JP2002141204A - Thermistor and its manufacturing method - Google Patents

Thermistor and its manufacturing method

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JP2002141204A
JP2002141204A JP2000334828A JP2000334828A JP2002141204A JP 2002141204 A JP2002141204 A JP 2002141204A JP 2000334828 A JP2000334828 A JP 2000334828A JP 2000334828 A JP2000334828 A JP 2000334828A JP 2002141204 A JP2002141204 A JP 2002141204A
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thermistor
electrode
longitudinal direction
thermistor body
electrode layer
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Yuji Terasawa
裕次 寺澤
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Koa Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of a thermistor being regulated in its resistance by normally changing its material, but the change of its material is accompanied with a change in a B constant, making it difficult that the thermistors of the same B constant to are connected in series. SOLUTION: An electrode layer 7 is sandwiched between a thermistor body 3 and a protective film 4, the electrode layer 7 is connected electrically to a primary electrode 5, and a contact area between the electrode layer 7 and the thermistor body 3 is controlled, so as to regulate a thermistor 1 in resistance value.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はサーミスタおよびそ
の製造方法に関し、例えば、チップ型のサーミスタおよ
びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermistor and a method of manufacturing the same, for example, a chip type thermistor and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1はチップ型のサーミスタ1の外観を示
す図、図2は図1のA-A断面を示す図である。
2. Description of the Related Art FIG. 1 is a diagram showing an appearance of a chip type thermistor 1, and FIG. 2 is a diagram showing a cross section taken along line AA of FIG.

【0003】サーミスタ体3の長手方向に沿う側面に
は、サーミスタ体3を保護するために、無機複合結晶化
ガラスの保護膜4がオーバコートされている。そして、
サーミスタ体3の長手方向の両端面には、銀を焼き付け
た一次電極5、および、電解めっきで形成されたNiなど
の二次電極6が形成され、電極2として機能する。
[0003] On the side surface along the longitudinal direction of the thermistor body 3, a protective film 4 of inorganic composite crystallized glass is overcoated to protect the thermistor body 3. And
On both end surfaces of the thermistor body 3 in the longitudinal direction, a primary electrode 5 baked with silver and a secondary electrode 6 such as Ni formed by electrolytic plating are formed, and function as the electrode 2.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】図2に示すような構成
を有する、単板型または非積層型と呼ばれるサーミスタ
の抵抗値は、サーミスタ体3の材料が同じであれば、電
極2とサーミスタ体3との接触面積、つまりサーミスタ体
3の端面の面積で決まる。従って、サーミスタ1の抵抗値
調整は、サーミスタ材料の変更またはサーミスタ体3の
サイズを変更して行う。
The resistance value of the thermistor having a configuration as shown in FIG. 2 and called a single-plate type or a non-laminated type, is such that if the material of the thermistor body 3 is the same, the electrode 2 and the thermistor body 3 Contact area, that is, thermistor body
Determined by the area of the end face of 3. Therefore, the resistance value of the thermistor 1 is adjusted by changing the thermistor material or the size of the thermistor body 3.

【0005】しかし、サーミスタ材料の変更はB定数の
変化を伴うから、同一B定数における抵抗値のシリーズ
化は困難である。あえて同一B定数にこだわれば形状を
変えるしかない。
However, since the change of the thermistor material involves a change in the B constant, it is difficult to series the resistance values at the same B constant. If we stick to the same B constant, we have to change the shape.

【0006】本発明は、上述の問題を解決するためのも
のであり、サーミスタの抵抗値を任意に設定することを
目的とする。
The present invention has been made to solve the above-described problem, and has as its object to arbitrarily set the resistance of a thermistor.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の目的を
達成する一手段として、以下の構成を備える。
The present invention has the following arrangement as one means for achieving the above object.

