JP2002169041A - 光導波路の伝搬損調節方法 - Google Patents
光導波路の伝搬損調節方法Info
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- JP2002169041A JP2002169041A JP2000369964A JP2000369964A JP2002169041A JP 2002169041 A JP2002169041 A JP 2002169041A JP 2000369964 A JP2000369964 A JP 2000369964A JP 2000369964 A JP2000369964 A JP 2000369964A JP 2002169041 A JP2002169041 A JP 2002169041A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＡＷＧ型あるいはＭＺＩ型等の光合分波器にお
ける光導波路の伝搬損を効果的に所定の水準に調節する
ことのできる光導波路の伝搬損調節方法を提供する。 【 解決手段】複数の導波路１４1 、１４2 ・・・１４
ｎを所定長ずつ長さを変えて配列したアレイ導波路１４
と、アレイ導波路１４の両端にスラブ導波路１５および
１６を介して配列された複数および単一の入出力チャネ
ル導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎおよび１３を基板
１１上に形成して構成されるＡＷＧ型光合分波器におい
て、複数の入出力チャネル導波路１２1 、１２2 ・・・
１２ｎのそれぞれにＣＯ 2レーザ７を照射することによ
ってこれらの伝搬損を増加させ、各入出力チャネル導波
路１２1 、１２2 ・・・１２ｎ間の伝搬損が均質となる
ように所定の水準に調節する。
ける光導波路の伝搬損を効果的に所定の水準に調節する
ことのできる光導波路の伝搬損調節方法を提供する。 【 解決手段】複数の導波路１４1 、１４2 ・・・１４
ｎを所定長ずつ長さを変えて配列したアレイ導波路１４
と、アレイ導波路１４の両端にスラブ導波路１５および
１６を介して配列された複数および単一の入出力チャネ
ル導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎおよび１３を基板
１１上に形成して構成されるＡＷＧ型光合分波器におい
て、複数の入出力チャネル導波路１２1 、１２2 ・・・
１２ｎのそれぞれにＣＯ 2レーザ７を照射することによ
ってこれらの伝搬損を増加させ、各入出力チャネル導波
路１２1 、１２2 ・・・１２ｎ間の伝搬損が均質となる
ように所定の水準に調節する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路の伝搬損
調節方法に関し、特に、ＡＷＧ（ＡｒｒａｙｅｄＷａｖ
ｅｇｕｉｄｅ Ｇｒａｉｔｉｎｇ）型光合分波器、ＭＺ
Ｉ（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍ
ｅｔｅｒ）型光合分波器あるいは光スプリッタ等におけ
る光導波路の伝搬損を所定の水準に調整することのでき
る光導波路の伝搬損調節方法に関する。
調節方法に関し、特に、ＡＷＧ（ＡｒｒａｙｅｄＷａｖ
ｅｇｕｉｄｅ Ｇｒａｉｔｉｎｇ）型光合分波器、ＭＺ
Ｉ（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍ
ｅｔｅｒ）型光合分波器あるいは光スプリッタ等におけ
る光導波路の伝搬損を所定の水準に調整することのでき
る光導波路の伝搬損調節方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信の分野においては、複数の信号を
波長の異なる複数の光にのせて一つの光ファイバにより
伝送し、これによって情報量を増加させた高密度波長多
重通信方式が採用されており、この方式においては、光
を合分波するための光合分波器が不可欠の要素技術とな
りつつある。具体的には、ＡＷＧ型あるいはＭＺＩ型等
の光合分波器が重要部品として開発され、これらによっ
て多重通信方式の有用性は大きく向上している。
波長の異なる複数の光にのせて一つの光ファイバにより
伝送し、これによって情報量を増加させた高密度波長多
