JP2002131375A - Semiconductor ic contact structure - Google Patents

Semiconductor ic contact structure

Info

Publication number
JP2002131375A
JP2002131375A JP2000322179A JP2000322179A JP2002131375A JP 2002131375 A JP2002131375 A JP 2002131375A JP 2000322179 A JP2000322179 A JP 2000322179A JP 2000322179 A JP2000322179 A JP 2000322179A JP 2002131375 A JP2002131375 A JP 2002131375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
circuit board
contact
solder balls
solder ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000322179A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaharu Mizuta
正治 水田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2000322179A priority Critical patent/JP2002131375A/en
Publication of JP2002131375A publication Critical patent/JP2002131375A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor IC contact structure suitable for testing a high frequency characteristic because its signal path is shorter than that of a conventional one, manufacturable at a low cost, and sufficiently applicable for a fine-pitch arrangement solder ball. SOLUTION: In this structure electrically connecting the solder ball 2 serving as a connection electrode of the semiconductor IC 1 to a land pattern 4 formed on a inspection circuit base board 3, contacts 5 each formed of a ring-shaped coil spring are arranged in correspondence to the respective solder balls 2, and the solder balls 2 are forcibly pressed to the contacts 5.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、接続電極として半
田ボールを備えた半導体ICと、この半導体ICの電気
的な検査を行う検査装置との間を電気的に接続するため
のコンタクト構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact structure for electrically connecting a semiconductor IC having solder balls as connection electrodes and an inspection device for performing an electrical inspection of the semiconductor IC.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、BGA(Ball Glid
Array)型パッケージのように、接続電極として半
田ボールを備えた半導体IC、特に、CSP(Chip
Size Package)は、基板上に占める実装
面積が少なくて済み高密度化が可能であるという利点が
あるため、多用されている。
2. Description of the Related Art Generally, a BGA (Ball Grid) is used.
A semiconductor IC having a solder ball as a connection electrode like an Array type package, in particular, a CSP (Chip)
Size Package) is widely used because it has an advantage that a mounting area occupied on a substrate is small and high density can be achieved.

【0003】ところで、このような半田ボールを有する
半導体ICの製造工程においては、その製造された半導
体ICの電気的特性を検査する際に、半導体ICと検査
装置のテストヘッドとなる検査回路基板との間を電気的
に接続することが必要となる。
In the process of manufacturing a semiconductor IC having such solder balls, when inspecting electrical characteristics of the manufactured semiconductor IC, the semiconductor IC and an inspection circuit board serving as a test head of an inspection apparatus are required. It is necessary to make an electrical connection between them.

【0004】そのため、従来では、半導体ICの半田ボ
ールに検査回路基板を電気的に接続するためのコンタク
ト構造として、たとえば図6および図7に示すようなも
のが提供されている。
For this reason, conventionally, as a contact structure for electrically connecting a test circuit board to a solder ball of a semiconductor IC, for example, those shown in FIGS. 6 and 7 have been provided.

【0005】図6に示す従来構造のものは、いわゆるポ
ゴコンタクト方式と称されるもので、検査回路基板50
からコンタクトピンとしてのポゴピン52が立設されて
いる。このポゴピン52は、筒体52aの内部にコイル
状の圧縮ばね(図示せず)とプランジャ52bとが設け
られ、プランジャ52bの上端は筒体52aから外方に
伸縮自在に突出している。そして、圧縮ばねの伸縮によ
ってプランジャ52bを半導体IC60の半田ボール6
1に押し当てることで、半田ボール61がプランジャ5
2bおよび筒体52aを介して検査回路基板50に対し
て電気的に接続される。
[0005] The conventional structure shown in FIG.
A pogo pin 52 as a contact pin is provided upright. The pogo pin 52 is provided with a coiled compression spring (not shown) and a plunger 52b inside a cylindrical body 52a, and an upper end of the plunger 52b protrudes outward from the cylindrical body 52a so as to be able to expand and contract. Then, the plunger 52b is connected to the solder ball 6 of the semiconductor IC 60 by the expansion and contraction of the compression spring.
1, the solder ball 61 is moved to the plunger 5.
The test circuit board 50 is electrically connected to the test circuit board 50 via the cylindrical body 2b and the cylindrical body 52a.

