JP2002134534A - Method for encapsulating semiconductor component - Google Patents

Method for encapsulating semiconductor component

Info

Publication number
JP2002134534A
JP2002134534A JP2000328870A JP2000328870A JP2002134534A JP 2002134534 A JP2002134534 A JP 2002134534A JP 2000328870 A JP2000328870 A JP 2000328870A JP 2000328870 A JP2000328870 A JP 2000328870A JP 2002134534 A JP2002134534 A JP 2002134534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor component
resin
substrate
sealing method
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000328870A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Okura
秀章 大倉
Kazuyuki Iwata
和志 岩田
Yoshihiro Yoshida
芳博 吉田
Tsutomu Sakatsu
務 坂津
Satoshi Kuwazaki
聡 桑崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2000328870A priority Critical patent/JP2002134534A/en
Publication of JP2002134534A publication Critical patent/JP2002134534A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a time needed for filling a resin into a cavity between a substrate and a flip chip packaged semiconductor component and a time needed for encapsulation. SOLUTION: A semiconductor component encapsulating method comprises following steps: (a) a step of applying a resin 3b on the circumference of the semiconductor component using a dispenser; (b) a step of hardening the resin by raising the temperature of the substrate or the semiconductor component 1 to the curing temperature of the resin 3, wherein the viscosity of the resin 3 may drop rapidly when the resin is curing so that the resin 3 is impregnated into the cavity; (c) a step wherein the air in the space surrounded with the resin 3 expands with heat and may escape from an air vent hole 3a, so that the resin 3 can spread over the whole space under the semiconductor component 1, an under fill is formed and the semiconductor component 1 is encapsulated.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体部品封止方
法に関し、さらに詳しくは、フリップチップ実装を行っ
た半導体部品と基板との間隙に樹脂を充填し、アンダー
フィルを形成する半導体部品封止方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for encapsulating a semiconductor component, and more particularly, to a method for encapsulating a semiconductor component in which a gap between a flip-chip mounted semiconductor component and a substrate is filled with a resin to form an underfill. About the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体部品封止に関する従来技術とし
て、半導体部品と基板の間に液状樹脂を毛細管現象を利
用して注入する半導体封止方法が、例として「電子材
料」1997年1月号、129頁に記載されている。
2. Description of the Related Art As a conventional technique relating to semiconductor component encapsulation, a semiconductor encapsulation method in which a liquid resin is injected between a semiconductor component and a substrate by utilizing a capillary phenomenon is described in, for example, "Electronic Materials", January 1997, 129.

【0003】また、プリント配線板のベアチップLSI
実装面の一部に空気抜き用の孔を設け、アンダーフィル
を充填する際に、プリント配線板とベアチップLSIと
の間隙部分に残留する空気を吸引し排除して、接合強度
が高く、十分な熱の緩衝作用が得られるベアチップLS
I実装プリント配線板を容易に製造できるようにしたア
ンダーフィル充填方法が特開平10−261661号公
報に開示されている。
Further, bare chip LSIs for printed wiring boards
A hole for venting air is provided in a part of the mounting surface, and when filling the underfill, air remaining in the gap between the printed wiring board and the bare chip LSI is sucked out and removed, so that the bonding strength is high and sufficient heat Chip LS that provides buffering effect
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-261661 discloses an underfill filling method for easily manufacturing an I-mounted printed wiring board.

【0004】さらに、フリップチップ実装を行った半導
体チップと配線基板との隙間に樹脂を充填する際、配線
基板の所定位置に樹脂注入用の貫通孔を設け、その樹脂
注入用の貫通孔に樹脂供給用のノズルを差し込んで、樹
脂の注入圧力により半導体チップと配線基板との隙間に
樹脂を充填するようにして、必要な充填時間を短縮する
ようにした半導体パッケージ製造方法が特開平10−2
70477号公報に開示されている。
Further, when filling the gap between the flip-chip mounted semiconductor chip and the wiring board with resin, a resin injection through hole is provided at a predetermined position of the wiring board, and the resin injection through hole is provided in the resin injection through hole. Japanese Patent Laid-Open No. 10-2 discloses a method for manufacturing a semiconductor package in which a resin supply nozzle is inserted to fill a gap between a semiconductor chip and a wiring board with a resin by a resin injection pressure, thereby shortening a required filling time.
No. 70477.

【0005】図9は、従来の半導体部品のアンダーフィ
ル封止方法を模式的に示す図である。半導体部品11に
設けたバンプ12と基板14に設けた電極とを接続(フ
リップチップボンディング)し、半導体部品11と基板
14間の間隙にディスペンサ15によって樹脂13を吐
出し、ディスペンサ15を半導体部品11外周に沿って
移動させることにより樹脂13を塗布する。
FIG. 9 is a view schematically showing a conventional method of underfilling a semiconductor component. The bumps 12 provided on the semiconductor component 11 are connected to the electrodes provided on the substrate 14 (flip chip bonding), and the resin 13 is discharged by a dispenser 15 into the gap between the semiconductor component 11 and the substrate 14. The resin 13 is applied by moving along the outer periphery.

