JP2002170686A - Organic electroluminescent element and its manufacturing method - Google Patents

Organic electroluminescent element and its manufacturing method

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JP2002170686A
JP2002170686A JP2000366744A JP2000366744A JP2002170686A JP 2002170686 A JP2002170686 A JP 2002170686A JP 2000366744 A JP2000366744 A JP 2000366744A JP 2000366744 A JP2000366744 A JP 2000366744A JP 2002170686 A JP2002170686 A JP 2002170686A
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electrode
substrate
organic
liquid crystal
compound layer
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JP2000366744A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Noguchi
幸治 野口
Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
Akira Tsuboyama
明 坪山
Takao Takiguchi
隆雄 滝口
Takashi Moriyama
孝志 森山
Atsushi Kamatani
淳 鎌谷
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Canon Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To take out emission light from a side of the substance which does not form a switching element, in an organic electroluminescent element equipped with one. SOLUTION: A switching element, a pixel electrode and a liquid crystal compound layer are formed on a first substrate, and a transparent electrode and an organic compound layer on the second substrate. The organic compound layer and the transparent electrode are bonded with the use of the liquid crystal compound layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
等に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device used for flat panel displays, projection displays, printers and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、フラットパネル対応の自発光型デ
バイスが注目されている。この自発光型デバイスとして
は、例えばプラズマ発光表示素子、フィールドエミッシ
ョン素子、エレクトロルミネッセンス素子(以下、「E
L素子」と記す)が挙げられる。
2. Description of the Related Art In recent years, attention has been paid to self-luminous devices compatible with flat panels. Examples of the self-luminous device include a plasma light-emitting display element, a field emission element, and an electroluminescence element (hereinafter, referred to as “E”).
L element).

【0003】この中で、特に、有機EL素子に関して
は、1987年にT.W.タン(Tang)らにより蛍
光性金属キレート錯体とジアミン系分子の薄膜を積層し
た構造を利用して、低電圧DC駆動で高輝度な発光が得
られることが実証され、研究開発が精力的に進められて
いる。これら低分子系の有機EL素子においては、緑
(G)単色や、青(B)、赤(R)等の色を加えたエリ
アカラータイプのディスプレイが製品化され、現在はフ
ルカラー化への開発が活発化している。
[0003] Among them, in particular, regarding an organic EL device, T.A. W. Tang et al. Have demonstrated that high-luminance light emission can be obtained by low-voltage DC driving using a structure in which a thin film of a fluorescent metal chelate complex and a diamine-based molecule is laminated, and R & D is being vigorously advanced. Have been. Among these low-molecular organic EL devices, area color type displays having a single color of green (G) or blue (B) or red (R) have been commercialized, and are currently being developed to full color. Is becoming active.

【0004】有機EL素子は、発光層に到達した電子と
正孔が再結合する際に生じる発光を利用した、キャリア
注入型の自発光デバイスである。図2に、一般的な有機
EL素子の構成例を示す。図2はその断面模式図であ
り、図中、11は金属電極、12は発光層、13は正孔
輸送層、14は透明電極、15は電子輸送層である。通
常陰極には金属電極11、発光した光を取り出すために
陽極には透明電極14を用いる。両電極間には有機化合
物層が挟持されている。各有機化合物層は数十nm程度
の膜厚が一般的である。一般に陰極の金属材料として
は、アルミニウムやアルミニウム・リチウム合金、マグ
ネシウム・銀合金などの仕事関数の小さな金属が用いら
れる。また、陽極にはITO(インジウム錫酸化物)等
の仕事関数の大きな透明導電材が用いられる。
The organic EL element is a carrier injection type self-luminous device utilizing light emission generated when electrons and holes that reach the light emitting layer are recombined. FIG. 2 shows a configuration example of a general organic EL element. FIG. 2 is a schematic sectional view, in which 11 is a metal electrode, 12 is a light emitting layer, 13 is a hole transport layer, 14 is a transparent electrode, and 15 is an electron transport layer. Usually, a metal electrode 11 is used as a cathode, and a transparent electrode 14 is used as an anode to extract emitted light. An organic compound layer is sandwiched between the two electrodes. Each organic compound layer generally has a thickness of about several tens nm. Generally, a metal having a small work function such as aluminum, an aluminum-lithium alloy, or a magnesium-silver alloy is used as the metal material of the cathode. Further, a transparent conductive material having a large work function such as ITO (indium tin oxide) is used for the anode.

【0005】有機化合物層は、図2(a)に示したよう
な発光層12と正孔輸送層13とからなる2層構造、或
いは、図2(b)に示したような電子輸送層15、発光
層12、正孔輸送層13からなる3層構造が一般的であ
る。ここで、正孔輸送層13は陽極(透明電極14)か
らの正孔を効率よく発光層12に注入させる機能を有
し、また、電子輸送層15は陰極(金属電極11)から
の電子を効率よく発光層12に注入させる機能を有して
いる。また同時に、正孔輸送層13は電子を、電子輸送
層15は正孔を発光層12に閉じ込める(キャリアブロ
ック)機能を有し、発光効率を高める効果がある。
The organic compound layer has a two-layer structure including a light emitting layer 12 and a hole transport layer 13 as shown in FIG. 2A, or an electron transport layer 15 as shown in FIG. , A light emitting layer 12 and a hole transport layer 13 are generally used. Here, the hole transport layer 13 has a function of efficiently injecting holes from the anode (transparent electrode 14) into the light emitting layer 12, and the electron transport layer 15 transfers electrons from the cathode (metal electrode 11). It has a function to efficiently inject light into the light emitting layer 12. At the same time, the hole transport layer 13 has a function of confining electrons in the electron transport layer 15 and the electron transport layer 15 has a function of confining holes in the light emitting layer 12 (carrier block), and has an effect of increasing luminous efficiency.

【0006】フルカラーのフラットパネルディスプレイ
として既に製品化されている液晶ディスプレイは、通常
カラーフィルタを用いてフルカラー化を実現している
が、有機EL素子は、発光層を構成する材料を適切に選
ぶことによりR、G、Bの3原色を自発光させることが
でき、液晶ディスプレイよりも高速応答、広視野角と優
れた特徴を有している。一方、十分な実用性を持ったフ
ルカラーディスプレイを実現するためには、R、G、B
の発光素子の輝度、色度、発光効率に優れた素子を実現
することが必要である。
Liquid crystal displays that have already been commercialized as full-color flat panel displays usually realize full-color display using color filters. However, for organic EL elements, it is necessary to appropriately select a material constituting a light-emitting layer. Thus, the three primary colors of R, G, and B can be made to emit light by themselves, and have characteristics that are faster than liquid crystal displays, and have a wide viewing angle. On the other hand, in order to realize a full-color display with sufficient practicality, R, G, B
It is necessary to realize a light-emitting element having excellent luminance, chromaticity, and luminous efficiency.

