JP2002139620A - 光学薄膜 - Google Patents

光学薄膜

Info

Publication number
JP2002139620A
JP2002139620A JP2001255006A JP2001255006A JP2002139620A JP 2002139620 A JP2002139620 A JP 2002139620A JP 2001255006 A JP2001255006 A JP 2001255006A JP 2001255006 A JP2001255006 A JP 2001255006A JP 2002139620 A JP2002139620 A JP 2002139620A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
light
optical
extinction coefficient
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001255006A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3523224B2 (ja
Inventor
Eduard Kuegler
キーグラー エドゥアルト
Roland Pfefferkorn
プフェッファーコーン ローラント
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OC Oerlikon Balzers AG
Original Assignee
Unaxis Balzers AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Unaxis Balzers AG filed Critical Unaxis Balzers AG
Publication of JP2002139620A publication Critical patent/JP2002139620A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3523224B2 publication Critical patent/JP3523224B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/113Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/46Sputtering by ion beam produced by an external ion source

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来より吸光係数の低い光学薄膜を提供する
こと。 【解決手段】 紫外光に対して改良された吸光係数を有
する主に Ta2O5である光学薄膜であって、 308nmの波長
の光に対して0.0075より低い吸光係数を有する薄膜。当
該 Ta2O5薄膜は、主に Ta2O5であるターゲットを使用す
るイオンビームスパッタリングによって製造される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学薄膜、かよう
な薄膜を含む光学要素、および光学薄膜の製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】特に高エネルギーレーザーの適用に対し
て、光学要素によるエネルギーの吸収は、かような要素
が、高いエネルギー密度に耐えるようにできるだけ低く
保たれねばならない。
【0003】米国特許明細書第 4,142,958号から、赤外
領域内の光の適用に対して、 500−800 Åの1/4波長
の厚さの薄膜が公知である。この薄膜は、その赤外光に
対して0.01%の範囲で損失を与えることが報告されてお
り、タンタルペントオキサイドまたはチタンジオキサイ
ドのような高い指示物質からつくられる。これらの薄膜
は、反応性イオン−ビームスパッター方法による上記米
国特許明細書によりつくられ、よってチタンジオキサイ
ド薄膜は、チタンジオキサイドのターゲットをスパッタ
ーすることによりつくられることが報告されている。
【0004】かように、赤外の適用については、 Ta2O5
の1/4波長の薄膜が、0.01%の範囲の損失で上記米国
特許明細書から公知である。
【0005】F.Rainerらの“紫外光に対する光学コーチ
ング用の物質” Applied Optics, Vol.24, No.4/1985年
2月15日、 496ページff. から、 248nmの紫外領域の光
に対してZrO2、Y2O3、HfO2、 SC2O3、 MgO、 Al2O3、Si
O2の如きコーチング物質を用いることが公知である。そ
れによって、研究に付されるコーチングは、電子ビーム
蒸発によって付着される。 248nmの光に対しては、吸光
係数は0.01より低く測定された。
【0006】H.Demiryont らの“イオン−ビームスパッ
ターにより付着されたタンタルオキサイドフィルムの光
学特性に与える酸素含有率の効果”、 Applied Optics,
Vol.24, No.4/1985年2月15日、 490ページff. から、
タンタルペントオキサイド薄膜は、近似的に 300nmの光
に対して0.02、 310nmの光に対して約0.01に落ち、約37
5nmの光に対して漸近的に10-3に落ちる吸光係数を有す
るということがわかった。Demiryont により研究される
薄膜は、例えば、J.M.E Harperらの“スパッターに用い
られる広いビームイオン源の技術と応用”、Part II, A
pplications, J.Vac.Sic.Technol., 21(3), 1982年9月
/10月、 737ページおよびJ.L.Vossenらの“薄膜プロセ
ス”、 Academic Press Inc., New York 1978, 175ペー
ジに記述の如きイオン−ビームスパッター技術により製
造される。
【0007】Demiryont により研究された薄膜は、金属
タンタルのターゲットを用いて製造された。
【0008】従って、Demiryont の研究は、 310nmにお
ける吸光係数0.01によって、 300nm〜350nm において十