【0006】一方、図7に示す従来構造のものは、いわ
ゆる挟み込み方式と称されるもので、検査回路基板50
からばね弾性を有するクリップ型のコンタクトピン54
が立設されている。すなわち、このコンタクトピン54
は、その上端部が左右に分岐されてV字状をした挟圧部
54aが形成されており、この挟圧部54aで半導体I
C60の半田ボール61を挟み込むことで、半田ボール
61がコンタクトピン54を介して検査回路基板50に
対して電気的に接続される。
[0006] On the other hand, the conventional structure shown in FIG.
Clip-type contact pin 54 having spring elasticity
Is erected. That is, the contact pins 54
Is formed with a V-shaped pressing portion 54a whose upper end is branched right and left, and the pressing portion 54a
By sandwiching the solder ball 61 of C60, the solder ball 61 is electrically connected to the inspection circuit board 50 via the contact pin 54.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6お
よび図7に示した従来のコンタクト構造では、次のよう
な問題点を指摘することができる。
However, with the conventional contact structure shown in FIGS. 6 and 7, the following problems can be pointed out.

【0008】(1) いずれのコンタクトピン52,5
4を使用する場合でも、半導体IC60の半田ボール6
1から検査回路基板50までの信号経路が長いので、そ
の途中で外来ノイズが混入し易く、周波数特性が悪くな
って高周波特性の検査を正確に行うことが難しい。
(1) Any of the contact pins 52, 5
4, the solder ball 6 of the semiconductor IC 60 is used.
Since the signal path from No. 1 to the test circuit board 50 is long, external noise is apt to be mixed in the signal path, and the frequency characteristics are deteriorated, so that it is difficult to accurately test the high frequency characteristics.

【0009】(2) 半導体IC60に微細ピッチで配
列された多数の半田ボール61に個別に対応してコンタ
クトピン52,54を設けるためには、コンタクトピン
52,54自体を微細な構造にする必要がある。しか
し、従来のものは、ピン構造が比較的複雑であるので、
微細構造にするのに限界があり、しかもコンタクトピン
52,54が極めて高価になる。
(2) In order to provide the contact pins 52 and 54 individually corresponding to a large number of solder balls 61 arranged at a fine pitch on the semiconductor IC 60, the contact pins 52 and 54 themselves need to have a fine structure. There is. However, the conventional one has a relatively complicated pin structure,
There is a limit to the fine structure, and the contact pins 52 and 54 become extremely expensive.

【0010】(3) 図7に示すコンタクト構造では、
半導体IC60の半田ボール61の配列ピッチが微細に
なるほど、コンタクトピン54の挟圧部54aの各先端
を半田ボール61のピッチ間に差し込むことが困難にな
る。
(3) In the contact structure shown in FIG.
As the arrangement pitch of the solder balls 61 of the semiconductor IC 60 becomes finer, it becomes more difficult to insert each end of the pinching portion 54 a of the contact pin 54 between the pitches of the solder balls 61.

【0011】本発明は、上記の(1)〜(3)で指摘し
た各問題点を解決するもので、従来よりも信号経路が短
くて高周波特性の検査に適し、しかも安価に製作するこ
とができ、さらに、半田ボールの配列ピッチが微細なも
のでも十分に対応することができる半導体ICのコンタ
クト構造を提供することを目的とする。
The present invention solves each of the problems pointed out in the above (1) to (3), and has a signal path shorter than that of the prior art, suitable for inspection of high frequency characteristics, and can be manufactured at a low cost. It is another object of the present invention to provide a contact structure of a semiconductor IC that can sufficiently cope with a fine arrangement pitch of solder balls.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、接続電極として半田ボールを備えた半
導体ICの半田ボールを検査回路基板上に形成されたラ
ンドパターンに電気的に接続するための半導体ICのコ
ンタクト構造において、次の構成を採用している。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a solder ball of a semiconductor IC having solder balls as connection electrodes is electrically connected to a land pattern formed on an inspection circuit board. The following configuration is employed in the contact structure of the semiconductor IC for connection.

【0013】すなわち、請求項1記載の発明に係る半導
体ICのコンタクト構造は、検査回路基板のランドパタ
ーン上には、半田ボールに個別に対応してコイルばねを
リング状に形成してなる接触子が設けられており、これ
らの接触子に対して半田ボールが圧接されていることを
特徴としている。
In other words, the contact structure of the semiconductor IC according to the first aspect of the present invention is a contact element in which a coil spring is formed in a ring shape on a land pattern of an inspection circuit board, corresponding to solder balls individually. Are provided, and solder balls are pressed against these contacts.