【0006】図10は、図9に示す塗布方法を用いて半
導体部品11の周辺に塗布した樹脂13が半導体部品1
1と基板14間の間隙に浸透してゆく様子を経時的に示
す図である。従来の封止方法では、(A)半導体部品1
1周辺の1辺または2辺に樹脂13を塗布し、(B)塗
布された樹脂13は毛細管現象によって半導体部品11
の下を浸透していき、(C)樹脂13が半導体部品11
下の間隙に完全に浸透した後、温度を樹脂の硬化温度に
上げて樹脂13を硬化させ、アンダーフィルを形成す
る。
FIG. 10 shows that the resin 13 applied around the semiconductor component 11 using the coating method shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a state of permeation into a gap between a substrate 1 and a substrate 14 over time. In the conventional sealing method, (A) the semiconductor component 1
The resin 13 is applied to one or two sides around 1 and (B) the applied resin 13 is applied to the semiconductor component 11 by capillary action.
(C) Resin 13 is applied to semiconductor component 11
After completely penetrating the lower gap, the temperature is raised to the curing temperature of the resin to cure the resin 13 and form an underfill.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】CSP(Chip Size Pa
ckage)やBGA(Ball Grid Array)のようにGrid
Arrayタイプの半導体部品の基板への実装や半導体
チップのフリップチップ実装では、チップ及びCSP、
BGAと基板の接続は半導体チップのバンプを介して接
続される。このとき、接続の信頼性を確保するために、
バンプの周辺にアンダーフィルを介在する必要があり、
特にフリップチップ実装では必須である。
SUMMARY OF THE INVENTION A CSP (Chip Size Pa)
ckage) and Grid like BGA (Ball Grid Array)
In mounting Array type semiconductor components on a substrate or flip chip mounting a semiconductor chip, the chip, CSP,
The connection between the BGA and the substrate is connected via bumps on the semiconductor chip. At this time, to ensure the reliability of the connection,
It is necessary to interpose an underfill around the bump,
In particular, it is essential for flip chip mounting.

【0008】アンダーフィルを注入する方法として一般
的な方法はディスペンサによる供給方法であり、部品周
辺にノズルより樹脂を供給することで、毛細管現象によ
り樹脂が浸透して封止される。このような従来方法での
問題点は、半導体チップが完全に封止されるまでに長時
間を要することである。樹脂を塗布してから半導体チッ
プの下面全体に浸透するまで待ち時間が必要であり、塗
布した樹脂が浸透してなくなってから再度樹脂を塗布し
ているため、塗布時間と樹脂の浸透時間が必要となって
いる。
A general method of injecting the underfill is a supply method using a dispenser. By supplying the resin from a nozzle around the component, the resin penetrates by a capillary phenomenon and is sealed. The problem with such a conventional method is that it takes a long time until the semiconductor chip is completely sealed. After applying the resin, a waiting time is required until it permeates the entire lower surface of the semiconductor chip, and the resin is applied again after the applied resin no longer permeates, so the application time and the resin penetration time are required It has become.

【0009】したがって、本発明は、フリップチップ実
装を行った半導体部品と基板間の間隙に樹脂を充填し、
半導体部品を封止するのに要する時間を短縮することが
可能な半導体部品封止方法を提供することを目的とす
る。
Therefore, according to the present invention, a resin is filled in a gap between a flip-chip mounted semiconductor component and a substrate,
An object of the present invention is to provide a semiconductor component sealing method capable of shortening a time required for sealing a semiconductor component.

【0010】また、本発明は、フリップチップ実装を行
った半導体部品と基板間の間隙に樹脂が浸透してゆく過
程で間隙内からの空気抜けを円滑にし、アンダーフィル
内におけるボイドの発生を防止することを目的とする。
Further, the present invention smoothes out air from inside the gap in the process of resin infiltration into the gap between the semiconductor component on which flip-chip mounting has been performed and the substrate, and prevents the generation of voids in the underfill. The purpose is to do.

【0011】また、本発明は、樹脂を半導体部品下の間
隙内に浸透させ、硬化させる際に、樹脂の不足によるア
ンダーフィル中のボイド発生を防止することを目的とす
る。
Another object of the present invention is to prevent the generation of voids in the underfill due to a shortage of resin when the resin is allowed to penetrate into the gap under the semiconductor component and is cured.

【0012】また、本発明は、基板上に半導体部品を搭
載し、半導体部品の周囲に樹脂を塗布したとき、樹脂が
周辺へ塗れ広がることなく、効率よく樹脂を接合部へと
浸透させることを目的とする。
Further, the present invention provides a method for mounting a semiconductor component on a substrate and applying the resin to the periphery of the semiconductor component so that the resin does not spread to the periphery and spreads efficiently into the joint. Aim.

【0013】また、本発明は、簡単な加熱手段を用い
て、基板または半導体部品を加熱することで、樹脂を半
導体部品下の間隙内に短時間で浸透させ、硬化させるこ
とを目的とする。
Another object of the present invention is to heat a substrate or a semiconductor component by using a simple heating means, so that the resin penetrates into a gap under the semiconductor component in a short time and is cured.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するためになされたものであって、その第1の技術手
段は、半導体部品を基板上にバンプを介して実装する半
導体部品封止方法において、前記半導体部品周辺に樹脂
を塗布し、その後前記樹脂が硬化する温度に加熱するこ
とにより、前記半導体部品と前記基板間の間隙に前記樹
脂を浸透させて封止することを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a first technical means thereof is a semiconductor component sealing method for mounting a semiconductor component on a substrate via a bump. In the stopping method, a resin is applied around the semiconductor component, and then heated to a temperature at which the resin cures, whereby the resin is permeated into a gap between the semiconductor component and the substrate and sealed. I do.

【0015】その第2の技術手段は、第1の技術手段の
半導体部品封止方法において、前記樹脂に囲まれた空隙
部と前記半導体部品外部とを結ぶ空気抜け穴を設けるこ
とを特徴とする。
According to a second technical means of the present invention, in the semiconductor component sealing method of the first technical means, an air vent hole is provided for connecting a gap surrounded by the resin and the outside of the semiconductor component.

