JP2002134429A - Bearing cover for substrate treating apparatus, substrate treating apparatus and heat treating method - Google Patents
Bearing cover for substrate treating apparatus, substrate treating apparatus and heat treating methodInfo
- Publication number
- JP2002134429A JP2002134429A JP2000312367A JP2000312367A JP2002134429A JP 2002134429 A JP2002134429 A JP 2002134429A JP 2000312367 A JP2000312367 A JP 2000312367A JP 2000312367 A JP2000312367 A JP 2000312367A JP 2002134429 A JP2002134429 A JP 2002134429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- substrate
- bearing cover
- processing apparatus
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板支持部材を回
転させる回転機構のベアリングを保護する基板処理装置
用のベアリングカバー及び基板処理装置、並びに半導体
ウェハ等の被処理基板を熱処理する熱処理方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bearing cover for a substrate processing apparatus for protecting a bearing of a rotation mechanism for rotating a substrate supporting member, a substrate processing apparatus, and a heat treatment method for heat-treating a substrate to be processed such as a semiconductor wafer. Things.
【０００２】[0002]
【従来の技術】基板処理装置の１つである熱処理装置
は、例えば、処理チャンバと、この処理チャンバ内に配
置され、半導体ウェハを支持する基板支持部材と、この
基板支持部材を回転させる回転機構と、基板支持部材の
上方に配置され、基板支持部材に支持されたウェハを加
熱する複数の赤外線ランプ等からなる加熱ランプ部と、
ウェハの温度を計測する温度センサと、基板支持部材の
外側に配置され、回転機構のベアリングを保護するベア
リングカバーとを備えている。2. Description of the Related Art A heat treatment apparatus, which is one of substrate processing apparatuses, includes, for example, a processing chamber, a substrate supporting member disposed in the processing chamber and supporting a semiconductor wafer, and a rotating mechanism for rotating the substrate supporting member. And, a heating lamp portion including a plurality of infrared lamps and the like disposed above the substrate support member and heating a wafer supported by the substrate support member,
The temperature sensor includes a temperature sensor that measures the temperature of the wafer, and a bearing cover that is disposed outside the substrate support member and protects a bearing of the rotating mechanism.
【０００３】このような熱処理装置によりウェハの熱処
理を行う場合、ウェハを基板支持部材に支持した後、処
理チャンバ内にプロセスガスを供給する。そして、回転
機構によりウェハを回転させると共に、温度センサによ
りウェハの温度を監視しながら、加熱ランプ部によりウ
ェハを所定の温度まで加熱する。In the case of performing a heat treatment on a wafer by such a heat treatment apparatus, a process gas is supplied into a processing chamber after the wafer is supported on a substrate supporting member. Then, the wafer is heated to a predetermined temperature by a heating lamp unit while the wafer is rotated by a rotation mechanism and the temperature of the wafer is monitored by a temperature sensor.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記のようなランプ加
熱を用いた熱処理においては、今後、プロセスの発展に
よりランプの出力を上げる傾向にある。この場合には、
加熱ランプ部からの光（熱）をウェハ表面に効率よく照
射し、電力消費を低減する必要性が生じる。In the heat treatment using lamp heating as described above, the output of the lamp tends to increase in the future due to the development of the process. In this case,
There is a need to efficiently irradiate light (heat) from the heating lamp portion to the wafer surface to reduce power consumption.
【０００５】本発明の目的は、熱効率を向上させて電力
消費の低減を図ることができる基板処理装置用のベアリ
ングカバー、基板処理装置および基板処理方法を提供す
ることである。An object of the present invention is to provide a bearing cover, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method for a substrate processing apparatus which can improve thermal efficiency and reduce power consumption.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板を
支持する基板支持部材の外側に配置され、基板支持部材
を回転させる回転機構のベアリングを保護する基板処理
装置用のベアリングカバーであって、基板支持部材の上
方に配置された加熱ランプ部からの照射熱を内側に反射
させる熱反射面が設けられている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a bearing cover for a substrate processing apparatus which is disposed outside a substrate supporting member for supporting a substrate to be processed and protects a bearing of a rotating mechanism for rotating the substrate supporting member. In addition, a heat reflecting surface is provided for reflecting the irradiation heat from the heating lamp portion disposed above the substrate support member to the inside.
【０００７】このように構成した本発明においては、加
熱ランプ部から照射された熱がベアリングカバーの熱反
射面で反射し、内側上方に向かう。そして、その反射熱
の一部は加熱ランプ部のランプ面で再反射し、基板支持
部材に支持された被処理基板および基板支持部材のエッ
ジ部に届く。従って、加熱ランプ部から照射された熱の
放散が抑えられるため、熱効率が向上し、これにより電
力消費を低減できる。また、電力消費を低減することに
よって、回転機構への熱影響も低減される。[0007] In the present invention having such a configuration, the heat radiated from the heating lamp portion is reflected by the heat reflecting surface of the bearing cover, and travels inward and upward. Then, part of the reflected heat is re-reflected by the lamp surface of the heating lamp portion and reaches the substrate to be processed supported by the substrate support member and the edge portion of the substrate support member. Therefore, the dissipation of the heat radiated from the heating lamp portion is suppressed, so that the thermal efficiency is improved, and the power consumption can be reduced. Also, by reducing power consumption, thermal effects on the rotating mechanism are also reduced.