【0014】請求項2記載の発明に係る半導体ICのコ
ンタクト構造は、半導体ICと検査回路基板との間に仲
介プリント基板が設けられ、この仲介プリント基板の上
下面には、半田ボールとランドパターンに個別に対応し
てコイルばねをリング状に形成してなる接触子が設けら
れており、これらの上下の接触子に対して半田ボールと
ランドパターンとがそれぞれ圧接されていることを特徴
としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a contact structure for a semiconductor IC, wherein an intermediate printed board is provided between the semiconductor IC and the inspection circuit board, and solder balls and land patterns are provided on upper and lower surfaces of the intermediate printed board. And a contact formed by forming a coil spring in a ring shape corresponding to each of the contacts, and the solder ball and the land pattern are respectively pressed against these upper and lower contacts. .

【0015】請求項3記載の発明に係る半導体ICのコ
ンタクト構造は、検査回路基板の裏面側には弾性シート
が、表面側には半導体ICとの間に絶縁性シートが介在
され、この絶縁性シートには、半田ボールに個別に対応
した位置に導電性の接触子が保持されており、これらの
接触子に対して半田ボールとランドパターンとがそれぞ
れ圧接されていることを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a contact structure for a semiconductor IC, wherein an elastic sheet is interposed on the back side of the inspection circuit board, and an insulating sheet is interposed between the semiconductor circuit and the front side. The sheet holds conductive contacts at positions individually corresponding to the solder balls, and is characterized in that the solder balls and the land patterns are pressed against these contacts, respectively.

【0016】なお、上記の接触子としては、請求項4記
載のように、金属ボールまたは金属棒からなる構成とす
ることができる。
The above-mentioned contact may be made of a metal ball or a metal rod.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は本発明の実
施の形態1における半導体ICのコンタクト構造を分解
して示す断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is an exploded sectional view showing a contact structure of a semiconductor IC according to a first embodiment of the present invention.

【0018】図1において、1は半導体IC、2は半導
体IC1の接続電極としての半田ボール、3は検査用の
信号を伝搬するための検査回路基板、4は同基板3上に
半田ボール2に個別に対応して形成されたランドパター
ンである。半田ボール2は、たとえば、直径が約30μ
mのもので、約80μmのピッチで配列されている。
In FIG. 1, 1 is a semiconductor IC, 2 is a solder ball as a connection electrode of the semiconductor IC 1, 3 is an inspection circuit board for transmitting an inspection signal, and 4 is a solder ball 2 on the same board 3. It is a land pattern formed corresponding to each. The solder ball 2 has, for example, a diameter of about 30 μm.
m, and are arranged at a pitch of about 80 μm.

【0019】この実施の形態1では、上記の検査回路基
板3のランドパターン4上に、半導体IC1の半田ボー
ル2に個別に対応して接触子5が半田付け等によって固
定されている。これらの接触子5は、図2に示すよう
に、たとえば約10〜20μmの外径D1に巻回してな
るコイルばねを直径D2が約20〜25μmのリング状
に形成したものである。そして、これらの接触子5に対
して半田ボール2が圧接されている。接触子5となるコ
イルばねとしては、たとえば、ベリリュウム銅線、燐青
銅線、ピアノ線などを素材として、その上に金めっき等
を表面処理を施したものを巻回して形成されている。
In the first embodiment, the contacts 5 are fixed on the land patterns 4 of the inspection circuit board 3 by soldering or the like individually corresponding to the solder balls 2 of the semiconductor IC 1. As shown in FIG. 2, these contacts 5 are formed by forming a coil spring wound around, for example, an outer diameter D1 of about 10 to 20 μm in a ring shape having a diameter D2 of about 20 to 25 μm. The solder balls 2 are pressed against these contacts 5. The coil spring serving as the contact 5 is formed by winding, for example, a beryllium copper wire, a phosphor bronze wire, a piano wire, or the like, which is subjected to surface treatment with gold plating or the like.

