JP2002155076A - Diprromethene metal chelate compound and photorecording medium using the same - Google Patents

Diprromethene metal chelate compound and photorecording medium using the same

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JP2002155076A
JP2002155076A JP2000351428A JP2000351428A JP2002155076A JP 2002155076 A JP2002155076 A JP 2002155076A JP 2000351428 A JP2000351428 A JP 2000351428A JP 2000351428 A JP2000351428 A JP 2000351428A JP 2002155076 A JP2002155076 A JP 2002155076A
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JP
Japan
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metal chelate
chelate compound
compound represented
recording medium
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Application number
JP2000351428A
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Japanese (ja)
Inventor
Taizo Nishimoto
泰三 西本
Takashi Tsukahara
宇 塚原
Shinobu Inoue
忍 井上
Akira Ogiso
章 小木曽
Tsutayoshi Misawa
伝美 三沢
Masashi Koike
正士 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamamoto Chemicals Inc
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Yamamoto Chemicals Inc
Mitsui Chemicals Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rewritable photorecording medium capable of carrying out good high-density recording and reproduction by using a laser having 520-690 nm wavelength and a diprromethene metal chelate compound used for the recording medium. SOLUTION: This photorecording medium comprises a diprromethene metal chelate compound represented by the following general formula (1) in a recording layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なジピロメテ
ン金属キレート化合物、及びこれを用いた、従来に比較
して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel dipyrromethene metal chelate compound and an optical recording medium using the same, which can record and reproduce data at a higher density than before.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、CDと比較して大容量な光記録媒
体として、容量4.7GBであるDVDが開発され、商
品化されている。DVDは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはDVD−Rと呼ぶ。
2. Description of the Related Art At present, a DVD having a capacity of 4.7 GB has been developed and commercialized as an optical recording medium having a larger capacity than a CD. Since a DVD is a read-only medium, an optical recording medium capable of recording and reproducing data corresponding to the capacity is desired. Among them, the write-once type is called DVD-R.

【0003】DVDでは高密度記録を行うためにレーザ
ー光の発信波長が630nm〜680nm近傍とCDの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
4−74690号公報、特開平5−38878号公報、
特開平6−40161号公報、特開平6−40162号
公報、特開平6−199045号公報、特開平6−33
6086号公報、特開平7−76169号公報、特開平
7−125441号公報、特開平7−262604号公
報、特開平9−156218号公報、特開平9−193
544号公報、特開平9−193545号公報、特開平
9−193547号公報、特開平9−194748号公
報、特開平9−202052号公報、特開平9−267
562号公報、特開平9−274732号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく、分布の大きいピット
形成に起因するジッターの悪化、半径方向へのクロスト
ークの悪化や、ピットが極端に小さくなることに起因す
る変調度の悪化、あるいは、目的とするレーザー波長に
おいて、不適切な光学定数(屈折率、消衰係数)を有す
る有機色素を記録層に選択することに起因する反射率の
低下や感度の悪化等についてはなんら解決されていない
のが現状である。
[0003] In order to perform high-density recording in DVDs, the emission wavelength of laser light is 630 nm to 680 nm, which is shorter than that in CDs. Dyes of such organic dye-based optical recording media for short wavelength use include cyanine, azo,
Benzopyran, benzodifuranone, indigo, dioxazine, porphyrin dyes and the like have been proposed, JP-A-4-74690, JP-A-5-38878,
JP-A-6-40161, JP-A-6-40162, JP-A-6-199045, JP-A-6-33
6086, JP-A-7-76169, JP-A-7-125441, JP-A-7-262604, JP-A-9-156218, JP-A-9-193
544, JP-A-9-193545, JP-A-9-193747, JP-A-9-194748, JP-A-9-202052, JP-A-9-267
562, JP-A-9-274732 and the like, there is a problem of durability, especially a problem specific to a short wavelength application, for example, a place where a small pit should be opened with a narrowed laser beam has an influence on surroundings. Jitter is increased due to the formation of pits having a large distribution, the crosstalk in the radial direction is deteriorated, the degree of modulation is deteriorated due to the extremely small pits, or the target laser wavelength is not sufficient. At present, there is no solution to the decrease in reflectivity or the decrease in sensitivity caused by selecting an organic dye having an appropriate optical constant (refractive index, extinction coefficient) for the recording layer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、波長
520〜690nmの短波長レーザーでの記録および再
生が可能でかつ、耐久性に優れた高密度記録に適した光
記録媒体を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an optical recording medium which can be recorded and reproduced with a short wavelength laser having a wavelength of 520 to 690 nm and which is excellent in durability and suitable for high density recording. It is in.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、有機色素
としてジピロメテン金属キレート化合物を用いた記録お
よび再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体の提案
を行っている(特開平10−226172号公報)。本
発明者らは、前記ジピロメテン金属キレート化合物を用
いた光記録媒体について更に鋭意検討を進めた結果、ジ
ピロメテン金属キレート化合物の中で、特定の置換基を
選択することにより、記録特性に加えて、耐久性に優れ
た光記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成す
るに至った。即ち、本発明は、 下記一般式(1)で示されるジピロメテン金属キレ
ート化合物。
Means for Solving the Problems The present inventors have proposed an optical recording medium suitable for high-density recording capable of recording and reproduction using a dipyrromethene metal chelate compound as an organic dye (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10 (1999)). -226172). The present inventors have further studied the optical recording medium using the dipyrromethene metal chelate compound, and as a result, in the dipyrromethene metal chelate compound, by selecting a specific substituent, in addition to the recording characteristics, The inventors have found that an optical recording medium having excellent durability can be obtained, and have completed the present invention. That is, the present invention provides a dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (1).

【0006】[0006]

【化3】 Embedded image

【0007】〔式中、R1〜R7は、各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ
基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数
20以下の置換または未置換のアルキル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基、アシルアミノ基、アラルキル基、
アリール基またはヘテロアリール基を表し、R1とR2
6とR7の少なくとも一方は結合して飽和環を形成し、
A、Bは炭素数20以下の芳香環又は複素環を表し、M
は遷移元素を表す。〕 基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光
記録媒体において、記録層中に、記載のジピロメテン
金属キレート化合物を含有する光記録媒体。 基板上に少なくとも記録層および反射層を有する光
記録媒体において、記録層中に、記載のジピロメテン
金属キレート化合物、及び下記一般式(2)で示される
ジピロメテン金属キレート化合物を含有する記載の光
記録媒体。
[Wherein, R 1 to R 7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a substituent having 20 or less carbon atoms or Unsubstituted alkyl, alkoxy, alkylthio, aryloxy, arylthio, alkenyl, acyl, alkoxycarbonyl, carbamoyl, acylamino, aralkyl,
Represents an aryl group or a heteroaryl group, R 1 and R 2 ,
At least one of R 6 and R 7 is bonded to form a saturated ring;
A and B each represent an aromatic ring or a heterocyclic ring having 20 or less carbon atoms;
Represents a transition element. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer contains the above-mentioned dipyrromethene metal chelate compound. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer contains the described dipyrromethene metal chelate compound and the dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (2). .

【0008】[0008]

【化4】 Embedded image

【0009】〔式中、R8〜R15は、各々独立に、水素
原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ
基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数
20以下の置換または未置換のアルキル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基、アシルアミノ基、アラルキル基、
アリール基またはヘテロアリール基を表し、R16は、ハ
ロゲン原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキ
シ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチ
オ基を表し、Mは遷移元素を表す。〕 レーザー波長において、記録層の屈折率が1.8以
上であり、消衰係数が0.04〜0.40であるまた
は記載の光記録媒体。 波長520〜690nmの範囲から選択されるレー
ザー光に対して、記録および再生が可能である〜に
記載の光記録媒体。
[Wherein, R 8 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a substituent having 20 or less carbon atoms or Unsubstituted alkyl, alkoxy, alkylthio, aryloxy, arylthio, alkenyl, acyl, alkoxycarbonyl, carbamoyl, acylamino, aralkyl,
Represents an aryl group or a heteroaryl group, R 16 represents a halogen atom, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, or an arylthio group, and M represents a transition element. The optical recording medium according to the above, wherein the recording layer has a refractive index of 1.8 or more and an extinction coefficient of 0.04 to 0.40 at a laser wavelength. The optical recording medium according to the above, which is capable of recording and reproducing with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 520 to 690 nm.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.

【0011】一般式(1)で示されるジピロメテン金属
キレート化合物において、R1〜R7の具体例としては、
水素原子;フッ素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン原
子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシ基;アミノ基;カ
ルボキシル基;スルホン酸基;メチル基、エチル基、n
−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、i
so−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、iso−ペンチル基、2−メチルブチル
基、1−メチルブチル基、neo−ペンチル基、1,2
−ジメチルプロピル基、1,1−ジメチルプロピル基、
cyclo−ペンチル基、n−ヘキシル基、4−メチル
ペンチル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチ
ル基、1−メチルペンチル基、3,3−ジメチルブチル
基、2,3−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチ
ル基、2,2−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブ
チル基、1,1−ジメチルブチル基、3−エチルブチル
基、2−エチルブチル基、1−エチルブチル基、1,
2,2−トリメチルブチル基、1,1,2−トリメチル
ブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、cyc
lo−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシ
ル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、
5−メチルヘキシル基、2,4−ジメチルペンチル基、
n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、2,5−ジメ
チルヘキシル基、2,5,5−トリメチルペンチル基、
2,4−ジメチルヘキシル基、2,2,4−トリメチル
ペンチル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−
ノニル基、n−デシル基、4−エチルオクチル基、4−
エチル−4,5−ジメチルヘキシル基、n−ウンデシル
基、n−ドデシル基、1,3,5,7−テトラエチルオ
クチル基、4−ブチルオクチル基、6,6−ジエチルオ
クチル基、n−トリデシル基、6−メチル−4−ブチル
オクチル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル
基、3,5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチルヘ
プチル基、2,4−ジメチルヘプチル基、2,2,5,
5−テトラメチルヘキシル基、1−cyclo−ペンチ
ル−2,2−ジメチルプロピル基、1−cyclo−ヘ
キシル−2,2−ジメチルプロピル基等の炭素数20以
下の置換または未置換のアルキル基;
In the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1), specific examples of R 1 to R 7 include:
Hydrogen atom; halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine, iodine, etc .; nitro group; cyano group; hydroxy group; amino group; carboxyl group; sulfonic acid group: methyl group, ethyl group, n
-Propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, i
so-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n
-Pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,2
-Dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group,
cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group,
2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, cyc
lo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group,
5-methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group,
n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,5,5-trimethylpentyl group,
2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-
Nonyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group, 4-
Ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1,3,5,7-tetraethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group , 6-methyl-4-butyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2,5 ,
A substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, such as a 5-tetramethylhexyl group, a 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, and a 1-cyclo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group;