分に小さな吸光係数を規定するであろう曲線よりも上方
に吸光係数対波長曲線が設定されるので、 350nmよりも
短い光の高エネルギー密度の適用に対してタンタルペン
トオキサイドを用いることはできないことをはっきりと
示している。これらの結果は、タンタルペントオキサイ
ド薄膜が赤外領域すなわちマイクロメーター領域の波長
を有する光に対して依然として消失しない吸光係数を報
告された、米国特許明細書第 4,142,958号による結果と
適合する。
【0009】タンタルペントオキサイドが、いくつかの
利点すなわち以下を有するであろうということを考慮さ
れる。
【0010】− 良好な機械的および光学的安定性を有
し、堅くて環境応力に耐え、そしてさらに非常に密度の
高い薄膜を形成し、 − Ta2O5が、プラズマ条件下でその化学量論を変化さ
せない良好なプラズマ安定性を有し、 − 非常に光の散乱が低く、 − 非常に高温に耐える。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の1つの目的
は、少なくとも、主に Ta2O5からつくられ、Demiryont
の上記報文から公知の Ta2O5薄膜に比較して非常に低い
吸光係数を有する光学薄膜を提供することである。別の
目的は、1/4波長薄膜をもたらすタンタルペントオキ
サイドの屈折率の高さに応じた薄い多重薄膜を提供する
ことである。このことは、リソグラフの適用で薄い電子
線に反応するレジストを使用することを可能にする。か
ような薄膜は、特に乾式エッチングの適用において有用
である。
【0012】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、少なく
とも、主に Ta2O5であり、 308nmの光に対して0.0075よ
り低い吸光係数を有する光学薄膜を提供する本発明によ
り実現される。吸光係数対波長曲線のこの点は、 300nm
〜350nm における曲線全体を、Demiryont の 310nm/0.
01の点により設定される曲線よりも有意に下方に設定す
る。
【0013】驚くことに、例えば、上記のHarperまたは
J.L.Vossenから公知であるが、金属タンタルターゲット
には適用されず、主にタンタルペントオキサイドからつ
くられるターゲットに適用されるイオン−ビームスパッ
ター技術の使用は、上記の非常に改良された Ta2O5薄膜
を実現する。
【0014】
【発明の実施の形態】従来の技術に熟練した人に公知
の、および例えば、上記のHarperまたはJ.L.Vossenのど
ちらにも記述の如きイオン−ビームスパッター技術を用
いて、少なくとも99%の Ta2O5からつくられるターゲッ
トがスパッターされた。この技術により、SiO2または A
l2O3基材上のどちらにも薄膜を形成した。 300nmの光に
対しては、製造された薄膜は、0.0068の吸光係数を、 3
08nmの光に対しては 0.003を有し、従って、 308nmの光
に対して明らかに0.0075より低い吸光係数を有する薄膜
を提供する。
【0015】かような改良された吸光係数の Ta2O5薄膜
を用いて、高エネルギー密度の適用が可能になる。 300
nmまたは 308nmでの測定点は、吸光係数対波長曲線を定
めるので、新規 Ta2O5薄膜により、薄膜が、 300nm〜35
0nm の波長バンドにわたって非常に低い吸光係数で実現
され、特にこの全バンドの光に対して高エネルギーの適
用を可能にするということが明らかになる。
【0016】記述のように、発明の薄膜は主に Ta2O5
含む。その光学特性の特定のコントロールのために、そ
れは、さらに以下の物質のうちの少なくとも1つを含む
ことができる。ZrO2、Y2O3、HfO2、 SC2O3、 MgO、 Al2
O3、SiO2。従っておよび記述のように、用いられる発明
のターゲット物質は、主に Ta2O5であるが、以下の物質
のうちの少なくとも1つを含むことができる。ZrO2、Y2
O3、HfO2、 SC2O3、 MgO、 Al2O3、SiO2
【0017】上記の改良された Ta2O5薄膜に基づいて、
主に Ta2O5を含む前記ターゲットからλ/4の Ta2O5薄膜
をSiO2又は Al2O3の、好ましくはSiO2の基材上にスパッ
ターした光学要素がさらに実現された。その後、前記 T
a2O5のλ/4の薄膜上に、さらにSiO2または Al2O3の、好
ましくは再びSiO2の厚さλ/4の別の薄膜がスパッターさ
れ、かようにして Ta2O5およびSiO2または Al2O3の二重
薄膜を製造した。
【0018】308nmの光に対する Ta2O5及びSiO2の二重
薄膜を用いて、各単薄膜がλ/4である該二重薄膜7枚を
SiO2基材上にスパッターし、約99%の反射を示す新規光
学要素基材を提供した。
【0019】2つの物質のうちの一方が、主に Ta2O5
あり、他方がSiO2または Al2O3である、基材上の2つの
物質の少なくとも1つの二重薄膜からつくられるこの光
学要素は、明らかに、 308nmまたは 300nmおよび 350nm
間の波長の光の高エネルギー密度の適用に対して、とり
わけ用いることができ、今日まで、かような波長の光に
対して用いられる他の物質の光学要素に比較して、非常
に薄い厚さおよび非常に低い光吸収を有する。発明の低
吸収薄膜および光学要素は、高エネルギービームの反射
または透過を与え、それらの発明は、かようなレーザー
および/または光学要素が、かようなレーザーのビーム
と共同で作用する、XeClエキシマ−レーザー、N2−また
はHeCd−ガスレーザーを備えた装置に結合される。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 5/26 G02B 5/26 (72)発明者 ローラント プフェッファーコーン オーストリア国,アー−6807 フェルトキ ルヒ ティシス,ヨセフ−マエアシュトラ ーセ 6アー Fターム(参考) 2H048 FA05 FA18 FA24 GA04 GA13 GA19 GA33 GA60 4F100 AA17A AA19B AA20B AR00B BA02 EH66 GB90 JD09A JN06 JN18A JN18B YY00 4K029 BA43 BA44 BA46 BB02 BC07 CA05 DC05 DC37

