JP2002151594A - Design method for semiconductor integrated circuit and design support apparatus for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Design method for semiconductor integrated circuit and design support apparatus for semiconductor integrated circuit

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JP2002151594A
JP2002151594A JP2000348499A JP2000348499A JP2002151594A JP 2002151594 A JP2002151594 A JP 2002151594A JP 2000348499 A JP2000348499 A JP 2000348499A JP 2000348499 A JP2000348499 A JP 2000348499A JP 2002151594 A JP2002151594 A JP 2002151594A
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cell
cells
semiconductor integrated
design change
integrated circuit
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Kensuke Torii
賢輔 鳥居
Yoshiteru Ono
芳照 小野
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a design method of a semiconductor integrated circuit and a design support apparatus of the semiconductor integrated circuit suitable for preventing a wiring length from becoming long at the time of design change. SOLUTION: As cells constituting a circuit element, a part of the circuit element is constituted of standard cells C11-C21 and C23-C42, the remaining part of the circuit element is constituted of the cells composed by wiring a plurality of basic cells C22, D16 and D25 in a prescribed pattern, the cells constituting the circuit element are arranged in a cell arranging area and the plurality of the basic cells are arranged in a non-arranging area in the cell arranging area. In the case of changing the design for the semiconductor integrated circuit, the basic cells in the arranging area and the non-arranging area are wired corresponding to the functions after changing the design on the basis of design change data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
設計方法および半導体集積回路の設計支援装置に係り、
特に、設計変更を行うにあたって配線長が大きくなるこ
とを防止するのに好適な半導体集積回路の設計方法およ
び半導体集積回路の設計支援装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit design method and a semiconductor integrated circuit design support apparatus.
In particular, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit design method and a semiconductor integrated circuit design support device that are suitable for preventing an increase in wiring length when performing a design change.

【0002】[0002]

【従来の技術】顧客の目的に合わせて設計されるカスタ
ムLSI(Large Scale Integration)回路の設計手法と
しては、フルカスタムとセミカスタムに大別される。こ
のうち、後者には、スタンダードセルを用いるスタンダ
ード方式や、ゲートアレイを用いるゲートアレイ方式が
ある。
2. Description of the Related Art Custom LSI (Large Scale Integration) circuits designed in accordance with the purpose of a customer are roughly classified into full custom and semi-custom. Among them, the latter includes a standard system using a standard cell and a gate array system using a gate array.

【0003】ゲートアレイ方式は、論理ゲートの組み合
わせからなるベーシックセルを規則的に配置した半導体
チップをあらかじめ作成しておき、これに顧客の要求に
応じた回路に対応する配線パターンを追加して最終的な
LSI回路に仕上げるものである。したがって、ゲート
アレイ方式は、設計期間が短縮化されるが、回路の内容
によっては使用されないセルも多く存在し、また、ベー
シックセルそのものも冗長な形状をしているので、半導
体集積回路の小型化にはあまり適していない。
In the gate array system, a semiconductor chip in which basic cells composed of a combination of logic gates are regularly arranged is prepared in advance, and a wiring pattern corresponding to a circuit according to a customer's request is added to the semiconductor chip. This is to complete a typical LSI circuit. Therefore, although the gate array method shortens the design period, there are many cells that are not used depending on the contents of the circuit, and the basic cell itself has a redundant shape, so that the size of the semiconductor integrated circuit is reduced. Not very suitable for

【0004】これに対し、スタンダード方式は、あらか
じめ種々の機能を有するスタンダードセルを構成するた
めのデータがセルライブラリと呼ばれる記憶装置に記憶
されており、半導体集積回路を設計しようとする設計者
がそのセルライブラリのなかから所望の機能を有するス
タンダードセルを選択するとともに、その設計者が実現
したい半導体集積回路の機能に対応して上記選択したス
タンダードセルを配線接続することにより所望の半導体
集積回路を構成するものである。
On the other hand, in the standard method, data for constructing standard cells having various functions is stored in a storage device called a cell library in advance. A desired semiconductor integrated circuit is configured by selecting a standard cell having a desired function from a cell library and wiring-connecting the selected standard cell corresponding to the function of the semiconductor integrated circuit desired by the designer. Is what you do.

【0005】スタンダード方式は、ゲートアレイ方式に
比して、機能的制約を一切受けない、基本素子の使用率
が100%であり無駄な領域が発生しない等の特長を備
えている。
[0005] The standard system has features such as being free from functional restrictions at all, having a 100% utilization rate of basic elements, and preventing useless areas, as compared with the gate array system.

【0006】ここで、一度設計した半導体集積回路の機
能を変更すること(機能を追加する場合も含む。)を考
えた場合に、その半導体集積回路全体を設計し直すとす
ると、開発時間が延長され、さらに開発コストも増大し
てしまうこととなる。
Here, when the function of the semiconductor integrated circuit once designed is changed (including the case where the function is added), if the whole semiconductor integrated circuit is redesigned, the development time is extended. As a result, the development cost is further increased.

【0007】そこで、これらの弊害を防止して機能変更
を円滑に行う方法として、半導体集積回路が備えるべき
機能とは無関係のスタンダードセル(以下、ダミーセル
という。)を、その備えるべき機能に対応するスタンダ
ードセルとは別個に同じ半導体チップ内にあらかじめ複
数個配置しておき、半導体集積回路に対して設計変更を
行う場合は、変更すべき機能に基づいてそれらダミーセ
ルを選択し、選択したダミーセルともとのスタンダード
セルとを接続し直すことにより、もとのスタンダードセ
ルの設計変更を最小限として機能変更を行い、開発コス
トを低減する方法(以下、従来のスタンダード方式によ
る第1の設計方法という。)が一般的に行われている。
Therefore, as a method of preventing these problems and smoothly changing the functions, a standard cell (hereinafter, referred to as a dummy cell) irrelevant to the functions to be provided in the semiconductor integrated circuit corresponds to the functions to be provided. A plurality of standard cells are placed separately in the same semiconductor chip in advance, and when a design change is made to the semiconductor integrated circuit, those dummy cells are selected based on the function to be changed, and the selected dummy cells and A method for reducing the development cost by re-connecting the standard cell to minimize the design change of the original standard cell and reducing the development cost (hereinafter referred to as a first design method using the conventional standard method). Is commonly done.