【0020】これにより、半田ボール2が接触子5を介
して検査回路基板3のランドパターン4に電気的に接続
される。したがって、図外の検査装置本体からの信号を
ランドパターン4、接触子5、および半田ボール2を介
して半導体IC1の内部回路に送ることで、半導体IC
1の検査を行うことができる。
Thus, the solder ball 2 is electrically connected to the land pattern 4 of the inspection circuit board 3 via the contact 5. Therefore, by sending a signal from the inspection apparatus main body (not shown) to the internal circuit of the semiconductor IC 1 via the land pattern 4, the contact 5, and the solder ball 2,
One test can be performed.

【0021】この実施の形態1のコンタクト構造は、半
導体IC1の半田ボール2から検査回路基板3までの信
号経路が、図6および図7に示した従来のものよりも短
くなるので、高周波特性の検査に適する。また、接触子
5は、コイルばねからなるので弾性を有し、かつ半田ボ
ール2に対して多点で接触するので、接触抵抗が小さく
かつ接触不良が少ない。このため、正確な検査を行うこ
とができる。しかも、従来のコンタクトピン52,54
に比較して構造が簡単なため、安価に製作することがで
きる。さらに、半田ボール2の配列ピッチが微細なもの
でも十分に対応することが可能である。
In the contact structure of the first embodiment, the signal path from the solder ball 2 of the semiconductor IC 1 to the inspection circuit board 3 is shorter than that of the conventional structure shown in FIGS. Suitable for inspection. Further, since the contact 5 is made of a coil spring, it has elasticity, and contacts the solder ball 2 at multiple points, so that the contact resistance is small and the contact failure is small. Therefore, an accurate inspection can be performed. Moreover, the conventional contact pins 52, 54
Since the structure is simpler than that of the above, it can be manufactured at low cost. Furthermore, even if the arrangement pitch of the solder balls 2 is fine, it is possible to sufficiently cope with such arrangement.

【0022】実施の形態2.図3はこの実施の形態2に
おける半導体ICのコンタクト構造を分解して示す断面
図であり、図1に示した実施の形態1と対応する部分に
は同一の符号を付す。
Embodiment 2 FIG. 3 is an exploded cross-sectional view showing a contact structure of a semiconductor IC according to Embodiment 2 of the present invention, in which parts corresponding to those of Embodiment 1 shown in FIG. Is attached.

【0023】図3において、1は半導体IC、2は半導
体ICの接続電極としての半田ボール、3は検査回路基
板、4は同基板3上に半田ボール2に個別に対応して形
成されたランドパターンである。
In FIG. 3, 1 is a semiconductor IC, 2 is a solder ball as a connection electrode of the semiconductor IC, 3 is an inspection circuit board, 4 is a land formed on the same board 3 corresponding to the solder ball 2 individually. It is a pattern.

【0024】この実施の形態2では、半導体IC1と検
査回路基板3との間に可撓性を有する仲介プリント基板
7が設けられている。この仲介プリント基板7の上下面
には、それぞれ半田ボール2およびランドパターン4に
個別に対応してランドパターン8が形成され、これらの
ランドパターン8上には、コイルばねをリング状に形成
してなる接触子5が半田付け等によって固定されてい
る。さらに、仲介プリント基板7の上下のランドパター
ン8は、同基板7に形成されたスルーホール9を介して
互いに電気的に接続されている。そして、仲介プリント
基板7の上側にある接触子5に対しては半田ボール2
が、仲介プリント基板7の下側にある接触子5に対して
は検査回路基板3のランドパターン4がそれぞれ圧接さ
れている。
In the second embodiment, a flexible printed circuit board 7 is provided between the semiconductor IC 1 and the inspection circuit board 3. Land patterns 8 are respectively formed on the upper and lower surfaces of the intermediary printed circuit board 7 so as to correspond to the solder balls 2 and the land patterns 4, respectively. On these land patterns 8, coil springs are formed in a ring shape. Is fixed by soldering or the like. Further, the land patterns 8 above and below the intermediate printed board 7 are electrically connected to each other via through holes 9 formed in the board 7. Then, the solder balls 2 are applied to the contacts 5 on the upper side of the intermediate printed circuit board 7.
However, the land patterns 4 of the inspection circuit board 3 are pressed against the contacts 5 on the lower side of the intermediary printed circuit board 7, respectively.