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 紫外光に対して改良された吸光係数を有
    する主に Ta2O5である光学薄膜であって、308nm の波長
    の光に対して0.0075より低い吸光係数を有する前記薄
    膜。
  2. 【請求項2】 308nm の波長の光に対して 0.005より低
    い吸光係数を有する請求項1記載の光学薄膜。
  3. 【請求項3】 主に Ta2O5であるターゲットのイオン−
    ビーム−スパッターにより製造された請求項1記載の薄
    膜。
  4. 【請求項4】 下記物質:ZrO2、Y2O3、HfO2、Sc2O3
    MgO 、Al2O3 、SiO2の少なくとも一種をさらに含む請求
    項1記載の薄膜。
  5. 【請求項5】 主に Ta2O5であるターゲットのイオン−
    ビーム−スパッターにより製造され、且つ下記物質:Zr
    O2、Y2O3、HfO2、Sc2O3 、MgO 、Al2O3 、SiO2の少なく
    とも一種をさらに含む請求項4記載の薄膜。
  6. 【請求項6】 少なくとも99%の Ta2O5である請求項
    1記載の薄膜。
  7. 【請求項7】 前記ターゲットが少なくとも99%の T
    a2O5である請求項2記載の薄膜。
  8. 【請求項8】 主に Ta2O5であり且つ308nm の波長の光
    に対して用いた場合に0.0075より低い吸光係数を示す少
    なくとも一つの光学薄膜を含んで成る紫外光用光学要素
    であって、前記薄膜の厚さはλ/4であり、さらに Ta2O5
    の屈折率よりも低い屈折率を有する材料でできた光学厚
    さλ/4の少なくとも1つの別の薄膜を含む紫外光用光学
    要素。
  9. 【請求項9】 前記少なくとも2つの薄膜のλ/4の光学
    厚さが、308nm 又は325nm の波長の光に対してλ/4であ
    る請求項8記載の光学要素。
  10. 【請求項10】 前記別の薄膜が、SiO2およびAl2O3
    少なくとも1つでできている、請求項8記載の光学要
    素。
  11. 【請求項11】 前記光学薄膜と前記別の薄膜が二重薄
    膜を形成し、前記二重薄膜が少なくとも2つ含まれる請
    求項8記載の光学要素。
  12. 【請求項12】 少なくとも6つの二重薄膜を含み、30
    8nm の波長の光に対して少なくとも95%の反射率を有
    する、請求項11記載の光学要素。
  13. 【請求項13】 主に Ta2O5であり且つ308nm の波長の
    光に対して0.0075より低い吸光係数を有する光学薄膜の
    製造方法であって、主に Ta2O5であるターゲットのイオ
    ン−ビーム−スパッターを含む前記方法。
JP2001255006A 1989-01-23 2001-08-24 光学薄膜 Expired - Lifetime JP3523224B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29976189A 1989-01-23 1989-01-23
US299761 1989-01-23
US43769789A 1989-11-15 1989-11-15
US437697 1989-11-15

