JP2002180249A - Film forming apparatus and carrying apparatus for substrate for film forming - Google Patents

Film forming apparatus and carrying apparatus for substrate for film forming

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JP2002180249A
JP2002180249A JP2000386984A JP2000386984A JP2002180249A JP 2002180249 A JP2002180249 A JP 2002180249A JP 2000386984 A JP2000386984 A JP 2000386984A JP 2000386984 A JP2000386984 A JP 2000386984A JP 2002180249 A JP2002180249 A JP 2002180249A
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JP
Japan
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film
substrate
film forming
container
vacuum
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JP2000386984A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Kamiya
一夫 上谷
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Shinmaywa Industries Ltd
Original Assignee
Shin Meiva Industry Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming apparatus to conduct film forming while continuously carrying a plurality of substrates for film forming. SOLUTION: The film forming apparatus is provided with an electrode 8, which is arranged in a vacuum container 2 and generates a high frequency electric field in the vacuum container 2, a crucible 11 to accommodate a film material M arranged in the vacuum container 2, a substrate supply chamber 16 to supplies a substrate W for film forming, which is arranged so as to respectively separate or communicate with the vacuum container 2 and is evacuated, into the vacuum container, a substrate delivery chamber 17 to discharge the substrate W, a carrying apparatus 9 to carry the substrate W from the substrate supply chamber 16 through the vacuum container 2 to the substrate delivery chamber 17, a film material filling chamber 16, which is arranged so as to respectively separate or communicate with the vacuum container 2 and is evacuated, and a crucible carrying apparatus 28 to move the crucible 11 to both the vacuum container 2 and the film material filling chamber 26.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は成膜装置およびその
成膜対象基材の搬送装置に関する。さらに詳しくは、イ
オンプレーティング等によって基材に膜を形成(成膜)
するための成膜装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a film forming apparatus and a transfer apparatus for a substrate to be formed. More specifically, a film is formed on a substrate by ion plating or the like (film formation)
The present invention relates to a film forming apparatus for performing the above.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、イオンプレーティングの装置とし
ては1回の処理毎に成膜対象基材を取り替える、いわゆ
るバッチ式の装置が知られている。たとえば、特公平1
−48347号公報に記載された装置である。この装置
は真空チャンバ内に成膜対象基材を保持する基材ホルダ
および膜材料を蒸発させる蒸発源を有しており、基材ホ
ルダが電極を構成している。そして、基材ホルダとチャ
ンバの内壁との間、または、基材ホルダと蒸発源との間
に高周波電力および直流電圧を印加するための高周波電
源および直流電源等を備えている。
2. Description of the Related Art Heretofore, a so-called batch-type apparatus has been known as an apparatus for ion plating, in which a substrate to be film-formed is replaced for each processing. For example, Tokuho 1
This is an apparatus described in US Pat. This apparatus includes a substrate holder for holding a substrate to be formed in a vacuum chamber and an evaporation source for evaporating a film material, and the substrate holder constitutes an electrode. A high-frequency power supply and a DC power supply for applying high-frequency power and DC voltage between the substrate holder and the inner wall of the chamber or between the substrate holder and the evaporation source are provided.

【0003】そして、膜材料を蒸発させるとともに、基
材ホルダとチャンバの内壁との間、または、基材ホルダ
と蒸発源との間に高周波電力および直流電圧を印加する
ことにより、蒸発した膜材料をイオン化および励起して
基材に付着させる。
[0003] The film material is evaporated by applying high frequency power and DC voltage between the substrate holder and the inner wall of the chamber or between the substrate holder and the evaporation source while evaporating the film material. Is ionized and excited to adhere to the substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記イオンプ
レーティング装置はバッチ式であるため、生産性は低
い。複数の基材を1回の処理で成膜するために真空チャ
ンバ内にできるだけ多くの被処理基材を取り付けようと
する努力は払われているが限度があり、また、チャンバ
の容積を大きくしなければならない。たとえばプラズマ
ディスプレイパネルなどの大型の基材に成膜する場合、
複数枚の基材を1回の処理で成膜することはほとんど不
可能である。
However, the productivity is low because the ion plating apparatus is of a batch type. Efforts have been made to mount as many substrates as possible in a vacuum chamber in order to form a plurality of substrates in one process, but there are limitations, and the volume of the chamber must be increased. There must be. For example, when forming a film on a large substrate such as a plasma display panel,
It is almost impossible to form a film on a plurality of substrates in one process.

【0005】そこで、インライン式によって多数の基材
に連続的に成膜する装置が望まれるが、均質で緻密な組
織を有する膜を形成するために電極の構成や配置が重要
である。
Therefore, an apparatus for continuously forming a film on a large number of substrates by an in-line system is desired. However, in order to form a film having a uniform and dense structure, the configuration and arrangement of electrodes are important.

【0006】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れたものであり、複数の成膜対象基材を連続して搬送し
ながら成膜する成膜装置、および、この装置に適用され
る成膜対象基材の搬送装置を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and a film forming apparatus for forming a film while continuously transporting a plurality of substrates to be formed, and a film forming apparatus applied to the apparatus. An object of the present invention is to provide a device for transporting a target base material.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる成膜対象
基材の搬送装置は、高周波電界が生じうる成膜用真空容
器内に配設された、成膜対象の基材を保持するための保
持装置と、この保持装置を移動させて成膜空間を通過さ
せるための移動装置と、上記保持装置に高周波電力を供
給するための給電装置とを備えている。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, there is provided an apparatus for transporting a substrate to be film-formed, which is provided in a vacuum chamber for film formation in which a high-frequency electric field may be generated. , A moving device for moving the holding device to pass through the film forming space, and a power supply device for supplying high-frequency power to the holding device.

【0008】かかる搬送装置を成膜用真空容器内に設置
すれば、保持装置が成膜対象の基材を成膜空間を通過さ
せるときに保持装置に給電されることによって高周波電
界が生じるので(上記保持装置が電極として機能するの
で)、順次機材に成膜を行うインライン式のイオンプレ
ーティング装置が実現される。
If such a transfer device is installed in a vacuum chamber for film formation, a high-frequency electric field is generated by supplying power to the hold device when the support device passes the substrate to be formed through the film formation space. Since the holding device functions as an electrode), an in-line type ion plating device that sequentially forms films on equipment is realized.