【0007】一般に、R、G、Bの各色の輝度や色度を
単独の発光材料からなる発光層によって、十分な特性で
得ることは難しい。この問題に対して、ホスト材料に蛍
光色素をドーピングした色素ドープ型有機EL素子が利
用されている。これは図2の正孔輸送層13や電子輸送
層15、或いは発光層12を構成する材料をホストとし
て、その層の中にごく少量の蛍光色素をドープすること
により、その蛍光色素からのルミネッセンスを発光色と
して取り出す手法である。この方法の特長としては、蛍
光収率の高い色素が利用できるため、発光効率の向上が
期待できること、発光色の選択が大幅に向上することで
ある。
In general, it is difficult to obtain the luminance and chromaticity of each of the R, G, and B colors with sufficient characteristics by using a light emitting layer made of a single light emitting material. To solve this problem, a dye-doped organic EL device in which a host material is doped with a fluorescent dye has been used. This is achieved by using a material constituting the hole transport layer 13, the electron transport layer 15, or the light emitting layer 12 shown in FIG. 2 as a host and doping a very small amount of a fluorescent dye into the layer to emit luminescence from the fluorescent dye. Is taken out as a luminescent color. The features of this method are that a dye having a high fluorescence yield can be used, so that an improvement in luminous efficiency can be expected, and the selection of a luminescent color is greatly improved.

【0008】このような状況で、キャリア輸送層を形成
する有機化合物に液晶性を付与することで高移動度を達
成しようとする動きがある。一般に有機EL素子に用い
られている有機薄膜はアモルファス状態にあり、分子の
配列に規則性はない。これに対して、分子配列に一定の
秩序を持った液晶化合物に高移動度の材料が見出され、
注目されている。例えばハーラー(Haarer)等は
代表的なディスコティック液晶である長鎖トリフェニレ
ン系化合物のメソフェーズにおいて、10-1cm2/V
secという高速な正孔の移動度を観測している(Na
ture,Vol.371,p.141(199
4))。また、ハーラー等は一連のトリフェニレン系デ
ィスコティック液晶におけるカラムナー相の分子配列の
秩序度と正孔移動度の関係について検討しており、秩序
度が高くなるほど、正孔移動度が大きくなることを報告
している(Adv.Mater.,Vol.8,p.8
15(1996))。
Under such circumstances, there is a movement to achieve high mobility by imparting liquid crystallinity to the organic compound forming the carrier transport layer. Generally, an organic thin film used for an organic EL element is in an amorphous state, and the arrangement of molecules is not regular. On the other hand, a high mobility material was found in a liquid crystal compound having a certain order in the molecular arrangement,
Attention has been paid. For example, Haarer et al. In the mesophase of a long-chain triphenylene-based compound which is a typical discotic liquid crystal, 10 -1 cm 2 / V
sec, a high-speed hole mobility (Na
cure, Vol. 371, p. 141 (199
4)). Harler et al. Also studied the relationship between the molecular arrangement of the columnar phase and the hole mobility in a series of triphenylene-based discotic liquid crystals, and reported that the higher the degree of order, the larger the hole mobility. (Adv. Mater., Vol. 8, p. 8).
15 (1996)).

【0009】また、半那等はフェニルナフタレン骨格を
有する棒状液晶がスメクチックE(SmE)相において
10-2cm2/Vsecという非常に高いキャリア移動
度を示し、またこれが電子・正孔共に高速な両極性の電
子伝導性であることを報告している(Appl.Phy
s.Lett,Vol.73,No.25,p.373
3(1998))。
Further, Hanna et al. Show that a rod-like liquid crystal having a phenylnaphthalene skeleton exhibits a very high carrier mobility of 10 -2 cm 2 / Vsec in the smectic E (SmE) phase, and this has a high speed for both electrons and holes. It reports that it is ambipolar electronic conductivity (Appl. Phys.
s. Lett, Vol. 73, No. 25, p. 373
3 (1998)).

【0010】上記のように液晶化合物の自発的な配向に
よって、キャリア輸送に有利な分子配列制御を行うこと
ができる可能性、それにより、優れたキャリア輸送材料
が実現できる可能性がある。
As described above, by the spontaneous alignment of the liquid crystal compound, there is a possibility that molecular arrangement control advantageous for carrier transport can be performed, and thereby an excellent carrier transport material can be realized.

【0011】一方、有機EL素子を表示パネルとして用
いる場合、寿命や駆動するドライバの制約等の問題か
ら、できるだけ低電流、低電圧で駆動することが求めら
れている。輝度を低くする駆動法では、スイッチング素
子を用いた駆動法が最適であると考えられている(特開
平8−241057号、10th Fine Proce
ss Technology for Flat−Pa
nel DisplayConference Pro
ceeding E2)。
On the other hand, when an organic EL element is used as a display panel, it is required to drive the device at a current and voltage as low as possible due to problems such as life and restrictions on a driver to be driven. In the driving method of lowering the luminance, driving method using the switching element is considered to be optimal (JP-8-241057, 10 th Fine Proce
ss Technology for Flat-Pa
nel DisplayConference Pro
ceeding E2).

【0012】スイッチング素子を用いた場合の低分子系
EL素子の作製方法は、有機化合物の耐熱性の問題か
ら、スイッチング素子を設けた基板上に高温プロセスが
必要とされる透明電極を形成し、その上に必要な有機化
合物層を積層蒸着し、最後に仕事関数の小さいアルミニ
ウム等を真空蒸着して金属電極を形成し、素子を構成す
る。このことから、発光された光は、スイッチング素子
電極側から取り出されるのが一般的である。また、有機
EL素子は、透明プラスチック基板を用いた素子への応
用も期待されており、将来的にはペーパーディスプレイ
の有力な候補である(CEATEC Japan 20
00 Pioneer)。
In a method for manufacturing a low-molecular EL element using a switching element, a transparent electrode which requires a high-temperature process is formed on a substrate provided with the switching element due to a problem of heat resistance of an organic compound. A necessary organic compound layer is deposited thereon, and aluminum or the like having a small work function is finally vacuum deposited to form a metal electrode, thereby forming an element. For this reason, the emitted light is generally extracted from the switching element electrode side. Organic EL devices are also expected to be applied to devices using a transparent plastic substrate, and will be a promising candidate for paper displays in the future (CEATEC Japan 20
00 Pioneer).

