JP2002134431A - イオン注入装置及び半導体ウェハ及びその評価方法 - Google Patents
イオン注入装置及び半導体ウェハ及びその評価方法Info
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- JP2002134431A JP2002134431A JP2000321202A JP2000321202A JP2002134431A JP 2002134431 A JP2002134431 A JP 2002134431A JP 2000321202 A JP2000321202 A JP 2000321202A JP 2000321202 A JP2000321202 A JP 2000321202A JP 2002134431 A JP2002134431 A JP 2002134431A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ毎で容易にイオン注入状態を概ね把握す
ることのできるイオン注入装置及びその評価方法及び半
導体ウェハを提供する。 【解決手段】イオン注入装置１０は、イオンソース部１
１からビームライン部１２を介してイオン注入室１３に
至る機構が構成されている。イオン注入室１３内の試料
台１３１に関し、回転制御可能な半導体ウェハＷＦの載
置部１３２は、単なる半導体ウェハＷＦのオリフラ合わ
せだけでなく、所定の回転角で半導体ウェハＷＦが回転
制御されるようになっている。ウェハの支持部（クラン
プリング）１３３は、ウェハの周縁部を押えつけて支持
するものであるが、一箇所以上の切れ目、すなわち空き
領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が設けられ、ウェハの素子領域
におけるイオン注入時、同じくイオン注入がなされ、評
価用のモニタ領域となる。
ることのできるイオン注入装置及びその評価方法及び半
導体ウェハを提供する。 【解決手段】イオン注入装置１０は、イオンソース部１
１からビームライン部１２を介してイオン注入室１３に
至る機構が構成されている。イオン注入室１３内の試料
台１３１に関し、回転制御可能な半導体ウェハＷＦの載
置部１３２は、単なる半導体ウェハＷＦのオリフラ合わ
せだけでなく、所定の回転角で半導体ウェハＷＦが回転
制御されるようになっている。ウェハの支持部（クラン
プリング）１３３は、ウェハの周縁部を押えつけて支持
するものであるが、一箇所以上の切れ目、すなわち空き
領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が設けられ、ウェハの素子領域
におけるイオン注入時、同じくイオン注入がなされ、評
価用のモニタ領域となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製品の製造
途中に適用され、特にイオンを照射して試料（半導体ウ
ェハ）の物性を制御するイオン注入装置及び半導体ウェ
ハ及びその評価方法に関する。
途中に適用され、特にイオンを照射して試料（半導体ウ
ェハ）の物性を制御するイオン注入装置及び半導体ウェ
ハ及びその評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の大規模集積化、デザ
インルールの縮小化が著しい。これに伴い、半導体素子
の製造において、半導体ウェハのイオン注入処理後のド
ーズ量管理は非常に難しくなっている。
インルールの縮小化が著しい。これに伴い、半導体素子
の製造において、半導体ウェハのイオン注入処理後のド
ーズ量管理は非常に難しくなっている。
【０００３】従来のイオン注入装置では、定期的にモニ
タウェハを投入し、イオン注入状態に異常がないかを検
査する。その際、例えばウェハ上のイオン注入層に４本
の探針を接触させる、いわゆる四探針法が適用される。
直線状に並んだ探針の互いに外側の２本に電流を流し、
内側の２本に電圧を発生させ、この電流と電圧とから抵
抗値を導く。ウェハの厚さ、探針間の距離、測定点での
影響を考慮してコンピュータ解析し、ウェハ面内での平
均値のずれ（偏差）を評価する。
タウェハを投入し、イオン注入状態に異常がないかを検
査する。その際、例えばウェハ上のイオン注入層に４本
の探針を接触させる、いわゆる四探針法が適用される。
直線状に並んだ探針の互いに外側の２本に電流を流し、
内側の２本に電圧を発生させ、この電流と電圧とから抵
抗値を導く。ウェハの厚さ、探針間の距離、測定点での
影響を考慮してコンピュータ解析し、ウェハ面内での平
均値のずれ（偏差）を評価する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各種イ
オン注入の処理数も多く複雑になってきている。また、