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00072290A Division JP3253065B2 (ja) 1989-01-23 1990-01-08 光学薄膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002139620A true JP2002139620A (ja) 2002-05-17
JP3523224B2 JP3523224B2 (ja) 2004-04-26

Family

ID=26971391

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00072290A Expired - Fee Related JP3253065B2 (ja) 1989-01-23 1990-01-08 光学薄膜
JP2001255006A Expired - Lifetime JP3523224B2 (ja) 1989-01-23 2001-08-24 光学薄膜

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00072290A Expired - Fee Related JP3253065B2 (ja) 1989-01-23 1990-01-08 光学薄膜

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0379738B1 (ja)
JP (2) JP3253065B2 (ja)
AT (1) ATE161108T1 (ja)
DE (1) DE68928486T2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5457570A (en) * 1993-05-25 1995-10-10 Litton Systems, Inc. Ultraviolet resistive antireflective coating of Ta2 O5 doped with Al2 O3 and method of fabrication
US5513039A (en) * 1993-05-26 1996-04-30 Litton Systems, Inc. Ultraviolet resistive coated mirror and method of fabrication

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1416097A (en) * 1973-05-30 1975-12-03 Communications Satellite Corp Solar cell with tantalum pentoxide anti-reflective coating
GB2002581B (en) * 1977-08-11 1982-07-14 Optical Coating Laboratory Inc Silicon solar cell and 350 nanometer cut-on filter for use therein
DE3009533C2 (de) * 1980-03-12 1986-11-06 D. Swarovski & Co., Wattens, Tirol Belag mit mittlerem Brechwert, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung des Belages

Also Published As

Publication number Publication date
EP0379738A2 (en) 1990-08-01
ATE161108T1 (de) 1997-12-15
DE68928486D1 (de) 1998-01-22
EP0379738B1 (en) 1997-12-10
JPH02275904A (ja) 1990-11-09
JP3253065B2 (ja) 2002-02-04
JP3523224B2 (ja) 2004-04-26
DE68928486T2 (de) 1998-04-02
EP0379738A3 (en) 1991-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Martin et al. Modification of the optical and structural properties of dielectric ZrO2 films by ion‐assisted deposition
JPH11160513A (ja) レプリカ回折格子の保護被膜
Larruquert et al. Far ultraviolet optical properties of MgF2 films deposited by ion-beam sputtering and their application as protective coatings for Al
US5582879A (en) Cluster beam deposition method for manufacturing thin film
Al‐Robaee et al. Influence of substrate temperature on the properties of oxygen‐ion‐assisted deposited CeO2 films
JP2002139620A (ja) 光学薄膜
Kolbe Laser induced damage thresholds of dielectric coatings at 193 nm and correlations to optical constants and process parameters
Ghanashyam Krishna et al. Properties of ion assisted deposited titania films
US5408489A (en) Optical layer for excimer laser
Guenther et al. Corrosion-resistant front surface aluminum mirror coatings
US6603601B2 (en) Infrared laser optical element and manufacturing method therefor
JPH06273601A (ja) 合成樹脂製光学部品の反射防止膜
Levchuk et al. High-quality interference coatings for LBO and BBO crystals produced by the ion-beam technique
Veszelie et al. Optical characterization of sputtered semitransparent zirconium nitride films
Macleod Thin film optical coatings
Ashton et al. Optical properties of lead in the vacuum ultraviolet
JP2993261B2 (ja) X線多層膜反射鏡
McNally et al. Properties of IAD single-and multi-layer oxide coatings
Flory Comparison of different technologies for high-quality optical coatings
Tang et al. Effect of ion-assisted deposition on optical properties of thin films
JP2546203B2 (ja) TiOx薄膜を用いた光学素子
JPH09195034A (ja) 光学素子の製造方法
Troitskii et al. Anisotropic laser mirrors based on obliquely deposited metal films
Morton et al. Measurement and correlation of ion beam current density to moisture stability of oxide film stacks fabricated by cold cathode ion assisted deposition
Pond et al. Comparison of the optical properties of oxide films deposited by reactive-dc-magnetron sputtering with those of ion-beam-sputtered and electron-beam-evaporated films

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040205

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080220

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220

Year of fee payment: 6

EXPY Cancellation because of completion of term
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370