JP2002164601A - バタフライ型半導体モジュールおよびその基板への固定構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子を有するバタフライ型半導体モジュ
ールが使用される光通信装置などの小型化を達成する。 【解決手段】 発光素子を有するバタフライ型半導体モ
ジュールの電極ピン１３をＬ字型構造とし、この電極ピ
ン１３を前記基板１５に固定した構造である。これによ
り、基板の切り欠きの長さをバタフライ型半導体モジュ
ールの長さにすることができるので、基板１５を縮小化
することができ、レーザダイオードモジュールを用いた
装置の小型化を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信装置などに
用いられ、その小型化を達成することができるバタフラ
イ型半導体モジュールおよびその基板への固定構造に関
する。

【０００２】

【従来の技術】バタフライ型半導体モジュールは半導体
発光素子を収納しているハウジングの側面にバタフライ
状の多数の電極ピンを有しているもので、その一例とし
て、光通信装置などに用いられるレーザダイオードモジ
ュールが挙げられる。従来のレーザダイオードモジュー
ルについて図６および図７を参照しながら説明する。レ
ーザダイオードモジュールは基板に固定されて用いられ
る。また、レーザダイオードモジュールは、レーザダイ
オードハウジング２１とブーツ２２とから構成されてい
る。レーザダイオードハウジング２１は、半導体レーザ
や光学系ユニットなどが内部に設けられ、また基板２５
に接続される電極ピン２３が設けられている。ブーツ２
２は、レーザダイオードからのレーザを導波するファイ
バ２７をハウジング部２１内部の光学系ユニットに接続
するための接続端子を内蔵している。レーザダイオード
モジュールのレーザダイオードハウジング２１側面には
レーザダイオードハウジング２１側面から垂直方向に延
びた複数本の電極ピン２３が設けられている。

【０００３】基板２５には、このレーザダイオードモジ
ュールの形状に見合った切り欠きが形成されている。こ
の切り欠きに該レーザダイオードモジュールが収められ
ており、電極ピン２３を基板２５のランド部に重ねて載
せられて、電極ピン２３と基板２５とがハンダ２４を用
いて固定されている。また、レーザダイオードハウジン
グ２１は安定に固定されるよう筐体の底面板２６上に接
して設置されている。この固定構造では、レーザダイオ
ードメーカから納入されてきたレーザダイオードモジュ
ールの電極ピン２３を所望の長さで切断し、ハンダ付け
によりそのまま固定することができるという利点があ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この基
板への固定構造では、図８の側面図に示されるようにフ
ァイバ２７と基板２５が同一面上に設けられてしまう。
切り欠きのうち、レーザダイオードモジュールのブーツ
２２基端から基板２５の端までの距離Ｌが短すぎると、
ブーツ２２の先端に接続されたファイバ２７と基板２５
とがぶつかってしまい、ファイバ２７を曲げなければな
らず、曲げ損失が生じていた。その曲げ損失の影響を小
さくするため、距離Ｌを十分に確保する必要があった。
近年、バタフライ型半導体モジュールが使用される光通
信装置などは小型化が進んでいるが、切り欠きの距離Ｌ
を長くとる必要があるため、バタフライ型半導体モジュ
ールが使用される光通信装置などの小型化に対する対応
には限界があった。そこで、本発明は、前記課題を解決
するために行われたものであり、基板によるファイバに
曲げ損失が加わることがなく、光通信装置などの小型化
が達成できるバタフライ型半導体モジュールおよびその
基板への固定構造を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明のバタフライ型半
導体モジュールは、発光素子を有するバタフライ型半導
体モジュールの電極ピンがＬ字型の構造を有しているも
のである。また、本発明のバタフライ型半導体モジュー
ルの基板への固定構造は、発光素子を有するバタフライ
型半導体モジュールを、基板に固定したバタフライ型半
導体モジュールの基板への固定構造であって、前記バタ
フライ型半導体モジュールの電極ピンをＬ字型構造と
し、この電極ピンを前記基板に固定した構造である。前
記バタフライ型半導体モジュールには、これから発せら
れる光を導くファイバが接続されており、このファイバ
が基板と同一面にならないように、バタフライ型半導体
モジュールの基板への取り付けがなされていることが好
ましい。前記バタフライ型半導体モジュールには、これ
から発せられる光を導くファイバが接続され、これらの
接続部分を覆うブーツが設けられており、このブーツが
基板と同一面にならないようにバタフライ型半導体モジ
ュールの基板への固定がなされていることが好ましい。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明のバタフライ型半導体モジ
ュールの一種であるレーザダイオードモジュールの第一
の実施形態について図１ないし図３を参照して説明す
る。本実施形態のレーザダイオードモジュールは、従来
と同様に図１に示されるように基板に固定されている。
しかしながら、レーザダイオードハウジング１１に設け
られた電極ピン１３の構造が従来のレーザダイオードと
異なっている。

