JP2002182052A - フォトブリーチング導波路の製造方法 - Google Patents
フォトブリーチング導波路の製造方法Info
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- JP2002182052A JP2002182052A JP2000376534A JP2000376534A JP2002182052A JP 2002182052 A JP2002182052 A JP 2002182052A JP 2000376534 A JP2000376534 A JP 2000376534A JP 2000376534 A JP2000376534 A JP 2000376534A JP 2002182052 A JP2002182052 A JP 2002182052A
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- ultraviolet light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留まりが高く、散乱損失が低く、形状寸法
の均一なフォトブリーチング導波路の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 フォトブリーチング用のポリマ層３ａを
バッファ層２と上部クラッド層５とでサンドイッチ構造
に覆い、上部クラッド層５の上面側か、バッファ層２の
下面側からＵＶ光１０を照射してポリマ層３ａが屈折率
変化するようにパターニングするので、ポリマ層３ａ、
すなわちコア層３及び側面クラッド層４−１、４−２の
表面に段差が生じない。これは、ポリマ層３ａがバッフ
ァ層２と上部クラッド層５とで密着したサンドイッチ構
造になっているためである。この結果、超低散乱損失で
形状寸法の均一なフォトブリーチング導波路を実現する
ことができる。
の均一なフォトブリーチング導波路の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 フォトブリーチング用のポリマ層３ａを
バッファ層２と上部クラッド層５とでサンドイッチ構造
に覆い、上部クラッド層５の上面側か、バッファ層２の
下面側からＵＶ光１０を照射してポリマ層３ａが屈折率
変化するようにパターニングするので、ポリマ層３ａ、
すなわちコア層３及び側面クラッド層４−１、４−２の
表面に段差が生じない。これは、ポリマ層３ａがバッフ
ァ層２と上部クラッド層５とで密着したサンドイッチ構
造になっているためである。この結果、超低散乱損失で
形状寸法の均一なフォトブリーチング導波路を実現する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトブリーチン
グ導波路の製造方法に関する。
グ導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリマ材料を用いた導波路は、低温プロ
セスで容易に作製することができ、光回路と電気回路と
を複合実装したデバイスへの適用の可能性が高いことか
ら、研究が活発化してきている。
セスで容易に作製することができ、光回路と電気回路と
を複合実装したデバイスへの適用の可能性が高いことか
ら、研究が活発化してきている。
【０００３】本発明者は、このような導波路の一製造方
法として図８（ａ）〜（ｅ）に示す製造方法を提案し
た。
法として図８（ａ）〜（ｅ）に示す製造方法を提案し
た。
【０００４】図８（ａ）〜（ｅ）は本発明の前提となっ
たフォトブリーチング導波路の製造方法の工程図であ
る。
たフォトブリーチング導波路の製造方法の工程図であ
る。
【０００５】同図（ａ）に示すように、基板１上に低屈
折率（ｎb ）のバッファ層２を形成し、そのバッファ層
２の上にバッファ層２の屈折率（ｎb ）より高い屈折率
（ｎ p ）のフォトブリーチング用のポリマ層３ａを形成
する。これらの層２、３ａはスピンコーティング法で形
成する。
折率（ｎb ）のバッファ層２を形成し、そのバッファ層
２の上にバッファ層２の屈折率（ｎb ）より高い屈折率
（ｎ p ）のフォトブリーチング用のポリマ層３ａを形成
する。これらの層２、３ａはスピンコーティング法で形
成する。
【０００６】次に同図（ｂ）に示すようにポリマ層３ａ
の上にフォトマスク９を配置し、そのフォトマスク９を
介して紫外線光１０をポリマ層３ａ上に照射する。フォ
トマスク９は紫外線光１０を透過する領域９ｂと紫外線
光１０を遮蔽（吸収または反射）する領域（コアパター
ン）９ａとで構成されている。フォトマスク９を介して
紫外線光１０をポリマ層３ａの上に照射することによ
り、同図（ｃ）のようにフォトマスク９のコアパターン
がポリマ層３ａに転写される。すなわち、紫外線光１０
の照射されなかったポリマ層３ａの領域は屈折率が変化
せずにコア層３となり、紫外線光１０の照射された領域
はその紫外線光１０の照射エネルギーに応じてポリマ層
３ａの屈折率を低下させてポリマ層３ａより屈折率の低
い側面クラッド層４−１、４−２に変化する。
の上にフォトマスク９を配置し、そのフォトマスク９を
介して紫外線光１０をポリマ層３ａ上に照射する。フォ
トマスク９は紫外線光１０を透過する領域９ｂと紫外線
光１０を遮蔽（吸収または反射）する領域（コアパター
ン）９ａとで構成されている。フォトマスク９を介して
紫外線光１０をポリマ層３ａの上に照射することによ
り、同図（ｃ）のようにフォトマスク９のコアパターン
がポリマ層３ａに転写される。すなわち、紫外線光１０
の照射されなかったポリマ層３ａの領域は屈折率が変化
せずにコア層３となり、紫外線光１０の照射された領域
はその紫外線光１０の照射エネルギーに応じてポリマ層
３ａの屈折率を低下させてポリマ層３ａより屈折率の低
い側面クラッド層４−１、４−２に変化する。
【０００７】次に同図（ｄ）に示すように、コア層３及
び側面クラッド層４−１、４−２上にコア層３より屈折
率が低い上部クラッド層５を形成する。
び側面クラッド層４−１、４−２上にコア層３より屈折
率が低い上部クラッド層５を形成する。
【０００８】最後に同図（ｅ）に示すように、上部クラ
ッド層５の上面及び基板１の裏面に紫外線光遮蔽層６−
１、６−２を形成することによってフォトブリーチング
導波路が得られる。
