JP2002185213A - 誘電体フィルタおよびデュプレクサ - Google Patents
誘電体フィルタおよびデュプレクサInfo
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- JP2002185213A JP2002185213A JP2000378744A JP2000378744A JP2002185213A JP 2002185213 A JP2002185213 A JP 2002185213A JP 2000378744 A JP2000378744 A JP 2000378744A JP 2000378744 A JP2000378744 A JP 2000378744A JP 2002185213 A JP2002185213 A JP 2002185213A
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- filter
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高調波の減衰量を大きくして帯域通過特性を
改善する。 【解決手段】 誘電体フィルタの開放端面に共振器の開
口を囲む導体膜15を設け、フィルタと同軸共振モードの
入出力結合を得るための導体との間に誘電体が露出する
スリット16を形成する。フィルタと、デユプレクサの例
えば送信側のフィルタ、などに適用できる。
改善する。 【解決手段】 誘電体フィルタの開放端面に共振器の開
口を囲む導体膜15を設け、フィルタと同軸共振モードの
入出力結合を得るための導体との間に誘電体が露出する
スリット16を形成する。フィルタと、デユプレクサの例
えば送信側のフィルタ、などに適用できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタお
よび誘電体デュプレクサの構造に係るもので、特に、高
調波のレベルを下げて高調波特性を改善できるフィルタ
およびデュプレクサに関するものである。
よび誘電体デュプレクサの構造に係るもので、特に、高
調波のレベルを下げて高調波特性を改善できるフィルタ
およびデュプレクサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体フィルタ、デュプレクサは、移動
体通信機器の端末機器に多く使用されており、個別の同
軸ＴＥＭ共振器を接続するものだけでなく、誘電体ブロ
ックに複数の共振器を一体に構成して小型化を図るもの
の利用が進んでいる。図６と図７に示したように、単一
の誘電体ブロック60に送信フィルタTXと受信フィルタRX
を一体に形成したものも実用化されている。
体通信機器の端末機器に多く使用されており、個別の同
軸ＴＥＭ共振器を接続するものだけでなく、誘電体ブロ
ックに複数の共振器を一体に構成して小型化を図るもの
の利用が進んでいる。図６と図７に示したように、単一
の誘電体ブロック60に送信フィルタTXと受信フィルタRX
を一体に形成したものも実用化されている。
【０００３】また、帯域外の減衰量を大きくして帯域通
過特性を改善するために、減衰極形成用の共振器を付加
することもあり、図６と図７の共振器63、64はフィルタ
の外側に配置され通過帯域の高域側あるいは低域側に減
衰極を形成するものである。
過特性を改善するために、減衰極形成用の共振器を付加
することもあり、図６と図７の共振器63、64はフィルタ
の外側に配置され通過帯域の高域側あるいは低域側に減
衰極を形成するものである。
【０００４】誘電体フィルタはその構造上の制約から、
基本周波数の2倍、3倍の高調波の発生が避けられない。
特に、3倍の高調波は基本周波数のレベルより数dBしか
減衰量が得られず、この高調波の減衰量を確保すること
が大きな問題となる。
基本周波数の2倍、3倍の高調波の発生が避けられない。
特に、3倍の高調波は基本周波数のレベルより数dBしか
減衰量が得られず、この高調波の減衰量を確保すること
が大きな問題となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、誘電体フィ
ルタおよびデュプレクサにおける高調波の減衰量を大き
くして、高調波特性すなわち帯域通過特性を改善するも
のである。素子数を増やさず、また部品点数の増加もな
く、高調波のレベルを大幅に下げることのできるフィル
タおよびデユプレクサを提供するものである。
ルタおよびデュプレクサにおける高調波の減衰量を大き
くして、高調波特性すなわち帯域通過特性を改善するも
のである。素子数を増やさず、また部品点数の増加もな
く、高調波のレベルを大幅に下げることのできるフィル
タおよびデユプレクサを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、開放端面に形
成する導体膜の形状に改良を加えることによって、上記
の課題を解決するものである。
成する導体膜の形状に改良を加えることによって、上記
の課題を解決するものである。
【０００７】すなわち、誘電体ブロックに複数の平行な
貫通孔を具え、貫通孔の表面に内導体、貫通孔の開口し
