JP2002154992A - 新規フラーレン誘導体およびその合成方法 - Google Patents
新規フラーレン誘導体およびその合成方法Info
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Abstract
質との間を、電子やホールが伝導しやすい物質で直接結
合させ、室温でも分子内で効率よく電荷分離状態を発現
し、分子デバイスとして利用できる新規化合物たるフラ
ーレン誘導体およびその合成方法を提供すること。 【解決手段】 下記構造式(1)で表されることを特徴
とする新規フラーレン誘導体、およびその合成方法であ
る。R1−R2−R3・・・構造式(1) (上記構造式(1)中、R1はフラーレン類を表し、R2
は直鎖炭化水素連結基を表し、R3は電子供与基を表
す。)
Description
フラーレン誘導体およびその合成方法に関し、詳しく
は、電荷分離性等の性質を有する新規フラーレン誘導体
およびその合成方法に関する。
正六角形20個と正五角形12個からなる球状の切頭正
二十面体を構成する炭素化合物である。このフラーレン
は1985年にKroto、Smalleyらによって
発見された極めて新規な化学物質であり、それまで知ら
れていたグラファイト、アモルファスカーボン、ダイヤ
モンドとは異なる新しい炭素物質として注目されるよう
になった。その理由は、フラーレンがそれまでの炭素物
質とは異なる特異な化学構造と電子物性を示すためであ
る。たとえば、C60やC70に代表されるフラーレンは、
多数の炭素原子が球状の籠型に配置された分子を構成
し、炭素物質でありながら、ベンゼン等の有機溶媒に溶
ける性質がある。
種類があり、超伝導体や半導体としての性質を示す。さ
らに光官能効果が高く、電子写真感光材料や、光デバイ
スとしての応用も考えられている。また、内部に異種の
元素を閉じこめたり、外部に多種の化学官能基を付与さ
せることで、機能性材料として有効な物性を発現するこ
ともわかってきた。こうしたフラーレンを分子内に基本
骨格として有するフラーレン誘導体は、フラーレンの化
学的性質や物理的性質を制御したり、光学的性質を出現
させたりする上で、重要な物質として認識されており、
様々なフラーレン誘導体が考案されている。
の内部に電子受容部と電子供与部を有する形の分子構造
を設計し、一つの分子がダイオードやトランジスタのよ
うな電子デバイスとして機能するものが必要とされてい
る。これは、電子素子の主力であるシリコンデバイスに
おいて、微細加工技術が進展し、電界効果トランジスタ
ー(FET)のゲート電極幅も約0.1μmにまで達
し、ほぼ技術的には限界に達しており、分子もしくはそ
の複合体からなる電子回路を開発し、集積度の限界を打
破することが求められているためである。また、単分子
から構成されている分子回路は、高速動作や生体分子と
の融合により新しい機能を発現すると期待されている。
の開発を行うためには、分子内部に強い電子供与部と電
子受容部を付与させ、分子内に電子とホールが局在する
電荷分離状態を起こすことが重要で、こうした分子を設
計、合成することが最大の技術課題となっている。19
74年、IBMのAviramらは、初めて分子素子の
概念を発表し、以下に示す構造Aの分子が整流作用を持
つことを理論的に示した(A.Aviram and
M.A.Ratner,Chem.Phys.Let
t.,29,277(1974))。
iv.のGust,Mooreらは、(アクセプター)
−(増感剤)−(ドナー)からなる下記構造Bの分子を
合成し、レーザー過渡吸収測定から、分子内電子移動の
研究を行っている。
待されている(D.Gust,T.A.Moore e
t al,Nature.,307,630(198
4)、D.Gust,T.A.Moore et a