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】スイッチング素子を用
いて有機EL素子を構成する場合、形成工程上の理由か
ら、発光をスイッチング素子側から取り出すことになる
ため、スイッチング素子や配線等の影響で画素開口率が
低くなる問題点がある。また、ペーパーディスプレイ等
は素子の透明性に対する要求が非常に高く、透明性の高
い透明電極を形成するために高温プロセスが不可欠とな
る。
When an organic EL element is formed by using a switching element, light emission is extracted from the switching element side for the reason of the forming process. Therefore, the pixel is affected by the switching element and wiring. There is a problem that the aperture ratio becomes low. Further, a paper display or the like has a very high requirement for the transparency of the element, and a high-temperature process is indispensable to form a highly transparent transparent electrode.

【0014】本発明の課題は、上記問題点に鑑み、高温
プロセスで形成される透明電極と、耐熱性に問題のある
有機化合物層との積層構成の設計自由度を高めた有機E
L素子を提供することにある。特に、スイッチング素子
を設けた基板上に有機化合物層を設け、対向基板側に透
明電極を形成して該対向基板側から発光を取り出す構成
を可能にした有機EL素子を提供することにある。ま
た、透明性の高いペーパーディスプレイを提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to improve the design flexibility of an organic E layer having a laminated structure of a transparent electrode formed by a high-temperature process and an organic compound layer having a problem in heat resistance.
An L element is provided. In particular, an object of the present invention is to provide an organic EL element in which an organic compound layer is provided on a substrate provided with a switching element, a transparent electrode is formed on a counter substrate side, and light can be extracted from the counter substrate side. Another object is to provide a highly transparent paper display.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の第一は、第1の
基板上に第1の電極を形成し、第2の基板上に第2の電
極と有機化合物層を順次形成し、上記第1の電極或いは
有機化合物層上に液晶化合物層を形成し、該液晶化合物
層を加熱して液体相とし、該液晶化合物層を挟んで上記
第1の電極と有機化合物層とを対向配置させ、冷却し
て、上記第1の電極と有機化合物層とを液晶化合物層を
介して接合することを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法である。
According to a first aspect of the present invention, a first electrode is formed on a first substrate, and a second electrode and an organic compound layer are sequentially formed on a second substrate. A liquid crystal compound layer is formed over the first electrode or the organic compound layer, the liquid crystal compound layer is heated to a liquid phase, and the first electrode and the organic compound layer are arranged to face each other with the liquid crystal compound layer interposed therebetween. Cooling, and bonding the first electrode and the organic compound layer via a liquid crystal compound layer.

【0016】本発明の第二は、第1の電極を備えた第1
の基板と、該第1の基板の第1の電極側に対向配置し、
該第1の電極側に第2の電極と有機化合物層とを順次積
層してなる第2の基板と、上記第1の電極と有機化合物
層とを接合した液晶化合物層とを少なくとも備えたこと
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子であ
る。
A second aspect of the present invention is a first type having a first electrode.
A substrate and a first electrode side of the first substrate facing the first electrode,
At least a second substrate formed by sequentially laminating a second electrode and an organic compound layer on the first electrode side, and a liquid crystal compound layer formed by joining the first electrode and the organic compound layer are provided. An organic electroluminescence device characterized by the following.

【0017】上記本発明においては、下記の構成を好ま
しい態様として含むものである。上記有機化合物層が導
電性有機化合物からなること。上記有機化合物層が真空
蒸着法により成膜されたこと。第1の基板または第2の
基板上にスイッチング素子を備えたこと。スイッチング
素子を備えていない側の基板より発光を取り出すこと。
第1の電極及び第2の電極が透明電極であること。第1
の基板及び第2の基板の少なくとも一方がプラスチック
基板であること。液晶化合物がディスコティック液晶或
いはスメクチック液晶であること。液晶化合物がスメク
チック液晶であること。
In the present invention, the following configurations are included as preferred embodiments. The organic compound layer is made of a conductive organic compound. The organic compound layer is formed by a vacuum evaporation method. A switching element is provided on the first substrate or the second substrate. Extracting light emission from the substrate on which the switching element is not provided.
The first electrode and the second electrode are transparent electrodes. First
At least one of the substrate and the second substrate is a plastic substrate. The liquid crystal compound is a discotic liquid crystal or a smectic liquid crystal. The liquid crystal compound is a smectic liquid crystal.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明は、電極と有機化合物層と
を液晶化合物を用いて接合することに特徴を有する。即
ち、電極を設けた第1の基板と、電極と有機化合物層を
設けた第2の基板とを液晶化合物を用いて接合するた
め、有機化合物層上に電極を形成する工程が不要となる
ため、いずれの電極も高温プロセスが必要な透明電極と
することができ、スイッチング素子を設けた素子におい
て、対向基板側に透明電極を設けて発光を取り出すこと
が可能となる。また、液晶化合物としては、ディスコテ
ィック液晶やスメクチック液晶等のキャリア移動度の高
い化合物を選択することによって、キャリア輸送能の高
いキャリア輸送層を形成することができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is characterized in that an electrode and an organic compound layer are joined by using a liquid crystal compound. That is, since the first substrate provided with the electrode and the second substrate provided with the electrode and the organic compound layer are bonded using a liquid crystal compound, a step of forming an electrode over the organic compound layer is not required. Each of the electrodes can be a transparent electrode requiring a high-temperature process, and in an element provided with a switching element, a transparent electrode can be provided on the counter substrate side to emit light. Further, by selecting a compound having a high carrier mobility such as a discotic liquid crystal or a smectic liquid crystal as a liquid crystal compound, a carrier transporting layer having a high carrier transporting ability can be formed.

【0019】以下に本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0020】図1に本発明の有機EL素子の基本構成を
示す。図中、1は第1の基板、2は第1の電極、3は第
2の基板、4は第2の電極、5は有機化合物層、6は液
晶化合物層である。
FIG. 1 shows the basic structure of the organic EL device of the present invention. In the drawing, 1 is a first substrate, 2 is a first electrode, 3 is a second substrate, 4 is a second electrode, 5 is an organic compound layer, and 6 is a liquid crystal compound layer.

【0021】本発明において、第1の基板1、第2の基
板3の少なくとも一方は発光を取り出すためにガラス基
板やプラスチック基板等の透明基板が用いられる。
In the present invention, at least one of the first substrate 1 and the second substrate 3 uses a transparent substrate such as a glass substrate or a plastic substrate for extracting light emission.