ない表面に外導体、貫通孔の開口する表面の一方に短絡
導体が形成されて複数の共振器が一体に構成された誘電
体フィルタにおいて、開放端面に外導体と接続された導
体膜を貫通孔の開口の周囲を除いて具え、短絡端面の入
出力端子電極と開放端面の導体膜とを接続する誘電体内
に配置された導体を具え、誘電体内に配置された導体が
入出力端の共振器と同軸共振モードで入出力結合され、
開放端面の導体膜に、当該誘電体内に配置された導体と
入出力端の共振器の間の少なくとも一方を横切る誘電体
が露出するスリットが形成されたことに特徴を有するも
のである。
貫通孔を具え、貫通孔の表面に内導体、貫通孔の開口し
ない表面に外導体、貫通孔の開口する表面の一方に短絡
導体が形成されて複数の共振器が一体に構成された誘電
体フィルタにおいて、開放端面に外導体と接続された導
体膜を貫通孔の開口の周囲を除いて具え、短絡端面の入
出力端子電極と開放端面の導体膜とを接続する誘電体内
に配置された導体を具え、誘電体内に配置された導体が
入出力端の共振器と同軸共振モードで入出力結合され、
開放端面の導体膜に、当該誘電体内に配置された導体と
入出力端の共振器の間の少なくとも一方を横切る誘電体
が露出するスリットが形成されたことに特徴を有するも
のである。
【０００８】また、このフィルタを送信フィルタと受信
フィルタとしたデュプレクサにおいても導体膜とスリッ
トを形成して同様に構成することができる。
フィルタとしたデュプレクサにおいても導体膜とスリッ
トを形成して同様に構成することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明はフィルタとデュプレクサ
に適用でき、デュプレクサの場合には少なくとも一方の
フィルタの入出力部に同軸共振モードによる結合を利用
し、開放端面の一部に導体膜を形成し、入出力部と端部
の主共振器との間に誘電体を露出させるスリットを形成
することによって所期の効果が得られる。
に適用でき、デュプレクサの場合には少なくとも一方の
フィルタの入出力部に同軸共振モードによる結合を利用
し、開放端面の一部に導体膜を形成し、入出力部と端部
の主共振器との間に誘電体を露出させるスリットを形成
することによって所期の効果が得られる。
【００１０】スリットは、共振器間を横切るように形成
されるが、その形状やサイズを変えることによって、通
過帯域外の減衰特性に差が生じる。入出力の同軸共振モ
ードを得る導体は、2枚の誘電体基板を接合する際にそ
の接合面に形成する導体パターンを利用すると製造が容
易であり、また、結合の調整が容易となる。
されるが、その形状やサイズを変えることによって、通
過帯域外の減衰特性に差が生じる。入出力の同軸共振モ
ードを得る導体は、2枚の誘電体基板を接合する際にそ
の接合面に形成する導体パターンを利用すると製造が容
易であり、また、結合の調整が容易となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。図７は本発明を適用する誘電体デュプレ
クサの開放端面の基本的な構造を示した平面図である。
図６のような、サイズが21.3mm×8.75mm×3.8mmで誘電
率が91程度の直方体の誘電体に3素子の送信フィルタＴX
と3素子の受信フィルタＲXを形成し、両端に減衰極形成
用の共振器63、64を配置したものである。
いて説明する。図７は本発明を適用する誘電体デュプレ
クサの開放端面の基本的な構造を示した平面図である。
図６のような、サイズが21.3mm×8.75mm×3.8mmで誘電
率が91程度の直方体の誘電体に3素子の送信フィルタＴX
と3素子の受信フィルタＲXを形成し、両端に減衰極形成
用の共振器63、64を配置したものである。
【００１２】開放端面の一部に導体膜65を形成するが、
送信側フィルタＴXの共振器の開口の周囲と減衰極形成
用の共振器63の開口の周囲を除く送信側の開放端面に形
成したものである。受信側は受信側フィルタＲXの共振
器の周囲は導体膜を形成せず、減衰極形成用の共振器64
の開口の周囲を除く部分にのみ導体膜66を形成したもの
である。
送信側フィルタＴXの共振器の開口の周囲と減衰極形成
用の共振器63の開口の周囲を除く送信側の開放端面に形
成したものである。受信側は受信側フィルタＲXの共振
器の周囲は導体膜を形成せず、減衰極形成用の共振器64
の開口の周囲を除く部分にのみ導体膜66を形成したもの
である。
【００１３】このように構成された誘電体デュプレクサ
の通過帯域（中心周波数）は824MHz〜849MHzであり、そ
の3倍の高調波は2472MHz〜2547MHzとなる。図７の構造
による誘電体デュプレクサの帯域通過特性を図３の曲線
37で示す。上記の3倍の周波数帯域での減衰量は僅かに3
dBで、中心周波数の減衰量と大きな差は得られなかっ
た。
の通過帯域（中心周波数）は824MHz〜849MHzであり、そ
の3倍の高調波は2472MHz〜2547MHzとなる。図７の構造
による誘電体デュプレクサの帯域通過特性を図３の曲線
37で示す。上記の3倍の周波数帯域での減衰量は僅かに3
dBで、中心周波数の減衰量と大きな差は得られなかっ