【0008】また、セル配置領域のうちスタンダードセ
ルを配置する領域以外の領域にあらかじめ複数のベーシ
ックセルを配置しておき、半導体集積回路に対して設計
変更を行う場合は、変更すべき機能に基づいて、それら
ベーシックセルを設計変更後の機能に対応して配線し、
ベーシックセルを配線してなる所定機能を有するセルと
もとのスタンダードセルとを接続し直すことにより、も
とのスタンダードセルの設計変更を最小限として機能変
更を行い、開発コストを低減する方法(以下、従来のス
タンダード方式による第2の設計方法という。)も一般
的に行われている。
Further, when a plurality of basic cells are arranged in advance in an area other than the area where the standard cells are arranged in the cell arrangement area, and the design of the semiconductor integrated circuit is changed, the basic cell is determined based on the function to be changed. Then, wire those basic cells according to the function after the design change,
A method to reduce the development cost by minimizing the design change of the original standard cell by reconnecting the original standard cell with the cell having the specified function by wiring the basic cell , A second standard design method based on the conventional standard method) is also generally performed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スタンダード方式による第1の設計方法にあっては、設
計変更を行うにあたってダミーセルとスタンダードセル
とを接続し直すようにしているが、接続対象となるスタ
ンダードセルが必ずしも選択したダミーセルの付近に配
置されているとは限らず、こうした場合に、それらセル
同士を配線することとすれば、配線長が必要以上に大き
くなってしまうという問題があった。
However, in the first design method based on the conventional standard system, the dummy cell and the standard cell are reconnected when the design is changed. The standard cells are not always arranged in the vicinity of the selected dummy cell, and in such a case, if these cells are wired, the wiring length becomes unnecessarily long.

【0010】また、従来のスタンダード方式による第2
の設計方法にあっても、同様であり、接続対象となるス
タンダードセルが必ずしもベーシックセルを配線してな
る所定機能を有するセルの付近に配置されているとは限
らず、こうした場合に、それらセル同士を配線すること
とすれば、配線長が必要以上に大きくなってしまうとい
う問題があった。例えば、図5(a)に示す半導体集積
回路に対する設計変更として、あらかじめ非配置領域に
配置したベーシックセルを配線することによりセル
16,D25を追加セルとして形成し、スタンダードセル
11とセルD25とを配線するとともにスタンダードセル
22とセルD16とを配線する場合は、図5(b)に示す
ように、スタンダードセルC11,C22がセルD25,D16
から離れた位置にあることから、設計変更の結果、配線
長がきわめて大きくなってしまう。
In addition, the second standard according to the conventional standard method is used.
The same applies to the design method of the above, and the standard cells to be connected are not always arranged in the vicinity of cells having a predetermined function formed by wiring basic cells. If the wires are connected to each other, there is a problem that the wire length becomes longer than necessary. For example, as a design change to the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 5A, cells D 16 and D 25 are formed as additional cells by arranging basic cells previously arranged in a non-arranged area, and the standard cells C 11 and C 25 are formed. when wiring a standard cell C 22 and the cell D 16 as well as wiring and D 25, as shown in FIG. 5 (b), standard cell C 11, C 22 cell D 25, D 16
The wiring length becomes extremely large as a result of the design change because it is located away from the wiring.

【0011】特に、近年、設計ルールの微細化に伴い、
設計変更を行うことで配線長が大きくなることにより、
設計変更前には満たしていた仕様を設計変更後には満た
さなくなるという不具合が生じている。
In particular, in recent years, with the miniaturization of design rules,
By making the design change, the wiring length becomes longer,
There is a problem that specifications that were satisfied before the design change are not satisfied after the design change.

【0012】そこで、本発明は、このような従来の技術
の有する未解決の課題に着目してなされたものであっ
て、設計変更を行うにあたって配線長が大きくなること
を防止するのに好適な半導体集積回路の設計方法および
半導体集積回路の設計支援装置を提供することを目的と
している。
Therefore, the present invention has been made in view of such an unsolved problem of the conventional technology, and is suitable for preventing an increase in the wiring length when making a design change. It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit design method and a semiconductor integrated circuit design support device.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る請求項1記載の半導体集積回路の設計
方法は、セル配置領域に回路素子を構成するセルを配置
し、前記セル配置領域のうち前記回路素子を構成するセ
ルを配置した配置領域以外の非配置領域に複数の基本セ
ルを配置し、設計変更後の機能に関する設計変更データ
に基づいて、前記非配置領域の基本セルを設計変更後の
機能に対応して配線する半導体集積回路の設計方法にお
いて、前記回路素子を構成するセルとして、前記回路素
子の一部を所定機能を有する機能セルで構成するととも
に前記回路素子の残部を複数の基本セルを所定パターン
で配線してなるセルで構成するセル構成工程を含む。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for designing a semiconductor integrated circuit, comprising: arranging a cell constituting a circuit element in a cell arrangement region; A plurality of basic cells are arranged in a non-arranged area other than the arranged area in which the cells constituting the circuit element are arranged in the arranged area, and the basic cells in the non-arranged area are determined based on design change data relating to the function after the design change. In the method of designing a semiconductor integrated circuit for wiring corresponding to the function after the design change, as a cell constituting the circuit element, a part of the circuit element is constituted by a functional cell having a predetermined function, and The method includes a cell configuration step in which the remainder is configured by a cell formed by wiring a plurality of basic cells in a predetermined pattern.

【0014】このような方法であれば、セル構成工程を
経て、回路素子を構成するセルとして、回路素子の一部
が所定機能を有する機能セルで構成されるとともに、回
路素子の残部が複数の基本セルを所定パターンで配線し
てなるセルで構成される。そして、それらセルがセル配
置領域に配置され、非配置領域に複数の基本セルが配置
される。このように設計された半導体集積回路に対して
設計変更を行う場合は、設計変更データに基づいて、非
配置領域の基本セルおよびセル配置領域の基本セルが設
計変更後の機能に対応して配線される。
According to such a method, through a cell forming step, as a cell constituting a circuit element, a part of the circuit element is constituted by a functional cell having a predetermined function, and the rest of the circuit element is constituted by a plurality of cells. It is composed of cells formed by wiring basic cells in a predetermined pattern. Then, these cells are arranged in the cell arrangement area, and a plurality of basic cells are arranged in the non-arrangement area. When a design change is performed on a semiconductor integrated circuit designed in this way, the basic cells in the non-placement area and the basic cells in the cell placement area are wired according to the function after the design change based on the design change data. Is done.

【0015】例えば、こうした配線の過程で、非配置領
域の基本セルの配線だけでは、非配置領域の基本セルと
配置領域の機能セルまたは基本セルとの配線長が大きく
なるようなときは、非配置領域の基本セルのみならず配
置領域の基本セルをも併せて配線すれば、配線長を小さ
くすることが可能となる。
For example, in such a wiring process, if the wiring length between the basic cell in the non-placement area and the functional cell or the basic cell in the placement area becomes large only by the wiring of the basic cell in the non-placement area, If wiring is performed not only for the basic cells in the placement area but also for the basic cells in the placement area, the wiring length can be reduced.

【0016】ここで、本方法の具体的な方法としては、
例えば、次のような方法が挙げられる。すなわち、前記
設計変更データは、前記設計変更データを記憶するため
の記憶手段から読み出す。
Here, specific methods of the present method include:
For example, the following method can be used. That is, the design change data is read from a storage unit for storing the design change data.

【0017】このような方法であれば、半導体集積回路
に対して設計変更を行う場合は、設計変更データが記憶
手段から読み出され、読み出された設計変更データに基
づいて、非配置領域の基本セルが設計変更後の機能に対
応して配線される。
According to such a method, when a design change is made to the semiconductor integrated circuit, the design change data is read from the storage means, and based on the read design change data, the non-arranged area is changed. The basic cells are wired according to the function after the design change.