【０００８】好ましくは、熱反射面は、外側から内側に
向かって低くなる傾斜面または曲面である。これによ
り、加熱ランプ部からの照射熱を確実に内側に反射させ
ることができる。[0008] Preferably, the heat reflecting surface is an inclined surface or a curved surface which becomes lower from the outside to the inside. Thereby, the irradiation heat from the heating lamp unit can be reliably reflected inward.
【０００９】また、好ましくは、熱反射面には鏡面加工
が施されている。これにより、照射熱の反射効率が高く
なるので、熱効率がより向上する。この場合、熱反射面
の中心線平均粗さは０．０５μｍ以下であることが好ま
しい。[0009] Preferably, the heat reflecting surface is mirror-finished. Thereby, the reflection efficiency of the irradiation heat is increased, and the heat efficiency is further improved. In this case, the center line average roughness of the heat reflecting surface is preferably 0.05 μm or less.
【００１０】また、好ましくは、熱反射面の赤外線反射
率が６０％以上である。[0010] Preferably, the infrared reflectance of the heat reflecting surface is 60% or more.
【００１１】さらに、好ましくは、耐熱性を有する材料
によるコーティングが表面に施されている。これによ
り、ベアリングカバーの耐熱性が向上するため、回転機
構への熱影響がいっそう低減される。この場合、耐熱性
を有する材料は窒化チタンであることが好ましい。Further, preferably, the surface is coated with a heat-resistant material. As a result, the heat resistance of the bearing cover is improved, so that the thermal effect on the rotating mechanism is further reduced. In this case, the material having heat resistance is preferably titanium nitride.
【００１２】また、好ましくは、材質が耐熱鋼、ステン
レス鋼、アルミニウム合金のいずれかである。これによ
り、加熱ランプ部として赤外線ランプを使用した場合、
加熱ランプ部からの照射熱の反射効率が高くなる。Preferably, the material is any of heat-resistant steel, stainless steel, and aluminum alloy. As a result, when an infrared lamp is used as the heating lamp,
The reflection efficiency of the heat radiated from the heating lamp section is increased.
【００１３】さらに、好ましくは、基板処理装置は熱処
理装置である。上記のベアリングカバーを熱処理装置に
適用することで、被処理基板の熱処理が効率よく行える
ようになる。Further, preferably, the substrate processing apparatus is a heat treatment apparatus. By applying the bearing cover to a heat treatment apparatus, heat treatment of the substrate to be processed can be performed efficiently.
【００１４】本発明に係る基板処理装置は、処理チャン
バと、処理チャンバ内に設けられ、被処理基板を支持す
る基板支持部材と、基板支持部材を回転させる回転機構
と、基板支持部材の上方に配置され、基板支持部材に支
持された被処理基板を加熱する加熱ランプ部と、基板支
持部材の外側に配置され、回転機構のベアリングを保護
するベアリングカバーとを備え、ベアリングカバーに
は、加熱ランプ部からの照射熱を内側に反射させる熱反
射面が設けられている。[0014] A substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber, a substrate support member provided in the processing chamber and supporting a substrate to be processed, a rotation mechanism for rotating the substrate support member, and an upper part of the substrate support member. A heating lamp portion arranged to heat the substrate to be processed supported by the substrate support member; and a bearing cover arranged outside the substrate support member to protect a bearing of the rotating mechanism. A heat reflecting surface is provided for reflecting the irradiation heat from the part inward.
【００１５】このようなベアリングカバーを設けること
により、加熱ランプ部からの照射熱はベアリングカバー
や加熱ランプ部のランプ面で反射を繰り返して、被処理
基板および基板支持部材のエッジ部に達するため、熱効
率が向上し、これにより電力消費を低減できる。By providing such a bearing cover, the irradiation heat from the heating lamp portion repeatedly reflects on the bearing cover and the lamp surface of the heating lamp portion and reaches the edge of the substrate to be processed and the substrate supporting member. Thermal efficiency is improved, which can reduce power consumption.
【００１６】好ましくは、処理チャンバの側壁の内壁面
には鏡面加工が施されている。この場合には、加熱ラン
プ部から処理チャンバの側壁に向かって出射される熱
が、側壁の内壁面で効果的に反射して、被処理基板およ
び基板支持部材のエッジ部に向かう。従って、熱効率が
より向上し、更なる電力消費の低減が図れる。Preferably, the inner wall surface of the side wall of the processing chamber is mirror-finished. In this case, the heat emitted from the heating lamp toward the side wall of the processing chamber is effectively reflected on the inner wall surface of the side wall, and travels toward the edge of the substrate to be processed and the substrate support member. Therefore, the thermal efficiency is further improved, and the power consumption can be further reduced.
【００１７】さらに、本発明に係る熱処理方法は、上記
の基板処理装置を使用して、基板支持部材に支持された
被処理基板を熱処理するものである。これにより、被処
理基板の熱処理において、熱効率を向上させて電力消費
の低減を図ることができる。Further, a heat treatment method according to the present invention uses the above-described substrate processing apparatus to heat-treat a substrate to be processed supported by a substrate support member. Thereby, in the heat treatment of the substrate to be processed, the thermal efficiency can be improved and the power consumption can be reduced.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板処理装置
用のベアリングカバー、基板処理装置および熱処理方法
の好適な実施形態について図面を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a bearing cover for a substrate processing apparatus, a substrate processing apparatus and a heat treatment method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】まず、本発明に係る基板処理装置の第１の
実施形態を図１〜図６により説明する。図１は、基板処
理装置として、シリコンウェハ（被処理基板）Ｗの熱処
理を行う熱処理装置を示したものである。First, a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a heat treatment apparatus for performing a heat treatment on a silicon wafer (substrate to be processed) W as a substrate processing apparatus.