【0016】その第3の技術手段は、第1の技術手段の
半導体部品封止方法において、前記半導体部品のバンプ
は列配置構造であることを特徴とする。
According to a third technical means, in the semiconductor component sealing method of the first technical means, the bumps of the semiconductor component have a row arrangement structure.

【0017】その第4の技術手段は、第1の技術手段の
半導体部品封止方法において、請求項1記載の半導体部
品封止方法において、前記半導体部品のバンプは、前記
半導体部品の中心部と外周部との間にバンプの無い領域
が1列以上あることを特徴とする。
A fourth technical means is the semiconductor component sealing method according to the first technical means, wherein the bump of the semiconductor component is connected to a center of the semiconductor component. It is characterized in that there is one or more rows of regions where there is no bump between the outer periphery and the outer periphery.

【0018】その第5の技術手段は、第1の技術手段の
半導体部品封止方法において、前記樹脂の加熱方法は、
前記樹脂塗布時に加熱し、前記間隙への浸透が終了した
後更に硬化温度に加熱して硬化させることを特徴とす
る。
The fifth technical means is the semiconductor component sealing method according to the first technical means, wherein the method of heating the resin is as follows.
It is characterized in that the resin is heated at the time of application of the resin, and after the penetration into the gap is completed, is further heated to a curing temperature to be cured.

【0019】その第6の技術手段は、第2の技術手段の
半導体部品封止方法において、前記空気抜け穴周辺の樹
脂塗布量を他の部位に比べて多くすることを特徴とす
る。
According to a sixth technical means, in the semiconductor component sealing method of the second technical means, the amount of resin applied around the air vent hole is increased as compared with other parts.

【0020】その第7の技術手段は、第2の技術手段の
半導体部品封止方法において、前記空気抜け穴は列配置
構造のバンプの列方向延長上に設けられることを特徴と
する。
According to a seventh technical means, in the semiconductor component sealing method according to the second technical means, the air vent hole is provided on an extension of the bumps of the row arrangement structure in the row direction.

【0021】その第8の技術手段は、第1の技術手段の
半導体部品封止方法において、前記基板は前記半導体部
品搭載位置の周囲に囲いが設けられることを特徴とす
る。
According to an eighth technical means, in the semiconductor component sealing method of the first technical means, the substrate is provided with an enclosure around the semiconductor component mounting position.

【0022】その第9の技術手段は、第8の技術手段の
半導体部品封止方法において、前記囲いは金属により形
成されることを特徴とする。
A ninth technical means is the semiconductor component sealing method according to the eighth technical means, characterized in that the enclosure is formed of metal.

【0023】その第10の技術手段は、第1の技術手段
の半導体部品封止方法において、前記樹脂の加熱方法は
前記半導体部品のみを加熱することを特徴とする。
According to a tenth technical means, in the semiconductor component sealing method of the first technical means, the resin heating method heats only the semiconductor component.

【0024】その第11の技術手段は、第1の技術手段
の半導体部品封止方法において、前記樹脂の加熱方法は
半導体部品搭載位置の基板のみを加熱することを特徴と
する。
According to an eleventh technical means, in the semiconductor component sealing method of the first technical means, the method of heating the resin heats only the substrate at the semiconductor component mounting position.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】本発明は、フリップチップ実装を
行った半導体部品と基板間の間隙に樹脂を注入しアンダ
ーフィルを形成して封止する際、樹脂の濡れ性、及び空
気の膨張性を活かして樹脂の注入を行う。予め封止する
のに必要な樹脂を半導体部品周辺に塗布し、塗布が終了
した状態で、基板または半導体部品を硬化する温度まで
加熱する。この加熱により樹脂の粘度は急激に低下し、
樹脂は半導体部品と基板間の間隙に浸透していく。それ
に伴い、半導体部品下の空洞は周辺へと抜けていき、最
終的には樹脂が半導体部品の接続部をすべて覆い尽く
し、封止される。本発明の半導体部品封止方法の特徴
は、樹脂が間隙の全面に浸透するまで待機する必要が無
く、樹脂を短時間で硬化させることが可能である。ま
た、樹脂を間隙に浸透させるための目的で基板を加熱し
なくても良いため、より簡便な装置にて実現可能であ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a method for injecting a resin into a gap between a flip-chip mounted semiconductor component and a substrate to form an underfill and to seal the resin. Is used to inject the resin. A resin necessary for sealing is applied beforehand around the semiconductor component, and after the application is completed, the substrate or the semiconductor component is heated to a temperature at which it hardens. This heating causes the viscosity of the resin to drop sharply,
The resin permeates into the gap between the semiconductor component and the substrate. Along with this, the cavity below the semiconductor component escapes to the periphery, and finally the resin covers all the connection parts of the semiconductor component and is sealed. A feature of the semiconductor component sealing method of the present invention is that it is not necessary to wait until the resin permeates the entire surface of the gap, and the resin can be cured in a short time. Further, since it is not necessary to heat the substrate for the purpose of infiltrating the resin into the gap, it can be realized with a simpler apparatus.

