JP2002167666A - Sputtering target for depositing light shielding film for black matrix and light shielding film deposited by using the sputtering target - Google Patents
Sputtering target for depositing light shielding film for black matrix and light shielding film deposited by using the sputtering targetInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶ディスプレ
ーなどのカラーパネルを作製する工程で積層させるブラ
ックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリ
ングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを
用いて形成した遮光膜に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering target for forming a black matrix light-shielding film to be laminated in a step of manufacturing a color panel such as a liquid crystal display, and a light-shielding film formed by using the sputtering target. is there.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、液晶ディスプレーに使用するカ
ラーパネルには、ガラス板や透明樹脂板などからなる透
明板の上に赤、青、緑の３原色カラーフィルターと、こ
の３原色の色画素間を仕切るための格子状にパターニン
グされたブラックマトリックスが形成されており、この
ブラックマトリックスはカラーフィルターの３原色の色
画素を区切り、３原色の混合を防止して画像の高コント
ラスト化および高品位画質化を図る役目を担っている。
前記ブラックマトリックスは、蒸着またはスパッタリン
グにより形成された遮光膜の上にフォトリゾグラフィに
よりレジストパターンを形成し、次いでこれをマスクと
してエッチングすることにより微小開口部分を有する格
子状パターン膜とすることにより作製する。前述のよう
に、ブラックマトリックスは遮光膜をパターンエッチン
グすることにより形成されるが、遮光膜の特性として最
も重要な特性は、パターンエッチングが可能であるとと
もに耐食性を有すること、および光源からの必要のない
光を十分に遮蔽することができる遮光性を有することで
ある。2. Description of the Related Art In general, a color panel used for a liquid crystal display is provided with three primary color filters of red, blue and green on a transparent plate such as a glass plate or a transparent resin plate. A black matrix patterned in a lattice pattern for partitioning the color filter is formed, and this black matrix separates the color pixels of the three primary colors of the color filter to prevent mixing of the three primary colors, thereby achieving high contrast and high quality image quality. It plays the role of planning.
The black matrix is formed by forming a resist pattern by photolithography on a light-shielding film formed by vapor deposition or sputtering, and then etching using this as a mask to form a lattice-shaped pattern film having minute openings. I do. As described above, the black matrix is formed by pattern-etching the light-shielding film. The most important characteristic of the light-shielding film is that the pattern-etching is possible and that it has corrosion resistance, and that the light source needs to be etched. Is to have a light-shielding property capable of sufficiently shielding unwanted light.
【０００３】このブラックマトリックスの格子状パター
ン膜により区切られた微小開口部分にオフセット印刷な
どにより赤、青、緑の３原色カラーフィルター層を形成
し、さらにこのカラーフィルター層およびブラックマト
リックスの上にトップコート層を形成し、さらにこのト
ップコート層の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）など
の透明電極膜を形成してカラーパネルが作製される。[0003] Three primary color filter layers of red, blue and green are formed by offset printing or the like at the minute openings separated by the lattice pattern film of the black matrix, and a top layer is formed on the color filter layer and the black matrix. A color panel is formed by forming a coat layer and further forming a transparent electrode film such as ITO (indium tin oxide) on the top coat layer.
【０００４】前記ブラックマトリックスを形成するため
の遮光膜の反射率が高いと外部からの反射光が表示画像
のコントラストを低下させるので、画像を一層見やすく
するために透明板と遮光膜の間にＣｒＯ，ＣｒＮなどの
化合物薄膜からなる低反射膜を形成することがある。ブ
ラックマトリックスを形成するための遮光膜として、従
来は金属ＣｒまたはＣｒ基合金の蒸着膜またはスパッタ
リング膜が使用されており、この金属ＣｒまたはＣｒ基
合金からなる遮光膜は、優れた耐食性および遮光性を有
している。If the reflectance of the light-shielding film for forming the black matrix is high, reflected light from the outside lowers the contrast of the displayed image, so that the CrO is placed between the transparent plate and the light-shielding film to make the image more visible. In some cases, a low-reflection film made of a thin film of a compound such as CrN or CrN is formed. Conventionally, as a light-shielding film for forming a black matrix, a vapor deposition film or a sputtering film of metal Cr or a Cr-based alloy has been used. The light-shielding film made of the metal Cr or Cr-based alloy has excellent corrosion resistance and light-shielding properties. have.