ッド層５の上面及び基板１の裏面に紫外線光遮蔽層６−
１、６−２を形成することによってフォトブリーチング
導波路が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図８（ａ）
〜（ｅ）に示した製造方法を用いることによりフォトブ
リーチング導波路を簡易に製造することができ、低コス
ト化が期待できるが、実際に試作するといくつかの課題
があることが分かった。
〜（ｅ）に示した製造方法を用いることによりフォトブ
リーチング導波路を簡易に製造することができ、低コス
ト化が期待できるが、実際に試作するといくつかの課題
があることが分かった。
【００１０】第１の課題は、図８（ｂ）の工程を経て図
８（ｃ）の構造を実現しようとすると、図９に示すよう
な構造になるおそれがある点である。すなわち、紫外線
光１０の照射された側面クラッド層４−１、４−２の表
面に凹みが生じ、紫外線光１０の照射されなかったコア
層３との間に段差（厚さδｔ：０．数μｍから２μｍ）
が発生するおそれがあることが分かった。また、コア層
３の上面も周囲から紫外線光１０の漏れ込みが生じて図
１０に示すようにレンズ状に変化するおそれがあること
が分かった。
８（ｃ）の構造を実現しようとすると、図９に示すよう
な構造になるおそれがある点である。すなわち、紫外線
光１０の照射された側面クラッド層４−１、４−２の表
面に凹みが生じ、紫外線光１０の照射されなかったコア
層３との間に段差（厚さδｔ：０．数μｍから２μｍ）
が発生するおそれがあることが分かった。また、コア層
３の上面も周囲から紫外線光１０の漏れ込みが生じて図
１０に示すようにレンズ状に変化するおそれがあること
が分かった。
【００１１】このようにコア層３と側面クラッド層４−
１、４−２の表面に段差δがあると、その上に形成した
上部クラッド層５の上面も平坦でなくなってしまう。こ
れは、上部クラッド層５の上にさらにコア層、側面クラ
ッド層及び上部クラッド層を順次複数層積層させた積層
型の導波路を実現させる際に、それぞれの導波路の寸法
精度の低下をもたらしたり、上部クラッド層の上に光部
品や電気部品を実装しにくくなるという問題点が生じ
る。
１、４−２の表面に段差δがあると、その上に形成した
上部クラッド層５の上面も平坦でなくなってしまう。こ
れは、上部クラッド層５の上にさらにコア層、側面クラ
ッド層及び上部クラッド層を順次複数層積層させた積層
型の導波路を実現させる際に、それぞれの導波路の寸法
精度の低下をもたらしたり、上部クラッド層の上に光部
品や電気部品を実装しにくくなるという問題点が生じ
る。
【００１２】第２の課題は、図８（ａ）〜（ｃ）の工程
の間に、（ｂ）のフォトブリーチング用のポリマ層３ａ
の上面、（ｃ）のコア層３及び側面クラッド層４−１、
４−２の上面が露出しているので、フォトマスク９に接
触したり、大気中の塵埃が付着したり、作業者の手が触
れたりするなどしてコア層３及び側面クラッド層４−
１、４−２の表面に図１０に示すような表面荒れ１１が
生じ、光散乱損失を増加させる原因となるという問題が
あった。
の間に、（ｂ）のフォトブリーチング用のポリマ層３ａ
の上面、（ｃ）のコア層３及び側面クラッド層４−１、
４−２の上面が露出しているので、フォトマスク９に接
触したり、大気中の塵埃が付着したり、作業者の手が触
れたりするなどしてコア層３及び側面クラッド層４−
１、４−２の表面に図１０に示すような表面荒れ１１が
生じ、光散乱損失を増加させる原因となるという問題が
あった。
【００１３】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、歩留まりが高く、散乱損失が低く、形状寸法の均一
なフォトブリーチング導波路の製造方法を提供すること
にある。
し、歩留まりが高く、散乱損失が低く、形状寸法の均一
なフォトブリーチング導波路の製造方法を提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のフォトブリーチング導波路の製造方法は、バ
ッファ層の上面に、バッファ層より屈折率の高いフォト
ブリーチング用のポリマ層及び厚さが１００μｍ以下で
ポリマ層より屈折率が低い上部クラッド層を順次積層し
た後、紫外線光を透過する透明体板上に紫外線光を遮断
するコアパターンの描かれたフォトマスクをクラッド層
の上面に配置し、フォトマスクの上から紫外線光を照射
してポリマ層にパターンを転写して高屈折率が維持され
たコア層とコア層の両側面に紫外線光が照射されて低屈
折率に変化した側面クラッド層とを形成した後、上部ク
ラッド層の上面に紫外線光遮蔽層を形成するものであ
る。
に本発明のフォトブリーチング導波路の製造方法は、バ
ッファ層の上面に、バッファ層より屈折率の高いフォト
ブリーチング用のポリマ層及び厚さが１００μｍ以下で
ポリマ層より屈折率が低い上部クラッド層を順次積層し
た後、紫外線光を透過する透明体板上に紫外線光を遮断
するコアパターンの描かれたフォトマスクをクラッド層
の上面に配置し、フォトマスクの上から紫外線光を照射
してポリマ層にパターンを転写して高屈折率が維持され
たコア層とコア層の両側面に紫外線光が照射されて低屈
折率に変化した側面クラッド層とを形成した後、上部ク
ラッド層の上面に紫外線光遮蔽層を形成するものであ
る。
【００１５】上記構成に加え本発明のフォトブリーチン
グ導波路の製造方法は、バッファ層にガラス、プラスチ
ック、半導体、強誘電体、磁性体、あるいはこれらの組
合わせからなる基板を含ませてもよい。
グ導波路の製造方法は、バッファ層にガラス、プラスチ
ック、半導体、強誘電体、磁性体、あるいはこれらの組
合わせからなる基板を含ませてもよい。
【００１６】上記構成に加え本発明のフォトブリーチン
グ導波路の製造方法は、バッファ層に紫外線光遮蔽層を
含ませるか、あるいはバッファ層の下面に紫外線光遮蔽
層を形成してもよい。
グ導波路の製造方法は、バッファ層に紫外線光遮蔽層を
含ませるか、あるいはバッファ層の下面に紫外線光遮蔽
層を形成してもよい。
【００１７】上記構成に加え本発明のフォトブリーチン
グ導波路の製造方法は、フォトマスクをバッファ層の下
面に配置し、フォトマスクの上から紫外線光を照射して
フォトブリーチング用ポリマ層にフォトマスクパターン
を転写して高屈折率が維持されたコア層とコア層の両側