l,J.Am.Chem.Soc.,109,846
(1987))。
レンと強力なドナーであるTTF(Tetrathia
fulvalene)をつなげた分子が、Complu
tense Univ.(Spain)のLucasら
によって合成された。(Ana I.de Lucas
et al.,Tetrahedron Lette
rs.,37,9391(1996)) このような流れの中で、フラーレン誘導体で電荷分離状
態を起こし、分子内で電荷分離状態制御できるような構
造をもつ分子が望まれてきた。
容性の高い電子受容基(特にフラーレン)で電荷分離状
態の分子を構成しようとすると、電子受容基と電子供与
基との化学結合が直接できないため、電子受容基と電子
供与基とを別の化学物質で結合することになり、分子の
構成が複雑になる。複雑になればなるほど、電子受容基
と電子供与基との効果が薄れ、電荷分離が困難になる。
そのため、これまで考案された電荷分離機能を持つ有機
分子は、内部に光感受性の増感物質を含み、光励起によ
り、分子内で電荷分離状態を実現するか、電子受容基と
電子供与基とを化学的に結合させても、電荷分離状態が
確認されることはほとんどなかった。
るフラーレン類と電子供与物質との間を、電子やホール
が伝導しやすい物質で直接結合させ、室温でも分子内で
効率よく電荷分離状態を発現し、分子デバイスとして利
用できる新規化合物たるフラーレン誘導体およびその合
成方法を提供することにある。
明により達成される。すなわち本発明は、 <1> 下記構造式(1)で表されることを特徴とする
新規フラーレン誘導体である。 R1−R2−R3 ・・・構造式(1) (上記構造式(1)中、R1はフラーレン類を表し、R2
は直鎖炭化水素連結基を表し、R3は電子供与基を表
す。)
直鎖炭化水素連結基が、一つ以上の二重結合を有するこ
とを特徴とする<1>に記載の新規フラーレン誘導体で
ある。 <3> 構造式(1)中のR2で表される直鎖炭化水素
連結基が、共役二重結合を有することを特徴とする<1
>に記載の新規フラーレン誘導体である。
フラーレン類が、C32、C50、C58、C60、C70、
C76、C78、C82、C84、C90、C96からなる群から選
ばれるいずれか1つ、もしくはその誘導体であることを
特徴とする<1>〜<3>のいずれか1に記載の新規フ
ラーレン誘導体である。
電子供与基が、フェニル基、アルコキシフェニル基、キ
ノニル基、アントリル基、アントラキノニル基、ペンタ
セニル基、ナフタセニル基からなる群から選ばれるいず
れか1つであることを特徴とする<1>〜<4>のいず
れか1に記載の新規フラーレン誘導体である。
載の新規フラーレン誘導体の合成方法であって、電子供
与物質を末端に有する直鎖炭化水素連結基前駆体の他の
末端をハロゲン化し、その反応物質にフラーレン類を結
合させることを特徴とする新規フラーレン誘導体の合成
方法である。
のフラーレン類と電子供与物質とを、直鎖炭素水素で結
合することで、高い電荷分離状態を持つ新規フラーレン
誘導体を提供することができる。本発明の新規フラーレ
ン誘導体は、効率よい電荷分離状態を有し、電子デバイ
ス材料として活用でできる。
体は、下記構造式(1)で表されることを特徴とするも
のである。 R1−R2−R3 ・・・構造式(1) (上記構造式(1)中、R1はフラーレン類を表し、R2
は直鎖炭化水素連結基を表し、R3は電子供与基を表
す。)
子の基本設計は、C60やC70に代表されるフラーレン類
と電子供与物質とが、直鎖炭化水素連結基を介して結合
している形態である。このとき、直鎖炭化水素連結基と
しては、電子やホール(正孔)といった電荷を伝えるこ
とのできる二重結合を有したものが望ましい。
供与基と電子受容基との間で電荷を伝え易く、しかも室