【００２０】同図において、熱処理装置１は、石英ガラ
スからなる処理チャンバ２を備え、この処理チャンバ２
内には、ウェハＷを支持する基板支持部材３が設置され
ている。この基板支持部材３は、石英ガラス製の支持リ
ング４と、この支持リング４の上端部に結合されたシリ
コンカーバイド製のエッジリング５とからなり、このエ
ッジリング５の内側縁部にウェハＷのエッジ部が支持さ
れる。In FIG. 1, a heat treatment apparatus 1 includes a processing chamber 2 made of quartz glass.
Inside, a substrate support member 3 for supporting the wafer W is provided. The substrate support member 3 includes a support ring 4 made of quartz glass and an edge ring 5 made of silicon carbide coupled to an upper end of the support ring 4. The edge is supported.
【００２１】このような基板支持部材３は、処理チャン
バ２のベース部２ａにベアリング６を介して回転自在に
取り付けられている。また、ベース部２ａには、ベアリ
ング７を介して駆動リング８が回転自在に取り付けら
れ、この駆動リング８は駆動モータ（図示せず）により
回転駆動される。なお、ベアリング６の外レース６ａと
駆動リング８とは磁気結合されており、駆動リング８が
回転すると、ベアリング６を介して基板支持部材３が回
転する。The substrate supporting member 3 is rotatably mounted on the base 2a of the processing chamber 2 via a bearing 6. A drive ring 8 is rotatably attached to the base 2a via a bearing 7, and the drive ring 8 is driven to rotate by a drive motor (not shown). The outer race 6a of the bearing 6 and the drive ring 8 are magnetically coupled, and when the drive ring 8 rotates, the substrate supporting member 3 rotates via the bearing 6.
【００２２】ベース部２ａの下部には、搬送ロボット
（図示せず）により処理チャンバ２内に搬送されたウェ
ハＷを基板支持部材３に支持するためのリフト部材９が
設けられている。このリフト部材９は、ベース部２ａを
貫通してウェハＷを持ち上げる複数本（例えば３本）の
支持ピン１０を有している。Below the base 2a, a lift member 9 for supporting the wafer W transferred into the processing chamber 2 by the transfer robot (not shown) on the substrate support member 3 is provided. The lift member 9 has a plurality (for example, three) of support pins 10 that lift the wafer W through the base portion 2a.
【００２３】基板支持部材３の上方には、基板支持部材
３に支持されたウェハＷを加熱する複数のハロゲンラン
プ（赤外線ランプや遠赤外線ランプ）１１からなる加熱
ランプ部１２が配置されている。加熱ランプ部１２の下
端には石英ガラス製のランプ窓１３が設けられており、
各ハロゲンランプ１１から発した光（熱）は、そのラン
プ窓１３を介してウェハＷに届く。また、ベース部２ａ
には、ウェハＷの温度を検出する複数の温度センサ１４
が設けられている。Above the substrate supporting member 3, a heating lamp section 12 including a plurality of halogen lamps (infrared lamps or far infrared lamps) 11 for heating the wafer W supported by the substrate supporting member 3 is arranged. A lamp window 13 made of quartz glass is provided at a lower end of the heating lamp unit 12.
Light (heat) emitted from each halogen lamp 11 reaches the wafer W via the lamp window 13. Also, the base part 2a
Includes a plurality of temperature sensors 14 for detecting the temperature of the wafer W.
Is provided.
【００２４】基板支持部材３の外側には、加熱ランプ部
１２から照射される高温の熱からベアリング６（特にベ
アリング６の玉またはコロ）を保護するためのベアリン
グカバー２０が配置されている。このベアリングカバー
２０の斜視図を図２に示す。A bearing cover 20 for protecting the bearing 6 (particularly, balls or rollers of the bearing 6) from high-temperature heat emitted from the heating lamp section 12 is disposed outside the substrate support member 3. FIG. 2 shows a perspective view of the bearing cover 20.
【００２５】このようなベアリングカバー２０は、耐熱
鋼、ステンレス鋼、アルミニウム合金等で構成されてい
る。これらの材質を採用したのは、赤外線の反射効率が
良いことを考慮してのことである。なお、この赤外線反
射率は６０％以上であることが好ましい。また、ベアリ
ングカバー２０は、外側に対して内側が低い段状をなし
ており、上段面２０ａと下段面２０ｂとの間には、加熱
ランプ部１２からの照射熱を内側に反射させる熱反射面
としての傾斜面２１が形成されている。この傾斜面２１
の傾斜角度は、加熱ランプ部１２からの照射熱が効果的
に基板支持部材３に達するように、適宜設定される。The bearing cover 20 is made of heat-resistant steel, stainless steel, aluminum alloy or the like. These materials were adopted in consideration of the good infrared reflection efficiency. The infrared reflectance is preferably 60% or more. The bearing cover 20 has a stepped shape whose inside is lower than the outside, and a heat reflection surface between the upper step surface 20a and the lower step surface 20b for reflecting the heat radiated from the heating lamp unit 12 to the inside. Is formed. This inclined surface 21
Is appropriately set so that the irradiation heat from the heating lamp unit 12 reaches the substrate support member 3 effectively.