【０００５】ところが、金属ＣｒまたはＣｒ基合金から
なる遮光膜は、エッチングして格子状パター膜を形成す
る際に有害な６価クロムが発生し、この６価クロムは処
理がなされずに外部に流出すると、環境問題に発展す
る。そのため、近年、ブラックマトリックスを形成する
ための遮光膜としてＮｉまたはＣｒを含まないＮｉ基合
金からなる薄膜が使用されている。前記Ｃｒを含まない
Ｎｉ基合金からなる薄膜として、ＮｉにＴａ：０．５〜
３５ｗｔ％を含有する組成のＮｉ基合金からなる薄膜
（特開平１１−８０９３６号公報参照）およびＮｉにＭ
ｏ：２２ｗｔ％を含有する組成のＮｉ基合金からなる薄
膜（特開平１１−５２１２６号公報参照）などが提案さ
れており、これら薄膜はスパッタリングターゲットを用
いて形成されることが知られている。However, when a light-shielding film made of metallic Cr or a Cr-based alloy is etched to form a lattice-like putter film, harmful hexavalent chromium is generated. If spilled, it could lead to environmental problems. Therefore, in recent years, a thin film made of a Ni-based alloy containing no Ni or Cr has been used as a light-shielding film for forming a black matrix. As the thin film made of the Ni-based alloy not containing Cr, Ni: Ta: 0.5 to
A thin film made of a Ni-based alloy having a composition containing 35 wt% (see Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-80936)
o: Thin films made of a Ni-based alloy having a composition containing 22 wt% (see Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-52126) have been proposed, and it is known that these thin films are formed using a sputtering target.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のスパッ
タリングターゲットを用いて形成されるＴａ：０．５〜
３５ｗｔ％を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物か
らなるＮｉ基合金で構成された遮光膜並びにＭｏ：２２
ｗｔ％を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からな
る組成のＮｉ基合金からなる遮光膜は、遮光性が十分で
なく、またＩＴＯ洗浄液に対する耐食性も十分なもので
はなかった。However, Ta formed using a conventional sputtering target: 0.5 to
A light-shielding film containing 35 wt%, the balance being composed of a Ni-based alloy comprising Ni and unavoidable impurities, and Mo: 22
The light-shielding film composed of a Ni-based alloy having a composition containing wt% and the balance of Ni and unavoidable impurities did not have sufficient light-shielding properties and did not have sufficient corrosion resistance to the ITO cleaning solution.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
一層エッチング性および耐食性に優れ、さらに一層遮光
性に優れたブラックマトリックスを形成するための遮光
膜を得るべく研究を行った結果、（ａ）質量％で（以下
％は質量％を示す）、Ｍｏ：１０〜３０％およびＴａ：
１〜１０％を複合して含有し、残りがＮｉおよび不可避
不純物からなる組成を有するＮｉ基合金からなるスパッ
タリングターゲットを作製し、このスパッタリングター
ゲットを用いて得られた遮光膜は、従来の遮光膜よりも
一層遮光性に優れる、（ｂ）前記（ａ）に記載のＮｉ基
合金に、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｔｉ：１〜５％、
Ｆｅ：１〜５％の内の１種または２種以上を添加した組
成を有するＮｉ基合金からなるスパッタリングターゲッ
トを作製し、このスパッタリングターゲットを用いて得
られた遮光膜は、従来の遮光膜よりも膜特性が一層向上
する、 （ｃ）前記（ａ）または（ｂ）に記載のＮｉ基合金に、
さらにＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜
１０％を複合添加した組成を有するＮｉ基合金からなる
スパッタリングターゲットを作製し、このスパッタリン
グターゲットを用いて得られた遮光膜は、エッチング性
が一層向上する、などという研究結果が得られたのであ
る。Means for Solving the Problems Accordingly, the present inventors have:
As a result of studying to obtain a light-shielding film for forming a black matrix which is more excellent in etching property and corrosion resistance and furthermore excellent in light-shielding property, it was found that Mo was (a)% by mass (hereinafter% indicates mass%). : 10 to 30% and Ta:
A sputtering target made of a Ni-based alloy having a composition of 1 to 10% in combination and the balance of Ni and unavoidable impurities is produced, and a light-shielding film obtained using this sputtering target is a conventional light-shielding film (B) Nb: 0.5 to 6%, Ti: 1 to 5%
A sputtering target made of a Ni-based alloy having a composition in which one or more of Fe: 1 to 5% is added is prepared, and a light-shielding film obtained by using this sputtering target is higher than a conventional light-shielding film. (C) the Ni-based alloy according to (a) or (b),
Further, one or two of Cu and V are combined with 1 to 2 in total.