温でも電荷が伝わる際に広がらないように、直線的な物
質で電子供与基と電子受容基との間を結合させることが
必要である。すなわち、直鎖炭化水素連結基で結合する
ことが重要であり、さらに直鎖炭化水素連結基に二重結
合があると、電荷は伝わり易くなる。理想的には、共役
二重結合を有する直鎖炭化水素連結基で、電子供与物質
と電子受容基との間を結合させることが望ましい。
の利点は、電子受容特性の高いフラーレン類と電子供与
物質とを、電子やホールの移動が可能な直鎖炭化水素連
結基(好ましくは、電子やホールの移動しやすい二重結
合、さらには共役二重結合を有する直鎖炭化水素連結
基)で結合させることで、分子内において電子とホール
とが分離しやすくなり、高い効率で電荷分離状態が実現
できることにある。
ーレン類としては、C32、C50、C5 8、C60、C70、C
76、C78、C82、C84、C90、C96からなる群から選ば
れるいずれか1つ、もしくはその誘導体が挙げられる。
具体的な誘導体としては、ノタノフラーレン、フラーレ
ンエポキシド、アザヘテロフラーレン等のフラーレン二
量体等が挙げられる。これらフラーレン類の中でも、C
60、C70、が、安定度の点で好ましい。
化水素連結基との結合手や上記誘導体の他、水素原子や
その他の原子が結合していてもよい。特に、後述の合成
方法により本発明の新規フラーレン誘導体を合成した場
合、R2で表される直鎖炭化水素連結基が結合する炭素
原子に隣接する炭素原子のうち1つには、水素原子が結
合した状態となる。
水素連結基としては、直鎖状のアルキル基や、2重結合
あるいは3重結合を、1つないし複数含むものが挙げら
れる。また、当該直鎖炭化水素連結基は、置換基を含ん
でもよく、置換基としては、ハロゲン原子、メチル基、
エチル基、カルボキシル基、フェノキシ基、メトキシ
基、エトキシ基等が挙げられる。
ば、その炭素数に制限はないが、一般的には30個以
下、電荷分離特性を考慮すると6個以下とすることが好
ましい。2重結合を1つ含む直鎖炭化水素連結基として
は、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等が代
表的なものとして挙げられ、その炭素数に制限はない
が、一般的には30個以下、電荷分離特性を考慮すると
6個以下とすることが好ましい。
しては、ジエン基、トリエン基、ポリエン基が挙げら
れ、特に共役ジエン基、共役トリエン基、共役ポリエン
基が好ましい。直鎖炭化水素連結基が共役ポリエン基で
ある場合、共役二重結合の長さを長くすることで電荷の
分離をさらに促進させることも期待できる。2重結合の
数としては、特に制限はないが、一般的には6個以下で
ある。また、その炭素数についても制限はないが、一般
的には30個以下、電荷分離特性を考慮すると12個以
下とすることが好ましい。
素連結基としては、エチニレン基、プロピニレン基等が
代表的なものとして挙げられ、3重結合の数としては、
特に制限はないが、一般的には6個以下である。また、
その炭素数についても制限はないが、一般的には30個
以下、電荷分離特性を考慮すると12個以下とすること
が好ましい。
基としては、電子供与性を有する基であれば制限はない
が、フェニル基、アルコキシフェニル基(好ましくはメ
トキシフェニル基)、キノニル基(o−キノニル基、p
−キノニル基)、アントリル基、アントラキノニル基、
ペンタセニル基、ナフタセニル基からなる群から選ばれ
るいずれか1つが好ましいものとして挙げられる。
は、極めて小さな分子であり、かつ、効率のよい電荷分
離特性を発現し、かつ、電荷分離特性をその構造から制
御できるため、電子デバイス材料として活用でできる。
例えば、単一分子をダイオードやトランジスタとして機
能させ、高密度な集積回路を作製したり、光スイッチン