【0008】本発明にかかるサーミスタは、サーミスタ
体の長手方向に沿う面に形成された少なくとも二つの第
一の電極層と、前記長手方向に沿う面において、前記サ
ーミスタ体の表面および前記第一の電極層を略覆う保護
膜と、前記長手方向の両端面に形成された第二の電極と
を有し、前記第一の電極層はそれぞれ前記第二の電極の
一方へ電気的に接続されていることを特徴とする。
[0008] The thermistor according to the present invention comprises at least two first electrode layers formed on a surface along a longitudinal direction of the thermistor body, and a surface of the thermistor body and the first electrode layer on the surface along the longitudinal direction. A protective film that substantially covers the electrode layer, and second electrodes formed on both end surfaces in the longitudinal direction, wherein the first electrode layers are each electrically connected to one of the second electrodes. It is characterized by being.

【0009】また、サーミスタ体の長手方向に沿う面か
ら、少なくとも前記長手方向の両端面に形成された少な
くとも二つの第一の電極層と、前記長手方向に沿う面に
おいて、前記サーミスタ体の表面および前記第一の電極
層を略覆う保護膜と、前記両端面の近傍において、前記
第一の電極を覆う第二の電極とを有することを特徴とす
る。
Further, at least two first electrode layers formed on at least both end faces in the longitudinal direction from a surface along the longitudinal direction of the thermistor body, and a surface of the thermistor body on a surface along the longitudinal direction. It is characterized in that it has a protective film that substantially covers the first electrode layer, and a second electrode that covers the first electrode near the both end faces.

【0010】本発明にかかるサーミスタの製造方法は、
サーミスタ体の長手方向に沿う面に少なくとも二つの第
一の電極層を形成し、前記長手方向に沿う面において、
前記サーミスタ体の表面および前記第一の電極層を略覆
う保護膜を形成し、前記長手方向の両端面に第二の電極
を形成して、前記第一の電極層をそれぞれ前記第二の電
極の一方へ電気的に接続することを特徴とする。
[0010] The method for manufacturing a thermistor according to the present invention comprises:
Form at least two first electrode layers on the surface along the longitudinal direction of the thermistor body, on the surface along the longitudinal direction,
Forming a protective film that substantially covers the surface of the thermistor body and the first electrode layer, forming second electrodes on both end surfaces in the longitudinal direction, and forming the first electrode layers on the second electrode respectively. Is electrically connected to one of the terminals.

【0011】また、短冊形状のサーミスタ体を作成し、
前記サーミスタ体の長手方向に沿い互いに対向する第一
の面から、少なくとも前記第一の面に隣接し互いに対向
する第二の面へ二つの第一の電極層を形成し、前記第一
の面において、前記サーミスタ体の表面および前記第一
の電極層を略覆う保護膜を形成し、前記第二の面におい
て、前記第一の電極を覆う第二の電極を形成し、前記短
冊形状のサーミスタ体を前記長手方向に分断することを
特徴とする。
Also, a strip-shaped thermistor body is formed,
Forming two first electrode layers from a first surface facing each other along a longitudinal direction of the thermistor body to at least a second surface adjacent to the first surface and facing each other; Forming a protective film that substantially covers the surface of the thermistor body and the first electrode layer, and forming a second electrode that covers the first electrode on the second surface; The body is divided in the longitudinal direction.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態のチップ
型サーミスタを図面を参照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a chip thermistor according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0013】図3は抵抗値の調整を可能にしたチップ型
サーミスタの断面図である。なお、図3において、図2と
同様の構成には同一符号を付して、その詳細説明を省略
する。
FIG. 3 is a sectional view of a chip type thermistor capable of adjusting the resistance value. In FIG. 3, the same components as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0014】図3において、図2と異なるのは、サーミス
タ体3と保護膜4との間に抵抗値調整用の電極層7が挟み
込まれている点である。つまり、サーミスタ体3と保護
膜7との間に電極層7を挟み、電極層7を一次電極5に電気
的に接続することで、電極層7とサーミスタ体3との接触
面積を制御して、サーミスタ1の抵抗値を調整すること
が可能になる。
FIG. 3 differs from FIG. 2 in that an electrode layer 7 for adjusting a resistance value is interposed between the thermistor body 3 and the protective film 4. That is, by sandwiching the electrode layer 7 between the thermistor body 3 and the protective film 7 and electrically connecting the electrode layer 7 to the primary electrode 5, the contact area between the electrode layer 7 and the thermistor body 3 is controlled. Thus, the resistance value of the thermistor 1 can be adjusted.