面に紫外線光が照射されて低屈折率に変化した側面クラ
ッド層とを形成した後、バッファ層の下面に紫外線光遮
蔽層を形成してもよい。
グ導波路の製造方法は、フォトマスクをバッファ層の下
面に配置し、フォトマスクの上から紫外線光を照射して
フォトブリーチング用ポリマ層にフォトマスクパターン
を転写して高屈折率が維持されたコア層とコア層の両側
面に紫外線光が照射されて低屈折率に変化した側面クラ
ッド層とを形成した後、バッファ層の下面に紫外線光遮
蔽層を形成してもよい。
【００１８】上記構成に加え本発明のフォトブリーチン
グ導波路の製造方法は、上部クラッド層に紫外線光遮蔽
層を含ませるか、あるいは上部クラッド層の上面に紫外
線光遮蔽層を形成してもよい。
グ導波路の製造方法は、上部クラッド層に紫外線光遮蔽
層を含ませるか、あるいは上部クラッド層の上面に紫外
線光遮蔽層を形成してもよい。
【００１９】上記構成に加え本発明のフォトブリーチン
グ導波路の製造方法は、上部クラッド層の上面にポリマ
層より屈折率の低い低屈折率の他のクラッド層を形成し
てもよい。
グ導波路の製造方法は、上部クラッド層の上面にポリマ
層より屈折率の低い低屈折率の他のクラッド層を形成し
てもよい。
【００２０】本発明によれば、フォトブリーチング用の
ポリマ層をバッファ層とクラッド層とでサンドイッチ構
造に覆い、クラッド層の上面側か、バッファ層の下面側
から紫外線光を照射してポリマ層が屈折率変化するよう
にパターニングするので、ポリマ層、すなわちコア層及
び側面クラッド層の表面に段差が生じない。これは、ポ
リマ層がバッファ層とクラッド層とで密着したサンドイ
ッチ構造になっているためである。この結果、超低散乱
損失で形状寸法の均一なフォトブリーチング導波路を実
現することができる。
ポリマ層をバッファ層とクラッド層とでサンドイッチ構
造に覆い、クラッド層の上面側か、バッファ層の下面側
から紫外線光を照射してポリマ層が屈折率変化するよう
にパターニングするので、ポリマ層、すなわちコア層及
び側面クラッド層の表面に段差が生じない。これは、ポ
リマ層がバッファ層とクラッド層とで密着したサンドイ
ッチ構造になっているためである。この結果、超低散乱
損失で形状寸法の均一なフォトブリーチング導波路を実
現することができる。
【００２１】しかも大気中の酸素、窒素、水分等とも反
応しないので、ポリマ層の体積変化は極めてわずかとな
り、単に紫外線光の光エネルギーを受けてポリマ層の吸
収（例えばポリシランを用いた場合には波長３３５ｎｍ
の吸収ピーク）が減少し、屈折率変化が生じるだけとな
る。ポリマ層はわずかな体積変化が生じてもクラッド層
やバッファ層と一体的に接着されているので、体積変化
が各層で緩和されて減少してしまう。
応しないので、ポリマ層の体積変化は極めてわずかとな
り、単に紫外線光の光エネルギーを受けてポリマ層の吸
収（例えばポリシランを用いた場合には波長３３５ｎｍ
の吸収ピーク）が減少し、屈折率変化が生じるだけとな
る。ポリマ層はわずかな体積変化が生じてもクラッド層
やバッファ層と一体的に接着されているので、体積変化
が各層で緩和されて減少してしまう。
【００２２】次に、バッファ層の上面にポリマ層とクラ
ッド層とが連続的にクリーンな雰囲気下で成膜され、一
体化された状態になっており、ポリマ層の上面及び下面
はパターニング工程中に全く接触することがなく、大気
に接することがないため、ポリマ層の上面及び下面は常
にクリーンで均一な表面状態のままフォトマスクも接触
することなくパターニングされるので、ポリマ層の上面
及び下面の構造不均一性は生じることがなく、極低散乱
損失の導波路が得られる。また、常に再現性よく極低損
失導波路を得ることができる。さらに、大気中の不純物
（遷移金属イオン、水分等）の付着や大気中の雰囲気に
よるポリマ層の化学的変化や劣化等を抑えることができ
る。
ッド層とが連続的にクリーンな雰囲気下で成膜され、一
体化された状態になっており、ポリマ層の上面及び下面
はパターニング工程中に全く接触することがなく、大気
に接することがないため、ポリマ層の上面及び下面は常
にクリーンで均一な表面状態のままフォトマスクも接触
することなくパターニングされるので、ポリマ層の上面
及び下面の構造不均一性は生じることがなく、極低散乱
損失の導波路が得られる。また、常に再現性よく極低損
失導波路を得ることができる。さらに、大気中の不純物
（遷移金属イオン、水分等）の付着や大気中の雰囲気に
よるポリマ層の化学的変化や劣化等を抑えることができ
る。
【００２３】なお、バッファ層やクラッド層が厚くなる
と、紫外線光の平行光の均一性が低下してくるので、フ
ォトマスクを配置して紫外線光を照射する場合のフォト
マスクの直下のクラッド層、あるいはバッファ層の厚さ
は１００μｍ以下が好ましい。
と、紫外線光の平行光の均一性が低下してくるので、フ
ォトマスクを配置して紫外線光を照射する場合のフォト
マスクの直下のクラッド層、あるいはバッファ層の厚さ
は１００μｍ以下が好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２５】図１は本発明のフォトブリーチング導波路
の製造方法を適用したフォトブリーチング導波路の一実
施の形態を示す断面図である。なお、前述した従来例と
同様の部材には共通の符号を用いた。
の製造方法を適用したフォトブリーチング導波路の一実
施の形態を示す断面図である。なお、前述した従来例と
同様の部材には共通の符号を用いた。
【００２６】同図に示すフォトブリーチング導波路は、
基板１の上面に低屈折率（ｎb ）のバッファ層２を有
し、そのバッファ層２の上にバッファ層２より高い屈折
率（ｎ p ：ｎp ＞ｎb ）のフォトブリーチング用のポリ
マ材料からなるコア層３と、コア層３の両側面にフォト
ブリーチング用のポリマ材料をコア層３より低い屈折率
ｎps（ｎps＜ｎp ）に変化させた側面クラッド層４−
１、４−２を有し、コア層３及び側面クラッド層４−
１、４−２の上面にコア層３より低い屈折率ｎc （ｎ c
＜ｎp ）の上部クラッド層５を有し、上部クラッド層５
の上面及び基板１の下面に紫外線光を遮蔽（吸収または
反射）する紫外線光遮蔽層（以下「ＵＶ光カット層」と
いう。）６−１、６−２を有する構造である。
基板１の上面に低屈折率（ｎb ）のバッファ層２を有