【０００７】すなわち、図２は図１のII−II線の断面図
である。この図に示されるように、本実施形態における
電極ピン１３は、レーザダイオードハウジング１１の側
面から垂直に延び、その先がレーザダイオードの側面に
平行となるよう折れ曲がり、かつ電極ピン１３の先端が
下方に向くようなＬ字型の構造を有している。そして、
このＬ字型構造を有した電極ピン１３は、基板１５に設
けられたランドとなる貫通孔に差し込まれて基板１５と
電気的に接続されており、さらにハンダ１４により固定
されている。また、レーザダイオードハウジング１１
は、安定に固定されるように筐体の底面板１６の上に設
置され、固定されている。

【０００８】電極ピン１３をＬ字型構造にする方法は、
レーザダイオードハウジング１１を組み立てるときにＬ
字型構造の電極ピン１３を設けてもよいし、従来の水平
な電極ピンを折り曲げてＬ字型構造にしてもよい。ま
た、電極ピン１３の材質については、導電性であれば特
に制限はない。なお、電極ピン１３の寸法は、ファイバ
１７が基板１５と同一面に配置されないような長さでな
ければならない。また、基板１５に用いられる材料は特
に制限はなく、ガラスエポキシ樹脂またはアルミナセラ
ミックスなどの絶縁材が例示される。

【０００９】本実施形態のレーザダイオードモジュール
の基板に固定する工程は下記の通りである。第一に、本
実施形態のレーザダイオードモジュールが納められる筐
体に基板１５を取り付ける。第二に、レーザダイオード
ハウジング１１の側面から垂直に延び、その先がレーザ
ダイオードの側面に平行となるように折れ曲がり、かつ
先端が下方に向くようなＬ字型の構造を有している電極
ピン１３を、基板１５に設けられた貫通孔に差込む。第
三に、電極ピン１３と基板１５とをハンダ１４により固
定する。本実施形態のレーザダイオードモジュールの基
板１５への固定構造では、レーザダイオードモジュール
の電極ピン１３がＬ字型構造を有している。このため、
レーザダイオードモジュールを高い位置に基板に固定で
きることになり、ファイバ１７を基板１５と同一面に位
置しないように配置することができる。

【００１０】また、本実施形態では、上述のようにファ
イバ１７が基板１５と同一面に配置されていないので、
基板１５にファイバ１７がぶつかることがなく、ファイ
バ１７に曲げ損失が加わることがなくなる。また、従来
は曲げ損失の影響を少なくするために、ブーツ１２先端
から基板までの距離を長くする必要があったが、本実施
形態では基板１５の切り欠きの長さは最大でもレーザダ
イオードモジュールの長さ、すなわち、レーザダイオー
ドハウジング１１とブーツ１２との合計の長さにするこ
とができる。

【００１１】図４および図５は第二の実施形態を示すも
のである。本実施形態では、レーザダイオードモジュー
ルの電極ピン１３がＬ字型構造を有しており、かつその
折り曲げられた先端部の長さが第一の実施形態よりも長
くなっている。このＬ字型構造電極ピン１３は筐体内に
水平に設置された基板１５に接続され、ハンダ１４によ
り固定されている。本実施形態では、ブーツ１２が基板
１５と同一面に配置されていない。これにより、図５に
示したように、基板１５の切り欠きはレーザダイオード
ハウジング１１の長さ分だけでよくなり、基板１５を大
幅に縮小化することができる。

【００１２】なお、本発明は第一および第二の実施形態
に限定されることはなく、例えば、Ｌ字型構造の電極ピ
ン１３を基板１５のランド部に接触させて、ハンダによ
り固定される構造であってもよい。また、電極ピン１３
の先端が上方に向いている構造であってもよい。