重通信方式が採用されており、この方式においては、光
を合分波するための光合分波器が不可欠の要素技術とな
りつつある。具体的には、ＡＷＧ型あるいはＭＺＩ型等
の光合分波器が重要部品として開発され、これらによっ
て多重通信方式の有用性は大きく向上している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこれら
の光合分波器によると、光導波路における光の振幅の制
御、換言すれば光導波路の伝搬損を調節する方法におい
て有効な手段がないため、実用性の面で問題を有してい
る。たとえば、ＡＷＧ型光合分波器を例にとると、その
チャネル導波路間の損失のばらつきは、原理的にもある
いは製作上の誤差によっても避けることは難しく、一
方、ＭＺＩ型光合分波器にしても、製作上の光導波路の
誤差が原因となってクロストーク特性の低下が避けられ
ない現状にある。
の光合分波器によると、光導波路における光の振幅の制
御、換言すれば光導波路の伝搬損を調節する方法におい
て有効な手段がないため、実用性の面で問題を有してい
る。たとえば、ＡＷＧ型光合分波器を例にとると、その
チャネル導波路間の損失のばらつきは、原理的にもある
いは製作上の誤差によっても避けることは難しく、一
方、ＭＺＩ型光合分波器にしても、製作上の光導波路の
誤差が原因となってクロストーク特性の低下が避けられ
ない現状にある。
【０００４】従って、本発明の目的は、ＡＷＧ型あるい
はＭＺＩ型等の光合分波器における光導波路の伝搬損を
効果的に所定の水準に調節することのできる光導波路の
伝搬損調節方法を提供することにある。
はＭＺＩ型等の光合分波器における光導波路の伝搬損を
効果的に所定の水準に調節することのできる光導波路の
伝搬損調節方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、基板上に形成した光導波路の伝搬損を所
定の水準に調節する光導波路の伝搬損調節方法におい
て、光導波路にレーザを照射して前記光導波路の伝搬損
を増加させることによって前記光導波路の伝搬損を調節
することを特徴とする光導波路の伝搬損調節方法を提供
するものである。
達成するため、基板上に形成した光導波路の伝搬損を所
定の水準に調節する光導波路の伝搬損調節方法におい
て、光導波路にレーザを照射して前記光導波路の伝搬損
を増加させることによって前記光導波路の伝搬損を調節
することを特徴とする光導波路の伝搬損調節方法を提供
するものである。
【０００６】本発明によって光導波路の伝搬損を調節さ
れるデバイスとしては、ＡＷＧ型光合分波器、ＭＺＩ型
光合分波器あるいは光スプリッタ等が挙げられ、ＡＷＧ
型光合分波器の場合には、その複数の入出力チャネル導
波路が、ＭＺＩ型光合分波器の場合には、一対の光導波
路の一方の側における方向性結合器と隣接した部分が、
そして、光スプリッタの場合には、その複数の入出力チ
ャネル導波路がレーザ照射対象の光導波路となる。な
お、レーザとしては、ＣＯ2 レーザが多くの場合に使用
される。
れるデバイスとしては、ＡＷＧ型光合分波器、ＭＺＩ型
光合分波器あるいは光スプリッタ等が挙げられ、ＡＷＧ
型光合分波器の場合には、その複数の入出力チャネル導
波路が、ＭＺＩ型光合分波器の場合には、一対の光導波
路の一方の側における方向性結合器と隣接した部分が、
そして、光スプリッタの場合には、その複数の入出力チ
ャネル導波路がレーザ照射対象の光導波路となる。な
お、レーザとしては、ＣＯ2 レーザが多くの場合に使用
される。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明による光導波路の伝
搬損調節方法の実施の形態を説明する。図１は、本発明
による伝搬損調節方法の概念図を示す。入力光ファイバ
１を伝搬し、一方のファイバアレイブロック２を経て入
射した光は、平面回路基板３上に形成された光導波路４
を伝搬し、他方のファイバアレイブロック５を経て出力
ファイバ６より出射する。この系全体では、系固有の挿
入損失が観測されるが、この損失が、ＣＯ2 レーザ等の
レーザ照射によって変化することが見出されたものであ
る。
搬損調節方法の実施の形態を説明する。図１は、本発明
による伝搬損調節方法の概念図を示す。入力光ファイバ
１を伝搬し、一方のファイバアレイブロック２を経て入