し、そのバッファ層２の上にバッファ層２より高い屈折
率（ｎ p ：ｎp ＞ｎb ）のフォトブリーチング用のポリ
マ材料からなるコア層３と、コア層３の両側面にフォト
ブリーチング用のポリマ材料をコア層３より低い屈折率
ｎps（ｎps＜ｎp ）に変化させた側面クラッド層４−
１、４−２を有し、コア層３及び側面クラッド層４−
１、４−２の上面にコア層３より低い屈折率ｎc （ｎ c
＜ｎp ）の上部クラッド層５を有し、上部クラッド層５
の上面及び基板１の下面に紫外線光を遮蔽（吸収または
反射）する紫外線光遮蔽層（以下「ＵＶ光カット層」と
いう。）６−１、６−２を有する構造である。
【００２７】図２は本発明のフォトブリーチング導波路
の製造方法を適用したフォトブリーチング導波路の他の
実施の形態を示す断面図である。
の製造方法を適用したフォトブリーチング導波路の他の
実施の形態を示す断面図である。
【００２８】図１に示したフォトブリーチング導波路と
の相違点は、基板１と、コア層３及び側面クラッド層４
−１、４−２との間のバッファ層７にＵＶ光カット層の
機能を持たせると共に、基板１の下面にはＵＶ光カット
層６−２が設けられていない点である。
の相違点は、基板１と、コア層３及び側面クラッド層４
−１、４−２との間のバッファ層７にＵＶ光カット層の
機能を持たせると共に、基板１の下面にはＵＶ光カット
層６−２が設けられていない点である。
【００２９】図３は本発明のフォトブリーチング導波路
の製造方法を適用したフォトブリーチング導波路の他の
実施の形態を示す断面図である。
の製造方法を適用したフォトブリーチング導波路の他の
実施の形態を示す断面図である。
【００３０】図１に示したフォトブリーチング導波路と
の相違点は、基板１の代わりにＵＶ光カット層の機能を
持たせた基板８を用いた点である。
の相違点は、基板１の代わりにＵＶ光カット層の機能を
持たせた基板８を用いた点である。
【００３１】ここで、基板１、８は、材料としてガラス
（石英系、多成分系）、プラスチック（ポリイミド、ポ
リエステル、ポリフッ化ビニリデン、エポキシ等）、半
導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等）、強誘電体（ＬｉＮ
ｂＯ3 、ＬｉＴａＯ5 ）、磁性体（アルミナ、セラミッ
クス等）、あるいはこれらの組合わせからなる基板（例
えばガラス充填エポキシ樹脂基板）を用いることができ
る。また、これらの基板の中、あるいは表面（裏面）に
ＵＶ光カット層を含んだものを用いてもよい。
（石英系、多成分系）、プラスチック（ポリイミド、ポ
リエステル、ポリフッ化ビニリデン、エポキシ等）、半
導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等）、強誘電体（ＬｉＮ
ｂＯ3 、ＬｉＴａＯ5 ）、磁性体（アルミナ、セラミッ
クス等）、あるいはこれらの組合わせからなる基板（例
えばガラス充填エポキシ樹脂基板）を用いることができ
る。また、これらの基板の中、あるいは表面（裏面）に
ＵＶ光カット層を含んだものを用いてもよい。
【００３２】バッファ層２及び上部クラッド層５は、Ｓ
ｉＯ2 、ＳｉＯ2 にＦやＢ、Ｐ、Ｔｉ等の屈折率制御用
添加物を添加したもの等からなる無機材料以外にフッ素
を添加したポリマ材料（例えばポリフッ化ビニリデン、
フッ素化ポリイミド等）、ポリメチルメタクリレート、
ポリシロキサン、ポリガイド等のポリマ材料や、ＳＯＧ
（スピンオンガラス）のような光を透過するコーティン
グ材料等が用いられる。特に後述するフォトマスク９を
上に配置してＵＶ光１０を照射する場合、そのフォトマ
スク９の直下の上部クラッド層５、あるいはバッファ層
２の厚さは１００μｍ以下が好ましい。上部クラッド層
５やバッファ層２の厚さが１００μｍ以上の厚さになる
と、フォトマスク９の上から照射される平行光出射型の
ＵＶ光１０の平行光の広がり角度が問題となり、非平行
光照射になるおそれがあるので、できる限り５０μｍ以
下、５μｍ以上の厚さが好ましい（余り薄いと、コア層
３内への光の閉じ込め状態が悪くなったり、光損失の原
因となったりする。）。
ｉＯ2 、ＳｉＯ2 にＦやＢ、Ｐ、Ｔｉ等の屈折率制御用
添加物を添加したもの等からなる無機材料以外にフッ素
を添加したポリマ材料（例えばポリフッ化ビニリデン、
フッ素化ポリイミド等）、ポリメチルメタクリレート、
ポリシロキサン、ポリガイド等のポリマ材料や、ＳＯＧ
（スピンオンガラス）のような光を透過するコーティン
グ材料等が用いられる。特に後述するフォトマスク９を
上に配置してＵＶ光１０を照射する場合、そのフォトマ
スク９の直下の上部クラッド層５、あるいはバッファ層
２の厚さは１００μｍ以下が好ましい。上部クラッド層
５やバッファ層２の厚さが１００μｍ以上の厚さになる
と、フォトマスク９の上から照射される平行光出射型の
ＵＶ光１０の平行光の広がり角度が問題となり、非平行
光照射になるおそれがあるので、できる限り５０μｍ以
下、５μｍ以上の厚さが好ましい（余り薄いと、コア層
３内への光の閉じ込め状態が悪くなったり、光損失の原
因となったりする。）。
【００３３】フォトブリーチング用のポリマ層３ａは、
ポリシラン、ニトロン化合物を添加したシリコーン化合
物、ＤＭＡＰＮ（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノフェニ
ル）−Ｎ−フェニルニトロン）を含有するＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタクリレート）、ｄｙｅ ｐｏｌｙｍｅｒ等
の光を透過する材料を用いることができる。ポリマ層３
ａは、シングルモード伝送用の場合には数μｍから十数
μｍの厚さに形成され、マルチモード伝送用の場合には
１０μｍから１００μｍの厚さに形成される。コア層３
と側面クラッド層４−１、４−２との比屈折率差は０．
数％から２％程度の範囲から選択することができる。例
えば、ポリシランを用いた場合には比屈折率差はＵＶ光
の照射エネルギーを０から１８，０００ｍＪの範囲で変
えることによって実現することができる。
ポリシラン、ニトロン化合物を添加したシリコーン化合
物、ＤＭＡＰＮ（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノフェニ
ル）−Ｎ−フェニルニトロン）を含有するＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタクリレート）、ｄｙｅ ｐｏｌｙｍｅｒ等
の光を透過する材料を用いることができる。ポリマ層３
ａは、シングルモード伝送用の場合には数μｍから十数
μｍの厚さに形成され、マルチモード伝送用の場合には
１０μｍから１００μｍの厚さに形成される。コア層３
と側面クラッド層４−１、４−２との比屈折率差は０．
数％から２％程度の範囲から選択することができる。例
えば、ポリシランを用いた場合には比屈折率差はＵＶ光
の照射エネルギーを０から１８，０００ｍＪの範囲で変
えることによって実現することができる。
【００３４】ＵＶ光カット層６−１、６−２は、ＺｎＯ
2 （あるいはＴａ2 Ｏ5 ）とＳｉＯ 2 とを交互に数十
層、多層状に蒸着した多重層か、ポリマ材料にベンゾフ
ェノン系、サリチレート系、ベンゾトリアゾール系の添
加剤を添加したもの、あるいはポリマ材料にＴｉＯ2 、
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯ2 等の金属酸化物顔料を添加したも
のを用いることができる。ＵＶ光カット層６−１、６−
２の膜厚は厚い程ＵＶ光の遮蔽効果を高めることがで
き、数μｍ〜十数μｍの範囲が好ましい。
2 （あるいはＴａ2 Ｏ5 ）とＳｉＯ 2 とを交互に数十
層、多層状に蒸着した多重層か、ポリマ材料にベンゾフ
ェノン系、サリチレート系、ベンゾトリアゾール系の添
加剤を添加したもの、あるいはポリマ材料にＴｉＯ2 、
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＺｎＯ2 等の金属酸化物顔料を添加したも
のを用いることができる。ＵＶ光カット層６−１、６−
２の膜厚は厚い程ＵＶ光の遮蔽効果を高めることがで
き、数μｍ〜十数μｍの範囲が好ましい。
【００３５】図４（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリ
ーチング導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図
である。
ーチング導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図
である。
【００３６】この製造工程は図１に示したフォトブリー
チング導波路の製造工程を示すものである。
チング導波路の製造工程を示すものである。
【００３７】まず図４（ａ）に示すように、基板１の上
面にバッファ層２、フォトブリーチング用のポリマ層３
ａ及び上部クラッド層５を順次積層させる。バッファ層
２は無機材料を用いる場合にはＣＶＤ法、電子ビーム蒸
着法、熱酸化法、スパッタリング法等を用いて形成し、
ポリマ材料やＳＯＧを用いる場合にはスピンコーティン
グ法、押出しコーティング法、ブレード式コーティング
法等を用いて形成する。ポリマ層３ａもスピンコーティ
ング法、押出しコーティング法、ブレード式コーティン
グ法等を用いて形成する。
面にバッファ層２、フォトブリーチング用のポリマ層３
ａ及び上部クラッド層５を順次積層させる。バッファ層
２は無機材料を用いる場合にはＣＶＤ法、電子ビーム蒸
着法、熱酸化法、スパッタリング法等を用いて形成し、
ポリマ材料やＳＯＧを用いる場合にはスピンコーティン
グ法、押出しコーティング法、ブレード式コーティング
法等を用いて形成する。ポリマ層３ａもスピンコーティ
ング法、押出しコーティング法、ブレード式コーティン
グ法等を用いて形成する。
【００３８】クラッド層５はバッファ層２と同様の方法
で形成する。なお、ポリマ材料を用いた場合には、有機
溶剤に溶かした溶液を用いるので、ポリマ層３ａを形成
した後、ベーキングにより有機溶剤を蒸発させてポリマ
層３ａを硬化させる工程を設ける必要がある。
で形成する。なお、ポリマ材料を用いた場合には、有機
溶剤に溶かした溶液を用いるので、ポリマ層３ａを形成
した後、ベーキングにより有機溶剤を蒸発させてポリマ
層３ａを硬化させる工程を設ける必要がある。
【００３９】次に図４（ｂ）に示すように、上部クラッ
ド層５の上にフォトマスク９を配置する。このフォトマ
スク９はＵＶ光１０を透過することのできる透明材料
（例えばガラス板）が用いられ、ＵＶ光透過領域９ｂの
中にＵＶ光１０を透過させないコアパターン９ａが描画
されている。このコアパターン９ａは光を伝搬させるコ
ア層３を形成するためのパターンであり、所望幅Ｗ（シ
ングルモード伝送用の場合には数μｍから十数μｍの範
囲、マルチモード伝送用の場合には１０μｍから１００
μｍの範囲）を有する直線パターン、曲線パターン、並
列結合型パターン、Ｙ分岐型パターン、あるいはこれら
の組合わせパターン等で構成されている。
ド層５の上にフォトマスク９を配置する。このフォトマ
スク９はＵＶ光１０を透過することのできる透明材料
（例えばガラス板）が用いられ、ＵＶ光透過領域９ｂの
中にＵＶ光１０を透過させないコアパターン９ａが描画
されている。このコアパターン９ａは光を伝搬させるコ
ア層３を形成するためのパターンであり、所望幅Ｗ（シ
ングルモード伝送用の場合には数μｍから十数μｍの範
囲、マルチモード伝送用の場合には１０μｍから１００
μｍの範囲）を有する直線パターン、曲線パターン、並
列結合型パターン、Ｙ分岐型パターン、あるいはこれら
の組合わせパターン等で構成されている。
【００４０】このようなフォトマスク９の上から平行光
型のＵＶ光（波長：３００ｎｍ〜４００ｎｍ）１０が照
射され、フォトマスク９及び上部クラッド層５を介して
ポリマ層３ａの上面に照射される。ＵＶ光１０の照射に
より、フォトマスク９のコアパターン９ａがポリマ層３
ａ上に転写され、図４（ｃ）に示すようにＵＶ光１０の
照射されなかった領域は屈折率（ｎp ）が高いまま変化
しないコア層３となる。ＵＶ光１０の照射された領域は
ポリマ層３ａの屈折率がＵＶ光１０の照射エネルギーに
よって低下し、低屈折率ｎps（ｎps＜ｎp ）の側面クラ
ッド層４−１、４−２に変化する。
型のＵＶ光（波長：３００ｎｍ〜４００ｎｍ）１０が照
射され、フォトマスク９及び上部クラッド層５を介して
ポリマ層３ａの上面に照射される。ＵＶ光１０の照射に
より、フォトマスク９のコアパターン９ａがポリマ層３