【0012】メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−
ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n
−ペントキシ基、iso−ペントキシ基、neo−ペン
トキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ドデシルオキシ
基等のアルコキシ基;メチルチオ基、エチルチオ基、n
−プロピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチ
ルチオ基、iso−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ
基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、iso−
ペンチルチオ基、2−メチルブチルチオ基、1−メチル
ブチルチオ基、neo−ペンチルチオ基、1,2−ジメ
チルプロピルチオ基、1,1−ジメチルプロピルチオ基
等のアルキルチオ基;フェノキシ基、2−メチルフェノ
キシ基、4−メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェ
ノキシ基、2−メトキシフェノキシ基、4−iso−プ
ロピルフェノキシ基等のアリールオキシ基;フェニルチ
オ基、4−メチルフェニルチオ基、2−メトキシフェニ
ルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ基等のアリ−ル
チオ基;ビニル基、プロペニル基、1−ブテニル基、i
so−ブテニル基、1−ペンテニル基、2−ペンテニル
基、2−メチル−1−ブテニル基、3−メチル−1−ブ
テニル基、2−メチル−2−ブテニル基、2,2−ジシ
アノビニル基、2−シアノ−2−メチルカルボキシルビ
ニル基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニル基、2
−フェニル−1−ブテニル基等のアルケニル基;ホルミ
ル基、アセチル基、エチルカルボニル基、n−プロピル
カルボニル基、iso−プロピルカルボニル基、n−ブ
チルカルボニル基、iso−ブチルカルボニル基、se
c−ブチルカルボニル基、t−ブチルカルボニル基、n
−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカルボニル
基、neo−ペンチルカルボニル基、2−メチルブチル
カルボニル基、ニトロベンジルカルボニル基等のアシル
基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イ
ソプロピルオキシカルボニル基、2,4−ジメチルブチ
ルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;
Methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, iso-
Butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, n
-Alkoxy groups such as -pentoxy group, iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group; methylthio group, ethylthio group, n
-Propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, iso-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, iso-
Alkylthio groups such as pentylthio group, 2-methylbutylthio group, 1-methylbutylthio group, neo-pentylthio group, 1,2-dimethylpropylthio group and 1,1-dimethylpropylthio group; phenoxy group, 2-methyl Aryloxy groups such as phenoxy group, 4-methylphenoxy group, 4-t-butylphenoxy group, 2-methoxyphenoxy group, 4-iso-propylphenoxy group; phenylthio group, 4-methylphenylthio group, 2-methoxyphenyl Arylthio groups such as thio group and 4-t-butylphenylthio group; vinyl group, propenyl group, 1-butenyl group, i
so-butenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2-dicyanovinyl group, 2-cyano-2-methylcarboxylvinyl group, 2-cyano-2-methylsulfonevinyl group, 2
Alkenyl groups such as -phenyl-1-butenyl group; formyl group, acetyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, iso-propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, iso-butylcarbonyl group, se
c-butylcarbonyl group, t-butylcarbonyl group, n
Acyl groups such as -pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group and nitrobenzylcarbonyl group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group, 2,4- An alkoxycarbonyl group such as a dimethylbutyloxycarbonyl group;

【0013】カルバモイル基;アセチルアミノ基、エチ
ルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基等の
アシルアミノ基;ベンジル基、ニトロベンジル基、シア
ノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル
基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジク
ロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジ
ル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等のアラル
キル基;フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニ
ル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、ジメ
チルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニ
ル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、n
−プロピルフェニル基、ジ(n−プロピル)フェニル
基、トリ(n−プロピル)フェニル基、iso−プロピ
ルフェニル基、ジ(iso−プロピル)フェニル基、ト
リ(iso−プロピル)フェニル基、n−ブチルフェニ
ル基、ジ(n−ブチル)フェニル基、トリ(n−ブチ
ル)フェニル基、iso−ブチルフェニル基、ジ(is
o−ブチル)フェニル基、トリ(iso−ブチル)フェ
ニル基、sec−ブチルフェニル基、ジ(sec−ブチ
ル)フェニル基、トリ(sec−ブチル)フェニル基、
t−ブチルフェニル基、ジ(t−ブチル)フェニル基、
トリ(t−ブチル)フェニル基、ジメチル−t−ブチル
フェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、
ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキシフェニ
ル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチルフェニ
ル基、N,N−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル
基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシ
ナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチル基、
クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナフチル
基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナフチル
基、N,N−ジメチルアミノナフチル基等のアリール
基;
Carbamoyl group; acylamino group such as acetylamino group, ethylcarbonylamino group, butylcarbonylamino group; benzyl group, nitrobenzyl group, cyanobenzyl group, hydroxybenzyl group, methylbenzyl group, dimethylbenzyl group, trimethylbenzyl group , Dichlorobenzyl, methoxybenzyl, ethoxybenzyl, trifluoromethylbenzyl, naphthylmethyl, nitronaphthylmethyl, cyanonaphthylmethyl, hydroxynaphthylmethyl, methylnaphthylmethyl, trifluoromethylnaphthylmethyl, etc. Aralkyl groups; phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl, dimethylphenyl, trimethylphenyl, ethylphenyl, diethylphenyl Group, triethyl phenyl radical, n
-Propylphenyl group, di (n-propyl) phenyl group, tri (n-propyl) phenyl group, iso-propylphenyl group, di (iso-propyl) phenyl group, tri (iso-propyl) phenyl group, n-butyl Phenyl group, di (n-butyl) phenyl group, tri (n-butyl) phenyl group, iso-butylphenyl group, di (is
o-butyl) phenyl group, tri (iso-butyl) phenyl group, sec-butylphenyl group, di (sec-butyl) phenyl group, tri (sec-butyl) phenyl group,
t-butylphenyl group, di (t-butyl) phenyl group,
Tri (t-butyl) phenyl group, dimethyl-t-butylphenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group,
Bromophenyl group, iodophenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, trifluoromethylphenyl group, N, N-dimethylaminophenyl group, naphthyl group, nitronaphthyl group, cyanonaphthyl group, hydroxynaphthyl group, methylnaphthyl group, Fluoronaphthyl group,
Aryl groups such as chloronaphthyl group, bromonaphthyl group, iodonaphthyl group, methoxynaphthyl group, trifluoromethylnaphthyl group, N, N-dimethylaminonaphthyl group;

【0014】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基、イソインドイル基等のヘテロアリー
ル基;等を挙げることができる。
Hetero groups such as pyrrolyl, thienyl, furanyl, oxazoyl, isoxazoyl, oxadiazoyl, imidazoyl, benzoxazoyl, benzothiazoyl, benzoimidazoyl, benzofuranyl, indoyl and isoindoyl groups. Aryl group; and the like.

【0015】R1とR2、R6とR7が結合して飽和環を形
成する具体例としては、−CH2−CH2−、−CH
2−、−O−、−S−、−C(CH32−CH2−、−C
(CH32−、等を挙げることができる。
Specific examples of the case where R 1 and R 2 and R 6 and R 7 combine to form a saturated ring include —CH 2 —CH 2 — and —CH
2 -, - O -, - S -, - C (CH 3) 2 -CH 2 -, - C
(CH 3 ) 2- , and the like.

【0016】A、Bの具体例としては、ベンゼン、ニト
ロベンゼン、シアノベンゼン、ヒドロキシベンゼン、メ
チルベンゼン、ジメチルベンゼン、トリメチルベンゼ
ン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベ
ンゼン、n−プロピルベンゼン、ジ(n−プロピル)ベ
ンゼン、トリ(n−プロピル)ベンゼン、iso−プロ
ピルベンゼン、ジ(iso−プロピル)ベンゼン、トリ
(iso−プロピル)ベンゼン、n−ブチルベンゼン、
ジ(n−ブチル)ベンゼン、トリ(n−ブチル)ベンゼ
ン、iso−ブチルベンゼン、ジ(iso−ブチル)ベ
ンゼン、トリ(iso−ブチル)ベンゼン、sec−ブ
チルベンゼン、ジ(sec−ブチル)ベンゼン、トリ
(sec−ブチル)ベンゼン、t−ブチルベンゼン、ジ
(t−ブチル)ベンゼン、トリ(t−ブチル)ベンゼ
ン、ジメチル−t−ブチルベンゼン、フェニルベンゼ
ン、カルボキシベンゼン、フルオロベンゼン、クロロベ
ンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、メトキシベ
ンゼン、エトキシベンゼン、iso−ブトキシベンゼ
ン、トリフルオロメチルベンゼン、N,N−ジメチルア
ミノベンゼン、ナフタレン、ニトロナフタレン、シアノ
ナフタレン、ヒドロキシナフタレン、メチルナフタレ
ン、フルオロナフタレン、クロロナフタレン、ブロモナ
フタレン、ヨードナフタレン、メトキシナフタレン、ト
リフルオロメチルナフタレン、N,N−ジメチルアミノ
ナフタレン等の芳香環;ピロール、N−メチルピロー
ル、チオフェン、メチルチオフェン、フラン、オキサゾ
ール、イソオキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾ
ール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾ
イミダゾール、ベンゾフラン、インドール、イソインド
ール等の複素環;等を挙げることができる。
Specific examples of A and B include benzene, nitrobenzene, cyanobenzene, hydroxybenzene, methylbenzene, dimethylbenzene, trimethylbenzene, ethylbenzene, diethylbenzene, triethylbenzene, n-propylbenzene, di (n-propyl) benzene , Tri (n-propyl) benzene, iso-propylbenzene, di (iso-propyl) benzene, tri (iso-propyl) benzene, n-butylbenzene,
Di (n-butyl) benzene, tri (n-butyl) benzene, iso-butylbenzene, di (iso-butyl) benzene, tri (iso-butyl) benzene, sec-butylbenzene, di (sec-butyl) benzene, Tri (sec-butyl) benzene, t-butylbenzene, di (t-butyl) benzene, tri (t-butyl) benzene, dimethyl-t-butylbenzene, phenylbenzene, carboxybenzene, fluorobenzene, chlorobenzene, bromobenzene, Iodobenzene, methoxybenzene, ethoxybenzene, iso-butoxybenzene, trifluoromethylbenzene, N, N-dimethylaminobenzene, naphthalene, nitronaphthalene, cyanonaphthalene, hydroxynaphthalene, methylnaphthalene, fluoronaphthalene, Aromatic rings such as lonaphthalene, bromonaphthalene, iodonaphthalene, methoxynaphthalene, trifluoromethylnaphthalene, N, N-dimethylaminonaphthalene; pyrrole, N-methylpyrrole, thiophene, methylthiophene, furan, oxazole, isoxazole, oxadi Heterocycles such as azole, imidazole, benzoxazole, benzothiazole, benzimidazole, benzofuran, indole and isoindole;

【0017】Mの具体例としては、ジピロメテン化合物
とキレートを形成する能力を有する遷移元素であれば特
に制限されないが、8、9、10族(VIII族)、11族
(Ib族)、12族(IIb族)、3族(IIIa族)、4族(I
Va族)、5族(Va族)、6族(VIa族)、7族(VIIa
族)の金属が挙げられ、好ましくは、ニッケル、コバル
ト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オス
ミウム、イリジウム、白金、亜鉛等であり、耐光性の点
から特に銅、コバルトが好ましい。
Specific examples of M are not particularly limited as long as they are transition elements having the ability to form a chelate with a dipyrromethene compound, but may be any of groups 8, 9, 10 (Group VIII), 11 (Ib), and 12 (IIb group), 3 group (IIIa group), 4 group (I
Va group), 5 group (Va group), 6 group (VIa group), 7 group (VIIa)
Group), and are preferably nickel, cobalt, iron, ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, zinc and the like, and particularly preferably copper and cobalt from the viewpoint of light resistance.