【0009】そして、上記搬送装置において、保持装置
が電極板とこの電極板の下面に成膜対象基材を把持する
ためのクランプとを有してなるものにあっては、成膜対
象基材にとって好適な範囲にプラズマを生成することが
でき、高品質な膜を形成することが可能となる。
In the above transport apparatus, when the holding device has an electrode plate and a clamp on the lower surface of the electrode plate for holding the substrate on which the film is to be formed, Plasma can be generated in a range suitable for, and a high-quality film can be formed.

【0010】または、保持装置が、導電性基材または表
面に電極が形成された成膜対象基材を保持するための装
置であって、中央部に開口を有する枠状の電極部材を有
しており、この開口部が、成膜対象基材における少なく
とも成膜対象範囲である搬送装置にあっては、成膜対象
基材自体を電極として利用し、基材の必要範囲に膜を形
成することができる。
Alternatively, the holding device is a device for holding a conductive base material or a base material on which an electrode is formed on a surface, and has a frame-shaped electrode member having an opening at a central portion. In a transfer device in which this opening is at least a range to be formed on the base material to be formed, the base material itself is used as an electrode and a film is formed in a necessary range of the base material. be able to.

【0011】上記移動装置として、保持装置が載置され
る複数個のローラを採用することができる。そして、こ
のローラのうちの少なくとも一部を、保持装置を搬送す
る方向に回転する回転駆動ローラとして構成するのが好
ましい。
[0011] As the moving device, a plurality of rollers on which the holding device is mounted can be employed. It is preferable that at least a part of the rollers is configured as a rotary drive roller that rotates in a direction in which the holding device is transported.

【0012】または、上記移動装置として、保持装置が
移動可能に係合されるレールと、このレールに係合した
保持装置に接続されて保持装置を移動させるワイヤとか
ら構成するのも好ましい。
[0012] Alternatively, it is preferable that the moving device comprises a rail on which the holding device is movably engaged, and a wire connected to the holding device engaged with the rail to move the holding device.

【0013】また、上記給電装置が移動装置を通して保
持装置に給電するように構成されてなる搬送装置にあっ
ては、保持装置が電極となるので、成膜対象基材にとっ
て好適な範囲にプラズマを生成することができ、高品質
な膜を形成することが可能となる。
[0013] In the transfer device in which the power supply device is configured to supply power to the holding device through the moving device, the holding device serves as an electrode, so that the plasma is supplied to a range suitable for the base material for film formation. And a high quality film can be formed.

【0014】移動装置を通して保持装置に給電される上
記搬送装置のうち、上記移動装置が前述のローラを用い
た移動装置から構成されたものとしては、上記ローラの
うち、成膜空間の範囲に配列された全ローラまたはこの
うちの一部に給電されるように構成することができる。
または、移動装置を通して保持装置に給電される上記搬
送装置のうち、上記移動装置がレールとワイヤとを用い
た移動装置から構成されたものとしては、上記レールの
うち、成膜空間の範囲に給電されるように構成すること
ができる。たとえば、レール全長のうちの成膜空間の範
囲のみ導電性材料から形成する等である。いずれにして
も、基材が成膜空間の範囲に至ったときに好適な範囲に
プラズマを生成することができ、高品質な膜を形成する
ことが可能となる。
[0014] Among the above-mentioned transporting devices which are supplied with power to the holding device through the moving device, the above-mentioned moving device is constituted by a moving device using the above-mentioned roller. It can be configured so that power is supplied to all the rollers or a part of them.
Alternatively, among the transfer devices that are supplied with power to the holding device through the transfer device, the transfer device configured as a transfer device using a rail and a wire includes a power supply to a range of a film formation space among the rails. It can be configured to be. For example, a conductive material may be formed only in the film forming space within the entire length of the rail. In any case, when the substrate reaches the range of the film formation space, plasma can be generated in a suitable range, and a high-quality film can be formed.

【0015】本発明の成膜装置は、その内部に高周波電
界が生じうる成膜用真空容器と、この成膜用真空容器内
に配設された膜材料を収容するるつぼ等の開放容器と、
それぞれが成膜用真空容器と隔離および連通可能に配設
された真空化可能な成膜対象基材供給室および成膜対象
基材送出室と、成膜対象基材を成膜対象基材供給室から
成膜用真空容器を通して成膜対象基材送出室に搬送する
ための搬送装置とを備えている。
The film forming apparatus according to the present invention comprises: a film forming vacuum vessel in which a high-frequency electric field can be generated; an open vessel such as a crucible for accommodating a film material disposed in the film forming vacuum vessel;
Vacuumable deposition target substrate supply chamber and deposition target substrate delivery chamber, each of which is disposed so as to be able to isolate and communicate with the deposition vacuum container, and supply the deposition target substrate to the deposition target substrate And a transfer device for transferring the film from the chamber through a film formation vacuum container to a film formation target substrate delivery chamber.

【0016】かかる成膜装置によれば、基材を順次基材
供給室から成膜用真空容器を通して成膜しつつ基材送出
室に送り出すことができる。いわゆるインライン式の成
膜装置が実現する。
According to this film forming apparatus, the base material can be sequentially sent from the base material supply chamber to the base material delivery chamber while forming the film through the vacuum chamber for film formation. A so-called in-line type film forming apparatus is realized.

【0017】本発明の他の成膜装置は、その内部に高周
波電界が生じうる成膜用真空容器と、この成膜用真空容
器内に配設された膜材料を収容する開放容器と、真空容
器と隔離および連通可能に配設された真空化可能な膜材
料充填室と、開放容器を成膜用真空容器と膜材料充填室
とに移動させるための開放容器搬送装置とを備えてお
り、成膜用真空容器内にある開放容器内の膜材料の減少
に応じて、開放容器搬送装置が順次開放容器を膜材料充
填室に搬送して膜材料を充填し、成膜用真空容器に搬送
するように構成されている。
Another film forming apparatus of the present invention comprises: a film forming vacuum container in which a high-frequency electric field can be generated; an open container containing a film material disposed in the film forming vacuum container; A vacuum-equipped film material filling chamber disposed so as to be separable and communicable with the container, and an open container transfer device for moving the open container to the film forming vacuum container and the film material filling chamber, As the film material in the open container inside the film forming vacuum container decreases, the open container transfer device sequentially transfers the open container to the film material filling chamber, fills the film material, and transfers it to the film forming vacuum container. It is configured to be.