【００２６】ベアリングカバー２０の上面、つまり上段
面２０ａ、下段面２０ｂ及び傾斜面２１には、図３に示
すように、研磨等による鏡面加工Ｍが施されている。こ
のとき、鏡面加工を行った面の中心線平均粗さは０．０
５μｍ以下であることが好ましい。これにより、加熱ラ
ンプ部１２からの照射熱の反射効率が更に高くなる。な
お、ベアリングカバー２０の上面において鏡面処理を施
すのは、傾斜面２１だけであってもよい。As shown in FIG. 3, the upper surface of the bearing cover 20, that is, the upper surface 20a, the lower surface 20b, and the inclined surface 21 are mirror-finished by polishing or the like. At this time, the center line average roughness of the mirror-finished surface is 0.0
Preferably it is 5 μm or less. Thereby, the reflection efficiency of the heat radiated from the heating lamp unit 12 is further increased. It is to be noted that only the inclined surface 21 may be mirror-finished on the upper surface of the bearing cover 20.
【００２７】また、ベアリング６をより高温の熱から保
護するには、耐熱性を有する材質による特殊コーティン
グ、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）コーティングをベアリ
ングカバー２０の表面に施すのが好ましい。このような
ＴｉＮ被覆をベアリングカバー２０の表面に形成する
と、加熱ランプ部１２からの照射熱の反射率も良くな
る。なお、特殊コーティングとしては、ニッケルメッキ
等も考えられる。In order to protect the bearing 6 from higher-temperature heat, it is preferable to apply a special coating made of a heat-resistant material, for example, a titanium nitride (TiN) coating to the surface of the bearing cover 20. When such a TiN coating is formed on the surface of the bearing cover 20, the reflectance of the heat radiated from the heating lamp portion 12 is improved. It should be noted that nickel plating or the like can be considered as the special coating.
【００２８】図１に戻り、処理チャンバ２の側壁部２ｂ
には、ガス導入口２５とガス排出口２６とが対向して設
けられており、ガス導入口２５より、処理チャンバ２内
における基板支持部材３の上方領域にプロセスガスが導
入されると共に、その領域に生じた排ガスがガス排出口
２６から外部に排出される。なお、熱処理のためのプロ
セスガスとしては、例えば窒素ガスが使用される。Returning to FIG. 1, the side wall 2b of the processing chamber 2
A gas inlet 25 and a gas outlet 26 are provided to face each other. Through the gas inlet 25, a process gas is introduced into a region above the substrate support member 3 in the processing chamber 2, and Exhaust gas generated in the region is exhausted from the gas outlet 26 to the outside. As a process gas for the heat treatment, for example, nitrogen gas is used.
【００２９】以上のように構成した熱処理装置１を用い
てウェハＷを１枚ずつ熱処理する方法について説明す
る。A method for heat-treating wafers W one by one using the heat treatment apparatus 1 configured as described above will be described.
【００３０】まず、搬送ロボット（図示せず）により処
理すべきウェハＷを処理チャンバ２内に搬送する。続い
て、リフト部材９により３本の支持ピン１０を上昇さ
せ、搬送ロボットのアームに支持されたウェハＷを持ち
上げる（図１参照）。その後、ウェハＷを支持した各支
持ピン１０を下降させ、ウェハＷを基板支持部材３のエ
ッジリング５上に載置する（図３参照）。続いて、プロ
セスガスをガス導入口２５より処理チャンバ２内に導入
する。続いて、駆動モータ（図示せず）により基板支持
部材３を回転させることで、ウェハＷを回転させると共
に、複数のハロゲンランプ１１を点灯させる。そして、
温度センサ１４によりウェハＷの温度を監視しながら、
ウェハＷを所定の温度（例えば１０００℃程度）まで加
熱させる。その後、所定時間が経過すると、ウェハＷの
回転を停止させると共に、加熱ランプ部１２を制御し、
ウェハＷの温度がウェハ搬出温度（例えば７５０℃程
度）となるようにする。そして、搬送ロボット（図示せ
ず）によりウェハＷを処理チャンバ２から取り出す。First, a wafer W to be processed is transferred into the processing chamber 2 by a transfer robot (not shown). Subsequently, the three support pins 10 are lifted by the lift member 9 to lift the wafer W supported by the arm of the transfer robot (see FIG. 1). Thereafter, the support pins 10 supporting the wafer W are lowered, and the wafer W is placed on the edge ring 5 of the substrate support member 3 (see FIG. 3). Subsequently, a process gas is introduced from the gas inlet 25 into the processing chamber 2. Subsequently, by rotating the substrate support member 3 by a drive motor (not shown), the wafer W is rotated and the plurality of halogen lamps 11 are turned on. And
While monitoring the temperature of the wafer W with the temperature sensor 14,
The wafer W is heated to a predetermined temperature (for example, about 1000 ° C.). After that, when a predetermined time has elapsed, the rotation of the wafer W is stopped, and the heating lamp unit 12 is controlled.
The temperature of the wafer W is set to the wafer unloading temperature (for example, about 750 ° C.). Then, the wafer W is taken out of the processing chamber 2 by a transfer robot (not shown).
【００３１】ここで、従来一般のベアリングカバーを備
えた熱処理装置を図４に示す。同図において、従来一般
のベアリングカバー９０は、上記のベアリングカバー２
０と異なり、傾斜面の無い段状形状を有している。この
ようなベアリングカバー９０を備えた熱処理装置９１を
用いて熱処理を行う場合、ベアリングカバー９０の真上
に位置するハロゲンランプ１１から照射された熱（光）
は、図５（ａ）に示すように、そのまま真上に反射して
加熱ランプ部１２に向かう。そして、その反射熱が加熱
ランプ部１２のランプ窓１３（図４参照）で再反射し、
再びベアリングカバー９０に達する。このようにベアリ
ングカバー９０の真上のハロゲンランプ１１からの照射
熱は、ベアリングカバー９０と加熱ランプ部１２との間
を往復するだけである。FIG. 4 shows a conventional heat treatment apparatus provided with a general bearing cover. In the figure, the conventional general bearing cover 90 is the same as the bearing cover 2 described above.