射した光は、平面回路基板３上に形成された光導波路４
を伝搬し、他方のファイバアレイブロック５を経て出力
ファイバ６より出射する。この系全体では、系固有の挿
入損失が観測されるが、この損失が、ＣＯ2 レーザ等の
レーザ照射によって変化することが見出されたものであ
る。
【０００８】即ち、平面回路基板３上の光導波路４にＣ
Ｏ2 レーザ７を照射すると、伝搬モード形状に変化が生
じ、この変化によって伝搬損が増加する。このモードの
変化は、レーザの出力、照射時間および照射回数等によ
って決まる照射量により自在に調節することが可能であ
り、しかも、無段階に変化させることができるととも
に、再現性に優れ、その上、高精度のもとに調節できる
ことが見出されたもので、本発明は、以上の発見に基づ
いて成立している。以下に、実際のデバイスへの適用例
を示す。
Ｏ2 レーザ７を照射すると、伝搬モード形状に変化が生
じ、この変化によって伝搬損が増加する。このモードの
変化は、レーザの出力、照射時間および照射回数等によ
って決まる照射量により自在に調節することが可能であ
り、しかも、無段階に変化させることができるととも
に、再現性に優れ、その上、高精度のもとに調節できる
ことが見出されたもので、本発明は、以上の発見に基づ
いて成立している。以下に、実際のデバイスへの適用例
を示す。
【０００９】図２は、ＡＷＧ型光合分波器の構成例であ
る。１１は基板、１２1 、１２2 ・・・１２ｎは基板１
１の一端の側に形成された複数の入出力チャネル導波
路、１３は基板１１の他端の側に形成された単一の入出
力チャネル導波路、１４は基板１１のほぼ中央に形成さ
れたアレイ導波路を示し、導波路１４1 、１４2 ・・・
１４ｎのそれぞれの長さを所定長ずつ変えて配列して構
成されている。１５および１６は、入出力チャネル導波
路１２1 、１２2 ・・・１２ｎとアレイ導波路１４の
間、および入出力チャネル導波路１３とアレイ導波路１
４の間にそれぞれ配置されたスラブ導波路を示す。
る。１１は基板、１２1 、１２2 ・・・１２ｎは基板１
１の一端の側に形成された複数の入出力チャネル導波
路、１３は基板１１の他端の側に形成された単一の入出
力チャネル導波路、１４は基板１１のほぼ中央に形成さ
れたアレイ導波路を示し、導波路１４1 、１４2 ・・・
１４ｎのそれぞれの長さを所定長ずつ変えて配列して構
成されている。１５および１６は、入出力チャネル導波
路１２1 、１２2 ・・・１２ｎとアレイ導波路１４の
間、および入出力チャネル導波路１３とアレイ導波路１
４の間にそれぞれ配置されたスラブ導波路を示す。
【００１０】この光合分波器においては、入出力チャネ
ル導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎより入射した異な
る波長λ1 、λ2 ・・・λｎの光が、スラブ導波路１
５、アレイ導波路１４およびスラブ導波路１６を経由し
て多重波長光λとなって入出力チャネル導波路１３より
出射するか、あるいはこれとは逆に、入出力チャネル導
波路１３より入射した多重波長光λが、入出力チャネル
導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎより分波された波長
光λ1 、λ2 ・・・λｎとなって出射するように構成さ
れている。
ル導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎより入射した異な
る波長λ1 、λ2 ・・・λｎの光が、スラブ導波路１
５、アレイ導波路１４およびスラブ導波路１６を経由し
て多重波長光λとなって入出力チャネル導波路１３より
出射するか、あるいはこれとは逆に、入出力チャネル導
波路１３より入射した多重波長光λが、入出力チャネル
導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎより分波された波長
光λ1 、λ2 ・・・λｎとなって出射するように構成さ
れている。
【００１１】図３の（ａ）は、以上の構成のＡＷＧ型光
合分波器におけるＣＯ2 レーザ照射前後の伝搬損（最低
過剰損）の変化を示したものである。ＣＯ2 レーザは、
入出力チャネル導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎに対