【0025】これにより、半田ボール2が仲介プリント
基板7の接触子5、ランドパターン8およびスルーホー
ル9を介して検査回路基板3のランドパターン4に電気
的に接続される。したがって、図外の検査装置本体から
の信号をランドパターン4、仲介プリント基板7上の接
触子5、および半田ボール2を介して半導体IC1に送
ることで、半導体IC1の検査を行うことができる。
As a result, the solder balls 2 are electrically connected to the land patterns 4 of the inspection circuit board 3 via the contacts 5, the land patterns 8 and the through holes 9 of the intermediary printed circuit board 7. Therefore, the semiconductor IC 1 can be inspected by sending a signal from the inspection apparatus body (not shown) to the semiconductor IC 1 via the land pattern 4, the contacts 5 on the intermediary printed circuit board 7, and the solder balls 2.

【0026】この実施の形態2のコンタクト構造は、実
施の形態1の場合と同様に、接触子5がコイルばねでで
きているために弾性を有し、かつ、半田ボール2および
ランドパターン4に対して多点で接触するので、接触抵
抗が小さくかつ接触不良も少ない。このため正確な検査
を行える。しかも、半田ボール2の配列ピッチが微細な
ものでも十分に対応することができる。
The contact structure according to the second embodiment has elasticity because the contact 5 is made of a coil spring, as in the case of the first embodiment. On the other hand, since the contact is made at multiple points, the contact resistance is small and the contact failure is small. Therefore, accurate inspection can be performed. In addition, even if the arrangement pitch of the solder balls 2 is fine, it can sufficiently cope with the arrangement pitch.

【0027】一方、この実施の形態2のコンタクト構造
は、実施の形態1の場合と比較すると、若干構造が複雑
であるが、半導体IC1の検査のために、その半田ボー
ル2が接触子5に対して頻繁に接触することで、接触子
5が摩耗したり損傷したりした場合には、接触子5とこ
れが固定されている仲介プリント基板7を交換するだけ
でよく、検査回路基板3を含めて全てを交換する必要が
ないので、保守費が削減できる。
On the other hand, the contact structure of the second embodiment is slightly more complicated than that of the first embodiment, but the solder ball 2 is attached to the contact 5 for inspection of the semiconductor IC 1. If the contact 5 is worn or damaged due to frequent contact with the contact 5, it is only necessary to replace the contact 5 and the intermediate printed circuit board 7 to which the contact 5 is fixed. It is not necessary to replace everything, so that maintenance costs can be reduced.

【0028】また、実施の形態1の場合に比べると半導
体IC1の半田ボール2から検査回路基板3までの信号
経路は若干長くなるものの、図6および図7に示した従
来の構造に比較すると信号経路は格段に短いので、高周
波特性の検査に適する。しかも、従来に比較すると構造
は簡単であるので、比較的安価に製作することができ
る。なお、この実施の形態2では、仲介プリント基板7
を可撓性のものとしたが、薄肉の一般的な配線基板を使
用することも可能である。
Although the signal path from the solder ball 2 of the semiconductor IC 1 to the inspection circuit board 3 is slightly longer as compared with the case of the first embodiment, the signal path is compared with the conventional structure shown in FIGS. Since the path is extremely short, it is suitable for inspection of high frequency characteristics. In addition, since the structure is simpler than that of the related art, it can be manufactured relatively inexpensively. In the second embodiment, the intermediate printed circuit board 7
Is flexible, but it is also possible to use a thin general wiring board.

【0029】実施の形態3.図4はこの実施の形態3に
おける半導体ICのコンタクト構造を分解して示す断面
図であり、図1に示した実施の形態1と対応する部分に
は同一の符号を付す。
Third Embodiment FIG. 4 is an exploded cross-sectional view showing a contact structure of a semiconductor IC according to a third embodiment. Parts corresponding to those in the first embodiment shown in FIG. Is attached.

【0030】図4において、1は半導体IC、2は半導
体ICの接続電極としての半田ボール、3は検査回路基
板、4は同基板3上に半田ボール2に個別に対応して形
成されたランドパターンである。
In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a semiconductor IC, 2 denotes a solder ball as a connection electrode of the semiconductor IC, 3 denotes an inspection circuit board, and 4 denotes lands formed on the substrate 3 individually corresponding to the solder balls 2. It is a pattern.