【0018】かかる成膜装置によれば、開放容器内の膜
材料が使用によって減少しても、膜材料充填室において
膜材料が充填された開放容器と順次交換されるため、成
膜用真空容器を開放することなく引き続いて成膜処理を
行うことが可能となる。この成膜装置はインライン式に
限らず、バッチ式の装置にも適用することができる。
According to the film forming apparatus, even if the film material in the open container is reduced by use, the film container is sequentially replaced with the open container filled with the film material in the film material filling chamber. It is possible to perform the film forming process continuously without opening the film. The film forming apparatus is not limited to the in-line type, and can be applied to a batch type apparatus.

【0019】そして、前述した本発明の成膜装置(成膜
対象基材供給室および成膜対象基材送出室を有する装
置)および本発明の他の成膜装置(膜材料充填室を有す
る装置)のいずれの特徴をも併せ持った成膜装置によれ
ば、一台の装置で連続して多くの基材に成膜することが
可能となる。
The film forming apparatus of the present invention (the apparatus having a film-forming substrate supply chamber and the film-forming substrate feeding chamber) and another film forming apparatus of the present invention (an apparatus having a film material filling chamber) According to the film forming apparatus having both of the features described above, it is possible to continuously form a film on many substrates by one apparatus.

【0020】如上の成膜装置であって、とくにその搬送
装置として前述のうちの一の搬送装置を備えたものにあ
っては、連続して多くの基材に高品質の膜を形成するこ
とができる。
In the above-described film forming apparatus, particularly, the one provided with one of the above-described transfer devices as the transfer device, it is necessary to continuously form a high-quality film on many substrates. Can be.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の成膜装置およびそ
の成膜対象基材の搬送装置の実施形態を添付図面を参照
しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a film forming apparatus of the present invention and a device for transporting a substrate to be formed will be described with reference to the accompanying drawings.

【0022】図1に示すのは、複数の成膜対象基材(以
下、単に基材という)Wを順次搬送しながら連続して各
基材Wの表面に成膜するためのいわゆるインライン式の
成膜装置1である。
FIG. 1 shows a so-called in-line type for continuously forming a film on the surface of each substrate W while sequentially transporting a plurality of substrates W (hereinafter simply referred to as substrates). It is a film forming apparatus 1.

【0023】この成膜装置1は真空容器2を備えてお
り、この内部には下部のプラズマ生成空間3と上部の基
材搬送空間4とが形成されている。両空間3、4ともに
真空に排気されるように構成されている。プラズマ生成
空間3と基材搬送空間4との境界には、両空間3、4同
士を連通する成膜用開口5を残して他の範囲を閉止する
アースシールド部6が形成されている。成膜用開口5は
いわば成膜空間であり、プラズマ生成空間3で蒸発し、
プラズマ化した膜材料Mのイオンが、基材搬送空間4を
移動する基材Wの所定の膜形成計画範囲に到達するよう
な範囲で開口されている。このように形成されたアース
シールド部6により、イオンによる基材Wへの不要なボ
ンバードメントを防止することができる。
The film forming apparatus 1 includes a vacuum vessel 2 in which a lower plasma generation space 3 and an upper substrate transport space 4 are formed. Both spaces 3 and 4 are configured to be evacuated to a vacuum. At the boundary between the plasma generation space 3 and the substrate transport space 4, an earth shield portion 6 is formed to close the other area while leaving the film forming opening 5 communicating the spaces 3 and 4. The film forming opening 5 is a film forming space, so to speak, evaporates in the plasma generating space 3,
The plasma-formed ion of the film material M is opened so as to reach a predetermined film formation planned range of the substrate W moving in the substrate transport space 4. The ground shield portion 6 thus formed can prevent unnecessary bombardment of the substrate W by ions.

【0024】また、上記プラズマ生成空間3には蒸発源
7と電極8とが配設されており、基材搬送空間4には基
材Wの搬送装置9と基材加熱用ヒータ10a、10b、
10cとが配設されている。蒸発源7は膜材料Mと、こ
の膜材料Mを載置するための開放容器(以下、るつぼと
いう)11と、るつぼ11上の膜材料Mを加熱して蒸発
させるための電子銃12とから構成される。符号40は
ガス供給装置であり、必要に応じて反応ガス、プラズマ
生成用ガス等を真空容器2内へ供給するためのものであ
る。符号41は容器2内を真空にするための排気装置で
ある。
The plasma generation space 3 is provided with an evaporation source 7 and an electrode 8, and the base material transfer space 4 is provided with a base material W transfer device 9 and base material heating heaters 10a, 10b,
10c are provided. The evaporation source 7 includes a film material M, an open container (hereinafter, referred to as a crucible) 11 for mounting the film material M, and an electron gun 12 for heating and evaporating the film material M on the crucible 11. Be composed. Reference numeral 40 denotes a gas supply device for supplying a reaction gas, a plasma generation gas, and the like to the inside of the vacuum vessel 2 as necessary. Reference numeral 41 denotes an exhaust device for evacuating the inside of the container 2.

【0025】電極8はアースシールド部6の直下に配設
されている。この電極8には、高周波電源13およびマ
ッチング回路14並びに直流電源15が接続されてい
る。これにより、電極8と真空容器2の内壁との間にプ
ラズマを生成させる高周波電力および直流バイアス電圧
が印加される。プラズマ中でイオン化した膜材料がバイ
アス電圧によって加速されて基材表面に付着する。
The electrode 8 is disposed immediately below the earth shield 6. The electrode 8 is connected to a high frequency power supply 13, a matching circuit 14, and a DC power supply 15. Thereby, a high frequency power and a DC bias voltage for generating plasma are applied between the electrode 8 and the inner wall of the vacuum vessel 2. The film material ionized in the plasma is accelerated by the bias voltage and adheres to the substrate surface.