してそれぞれ照射量を調整されて照射された。なお、図
において、◇はレーザ照射前における各波長λ1 、λ2
・・・λｎの伝搬損を示し、□は照射後における各波長
の伝搬損を示す。
合分波器におけるＣＯ2 レーザ照射前後の伝搬損（最低
過剰損）の変化を示したものである。ＣＯ2 レーザは、
入出力チャネル導波路１２1 、１２2 ・・・１２ｎに対
してそれぞれ照射量を調整されて照射された。なお、図
において、◇はレーザ照射前における各波長λ1 、λ2
・・・λｎの伝搬損を示し、□は照射後における各波長
の伝搬損を示す。
【００１２】この図によれば、レーザ照射前の伝搬損
が、波長λ1 、λ2 ・・・λｎ間において大きくばらつ
いているのに比べ、照射後の伝搬損は、ほぼ一定してい
ることが認められる。最低値が１．１ｄＢ増加させられ
ることで、全体の伝搬損がばらつきなく調節されて均質
化されており、その損失偏差は、０．０２ｄＢ以下もの
高水準に改善されている。本発明の効果が顕著に現れて
いる。図３の（ｂ）は、調節結果を示し、波長λ1 、λ
2 ・・・λｎの通過特性は均一化されている。
が、波長λ1 、λ2 ・・・λｎ間において大きくばらつ
いているのに比べ、照射後の伝搬損は、ほぼ一定してい
ることが認められる。最低値が１．１ｄＢ増加させられ
ることで、全体の伝搬損がばらつきなく調節されて均質
化されており、その損失偏差は、０．０２ｄＢ以下もの
高水準に改善されている。本発明の効果が顕著に現れて
いる。図３の（ｂ）は、調節結果を示し、波長λ1 、λ
2 ・・・λｎの通過特性は均一化されている。
【００１３】図４は、ＭＺＩ型光合分波器の構成例を示
す。石英の基板２１の両端にそれぞれ入出力ポート２
２、２３および２４、２５を形成し、これらの間の基板
２１上の所定の位置にＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ Ｉ
ｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）型光カップラＣ1 、Ｃ2 およ
び方向性結合器Ｃ3 、Ｃ4 を介して光導波路単位２６
ａ、２６ｂ、２６ｃ、および２７ａ、２７ｂ、２７ｃの
各組み合わせから構成される一対の光導波路２６および
２７を配列し、さらに、光導波路単位２６ａ、２７ｂお
よび２６ｃにそれぞれ位相差付与部２８ａ、２８ｂおよ
び２８ｃを形成して構成されている。光は、入出力ポー
ト２４より入射し、入出力ポート２２および２３より出
射される。
す。石英の基板２１の両端にそれぞれ入出力ポート２
２、２３および２４、２５を形成し、これらの間の基板
２１上の所定の位置にＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ Ｉ
ｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）型光カップラＣ1 、Ｃ2 およ
び方向性結合器Ｃ3 、Ｃ4 を介して光導波路単位２６
ａ、２６ｂ、２６ｃ、および２７ａ、２７ｂ、２７ｃの
各組み合わせから構成される一対の光導波路２６および
２７を配列し、さらに、光導波路単位２６ａ、２７ｂお
よび２６ｃにそれぞれ位相差付与部２８ａ、２８ｂおよ
び２８ｃを形成して構成されている。光は、入出力ポー
ト２４より入射し、入出力ポート２２および２３より出
射される。
【００１４】図５は、以上の構成のＭＺＩ型光合分波器
の伝搬損特性を示したものである。位相差付与部２８
ａ、２８ｂおよび２８ｃは、プロセス偏差の影響を最も
受けやすく、従って、これらの部分は、トリミングによ
って調整されることになるが、プロセス偏差の影響を次
に受けやすい方向性結合器Ｃ3 およびＣ4 の結合率に関
しては、調整は不可能であるとされている。
の伝搬損特性を示したものである。位相差付与部２８
ａ、２８ｂおよび２８ｃは、プロセス偏差の影響を最も
受けやすく、従って、これらの部分は、トリミングによ
って調整されることになるが、プロセス偏差の影響を次
に受けやすい方向性結合器Ｃ3 およびＣ4 の結合率に関
しては、調整は不可能であるとされている。
【００１５】たとえば、この光合分波器において、方向
性結合器Ｃ3 およびＣ4 における結合率の設計値を２．
５％に設定して合分波器の製作を行い、これがプロセス
