JP2002184343A - 表面処理装置及び表面処理方法 - Google Patents
表面処理装置及び表面処理方法Info
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】処理対象物に対して有効に表面処理できるよう
にする。 【解決手段】真空状態になされた処理室を有する真空チ
ャンバ２に設けられたホルダ５へ保持されるＡＰＯ基板
４の保護用に使用される炭素の荷電粒子( C + ) を発生
させ、炭素の荷電粒子( C + ) がＡＰＯ基板４の表面へ
到達するまでに通る経路中に正極性の電圧が印加された
電子除去用ネット２０及び負極性の電圧が印加されたイ
オン加速用ネット２１を設けたことにより、ＡＰＯ基板
４の表面内に電子が到達する前にその電子を除去して当
該ＡＰＯ基板４がチャージアップ状態になることを防止
することができるので、炭素の荷電粒子( C + ) をＡＰ
Ｏ基板４の表面内へ効果的に打ち込むことができ、かく
して、ＡＰＯ基板４の表面特性を改良することで当該表
面を保護することができる。
にする。 【解決手段】真空状態になされた処理室を有する真空チ
ャンバ２に設けられたホルダ５へ保持されるＡＰＯ基板
４の保護用に使用される炭素の荷電粒子( C + ) を発生
させ、炭素の荷電粒子( C + ) がＡＰＯ基板４の表面へ
到達するまでに通る経路中に正極性の電圧が印加された
電子除去用ネット２０及び負極性の電圧が印加されたイ
オン加速用ネット２１を設けたことにより、ＡＰＯ基板
４の表面内に電子が到達する前にその電子を除去して当
該ＡＰＯ基板４がチャージアップ状態になることを防止
することができるので、炭素の荷電粒子( C + ) をＡＰ
Ｏ基板４の表面内へ効果的に打ち込むことができ、かく
して、ＡＰＯ基板４の表面特性を改良することで当該表
面を保護することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面処理装置及び表
面処理方法に関し、例えば金属基板やプラスチック基板
等の処理対象物の表面を保護するイオン注入装置に適用
して好適なものである。
面処理方法に関し、例えば金属基板やプラスチック基板
等の処理対象物の表面を保護するイオン注入装置に適用
して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、イオン注入装置においては、１０
-5〜１０-8[Torr]程度の真空状態にした真空チャンバ内
に設けられたホルダに金属基板を保持し、例えば炭化水
素であるメタンガス(CH4) をプラズマ化することにより
発生した炭素の荷電粒子( C +) を加速させる。
-5〜１０-8[Torr]程度の真空状態にした真空チャンバ内
に設けられたホルダに金属基板を保持し、例えば炭化水
素であるメタンガス(CH4) をプラズマ化することにより
発生した炭素の荷電粒子( C +) を加速させる。
【０００３】そしてイオン注入装置は、加速させた炭素
の荷電粒子( C + ) を金属基板の対向側から当該金属基
板の表面内に打ち込むことにより、その表面における硬
度性、電気伝導度、耐久性等の各種特性を改良すること
で当該表面を保護するようになされている。
の荷電粒子( C + ) を金属基板の対向側から当該金属基
板の表面内に打ち込むことにより、その表面における硬
度性、電気伝導度、耐久性等の各種特性を改良すること
で当該表面を保護するようになされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
イオン注入装置においては、メタンガス(CH4) をプラズ
マ化した際に生じる電子をも金属基板の表面内に打ち込
んでしまうので、保護対象物が金属基板のような導体物
でなく例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等からなる
プラスチック基板のような絶縁物の場合には、当該電子
がプラスチック基板内にたまり、いわゆるチャージアッ
プ状態となってしまうことにより炭素の荷電粒子( C
+ ) を打ち込み難くなり、その結果、プラスチック基
板の表面を保護できず、有効な表面処理を行い得ないと
いう問題があった。
イオン注入装置においては、メタンガス(CH4) をプラズ
マ化した際に生じる電子をも金属基板の表面内に打ち込
んでしまうので、保護対象物が金属基板のような導体物
でなく例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等からなる
プラスチック基板のような絶縁物の場合には、当該電子
がプラスチック基板内にたまり、いわゆるチャージアッ
プ状態となってしまうことにより炭素の荷電粒子( C
+ ) を打ち込み難くなり、その結果、プラスチック基
板の表面を保護できず、有効な表面処理を行い得ないと
いう問題があった。
【０００５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、処理対象物に対して有効に表面処理し得る表面処理
装置及び表面処理方法を提案しようとするものである。
で、処理対象物に対して有効に表面処理し得る表面処理
装置及び表面処理方法を提案しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、真空状態になされた処理室を有す
る密閉手段に設けられた保持具へ保持される処理対象物
の処理用に使用されるイオンをイオン発生手段によって
発生させ、イオンが処理対象物の表面へ到達するまでに
通る経路中に配置されたイオン加速手段によってイオン
を発生させたときに生じる電子を除去すると共に、イオ
ンを加速させることにより、処理対象物がチャージアッ
プ状態となることを回避しながら、処理対象物の表面へ
イオンを的確に成膜したり、当該処理対象物の表面内へ
イオンを的確に打ち込んだり、当該処理対象物の表面を
的確に加工することができ、処理対象物に対して有効に
表面処理し得る。
め本発明においては、真空状態になされた処理室を有す
る密閉手段に設けられた保持具へ保持される処理対象物
の処理用に使用されるイオンをイオン発生手段によって
発生させ、イオンが処理対象物の表面へ到達するまでに
通る経路中に配置されたイオン加速手段によってイオン
を発生させたときに生じる電子を除去すると共に、イオ
ンを加速させることにより、処理対象物がチャージアッ