【0022】本発明に用いられる第2の電極2、第3の
電極4としては、一般にデバイスの電極構成に用いられ
ている導電性材料が好ましく用いられ、陽極にはIT
O、酸化インジウム、酸化スズ、Cd2SnO4、酸化亜
鉛、ヨウ化銅、金、白金などが挙げられ、陰極にはアル
カリ金属、アルカリ土類金属及びその合金であるナトリ
ウム、カリウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウム
・カリウム合金、マグネシウム・インジウム合金、マグ
ネシウム・銀合金、アルミニウム、アルミニウム・リチ
ウム合金、アルミニウム・銅合金、アルミニウム・銅・
シリコン合金などが挙げられる。尚、発光を取り出す側
にはITO等透明導電材が用いられる。
As the second electrode 2 and the third electrode 4 used in the present invention, a conductive material generally used for an electrode configuration of a device is preferably used.
O, indium oxide, tin oxide, Cd 2 SnO 4 , zinc oxide, copper iodide, gold, platinum, and the like. , Sodium-potassium alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-silver alloy, aluminum, aluminum-lithium alloy, aluminum-copper alloy, aluminum-copper
A silicon alloy is exemplified. Note that a transparent conductive material such as ITO is used on the side from which light is emitted.

【0023】本発明の有機EL素子は、有機層として有
機化合物層5と液晶化合物層6とを少なくとも有する
が、当該有機層には少なくとも発光層が含まれる。発光
層は液晶化合物層6で構成することもできるが、従来の
有機EL素子で用いられていた発光材料が好ましく用い
られる。具体的には、例えば、電子輸送性と発光特性を
有するアルミキノリノール錯体誘導体(代表表的には、
下記に示すAlq3)が好ましく用いられる。
The organic EL device of the present invention has at least an organic compound layer 5 and a liquid crystal compound layer 6 as organic layers, and the organic layer includes at least a light emitting layer. The light emitting layer can be composed of the liquid crystal compound layer 6, but a light emitting material used in a conventional organic EL device is preferably used. Specifically, for example, an aluminum quinolinol complex derivative having an electron transporting property and a light emitting property (typically,
Alq3) shown below is preferably used.

【0024】[0024]

【化1】 Embedded image

【0025】また、有機化合物層5としては、上記発光
層以外に電子輸送層や正孔輸送層を形成することができ
る。
As the organic compound layer 5, an electron transport layer or a hole transport layer can be formed in addition to the light emitting layer.

【0026】本発明の有機EL素子に用いられる、正孔
輸送層材料としては、具体的には、下記の化合物が好ま
しく用いられる。α−NPD(下記構造式で示される)
As the material of the hole transport layer used in the organic EL device of the present invention, specifically, the following compounds are preferably used. α-NPD (shown by the following structural formula)

【0027】[0027]

【化2】 Embedded image

【0028】1−TANTA:4,4’,4”−トリス
(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン 2−TANTA:4,4’,4”−トリス(2−ナフチ
ルフェニルアミノ)トリフェニルアミン TCTA:4,4’,4”−トリス(N−カルバゾイ
ル)トリフェニルアミン p−DPA−TDAB:1,3,5−トリス[N−(4
−ジフェニルアミノフェニル)フェニルアミノ]ベンゼ
ン TDAB:1,3,5−トリス(ジフェニルアミノ)ベ
ンゼン TDTA:4,4’,4”−トリス(ジフェニルアミ
ノ)トリフェニルアミン TDAPB:1,3,5−トリス[(ジフェニルアミ
ノ)フェニル]ベンゼン
1-TANTA: 4,4 ', 4 "-tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine 2-TANTA: 4,4', 4" -Tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine TCTA : 4,4 ', 4 "-tris (N-carbazoyl) triphenylamine p-DPA-TDAB: 1,3,5-tris [N- (4
-Diphenylaminophenyl) phenylamino] benzene TDAB: 1,3,5-tris (diphenylamino) benzene TDTA: 4,4 ', 4 "-tris (diphenylamino) triphenylamine TDAPB: 1,3,5-tris [(Diphenylamino) phenyl] benzene

【0029】また、本発明の有機EL素子に用いられ
る、電子輸送材料としては以下の化合物が挙げられる。 BeBq:ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体 DTVBi:4、4’−ビス−(2,2−ジ−p−トリ
ル−ビニル)−ビフェニル Eu(DBM)3(Phen):トリス(1,3−ジフ
ェニル−1,3−プロパンジオノ)(モノフェナントロ
リン)Eu(III)
The following compounds are examples of the electron transporting material used in the organic EL device of the present invention. BeBq: bis (benzoquinolinolato) beryllium complex DTVBi: 4,4'-bis- (2,2-di-p-tolyl-vinyl) -biphenyl Eu (DBM) 3 (Phen): tris (1,3- Diphenyl-1,3-propanediono) (monophenanthroline) Eu (III)

【0030】さらに上記化合物以外に、ジフェニルエチ
レン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ジアミノカル
バゾール誘導体、ビススチリル誘導体、ベンゾチアゾー
ル誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、芳香性ジアミン
誘導体、キナクリドン系化合物、ペリレン系化合物、オ
キサジアゾール誘導体、クマリン系化合物、アントラキ
ノン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体(DPVB
i)、オリゴチオフェン誘導体(BMA−3T)などが
挙げられる。これらの材料は、真空蒸着法によってアモ
ルファス状態で好ましく積層される。
In addition to the above compounds, diphenylethylene derivatives, triphenylamine derivatives, diaminocarbazole derivatives, bisstyryl derivatives, benzothiazole derivatives, benzoxazole derivatives, aromatic diamine derivatives, quinacridone compounds, perylene compounds, oxadiazole derivatives , Coumarin compounds, anthraquinone derivatives, distyryl arylene derivatives (DPVB
i), oligothiophene derivatives (BMA-3T) and the like. These materials are preferably laminated in an amorphous state by a vacuum deposition method.

【0031】また、本発明で用いられる液晶化合物とし
ては、キャリア輸送能の高い液晶材料が用いられ、ディ
スコティック液晶相や高い秩序度を有するスメクチック
相を呈する液晶、即ちディスコティック液晶、スメクチ
ック液晶が好ましく用いられる。
As the liquid crystal compound used in the present invention, a liquid crystal material having a high carrier transporting ability is used, and a liquid crystal exhibiting a discotic liquid crystal phase or a smectic phase having a high degree of order, that is, a discotic liquid crystal or a smectic liquid crystal is used. It is preferably used.

【0032】ディスコティック液晶材料としては、例え
ば、トリフェニレン系の液晶群が挙げられる(Adva
nced Materials,1996.8,No.
10参照)。この液晶群は、ディスコティック・カラム
ナー相を示し、ディスク状の液晶分子がカラムを形成
し、豊富なπ電子骨格を有するトリフェニレン基が互い
に重なり合う形で配向するため、トリフェニレン基を介
して良好な正孔輸送能が得られる。
Examples of the discotic liquid crystal material include a triphenylene-based liquid crystal group (Adva).
nosed Materials, 1996.8, No.
10). This liquid crystal group exhibits a discotic columnar phase, in which disc-like liquid crystal molecules form a column, and triphenylene groups having an abundant π-electron skeleton are aligned in an overlapping manner, so that a good positive polarity is formed via the triphenylene group. Pore transport ability is obtained.