偏差によって４．０％にずれたとすると、阻止域におけ
る伝搬損は、設計値の結合率のときに想定されたＡの水
準（実線）からＢの水準（点線）にまで減少してしま
い、その分、クロストーク特性が劣化することになる。
既述のように、結合率は、これを調整する手段がないた
め、このようなプロセス偏差による結合率のずれ発生
は、ＭＺＩ型光合分波器の生産性を大きく低下させるこ
とになる。
性結合器Ｃ3 およびＣ4 における結合率の設計値を２．
５％に設定して合分波器の製作を行い、これがプロセス
偏差によって４．０％にずれたとすると、阻止域におけ
る伝搬損は、設計値の結合率のときに想定されたＡの水
準（実線）からＢの水準（点線）にまで減少してしま
い、その分、クロストーク特性が劣化することになる。
既述のように、結合率は、これを調整する手段がないた
め、このようなプロセス偏差による結合率のずれ発生
は、ＭＺＩ型光合分波器の生産性を大きく低下させるこ
とになる。
【００１６】図６は、図５のように方向性結合器Ｃ3 お
よびＣ4 に結合率のずれが生じたＭＺＩ型光合分波器に
対して本発明の方法を適用したときの伝搬損特性を示し
たものである。方向性結合器Ｃ3 およびＣ4 の結合率が
４．０％であることによって１７．４９ｄＢであった阻
止域における伝搬損は、光導波路２６の側の方向性結合
器Ｃ3 およびＣ4 と隣接した部分である光導波路単位２
６ｂおよび２６ｃへのＣＯ2 レーザ７の照射によって２
４．５０ｄＢにまで増加している。
よびＣ4 に結合率のずれが生じたＭＺＩ型光合分波器に
対して本発明の方法を適用したときの伝搬損特性を示し
たものである。方向性結合器Ｃ3 およびＣ4 の結合率が
４．０％であることによって１７．４９ｄＢであった阻
止域における伝搬損は、光導波路２６の側の方向性結合
器Ｃ3 およびＣ4 と隣接した部分である光導波路単位２
６ｂおよび２６ｃへのＣＯ2 レーザ７の照射によって２
４．５０ｄＢにまで増加している。
【００１７】これは、ＣＯ2 レーザ７を照射することに
よって光導波路単位２６ｃおよび２６ｂを経由する光の
伝搬損を増加させ、これにより大部分の光パワーを光導
波路単位２７ｃおよび２７ｂの側を伝搬させるととも
に、方向性結合器Ｃ3 およびＣ4 の見かけ上の結合率
を低くすることによって惹起される現象であり、この現
象の結果、伝搬損は、レーザの照射量に応じた所定の水
準にまで上昇することになり、クロストーク特性の劣化
は改善されることになる。
よって光導波路単位２６ｃおよび２６ｂを経由する光の
伝搬損を増加させ、これにより大部分の光パワーを光導
波路単位２７ｃおよび２７ｂの側を伝搬させるととも
に、方向性結合器Ｃ3 およびＣ4 の見かけ上の結合率
を低くすることによって惹起される現象であり、この現
象の結果、伝搬損は、レーザの照射量に応じた所定の水
準にまで上昇することになり、クロストーク特性の劣化
は改善されることになる。
【００１８】なお、図６によれば、透過域Ｃにおける伝
搬損の増加が、０．１０ｄＢ以下の低い水準に押さえら
れていることが認められる。これは、ＣＯ2 レーザ７の
照射が透過域Ｃの光導波性に悪影響を与えないことを意
味しているものであり、従って、本発明の有用性は、こ
のことからも評価することができる。
搬損の増加が、０．１０ｄＢ以下の低い水準に押さえら
れていることが認められる。これは、ＣＯ2 レーザ７の
照射が透過域Ｃの光導波性に悪影響を与えないことを意
味しているものであり、従って、本発明の有用性は、こ
のことからも評価することができる。
【００１９】図７は、光スプリッタの構成例を示す。３
１は基板、３２は基板３１上に設けられたＭＭＩ型光カ
ップラ、３３1 、３３2 ・・・３３ｎは、光カップラ３
２の一方の側の端部において異なる波長λ1 、λ2 ・・
・λｎの光を入出射させるために基板３１上に形成され
た複数の入出力チャネル導波路、３４は光カップラ３２
の他端の側に形成された多重波長光λの入出射のための
単一の入出力チャネル導波路を示す。
１は基板、３２は基板３１上に設けられたＭＭＩ型光カ
ップラ、３３1 、３３2 ・・・３３ｎは、光カップラ３
２の一方の側の端部において異なる波長λ1 、λ2 ・・
・λｎの光を入出射させるために基板３１上に形成され
た複数の入出力チャネル導波路、３４は光カップラ３２