ａ上に転写され、図４（ｃ）に示すようにＵＶ光１０の
照射されなかった領域は屈折率（ｎp ）が高いまま変化
しないコア層３となる。ＵＶ光１０の照射された領域は
ポリマ層３ａの屈折率がＵＶ光１０の照射エネルギーに
よって低下し、低屈折率ｎps（ｎps＜ｎp ）の側面クラ
ッド層４−１、４−２に変化する。
【００４１】ここで、このＵＶ光１０の照射によるポリ
マ層３ａの体積変化は、上部クラッド層５が密着して形
成されているのでほとんど生じず、フォトマスク９のコ
アパターン９ａに忠実なコアパターンがポリマ層３ａに
形成される。すなわち、矩形断面状のコア層３が形成さ
れる。またポリマ層３ａと上部クラッド層５との界面も
均一に保たれた状態が維持され、超低散乱損失の導波路
を得ることができる。さらに、ポリマ層３ａの表面及び
裏面はパターン加工中に空気中にさらされることはない
ので、大気中のガス成分によって化学変化を起こすこと
がなく、汚染されたり、不純物が付着したり、表面及び
裏面の荒れが生じたりすることがない。
マ層３ａの体積変化は、上部クラッド層５が密着して形
成されているのでほとんど生じず、フォトマスク９のコ
アパターン９ａに忠実なコアパターンがポリマ層３ａに
形成される。すなわち、矩形断面状のコア層３が形成さ
れる。またポリマ層３ａと上部クラッド層５との界面も
均一に保たれた状態が維持され、超低散乱損失の導波路
を得ることができる。さらに、ポリマ層３ａの表面及び
裏面はパターン加工中に空気中にさらされることはない
ので、大気中のガス成分によって化学変化を起こすこと
がなく、汚染されたり、不純物が付着したり、表面及び
裏面の荒れが生じたりすることがない。
【００４２】最後に図４（ｄ）に示すように、上部クラ
ッド層５の上面及び基板１の下面にＵＶカット層６−
１、６−２を形成することにより導波路の製造が完了す
る。
ッド層５の上面及び基板１の下面にＵＶカット層６−
１、６−２を形成することにより導波路の製造が完了す
る。
【００４３】図５（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリ
ーチング導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程
図である。
ーチング導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程
図である。
【００４４】この製造工程は図２に示したフォトブリー
チング導波路の製造工程を示すものである。図４（ａ）
〜（ｄ）に示した製造工程との相違点は、バッファ層７
にＵＶ光カット層を含ませてある点である。このため、
基板１の下面にはＵＶ光カット層６−２（図４参照）を
形成しなくてよい。
チング導波路の製造工程を示すものである。図４（ａ）
〜（ｄ）に示した製造工程との相違点は、バッファ層７
にＵＶ光カット層を含ませてある点である。このため、
基板１の下面にはＵＶ光カット層６−２（図４参照）を
形成しなくてよい。
【００４５】図６（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリ
ーチング導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程
図である。
ーチング導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程
図である。
【００４６】この製造工程は図３に示したフォトブリー
チング導波路の製造工程を示すものである。図４（ａ）
〜（ｄ）に示した製造工程との相違点は、基板８にＵＶ
光カット層を含ませた基板を用いた点である。
チング導波路の製造工程を示すものである。図４（ａ）
〜（ｄ）に示した製造工程との相違点は、基板８にＵＶ
光カット層を含ませた基板を用いた点である。
【００４７】基板８としては、前述したＵＶ光カット層
を塗布した基板以外に、プラスチック製のＵＶカットフ
ィルム（例えば（株）サンゲツ製のフィルムＳＧ２３４
３）を用いることができる。このようなプラスチック製
のフィルムを用いることにより、フレキシブルな導波路
フィルムや導波路アレイフィルムを実現することができ
る。
を塗布した基板以外に、プラスチック製のＵＶカットフ
ィルム（例えば（株）サンゲツ製のフィルムＳＧ２３４
３）を用いることができる。このようなプラスチック製
のフィルムを用いることにより、フレキシブルな導波路
フィルムや導波路アレイフィルムを実現することができ
る。
【００４８】図７（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリ
ーチング導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程
図である。
ーチング導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程
図である。
【００４９】図４（ａ）〜（ｄ）に示した製造工程との
相違点は、フォトマスクを基板の下面に配置し、その下
面からＵＶ光を照射してフォトマスクパターンをポリマ
層に転写する点である。
相違点は、フォトマスクを基板の下面に配置し、その下
面からＵＶ光を照射してフォトマスクパターンをポリマ
層に転写する点である。
【００５０】まず図７（ａ）に示すように、基板１上に
バッファ層２、ポリマ層３ａ、上部クラッド層５及びＵ
Ｖカット層６−２を順次連続的に積層して積層体１２を
形成する。
バッファ層２、ポリマ層３ａ、上部クラッド層５及びＵ
Ｖカット層６−２を順次連続的に積層して積層体１２を
形成する。
【００５１】次に図７（ｂ）に示すように、積層体１２
を上下逆さにし、基板１の下面上にフォトマスク９を配
置する。ＵＶ光１０をフォトマスク９上に照射し、フォ
トマスク９、基板１、バッファ層２を介してポリマ層３
ａ上にコアパターン９ａを転写する。この結果、図７
（ｃ）に示すようなコアパターン９ａの転写されたコア
層３及び側面クラッド層４−１、４−２が形成される。
を上下逆さにし、基板１の下面上にフォトマスク９を配
置する。ＵＶ光１０をフォトマスク９上に照射し、フォ
トマスク９、基板１、バッファ層２を介してポリマ層３
ａ上にコアパターン９ａを転写する。この結果、図７
（ｃ）に示すようなコアパターン９ａの転写されたコア