【0018】本発明の一般式(1)で示されるジピロメ
テン金属キレート化合物は、限定されないが、例えば、
Aust. J. Chem, 1965, 11, 1835-45、Heteroatom Chemi
stry, Vol. 1, 5, 389(1990)、USP-4,774,339、USP-5,4
33,896等に記載の方法に準じて製造される。代表的に
は、以下の2段階反応にて製造することができる。
The dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) of the present invention is not limited.
Aust. J. Chem, 1965, 11, 1835-45, Heteroatom Chemi
stry, Vol. 1, 5, 389 (1990), USP-4,774,339, USP-5,4
It is produced according to the method described in 33,896 and the like. Typically, it can be produced by the following two-step reaction.

【0019】まず、第1段階では一般式(3)で示され
る化合物と一般式(4)で示される化合物、一般式
(5)で示される化合物と一般式(6)で示される化合
物、または一般式(4)で示される化合物と一般式
(5)で示される化合物と一般式(7)で示される化合
物とを臭化水素酸や塩化水素酸等の酸触媒の存在下、適
当な溶媒中で反応して、一般式(8)で示されるジピロ
メテン化合物を得る。次いで第2段階では一般式(8)
で示されるジピロメテン化合物とニッケル、コバルト、
鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウ
ム、イリジウム、白金、亜鉛等金属の酢酸塩やハロゲン
化物とを反応させて、一般式(1)で示されるジピロメ
テン金属キレート化合物を得る。
First, in the first step, a compound represented by the general formula (3) and a compound represented by the general formula (4), a compound represented by the general formula (5) and a compound represented by the general formula (6), or The compound represented by the general formula (4), the compound represented by the general formula (5) and the compound represented by the general formula (7) are mixed with a suitable solvent in the presence of an acid catalyst such as hydrobromic acid or hydrochloric acid. To give a dipyrromethene compound represented by the general formula (8). Next, in the second stage, the general formula (8)
A dipyrromethene compound represented by, nickel, cobalt,
The dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) is obtained by reacting with a metal acetate or halide such as iron, ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, and zinc.

【0020】[0020]

【化5】 Embedded image

【0021】[0021]

【化6】 Embedded image

【0022】[0022]

【化7】 Embedded image

【0023】[0023]

【化8】 Embedded image

【0024】[0024]

【化9】 Embedded image

【0025】[0025]

【化10】 〔式(3)〜(8)において、R1〜R7、A、Bは前記
と同じ意味を表す。〕
Embedded image [In the formulas (3) to (8), R 1 to R 7 , A and B represent the same meaning as described above. ]

【0026】また、本化合物の特徴的構造を与える原料
である一般式(3)〜(6)で示される化合物は、以下
の反応にて製造することができる。
In addition, the compounds represented by the general formulas (3) to (6), which are the raw materials giving the characteristic structure of the present compound, can be produced by the following reaction.

【0027】一般式(4)で示される化合物、及び一般
式(5)で示される化合物は、限定されないが、例え
ば、Zhurnal Organicheskoj Khimii, 492-495(1984)、L
iebigsAnn. Chem. 3847-3853(1965)、Chem. Ber. 110,
491-499(1977)等に記載の方法に準じて製造される。代
表的には、各々一般式(9)で示される化合物、及び一
般式(10)で示される化合物からケトオキシム誘導体
を得、次いでジメチルスルホキシド等の溶媒中、水酸化
カリウム等の塩基触媒存在下にジクロロエタンと反応す
る、若しくは各々一般式(9)で示される化合物、及び
一般式(10)で示される化合物と1−ニトロ−2−ジ
メチルアミノエチレン、またはグリオキサール-モノ
(ジメチルヒドラゾン)をアルコキシドの存在下、適当
な溶媒中で反応して、2−ニトロエチリデン−テトラロ
ン誘導体、または2−(ジメチルヒドラゾン)エチリデ
ン−テトラロン誘導体を得、次いでハイドロサルファイ
ト等で還元する、ことにより一般式(4)で示される化
合物、及び一般式(5)で示される化合物を得る。
The compound represented by the general formula (4) and the compound represented by the general formula (5) include, but are not limited to, for example, Zhurnal Organicheskoj Khimii, 492-495 (1984), L.
iebigsAnn.Chem. 3847-3853 (1965), Chem. Ber. 110,
It is produced according to the method described in 491-499 (1977) and the like. Typically, a ketoxime derivative is obtained from a compound represented by the general formula (9) and a compound represented by the general formula (10), and then in a solvent such as dimethyl sulfoxide in the presence of a base catalyst such as potassium hydroxide. The presence of an alkoxide which reacts with dichloroethane, or a compound represented by the general formula (9), and a compound represented by the general formula (10) and 1-nitro-2-dimethylaminoethylene or glyoxal-mono (dimethylhydrazone) Under a suitable solvent, a 2-nitroethylidene-tetralone derivative or a 2- (dimethylhydrazone) ethylidene-tetralone derivative is obtained, which is then reduced with hydrosulfite or the like to obtain a compound represented by the general formula (4). And the compound represented by the general formula (5).

【0028】一般式(3)で示される化合物、及び一般
式(6)で示される化合物は、限定されないが、例え
ば、Organic Preparations and Procedures Int. 13
(2), 97-101(1981)、J.O.C. 28, 3052-3058(1963)、Tet
rahedron Letters 2411- (1989)等に記載の方法に準じ
て、各々一般式(5)で示される化合物、及び一般式
(4)で示される化合物をアシル化することにより製造
される。
The compound represented by the general formula (3) and the compound represented by the general formula (6) are not limited. For example, the compounds represented by Organic Preparations and Procedures Int.
(2), 97-101 (1981), JOC 28, 3052-3058 (1963), Tet
It is produced by acylating the compound represented by the general formula (5) and the compound represented by the general formula (4), respectively, according to the method described in rahedron Letters 2411- (1989).

【0029】[0029]

【化11】 〔式(9)において、R1、R2、Aは前記と同じ意味を
表す。〕
Embedded image [In the formula (9), R 1 , R 2 and A represent the same meaning as described above. ]

【0030】[0030]

【化12】 〔式(10)において、R6、R7、Bは前記と同じ意味
を表す。〕
Embedded image [In the formula (10), R 6 , R 7 and B represent the same meaning as described above. ]

【0031】表−1に本発明の一般式(1)で示される
ジピロメテン金属キレート化合物の具体例を示す。
Table 1 shows specific examples of the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) of the present invention.

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

【0033】[0033]

【表2】 [Table 2]

【0034】[0034]

【表3】 [Table 3]

【0035】[0035]

【表4】 [Table 4]

【0036】[0036]

【表5】 [Table 5]

【0037】一般式(2)で示されるジピロメテン金属
キレート化合物において、R8〜R15の具体例として
は、水素原子;フッ素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン
原子;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシ基;アミノ基;
カルボキシル基;スルホン酸基;メチル基、エチル基、
n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、
iso−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、
n−ペンチル基、iso−ペンチル基、2−メチルブチ
ル基、1−メチルブチル基、neo−ペンチル基、1,
2−ジメチルプロピル基、1,1−ジメチルプロピル
基、cyclo−ペンチル基、n−ヘキシル基、4−メ
チルペンチル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペ
ンチル基、1−メチルペンチル基、3,3−ジメチルブ
チル基、2,3−ジメチルブチル基、1,3−ジメチル
ブチル基、2,2−ジメチルブチル基、1,2−ジメチ
ルブチル基、1,1−ジメチルブチル基、3−エチルブ
チル基、2−エチルブチル基、1−エチルブチル基、
1,2,2−トリメチルブチル基、1,1,2−トリメ
チルブチル基、1−エチル−2−メチルプロピル基、c
yclo−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘ
キシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル
基、5−メチルヘキシル基、2,4−ジメチルペンチル
基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、2,5−
ジメチルヘキシル基、2,5,5−トリメチルペンチル
基、2,4−ジメチルヘキシル基、2,2,4−トリメ
チルペンチル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、
n−ノニル基、n−デシル基、4−エチルオクチル基、
4−エチル−4,5−ジメチルヘキシル基、n−ウンデ
シル基、n−ドデシル基、1,3,5,7−テトラエチ
ルオクチル基、4−ブチルオクチル基、6,6−ジエチ
ルオクチル基、n−トリデシル基、6−メチル−4−ブ
チルオクチル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシ
ル基、3,5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチル
ヘプチル基、2,4−ジメチルヘプチル基、2,2,
5,5−テトラメチルヘキシル基、1−cyclo−ペ
ンチル−2,2−ジメチルプロピル基、1−cyclo
−ヘキシル−2,2−ジメチルプロピル基等の炭素数2
0以下のアルキル基;
In the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (2), specific examples of R 8 to R 15 include a hydrogen atom; a halogen atom such as fluorine, chlorine, bromine and iodine; a nitro group; a cyano group; A group; an amino group;
Carboxyl group; sulfonic acid group; methyl group, ethyl group,
n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group,
iso-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group,
n-pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,
2-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group, cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3, 3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group A 2-ethylbutyl group, a 1-ethylbutyl group,
1,2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, c
Cyclo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl Group, 2,5-
Dimethylhexyl group, 2,5,5-trimethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group,
n-nonyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl group,
4-ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, 1,3,5,7-tetraethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n- Tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2 ,
5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1-cyclo
2 carbon atoms such as -hexyl-2,2-dimethylpropyl group
0 or less alkyl groups;

【0038】メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−
ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n
−ペントキシ基、iso−ペントキシ基、neo−ペン
トキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ドデシルオキシ
基等のアルコキシ基;メチルチオ基、エチルチオ基、n
−プロピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチ
ルチオ基、iso−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ
基、t−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、iso−
ペンチルチオ基、2−メチルブチルチオ基、1−メチル
ブチルチオ基、neo−ペンチルチオ基、1,2−ジメ
チルプロピルチオ基、1,1−ジメチルプロピルチオ基
等のアルキルチオ基;フェノキシ基、2−メチルフェノ
キシ基、4−メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェ
ノキシ基、2−メトキシフェノキシ基、4−iso−プ
ロピルフェノキシ基等のアリールオキシ基;
Methoxy, ethoxy, n-propoxy, iso-propoxy, n-butoxy, iso-
Butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, n
-Alkoxy groups such as -pentoxy group, iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group; methylthio group, ethylthio group, n
-Propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, iso-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group, iso-
Alkylthio groups such as pentylthio group, 2-methylbutylthio group, 1-methylbutylthio group, neo-pentylthio group, 1,2-dimethylpropylthio group and 1,1-dimethylpropylthio group; phenoxy group, 2-methyl Aryloxy groups such as phenoxy group, 4-methylphenoxy group, 4-t-butylphenoxy group, 2-methoxyphenoxy group, 4-iso-propylphenoxy group;