グ素子として用いることができる。本発明の新規フラー
レン誘導体は1つの分子であり、極めて小さい上に、電
荷分離特性が良好であることから、その用途の可能性は
限りなく広がる。
ン誘導体は、直鎖炭化水素連結基前駆体の末端に、電子
供与基の前駆体である電子供与物質を結合させ、その反
応物質の他の末端をハロゲン化し、その反応物質にフラ
ーレン類を結合させることで合成することができる。直
鎖炭化水素連結基前駆体と電子供与物質との結合体は、
上市されているものをそのまま用いてもよい。
(1)における直鎖炭化水素連結基R2が、アルキル基
である場合には、メタン、エタン、プロパン等のアルキ
ルであり、2重結合を1つ含む直鎖炭化水素連結基であ
る場合には、エチレン、プロピレン、ブテン等のアルキ
レンであり、ジエン基である場合には、ブタジエン等の
ジエンである。トリエン基、ポリエン基についても同様
である。また、電子供与物質および後述のフラーレン類
との結合により、直鎖炭化水素連結基R2となり得る構
造のものも、直鎖炭化水素連結基前駆体として用いられ
る。
子供与基R3が、フェニル基の場合にはベンゼン、アル
コキシフェニル基の場合にはアルコキシベンゼン、キノ
ニル基の場合にはキノン、アントリル基の場合にはアン
トラセン、アントラキノニル基の場合にはアントラキノ
ン、ペンタセニル基の場合にはペンタセン、ナフタセニ
ル基の場合にはナフタセンである。また、直鎖炭化水素
連結基前駆体との結合により、電子供与基R3となり得
る構造のものも、電子供与物質として用いられる。
との結合は、従来公知の方法で行えばよく、例えば、フ
リーデル・クラフツ反応法が適用できる。フリーデル・
クラフツ反応は、無水塩化アルミニウムの存在下で、ハ
ロゲン化アルキルを芳香族化合物に付加させる反応であ
る。本発明においては、例えば、フリーデル・クラフツ
反応により、ハロゲン化された直鎖炭化水素と芳香族系
の電子供与基とを結合させる。
化水素連結基前駆体の他の末端をハロゲン化するが、こ
のとき用いるハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素が
挙げられ、中でも臭素が好ましい。ハロゲン化には、ハ
ロゲン化水素酸を用いることが好ましく、常法にしたが
ってハロゲン化を行えばよい。例えば、ウオール・チー
グラー反応法が適用できる。ウオール・チーグラー反応
とは、N−ブロモコハク酸イミド等のN−ブロモ有機酸
アミドを用いる臭素置換反応で、二重結合または芳香環
に隣接した炭素上の水素を臭素で置換する反応である。
本発明においては、例えば、四塩化炭素中でN−ブロモ
コハク酸イミドにより、電子供与物質を末端に有する直
鎖炭化水素の連結基前駆体の他方の末端をハロゲン化し
た。
せるには、例えば、次の2つの方法を挙げることができ
る。第1にグリニアール反応を利用する方法である。グ
リニアール反応は、ハロゲン化アルキルを無水エーテル
中で金属マグネシウムと反応させて得られるグリニアー
ル試薬と、有機化合物とを反応させるものである。詳細
には、電子供与物質を末端に有する直鎖炭化水素連結基
前駆体の他の末端をハロゲン化することにより得られた
反応物質(ハロゲン化アルキルに相当)からグリニアー
ル試薬を調製し、これとフラーレン類とを反応させるこ
とで、目的物質の本発明の新規フラーレン誘導体が合成
される。このときの反応条件としては、特に限定されな
いが、トルエン中において、フラーレンに対して8〜1
2当量のグリニアール試薬を、0.5〜2ml/sec
の速度で滴下することが好ましい。
は、特にグリニアール試薬を調製することが困難な電子
供与性の高い電子供与物質を用いる場合に有効である。
触媒としては、LDA(リチウムジイソプロピルアミ
ド)を用いる。詳細には、電子供与物質を末端に有する