【0033】他のディスコティック液晶の骨格として
は、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、
トルクセン誘導体、ヘキサベンゾコロネン誘導体、ベン
ゾキノン誘導体などが挙げられる。
Other skeletons of discotic liquid crystals include phthalocyanine derivatives, naphthalocyanine derivatives,
Examples include a tolcene derivative, a hexabenzocoronene derivative, and a benzoquinone derivative.

【0034】また、代表的なスメクチック液晶材料とし
ては、例えば、応用物理、第68巻、第1号、p26
(1999)に挙げられる化合物が挙げられる。
Typical smectic liquid crystal materials include, for example, Applied Physics, Vol. 68, No. 1, p.
(1999).

【0035】本発明の有機EL素子の製造方法において
は、第1の基板1上に第1の電極2を形成し、第2の基
板3上に第2の電極4と有機化合物層5とを形成する。
次いで、第1の電極2上或いは有機化合物層5上に液晶
化合物層6を形成する。液晶化合物層6の形成方法とし
ては、スピンコート法や蒸着法が挙げられる。液晶化合
物は高温で等方性の液体相となり、徐冷等の手段により
容易に配向させることができるため、上記液晶化合物層
を加熱し、液体相となった状態で他方の基板を重ね、冷
却することで容易に液晶化合物層6によって第1の電極
2と有機化合物層5とが接合される。
In the method of manufacturing an organic EL device according to the present invention, a first electrode 2 is formed on a first substrate 1, and a second electrode 4 and an organic compound layer 5 are formed on a second substrate 3. Form.
Next, a liquid crystal compound layer 6 is formed on the first electrode 2 or the organic compound layer 5. Examples of the method for forming the liquid crystal compound layer 6 include a spin coating method and a vapor deposition method. Since the liquid crystal compound becomes an isotropic liquid phase at a high temperature and can be easily oriented by means such as slow cooling, the liquid crystal compound layer is heated, and the other substrate is stacked in the liquid phase and cooled. By doing so, the first electrode 2 and the organic compound layer 5 are easily joined by the liquid crystal compound layer 6.

【0036】本発明の有機EL素子は、上記したように
2枚の基板を液晶化合物により接合して構成されるた
め、スイッチング素子と透明電極とを互いに異なる基板
上に作り込んで、スイッチング素子を持たない側の基板
から広い開口率で発光を取り出すことが可能となる。
Since the organic EL device of the present invention is formed by joining two substrates with a liquid crystal compound as described above, the switching device and the transparent electrode are formed on different substrates to form the switching device. Light emission can be obtained with a wide aperture ratio from the substrate not provided.

【0037】図3に、本発明の有機EL素子において、
画素毎に画素電極とスイッチング素子(本例ではTF
T:薄膜トランジスタ)を配置してアクティブマトリク
ス駆動方式とした構成例のアクティブマトリクス基板
(スイッチング素子を形成した側の基板、本例ではTF
T基板)の構成を模式的に示す。図中、21、22はT
FT、31はガラス基板、32はp−Si、a−Si等
からなる半導体層、33、34は半導体層32に適宜不
純物をドープして形成したソース及びドレイン、35は
SiOやSiNx等からなるゲート絶縁膜、36はアル
ミニウム等からなるゲート電極、37はソース電極、3
8はドレイン電極、39は絶縁層、40はパッシベーシ
ョン膜、41は画素電極である。本構成における画素電
極41が図1における第1電極2或いは第2電極4に相
当する。
FIG. 3 shows an organic EL device of the present invention.
For each pixel, a pixel electrode and a switching element (TF in this example)
T: an active matrix substrate (a substrate on which a switching element is formed, TF in this example) having a configuration in which an active matrix driving method is provided by arranging thin film transistors.
T substrate) is schematically shown. In the figure, 21 and 22 are T
FT, 31 is a glass substrate, 32 is a semiconductor layer made of p-Si, a-Si or the like, 33 and 34 are sources and drains formed by appropriately doping the semiconductor layer 32 with impurities, and 35 is made of SiO or SiN x. A gate electrode 36 made of aluminum or the like; 37 a source electrode;
8 is a drain electrode, 39 is an insulating layer, 40 is a passivation film, and 41 is a pixel electrode. The pixel electrode 41 in this configuration corresponds to the first electrode 2 or the second electrode 4 in FIG.

【0038】図4に、本構成の1画素の等価回路を示
す。図中、45は走査信号線、46は情報信号線であ
り、2次元配置した画素の行毎に共通にTFT21のゲ
ート電極36が走査信号線45に接続され、列毎に共通
にTFT21のソース電極37が情報信号線46に接続
され、マトリクス配線が構成されている。
FIG. 4 shows an equivalent circuit of one pixel having this configuration. In the figure, 45 is a scanning signal line, 46 is an information signal line, a gate electrode 36 of the TFT 21 is commonly connected to the scanning signal line 45 for each row of two-dimensionally arranged pixels, and a source of the TFT 21 is commonly shared for each column. The electrode 37 is connected to the information signal line 46 to form a matrix wiring.

【0039】線順次駆動では、Vgがオンとなり、TF
T21がオンしてCaddにTFT21のソース33より
電荷が供給される。供給された電荷はTFT22のゲー
ト電極36の電位を変化させてCaddに応じて増幅され
た電流が次の走査が行われるまで当該画素の有機化合物
層に流れることになる。これにより、1フレーム期間
中、常に発光が得られる。
In the line-sequential driving, V g is turned on and TF
T21 is the charge from the source 33 of the TFT21 to C the add turned on is supplied. The supplied charge changes the potential of the gate electrode 36 of the TFT 22 and the current amplified according to C add flows through the organic compound layer of the pixel until the next scan is performed. As a result, light emission is always obtained during one frame period.

【0040】尚、本発明においてはスイッチング素子は
上記したTFT以外にMIM素子なども用いることがで
き、基板31を単結晶Si基板で構成することもでき
る。
In the present invention, the switching element may be an MIM element or the like in addition to the TFT described above, and the substrate 31 may be formed of a single crystal Si substrate.