【0018】さらに、本発明に係る請求項2記載の半導
体集積回路の設計方法は、請求項1記載の半導体集積回
路の設計方法において、前記設計変更データに基づい
て、前記配置領域および前記非配置領域の基本セルを設
計変更後の機能に対応して配線する配線工程を含む。
Further, according to a second aspect of the present invention, in the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the first aspect, the arrangement area and the non-arrangement are arranged based on the design change data. Includes a wiring step of wiring the basic cells in the area corresponding to the function after the design change.

【0019】このような方法であれば、配線工程を経
て、設計変更データに基づいて、配置領域および非配置
領域の基本セルが設計変更後の機能に対応して配線され
る。
According to such a method, the basic cells in the placement area and the non-placement area are wired according to the function after the design change based on the design change data through the wiring step.

【0020】一方、上記目的を達成するために、本発明
に係る請求項3記載の半導体集積回路の設計支援装置
は、セル配置領域に回路素子を構成するセルを配置し、
前記セル配置領域のうち前記回路素子を構成するセルを
配置した配置領域以外の非配置領域に複数の基本セルを
配置し、設計変更後の機能に関する設計変更データに基
づいて、前記非配置領域の基本セルを設計変更後の機能
に対応して配線する半導体集積回路の設計支援装置にお
いて、前記回路素子を構成するセルとして、前記回路素
子の一部を所定機能を有する機能セルで構成するととも
に前記回路素子の残部を複数の基本セルを所定パターン
で配線してなるセルで構成するセル構成手段を備える。
On the other hand, in order to achieve the above object, a semiconductor integrated circuit design support apparatus according to claim 3 of the present invention arranges cells constituting circuit elements in a cell arrangement area,
A plurality of basic cells are arranged in a non-arrangement area other than an arrangement area in which cells constituting the circuit elements are arranged in the cell arrangement area, and based on design change data relating to a function after a design change, the In a semiconductor integrated circuit design support apparatus for wiring a basic cell corresponding to a function after a design change, as a cell constituting the circuit element, a part of the circuit element is constituted by a function cell having a predetermined function, and There is provided cell configuration means for configuring the remainder of the circuit element by a cell in which a plurality of basic cells are wired in a predetermined pattern.

【0021】このような構成であれば、セル構成手段に
より、回路素子を構成するセルとして、回路素子の一部
が所定機能を有する機能セルで構成されるとともに、回
路素子の残部が複数の基本セルを所定パターンで配線し
てなるセルで構成される。そして、それらセルがセル配
置領域に配置され、セル配置領域のうち非配置領域に複
数の基本セルが配置される。このように設計された半導
体集積回路に対して設計変更を行う場合は、設計変更デ
ータに基づいて、非配置領域の基本セルが設計変更後の
機能に対応して配線される。
According to this structure, the cell constituting means constitutes a circuit element as a cell constituting a circuit element, a part of the circuit element is constituted by a functional cell having a predetermined function, and the rest of the circuit element comprises a plurality of basic cells. It is composed of cells formed by wiring cells in a predetermined pattern. Then, those cells are arranged in a cell arrangement area, and a plurality of basic cells are arranged in a non-arrangement area in the cell arrangement area. When a design change is performed on the semiconductor integrated circuit designed in this way, the basic cells in the non-arranged area are wired according to the function after the design change based on the design change data.

【0022】例えば、こうした配線の過程で、非配置領
域の基本セルの配線だけでは、非配置領域の基本セルと
配置領域の機能セルまたは基本セルとの配線長が大きく
なるようなときは、非配置領域の基本セルのみならず配
置領域の基本セルをも併せて配線すれば、配線長を小さ
くすることが可能となる。
For example, in such a wiring process, when the wiring length of the basic cell in the non-arranged area alone and the wiring length between the basic cell in the non-arranged area and the functional cell or the basic cell in the arranged area becomes large, If wiring is performed not only for the basic cells in the placement area but also for the basic cells in the placement area, the wiring length can be reduced.

【0023】ここで、本装置の具体的な構成としては、
例えば、次のような構成が挙げられる。すなわち、前記
設計変更データは、前記設計変更データを記憶するため
の記憶手段から読み出すようになっている。
Here, as a specific configuration of the present apparatus,
For example, the following configuration is given. That is, the design change data is read from a storage unit for storing the design change data.

【0024】このような構成であれば、半導体集積回路
に対して設計変更を行う場合は、設計変更データが記憶
手段から読み出され、読み出された設計変更データに基
づいて、非配置領域の基本セルが設計変更後の機能に対
応して配線される。
With this configuration, when a design change is performed on the semiconductor integrated circuit, the design change data is read from the storage means, and the non-arranged area is read out based on the read design change data. The basic cells are wired according to the function after the design change.

【0025】ここで、記憶手段は、設計変更データをあ
らゆる手段でかつあらゆる時期に記憶するものであり、
設計変更データをあらかじめ記憶しておいてもよいし、
本装置の動作時に設計変更データを記憶するようにして
もよい。
Here, the storage means stores the design change data by any means and at any time.
The design change data may be stored in advance,
The design change data may be stored during the operation of the present apparatus.

【0026】さらに、本発明に係る請求項4記載の半導
体集積回路の設計支援装置は、請求項3記載の半導体集
積回路の設計支援装置において、前記設計変更データに
基づいて、前記配置領域および前記非配置領域の基本セ
ルを設計変更後の機能に対応して配線する配線手段を備
える。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit design support apparatus according to the third aspect of the present invention, wherein the placement area and the semiconductor device are arranged based on the design change data. There is provided wiring means for wiring the basic cells in the non-placement area in accordance with the function after the design change.

【0027】このような構成であれば、配線手段によ
り、設計変更データに基づいて、配置領域および非配置
領域の基本セルが設計変更後の機能に対応して配線され
る。
With such a configuration, the wiring means routes the basic cells in the arrangement area and the non-arrangement area in accordance with the function after the design change based on the design change data.

【0028】以上では、上記目的を達成するための半導
体集積回路の設計方法および半導体集積回路の設計支援
装置を提案したが、これに限らず、上記目的を達成する
ために、次に掲げる第1および第2の半導体集積回路の
設計支援プログラムを記憶した記憶媒体を提案すること
もできる。
In the above, a semiconductor integrated circuit design method and a semiconductor integrated circuit design support device for achieving the above object have been proposed. However, the present invention is not limited thereto. Also, a storage medium storing a design support program for the second semiconductor integrated circuit can be proposed.