モニタウェハの投入は頻繁に行うものではない。よっ
て、ある程度の製品完成後にイオン注入に問題のある異
常ウェハが検出される恐れがあった。そこで、各ロット
毎、あるいはバッチ毎の保証、管理が望まれる傾向にあ
る。
オン注入の処理数も多く複雑になってきている。また、
モニタウェハの投入は頻繁に行うものではない。よっ
て、ある程度の製品完成後にイオン注入に問題のある異
常ウェハが検出される恐れがあった。そこで、各ロット
毎、あるいはバッチ毎の保証、管理が望まれる傾向にあ
る。
【０００５】本発明は、上記のような事情を考慮してな
されたもので、ウェハ毎で容易にイオン注入状態を概ね
把握することのできるイオン注入装置及びその評価方法
及び半導体ウェハを提供しようとするものである。
されたもので、ウェハ毎で容易にイオン注入状態を概ね
把握することのできるイオン注入装置及びその評価方法
及び半導体ウェハを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るイオン注入
装置は、半導体ウェハへイオンを照射するイオン注入装
置であって、イオンソース部からビームライン部を介し
てイオン注入室に至る機構と、前記注入室に配備された
前記半導体ウェハを複数載置する試料台と、前記試料台
に設けられ前記半導体ウェハの位置合わせをする回転制
御機構と、前記試料台に設けられ前記半導体ウェハの周
縁部で所定の空き領域を有して押える支持部とを具備し
たことを特徴とする。
装置は、半導体ウェハへイオンを照射するイオン注入装
置であって、イオンソース部からビームライン部を介し
てイオン注入室に至る機構と、前記注入室に配備された
前記半導体ウェハを複数載置する試料台と、前記試料台
に設けられ前記半導体ウェハの位置合わせをする回転制
御機構と、前記試料台に設けられ前記半導体ウェハの周
縁部で所定の空き領域を有して押える支持部とを具備し
たことを特徴とする。
【０００７】上記本発明に係るイオン注入装置によれ
ば、支持部に空き領域を有している。この空き領域は、
半導体ウェハへイオンを照射する際、同等のイオンが注
入される領域となる。好ましくは、上記回転制御機構に
よって半導体ウェハの周縁部における支持部の空き領域
が変えられることを特徴とする。
ば、支持部に空き領域を有している。この空き領域は、
半導体ウェハへイオンを照射する際、同等のイオンが注
入される領域となる。好ましくは、上記回転制御機構に
よって半導体ウェハの周縁部における支持部の空き領域
が変えられることを特徴とする。
【０００８】上記本発明に係るイオン注入装置では、支
持部の所定の空き領域は半導体ウェハにおいて所定のイ
オン注入がなされる測定評価用のモニタ領域となること
を特徴とする。これにより、個々の半導体ウェハ毎に所
定のイオン注入に関するモニタ領域が設けられることに
なる。
持部の所定の空き領域は半導体ウェハにおいて所定のイ
オン注入がなされる測定評価用のモニタ領域となること
を特徴とする。これにより、個々の半導体ウェハ毎に所
定のイオン注入に関するモニタ領域が設けられることに
なる。
【０００９】本発明に係る半導体ウェハは、製品となる
半導体ウェハであって、素子が形成される実質的に有用
な領域と、それ以外の周縁部を具備し、前記周縁部で所
定のイオン注入領域が形成してあることを特徴とする。
半導体ウェハであって、素子が形成される実質的に有用
な領域と、それ以外の周縁部を具備し、前記周縁部で所
定のイオン注入領域が形成してあることを特徴とする。
【００１０】本発明に係る半導体ウェハによれば、周縁
部に所定のイオン注入領域が形成してある。これによ
り、このイオン注入領域が測定評価用のモニタ領域とな
っていることを特徴とする。また、好ましくは、このイ
オン注入領域は、素子が形成される実質的に有用な領域
へのイオン注入の種類毎にそれぞれ形成されていること
を特徴とする。
部に所定のイオン注入領域が形成してある。これによ
り、このイオン注入領域が測定評価用のモニタ領域とな
っていることを特徴とする。また、好ましくは、このイ
オン注入領域は、素子が形成される実質的に有用な領域
へのイオン注入の種類毎にそれぞれ形成されていること
を特徴とする。
【００１１】本発明に係る半導体ウェハの評価方法は、
製品となる半導体ウェハに関し少なくともイオン注入状
態を評価する方法であって、前記半導体ウェハの周縁部
で所定のイオン注入領域を形成し、このイオン注入領域
を測定領域として少なくとも抵抗率を求めることを特徴
とする。
製品となる半導体ウェハに関し少なくともイオン注入状
態を評価する方法であって、前記半導体ウェハの周縁部
で所定のイオン注入領域を形成し、このイオン注入領域
を測定領域として少なくとも抵抗率を求めることを特徴
とする。
【００１２】本発明に係る半導体ウェハの評価方法によ