【0026】基材搬送空間4の両側外部には基材搬送空
間4を挟んで対向するように基材供給室16と基材送出
室17とが配設されている。両室16、17と基材搬送
空間4とのそれぞれの境界には、絶縁機能を有する開閉
扉18a、18bが配設されている。両室16、17と
もに個別に真空に排気されるように排気装置41に接続
されている。かかる構成により、基材供給室16はそこ
に基材Wが搬入された後に真空にされ、扉18aが開か
れて基材Wが基材搬送空間4に搬入される。成膜が終了
した基材Wは、既に真空状態にある基材送出室17との
間の扉18bが開かれたあとで基材送出室17に搬入さ
る。その後、扉18bが閉じられてから基材Wは基材送
出室17から搬出される。かかる動作が連続してなされ
る。
A base material supply chamber 16 and a base material delivery chamber 17 are provided outside both sides of the base material transfer space 4 so as to face each other with the base material transfer space 4 interposed therebetween. Opening / closing doors 18a and 18b having an insulating function are provided at respective boundaries between the two chambers 16 and 17 and the substrate transport space 4. Both chambers 16 and 17 are connected to an exhaust device 41 so as to be individually evacuated to a vacuum. With this configuration, the base material supply chamber 16 is evacuated after the base material W is loaded therein, the door 18a is opened, and the base material W is loaded into the base material transport space 4. The base material W on which the film formation has been completed is carried into the base material delivery chamber 17 after the door 18b between the base material delivery chamber 17 which is already in a vacuum state is opened. Thereafter, the base material W is carried out of the base material delivery chamber 17 after the door 18b is closed. Such an operation is performed continuously.

【0027】かかる基材Wの搬送は搬送装置9によって
なされる。図2に搬送装置の例が示されている。まず、
基材搬送空間4内に基材Wの進行方向に沿って多数個の
ローラ19が配列されている。これらローラ19のう
ち、成膜用開口5の範囲に配列されたローラ19bのみ
左右両側に相互に間隔をおいて配列されている。このロ
ーラ19の各列に支持されるように無端ベルト20が掛
け回されている。ローラ列の両端のローラ19aの一方
または両方が回転駆動される駆動ローラである。基材供
給室16および基材送出室17にも同様の搬送用のロー
ラ19およびベルト20が配設されている。かかる構成
により、基材Wはその左右両辺が両側のベルト20に載
置されたうえで、ベルト20が基材供給室16側から基
材送出室17側へと回動することによって搬送される。
成膜用開口5の範囲における両側のベルト20同士の間
隔およびローラ19同士の間隔は、上記基材Wの所定の
膜形成範囲が確保されるような大きさとされている。な
お、全てのローラ19を左右両側に相互に間隔をおいて
配列してもよい。また、ベルト20を用いずに、全ロー
ラ19、または、一個おきまたは二個おき等のローラを
駆動ローラとして基材Wを搬送するようにしてもよい。
The transfer of the substrate W is performed by the transfer device 9. FIG. 2 shows an example of the transfer device. First,
A large number of rollers 19 are arranged in the substrate transport space 4 along the traveling direction of the substrate W. Of these rollers 19, only the rollers 19b arranged in the range of the film forming opening 5 are arranged on both left and right sides with an interval therebetween. An endless belt 20 is wound around each row of the rollers 19. One or both of the rollers 19a at both ends of the roller row are drive rollers that are rotationally driven. The same transporting rollers 19 and belts 20 are also provided in the base material supply chamber 16 and the base material delivery chamber 17. With this configuration, the base material W is conveyed by the belt 20 rotating from the base material supply chamber 16 side to the base material delivery chamber 17 side after the left and right sides thereof are placed on the belts 20 on both sides. .
The space between the belts 20 on both sides and the space between the rollers 19 in the range of the film forming opening 5 are sized so that a predetermined film forming range of the base material W is secured. Note that all the rollers 19 may be arranged on the left and right sides with an interval therebetween. Further, the base material W may be transported without using the belt 20 by using all the rollers 19 or every other or every other roller as a driving roller.

【0028】本発明においてはベルト20とローラ19
に限定されることはない。たとえば、図3に示すように
ローラに代えて左右両側にレール21を敷設し、基材W
を載置するための枠状のトレイ22を上記レール21に
移動可能に係合したものを用いてもよい。このトレイ2
2には基材Wの所定の膜形成範囲をカバーする開口23
が形成されている。また、トレイ22は、基材供給室1
6側および基材送出室17側に配設された図示しない駆
動ローラに掛け回されたワイヤ25に接続されており、
基材供給室16側と基材送出室17側との間を往復動さ
せられる。基材供給室16および基材送出室17には前
述の搬送用のローラ19およびベルト20を配設してお
けばよい。
In the present invention, the belt 20 and the roller 19
It is not limited to. For example, as shown in FIG.
May be used in which a frame-shaped tray 22 for mounting the sheet is movably engaged with the rail 21. This tray 2
An opening 23 covers a predetermined film forming range of the substrate W.
Are formed. The tray 22 is provided in the substrate supply chamber 1.
6 and a wire 25 wrapped around a drive roller (not shown) disposed on the base material delivery chamber 17 side.
The substrate is reciprocated between the substrate supply chamber 16 and the substrate delivery chamber 17. The above-described transport roller 19 and belt 20 may be disposed in the substrate supply chamber 16 and the substrate delivery chamber 17.