【0026】以下、本発明の実施の形態を図1〜図8に
示す実施例に基づいて説明する。 (第1実施例)図1は、本発明の第1実施例の半導体部
品封止方法を示す図で、請求項1に記載された発明に対
応している。半導体部品1の周辺に塗布された樹脂3が
半導体部品1と基板間の隙間に浸透してゆく様子を経時
的に示している。第1実施例の半導体部品封止方法は、
次の工程からなる。 (A)半導体部品1の周囲に図9に示すようなディスペ
ンサ15によって樹脂3を塗布する。 (B)基板または半導体部品を樹脂3の硬化温度まで温
度を上げて、樹脂を硬化させる。このとき、塗布した樹
脂3が毛細管現象によって半導体部品1下の空洞へ浸透
するのを待つ必要はない。そして、硬化時に、樹脂3の
粘度が急激に下がり、樹脂3は間隙内に浸透する。 (C)間隙内で樹脂3に囲まれた空気は熱による膨張を
行うため、外へと膨張して空気は逃げてゆき、樹脂3は
半導体部品1下の間隙の全面に行き渡りアンダーフィル
が形成される。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to an embodiment shown in FIGS. (First Embodiment) FIG. 1 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a first embodiment of the present invention, and corresponds to the first aspect of the present invention. The state in which the resin 3 applied around the semiconductor component 1 permeates into the gap between the semiconductor component 1 and the substrate is shown with time. The semiconductor component sealing method of the first embodiment is as follows.
It comprises the following steps. (A) The resin 3 is applied around the semiconductor component 1 by a dispenser 15 as shown in FIG. (B) The substrate or the semiconductor component is heated up to the curing temperature of the resin 3 to cure the resin. At this time, there is no need to wait for the applied resin 3 to penetrate into the cavity below the semiconductor component 1 by capillary action. Then, at the time of curing, the viscosity of the resin 3 sharply decreases, and the resin 3 permeates into the gap. (C) Since the air surrounded by the resin 3 in the gap expands due to heat, the air expands outside and escapes, and the resin 3 spreads over the entire gap under the semiconductor component 1 to form an underfill. Is done.

【0027】第1実施例の半導体部品封止方法の利点
は、樹脂3が半導体部品1の下を浸透していくのを長時
間待つ必要が無いため、短時間で半導体部品を封止する
ことが可能となる。また、従来の封止方法では、樹脂を
塗布する際に樹脂の粘度を下げるため基板を加熱する必
要があるが、本発明の封止方法では樹脂を浸透させるた
めだけの加熱は不要であり、工程が単純化され安価に封
止することができる。なお、この際、基板を加熱して樹
脂を塗布すれば、樹脂の粘度が低下するために、より短
時間での封止が可能となる。
The advantage of the semiconductor component sealing method of the first embodiment is that it is not necessary to wait for a long time for the resin 3 to penetrate under the semiconductor component 1, so that the semiconductor component can be sealed in a short time. Becomes possible. In addition, in the conventional sealing method, when applying the resin, it is necessary to heat the substrate to reduce the viscosity of the resin, but in the sealing method of the present invention, heating only for penetrating the resin is unnecessary, The process is simplified and sealing can be performed at low cost. At this time, if the resin is applied by heating the substrate, the resin can be sealed in a shorter time because the viscosity of the resin is reduced.

【0028】(第2実施例)図2は、第2実施例の半導
体部品封止方法を示す図で、請求項2の発明に対応して
いる。第2実施例の半導体部品封止方法では、半導体部
品1の周囲にディスペンサ15による樹脂3の塗布時、
少なくとも1個所以上に予め空気抜け穴3aを設けてお
く。第1実施例において、樹脂3は加熱時の粘度の低下
により、半導体部品1下の間隙内に浸透していく。この
とき、樹脂3で囲まれた間隙中の空気は加熱による膨張
によって外周へと広がろうとするが、空気抜け穴3aを
設けることで、(B)のように空気の広がろうとする方
向を定めることができ、それに伴って、樹脂3も容易に
塗れ広がることができて、ボイドの発生しにくい樹脂封
止を行うことができる。
(Second Embodiment) FIG. 2 is a view showing a semiconductor component sealing method of a second embodiment, and corresponds to the second aspect of the present invention. In the semiconductor component sealing method of the second embodiment, when the resin 3 is applied around the semiconductor component 1 by the dispenser 15,
At least one or more air vent holes 3a are provided in advance. In the first embodiment, the resin 3 permeates into the gap below the semiconductor component 1 due to the decrease in viscosity during heating. At this time, the air in the gap surrounded by the resin 3 tends to spread to the outer periphery due to expansion by heating, but by providing the air vent hole 3a, the direction in which the air is to spread is determined as shown in FIG. Accordingly, the resin 3 can also be easily spread and spread, and the resin can be sealed with less occurrence of voids.

【0029】(第3実施例)第1実施例における樹脂3
の浸透及び間隙中の空気抜けの際に問題となるのが、半
導体部品1に設けられるバンプ2の配置である。間隙内
に多数のバンプ2が存在することにより、バンプ2周辺
の樹脂3はバンプとの密着によりその周辺の樹脂3は移
動しにくくなる。そのため間隙内の部分がバンプによっ
て囲まれてしまうと、空気の逃げ道が確保しにくくな
り、樹脂3の硬化時にボイドとして残ってしまう。第3
実施例では、バンプの配列を図1、図2に示すように列
方向にライン状に配列することで、意図的に空気の抜け
道を確保でき、ボイドの無い良好なアンダーフィルによ
る封止が確保される。
(Third Embodiment) Resin 3 in First Embodiment
The problem with the penetration of air and the escape of air in the gap is the arrangement of the bumps 2 provided on the semiconductor component 1. Since a large number of bumps 2 exist in the gap, the resin 3 around the bumps 2 is hard to move due to the close contact with the bumps. Therefore, if a portion in the gap is surrounded by the bump, it is difficult to secure an escape route for air, and the resin 3 remains as a void when the resin 3 is cured. Third
In the embodiment, by arranging the bumps in a line in the column direction as shown in FIGS. 1 and 2, it is possible to intentionally secure a passage for air and secure sealing by a good underfill without voids. Is done.