直鎖炭化水素連結基前駆体の他の末端をハロゲン化する
ことにより得られた反応物質とフラーレン類とを上記L
DAの存在下反応させることで、目的物質の本発明の新
規フラーレン誘導体が合成される。このときの反応条件
としては、トルエン中において、−80〜−75℃の温
度にてフラーレンに対して8〜12当量のハロゲン化物
を反応させることが好ましい。
た本発明の新規フラーレン誘導体の合成手順の主な例を
示す。 (1−ハイドロ−9−(3−フェニルプロピル)フラー
レン)電子受容物質であるフラーレンと電子供与性をも
つフェニル基をアルキル鎖で結んだ構造である1−ハイ
ドロ−9−(3−フェニルプロピル)フラーレンを合成
する場合、以下の手順に従って作製する。
に加え、撹拌しながら反応させる。つぎに金属マグネシ
ウムと1−ブロモ−3−フェニルプロパンを反応させ、
グリニアール化を行いグリニアール試薬を調製する。更
に、フラーレンのトルエン溶液に得られたグリニアール
試薬を入れ、反応させる。反応物を分離精製すること
で、目的物質が得られる。
−プロペニル)フラーレン)電子受容物質であるフラー
レンと電子供与性をもつフェニル基を共役二重結合(ジ
エン)で結んだ構造である1−ハイドロ−9−(3−フ
ェニル−2−プロペニル)フラーレンを合成する場合、
以下の手順に従って作製する。まず、シンナムアルデヒ
ドを水素化硼酸ナトリウムで還元し、生成したシンナム
アルコールを臭化水素酸と反応させる。つぎに金属マグ
ネシウムと1−ブロモ−3−フェニル−2−プロペンを
反応させ、グルニアール化を行いグリニアール試薬を調
製する。更に、フラーレンのトルエン溶液に得られたグ
リニアール試薬を入れ、反応させる。反応物を分離精製
することで、目的物質が得られる。
成例を示すが、本発明はこれらの例に制限されるもので
はない。
−フェニルプロピル)フラーレンの合成)下記の手順で
合成を実施した。 (1) 臭化水素酸(純度78%試薬)の50%水溶液
120mlに、フェニルプロパノール(0.1mol)
を加え、撹拌しながら臭素化反応を行い、1−ブロモ−
3−フェニルプロパンを生成させる。反応温度は約40
℃で、反応時間は2時間である。
−ブロモ−3−フェニルプロパン(下層)が水層(上
層)と分離するので、下層に存在する1−ブロモ−3−
フェニルプロパンのみをデカンテーション法で採取す
る。
−フェニルプロパン(0.1mol)を無水エーテル2
0ml中で金属マグネシウム(0.1mol)と反応さ
せ、グリニアール化を行い、1−ブロモ−3−フェニル
プロパンのグリニアール試薬を作製する。このとき、反
応温度は約60℃である。
にフラーレン(C60)を0.5mmol溶解させ、
(3)で作製したグリニアール試薬をフラーレン
(C60)に対して10当量滴下した後に、1時間環流し
ながら反応させる。このとき、反応温度は約98℃であ
る。
1−ハイドロ−9−(3−フェニルプロピル)フラーレ
ンをカラムクロマトグラフイー法で分離精製する。この
とき、展開溶媒として、ヘキサン・ベンゼン混合液(ヘ
キサン:ベンゼン=1:1)を用いる。
ラーレン誘導体である、1−ハイドロ−9−(3−フェ
ニルプロピル)フラーレンの構造式を以下に示す。
ルプロピル)フラーレンの1H−NMRスペクトルを図
1に示す。また、図1における2点鎖線で囲んだ部分に
ついて、横軸を拡大し、縦軸を圧縮したグラフを図2に
示す。
−フェニル−2−プロペニル)フラーレンの合成)下記
の手順で合成を実施した。 (1) シンナムアルデヒド(0.1mol)をメタノ
ール25mlと混合し、水素化硼酸ナトリウム(0.0
3mol)を加えて、還元反応を行い、シンナムアルコ
ールを生成させる。このとき反応温度は約20℃であ
る。
50%水溶液20ml中に、(1)で生成したシンナム