Unlike 0, it has a stepped shape without an inclined surface. When heat treatment is performed using the heat treatment apparatus 91 including the bearing cover 90, heat (light) emitted from the halogen lamp 11 located directly above the bearing cover 90 is used.
5A is reflected directly above and travels toward the heating lamp section 12 as shown in FIG. Then, the reflected heat is reflected again by the lamp window 13 (see FIG. 4) of the heating lamp section 12, and
It reaches the bearing cover 90 again. Thus, the irradiation heat from the halogen lamp 11 directly above the bearing cover 90 only reciprocates between the bearing cover 90 and the heating lamp section 12.
【００３２】これに対し、本実施形態のベアリングカバ
ー２０を備えた熱処理装置１を用いて熱処理を行う場
合、ベアリングカバー２０の真上に位置するハロゲンラ
ンプ１１から照射された熱は、図５（ｂ）に示すよう
に、傾斜面２１で反射して内側上方に向かう。そして、
その反射熱が加熱ランプ部１２のランプ窓１３（図３参
照）で再反射し、エッジリング５に支持されたウェハＷ
やエッジリング５自体に届くようになり、ウェハＷやエ
ッジリング５が効果的に加熱される。特にエッジリング
５からは熱が逃げやすいが、上記のように反射熱を利用
してエッジリング５を加熱することで、熱の放散流出を
抑えることができ、これにより熱効率が向上する。従っ
て、ベアリングカバー９０を使用した場合よりも加熱ラ
ンプ部１２の出力を下げても、ウェハＷの温度を所定値
に確保することが可能となる。つまり、従来一般のベア
リングカバー９０を使用する場合に比べ、消費電力の低
減を図ることができる。また、このように加熱ランプ部
１２の出力を抑えることで、ベアリングカバー２０の下
方に位置するベアリング６への熱影響も低減できる。On the other hand, when heat treatment is performed using the heat treatment apparatus 1 having the bearing cover 20 of the present embodiment, the heat radiated from the halogen lamp 11 located directly above the bearing cover 20 is applied as shown in FIG. As shown in b), the light is reflected by the inclined surface 21 and goes inward and upward. And
The reflected heat is re-reflected by the lamp window 13 (see FIG. 3) of the heating lamp unit 12 and the wafer W supported by the edge ring 5
The wafer W and the edge ring 5 are effectively heated. In particular, heat can easily escape from the edge ring 5, but by heating the edge ring 5 using the reflected heat as described above, the dissipation and release of heat can be suppressed, thereby improving the thermal efficiency. Therefore, the temperature of the wafer W can be maintained at a predetermined value even when the output of the heating lamp unit 12 is lower than when the bearing cover 90 is used. That is, power consumption can be reduced as compared with the case where the conventional general bearing cover 90 is used. Further, by suppressing the output of the heating lamp section 12 in this manner, the thermal influence on the bearing 6 located below the bearing cover 20 can be reduced.
【００３３】図６に、本実施形態のベアリングカバー２
０を備えた熱処理装置１を用いて熱処理を行った場合
と、従来一般のベアリングカバー９０を備えた熱処理装
置９１を用いて熱処理を行った場合の実験データの一例
を示す。FIG. 6 shows the bearing cover 2 of the present embodiment.
An example of experimental data when heat treatment is performed using the heat treatment apparatus 1 provided with a heat treatment apparatus 0 and a case where heat treatment is performed using a heat treatment apparatus 91 provided with a conventional general bearing cover 90 are shown.
【００３４】同図において、実線Ｐは、熱処理装置１を
用いて熱処理を行ったときの熱処理時間と加熱ランプ部
１２の出力（縦軸左側）との関係を示したものである。
点線Ｑは、実線Ｐと同じ温度条件で、熱処理装置９１を
用いて熱処理を行ったときの熱処理時間と加熱ランプ部
１２の出力（縦軸左側）との関係を示したものである。
また、実線Ｒは、その時の加熱ランプ部１２の出力差
（縦軸右側）を示したものである。なお、Ｔ1までの期
間は昇温時のデータを示し、Ｔ1〜Ｔ2の期間は、一定温
度（ここでは１１００℃）時のデータを示している。In FIG. 3, the solid line P indicates the relationship between the heat treatment time when the heat treatment is performed using the heat treatment apparatus 1 and the output of the heating lamp unit 12 (left side of the vertical axis).
The dotted line Q shows the relationship between the heat treatment time and the output of the heating lamp unit 12 (left side of the vertical axis) when the heat treatment is performed using the heat treatment apparatus 91 under the same temperature conditions as the solid line P.
The solid line R shows the output difference (right side of the vertical axis) of the heating lamp unit 12 at that time. The period of up to T 1 indicates data at the time of Atsushi Nobori, the period of T 1 through T 2 shows the data obtained when a constant temperature (1100 ° C. in this case).
【００３５】図６から分かるように、本実施形態のベア
リングカバー２０を使用した場合には、従来一般のベア
リングカバー９０を使用した場合に比べて、加熱ランプ
部１２の出力を低くすることができる。具体的には、昇
温時には０．８６５％低減され、一定温度時には０．５
０３％低減された。As can be seen from FIG. 6, when the bearing cover 20 of the present embodiment is used, the output of the heating lamp section 12 can be reduced as compared with the case where the conventional bearing cover 90 is used. . Specifically, it is reduced by 0.865% when the temperature is raised, and 0.5% when the temperature is constant.