【0015】なお、図3は、対向する二面にそれぞれ電
極層7を形成する例を示すが、対向する二面でなくと
も、隣接する二面でもよいし、四面に形成してもよい。
また、一方の電極2に接続される電極層7は一つに限ら
ず、複数にすることも可能である。
FIG. 3 shows an example in which the electrode layer 7 is formed on each of the two opposing surfaces. However, the electrode layers 7 may be formed on not only the two opposing surfaces but also on two adjacent surfaces or on four surfaces.
Further, the number of the electrode layers 7 connected to one electrode 2 is not limited to one, but may be plural.

【0016】次に、図3の構成をさらに発展させたチッ
プ型サーミスタを説明する。図4はチップ型サーミスタ
の製造手順の一例を示すフローチャートである。
Next, a description will be given of a chip thermistor obtained by further developing the configuration of FIG. FIG. 4 is a flowchart showing an example of a procedure for manufacturing a chip thermistor.

【0017】ステップS1で、焼成済みのサーミスタウェ
ハ11を所定の幅に切って、短冊状のサーミスタ体12を形
成する(図5参照)。なお、サーミスタ体12の材料は、
とくに限定されない。
In step S1, the baked thermistor wafer 11 is cut into a predetermined width to form a strip-shaped thermistor body 12 (see FIG. 5). The material of the thermistor body 12 is
It is not particularly limited.

【0018】次に、ステップS2で、サーミスタ体12の長
手方向に沿う側面に一次電極として電極層13を形成する
(図6参照)。電極層13の形成は、例えば金属マスクを
用いるスパッタリングやスクリーン印刷によって、サー
ミスタ体12にAgなどの所望形状の金属層を重ねることで
行う。なお、図6には、長手方向に沿う一側面から対向
する側面へ二つの電極層13を形成する例を示すが、図6
(c)に示すように、長手方向に沿う一側面から隣接(直
交)する側面へ電極層13を形成するだけでもよい。
Next, in step S2, an electrode layer 13 is formed as a primary electrode on the side surface along the longitudinal direction of the thermistor body 12 (see FIG. 6). The electrode layer 13 is formed by stacking a metal layer of a desired shape such as Ag on the thermistor body 12 by, for example, sputtering or screen printing using a metal mask. FIG. 6 shows an example in which two electrode layers 13 are formed from one side surface along the longitudinal direction to the opposite side surface.
As shown in (c), the electrode layer 13 may be formed only from one side surface along the longitudinal direction to the adjacent (perpendicular) side surface.

【0019】電極層13は、図6(b)に示すように、サーミ
スタ体12の二側面だけでなく、残る二側面もその一部を
残して覆うことが可能であるから、電極層13の形成はサ
ーミスタ完成後の抵抗値に大きく影響する。つまり、一
次電極である電極層13とサーミスタ体12との接触面積に
は、図2に示した一次電極5とサーミスタ体3との接触面
積に比べて、遥かに大きな設計自由度を与えることがで
きる。従って、サーミスタ完成後の抵抗値を、一次電極
である電極層13とサーミスタ体12との接触面積によって
調整可能である。
As shown in FIG. 6B, the electrode layer 13 can cover not only the two side surfaces of the thermistor body 12 but also the remaining two side surfaces while leaving a part thereof. The formation greatly affects the resistance value after completion of the thermistor. In other words, the contact area between the electrode layer 13 serving as the primary electrode and the thermistor body 12 can provide much greater design freedom than the contact area between the primary electrode 5 and the thermistor body 3 shown in FIG. it can. Therefore, the resistance value after completion of the thermistor can be adjusted by the contact area between the electrode layer 13 as the primary electrode and the thermistor body 12.