アルコールを加えて撹拌しながら臭素化反応を行い、1
−ブロモ−3−フェニル−2−プロペンを生成させる。
反応温度は約40℃で、反応時間は2時間である。
−ブロモ−3−フェニルー2−プロペン(下層)が水層
(上層)と分離するので、下層に存在する1−ブロモ−
3−フェニルプロペンのみをデカンテーション法で採取
する。
−フェニル−2−プロペン(0.1mol)を無水エー
テル20ml中で、金属マグネシウム(0.1mol)
と反応させ、グリニアール化を行い、1−ブロモ−3−
フェニル−2−プロペンのグリニアール試薬を作製す
る。このとき、反応温度は約60℃である。
にフラーレン(C60)を5mmol溶解させ、(4)で
作製したグリニアール試薬を、フラーレン(C60)に対
して10当量滴下した後、1時間環流しながら反応させ
る。このとき、反応温度は約98℃である。
クロマトグラフィー法で1−ハイドロ−9−(3−フェ
ニル−2−プロペニル)フラーレンのみを分離精製す
る。このとき、展開溶媒として、ヘキサン・ベンゼン混
合液(ヘキサン:ベンゼン=1:1)を用いる。以上の
ようにして得られた本発明の新規フラーレン誘導体であ
る、1−ハイドロ−9−(3−フェニル−2−プロペニ
ル)フラーレンの構造式を以下に示す。
ル−2−プロペニル)フラーレンの 1H−NMRスペク
トルを図3に示す。
−ハイドロフラーレニル)−1,3−ヘキサジエンの合
成) (1) クロトン酸(0.2mol)とアセトアルデヒ
ド(0.2mol)とを、水酸化ナトリウム(10重量
パーセント水溶液)20ml中で、アルドール縮合反応
させ、5−フェニル−2,4,−ペンタジエナールを生
成させる(0.1mol)。このとき反応温度は約20
℃である。
2,4−ペンタジエナール(0.1mol)をメタノー
ル25mlに混合させ、水素化硼酸ナトリウム(0.0
3mol)を加えて還元反応を起こし、5−フェニル−
2,4−ペンタジエノールを生成させる。
50%水溶液20ml中に、(2)で作製した5−フェ
ニル−2,4−ペンタジエノール(0.1mol)を加
え、撹拌しながら臭素化反応を行い、1−ブロモ−5−
フェニル−2,4−ペンタジエンを作製する。反応温度
は約40℃で、反応時間は2時間である。
マグネシウム(0.1mol)と(3)で作製した1−
ブロモ−5−フェニル−2,4−ペンタジエン(0.1
mol)とを加え、グリニアール化を行い、1−ブロモ
−5−フェニル−2,4−ペンタジエンのグリニアール
試薬を作製する。このとき、反応温度は約60℃であ
る。
にフラーレン(C60)を5mmol溶解させ、(4)で
作製したグリニアール試薬を、フラーレン(C60)に対
して10当量滴下した後、1時間環流しながら反応させ
る。このとき、反応温度は約98℃である。
1−フェニル−6−ハイドロフラーレニル)−1,3−
ヘキサジエンをカラムクロマトグラフィー法で分離精製
する。このとき、展開溶媒として、ヘキサン・ベンゼン
混合液(ヘキサン:ベンゼン=1:1)を用いる。 以上のようにして得られた本発明の新規フラーレン誘導
体である、1−フェニル−6−(9−ハイドロフラーレ
ニル)−1,3−ヘキサジエンの構造式の構造式を以下
に示す。
ル−2−プロペニル)フラーレンの 1H−NMRスペク
トルを図4に示す。
ロ−9−(3−フェニルプロピル)フラーレン、合成例
2で得られた1−ハイドロ−9−(3−フェニル−2−
プロペニル)フラーレン、および、フラーレン(C60)
について、電荷分離状態を光吸収分光法より測定した。
測定は紫外可視分光光度計(日本分光製V−560型)
で行い、室温でデータを得た。溶媒はヘキサンであり、
それぞれ同じモル濃度(0.1μmol/l)に試料を
調製した。測定結果を図5に示す。
ル)フラーレンには、わずかにフラーレン単体には見ら