層３及び側面クラッド層４−１、４−２が形成される。
【００５２】最後に図７（ｄ）に示すように、基板１の
下面上及び上部クラッド層５の上面上にＵＶ光カット層
６−１、６−２を形成してフォトブリーチング導波路が
得られる。このような方法において、基板１とバッファ
層２との合計の厚さはできるだけ薄い方が好ましい。
下面上及び上部クラッド層５の上面上にＵＶ光カット層
６−１、６−２を形成してフォトブリーチング導波路が
得られる。このような方法において、基板１とバッファ
層２との合計の厚さはできるだけ薄い方が好ましい。
【００５３】なお、図１〜図３に示したフォトブリーチ
ング導波路の構造において、基板１、バッファ層７、ポ
リマ層３ａ、コア層３、側面クラッド層４−１、４−
２、ＵＶカット層６−１、６−２のそれぞれの熱膨張係
数の値はできるだけ近い値であることが望ましい。
ング導波路の構造において、基板１、バッファ層７、ポ
リマ層３ａ、コア層３、側面クラッド層４−１、４−
２、ＵＶカット層６−１、６−２のそれぞれの熱膨張係
数の値はできるだけ近い値であることが望ましい。
【００５４】本発明は上記実施の形態に限定されない。
例えば図１〜図３において、ＵＶ光カット層６−１、６
−２の上に、さらにバッファ層２、コア層３、側面クラ
ッド層４−１、４−２、上部クラッド層５、ＵＶカット
層６−１、６−２を順次複数段積層させた積層型フォト
ブリーチング導波路にも適用することができる。また、
コア層３は、光入出力端側に１個あるだけでなく、複数
個設け、複数の光入力、光出力構造の導波路にも適用で
きる。バッファ層２を厚くした場合には基板１を用いな
くてもよい。これとは逆に、基板１が低屈折率ｎs （ｎ
s ＜ｎp ）で透明な材料（例えばガラス）であれば、バ
ッファ層２は形成しなくてもよい。
例えば図１〜図３において、ＵＶ光カット層６−１、６
−２の上に、さらにバッファ層２、コア層３、側面クラ
ッド層４−１、４−２、上部クラッド層５、ＵＶカット
層６−１、６−２を順次複数段積層させた積層型フォト
ブリーチング導波路にも適用することができる。また、
コア層３は、光入出力端側に１個あるだけでなく、複数
個設け、複数の光入力、光出力構造の導波路にも適用で
きる。バッファ層２を厚くした場合には基板１を用いな
くてもよい。これとは逆に、基板１が低屈折率ｎs （ｎ
s ＜ｎp ）で透明な材料（例えばガラス）であれば、バ
ッファ層２は形成しなくてもよい。
【００５５】以上において本発明のフォトブリーチング
導波路の製造方法によれば、 (1) コア層とコア層の両側の側面クラッド層との間及び
コア層とクラッド層との間を非常に均一な界面で製造す
ることができるので、超低散乱損失を実現することがで
きる。また、形状寸法の均一なフォトブリーチング導波
路を実現することができる。
導波路の製造方法によれば、 (1) コア層とコア層の両側の側面クラッド層との間及び
コア層とクラッド層との間を非常に均一な界面で製造す
ることができるので、超低散乱損失を実現することがで
きる。また、形状寸法の均一なフォトブリーチング導波
路を実現することができる。
【００５６】(2) フォトブリーチング用のポリマ層がバ
ッファ層とクラッド層とで均一にサンドイッチ構造に覆
われた状態で、ＵＶ光照射によってポリマ層に矩形断面
形状の高屈折率コア層とコア層の両側面に低屈折率の側
面クラッド層を形成することができる。
ッファ層とクラッド層とで均一にサンドイッチ構造に覆
われた状態で、ＵＶ光照射によってポリマ層に矩形断面
形状の高屈折率コア層とコア層の両側面に低屈折率の側
面クラッド層を形成することができる。
【００５７】(3) 上記(2) の理由により、ポリマコア層
及び側面クラッド層が大気中の空気に触れたり、水分を
吸収したり、塵埃が付着したりすることなく、屈折率変
化を有する導波路構造を実現することができる。したが
って、極低損失導波路を歩留まり良く製造することがで
きる。
及び側面クラッド層が大気中の空気に触れたり、水分を
吸収したり、塵埃が付着したりすることなく、屈折率変
化を有する導波路構造を実現することができる。したが
って、極低損失導波路を歩留まり良く製造することがで
きる。
【００５８】(4) クラッド層の上面が平坦になるので、
積層型フォトブリーチング導波路を容易に製造すること
ができる。また、クラッド層の上面に光部品や電気部品
を実装するのが容易となる。
積層型フォトブリーチング導波路を容易に製造すること
ができる。また、クラッド層の上面に光部品や電気部品
を実装するのが容易となる。
【００５９】(5) (2) の理由により、フォトブリーチン
グ用のポリマ層は大気中に触れることなくＵＶ光照射さ
れ、その照射エネルギーによって屈折率変化を生じるの
で、屈折率変化量を再現性良く実現することができる。
グ用のポリマ層は大気中に触れることなくＵＶ光照射さ
れ、その照射エネルギーによって屈折率変化を生じるの
で、屈折率変化量を再現性良く実現することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００６１】歩留まりが高く、散乱損失が低く、形状寸
法の均一なフォトブリーチング導波路の製造方法の提供
を実現できる。
法の均一なフォトブリーチング導波路の製造方法の提供
を実現できる。
【図１】本発明のフォトブリーチング導波路の製造方法
を適用したフォトブリーチング導波路の一実施の形態を
示す断面図である。
を適用したフォトブリーチング導波路の一実施の形態を
示す断面図である。
【図２】本発明のフォトブリーチング導波路の製造方法
を適用したフォトブリーチング導波路の他の実施の形態
を示す断面図である。
を適用したフォトブリーチング導波路の他の実施の形態
を示す断面図である。
【図３】本発明のフォトブリーチング導波路の製造方法
を適用したフォトブリーチング導波路の他の実施の形態
を示す断面図である。
を適用したフォトブリーチング導波路の他の実施の形態
を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリーチング
導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリーチング
導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。