【0030】(第4実施例)図3、図4は、第4実施例
の半導体部品封止方法を示す図で、請求項4の発明のバ
ンプ配列を示す図である。第4実施例は、バンプの配列
中に空気の抜け道2a,2bを確保し、空気が抜けるの
に十分な余地を残すことを特徴とする。図3は、ライン
状のバンプ列が1列以上存在しない領域を設ける例であ
り、バンプの列を1列以上なくすことで空気の抜け道2
aを形成し、間隙内の部分から周辺への空気の抜け道を
確保することができる。また、図4は、空気の抜け道2
bとなるバンプのない領域が間隙内の中央から半導体部
品1の周辺に至るように設けた例である。このような空
気の抜け道2a,2bとなる空間は、バンプの配置に関
わらず実現でき、第4実施例の場合もその具体例の1つ
と考えることができる。
(Fourth Embodiment) FIGS. 3 and 4 show a semiconductor component sealing method according to a fourth embodiment, and show a bump arrangement according to the fourth aspect of the present invention. The fourth embodiment is characterized in that the air passages 2a and 2b are secured during the arrangement of the bumps, leaving ample room for the air to escape. FIG. 3 shows an example in which a region in which one or more line-shaped bump rows do not exist is provided.
a is formed, and a passage for air from a portion in the gap to the periphery can be secured. FIG. 4 shows an air passage 2
This is an example in which a region without a bump, which is b, is provided from the center of the gap to the periphery of the semiconductor component 1. Such spaces as the air passages 2a and 2b can be realized irrespective of the arrangement of the bumps, and the fourth embodiment can be considered as one of the specific examples.

【0031】(第5実施例)第1実施例において、半導
体部品1の周囲に樹脂を塗布するが、請求項5の発明に
対応する第5実施例では、樹脂を塗布する際に基板を加
熱しておくことで、基板上の樹脂の粘度が低下し、樹脂
の濡れ性が良くなる。そのため第1実施例の封止方法に
比べさらに短時間で封止を行うことができる。
(Fifth Embodiment) In the first embodiment, a resin is applied around the semiconductor component 1. In the fifth embodiment, the substrate is heated when the resin is applied. By doing so, the viscosity of the resin on the substrate is reduced, and the wettability of the resin is improved. Therefore, sealing can be performed in a shorter time than in the sealing method of the first embodiment.

【0032】(第6実施例)図5は、第6実施例の半導
体部品封止方法を示す図で、請求項6の発明に対応して
いる。樹脂3が間隙に浸透する際、塗布された樹脂の空
気抜け穴3aの領域は、最後に封止されるため十分な樹
脂量が必要である。そのために空気抜け穴3a周辺に樹
脂を多く塗布することにより、樹脂の塗布不足によるア
ンダーフィル中のボイド発生を防ぐことができる。
(Sixth Embodiment) FIG. 5 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a sixth embodiment, and corresponds to the sixth aspect of the present invention. When the resin 3 penetrates into the gap, the region of the air vent hole 3a of the applied resin is sealed last, so that a sufficient amount of resin is required. Therefore, by applying a large amount of resin around the air vent hole 3a, it is possible to prevent the occurrence of voids in the underfill due to insufficient application of the resin.

【0033】(第7実施例)図6は、第7実施例の半導
体部品封止方法を示す図で、請求項7の発明に対応して
いる。第2実施例、第3実施例の半導体部品封止方法を
組み合わせることで、効率よく樹脂を封止することがで
きる。つまり、空気抜け穴3aは、列配置構造をなすバ
ンプ2の列方向の樹脂の位置に形成される。バンプが存
在する方向に対して空気は抜けにくいため、バンプが配
置されていない方向に空気の抜け道2aを設けることに
より、ボイドレスでの封止が実現される。
(Seventh Embodiment) FIG. 6 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a seventh embodiment, and corresponds to the seventh aspect of the present invention. By combining the semiconductor component sealing methods of the second and third embodiments, the resin can be efficiently sealed. That is, the air vent hole 3a is formed at the position of the resin in the row direction of the bumps 2 forming the row arrangement structure. Since it is difficult for air to escape in the direction in which the bumps are present, by providing the air escape path 2a in the direction in which the bumps are not provided, sealing in a voidless manner is realized.

【0034】(第8実施例)図7は、第8実施例の半導
体部品封止方法を示す図で、請求項8の発明に対応して
いる。基板4上に半導体部品を搭載し樹脂3を塗布した
場合、半導体部品1及び基板4と樹脂3の濡れ性に基づ
いて、樹脂を塗布したときの樹脂の濡れ広がりが決ま
る。第8実施例の半導体部品封止方法では、半導体部品
1の周辺に対する樹脂3の塗布のみで樹脂封止を行うた
め、半導体部品1の周辺に十分な量の樹脂3を供給する
必要がある。そのために基板4上に大きく塗れ広がり、
隣接する他部品に干渉する状況となる恐れがある。第8
実施例では半導体部品1が搭載される領域周辺の基板4
に囲い5を設けておき、樹脂3の塗布領域を定める。こ
のようにすることで、樹脂を塗布した際に樹脂の広がり
を防止することと、樹脂を効率よく半導体部品下に浸透
させることができる。
(Eighth Embodiment) FIG. 7 is a view showing a semiconductor component sealing method according to an eighth embodiment, and corresponds to the eighth aspect of the present invention. When the semiconductor component is mounted on the substrate 4 and the resin 3 is applied, the wet spread of the resin when the resin is applied is determined based on the wettability of the resin 3 with the semiconductor component 1 and the substrate 4. In the semiconductor component sealing method according to the eighth embodiment, a sufficient amount of the resin 3 needs to be supplied to the periphery of the semiconductor component 1 because the resin is sealed only by applying the resin 3 to the periphery of the semiconductor component 1. Therefore, it spreads greatly on the substrate 4 and spreads.
There is a possibility that a situation may occur in which interference occurs with other adjacent components. 8th
In the embodiment, the substrate 4 around the area where the semiconductor component 1 is mounted
Is provided, and an application area of the resin 3 is determined. By doing so, it is possible to prevent the spread of the resin when the resin is applied, and to allow the resin to efficiently penetrate under the semiconductor component.