A research result was obtained in which a sputtering target made of a Ni-based alloy having a composition of 10% composite addition was produced, and the light-shielding film obtained using this sputtering target was further improved in etching properties. .
【０００８】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔ
ａ：１〜１０％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット、（２）Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含有し、さらに
Ｎｂ：０．５〜６％を含有し、残りがＮｉおよび不可避
不純物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮
光膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
（３）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含有
し、さらにＴｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび
不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリック
ス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲッ
ト、（４）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含
有し、さらにＦｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよ
び不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリッ
クス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲッ
ト、（５）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含
有し、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｔｉ：１〜５％を含
有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有
するブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのス
パッタリングターゲット、（６）Ｍｏ：１０〜３０％、
Ｔａ：１〜１０％を含有し、さらにＮｂ：０．５〜６
％、Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避
不純物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮
光膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
（７）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含有
し、さらにＴｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有し、
残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブ
ラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタ
リングターゲット、（８）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：
１〜１０％を含有し、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｔ
ｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉお
よび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリ
ックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲ
ット、（９）前記（１）、（２）、（３）、（４）、
（５）、（６）、（７）または（８）記載のスパッタリ
ングターゲットに、さらにＣｕおよびＶの内の１種また
は２種を合計で１〜１０％を含有させたブラックマトリ
ックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲ
ット、に特徴を有するものである。The present invention has been made on the basis of the results of such research, and (1) Mo: 10 to 30%, T
a: a sputtering target for forming a black matrix light-shielding film having a composition of 1 to 10% and the balance of Ni and unavoidable impurities, (2) M
o: for forming a black matrix light-shielding film containing 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, and Nb: 0.5 to 6%, and the balance consisting of Ni and unavoidable impurities. Sputtering target,
(3) A light-shielding film for a black matrix is formed which contains Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, further contains Ti: 1 to 5%, and has the composition of Ni and unavoidable impurities. Sputtering target for (4) Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, and further for Fe: 1 to 5%, for a black matrix having a composition consisting of Ni and unavoidable impurities. A sputtering target for forming a light shielding film, (5) Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, Nb: 0.5 to 6%, Ti: 1 to 5%, A sputtering target for forming a black matrix light-shielding film having a composition consisting of Ni and inevitable impurities, (6) Mo: 10 to 30%,
Ta: 1 to 10%, and Nb: 0.5 to 6
%, Fe: 1 to 5%, and a sputtering target for forming a black matrix light-shielding film having a composition of Ni and inevitable impurities, with the balance being Ni.
(7) Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, Ti: 1 to 5%, Fe: 1 to 5%,
A sputtering target for forming a black matrix light-shielding film having a composition consisting of Ni and inevitable impurities, (8) Mo: 10 to 30%, Ta:
1-10%, and further Nb: 0.5-6%, T
a sputtering target for forming a black matrix light-shielding film containing i: 1 to 5% and Fe: 1 to 5%, the balance being composed of Ni and unavoidable impurities; 2), (3), (4),
The sputtering target according to (5), (6), (7) or (8), further comprising a black matrix light-shielding film containing 1 to 10% of one or two of Cu and V in total. A sputtering target to be formed.