れば、半導体ウェハの周縁部で形成された所定のイオン
注入領域の抵抗率を求める。これにより、製品となる半
導体ウェハそれぞれについてイオン注入状態を評価する
ことが可能となる。そこで、好ましくは、半導体ウェハ
のイオン注入処理後に上記測定領域における抵抗率が求
められることを特徴とする。また、さらにはアニール状
態の評価も可能とするよう、上記半導体ウェハのアニー
ル処理後に測定領域における抵抗率が求められることを
特徴とする。
れば、半導体ウェハの周縁部で形成された所定のイオン
注入領域の抵抗率を求める。これにより、製品となる半
導体ウェハそれぞれについてイオン注入状態を評価する
ことが可能となる。そこで、好ましくは、半導体ウェハ
のイオン注入処理後に上記測定領域における抵抗率が求
められることを特徴とする。また、さらにはアニール状
態の評価も可能とするよう、上記半導体ウェハのアニー
ル処理後に測定領域における抵抗率が求められることを
特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
るイオン注入装置の要部構成を示す概観図である。イオ
ン注入装置１０は、イオンソース部１１からビームライ
ン部１２を介してイオン注入室１３に至る機構が構成さ
れている。図は代表して大電流機の装置構成を示すもの
で一般的な詳細構成は省略する。図示しないが、一般的
な説明は以下のようになる。イオンソース部１１では、
ドーパントを含むガスがプラズマ室に供給される（アー
クプラズマの形成）。イオンビームは引き出し電極によ
り導出され、質量分析器で所望のイオンが分離される。
ビームライン部１２においてレンズ系で収束されたイオ
ンビームは、例えばマグネット走査され、イオン注入室
１３においてターゲットであるウェハ（ＷＦ）１枚毎に
照射される。
るイオン注入装置の要部構成を示す概観図である。イオ
ン注入装置１０は、イオンソース部１１からビームライ
ン部１２を介してイオン注入室１３に至る機構が構成さ
れている。図は代表して大電流機の装置構成を示すもの
で一般的な詳細構成は省略する。図示しないが、一般的
な説明は以下のようになる。イオンソース部１１では、
ドーパントを含むガスがプラズマ室に供給される（アー
クプラズマの形成）。イオンビームは引き出し電極によ
り導出され、質量分析器で所望のイオンが分離される。
ビームライン部１２においてレンズ系で収束されたイオ
ンビームは、例えばマグネット走査され、イオン注入室
１３においてターゲットであるウェハ（ＷＦ）１枚毎に
照射される。
【００１４】本発明の実施形態では、イオン注入室１３
内の試料台１３１及び試料台１３１に設けられたウェハ
の支持部（クランプリング）１３３にある。試料台１３
１に関し、半導体ウェハの載置部１３２自体がウェハ位
置合わせのために回転制御可能となっている。回転制御
可能な載置部１３２は、単なる半導体ウェハのオリフラ
合わせだけでなく、所定の回転角でもって半導体ウェハ
が回転制御されるようになっている。
内の試料台１３１及び試料台１３１に設けられたウェハ
の支持部（クランプリング）１３３にある。試料台１３
１に関し、半導体ウェハの載置部１３２自体がウェハ位
置合わせのために回転制御可能となっている。回転制御
可能な載置部１３２は、単なる半導体ウェハのオリフラ
合わせだけでなく、所定の回転角でもって半導体ウェハ
が回転制御されるようになっている。
【００１５】さらに、ウェハの支持部（クランプリン
グ）１３３は、ウェハの周縁部５ｍｍ以下の幅を押えつ
けて支持するものであるが、一箇所以上の切れ目、すな
わち空き領域が設けられている。図では、２箇所の空き
領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が設けられ、ウェハの素子領域
におけるイオン注入時、同じくイオン注入がなされる。
グ）１３３は、ウェハの周縁部５ｍｍ以下の幅を押えつ
けて支持するものであるが、一箇所以上の切れ目、すな
わち空き領域が設けられている。図では、２箇所の空き
領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が設けられ、ウェハの素子領域
におけるイオン注入時、同じくイオン注入がなされる。
【００１６】半導体ウェハＷＦの周縁部における支持部
１３３の空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２は、イオン注入毎
に上記回転制御可能な載置部１３２によって位置が変え
られる。これにより、半導体ウェハＷＦの周縁部に空き
領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２に応じた複数種のイオン注入領
域が形成される。