【0041】[0041]

【実施例】(実施例1、比較例1)TFTを用いたアク
ティブマトリクス駆動方式の有機EL素子を作製した。
TFT基板構成 Al・Li合金(10nm)/Alq3(20nm)/
αNPD(60nm)対向基板構成 ITO(70nm)/HHOT(50nm及び500n
m)
EXAMPLES (Example 1, Comparative Example 1) An organic EL device of an active matrix drive system using a TFT was manufactured.
TFT substrate configuration Al / Li alloy (10 nm) / Alq3 (20 nm) /
αNPD (60 nm) counter substrate configuration ITO (70 nm) / HHOT (50 nm and 500 n
m)

【0042】〔TFT基板の作製〕TFT素子及び該素
子をマトリクス駆動する配線を備えた厚さ1.1mmの
ガラス基板(表面凹凸は±2nm)上に、陰極側金属電
極(画素電極)として、画素毎にAl・Li合金(L
i:1.3重量%)を膜厚10nm、真空度2.66×
10-3Paの条件下で真空蒸着法にて成膜した。
[Production of TFT Substrate] On a 1.1 mm-thick glass substrate (with surface irregularities of ± 2 nm) provided with TFT elements and wiring for driving the elements in a matrix, a metal electrode (pixel electrode) on the cathode side is formed. Al-Li alloy (L
i: 1.3% by weight) with a film thickness of 10 nm and a degree of vacuum of 2.66 ×
A film was formed by a vacuum evaporation method under a condition of 10 −3 Pa.

【0043】次に、上記金属電極上に発光層として、A
lq3を厚さ20nm、真空度2.66×10-3Paの
条件下で真空蒸着法にて成膜した。
Next, A was formed on the metal electrode as a light emitting layer.
lq3 was formed by a vacuum evaporation method under the conditions of a thickness of 20 nm and a degree of vacuum of 2.66 × 10 −3 Pa.

【0044】さらに、上記発光層上に正孔輸送層とし
て、αNPD(同仁化学社製)を厚さ60nm、真空度
2.66×10-3Paの条件下で真空蒸着法にて成膜し
た。
Further, αNPD (manufactured by Dojindo Co.) was formed as a hole transport layer on the above-mentioned light emitting layer by vacuum evaporation under the conditions of a thickness of 60 nm and a degree of vacuum of 2.66 × 10 −3 Pa. .

【0045】〔対向基板の作製〕厚さ1.1mmのガラ
ス基板上に陽極側透明電極として厚さ約70nmのIT
O膜をスパッタ法にて形成した。
[Preparation of Counter Substrate] An about 70 nm thick IT was formed on a 1.1 mm thick glass substrate as a transparent electrode on the anode side.
An O film was formed by a sputtering method.

【0046】上記透明電極上に、 (a)HHOT(ヘキサキスヘキシロキシトリフェニレ
ン)を厚さ500nm或いは50nm、真空度2.66
×10-3Paの条件下で真空蒸着法にて成膜した。 (b)HHOTをクロロホルム溶液としてスピンコート
法を用いて厚さ50nmとなるように調製し、100℃
で乾燥した。
On the transparent electrode, (a) HHOT (hexakishexyloxytriphenylene) was deposited at a thickness of 500 nm or 50 nm and a degree of vacuum of 2.66.
Films were formed by vacuum evaporation under the conditions of × 10 -3 Pa. (B) Prepare HHOT as a chloroform solution to a thickness of 50 nm using a spin coating method,
And dried.

【0047】HHOTの構造及び相転移系列を下記に示
す。
The structure and the phase transition series of HHOT are shown below.

【0048】[0048]

【化3】 Embedded image

【0049】Cry.:結晶相 Dhd:ディスコティック・ヘキサゴナル・ディスオーダ
ード相 Iso.:等方性液体相
Cry. : Crystal phase D hd : Discotic hexagonal disordered phase Iso. : Isotropic liquid phase

【0050】〔素子の作製〕上記対向基板の表示領域の
外側にシール材を塗布し、該対向基板のみHHOTが液
体相となる温度まで加熱し、減圧下でTFT基板のαN
PD層と密着させた。さらに、UV光によりシール材を
硬化させて実施例1の素子を得た。
[Production of Element] A sealing material is applied to the outside of the display area of the above-mentioned counter substrate, and only the counter substrate is heated to a temperature at which HHOT becomes a liquid phase.
It was brought into close contact with the PD layer. Further, the sealing material was cured by UV light to obtain a device of Example 1.

【0051】HHOT層を形成しない以外は上記実施例
1と同様にして比較例1の素子を作製した。
A device of Comparative Example 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the HHOT layer was not formed.

【0052】上記実施例1、比較例1で得られた素子に
周辺駆動回路を接続し、ソース電位を9〜12Vに設定
してマトリクス駆動し、その特性を評価した。結果を下
記表1に示す。
A peripheral drive circuit was connected to the elements obtained in Example 1 and Comparative Example 1, and a matrix drive was performed with the source potential set at 9 to 12 V, and the characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1 below.

【0053】[0053]

【表1】 [Table 1]

【0054】実施例1の素子において、HHOT層は温
度を65℃に設定することで、トリフェニレン面に垂直
方向に定義されるダイレクタが電極面に垂直な方向に配
向していることが確認された(偏光顕微鏡クロスニコル
下でステージを回転させても暗視野となることから)。
室温ではこのような配向は見られなかった。また、比較
例1の素子は発光が得られなかった。
In the device of Example 1, by setting the temperature of the HHOT layer to 65 ° C., it was confirmed that the director defined in the direction perpendicular to the triphenylene plane was oriented in the direction perpendicular to the electrode surface. (Because even if the stage is rotated under crossed Nicols with a polarizing microscope, a dark field is obtained).
No such orientation was observed at room temperature. The device of Comparative Example 1 did not emit light.

【0055】(実施例2)液晶化合物として、HHOT
の代わりにHHTT(ヘキサヘキシルチオトリフェニレ
ン)を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子
を作製した。HHTTの構造及び相転移系列を以下に示
す。
Example 2 As a liquid crystal compound, HHOT was used.
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that HHTT (hexahexylthiotriphenylene) was used instead of. The structure and phase transition series of HHTT are shown below.

【0056】[0056]

【化4】 Embedded image

【0057】得られた有機EL素子は、実施例1と同様
に対向基板側から良好な発光を得ることができた。ま
た、HHTTが液晶相となる温度まで加熱すると、輝度
が上昇した。さらに、HHTTを用いない以外は同じ構
成の有機EL素子を同じ工程で作製したが、当該素子は
発光が見られなかった。
In the obtained organic EL device, good light emission could be obtained from the counter substrate side as in Example 1. When the HHTT was heated to a temperature at which the liquid crystal phase was formed, the luminance increased. Further, an organic EL device having the same configuration except that HHTT was not used was produced in the same process, but no light emission was observed from the device.