【0031】この実施の形態3では、検査回路基板3が
可撓性を有しており、この検査回路基板3の裏面側には
ゴムなどでできた弾性シート10が、また、この弾性シ
ート10の裏面側には土台となる平坦なプレート11が
配置されている。
In the third embodiment, the inspection circuit board 3 has flexibility, and an elastic sheet 10 made of rubber or the like is provided on the back side of the inspection circuit board 3. A flat plate 11 serving as a base is disposed on the back side of the plate.

【0032】一方、検査回路基板3の表面側には半導体
IC1との間にポリエステルなどでできた絶縁性シート
12が介在され、この絶縁性シート12には、半田ボー
ル2に個別に対応した位置に接触子としての導電性の金
属ボール13が保持されていいる。これらの各金属ボー
ル13は、たとえば、鉄やタングステンでできた直径が
50μm程度のもので、その上下端部は、この絶縁性シ
ート12から露出している。そして、これらの金属ボー
ル13に対して半田ボール2とランドパターン4とがそ
れぞれ圧接されている。
On the other hand, an insulating sheet 12 made of polyester or the like is interposed between the inspection circuit board 3 and the semiconductor IC 1 at positions corresponding to the solder balls 2 individually. , A conductive metal ball 13 as a contact is held. Each of these metal balls 13 is made of, for example, iron or tungsten and has a diameter of about 50 μm, and upper and lower ends thereof are exposed from the insulating sheet 12. The solder balls 2 and the land patterns 4 are pressed against these metal balls 13 respectively.

【0033】これにより、半田ボール2が金属ボール1
3を介して検査回路基板3のランドパターン4に電気的
に接続される。したがって、図外の検査装置本体からの
信号をランドパターン4、金属ボール13、および半田
ボール2を介して半導体IC1に送ることで、半導体I
C1の検査を行うことができる。
As a result, the solder ball 2 becomes the metal ball 1
3 and electrically connected to the land pattern 4 of the inspection circuit board 3. Therefore, by sending a signal from the inspection apparatus body (not shown) to the semiconductor IC 1 via the land pattern 4, the metal balls 13, and the solder balls 2, the semiconductor I
An inspection of C1 can be performed.

【0034】この場合に、半田ボール2および金属ボー
ル13の外径にばらつきがあっても、検査回路基板3の
下に配置されている弾性シート10によってその外径の
ばらつきが吸収されて、金属ボール13を介して半田ボ
ール2とランドパターン4とが確実に電気的に接触す
る。このため、良好な電気的接続状態を保つことかでき
る。
In this case, even if the outer diameter of the solder ball 2 and the metal ball 13 varies, the variation of the outer diameter is absorbed by the elastic sheet 10 disposed under the inspection circuit board 3, and The solder ball 2 and the land pattern 4 are reliably electrically contacted via the ball 13. Therefore, a good electrical connection state can be maintained.

【0035】また、半導体IC1の検査のために、その
半田ボール2が金属ボール13に対して頻繁に接触する
ことで、金属ボール13が摩耗したり損傷したりした場
合には、金属ボール13とこれを保持している絶縁性シ
ート12を交換するだけでよく、検査回路基板3を含め
て全てを交換する場合よりも保守費が削減できる。
When the solder ball 2 frequently contacts the metal ball 13 for testing the semiconductor IC 1 and the metal ball 13 is worn or damaged, the metal ball 13 It is only necessary to replace the insulating sheet 12 holding this, and the maintenance cost can be reduced as compared with the case where the entirety including the inspection circuit board 3 is replaced.

【0036】なお、上記の実施の形態3では、絶縁性シ
ート12に保持されている導電性の接触子として金属ボ
ール13を使用しているが、これに代えて、図5に示す
ように、導電性の金属棒14が絶縁性シート12に保持
された構成とすることもできる。
In the third embodiment, the metal ball 13 is used as the conductive contact held on the insulating sheet 12, but instead, as shown in FIG. A configuration in which the conductive metal rod 14 is held by the insulating sheet 12 may be employed.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明によれば、次の効果が得られる。
請求項1記載の発明に係る半導体ICのコンタクト構造
は、従来よりも信号経路が短くなるので高周波特性の検
査に適したものとなる。また、半田ボールに対してコイ
ルばねからなる接触子が多点で接触するので、接触抵抗
が小さくかつ接触不良も少なくなるため、正確な検査を
行える。しかも、構造が簡単なため、安価に製作するこ
とができる。さらに、半田ボールの配列ピッチが微細な
ものでも十分に対応することが可能となる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
The contact structure of the semiconductor IC according to the first aspect of the present invention is suitable for inspection of high-frequency characteristics because the signal path is shorter than in the prior art. In addition, since the contact made of a coil spring contacts the solder ball at multiple points, the contact resistance is small and the contact failure is reduced, so that an accurate inspection can be performed. Moreover, since the structure is simple, it can be manufactured at low cost. Furthermore, it is possible to sufficiently cope with a fine arrangement pitch of the solder balls.