１３３の空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２は、イオン注入毎
に上記回転制御可能な載置部１３２によって位置が変え
られる。これにより、半導体ウェハＷＦの周縁部に空き
領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２に応じた複数種のイオン注入領
域が形成される。
【００１７】このようなイオン注入領域は、それぞれの
測定評価用のモニタ領域とすることができる。すなわ
ち、ウェハＷＦの周縁部にイオン注入毎の各モニタ領域
を有し、これを用いてイオン注入状態を評価することが
できるのである。
測定評価用のモニタ領域とすることができる。すなわ
ち、ウェハＷＦの周縁部にイオン注入毎の各モニタ領域
を有し、これを用いてイオン注入状態を評価することが
できるのである。
【００１８】図２は、本発明の一実施形態に係る半導体
ウェハの要部構成を示す平面図である。図１に示す構成
のイオン注入装置で処理された半導体ウェハＷＦの縁部
には、空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２に応じたイオン注入
領域ＩＭＰ（ＩＭＰ１１，２１，１２，２２，１３，２
３）が複数形成されている。
ウェハの要部構成を示す平面図である。図１に示す構成
のイオン注入装置で処理された半導体ウェハＷＦの縁部
には、空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２に応じたイオン注入
領域ＩＭＰ（ＩＭＰ１１，２１，１２，２２，１３，２
３）が複数形成されている。
【００１９】すなわち、上記図１のように半導体ウェハ
ＷＦは、イオン注入毎に載置部１３２によって回転制御
され、支持部１３３の空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が変
えられる。これにより、モニタ領域として、半導体ウェ
ハＷＦの周縁部において空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２に
応じた複数種（ここでは例として３種類）のイオン注入
領域ＩＭＰ１１，２１，１２，２２，１３，２３が形成
される。
ＷＦは、イオン注入毎に載置部１３２によって回転制御
され、支持部１３３の空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２が変
えられる。これにより、モニタ領域として、半導体ウェ
ハＷＦの周縁部において空き領域ＯＰＮ１，ＯＰＮ２に
応じた複数種（ここでは例として３種類）のイオン注入
領域ＩＭＰ１１，２１，１２，２２，１３，２３が形成
される。
【００２０】図３は、本発明の一実施形態に係る半導体
ウェハの評価方法を示す概観図であり、前記図１のよう
なイオン注入装置で処理された図２のような半導体ウェ
ハの評価方法を示している。
ウェハの評価方法を示す概観図であり、前記図１のよう
なイオン注入装置で処理された図２のような半導体ウェ
ハの評価方法を示している。
【００２１】図３のように、例えば四探針法が適用され
る。ウェハ上のイオン注入領域ＩＭＰの一つに４本の探
針を接触させる。直線状に並んだ探針の互いに外側の２
本に電流Ｉを流し、内側の２本に電圧Ｖを発生させる。
これにより、電流Ｉと電圧Ｖとから抵抗率を導く。ウェ
ハの厚さ、探針間の距離、測定点での影響を考慮してコ
ンピュータ解析し、イオン注入状態を評価する。
る。ウェハ上のイオン注入領域ＩＭＰの一つに４本の探
針を接触させる。直線状に並んだ探針の互いに外側の２
本に電流Ｉを流し、内側の２本に電圧Ｖを発生させる。
これにより、電流Ｉと電圧Ｖとから抵抗率を導く。ウェ
ハの厚さ、探針間の距離、測定点での影響を考慮してコ
ンピュータ解析し、イオン注入状態を評価する。
【００２２】図４は、図３に示す半導体ウェハの評価が
どの段階で行われるかの一例のフローを示している。ロ
ーダによって例えば前記図１のイオン注入装置１０にウ
ェハＷＦを搬入し（ロード４１）、イオン注入装置１０
においてウェハＷＦは所定のイオン注入工程４２がなさ
れる。イオン注入後のウェハＷＦは、アンローダによっ
てイオン注入装置１０から搬出され（アンロード４
３）、イオン注入に用いたレジストを除去した後、アニ
ール装置におけるアニール処理（４４）がなされる。そ
の後、測定評価工程（４５）に移行する。測定評価後、
ウェハボックスに収容される（４６）。
どの段階で行われるかの一例のフローを示している。ロ
ーダによって例えば前記図１のイオン注入装置１０にウ
ェハＷＦを搬入し（ロード４１）、イオン注入装置１０
においてウェハＷＦは所定のイオン注入工程４２がなさ
れる。イオン注入後のウェハＷＦは、アンローダによっ
てイオン注入装置１０から搬出され（アンロード４