プ状態となることを回避しながら、処理対象物の表面へ
イオンを的確に成膜したり、当該処理対象物の表面内へ
イオンを的確に打ち込んだり、当該処理対象物の表面を
的確に加工することができ、処理対象物に対して有効に
表面処理し得る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。
施の形態を詳述する。
【０００８】図１において、１は全体として本発明によ
るイオン注入装置を示し、アンテナコイル３と、アモル
ファスポリオレフィン（APO:Amorphous Polyolefin) 材
質でなる基板（以下、これをＡＰＯ基板と呼ぶ）４を保
持するホルダ５とが互いに対向する所定間隔離れた位置
で真空チャンバ２内に設けられており、真空チャンバ２
の外に設けられたメカニカルポンプ６及びディフュージ
ョンポンプ７によって真空引きすることにより当該真空
チャンバ２内を例えば１０-5〜１０-8[Torr]程度の高真
空状態に設定するようになされている。
るイオン注入装置を示し、アンテナコイル３と、アモル
ファスポリオレフィン（APO:Amorphous Polyolefin) 材
質でなる基板（以下、これをＡＰＯ基板と呼ぶ）４を保
持するホルダ５とが互いに対向する所定間隔離れた位置
で真空チャンバ２内に設けられており、真空チャンバ２
の外に設けられたメカニカルポンプ６及びディフュージ
ョンポンプ７によって真空引きすることにより当該真空
チャンバ２内を例えば１０-5〜１０-8[Torr]程度の高真
空状態に設定するようになされている。
【０００９】アンテナコイル３は、２巻き円形状のコイ
ルでなり、絶縁ホルダ８によって真空チャンバ２の筐体
部分に電気的に絶縁された状態で固定され、制御部５０
によって真空チャンバ２外のＲＦ(Radio Frequency) 電
源９から絶縁ホルダ８を介して所定の電力が供給され
る。
ルでなり、絶縁ホルダ８によって真空チャンバ２の筐体
部分に電気的に絶縁された状態で固定され、制御部５０
によって真空チャンバ２外のＲＦ(Radio Frequency) 電
源９から絶縁ホルダ８を介して所定の電力が供給され
る。
【００１０】ホルダ５は、絶縁ホルダ１０によって真空
チャンバ２の筐体部分に電気的に絶縁された状態で固定
されており、当該ホルダ５に保持されているＡＰＯ基板
４には、制御部５０によって真空チャンバ２外のパルス
電源部１２からホルダ回転機構部１１及び絶縁ホルダ１
０を順次介して所定のパルス電圧が印加される。
チャンバ２の筐体部分に電気的に絶縁された状態で固定
されており、当該ホルダ５に保持されているＡＰＯ基板
４には、制御部５０によって真空チャンバ２外のパルス
電源部１２からホルダ回転機構部１１及び絶縁ホルダ１
０を順次介して所定のパルス電圧が印加される。
【００１１】制御部５０は、ＣＰＵ(Central Proseccin
g Unit) や操作入力部等を含むコンピュータ構成でな
り、ＲＦ電源９及びパルス電源部１２を制御することに
より、アンテナコイル３に例えば５００Ｗの電力を供給
すると共に、ＡＰＯ基板４に例えば±１０ｋＶのパルス
電圧を印加する。
g Unit) や操作入力部等を含むコンピュータ構成でな
り、ＲＦ電源９及びパルス電源部１２を制御することに
より、アンテナコイル３に例えば５００Ｗの電力を供給
すると共に、ＡＰＯ基板４に例えば±１０ｋＶのパルス
電圧を印加する。
【００１２】そして制御部５０は、ガス導入管２９の各
種開閉バルブ１４〜１７のうち例えばメタンガス開閉バ
ルブ１４をマフスローコントローラ１３を介して開閉
し、放出バルブ１８から真空チャンバ２内に所定ガス圧
でメタンガス(CH4) を放出することにより、アンテナコ
イル３から生じる電界によってプラズマを発生させるよ
うになされている。
種開閉バルブ１４〜１７のうち例えばメタンガス開閉バ
ルブ１４をマフスローコントローラ１３を介して開閉
し、放出バルブ１８から真空チャンバ２内に所定ガス圧
でメタンガス(CH4) を放出することにより、アンテナコ
イル３から生じる電界によってプラズマを発生させるよ
うになされている。
【００１３】このプラズマは、イオン（正の荷電粒子）
である炭素の荷電粒子( C + ) や負の荷電粒子である電
子等から成る。
である炭素の荷電粒子( C + ) や負の荷電粒子である電
子等から成る。
【００１４】ここで、ＲＦ電源９に接続されたマッチン
グボックス１９は、ＲＦ電源９からアンテナコイル３へ
の入力電力値と、アンテナコイル３からＲＦ電源９への
反射電力値とを検出しており、当該検出結果を制御部５
０に送出する。
グボックス１９は、ＲＦ電源９からアンテナコイル３へ
の入力電力値と、アンテナコイル３からＲＦ電源９への
反射電力値とを検出しており、当該検出結果を制御部５
０に送出する。
【００１５】制御部５０は、マッチングボックス１９か
らの検出結果に応じて放出バルブ１８の開閉量を変更し
てガス圧を調整することにより、アンテナコイル３から
ＲＦ電源９への反射電力値を常に最低値に制御するよう
になされている。
らの検出結果に応じて放出バルブ１８の開閉量を変更し
てガス圧を調整することにより、アンテナコイル３から
ＲＦ電源９への反射電力値を常に最低値に制御するよう
になされている。
【００１６】因みに制御部５０は、電離真空計２８を介
して真空チャンバ２内のイオン電離率を検出しており、
その検出結果に応じてメタンガス開閉バルブ１４のガス
量を変更してイオン電離率を調節するようになされてい
る。
して真空チャンバ２内のイオン電離率を検出しており、
その検出結果に応じてメタンガス開閉バルブ１４のガス
量を変更してイオン電離率を調節するようになされてい
る。
【００１７】かかる構成に加えて、イオン注入装置１
は、炭素の荷電粒子( C + ) がＡＰＯ基板４の表面へ到
達するまでに通る経路中である真空チャンバ２内のアン
テナコイル３とＡＰＯ基板４とのほぼ中間に、電子を除
去するための電子除去用ネット２０がアンテナコイル３
側へ当該アンテナコイル３と平行に絶縁ホルダ２２で固
定されていると共に、イオン（この実施の形態の場合は
炭素の荷電粒子（ Ｃ ＋ ））を加速させるためのイ
オン加速用ネット２１がホルダ５側へ当該電子除去用ネ
ット２０から所定間隔離れた位置かつ電子除去用ネット
２０と平行に絶縁ホルダ２３で固定されている。
は、炭素の荷電粒子( C + ) がＡＰＯ基板４の表面へ到
