリットガラスを注入
する。その後、450℃に加熱してフリットガラスをゲ
ート層3の上に固化させて、フリットガラスによるスペ
ーサ12を形成する。なお、スペーサ12の頂部12a
は必要に応じて研磨加工を施して平坦化したほうが高さ
の均一性が得られやすい点で好ましい。(S8)。
Next, as shown in FIG. 9, frit glass in a frit state is injected by a dispenser (not shown) into a portion of the polyimide resin layer 5 from which the polyimide resin has been removed by ablation using excimer laser light. Thereafter, the frit glass is solidified on the gate layer 3 by heating to 450 ° C. to form the spacers 12 of the frit glass. The top 12a of the spacer 12
It is preferable that the surface is flattened by polishing if necessary, since uniformity of height can be easily obtained. (S8).

【0019】次に、図10に示すように、フリットガラ
スで形成されたスペーサ12の脚の部分に相当する箇所
のポリイミド樹脂層5を、スペーサ12の倒れ防止用ガ
イド13として残し、それ以外のポリイミド樹脂層5を
エキシマレーザ光の照射によるアブレーション加工を施
して除去する。これにより、倒れ防止用ガイド13が設
けられたフリットガラスによるスペーサ12が製作され
る(S9)。
Next, as shown in FIG. 10, the polyimide resin layer 5 at a position corresponding to the leg portion of the spacer 12 formed of frit glass is left as a guide 13 for preventing the spacer 12 from falling, and the other portions are removed. The polyimide resin layer 5 is removed by performing ablation processing by irradiation with excimer laser light. As a result, the spacer 12 made of frit glass provided with the guide 13 for preventing the fall is manufactured (S9).

【0020】次に、図11に示すように、スペーサ12
の頂部12aにガラスパネル14を接着して炉(不図
示)内で封着する。この場合、ガラスパネル14の蛍光
面をNiエミッタ基板1の側に向けて接着する(S1
0)。
Next, as shown in FIG.
A glass panel 14 is adhered to the top 12a of the glass plate and sealed in a furnace (not shown). In this case, the fluorescent screen of the glass panel 14 is bonded to the Ni emitter substrate 1 (S1).
0).

【0021】上述のように、この実施の形態によればN
iエミッタ基板1の上に形成したポリイミド樹脂層5に
対して、エキシマレーザ光の照射によるアブレーション
加工を施すことにより、選択的に間隙保持するためのス
ペーサ12に相当する部分のポリイミド樹脂を除去し
て、除去した部分にフリットガラス11を注入してスペ
ーサ12を形成できる。
As described above, according to this embodiment, N
By subjecting the polyimide resin layer 5 formed on the i-emitter substrate 1 to an ablation process by irradiating excimer laser light, a portion of the polyimide resin corresponding to the spacer 12 for selectively maintaining a gap is removed. The spacer 12 can be formed by injecting the frit glass 11 into the removed portion.

【0022】したがって、スペーサ12の形状を円柱、
直方体格子等任意に形成することや、スペーサ12のア
スペクト比(スペーサの高さ/スペーサの幅)を選定す
ること等ができるから、画素の微細化に合わせたスペー
サ12を製作に際して柔軟に対応することができる。こ
のスペーサ12ヲ黒色化させておくことにより、画素を
分割するブラックストライプとして用いることができ
る。
Therefore, the shape of the spacer 12 is cylindrical,
The spacer 12 can be formed arbitrarily, such as a rectangular parallelepiped, and the aspect ratio (spacer height / spacer width) of the spacer 12 can be selected. be able to. By making the spacer 12 black, it can be used as a black stripe for dividing pixels.

【0023】また、スペーサ12の倒れ防止用ガイド1
3として残してあるポリイミド樹脂の部分を、加熱によ
り積極的に炭化させることにより、スペーサ12に発生
する帯電を防止することができる。
The guide 1 for preventing the spacer 12 from falling down
By positively carbonizing the portion of the polyimide resin remaining as 3 by heating, the charge generated in the spacer 12 can be prevented.

【0024】次に、本発明の表示装置の製造工程の第2
の実施の形態について説明する。この第2の実施の形態
では、スペーサをポリイミド樹脂により形成するもので
ある。
Next, the second step of the manufacturing process of the display device of the present invention will be described.
An embodiment will be described. In the second embodiment, the spacer is formed of a polyimide resin.