【0020】次に、ステップS3で、必要に応じて、電極
層13をサーミスタ体12の長手方向にレーザトリミングす
るまたは機械的に除去するなどして、二つの電極層13間
の抵抗値を調整する。
Next, in step S3, if necessary, the resistance between the two electrode layers 13 is adjusted by laser trimming or mechanically removing the electrode layer 13 in the longitudinal direction of the thermistor body 12. I do.

【0021】次に、ステップS4で、二つの電極層13の間
でむき出しになっているサーミスタ体13の表面および電
極層13の一部を無機複合結晶化ガラスの保護層14で覆う
(図7参照)。次に、ステップS5で、電解めっきにより
電極層13上にNi、Ni-Snまたははんだなどの電極層15を
めっきして二次電極とする(図8参照)。
Next, in step S4, the surface of the thermistor body 13 exposed between the two electrode layers 13 and a part of the electrode layer 13 are covered with a protective layer 14 of inorganic composite crystallized glass (FIG. 7). reference). Next, in step S5, the electrode layer 15 such as Ni, Ni-Sn or solder is plated on the electrode layer 13 by electrolytic plating to form a secondary electrode (see FIG. 8).

【0022】次に、ステップS6で短冊形状のサーミスタ
16を所定のピッチで切断し(図9参照)、チップ型のサ
ーミスタ17が完成する。
Next, in step S6, a strip-shaped thermistor
The chip 16 is cut at a predetermined pitch (see FIG. 9), and a chip-type thermistor 17 is completed.

【0023】このように図4から図9を用いて説明したサ
ーミスタ17の製造方法によれば、サーミスタ材料を変え
ずに、サーミスタの抵抗値を任意に調整できるので、同
一B定数の抵抗値が異なるサーミスタを容易にシリーズ
化することができる。また、図3の構成に比べて、電極
層7を構成する必要がないので、製造工程を簡略化する
ことができる。
According to the method of manufacturing the thermistor 17 described with reference to FIGS. 4 to 9, the resistance value of the thermistor can be arbitrarily adjusted without changing the material of the thermistor. Different thermistors can be easily serialized. Further, as compared with the configuration of FIG. 3, there is no need to configure the electrode layer 7, so that the manufacturing process can be simplified.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
サーミスタの抵抗値を任意に設定することができる。
As described above, according to the present invention,
The resistance value of the thermistor can be set arbitrarily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】チップ型のサーミスタの外観を示す図、FIG. 1 is a diagram showing the appearance of a chip-type thermistor;

【図2】図1のA-A断面を示す図、FIG. 2 is a diagram showing a cross section taken along line AA of FIG. 1;

【図3】抵抗値の調整を可能にしたチップ型サーミスタ
の断面図、
FIG. 3 is a cross-sectional view of a chip thermistor capable of adjusting a resistance value.

【図4】チップ型サーミスタの製造手順の一例を示すフ
ローチャート、
FIG. 4 is a flowchart showing an example of a procedure for manufacturing a chip type thermistor;

【図5】チップ型サーミスタの製造手順を説明する図、FIG. 5 is a diagram illustrating a manufacturing procedure of a chip type thermistor;

【図6】チップ型サーミスタの製造手順を説明する図、FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing procedure of the chip type thermistor;

【図7】チップ型サーミスタの製造手順を説明する図、FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing procedure of a chip type thermistor;

【図8】チップ型サーミスタの製造手順を説明する図、FIG. 8 is a view for explaining a manufacturing procedure of the chip type thermistor;