た。
【００１４】図１は、本発明の実施例を示す平面図で、
寸法と共振器の配置は前記のものと同じである。この例
では、送信側フィルタＴXと出力の同軸共振モードを得
るために誘電体ブロックを構成する2枚の誘電体基板の
接合面に形成されたストリップライン12との間の導体膜
15にスリット16が形成され、スリット16の部分は導体膜
が形成されずに誘電体が露出している。この例ではスリ
ット16の幅を0.3mmとし、フィルタTXとストリップライ
ン12間を垂直に横切り、両端から共振器13側に伸びてこ
れを囲むような形状となっている。
寸法と共振器の配置は前記のものと同じである。この例
では、送信側フィルタＴXと出力の同軸共振モードを得
るために誘電体ブロックを構成する2枚の誘電体基板の
接合面に形成されたストリップライン12との間の導体膜
15にスリット16が形成され、スリット16の部分は導体膜
が形成されずに誘電体が露出している。この例ではスリ
ット16の幅を0.3mmとし、フィルタTXとストリップライ
ン12間を垂直に横切り、両端から共振器13側に伸びてこ
れを囲むような形状となっている。
【００１５】図１に示した誘電体デュプレクサの通過帯
域特性を図３の曲線38で示す。３倍の高調波の帯域にお
ける減衰量が31dBとスリットを設けない場合に比較して
大幅に増加していた。
域特性を図３の曲線38で示す。３倍の高調波の帯域にお
ける減衰量が31dBとスリットを設けない場合に比較して
大幅に増加していた。
【００１６】図２は、本発明の他の実施例を示す平面図
で、スリット26の形状を変えたものである。この例では
送信側フィルタTXと誘電体基板の接合面のストリップラ
イン22との間に垂直に横切る部分とその両端から折り曲
げられた形状を有することは同じである。スリット26は
さらに内側に２度折り曲げられ、端部が送信側フィルタ
TXの方向に伸びるようにしたものである。このときの帯
域通過特性を図3の曲線39で示す。３倍の高調波の帯域
での減衰量が35dBとなっており、さらに改善されたこと
を示している。
で、スリット26の形状を変えたものである。この例では
送信側フィルタTXと誘電体基板の接合面のストリップラ
イン22との間に垂直に横切る部分とその両端から折り曲
げられた形状を有することは同じである。スリット26は
さらに内側に２度折り曲げられ、端部が送信側フィルタ
TXの方向に伸びるようにしたものである。このときの帯
域通過特性を図3の曲線39で示す。３倍の高調波の帯域
での減衰量が35dBとなっており、さらに改善されたこと
を示している。
【００１７】図4は本発明による誘電体フィルタにおい
て、スリットの形成方法を示す平面図と正面断面図であ
る。（Ａ）は入出力の両方に、（Ｂ）は片側のみにスリ
ットを形成した例を示す。（Ｃ）は比較のためにスリッ
トを形成しない例を示すものである。
て、スリットの形成方法を示す平面図と正面断面図であ
る。（Ａ）は入出力の両方に、（Ｂ）は片側のみにスリ
ットを形成した例を示す。（Ｃ）は比較のためにスリッ
トを形成しない例を示すものである。
【００１８】図５はそれらのフィルタの特性を示すもの
であり、824〜849MHzの通過帯域に対する3倍の高調波の
周波数2472〜2547MHzでの減衰量は次のようになってい
た。 スリットなし 3ｄB １スリット ２１dB ２スリット ３１dB このように、スリットを多くする方が効果があることが
確認された。
であり、824〜849MHzの通過帯域に対する3倍の高調波の
周波数2472〜2547MHzでの減衰量は次のようになってい
た。 スリットなし 3ｄB １スリット ２１dB ２スリット ３１dB このように、スリットを多くする方が効果があることが
確認された。
【００１９】本発明は、上記のようなデユプレクサに限
られるものではなく、他のタイプのデュプレクサや、フ
ィルタにも適用可能である。また、スリットの形状やサ
イズを変えることによって特性の調整も可能となる。さ
らに、導体パターンのトリミングによってスリットの形
状、サイズの調整ができるので、特性の調整も可能とな
る。入出力の同軸共振モードを得るための短絡端面と開
放端面を接続する導体膜の代わりに導体棒を挿入する構
造としたり、貫通孔に導体膜を形成した同軸共振器を用
いたりすることもできる。
られるものではなく、他のタイプのデュプレクサや、フ
ィルタにも適用可能である。また、スリットの形状やサ
イズを変えることによって特性の調整も可能となる。さ
らに、導体パターンのトリミングによってスリットの形
状、サイズの調整ができるので、特性の調整も可能とな
る。入出力の同軸共振モードを得るための短絡端面と開
放端面を接続する導体膜の代わりに導体棒を挿入する構
造としたり、貫通孔に導体膜を形成した同軸共振器を用
いたりすることもできる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、導体膜を形成しないで
誘電体を露出させたスリットを形成するのみで、高調波
の減衰量を大幅に増加させ、帯域通過特性を改善するこ
とができる。誘電体共振器の形状や素子数も変える必要