【０００９】前記スパッタリングターゲットを製造する
には、まず、前記（１）〜（９）記載の成分組成を有す
るＮｉ基合金インゴットを作製し、このインゴットを１
０００〜１２３０℃で熱間一次塑性加工してスラブを作
製し、さらにこのスラブを９００〜１２００℃で熱間二
次塑性加工して板を作製し、この板を機械加工すること
により製造する。In order to manufacture the sputtering target, first, a Ni-based alloy ingot having the component composition described in the above (1) to (9) is prepared, and
A slab is produced by hot primary plastic working at 000 to 1230 ° C., and a slab is further produced by hot secondary plastic working of the slab at 900 to 1200 ° C., and the slab is manufactured by machining.
【００１０】さらにこの発明は、前記（１）〜（９）記
載のスパッタリングターゲットを用いて形成したブラッ
クマトリックス用遮光膜をも含むものである。したがっ
て、この発明は、（10）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜
１０％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からな
る組成を有するブラックマトリックス用遮光膜、（11）
Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含有し、さら
にＮｂ：０．５〜６％を含有し、残りがＮｉおよび不可
避不純物からなる組成を有するブラックマトリックス用
遮光膜、（12）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％
を含有し、さらにＴｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉ
および不可避不純物からなる組成を有するブラックマト
リックス用遮光膜、（13）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：
１〜１０％を含有し、さらにＦｅ：１〜５％を含有し、
残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブ
ラックマトリックス用遮光膜、（14）Ｍｏ：１０〜３０
％、Ｔａ：１〜１０％を含有し、さらにＮｂ：０．５〜
６％、Ｔｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可
避不純物からなる組成を有するブラックマトリックス用
遮光膜、（15）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％
を含有し、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｆｅ：１〜５％
を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成
を有するブラックマトリックス用遮光膜、（16）Ｍｏ：
１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含有し、さらにＴ
ｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉお
よび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリ
ックス用遮光膜、（17）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１
〜１０％を含有し、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｔｉ：
１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび
不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリック
ス用遮光膜、（18）前記（10）、（11）、（12）、（1
3）、（14）、（15）、（16）または（17）記載の遮光
膜に、さらにＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計
で１〜１０％を含有させた組成を有するブラックマトリ
ックス用遮光膜、に特徴を有するものである。The present invention further includes a black matrix light-shielding film formed by using the sputtering target according to the above (1) to (9). Therefore, the present invention relates to (10) Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to
(11) a black matrix light-shielding film containing 10% and having a balance of Ni and unavoidable impurities.
Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, Nb: 0.5 to 6%, and the remainder is composed of Ni and inevitable impurities. Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%
And further contains Ti: 1 to 5%, with the balance being Ni
And a light shielding film for a black matrix having a composition consisting of unavoidable impurities, (13) Mo: 10 to 30%, Ta:
1 to 10%, and further contains Fe: 1 to 5%,
(14) Mo: 10 to 30; a light-shielding film for a black matrix having a composition consisting of Ni and inevitable impurities.
%, Ta: 1-10%, and Nb: 0.5-
6%, Ti: 1 to 5%, light-shielding film for black matrix having a composition of Ni and unavoidable impurities, (15) Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%
Nb: 0.5 to 6%, Fe: 1 to 5%
(16) Mo: a light-shielding film for a black matrix having a composition consisting of Ni and unavoidable impurities.
10 to 30%, Ta: 1 to 10%.
i: 1 to 5%, Fe: 1 to 5%, light shielding film for a black matrix having a composition consisting of Ni and unavoidable impurities, (17) Mo: 10 to 30%, Ta: 1
-10%, Nb: 0.5-6%, Ti:
1 to 5%, Fe: 1 to 5%, and a light shielding film for a black matrix having a composition consisting of Ni and unavoidable impurities, and (18) the above (10), (11), (12), (1)
3) The light-shielding film according to (14), (15), (16) or (17) further has a composition in which one or two of Cu and V further contain 1 to 10% in total. A light-shielding film for a black matrix.