達するまでに通る経路中である真空チャンバ２内のアン
テナコイル３とＡＰＯ基板４とのほぼ中間に、電子を除
去するための電子除去用ネット２０がアンテナコイル３
側へ当該アンテナコイル３と平行に絶縁ホルダ２２で固
定されていると共に、イオン（この実施の形態の場合は
炭素の荷電粒子（ Ｃ ＋ ））を加速させるためのイ
オン加速用ネット２１がホルダ５側へ当該電子除去用ネ
ット２０から所定間隔離れた位置かつ電子除去用ネット
２０と平行に絶縁ホルダ２３で固定されている。
【００１８】この電子除去用ネット２０及びイオン加速
用ネット２１は、薄厚の円形状でなり、炭素の荷電粒子
（ Ｃ ＋ ） 等のイオンを十分に通過させ得る通過
孔２６及び２７が格子状に形成されている。
用ネット２１は、薄厚の円形状でなり、炭素の荷電粒子
（ Ｃ ＋ ） 等のイオンを十分に通過させ得る通過
孔２６及び２７が格子状に形成されている。
【００１９】また電子除去用ネット２０は、絶縁ホルダ
２２を介して真空チャンバ２外の可変陽極電源２４に接
続されると共に、イオン加速用ネット２１は、絶縁ホル
ダ２３を介して真空チャンバ２外の陰極電源２５に接続
されており、制御部５０によって当該電子除去用ネット
２０とイオン加速用ネット２１との間で例えば８００Ｖ
の電位差となるように可変陽極電源２４及び陰極電源２
５からそれぞれ所定電圧が印加される。
２２を介して真空チャンバ２外の可変陽極電源２４に接
続されると共に、イオン加速用ネット２１は、絶縁ホル
ダ２３を介して真空チャンバ２外の陰極電源２５に接続
されており、制御部５０によって当該電子除去用ネット
２０とイオン加速用ネット２１との間で例えば８００Ｖ
の電位差となるように可変陽極電源２４及び陰極電源２
５からそれぞれ所定電圧が印加される。
【００２０】従って電子除去用ネット２０は、図２に示
すように、可変陽極電源２４によって正極性の電圧が印
加されるので、プラズマのうちチャージアップの要因と
なる電子３０を電気的に引きつけて中和することによ
り、格子状の通過孔２６を介してイオン加速用ネット２
１側へ移動する前に除去し得るようになされている。
すように、可変陽極電源２４によって正極性の電圧が印
加されるので、プラズマのうちチャージアップの要因と
なる電子３０を電気的に引きつけて中和することによ
り、格子状の通過孔２６を介してイオン加速用ネット２
１側へ移動する前に除去し得るようになされている。
【００２１】因みに電子除去用ネット２０は、電子３０
がイオン加速用ネット２１側へ移動した場合において
も、陰極電源２５によって陰極性の電圧が印加されるイ
オン加速用ネット２１によって電子除去用ネット２０側
へ弾き飛ばされるので、当該電子３０を電気的に引きつ
けて中和することにより、ＡＰＯ基板４へ電子３０が到
達する前に除去し得るようになされている。
がイオン加速用ネット２１側へ移動した場合において
も、陰極電源２５によって陰極性の電圧が印加されるイ
オン加速用ネット２１によって電子除去用ネット２０側
へ弾き飛ばされるので、当該電子３０を電気的に引きつ
けて中和することにより、ＡＰＯ基板４へ電子３０が到
達する前に除去し得るようになされている。
【００２２】またイオン加速用ネット２１は、陰極電源
２５によって陰極性の電圧が印加されるので、プラズマ
のうちＡＰＯ基板４（図１）に打ち込むための炭素の荷
電粒子( C + ) ３５ａを通過孔２６を介して電子除去用
ネット２０とイオン加速用ネット２１との間に引き込
む。さらにイオン加速用ネット２１は、電子除去用ネッ
ト２０とイオン加速用ネット２１との間に引き込んだ炭
素の荷電粒子( C + ) ３５ｂを、電子除去用ネット２０
との電位差によって加速させる。
２５によって陰極性の電圧が印加されるので、プラズマ
のうちＡＰＯ基板４（図１）に打ち込むための炭素の荷
電粒子( C + ) ３５ａを通過孔２６を介して電子除去用
ネット２０とイオン加速用ネット２１との間に引き込
む。さらにイオン加速用ネット２１は、電子除去用ネッ
ト２０とイオン加速用ネット２１との間に引き込んだ炭
素の荷電粒子( C + ) ３５ｂを、電子除去用ネット２０
との電位差によって加速させる。
【００２３】ここで、電子除去用ネット２０との電位差
によって所望とする加速度とならなかった炭素の荷電粒
子( C + ) は、電気的にイオン加速用ネット２１へ引き
つけられて中和されてしまう。
によって所望とする加速度とならなかった炭素の荷電粒
子( C + ) は、電気的にイオン加速用ネット２１へ引き
つけられて中和されてしまう。
【００２４】従ってイオン加速用ネット２１は、電子除
去用ネット２０との電位差によって最適な加速度となっ
た炭素の荷電粒子( C + ) ３５ｃのみを通過孔２７を介
してＡＰＯ基板４へ打ち込み得るようになされている。
去用ネット２０との電位差によって最適な加速度となっ
た炭素の荷電粒子( C + ) ３５ｃのみを通過孔２７を介
してＡＰＯ基板４へ打ち込み得るようになされている。
【００２５】因みに制御部５０（図１）は、パルス電源
部１２が印加する正負のパルス電圧の電圧値に応じて可
変陽極電源２４を調整するようになされており、これに
よりＡＰＯ基板４に打ち込む炭素の荷電粒子( C + ) ３
５ｃの加速度を変更し得るようになされている。
部１２が印加する正負のパルス電圧の電圧値に応じて可
変陽極電源２４を調整するようになされており、これに
よりＡＰＯ基板４に打ち込む炭素の荷電粒子( C + ) ３
５ｃの加速度を変更し得るようになされている。
【００２６】この実施の形態の場合、イオン注入装置１
においては、図３に示すように、制御部５０によって制
御されているパルス電源部１２が正負両極性のパルスピ
ーク値を±１０ｋＶ、正負それぞれのパルス幅を５μｓ
ｅｃ、パルス間隔を０．１ｍｓｅｃ（１０ｋＨｚ）でな
るパルス電圧をＡＰＯ基板４に印加するようになされて
いる。
においては、図３に示すように、制御部５０によって制
御されているパルス電源部１２が正負両極性のパルスピ
ーク値を±１０ｋＶ、正負それぞれのパルス幅を５μｓ
ｅｃ、パルス間隔を０．１ｍｓｅｃ（１０ｋＨｚ）でな
るパルス電圧をＡＰＯ基板４に印加するようになされて
いる。
【００２７】従ってパルス電源部１２は、図１に示すよ
うに、仮に電子除去用ネット２０及びイオン加速用ネッ
ト２１を順次介してＡＰＯ基板４の表面へ電子が到達し
てしまった場合においても、負極性のパルス電圧をＡＰ