【0029】第1の半導体集積回路の設計支援プログラ
ムを記憶した記憶媒体は、セル配置領域に回路素子を構
成するセルを配置し、前記セル配置領域のうち前記回路
素子を構成するセルを配置した配置領域以外の非配置領
域に複数の基本セルを配置し、設計変更後の機能に関す
る設計変更データに基づいて、前記非配置領域の基本セ
ルを設計変更後の機能に対応して配線する半導体集積回
路の設計支援プログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記回路素子を構成するセルとして、前記回路素子の一
部を所定機能を有する機能セルで構成するとともに前記
回路素子の残部を複数の基本セルを所定パターンで配線
してなるセルで構成するセル構成手段として、コンピュ
ータを機能させるためのプログラムを記憶したコンピュ
ータ読み取り可能な記憶媒体である。
In the storage medium storing the first semiconductor integrated circuit design support program, cells constituting circuit elements are arranged in a cell arrangement area, and cells constituting the circuit elements are arranged in the cell arrangement area. A semiconductor integrated circuit in which a plurality of basic cells are arranged in a non-arranged area other than the arranged area, and the basic cells in the non-arranged area are wired corresponding to the function after the design change based on design change data on the function after the design change. A storage medium storing a circuit design support program,
As a cell constituting the circuit element, a cell configuration in which a part of the circuit element is configured by a functional cell having a predetermined function, and the remainder of the circuit element is configured by a cell in which a plurality of basic cells are wired in a predetermined pattern. As means, a computer-readable storage medium storing a program for causing a computer to function.

【0030】このような構成であれば、記憶媒体に記憶
されたプログラムがコンピュータによって読み取られ、
読み取られたプログラムに従ってコンピュータが機能し
たときは、請求項3記載の半導体集積回路の設計支援装
置と同様の作用が得られる。
With such a configuration, the program stored in the storage medium is read by the computer,
When the computer functions according to the read program, the same operation as the semiconductor integrated circuit design support device according to the third aspect is obtained.

【0031】したがって、半導体集積回路に対して設計
変更を行う場合は、配置領域の接続対象となるセルが非
配置領域のベーシックセルの付近に位置することがある
ので、従来に比して、設計変更を行うにあたって配線長
が大きくなるのを比較的防止することができるという効
果が得られる。
Therefore, when the design of the semiconductor integrated circuit is changed, the cell to be connected to the placement area may be located near the basic cell in the non-placement area. In making the change, the effect that the increase in the wiring length can be relatively prevented can be obtained.

【0032】第2の半導体集積回路の設計支援プログラ
ムを記憶した記憶媒体は、上記第1の半導体集積回路の
設計支援プログラムを記憶した記憶媒体において、前記
設計変更データに基づいて、前記配置領域及び前記非配
置領域の基本セルを設計変更後の機能に対応して配線す
る配線手段として、コンピュータを機能させるためのプ
ログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒
体である。
The storage medium storing the second semiconductor integrated circuit design support program is the storage medium storing the first semiconductor integrated circuit design support program based on the design change data. A computer-readable storage medium storing a program for causing a computer to function as wiring means for wiring the basic cells in the non-placement area in accordance with the function after the design change.

【0033】このような構成であれば、記憶媒体に記憶
されたプログラムがコンピュータによって読み取られ、
読み取られたプログラムに従ってコンピュータが機能し
たときは、請求項4記載の半導体集積回路の設計支援装
置と同様の作用が得られる。
With such a configuration, the program stored in the storage medium is read by the computer,
When the computer functions according to the read program, the same operation as the semiconductor integrated circuit design support device according to the fourth aspect is obtained.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。図1ないし図4は、本発明に
係る半導体集積回路の設計方法および半導体集積回路の
設計支援装置の実施の形態を示す図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 4 are diagrams showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit design method and a semiconductor integrated circuit design support apparatus according to the present invention.

【0035】本実施の形態は、本発明に係る半導体集積
回路の設計方法および半導体集積回路の設計支援装置
を、図4に示すように、セル配置領域に回路素子を構成
するセル(スタンダードセルおよびベーシックセル)を
配置し、非配置領域に複数のベーシックセルを配置して
おき、半導体集積回路に対して設計変更を行う場合は、
配置領域および非配置領域のベーシックセルを設計変更
後の機能に対応して配線する場合について適用したもの
である。
In the present embodiment, as shown in FIG. 4, a semiconductor integrated circuit design method and a semiconductor integrated circuit design support apparatus according to the present invention are provided by using cells (standard cells and Basic cell) and a plurality of basic cells are arranged in the non-arranged area.
This is applied to a case where basic cells in the arrangement area and the non-arrangement area are wired according to the function after the design change.

【0036】まず、本発明を適用するコンピュータシス
テムの構成を図1を参照しながら説明する。図1は、本
発明を適用するコンピュータシステムの構成を示すブロ
ック図である。
First, the configuration of a computer system to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a computer system to which the present invention is applied.

【0037】コンピュータ100は、図1に示すよう
に、制御プログラムに基づいて演算およびシステム全体
を制御するCPU30と、所定領域にあらかじめCPU
30の制御プログラム等を格納しているROM32と、
ROM32等から読み出したデータやCPU30の演算
過程で必要な演算結果を格納するためのRAM34と、
RAM34の特定領域に格納されているデータを画像信
号に変換して表示装置44に出力するCRTC36と、
外部装置に対してデータの入出力を媒介するI/F38
とで構成されており、これらは、データを転送するため
の信号線であるバス39で相互にかつデータ授受可能に
接続されている。
As shown in FIG. 1, the computer 100 has a CPU 30 for controlling the operation and the whole system based on the control program, and a CPU 30
A ROM 32 storing a control program and the like for 30;
A RAM 34 for storing data read from the ROM 32 and the like and calculation results required in the calculation process of the CPU 30;
A CRTC 36 that converts data stored in a specific area of the RAM 34 into an image signal and outputs the image signal to the display device 44;
I / F 38 for mediating data input / output to / from external devices
These are mutually connected by a bus 39, which is a signal line for transferring data, so that data can be exchanged.

【0038】I/F38には、外部装置として、ヒュー
マンインターフェースとしてデータの入力が可能なキー
ボードやマウス等からなる入力装置40と、データやテ
ーブル等をファイルとして格納する記憶装置42と、画
像信号に基づいて画面を表示する表示装置44とが接続
されている。
The I / F 38 includes, as external devices, an input device 40 such as a keyboard and a mouse capable of inputting data as a human interface, a storage device 42 for storing data and tables as files, and an image signal for image signals. A display device 44 for displaying a screen based on the information is connected.

【0039】RAM34は、特定領域として、表示装置
44に表示するための表示用データを格納するVRAM
35を有しており、VRAM35は、CPU30とCR
TC36とで独立にアクセスが可能となっている。
The RAM 34 is a VRAM that stores display data to be displayed on the display device 44 as a specific area.
The VRAM 35 includes a CPU 30 and a CR.
Access is possible independently with the TC 36.

【0040】CRTC36は、VRAM35に格納され
ている表示用データを先頭アドレスから所定周期で順次
読み出し、読み出した表示用データを画像信号に変換し
て表示装置44に出力するようになっている。
The CRTC 36 sequentially reads display data stored in the VRAM 35 from a start address at a predetermined period, converts the read display data into an image signal, and outputs the image signal to the display device 44.