03% reduction.
【００３６】本発明に係る基板処理装置の第２の実施形
態を図７により説明する。図中、第１の実施形態と同一
または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略
する。A second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. In the drawing, the same or equivalent members as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００３７】図７において、本実施形態の熱処理装置３
１は、第１の実施形態と同じベアリングカバー２０を有
し、このベアリングカバー２０の上面には、上述したよ
うに研磨等による鏡面加工Ｍが施されている。また、処
理チャンバ２の側壁部２ｂの内壁面にも、同じ鏡面加工
Ｍが施されている。このとき、側壁部２ｂの内壁面に直
接鏡面加工を施しても良いし、あるいは予め鏡面加工を
施した筒状部材を側壁部２ｂの内壁面部に挿入してもよ
い。In FIG. 7, the heat treatment apparatus 3 of the present embodiment
1 has the same bearing cover 20 as that of the first embodiment, and the upper surface of the bearing cover 20 is mirror-finished by polishing or the like as described above. The same mirror surface processing M is applied to the inner wall surface of the side wall 2b of the processing chamber 2. At this time, the inner wall surface of the side wall 2b may be directly mirror-finished, or a cylindrical member which has been mirror-finished in advance may be inserted into the inner wall surface of the side wall 2b.
【００３８】このようにベアリングカバー２０だけでな
く、側壁部２ｂの内壁面にも鏡面処理を施したので、加
熱ランプ部１２の縁部に位置するハロゲンランプ１１か
ら照射される熱が側壁部２ｂで効果的に反射して内側に
向かい、その反射熱が直接、またはベアリングカバー２
０及び加熱ランプ部１２のランプ窓１３で再反射して、
ウェハＷやエッジリング５に届くようになる。従って、
熱効率がより向上するので、加熱ランプ部１２の出力を
更に下げることができる。As described above, not only the bearing cover 20 but also the inner wall surface of the side wall portion 2b is subjected to mirror finishing, so that the heat radiated from the halogen lamp 11 located at the edge of the heating lamp portion 12 emits heat. Effectively reflected inward and directed inward, and the reflected heat is directly or through the bearing cover 2
0 and re-reflected at the lamp window 13 of the heating lamp section 12,
It reaches the wafer W and the edge ring 5. Therefore,
Since the thermal efficiency is further improved, the output of the heating lamp unit 12 can be further reduced.
【００３９】本発明に係る基板処理装置の第３の実施形
態を図８により説明する。図中、第１の実施形態と同一
または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省略
する。A third embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. In the drawing, the same or equivalent members as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００４０】図８において、本実施形態の熱処理装置４
１は、第１の実施形態とは形状の異なるベアリングカバ
ー４２を有している。このベアリングカバー４２は、外
側から内側に向かって低くなる曲面４３を有し、この曲
面４３は、研磨等による鏡面加工Ｍが施された熱反射面
を形成している。Referring to FIG. 8, the heat treatment apparatus 4 of the present embodiment
1 has a bearing cover 42 having a shape different from that of the first embodiment. The bearing cover 42 has a curved surface 43 that becomes lower from the outside toward the inside, and the curved surface 43 forms a heat reflecting surface that has been subjected to mirror finishing M by polishing or the like.
【００４１】このように構成した熱処理装置４１では、
ハロゲンランプ１１から照射される熱がベアリングカバ
ー４２の曲面４３で反射して内側に向かい、その反射熱
が直接、または加熱ランプ部１２のランプ窓１３で再反
射して、ウェハＷやエッジリング５に達する。従って、
この場合も、加熱ランプ部１２からの照射熱がウェハＷ
やエッジリング５の表面に効率よく当たるため、消費電
力を下げることができる。また、図８に示すように、ベ
アリングカバー４２が加熱ランプ部１２のランプ窓１３
の近くまで延びるように構成することで、処理チャンバ
２の側壁部２ｂの内壁面に鏡面処理を施さなくても、高
い熱効率を得ることができる。In the heat treatment apparatus 41 configured as described above,
The heat radiated from the halogen lamp 11 is reflected by the curved surface 43 of the bearing cover 42 and goes inward, and the reflected heat is reflected directly or re-reflected by the lamp window 13 of the heating lamp unit 12, and the wafer W and the edge ring 5 Reach Therefore,
Also in this case, the irradiation heat from the heating lamp unit 12 is
And the surface of the edge ring 5 can be efficiently hit, so that power consumption can be reduced. As shown in FIG. 8, the bearing cover 42 is connected to the lamp window 13 of the heating lamp section 12.
, It is possible to obtain high thermal efficiency without performing mirror finishing on the inner wall surface of the side wall portion 2b of the processing chamber 2.