【００１１】この発明のブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその
スパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜の成
分組成を前記のごとく限定した理由を説明する。 Ｍｏ：Ｎｉ基合金からなるスパッタリングターゲットに
含まれるＭｏは、Ｎｉの磁性を低下させてマグネトロン
スパッタリング速度を増す作用があり、さらに得られた
遮光膜の耐食性を向上させるとともに遮光性を一段と向
上させる作用を有するが、Ｍｏの含有量が１０％未満で
は所定の効果が得られないので好ましくなく、一方、Ｍ
ｏが３０％を越えて含有しても格別な耐食性向上および
磁性減少効果が得られない。したがってこの発明のブラ
ックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリ
ングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを
用いて形成した遮光膜に含まれるＭｏは１０〜３０％に
定めた。Ｍｏの含有量の一層好ましい範囲は１４〜２５
％であり、さらに一層好ましい範囲は１５〜２４％であ
る。The reason why the sputtering target for forming the black matrix light-shielding film of the present invention and the component composition of the light-shielding film formed by using the sputtering target are limited as described above will be described. Mo: Mo contained in a sputtering target composed of a Ni-based alloy has the effect of decreasing the magnetism of Ni to increase the magnetron sputtering rate, and further improves the corrosion resistance of the obtained light-shielding film and further improves the light-shielding property. However, if the content of Mo is less than 10%, the desired effect cannot be obtained, which is not preferable.
Even if o is contained in excess of 30%, no particular improvement in corrosion resistance and reduction in magnetism can be obtained. Therefore, the Mo contained in the sputtering target for forming the black matrix light-shielding film of the present invention and the light-shielding film formed using the sputtering target was set to 10 to 30%. A more preferred range of the Mo content is 14 to 25.
%, And an even more preferred range is 15 to 24%.
【００１２】Ｔａ：ＴａはＭｏとともにＮｉ基合金に含
有させることによりスパッタリングして得られた遮光膜
の耐食性を向上させる作用を有するが、Ｔａの含有量が
１％未満では十分な耐食性が得られないので好ましくな
く、一方、Ｔａが１０％を越えて含有すると耐食性が良
くなりすぎてエッチングによる格子状パターンを形成で
きなくなるので好ましくない。したがってＴａの含有量
を１〜１０％に定めた。Ｔａの含有量の一層好ましい範
囲は２〜８％であり、さらに一層好ましい範囲は３〜７
％である。Ta: Ta has an effect of improving the corrosion resistance of a light-shielding film obtained by sputtering by being contained in a Ni-based alloy together with Mo. However, when the content of Ta is less than 1%, sufficient corrosion resistance is obtained. On the other hand, when Ta is contained in excess of 10%, the corrosion resistance becomes too high, so that a lattice pattern cannot be formed by etching. Therefore, the content of Ta is set to 1 to 10%. A more preferred range of the Ta content is 2 to 8%, and an even more preferred range is 3 to 7%.
%.
【００１３】Ｎｂ：Ｎｂは遮光膜の遮光性を向上させる
ので必要に応じて添加するが、その含有量が０．５％未
満では所定の効果が得られないので好ましくなく、一
方、６％を越えて含有してもそれ以上の効果が得られな
い。したがってＮｂの含有量は０．５〜６％に定めた。
Ｎｂの一層好ましい範囲は１〜３％である。Nb: Nb is added as necessary to improve the light-shielding properties of the light-shielding film, but if its content is less than 0.5%, the desired effect cannot be obtained. No further effect can be obtained even if it is contained in excess. Therefore, the content of Nb is set to 0.5 to 6%.
A more preferred range of Nb is 1-3%.
【００１４】Ｔｉ：Ｔｉはターゲットの組織を微細化
し、この微細化した組織を有するターゲットを用いて成
膜すると均質な遮光膜が得られるところから、必要に応
じて添加される。しかし、Ｔｉの含有量が１％未満では
所望の効果が得られず、一方、５％を越えて添加するとタ
ーゲット作製時の加工性が低下するので好ましくない。
したがって、Ｔｉの含有量を１〜５％に定めた。Ｔｉ含
有量の一層好ましい範囲は２〜４％である。Ti: Ti is added as necessary, since it refines the structure of the target and a uniform light-shielding film can be obtained by forming a film using the target having the refined structure. However, if the content of Ti is less than 1%, the desired effect cannot be obtained. On the other hand, if the content is more than 5%, the workability at the time of manufacturing the target is undesirably reduced.