【0041】記憶装置42は、あらかじめ種々の機能を
有するスタンダードセルを構成するための配置データを
記憶するためのセルライブラリとしての役割を有すると
ともに、半導体集積回路に対して設計変更を行う場合
は、記憶装置42には、設計変更後の機能に関する設計
変更データが記憶される。具体的に、設計変更データ
は、追加、削除または変更するセルの配置に関する配置
データと、それらセルの配線に関する配線データとを含
んで構成されている。
The storage device 42 has a role as a cell library for storing arrangement data for constructing standard cells having various functions in advance, and when making a design change to the semiconductor integrated circuit, The storage device 42 stores design change data relating to functions after the design change. Specifically, the design change data is configured to include placement data on the placement of cells to be added, deleted or changed, and wiring data on the wiring of those cells.

【0042】CPU30は、マイクロプロセッシングユ
ニットMPU等からなり、半導体集積回路を設計すると
きは、ROM32の所定領域に格納されている所定のプ
ログラムを起動させ、そのプログラムに従って、図2の
フローチャートに示す設計支援処理を実行し、設計支援
処理により設計した半導体集積回路に対して設計変更を
行うときは、ROM32の所定領域に格納されている所
定のプログラムを起動させ、そのプログラムに従って、
図3のフローチャートに示す設計変更支援処理を実行す
るようになっている。
When designing a semiconductor integrated circuit, the CPU 30 starts up a predetermined program stored in a predetermined area of the ROM 32 and, in accordance with the program, executes the design shown in the flowchart of FIG. When executing the support processing and performing a design change on the semiconductor integrated circuit designed by the design support processing, a predetermined program stored in a predetermined area of the ROM 32 is started, and according to the program,
The design change support processing shown in the flowchart of FIG. 3 is executed.

【0043】初めに、設計支援処理を図2を参照しなが
ら説明する。図2は、設計支援処理を示すフローチャー
トである。
First, the design support processing will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart showing the design support processing.

【0044】設計支援処理は、半導体集積回路のうち半
導体チップを製造するために必要なチップマスクパター
ンデータと、半導体集積回路のうち配線パターンを形成
するのに必要な配線マスクパターンデータとを生成する
処理であって、CPU30において実行されると、図2
に示すように、まず、ステップS100に移行する。
The design support processing generates chip mask pattern data necessary for manufacturing a semiconductor chip in a semiconductor integrated circuit and wiring mask pattern data necessary for forming a wiring pattern in the semiconductor integrated circuit. When the processing is executed by the CPU 30, the processing shown in FIG.
As shown in (1), the process first proceeds to step S100.

【0045】ステップS100では、ライブラリ中の素
子の一部をスタンダードセルで登録し、ステップS10
2に移行する。このステップS100では、設計者が記
憶装置42のなかから所望の機能を有するスタンダード
セルを選択するとともに、設計者が実現したい半導体集
積回路の機能に対応して上記選択したスタンダードセル
について接続関係を規定することにより行う。なお、こ
こでの構成は、コンピュータ100上で仮想的に形成し
た空間において行われるものである。以下、ベーシック
セルの構成について同じである。
In step S100, some of the elements in the library are registered as standard cells.
Move to 2. In this step S100, the designer selects a standard cell having a desired function from the storage device 42, and defines a connection relationship for the selected standard cell corresponding to the function of the semiconductor integrated circuit desired by the designer. It is done by doing. The configuration here is performed in a space virtually formed on the computer 100. Hereinafter, the same applies to the configuration of the basic cell.

【0046】ステップS102では、ライブラリ中の素
子の他の一部をゲートアレイで登録し、ステップS10
4に移行する。このステップS102では、設計者が実
現したい半導体集積回路の機能に対応して複数のベーシ
ックセルについて接続関係を規定することにより行う。
なお、回路素子のうちスタンダードセルおよびベーシッ
クセルが占める割合は、経験則等により適宜設定するよ
うにする。
In step S102, another part of the elements in the library is registered in the gate array, and step S10
Move to 4. This step S102 is performed by defining the connection relation of a plurality of basic cells corresponding to the function of the semiconductor integrated circuit desired by the designer.
Note that the ratio of the standard cell and the basic cell in the circuit element is appropriately set according to an empirical rule or the like.

【0047】ステップS104では、ステップS10
0,S102での構成に基づいて、自動配線アルゴリズ
ム等により、半導体チップのセル配置領域に回路素子を
構成するセルを配置・配線し(その際、回路素子は、そ
の一部がスタンダードセルで構成されており、他の一部
がゲートアレイで構成されている。)、ステップS10
6に移行して、半導体チップのセル配置領域のうち回路
素子を構成するセルを配置した配置領域以外の非配置領
域に複数のベーシックセルを配置し、ステップS108
に移行する。ここで、非配置領域のベーシックセルは、
設計変更後に新たな回路が追加されることを想定してあ
らかじめ配置しておくものである。
In step S104, step S10
On the basis of the configurations in steps S0 and S102, cells constituting circuit elements are arranged and wired in the cell arrangement area of the semiconductor chip by an automatic wiring algorithm or the like. And the other part is constituted by a gate array.), Step S10
In step S108, a plurality of basic cells are arranged in a non-arranged area other than the arranged area in which the cells forming the circuit elements are arranged in the cell arranged area of the semiconductor chip.
Move to Here, the basic cell in the non-arranged area is
It is arranged in advance assuming that a new circuit will be added after the design change.

【0048】ステップS108では、ステップS10
4,S106での配置・配線結果に基づいて、チップマ
スクパターンデータおよび配線マスクパターンデータを
生成し、ステップS110に移行して、生成したチップ
マスクパターンデータおよび配線マスクパターンデータ
を記憶装置42に格納し、一連の処理を終了する。
In step S108, step S10
4. The chip mask pattern data and the wiring mask pattern data are generated based on the arrangement / wiring result in S106, and the process proceeds to step S110 to store the generated chip mask pattern data and the wiring mask pattern data in the storage device 42. Then, a series of processing ends.

【0049】次に、設計変更支援処理を図3を参照しな
がら説明する。図3は、設計変更支援処理を示すフロー
チャートである。
Next, the design change support processing will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart showing the design change support processing.

【0050】設計変更支援処理は、設計変更データに基
づいて、設計変更後の配線マスクパターンデータを生成
する処理であって、CPU30において実行されると、
図3に示すように、まず、ステップS150に移行す
る。
The design change support process is a process for generating wiring mask pattern data after a design change based on the design change data.
As shown in FIG. 3, the process first proceeds to step S150.

【0051】ステップS150では、設計変更データを
記憶装置42から読み出し、ステップS152に移行し
て、読み出した設計変更データに基づいて配置領域、非
配置領域のベーシックセルを配線し(その際、スタンダ
ードセル部分は、動かさない。)、ステップS154に
移行して、ステップS152での配線結果に基づいて、
配線マスクパターンデータを生成し、ステップS156
に移行して、生成した配線マスクパターンデータを記憶
装置42に格納し、一連の処理を終了する。
In step S150, the design change data is read from the storage device 42, and the process proceeds to step S152, where the basic cells in the arrangement area and the non-arrangement area are wired based on the read design change data (in this case, the standard cell). The part does not move.) Then, the process proceeds to step S154, and based on the wiring result in step S152,
Wiring mask pattern data is generated, and step S156 is performed.
Then, the generated wiring mask pattern data is stored in the storage device 42, and a series of processing ends.

【0052】次に、上記実施の形態の動作を図4を参照
しながら説明する。図4は、本発明により半導体集積回
路に対し設計変更を行う場合を説明するための図であ
る。
Next, the operation of the above embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining a case where a design change is performed on a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【0053】まず、半導体集積回路を設計する場合を説
明する。
First, a case of designing a semiconductor integrated circuit will be described.

【0054】半導体集積回路を設計する場合は、設計者
は、ステップS100,S102を経て、記憶装置42
のなかから所望の機能を有するスタンダードセルを選択
するとともに、実現しようとする半導体集積回路の機能
に対応して上記選択したスタンダードセルについて接続
関係を規定することにより、回路素子の一部をスタンダ
ードセルで構成し、次いで実現しようとする半導体集積
回路の機能に対応して複数のベーシックセルについて接
続関係を規定することにより、回路素子の残部を複数の
ベーシックセルを所定パターンで配線してなるセルで構
成する。
When designing a semiconductor integrated circuit, the designer goes through steps S100 and S102 and goes to the storage device 42.
By selecting a standard cell having a desired function from among the standard cells and defining the connection relation of the selected standard cell corresponding to the function of the semiconductor integrated circuit to be realized, a part of the circuit elements can be standard cell. Then, by defining the connection relationship for a plurality of basic cells corresponding to the function of the semiconductor integrated circuit to be realized, the rest of the circuit elements are cells formed by wiring a plurality of basic cells in a predetermined pattern. Constitute.

【0055】このように回路素子を構成すると、ステッ
プS104,S106を経て、CPU30により、設計
者がした構成に基づいて、自動配線アルゴリズム等によ
り、半導体チップのセル配置領域に回路素子を構成する
スタンダードセルおよびベーシックセルが配置・配線さ
れ、半導体チップの非配置領域に複数のベーシックセル
が配置される。
When the circuit elements are configured in this manner, the CPU 30 goes through steps S104 and S106 and, based on the configuration performed by the designer, uses an automatic wiring algorithm or the like to execute the standard configuration of the circuit elements in the cell placement area of the semiconductor chip. Cells and basic cells are arranged and wired, and a plurality of basic cells are arranged in a non-arranged region of the semiconductor chip.

【0056】図4(a)の例では、半導体チップのセル
配置領域のうち第1のセル列には、回路素子を構成する
セルのうちスタンダードセルで構成されたセルC11〜C
15がその順序で左から順に配置され、複数のベーシック
セルからなるセルD16が非配置領域に配置されている。
また、半導体チップのセル配置領域のうち第2のセル列
には、回路素子を構成するセルのうちスタンダードセル
で構成されたセルC21と、回路素子を構成するセルのう
ち複数のベーシックセルで構成されたセルC22と、回路
素子を構成するセルのうちスタンダードセルで構成され
たセルC23,C 24とがその順序で左から順に配置され、
複数のベーシックセルからなるセルD25が非配置領域に
配置されている。
In the example of FIG. 4A, the cell of the semiconductor chip is
A circuit element is formed in the first cell column of the arrangement region.
Cell C composed of standard cells among cells11~ C
FifteenAre arranged in that order from the left, and multiple basic
Cell D consisting of cells16Are arranged in the non-arranged area.
The second cell column in the cell arrangement region of the semiconductor chip
The standard cell among the cells that constitute the circuit element
Cell C composed oftwenty oneAnd the cells that constitute the circuit elements
Cell C composed of a plurality of basic cellstwenty twoAnd the circuit
It consists of standard cells among the cells that make up the device.
Cell Ctwenty three, C twenty fourAre arranged in that order from the left,
Cell D composed of a plurality of basic cellstwenty fiveIs in the non-placed area
Are located.

【0057】また、半導体チップのセル配置領域のうち
第3のセル列には、回路素子を構成するセルのうちスタ
ンダードセルで構成されたセルC31,C32がその順序で
左から順に配置され、半導体チップのセル配置領域のう
ち第4のセル列には、回路素子を構成するセルのうちス
タンダードセルで構成されたセルC41,C42がその順序
で左から順に配置されている。
In the third cell column of the cell arrangement region of the semiconductor chip, cells C 31 and C 32 composed of standard cells among the cells constituting the circuit element are arranged in this order from the left. In the fourth cell column of the cell arrangement region of the semiconductor chip, cells C 41 and C 42 constituted by standard cells among the cells constituting the circuit element are arranged in this order from the left.

【0058】次いで、ステップS108,S110を経
て、ステップS104,S106での配置・配線結果に
基づいて、チップマスクパターンデータおよび配線マス
クパターンデータが生成され、生成されたチップマスク
パターンデータおよび配線マスクパターンデータが記憶
装置42に格納される。
Next, through steps S108 and S110, chip mask pattern data and wiring mask pattern data are generated based on the placement and wiring results in steps S104 and S106, and the generated chip mask pattern data and wiring mask pattern are generated. The data is stored in the storage device 42.

【0059】そして、チップマスクパターンデータおよ
び配線マスクパターンデータに基づいて、半導体集積回
路が製造される。具体的には、チップマスクパターンデ
ータに基づいて製造されたマスクパターンにより、スタ
ンダードセルおよびベーシックセルのバルク層が基板上
に形成されることで、半導体チップが製造される。そし
て、配線マスクパターンデータに基づいて製造されたマ
スクパターンにより、スタンダードセルおよびベーシッ
クセルを配線する配線層が、製造された半導体チップ上
に形成されることで、半導体集積回路が製造される。
Then, a semiconductor integrated circuit is manufactured based on the chip mask pattern data and the wiring mask pattern data. Specifically, a semiconductor chip is manufactured by forming bulk layers of standard cells and basic cells on a substrate using a mask pattern manufactured based on chip mask pattern data. Then, a wiring layer for wiring standard cells and basic cells is formed on the manufactured semiconductor chip by a mask pattern manufactured based on the wiring mask pattern data, whereby a semiconductor integrated circuit is manufactured.

【0060】次に、このように設計された半導体集積回
路に対して設計変更を行う場合を説明する。ここでは、
例えば、図4(a)に示す半導体集積回路に対する設計
変更として、あらかじめ非配置領域に配置したベーシッ
クセルを配線することによりセルD16,D25を追加セル
として形成し、スタンダードセルC11とセルD25とを配
線するとともにスタンダードセルC22とセルD16とを配
線する場合を例にとって説明する。
Next, a case where a design change is made to the semiconductor integrated circuit thus designed will be described. here,
For example, as a design change to the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4A, cells D 16 and D 25 are formed as additional cells by arranging basic cells previously arranged in a non-arranged area, and the standard cells C 11 and C 25 are formed. a case in which wiring and standard cells C 22 and cell D 16 with wiring and D 25 will be described as an example.