【0029】図1に示すように、プラズマ生成空間3の
両側外部にはプラズマ生成空間3を挟んで対向して二個
の膜材料充填室26が配設されている。各膜材料充填室
26には膜材料供給装置24が配設されている。また、
各膜材料充填室26と基材搬送空間4との境界には、開
閉扉27a、27bが配設されている。各膜材料充填室
26は個別に真空に排気されるように構成されている。
さらに、上記るつぼ11をプラズマ生成空間3と各膜材
料充填室26との間を搬送するためのるつぼ搬送装置2
8が配設されている。このるつぼ搬送装置28として
は、前述のベルトとローラ、または、レールとワイヤな
どの搬送機構を用いればよい。または、チェーン駆動、
ギヤ駆動などが採用されうる。
As shown in FIG. 1, two film material filling chambers 26 are provided on both sides of the plasma generation space 3 so as to face each other with the plasma generation space 3 interposed therebetween. A membrane material supply device 24 is provided in each membrane material filling chamber 26. Also,
Opening and closing doors 27a and 27b are provided at the boundary between each film material filling chamber 26 and the substrate transport space 4. Each of the film material filling chambers 26 is configured to be individually evacuated to a vacuum.
Further, a crucible transfer device 2 for transferring the crucible 11 between the plasma generation space 3 and each of the film material filling chambers 26.
8 are provided. As the crucible transfer device 28, a transfer mechanism such as the above-described belt and roller, or rail and wire may be used. Or chain drive,
A gear drive or the like may be employed.

【0030】かかる構成により、プラズマ生成空間3に
あるるつぼ11a内の膜材料Mが使用によって所定量ま
で減少すると、このるつぼ11aは搬送装置28によっ
て一方の膜材料充填室26内に搬送され、同時に、他方
の膜材料充填室26において膜材料が充填されて待機し
ていた別のるつぼ11bがプラズマ生成空間3の所定位
置に至る。このとき、各膜材料充填室26が真空に排気
されてから開閉扉27a、27bが開閉されるのはもち
ろんである。るつぼ内の膜材料Mが所定量に減少したこ
とは経過時間によって判断することができる。また、る
つぼ内の膜材料が減ってくると、成膜速度を一定にする
ために膜材料の減少に応じて電子銃の電子放出電流を自
動的に増大させているため、この電子銃の電流値などに
よっても判断することができる。そして、進行中の基材
の成膜が終了した後、膜材料が充填された別のるつぼと
自動的に交換される。るつぼの交換時は基材Wの搬送は
一時的に停止する。
With this configuration, when the film material M in the crucible 11a in the plasma generation space 3 is reduced to a predetermined amount by use, the crucible 11a is transferred by the transfer device 28 into one of the film material filling chambers 26, and at the same time, Then, another crucible 11b which has been filled with the film material in the other film material filling chamber 26 and is on standby reaches a predetermined position in the plasma generation space 3. At this time, the opening and closing doors 27a and 27b are of course opened and closed after each of the film material filling chambers 26 is evacuated to a vacuum. The fact that the film material M in the crucible has decreased to a predetermined amount can be determined based on the elapsed time. When the film material in the crucible decreases, the electron emission current of the electron gun is automatically increased in accordance with the decrease in the film material in order to keep the film formation rate constant. It can also be determined by a value or the like. Then, after the ongoing deposition of the substrate is completed, the substrate is automatically replaced with another crucible filled with the film material. When the crucible is replaced, the transport of the base material W is temporarily stopped.

【0031】図1において、符号10a、10b、10
cは基材Wを加熱するためのヒータである。また、成膜
用開口5の上方のヒータ10aの下面に近接して、ヒー
タ10aを覆うようにヒータ防護部材30が配設されて
いる。このヒータ防護部材30はアースされたメッシュ
から構成されており、プラズマを遮断してヒータ10a
を防護するものである。また、成膜用開口5に近接した
ヒータ10cは前述のア−スシールド6によって防護さ
れている。
In FIG. 1, reference numerals 10a, 10b, 10
c is a heater for heating the substrate W. In addition, a heater protection member 30 is provided near the lower surface of the heater 10a above the film forming opening 5 so as to cover the heater 10a. The heater protection member 30 is made of a grounded mesh, and cuts off the plasma to prevent the heater 10a.
It protects. The heater 10c adjacent to the film forming opening 5 is protected by the above-mentioned earth shield 6.

【0032】以上の実施形態では電極8が真空容器2内
に固定されている。しかし、本発明はかかる構成に限定
されない。電極は、成膜対象である基材Wの膜形成面側
に有効なプラズマが生成されように高周波電界が生じる
ように配置され、また、イオン化された膜材料が上記膜
形成面に向けて加速されて衝突し、膜形成面での拡散が
促進するような直流電界が生じるように配置されるのが
好ましい。
In the above embodiment, the electrode 8 is fixed in the vacuum vessel 2. However, the present invention is not limited to such a configuration. The electrodes are arranged so that a high-frequency electric field is generated so that effective plasma is generated on the film forming surface side of the substrate W on which the film is to be formed, and the ionized film material is accelerated toward the film forming surface. Are preferably arranged so as to generate a direct-current electric field which collides and promotes diffusion on the film forming surface.

【0033】斜め下方から見た図4には、かかる観点か
ら良好に構成され且つ配置された電極31が示されてい
る。すなわち、真空容器内に固定された電極ではない。
図1の成膜装置1における電極8および搬送装置9に代
えて以下の搬送装置を備えるものである。この電極31
は基材Wを保持する保持装置としての機能を有してお
り、電極板部32とその下面に基材Wを把持するための
クリップ部33とを有している。クリップ部33によっ
て自動的に基材が把持される。クリップ部33による基
材Wの把持部分は成膜対象範囲外となるようにされてい
る。この電極31は基材Wの進行方向に沿って配列され
た多数個のローラ19の上に載置されて搬送される。ロ
ーラ19の配列は、クリップ部33との干渉を避けるた
めに基材Wの進行方向の左右両側に相互に間隔をおいて
配列されているが、左右のローラ同士の間隔は図2にお
けると同様である。全ローラ19、または、一個おきま
たは二個おき等のローラが駆動ローラとして基材Wを搬
送するようにされている。
FIG. 4, viewed obliquely from below, shows the electrodes 31 well constructed and arranged from this point of view. That is, it is not an electrode fixed in the vacuum vessel.
The apparatus includes the following transfer device instead of the electrode 8 and the transfer device 9 in the film forming apparatus 1 of FIG. This electrode 31
Has a function as a holding device for holding the base material W, and has an electrode plate portion 32 and a clip portion 33 for gripping the base material W on the lower surface thereof. The base material is automatically gripped by the clip part 33. The gripping portion of the base material W by the clip portion 33 is set to be outside the film formation target range. The electrodes 31 are mounted and transported on a number of rollers 19 arranged along the traveling direction of the substrate W. The arrangement of the rollers 19 is arranged at intervals on both the left and right sides in the traveling direction of the base material W in order to avoid interference with the clip portion 33, but the interval between the left and right rollers is the same as in FIG. It is. All the rollers 19, or every other or every second roller 19 are configured to transport the substrate W as a driving roller.