【００４２】なお、上記実施形態は熱処理装置について
説明したものであるが、本発明に係るベアリングカバー
は、基板支持部材を回転させる回転機構のベアリング
を、基板支持部材の上方に配置された加熱ランプ部から
照射される熱から保護するものであれば、他の基板処理
装置にも適用できる。Although the heat treatment apparatus has been described in the above embodiment, the bearing cover according to the present invention includes a heating mechanism in which a bearing of a rotating mechanism for rotating the substrate support member is disposed above the substrate support member. The present invention can be applied to other substrate processing apparatuses as long as they can protect from heat applied from the section.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明によれば、ベアリングカバーに、
基板支持部材の上方に配置された加熱ランプ部からの照
射熱を内側に反射させる熱反射面を設けたので、熱効率
が向上し、これにより電力消費を低減させることができ
る。また、加熱ランプ部からの照射熱による回転機構へ
の熱影響も低減させることができる。According to the present invention, the bearing cover
Since the heat reflecting surface that reflects the heat of irradiation from the heating lamp portion disposed above the substrate supporting member to the inside is provided, the thermal efficiency is improved, and the power consumption can be reduced. Further, it is possible to reduce the thermal influence on the rotation mechanism due to the irradiation heat from the heating lamp unit.
【図１】本発明に係る基板処理装置の第１の実施形態と
して熱処理装置を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a heat treatment apparatus as a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図２】図１に示すベアリングカバーの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the bearing cover shown in FIG.
【図３】図１に示すベアリングカバーを含む熱処理装置
の要部拡大断面である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of the heat treatment apparatus including the bearing cover shown in FIG.
【図４】従来一般のベアリングカバーを含む熱処理装置
の要部拡大断面である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of a main part of a heat treatment apparatus including a conventional general bearing cover.
【図５】図３及び図４に示す加熱ランプ部からの照射熱
がベアリングカバーで反射する様子を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a state in which irradiation heat from a heating lamp unit shown in FIGS. 3 and 4 is reflected by a bearing cover.
【図６】図３に示す熱処理装置を用いて熱処理を行った
場合と、図４に示す熱処理装置を用いて熱処理を行った
場合の実験データの一例である。6 is an example of experimental data when a heat treatment is performed using the heat treatment apparatus shown in FIG. 3 and when heat treatment is performed using the heat treatment apparatus shown in FIG.
【図７】本発明に係る熱処理装置の第２の実施形態の要
部拡大断面である。FIG. 7 is an enlarged sectional view of a main part of a second embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.
【図８】本発明に係る熱処理装置の第３の実施形態の要
部拡大断面である。FIG. 8 is an enlarged sectional view of a main part of a third embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.
１…熱処理装置（基板処理装置）、２…処理チャンバ、
２ｂ…側壁部、３…基板支持部材、６…ベアリング（回
転機構）、７…ベアリング（回転機構）、８…駆動リン
グ（回転機構）、１２…加熱ランプ部、２０…ベアリン
グカバー、２１…傾斜面（熱反射面）、３１…熱処理装
置（基板処理装置）、４１…熱処理装置（基板処理装
置）、４２…ベアリングカバー、４３…曲面（熱反射
面）、Ｗ…シリコンウェハ（被処理基板）。1. heat treatment apparatus (substrate processing apparatus), 2. processing chamber,
2b: side wall portion, 3: substrate support member, 6: bearing (rotation mechanism), 7: bearing (rotation mechanism), 8: drive ring (rotation mechanism), 12: heating lamp section, 20: bearing cover, 21: inclination Surface (heat reflection surface), 31: heat treatment device (substrate processing device), 41: heat treatment device (substrate processing device), 42: bearing cover, 43: curved surface (heat reflection surface), W: silicon wafer (substrate to be processed) .
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安田 洋一朗 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 中西 孝之 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 浅古 正和 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 DP04 EB02 EB03 EC05 EK12 EM10 EN04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoichiro Yasuda 14-3 Shinzumi, Narita-shi, Chiba Pref. Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Co., Ltd. Applied Materials Japan Co., Ltd. (72) Inventor Masakazu Asako 14-3 Shinizumi, Narita-shi, Chiba Pref. EN04
Claims (12)
側に配置され、前記基板支持部材を回転させる回転機構
のベアリングを保護する基板処理装置用のベアリングカ
バーであって、 前記基板支持部材の上方に配置された加熱ランプ部から
の照射熱を内側に反射させる熱反射面が設けられている
基板処理装置用のベアリングカバー。1. A bearing cover for a substrate processing apparatus, which is disposed outside a substrate supporting member that supports a substrate to be processed and protects a bearing of a rotation mechanism that rotates the substrate supporting member. A bearing cover for a substrate processing apparatus provided with a heat reflecting surface that reflects inwardly heat emitted from a heating lamp portion disposed above.
て低くなる傾斜面または曲面である請求項１記載の基板
処理装置用のベアリングカバー。2. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heat reflecting surface is an inclined surface or a curved surface that decreases from the outside to the inside.
る請求項１または２記載の基板処理装置用のベアリング
カバー。3. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heat reflecting surface is mirror-finished.
５μｍ以下である請求項３記載の基板処理装置用のベア
リングカバー。4. The heat reflection surface has a center line average roughness of 0.0
4. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the thickness of the bearing cover is 5 μm or less.
上である請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装
置用のベアリングカバー。5. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heat reflection surface has an infrared reflectance of 60% or more.
が表面に施されている請求項１〜４のいずれか一項記載
の基板処理装置用のベアリングカバー。6. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the surface is coated with a material having heat resistance.
ある請求項６記載の基板処理装置用のベアリングカバ
ー。7. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the material having heat resistance is titanium nitride.
ウム合金のいずれかである請求項１〜７のいずれか一項
記載の基板処理装置用のベアリングカバー。8. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the material is any one of heat-resistant steel, stainless steel, and an aluminum alloy.
求項１〜８のいずれか一項記載の基板処理装置用のベア
リングカバー。9. The bearing cover for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said substrate processing apparatus is a heat treatment apparatus.