の他端の側に形成された多重波長光λの入出射のための
単一の入出力チャネル導波路を示す。
【００２０】この例の場合には、複数の入出力チャネル
導波路３３1 、３３2 ・・・３３ｎにそれぞれの伝搬損
に応じた所定量のＣＯ2 レーザが照射される。結果は、
図３に示されるＡＷＧ型光合分波器の場合と同様であ
り、入出力チャネル導波路３３1 、３３2 ・・・３３ｎ
間の伝搬損のばらつきは、レーザの照射による伝搬損増
によってそれぞれ所定の水準に調節され、均質化される
ことになる。
導波路３３1 、３３2 ・・・３３ｎにそれぞれの伝搬損
に応じた所定量のＣＯ2 レーザが照射される。結果は、
図３に示されるＡＷＧ型光合分波器の場合と同様であ
り、入出力チャネル導波路３３1 、３３2 ・・・３３ｎ
間の伝搬損のばらつきは、レーザの照射による伝搬損増
によってそれぞれ所定の水準に調節され、均質化される
ことになる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光導
波路の伝搬損調節方法によれば、光導波路にレーザを照
射して伝搬損を増加させ、これによって伝搬損を所定の
水準に調節するものであり、ＡＷＧ型あるいはＭＺＩ型
等の光合分波器の有用性を向上させるうえにおいて効果
大である。
波路の伝搬損調節方法によれば、光導波路にレーザを照
射して伝搬損を増加させ、これによって伝搬損を所定の
水準に調節するものであり、ＡＷＧ型あるいはＭＺＩ型
等の光合分波器の有用性を向上させるうえにおいて効果
大である。
【図１】本発明による光導波路の伝搬損調節方法の概念
を示す説明図。
を示す説明図。
【図２】ＡＷＧ型光合分波器の構成例を示す説明図。
【図３】ＡＷＧ型合分波器の伝搬損を示す説明図であ
り、（ａ）は、本発明による調節方法を適用する前後の
伝搬損の対比、（ｂ）は、調節後における各波長の通過
特性を示す。
り、（ａ）は、本発明による調節方法を適用する前後の
伝搬損の対比、（ｂ）は、調節後における各波長の通過
特性を示す。
【図４】ＭＺＩ型光合分波器の構成例を示す説明図。
【図５】本発明による伝搬損調節方法を適用する前のＭ
ＺＩ型光合分波器の伝搬損特性を示す説明図。
ＺＩ型光合分波器の伝搬損特性を示す説明図。
【図６】本発明による伝搬損調節方法を適用する前後の
ＭＺＩ型光合分波器の伝搬損特性を示す説明図。
ＭＺＩ型光合分波器の伝搬損特性を示す説明図。
【図７】光スプリッタの構成例を示す説明図。
１ 入力光ファイバ ２、５ ファイバアレイブロック ３ 平面回路基板 ４ 光導波路 ６ 出力光ファイバ ７ ＣＯ2 レーザ １１ 基板 １２1 、１２2 ・・・１２ｎ、１３ 入出力チャネ
ル導波路 １４1 、１４2 ・・・１４ｎ 導波路 １５、１６ スラブ導波路 ２１ 基板 ２２〜２５ 入出力ポート ２６、２７ 光導波路 ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２７ａ、２７ｂ、２７ｃ
光導波路単位 ２８ａ、２８ｂ、２８ｃ 位相差付与部 Ｃ1 、Ｃ2 ＭＭＩ型光カップラ Ｃ3 、Ｃ4 方向性結合器 ３１ 基板 ３２ ＭＭＩ型光カップラ ３３1 、３３2・・・３３ｎ、３４ 入出力チャネ
ル導波路
ル導波路 １４1 、１４2 ・・・１４ｎ 導波路 １５、１６ スラブ導波路 ２１ 基板 ２２〜２５ 入出力ポート ２６、２７ 光導波路 ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２７ａ、２７ｂ、２７ｃ
光導波路単位 ２８ａ、２８ｂ、２８ｃ 位相差付与部 Ｃ1 、Ｃ2 ＭＭＩ型光カップラ Ｃ3 、Ｃ4 方向性結合器 ３１ 基板 ３２ ＭＭＩ型光カップラ ３３1 、３３2・・・３３ｎ、３４ 入出力チャネ
ル導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大平 健太郎 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 岡野 広明 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 (72)発明者 上塚 尚登 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社オプトロシステム研究所内 Ｆターム(参考） 2H047 KA03 KA12 LA19 RA08 TA11