Ｏ基板４に印加している場合には、当該電子を弾き飛ば
してしまうと共に、正極性のパルス電圧をＡＰＯ基板４
に印加している場合には中和させることにより、チャー
ジアップ状態となることを防止し得るようになされてい
る。
うに、仮に電子除去用ネット２０及びイオン加速用ネッ
ト２１を順次介してＡＰＯ基板４の表面へ電子が到達し
てしまった場合においても、負極性のパルス電圧をＡＰ
Ｏ基板４に印加している場合には、当該電子を弾き飛ば
してしまうと共に、正極性のパルス電圧をＡＰＯ基板４
に印加している場合には中和させることにより、チャー
ジアップ状態となることを防止し得るようになされてい
る。
【００２８】さらにパルス電源部１２は、負極性のパル
ス電圧をＡＰＯ基板４に印加している場合には、イオン
加速用ネット２１によって加速された炭素の荷電粒子(
C +) ３５ｃ（図３）をさらに加速させて当該ＡＰＯ基
板４の表面内に打ち込み得るようになされている。
ス電圧をＡＰＯ基板４に印加している場合には、イオン
加速用ネット２１によって加速された炭素の荷電粒子(
C +) ３５ｃ（図３）をさらに加速させて当該ＡＰＯ基
板４の表面内に打ち込み得るようになされている。
【００２９】因みにイオン注入装置１は、ホルダ５の背
面に冷却水導入用のパイプ（図示せず）が取り付けられ
ており、当該パイプを介して冷却水を循環させることに
より、当該ホルダ５に支持されるＡＰＯ基板４を冷却す
るようになされている。これによりイオン注入装置１
は、ＡＰＯ基板４に対して炭素の荷電粒子( C + ) を打
ち込む際の当該ＡＰＯ基板４の温度上昇を防止する。
面に冷却水導入用のパイプ（図示せず）が取り付けられ
ており、当該パイプを介して冷却水を循環させることに
より、当該ホルダ５に支持されるＡＰＯ基板４を冷却す
るようになされている。これによりイオン注入装置１
は、ＡＰＯ基板４に対して炭素の荷電粒子( C + ) を打
ち込む際の当該ＡＰＯ基板４の温度上昇を防止する。
【００３０】このようなイオン注入装置１のイオン注入
処理手順においては、図４のルーチンＲＴ１の開始ステ
ップから次のステップＳＰ１に移る。
処理手順においては、図４のルーチンＲＴ１の開始ステ
ップから次のステップＳＰ１に移る。
【００３１】ステップＳＰ１においてイオン注入装置１
の制御部５０は、まず真空チャンバ２内を排気すること
により高真空状態に設定する。このとき制御部５０は、
ホルダ５の背面に冷却水導入用のパイプ（図示せず）を
介して冷却水を循環させることにより、ＡＰＯ基板４が
高温のために変形することを回避し、次のステップＳＰ
２に移る。
の制御部５０は、まず真空チャンバ２内を排気すること
により高真空状態に設定する。このとき制御部５０は、
ホルダ５の背面に冷却水導入用のパイプ（図示せず）を
介して冷却水を循環させることにより、ＡＰＯ基板４が
高温のために変形することを回避し、次のステップＳＰ
２に移る。
【００３２】ステップＳＰ２において制御部５０は、ア
ンテナコイル３に例えば５００Ｗの電力を供給し、ＡＰ
Ｏ基板４に例えば±１０ｋＶのパルス電圧を印加すると
共に、電子除去用ネット２０とイオン加速用ネット２１
との間に例えば８００ｋＶの電位差を与え、次のステッ
プＳＰ３に移る。
ンテナコイル３に例えば５００Ｗの電力を供給し、ＡＰ
Ｏ基板４に例えば±１０ｋＶのパルス電圧を印加すると
共に、電子除去用ネット２０とイオン加速用ネット２１
との間に例えば８００ｋＶの電位差を与え、次のステッ
プＳＰ３に移る。
【００３３】ステップＳＰ３において制御部５０は、真
空チャンバ２内に放出バルブ１８を介して所定圧でメタ
ンガス(CH4) を供給することにより、炭素の荷電粒子
（( C+ ) であるイオンを含むプラズマを発生させ、次
のステップＳＰ４に移る。
空チャンバ２内に放出バルブ１８を介して所定圧でメタ
ンガス(CH4) を供給することにより、炭素の荷電粒子
（( C+ ) であるイオンを含むプラズマを発生させ、次
のステップＳＰ４に移る。
【００３４】ステップＳＰ４において制御部５０は、Ａ
ＰＯ基板４の表面内に電子３０が打ち込まれる前に、電
子除去用ネット２０によってチャージアップの要因とな
る当該電子３０（図２）を除去し、次のステップＳＰ５
に移る。
ＰＯ基板４の表面内に電子３０が打ち込まれる前に、電
子除去用ネット２０によってチャージアップの要因とな
る当該電子３０（図２）を除去し、次のステップＳＰ５
に移る。
【００３５】ステップＳＰ５において制御部５０は、加
速促進用ネット２１と電子除去用ネット２０との電位差
によって最適な加速度となった炭素の荷電粒子( C + )
３５ｃ（図２）のみをＡＰＯ基板４に打ち込む。
速促進用ネット２１と電子除去用ネット２０との電位差
によって最適な加速度となった炭素の荷電粒子( C + )
３５ｃ（図２）のみをＡＰＯ基板４に打ち込む。
【００３６】このように制御部５０は、電子除去用ネッ
ト２０によって電子を除去した状態において、加速促進
用ネット２１によって最適な加速度となった炭素の荷電
粒子( C + ) ３５ｃ（図２）のみをＡＰＯ基板４の表面
内に打ち込むことにより、ＡＰＯ基板４内に電子が蓄積
されて炭素の荷電粒子( C + ) が打ち込み難くなること
を回避するので、当該炭素の荷電粒子( C + ) をＡＰＯ
基板４へ的確に打ち込むことができる。
ト２０によって電子を除去した状態において、加速促進
用ネット２１によって最適な加速度となった炭素の荷電
粒子( C + ) ３５ｃ（図２）のみをＡＰＯ基板４の表面
内に打ち込むことにより、ＡＰＯ基板４内に電子が蓄積
されて炭素の荷電粒子( C + ) が打ち込み難くなること
を回避するので、当該炭素の荷電粒子( C + ) をＡＰＯ
基板４へ的確に打ち込むことができる。
【００３７】このとき制御部５０は、ＡＰＯ基板４に対
して正負極性でなるパルス電圧（図３）を印加し続ける
ことにより、最適な加速度となった炭素の荷電粒子( C
+ )３５ｃをさらに加速させて打ち込むと共に、仮に加
速促進用ネット２１を介して電子がＡＰＯ基板４の表面
へ到達してしまった場合においても当該電子を弾き飛ば
すか中和し、続くステップＳＰ６に移ってイオン注入処
理手順を終了する。
して正負極性でなるパルス電圧（図３）を印加し続ける
ことにより、最適な加速度となった炭素の荷電粒子( C
+ )３５ｃをさらに加速させて打ち込むと共に、仮に加
速促進用ネット２１を介して電子がＡＰＯ基板４の表面