３）、イオン注入に用いたレジストを除去した後、アニ
ール装置におけるアニール処理（４４）がなされる。そ
の後、測定評価工程（４５）に移行する。測定評価後、
ウェハボックスに収容される（４６）。
【００２３】上記測定評価工程（４５）においては、シ
ート抵抗測定器によりウェハＷＦの周縁部のイオン注入
領域（ＩＭＰ）に対し例えば四探針法が適用される（図
３参照）。数秒で測定を終えることができるため、タイ
ムロスが少なく、工程数増加の影響は小さい。ここで異
常が認められれば、イオン注入装置の停止等、対策が取
られる。
ート抵抗測定器によりウェハＷＦの周縁部のイオン注入
領域（ＩＭＰ）に対し例えば四探針法が適用される（図
３参照）。数秒で測定を終えることができるため、タイ
ムロスが少なく、工程数増加の影響は小さい。ここで異
常が認められれば、イオン注入装置の停止等、対策が取
られる。
【００２４】上記構成によれば、１回のイオン注入工程
終了毎に個々のウェハについてイオン注入状態のチェッ
クが可能になる。これにより、イオン注入装置に関し、
イオン注入異常発生時のフィードバックが早くなり、大
量不良を防ぐことが可能となる。
終了毎に個々のウェハについてイオン注入状態のチェッ
クが可能になる。これにより、イオン注入装置に関し、
イオン注入異常発生時のフィードバックが早くなり、大
量不良を防ぐことが可能となる。
【００２５】なお、上述のような半導体ウェハの評価方
法は、イオン注入装置におけるイオン注入状態を評価す
るだけでなく、アニール装置のアニール状態検査も期待
できる。例えば、図１に示したようなイオン注入装置に
おけるイオン注入を経た半導体ウェハを図示しないアニ
ール装置にてアニール処理する。例えばアニール装置の
アンロード側に設置した上述同様のシート抵抗測定器等
によって、ウェハの周縁部の各イオン注入領域（ＩＭ
Ｐ）に対し例えば四探針法が適用される。正常である場
合の抵抗値の期待値と比較し、解析することにより、イ
オン注入状態の評価と共にアニール拡散が正常に行われ
たか否かの評価も判断の対象にする。異常が認められた
なら、アニール装置の異常（温度設定等）を早めに検出
することができ、大量不良を防ぐことができる。
法は、イオン注入装置におけるイオン注入状態を評価す
るだけでなく、アニール装置のアニール状態検査も期待
できる。例えば、図１に示したようなイオン注入装置に
おけるイオン注入を経た半導体ウェハを図示しないアニ
ール装置にてアニール処理する。例えばアニール装置の
アンロード側に設置した上述同様のシート抵抗測定器等
によって、ウェハの周縁部の各イオン注入領域（ＩＭ
Ｐ）に対し例えば四探針法が適用される。正常である場
合の抵抗値の期待値と比較し、解析することにより、イ
オン注入状態の評価と共にアニール拡散が正常に行われ
たか否かの評価も判断の対象にする。異常が認められた
なら、アニール装置の異常（温度設定等）を早めに検出
することができ、大量不良を防ぐことができる。
【００２６】上記各実施形態の構成によれば、本発明に
係るイオン注入装置のウェハ周縁部の支持部が空き領域
を有し、この空き領域には、ウェハへの製品に関するイ
オン注入と同等のイオンが注入される。空き領域はウェ
ハの回転制御機構によって変えられるので、イオン注入
毎にウェハ周縁部に測定評価用のイオン注入領域（モニ
タ領域）が形成される。このモニタ領域に関し、抵抗率
を解析することにより、イオン注入装置のイオン注入状
態が検査できる。また、さらにはアニール装置における
アニール状態の異常も検査し得る。
係るイオン注入装置のウェハ周縁部の支持部が空き領域
を有し、この空き領域には、ウェハへの製品に関するイ
オン注入と同等のイオンが注入される。空き領域はウェ
ハの回転制御機構によって変えられるので、イオン注入
毎にウェハ周縁部に測定評価用のイオン注入領域（モニ
タ領域）が形成される。このモニタ領域に関し、抵抗率
を解析することにより、イオン注入装置のイオン注入状
態が検査できる。また、さらにはアニール装置における
アニール状態の異常も検査し得る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
実際の製品ウェハのイオン注入毎において少なくともイ
オン注入状態の情報が定量的に取得できるようモニタ領
域が準備され、測定評価される。この結果、ウェハ毎で
容易にイオン注入状態を概ね把握することのできるイオ
ン注入装置及びその評価方法及び半導体ウェハを提供す
ることができる。
実際の製品ウェハのイオン注入毎において少なくともイ
オン注入状態の情報が定量的に取得できるようモニタ領
域が準備され、測定評価される。この結果、ウェハ毎で
容易にイオン注入状態を概ね把握することのできるイオ
ン注入装置及びその評価方法及び半導体ウェハを提供す