【0039】フェニルチオ基、4−メチルフェニルチオ
基、2−メトキシフェニルチオ基、4−t−ブチルフェ
ニルチオ基等のアリ−ルチオ基;ビニル基、プロペニル
基、1−ブテニル基、iso−ブテニル基、1−ペンテ
ニル基、2−ペンテニル基、2−メチル−1−ブテニル
基、3−メチル−1−ブテニル基、2−メチル−2−ブ
テニル基、2,2−ジシアノビニル基、2−シアノ−2
−メチルカルボキシルビニル基、2−シアノ−2−メチ
ルスルホンビニル基、2−フェニル−1−ブテニル基等
のアルケニル基;ホルミル基、アセチル基、エチルカル
ボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso−プロピ
ルカルボニル基、n−ブチルカルボニル基、iso−ブ
チルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、t−
ブチルカルボニル基、n−ペンチルカルボニル基、is
o−ペンチルカルボニル基、neo−ペンチルカルボニ
ル基、2−メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジル
カルボニル基等のアシル基;メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル
基、2,4−ジメチルブチルオキシカルボニル基等のア
ルコキシカルボニル基;
Arylthio groups such as phenylthio, 4-methylphenylthio, 2-methoxyphenylthio, 4-tert-butylphenylthio; vinyl, propenyl, 1-butenyl, iso-butenyl , 1-pentenyl group, 2-pentenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2-dicyanovinyl group, 2-cyano- 2
Alkenyl groups such as -methylcarboxylvinyl group, 2-cyano-2-methylsulfonevinyl group, 2-phenyl-1-butenyl group; formyl group, acetyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, iso-propylcarbonyl Group, n-butylcarbonyl group, iso-butylcarbonyl group, sec-butylcarbonyl group, t-
Butylcarbonyl group, n-pentylcarbonyl group, is
acyl groups such as o-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group and nitrobenzylcarbonyl group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group and 2,4-dimethylbutyloxycarbonyl group Alkoxycarbonyl groups such as;

【0040】カルバモイル基;アセチルアミノ基、エチ
ルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基等の
アシルアミノ基;ベンジル基、ニトロベンジル基、シア
ノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル
基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジク
ロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジ
ル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等のアラル
キル基;フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニ
ル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、ジメ
チルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニ
ル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、n
−プロピルフェニル基、ジ(n−プロピル)フェニル
基、トリ(n−プロピル)フェニル基、iso−プロピ
ルフェニル基、ジ(iso−プロピル)フェニル基、ト
リ(iso−プロピル)フェニル基、n−ブチルフェニ
ル基、ジ(n−ブチル)フェニル基、トリ(n−ブチ
ル)フェニル基、iso−ブチルフェニル基、ジ(is
o−ブチル)フェニル基、トリ(iso−ブチル)フェ
ニル基、sec−ブチルフェニル基、ジ(sec−ブチ
ル)フェニル基、トリ(sec−ブチル)フェニル基、
t−ブチルフェニル基、ジ(t−ブチル)フェニル基、
トリ(t−ブチル)フェニル基、ジメチル−t−ブチル
フェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、
ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキシフェニ
ル基、エトキシフェニル基、トリフルオロメチルフェニ
ル基、N,N−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル
基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシ
ナフチル基、メチルナフチル基、フルオロナフチル基、
クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナフチル
基、メトキシナフチル基、トリフルオロメチルナフチル
基、N,N−ジメチルアミノナフチル基等のアリール
基;
Carbamoyl group; acylamino group such as acetylamino group, ethylcarbonylamino group, butylcarbonylamino group; benzyl group, nitrobenzyl group, cyanobenzyl group, hydroxybenzyl group, methylbenzyl group, dimethylbenzyl group, trimethylbenzyl group , Dichlorobenzyl, methoxybenzyl, ethoxybenzyl, trifluoromethylbenzyl, naphthylmethyl, nitronaphthylmethyl, cyanonaphthylmethyl, hydroxynaphthylmethyl, methylnaphthylmethyl, trifluoromethylnaphthylmethyl, etc. Aralkyl groups; phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl, dimethylphenyl, trimethylphenyl, ethylphenyl, diethylphenyl Group, triethyl phenyl radical, n
-Propylphenyl group, di (n-propyl) phenyl group, tri (n-propyl) phenyl group, iso-propylphenyl group, di (iso-propyl) phenyl group, tri (iso-propyl) phenyl group, n-butyl Phenyl group, di (n-butyl) phenyl group, tri (n-butyl) phenyl group, iso-butylphenyl group, di (is
o-butyl) phenyl group, tri (iso-butyl) phenyl group, sec-butylphenyl group, di (sec-butyl) phenyl group, tri (sec-butyl) phenyl group,
t-butylphenyl group, di (t-butyl) phenyl group,
Tri (t-butyl) phenyl group, dimethyl-t-butylphenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group,
Bromophenyl group, iodophenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, trifluoromethylphenyl group, N, N-dimethylaminophenyl group, naphthyl group, nitronaphthyl group, cyanonaphthyl group, hydroxynaphthyl group, methylnaphthyl group, Fluoronaphthyl group,
Aryl groups such as chloronaphthyl group, bromonaphthyl group, iodonaphthyl group, methoxynaphthyl group, trifluoromethylnaphthyl group, N, N-dimethylaminonaphthyl group;

【0041】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基、イソインドイル基等のヘテロアリー
ル基;等を挙げることができる。
Hetero groups such as pyrrolyl, thienyl, furanyl, oxazoyl, isoxazoyl, oxadiazoyl, imidazoyl, benzoxazoyl, benzothiazoyl, benzoimidazoyl, benzofuranyl, indoyl and isoindoyl groups. Aryl group; and the like.

【0042】R16の具体例としては、フッ素、塩素、臭
素、沃素等のハロゲン原子;フェニル基、ニトロフェニ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニ
ル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエ
チルフェニル基、n−プロピルフェニル基、ジ(n−プ
ロピル)フェニル基、トリ(n−プロピル)フェニル
基、iso−プロピルフェニル基、ジ(iso−プロピ
ル)フェニル基、トリ(iso−プロピル)フェニル
基、n−ブチルフェニル基、ジ(n−ブチル)フェニル
基、トリ(n−ブチル)フェニル基、iso−ブチルフ
ェニル基、ジ(iso−ブチル)フェニル基、トリ(i
so−ブチル)フェニル基、sec−ブチルフェニル
基、ジ(sec−ブチル)フェニル基、トリ(sec−
ブチル)フェニル基、t−ブチルフェニル基、ジ(t−
ブチル)フェニル基、トリ(t−ブチル)フェニル基、
ジメチル−t−ブチルフェニル基、フルオロフェニル
基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェ
ニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ト
リフルオロメチルフェニル基、N,N−ジメチルアミノ
フェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナ
フチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、
フルオロナフチル基、クロロナフチル基、ブロモナフチ
ル基、ヨードナフチル基、メトキシナフチル基、トリフ
ルオロメチルナフチル基、N,N−ジメチルアミノナフ
チル基等のアリール基;
Specific examples of R 16 include halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine; phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl, dimethylphenyl, trimethylphenyl, Ethylphenyl group, diethylphenyl group, triethylphenyl group, n-propylphenyl group, di (n-propyl) phenyl group, tri (n-propyl) phenyl group, iso-propylphenyl group, di (iso-propyl) phenyl group , Tri (iso-propyl) phenyl group, n-butylphenyl group, di (n-butyl) phenyl group, tri (n-butyl) phenyl group, iso-butylphenyl group, di (iso-butyl) phenyl group, tri (I
(so-butyl) phenyl group, sec-butylphenyl group, di (sec-butyl) phenyl group, tri (sec-
Butyl) phenyl group, t-butylphenyl group, di (t-
Butyl) phenyl group, tri (t-butyl) phenyl group,
Dimethyl-t-butylphenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, iodophenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, trifluoromethylphenyl group, N, N-dimethylaminophenyl group, naphthyl group, nitro group Naphthyl group, cyanonaphthyl group, hydroxynaphthyl group, methylnaphthyl group,
Aryl groups such as fluoronaphthyl group, chloronaphthyl group, bromonaphthyl group, iodonaphthyl group, methoxynaphthyl group, trifluoromethylnaphthyl group, N, N-dimethylaminonaphthyl group;

【0043】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基、イソインドイル基等のヘテロアリー
ル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i
so−プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキ
シ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペン
トキシ基、iso−ペントキシ基、neo−ペントキシ
基、n−ヘキシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基等の
アルコキシ基;メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロ
ピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ
基、iso−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t
−ブチルチオ基、n−ペンチルチオ基、iso−ペンチ
ルチオ基、2−メチルブチルチオ基、1−メチルブチル
チオ基、neo−ペンチルチオ基、1,2−ジメチルプ
ロピルチオ基、1,1−ジメチルプロピルチオ基等のア
ルキルチオ基;
Hetero groups such as pyrrolyl, thienyl, furanyl, oxazoyl, isoxazoyl, oxadiazoyl, imidazoyl, benzoxazoyl, benzothiazoyl, benzoimidazoyl, benzofuranyl, indoyl and isoindoyl groups. Aryl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i
so-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, n-pentoxy group, iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy Alkoxy groups such as a group; methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, iso-butylthio group, sec-butylthio group, t
-Butylthio group, n-pentylthio group, iso-pentylthio group, 2-methylbutylthio group, 1-methylbutylthio group, neo-pentylthio group, 1,2-dimethylpropylthio group, 1,1-dimethylpropylthio group An alkylthio group such as

【0044】フェノキシ基、2−メチルフェノキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキシ
基、2−メトキシフェノキシ基、4−iso−プロピル
フェノキシ基等のアリールオキシ基;フェニルチオ基、
4−メチルフェニルチオ基、2−メトキシフェニルチオ
基、4−t−ブチルフェニルチオ基等のアリ−ルチオ
基;等を挙げることができる。
Phenoxy group, 2-methylphenoxy group,
Aryloxy groups such as 4-methylphenoxy group, 4-t-butylphenoxy group, 2-methoxyphenoxy group, 4-iso-propylphenoxy group; phenylthio group;
Arylthio groups such as a 4-methylphenylthio group, a 2-methoxyphenylthio group, and a 4-t-butylphenylthio group;

【0045】また、Mの具体例としては、前記一般式
(1)中のMと同様の遷移元素を挙げることができる。
Specific examples of M include the same transition elements as M in the general formula (1).

【0046】表−2に本発明の一般式(2)で示される
ジピロメテン金属キレート化合物の具体例を示す。
Table 2 shows specific examples of the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (2) of the present invention.