導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリーチング
導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。
導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は本発明のフォトブリーチング
導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。
導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は本発明の前提となったフォト
ブリーチング導波路の製造方法の工程図である。
ブリーチング導波路の製造方法の工程図である。
【図９】図８（ａ）〜（ｅ）に示した方法により得られ
たフォトブリーチング導波路の第１の課題の説明図であ
る。
たフォトブリーチング導波路の第１の課題の説明図であ
る。
【図１０】図８（ａ）〜（ｅ）に示した方法により得ら
れたフォトブリーチング導波路の第２の課題の説明図で
ある。
れたフォトブリーチング導波路の第２の課題の説明図で
ある。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ コア層 ４−１、４−２ 側面クラッド層 ５ 上部クラッド層 ６−１、６−２ 紫外線光遮蔽層（ＵＶ光カット層）
Claims (6)
- 【請求項１】 バッファ層の上面に、該バッファ層より
屈折率の高いフォトブリーチング用のポリマ層及び厚さ
が１００μｍ以下で該ポリマ層より屈折率が低い上部ク
ラッド層を順次積層した後、紫外線光を透過する透明体
板上に紫外線光を遮断するコアパターンの描かれたフォ
トマスクを上記上部クラッド層の上面に配置し、該フォ
トマスクの上から紫外線光を照射して上記ポリマ層に上
記パターンを転写して高屈折率が維持されたコア層と該
コア層の両側面に紫外線光が照射されて低屈折率に変化
した側面クラッド層とを形成した後、上記上部クラッド
層の上面に紫外線光遮蔽層を形成することを特徴とする
フォトブリーチング導波路の製造方法。 - 【請求項２】 上記バッファ層にガラス、プラスチッ
ク、半導体、強誘電体、磁性体、あるいはこれらの組合
わせからなる基板を含ませる請求項１に記載のフォトブ
リーチング導波路の製造方法。 - 【請求項３】 上記バッファ層に紫外線光遮蔽層を含ま
せるか、あるいは上記バッファ層の下面に紫外線光遮蔽
層を形成する請求項１または２に記載のフォトブリーチ
ング導波路の製造方法。 - 【請求項４】 上記フォトマスクを上記バッファ層の下
面に配置し、上記フォトマスクの上から紫外線光を照射
して上記フォトブリーチング用ポリマ層に上記フォトマ
スクパターンを転写して高屈折率が維持されたコア層と
該コア層の両側面に紫外線光が照射されて低屈折率に変
化した側面クラッド層とを形成した後、上記バッファ層
の下面に紫外線光遮蔽層を形成する請求項１に記載のフ
ォトブリーチング導波路の製造方法。 - 【請求項５】 上記上部クラッド層に紫外線光遮蔽層を
含ませるか、あるいは上記上部クラッド層の上面に紫外
線光遮蔽層を形成する請求項４に記載のフォトブリーチ
ング導波路の製造方法。 - 【請求項６】 上記上部クラッド層の上面に上記ポリマ
層より屈折率の低い低屈折率の他のクラッド層を形成す
る１から５のいずれかに記載のフォトブリーチング導波
路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000376534A JP2002182052A (ja) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | フォトブリーチング導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000376534A JP2002182052A (ja) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | フォトブリーチング導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002182052A true JP2002182052A (ja) | 2002-06-26 |
Family
ID=18845380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000376534A Pending JP2002182052A (ja) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | フォトブリーチング導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002182052A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
| US7174062B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device and method of manufacturing same |
| US7287915B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
-
2000
- 2000-12-11 JP JP2000376534A patent/JP2002182052A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7174062B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-02-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device and method of manufacturing same |
| US7287915B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical device |
| JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |