JP2002146584A - Microshape structure, nozzle parts, optical parts, display device, electroforming archetype and method of manufacturing for the same - Google Patents

Microshape structure, nozzle parts, optical parts, display device, electroforming archetype and method of manufacturing for the same

Info

Publication number
JP2002146584A
JP2002146584A JP2001114756A JP2001114756A JP2002146584A JP 2002146584 A JP2002146584 A JP 2002146584A JP 2001114756 A JP2001114756 A JP 2001114756A JP 2001114756 A JP2001114756 A JP 2001114756A JP 2002146584 A JP2002146584 A JP 2002146584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
transparent substrate
opaque
micro
photosensitive material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001114756A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoo Ikeda
池田  智夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Watch Co Ltd
Priority to JP2001114756A priority Critical patent/JP2002146584A/en
Publication of JP2002146584A publication Critical patent/JP2002146584A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Nozzles (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a structure provided with inclined holes having extremely small apertures which are not heretofore achieved and to provide the structure provided with the inclined holes having good dimensional accuracy and high reliability and a method of manufacturing for the same. SOLUTION: The shapes of the apertures of the microholes of the microshape structure obliquely bored with the microholes are shapes exclusive of an elliptic shape and the angle of inclination is an angle exclusive of 90 deg. when the angle formed by the central axis of the microholes and the surface bored with the microhole is defined as the angle of inclination.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は微小な形状が所定の
角度で傾斜して形成された微小形状構造体とその製造方
法に関する。さらには流体を噴出させるためのノズル孔
が所定の傾斜角度で傾斜してあけられたノズル部品とそ
の製造方法に関する。さらには微小な孔が所定の傾斜角
度で傾斜してあけられた光学部品とその製造方法に関す
る。さらには透過光により画像を表示させる表示装置に
関する。さらには微小な形状が所定の角度で傾斜して形
成された電鋳元型に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a micro-shaped structure in which a micro shape is formed to be inclined at a predetermined angle, and a method of manufacturing the same. Further, the present invention relates to a nozzle component in which a nozzle hole for ejecting a fluid is inclined at a predetermined inclination angle and a method for manufacturing the same. Further, the present invention relates to an optical component in which minute holes are formed at a predetermined inclination angle and a method of manufacturing the same. Further, the present invention relates to a display device for displaying an image by transmitted light. Further, the present invention relates to an electroforming mold in which a minute shape is formed at a predetermined angle.

【0002】[0002]

【従来の技術】微小な孔があけられた構造体を形成する
方法として多くの加工法がこれまで提案されてきた。そ
の主な加工方法としては、ドリルによって孔あけを行う
機械加工法、酸性溶液によって金属板の一部を部分的に
溶解して孔あけを行うエッチング法、板状の部材を所望
の形状をした金型で打ち抜くプレス加工法などがあげら
れる。
2. Description of the Related Art Many processing methods have been proposed as methods for forming a structure having minute holes. The main processing methods are a mechanical processing method in which a hole is formed by a drill, an etching method in which a part of a metal plate is partially dissolved by an acidic solution to form a hole, and a plate-shaped member having a desired shape. There is a press working method of punching out with a die.

【0003】これらの加工法の中で加工面に対して、あ
る角度で傾斜して孔を形成できる加工方法は、ドリルに
よる孔あけ加工以外には無かった。以下にドリルによっ
て傾斜した孔をあける加工法について説明する。
[0003] Among these processing methods, there has been no processing method capable of forming a hole inclined at a certain angle with respect to a processing surface other than drilling. Hereinafter, a method of forming a hole inclined by a drill will be described.

【0004】図16はドリルによる機械加工で製造され
た傾斜孔を備えた構造体の斜視図である。また図17は
ドリルによって傾斜した孔を加工するときの状態図であ
る。図17のように、従来は構造体1000の孔加工面
fに所定の傾斜角度θでドリル2000を傾けて、穴あ
け加工を行っていた。その結果、傾斜角度θで傾斜した
孔1100を構造体1000に形成する事ができてい
た。この時、外径がDのドリル2000を用いて加工し
たとすると、孔1100の孔加工面fに現れる開口部
は、長径がD/sinθ、短径がD、の楕円形状(図1
6に表示)になる。
FIG. 16 is a perspective view of a structure having inclined holes manufactured by machining with a drill. FIG. 17 is a diagram showing a state in which an inclined hole is machined by a drill. Conventionally, as shown in FIG. 17, drilling is performed by inclining a drill 2000 at a predetermined inclination angle θ on a hole processing surface f of a structure 1000. As a result, the hole 1100 inclined at the inclination angle θ could be formed in the structure 1000. At this time, assuming that processing is performed using a drill 2000 having an outer diameter of D, the opening of the hole 1100 that appears on the hole processing surface f has an elliptical shape having a major axis of D / sin θ and a minor axis of D (FIG. 1).
6).

【0005】ドリルによる機械加工の場合、ドリル20
00が回転することによって加工を行うので、構造体1
000の孔加工面fに垂直(θ=90度)に加工すれ
ば、孔1100の開口部は円形状になり、構造体100
0の孔加工面fに傾斜(θ≠90度)して加工すれば、
当然のごとく孔1100の開口部は楕円形状になる。
In the case of machining with a drill, a drill 20 is used.
Since the rotation is performed by rotating 00, the structure 1
If the hole 1100 is machined perpendicularly to the hole machining surface f (θ = 90 degrees), the opening of the hole 1100 becomes circular and the structure 100
If the hole is machined with a slope of 0 (θ 度 90 degrees),
As a matter of course, the opening of the hole 1100 has an elliptical shape.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来、
傾斜孔を備えた構造体を製造する加工方法はドリルによ
る切削加工しか無かった。このドリルによる切削加工法
では、あけることのできる加工寸法、すなわち孔の開口
部の寸法は、ドリルの大きさ(直径)で決定される。よ
って、微小な開口部からなる微小孔を加工しようとした
場合、直径の小さなドリルが必要となる。しかしながら
ドリルの直径をある程度以下に小さくすると、ドリル自
体の強度が弱まり、切削加工中にドリルの折れや曲がり
が発生するため、穴あけ加工ができなくなってしまって
いた。従来のドリルによる機械加工法では、以上の理由
から孔の開口部の寸法をφ60μmよりも小さく加工す
ることはできず、微小な孔の加工には適していなかっ
た。
As described above, conventionally,
The only processing method for manufacturing a structure having an inclined hole was cutting by a drill. In this cutting method using a drill, the processing size that can be drilled, that is, the size of the opening of the hole is determined by the size (diameter) of the drill. Therefore, when trying to machine a minute hole having a minute opening, a drill having a small diameter is required. However, if the diameter of the drill is reduced to a certain degree or less, the strength of the drill itself is reduced, and the drill is broken or bent during the cutting, so that the drilling cannot be performed. With the conventional drill machining method, the size of the opening of the hole cannot be made smaller than φ60 μm for the above-described reason, and it is not suitable for processing a minute hole.

【0007】さらに、ドリルによる切削加工法で傾斜孔
を加工する場合、その傾斜孔の開口部形状は楕円形に限
られていた。これは上述のように、ドリルの回転運動に
よって孔加工を行うためである。
Further, when the inclined hole is formed by a cutting method using a drill, the shape of the opening of the inclined hole is limited to an elliptical shape. This is because, as described above, drilling is performed by rotating the drill.

【0008】さらに、従来のドリルによる切削加工法で
傾斜孔を加工する場合、傾斜孔一つ一つは単独に加工さ
れる。よって多数の傾斜孔を備えた構造体を製造しよう
とした場合、新品な状態のドリルで加工した加工初期の
傾斜孔と、加工によって劣化した状態のドリルで加工し
た加工終盤の傾斜孔とでは、孔開口部の寸法が異なって
しまうことも多々あり、加工精度の信頼性が悪かった。
Further, when the inclined holes are machined by the conventional drilling method, each inclined hole is machined individually. Therefore, when trying to manufacture a structure having a large number of inclined holes, the inclined holes at the initial stage of machining with a drill in a new state and the inclined holes at the end of machining with a drill deteriorated by machining, In many cases, the dimensions of the hole openings were different, and the reliability of the processing accuracy was poor.

【0009】また、上述のように傾斜孔一つ一つを単独
に加工するため、多数傾斜孔を備える構造体を製造する
場合、非常に生産時間を要し、生産性が悪かった。
[0009] Further, as described above, since each inclined hole is individually processed, when a structure having a large number of inclined holes is manufactured, a very long production time is required and productivity is poor.

【0010】本発明の目的は、非常に微小な開口部を有
する傾斜孔を備えた構造体とその製造方法を提供するこ
とで、さらには傾斜孔の寸法精度が良好で高い信頼性を
有する傾斜孔を備えた構造体とその製造方法を提供する
ことである。
An object of the present invention is to provide a structure having an inclined hole having a very small opening and a method of manufacturing the same, and furthermore, an inclined hole having good dimensional accuracy of the inclined hole and high reliability. An object of the present invention is to provide a structure having holes and a method of manufacturing the same.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の微小形状構造体は、電鋳法によって製造さ
れ微小孔を備えた微小形状構造体であって、前記微小孔
が前記微小形状構造体の該微小孔のあけられた面に対し
て90度以外の角度で傾斜してあけられていることを特
徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, a micro-shaped structure of the present invention is a micro-shaped structure provided with micro holes manufactured by an electroforming method, wherein the micro holes are formed by the electro-forming method. The micro-structured structure is characterized in that the micro-structure is inclined at an angle other than 90 degrees with respect to the surface of the micro-hole formed.

【0012】さらに、前記微小孔の傾斜角度は45°以
上135°以下であるのが好ましい。
Further, it is preferable that the angle of inclination of the micropore is not less than 45 ° and not more than 135 °.

【0013】また、電鋳法によって製造され微小孔を備
えた微小形状構造体であって、前記微小孔が複数構成さ
れ、該複数の微小孔の内少なくとも一孔以上が、他の微
小孔と異なった角度で形成されていることを特徴として
いる。
[0013] Further, there is provided a micro-shaped structure having micro holes manufactured by an electroforming method, wherein a plurality of the micro holes are formed, and at least one or more of the plurality of micro holes is connected to another micro hole. It is characterized by being formed at different angles.

【0014】さらに、電鋳法によって製造され微小孔を
備えた微小形状構造体であって、前記微小孔の開口部が
切削加工であけることが不可能な微小な大きさであるこ
とが好ましい。
[0014] Furthermore, it is preferable that the micro-shaped structure is manufactured by electroforming and has micro holes, and the opening of the micro holes has a micro size that cannot be cut by cutting.

【0015】前記微小孔の開口部の大きさが、該開口部
の形状に内接する円の直径であらわされ、該開口部の大
きさが50μm以下であることが好ましい。
The size of the opening of the micropore is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is preferably 50 μm or less.

【0016】前記微小孔の開口部の形状が、楕円形状以
外の形状であることが好ましい。
It is preferable that the shape of the opening of the minute hole is a shape other than the elliptical shape.

【0017】さらに、微小孔が複数あけられた微小形状
構造体であって、貫通した微小孔と貫通していない微小
孔の両方を備えていることが好ましい。
Further, it is preferable that the micro-shaped structure is provided with a plurality of micro holes, and has both penetrating micro holes and non-piercing micro holes.

【0018】Ni、Cu、Co、Sn、Zn、Au、P
t、Ag、Pbのうち少なくとも一つの元素を含む材料
からなるのが好ましい。
Ni, Cu, Co, Sn, Zn, Au, P
It is preferable to use a material containing at least one of t, Ag, and Pb.

【0019】また、所定の角度で傾斜した微小形状を備
えた微小形状構造体であって、光を透過する透明性基板
と、透明性基板の一方の面にパターン化して形成された
第一不透明性層と、透明性基板の他方の面にパターン化
して形成された第二不透明性層と、パターン化された感
光性材料層を有し、該感光性材料層は、透明性基板上の
うち、第一不透明性層の非成膜部分に設置しており、且
つ、第二不透明性層の非成膜部分と第一不透明性層の非
成膜部分とを通って光が透過する方向に向かって形成さ
れていることを特徴としている。
Also, the present invention is a micro-shaped structure having a micro-shape inclined at a predetermined angle, comprising: a transparent substrate that transmits light; and a first opaque pattern formed on one surface of the transparent substrate by patterning. A transparent layer, a second opaque layer formed by patterning on the other surface of the transparent substrate, and a patterned photosensitive material layer, wherein the photosensitive material layer The first opaque layer is disposed in the non-deposition part, and the light is transmitted through the non-deposition part of the second opaque layer and the non-deposition part of the first opaque layer. It is characterized by being formed toward.

【0020】または、パターン化された第一不透明性層
と第二不透明性層がそれぞれ所定の面上に形成され、且
つ第一不透明性層上に感光性材料層が形成されている透
明性基板を、光源から照射可能な位置に配置し、透明性
基板と光源との相対位置を変化させることによって、感
光性材料層を第一不透明性層及び第二不透明性層のパタ
ーンに応じた形状で露光してパターン化したことを特徴
としている。
Alternatively, a transparent substrate in which a patterned first opaque layer and a second opaque layer are respectively formed on predetermined surfaces, and a photosensitive material layer is formed on the first opaque layer Is arranged at a position that can be irradiated from the light source, and by changing the relative position between the transparent substrate and the light source, the photosensitive material layer is formed in a shape corresponding to the pattern of the first opaque layer and the second opaque layer. It is characterized by being exposed and patterned.

【0021】さらに、前記第一不透明性層と第二不透明
性層には、少なくとも一つの非成膜部がパターン化され
ており、それぞれが異なる形状であることが好ましい。
Further, it is preferable that at least one non-film-forming portion is patterned in the first opaque layer and the second opaque layer, and each has a different shape.

【0022】さらには、微小孔を備えた微小形状構造体
の製造方法であって、不透明導電性層が所望の形状でパ
ターン化して形成された透明基板の、前記不透明導電性
層が形成されている一方の面上に、感光性材料層を形成
する工程と、前記透明基板の前記不透明導電性層の形成
されていない他方の面側から、且つ前記透明基板の平面
に対して90度以外の所定の傾斜角度で光を照射し前記
感光性材料層を露光する工程と、前記感光性材料層を現
像してパターン化する工程と、前記不透明導電性層上に
電鋳法によって微小形状構造体を形成する工程と、前記
微小形状構造体を前記透明基板、前記感光性材料層から
分離する工程とを有することを特徴としている。
Further, the present invention provides a method for manufacturing a micro-shaped structure having micro holes, wherein the opaque conductive layer is formed on a transparent substrate formed by patterning the opaque conductive layer in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on one side of the transparent substrate, the other side of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed, and at an angle other than 90 degrees with respect to the plane of the transparent substrate. Exposing the photosensitive material layer by irradiating light at a predetermined inclination angle, developing and patterning the photosensitive material layer, and forming a micro-shaped structure on the opaque conductive layer by electroforming. And a step of separating the microscopic structure from the transparent substrate and the photosensitive material layer.

【0023】また、微小孔を備えた微小形状構造体の製
造方法であって、不透明導電性層が所望の形状でパター
ン化して形成された透明基板の、前記不透明導電性層が
形成されている一方の面上に、感光性材料層を形成する
工程と、前記透明基板の前記不透明導電性層の形成され
ていない他方の面側から、且つ前記透明基板の平面に対
して所定の角度で光を照射し、前記感光性材料層の所定
の部分を所望の形状で露光する第1の露光工程と、前記
透明基板の前記不透明導電性層の形成されていない他方
の面側から、且つ前記透明基板の平面に対して第1の露
光工程と異なった角度で光を照射し、前記感光性材料層
の前記第1の露光工程で未露光の部分を所望の形状で露
光する第2の露光工程と、前記感光性材料層を現像して
パターン化する工程と、前記不透明導電性層上に電鋳法
によって微小形状構造体を形成する工程と、前記微小形
状構造体を前記透明基板、前記感光性材料層から分離す
る工程とを有することを特徴としている。
Also, the present invention is a method for manufacturing a micro-shaped structure having micro holes, wherein the opaque conductive layer is formed of a transparent substrate formed by patterning an opaque conductive layer in a desired shape. A step of forming a photosensitive material layer on one surface; and a step of forming a light from a surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed and at a predetermined angle with respect to a plane of the transparent substrate. A first exposure step of exposing a predetermined portion of the photosensitive material layer in a desired shape, and the other side of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed, and the transparent substrate A second exposure step of irradiating the plane of the substrate with light at an angle different from that of the first exposure step, and exposing an unexposed portion of the photosensitive material layer in a desired shape in the first exposure step Developing and patterning the photosensitive material layer Forming a micro-shaped structure on the opaque conductive layer by electroforming, and separating the micro-shaped structure from the transparent substrate and the photosensitive material layer. .

【0024】また、微小孔を備えた微小形状構造体の製
造方法であって、不透明導電性層が所望の形状でパター
ン化して形成された透明基板の、前記不透明導電性層が
形成されている一方の面上に、第1の感光性材料層を形
成する工程と、前記透明基板の前記不透明導電性層の形
成されていない他方の面側から、且つ前記透明基板の平
面に対して所定の角度で光を照射し、前記第1の感光性
材料層の所定の部分を所望の形状で露光する第1の露光
工程と、不透明導電性層が所望の形状でパターン化して
形成された透明基板の、前記第1の感光性材料層上に、
第2の感光性材料層を形成する工程と、前記透明基板の
前記不透明導電性層の形成されていない他方の面側か
ら、且つ前記透明基板の平面に対して所定の角度で光を
照射し、前記第2の感光性材料層を所望の形状で露光す
る第2の露光工程と、前記第1の感光性材料層と第2の
感光性材料層を現像して、第1の感光性材料層からなる
第1パターンと、第1の感光不要性材料層と第2の不溶
性材料層とからなる第2パターンを形成する工程と、前
記不透明導電性層上に電鋳法を施し、前記第1の感光性
材料層からなる第1パターンは完全に覆われ、且つ前記
第1の感光不要性材料層と第2の不溶性材料層とからな
る第2のパターンは覆われない厚さで微小形状構造体を
形成する電鋳工程と、前記微小形状構造体を前記透明基
板、前記感光性材料層から分離する工程とを有すること
を特徴としている。
Further, the present invention is a method for manufacturing a micro-shaped structure having micro holes, wherein the opaque conductive layer is formed on a transparent substrate formed by patterning an opaque conductive layer in a desired shape. Forming a first photosensitive material layer on one surface; and forming a first photosensitive material layer on the other surface of the transparent substrate, on which the opaque conductive layer is not formed, and with respect to a plane of the transparent substrate. A first exposure step of irradiating light at an angle to expose a predetermined portion of the first photosensitive material layer in a desired shape; and a transparent substrate formed by patterning an opaque conductive layer in a desired shape. On the first photosensitive material layer,
Forming a second photosensitive material layer; and irradiating light from the other surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed, and at a predetermined angle to the plane of the transparent substrate. A second exposing step of exposing the second photosensitive material layer in a desired shape, and developing the first photosensitive material layer and the second photosensitive material layer to form a first photosensitive material. Forming a first pattern composed of a layer, a second pattern composed of a first photosensitive unnecessary material layer and a second insoluble material layer, and performing an electroforming method on the opaque conductive layer; The first pattern composed of the first photosensitive material layer is completely covered, and the second pattern composed of the first photosensitive unnecessary material layer and the second insoluble material layer is not covered and has a minute shape. An electroforming step of forming a structure, the transparent substrate, the photosensitive material, It is characterized by a step of separating from.

【0025】また、所定の角度で傾斜した微小形状を備
えた微小形状構造体の製造方法であって、パターン化さ
れた第一不透明性層と第二不透明性層がそれぞれ所定の
面上に形成され、且つ該第一不透明性層上に感光性材料
層を形成した透明性基板を、光源から照射可能な位置に
配置し、透明性基板と光源との相対位置を変化させるこ
とによって、感光性材料層を第一不透明性層及び第二不
透明性層のパターンに応じた形状で露光する工程を有す
ることを特徴としている。
Also, the present invention provides a method for manufacturing a micro-shaped structure having a micro-shape inclined at a predetermined angle, wherein a patterned first opaque layer and a second opaque layer are formed on predetermined surfaces, respectively. And a transparent substrate having a photosensitive material layer formed on the first opaque layer is disposed at a position that can be irradiated from a light source, and by changing the relative position between the transparent substrate and the light source, the photosensitive The method is characterized by including a step of exposing the material layer in a shape corresponding to the patterns of the first opaque layer and the second opaque layer.

【0026】または、所定の角度で傾斜した形状を備え
た微小形状構造体の製造方法であって、光を透過する透
明性基板の一方の面上に導電性を有する第一不透明性層
を所望のパターン形状で形成し、さらに透明性基板の他
方の面上には前記第一不透明性層とは異なる別のパター
ンで第二不透明性層を形成し、且つ前記第一不透明性層
上に感光性材料層を形成する工程と、前記第一不透明性
層、第二不透明性層および感光性材料層が形成された透
明性基板と、光源の少なくともどちらか一方を、所定の
相対速度で移動させながら、第二不透明性層が形成され
た側から露光を行い、前記感光性材料層を部分的に感光
させる工程と、前記部分的に感光された感光性材料層を
現像しパターン化する工程と、前記導電性を有する第一
不透明性層上に電鋳法によって微小形状構造体を形成す
る工程と、前記微小形状構造体を前記パターン化された
感光性材料層、透明性基板から分離する工程を有するこ
とを特徴としている。
Alternatively, there is provided a method for manufacturing a micro-shaped structure having a shape inclined at a predetermined angle, wherein a first opaque layer having conductivity is provided on one surface of a transparent substrate that transmits light. And a second opaque layer is formed on the other surface of the transparent substrate in a different pattern from the first opaque layer, and a photosensitive layer is formed on the first opaque layer. Forming a transparent material layer, the first opaque layer, the transparent substrate on which the second opaque layer and the photosensitive material layer are formed, and moving at least one of the light sources at a predetermined relative speed. While exposing from the side where the second opaque layer was formed, a step of partially exposing the photosensitive material layer, and a step of developing and patterning the partially exposed photosensitive material layer The electrode on the conductive first opaque layer. It is forming a micro-shaped structures, the micro shaped structure of the patterned photosensitive material layer, and a step of separating the transparent substrate by law.

【0027】さらに、前記第一不透明性層および第二不
透明性層のパターン形状が、それぞれ少なくとも一つの
非成膜部を有しているパターン形状であることが好まし
い。
Further, it is preferable that the pattern shape of the first opaque layer and the second opaque layer is a pattern shape having at least one non-film-forming portion.

【0028】さらに本発明は、電鋳法によって製造され
流体を噴出させるためのノズル孔が形成されたノズル部
品であって、前記ノズル孔が前記ノズル部品の該ノズル
孔のあけられた面に対して90度以外の角度で傾斜して
あけられていることを特徴としている。
Further, the present invention is directed to a nozzle component manufactured by an electroforming method and having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein the nozzle hole is formed on a surface of the nozzle component where the nozzle hole is formed. It is characterized by being inclined at an angle other than 90 degrees.

【0029】また、電鋳法によって製造され流体を噴出
させるためのノズル孔が形成されたノズル部品であっ
て、前記ノズルが複数構成され、該複数のノズル孔の内
少なくとも一孔以上が、他の微小孔と異なった角度で形
成されていることを特徴としている。
A nozzle component manufactured by an electroforming method and having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein a plurality of the nozzles are formed, and at least one of the plurality of nozzle holes has another nozzle hole. Is formed at an angle different from that of the micropores.

【0030】さらに、電鋳法によって製造され流体を噴
出させるためのノズル孔が形成されたノズル部品であっ
て、前記ノズル孔の開口部が切削加工であけることが不
可能な微小な大きさであることが好ましい。
Furthermore, the present invention is a nozzle component manufactured by an electroforming method and having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein the opening of the nozzle hole has a minute size that cannot be cut by cutting. Preferably, there is.

【0031】前記ノズル孔の開口部の大きさが、該開口
部の形状に内接する円の直径であらわされ、該開口部の
大きさが50μm以下であることが好ましい。
The size of the opening of the nozzle hole is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is preferably 50 μm or less.

【0032】前記ノズル孔の開口部の形状が、楕円形状
以外の形状であるのが好ましい。
It is preferable that the shape of the opening of the nozzle hole is a shape other than the elliptical shape.

【0033】Ni、Cu、Co、Sn、Zn、Au、P
t、Ag、Pbのうち少なくとも一つの元素を含む材料
からなるのが好ましい。
Ni, Cu, Co, Sn, Zn, Au, P
It is preferable to use a material containing at least one of t, Ag, and Pb.

【0034】さらには、流体を噴出させるためのノズル
孔が形成されたノズル部品の製造方法であって、不透明
導電性層が所望の形状でパターン化して形成された透明
基板の、前記不透明導電性層が形成されている一方の面
上に、感光性材料層を形成する工程と、前記透明基板の
前記不透明導電性層の形成されていない他方の面側か
ら、且つ前記透明基板の平面に対して90度以外の所定
の傾斜角度で光を照射し前記感光性材料層を露光する工
程と、前記感光性材料層を現像してパターン化する工程
と、前記不透明導電性層上に電鋳法によってノズル部品
を形成する工程と、前記ノズル部品を前記透明基板、前
記不透明導電性層、前記感光性材料層から分離する工程
とを有していることを特徴としている。
Further, the present invention relates to a method of manufacturing a nozzle component having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein the opaque conductive layer is patterned in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on one surface on which the layer is formed, and from the other surface of the transparent substrate where the opaque conductive layer is not formed, and with respect to the plane of the transparent substrate. Exposing the photosensitive material layer by irradiating light at a predetermined inclination angle other than 90 degrees, developing the photosensitive material layer to form a pattern, and electroforming on the opaque conductive layer. Forming a nozzle component, and separating the nozzle component from the transparent substrate, the opaque conductive layer, and the photosensitive material layer.

【0035】また、流体を噴出させるためのノズル孔が
形成されたノズル部品の製造方法であって、不透明導電
性層が所望の形状でパターン化して形成された透明基板
の、前記不透明導電性層が形成されている一方の面上
に、感光性材料層を形成する工程と、前記透明基板の前
記不透明導電性層の形成されていない他方の面側から、
且つ前記透明基板の平面に対して所定の角度で光を照射
し、前記感光性材料層の所定の部分を所望の形状で露光
する第1の露光工程と、前記透明基板の前記不透明導電
性層の形成されていない他方の面側から、且つ前記透明
基板の平面に対して第1の露光工程と異なった角度で光
を照射し、前記感光性材料層の前記第1の露光工程で未
露光の部分を所望の形状で露光する第2の露光工程と、
前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、前
記不透明導電性層上に電鋳法によってノズル部品を形成
する工程と、前記ノズル部品を前記透明基板、前記不透
明導電性層、前記感光性材料層から分離する工程とを有
していることを特徴としている。
The present invention also relates to a method of manufacturing a nozzle component having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein the opaque conductive layer is formed by patterning the opaque conductive layer in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on one surface on which is formed, and from the other surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed,
And a first exposure step of irradiating light at a predetermined angle with respect to the plane of the transparent substrate to expose a predetermined portion of the photosensitive material layer in a desired shape, and the opaque conductive layer of the transparent substrate. And irradiating the transparent substrate with light at an angle different from that of the first exposure step on the other surface side on which the photosensitive material layer is not formed. A second exposure step of exposing a portion of a desired shape,
Developing the photosensitive material layer to form a pattern, forming a nozzle component on the opaque conductive layer by electroforming, forming the nozzle component on the transparent substrate, the opaque conductive layer, Separating from the conductive material layer.

【0036】さらには、電鋳法によって製造され微小な
微小孔を備えた光学部品であって、前記微小孔が前記光
学部品の該微小孔のあけられた面に対して90度以外の
角度で傾斜してあけられていることを特徴としている。
Further, there is provided an optical component which is manufactured by an electroforming method and has minute micro holes, wherein the micro holes are formed at an angle other than 90 degrees with respect to the surface of the optical component where the micro holes are formed. It is characterized by being opened at an angle.

【0037】また、電鋳法によって製造され微小な微小
孔を備えた光学部品であって、前記微小孔が複数構成さ
れ、該複数の微小孔の内少なくとも一孔以上が、他の微
小孔と異なった角度で形成されていることを特徴として
いる。
An optical component manufactured by an electroforming method and having minute micro holes, wherein a plurality of the minute holes are formed, and at least one or more of the plurality of the minute holes is connected to another minute hole. It is characterized by being formed at different angles.

【0038】さらに、電鋳法によって製造され微小な微
小孔を備えた光学部品であって、前記微小孔の開口部が
切削加工であけることが不可能な微小な大きさであるこ
とが好ましい。
Further, it is preferable that the optical component is manufactured by an electroforming method and has minute fine holes, and the opening of the minute hole has a minute size that cannot be cut by cutting.

【0039】前記微小孔の開口部の大きさが、該開口部
の形状に内接する円の直径であらわされ、該開口部の大
きさが50μm以下であることが好ましい。
The size of the opening of the micropore is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is preferably 50 μm or less.

【0040】前記微小孔の開口部の形状が、楕円形状以
外の形状であるのが好ましい。
It is preferable that the shape of the opening of the micropore is a shape other than the elliptical shape.

【0041】Ni、Cu、Co、Sn、Zn、Au、P
t、Ag、Pbのうち少なくとも一つの元素を含む材料
からなるのが好ましい。
Ni, Cu, Co, Sn, Zn, Au, P
It is preferable to use a material containing at least one of t, Ag, and Pb.

【0042】さらには、電鋳法によって製造され微小な
微小孔を備えた光学部品の製造方法であって、不透明導
電性層が所望の形状でパターン化して形成された透明基
板の、前記不透明導電性層が形成されている一方の面上
に、感光性材料層を形成する工程と、前記透明基板の前
記不透明導電性層の形成されていない他方の面側から、
且つ前記透明基板の平面に対して90度以外の所定の傾
斜角度で光を照射し前記感光性材料層を露光する工程
と、前記感光性材料層を現像してパターン化する工程
と、前記不透明導電性層上に電鋳法によって光学部品を
形成する工程とを有していることを特徴としている。
Further, the present invention relates to a method for producing an optical component having minute and fine holes produced by an electroforming method, wherein the opaque conductive layer is patterned in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on one surface on which the conductive layer is formed, and from the other surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed,
Irradiating the photosensitive material layer with light at a predetermined inclination angle other than 90 degrees with respect to the plane of the transparent substrate; developing the photosensitive material layer to form a pattern; Forming an optical component on the conductive layer by an electroforming method.

【0043】また、電鋳法によって製造され微小な微小
孔を備えた光学部品の製造方法であって、不透明導電性
層が所望の形状でパターン化して形成された透明基板
の、前記不透明導電性層が形成されている一方の面上
に、感光性材料層を形成する工程と、前記透明基板の前
記不透明導電性層の形成されていない他方の面側から、
且つ前記透明基板の平面に対して所定の角度で光を照射
し、前記感光性材料層の所定の部分を所望の形状で露光
する第1の露光工程と、前記透明基板の前記不透明導電
性層の形成されていない他方の面側から、且つ前記透明
基板の平面に対して第1の露光工程と異なった角度で光
を照射し、前記感光性材料層の前記第1の露光工程で未
露光の部分を所望の形状で露光する第2の露光工程と、
前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、前
記不透明導電性層上に電鋳法によって微小形状構造体を
形成する工程とを有していることを特徴としている。
Further, the present invention provides a method for manufacturing an optical component having fine holes, which is manufactured by an electroforming method, wherein the opaque conductive layer is patterned in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on one surface on which a layer is formed, and from the other surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed,
And a first exposure step of irradiating light at a predetermined angle with respect to the plane of the transparent substrate to expose a predetermined portion of the photosensitive material layer in a desired shape, and the opaque conductive layer of the transparent substrate. And irradiating the transparent substrate with light at an angle different from that of the first exposure step on the other surface side on which the photosensitive material layer is not formed. A second exposure step of exposing a portion of a desired shape,
A step of developing the photosensitive material layer to form a pattern; and a step of forming a micro-shaped structure on the opaque conductive layer by electroforming.

【0044】さらには、微小孔を備えた光学部品と光を
発する光源とを有し、該微小孔に光源から発せられた光
を透過させることによって画像を表示させる表示装置で
あって、前記光学部品に備わる前記微小孔が、所望の位
置に異なった傾斜角度で複数あけられており、前記光源
から発せられた光が該微小孔の中心軸に沿った方向にし
か透過しないことを特徴としている。
Further, there is provided a display device having an optical component having micro holes and a light source for emitting light, and displaying an image by transmitting the light emitted from the light source to the micro holes. A plurality of the micro holes provided in the component are provided at desired positions at different inclination angles, and light emitted from the light source is transmitted only in a direction along the central axis of the micro holes. .

【0045】さらに、前記表示装置に備わる微小孔の開
口部が切削加工であけることが不可能な微小な大きさで
あることが好ましい。
Further, it is preferable that the opening of the minute hole provided in the display device has a minute size that cannot be cut by cutting.

【0046】前記表示装置に備わる微小孔の開口部の大
きさが、該開口部の形状に内接する円の直径であらわさ
れ、該開口部の大きさが50μm以下であることが好ま
しい。
The size of the opening of the fine hole provided in the display device is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is preferably 50 μm or less.

【0047】前記表示装置に備わる微小孔の開口部の形
状が、楕円形状以外の形状であるのが好ましい。
It is preferable that the shape of the opening of the minute hole provided in the display device is a shape other than the elliptical shape.

【0048】さらに、所定の角度で傾斜した微小形状を
備えた電鋳元型であって、光を透過する透明性基板と、
透明性基板の一方の面にパターン化して形成された第一
不透明性層と、透明性基板の他方の面にパターン化して
形成された第二不透明性層と、パターン化された感光性
材料層を有し、該感光性材料層は、透明性基板上のう
ち、第一不透明性層の非成膜部分に設置しており、且
つ、第二不透明性層の非成膜部分と第一不透明性層の非
成膜部分とを通って光が透過する方向に向かって形成さ
れていることを特徴としている。
Further, an electroforming mold having a minute shape inclined at a predetermined angle, wherein the transparent substrate transmits light,
A first opaque layer patterned on one side of the transparent substrate, a second opaque layer patterned on the other side of the transparent substrate, and a patterned photosensitive material layer The photosensitive material layer is disposed on the non-film-forming portion of the first opaque layer on the transparent substrate, and the non-film-forming portion of the second opaque layer and the first opaque layer It is formed in a direction in which light passes through the non-film-forming portion of the conductive layer.

【0049】また、パターン化された第一不透明性層と
第二不透明性層がそれぞれ所定の面上に形成され、且つ
第一不透明性層上に感光性材料層が形成されている透明
性基板を、光源から照射可能な位置に配置し、透明性基
板と光源との相対位置を変化させることによって、感光
性材料層を第一不透明性層及び第二不透明性層のパター
ンに応じた形状で露光してパターン化したことを特徴と
している。
A transparent substrate in which a patterned first opaque layer and a second opaque layer are respectively formed on predetermined surfaces, and a photosensitive material layer is formed on the first opaque layer. Is arranged at a position that can be irradiated from the light source, and by changing the relative position between the transparent substrate and the light source, the photosensitive material layer is formed in a shape corresponding to the pattern of the first opaque layer and the second opaque layer. It is characterized by being exposed and patterned.

【0050】さらには、前記第一不透明性層と、前記第
二不透明性層には、少なくとも一つの非成膜部がパター
ン化されているのが好ましい。
Furthermore, it is preferable that at least one non-film-forming portion is patterned in the first opaque layer and the second opaque layer.

【0051】さらに感光性材料層が透明性基板の第一不
透明性層が形成されている面側に形成されており、第一
不透明性層が導電性を有しているのが好ましい。
Further, it is preferable that the photosensitive material layer is formed on the surface of the transparent substrate on which the first opaque layer is formed, and that the first opaque layer has conductivity.

【0052】(作用)本発明の上記手段により、感光不
溶性材料を透明性基板側から所定の傾斜角度で露光する
ことで、感光不溶性材料を、不透明導電性層の形状に応
じた微細形状で、且つ光の照射方向に傾いた傾斜形状で
形成することができた。
(Function) By exposing the photosensitive insoluble material from the transparent substrate side at a predetermined inclination angle by the above means of the present invention, the photosensitive insoluble material is formed into a fine shape corresponding to the shape of the opaque conductive layer. Further, it could be formed in an inclined shape inclined in the light irradiation direction.

【0053】この傾斜形状で形成された感光不溶性材
料、透明性基板、不透明導電性層とからなる部品はその
まま電鋳を行うための型(電鋳元型と称する。)として
利用することができる。
The part composed of the photosensitive insoluble material, the transparent substrate, and the opaque conductive layer formed in the inclined shape can be used as it is as a mold for electroforming (referred to as an electroforming base mold). .

【0054】このようにして得られた本発明の電鋳元型
には、従来の切削加工法では達成できないほど微小な形
状が形成されており、その結果、本電鋳元型を使うこと
で、従来達成できなかった非常に微小な開口部を有する
傾斜孔を備えた微小形状構造体を得ることができた。さ
らに、寸法精度が良好な信頼性の高い傾斜孔を備えた微
小形状構造体を得ることができた。
The electroforming mold of the present invention obtained in this manner has a fine shape that cannot be achieved by the conventional cutting method. As a result, the electroforming mold can be used. Thus, it was possible to obtain a micro-shaped structure provided with an inclined hole having a very small opening which could not be achieved conventionally. Further, it was possible to obtain a micro-shaped structure having a highly reliable inclined hole having good dimensional accuracy.

【0055】さらに本発明の上記手段では、多くの孔を
一括して加工できるため、従来の切削加工法よりも生産
性も非常に良好であった。
Further, according to the above-mentioned means of the present invention, since many holes can be machined at a time, the productivity was very good as compared with the conventional cutting method.

【0056】さらに本発明の上記手段により、非常に微
小で寸法精度の高い、所定の角度で傾斜したノズル孔を
備えたノズル部品を得ることができた。
Further, by the above-described means of the present invention, it was possible to obtain a nozzle component having a nozzle hole which is extremely small, has high dimensional accuracy, and is inclined at a predetermined angle.

【0057】さらに本発明の上記手段により、非常に微
小で寸法精度の高い、傾斜した微小孔を備えた光学部品
を得ることができた。さらにその光学部品を用いること
で、見る角度によって表示される画像が異なる表示装置
を得ることができた。
Further, by the above-described means of the present invention, it was possible to obtain an optical component having a very small size, high dimensional accuracy, and an inclined fine hole. Further, by using the optical component, it was possible to obtain a display device in which an image displayed varies depending on a viewing angle.

【0058】[0058]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1は本発明
の第1の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳構造体の断
面図である。電鋳法によって析出して形成された電鋳構
造体10には開口部の大きさがdの傾斜孔11が貫通し
てあけられている。傾斜孔11はその開口部が現れてい
る孔開口面gに対して傾斜角度θの角度で傾斜してい
る。
(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of an electroformed structure having inclined holes according to a first embodiment of the present invention. An inclined hole 11 having a size of d is penetrated through an electroformed structure 10 formed by deposition by an electroforming method. The inclined hole 11 is inclined at an inclination angle θ with respect to the hole opening surface g on which the opening appears.

【0059】本第1の実施形態において、電鋳構造体1
0は板厚が50μmの板状の形状で形成されている。ま
た貫通してあけられた傾斜孔11の開口部は円形状を成
しており、その大きさdは直径φ30μmの大きさにな
っている。さらに、その傾斜孔11は傾斜角度θ=60
度で傾斜してつくられており、各傾斜孔11は150μ
mの間隔すなわちピッチで並んで形成されている。なお
本発明において、傾斜角度θは傾斜孔11の中心軸と孔
開口面gとの間の角度と定義する。且つ傾斜孔11の中
心軸とは、貫通した傾斜孔11の両端の開口部形状の中
心(第1の実施形態ではφ30μmの円の中心にな
る。)を結んだ軸のことを言っている。
In the first embodiment, the electroformed structure 1
0 is formed in a plate-like shape having a plate thickness of 50 μm. The opening of the inclined hole 11 penetrated has a circular shape, and its size d has a diameter of φ30 μm. Further, the inclined hole 11 has an inclination angle θ = 60.
And each inclined hole 11 is 150μ.
They are formed side by side at intervals of m, that is, at pitches. In the present invention, the inclination angle θ is defined as the angle between the central axis of the inclined hole 11 and the hole opening surface g. In addition, the central axis of the inclined hole 11 refers to an axis connecting the centers of the opening shapes at both ends of the penetrated inclined hole 11 (the center of the circle of φ30 μm in the first embodiment).

【0060】図3は本第1の実施形態の傾斜孔を備えた
電鋳構造体の製造方法を示した図である。以降図3をも
とに本第1の実施形態の電鋳構造体の製造方法について
説明する。
FIG. 3 is a view showing a method of manufacturing an electroformed structure having inclined holes according to the first embodiment. Hereinafter, a method for manufacturing the electroformed structure according to the first embodiment will be described with reference to FIG.

【0061】まず図3(a)に示すように透明性基板1
00上に不透明導電性層200を所望の形状にパターン
化して形成する。パターン化にはLSI分野でよく用い
られているフォトリソグラフィー法とエッチング法を用
いることによって、ミクロン単位レベルの高精度でのパ
ターン化が可能である。本第1の実施形態では、透明性
基板100に厚さ0.4mmの硼珪酸ガラスを用い、そ
の上に下層がクロム(Cr)膜で上層が金(Au)膜で
ある積層構造からなる不透明導電性層200をパターン
化して形成した。不透明導電性層200のCr膜とAu
膜のそれぞれの厚さは0.05μm(Cr)、0.2μ
m(Au)で、どちらも真空成膜法の一種であるスパッ
タリング法で成膜した。また、パターン化は、上述のよ
うにフォトリソグラフィー法とエッチング法を用い、直
径30μmの円形パターンが150μmの間隔(ピッ
チ)で除去されているパターンを完成させた。
First, as shown in FIG.
An opaque conductive layer 200 is formed on the layer 00 by patterning it into a desired shape. By using photolithography and etching, which are often used in the LSI field, for patterning, high-precision patterning on the order of microns can be achieved. In the first embodiment, a transparent substrate 100 is made of borosilicate glass having a thickness of 0.4 mm, and an opaque layer having a laminated structure in which a lower layer is a chromium (Cr) film and an upper layer is a gold (Au) film. The conductive layer 200 was formed by patterning. Cr film of opaque conductive layer 200 and Au
The thickness of each film is 0.05 μm (Cr), 0.2 μm
m (Au), both were formed by a sputtering method which is a kind of vacuum film forming method. As for the patterning, a pattern in which a circular pattern having a diameter of 30 μm was removed at an interval (pitch) of 150 μm using photolithography and etching as described above was completed.

【0062】次に、感光不溶性材料からなるレジスト3
00を、透明性基板100の不透明導電性層200が形
成されている一方の面上に所望の厚さで形成する。本第
1の実施形態では、レジスト300にJSR社製のネガ
レジストTHB−130N(商品名)を使用し、スピン
コート法を用いて、60μmの厚みで形成した。この時
のスピンコート条件は回転数が1000rpm、処理時
間が10秒間であった。
Next, a resist 3 made of a photosensitive insoluble material is used.
00 is formed in a desired thickness on one surface of the transparent substrate 100 on which the opaque conductive layer 200 is formed. In the first embodiment, a negative resist THB-130N (trade name) manufactured by JSR Corporation was used as the resist 300, and the resist 300 was formed with a thickness of 60 μm by spin coating. The spin coating conditions at this time were a rotation speed of 1000 rpm and a processing time of 10 seconds.

【0063】次に、透明性基板100の不透明導電性層
200が形成されていない他方の面側から紫外線を照射
し、透明性基板100を介してレジスト300を露光す
る。このような露光方法のことを一般にバック露光法と
称する。この時、透明性基板100を所定の角度傾ける
ことによって紫外線が透明性基板100に対して斜め方
向から照射されるようにした(図3(b))。本発明の
説明において、透明性基板100の傾けた角度を基板傾
き角度ψとし、基板傾き角度ψを紫外線照射方向に垂直
な面に対する基板の傾きの角度として定義する。本第1
の実施形態では、基板傾き角度ψを30度にした。
Next, ultraviolet rays are irradiated from the other side of the transparent substrate 100 where the opaque conductive layer 200 is not formed, and the resist 300 is exposed through the transparent substrate 100. Such an exposure method is generally called a back exposure method. At this time, by inclining the transparent substrate 100 at a predetermined angle, ultraviolet rays are applied to the transparent substrate 100 from an oblique direction (FIG. 3B). In the description of the present invention, the angle of inclination of the transparent substrate 100 is defined as a substrate inclination angle ψ, and the substrate inclination angle ψ is defined as an angle of inclination of the substrate with respect to a plane perpendicular to the ultraviolet irradiation direction. Book first
In the embodiment, the substrate inclination angle ψ is set to 30 degrees.

【0064】図3(b)に示す露光工程において、紫外
線が照射されるその途中には、不透明導電性層200が
所望の形状(上記でも述べたように本実施形態では直径
30μmの円形パターンが150μm間隔で除去されて
いるパターン)でパターン化して配置されているので、
不透明導電性層200が露光マスクの役目をし、レジス
ト300は所望の部分のみが部分的に露光される。その
時、上述のように基板傾き角度ψ=30度で透明性基板
100を傾けているので、レジスト300は斜め方向か
ら露光されることになる。なお、本第1の実施形態では
450mJ/cm2 の露光量でレジスト300を露光し
た。
In the exposure step shown in FIG. 3B, the opaque conductive layer 200 has a desired shape (a circular pattern having a diameter of 30 μm in the present embodiment as described above) in the middle of the irradiation with ultraviolet rays. (A pattern removed at intervals of 150 μm).
The opaque conductive layer 200 serves as an exposure mask, and only a desired portion of the resist 300 is partially exposed. At this time, since the transparent substrate 100 is inclined at the substrate inclination angle ψ = 30 degrees as described above, the resist 300 is exposed from an oblique direction. In the first embodiment, the resist 300 was exposed at an exposure amount of 450 mJ / cm 2 .

【0065】レジスト300は感光不溶性材料であるの
で、図3(b)の露光工程後に、レジスト300の現像
を行うと図3(c)のようなパターン化されたレジスト
310が形成できる。この図3(c)の状態は本工程以
降に行われる電鋳工程のための型となるものであり、こ
の状態を電鋳元型と称している。本第1の実施形態では
透明性基板100平面に対して60度の角度で傾斜した
直径30μm、高さ60μmのパターンをなすレジスト
310を形成することができた。レジスト310は傾斜
孔11を形成するための型になる形状であり、レジスト
310の傾斜角度(=60度)がそのまま傾斜孔11の
傾斜角度θとなる。なお、本第1の実施形態では、現像
液としてTHB−130N(レジスト300)の専用現
像液(商品名THB−D1)を用い、40℃の液温で2
分間現像処理を行った。
Since the resist 300 is a photosensitive insoluble material, if the resist 300 is developed after the exposure step shown in FIG. 3B, a patterned resist 310 as shown in FIG. 3C can be formed. The state shown in FIG. 3C is a mold for an electroforming step performed after this step, and this state is called an electroforming base mold. In the first embodiment, a resist 310 having a pattern of 30 μm in diameter and 60 μm in height inclined at an angle of 60 degrees with respect to the plane of the transparent substrate 100 could be formed. The resist 310 has a shape that becomes a mold for forming the inclined hole 11, and the inclination angle (= 60 degrees) of the resist 310 becomes the inclination angle θ of the inclined hole 11 as it is. In the first embodiment, a THB-130N (resist 300) dedicated developer (trade name: THB-D1) is used as a developer, and the developer is used at a solution temperature of 40 ° C.
For a minute.

【0066】その後、図3(d)に示すように電鋳法に
よって不透明導電性層200上に電鋳構造体10を形成
する。電鋳法とは、電解メッキ法によって電極面上にメ
ッキ材料を析出させてゆき構造体を形成する方法のこと
を言い、従来より広く用いられている加工法である。本
発明の電鋳構造体10の製造方法では、不透明導電性層
200を電鋳法の電極として利用することにより、不透
明導電性層200上にメッキ材料からなる多孔構造体1
0を形成させている。このように、本発明の製造方法に
おいて不透明導電性層200は露光用のマスクの役目と
電鋳用の電極の役目の両方を兼ねている。本第1の実施
形態ではニッケル(Ni)電鋳法によって、Niからな
る50μmの厚さの電鋳構造体10を形成させた。この
時のNi電鋳法の処理は、スルファミン酸Niメッキ液
を用いて、50℃の液温で、1A/dm2 の電流密度
で、5時間処理する条件で行った。
Thereafter, as shown in FIG. 3D, an electroformed structure 10 is formed on the opaque conductive layer 200 by an electroforming method. The electroforming method refers to a method of forming a structure by depositing a plating material on an electrode surface by an electrolytic plating method, and is a processing method that has been widely used conventionally. In the method of manufacturing the electroformed structure 10 of the present invention, the porous structure 1 made of a plating material is formed on the opaque conductive layer 200 by using the opaque conductive layer 200 as an electrode of the electroforming method.
0 is formed. As described above, in the manufacturing method of the present invention, the opaque conductive layer 200 has both the role of a mask for exposure and the role of an electrode for electroforming. In the first embodiment, the electroformed structure 10 made of Ni and having a thickness of 50 μm is formed by nickel (Ni) electroforming. The Ni electroforming process at this time was performed using Ni sulfamate plating solution at a liquid temperature of 50 ° C. and a current density of 1 A / dm 2 for 5 hours.

【0067】最後に、レジスト310、不透明導電性層
200、透明性基板100を電鋳構造体10から除去
し、図1に示すような傾斜孔11を備えた電鋳構造体1
0が完成した。本第1の実施形態ではレジスト310を
50℃の10%水酸化カリウム(KOH)水溶液によっ
て溶解除去させ、不透明導電性層200と透明性基板1
00は物理的に剥離除去した。なお、本発明において不
透明導電性層200は電鋳構造体10から必ずしも除去
する必要はなく、電鋳構造体10上に形成されたままで
も何ら問題はない。
Finally, the resist 310, the opaque conductive layer 200, and the transparent substrate 100 are removed from the electroformed structure 10, and the electroformed structure 1 having the inclined holes 11 as shown in FIG.
0 is completed. In the first embodiment, the resist 310 is dissolved and removed with a 50% aqueous solution of potassium hydroxide (KOH) at 50 ° C., and the opaque conductive layer 200 and the transparent substrate 1 are removed.
No. 00 was physically peeled off. In the present invention, the opaque conductive layer 200 does not necessarily need to be removed from the electroformed structure 10, and there is no problem even if it is formed on the electroformed structure 10.

【0068】このようにして本第1の実施形態では、開
口部寸法dが直径30μm、傾斜角度θが60度の傾斜
孔11が150μm間隔(ピッチ)で並んだ50μmの
厚さの電鋳構造体10を製造することができた。本第1
の実施形態のような、傾斜孔の開口部形状が直径30μ
mの円形形状で形成できる点は、本発明の特徴の一つに
挙げられる。従来のドリルによる切削加工法で傾斜孔を
形成した場合、傾斜孔の開口部は小さくとも60μmよ
り小さくすることはできず、且つその開口部形状は、図
16に示すように必ず楕円形状で形成されてしまうから
である。
As described above, in the first embodiment, the 50 μm-thick electroformed structure in which the inclined holes 11 having the opening dimension d of 30 μm in diameter and the inclination angle θ of 60 ° are arranged at intervals of 150 μm (pitch). The body 10 could be manufactured. Book first
The shape of the opening of the inclined hole is 30 μm as in the embodiment of FIG.
One of the features of the present invention is that it can be formed in a circular shape of m. When the inclined hole is formed by a conventional drilling method, the opening of the inclined hole cannot be made smaller than 60 μm at least, and the shape of the opening is always an elliptical shape as shown in FIG. It is because it is done.

【0069】本発明の電鋳構造体の製造方法において傾
斜孔の傾き、すなわち傾斜角度は露光工程時に決定され
る。本発明では、図3(b)に示す基板傾き角度ψと、
図1に示す傾斜孔11の傾斜角度θの間には θ=90°−ψ ・ ・ ・ (1) の関係が成り立つことが本第1の実施形態の結果から確
認できる。よって所望の傾斜角度θで傾斜した傾斜孔1
1を加工する場合、上記(1)式の関係式が成り立つよ
うに、基板傾き角度ψを設定して露光すればよい。な
お、我々の実験によれば、45°≦θ<90°、90°
<θ≦135°の範囲内であれば、本発明によって容易
に傾斜孔を形成することが確かめられている。
In the method of manufacturing an electroformed structure according to the present invention, the inclination of the inclined hole, that is, the inclination angle is determined during the exposure step. In the present invention, the substrate tilt angle ψ shown in FIG.
It can be confirmed from the results of the first embodiment that the relationship of θ = 90 ° −ψ (1) holds between the inclination angles θ of the inclined holes 11 shown in FIG. Therefore, the inclined hole 1 inclined at a desired inclination angle θ
In the case of processing No. 1, exposure may be performed by setting the substrate tilt angle ψ so that the relational expression of the above expression (1) is satisfied. According to our experiments, 45 ° ≦ θ <90 °, 90 °
It has been confirmed that an inclined hole can be easily formed by the present invention within the range of <θ ≦ 135 °.

【0070】本第1の実施形態における電鋳構造体10
の傾斜孔11の開口部寸法d=30μmは、ドリルによ
る切削加工法であけることができる最小孔径60μmよ
りも、はるかに小さい孔径であることがわかる。本発明
の電鋳構造体において、開口部寸法dを30μmより大
きくすることが容易であることは、その加工方法から明
らかであり、当然d=60μm程度の孔径の傾斜孔を備
えた電鋳構造体を形成することもできる。本発明の電鋳
構造体の特徴は、上記でも述べたように、ドリルによる
切削加工法であけることができない開口部寸法dが50
μm以下の微小な傾斜孔をあけることができる点であ
る。
The electroformed structure 10 according to the first embodiment
It can be seen that the opening dimension d = 30 μm of the inclined hole 11 is much smaller than the minimum hole diameter 60 μm that can be drilled by a cutting method. It is clear from the working method that the opening dimension d can be easily made larger than 30 μm in the electroformed structure of the present invention, and it is obvious that the electroformed structure provided with the inclined hole having a hole diameter of about d = 60 μm. It can also form a body. As described above, the feature of the electroformed structure of the present invention is that the opening dimension d which cannot be cut by the drilling method is 50 mm.
The point is that a minute inclined hole of not more than μm can be formed.

【0071】本発明において、傾斜孔11の形状は上述
の加工方法からわかるように、不透明導電性層200の
パターンで決定される。本発明の製造方法において、不
透明導電性層200のパターン化にフォトリソグラフィ
ー法を利用しているので非常に精度良くパターン化が可
能である。その結果、そのパターンをもとにして形成さ
れる傾斜孔11は従来のドリルによる機械加工よりも精
度良く形成する事ができた。その精度はミクロン単位レ
ベルで達成できている。本発明の電鋳構造体のさらに別
の特徴は、ドリルによる切削加工法では達成できなかっ
た非常に寸法精度の高い傾斜孔をあけることができる点
である。
In the present invention, the shape of the inclined hole 11 is determined by the pattern of the opaque conductive layer 200, as can be seen from the above-described processing method. In the manufacturing method of the present invention, since the photolithography method is used for patterning the opaque conductive layer 200, patterning can be performed with very high accuracy. As a result, the inclined hole 11 formed based on the pattern could be formed with higher precision than the conventional drill machining. Its accuracy has been achieved at the micron level. Still another feature of the electroformed structure of the present invention is that an inclined hole having extremely high dimensional accuracy, which cannot be achieved by a cutting method using a drill, can be formed.

【0072】なお、本第1の実施形態ではNi電鋳法に
よってNiからなる電鋳構造体10を製造したが、本発
明はNi材料に限られるものではない。上記でも述べた
ように、電鋳法は電解メッキ法の一種であり、電解メッ
キ法で析出可能な材料であれば、どのような材料でも本
発明の電鋳構造体を製造できる。Niの他に電解メッキ
可能な材料としては、Cu、Co、Sn、Zn、Au、
Pt、Ag、Pbおよびそれらの材料を含む合金が挙げ
られる。
Although the electroformed structure 10 made of Ni is manufactured by the Ni electroforming method in the first embodiment, the present invention is not limited to the Ni material. As described above, the electroforming method is a type of the electrolytic plating method, and any material that can be deposited by the electrolytic plating method can manufacture the electroformed structure of the present invention. In addition to Ni, electroplatable materials include Cu, Co, Sn, Zn, Au,
Pt, Ag, Pb and alloys containing these materials are mentioned.

【0073】(第2の実施形態)図2は本発明の第2の
実施形態による傾斜孔を備えた電鋳構造体の断面図であ
る。電鋳法によって析出して形成された電鋳構造体20
には、開口部の大きさがdで傾斜角度が異なった傾斜孔
21aと傾斜孔21bが貫通してあけられている。図2
に示すように、傾斜孔21aはその開口部が現れている
孔開口面hに対して傾斜角度θ1の角度で、一方傾斜孔
21bは孔開口面hに対して傾斜角度θ2の角度で傾斜
している。
(Second Embodiment) FIG. 2 is a sectional view of an electroformed structure having inclined holes according to a second embodiment of the present invention. Electroformed structure 20 formed by deposition by electroforming
In this example, an inclined hole 21a and an inclined hole 21b having an opening size d and different inclination angles penetrate therethrough. FIG.
As shown in the figure, the inclined hole 21a is inclined at an inclination angle θ1 with respect to the hole opening surface h in which the opening appears, while the inclined hole 21b is inclined with respect to the hole opening surface h at an angle of inclination θ2. ing.

【0074】本第2の実施形態において、電鋳構造体2
0は板厚が50μmの板状の形状で形成されている。ま
た貫通してあけられた傾斜孔21a、21bの開口部
は、どちらも円形状を成しており、その大きさdは直径
φ30μmの大きさになっている。さらに、傾斜孔21
aは傾斜角度θ1(傾斜孔21a、21bの中心軸と孔
開口面hとの間の角度)=60度で傾斜してつくられて
おり、一方傾斜孔21bは傾斜角度θ2=120度で傾
斜してつくられている。各傾斜孔21aは150μmの
間隔(ピッチ)、各傾斜孔21bも同様に150μmの
間隔(ピッチ)で並んで形成されている。
In the second embodiment, the electroformed structure 2
0 is formed in a plate-like shape having a plate thickness of 50 μm. Each of the openings of the inclined holes 21a and 21b penetrated has a circular shape, and the size d has a diameter of φ30 μm. Furthermore, the inclined hole 21
a is inclined at an inclination angle θ1 (the angle between the central axes of the inclined holes 21a and 21b and the hole opening surface h) = 60 degrees, while the inclined hole 21b is inclined at an inclination angle θ2 = 120 degrees. It is made. Each inclined hole 21a is also formed at an interval (pitch) of 150 μm, and each inclined hole 21b is similarly formed at an interval (pitch) of 150 μm.

【0075】このように、本第2の実施形態では、いく
つか空けられた微小孔が、孔によって異なった角度で構
成されている。本発明ではこのように異なった角度であ
けられた微小孔を備える電鋳構造体を容易に精度良く達
成できる点が特徴である。
As described above, in the second embodiment, some of the minute holes are formed at different angles depending on the holes. The present invention is characterized in that an electroformed structure having such fine holes formed at different angles can be easily and accurately achieved.

【0076】本第2の実施形態では、電鋳構造体20に
空けられた傾斜孔21a、21bはどれも電鋳構造体2
0の平面に対して傾斜して構成されている。しかしなが
ら、本発明の電鋳構造体は、微小孔すべてが傾斜してい
なければならないというわけではない。少なくとも一つ
以上の傾斜した孔を有していれば、本発明の電鋳構造体
の特徴となりうる。例えば、複数の微小孔を有した電鋳
構造体で、その複数の微小孔のうち、一つの微小孔だけ
が傾斜し、他のすべてが垂直に空けられた微小孔であっ
てもかまわない。このような構造であっても、本発明の
特徴である、微小で寸法精度の高い傾斜孔を備えた電鋳
構造体を十分に達成しているからである。
In the second embodiment, each of the inclined holes 21a and 21b formed in the electroformed
It is configured to be inclined with respect to the 0 plane. However, the electroformed structure of the present invention does not require that all the micropores be inclined. As long as it has at least one inclined hole, it can be a feature of the electroformed structure of the present invention. For example, in an electroformed structure having a plurality of micropores, only one of the plurality of micropores may be inclined and all the others may be vertical holes. This is because even with such a structure, an electroformed structure provided with minute and highly dimensional accuracy inclined holes, which is a feature of the present invention, is sufficiently achieved.

【0077】図4は本第2の実施形態の傾斜孔を備えた
電鋳構造体の製造方法を示した図である。以降図4をも
とに本第2の実施形態の電鋳構造体の製造方法について
説明する。
FIG. 4 is a view showing a method of manufacturing an electroformed structure having inclined holes according to the second embodiment. Hereinafter, a method for manufacturing the electroformed structure according to the second embodiment will be described with reference to FIG.

【0078】まず図4(a)に示すように透明性基板1
00上に不透明導電性層200を所望の形状にパターン
化して形成する。パターン化には第1の実施形態と同様
に、LSI分野でよく用いられているフォトリソグラフ
ィー法とエッチング法を用いることによって、ミクロン
単位レベルの高精度でのパターン化を行った。本第2の
実施形態では、透明性基板100に厚さ0.4mmの硼
珪酸ガラスを用い、その上に下層がクロム(Cr)膜で
上層が金(Au)膜である積層構造からなる不透明導電
性層200をパターン化して形成した。不透明導電性層
200のCr膜とAu膜のそれぞれの厚さは0.05μ
m(Cr)、0.2μm(Au)で、どちらも真空成膜
法の一種であるスパッタリング法で成膜した。また、パ
ターン化は、上述のようにフォトリソグラフィー法とエ
ッチング法を用い、第1の実施形態と同じく直径30μ
mの円形パターンが150μmの間隔(ピッチ)で除去
されているパターンを完成させた。
First, as shown in FIG.
An opaque conductive layer 200 is formed on the layer 00 by patterning it into a desired shape. As in the first embodiment, patterning was performed with high accuracy on a micron level by using a photolithography method and an etching method often used in the field of LSI. In the second embodiment, a transparent substrate 100 is made of borosilicate glass having a thickness of 0.4 mm, and an opaque layer having a laminated structure in which a lower layer is a chromium (Cr) film and an upper layer is a gold (Au) film. The conductive layer 200 was formed by patterning. The thickness of each of the Cr film and the Au film of the opaque conductive layer 200 is 0.05 μm.
Both m (Cr) and 0.2 μm (Au) were formed by a sputtering method, which is a kind of vacuum film formation method. The patterning is performed using the photolithography method and the etching method as described above, and has a diameter of 30 μm as in the first embodiment.
A pattern in which m circular patterns were removed at intervals (pitch) of 150 μm was completed.

【0079】次に、感光不溶性材料からなるレジスト3
00を、透明性基板100の不透明導電性層200が形
成されている一方の面上に所望の厚さで形成する。本第
2の実施形態では、レジスト300にJSR社製のネガ
レジストTHB−130Nを使用し、スピンコート法を
用いて、60μmの厚みで形成した。この時のスピンコ
ート条件は回転数が1000rpm、処理時間が10秒
間であった。
Next, a resist 3 made of a photosensitive insoluble material is used.
00 is formed in a desired thickness on one surface of the transparent substrate 100 on which the opaque conductive layer 200 is formed. In the second embodiment, a negative resist THB-130N manufactured by JSR Corporation is used as the resist 300, and the resist 300 is formed with a thickness of 60 μm by spin coating. The spin coating conditions at this time were a rotation speed of 1000 rpm and a processing time of 10 seconds.

【0080】次に、図4(b)に示すように、透明性基
板100の不透明導電性層200が形成されていない他
方の面側から紫外線を照射し、透明性基板100を介し
てレジスト300の所望の部分を露光する。この時、透
明性基板100を所定の角度傾けることによって紫外線
が透明性基板100に対して斜め方向から照射されるよ
うにした(本発明の製造方法では本工程を第1の露光工
程と称することにする。)。本第2の実施形態の第1の
露光工程では、紫外線照射方向に垂直な面に対する角度
として定義される基板傾き角度ψ1=+30度とした。
Next, as shown in FIG. 4B, ultraviolet light is irradiated from the other side of the transparent substrate 100 where the opaque conductive layer 200 is not formed, and the resist 300 is passed through the transparent substrate 100. Expose the desired portion of At this time, the transparent substrate 100 is tilted at a predetermined angle so that ultraviolet light is applied to the transparent substrate 100 from an oblique direction (this step is referred to as a first exposure step in the manufacturing method of the present invention). To.) In the first exposure step of the second embodiment, the substrate inclination angle ψ1 = + 30 degrees, which is defined as an angle with respect to a plane perpendicular to the ultraviolet irradiation direction.

【0081】図4(b)に示す第1の露光工程におい
て、紫外線が照射されるその途中には、直径30μmの
円形パターンが150μm間隔で除去されているパター
ンでパターン化された不透明導電性層200と、本第1
の露光工程で露光を希望しない所定の部分を遮光するた
めの第1の遮光マスク400が配置されている。よって
図4(b)に示すようにレジスト300は所望の部分の
みが部分的に露光される。その時、上述のように基板傾
き角度ψ1=+30度で透明性基板100を傾けている
ので、レジスト300は斜め方向から露光されることに
なる。なお本第2の実施形態の第1の露光工程では45
0mJ/cm2 の露光量でレジスト300を露光した。
In the first exposure step shown in FIG. 4B, an opaque conductive layer patterned with a pattern in which a circular pattern having a diameter of 30 μm is removed at intervals of 150 μm during the irradiation with ultraviolet rays. 200 and book 1
A first light-shielding mask 400 is provided for shielding a predetermined portion that is not desired to be exposed in the exposure step. Therefore, as shown in FIG. 4B, only a desired portion of the resist 300 is partially exposed. At this time, since the transparent substrate 100 is inclined at the substrate inclination angle ψ1 = + 30 degrees as described above, the resist 300 is exposed from an oblique direction. In the first exposure step of the second embodiment, 45
The resist 300 was exposed at an exposure amount of 0 mJ / cm 2 .

【0082】次に、図4(c)に示すように、透明性基
板100の不透明導電性層200が形成されていない他
方の面側から紫外線を再び照射し、透明性基板100を
介してレジスト300の、第1の露光工程で露光した部
分とは別の所望の部分を、露光する。この時、透明性基
板100を第1の露光工程の基板角度ψ1とは別の基板
角度ψ2で傾けて紫外線を照射した(本発明の製造方法
では本工程を第2の露光工程と称することにする。)。
本第2の実施形態の第2の露光工程では、紫外線照射方
向に垂直な面に対する角度として定義される基板傾き角
度ψ2=−30度とした。本第2の実施形態では図4
(b)に示す透明性基板100の傾き方向を(+)方
向、図4(c)に示す透明性基板100の傾き方向を
(−)方向と定義した。
Next, as shown in FIG. 4C, ultraviolet light is again irradiated from the other surface side of the transparent substrate 100 where the opaque conductive layer 200 is not formed, and the resist is passed through the transparent substrate 100. A desired portion of the substrate 300 other than the portion exposed in the first exposure step is exposed. At this time, the transparent substrate 100 was irradiated with ultraviolet rays while being tilted at a substrate angle ψ2 different from the substrate angle ψ1 in the first exposure step (this step is referred to as a second exposure step in the manufacturing method of the present invention). I do.)
In the second exposure step of the second embodiment, the substrate inclination angle ψ2 = -30 degrees, which is defined as an angle with respect to a plane perpendicular to the ultraviolet irradiation direction. In the second embodiment, FIG.
The tilt direction of the transparent substrate 100 shown in FIG. 4B is defined as a (+) direction, and the tilt direction of the transparent substrate 100 shown in FIG.

【0083】図4(c)に示す第2の露光工程におい
て、紫外線が照射されるその途中には、直径30μmの
円形パターンが150μm間隔で除去されているパター
ンでパターン化された不透明導電性層200と、本第1
の露光工程で露光した部分を遮光するための第2の遮光
マスク410が配置されている。よって図4(c)に示
すようにレジスト300は所望の部分のみが部分的に露
光される。その時、上述のように基板傾き角度ψ2=−
30度で透明性基板100を傾けているので、レジスト
300は第1の露光工程とは別の斜め方向から露光され
ることになる。なお本第2の実施形態の第2の露光工程
では450mJ/cm2 の露光量でレジスト300を露
光した。
In the second exposure step shown in FIG. 4C, an opaque conductive layer patterned with a pattern in which a circular pattern having a diameter of 30 μm is removed at intervals of 150 μm during the irradiation with ultraviolet rays. 200 and book 1
A second light-shielding mask 410 is provided for shielding the portion exposed in the exposure step. Therefore, as shown in FIG. 4C, only a desired portion of the resist 300 is partially exposed. At this time, as described above, the substrate tilt angle ψ2 = −
Since the transparent substrate 100 is inclined at 30 degrees, the resist 300 is exposed from an oblique direction different from the first exposure step. In the second exposure step of the second embodiment, the resist 300 was exposed at an exposure amount of 450 mJ / cm 2 .

【0084】レジスト300は感光不溶性材料であるの
で、第1の露光工程および第2の露光工程後に、レジス
ト300の現像を行うと図4(d)のようなパターン化
されたレジスト320が形成できる。本第2の実施形態
では透明性基板100平面に対して60度の角度で傾斜
した直径30μm、高さ60μmのパターンと120度
の角度で傾斜した直径30μm、高さ60μmのパター
ンからなるレジスト320を形成することができた。レ
ジスト320は傾斜孔21aおよび傾斜孔21bを形成
するための型になる形状であり、レジスト320の傾斜
角度60度の部分がそのまま傾斜孔21aの傾斜角度θ
1に、レジスト320の傾斜角度120度の部分がその
まま傾斜孔21bの傾斜角度θ2になる。なお、本第2
の実施形態では、第1の実施形態と同様に、現像液とし
てTHB−130N(レジスト300)の専用現像液
(THB−D1)を用い、40℃の液温で2分間現像処
理を行った。
Since the resist 300 is a photosensitive insoluble material, if the resist 300 is developed after the first exposure step and the second exposure step, a patterned resist 320 as shown in FIG. 4D can be formed. . In the second embodiment, a resist 320 composed of a pattern having a diameter of 30 μm and a height of 60 μm inclined at an angle of 60 degrees with respect to the plane of the transparent substrate 100 and a pattern of a diameter of 30 μm and a height of 60 μm inclined at an angle of 120 degrees. Could be formed. The resist 320 has a shape that becomes a mold for forming the inclined holes 21a and the inclined holes 21b.
1, the portion of the resist 320 at an inclination angle of 120 degrees becomes the inclination angle θ2 of the inclined hole 21b as it is. The second
In the second embodiment, as in the first embodiment, a developing solution (THB-D1) of THB-130N (resist 300) was used as a developing solution, and development was performed at a solution temperature of 40 ° C. for 2 minutes.

【0085】その後、図4(e)に示すように電鋳法に
よって不透明導電性層200上に電鋳構造体20を形成
する。本第2の実施形態ではニッケル(Ni)電鋳法に
よって、Niからなる50μmの厚さの電鋳構造体20
を形成させた。この時のNi電鋳法の処理は、スルファ
ミン酸Niメッキ液を用いて、50℃の液温で、1A/
dm2 の電流密度で、5時間処理する条件で行った。
Thereafter, as shown in FIG. 4E, an electroformed structure 20 is formed on the opaque conductive layer 200 by an electroforming method. In the second embodiment, a 50 μm-thick electroformed structure 20 made of Ni is formed by nickel (Ni) electroforming.
Was formed. At this time, the Ni electroforming process is performed at a liquid temperature of 50 ° C. using a Ni sulfamate plating solution at 1 A / A.
The treatment was performed at a current density of dm 2 for 5 hours.

【0086】最後に、レジスト320、不透明導電性層
200、透明性基板100を電鋳構造体20から除去
し、図2に示すような、互いに傾斜角度の異なった傾斜
孔21a、21bを備えた電鋳構造体20が完成した。
本第2の実施形態ではレジスト320を50℃の10%
水酸化カリウム(KOH)水溶液によって溶解除去さ
せ、不透明導電性層200と透明性基板100は機械的
に除去した。
Finally, the resist 320, the opaque conductive layer 200, and the transparent substrate 100 were removed from the electroformed structure 20, and provided with inclined holes 21a and 21b having different inclination angles as shown in FIG. The electroformed structure 20 was completed.
In the second embodiment, the resist 320 is set at 10% of 50 ° C.
The opaque conductive layer 200 and the transparent substrate 100 were mechanically removed by dissolving and removing with an aqueous solution of potassium hydroxide (KOH).

【0087】このようにして本第2の実施形態では、開
口部寸法dが直径30μm、傾斜角度θが60度の傾斜
孔21aと開口部寸法dが直径30μm、傾斜角度θが
120度の傾斜孔21bが150μm間隔(ピッチ)で
並んだ50μmの厚さの電鋳構造体20を製造すること
ができた。
As described above, in the present second embodiment, the inclined hole 21a having the opening dimension d of 30 μm in diameter and the inclination angle θ of 60 degrees and the inclined hole 21a of opening dimension d of 30 μm in diameter and the inclination angle θ of 120 degrees are provided. An electroformed structure 20 having a thickness of 50 μm in which the holes 21b were arranged at intervals (pitch) of 150 μm could be manufactured.

【0088】本発明の第2の実施形態においても、第1
の露光工程における基板傾き角度ψ1と傾斜孔21aの
傾斜角度θ1、第2の露光工程における基板傾き角度ψ
2と傾斜孔21bの傾斜角度θ2の間には、第1の実施
形態と同様に、(1)式が成り立っている。よって本第
2の実施形態においても(1)式の関係式が成り立つよ
うに、基板傾き角度ψを設定して露光すれば、所望の角
度の傾斜角度θであけられた傾斜孔を達成できる。本発
明は基板角度ψの設定によって、正確な傾斜角度θを達
成することができ、その結果、孔寸法だけでなく孔角度
の精度も良好な傾斜孔を達成できる点も特徴の一つであ
る。
In the second embodiment of the present invention, the first
The substrate inclination angle ψ1 and the inclination angle θ1 of the inclined hole 21a in the second exposure step, the substrate inclination angle ψ in the second exposure step
Equation (1) is established between 2 and the inclination angle θ2 of the inclined hole 21b, as in the first embodiment. Therefore, in the second embodiment as well, if the substrate tilt angle ψ is set and exposed so that the relational expression of Expression (1) is established, a tilt hole formed at a desired tilt angle θ can be achieved. One of the features of the present invention is that by setting the substrate angle ψ, an accurate inclination angle θ can be achieved, and as a result, not only the hole size but also the accuracy of the hole angle can be improved. .

【0089】本第2の実施形態における電鋳構造体20
の傾斜孔21a、21bの開口部寸法d=30μmは、
ドリルによる切削加工法であけることができる最小孔径
60μmよりも、はるかに小さい孔径である。本第2の
実施形態もドリルによる切削加工では達成できない形状
を有した構造体である。
The electroformed structure 20 according to the second embodiment
The opening dimension d = 30 μm of the inclined holes 21a and 21b is
The hole diameter is much smaller than the minimum hole diameter of 60 μm that can be drilled by a cutting method. The second embodiment is also a structure having a shape that cannot be achieved by cutting with a drill.

【0090】なお、本第2の実施形態では、紫外線の照
射方向の異なる2回の露光工程(図4(b)、図4
(c))によって、2種類の傾斜角度の異なる傾斜孔を
形成したが、同様に紫外線の照射方向の異なる露光工程
を3回以上繰り返せば、傾斜角度の異なる傾斜孔を3種
類以上形成することも可能である。
In the second embodiment, two exposure steps (FIG. 4B, FIG.
According to (c)), two types of inclined holes having different inclination angles are formed. Similarly, if the exposure process in which the irradiation direction of the ultraviolet ray is different is repeated three times or more, three or more types of inclined holes having different inclination angles are formed. Is also possible.

【0091】(第3の実施形態)図5は本発明の第3の
実施形態による傾斜孔を備えた電鋳構造体と第4の実施
形態による傾斜孔を備えた電鋳構造体の斜視図である。
(Third Embodiment) FIG. 5 is a perspective view of an electroformed structure having inclined holes according to a third embodiment of the present invention and an electroformed structure having inclined holes according to the fourth embodiment. It is.

【0092】図5(a)は第3の実施形態による電鋳構
造体である。第3の実施形態では一辺の長さが50μm
の矩形形状をした開口部を有する傾斜孔31を備えた厚
さ50μmの電鋳構造体30を製造した。本第3の実施
形態における電鋳構造体30にあけられた傾斜孔31は
電鋳構造体30の平面に対して45度の角度で傾斜して
孔あけされている。本第3の実施形態の電鋳構造体30
は第1の実施形態と同様の製造方法によって製造した。
FIG. 5A shows an electroformed structure according to the third embodiment. In the third embodiment, the length of one side is 50 μm
The electroformed structure 30 having a thickness of 50 μm provided with the inclined hole 31 having a rectangular opening was manufactured. The inclined hole 31 formed in the electroformed structure 30 according to the third embodiment is formed by being inclined at an angle of 45 degrees with respect to the plane of the electroformed structure 30. Electroformed structure 30 of the third embodiment
Was manufactured by the same manufacturing method as in the first embodiment.

【0093】まず、厚さ0.4mmの硼珪酸ガラス上に
下層がクロム(Cr)膜で上層が金(Au)膜である積
層構造からなる不透明導電性層をスパッタリング法で成
膜した。つづいて、そのAu/Crからなる不透明導電
性層をエッチングによって一辺が50μm矩形形状で取
り除いた。以上により、硼珪酸ガラス上に50μm矩形
形状で紫外線が透過するパターンの不透明導電性層が形
成する事ができた。さらにその不透明導電性層を覆うよ
うにして、感光不溶性材料からなるレジストを硼珪酸ガ
ラス上に塗布した。レジストには第1の実施形態と同じ
JSR社製のTHB−130Nを用い、スピンコート法
で第1の実施形態と同じ条件で60μmの厚みで塗布し
た。以上のように、本第3の実施形態では不透明導電性
層のパターンが第1の実施形態と異なっている以外は、
第1の実施形態の図3(a)と同条件で同工程を処理し
た。
First, an opaque conductive layer having a laminated structure in which the lower layer was a chromium (Cr) film and the upper layer was a gold (Au) film was formed on a borosilicate glass having a thickness of 0.4 mm by a sputtering method. Subsequently, the opaque conductive layer made of Au / Cr was removed in a rectangular shape with one side of 50 μm by etching. As described above, a 50 μm rectangular opaque conductive layer having a pattern through which ultraviolet light was transmitted was formed on the borosilicate glass. Further, a resist made of a photosensitive insoluble material was applied on the borosilicate glass so as to cover the opaque conductive layer. The same resist as that of the first embodiment, THB-130N manufactured by JSR was used, and the resist was applied with a thickness of 60 μm under the same conditions as in the first embodiment. As described above, in the third embodiment, except that the pattern of the opaque conductive layer is different from that of the first embodiment.
The same process was performed under the same conditions as in FIG. 3A of the first embodiment.

【0094】次に図3(b)に示す状態と同様に、レジ
ストと不透明導電性層が形成された硼珪酸ガラスをψ=
45度(ψ:基板傾け角度)傾け、硼珪酸ガラスを介し
て、不透明導電性層をマスクとして、紫外線露光を行っ
た。露光量は450mJ/cm2 で露光した。
Next, as in the state shown in FIG. 3B, the borosilicate glass having the resist and the opaque conductive layer
The film was exposed to ultraviolet light at an angle of 45 degrees (紫外線: substrate inclination angle) through the borosilicate glass using the opaque conductive layer as a mask. The exposure amount was 450 mJ / cm 2 .

【0095】その後、レジスト(THB−130N)を
専用の現像液(THB−D1)で現像することにより、
一辺が50μmで硼珪酸ガラスの平面に対して45度の
角度で傾いた高さ60μmのレジストパターンを形成し
た。これが本第3の実施形態の電鋳構造体を形成するた
めの電鋳元型になる。
Thereafter, the resist (THB-130N) is developed with a dedicated developer (THB-D1),
A resist pattern having a height of 60 μm and a side of 50 μm and inclined at an angle of 45 ° with respect to the plane of the borosilicate glass was formed. This is an electroforming mold for forming the electroformed structure of the third embodiment.

【0096】その後、上記レジストで形成された電鋳元
型をもとにしてNi電鋳法を施し、最後にレジスト、A
u/Crからなる不透明導電性層、硼珪酸ガラスを除去
し、本第3の実施形態によるNiからなる電鋳構造体
(図5(a))を完成させた。なおNi電鋳法およびレ
ジスト、Au/Crからなる不透明導電性層、硼珪酸ガ
ラスの除去法は、第1の実施形態で示した条件と同じ条
件で行った。
Thereafter, Ni electroforming is performed on the basis of the electroforming mold formed of the resist, and finally, the resist, A
The opaque conductive layer made of u / Cr and the borosilicate glass were removed to complete the electroformed structure made of Ni (FIG. 5A) according to the third embodiment. The Ni electroforming method and the method of removing the resist, the opaque conductive layer made of Au / Cr, and the borosilicate glass were performed under the same conditions as those described in the first embodiment.

【0097】(第4の実施形態)図5(b)は第4の実
施形態による電鋳構造体である。第4の実施形態では図
5(b)に示すように星形の形状をした開口部を有する
傾斜孔41を備えた電鋳構造体40を製造した。本第4
の実施形態の電鋳構造体40は第1の実施形態と第3の
実施形態と同様の製造方法によって製造した。
(Fourth Embodiment) FIG. 5B shows an electroformed structure according to a fourth embodiment. In the fourth embodiment, as shown in FIG. 5B, an electroformed structure 40 having an inclined hole 41 having a star-shaped opening was manufactured. Book 4
The electroformed structure 40 of this embodiment was manufactured by the same manufacturing method as in the first embodiment and the third embodiment.

【0098】まず、厚さ0.4mmの硼珪酸ガラス上に
下層がクロム(Cr)膜で上層が金(Au)膜である積
層構造からなる不透明導電性層をスパッタリング法で成
膜した。つづいて、そのAu/Crからなる不透明導電
性層をエッチングによって星形形状で取り除いた。以上
により、硼珪酸ガラス上に星形形状で紫外線が透過する
パターンの不透明導電性層が形成する事ができた。さら
にその不透明導電性層を覆うようにして、感光不溶性材
料からなるレジストを硼珪酸ガラス上に塗布した。レジ
ストには第1の実施形態と同じJSR社製のTHB−1
30Nを用い、スピンコート法で第1の実施形態と同じ
条件で60μmの厚みで塗布した。以上は図3(a)と
ほぼ同様の工程である。ただし本第4の実施形態では不
透明導電性層のパターンが第1の実施形態とは異なって
いる。その後の製造工程は、第3の実施形態の電鋳構造
体と全く同じ条件で製造した。
First, an opaque conductive layer having a laminated structure in which the lower layer is a chromium (Cr) film and the upper layer is a gold (Au) film was formed on a borosilicate glass having a thickness of 0.4 mm by a sputtering method. Subsequently, the opaque conductive layer made of Au / Cr was removed in a star shape by etching. As described above, an opaque conductive layer having a star-shaped pattern through which ultraviolet light was transmitted was formed on the borosilicate glass. Further, a resist made of a photosensitive insoluble material was applied on the borosilicate glass so as to cover the opaque conductive layer. The resist is THB-1 manufactured by JSR as in the first embodiment.
30N was applied by a spin coating method under the same conditions as in the first embodiment to a thickness of 60 μm. The steps described above are substantially the same as those in FIG. However, in the fourth embodiment, the pattern of the opaque conductive layer is different from that of the first embodiment. Subsequent manufacturing steps were performed under exactly the same conditions as those of the electroformed structure of the third embodiment.

【0099】第3の実施形態および第4の実施形態から
わかるように、本発明の傾斜孔を備えた電鋳構造体の製
造方法によれば、従来のドリルによる切削加工法では達
成不可能な開口部形状を有する傾斜孔をあけることがで
きる。なお、開口部形状は第3の実施形態、第4の実施
形態に示す形状に限定されるものではない。この他に、
例えば、正三角形、その他の三角形、長方形、菱形、そ
の他の四角形、正五角形、その他の五角形、正六角形、
その他の六角形等の多角形が挙げられる。さらにその開
口部の大きさは従来のドリルによる切削加工法では加工
できないほどの微小な寸法が可能である。図13は第3
の実施形態および第4の実施形態による電鋳構造体の傾
斜孔の開口部の大きさをあらわした図である。図13に
よれば、第3の実施形態における傾斜孔31の開口部の
大きさdは50μmであり、一方第4の実施形態におけ
る傾斜孔41の開口部の大きさdは30μmであった。
どちらも非常に微小な開口部であることがわかる。な
お、本発明において、開口部の大きさとは、開口部の形
状に内接する円の直径寸法のことを定義している。
As can be seen from the third embodiment and the fourth embodiment, according to the method of manufacturing an electroformed structure having inclined holes according to the present invention, it cannot be achieved by a conventional cutting method using a drill. An inclined hole having an opening shape can be formed. The shape of the opening is not limited to the shapes shown in the third and fourth embodiments. In addition,
For example, equilateral triangle, other triangle, rectangle, diamond, other square, regular pentagon, other pentagon, regular hexagon,
Other polygons, such as a hexagon, are mentioned. Furthermore, the size of the opening can be so small that it cannot be machined by a conventional drilling method. FIG. 13 shows the third
It is the figure which showed the size of the opening part of the inclined hole of the electroformed structure by Embodiment 4 and 4th Embodiment. According to FIG. 13, the size d of the opening of the inclined hole 31 in the third embodiment was 50 μm, while the size d of the opening of the inclined hole 41 in the fourth embodiment was 30 μm.
It can be seen that both are very small openings. In the present invention, the size of the opening is defined as the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening.

【0100】(第5の実施形態)図10は本発明の第5
の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳構造体の断面図で
ある。電鋳法によって析出して形成された電鋳構造体8
0には開口部の大きさがdの貫通した傾斜孔81と未貫
通の傾斜孔が82が構成されている。傾斜孔81、82
は貫通した傾斜孔81の開口部が現れている面である孔
開口面iに対して傾斜角度θの角度で傾斜している。
(Fifth Embodiment) FIG. 10 shows a fifth embodiment of the present invention.
It is sectional drawing of the electroformed structure provided with the inclined hole by embodiment. Electroformed structure 8 formed by deposition by electroforming
In 0, an inclined hole 81 having a size of d and a penetrating inclined hole 82 having a size of d and an unpenetrated inclined hole 82 are formed. Inclined holes 81, 82
Is inclined at an inclination angle θ with respect to a hole opening surface i, which is a surface on which the opening of the penetrating inclined hole 81 appears.

【0101】本第5の実施形態において、電鋳構造体8
0は板厚が80μmの板状の形状で形成されている。ま
た貫通してあけられた傾斜孔81の2つの開口部および
貫通していない傾斜孔82の一つの開口部は、すべて円
形状を成しており、その大きさdはどれも直径φ50μ
mの大きさになっている。さらに、その傾斜孔81、8
2は傾斜角度θ(傾斜孔81、82の中心軸と孔開口面
gとの間の角度)=60度で傾斜してつくられており、
各傾斜孔81、82は150μmの間隔で並んで形成さ
れている。なお、図10では本第5の実施形態の特徴で
ある未貫通孔と貫通孔の違いをわかりやすくするために
板厚方向(図10における上下方向)を誇張して描いて
いる。
In the fifth embodiment, the electroformed structure 8
Numeral 0 is formed in a plate shape having a plate thickness of 80 μm. Further, two openings of the inclined hole 81 penetrated and one opening of the inclined hole 82 not penetrated are all circular, and each of the sizes d has a diameter φ50 μm.
m. Further, the inclined holes 81, 8
2 is inclined at an inclination angle θ (the angle between the central axis of the inclined holes 81 and 82 and the hole opening surface g) = 60 degrees,
The inclined holes 81 and 82 are formed side by side at an interval of 150 μm. In FIG. 10, the thickness direction (vertical direction in FIG. 10) is exaggerated for easy understanding of the difference between a non-through hole and a through hole which is a feature of the fifth embodiment.

【0102】図11は本第5の実施形態の傾斜孔を備え
た電鋳構造体の製造方法の前半の工程を示した図であ
る。また図12は本第5の実施形態の傾斜孔を備えた電
鋳構造体の製造方法の後半の工程を示した図である。以
降図11、図12をもとに本第5の実施形態の電鋳構造
体の製造方法について説明する。
FIG. 11 is a diagram showing the first half of a method of manufacturing an electroformed structure having inclined holes according to the fifth embodiment. FIG. 12 is a view showing the latter half of the method of manufacturing the electroformed structure having the inclined holes according to the fifth embodiment. Hereinafter, a method of manufacturing the electroformed structure of the fifth embodiment will be described with reference to FIGS.

【0103】まず図11(a)に示すように透明性基板
100上に不透明導電性層210を所望の形状にパター
ン化して形成する。パターン化にはフォトリソグラフィ
ー法とエッチング法を用いた。本第5の実施形態では、
透明性基板100に厚さ0.4mmの硼珪酸ガラスを用
い、その上に下層がクロム(Cr)膜で上層が金(A
u)膜である積層構造からなる不透明導電性層210を
パターン化して形成した。不透明導電性層210のCr
膜とAu膜のそれぞれの厚さは0.05μm(Cr)、
0.2μm(Au)で、どちらも真空成膜法の一種であ
るスパッタリング法で成膜した。また、パターン化は、
上述のようにフォトリソグラフィー法とエッチング法を
用い、直径50μmの円形パターンが150μmの間隔
(ピッチ)で除去されているパターンを完成させた。
First, as shown in FIG. 11A, an opaque conductive layer 210 is formed on a transparent substrate 100 by patterning it into a desired shape. Photolithography and etching were used for patterning. In the fifth embodiment,
A transparent substrate 100 is made of borosilicate glass having a thickness of 0.4 mm, on which a lower layer is a chromium (Cr) film and an upper layer is gold (A).
u) The opaque conductive layer 210 having a laminated structure as a film was formed by patterning. Cr of opaque conductive layer 210
The thickness of each of the film and the Au film is 0.05 μm (Cr),
Both layers were formed by sputtering, which is a kind of vacuum film forming method, with a thickness of 0.2 μm (Au). Also, patterning is
As described above, a pattern in which a circular pattern having a diameter of 50 μm was removed at intervals (pitch) of 150 μm using photolithography and etching was completed.

【0104】次に、感光不溶性材料からなる第1のレジ
スト330を、透明性基板100の不透明導電性層21
0が形成されている一方の面上に所望の厚さで形成す
る。本第5の実施形態では、第1のレジスト330にJ
SR社製のネガレジストTHB−130N(商品名)を
使用し、スピンコート法を用いて、40μmの厚みで形
成した。この時のスピンコート条件は回転数が2000
rpm、処理時間が10秒間であった。以降の説明で
は、本工程(図11(a))を第5の実施形態の第1の
レジスト形成工程と称することにする。
Next, a first resist 330 made of a photosensitive insoluble material is applied to the opaque conductive layer 21 of the transparent substrate 100.
0 is formed at a desired thickness on one surface where the 0 is formed. In the fifth embodiment, the first resist 330 has J
A negative resist THB-130N (trade name) manufactured by SR Corporation was used and formed to a thickness of 40 μm by spin coating. At this time, the spin coating conditions were as follows.
rpm, treatment time was 10 seconds. In the following description, this step (FIG. 11A) will be referred to as a first resist forming step of the fifth embodiment.

【0105】次に、図11(b)に示すように透明性基
板100の不透明導電性層210が形成されていない他
方の面側から紫外線を照射し、透明性基板100を介し
て第1のレジスト330を露光する。この時、透明性基
板100を所定の角度傾けることによって紫外線が透明
性基板100に対して斜め方向から照射されるようにし
た(本工程を第5の実施形態における第1の露光工程と
称する。)。本第5の実施形態では、紫外線照射方向に
垂直な面に対する角度として定義される基板傾き角度ψ
を30度にした。
Next, as shown in FIG. 11B, ultraviolet light is irradiated from the other side of the transparent substrate 100 on which the opaque conductive layer 210 is not formed, and the first substrate is interposed through the transparent substrate 100. The resist 330 is exposed. At this time, by inclining the transparent substrate 100 at a predetermined angle, ultraviolet rays are applied to the transparent substrate 100 from an oblique direction (this step is referred to as a first exposure step in the fifth embodiment). ). In the fifth embodiment, the substrate tilt angle ψ defined as an angle with respect to a plane perpendicular to the ultraviolet irradiation direction
To 30 degrees.

【0106】図11(b)に示す第5の実施形態におけ
る第1の露光工程において、紫外線が照射されるその途
中には、不透明導電性層210が所望の形状(上記でも
述べたように本実施形態では直径50μmの円形パター
ンが150μm間隔で除去されているパターン)でパタ
ーン化して配置されているので、不透明導電性層210
が露光マスクの役目をし、第1のレジスト330は所望
の部分のみが部分的に露光される。その時、上述のよう
に基板傾き角度ψ=30度で透明性基板100を傾けて
いるので、第1のレジスト330は斜め方向から露光さ
れることになる。なお本第5の実施形態の本第1の露光
工程では450mJ/cm2 の露光量で第1のレジスト
330を露光した。
In the first exposure step in the fifth embodiment shown in FIG. 11B, the opaque conductive layer 210 is formed in a desired shape (as described above, in the middle of the irradiation with ultraviolet rays). In the embodiment, a circular pattern having a diameter of 50 μm is removed by patterning at intervals of 150 μm).
Serves as an exposure mask, and only a desired portion of the first resist 330 is partially exposed. At this time, since the transparent substrate 100 is inclined at the substrate inclination angle ψ = 30 degrees as described above, the first resist 330 is exposed from an oblique direction. In the first exposure step of the fifth embodiment, the first resist 330 was exposed at an exposure amount of 450 mJ / cm 2 .

【0107】次に図11(c)に示すように第1のレジ
スト330上に感光不溶性材料からなる第2のレジスト
340を所望の厚さで形成する。本第5の実施形態で
は、第2のレジスト340にJSR社製のネガレジスト
THB−130N(商品名)を使用し、スピンコート法
を用いて、45μmの厚みで形成した。この時のスピン
コート条件は回転数が1800rpm、処理時間が10
秒間であった。以降の説明では、本工程(図11
(c))を第5の実施形態の第2のレジスト形成工程と
称することにする。
Next, as shown in FIG. 11C, a second resist 340 made of a photosensitive insoluble material is formed on the first resist 330 to a desired thickness. In the fifth embodiment, a negative resist THB-130N (trade name) manufactured by JSR Corporation is used as the second resist 340, and the second resist 340 is formed with a thickness of 45 μm by spin coating. At this time, the spin coating conditions were as follows: the number of rotations was 1800 rpm, and the processing time was 10 minutes.
Seconds. In the following description, this step (FIG. 11)
(C)) will be referred to as a second resist forming step of the fifth embodiment.

【0108】次に、図12(d)に示すように、透明性
基板100の不透明導電性層210が形成されていない
他方の面側から紫外線を再び照射し、透明性基板10
0、第1のレジスト330を介して第2のレジスト34
0を露光する。この時、透明性基板100を第1の露光
工程(図11(b))と同じ基板傾き角度ψ=30度で
傾けることによって紫外線が第1の露光工程と同じ角度
で照射されるようにした。本工程を第5の実施形態の第
2の露光工程と称する。
Next, as shown in FIG. 12D, ultraviolet light is again irradiated from the other surface side of the transparent substrate 100 where the opaque conductive layer 210 is not formed, and the transparent substrate 10
0, the second resist 34 via the first resist 330
Expose 0. At this time, the transparent substrate 100 is tilted at the same substrate tilt angle ψ = 30 degrees as in the first exposure step (FIG. 11B), so that ultraviolet rays are irradiated at the same angle as in the first exposure step. . This step is referred to as a second exposure step of the fifth embodiment.

【0109】この第2の露光工程では、第1の露光工程
(図11(b))で、すでに露光された第1のレジスト
330の露光部分のうち、所望の一部分については再び
露光されないように遮光マスク420によって紫外線を
遮光した。こうすることにより、第1のレジスト33
0、第2のレジスト340ともに未露光の部分、第1の
レジスト330のみが露光されている部分、第1のレジ
スト330、第2のレジスト340ともに露光されてい
る部分、の3種類の部分に露光状態を分類することがで
きる。なお、本第2の露光工程で露光される第2のレジ
スト340は、第1の露光工程で露光された第1のレジ
スト330の露光部分上の同じ位置が必ず露光される。
なぜなら、図12(d)からもわかるように、本第5の
実施形態における第2の露光工程では、不透明導電性層
210が露光マスクの役目をしており、この不透明導電
性層210は透明性基板100上に固定されているた
め、第1の露光工程の時と全く同じ位置で露光がなされ
るからである。これは本発明においてバック露光法を利
用していることによる効果の一つでもある。なお本第5
の実施形態の第2の露光工程では450mJ/cm2
露光量で第2のレジスト340を露光した。
In the second exposure step, a desired part of the exposed part of the first resist 330 already exposed in the first exposure step (FIG. 11B) is not exposed again. Ultraviolet light was shielded by the light shielding mask 420. By doing so, the first resist 33
0, the second resist 340 is unexposed, the first resist 330 is only exposed, and the first resist 330 and the second resist 340 are both exposed. The exposure state can be classified. In the second resist 340 exposed in the second exposure step, the same position on the exposed portion of the first resist 330 exposed in the first exposure step is always exposed.
This is because, as can be seen from FIG. 12D, in the second exposure step in the fifth embodiment, the opaque conductive layer 210 functions as an exposure mask, and the opaque conductive layer 210 is transparent. This is because the exposure is performed at exactly the same position as that in the first exposure step because the substrate is fixed on the conductive substrate 100. This is one of the effects of using the back exposure method in the present invention. The fifth
In the second exposure step of the embodiment, the second resist 340 was exposed at an exposure amount of 450 mJ / cm 2 .

【0110】第1のレジスト330、第2のレジスト3
40ともに感光不溶性材料であるので、図12(d)の
第2の露光工程後に現像を行うと図12(e)のような
パターン化された第1のレジスト350、第2のレジス
ト360が形成される。この図12(e)の状態が本工
程以降に行われる電鋳工程のための電鋳元型となる。本
第5の実施形態では透明性基板100平面に対して60
度の角度で傾斜した第1のレジスト350からなる直径
50μm、高さ40μmの第1のパターンと、第1のレ
ジスト350及び第2のレジスト360からなる透明性
基板100平面に対して60度の角度で傾斜した直径5
0μm、高さ85μmの第2のパターンを形成すること
ができた。なお、本第5の実施形態では、現像液として
THB−130Nの専用現像液(商品名THB−D1)
を用い、40℃の液温で3分間現像処理を行った。
First resist 330, second resist 3
Since both are photosensitive insoluble materials, if development is performed after the second exposure step of FIG. 12D, a patterned first resist 350 and second resist 360 as shown in FIG. 12E are formed. Is done. The state shown in FIG. 12E is an electroforming base for an electroforming step performed after this step. In the fifth embodiment, the transparent substrate 100
A first pattern having a diameter of 50 μm and a height of 40 μm made of the first resist 350 inclined at an angle of degrees, and a first pattern of 60 degrees with respect to the plane of the transparent substrate 100 made of the first resist 350 and the second resist 360. Diameter 5 inclined at an angle
A second pattern having a thickness of 0 μm and a height of 85 μm could be formed. In the fifth embodiment, a THB-130N dedicated developer (product name: THB-D1) is used as the developer.
And a developing treatment was performed at a liquid temperature of 40 ° C. for 3 minutes.

【0111】その後、図12(f)に示すように電鋳法
によって不透明導電性層210上に電鋳構造体80を形
成する。本第5の実施形態ではニッケル(Ni)電鋳法
によって、Niからなる80μmの厚さの電鋳構造体8
0を形成させた。この時のNi電鋳法の処理は、スルフ
ァミン酸Niメッキ液を用いて、50℃の液温で、1A
/dm2 の電流密度で、8時間処理する条件で行った。
Thereafter, as shown in FIG. 12F, an electroformed structure 80 is formed on the opaque conductive layer 210 by an electroforming method. In the fifth embodiment, an electroformed structure 8 made of Ni and having a thickness of 80 μm is formed by nickel (Ni) electroforming.
0 was formed. At this time, the Ni electroforming process is performed using a nickel sulfamate plating solution at a liquid temperature of 50 ° C. and 1A.
/ Dm 2 at a current density of 8 hours.

【0112】本第5の実施形態では、図12(f)に示
すように、80μmの厚みになるようにNi電鋳処理を
行うことで、第1のレジスト350のみからなる第1の
パターンは電鋳材料であるNiによってすべて覆い尽く
すことができた。一方、第1のレジスト350と第2の
レジスト360が積層された第2のパターンは、その高
さが85μmであるので、80μmの厚みのNi電鋳処
理では覆われる状態には至らない。本発明の第5の実施
形態では、本電鋳工程において、第1のレジスト350
のみからなる第1のパターンは覆われ、かつ第1のレジ
スト350と第2のレジスト360が積層された第2の
パターンは覆われない程度の厚さで電鋳処理を行うこと
が重要である。
In the fifth embodiment, as shown in FIG. 12F, the first pattern consisting of only the first resist 350 is formed by performing Ni electroforming so as to have a thickness of 80 μm. All of them could be completely covered by the electroforming material Ni. On the other hand, since the second pattern in which the first resist 350 and the second resist 360 are stacked has a height of 85 μm, it cannot be covered by Ni electroforming with a thickness of 80 μm. In the fifth embodiment of the present invention, the first resist 350
It is important that the electroforming process is performed to such a thickness that the first pattern consisting only of the first pattern is covered and the second pattern in which the first resist 350 and the second resist 360 are stacked is not covered. .

【0113】最後に、第1のレジスト350、第2のレ
ジスト360、不透明導電性層210、透明性基板10
0を電鋳構造体10から除去し、図10に示すような傾
斜孔8、82を備えた電鋳構造体80が完成した。本第
5の実施形態では、まず不透明導電性層210と透明性
基板100は機械的に除去した後、第1のレジスト35
0、第2のレジスト360を50℃の10%水酸化カリ
ウム(KOH)水溶液によって溶解除去させた。
Finally, the first resist 350, the second resist 360, the opaque conductive layer 210, the transparent substrate 10
0 was removed from the electroformed structure 10, and an electroformed structure 80 having inclined holes 8, 82 as shown in FIG. 10 was completed. In the fifth embodiment, first, the opaque conductive layer 210 and the transparent substrate 100 are mechanically removed, and then the first resist 35 is removed.
The 0 and second resists 360 were dissolved and removed with a 50% aqueous solution of 10% potassium hydroxide (KOH).

【0114】このようにして本第5の実施形態では、開
口部寸法dが直径50μm、深さ80μm(孔開口面i
からの垂直距離)、傾斜角度θが60度の貫通した傾斜
孔81と、開口部寸法dが直径50μm、深さ40μm
(孔開口面iからの垂直距離)、傾斜角度θが60度の
貫通していない傾斜孔82とが150μm間隔(ピッ
チ)で並んだ厚さ80μmの電鋳構造体80を製造する
ことができた(図10)。本第5の実施形態のように、
貫通した傾斜孔81と貫通していない傾斜孔82を同時
に形成できる点も、本発明の特徴の一つに挙げられる。
As described above, in the fifth embodiment, the opening dimension d is 50 μm in diameter and 80 μm in depth (the hole opening surface i
, The inclined hole 81 having an inclination angle θ of 60 degrees, an opening d having a diameter of 50 μm and a depth of 40 μm.
(A vertical distance from the hole opening surface i), and an electroformed structure 80 having a thickness of 80 μm in which inclined holes 82 having an inclination angle θ of 60 degrees and not penetrating are arranged at intervals (pitch) of 150 μm. (FIG. 10). As in the fifth embodiment,
One of the features of the present invention is that the inclined hole 81 that penetrates and the inclined hole 82 that does not penetrate can be formed at the same time.

【0115】さらに、本第5の実施形態では、第1のレ
ジスト330と第2のレジスト340の2層構造を別々
に露光することによって電鋳構造体を製造したが、さら
に3層以上の積層構造で同様の工程を繰り返すことによ
り、深さが数段階に異なる傾斜孔を形成することも可能
である。
Further, in the fifth embodiment, the electroformed structure is manufactured by separately exposing the two-layer structure of the first resist 330 and the second resist 340. By repeating the same steps in the structure, it is possible to form inclined holes having different depths in several stages.

【0116】(第6の実施形態)図14は本発明の第6
の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳構造体の製造方法
における露光工程を示した図である。図15は本発明の
第6の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳構造体の製造
方法の露光工程後の工程を示した図である。以下に図1
4、図15を用いて、本第6の実施形態による電鋳構造
体の製造方法を説明する。
(Sixth Embodiment) FIG. 14 shows a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a view showing an exposure step in the method for manufacturing an electroformed structure having inclined holes according to the embodiment. FIG. 15 is a view showing a step after an exposure step in the method for manufacturing an electroformed structure having inclined holes according to the sixth embodiment of the present invention. Figure 1 below
4, a method of manufacturing the electroformed structure according to the sixth embodiment will be described with reference to FIGS.

【0117】まず透明性基板100の一方の面に導電性
を有する第1の不透明性層220を所望の形状でパター
ン化して形成し、その裏面の他方の面には第1の不透明
性層220とは別の任意の形状で第2の不透明性層23
0を形成した。
First, a first opaque layer 220 having conductivity is formed on one surface of the transparent substrate 100 by patterning in a desired shape, and the first opaque layer 220 is formed on the other surface on the back surface. The second opaque layer 23 in any other shape
0 was formed.

【0118】本第6の実施形態では、透明性基板100
に板厚が0.4mmの硼珪酸ガラスを使用し、その両面
に下層がクロム(Cr)膜で上層が金(Au)膜である
積層構造からなる第1の不透明性層220および第2の
不透明性層230をそれぞれパターン化して形成した。
第1の不透明性層220、第2の不透明性層230のC
r膜とAu膜のそれぞれの厚さは0.05μm(C
r)、0.2μm(Au)で、どちらも真空成膜法の一
種であるスパッタリング法で成膜した。
In the sixth embodiment, the transparent substrate 100
The first opaque layer 220 and the second opaque layer 220 each having a laminated structure in which a lower layer is a chromium (Cr) film and an upper layer is a gold (Au) film are used on both surfaces thereof. The opaque layers 230 were each formed by patterning.
C of the first opaque layer 220 and the second opaque layer 230
The thickness of each of the r film and the Au film is 0.05 μm (C
r) and 0.2 μm (Au), both of which were formed by a sputtering method which is a kind of vacuum film forming method.

【0119】またパターン化には、一般にLSI分野で
広く利用されているフォトリソグラフィー法とエッチン
グ法を用いた。本実施形態において、第1の不透明性層
220のパターンは、直径100μmの円形状で除去さ
れた非成膜部が200μmピッチで等間隔に3箇所に形
成されているパターンをしている。一方、第2の不透明
性層230のパターンは、直径100μmの円形状で除
去された非成膜部が1箇所形成されているパターンをし
ており、第1の不透明性層220とは図14に示すよう
な位置関係で形成されている。
For patterning, a photolithography method and an etching method which are generally widely used in the field of LSI are used. In the present embodiment, the pattern of the first opaque layer 220 is a pattern in which non-film-formed portions removed in a circular shape having a diameter of 100 μm are formed at equal intervals at 200 μm pitch at three locations. On the other hand, the pattern of the second opaque layer 230 has a pattern in which a non-film-formed portion removed in a circular shape having a diameter of 100 μm is formed at one place. Are formed in a positional relationship as shown in FIG.

【0120】さらに本発明では、第1の不透明性層22
0上にレジスト300を形成した。本第6の実施形態で
は、JSR社製感光不溶性材料THB−130Nをレジ
スト300として使用し、スピンコート法を用いて50
μmの厚みで形成した。
Further, in the present invention, the first opaque layer 22
On top of this, a resist 300 was formed. In the sixth embodiment, a photosensitive insoluble material THB-130N manufactured by JSR Corporation is used as the resist 300, and 50% is formed by spin coating.
It was formed with a thickness of μm.

【0121】本発明では、このようにして、パターンの
異なる第1の不透明性層220と第2の不透明性層23
0を両面に形成し、さらに第1の不透明性層220上に
レジスト300を形成した透明性基板100を図14に
示すようにして露光した。
In the present invention, the first opaque layer 220 and the second opaque layer 23 having different patterns are thus obtained.
0 was formed on both sides, and the transparent substrate 100 on which the resist 300 was formed on the first opaque layer 220 was exposed as shown in FIG.

【0122】本発明の製造方法における露光方法は、紫
外線光を発する固定した光源800の下を、前記透明性
基板100を所定の速度で移動させることによって行わ
れる。この時透明性基板100は、第2の不透明性層2
30が形成された側を光源800に向けて配置させる。
このように透明性基板100を配置させることによっ
て、光源800から発せられた光は、第2の不透明性層
230、第1の不透明性層220により、部分的に遮光
される。すなわち、第2の不透明性層230、第1の不
透明性層220がマスクの役目を成すことになる。
The exposure method in the manufacturing method of the present invention is performed by moving the transparent substrate 100 at a predetermined speed under a fixed light source 800 that emits ultraviolet light. At this time, the transparent substrate 100 includes the second opaque layer 2
The side where 30 is formed is arranged facing the light source 800.
By disposing the transparent substrate 100 in this manner, light emitted from the light source 800 is partially shielded by the second opaque layer 230 and the first opaque layer 220. That is, the second opaque layer 230 and the first opaque layer 220 function as a mask.

【0123】光源800の下を透明性基板100が移動
することによって、光源800と透明性基板100との
相対位置関係は図14(a)から図14(e)のように
変化してゆく。
As the transparent substrate 100 moves under the light source 800, the relative positional relationship between the light source 800 and the transparent substrate 100 changes from FIG. 14A to FIG. 14E.

【0124】まず図14(a)において光源800から
発せられた光は、第2の不透明性層230の除去された
非成膜部分を通してしか、透明性基板100まで達する
ことができない。透明性基板100を通過することがで
きた光は、その照射方向にある第1の不透明性層220
の除去された非成膜部分を介して、レジスト300に達
する。
First, in FIG. 14A, the light emitted from the light source 800 can reach the transparent substrate 100 only through the non-film-formed portion where the second opaque layer 230 has been removed. The light that can pass through the transparent substrate 100 is applied to the first opaque layer 220 in the irradiation direction.
The resist 300 is reached via the non-film-formed portion from which is removed.

【0125】図14(a)において、光源800と第2
の不透明性層230の非成膜部分と第1の不透明性層2
20の非成膜部分が一直線上に並んだ方向からの光が選
択的に選ばれ、その方向に従ってレジスト300は露光
される。
In FIG. 14A, the light source 800 and the second
Non-film-forming portion of the opaque layer 230 and the first opaque layer 2
Light from a direction in which the non-film-forming portions 20 are arranged in a straight line is selectively selected, and the resist 300 is exposed according to the direction.

【0126】次に透明性基板100が図14(b)に示
すような位置に移動すると、第2の不透明性層230の
除去された非成膜部分を通して透明性基板100を進ん
できた光は、第1の不透明性層220によって遮られ、
レジスト300には到達しない。よってレジスト300
のその部分での露光は行われない。
Next, when the transparent substrate 100 moves to a position as shown in FIG. 14B, the light that has traveled through the transparent substrate 100 through the non-film-formed portion where the second opaque layer 230 has been removed is , Blocked by the first opaque layer 220;
It does not reach the resist 300. Therefore resist 300
Exposure is not performed in that part.

【0127】さらに透明性基板100が図14(c)に
示すような位置に移動すると、光源800からの光は、
第1の不透明性層220の非成膜部分、第2の不透明性
層230の非成膜部分を通過し、再びレジスト300を
露光する。
When the transparent substrate 100 further moves to the position shown in FIG. 14C, the light from the light source 800 is
After passing through the non-film-forming portion of the first opaque layer 220 and the non-film-forming portion of the second opaque layer 230, the resist 300 is exposed again.

【0128】その後、透明性基板100が図14(d)
に示すような位置に移動すると、第2の不透明性層23
0の除去された非成膜部分を通して透明性基板100を
進んできた光は、第1の不透明性層220によって遮ら
れ、レジスト300は露光されなくなる。
Thereafter, the transparent substrate 100 is moved to the state shown in FIG.
Move to the position shown in FIG.
Light that has traveled through the transparent substrate 100 through the non-deposited portion where the zero has been removed is blocked by the first opaque layer 220, and the resist 300 is not exposed.

【0129】さらに続いて、透明性基板100が図14
(e)に示すような位置に移動すると、光源800から
の光は、第1の不透明性層220の非成膜部分、第2の
不透明性層230の非成膜部分を通過し、再度レジスト
300を露光する。
Subsequently, the transparent substrate 100 is moved to FIG.
(E), the light from the light source 800 passes through the non-film-forming portion of the first opaque layer 220 and the non-film-forming portion of the second opaque layer 230, and is again transferred to the resist. Expose 300.

【0130】上記のような本発明の露光方法において、
レジスト300の露光方向(本文では光の入射方向のこ
とを指す。)は、図14(a)、(c)、(e)で全て
異なった角度になる。本発明の特徴は、このような一連
の露光工程によっていくつもの異なった角度での露光を
同時に行うことができる点であり、生産効率が高く大量
生産に適している。
In the exposure method of the present invention as described above,
The exposure direction of the resist 300 (here, the direction of incidence of light) has different angles in FIGS. 14 (a), (c) and (e). The feature of the present invention is that exposure at several different angles can be performed simultaneously by such a series of exposure steps, and the production efficiency is high and suitable for mass production.

【0131】なお本第6の実施形態における露光工程で
は、光源800を固定し透明性基板100を移動させた
が、本発明は、透明性基板100と光源800との相対
位置関係の変化を利用したものであるので、例えば透明
性基板100を固定し光源800を移動させるようにし
てもかまわないし、また透明性基板100と光源800
の両方を移動させてもかまわない。
Although the light source 800 is fixed and the transparent substrate 100 is moved in the exposure step in the sixth embodiment, the present invention utilizes the change in the relative positional relationship between the transparent substrate 100 and the light source 800. Therefore, for example, the transparent substrate 100 may be fixed and the light source 800 may be moved, or the transparent substrate 100 and the light source 800 may be moved.
You may move both.

【0132】露光工程後、レジスト300の現像を行う
と露光された部分だけが残り、図15(a)に示すよう
なパターン化されたレジスト311が形成される。透明
性基板100、第1の不透明性層220、第2の不透明
性層230、レジスト311からなるこの傾斜形状部品
を次の電鋳工程のための電鋳元型900と称する。本実
施形態では、THB−130N専用の現像液を用いて現
像を行った。
After the exposure step, when the resist 300 is developed, only the exposed portions remain, and a patterned resist 311 as shown in FIG. 15A is formed. This slanted part including the transparent substrate 100, the first opaque layer 220, the second opaque layer 230, and the resist 311 is referred to as an electroforming mold 900 for the next electroforming step. In the present embodiment, development was performed using a developing solution dedicated to THB-130N.

【0133】次に、図15(b)に示すように、導電性
を有する第1の不透明性層220上に電鋳法によって電
鋳構造体90を形成する。この時、電鋳構造体90はレ
ジスト311の形状を転写するようにして形成される。
本実施形態では、ニッケル(Ni)電鋳法によって、N
iからなる電鋳構造体90を形成した。
Next, as shown in FIG. 15B, an electroformed structure 90 is formed on the first opaque layer 220 having conductivity by electroforming. At this time, the electroformed structure 90 is formed so as to transfer the shape of the resist 311.
In this embodiment, the nickel (Ni) electroforming method
An electroformed structure 90 made of i was formed.

【0134】最後に図15(c)に示すように、電鋳構
造体90を電鋳元型である透明性基板100、第1の不
透明性層220、第2の不透明性層230、レジスト3
11から分離し、電鋳構造体90が完成する。
Finally, as shown in FIG. 15 (c), the electroformed structure 90 is transformed into a transparent substrate 100 which is an electroforming base mold, a first opaque layer 220, a second opaque layer 230, and a resist 3.
11 and the electroformed structure 90 is completed.

【0135】このようにして製造した電鋳構造体90に
は、その平面pに対して異なった角度で傾斜して空けら
れた傾斜孔91と傾斜孔93、及び平面pに対して垂直
に空けたれた垂直孔92が形成されており、いずれもそ
の大きさが100μmという非常に微細な貫通孔になっ
ている。またその寸法精度は1μm程度の非常に高い寸
法精度で形成することができた。
In the electroformed structure 90 manufactured in this manner, the inclined holes 91 and 93 formed at different angles with respect to the plane p are formed, and the electroformed structure 90 is formed perpendicular to the plane p. Vertical vertical holes 92 are formed, each of which is a very fine through hole having a size of 100 μm. The dimensional accuracy was very high, about 1 μm.

【0136】なお、本第6の実施形態では、図15
(a)に示す状態の傾斜形状部品を電鋳元型900とし
て利用したが、この傾斜形状部品そのものを、部品とし
て利用することも可能である。その場合、第1の不透明
性層220、第2の不透明性層230は必ずしも導電性
を有している必要はない。
In the sixth embodiment, FIG.
Although the inclined-shaped part in the state shown in (a) is used as the electroforming mold 900, the inclined-shaped part itself can be used as a part. In that case, the first opaque layer 220 and the second opaque layer 230 do not necessarily need to have conductivity.

【0137】(第7の実施形態)図6は本発明の第7の
実施形態による傾斜した貫通孔を備えた光学部品の平面
図である。図7は本発明の第7の実施形態による傾斜し
た貫通孔を備えた光学部品の要部断面図である。本第7
の実施形態は、第2の実施形態による傾斜孔を備えた電
鋳構造体を光学部品用に形状を変更して作製したもので
ある。図6に示す光学部品50には傾斜角度と開口部形
状の異なる2種類の傾斜孔51aと51bが貫通してあ
けられている。それぞれの傾斜孔51a、51bはそれ
ぞれ必要とされる所定の位置に穴あけされている。なお
本第2の実施形態では傾斜孔51aの開口部形状を円形
とし、傾斜孔51bの開口部形状を矩形としたが、これ
は本第7の実施形態をわかりやすくするために意識的に
違えたものであり、光学部品として必ず開口部形状を違
える必要はない。
(Seventh Embodiment) FIG. 6 is a plan view of an optical component having an inclined through hole according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of an optical component having an inclined through hole according to a seventh embodiment of the present invention. Book 7
In the embodiment, the electroformed structure having the inclined holes according to the second embodiment is manufactured by changing the shape for an optical component. The optical component 50 shown in FIG. 6 has two types of inclined holes 51a and 51b having different inclination angles and different opening shapes. Each of the inclined holes 51a and 51b is formed at a required predetermined position. In the second embodiment, the shape of the opening of the inclined hole 51a is circular, and the shape of the opening of the inclined hole 51b is rectangular. However, this is intentionally changed to make the seventh embodiment easier to understand. Therefore, it is not always necessary to change the shape of the opening as an optical component.

【0138】図7(a)は図6に示すA−Aの断面を示
した図であり、傾斜孔51a付近の断面をあらわした図
である。図7(b)は図6に示すB−Bの断面を示した
図であり、傾斜孔51b付近の断面をあらわした図であ
る。光学部品50に備わる傾斜孔51aは、図7(a)
に示すように、60度の傾斜角度で傾斜してあけられて
いる。一方、光学部品50に備わる傾斜孔51bは、図
7(b)に示すように、120度の傾斜角度で傾斜して
あけられている。どちらの傾斜孔51a、51bとも開
口部の大きさは50μmで形成されている。
FIG. 7A is a diagram showing a cross section taken along the line AA shown in FIG. 6, and is a diagram showing a cross section near the inclined hole 51a. FIG. 7B is a diagram showing a cross section taken along the line BB shown in FIG. 6, and is a diagram showing a cross section near the inclined hole 51b. The inclined hole 51a provided in the optical component 50 is shown in FIG.
As shown in the figure, the holes are inclined at an inclination angle of 60 degrees. On the other hand, as shown in FIG. 7B, the inclined hole 51b provided in the optical component 50 is inclined at an inclination angle of 120 degrees. Both of the inclined holes 51a and 51b have openings of 50 μm.

【0139】本第7の実施形態における光学部品50は
Niからなる50μmの板厚の電鋳構造体で、その製造
方法は図4に示す第2の実施形態の製造方法と同じ工程
および条件を用いて製造した。第2の実施形態とは、不
透明導電性層のパターン形状が異なっている。
The optical component 50 according to the seventh embodiment is an electroformed structure made of Ni and having a thickness of 50 μm and has the same steps and conditions as those of the second embodiment shown in FIG. Manufactured. The second embodiment differs from the second embodiment in the pattern shape of the opaque conductive layer.

【0140】本第7の実施形態の光学部品は図8に示す
ような表示装置に利用できる。図8は本発明の第7の実
施形態の光学部品の利用した表示装置を示した図であ
る。図8に示す表示装置400は光学部品50と光源3
000とで構成される。互いに傾きの異なる貫通した傾
斜孔51a、51bがあけられた光学部品50の背面に
光源3000を配置し光を照射させる。すると、光源3
000から照射された光は図7(a)、図7(b)に示
すように、貫通した傾斜孔51a、51bそれぞれの傾
斜角度にそった方向の光のみが透過し、それ以外の方向
の光は遮光される。
The optical component of the seventh embodiment can be used for a display device as shown in FIG. FIG. 8 is a view showing a display device using an optical component according to a seventh embodiment of the present invention. The display device 400 shown in FIG.
000. The light source 3000 is arranged on the back surface of the optical component 50 in which the penetrating inclined holes 51a and 51b having different inclinations are formed, and light is emitted. Then, light source 3
7 (a) and 7 (b), only light in the direction along the respective inclination angles of the penetrated inclined holes 51a and 51b is transmitted, and light in other directions is transmitted. Light is blocked.

【0141】本発明による第7の実施形態の光学部品を
使った表示装置4000は傾斜孔51a、51bそれぞ
れの傾斜角度にそった方向の光のみを表示させる表示装
置4000である。
The display device 4000 using the optical component according to the seventh embodiment of the present invention is a display device 4000 that displays only light in a direction along the respective inclination angles of the inclined holes 51a and 51b.

【0142】光学部品50の背面に光源3000を配置
し光を照射させた時、図8(a)のように傾斜孔51a
の傾斜方向と同じ方向であるα方向から光学部品50を
眺めると、傾斜孔51aを透過した光だけを観察でき、
傾斜孔51bを透過した光は観察できない。その結果、
図8(a)に示すように、透過光によって描かれた
「A」という文字を観察できることになる。
When the light source 3000 is arranged on the back surface of the optical component 50 and is irradiated with light, as shown in FIG.
When the optical component 50 is viewed from the α direction which is the same direction as the tilt direction of the optical component 50, only the light transmitted through the tilt hole 51a can be observed.
Light transmitted through the inclined hole 51b cannot be observed. as a result,
As shown in FIG. 8A, the character "A" drawn by the transmitted light can be observed.

【0143】一方、図8(b)のように傾斜孔51bの
傾斜方向と同じ方向であるβ方向から光学部品50を眺
めると、傾斜孔51bを透過した光だけを観察でき、傾
斜孔51aを透過した光は観察できない。その結果、図
8(b)に示すように、透過光によって描かれた「B」
という文字を観察できることになる。
On the other hand, when the optical component 50 is viewed from the β direction which is the same direction as the inclined direction of the inclined hole 51b as shown in FIG. 8B, only the light transmitted through the inclined hole 51b can be observed, and the inclined hole 51a can be observed. The transmitted light cannot be observed. As a result, as shown in FIG. 8B, “B” drawn by the transmitted light
Can be observed.

【0144】以上のように、本発明の第7の実施形態の
光学部品50によって、観察する方向により異なる画像
を浮かび上がらせることが可能な表示装置4000を達
成できた。
As described above, with the optical component 50 according to the seventh embodiment of the present invention, the display device 4000 capable of displaying different images depending on the viewing direction has been achieved.

【0145】なお、本発明の第7の実施形態の光学部品
50は、図4に示す第2の実施形態の製造方法によって
製造し、電鋳工程後にレジスト310、不透明導電性層
200、透明性基板100を除去して完成させたが、透
明性基板100は光を透過させることができるので、レ
ジスト310のみを除去し、不透明導電性層200、透
明性基板100は除去しなくてもかまわない。その場合
においても、光学部品として十分に機能させることが可
能である。
The optical component 50 according to the seventh embodiment of the present invention is manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment shown in FIG. 4, and after the electroforming step, the resist 310, the opaque conductive layer 200, and the Although the substrate 100 was removed and completed, since the transparent substrate 100 can transmit light, only the resist 310 may be removed, and the opaque conductive layer 200 and the transparent substrate 100 may not be removed. . Even in such a case, it is possible to sufficiently function as an optical component.

【0146】(第8の実施形態)図9は本発明の第8の
実施形態によるノズル部品を用いた液体噴出装置のノズ
ル近傍の断面図と本発明の第9の実施形態によるノズル
部品を用いた液体噴出装置のノズル近傍の断面図であ
る。本発明の傾斜孔を備えた電鋳構造体は、液体や気体
などの流体を噴出させるための噴出装置を構成するノズ
ル部品にも応用できる。
(Eighth Embodiment) FIG. 9 is a sectional view showing the vicinity of a nozzle of a liquid ejecting apparatus using a nozzle component according to an eighth embodiment of the present invention, and using the nozzle component according to the ninth embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view of the vicinity of a nozzle of the liquid ejecting apparatus. The electroformed structure provided with the inclined hole according to the present invention can be applied to a nozzle component constituting an ejection device for ejecting a fluid such as a liquid or a gas.

【0147】本第8の実施形態では、図9(a)に示す
ように液体600を蓄えておくための部品である液体チ
ャンバー500の一部に液体600を噴出させるための
ノズル61が備わったノズル部品60が接合されてい
る。液体チャンバー500内には液体600が十分に満
たされており、何らかの方法で液体600に外力を加え
ることで、ノズル61から液体600が噴出される構造
になっている。本第8の実施形態のノズル部品60は直
径50μmの円形の開口部を有するノズル61が、図9
(a)に示すように、液体600が噴出する側に向かっ
てお互い近づく角度で傾いて形成されている。そのた
め、加圧された液体600は図9(a)の破線で示され
るように噴出することになる。このように本発明による
第8の実施形態のノズル部品を用いた液体噴出装置で
は、液体を狭い範囲に高い密度で噴出するのに適してい
る。
In the eighth embodiment, as shown in FIG. 9A, a nozzle 61 for ejecting the liquid 600 is provided in a part of the liquid chamber 500, which is a part for storing the liquid 600. The nozzle component 60 is joined. The liquid chamber 500 is sufficiently filled with the liquid 600, and the liquid 600 is ejected from the nozzle 61 by applying an external force to the liquid 600 by some method. The nozzle component 60 of the eighth embodiment has a nozzle 61 having a circular opening having a diameter of 50 μm, as shown in FIG.
As shown in (a), the liquid 600 is inclined at an angle approaching each other toward the side from which the liquid 600 is ejected. Therefore, the pressurized liquid 600 is ejected as shown by the broken line in FIG. As described above, the liquid ejecting apparatus using the nozzle component according to the eighth embodiment of the present invention is suitable for ejecting a liquid at a high density in a narrow range.

【0148】本第8の実施形態の異なった角度で傾斜し
たノズル61を備えたノズル部品60は本発明の第2の
実施形態と同様の製造方法で製造することができる。本
第8の実施形態では、その製造方法を用いることによっ
て、Niからなる板厚50μmのノズル部品60を製造
することができた。
The nozzle component 60 having the nozzles 61 inclined at different angles according to the eighth embodiment can be manufactured by the same manufacturing method as that of the second embodiment of the present invention. In the eighth embodiment, by using the manufacturing method, the nozzle component 60 made of Ni and having a plate thickness of 50 μm can be manufactured.

【0149】なお、本第8の実施形態では、液体を噴出
させるための液体噴出装置に備わるノズル部品を本発明
で達成したものであるが、噴出させる物体は液体に限ら
れる必要はなく、流体であれば、気体や固体、もしくは
それらの混在する物体であってもかまわない。なお流体
とは外力によって流動可能な物体のことを言う。
In the eighth embodiment, the nozzle component provided in the liquid ejecting apparatus for ejecting the liquid is achieved by the present invention. However, the object to be ejected is not limited to the liquid, but may be a fluid. If so, it may be a gas or a solid, or an object in which both are mixed. Note that a fluid refers to an object that can flow by an external force.

【0150】(第9の実施形態)本第9の実施形態で
は、図9(b)に示すように液体600を蓄えておくた
めの部品である液体チャンバー500の一部に液体60
0を噴出させるためのノズル71が備わったノズル部品
70が接合されている。液体チャンバー500内には液
体600が十分に満たされており、何らかの方法で液体
600に外力を加えることで、ノズル71から液体60
0が噴出される構造になっている。本第9の実施形態の
ノズル部品70は直径50μmの円形の開口部を有する
ノズル71が、図9(b)に示すように、液体600が
噴出する側に向かってお互い遠のく角度で傾いて形成さ
れている。そのため、加圧された液体600は図9
(b)の破線で示されるように噴出することになる。こ
のように本発明による第8の実施形態のノズル部品を用
いた液体噴出装置では、一度の噴出で別々の場所に液体
を噴出するのに適している。
(Ninth Embodiment) In the ninth embodiment, as shown in FIG. 9B, a liquid 60 is stored in a part of a liquid chamber 500 which is a part for storing a liquid 600.
A nozzle component 70 provided with a nozzle 71 for jetting 0 is joined. The liquid chamber 500 is sufficiently filled with the liquid 600, and an external force is applied to the liquid 600 by any method, so that the liquid
0 is ejected. In the nozzle component 70 of the ninth embodiment, a nozzle 71 having a circular opening with a diameter of 50 μm is formed at an angle away from each other toward the side from which the liquid 600 is ejected, as shown in FIG. 9B. Have been. Therefore, the liquid 600 pressurized is
As shown by the dashed line in FIG. As described above, the liquid ejecting apparatus using the nozzle component according to the eighth embodiment of the present invention is suitable for ejecting liquid to different places by one ejection.

【0151】本第9の実施形態の異なった角度で傾斜し
たノズル71を備えたノズル部品70は本発明の第2の
実施形態と同様の製造方法で製造することができる。本
第9の実施形態では、その製造方法を用いることによっ
て、Niからなる板厚50μmのノズル部品70を製造
することができた。
The nozzle part 70 having the nozzles 71 inclined at different angles according to the ninth embodiment can be manufactured by the same manufacturing method as that of the second embodiment of the present invention. In the ninth embodiment, by using the manufacturing method, the nozzle component 70 made of Ni and having a plate thickness of 50 μm can be manufactured.

【0152】[0152]

【発明の効果】本発明によれば、従来達成できなかった
非常に微小な開口部を有する傾斜孔を備えた構造体を得
ることができた。さらに、寸法精度が良好な信頼性の高
い傾斜孔を備えた構造体を得ることができた。さらに多
くの孔を一括して加工できるため、生産性も非常に良好
であった。
According to the present invention, it is possible to obtain a structure having an inclined hole having a very small opening, which has not been achieved conventionally. Further, it was possible to obtain a structure having a highly reliable inclined hole with good dimensional accuracy. Since more holes can be processed at once, the productivity was also very good.

【0153】さらに本発明の上記手段により、非常に微
小で寸法精度の高い、所定の角度で傾斜したノズル孔を
備えたノズル部品を得ることができた。
Further, by the above means of the present invention, it was possible to obtain a nozzle component having a nozzle hole which is extremely minute, has high dimensional accuracy, and is inclined at a predetermined angle.

【0154】さらに本発明の上記手段により、非常に微
小で寸法精度の高い、傾斜した貫通孔を備えた光学部品
を得ることができた。
Further, by the above means of the present invention, it was possible to obtain an optical component having an extremely small size, high dimensional accuracy, and an inclined through hole.

【0155】さらには本発明の上記手段により、観察す
る方向によって異なる画像を表示させる表示装置を得る
ことができた。
Further, by the above-described means of the present invention, it was possible to obtain a display device for displaying different images depending on the viewing direction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態による電鋳構造体の断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view of an electroformed structure according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態による電鋳構造体の断面図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view of an electroformed structure according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態による電鋳構造体の製造方法
を示した図である。
FIG. 3 is a view showing a method for manufacturing an electroformed structure according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施形態による電鋳構造体の製造方法
を示した図である。
FIG. 4 is a view illustrating a method for manufacturing an electroformed structure according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳構
造体の斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view of an electroformed structure having inclined holes according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明による傾斜した貫通孔を備えた光学部品
の平面図である。
FIG. 6 is a plan view of an optical component having an inclined through hole according to the present invention.

【図7】本発明による傾斜した貫通孔を備えた光学部品
の要部断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a main part of an optical component having an inclined through hole according to the present invention.

【図8】本発明の光学部品の利用した表示装置を示した
図である。
FIG. 8 is a diagram showing a display device using the optical component of the present invention.

【図9】本発明によるノズル部品を用いた液体噴出装置
のノズル近傍の断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of the vicinity of a nozzle of a liquid ejection device using a nozzle component according to the present invention.

【図10】本発明の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳
構造体の断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of an electroformed structure having inclined holes according to an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳
構造体の製造方法の前半の工程を示した図である。
FIG. 11 is a diagram showing a first half of a method of manufacturing an electroformed structure having inclined holes according to an embodiment of the present invention.

【図12】本発明の実施形態による傾斜孔を備えた電鋳
構造体の製造方法の後半の工程を示した図である。
FIG. 12 is a view showing a latter half of the method of manufacturing the electroformed structure having the inclined holes according to the embodiment of the present invention.

【図13】本発明の電鋳構造体の傾斜孔の開口部の大き
さをあらわした図である。
FIG. 13 is a diagram showing the size of the opening of the inclined hole of the electroformed structure of the present invention.

【図14】本発明の実施形態における微小構造体の製造
方法における露光工程を示した図である。
FIG. 14 is a view showing an exposure step in the method for manufacturing a microstructure according to the embodiment of the present invention.

【図15】本発明の実施形態における微小構造体の製造
方法の露光工程後の工程を示した図である。
FIG. 15 is a view showing a step after an exposure step in the method for manufacturing a microstructure according to the embodiment of the present invention.

【図16】従来のドリルによる機械加工で製造された傾
斜孔を備えた構造体の斜視図である。
FIG. 16 is a perspective view of a structure having inclined holes manufactured by machining with a conventional drill.

【図17】従来のドリルによって傾斜した孔を加工する
ときの状態図である。
FIG. 17 is a diagram showing a state in which an inclined hole is machined by a conventional drill.

【符号の説明】 10、20、30、40、80、90 電鋳構造体 11、21a、21b、31、41 傾斜孔 50 光学部品 51a、51b 傾斜孔 60、70 ノズル部品 61、71 ノズル 81、82、91、93 傾斜孔 92 垂直孔 100 透明性基板 200、210 不透明導電性層 220 第1の不透明性層 230 第2の不透明性層 300、310、311、320 レジスト 330、350 第1のレジスト 340、360 第2のレジスト 400、410、420 遮光マスク 500 液体チャンバー 600 液体 800 光源 900 電鋳元型 1000 構造体 1100 孔 2000 ドリル 3000 光源 4000 表示装置[Description of Signs] 10, 20, 30, 40, 80, 90 Electroformed structure 11, 21a, 21b, 31, 41 Inclined hole 50 Optical component 51a, 51b Inclined hole 60, 70 Nozzle component 61, 71 Nozzle 81, 82, 91, 93 Inclined hole 92 Vertical hole 100 Transparent substrate 200, 210 Opaque conductive layer 220 First opaque layer 230 Second opaque layer 300, 310, 311, 320 Resist 330, 350 First resist 340, 360 Second resist 400, 410, 420 Light shielding mask 500 Liquid chamber 600 Liquid 800 Light source 900 Electroforming mold 1000 Structure 1100 Hole 2000 Drill 3000 Light source 4000 Display device

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 19/14 G09F 19/14 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) G09F 19/14 G09F 19/14