【0061】図4(a)に示す半導体集積回路に対して
上記のような設計変更を行う場合は、ステップS15
0,S152を経て、CPU30により、設計変更デー
タが記憶装置42から読み出され、読み出された設計変
更データに基づいて、配線長が小さくなるように、配置
領域および非配置領域のベーシックセルが設計変更後の
機能に対応して配線される。
When the above-described design change is performed on the semiconductor integrated circuit shown in FIG.
After 0, S152, the CPU 30 reads the design change data from the storage device 42, and based on the read design change data, the basic cells in the placement area and the non-placement area are reduced so that the wiring length is reduced. Wired according to the function after the design change.

【0062】ここで、スタンダードセルC11とセルD25
とを、およびスタンダードセルC11とセルD25とを単に
配線するのであっては、図5(b)に示すように、スタ
ンダードセルC11,C22がセルD25,D16から離れた位
置にあることから、配線長がきわめて大きくなってしま
う。そこで、図4(b)に示すように、第2のセル列の
非配置領域に配置されたベーシックセルをセルC22とし
て配線し、第2のセル列の配置領域に配置されたベーシ
ックセルをセルD25として配線することにより、配置領
域および非配置領域のベーシックセルが設計変更後の機
能に対応して配線する。これにより、追加セルとしての
セルD25がその接続対象となるスタンダードセルC11
付近に位置し、接続対象となるセルC22が追加セルとし
てのセルD16の付近に位置することとなるので、配線長
が小さくなる。
Here, the standard cell C 11 and the cell D 25
The door, and it is a than simply wiring the standard cells C 11 and the cell D 25, as shown in FIG. 5 (b), standard cell C 11, C 22 is separated from the cell D 25, D 16 position Therefore, the wiring length becomes extremely large. Therefore, as shown in FIG. 4 (b), the arranged basic cells in the blank region of the second cell row wiring as a cell C 22, the arranged basic cells in arrangement region of the second cell row by wiring the cell D 25, the basic cell arrangement areas and blank region is the wiring in response to function after the design change. Thereby, located near a cell D 25 is a standard cell C 11 to be the target for connection of the additional cell, since the cell C 22 to be connected is positioned in the vicinity of the cell D 16 as additional cell And the wiring length is reduced.

【0063】次いで、ステップS154,S156を経
て、ステップS152での配線結果に基づいて、設計変
更後の配線マスクパターンデータが生成され、生成され
た配線マスクパターンデータが記憶装置42に格納され
る。
Next, after steps S154 and S156, the wiring mask pattern data after the design change is generated based on the wiring result in step S152, and the generated wiring mask pattern data is stored in the storage device 42.

【0064】そして、設計変更後の配線マスクパターン
データに基づいて、半導体集積回路が製造される。具体
的には、設計変更後の配線マスクパターンデータに基づ
いて製造されたマスクパターンにより、スタンダードセ
ルおよびベーシックセルを配線する新たな配線層が、既
存の半導体チップ(設計変更前に製造されたもの)上に
形成されることで、半導体集積回路が製造される。
Then, a semiconductor integrated circuit is manufactured based on the wiring mask pattern data after the design change. More specifically, a new wiring layer for wiring standard cells and basic cells is formed by using a mask pattern manufactured based on the wiring mask pattern data after the design change. ), A semiconductor integrated circuit is manufactured.

【0065】このようにして、本実施の形態では、回路
素子を構成するセルとして、回路素子の一部をスタンダ
ードセルで構成するとともに、回路素子の残部を複数の
ベーシックセルを所定パターンで配線してなるセルで構
成し、セル配置領域に回路素子を構成するセルを配置
し、非配置領域に複数のベーシックセルを配置してお
き、半導体集積回路に対して設計変更を行う場合は、設
計変更データに基づいて、配置領域および非配置領域の
ベーシックセルを設計変更後の機能に対応して配線する
ようにした。
As described above, in the present embodiment, as a cell constituting a circuit element, a part of the circuit element is constituted by a standard cell, and the rest of the circuit element is formed by wiring a plurality of basic cells in a predetermined pattern. When design changes are made to a semiconductor integrated circuit by placing cells constituting circuit elements in the cell placement area and placing a plurality of basic cells in the non-placement area, Based on the data, the basic cells in the placement area and the non-placement area are wired according to the function after the design change.

【0066】これにより、追加セルとしてのセルD25
その接続対象となるスタンダードセルC11の付近に位置
し、接続対象となるセルC22が追加セルとしてのセルD
16の付近に位置することとなるので、従来に比して、設
計変更を行うにあたって配線長が大きくなるのを比較的
防止することができる。
Thus, the cell D 25 as an additional cell is located near the standard cell C 11 to be connected, and the cell C 22 to be connected is the cell D 25 as an additional cell.
Since it is located in the vicinity of 16 , it is possible to relatively prevent an increase in the wiring length when making a design change as compared with the related art.

【0067】上記実施の形態において、ベーシックセル
は、請求項1ないし4記載の基本セルに対応し、スタン
ダードセルは、請求項1または3記載の所定機能を有す
る機能セルに対応している。
In the above embodiment, the basic cell corresponds to the basic cell described in claims 1 to 4, and the standard cell corresponds to the functional cell having a predetermined function according to claim 1 or 3.

【0068】なお、上記実施の形態においては、配置領
域のセル同士の配線を特に考慮して説明しなかったが、
半導体集積回路に対して設計変更を行う場合は、配置領
域のセルと非配置領域のセルとを接続する配線および配
置領域のセル同士を接続する配線の総配線長が小さくな
るように、配置領域および非配置領域のベーシックセル
を設計変更後の機能に対応して配線してもよい。
Although the above embodiment has not been described with particular consideration for the wiring between cells in the arrangement region,
When a design change is performed on the semiconductor integrated circuit, the layout area is set so that the total wiring length of the wiring connecting the cells in the layout area and the cells in the non-layout area and the wiring length connecting the cells in the layout area is reduced. The basic cells in the non-arranged area may be wired according to the function after the design change.

【0069】また、上記実施の形態において、図2およ
び図3のフローチャートに示す処理を実行するにあたっ
てはいずれも、ROM32にあらかじめ格納されている
制御プログラムを実行する場合について説明したが、こ
れに限らず、これらの手順を示したプログラムが記憶さ
れた記憶媒体から、そのプログラムをRAM34に読み
込んで実行するようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the case where the control program stored in the ROM 32 is executed in executing the processes shown in the flowcharts of FIGS. 2 and 3 has been described. Instead, the program may be read from the storage medium storing the program indicating these procedures into the RAM 34 and executed.

【0070】ここで、記憶媒体とは、RAM、ROM等
の半導体記憶媒体、FD、HD等の磁気記憶型記憶媒
体、CD、CDV、LD、DVD等の光学的読取方式記
憶媒体、MO等の磁気記憶型/光学的読取方式記憶媒体
であって、電子的、磁気的、光学的等の読み取り方法の
いかんにかかわらず、コンピュータで読み取り可能な記
憶媒体であれば、あらゆる記憶媒体を含むものである。
Here, the storage medium is a semiconductor storage medium such as a RAM or a ROM, a magnetic storage type storage medium such as an FD or HD, an optical read type storage medium such as a CD, CDV, LD, or DVD, or an MO storage medium. A magnetic storage type / optical readout type storage medium includes any storage medium that can be read by a computer regardless of an electronic, magnetic, optical, or other read method.