【0035】(第9実施例)図8は、第9実施例の半導
体部品封止方法を示す図で、請求項9の発明に対応して
いる。第8実施例の囲い5では、基板4にはんだを印刷
する際、基板4に凹凸が生じてしまい、はんだ印刷が困
難となる問題がある。それを解決するものとして、囲い
5の位置にはんだに濡れる材料にて構成される電極6を
形成しておき、はんだ7をその電極6上に印刷及びリフ
ローすることで、はんだによる囲いを形成することがで
き、樹脂を塗布した際の濡れ広がりを抑えることができ
る。この時の電極6の材料として具体的には、金、銅、
ニッケル、プラチナ等が表層にあることが特徴となる。
金の場合には、下地金属にニッケル/アルミのような多
層構造、銅の場合には酸化防止のため、はんだプリコー
トやプリフラックスが考えられる。
(Ninth Embodiment) FIG. 8 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a ninth embodiment, and corresponds to the ninth embodiment. In the enclosure 5 of the eighth embodiment, when printing the solder on the substrate 4, there is a problem that unevenness is generated on the substrate 4, making it difficult to print the solder. As a solution to this, an electrode 6 made of a material that is wetted by solder is formed at the position of the enclosure 5, and the solder 7 is printed and reflowed on the electrode 6 to form an enclosure made of solder. And the spread of wetness when the resin is applied can be suppressed. Specifically, as the material of the electrode 6 at this time, gold, copper,
A feature is that nickel, platinum, and the like are present on the surface layer.
In the case of gold, a multi-layer structure such as nickel / aluminum may be used as a base metal, and in the case of copper, solder pre-coating or pre-flux may be used to prevent oxidation.

【0036】(第10実施例)第1実施例での基板の加
熱方法は、基板全体を加熱することとしているが、基板
に搭載される部品の中には熱に対して弱い部品も含まれ
ており、そのような部品は通常リフロー工程でのはんだ
付けは行われず、フロー工程を利用する。請求項10の
発明に対応する第10実施例においては、このような部
品の劣化を避けるために、樹脂を封止する半導体部品の
みを加熱することにより、他の部品への熱衝撃を与えな
いようにすることができる。具体的な方法としては、接
触式ヒータでの直接加熱、部品方向からの局所熱風、赤
外ヒータ、マイクロ波加熱等が挙げられる。
(Tenth Embodiment) In the method of heating a substrate in the first embodiment, the entire substrate is heated. However, components mounted on the substrate include components that are sensitive to heat. Such components are not usually soldered in the reflow process, but utilize the flow process. In the tenth embodiment corresponding to the tenth aspect, in order to avoid such deterioration of the parts, only the semiconductor parts for sealing the resin are heated so that no thermal shock is given to other parts. You can do so. Specific methods include direct heating with a contact heater, local hot air from the component direction, an infrared heater, microwave heating, and the like.

【0037】(第11実施例)第10実施例は、部品の
加熱に特徴を有する例であるが、請求項11の発明に対
応する第11実施例は、基板を局所的に加熱することを
特徴とする。基板を保持しているステージの半導体部品
搭載位置下にヒータを設置することで、半導体部品搭載
位置に対応する基板部分を容易に局所加熱することがで
きる。
(Eleventh Embodiment) The tenth embodiment is an example having a feature in heating components, but the eleventh embodiment corresponding to the eleventh aspect of the present invention is directed to locally heating a substrate. Features. By installing a heater below the semiconductor component mounting position of the stage holding the substrate, it is possible to easily locally heat the substrate portion corresponding to the semiconductor component mounting position.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、次のような効果を奏する。請求項1の発明に
よれば、樹脂を半導体部品下の間隙全面に塗布すること
なく、周辺のみに塗布することにより、半導体部品を封
止する工程の時間の短縮化が図れる。また、樹脂を塗布
するだけのために加熱する必要が無いため、より安価な
装置にて半導体部品封止方法を実施することができる。
As is apparent from the above description, the present invention has the following effects. According to the first aspect of the present invention, the resin is applied only to the periphery without applying to the entire gap under the semiconductor component, so that the time for the step of sealing the semiconductor component can be reduced. In addition, since it is not necessary to heat only for applying the resin, the semiconductor component sealing method can be performed with a cheaper apparatus.

【0039】請求項2の発明によれば、樹脂中に空気の
抜け穴を設けることにより、空気の抜け道を予め設定し
ておくことができ、ボイドのない良好なアンダーフィル
により半導体部品を確実に封止することができる。
According to the second aspect of the present invention, by providing an air vent hole in the resin, the air vent path can be set in advance, and the semiconductor component can be reliably sealed by a good underfill without voids. Can be stopped.

【0040】請求項3の発明によれば、バンプ配列を一
方向に定めることにより、樹脂が半導体部品下の間隙内
を浸透する際の空気抜けを容易にすることができ、ボイ
ドのない良好なアンダーフィルにより半導体部品を確実
に封止することができる。
According to the third aspect of the present invention, by arranging the bump arrangement in one direction, it is possible to facilitate air bleeding when the resin penetrates into the gap under the semiconductor component, and it is possible to eliminate voids in a favorable manner. The semiconductor component can be reliably sealed by the underfill.