へ到達してしまった場合においても当該電子を弾き飛ば
すか中和し、続くステップＳＰ６に移ってイオン注入処
理手順を終了する。
【００３８】このように制御部５０は、電子除去用ネッ
ト２０によってチャージアップの要因となる電子をＡＰ
Ｏ基板４の表面へ到達する前に除去することに加えて、
仮に当該電子がＡＰＯ基板４の表面へ到達してしまった
送り込まれた場合においてもその電子を弾き飛ばすか中
和するので、一段とチャージアップ状態となることを防
止することができる。
ト２０によってチャージアップの要因となる電子をＡＰ
Ｏ基板４の表面へ到達する前に除去することに加えて、
仮に当該電子がＡＰＯ基板４の表面へ到達してしまった
送り込まれた場合においてもその電子を弾き飛ばすか中
和するので、一段とチャージアップ状態となることを防
止することができる。
【００３９】また制御部５０は、加速促進用ネット２１
によって加速させた炭素の荷電粒子( C + ) をさらに加
速させるので、ＡＰＯ基板４へ一段と的確に打ち込むこ
とができる。
によって加速させた炭素の荷電粒子( C + ) をさらに加
速させるので、ＡＰＯ基板４へ一段と的確に打ち込むこ
とができる。
【００４０】かかるイオン注入装置１によるイオン注入
処理手順に従って炭素の荷電粒子(C + ) が打ち込まれ
たＡＰＯ基板４への針押し込みにおける表面改質効果の
実験結果を図５に示す。
処理手順に従って炭素の荷電粒子(C + ) が打ち込まれ
たＡＰＯ基板４への針押し込みにおける表面改質効果の
実験結果を図５に示す。
【００４１】図５は、イオン注入装置１によるイオン注
入処理手順に従って炭素の荷電粒子( C + ) が打ち込ま
れたＡＰＯ基板４と、イオン注入処理を行わなかったＡ
ＰＯ基板４とに対するダイヤモンド針の押し込みをナノ
インデンターを用いて調べ、その比較値を縦軸に押込み
変位（ｎｍ）、横軸に荷重（μＮ）としてグラフ化した
ものである。
入処理手順に従って炭素の荷電粒子( C + ) が打ち込ま
れたＡＰＯ基板４と、イオン注入処理を行わなかったＡ
ＰＯ基板４とに対するダイヤモンド針の押し込みをナノ
インデンターを用いて調べ、その比較値を縦軸に押込み
変位（ｎｍ）、横軸に荷重（μＮ）としてグラフ化した
ものである。
【００４２】図５からも明らかなように、押し込み変位
はイオン注入処理を行ったＡＰＯ基板４は、イオン注入
処理を行わなかったＡＰＯ基板４よりも押し込み変位量
が少ないと共に、変位率が小さい。
はイオン注入処理を行ったＡＰＯ基板４は、イオン注入
処理を行わなかったＡＰＯ基板４よりも押し込み変位量
が少ないと共に、変位率が小さい。
【００４３】従ってイオン注入処理を行ったＡＰＯ基板
４の表面硬度特性は、良好に改質されたと判断できる。
４の表面硬度特性は、良好に改質されたと判断できる。
【００４４】かくして、イオン注入装置１は、かかる表
面改質効果の実験結果からも示唆するように、ＡＰＯ基
板４の表面内へ的確に打ち込み得るので、確実に表面改
良することができ、ＡＰＯ基板４の表面を有効に保護す
ることができる。
面改質効果の実験結果からも示唆するように、ＡＰＯ基
板４の表面内へ的確に打ち込み得るので、確実に表面改
良することができ、ＡＰＯ基板４の表面を有効に保護す
ることができる。
【００４５】以上の構成において、イオン注入装置１で
は、真空状態になされた処理室（空間）を有する密閉手
段としての真空チャンバ２に設けられたホルダ５へ保持
されるＡＰＯ基板４の保護用に使用される炭素の荷電粒
子( C + ) を発生させるイオン発生手段としてのアンテ
ナコイル３、ＲＦ電源９及びガス導入管２９によって炭
素の荷電粒子( C + ) を含むプラズマを発生させる。
は、真空状態になされた処理室（空間）を有する密閉手
段としての真空チャンバ２に設けられたホルダ５へ保持
されるＡＰＯ基板４の保護用に使用される炭素の荷電粒
子( C + ) を発生させるイオン発生手段としてのアンテ
ナコイル３、ＲＦ電源９及びガス導入管２９によって炭
素の荷電粒子( C + ) を含むプラズマを発生させる。
【００４６】そしてイオン注入装置１では、炭素の荷電
粒子( C + ) がＡＰＯ基板４の表面へ到達するまでに通
る経路中であるアンテナコイル３とＡＰＯ基板４とのほ
ぼ中間に、当該アンテナコイル３に対向かつアンテナコ
イル３側へ電子除去用ネット２０を配置すると共に、当
該ホルダ５に対向かつホルダ５側へイオン加速用ネット
２１を配置し、電子除去用ネット２０に正極性の電圧を
印加すると共に、イオン加速用ネット２１に負極性の電
圧を印加することにより、電子除去用ネット２０とイオ
ン加速用ネット２１との間に所定の電位差を与えた。
粒子( C + ) がＡＰＯ基板４の表面へ到達するまでに通
る経路中であるアンテナコイル３とＡＰＯ基板４とのほ
ぼ中間に、当該アンテナコイル３に対向かつアンテナコ
イル３側へ電子除去用ネット２０を配置すると共に、当
該ホルダ５に対向かつホルダ５側へイオン加速用ネット
２１を配置し、電子除去用ネット２０に正極性の電圧を
印加すると共に、イオン加速用ネット２１に負極性の電
圧を印加することにより、電子除去用ネット２０とイオ
ン加速用ネット２１との間に所定の電位差を与えた。
【００４７】従って、アンテナコイル３によって炭素の
荷電粒子( C + ) を発生させた際に生じる電子は、電子
除去用ネット２０によって除去されることにより、ＡＰ
Ｏ基板４の表面へ到達できない。
荷電粒子( C + ) を発生させた際に生じる電子は、電子
除去用ネット２０によって除去されることにより、ＡＰ
Ｏ基板４の表面へ到達できない。
【００４８】このようにイオン注入装置１は、アンテナ
コイル３によって炭素の荷電粒子(C + ) を発生させた
際に生じる電子を中和することによりＡＰＯ基板４の表
面へ到達する前に当該電子を除去するので、ＡＰＯ基板
４の内に電子が蓄積することを回避することができ、か
くして、チャージアップの状態となることを防止するこ
とができる。
コイル３によって炭素の荷電粒子(C + ) を発生させた
際に生じる電子を中和することによりＡＰＯ基板４の表
面へ到達する前に当該電子を除去するので、ＡＰＯ基板
４の内に電子が蓄積することを回避することができ、か
くして、チャージアップの状態となることを防止するこ
とができる。
【００４９】この状態において、イオン注入装置１は、
イオン加速用ネット２１と電子除去用ネット２０との電