Therefore, the content of Ti is set to 1 to 5%. A more preferred range for the Ti content is 2-4%.
【００１５】Ｆｅ：Ｆｅはスパッタリングにより得られ
た遮光膜のパターンエッチング性を良くするために必要
に応じて添加される。しかし、Ｆｅの含有量が１％未満
では所望の効果が得られず、一方、５％を越えて添加する
と遮光膜の耐食性が低下するので好ましくない。したが
って、Ｆｅの含有量を１〜５％に定めた。Ｆｅ含有量の
一層好ましい範囲は２〜４％である。Fe: Fe is added as necessary to improve the pattern etching property of the light-shielding film obtained by sputtering. However, if the content of Fe is less than 1%, the desired effect cannot be obtained. On the other hand, if the content exceeds 5%, the corrosion resistance of the light-shielding film is undesirably reduced. Therefore, the content of Fe is set to 1 to 5%. A more preferable range of the Fe content is 2 to 4%.
【００１６】Ｃｕ，Ｖ：これら成分は、遮光膜のパター
ンエッチングにおけるエッチング性を向上させるために
必要に応じて添加するが、その添加量はＣｕおよびＶの
内の１種または２種を合計で１％未満では所望の作用が
得られないので好ましくなく、一方、１０％を越えて含
有すると耐食性が低下するので好ましくない。したがっ
て、ＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜１
０％（好ましくは、２〜５％）に定めた。Cu, V: These components are added as necessary in order to improve the etching property in pattern etching of the light-shielding film, and the added amount is one or two of Cu and V in total. If it is less than 1%, the desired action cannot be obtained, so that it is not preferable. On the other hand, if it exceeds 10%, the corrosion resistance is undesirably reduced. Therefore, one or two of Cu and V are combined in a total of 1 to 1
0% (preferably, 2 to 5%).
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】表１〜３に示される成分組成を有
し、直径：１８０ｍｍの寸法を有するＮｉ基合金インゴ
ットを作製し、これらＮｉ基合金インゴットを１２５０
℃、４時間保持することにより均質化処理し、この均質
化処理したインゴットを１２００℃で熱間鍛造すること
により厚さ：２５ｍｍのスラブを作製し、次いでこれら
スラブを１１５０℃で熱間圧延することにより厚さ：７
ｍｍの板を作製し、この板を機械加工することにより直
径：１５０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する本発明タ
ーゲット１〜３６、比較ターゲット１〜２および従来タ
ーゲット１〜２を作製した。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Ni-based alloy ingots having the component compositions shown in Tables 1 to 3 and having a diameter of 180 mm were prepared.
The slab is homogenized by holding at 4 ° C. for 4 hours, and the homogenized ingot is hot-forged at 1200 ° C. to produce slabs having a thickness of 25 mm. Then, the slabs are hot-rolled at 1150 ° C. Thickness: 7
A plate having a diameter of 150 mm and a thickness of 5 mm was prepared by machining this plate to produce targets 1 to 36 of the present invention, comparative targets 1 and 2, and conventional targets 1 and 2.
【００１８】これらターゲットをＤＣマグネトロンスパ
ッタリング装置に設置し、コーニング社製の＃７０５９
ガラス基板表面にいずれも膜厚：約１１０ｎｍを有し、
本発明ターゲット１〜３６、比較ターゲット１〜２およ
び従来ターゲット１〜２の成分組成と同じ成分組成を有
する遮光膜を形成した。このようにして得られた遮光膜
について、下記の透過試験および腐食試験を行った。These targets were set in a DC magnetron sputtering apparatus, and # 7059 manufactured by Corning Incorporated.