【0047】[0047]

【表6】 [Table 6]

【0048】[0048]

【表7】 [Table 7]

【0049】[0049]

【表8】 [Table 8]

【0050】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用
の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することので
きる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここで
は適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録
媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体
に関して説明する。本発明の光記録媒体は図1に示すよ
うな貼り合わせ構造を有している。すなわち、基板1上
に記録層2が形成されており、その上に密着して反射層
3が設けられており、さらにその上に接着層4を介して
基板5が貼り合わされている。ただし、記録層2の下ま
たは上に別の層があっても良く、反射層3の上に別の層
があっても良い。
The specific configuration of the present invention will be described below. The optical recording medium refers to both a read-only optical read-only medium on which information is recorded in advance and an optical recording medium capable of recording and reproducing information. Here, as an example, an optical recording medium capable of recording and reproducing the latter information, in particular, an optical recording medium having a recording layer and a reflective layer on a substrate will be described. The optical recording medium of the present invention has a bonding structure as shown in FIG. That is, the recording layer 2 is formed on the substrate 1, the reflective layer 3 is provided in close contact with the recording layer 2, and the substrate 5 is bonded thereon via the adhesive layer 4. However, another layer may be provided below or above the recording layer 2, and another layer may be provided above the reflective layer 3.

【0051】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
DVDとして用いる場合は、厚さ1.2mm程度、直径
80ないし120mm程度の円盤状であり、中央に直径
15mm程度の穴が開いている。
As a material of the substrate, basically, it is sufficient that the substrate is transparent at the wavelength of the recording light and the reproducing light. For example, polymer materials such as acrylic resins such as polycarbonate resin, vinyl chloride resin and polymethyl methacrylate, polystyrene resins and epoxy resins, and inorganic materials such as glass are used.
These substrate materials are formed into a disk shape by injection molding or the like. If necessary, guide grooves or pits may be formed on the substrate surface. Such guide grooves and pits
It is desirable to apply it at the time of molding the substrate, but it can also be applied using an ultraviolet curable resin layer on the substrate. When used as a normal DVD, it is a disk having a thickness of about 1.2 mm and a diameter of about 80 to 120 mm, and a hole having a diameter of about 15 mm is formed in the center.

【0052】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、λmaxが450nm〜630
nm付近に存在する一般式(1)で示されるジピロメテ
ン系化合物と金属イオンとのジピロメテン金属キレート
化合物を含有する。中でも、520nm〜690nmよ
り選択される記録および再生レーザー波長に対して適度
な光学定数(光学定数は複素屈折率(n+ki)で表現
される。式中のn、kは、実数部nと虚数部kとに相当
する係数である。ここでは、nを屈折率、kを消衰係数
とする。)を有する必要がある。
In the present invention, a recording layer is provided on a substrate, and the recording layer of the present invention has a λmax of 450 nm to 630 nm.
It contains a dipyrromethene metal chelate compound of a dipyrromethene-based compound represented by the general formula (1) and a metal ion present in the vicinity of nm. Above all, appropriate optical constants (optical constants are represented by complex refractive indices (n + ki) with respect to a recording and reproducing laser wavelength selected from 520 nm to 690 nm. In the formula, n and k are a real part n and an imaginary part. It is necessary to have a coefficient corresponding to k. Here, n is a refractive index and k is an extinction coefficient.

【0053】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。nが1.8
より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反射
率と信号変調度は得られない場合があり、kが0.40
を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られ難
くなるだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実
用に適さない場合がある。この特徴を考慮して、目的と
するレーザー波長において好ましい光学定数を有する有
機色素を選択し記録層を成膜することで、高い反射率を
有し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。
Generally, an organic dye has a refractive index with respect to a wavelength λ.
There is a feature that n and the extinction coefficient k change greatly. n is 1.8
If the value is smaller, the reflectance and the signal modulation required for accurate signal reading may not be obtained, and k is 0.40.
Even if it exceeds, not only does the reflectivity decrease and it becomes difficult to obtain a good reproduction signal, but also the signal is easily changed by the reproduction light and is not suitable for practical use. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at a target laser wavelength and forming a recording layer, a medium having high reflectance and high sensitivity can be obtained. .

【0054】本発明で使用する一般式(1)で表される
ジピロメテン金属キレート化合物は、通常の有機色素に
比べ、吸光係数が高く、また置換基の選択により吸収波
長域を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長に
おいて記録層に必要な光学定数(nが1.8以上、且
つ、kが0.04から0.40であり、好ましくは、n
が2.0以上、且つ、kが0.04〜0.20)を満足
する極めて有用な化合物である。
The dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) used in the present invention has a higher absorption coefficient than ordinary organic dyes, and the absorption wavelength range can be arbitrarily selected by selecting a substituent. The optical constants required for the recording layer at the wavelength of the laser light (n is 1.8 or more, and k is 0.04 to 0.40, preferably n
Is 2.0 or more and k is 0.04 to 0.20).

【0055】本発明の記録層においては、更に、記録特
性などの改善のために、一般式(1)で表されるジピロ
メテン金属キレート化合物、及び一般式(2)で表され
るジピロメテン金属キレート化合物を2種以上を混合し
ても良い。これらのジピロメテン金属キレート化合物の
混合割合については特に制限はされないが、前記の理由
で、光学定数nが1.8以上、好ましくは2.0以上
で、且つ、kが0.04から0.40であり、好ましく
は0.04〜0.20になるように混合するのが好まし
い。
In the recording layer of the present invention, a dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) and a dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (2) are further provided for improving recording characteristics and the like. May be used in combination of two or more. The mixing ratio of these dipyrromethene metal chelate compounds is not particularly limited, but for the above reason, the optical constant n is 1.8 or more, preferably 2.0 or more, and k is 0.04 to 0.40. And it is preferable to mix them so as to be preferably 0.04 to 0.20.

【0056】また、波長450nm〜630nmに吸収
極大を有し、520nm〜690nmでの屈折率が大き
い前記以外の色素と混合しても良い。具体的には、シア
ニン系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色
素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザ
ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色
素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオ
ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニル
メタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、一般式(1)で示され
るジピロメテン金属キレート化合物に対して0.1〜3
0質量%程度である。
Further, it may be mixed with a dye other than the above dyes having an absorption maximum at a wavelength of 450 nm to 630 nm and having a large refractive index at 520 nm to 690 nm. Specifically, cyanine dyes, squarylium dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, porphyrin dyes, azaporphyrin dyes, tetrapyraporphyrazine dyes, indophenol dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes, There are azulenium dyes, triphenylmethane dyes, xanthene dyes, indathrene dyes, indigo dyes, thioindigo dyes, merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, oxazine dyes, etc. It may be a mixture. The mixing ratio of these dyes is 0.1 to 3 with respect to the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1).
It is about 0% by mass.

【0057】更に、一般式(1)で表されるジピロメテ
ン金属キレート化合物の、520nm〜690nmから
選択される記録及び再生レーザー波長に対してのkが小
さい場合には、記録特性などの改善のために、波長60
0nm〜900nmに吸収極大を有する光吸収化合物と
混合しても良い。具体的には、シアニン系色素、スクア
リリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン
系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色
素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノー
ル系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、
アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサ
ンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、
チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系
色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素、フタロシ
アニン系色素、ナフタロシアニン系色素等があり、複数
の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合
は、一般式(1)で示されるジピロメテン金属キレート
化合物に対して0.1〜30質量%程度である。
Further, when k of the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) is small with respect to a recording and reproducing laser wavelength selected from 520 nm to 690 nm, the recording characteristics and the like are improved. And a wavelength of 60
You may mix with the light absorption compound which has an absorption maximum in 0 nm-900 nm. Specifically, cyanine dyes, squarylium dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, porphyrin dyes, azaporphyrin dyes, tetrapyraporphyrazine dyes, indophenol dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes,
Azulenium dye, triphenylmethane dye, xanthene dye, indathrene dye, indigo dye,
There are thioindigo dyes, merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, oxazine dyes, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine dyes, and the like, and a mixture of a plurality of dyes may be used. The mixing ratio of these dyes is about 0.1 to 30% by mass based on the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1).

【0058】本発明の光記録媒体を520nm〜690
nmから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が20%あれば一応可能であるが、30
%以上の反射率が好ましい。
The optical recording medium of the present invention has a thickness of 520 nm to 690.
Reproduction with a laser beam selected from nm is basically possible if the reflectivity is 20%.
% Is preferred.

【0059】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。
When forming a recording layer, a quencher, a dye decomposition accelerator, an ultraviolet absorber, an adhesive or the like may be mixed with the above-mentioned dye, if necessary, or a compound having such an effect. Can be introduced as a substituent of the dye.

【0060】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。
Specific examples of the quencher include metals such as acetylacetonate, bisdithio-α-diketone and bisphenyldithiol, bisdithiol, thiocatechol, salicylaldehyde oxime, and thiobisphenolate. Complexes are preferred. Amines are also suitable.

【0061】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。
Examples of the thermal decomposition accelerator include metal antiknocking agents, metallocene compounds, and metal compounds such as acetylacetonate metal complexes.

【0062】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。
Further, if necessary, a binder, a leveling agent, an antifoaming agent and the like can be used in combination. Preferred binders include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate,
Ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin and the like can be mentioned.

【0063】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。
When a recording layer is formed on a substrate, in order to improve the solvent resistance, reflectance, recording sensitivity, etc. of the substrate,
A layer made of an inorganic substance or a polymer may be provided on the substrate.

【0064】ここで、記録層における一般式(1)、ま
たは一般式(2)で示されるジピロメテン金属キレート
化合物の含有量は、30%以上、好ましくは60%以上
である。尚、実質的に100%であることも好ましい。
Here, the content of the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) or (2) in the recording layer is 30% or more, preferably 60% or more. In addition, it is also preferable that it is substantially 100%.

【0065】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
The method for providing the recording layer includes, for example, a coating method such as a spin coating method, a spray method, a casting method, and a dipping method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. The spin coating method is simple. Is preferred.

【0066】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式(1)、または一般式(2)で示されるジピ
ロメテン金属キレート化合物を1〜40質量%、好まし
くは3〜30質量%となるように溶媒に溶解あるいは分
散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメ
ージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オク
タフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノ
ールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンな
どの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キ
シレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化
炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエ
タンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテ
ル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオ
キサンなどのエーテル系溶媒、アセトン、3−ヒドロキ
シ−3−メチル−2−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢
酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系溶媒、水などが
挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、
複数混合しても良い。
When a coating method such as a spin coating method is used, the dipyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (1) or (2) is added in an amount of 1 to 40% by mass, preferably 3 to 30% by mass. A coating solution dissolved or dispersed in a solvent is used so that the solvent is preferably selected so as not to damage the substrate. For example, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, octafluoropentanol, allyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and tetrafluoropropanol, hexane, heptane, octane, decane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, dimethylcyclohexane Aliphatic or alicyclic hydrocarbon solvents such as, toluene, xylene, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, carbon tetrachloride, chloroform, tetrachloroethane, halogenated hydrocarbon solvents such as dibromoethane, diethyl ether, Ether solvents such as dibutyl ether, diisopropyl ether and dioxane; ketone solvents such as acetone and 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone; Ester solvents such as methyl lactate, and water. These may be used alone, or
A plurality may be mixed.