がなく、特別な部品を付加することもなく、小型で安価
な誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサが得られる。
誘電体を露出させたスリットを形成するのみで、高調波
の減衰量を大幅に増加させ、帯域通過特性を改善するこ
とができる。誘電体共振器の形状や素子数も変える必要
がなく、特別な部品を付加することもなく、小型で安価
な誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサが得られる。
【図１】 本発明の実施例を示す平面図
【図２】 本発明の他の実施例を示す平面図（Ａ）と正
面断面図（Ｂ）
面断面図（Ｂ）
【図３】 本発明による誘電体デュプレクサの特性の説
明図
明図
【図４】 本発明の他の実施例と比較例を示す平面図と
正面断面図
正面断面図
【図５】 本発明による誘電体フィルタの特性の説明図
【図６】 一般的な誘電体デユプレクサの一例を示す斜
視図
視図
【図７】 従来の誘電体デユプレクサの例の平面図
ＴX：送信側フィルタ ＲX：受信側フィルタ 12、22：入出力結合用ストリップライン 15、25：導体膜 16、26：スリット
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体ブロックに複数の平行な貫通孔を
具え、貫通孔の表面に内導体、貫通孔の開口しない表面
に外導体、貫通孔の開口する表面の一方に短絡導体が形
成されて複数の共振器が一体に構成された誘電体フィル
タにおいて、 開放端面に外導体と接続された導体膜を貫通孔の開口の
周囲を除いて具え、 短絡端面の入出力端子電極と開放端面の導体膜とを接続
する誘電体内に配置された導体を具え、 誘電体内に配置された導体が入出力端の共振器と同軸共
振モードで入出力結合され、 開放端面の導体膜に、当該誘電体内に配置された導体と
入出力端の共振器の間の少なくとも一方を横切る誘電体
が露出するスリットが形成されたことを特徴とする誘電
体フィルタ。 - 【請求項２】 誘電体ブロックが2枚の誘電体基板を接
合したものであり、短絡端面から開放端面に伸びる導体
が、誘電体基板の接合面に形成された導体膜である請求
項１記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 誘電体ブロックに複数の平行な貫通孔を
具え、貫通孔の表面に内導体、貫通孔の開口しない表面
に外導体、貫通孔の開口する表面の一方に短絡導体が形
成されて複数の共振器が構成された誘電体フィルタを二
つ具えた誘電体デュプレクサにおいて、少なくとも一方
の誘電体フィルタは、開放端面に外導体と接続された導
体膜を貫通孔の開口の周囲を除いて具え、 短絡端面の入出力端子電極と開放端面の導体膜とを接続
する誘電体内に配置された導体を具え、 誘電体内に配置された導体が入出力端の共振器と同軸共
振モードで入出力結合され、 開放端面の導体膜に、当該誘電体内に配置された導体と
入出力端の共振器の間の少なくとも一方を横切る誘電体
が露出するスリットが形成されたことを特徴とする誘電
体デュプレクサ。 - 【請求項４】 誘電体ブロックが2枚の誘電体基板を接
合したものであり、短絡端面から開放端面に伸びる導体
が、誘電体基板の接合面に形成された導体膜である請求
項３記載の誘電体デュプレクサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000378744A JP2002185213A (ja) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | 誘電体フィルタおよびデュプレクサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000378744A JP2002185213A (ja) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | 誘電体フィルタおよびデュプレクサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002185213A true JP2002185213A (ja) | 2002-06-28 |
Family
ID=18847252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000378744A Pending JP2002185213A (ja) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | 誘電体フィルタおよびデュプレクサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002185213A (ja) |
-
2000
- 2000-12-13 JP JP2000378744A patent/JP2002185213A/ja active Pending
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