【0034】図5に示すように、成膜用開口5の両側に
配列されたローラ19bの全て、または、そのうちのい
ずれか(たとえば、成膜用開口5範囲の上流端および/
または下流端)には給電用のシュー(給電シュー)34
が弾力的に押圧する状態で配設されている。この給電シ
ュー34には前述の高周波電源13およびマッチング回
路14並びに直流電源15が接続されている。これによ
ってローラ19bを通して上記電極31に給電される。
この構成によれば、基材Wが成膜用開口5に至ったとき
に基材Wの上方の電極板部32と真空容器2の内壁(ま
たはるつぼ)との間に高周波電力および直流電圧が印加
される。
As shown in FIG. 5, all of the rollers 19b arranged on both sides of the film forming opening 5 or any one of them (for example, the upstream end of the film forming opening 5 range and / or
Or, at the downstream end), a power supply shoe (power supply shoe) 34
Are disposed in a state of elastically pressing. The high-frequency power supply 13, the matching circuit 14, and the DC power supply 15 are connected to the power supply shoe 34. Thus, power is supplied to the electrode 31 through the roller 19b.
According to this configuration, when the substrate W reaches the film forming opening 5, the high-frequency power and the DC voltage are applied between the electrode plate portion 32 above the substrate W and the inner wall (or crucible) of the vacuum vessel 2. Applied.

【0035】また、本発明においては電極31の搬送装
置としてはローラ19に限定されることはない。たとえ
ば、図3に示したようにローラに代えて左右両側にレー
ル21を敷設し、このレール21に電極31を移動可能
に係合するようにしてもよい。そして、電極31に、基
材供給室16側および基材送出室17側に配設された図
示しない駆動ローラに掛け回されたワイヤ25を接続
し、基材供給室16側と基材送出室17側との間を往復
動させるようにすればよい。給電はレール21またはワ
イヤ25を通して行えばよい。レール21を通して給電
する場合に、レール21を成膜用開口5の範囲のみ導電
材から形成しておけば、基材Wが成膜用開口5に至った
ときに電極板部32と真空容器2の内壁(またはるつ
ぼ)との間に高周波電力および直流電圧が印加されるこ
とになる。
In the present invention, the device for transporting the electrode 31 is not limited to the roller 19. For example, as shown in FIG. 3, rails 21 may be laid on both left and right sides instead of the rollers, and the electrodes 31 may be movably engaged with the rails 21. Then, a wire 25 wrapped around a drive roller (not shown) disposed on the base material supply chamber 16 side and the base material delivery chamber 17 side is connected to the electrode 31, and the base material supply chamber 16 side and the base material delivery chamber are connected. What is necessary is just to make it reciprocate between 17 side. Power may be supplied through the rail 21 or the wire 25. When power is supplied through the rail 21, if the rail 21 is formed of a conductive material only in the range of the film forming opening 5, the electrode plate portion 32 and the vacuum vessel 2 are formed when the base material W reaches the film forming opening 5. High-frequency power and a DC voltage are applied to the inner wall (or crucible) of the battery.

【0036】図6には、基材自体に電極が形成されてい
る基材、たとえばプラズマディスプレイパネルの前面板
(以下、単に基材という)Pを搬送するための搬送装置
35が示されている。この基材Pは、ガラス基板Paの
表面に左右両辺から櫛歯形状の表示電極(透明電極)T
a、Tbが相互にかみ合うように形成されたものであ
る。これら透明電極Ta、Tbの上面にはバス電極とし
ての金属電極(図示せず)が形成されている。この搬送
装置35は基材Pの上記電極Ta、Tbを利用して高周
波電力および直流電圧を印加するものである。
FIG. 6 shows a transport device 35 for transporting a substrate having electrodes formed thereon, for example, a front plate (hereinafter simply referred to as a substrate) P of a plasma display panel. . The base material P is a comb-shaped display electrode (transparent electrode) T on both sides of the surface of the glass substrate Pa.
a and Tb are formed so as to mesh with each other. Metal electrodes (not shown) as bus electrodes are formed on the upper surfaces of the transparent electrodes Ta and Tb. The transfer device 35 applies high-frequency power and DC voltage using the electrodes Ta and Tb of the base material P.

【0037】この搬送装置35は、基材Pを載置するた
めの枠状のトレイ36と、基材Pの進行方向に沿って配
列された多数個のローラ19とから構成されている。ロ
ーラ19のうち、成膜用開口5の範囲に配列されたロー
ラ19bのみ左右両側に相互に間隔をおいて配列されて
いる。トレイ36はその左右両辺が両側のローラ19の
上に載置されて搬送される。トレイ36には、その上に
載置される基材Pの所定の膜形成範囲をカバーする開口
37が形成されている。また、左右のローラ19b同士
の間隔等は図2および図4におけると同様である。全ロ
ーラ19、または、一個おきまたは二個おき等のローラ
が駆動ローラとして基材Wを搬送するようにされてい
る。そして、成膜用開口5の両側に配列されたローラ1
9bの全て、または、そのうちのいずれかには前述の給
電シュー34(図5)が弾力的に押圧する状態で配設さ
れている。この給電シュー34には前述の各電源等1
3、14、15が接続されている。したがって、上記ト
レイ36は、給電されたローラに接触すれば電極部材と
なる。
The transport device 35 is composed of a frame-shaped tray 36 on which the base material P is placed, and a number of rollers 19 arranged along the direction in which the base material P moves. Of the rollers 19, only the rollers 19b arranged in the range of the film formation opening 5 are arranged on both left and right sides with an interval therebetween. The tray 36 is transported with its left and right sides placed on the rollers 19 on both sides. An opening 37 is formed in the tray 36 to cover a predetermined film forming range of the base material P placed thereon. The distance between the left and right rollers 19b is the same as in FIGS. All the rollers 19, or every other or every second roller 19 are configured to transport the substrate W as a driving roller. The rollers 1 arranged on both sides of the film forming opening 5
The above-described power supply shoe 34 (FIG. 5) is disposed on all or any of 9b in a state of being elastically pressed. The power supply shoe 34 includes the above-described power supplies 1 and the like.
3, 14, and 15 are connected. Therefore, the tray 36 becomes an electrode member if it comes into contact with the supplied roller.