位差によって最適な加速度になされた炭素の荷電粒子(
C +) のみをＡＰＯ基板４の表面内へ的確に打ち込むこ
とができ、かくして、ＡＰＯ基板４の表面特性を改良す
ることができる。
イオン加速用ネット２１と電子除去用ネット２０との電
位差によって最適な加速度になされた炭素の荷電粒子(
C +) のみをＡＰＯ基板４の表面内へ的確に打ち込むこ
とができ、かくして、ＡＰＯ基板４の表面特性を改良す
ることができる。
【００５０】因みに、この実施の形態の場合のイオン注
入装置１では、アンテナコイル３にＲＦ電源９から正負
両極性でなる高周波電力を供給することにより生じる電
界によって真空チャンバ２内で発生させた炭素の荷電粒
子( C + ) を加速させてＡＰＯ基板４に打ち込むので、
当該真空チャンバ２外で数千度の熱によって発生させた
炭素の荷電粒子( C + ) を加速させてＡＰＯ基板４に打
ち込むイオン注入装置に比して、一段と容易にかつ短時
間でＡＰＯ基板４に炭素の荷電粒子( C + ) を打ち込む
ことができ、なおかつ簡易な構成かつ小型化することが
できる。
入装置１では、アンテナコイル３にＲＦ電源９から正負
両極性でなる高周波電力を供給することにより生じる電
界によって真空チャンバ２内で発生させた炭素の荷電粒
子( C + ) を加速させてＡＰＯ基板４に打ち込むので、
当該真空チャンバ２外で数千度の熱によって発生させた
炭素の荷電粒子( C + ) を加速させてＡＰＯ基板４に打
ち込むイオン注入装置に比して、一段と容易にかつ短時
間でＡＰＯ基板４に炭素の荷電粒子( C + ) を打ち込む
ことができ、なおかつ簡易な構成かつ小型化することが
できる。
【００５１】以上の構成によれば、真空状態になされた
処理室を有する真空チャンバ２に設けられたホルダ５へ
保持されるＡＰＯ基板４の保護用に使用される炭素の荷
電粒子( C + ) を発生させ、炭素の荷電粒子( C + ) が
ＡＰＯ基板４の表面へ到達するまでに通る経路中に正極
性の電圧が印加された電子除去用ネット２０及び負極性
の電圧が印加されたイオン加速用ネット２１を設けたこ
とにより、ＡＰＯ基板４の表面内に電子が到達する前に
その電子を除去して当該ＡＰＯ基板４がチャージアップ
状態になることを防止することができるので、炭素の荷
電粒子( C + )をＡＰＯ基板４の表面内へ的確に打ち込
むことができ、かくして、ＡＰＯ基板４の表面特性を確
実に改良することで当該表面を有効に保護することがで
きる。
処理室を有する真空チャンバ２に設けられたホルダ５へ
保持されるＡＰＯ基板４の保護用に使用される炭素の荷
電粒子( C + ) を発生させ、炭素の荷電粒子( C + ) が
ＡＰＯ基板４の表面へ到達するまでに通る経路中に正極
性の電圧が印加された電子除去用ネット２０及び負極性
の電圧が印加されたイオン加速用ネット２１を設けたこ
とにより、ＡＰＯ基板４の表面内に電子が到達する前に
その電子を除去して当該ＡＰＯ基板４がチャージアップ
状態になることを防止することができるので、炭素の荷
電粒子( C + )をＡＰＯ基板４の表面内へ的確に打ち込
むことができ、かくして、ＡＰＯ基板４の表面特性を確
実に改良することで当該表面を有効に保護することがで
きる。
【００５２】なお上述の実施の形態においては、イオン
発生源であるメタンガス（ＣＨ4 ）から発生するイオン
としての炭素の荷電粒子( C + ) をＡＰＯ基板４の表面
内に打ち込む場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、例えばイオン発生源であるトルエン(C6H5CH3) 等
の芳香族炭化水素や、窒素（Ｎ）、タングステン
（Ｗ）、タンテル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン
（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、あるいはサマリウム（Ｓｍ）か
ら発生する他の種々のイオンをＡＰＯ基板４の表面内に
打ち込むようにしても良い。
発生源であるメタンガス（ＣＨ4 ）から発生するイオン
としての炭素の荷電粒子( C + ) をＡＰＯ基板４の表面
内に打ち込む場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、例えばイオン発生源であるトルエン(C6H5CH3) 等
の芳香族炭化水素や、窒素（Ｎ）、タングステン
（Ｗ）、タンテル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン
（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、あるいはサマリウム（Ｓｍ）か
ら発生する他の種々のイオンをＡＰＯ基板４の表面内に
打ち込むようにしても良い。
【００５３】因みに、固体又は液体のイオン発生源の場
合、イオン注入装置１では、当該固体又は液体のイオン
発生源を気化するための気化装置において気化した後、
マスフローコントローラ１３及び放出バルブ１８を順次
介して真空チャンバ２内に放出すれば良い。
合、イオン注入装置１では、当該固体又は液体のイオン
発生源を気化するための気化装置において気化した後、
マスフローコントローラ１３及び放出バルブ１８を順次
介して真空チャンバ２内に放出すれば良い。
【００５４】さらに上述の実施の形態においては、処理
対象物としてアモルファスポリオレフィン材質でなる基
板（ＡＰＯ基板４）を適用する場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えばポリカーボネート(PC:Po
lycarbonate)、ポリメチルメタクリレート(PMMA:Polrme
thyl Methacrylate)、ポリエチレンテレフタラート(PE
T:Polyethylene Terephthalate)、アクリル樹脂、ポリ
イミド樹脂、カーボン、ガラス及び金属等の種々の材質
でなる例えばビデオテープやピニオンギア等の他の種々
の処理対象物を適用することができる。
対象物としてアモルファスポリオレフィン材質でなる基
板（ＡＰＯ基板４）を適用する場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えばポリカーボネート(PC:Po
lycarbonate)、ポリメチルメタクリレート(PMMA:Polrme