Claims (42)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 微小孔が傾斜してあけられている微小形
状構造体であって、前記微小孔の開口部の形状が、楕円
形状以外の形状であり、前記微小孔の中心軸と前記微小
孔があけられている面とがなす角度を傾斜角度とした場
合に、前記傾斜角度が90度以外の角度である微小形状
構造体。
1. A micro-shaped structure in which micro holes are inclined and opened, wherein the shape of the opening of the micro holes is a shape other than an elliptical shape, and a center axis of the micro holes and the micro holes are formed. A micro-shaped structure wherein the angle of inclination is an angle other than 90 degrees when an angle formed by a surface with a hole is an angle of inclination.
【請求項2】 前記傾斜角度が、45°以上135°以
下の角度であることを特徴とする請求項1に記載の微小
形状構造体。
2. The microstructure according to claim 1, wherein the inclination angle is an angle of 45 ° or more and 135 ° or less.
【請求項3】 複数の微小孔が傾斜してあけられている
微小形状構造体であって、前記微小孔の開口部の形状
が、楕円形状以外の形状であり、前記微小孔の中心軸と
前記微小孔があけられている面とがなす角度を傾斜角度
とした場合に、前記複数の微小孔のうち、前記傾斜角度
が他の微小孔と異なる微小孔を有する微小形状構造体。
3. A micro-shaped structure in which a plurality of micro-holes are formed at an angle, wherein an opening of the micro-hole has a shape other than an elliptical shape, and a center axis of the micro-hole. A micro-shaped structure having a plurality of micro holes, wherein the angle of inclination is different from other micro holes, when an angle formed by a surface with the micro holes is an inclination angle.
【請求項4】 前記微小孔の開口部の大きさが、前記開
口部の形状に内接する円の直径であらわされ、前記開口
部の大きさが50μm以下であることを特徴とする請求
項1または請求項3に記載の微小形状構造体。
4. The method according to claim 1, wherein the size of the opening of the minute hole is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is 50 μm or less. Or the micro-shaped structure according to claim 3.
【請求項5】 前記微小孔の開口部の形状が、多角形状
であることを特徴とする請求項1または請求項3に記載
の微小形状構造体。
5. The micro-shaped structure according to claim 1, wherein the shape of the opening of the micro-hole is polygonal.
【請求項6】 貫通した微小孔と貫通していない微小孔
の両方を備えていることを特徴とする請求項3に記載の
微小形状構造体。
6. The micro-shaped structure according to claim 3, wherein both the micro-holes penetrating and the micro-holes not penetrating are provided.
【請求項7】 Ni、Cu、Co、Sn、Zn、Au、
Pt、AgまたはPbのうち少なくとも一つの元素を含
む材料からなることを特徴とする請求項1または請求項
3に記載の微小形状構造体。
7. Ni, Cu, Co, Sn, Zn, Au,
The microstructure according to claim 1, wherein the microstructure is made of a material containing at least one element of Pt, Ag, and Pb.
【請求項8】 微小孔を備えた微小形状構造体であっ
て、 前記微小孔が、不透明導電性層が所望の形状でパターン
化して形成された透明性基板の、前記不透明導電性層が
形成されている面上に、感光性材料層を形成する工程
と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して90度以外
の所定の角度で光を照射して前記感光性材料層を露光す
る工程と、 前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法によって微小形状構造体
を形成する電鋳工程と、 前記微小形状構造体を前記透明性基板、前記感光性材料
層から分離する工程とを有する形成法によって形成され
る微小形状構造体。
8. A microstructure having micropores, wherein the micropores are formed on a transparent substrate formed by patterning an opaque conductive layer in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on the surface on which the opaque conductive layer is not formed on the transparent substrate. Exposing the photosensitive material layer by irradiating light at an angle of; developing and patterning the photosensitive material layer; forming a micro-shaped structure on the opaque conductive layer by electroforming. A micro-shaped structure formed by a forming method comprising: an electroforming step of forming; and a step of separating the micro-shaped structure from the transparent substrate and the photosensitive material layer.
【請求項9】 所定の角度で傾斜した微小形状を備えた
微小形状構造体であって、 光を透過する透明性基板と、透明性基板の一方の面にパ
ターン化して形成された第一不透明性層と、透明性基板
の他方の面にパターン化して形成された第二不透明性層
と、パターン化された感光性材料層を有し、 前記感光性材料層は、透明性基板上のうち、第一不透明
性層の非成膜部分に設置されており、第二不透明性層の
非成膜部分と第一不透明性層の非成膜部分とを通って光
が透過する方向に向かって形成されている微小形状構造
体。
9. A micro-shaped structure having a micro-shape inclined at a predetermined angle, comprising: a transparent substrate that transmits light; and a first opaque pattern formed on one surface of the transparent substrate by patterning. A transparent layer, a second opaque layer formed by patterning on the other surface of the transparent substrate, and a patterned photosensitive material layer, wherein the photosensitive material layer Is disposed on the non-film-forming portion of the first opaque layer, and in a direction in which light passes through the non-film-forming portion of the second opaque layer and the non-film-forming portion of the first opaque layer. The formed micro-shaped structure.
【請求項10】 所定の角度で傾斜した微小形状を備え
た微小形状構造体であって、 パターン化された第一不透明性層と第二不透明性層とを
それぞれ別の所定の面上に形成する工程と、第一不透明
性層上に感光性材料層が形成されている透明性基板を、
光源から照射可能な位置に配置し、透明性基板と光源と
の相対位置を変化させることによって、感光性材料層を
第一不透明性層及び第二不透明性層のパターンに応じた
形状で露光してパターン化する工程とを有する形成法に
よって形成される微小形状構造体。
10. A micro-shaped structure having a micro-shape inclined at a predetermined angle, wherein a patterned first opaque layer and a second opaque layer are formed on different predetermined surfaces, respectively. And a transparent substrate having a photosensitive material layer formed on the first opaque layer,
The photosensitive material layer is exposed in a shape corresponding to the pattern of the first opaque layer and the second opaque layer by changing the relative position between the transparent substrate and the light source by arranging the light-sensitive material at a position that can be irradiated from the light source. A micro-shaped structure formed by a forming method comprising the steps of:
【請求項11】 前記第一不透明性層と、前記第二不透
明性層には、少なくとも一つの非成膜部を有することを
特徴とする請求項9または請求項10に記載の微小形状
構造体。
11. The micro-shaped structure according to claim 9, wherein the first opaque layer and the second opaque layer have at least one non-film-forming portion. .
【請求項12】 前記第一不透明性層と前記第二不透明
性層のパターン化された形状は、それぞれ異なる形状で
あることを特徴とする請求項9または請求項10に記載
の微小形状構造体。
12. The micro-shaped structure according to claim 9, wherein a patterned shape of the first opaque layer and a patterned shape of the second opaque layer are different from each other. .
【請求項13】 微小孔を備えた微小形状構造体の製造
方法であって、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記不透明導電性層が形成されている
面上に、感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して90度以外
の所定の角度で光を照射して前記感光性材料層を露光す
る工程と、 前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法によって微小形状構造体
を形成する電鋳工程と、 前記微小形状構造体を前記透明性基板、前記感光性材料
層から分離する工程とを有する微小形状構造体の製造方
法。
13. A method for manufacturing a micro-shaped structure having micro holes, wherein the opaque conductive layer is formed on a transparent substrate formed by patterning the opaque conductive layer in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on the surface of the transparent substrate, and a predetermined angle other than 90 degrees with respect to the plane of the transparent substrate from the surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed. Exposing the photosensitive material layer by irradiating the photosensitive material layer with light; developing the photosensitive material layer to form a pattern; forming a microstructure on the opaque conductive layer by electroforming. A method for manufacturing a microscopic structure, comprising: an electroforming step; and a step of separating the microscopic structure from the transparent substrate and the photosensitive material layer.
【請求項14】 微小孔を備えた微小形状構造体の製造
方法であって、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記不透明導電性層が形成されている
面上に、感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して所定の角度
で光を照射し、前記感光性材料層の所定の部分を所望の
形状で露光する第1の露光工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して第1の露光
工程と異なった角度で光を照射し、前記感光性材料層の
前記第1の露光工程で未露光の部分を所望の形状で露光
する第2の露光工程と、 前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法によって微小形状構造体
を形成する電鋳工程と、 前記微小形状構造体を前記透明性基板、前記感光性材料
層から分離する工程とを有する微小形状構造体の製造方
法。
14. A method for producing a micro-shaped structure having micro holes, wherein the opaque conductive layer is formed on a transparent substrate formed by patterning the opaque conductive layer in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on a surface of the transparent substrate, and irradiating light at a predetermined angle to a plane of the transparent substrate from a surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed. A first exposure step of exposing a predetermined portion of the photosensitive material layer in a desired shape; and a plane of the transparent substrate from a side of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed. A second exposure step of irradiating light at an angle different from that of the first exposure step, and exposing an unexposed portion of the photosensitive material layer in a desired shape in the first exposure step; Developing and patterning a layer of photosensitive material; Production of a micro-shaped structure having an electroforming step of forming a micro-shaped structure on an electroconductive layer by an electroforming method, and a step of separating the micro-shaped structure from the transparent substrate and the photosensitive material layer Method.
【請求項15】 微小孔を備えた微小形状構造体の製造
方法であって、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記不透明導電性層が形成されている
面上に、第1の感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して所定の角度
で光を照射し、前記第1の感光性材料層の所定の部分を
所望の形状で露光する第1の露光工程と、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記第1の感光性材料層上に、第2の
感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して所定の角度
で光を照射し、前記第2の感光性材料層を所望の形状で
露光する第2の露光工程と、 前記第1の感光性材料層と第2の感光性材料層を現像し
て、第1の感光性材料層からなる第1パターンと、第1
の感光性材料層と第2の感光性材料層とからなる第2パ
ターンを形成する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法を施し、前記第1パター
ンは完全に覆われ、前記第2パターンは覆われない厚さ
で微小形状構造体を形成する電鋳工程と、 前記微小形状構造体を前記透明性基板、前記感光性材料
層から分離する工程とを有する微小形状構造体の製造方
法。
15. A method of manufacturing a micro-shaped structure having micro holes, wherein the opaque conductive layer is formed on a transparent substrate formed by patterning the opaque conductive layer in a desired shape. Forming a first photosensitive material layer on the surface on which the opaque conductive layer is not formed on the transparent substrate at a predetermined angle with respect to the plane of the transparent substrate. A first exposure step of irradiating light and exposing a predetermined portion of the first photosensitive material layer in a desired shape; and a transparent substrate formed by patterning the opaque conductive layer in a desired shape. Forming a second photosensitive material layer on the first photosensitive material layer; and forming a flat surface of the transparent substrate from a side of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed. Is irradiated at a predetermined angle to the second photosensitive material layer. A second exposure step of exposing at Nozomu shape, by developing the first photosensitive material layer and the second photosensitive material layer, a first pattern of a first photosensitive material layer, the first
Forming a second pattern consisting of a photosensitive material layer and a second photosensitive material layer, and electroforming the opaque conductive layer, the first pattern is completely covered, and Production of a micro-shaped structure comprising: an electroforming step of forming a micro-shaped structure with a thickness that does not cover two patterns; and a step of separating the micro-shaped structure from the transparent substrate and the photosensitive material layer. Method.
【請求項16】 所定の角度で傾斜した微小形状を備え
た微小形状構造体の製造方法であって、 パターン化された第一不透明性層と第二不透明性層とを
それぞれ別の所定の面上に形成する工程と、第一不透明
性層上に感光性材料層が形成されている透明性基板を、
光源から照射可能な位置に配置し、透明性基板と光源と
の相対位置を変化させることによって、感光性材料層を
第一不透明性層及び第二不透明性層のパターンに応じた
形状で露光してパターン化する工程とを有する微小形状
構造体の製造方法。
16. A method of manufacturing a micro-shaped structure having a micro-shape inclined at a predetermined angle, wherein the patterned first opaque layer and the second opaque layer are respectively formed on different predetermined surfaces. Forming a transparent substrate on which a photosensitive material layer is formed on the first opaque layer,
The photosensitive material layer is exposed in a shape corresponding to the pattern of the first opaque layer and the second opaque layer by changing the relative position between the transparent substrate and the light source by arranging the light-sensitive material at a position that can be irradiated from the light source. And forming a micro-shaped structure.
【請求項17】 所定の角度で傾斜した形状を備えた微
小形状構造体の製造方法であって、 光を透過する透明性基板の一方の面上に導電性を有する
第一不透明性層を所望のパターン形状で形成する工程
と、透明性基板の他方の面上には前記第一不透明性層と
は異なる別のパターンで第二不透明性層を形成する工程
と、前記第一不透明性層上に感光性材料層を形成する工
程と、 前記第一不透明性層、第二不透明性層および感光性材料
層が形成された透明性基板と、光源の少なくともどちら
か一方を、所定の相対速度で移動させながら、第二不透
明性層が形成された側から露光を行い、前記感光性材料
層を部分的に感光させる工程と、 前記部分的に感光された感光性材料層を現像し、パター
ン化する工程と、 前記導電性を有する第一不透明性層上に電鋳法によって
微小形状構造体を形成する工程と、 前記微小形状構造体を前記パターン化された感光性材料
層、透明性基板から分離する工程とを有する微小形状構
造体の製造方法。
17. A method of manufacturing a micro-shaped structure having a shape inclined at a predetermined angle, wherein a first opaque layer having conductivity is provided on one surface of a transparent substrate that transmits light. Forming a second opaque layer in another pattern different from the first opaque layer on the other surface of the transparent substrate; and Step of forming a photosensitive material layer, and the first opaque layer, the transparent substrate on which the second opaque layer and the photosensitive material layer are formed, at least one of the light source, at a predetermined relative speed, Exposing from the side on which the second opaque layer is formed while moving, partially exposing the photosensitive material layer, and developing and patterning the partially exposed photosensitive material layer And a first opaque layer having conductivity Process and the micro-shaped structure of the patterned photosensitive material layer, the manufacturing method of the micro-shaped structure and a step of separating the transparent substrate to form a micro-shaped structures by electroforming method.
【請求項18】 前記第一不透明性層および第二不透明
性層が、それぞれ少なくとも一つの非成膜部を有するこ
とを特徴とする請求項16または請求項17に記載の微
小形状構造体の製造方法。
18. The method according to claim 16, wherein each of the first opaque layer and the second opaque layer has at least one non-film-forming portion. Method.
【請求項19】 電鋳法によって製造され、流体を噴出
させるためのノズル孔を有するノズル部品であって、前
記ノズル孔の開口部の形状が、楕円形状以外の形状であ
り、前記ノズル孔の中心軸と前記ノズル孔があけられて
いる面とがなす角度を傾斜角度とした場合に、前記傾斜
角度が90度以外の角度であるノズル部品。
19. A nozzle component manufactured by an electroforming method and having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein an opening of the nozzle hole has a shape other than an elliptical shape. A nozzle component, wherein the inclination angle is an angle other than 90 degrees when an angle formed between a central axis and a surface provided with the nozzle hole is an inclination angle.
【請求項20】 前記傾斜角度が、45°以上135°
以下の角度であることを特徴とする請求項19に記載の
ノズル部品。
20. The inclination angle is 45 ° or more and 135 °.
20. The nozzle component according to claim 19, wherein the angle is as follows.
【請求項21】 電鋳法によって製造され、流体を噴出
させるための複数のノズル孔を有するノズル部品であっ
て、前記ノズル孔の開口部の形状が、楕円形状以外の形
状であり、前記ノズル孔の中心軸と前記ノズル孔があけ
られている面とがなす角度を傾斜角度とした場合に、前
記複数のノズル孔のうち、前記傾斜角度が他のノズル孔
と異なるノズル孔を有するノズル部品。
21. A nozzle component manufactured by an electroforming method and having a plurality of nozzle holes for ejecting a fluid, wherein an opening of the nozzle hole has a shape other than an elliptical shape. A nozzle component having, among the plurality of nozzle holes, a nozzle hole having the different inclination angle from other nozzle holes, when an angle formed between a central axis of the hole and a surface on which the nozzle hole is formed is an inclination angle; .
【請求項22】 前記ノズル孔の開口部の大きさが、前
記開口部の形状に内接する円の直径であらわされ、前記
開口部の大きさが50μm以下であることを特徴とする
請求項19または請求項21に記載のノズル部品。
22. The size of the opening of the nozzle hole is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is 50 μm or less. Or the nozzle component according to claim 21.
【請求項23】 前記ノズル孔の開口部の形状が、多角
形状であることを特徴とする請求項19または請求項2
1に記載のノズル部品。
23. The method according to claim 19, wherein the shape of the opening of the nozzle hole is polygonal.
2. The nozzle component according to 1.
【請求項24】 Ni、Cu、Co、Sn、Zn、A
u、Pt、AgまたはPbのうち少なくとも一つの元素
を含む材料からなることを特徴とする請求項19または
請求項21に記載のノズル部品。
24. Ni, Cu, Co, Sn, Zn, A
22. The nozzle component according to claim 19, wherein the nozzle component is made of a material containing at least one of u, Pt, Ag, and Pb.
【請求項25】 流体を噴出させるためのノズル孔を有
するノズル部品の製造方法であって、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記不透明導電性層が形成されている
面上に、感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して90度以外
の所定の角度で光を照射して前記感光性材料層を露光す
る工程と、 前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法によってノズル部品を形
成する工程と、 前記ノズル部品を前記透明性基板、前記感光性材料層か
ら分離する工程とを有するノズル部品の製造方法。
25. A method of manufacturing a nozzle component having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein the opaque conductive layer of a transparent substrate formed by patterning the opaque conductive layer in a desired shape is provided. A step of forming a photosensitive material layer on the surface on which the opaque conductive layer is not formed on the surface of the transparent substrate other than 90 degrees with respect to a plane of the transparent substrate; Exposing the photosensitive material layer by irradiating light at a predetermined angle; developing and patterning the photosensitive material layer; forming a nozzle part on the opaque conductive layer by electroforming. And a step of separating the nozzle component from the transparent substrate and the photosensitive material layer.
【請求項26】 流体を噴出させるためのノズル孔を有
するノズル部品の製造方法であって、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記不透明導電性層が形成されている
面上に、感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して所定の角度
で光を照射し、前記感光性材料層の所定の部分を所望の
形状で露光する第1の露光工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して第1の露光
工程と異なった角度で光を照射し、前記感光性材料層の
前記第1の露光工程で未露光の部分を所望の形状で露光
する第2の露光工程と、 前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法によってノズル部品を形
成する工程と、 前記ノズル部品を前記透明性基板、前記感光性材料層か
ら分離する工程とを有するノズル部品の製造方法。
26. A method of manufacturing a nozzle component having a nozzle hole for ejecting a fluid, wherein the opaque conductive layer is formed by patterning a opaque conductive layer in a desired shape. Forming a photosensitive material layer on the surface on which the opaque conductive layer is not formed on the surface on which the opaque conductive layer is not formed, at a predetermined angle with respect to the plane of the transparent substrate; A first exposure step of irradiating light to expose a predetermined portion of the photosensitive material layer in a desired shape; and a step of exposing the transparent substrate from the side of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed. A second exposure step of irradiating the plane of the substrate with light at an angle different from that of the first exposure step, and exposing an unexposed portion of the photosensitive material layer in a desired shape in the first exposure step Developing and patterning the photosensitive material layer Step and said forming a nozzle part by electroforming on the opaque conductive layer on the transparent substrate of the nozzle part, a manufacturing method of a nozzle part and a step of separating from the photosensitive material layer.
【請求項27】 電鋳法によって製造され、微小孔を備
えた光学部品であって、前記微小孔の開口部の形状が、
楕円形状以外の形状であり、前記微小孔の中心軸と前記
微小孔があけられている面とがなす角度を傾斜角度とし
た場合に、前記傾斜角度が90度以外の角度である光学
部品。
27. An optical component manufactured by an electroforming method and having micro holes, wherein an opening of the micro holes has a shape of:
An optical component having a shape other than an elliptical shape, wherein the inclination angle is an angle other than 90 degrees when an angle formed between a central axis of the microhole and a surface on which the microhole is formed is an inclination angle.
【請求項28】 前記傾斜角度が、45°以上135°
以下の角度であることを特徴とする請求項27に記載の
光学部品。
28. The inclination angle is 45 ° or more and 135 °.
The optical component according to claim 27, wherein the angle is as follows.
【請求項29】 電鋳法によって製造され、複数の微小
孔を備えた光学部品であって、前記微小孔の開口部の形
状が、楕円形状以外の形状であり、前記微小孔の中心軸
と前記微小孔があけられている面とがなす角度を傾斜角
度とした場合に、前記複数の微小孔のうち、前記傾斜角
度が他の微小孔と異なる微小孔を有する光学部品。
29. An optical component manufactured by an electroforming method and provided with a plurality of micro holes, wherein the shape of the opening of the micro holes is a shape other than an elliptical shape, and the center of the micro holes is An optical component having, among the plurality of micro holes, a micro hole having the different inclination angle from another micro hole, where an angle formed by a surface on which the micro holes are formed is an inclination angle.
【請求項30】 前記微小孔の開口部の大きさが、前記
開口部の形状に内接する円の直径であらわされ、前記開
口部の大きさが50μm以下であることを特徴とする請
求項27または請求項29に記載の光学部品。
30. The size of the opening of the minute hole is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is 50 μm or less. Or the optical component according to claim 29.
【請求項31】 前記微小孔の開口部の形状が、多角形
状であることを特徴とする請求項27または請求項29
に記載の光学部品。
31. The shape of the opening of the minute hole is a polygonal shape.
An optical component according to item 1.
【請求項32】 Ni、Cu、Co、Sn、Zn、A
u、Pt、AgまたはPbのうち少なくとも一つの元素
を含む材料からなることを特徴とする請求項27または
請求項29に記載の光学部品。
32. Ni, Cu, Co, Sn, Zn, A
30. The optical component according to claim 27, wherein the optical component is made of a material containing at least one of u, Pt, Ag, and Pb.
【請求項33】 電鋳法によって製造され、微小孔を備
えた光学部品の製造方法であって、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記不透明導電性層が形成されている
面上に、感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して90度以外
の所定の角度で光を照射して前記感光性材料層を露光す
る工程と、 前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法によって光学部品を形成
する工程とを有する光学部品の製造方法。
33. A method of manufacturing an optical component having micropores, which is manufactured by an electroforming method, wherein the opaque conductive layer is patterned in a desired shape, and wherein the opaque conductive layer is patterned. Forming a photosensitive material layer on the surface on which the layer is formed; and 90 degrees from the surface of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed with respect to the plane of the transparent substrate. Irradiating light at a predetermined angle other than to expose the photosensitive material layer; developing and patterning the photosensitive material layer; and forming an optical component on the opaque conductive layer by electroforming. Forming an optical component.
【請求項34】 電鋳法によって製造され、微小孔を備
えた光学部品の製造方法であって、 不透明導電性層が所望の形状でパターン化して形成され
た透明性基板の、前記不透明導電性層が形成されている
面上に、感光性材料層を形成する工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して所定の角度
で光を照射し、前記感光性材料層の所定の部分を所望の
形状で露光する第1の露光工程と、 前記透明性基板の前記不透明導電性層の形成されていな
い面側から、前記透明性基板の平面に対して第1の露光
工程と異なった角度で光を照射し、前記感光性材料層の
前記第1の露光工程で未露光の部分を所望の形状で露光
する第2の露光工程と、 前記感光性材料層を現像してパターン化する工程と、 前記不透明導電性層上に電鋳法によって光学部品を形成
する工程とを有する光学部品の製造方法。
34. A method of manufacturing an optical component having micropores, which is manufactured by an electroforming method, wherein the opaque conductive layer is patterned in a desired shape. A step of forming a photosensitive material layer on the surface on which the layer is formed; and, from the side of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed, a predetermined surface with respect to the plane of the transparent substrate. Irradiating light at an angle, a first exposure step of exposing a predetermined portion of the photosensitive material layer in a desired shape, and from the side of the transparent substrate on which the opaque conductive layer is not formed, A second step of irradiating light onto the plane of the transparent substrate at an angle different from that of the first exposure step, and exposing the unexposed portion of the photosensitive material layer in a desired shape in the first exposure step. An exposure step, and developing and patterning the photosensitive material layer Degree and method of manufacturing the optical component and a step of forming an optical component by electroforming on the opaque conductive layer.
【請求項35】 微小孔を備えた光学部品と光を発する
光源とを有し、前記微小孔に光源から発せられた光を透
過させることによって画像を表示させる表示装置であっ
て、 前記微小孔の開口部の形状が、楕円形状以外の形状であ
り、前記光学部品に備わる前記微小孔が、所望の位置に
異なった傾斜角度で複数あけられており、前記光源から
発せられた光が前記微小孔の中心軸に沿った方向にしか
透過しない表示装置。
35. A display device, comprising: an optical component having a fine hole; and a light source for emitting light, wherein the display device displays an image by transmitting light emitted from the light source to the fine hole. The shape of the opening is a shape other than an elliptical shape, the plurality of micro holes provided in the optical component are formed at desired positions at different inclination angles, and the light emitted from the light source is A display device that transmits light only in the direction along the central axis of the hole.
【請求項36】 前記微小孔の開口部の大きさが、前記
開口部の形状に内接する円の直径であらわされ、前記開
口部の大きさが50μm以下であることを特徴とする請
求項35に記載の表示装置。
36. The size of the opening of the micropore is represented by the diameter of a circle inscribed in the shape of the opening, and the size of the opening is 50 μm or less. The display device according to claim 1.
【請求項37】 前記微小孔の開口部の形状が、多角形
状であることを特徴とする請求項35に記載の表示装
置。
37. The display device according to claim 35, wherein the shape of the opening of the minute hole is a polygonal shape.
【請求項38】 所定の角度で傾斜した微小形状を備え
た電鋳元型であって、 光を透過する透明性基板と、透明性基板の一方の面にパ
ターン化して形成された第一不透明性層と、透明性基板
の他方の面にパターン化して形成された第二不透明性層
と、パターン化された感光性材料層を有し、 前記感光性材料層は、透明性基板上のうち、第一不透明
性層の非成膜部分に設置されており、第二不透明性層の
非成膜部分と第一不透明性層の非成膜部分とを通って光
が透過する方向に向かって形成されている電鋳元型。
38. An electroforming mold having a minute shape inclined at a predetermined angle, comprising: a transparent substrate that transmits light; and a first opaque pattern formed on one surface of the transparent substrate by patterning. A transparent layer, a second opaque layer formed by patterning on the other surface of the transparent substrate, and a patterned photosensitive material layer, wherein the photosensitive material layer Is disposed on the non-film-forming portion of the first opaque layer, and in a direction in which light passes through the non-film-forming portion of the second opaque layer and the non-film-forming portion of the first opaque layer. An electroformed base mold that has been formed.
【請求項39】 所定の角度で傾斜した微小形状を備え
た電鋳元型であって、 パターン化された第一不透明性層と第二不透明性層をそ
れぞれ所定の面上に形成する工程と、第一不透明性層上
に感光性材料層が形成されている透明性基板を、光源か
ら照射可能な位置に配置し、透明性基板と光源との相対
位置を変化させることによって、感光性材料層を第一不
透明性層及び第二不透明性層のパターンに応じた形状で
露光してパターン化する工程とを有する形成法によって
形成される電鋳元型。
39. An electroforming die having a micro shape inclined at a predetermined angle, wherein a patterned first opaque layer and a second opaque layer are respectively formed on a predetermined surface; By disposing a transparent substrate having a photosensitive material layer formed on the first opaque layer at a position that can be irradiated from a light source, and changing the relative position between the transparent substrate and the light source, Exposing the layer to a pattern corresponding to the patterns of the first opaque layer and the second opaque layer to pattern the layer.
【請求項40】 前記第一不透明性層と、前記第二不透
明性層には、少なくとも一つの非成膜部を有することを
特徴とする請求項38または請求項39に記載の電鋳元
型。
40. The electroforming mold according to claim 38, wherein the first opaque layer and the second opaque layer have at least one non-film-forming portion. .
【請求項41】 前記第一不透明性層と前記第二不透明
性層のパターン化された形状は、それぞれ異なる形状で
あることを特徴とする請求項38または請求項39に記
載の電鋳元型。
41. The electroforming mold according to claim 38, wherein the patterned shapes of the first opaque layer and the second opaque layer are different from each other. .
【請求項42】 感光性材料層が透明性基板の第一不透
明性層が形成されている面側に形成されており、第一不
透明性層が導電性を有していることを特徴とする請求項
38または請求項39に記載の電鋳元型。
42. A photosensitive material layer is formed on the surface of the transparent substrate on which the first opaque layer is formed, and the first opaque layer has conductivity. An electroforming mold according to claim 38 or claim 39.
JP2001114756A 2000-04-14 2001-04-13 Microshape structure, nozzle parts, optical parts, display device, electroforming archetype and method of manufacturing for the same Pending JP2002146584A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114756A JP2002146584A (en) 2000-04-14 2001-04-13 Microshape structure, nozzle parts, optical parts, display device, electroforming archetype and method of manufacturing for the same

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000112793 2000-04-14
JP2000176259 2000-06-13
JP2000-253230 2000-08-24
JP2000253230 2000-08-24
JP2000-176259 2000-08-24
JP2000-112793 2000-08-24
JP2001114756A JP2002146584A (en) 2000-04-14 2001-04-13 Microshape structure, nozzle parts, optical parts, display device, electroforming archetype and method of manufacturing for the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002146584A true JP2002146584A (en) 2002-05-22

Family

ID=27481218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001114756A Pending JP2002146584A (en) 2000-04-14 2001-04-13 Microshape structure, nozzle parts, optical parts, display device, electroforming archetype and method of manufacturing for the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002146584A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005098486A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-20 Kuraray Co., Ltd. Method for manufacturing micro structure, method for manufacturing stamper using the micro structure and method for manufacturing resin micro structure using the stamper
JP2006016654A (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Kuraray Co Ltd Method for producing through type metal structure
JP2007186735A (en) * 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Instruments Inc Method for manufacturing electrocast parts
JP2008208427A (en) * 2007-02-27 2008-09-11 Seiko Instruments Inc Method of manufacturing electroforming mold , electroforming mold and method of manufacturing electroformed compoment
WO2010131755A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 独立行政法人物質・材料研究機構 Orifice plate and method for producing the same
KR20200092004A (en) * 2019-01-24 2020-08-03 ㈜ 엘에이티 Exposure Apparatus and Fine Metal Mask Manufacturing Method using the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005098486A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-20 Kuraray Co., Ltd. Method for manufacturing micro structure, method for manufacturing stamper using the micro structure and method for manufacturing resin micro structure using the stamper
JP2006016654A (en) * 2004-06-30 2006-01-19 Kuraray Co Ltd Method for producing through type metal structure
JP2007186735A (en) * 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Instruments Inc Method for manufacturing electrocast parts
JP2008208427A (en) * 2007-02-27 2008-09-11 Seiko Instruments Inc Method of manufacturing electroforming mold , electroforming mold and method of manufacturing electroformed compoment
WO2010131755A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 独立行政法人物質・材料研究機構 Orifice plate and method for producing the same
JP2010264389A (en) * 2009-05-14 2010-11-25 National Institute For Materials Science Orifice plate for jetting liquid
CN102458669A (en) * 2009-05-14 2012-05-16 独立行政法人物质·材料研究机构 Orifice plate and method for producing the same
US9366211B2 (en) 2009-05-14 2016-06-14 National Institute For Materials Science Orifice plate and manufacturing method of the orifice plate
KR20200092004A (en) * 2019-01-24 2020-08-03 ㈜ 엘에이티 Exposure Apparatus and Fine Metal Mask Manufacturing Method using the same
KR102160258B1 (en) 2019-01-24 2020-09-25 ㈜ 엘에이티 Exposure Apparatus and Fine Metal Mask Manufacturing Method using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4497779B2 (en) Hole structure and method for manufacturing hole structure
US8062835B2 (en) Method of manufacturing master plate, method of manufacturing microneedle patch and apparatus exposure apparatus
US7712198B2 (en) Microneedle array device and its fabrication method
JP4840756B2 (en) Electroforming mold, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electroformed part
US4246076A (en) Method for producing nozzles for ink jet printers
TWI396586B (en) Method of fabricating microsphere using metal substrate with through hole
US4264714A (en) Process for the manufacture of precision templates
JPWO2008018261A1 (en) Electroforming mold manufacturing method, electroforming mold and electroformed part manufacturing method
US20020100691A1 (en) 3-dimensional imprint tool
JP2002146584A (en) Microshape structure, nozzle parts, optical parts, display device, electroforming archetype and method of manufacturing for the same
US7501228B2 (en) Annular nozzle structure for high density inkjet printheads
US20080061028A1 (en) Method for producing optical member and method for producing molding die for optical member
JP2002105621A (en) Metal plate, its manufacturing method and aligner
JP3206246B2 (en) Method of manufacturing metal member having minute holes
KR100496643B1 (en) Self-aligned multi-layer metal film electro-lens of a micro-column electron beam apparatus and method for fabricating same
JP2003001829A (en) Porous structural body and its manufacturing method, nozzle plate for ink jet head and its manufacturing method
JP2004330636A (en) Method of manufacturing nozzle plate of inkjet head
JP2006016654A (en) Method for producing through type metal structure
JP4022918B2 (en) Optical component mounting structure and manufacturing method
JP5000147B2 (en) Drilling tool for ultrasonic machine
JPH11236694A (en) Production of injection molding die for fine parts
JP2020059879A (en) Perforated laminate member, and manufacturing method of perforated laminate member
JP5097985B2 (en) Electroforming mold manufacturing method, electroforming mold and electroformed part manufacturing method
TW594225B (en) Manufacturing method of light guiding micro structure
JP2002226988A (en) Laminate structure, and manufacturing method thereof