【0038】したがって、基材Pをトレイ36上に載置
すれば基材Pの電極Ta、Tbがトレイ36と接触して
いるので、このトレイ36が成膜用開口5に至って給電
されているローラ19bに達すると基材Pと真空容器2
の内壁(またはるつぼ)との間に高周波電力および直流
電圧が印加される。
Therefore, when the base material P is placed on the tray 36, the electrodes Ta and Tb of the base material P are in contact with the tray 36, so that the tray 36 reaches the film forming opening 5 and is supplied with power. When it reaches the roller 19b, the substrate P and the vacuum container 2
High-frequency power and a DC voltage are applied between the inner wall (or crucible).

【0039】本発明においては上記ローラ19に限定さ
れることはない。
The present invention is not limited to the rollers 19 described above.

【0040】たとえば、図7に示すようにローラに代え
て左右両側にレール21を敷設し、各レール21にクラ
ンプ部材または載置部材38を移動可能に配設したもの
を用いてもよい。なお、図7では基材Pがその短手方向
に搬送される場合を例に取っている。基材Pはその両辺
の電極Ta、Tbが載置部材38に接触するように載置
される。両載置部材38は、基材供給室16側および基
材送出室17側に配設された図示しない駆動ローラに掛
け回されたワイヤ25に接続され、基材供給室16側と
基材送出室17側との間を往復動させられる。
For example, as shown in FIG. 7, instead of rollers, rails 21 may be laid on both left and right sides, and a clamp member or a mounting member 38 may be movably disposed on each rail 21. FIG. 7 shows an example in which the base material P is transported in the short direction. The base material P is placed so that the electrodes Ta and Tb on both sides thereof come into contact with the placement member 38. The two mounting members 38 are connected to the wires 25 wrapped around driving rollers (not shown) disposed on the base material supply chamber 16 side and the base material delivery chamber 17 side, and the base material supply chamber 16 side and the base material delivery chamber 17 are connected to each other. It is reciprocated between the chamber 17 side.

【0041】いずれにしても、基材Pの電極を効果的に
利用することができる。
In any case, the electrodes of the substrate P can be used effectively.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明によれば、複数の成膜対象基材を
連続して搬送しながら、この基材の表面に高品質の膜を
形成することができる。
According to the present invention, it is possible to form a high quality film on the surface of a plurality of substrates to be formed while continuously transporting the substrates.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の成膜装置の一実施形態を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a film forming apparatus of the present invention.

【図2】本発明の成膜装置の他の実施形態における搬送
装置の一実施形態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing one embodiment of a transfer device in another embodiment of the film forming apparatus of the present invention.

【図3】本発明の搬送装置の他の実施形態を示す斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the transport device of the present invention.

【図4】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示
す、斜め下方から見た斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a still another embodiment of the transport device of the present invention, as viewed obliquely from below.

【図5】図4のV−V線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line VV of FIG. 4;

【図6】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す
平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing still another embodiment of the transfer device of the present invention.

【図7】本発明の搬送装置のさらに他の実施形態を示す
平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing still another embodiment of the transfer device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 成膜装置 2 真空容器 3 プラズマ生成空間 4 基材搬送空間 5 成膜用開口 6 アースシールド部 7 蒸発源 8 電極 9 搬送装置 10a、10b、10c 基材加熱用ヒータ 11 るつぼ 12 電子銃 13 高周波電源 14 マッチング回路 15 高周波電源 16 基材供給室 17 基材送出室 18a、18b 扉 19 ローラ 19a 駆動ローラ 19b 両側ローラ 20 ベルト 21 レール 22 トレイ 23 開口 24 膜材料供給装置 25 ワイヤ 26 膜材料充填室 27a、27b 扉 28 るつぼ搬送装置 30 ヒータ防護部材 31 電極 32 電極板部 33 クリップ部 34 給電シュー 35 搬送装置 36 トレイ 37 開口 38 載置部材 40 ガス供給装置 41 排気装置 P、W 基材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Film-forming apparatus 2 Vacuum container 3 Plasma generation space 4 Substrate transport space 5 Film-forming opening 6 Earth shield part 7 Evaporation source 8 Electrode 9 Transport device 10a, 10b, 10c Heater for substrate heating 11 Crucible 12 Electron gun 13 High frequency Power supply 14 Matching circuit 15 High-frequency power supply 16 Substrate supply chamber 17 Substrate delivery chamber 18a, 18b Door 19 Roller 19a Drive roller 19b Both-sided roller 20 Belt 21 Rail 22 Tray 23 Opening 24 Film material supply device 25 Wire 26 Film material filling room 27a , 27b Door 28 Crucible transfer device 30 Heater protection member 31 Electrode 32 Electrode plate 33 Clip portion 34 Power supply shoe 35 Transfer device 36 Tray 37 Opening 38 Mounting member 40 Gas supply device 41 Exhaust device P, W Base material