【0025】図12は、第2の実施の形態についてのフ
ローチャートである。なお、この第2の実施の形態は、
上述の第1の実施の形態と比較して、S1からS6まで
の工程は同一であるので、その間の各工程とそれに対応
する各図(図2乃至図7)の説明は重複を避けるために
省略する。
FIG. 12 is a flowchart for the second embodiment. Note that this second embodiment is
Since the steps from S1 to S6 are the same as those in the first embodiment described above, the description of each step and the corresponding figures (FIGS. 2 to 7) in order to avoid duplication. Omitted.

【0026】上述の第1の実施の形態で説明した通りに
S1からS6の各工程を終了後に、図13に示すよう
に、スペーサ22を形成する部分以外のポリイミド樹脂
層5を、スペーサ22の寸法と形状に対応したマスク8
a(スペーサ22の部分のみが残るように形成されてい
る)およびマスク8b(スペーサ22の倒れ防止用ガイ
ド23部分のみが残るように形成されている)、を用い
てエキシマレーザ光を照射し、アブレーション加工を施
してスペーサ22と、このスペーサ22とゲート層3と
の接合部分およびその周辺にゲート層3が有する開口に
かからないように、ポリイミド樹脂を残すことにより形
成される。倒れ防止用ガイド23とを除き、残りのポリ
イミド樹脂層5を除去する。これにより、ポリイミド樹
脂による所定形状のスペーサ22と倒れ防止用ガイド2
3が形成される。なお、アブレーション加工は、エキシ
マレーザ光の照射を受けた被加工体のエネルギ密度のし
きい値の差を利用して加工するため、ゲート層3の部分
には影響を与えずに、ポリイミド樹脂層5の照射個所の
みを選択的に除去することができる(S16)。
After completing the steps S1 to S6 as described in the first embodiment, as shown in FIG. 13, the polyimide resin layer 5 other than the portion where the spacer 22 is formed is Mask 8 corresponding to size and shape
a (formed so that only the spacer 22 remains) and the mask 8b (formed so that only the guide 23 for preventing the spacer 22 from collapsing) is used to irradiate excimer laser light. It is formed by performing an ablation process to leave the polyimide resin so as not to cover the spacer 22 and the opening of the gate layer 3 at the junction between the spacer 22 and the gate layer 3 and the periphery thereof. Except for the fall prevention guide 23, the remaining polyimide resin layer 5 is removed. Thereby, the spacer 22 having a predetermined shape made of polyimide resin and the guide 2
3 is formed. Since the ablation process is performed by utilizing the difference in the threshold value of the energy density of the object to be irradiated with the excimer laser light, the gate layer 3 is not affected and the polyimide resin layer is not affected. Only the 5 irradiation locations can be selectively removed (S16).

【0027】次に、図14に示すように、スペーサ22
の頂部22aにガラスパネル14を接着して封着する。
この場合、ガラスパネル14の蛍光体が露出して設けら
れている面をエミッタ側に向けて接着する(S17)。
Next, as shown in FIG.
The glass panel 14 is bonded and sealed to the top 22a.
In this case, the surface of the glass panel 14 where the phosphor is exposed is bonded to the emitter side (S17).

【0028】この第2の実施の形態の場合、スペーサ2
2に相当する部分以外のポリイミド樹脂層5をアブレー
ション加工により除去して、ポリイミド樹脂製のスペー
サ22を製作している。なお、ポリイミド樹脂にはガラ
ス基板を封着する際に加えられる熱によって、変形、流
動しない表面の平坦性を維持可能な材質のものであり、
かつ、接着性を有するため、これを使用すれば、ポリイ
ミド製のスペーサ22とガラスパネル14をそのまま接
着することができる。
In the case of the second embodiment, the spacer 2
The polyimide resin layer 5 other than the portion corresponding to No. 2 is removed by ablation processing to produce a polyimide resin spacer 22. The polyimide resin is a material that can maintain the flatness of the surface that does not deform and flow due to heat applied when sealing the glass substrate,
Moreover, since it has adhesiveness, if it is used, the spacer 22 made of polyimide and the glass panel 14 can be directly bonded.

【0029】次に、上述の各実施の形態で用いた、エキ
シマレーザ光によるアブレーション加工について説明す
る。
Next, ablation processing by excimer laser light used in each of the above embodiments will be described.

【0030】エキシマレーザ光をポリマーに照射する
と、瞬間的に加工分解物が飛散し、熱影響による蒸発加
工が得られることが知られている。これは、光アブレー
ションと呼ばれている。エキシマレーザの光子エネルギ
はCO、YAGレーザに比べて大きいことから、例え
ば、ポリイミド樹脂に照射すると、CO、YAGレー
ザに比べて蒸発時にむしり取られたような痕跡がなく、
また、加工周辺部に熱影響がなくシャープなエッジが得
られるように加工が制御できることが報告されている。
(例えば、溶接学会誌、Vol.69,No3,Apr
il 2000)また、加工においては、それに必要な
エネルギ密度となるよう設定することが必要である。各
物質にはエネルギ密度にしきい値が存在するため、しき
い値以下のレーザ光を照射しても、物質には変化が起こ
らない。例えば、ポリイミド樹脂は0.5J/cm
エネルギ密度で、0.3m/パルスのスピードで加工が
できるが、この加工条件ではSiOは加工できない。
It is known that when a polymer is irradiated with excimer laser light, processed decomposed materials are instantaneously scattered, and evaporating processing can be performed under the influence of heat. This is called light ablation. Since the photon energy of the excimer laser is larger than that of the CO 2 and YAG lasers, for example, when irradiating a polyimide resin, there is no trace that is peeled off during evaporation as compared with the CO 2 or YAG laser,
In addition, it is reported that the processing can be controlled so that a sharp edge is obtained without heat influence on a peripheral portion of the processing.
(For example, Journal of the Japan Welding Society, Vol. 69, No. 3, Apr.
il 2000) Further, in processing, it is necessary to set an energy density necessary for the processing. Each substance has a threshold in energy density, so that irradiation with laser light below the threshold does not change the substance. For example, polyimide resin can be processed at an energy density of 0.5 J / cm 2 at a speed of 0.3 m / pulse, but SiO 2 cannot be processed under these processing conditions.

【0031】この加工しきい値の違いを利用すれば、加
工物に対しての選択的加工が可能である。例えば、ポリ
イミド層と銅層から形成されている2層フィルムに適用
すれば、ポリイミド層のみを選択的に除去することがで
きる。溶接学会誌、Vol.69,No3,April
2000)。
By utilizing the difference between the processing thresholds, it is possible to selectively process the workpiece. For example, when applied to a two-layer film formed of a polyimide layer and a copper layer, only the polyimide layer can be selectively removed. Journal of the Japan Welding Society, Vol. 69, No3, April
2000).

【0032】本発明は、このエキシマレーザ光の照射条
件を適正化した場合におけるポリイミド樹脂に対する選
択除去加工性を利用し、エキシマレーザ光によるアブレ
ーション加工を施すことにより、形状選択性に富んだガ
ラスパネルを支持する間隙保持のスペーサを製作してい
る。
The present invention utilizes a selective removal processability for a polyimide resin when the irradiation conditions of the excimer laser beam are optimized, and performs an ablation process with the excimer laser beam to thereby provide a glass panel having a high shape selectivity. The spacer for supporting the gap is manufactured.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明によれば、高速真空マイクロ素子
を使用した画像表示装置において、互いに対向して設置
される2枚の間隙を保持するに適する形状のスペーサを
有する表示装置が得られる。
According to the present invention, in an image display device using a high-speed vacuum micro element, a display device having a spacer having a shape suitable for holding a gap between two sheets placed opposite to each other can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態についてのフローチ
ャート。
FIG. 1 is a flowchart according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1および第2の実施の形態の工程における構
成図。
FIG. 2 is a configuration diagram in a process of the first and second embodiments.

【図3】第1および第2の実施の形態の工程における構
成図。
FIG. 3 is a configuration diagram in a process of the first and second embodiments.

【図4】第1および第2の実施の形態の工程における構
成図。
FIG. 4 is a configuration diagram in a process of the first and second embodiments.

【図5】第1および第2の実施の形態の工程における構
成図。
FIG. 5 is a configuration diagram in steps of the first and second embodiments.

【図6】第1および第2の実施の形態の工程における構
成図。
FIG. 6 is a configuration diagram in a process of the first and second embodiments.

【図7】第1および第2の実施の形態の工程における構
成図。
FIG. 7 is a configuration diagram in steps of the first and second embodiments.

【図8】第1の実施の形態の工程における構成図。FIG. 8 is a configuration diagram in a process of the first embodiment.

【図9】第1の実施の形態の工程における構成図。FIG. 9 is a configuration diagram in a step of the first embodiment.

【図10】第1の実施の形態の工程における構成図。FIG. 10 is a configuration diagram in a process of the first embodiment.

【図11】第1の実施の形態の工程における構成図。FIG. 11 is a configuration diagram in a step of the first embodiment.

【図12】本発明の第2の実施の形態についてのフロー
チャート。
FIG. 12 is a flowchart according to a second embodiment of the present invention.

【図13】第2の実施の形態の工程における構成図。FIG. 13 is a configuration diagram in a process of a second embodiment.