thyl Methacrylate)、ポリエチレンテレフタラート(PE
T:Polyethylene Terephthalate)、アクリル樹脂、ポリ
イミド樹脂、カーボン、ガラス及び金属等の種々の材質
でなる例えばビデオテープやピニオンギア等の他の種々
の処理対象物を適用することができる。
【００５５】さらに上述の実施の形態においては、イオ
ン加速手段としての電子除去用ネット２０及びイオン加
速用ネット２１を適用する場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、他の種々のイオン加速手段を適用す
ることができる。
ン加速手段としての電子除去用ネット２０及びイオン加
速用ネット２１を適用する場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、他の種々のイオン加速手段を適用す
ることができる。
【００５６】要はイオンが処理対象物の表面へ到達する
までに通る経路中に配置され、イオンを発生させたとき
に生じる電子を除去すると共に、イオンを加速させるイ
オン加速手段であれば良い。
までに通る経路中に配置され、イオンを発生させたとき
に生じる電子を除去すると共に、イオンを加速させるイ
オン加速手段であれば良い。
【００５７】さらに上述の実施の形態においては、イオ
ン加速促進手段としてのパルス電源部１２が正負のパル
スピーク値を±１０ｋＶ、正負それぞれのパルス幅を５
μｓｅｃ、パルス間隔を０．１ｍｓｅｃ（１０ｋＨｚ）
でなる正負両極性でなるパルス電圧をＡＰＯ基板４に印
加する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
イオン加速促進手段が他の値でなるパルス電圧を印加す
るようにしても良い。
ン加速促進手段としてのパルス電源部１２が正負のパル
スピーク値を±１０ｋＶ、正負それぞれのパルス幅を５
μｓｅｃ、パルス間隔を０．１ｍｓｅｃ（１０ｋＨｚ）
でなる正負両極性でなるパルス電圧をＡＰＯ基板４に印
加する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
イオン加速促進手段が他の値でなるパルス電圧を印加す
るようにしても良い。
【００５８】この場合、イオン注入装置１では、正負の
パルス状電圧のパルス電圧のパルスピーク値、パルスの
立ち上がり時間、パルス間隔、パルス幅及び正負のパル
スの順番を制御部５０の操作入力部（図示せず）からの
各種設定操作によってそれぞれ可変する。
パルス状電圧のパルス電圧のパルスピーク値、パルスの
立ち上がり時間、パルス間隔、パルス幅及び正負のパル
スの順番を制御部５０の操作入力部（図示せず）からの
各種設定操作によってそれぞれ可変する。
【００５９】このようにすれば、保護対象物の大きさ、
形状及び材質等に依存することなく炭素の荷電粒子( C
+ ) を保護対象物の表面内に引き込むと共に、チャージ
アップ状態となることを防止することができる。
形状及び材質等に依存することなく炭素の荷電粒子( C
+ ) を保護対象物の表面内に引き込むと共に、チャージ
アップ状態となることを防止することができる。
【００６０】さらに上述の実施の形態においては、表面
処理装置としてのイオン注入装置１に電子除去用ネット
２０とイオン加速用ネット２１とを配置する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、成膜装置や、フリ
ーマン型と称されるイオン源を有するイオン注入装置等
の表面処理装置に電子除去用ネット２０とイオン加速用
ネット２１とを配置するようにしても良い。
処理装置としてのイオン注入装置１に電子除去用ネット
２０とイオン加速用ネット２１とを配置する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、成膜装置や、フリ
ーマン型と称されるイオン源を有するイオン注入装置等
の表面処理装置に電子除去用ネット２０とイオン加速用
ネット２１とを配置するようにしても良い。
【００６１】さらに上述の実施の形態においては、表面
処理装置としてのイオン注入装置１が炭素の荷電粒子(
C + ) をＡＰＯ基板４の表面内に打ち込む表面処理を行
う場合について述べたが、本発明はこれに限らず、可変
陽極電源２４に印加する電圧を制御して電子除去用ネッ
ト２０とイオン加速用ネット２１との間の電位差を変更
することにより、成膜やエッジング等の表面処理を行う
ようにしても良い。
処理装置としてのイオン注入装置１が炭素の荷電粒子(
C + ) をＡＰＯ基板４の表面内に打ち込む表面処理を行
う場合について述べたが、本発明はこれに限らず、可変
陽極電源２４に印加する電圧を制御して電子除去用ネッ
ト２０とイオン加速用ネット２１との間の電位差を変更
することにより、成膜やエッジング等の表面処理を行う
ようにしても良い。
【００６２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、真空状態
になされた処理室を有する密閉手段に設けられた保持具
へ保持される処理対象物の処理用に使用されるイオンを
イオン発生手段によって発生させ、イオンが処理対象物
の表面へ到達するまでに通る経路中に配置されたイオン
加速手段によってイオンを発生させたときに生じる電子
を除去すると共に、イオンを加速させることにより、処
理対象物がチャージアップ状態となることを回避しなが
ら、処理対象物の表面へイオンを的確に成膜したり、当
該処理対象物の表面内へイオンを的確に打ち込んだり、
当該処理対象物の表面を的確に加工することができ、か
くして、処理対象物に対して有効に表面処理を行うこと
ができる。
になされた処理室を有する密閉手段に設けられた保持具
へ保持される処理対象物の処理用に使用されるイオンを
イオン発生手段によって発生させ、イオンが処理対象物
の表面へ到達するまでに通る経路中に配置されたイオン
加速手段によってイオンを発生させたときに生じる電子
を除去すると共に、イオンを加速させることにより、処
理対象物がチャージアップ状態となることを回避しなが
ら、処理対象物の表面へイオンを的確に成膜したり、当
該処理対象物の表面内へイオンを的確に打ち込んだり、
当該処理対象物の表面を的確に加工することができ、か
くして、処理対象物に対して有効に表面処理を行うこと
ができる。
【図１】本発明によるイオン注入装置の構成を示す略線