【0058】(実施例3)対向基板において、HHOT
層の代わりにHHOT−NH2を500mg、メタノー
ル中に溶解し、FeCl3を0.5mg添加して完全に
溶解させた。これを減圧下で溶媒を除去し、クロロホル
ムに溶解してITO電極上に厚さ50nmとなるように
スピン塗布した以外は、実施例1と同様にして有機EL
素子を得た。
(Embodiment 3) In a counter substrate, HHOT
Instead of the layer, 500 mg of HHOT-NH 2 was dissolved in methanol, and 0.5 mg of FeCl 3 was added to completely dissolve it. The organic EL was removed in the same manner as in Example 1 except that the solvent was removed under reduced pressure, dissolved in chloroform, and spin-coated on the ITO electrode to a thickness of 50 nm.
An element was obtained.

【0059】上記、HHOT−NH2の構造、及び上記
HHOT−NH2(0.1重量%FeCl3)の相転移系
列を以下に示す。
[0059] The above illustrates the structure of HHOT-NH 2, and the HHOT-NH 2 a phase transition series (0.1 wt% FeCl 3) below.

【0060】[0060]

【化5】 Embedded image

【0061】得られた有機EL素子は、実施例1と同様
に対向基板側から良好な発光を得ることができた。ま
た、HHOT−NH2が液晶相となる温度まで加熱する
と、輝度が上昇した。さらに、液晶化合物層を用いない
以外は同じ構成の有機EL素子を同じ工程で作製した
が、当該素子は発光が見られなかった。
In the obtained organic EL device, good light emission could be obtained from the counter substrate side in the same manner as in Example 1. When HHOT-NH 2 was heated to a temperature at which the liquid crystal phase became a liquid crystal phase, the luminance increased. Further, an organic EL device having the same configuration except that no liquid crystal compound layer was used was produced in the same process, but no light emission was observed from the device.

【0062】(実施例4) TFT基板構成 Al・Li合金(10nm)/QQ−77a(50n
m) 対向基板構成 ITO(70nm)/Alq3(20nm)/αNPD
(60nm)
(Example 4) TFT substrate structure Al / Li alloy (10 nm) / QQ-77a (50 n
m) Counter substrate configuration ITO (70 nm) / Alq3 (20 nm) / αNPD
(60 nm)

【0063】実施例1の対向基板の作製工程と同様にし
て、ガラス基板上にITO電極を形成し、その上に、実
施例1のTFT基板の作製工程と同様にして、厚さ20
nmのAlq3と、厚さ60nmのαNPDを順次積層
して対向基板を作製した。また、実施例1のTFT基板
の作製工程と同様にして、ガラス基板上にAl・Li合
金電極を形成し、その上に、QQ−77aからなる厚さ
50nmの液晶化合物層を真空蒸着法により形成した。
後の工程は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
QQ−77aの構造及び相転移系列を以下に示す。
An ITO electrode was formed on a glass substrate in the same manner as in the step of fabricating the opposing substrate in Example 1, and a thickness of 20 mm was formed thereon in the same manner as in the step of fabricating the TFT substrate in Example 1.
An Alq3 having a thickness of 60 nm and an αNPD having a thickness of 60 nm were sequentially laminated to produce a counter substrate. Further, in the same manner as in the manufacturing process of the TFT substrate in Example 1, an Al / Li alloy electrode was formed on a glass substrate, and a 50 nm thick liquid crystal compound layer made of QQ-77a was formed thereon by vacuum evaporation. Formed.
The subsequent steps were the same as in Example 1 to obtain an organic EL device.
The structure and phase transition series of QQ-77a are shown below.

【0064】[0064]

【化6】 Embedded image

【0065】SmX:スメクチック相ではあるが、詳細
な構造は不明。 N:ネマチック相
SmX: Smectic phase, but detailed structure is unknown. N: Nematic phase

【0066】得られた有機EL素子は、実施例1と同様
に対向基板側から良好な発光を得ることができた。ま
た、QQ−77aが液晶相となる温度まで加熱すると、
輝度が上昇した。さらに、QQ−77aを用いない以外
は同じ構成の有機EL素子を同じ工程で作製したが、当
該素子は発光が見られなかった。
In the obtained organic EL device, good light emission could be obtained from the counter substrate side as in Example 1. When QQ-77a is heated to a temperature at which it becomes a liquid crystal phase,
Brightness increased. Further, an organic EL device having the same structure was produced in the same process except that QQ-77a was not used, but no light emission was observed from the device.

【0067】(実施例5)ガラス基板に代えてPET
(ポリエチレンテレフタレート)基板を用い、一方には
イオン・ビーム・スパッタリング法を用いて室温でIn
23を厚さ20nmになるように蒸着して電極を形成
し、実施例1のTFT基板の作製工程と同様に、該電極
上に厚さ20nmのAlq3層と厚さ60nmのαNP
D層を積層した。もう一方のPET基板には、エレクト
ロン・ビーム蒸着法を用いて厚さ20nmのITO膜を
蒸着して電極を形成し、実施例1の対向基板の作製工程
と同様に、厚さ50nmのHHOT層を形成した。後の
工程は実施例1と同様にして有機EL素子を得た。
(Example 5) PET instead of a glass substrate
(Polyethylene terephthalate) substrate, one of which is formed by ion beam sputtering at room temperature.
An electrode is formed by evaporating 2 O 3 to a thickness of 20 nm, and an Alq3 layer having a thickness of 20 nm and an αNP having a thickness of 60 nm are formed on the electrode in the same manner as in the manufacturing process of the TFT substrate in Example 1.
D layer was laminated. On the other PET substrate, an electrode was formed by depositing a 20 nm thick ITO film using an electron beam evaporation method, and a 50 nm thick HHOT layer was formed in the same manner as in the process of manufacturing the counter substrate of Example 1. Was formed. The subsequent steps were the same as in Example 1 to obtain an organic EL device.

【0068】得られた有機EL素子は12Vの電圧印加
により透明なシート中に良好な発光を得ることができ
た。また、HHOTが液晶相となる温度まで加熱する
と、輝度が上昇した。さらに、HHOTを用いない以外
は同じ構成の有機EL素子を同じ工程で作製したが、当
該素子は発光が見られなかった。
With the obtained organic EL device, good light emission could be obtained in a transparent sheet by applying a voltage of 12 V. Further, when the HHOT was heated to a temperature at which the liquid crystal phase became a liquid crystal phase, the luminance increased. Further, an organic EL device having the same configuration as that of the device except that HHOT was not used was produced in the same process, but no light emission was observed from the device.

【0069】(実施例6)In23の代わりに、SnO
2をエレクトロン・ビーム法により室温で厚さ20nm
になるように蒸着した以外は、実施例5と同様にして有
機EL素子を得た。
Example 6 Instead of In 2 O 3 , SnO was used.
2 by electron beam method at room temperature with a thickness of 20 nm
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 5, except that evaporation was performed so as to be as follows.