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高周波電界が生じうる成膜用真空容器内
に配設された、成膜対象の基材を保持するための保持装
置と、 該保持装置を移動させて成膜空間を通過させるための移
動装置と、 上記保持装置に高周波電力を供給するための給電装置と
を備えてなる成膜対象基材の搬送装置。
1. A holding device provided in a film forming vacuum vessel in which a high-frequency electric field can be generated for holding a substrate to be formed, and the holding device is moved to pass through a film forming space. And a power supply device for supplying high-frequency power to the holding device.
【請求項2】 上記保持装置が、電極板と、該電極板の
下面に成膜対象基材を把持するためのクランプとを有し
てなる請求項1記載の成膜対象基材の搬送装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the holding device has an electrode plate and a clamp on a lower surface of the electrode plate for holding the substrate. .
【請求項3】 上記保持装置が、導電性基材または表面
に電極が形成された成膜対象基材を保持する装置であっ
て、中央部に開口を有する枠状の電極部材を有してお
り、該開口部が、成膜対象基材における少なくとも成膜
対象範囲である請求項1記載の成膜対象基材の搬送装
置。
3. The holding device according to claim 1, wherein the holding device is a device for holding a conductive base material or a film formation target base material having an electrode formed on a surface thereof, and has a frame-shaped electrode member having an opening in a central portion. The apparatus according to claim 1, wherein the opening is at least a film formation target area of the film formation target base material.
【請求項4】 上記移動装置が、保持装置が載置される
複数個のローラを有しており、該ローラのうちの少なく
とも一部が保持装置を搬送する方向に回転する回転駆動
ローラとして構成されてなる請求項1記載の成膜対象基
材の搬送装置。
4. The moving device has a plurality of rollers on which the holding device is placed, and at least a part of the rollers is configured as a rotary driving roller that rotates in a direction in which the holding device is transported. The apparatus for transporting a substrate to be deposited according to claim 1, wherein:
【請求項5】 上記移動装置が、保持装置が移動可能に
係合されるレールと、該レールに係合した保持装置に接
続されて保持装置を移動させるワイヤとを有してなる請
求項1記載の成膜対象基材の搬送装置。
5. The moving device according to claim 1, further comprising a rail on which the holding device is movably engaged, and a wire connected to the holding device engaged with the rail to move the holding device. The apparatus for transporting a substrate to be formed according to the above.
【請求項6】 上記給電装置が、移動装置を通して保持
装置に給電するように構成されてなる請求項1記載の成
膜対象基材の搬送装置。
6. The apparatus according to claim 1, wherein the power supply device is configured to supply power to the holding device through a moving device.
【請求項7】 上記移動装置が請求項4記載の移動装置
から構成されており、上記ローラのうち、成膜空間の範
囲に配列された全ローラまたはこのうちの一部に給電さ
れるように構成されてなる請求項6記載の成膜対象基材
の搬送装置。
7. The moving device according to claim 4, wherein the power is supplied to all of the rollers arranged in the range of the film forming space or a part of the rollers. The apparatus for transporting a substrate to be deposited according to claim 6, wherein the apparatus is configured.
【請求項8】 上記移動装置が請求項5記載の移動装置
から構成されており、上記レールのうち、成膜空間の範
囲に給電されるように構成されてなる請求項6記載の成
膜対象基材の搬送装置。
8. The film forming object according to claim 6, wherein the moving device comprises the moving device according to claim 5, and is configured to supply power to a range of a film forming space among the rails. Substrate transfer device.
【請求項9】 その内部に高周波電界が生じうる成膜用
真空容器と、該成膜用真空容器内に配設された膜材料を
収容する開放容器と、それぞれが成膜用真空容器と隔離
および連通可能に配設された真空化可能な成膜対象基材
供給室および成膜対象基材送出室と、成膜対象基材を成
膜対象基材供給室から成膜用真空容器を通して成膜対象
基材送出室に搬送するための搬送装置とを備えてなる成
膜装置。
9. A vacuum container for film formation in which a high-frequency electric field can be generated, and an open container for accommodating a film material provided in the vacuum container for film formation, each being isolated from the vacuum container for film formation. And a vacuum-depositable substrate supply chamber and a substrate supply chamber which can be evacuated, and a substrate to be deposited is formed from the substrate supply chamber through a film-forming vacuum vessel. A film forming apparatus comprising: a transfer device for transferring the film to the film target substrate delivery chamber.
【請求項10】 その内部に高周波電界が生じうる成膜
用真空容器と、該成膜用真空容器内に配設された膜材料
を収容する開放容器と、成膜用真空容器と隔離および連
通可能に配設された真空化可能な膜材料充填室と、開放
容器を成膜用真空容器と膜材料充填室とに移動させるた
めの開放容器搬送装置とを備えており、 成膜用真空容器内にある開放容器内の膜材料の減少に応
じて、開放容器搬送装置が順次開放容器を膜材料充填室
に搬送して膜材料を充填し、成膜用真空容器に搬送する
ように構成されてなる成膜装置。
10. A vacuum container for film formation in which a high-frequency electric field can be generated, an open container for accommodating a film material provided in the vacuum container for film formation, and isolation and communication with the vacuum container for film formation. A vacuum-equipped film material filling chamber disposed so as to be capable of being provided, and an open container transport device for moving the open container to the film forming vacuum container and the film material filling chamber. According to the decrease of the film material in the open container inside, the open container transfer device is configured to sequentially transfer the open container to the film material filling chamber, fill the film material, and transfer to the film forming vacuum container. Film forming equipment.
【請求項11】 成膜用真空容器と隔離および連通可能
に配設された真空化可能な膜材料充填室と、開放容器を
成膜用真空容器と膜材料充填室とに移動させるための開
放容器搬送装置とを備えており、 成膜用真空容器内にある開放容器内の膜材料の減少に応
じて、開放容器搬送装置が順次開放容器を膜材料充填室
に搬送して膜材料を充填し、成膜用真空容器に搬送する
ように構成されてなる請求項9記載の成膜装置。
11. A vacuum-equipped film material charging chamber disposed so as to be separable and communicable with a film-forming vacuum container, and an opening for moving the open container to the film-forming vacuum container and the film material charging chamber. A container transport device is provided, and the open container transport device sequentially transports the open containers to the film material filling chamber and fills the film material according to a decrease in the film material in the open container in the film forming vacuum container. The film forming apparatus according to claim 9, wherein the apparatus is configured to be transported to a film forming vacuum vessel.
【請求項12】 上記搬送装置が請求項1〜8のうちの
一の項に記載の搬送装置から構成されてなる請求項9ま
たは11記載の成膜装置。
12. A film forming apparatus according to claim 9, wherein said transfer device comprises the transfer device according to any one of claims 1 to 8.
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WO2009128132A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-22 株式会社アルバック Winding vacuum film coating apparatus

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WO2009128132A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-22 株式会社アルバック Winding vacuum film coating apparatus

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