的概略図である。
的概略図である。
【図２】炭素の荷電粒子の加速状況を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】パルス電圧波形を示す略線図である。
【図４】イオン注入処理手順を示すフローチャートであ
る。
る。
【図５】イオン注入したＡＰＯ基板とイオン注入しない
ＡＰＯ基板との荷重−押込み変位曲線を示す特性曲線図
である。
ＡＰＯ基板との荷重−押込み変位曲線を示す特性曲線図
である。
１……イオン注入装置、２……真空チャンバ、３……ア
ンテナコイル、４……ＡＰＯ基板、５……ホルダ、９…
…ＲＦ電源、１２……パルス電源部、２０……電子除去
用ネット、２１……イオン加速用ネット、２９……ガス
導入管、５０……制御部。
ンテナコイル、４……ＡＰＯ基板、５……ホルダ、９…
…ＲＦ電源、１２……パルス電源部、２０……電子除去
用ネット、２１……イオン加速用ネット、２９……ガス
導入管、５０……制御部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 外崎 峰広 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA02 BA34 CA10 DE03 DE04 5C034 CC01 CC07
Claims (7)
- 【請求項１】処理対象物に対して所定の表面処理を施す
表面処理装置において、 真空状態になされた処理室を有する密閉手段と、 上記処理室内の所定位置に設けられた保持具に保持され
た処理対象物の処理用に使用されるイオンを発生させる
イオン発生手段と、 上記イオンが上記処理対象物の表面へ到達するまでに通
る経路中に配置され、上記イオンを発生させたときに生
じる電子を除去すると共に、上記イオンを加速させるイ
オン加速手段とを具えることを特徴とする表面処理装
置。 - 【請求項２】上記イオン加速手段は、 正極性の電圧が印加された電子除去用ネットと、 上記電子除去ネットよりも上記処理対象物側に配置さ
れ、負極性の電圧が印加されたイオン加速用ネットとを
具えることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装
置。 - 【請求項３】上記表面処理装置は、 上記保持具に保持された上記処理対象物に正極性及び負
極性のパルス電圧を印加するパルス電圧印加手段を具え
ることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。 - 【請求項４】上記表面処理装置は、 上記イオン発生手段によって上記密閉手段内で上記イオ
ンを発生させ、上記イオン加速手段によって加速された
上記イオンを上記処理対象物の表面内に打ち込むことを
特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。 - 【請求項５】処理対象物に対して所定の表面処理を施す
表面処理方法において、 真空状態になされた処理室を有する密閉手段の当該処理
室内の所定位置に設けられた保持具に保持される上記処
理対象物の表面を所定の状態に処理するために使用され
るイオンを発生させるイオン発生ステップと、 上記イオンが上記処理対象物の表面へ到達するまでに通
る経路中に配置されたイオン加速手段によって上記イオ
ンを発生させたときに生じる電子を除去すると共に、上
記イオンを加速させるイオン加速ステップとを具えるこ
とを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項６】上記イオン加速ステップは、 正極性の電圧が印加された電子除去用ネットによって上
記電子を除去し、 上記電子除去ネットよりも上記処理対象物側に配置さ
れ、負極性の電圧が印加されたイオン加速用ネットによ
って上記電子除去用ネットとの電位差で上記イオンを加
速させることを特徴とする請求項５に記載の表面処理方
法。 - 【請求項７】上記イオン加速ステップは、 上記処理対象物に正極性及び負極性のパルス電圧を印加
するパルス電圧印加手段によって上記イオンをさらに加
速させると共に、上記処理対象物の表面へ到達した電子
を除去することを特徴とする請求項５に記載の表面処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000383138A JP2002184343A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 表面処理装置及び表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000383138A JP2002184343A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 表面処理装置及び表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184343A true JP2002184343A (ja) | 2002-06-28 |
Family
ID=18850846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000383138A Pending JP2002184343A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 表面処理装置及び表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002184343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106319455A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 镀膜系统 |
-
2000
- 2000-12-12 JP JP2000383138A patent/JP2002184343A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106319455A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 镀膜系统 |
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