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に形成した光導波路の伝搬損を所定
の水準に調節する光導波路の伝搬損調節方法において、 光導波路にレーザを照射して前記光導波路の伝搬損を増
加させることによって前記光導波路の伝搬損を調節する
ことを特徴とする光導波路の伝搬損調節方法。 - 【請求項２】前記レーザの照射のステップは、ＣＯ2 レ
ーザの照射によって行われることを特徴とする請求項１
項記載の光導波路の伝搬損調節方法。 - 【請求項３】前記レーザの照射のステップは、複数の導
波路を所定長ずつ長さを変えて配列したアレイ導波路
と、前記アレイ導波路の両端にそれぞれスラブ導波路を
介して配列された単一および／または複数の入出力チャ
ネル導波路とを基板上に形成して構成されるＡＷＧ型光
合分波器の、前記複数の入出力チャネル導波路に対して
行われることを特徴とする請求項１項記載の光導波路の
伝搬損調節方法。 - 【請求項４】前記レーザの照射のステップは、両端に入
出力ポートを有する一対の光導波路と、前記一対の光導
波路の所定の個所を相互に結合した方向性結合器とを基
板上に形成して構成されるＭＺＩ型光合分波器の、前記
一対の光導波路の一方の側における前記方向性結合器と
隣接した部分に対して行われることを特徴とする請求項
１項記載の光導波路の伝搬損調節方法。 - 【請求項５】前記レーザの照射のステップは、ＭＭＩ型
光カップラと、前記ＭＭＩ型光カップラの両端にそれぞ
れ配列された単一および／または複数の入出力チャネル
導波路とを基板上に形成して構成される光スプリッタ
の、前記複数の入出力チャネル導波路に対して行われる
ことを特徴とする請求項１項記載の光導波路の伝搬損調
節方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369964A JP2002169041A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 光導波路の伝搬損調節方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369964A JP2002169041A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 光導波路の伝搬損調節方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002169041A true JP2002169041A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=18839922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000369964A Pending JP2002169041A (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 光導波路の伝搬損調節方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002169041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014067036A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Ofs Fitel Llc | 表面ナノスケール・アキシャル・フォトニックデバイスを製造する方法 |
-
2000
- 2000-12-05 JP JP2000369964A patent/JP2002169041A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014067036A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Ofs Fitel Llc | 表面ナノスケール・アキシャル・フォトニックデバイスを製造する方法 |
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