All have a film thickness of about 110 nm on the glass substrate surface,
Light-shielding films having the same component composition as those of the targets 1 to 36 of the present invention, the comparative targets 1 and 2, and the conventional targets 1 and 2 were formed. The light-shielding film thus obtained was subjected to the following transmission test and corrosion test.
【００１９】（イ）透過試験 入射光の強度Ｉおよび透過光の強度Ｉ0を測定して透過
率Ｉ／Ｉ0を求め、−ｌｏｇ（Ｉ／Ｉ0）で定義する値
（オプティカルデンシティ値、以下これをＯＤ値とい
う）を求め、その結果を表１〜３に示した。(A) Transmission test The intensity I of the incident light and the intensity I 0 of the transmitted light are measured to determine the transmittance I / I 0, and the value defined by −log (I / I 0 ) (optical density value, This is hereinafter referred to as an OD value), and the results are shown in Tables 1 to 3.
【００２０】（ロ）腐食試験 試験液として、ＩＴＯ洗浄液に相当する１２質量％ＫＯ
Ｈの水酸化カリウム水溶液および酸性溶液として１２質
量％ＨＣｌの塩酸水溶液を用意し、これら水酸化カリウ
ム水溶液および塩酸水溶液それぞれに１５分間浸漬し、
浸漬前後における遮光膜の膜厚変化量を測定し、その結
果を表１〜３に示して耐食性を評価した。膜厚の変化量
が多いほど腐食により膜厚が減少し、耐食性が劣るとい
う評価が得られることになる。(B) Corrosion test As a test solution, 12 mass% KO corresponding to an ITO cleaning solution was used.
An aqueous solution of potassium hydroxide of H and an aqueous solution of hydrochloric acid of 12% by mass of HCl were prepared as an acidic solution, and immersed in each of the aqueous solution of potassium hydroxide and the aqueous solution of hydrochloric acid for 15 minutes.
The change in the thickness of the light-shielding film before and after immersion was measured, and the results are shown in Tables 1 to 3 to evaluate the corrosion resistance. As the amount of change in the film thickness increases, the film thickness decreases due to corrosion, and an evaluation that the corrosion resistance is inferior is obtained.
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】[0022]
【表２】 [Table 2]
【００２３】[0023]
【表３】 [Table 3]
【００２４】[0024]
【発明の効果】表１〜３に示された結果から、本発明タ
ーゲット１〜３６を用いてスパッタリングすることによ
り形成した遮光膜は、従来ターゲット１〜２を用いてス
パッタリングすることにより形成した遮光膜に比べてＯ
Ｄ値が高いところから遮光性が優れており、さらに膜厚
変化量がほぼ同等であるから耐食性にも優れていること
が分かる。しかし、この発明の範囲から外れた含有量を
有する比較ターゲット１〜２は膜厚変化量が大きいとこ
ろから耐食性が極端に劣るので好ましくないことが分か
る。したがって、この発明は液晶パネルの品質の向上を
計ることができ、ディスプレー産業の発展に大いに貢献
し得るものである。According to the results shown in Tables 1 to 3, the light-shielding film formed by sputtering using the targets 1 to 36 of the present invention shows that the light-shielding film formed by sputtering using the conventional targets 1 to 2 is used. O compared to membrane
It can be seen that the light-shielding properties are excellent when the D value is high, and the corrosion resistance is also excellent because the film thickness changes are almost the same. However, it can be seen that Comparative Targets 1 and 2 having a content outside the range of the present invention are not preferable because the corrosion resistance is extremely poor due to a large change in film thickness. Therefore, the present invention can improve the quality of the liquid crystal panel and can greatly contribute to the development of the display industry.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 克生 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BB01 BB42 4K029 AA09 AA24 BA11 BA12 BA16 BA25 CA05 DC04 DC08 DC39 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Katsuo Sugawara 1-297 Kitabukuro-cho, Omiya-shi, Saitama F-term in Mitsubishi Materials Research Laboratory (reference) 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BB01 BB42 4K029 AA09 AA24 BA11 BA12 BA16 BA25 CA05 DC04 DC08 DC39
Claims (10)
ｏ：１０〜３０％、Ｔａ：１〜１０％を含有し、残りが
Ｎｉおよび不可避不純物からなる組成を有することを特
徴とするブラックマトリックス用遮光膜を形成するため
のスパッタリングターゲット。1. The method according to claim 1, wherein in mass% (% means mass%)
o: A sputtering target for forming a black matrix light-shielding film, characterized in that it contains 10 to 30% and Ta: 1 to 10%, with the balance being Ni and unavoidable impurities.