【0041】請求項4の発明によれば、間隙中にバンプ
で囲まれない領域を設けることにより、樹脂が半導体部
品下の間隙内を浸透する際の空気の抜け道を確保するこ
とができ、ボイドのない良好なアンダーフィルにより半
導体部品を確実に封止することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, by providing an area not surrounded by bumps in the gap, it is possible to secure an air passage when the resin permeates the gap under the semiconductor component. The semiconductor component can be reliably sealed by a good underfill without the problem.

【0042】請求項5の発明によれば、樹脂塗布時に加
熱することにより、樹脂の粘度を下げてより短時間で、
半導体部品の封止を行うことができる。
According to the fifth aspect of the present invention, by heating at the time of applying the resin, the viscosity of the resin is reduced, and
Semiconductor components can be sealed.

【0043】請求項6の発明によれば、樹脂を空気抜け
穴の周辺に多く塗布することにより、樹脂の不足による
アンダーフィル中のボイド発生を防止することができ
る。
According to the invention of claim 6, by applying a large amount of resin around the air vent hole, it is possible to prevent the occurrence of voids in the underfill due to insufficient resin.

【0044】請求項7の発明によれば、半導体部品周囲
に塗布する樹脂中に設ける空気抜け穴をバンプの配列と
同一方向にすることにより、効率よく空気を外に逃がす
ことができる。
According to the seventh aspect of the present invention, the air can efficiently escape to the outside by providing the air vent holes provided in the resin applied around the semiconductor component in the same direction as the arrangement of the bumps.

【0045】請求項8の発明によれば、基板の半導体部
品搭載位置の周囲に囲いを設けることにより、樹脂が周
辺へ塗れ広がることがなく、効率よく接合部へと浸透さ
せることができる。
According to the eighth aspect of the present invention, by providing an enclosure around the semiconductor component mounting position of the substrate, the resin does not spread to the periphery and spreads efficiently to the joint.

【0046】請求項9の発明によれば、はんだ印刷を制
約すること無く、囲いを形成することができる。また、
簡単な工程により囲いを設けることができる。
According to the ninth aspect, the enclosure can be formed without restricting the solder printing. Also,
The enclosure can be provided by a simple process.

【0047】請求項10の発明によれば、半導体部品を
加熱することで、他の部品が熱損傷すること無く、樹脂
を半導体部品下の間隙内に浸透させ、硬化させることが
できる。
According to the tenth aspect of the present invention, by heating the semiconductor component, the resin can be permeated into the gap below the semiconductor component and cured without causing other components to be thermally damaged.

【0048】請求項11の発明によれば、より簡易な加
熱方法によって、樹脂を半導体部品下の間隙内に浸透さ
せ、硬化することができる。
According to the eleventh aspect, the resin can be permeated into the gap below the semiconductor component and cured by a simpler heating method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 第1実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 1 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a first embodiment.

【図2】 第2実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 2 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a second embodiment.

【図3】 第4実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 3 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a fourth embodiment.

【図4】 第4実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 4 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a fourth embodiment.

【図5】 第6実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 5 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a sixth embodiment.

【図6】 第7実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 6 is a view illustrating a semiconductor component sealing method according to a seventh embodiment.

【図7】 第8実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 7 is a view showing a semiconductor component sealing method according to an eighth embodiment.

【図8】 第9実施例の半導体部品封止方法を示す図で
ある。
FIG. 8 is a view showing a semiconductor component sealing method according to a ninth embodiment.

【図9】 従来の半導体部品封止方法の樹脂塗布方法を
示す図である。
FIG. 9 is a view showing a resin coating method of a conventional semiconductor component sealing method.

【図10】 図9に示す樹脂塗布方法を用いた、従来の
半導体部品封止方法を示す図である。
10 is a diagram showing a conventional semiconductor component sealing method using the resin coating method shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11…半導体部品、2,12…バンプ、2a,2b
…空気の抜け道、3,13…樹脂、3a…空気抜け穴、
4,14…基板、5…囲い、6…電極、7…はんだ、1
5…ディスペンサ。
1,11: semiconductor parts, 2,12: bumps, 2a, 2b
… Air vent, 3,13… resin, 3a… air vent,
4, 14: substrate, 5: enclosure, 6: electrode, 7: solder, 1
5 ... Dispenser.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 芳博 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 坂津 務 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 桑崎 聡 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 5F044 LL11 QQ02 RR19 5F061 AA01 BA03 CA05 CB13  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshihiro Yoshida 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock inside Ricoh Company (72) Inventor Tsukasa Sazu 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Ricoh Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Kuwasaki 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo F-term in Ricoh Co., Ltd. 5F044 LL11 QQ02 RR19 5F061 AA01 BA03 CA05 CB13