【００１３】

【発明の効果】本発明のバタフライ型半導体モジュール
は、発光素子を有するバタフライ型半導体モジュールの
電極ピンがＬ字型の構造を有しているものである。これ
により、基板の面積を小さくできるため、バタフライ型
半導体モジュールを用いた装置を小型にすることができ
る。また、バタフライ型半導体モジュールを基板に固定
した際にはバタフライ型半導体モジュールに接続された
ファイバの曲げ損失をなくすことができる。本発明のバ
タフライ型半導体モジュールの基板への固定構造は、発
光素子を有するバタフライ型半導体モジュールを、基板
に固定したバタフライ型半導体モジュールの基板への固
定構造であって、前記バタフライ型半導体モジュールの
電極ピンをＬ字型構造とし、この電極ピンを前記基板に
固定した構造である。これにより、バタフライ型半導体
モジュールに設けられたブーツを基板と同一面に配置し
ないようにでき、基板にファイバがぶつかることがなく
なり、基板によるファイバの曲げ損失をなくすことがで
きる。

【００１４】前記バタフライ型半導体モジュールには、
これから発せられる光を導くファイバが接続されてお
り、このファイバが基板と同一面にならないように、バ
タフライ型半導体モジュールの基板への取り付けがなさ
れていることが好ましい。これにより、基板の切り欠き
の長さを、バタフライ型半導体モジュールのハウジング
およびブーツの長さにすることができるので、基板を縮
小化することができ、結果的にレーザダイオードを用い
た装置の小型化を行うことができる。前記バタフライ型
半導体モジュールには、これから発せられる光を導くフ
ァイバが接続され、これらの接続部分を覆うブーツが設
けられており、このブーツが基板と同一面にならないよ
うにバタフライ型半導体モジュールの基板への固定がな
されていることが好ましい。これにより、基板の切り欠
きの長さを、バタフライ型半導体モジュールのハウジン
グの長さにすることができるので、基板を縮小化するこ
とができ、結果的にレーザダイオードを用いた装置の小
型化を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のバタフライ型半導体モジュールの第一
の実施形態を示す上面図である。

【図２】図１のII−II線断面図である。

【図３】本発明のバタフライ型半導体モジュールの第一
の実施形態を示す側面図である。

【図４】本発明のバタフライ型半導体モジュールの第二
の実施形態を示す側面図である。

【図５】本発明のバタフライ型半導体モジュールの第二
の実施形態を示す上面図である。

【図６】従来のバタフライ型半導体モジュールの一例を
示す上面図である。

【図７】図６のIIＶ−IIＶ線断面図である。

【図８】従来のバタフライ型半導体モジュールの一例を
示す側面図である。

【符号の説明】

１１・・・レーザダイオードハウジング、１２・・・ブ
ーツ、１３・・・電極ピン、１４・・・ハンダ、１５・
・・基板、１７・・・ファイバ。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子を有するバタフライ型半導体モ
   ジュールの電極ピンがＬ字型の構造を有していることを
   特徴とするバタフライ型半導体モジュール。
2. 【請求項２】 発光素子を有するバタフライ型半導体モ
   ジュールを、基板に固定したバタフライ型半導体モジュ
   ールの基板への固定構造であって、 前記バタフライ型半導体モジュールの電極ピンをＬ字型
   構造とし、この電極ピンを前記基板に固定したことを特
   徴とするバタフライ型半導体モジュールの基板への固定
   構造。
3. 【請求項３】 前記バタフライ型半導体モジュールに
   は、これから発せられる光を導くファイバが接続されて
   おり、 このファイバが基板と同一面にならないように、バタフ
   ライ型半導体モジュールの基板への取り付けがなされて
   いることを特徴とする請求項２に記載のバタフライ型半
   導体モジュールの基板への固定構造。
4. 【請求項４】 前記バタフライ型半導体モジュールに
   は、これから発せられる光を導くファイバが接続され、
   これらの接続部分を覆うブーツが設けられており、 このブーツが基板と同一面にならないようにバタフライ
   型半導体モジュールの基板への固定がなされていること
   を特徴とする請求項２に記載のバタフライ型半導体モジ
   ュール。