【0071】また、上記実施の形態においては、本発明
に係る半導体集積回路の設計方法および半導体集積回路
の設計支援装置を、図4に示すように、セル配置領域に
回路素子を構成するセル(スタンダードセルおよびベー
シックセル)を配置し、非配置領域に複数のベーシック
セルを配置しておき、半導体集積回路に対して設計変更
を行う場合は、配置領域および非配置領域のベーシック
セルを設計変更後の機能に対応して配線する場合につい
て適用したが、これに限らず、本発明の主旨を逸脱しな
い範囲で他の場合にも適用可能である。
Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 4, the semiconductor integrated circuit design method and the semiconductor integrated circuit design support apparatus according to the present invention are applied to the cells (cells) constituting circuit elements in the cell arrangement region. Standard cells and basic cells) are arranged, and a plurality of basic cells are arranged in the non-arranged area. When the design of the semiconductor integrated circuit is changed, the basic cells in the arranged area and the non-arranged area are changed after the design change. However, the present invention is not limited to this case, and may be applied to other cases without departing from the gist of the present invention.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る請求
項1または2記載の半導体集積回路の設計方法によれ
ば、半導体集積回路に対して設計変更を行う場合は、配
置領域の接続対象となるセルが非配置領域のベーシック
セルの付近に位置することがあるので、従来に比して、
設計変更を行うにあたって配線長が大きくなるのを比較
的防止することができるという効果が得られる。
As described above, according to the method for designing a semiconductor integrated circuit according to the first or second aspect of the present invention, when a design change is made to the semiconductor integrated circuit, the connection target of the arrangement region is changed. May be located near the basic cell in the non-arranged area.
An effect is obtained in that it is possible to relatively prevent an increase in the wiring length when making a design change.

【0073】一方、本発明に係る請求項3または4記載
の半導体集積回路の設計支援装置によれば、半導体集積
回路に対して設計変更を行う場合は、配置領域の接続対
象となるセルが非配置領域のベーシックセルの付近に位
置することがあるので、従来に比して、設計変更を行う
にあたって配線長が大きくなるのを比較的防止すること
ができるという効果が得られる。
On the other hand, according to the semiconductor integrated circuit design support apparatus according to the third or fourth aspect of the present invention, when a design change is performed on the semiconductor integrated circuit, the cells to be connected to the placement area are not connected. Since it may be located in the vicinity of the basic cell in the arrangement region, it is possible to obtain an effect that it is possible to relatively prevent an increase in the wiring length when making a design change as compared with the related art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明を適用するコンピュータシステムの構成
を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a computer system to which the present invention is applied.

【図2】設計支援処理を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating a design support process.

【図3】設計変更支援処理を示すフローチャートであ
る。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a design change support process.

【図4】本発明により半導体集積回路に対し設計変更を
行う場合を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a case where a design change is performed on a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図5】従来のスタンダード方式による第2の設計方法
により半導体集積回路に対し設計変更を行う場合を説明
するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a case where a design change is performed on a semiconductor integrated circuit by a second conventional design method using a standard method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 コンピュータ 30 CPU 32 ROM 34 RAM 38 I/F 40 入力装置 42 記憶装置 44 表示装置 C11〜C21 スタンダードセル C23〜C42 スタンダードセル C22 ベーシックセル D16,D25 ベーシックセル100 Computer 30 CPU 32 ROM 34 RAM 38 I / F 40 input device 42 storage device 44 display device C 11 -C 21 standard cells C 23 -C 42 standard cell C 22 basic cell D 16, D 25 basic cells

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Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セル配置領域に回路素子を構成するセル
を配置し、前記セル配置領域のうち前記回路素子を構成
するセルを配置した配置領域以外の非配置領域に複数の
基本セルを配置し、設計変更後の機能に関する設計変更
データに基づいて、前記非配置領域の基本セルを設計変
更後の機能に対応して配線する半導体集積回路の設計方
法において、 前記回路素子を構成するセルとして、前記回路素子の一
部を所定機能を有する機能セルで構成するとともに前記
回路素子の残部を複数の基本セルを所定パターンで配線
してなるセルで構成するセル構成工程を含むことを特徴
とする半導体集積回路の設計方法。
1. A cell constituting a circuit element is arranged in a cell arrangement area, and a plurality of basic cells are arranged in a non-arrangement area other than an arrangement area in which a cell constituting the circuit element is arranged in the cell arrangement area. A method for designing a semiconductor integrated circuit in which the basic cells in the non-placement area are wired in accordance with the functions after the design change based on the design change data on the functions after the design change, A semiconductor comprising a step of forming a part of the circuit element by a functional cell having a predetermined function and forming a remainder of the circuit element by a cell formed by wiring a plurality of basic cells in a predetermined pattern. How to design integrated circuits.
【請求項2】 請求項1において、 前記設計変更データに基づいて、前記配置領域及び前記
非配置領域の基本セルを設計変更後の機能に対応して配
線する配線工程を含むことを特徴とする半導体集積回路
の設計方法。
2. The method according to claim 1, further comprising the step of wiring the basic cells in the placement area and the non-placement area in accordance with the function after the design change based on the design change data. A method for designing a semiconductor integrated circuit.
【請求項3】 セル配置領域に回路素子を構成するセル
を配置し、前記セル配置領域のうち前記回路素子を構成
するセルを配置した配置領域以外の非配置領域に複数の
基本セルを配置し、設計変更後の機能に関する設計変更
データに基づいて、前記非配置領域の基本セルを設計変
更後の機能に対応して配線する半導体集積回路の設計支
援装置において、 前記回路素子を構成するセルとして、前記回路素子の一
部を所定機能を有する機能セルで構成するとともに前記
回路素子の残部を複数の基本セルを所定パターンで配線
してなるセルで構成するセル構成手段を備えることを特
徴とする半導体集積回路の設計支援装置。
3. A cell constituting a circuit element is arranged in a cell arrangement area, and a plurality of basic cells are arranged in a non-arranged area of the cell arrangement area other than an arrangement area in which cells constituting the circuit element are arranged. A semiconductor integrated circuit design support apparatus for wiring a basic cell in the non-placement area in accordance with the function after the design change based on the design change data on the function after the design change; A cell configuration means for configuring a part of the circuit element with a functional cell having a predetermined function and configuring the remainder of the circuit element with a cell formed by wiring a plurality of basic cells in a predetermined pattern. Design support equipment for semiconductor integrated circuits.
【請求項4】 請求項3において、 前記設計変更データに基づいて、前記配置領域及び前記
非配置領域の基本セルを設計変更後の機能に対応して配
線する配線手段を備えることを特徴とする半導体集積回
路の設計支援装置。
4. The device according to claim 3, further comprising wiring means for wiring the basic cells in the placement area and the non-placement area in accordance with the function after the design change based on the design change data. Design support equipment for semiconductor integrated circuits.
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