【図14】第2の実施の形態の工程における構成図。FIG. 14 is a configuration diagram in a process of a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…Niエミッタ基板、2…絶縁層、3…ゲート層、4
…ゲート、5…ポリイミド樹脂層、6…絶縁層、7…カ
ソード層、8…マスク、9…、11…フリットガラス、
12、22…スペーサ、13、23…倒れ防止用ガイ
ド、14…ガラスパネル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ni emitter substrate, 2 ... insulating layer, 3 ... gate layer, 4
... gate, 5 ... polyimide resin layer, 6 ... insulating layer, 7 ... cathode layer, 8 ... mask, 9 ..., 11 ... frit glass,
12, 22: spacer, 13, 23: guide for preventing falling, 14: glass panel

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 智 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 西尾 光弘 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 高橋 不二男 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 Fターム(参考) 5C012 AA05 BB07 5C032 AA01 CC10 5C036 EE14 EF01 EF06 EF09 EG01 EH11  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Satoshi Honda 33, Shinisogocho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Toshiba Production Technology Center Co., Ltd. (72) Inventor Mitsuhiro Nishio 33, Shinisogocho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Address Toshiba Production Technology Center (72) Inventor Fujio Takahashi 33 Shinisogocho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture F-Terminator Toshiba Production Technology Center F-term (reference) EF09 EG01 EH11

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向して設置され相互の間隔をスペーサ
により支持された2枚の基板の少なくとも一方の側の基
板の表面に電子を放出するための素子が形成された電界
放出型冷陰極による表示装置において、前記スペーサは、
フリットガラスにより形成されていることを特徴とする
表示装置。
1. A field emission cold cathode in which an element for emitting electrons is formed on the surface of at least one side of two substrates which are installed to face each other and supported by a spacer. In the display device, the spacer is:
A display device formed of frit glass.
【請求項2】 対向して設置され相互の間隔をスペーサ
により支持された2枚の基板の少なくとも一方の側の基
板の表面に電子を放出するための素子が形成された電界
放出型冷陰極による表示装置において、前記スペーサは、
ポリイミド樹脂により形成されていることを特徴とする
表示装置。
2. A field emission cold cathode in which an element for emitting electrons is formed on the surface of at least one side of two substrates which are placed opposite to each other and supported by a spacer by a spacer. In the display device, the spacer is:
A display device formed of a polyimide resin.
【請求項3】 エミッタに絶縁層を介して積層されたゲ
ート層の表面にポリイミド樹脂層を形成する第1工程
と、前記ポリイミド樹脂層に対してマスクを介してエキ
シマレーザ光を照射して前記マスクのパターに応じて前
記ポリイミド樹脂層を除去する第2工程と、前記第2工
程において生成した凹部にフリットガラスを注入してス
ペーサを形成する第3工程と、前記ゲート層の表面に残
っている前記ポリイミド樹脂を第2のマスクを介してエ
キシマレーザ光を照射して除去する第4工程と、前記ス
ペーサの頂部にガラスパネルを接合させる第5工程を有
することを特徴とする表示装置の製造方法。
3. A first step of forming a polyimide resin layer on a surface of a gate layer laminated on an emitter via an insulating layer, and irradiating the polyimide resin layer with excimer laser light via a mask. A second step of removing the polyimide resin layer in accordance with the pattern of the mask, a third step of injecting frit glass into the recesses formed in the second step to form spacers, and a step of remaining on the surface of the gate layer. A fourth step of irradiating the polyimide resin with an excimer laser beam through a second mask to remove the polyimide resin, and a fifth step of bonding a glass panel to the top of the spacer. Method.
【請求項4】 エミッタに絶縁層を介して積層されたゲ
ート層の表面にポリイミド樹脂層を形成する第1工程
と、前記ポリイミド樹脂層に対してマスクを介してエキ
シマレーザ光を照射して前記マスクのパターに応じて前
記ポリイミド樹脂層を除去してポリイミド樹脂のスペー
サを形成する第2工程と、前記スペーサの頂部にガラス
パネルを接合させる第3工程を有することを特徴とする
表示装置の製造方法。
4. A first step of forming a polyimide resin layer on a surface of a gate layer laminated on an emitter via an insulating layer, and irradiating the polyimide resin layer with excimer laser light via a mask. Manufacturing a display device, comprising: a second step of removing the polyimide resin layer according to a mask putter to form a polyimide resin spacer; and a third step of bonding a glass panel to the top of the spacer. Method.
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US9004972B2 (en) 2006-01-20 2015-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure

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