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るイオン注入装置の要
部構成を示す概観図である。
部構成を示す概観図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体ウェハの要部
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体ウェハの評価
方法を示す概観図であり、前記図１のようなイオン注入
装置で処理された図２のような半導体ウェハの評価方法
を示している。
方法を示す概観図であり、前記図１のようなイオン注入
装置で処理された図２のような半導体ウェハの評価方法
を示している。
【図４】図３に示す半導体ウェハの評価がどの段階で行
われるかの一例のフローを示す流れ図である。
われるかの一例のフローを示す流れ図である。
１０…イオン注入装置 １１…イオンソース部 １２…ビームライン部 １３…イオン注入室 １３１…試料台 １３２…載置部 １３３…支持部（クランプリング） ４１〜４６…各処理ステップ ＷＦ…半導体ウェハ ＯＰＮ１，ＯＰＮ２…空き領域 ＩＭＰ…イオン注入領域
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウェハへイオンを照射するイオン
注入装置であって、 イオンソース部からビームライン部を介してイオン注入
室に至る機構と、 前記注入室に配備された前記半導体ウェハを複数載置す
る試料台と、 前記試料台に設けられ前記半導体ウェハの位置合わせを
する回転制御機構と、 前記試料台に設けられ前記半導体ウェハの周縁部で所定
の空き領域を有して押える支持部と、を具備したことを
特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 前記回転制御機構によって前記半導体ウ
ェハの周縁部における支持部の空き領域が変えられるこ
とを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】 前記支持部の所定の空き領域は前記半導
体ウェハにおいて所定のイオン注入がなされる測定評価
用のモニタ領域となることを特徴とする請求項１または
２記載のイオン注入装置。 - 【請求項４】 製品となる半導体ウェハであって、 素子が形成される実質的に有用な領域と、それ以外の周
縁部を具備し、 前記周縁部で所定のイオン注入領域が形成してあること
を特徴とする半導体ウェハ。 - 【請求項５】 前記イオン注入領域が測定評価用のモニ
タ領域となっていることを特徴とする請求項４記載の半
導体ウェハ。 - 【請求項６】 前記イオン注入領域は、素子が形成され
る実質的に有用な領域へのイオン注入の種類毎にそれぞ
れ形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導
体ウェハ。 - 【請求項７】 製品となる半導体ウェハに関し少なくと
もイオン注入状態を評価する方法であって、 前記半導体ウェハの周縁部で所定のイオン注入領域を形
成し、このイオン注入領域を測定領域として少なくとも
抵抗率を求めることを特徴とする半導体ウェハの評価方
法。 - 【請求項８】 前記半導体ウェハのイオン注入処理後、
アニール処理を経た後に前記測定領域における前記抵抗
率が求められることを特徴とする請求項７記載の半導体
ウェハの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321202A JP2002134431A (ja) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | イオン注入装置及び半導体ウェハ及びその評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000321202A JP2002134431A (ja) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | イオン注入装置及び半導体ウェハ及びその評価方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010147436A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk | ４探針抵抗率測定装置 |
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2000
- 2000-10-20 JP JP2000321202A patent/JP2002134431A/ja not_active Withdrawn
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