含有し、さらにＮｂ：０．５〜６％を含有し、残りがＮ
ｉおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴
とするブラックマトリックス用遮光膜を形成するための
スパッタリングターゲット。2. Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, Nb: 0.5 to 6%, the remainder being N
A sputtering target for forming a light shielding film for a black matrix, characterized by having a composition comprising i and unavoidable impurities.
含有し、さらにＴｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉお
よび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とす
るブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパ
ッタリングターゲット。3. Black characterized in that it contains Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, further contains Ti: 1 to 5%, and the balance has Ni and unavoidable impurities. A sputtering target for forming a matrix light-shielding film.
含有し、さらにＦｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉお
よび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とす
るブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパ
ッタリングターゲット。4. Black characterized in that it contains Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, further contains Fe: 1 to 5%, and the balance is composed of Ni and unavoidable impurities. A sputtering target for forming a matrix light-shielding film.
含有し、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｔｉ：１〜５％を
含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を
有することを特徴とするブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット。5. Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, Nb: 0.5 to 6%, Ti: 1 to 5%, the balance consisting of Ni and unavoidable impurities A sputtering target for forming a black matrix light-shielding film having a composition.
含有し、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｆｅ：１〜５％を
含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を
有することを特徴とするブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット。6. Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, Nb: 0.5 to 6%, Fe: 1 to 5%, the balance consisting of Ni and unavoidable impurities A sputtering target for forming a black matrix light-shielding film having a composition.
含有し、さらにＴｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有
し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有す
ることを特徴とするブラックマトリックス用遮光膜を形
成するためのスパッタリングターゲット。7. A composition containing 10 to 30% of Mo, 1 to 10% of Ta, 1 to 5% of Ti, 1 to 5% of Fe, and the balance of Ni and unavoidable impurities. A sputtering target for forming a light shielding film for a black matrix, comprising:
含有し、さらにＮｂ：０．５〜６％、Ｔｉ：１〜５％、
Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有することを特徴とするブラックマト
リックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングター
ゲット。8. Mo: 10 to 30%, Ta: 1 to 10%, Nb: 0.5 to 6%, Ti: 1 to 5%,
A sputtering target for forming a black matrix light-shielding film, characterized by containing Fe: 1 to 5% and the balance having Ni and unavoidable impurities.
種を合計で１〜１０％を含有することを特徴とする請求
項１、２、３、４、５、６、７または８記載のブラック
マトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリング
ターゲット。9. Further, one or two of Cu and V
9. The sputtering target for forming a black matrix light-shielding film according to claim 1, wherein the seed contains a total of 1 to 10% of seeds.
７、８または９記載のスパッタリングターゲットを使用
して作製したブラックマトリックス用遮光膜。10. The method of claim 1, 2, 3, 4, 5, 6,
A light-shielding film for a black matrix produced using the sputtering target according to 7, 8, or 9.
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| JP2006162942A (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Ulvac Seimaku Kk | Blanks and its formation method, and black matrix using the blanks and its formation method |
| JP2007101848A (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | Method for forming deep color separating wall, color filter and method for manufacturing same, and display device |
| KR20140104358A (en) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | METAL THIN FILM AND Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING METAL THIN FILM |
| JP2015025176A (en) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 三菱マテリアル株式会社 | Ni OR Ni ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME |
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|---|---|---|---|---|
| JP2006162942A (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Ulvac Seimaku Kk | Blanks and its formation method, and black matrix using the blanks and its formation method |
| JP2007101848A (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | Method for forming deep color separating wall, color filter and method for manufacturing same, and display device |
| KR20140104358A (en) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | METAL THIN FILM AND Mo ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING METAL THIN FILM |
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