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体部品を基板上にバンプを介して実
装する半導体部品封止方法において、前記半導体部品周
辺に樹脂を塗布し、その後前記樹脂が硬化する温度に加
熱することにより、前記半導体部品と前記基板間の間隙
に前記樹脂を浸透させて封止することを特徴とする半導
体部品封止方法。
In a semiconductor component sealing method for mounting a semiconductor component on a substrate via bumps, a resin is applied to the periphery of the semiconductor component, and then heated to a temperature at which the resin cures, whereby the semiconductor component is heated. And sealing the resin by penetrating the resin into a gap between the substrate and the substrate.
【請求項2】 請求項1記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記樹脂に囲まれた空隙部と前記半導体部品外部
とを結ぶ空気抜け穴を設けることを特徴とする半導体部
品封止方法。
2. The semiconductor component sealing method according to claim 1, further comprising: providing an air vent hole connecting a void surrounded by the resin and the outside of the semiconductor component.
【請求項3】 請求項1記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記半導体部品のバンプは列配置構造であること
を特徴とする半導体部品封止方法。
3. The semiconductor component sealing method according to claim 1, wherein the bumps of the semiconductor component have a row arrangement structure.
【請求項4】 請求項1記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記半導体部品のバンプは、前記半導体部品の中
心部と外周部との間にバンプの無い領域が1列以上ある
ことを特徴とする半導体部品封止方法。
4. The semiconductor component sealing method according to claim 1, wherein the bumps of the semiconductor component have at least one row of regions without bumps between a central portion and an outer peripheral portion of the semiconductor component. Semiconductor component sealing method.
【請求項5】 請求項1記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記樹脂の加熱方法は、前記樹脂塗布時に加熱
し、前記間隙への浸透が終了した後更に硬化温度に加熱
して硬化させることを特徴とする半導体部品封止方法。
5. The method for sealing a semiconductor component according to claim 1, wherein in the method of heating the resin, the resin is heated at the time of applying the resin, and after the penetration into the gap is completed, the resin is further heated to a curing temperature to be cured. A semiconductor component sealing method characterized by the above-mentioned.
【請求項6】 請求項2記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記空気抜け穴周辺の樹脂塗布量を他の部位に比
べて多くすることを特徴とする半導体部品封止方法。
6. The semiconductor component sealing method according to claim 2, wherein the amount of resin applied around the air vent hole is increased as compared with other portions.
【請求項7】 請求項2記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記空気抜け穴は列配置構造のバンプの列方向延
長上に設けられることを特徴とする半導体部品封止方
法。
7. The semiconductor component sealing method according to claim 2, wherein the air vent hole is provided on an extension of the bumps of the row arrangement structure in the row direction.
【請求項8】 請求項1記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記基板は前記半導体部品搭載位置の周囲に囲い
が設けられることを特徴とする半導体部品封止方法。
8. The semiconductor component sealing method according to claim 1, wherein the substrate is provided with an enclosure around the semiconductor component mounting position.
【請求項9】 請求項8記載の半導体部品封止方法にお
いて、前記囲いは金属により形成されることを特徴とす
る半導体部品封止方法。
9. The method according to claim 8, wherein the enclosure is formed of a metal.
【請求項10】 請求項1記載の半導体部品封止方法に
おいて、前記樹脂の加熱方法は前記半導体部品のみを加
熱することを特徴とする半導体部品封止方法。
10. The semiconductor component sealing method according to claim 1, wherein said resin heating method heats only said semiconductor component.
【請求項11】 請求項1記載の半導体部品封止方法に
おいて、前記樹脂の加熱方法は半導体部品搭載位置の基
板のみを加熱することを特徴とする半導体部品封止方
法。
11. The semiconductor component sealing method according to claim 1, wherein said resin heating method heats only a substrate at a semiconductor component mounting position.
JP2000328870A 2000-10-27 2000-10-27 Method for encapsulating semiconductor component Pending JP2002134534A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000328870A JP2002134534A (en) 2000-10-27 2000-10-27 Method for encapsulating semiconductor component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000328870A JP2002134534A (en) 2000-10-27 2000-10-27 Method for encapsulating semiconductor component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002134534A true JP2002134534A (en) 2002-05-10

Family

ID=18805657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000328870A Pending JP2002134534A (en) 2000-10-27 2000-10-27 Method for encapsulating semiconductor component

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002134534A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781089B2 (en) 2005-05-11 2010-08-24 Ricoh Company, Ltd. Protection circuit module for a secondary battery and a battery package using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781089B2 (en) 2005-05-11 2010-08-24 Ricoh Company, Ltd. Protection circuit module for a secondary battery and a battery package using same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3070514B2 (en) Semiconductor device having protruding electrode, method of mounting semiconductor device, and mounting structure thereof
JP2861965B2 (en) Method of forming bump electrodes
KR101158139B1 (en) Semiconductor device
JPH1126484A (en) Method and equipment for injection mold flip chip capsule sealing
JP2007251070A (en) Semiconductor device and method of manufacturing same
US8025205B2 (en) Electronic component mounting method
US20020089836A1 (en) Injection molded underfill package and method of assembly
JP5228479B2 (en) Manufacturing method of electronic device
JP2009182155A (en) Lsi package and lsi package loading type electronic component
US6475828B1 (en) Method of using both a non-filled flux underfill and a filled flux underfill to manufacture a flip-chip
US7205485B2 (en) Printed circuit board and method for fabricating the same
US7704797B2 (en) Module and method of manufacturing the same
JP2002134534A (en) Method for encapsulating semiconductor component
JP2014143316A (en) Resin sealing method of flip chip component
JP3532450B2 (en) Mounting structure of BGA type semiconductor package and mounting method thereof
JP2002016192A (en) Mounting structure of electronic part and mounting method of electronic part
JP2003158154A (en) Electronic component mounting method
JPH11163049A (en) Structure and method of mounting electronic component with bump
JP4752717B2 (en) Module manufacturing method
JP2917941B2 (en) Bare chip mounting board
JP2004063524A (en) Apparatus and method for mounting or printed circuit board
JP2000306932A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2006286782A (en) Wiring board, semiconductor device, and manufacturing method thereof
JPH1098077A (en) Production of semiconductor device
JPH0888464A (en) Flip-chip-mounting method