【0067】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
It is to be noted that, if necessary, the dye of the recording layer can be used by dispersing it in a polymer thin film or the like.

【0068】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。
When a solvent that does not damage the substrate cannot be selected, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, or the like is effective.

【0069】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは50nm〜300nmである。色素層
の膜厚を50nmより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が300nmより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。
The thickness of the dye layer is not particularly limited, but is preferably 50 nm to 300 nm. If the thickness of the dye layer is less than 50 nm, recording cannot be performed due to large thermal diffusion, or a recording signal will be distorted and the signal amplitude will be small. On the other hand, when the film thickness is larger than 300 nm, the reflectivity decreases and the reproduction signal characteristics deteriorate.

【0070】次に記録層の上に、好ましくは50nm〜
300nmの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、Ta、CrおよびPdの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもAu、Al、
Agは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、M
g、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、F
e、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、S
i、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Auを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が50%以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。
Next, on the recording layer, preferably,
A reflective layer having a thickness of 300 nm is formed. As a material of the reflection layer, a material having sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, P
The metals t, Ta, Cr and Pd can be used alone or as an alloy. Among them, Au, Al,
Ag has a high reflectance and is suitable as a material for the reflective layer. In addition, the following may be included. For example, M
g, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, F
e, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, S
Metals and metalloids such as i, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi and the like can be mentioned. Further, those containing Au as a main component are preferable because a reflection layer having high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means a component having a content of 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking low-refractive-index thin films and high-refractive-index thin films with a material other than a metal, and use it as a reflective layer.

【0071】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。
As a method of forming the reflection layer, for example,
Examples include a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. In addition, a known inorganic or organic intermediate layer or adhesive layer may be provided on the substrate or below the reflective layer to improve the reflectance, the recording characteristics, and the adhesion.

【0072】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、SiO2、Si3
4、MgF2、SnO2などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良
く、1層だけでなく多層膜にして用いても良い。
The material of the protective layer on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. As organic substances, thermoplastic resins, thermosetting resins,
An electron beam curable resin, an ultraviolet curable resin, and the like can be given. Further, as the inorganic substance, SiO 2 , Si 3 N
4 , MgF 2 , SnO 2 and the like. A thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be formed by dissolving in a suitable solvent, applying a coating solution, and drying.
The ultraviolet curable resin can be formed by preparing a coating solution as it is or by dissolving it in an appropriate solvent, applying the coating solution, and irradiating ultraviolet rays to cure the resin. As the ultraviolet curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or as a mixture, and may be used not only as a single layer but also as a multilayer film.

【0073】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。
As a method of forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like is used as in the case of the recording layer. Among them, the spin coating method is preferable.

【0074】保護層の膜厚は、一般には0.1μm〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは5μm〜20μmであ
る。
The thickness of the protective layer is generally 0.1 μm to 1 μm.
In the present invention, the range is from 3 μm to
It is 30 μm, more preferably 5 μm to 20 μm.

【0075】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。また、反射層面に保護シートまたは
基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし
対向させ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を
用いても良い。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等
の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を
成膜しても良い。
A label or the like can be further printed on the protective layer. Further, a means such as bonding a protective sheet or a substrate to the reflective layer surface, or bonding two optical recording media with the reflective layer surfaces facing each other and facing each other may be used. Further, an ultraviolet curable resin, an inorganic thin film, or the like may be formed on the mirror surface of the substrate to protect the surface and prevent adhesion of dust and the like.

【0076】本発明でいう波長520nm〜690nm
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長633
nmのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長680、650、635nm付近の高出力半導体レー
ザー、波長532nmの高調波変換YAGレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される1波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。
The wavelength of 520 to 690 nm in the present invention
The laser is not particularly limited. For example, a dye laser capable of selecting a wavelength in a wide range of a visible light region or a wavelength of 633 is used.
helium-neon laser, high-power semiconductor lasers with wavelengths of around 680, 650, and 635 nm, and a harmonic conversion YAG laser with a wavelength of 532 nm. According to the present invention, high-density recording and reproduction can be performed at one wavelength or a plurality of wavelengths selected from these.

【0077】[0077]

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited by these examples.

【0078】〔実施例1〕 ジピロメテン金属キレート
化合物(1−1)の合成 エタノール400mlに下記構造式(5−a)で示され
る化合物4.00g及び下記構造式(6−a)で示され
る化合物4.66gを溶解し、47%臭化水素酸4.2
7gを滴下した後、室温で2時間攪拌した。減圧濃縮
後、クロロホルム400mlで抽出、水洗、分液後、溶
媒を溜去して、下記構造式(8−a)で示される化合物
7.60gを得た。
Example 1 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (1-1) 4.00 g of the compound represented by the following structural formula (5-a) and the compound represented by the following structural formula (6-a) in 400 ml of ethanol 4.66 g dissolved, 47% hydrobromic acid 4.2
After dropping 7 g, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After concentration under reduced pressure, the residue was extracted with 400 ml of chloroform, washed with water and separated, and the solvent was distilled off to obtain 7.60 g of a compound represented by the following structural formula (8-a).

【0079】[0079]

【化13】 Embedded image

【0080】次に、エタノール200mlに式(8−
a)で示される化合物3.50gを溶解し、酢酸銅1.
12gを加えて、還流温度で2時間攪拌した。減圧濃縮
後、析出物を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下
記構造式(1−1)で示される化合物3.10gを得
た。
Next, the formula (8-
Dissolve 3.50 g of the compound of a) and add copper acetate
12 g was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 2 hours. After concentration under reduced pressure, the precipitate was collected by filtration and washed with methanol and water to obtain 3.10 g of a compound represented by the following structural formula (1-1).

【0081】[0081]

【化14】 Embedded image

【0082】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。
From the following analysis results, it was confirmed that the substance was the target substance.

【0083】[0083]

【表9】 [Table 9]

【0084】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において613.5nmに吸収極大を示し、グ
ラム吸光係数は1.18×105ml/g.cmであっ
た。
The compound thus obtained exhibits an absorption maximum at 613.5 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.18 × 10 5 ml / g. cm.

【0085】〔実施例2〕 ジピロメテン金属キレート
化合物(1−2)の合成 エタノール500mlに前記構造式(5−a)で示され
る化合物6.00g及び下記構造式(6−b)で示され
る化合物8.40gを溶解し、47%臭化水素酸6.0
0gを滴下した後、室温で1時間攪拌した。減圧濃縮
後、クロロホルム500mlで抽出、水洗、分液後、溶
媒を溜去して、下記構造式(8−b)で示される化合物
13.50gを得た。
Example 2 Synthesis of Dipyrromethene Metal Chelate Compound (1-2) 6.00 g of the compound represented by the above structural formula (5-a) and the compound represented by the following structural formula (6-b) in 500 ml of ethanol Dissolve 8.40 g and add 47% hydrobromic acid 6.0
After dropping 0 g, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After concentration under reduced pressure, extraction with 500 ml of chloroform, washing with water, and liquid separation, the solvent was distilled off to obtain 13.50 g of a compound represented by the following structural formula (8-b).

【0086】[0086]

【化15】 Embedded image

【0087】次に、エタノール400mlに式(8−
b)で示される化合物6.00gを溶解し、酢酸銅1.
38gを加えて、還流温度で3時間攪拌した。減圧濃縮
後、析出物を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下
記構造式(1−2)で示される化合物3.40gを得
た。
Next, the formula (8-
6.00 g of the compound represented by b) was dissolved, and copper acetate 1.
38 g was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 3 hours. After concentration under reduced pressure, the precipitate was collected by filtration and washed with methanol and water to obtain 3.40 g of a compound represented by the following structural formula (1-2).

【0088】[0088]

【化16】 Embedded image

【0089】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。
From the following analysis results, it was confirmed that it was the target substance.

【0090】[0090]

【表10】 [Table 10]

【0091】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において589nmに吸収極大を示し、グラム
吸光係数は1.12×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits an absorption maximum at 589 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.12 × 10 5 ml / g. cm.

【0092】〔実施例3〕 ジピロメテン金属キレート
化合物(1−3)の合成 エタノール600mlに前記構造式(5−a)で示され
る化合物6.00g及び下記構造式(6−c)で示され
る化合物9.80gを溶解し、47%臭化水素酸6.0
0gを滴下した後、室温で3時間攪拌した。減圧濃縮
後、クロロホルム500mlで抽出、水洗、分液後、溶
媒を溜去して、下記構造式(8−c)で示される化合物
10.70gを得た。
Example 3 Synthesis of Dipyrromethene Metal Chelate Compound (1-3) 6.00 g of the compound represented by the above structural formula (5-a) and the compound represented by the following structural formula (6-c) in 600 ml of ethanol 9.80 g are dissolved and 47% hydrobromic acid 6.0
After dropping 0 g, the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After concentration under reduced pressure, the mixture was extracted with 500 ml of chloroform, washed with water and separated, and the solvent was distilled off to obtain 10.70 g of a compound represented by the following structural formula (8-c).

【0093】[0093]

【化17】 Embedded image

【0094】次に、エタノール600mlに式(8−
c)で示される化合物9.00gを溶解し、酢酸銅1.
90gを加えて、還流温度で2時間攪拌した。減圧濃縮
後、析出物を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下
記構造式(1−3)で示される化合物8.60gを得
た。
Next, the formula (8-
9.00 g of the compound represented by c) was dissolved, and copper acetate 1.
90 g was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 2 hours. After concentration under reduced pressure, the precipitate was collected by filtration and washed with methanol and water to obtain 8.60 g of a compound represented by the following structural formula (1-3).

【0095】[0095]

【化18】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。Embedded image From the following analysis results, it was confirmed that it was the target substance.

【0096】[0096]

【表11】 [Table 11]

【0097】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において590nmに吸収極大を示し、グラム
吸光係数は0.97×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits an absorption maximum at 590 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 0.97 × 10 5 ml / g. cm.

【0098】〔実施例4〕 ジピロメテン金属キレート
化合物(1−4)の合成 エタノール400mlに前記構造式(5−a)で示され
る化合物4.20g及び下記構造式(6−d)で示され
る化合物5.00gを溶解し、47%臭化水素酸4.2
0gを滴下した後、室温で2時間攪拌した。減圧濃縮
後、クロロホルム200mlで抽出、水洗、分液後、溶
媒を溜去して、下記構造式(8−d)で示される化合物
7.70gを得た。
Example 4 Synthesis of dipyrromethene metal chelate compound (1-4) 4.20 g of the compound represented by the above structural formula (5-a) and the compound represented by the following structural formula (6-d) in 400 ml of ethanol 5.00 g was dissolved, and 47% hydrobromic acid 4.2
After dropping 0 g, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After concentration under reduced pressure, extraction with 200 ml of chloroform, washing with water, and liquid separation, the solvent was distilled off to obtain 7.70 g of a compound represented by the following structural formula (8-d).