れない約470nmにブロードなピークが存在する。1
−ハイドロ−9−(3−フェニル−2−プロペニル)フ
ラーレンになると、このブロードな吸収の強度はさらに
大きい。この約470nmのブロードな吸収ピークは、
電荷分離により生じた電荷移動による吸収であり、フラ
ーレンC60にはかかる吸収は見られない。したがって、
たしかに本発明の新規フラーレンでは、分子内での電荷
分離が室温でも起きていることが確認された。さらに、
電子供与基と電子受容基とをつなぐ連結基としては、ア
ルキル基より共役二重結合アルキル基の方が電荷分離効
率が高いことが確認された。
容物質であるフラーレン類と電子供与物質とを直鎖炭化
水素連結基で結合させた分子の合成が可能になり、分子
内で電子とホールとが電荷分離を起こすことができる本
発明の新規フラーレン誘導体が合成された。電子とホー
ルとが電荷分離を起こすことで、半導体素子におけるP
N接合に近い電子構造が、一つの有機分子で実現できた
ことになる。したがって、本発明によれば、分子を基本
とした電子デバイスを構成する基盤技術を提供すること
ができる。
−フェニルプロピル)フラーレンの1H−NMRスペク
トルである。
て、横軸を拡大し、縦軸を圧縮したグラフである。
−フェニル−2−プロペニル)フラーレンの1H−NM
Rスペクトルである。
−ハイドロフラーレニル)−1,3−ヘキサジエンの1
H−NMRスペクトルである。
−フェニルプロピル)フラーレン、合成例2で得られた
1−ハイドロ−9−(3−フェニル−2−プロペニル)
フラーレン、および、フラーレン(C60)にについて、
光吸収分光法より測定した電荷分離状態を示すグラフで
ある。
Claims (6)
- 【請求項1】 下記構造式(1)で表されることを特徴
とする新規フラーレン誘導体。 R1−R2−R3 ・・・構造式(1) (上記構造式(1)中、R1はフラーレン類を表し、R2
は直鎖炭化水素連結基を表し、R3は電子供与基を表
す。) - 【請求項2】 構造式(1)中のR2で表される直鎖炭
化水素連結基が、一つ以上の二重結合を有することを特
徴とする請求項1に記載の新規フラーレン誘導体。 - 【請求項3】 構造式(1)中のR2で表される直鎖炭
化水素連結基が、共役二重結合を有することを特徴とす
る請求項1に記載の新規フラーレン誘導体。 - 【請求項4】 構造式(1)中のR1で表されるフラー
レン類が、C32、C5 0、C58、C60、C70、C76、
C78、C82、C84、C90、C96からなる群から選ばれる
いずれか1つ、もしくはその誘導体であることを特徴と
する請求項1〜3のいずれか1に記載の新規フラーレン
誘導体。 - 【請求項5】 構造式(1)中のR3で表される電子供
与基が、フェニル基、アルコキシフェニル基、キノニル
基、アントリル基、アントラキノニル基、ペンタセニル
基、ナフタセニル基からなる群から選ばれるいずれか1
つであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に
記載の新規フラーレン誘導体。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1に記載の新規
フラーレン誘導体の合成方法であって、電子供与物質を
末端に有する直鎖炭化水素連結基前駆体の他の末端をハ
ロゲン化し、その反応物質にフラーレン類を結合させる
ことを特徴とする新規フラーレン誘導体の合成方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2000-11-22 JP JP2000356356A patent/JP2002154992A/ja active Pending
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