基板支持部材と、 前記基板支持部材を回転させる回転機構と、 前記基板支持部材の上方に配置され、前記基板支持部材
に支持された前記被処理基板を加熱する加熱ランプ部
と、 前記基板支持部材の外側に配置され、前記回転機構のベ
アリングを保護するベアリングカバーとを備え、 前記ベアリングカバーには、前記加熱ランプ部からの照
射熱を内側に反射させる熱反射面が設けられている基板
処理装置。10. A processing chamber, a substrate support member provided in the processing chamber and supporting a substrate to be processed, a rotation mechanism for rotating the substrate support member, and a rotation mechanism disposed above the substrate support member, A heating lamp section for heating the substrate to be processed supported by the substrate support member; and a bearing cover disposed outside the substrate support member to protect a bearing of the rotating mechanism. A substrate processing apparatus provided with a heat reflection surface that reflects the irradiation heat from the heating lamp section inward.
鏡面加工が施されている請求項１０記載の基板処理装
置。11. The substrate processing apparatus according to claim 10, wherein an inner wall surface of a side wall of the processing chamber is mirror-finished.
装置を使用して、前記基板支持部材に支持された前記被
処理基板を熱処理する熱処理方法。12. A heat treatment method using the substrate processing apparatus according to claim 10 to heat-treat the substrate to be processed supported by the substrate support member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312367A JP2002134429A (en) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | Bearing cover for substrate treating apparatus, substrate treating apparatus and heat treating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312367A JP2002134429A (en) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | Bearing cover for substrate treating apparatus, substrate treating apparatus and heat treating method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134429A true JP2002134429A (en) | 2002-05-10 |
Family
ID=18791975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000312367A Withdrawn JP2002134429A (en) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | Bearing cover for substrate treating apparatus, substrate treating apparatus and heat treating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134429A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009200330A (en) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | Semiconductor manufacturing device |
| WO2009120729A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber |
| US20130055952A1 (en) * | 2011-03-11 | 2013-03-07 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporting same |
| KR20140018915A (en) * | 2011-03-11 | 2014-02-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
| WO2014035957A1 (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same |
| JP2015519472A (en) * | 2012-04-06 | 2015-07-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Edge ring for deposition chamber |
| CN108607776A (en) * | 2018-06-19 | 2018-10-02 | 张家港市益成机械有限公司 | Dip painting installation is dried in vacuum pressure heat radiation |
-
2000
- 2000-10-12 JP JP2000312367A patent/JP2002134429A/en not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8222574B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-07-17 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber |
| JP2009200330A (en) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Denso Corp | Semiconductor manufacturing device |
| WO2009120729A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber |
| US9863038B2 (en) | 2011-03-11 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
| US20130055952A1 (en) * | 2011-03-11 | 2013-03-07 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporting same |
| KR20140018915A (en) * | 2011-03-11 | 2014-02-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
| KR101921199B1 (en) * | 2011-03-11 | 2018-11-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Offangled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
| JP2014514734A (en) * | 2011-03-11 | 2014-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Off-angle heating of the underside of the substrate using a lamp assembly |
| US9905443B2 (en) | 2011-03-11 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same |
| US9818587B2 (en) | 2011-03-11 | 2017-11-14 | Applied Materials, Inc. | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
| JP2015519472A (en) * | 2012-04-06 | 2015-07-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Edge ring for deposition chamber |
| CN104584192A (en) * | 2012-08-30 | 2015-04-29 | 应用材料公司 | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same |
| CN104584192B (en) * | 2012-08-30 | 2018-03-30 | 应用材料公司 | Reflect deposition ring and the substrate processing chamber including reflecting deposition ring |
| WO2014035957A1 (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same |
| CN108607776A (en) * | 2018-06-19 | 2018-10-02 | 张家港市益成机械有限公司 | Dip painting installation is dried in vacuum pressure heat radiation |
| CN108607776B (en) * | 2018-06-19 | 2023-08-08 | 张家港市益成机械有限公司 | Vacuum pressure heat radiation drying paint dipping equipment |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101590661B1 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium | |
| US20090175605A1 (en) | Heat treatment apparatus for heating substrate by exposing substrate to flash light | |
| US20130259457A1 (en) | Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light | |
| JP2004515085A (en) | Heat treatment method and system | |
| TWI579922B (en) | Methods and apparatus for processing a substrate | |
| JP5036248B2 (en) | Heat treatment apparatus and susceptor for heat treatment | |
| TW201832273A (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus | |
| JP2002134429A (en) | Bearing cover for substrate treating apparatus, substrate treating apparatus and heat treating method | |
| TWI756661B (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus | |
| JP2000349038A (en) | Substrate treating device | |
| JP2002324764A (en) | Substrate heat treating apparatus | |
| JP2006054214A (en) | Thermal property decision method of substrate and method of determining heat treatment condition | |
| TW202013533A (en) | Heat treatment method | |
| JPS61129834A (en) | Heat treatment apparatus | |
| TW201935571A (en) | Heat treatment method | |
| JP2004134631A (en) | Lamp heat treatment device | |
| JP2002289548A (en) | Heat treatment device | |
| JP5289815B2 (en) | Quartz window manufacturing method | |
| JP3789366B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP2006019565A (en) | Heat treatment apparatus | |
| JP4549484B2 (en) | Single wafer heat treatment system | |
| JP2004311648A (en) | Substrate processing equipment | |
| JP3609380B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP4905907B2 (en) | Lamp and heat treatment apparatus | |
| JP2003092238A (en) | Substrate treatment apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080108 |