【0099】[0099]

【化19】 Embedded image

【0100】次に、エタノール300mlに式(8−
d)で示される化合物3.50gを溶解し、酢酸銅0.
90gを加えて、還流温度で2時間攪拌した。減圧濃縮
後、析出物を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下
記構造式(1−4)で示される化合物3.50gを得
た。
Next, the formula (8-
Dissolve 3.50 g of the compound of d) and add
90 g was added, and the mixture was stirred at reflux temperature for 2 hours. After concentration under reduced pressure, the precipitate was collected by filtration and washed with methanol and water to obtain 3.50 g of a compound represented by the following structural formula (1-4).

【0101】[0101]

【化20】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。Embedded image From the following analysis results, it was confirmed that it was the target substance.

【0102】[0102]

【表12】 [Table 12]

【0103】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において589nmに吸収極大を示し、グラム
吸光係数は1.17×105ml/g.cmであった。
The compound thus obtained exhibits an absorption maximum at 589 nm in a toluene solution, and has a gram extinction coefficient of 1.17 × 10 5 ml / g. cm.

【0104】〔実施例5〕ジピロメテン金属キレート化
合物(1−2)0.2gをジメチルシクロヘキサン10
mlに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、ポリカー
ボネート樹脂製で連続した案内溝(トラックピッチ:
0.74μm)を有する直径120mm、厚さ0.6m
mの円盤状のものを用いた。
Example 5 0.2 g of the dipyrromethene metal chelate compound (1-2) was added to dimethylcyclohexane 10
The dye solution was dissolved in the solution to prepare a dye solution. The substrate is made of a continuous guide groove made of polycarbonate resin (track pitch:
0.74 μm), diameter 120 mm, thickness 0.6 m
m was used.

【0105】この基板上に色素溶液を回転数1500r
pmでスピンコートし、70℃で3時間乾燥して記録層
を形成した。この記録層の640nm、650nm、6
60nm各波長における光学定数は、下記のとおりであ
った。
A dye solution was placed on this substrate at a rotational speed of 1500 r.
pm, and dried at 70 ° C for 3 hours to form a recording layer. 640 nm, 650 nm, 6
The optical constants at each wavelength of 60 nm were as follows.

【0106】[0106]

【表13】 [Table 13]

【0107】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.33Pa(1.0×
10-2Torr)で行った。
Au was sputtered on the recording layer using a sputtering apparatus (CDI-900) manufactured by Balzers to form a reflective layer having a thickness of 100 nm. Sputter gas includes
Argon gas was used. The sputtering conditions were as follows: a sputtering power of 2.5 kW and a sputtering gas pressure of 1.33 Pa (1.0 ×
10 −2 Torr).

【0108】さらに反射層上に紫外線硬化性樹脂SD−
1700(大日本インキ化学工業製)をスピンコートし
た後、紫外線を照射して厚さ6μmの保護層を形成し
た。さらに保護層上に紫外線硬化性接着剤SD−301
(大日本インキ化学工業製)をスピンコートし、その上
にポリカーボネート樹脂製で直径120mm、厚さ0.
6mmの円盤状基板をのせた後、紫外線を照射して貼り
合わせた光記録媒体を作製した。
Further, an ultraviolet curable resin SD-
After spin-coating 1700 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), the layer was irradiated with ultraviolet rays to form a protective layer having a thickness of 6 μm. Further, an ultraviolet curable adhesive SD-301 is provided on the protective layer.
(Manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) and spin-coated thereon with a polycarbonate resin having a diameter of 120 mm and a thickness of 0.1 mm.
After placing a 6 mm disk-shaped substrate, the substrate was irradiated with ultraviolet rays to produce an optical recording medium bonded to the substrate.

【0109】得られた光記録媒体に、波長658nmで
レンズの開口数が0.6の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)およびパルステック工業製パルスジェネレー
ターを用いて、線速3.5m/s、レーザーパワー9.
0mWで最短ピット長が0.40μmになるように記録
した。記録後、650nm赤色半導体レーザーヘッド
(レンズの開口数は0.6)を搭載した評価装置を用い
て信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定
した結果、650nm再生で反射率46.5%、ジッタ
ー7.9%、変調度0.60といずれも良好な値を示し
た。また、100時間のカーボンアークでの耐光性試
験、並びに80℃、85%、100時間の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。また、0.7mWの再生光で
100万回再生してもジッターの変化は1%以下であっ
た。
An optical disk evaluation device (DDU- manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.) equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 658 nm and a lens numerical aperture of 0.6 on the obtained optical recording medium.
1000) and a pulse generator manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd., at a linear velocity of 3.5 m / s and a laser power of 9.
Recording was performed so that the shortest pit length was 0.40 μm at 0 mW. After recording, the signal was reproduced using an evaluation apparatus equipped with a 650 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured. 5%, jitter 7.9% and modulation degree 0.60 all showed good values. No change was observed even after a light resistance test with a carbon arc for 100 hours and a moist heat test at 80 ° C., 85% and 100 hours. Further, the jitter change was 1% or less even when the reproduction was performed 1 million times with the reproduction light of 0.7 mW.

【0110】〔実施例6〕ジピロメテン金属キレート化
合物(1−3)0.2gをジメチルシクロヘキサン10
mlに溶解し、色素溶液を調製する以外は、実施例5と
同様にして光記録媒体を作製した。この記録層の640
nm、650nm、660nm各波長における光学定数
は、下記のとおりであった。
Example 6 0.2 g of the dipyrromethene metal chelate compound (1-3) was added to dimethylcyclohexane 10
An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 5 except that the dye solution was dissolved in the dye solution and a dye solution was prepared. 640 of this recording layer
The optical constants at each wavelength of nm, 650 nm, and 660 nm were as follows.

【0111】[0111]

【表14】 [Table 14]

【0112】得られた光記録媒体に、実施例5と同様に
波長658nmでレンズの開口数が0.6の半導体レー
ザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評
価装置(DDU−1000)およびパルステック工業製
パルスジェネレーターを用いて線速3.5m/s、レー
ザーパワー9.5mWで最短ピット長が0.40μmに
なるように記録した。記録後、650nm赤色半導体レ
ーザーヘッド(レンズの開口数は0.6)を搭載した評
価装置を用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび
変調度を測定した結果、650nm再生で反射率46.
4%、ジッター7.8%、変調度0.61といずれも良
好な値を示した。また、100時間のカーボンアークで
の耐光性試験、並びに80℃、85%、100時間の耐
湿熱試験後も変化は見られなかった。また、0.7mW
の再生光で100万回再生してもジッターの変化は1%
以下であった。
An optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 658 nm and a lens numerical aperture of 0.6 on the obtained optical recording medium in the same manner as in the fifth embodiment. Recording was performed using an industrial pulse generator at a linear velocity of 3.5 m / s and a laser power of 9.5 mW so that the shortest pit length was 0.40 μm. After recording, the signal was reproduced using an evaluation apparatus equipped with a 650 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured.
4%, jitter 7.8% and modulation degree 0.61 all showed good values. No change was observed even after a light resistance test with a carbon arc for 100 hours and a moist heat test at 80 ° C., 85% and 100 hours. Also, 0.7mW
1% change in jitter even when reproduced 1 million times
It was below.

【0113】〔実施例7〕ジピロメテン金属キレート化
合物(1−4)0.2gをジメチルシクロヘキサン10
mlに溶解し、色素溶液を調製する以外は、実施例5と
同様にして光記録媒体を作製した。この記録層の640
nm、650nm、660nm各波長における光学定数
は、下記のとおりであった。
Example 7 0.2 g of the dipyrromethene metal chelate compound (1-4) was added to dimethylcyclohexane 10
An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 5 except that the dye solution was dissolved in the dye solution and a dye solution was prepared. 640 of this recording layer
The optical constants at each wavelength of nm, 650 nm, and 660 nm were as follows.

【0114】[0114]

【表15】 [Table 15]

【0115】得られた光記録媒体に、波長639nmで
レンズの開口数が0.6の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)およびパルステック工業製パルスジェネレー
ターを用いて線速3.5m/s、レーザーパワー8.5
mWで最短ピット長が0.40μmになるように記録し
た。記録後、650nm赤色半導体レーザーヘッド(レ
ンズの開口数は0.6)を搭載した評価装置を用いて信
号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した
結果、650nm再生で反射率45.9%、ジッター
7.7%、変調度0.62といずれも良好な値を示し
た。また、100時間のカーボンアークでの耐光性試
験、並びに80℃、85%、100時間の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。また、0.7mWの再生光で
100万回再生してもジッターの変化は1%以下であっ
た。
An optical disc evaluation device (DDU- manufactured by Pulstec Industrial) equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 639 nm and a numerical aperture of a lens of 0.6 on the obtained optical recording medium.
1000) and a pulse speed of 3.5 m / s and a laser power of 8.5 using a pulse generator manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.
Recording was performed so that the shortest pit length was 0.40 μm at mW. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 650 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured. 9%, jitter 7.7% and modulation degree 0.62 all showed good values. No change was observed even after a light resistance test with a carbon arc for 100 hours and a moist heat test at 80 ° C., 85% and 100 hours. Further, the jitter change was 1% or less even when the reproduction was performed 1 million times with the reproduction light of 0.7 mW.

【0116】〔実施例8〕ジピロメテン金属キレート化
合物(1−1)0.10gとジピロメテン金属キレート
化合物(2−1)1.0gをジメチルシクロヘキサン5
5mlに溶解し、色素溶液を調製する以外は、実施例5
と同様にして光記録媒体を作製した。この記録層の64
0nm、650nm、660nm各波長における光学定
数は、下記のとおりであった。
Example 8 0.10 g of dipyrromethene metal chelate compound (1-1) and 1.0 g of dipyrromethene metal chelate compound (2-1) were added to dimethylcyclohexane 5
Example 5 except that the dye solution was dissolved in 5 ml to prepare a dye solution.
In the same manner as in the above, an optical recording medium was produced. 64 of this recording layer
The optical constants at the wavelengths of 0 nm, 650 nm and 660 nm were as follows.

【0117】[0117]

【表16】 [Table 16]

【0118】得られた光記録媒体に、実施例5と同様に
波長658nmでレンズの開口数が0.6の半導体レー
ザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評
価装置(DDU−1000)およびパルステック工業製
パルスジェネレーターを用いて線速3.5m/s、レー
ザーパワー11.0mWで最短ピット長が0.40μm
になるように記録した。記録後、650nm赤色半導体
レーザーヘッド(レンズの開口数は0.6)を搭載した
評価装置を用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよ
び変調度を測定した結果、650nm再生で反射率4
7.1%、ジッター7.2%、変調度0.61といずれ
も良好な値を示した。また、100時間のカーボンアー
クでの耐光性試験、並びに80℃、85%、100時間
の耐湿熱試験後も変化は見られなかった。また、0.7
mWの再生光で100万回再生してもジッターの変化は
1%以下であった。
An optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 658 nm and a lens numerical aperture of 0.6 on the obtained optical recording medium in the same manner as in the fifth embodiment. The shortest pit length is 0.40 μm at a linear velocity of 3.5 m / s, laser power of 11.0 mW using an industrial pulse generator.
It was recorded to be. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 650 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured.
7.1%, jitter 7.2% and modulation degree 0.61 all showed good values. No change was observed even after a light resistance test with a carbon arc for 100 hours and a moist heat test at 80 ° C., 85% and 100 hours. Also, 0.7
Even after 1 million reproductions with mW reproduction light, the change in jitter was 1% or less.