【図9】チップ型サーミスタの製造手順を説明する図で
ある。
FIG. 9 is a diagram illustrating a manufacturing procedure of the chip type thermistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 サーミスタ体 4 保護膜 5 一次電極 6 二次電極 7 電極層 12 サーミスタ体 13 電極層(一次電極) 14 保護膜 15 電極層(二次電極) 3 Thermistor body 4 Protective film 5 Primary electrode 6 Secondary electrode 7 Electrode layer 12 Thermistor body 13 Electrode layer (primary electrode) 14 Protective film 15 Electrode layer (secondary electrode)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 サーミスタ体の長手方向に沿う面に形成
された少なくとも二つの第一の電極層と、 前記長手方向に沿う面において、前記サーミスタ体の表
面および前記第一の電極層を略覆う保護膜と、 前記長手方向の両端面に形成された第二の電極とを有
し、 前記第一の電極層はそれぞれ前記第二の電極の一方へ電
気的に接続されていることを特徴とするサーミスタ。
At least two first electrode layers formed on a surface along the longitudinal direction of the thermistor body, and the surface along the longitudinal direction substantially covers the surface of the thermistor body and the first electrode layer. It has a protective film and a second electrode formed on both end surfaces in the longitudinal direction, wherein the first electrode layer is electrically connected to one of the second electrodes, respectively. Thermistor.
【請求項2】 前記第一の電極はそれぞれ、前記サーミ
スタ体の互いに対向する面に形成されていることを特徴
とする請求項1に記載されたサーミスタ。
2. The thermistor according to claim 1, wherein each of said first electrodes is formed on mutually facing surfaces of said thermistor body.
【請求項3】 サーミスタ体の長手方向に沿う面から、
少なくとも前記長手方向の両端面に形成された少なくと
も二つの第一の電極層と、 前記長手方向に沿う面において、前記サーミスタ体の表
面および前記第一の電極層を略覆う保護膜と、 前記両端面の近傍において、前記第一の電極を覆う第二
の電極とを有することを特徴とするサーミスタ。
3. From the surface along the longitudinal direction of the thermistor body,
At least two first electrode layers formed on at least both end surfaces in the longitudinal direction; and a protective film that substantially covers the surface of the thermistor body and the first electrode layer on a surface along the longitudinal direction; A second electrode covering the first electrode in the vicinity of the surface.
【請求項4】 前記第一の電極はそれぞれ、前記サーミ
スタ体の互いに対向する面から前記両端面の一方へ形成
されていることを特徴とする請求項3に記載されたサー
ミスタ。
4. The thermistor according to claim 3, wherein each of said first electrodes is formed from a surface of said thermistor body facing each other to one of said both end surfaces.
【請求項5】 サーミスタ体の長手方向に沿う面に少な
くとも二つの第一の電極層を形成し、 前記長手方向に沿う面において、前記サーミスタ体の表
面および前記第一の電極層を略覆う保護膜を形成し、 前記長手方向の両端面に第二の電極を形成して、前記第
一の電極層をそれぞれ前記第二の電極の一方へ電気的に
接続することを特徴とするサーミスタの製造方法。
5. A protection device, wherein at least two first electrode layers are formed on a surface along the longitudinal direction of the thermistor body, and the surface along the longitudinal direction substantially covers the surface of the thermistor body and the first electrode layer. Forming a film, forming second electrodes on both end surfaces in the longitudinal direction, and electrically connecting the first electrode layers to one of the second electrodes, respectively. Method.
【請求項6】 短冊形状のサーミスタ体を作成し、 前記サーミスタ体の長手方向に沿い互いに対向する第一
の面から、少なくとも前記第一の面に隣接し互いに対向
する第二の面へ二つの第一の電極層を形成し、 前記第一の面において、前記サーミスタ体の表面および
前記第一の電極層を略覆う保護膜を形成し、 前記第二の面において、前記第一の電極を覆う第二の電
極を形成し、 前記短冊形状のサーミスタ体を前記長手方向に分断する
ことを特徴とするサーミスタの製造方法。
6. A strip-shaped thermistor body is formed, and two from a first surface facing each other along a longitudinal direction of the thermistor body to a second surface adjacent to the first surface and facing each other at least. Forming a first electrode layer; forming a protective film on the first surface to substantially cover the surface of the thermistor body and the first electrode layer; and forming the first electrode on the second surface. A method for manufacturing a thermistor, comprising: forming a second electrode to cover; and dividing the strip-shaped thermistor body in the longitudinal direction.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011198818A (en) * 2010-03-17 2011-10-06 Mitsubishi Materials Corp Thermistor element and method for manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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