【0070】得られた有機EL素子は12Vの電圧印加
により透明なシート中に良好な発光を得ることができ
た。また、HHOTが液晶相となる温度まで加熱する
と、輝度が上昇した。さらに、HHOTを用いない以外
は同じ構成の有機EL素子を同じ工程で作製したが、当
該素子は発光が見られなかった。
The obtained organic EL device was able to obtain good light emission in a transparent sheet by applying a voltage of 12 V. Further, when the HHOT was heated to a temperature at which the liquid crystal phase became a liquid crystal phase, the luminance increased. Further, an organic EL device having the same configuration as that of the device except that HHOT was not used was produced in the same process, but no light emission was observed from the device.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶化合物を用いて有機化合物層と電極とを接合するこ
とから、従来実施できなかった、有機化合物層の上に高
温プロセスで透明電極を形成するような構成の有機EL
素子も、有機化合物層を高温下に曝すことなく簡易な工
程で作製することができ、設計の自由度が向上する。よ
って、スイッチング素子を備えた有機EL素子におい
て、スイッチング素子を持たない対向基板側から発光を
取り出すことによって、高開口率で高輝度の有機EL素
子を提供することが可能となる。また、プラスチック基
板を用い、透明性の高いペーパーディスプレイを提供す
ることも可能となる。
As described above, according to the present invention,
Since an organic compound layer and an electrode are joined by using a liquid crystal compound, an organic EL having a configuration in which a transparent electrode is formed by a high-temperature process on the organic compound layer, which has not been conventionally implemented,
The element can also be manufactured by a simple process without exposing the organic compound layer to a high temperature, and the degree of freedom in design is improved. Therefore, in the organic EL element having the switching element, by extracting light emission from the counter substrate side having no switching element, an organic EL element having a high aperture ratio and high luminance can be provided. In addition, a highly transparent paper display using a plastic substrate can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の有機EL素子の基本構成を示す断面模
式図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a basic configuration of an organic EL device of the present invention.

【図2】一般的な有機EL素子の構成を示す断面模式図
である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a general organic EL element.

【図3】本発明の有機EL素子の一実施形態のTFT基
板の構成を示す断面模式図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a TFT substrate according to an embodiment of the organic EL element of the present invention.

【図4】図3に示した実施形態の1画素の等価回路であ
る。
4 is an equivalent circuit of one pixel of the embodiment shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、3 基板 2、4 電極 5 有機化合物層 6 液晶化合物層 11 金属電極 12 発光層 13 正孔輸送層 14 透明電極 15 電子輸送層 21、22 TFT 31 ガラス基板 32 半導体層 33 ソース 34 ドレイン 35 ゲート絶縁膜 36 ゲート電極 37 ソース電極 38 ドレイン電極 39 絶縁層 40 パッシベーション膜 41 画素電極 45 走査信号線 46 情報信号線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 3 Substrate 2, 4 Electrode 5 Organic compound layer 6 Liquid crystal compound layer 11 Metal electrode 12 Light emitting layer 13 Hole transport layer 14 Transparent electrode 15 Electron transport layer 21, 22 TFT 31 Glass substrate 32 Semiconductor layer 33 Source 34 Drain 35 Gate Insulating film 36 Gate electrode 37 Source electrode 38 Drain electrode 39 Insulating layer 40 Passivation film 41 Pixel electrode 45 Scan signal line 46 Information signal line

フロントページの続き (72)発明者 坪山 明 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 滝口 隆雄 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 森山 孝志 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鎌谷 淳 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA44Z 3K007 AB03 BA06 CA01 CA03 CB01 DA02 DA05 EB00 FA01 FA03Continued on the front page (72) Inventor Akira Tsuboyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Takao Takiguchi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Takashi Moriyama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Jun Kamiya 3-30-2, Shimomaruko 3-chome, Ota-ku, Tokyo F-term (reference) 2H091 FA44Z 3K007 AB03 BA06 CA01 CA03 CB01 DA02 DA05 EB00 FA01 FA03

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の基板上に第1の電極を形成し、第
2の基板上に第2の電極と有機化合物層を順次形成し、
上記第1の電極或いは有機化合物層上に液晶化合物層を
形成し、該液晶化合物層を加熱して液体相とし、該液晶
化合物層を挟んで上記第1の電極と有機化合物層とを対
向配置させ、冷却して、上記第1の電極と有機化合物層
とを液晶化合物層を介して接合することを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
A first electrode is formed on a first substrate, a second electrode and an organic compound layer are sequentially formed on a second substrate,
A liquid crystal compound layer is formed on the first electrode or the organic compound layer, the liquid crystal compound layer is heated to a liquid phase, and the first electrode and the organic compound layer are opposed to each other with the liquid crystal compound layer interposed therebetween. Cooling, and joining the first electrode and the organic compound layer via a liquid crystal compound layer.
【請求項2】 第1の電極を備えた第1の基板と、該第
1の基板の第1の電極側に対向配置し、該第1の電極側
に第2の電極と有機化合物層とを順次積層してなる第2
の基板と、上記第1の電極と有機化合物層とを接合した
液晶化合物層とを少なくとも備えたことを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子。
2. A first substrate provided with a first electrode, and a first substrate is disposed to face the first electrode side of the first substrate, and a second electrode and an organic compound layer are provided on the first electrode side. A second layer of
An organic electroluminescence device comprising at least a substrate of (1) and a liquid crystal compound layer obtained by bonding the first electrode and an organic compound layer.
【請求項3】 上記有機化合物層が導電性有機化合物か
らなる請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
3. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the organic compound layer is made of a conductive organic compound.
【請求項4】 上記有機化合物層が真空蒸着法により成
膜された請求項2または3に記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
4. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the organic compound layer is formed by a vacuum deposition method.
【請求項5】 第1の基板または第2の基板上にスイッ
チング素子を備えた請求項2〜4のいずれかに記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。
5. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein a switching device is provided on the first substrate or the second substrate.
【請求項6】 スイッチング素子を備えていない側の基
板より発光を取り出す請求項5に記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
6. The organic electroluminescent device according to claim 5, wherein light is extracted from the substrate on which the switching device is not provided.
【請求項7】 第1の電極及び第2の電極が透明電極で
ある請求項2〜6のいずれかに記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
7. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the first electrode and the second electrode are transparent electrodes.
【請求項8】 第1の基板及び第2の基板の少なくとも
一方がプラスチック基板である請求項2〜7のいずれか
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is a plastic substrate.
【請求項9】 液晶化合物がディスコティック液晶であ
る請求項2〜8のいずれかに記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子。
9. The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the liquid crystal compound is a discotic liquid crystal.
【請求項10】 液晶化合物がスメクチック液晶である
請求項2〜8のいずれかに記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
10. The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the liquid crystal compound is a smectic liquid crystal.
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