【0119】〔実施例9〕ジピロメテン金属キレート化
合物(1−9)0.30gとジピロメテン金属キレート
化合物(2−2)0.70gをジメチルシクロヘキサン
50mlに溶解し、色素溶液を調製する以外は、実施例
6と同様にして光記録媒体を作製した。この記録層の6
40nm、650nm、660nm各波長における光学
定数は、下記のとおりであった。
Example 9 A dye solution was prepared by dissolving 0.30 g of the dipyrromethene metal chelate compound (1-9) and 0.70 g of the dipyrromethene metal chelate compound (2-2) in 50 ml of dimethylcyclohexane. An optical recording medium was produced in the same manner as in Example 6. 6 of this recording layer
Optical constants at respective wavelengths of 40 nm, 650 nm, and 660 nm were as follows.

【0120】[0120]

【表17】 [Table 17]

【0121】得られた光記録媒体に、波長639nmで
レンズの開口数が0.6の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)およびパルステック工業製パルスジェネレー
ターを用いて線速3.5m/s、レーザーパワー10.
0mWで最短ピット長が0.40μmになるように記録
した。記録後、650nm赤色半導体レーザーヘッド
(レンズの開口数は0.6)を搭載した評価装置を用い
て信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測定
した結果、650nm再生で反射率46.7%、ジッタ
ー7.7%、変調度0.64といずれも良好な値を示し
た。また、100時間のカーボンアークでの耐光性試
験、並びに80℃、85%、100時間の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。また、0.7mWの再生光で
100万回再生してもジッターの変化は1%以下であっ
た。
An optical disk evaluation device (DDU- manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.) equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 639 nm and a numerical aperture of a lens of 0.6 on the obtained optical recording medium.
1000) and a pulse power of 3.5 m / s and a laser power of 10.
Recording was performed so that the shortest pit length was 0.40 μm at 0 mW. After recording, the signal was reproduced using an evaluation apparatus equipped with a 650 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured. 7%, jitter 7.7% and modulation degree 0.64 were all good values. No change was observed even after a light resistance test with a carbon arc for 100 hours and a moist heat test at 80 ° C., 85% and 100 hours. Further, the jitter change was 1% or less even when the reproduction was performed 1 million times with the reproduction light of 0.7 mW.

【0122】〔比較例1〕実施例5において、ジピロメ
テン金属キレート化合物(2−3)0.2gをジメチル
シクロヘキサン10mlに溶解してスピンコートする以
外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体に
実施例5と同様に658nm半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU
−1000)および、パルステック工業製パルスジェネ
レーターを用いて線速3.5m/s、レーザーパワー1
1.0mWで記録した。記録後、650nm赤色半導体
レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生
し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、6
50nm再生で反射率62%、ジッター20%以上、変
調度0.61とジッター特性が劣っていた。
Comparative Example 1 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 5, except that 0.2 g of the dipyrromethene metal chelate compound (2-3) was dissolved in 10 ml of dimethylcyclohexane and spin-coated. An optical disc evaluation device (DDU manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.) equipped with a 658 nm semiconductor laser head on the produced medium in the same manner as in Example 5.
-1000) and a pulse speed of 3.5 m / s and a laser power of 1 using a pulse generator manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.
Recorded at 1.0 mW. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 650 nm red semiconductor laser head, and the reflectance, jitter and modulation were measured.
At a reproduction of 50 nm, the reflectance was 62%, the jitter was 20% or more, the modulation factor was 0.61, and the jitter characteristics were poor.

【0123】〔比較例2〕実施例5において、ペンタメ
チンシアニン色素NK−2929「1,3,3,1',3',3'-ヘ
キサメチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)インドジカル
ボシアニンパークロレート、日本感光色素研究所製」1
gをテトラフルオロプロパノール10mlに溶解してス
ピンコートする以外は同様にして光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に実施例5と同様に658nm半導体
レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディス
ク評価装置(DDU−1000)および、パルステック
工業製パルスジェネレーターを用いて線速3.5m/
s、レーザーパワー10.0mWで記録した。記録後、
650nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調
度を測定した結果、650nm再生で反射率10%、ジ
ッター20%以上、変調度0.14と劣っていた。ま
た、100時間のカーボンアークでの耐光性試験後、信
号は劣化し、再生ができなかった。
Comparative Example 2 In Example 5, the pentamethine cyanine dye NK-2929 “1,3,3,1 ′, 3 ′, 3′-hexamethyl-2 ′, 2 ′-(4,5,4 ', 5'-Dibenzo) indodicarbocyanine perchlorate, manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories "1
g was dissolved in 10 ml of tetrafluoropropanol and spin-coated to prepare an optical recording medium in the same manner. In the same manner as in Example 5, a linear velocity of 3.5 m / m was measured by using a pulse medium manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. (DDU-1000) and a pulse generator manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.
s, recording was performed at a laser power of 10.0 mW. After recording,
The signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 650 nm red semiconductor laser head, and the reflectance, jitter, and modulation were measured. As a result, the reflectance was 10%, the jitter was 20% or more, and the modulation was 0.14 at 650 nm reproduction. I was Also, after the light fastness test with a carbon arc for 100 hours, the signal deteriorated and could not be reproduced.

【0124】[0124]

【発明の効果】本発明のジピロメテン金属キレート化合
物を記録層として用いることにより、高密度光記録媒体
として非常に注目されている波長520〜690nmの
レーザーで記録再生が可能で耐久性に優れた追記型光記
録媒体を提供することが可能となる。
By using the dipyrromethene metal chelate compound of the present invention as a recording layer, it is possible to record / reproduce information with a laser having a wavelength of 520 to 690 nm, which has been attracting much attention as a high-density optical recording medium, and to achieve additional durability. It is possible to provide a type optical recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す
断面構造図である。
FIG. 1 is a sectional structural view showing a conventional optical recording medium and a layer structure of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 記録層 3 反射層 4 接着層 5 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Recording layer 3 Reflective layer 4 Adhesive layer 5 Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // C09B 23/00 B41M 5/26 Y (72)発明者 塚原 宇 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 井上 忍 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 小木曽 章 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 小池 正士 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Fターム(参考) 2H111 EA03 FA01 FA12 FB42 4C063 AA01 AA03 BB03 CC06 DD04 EE05 4H056 CA01 CC02 CC08 CE03 CE06 DD03 FA06 5D029 JA04 JB47 JC05 JC06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // C09B 23/00 B41M 5/26 Y (72) Inventor U Tsukahara 580-32 Nagaura, Sodegaura City, Chiba Prefecture Mitsui Inside Chemical Company (72) Inventor Shinobu Inoue 580-32 Nagaura, Sodegaura City, Chiba Prefecture Inside Mitsui Chemical Company (72) Inventor Akira Ogiso 580-32 Nagaura, Sodegaura City, Chiba Prefecture Inside Mitsui Chemical Company (72) Inventor Denmi Misawa 580-32 Nagaura, Sodegaura-shi, Chiba Prefecture Mitsui Chemicals Co., Ltd. (72) Inventor Masashi Koike 580-32 Nagaura, Sodegaura-shi, Chiba Prefecture Mitsui Chemicals Co., Ltd. 4C063 AA01 AA03 BB03 CC06 DD04 EE05 4H056 CA01 CC02 CC08 CE03 CE06 DD03 FA06 5D029 JA04 JB47 JC05 JC06

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)で示されるジピロメテ
ン金属キレート化合物。 【化1】 〔式中、R1〜R7は、各々独立に、水素原子、ハロゲン
原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、
カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数20以下の置換
または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基、アシルアミノ基、アラルキル基、アリール基または
ヘテロアリール基を表し、R1とR2、R6とR7の少なく
とも一方は結合して飽和環を形成し、A、Bは炭素数2
0以下の芳香環又は複素環を表し、Mは遷移元素を表
す。〕
1. A dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (1). Embedded image [Wherein, R 1 to R 7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group,
Carboxyl group, sulfonic acid group, substituted or unsubstituted alkyl group having 20 or less carbon atoms, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, alkenyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, acylamino group, aralkyl Represents an aryl group or a heteroaryl group, wherein at least one of R 1 and R 2 or R 6 and R 7 is bonded to form a saturated ring, and A and B each have 2 carbon atoms.
Represents an aromatic ring or a hetero ring of 0 or less, and M represents a transition element. ]
【請求項2】 基板上に少なくとも記録層および反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に、請求項1記
載のジピロメテン金属キレート化合物を含有する光記録
媒体。
2. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer contains the dipyrromethene metal chelate compound according to claim 1.
【請求項3】 基板上に少なくとも記録層および反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に、請求項1記
載のジピロメテン金属キレート化合物、及び下記一般式
(2)で示されるジピロメテン金属キレート化合物を含
有する請求項2記載の光記録媒体。 【化2】 〔式中、R8〜R15は、各々独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ
基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数20以下の
置換または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケ
ニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモ
イル基、アシルアミノ基、アラルキル基、アリール基ま
たはヘテロアリール基を表し、R16は、ハロゲン原子、
アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基を表し、
Mは遷移元素を表す。〕
3. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the dipyrromethene metal chelate compound according to claim 1 and a dipyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (2) in the recording layer: The optical recording medium according to claim 2, comprising: Embedded image [Wherein, R 8 to R 15 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a substituted or unsubstituted group having 20 or less carbon atoms. alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group, an alkenyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl group, an acylamino group, an aralkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 16 represents a halogen atom ,
Represents an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryloxy group, an arylthio group,
M represents a transition element. ]
【請求項4】 レーザー波長において、記録層の屈折率
が1.8以上であり、消衰係数が0.04〜0.40で
ある請求項2または請求項3記載の光記録媒体。
4. The optical recording medium according to claim 2, wherein the recording layer has a refractive index of 1.8 or more and an extinction coefficient of 0.04 to 0.40 at a laser wavelength.
【請求項5】 波長520〜690nmの範囲から選択
されるレーザー光に対して、記録および再生が可能であ
る請求項2〜4のいずれか1項に記載の光記録媒体。
5. The optical recording medium according to claim 2, wherein recording and reproduction can be performed with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 520 to 690 nm.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007519614A (en) * 2003-10-30 2007-07-19 メルク パテント ゲーエムベーハー Metal complex with bidental (Bipodal) ligand
JP2009234969A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp Pyrrole derivative or its salt and intermediate thereof

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