【0038】請求項2記載の発明に係る半導体ICのコ
ンタクト構造は、請求項1記載の効果に加えて、コイル
ばねからなる接触子が摩耗したり損傷したりした場合に
は、この接触子が固定されている仲介プリント基板を交
換するだけでよいので、保守費を削減することができ
る。
The contact structure of a semiconductor IC according to the second aspect of the present invention has the effect of the first aspect. In addition to the effect of the first aspect, when the contact made of a coil spring is worn or damaged, Since it is only necessary to replace the fixed intermediate printed circuit board, maintenance costs can be reduced.

【0039】請求項3および4記載の発明に係る半導体
ICのコンタクト構造は、従来よりも信号経路が短くな
るので、高周波特性の検査に適したものとなる。しか
も、構造が簡単なため安価に製作でき、また、接触子と
しての金属ボールや金属棒が摩耗したり損傷したりした
場合には、接触子が固定されいる絶縁性シートを交換す
るだけでよいので、保守費を削減することができる。さ
らに、半田ボールの配列ピッチが微細なものでも十分に
対応することが可能となる。
The contact structure of the semiconductor IC according to the third and fourth aspects of the present invention has a shorter signal path than the conventional one, and is therefore suitable for inspection of high-frequency characteristics. In addition, since the structure is simple, it can be manufactured at low cost, and when a metal ball or a metal bar as a contact is worn or damaged, it is only necessary to replace the insulating sheet to which the contact is fixed. Therefore, maintenance costs can be reduced. Furthermore, it is possible to sufficiently cope with a fine arrangement pitch of the solder balls.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1における半導体ICの
コンタクト構造を分解して示す断面図である。
FIG. 1 is an exploded sectional view showing a contact structure of a semiconductor IC according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態1において使用する接触
子を示すもので、同図(a)は平面図、同図(b)は正
面図である。
FIGS. 2A and 2B show a contact used in the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a front view.

【図3】 本発明の実施の形態2における半導体ICの
コンタクト構造を分解して示す断面図である。
FIG. 3 is an exploded cross-sectional view showing a contact structure of a semiconductor IC according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施の形態3における半導体ICの
コンタクト構造を分解して示す断面図である。
FIG. 4 is an exploded sectional view showing a contact structure of a semiconductor IC according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施の形態3の変形例を示す断面図
である。
FIG. 5 is a sectional view showing a modification of the third embodiment of the present invention.

【図6】 従来のコンタクト構造の一例を示す断面図で
ある。
FIG. 6 is a sectional view showing an example of a conventional contact structure.

【図7】 従来の他のコンタクト構造の一例を示す断面
図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of another conventional contact structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体IC、2 半田ボール、3 検査回路基板、
4 ランドパターン、5 接触子、7 仲介プリント基
板、10 弾性シート、12 絶縁性シート、13 金
属ボール(接触子)、14 金属棒(接触子)。
1 semiconductor IC, 2 solder balls, 3 inspection circuit board,
4 land pattern, 5 contacts, 7 intermediary printed circuit board, 10 elastic sheet, 12 insulating sheet, 13 metal ball (contact), 14 metal rod (contact).

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 接続電極として半田ボールを備えた半導
体ICの半田ボールを、検査回路基板上に形成されたラ
ンドパターンに電気的に接続するための構造であって、
前記検査回路基板のランドパターン上には、前記半田ボ
ールに個別に対応してコイルばねをリング状に形成して
なる接触子が設けられており、これらの接触子に対して
前記半田ボールが圧接されていることを特徴とする半導
体ICのコンタクト構造。
1. A structure for electrically connecting a solder ball of a semiconductor IC having a solder ball as a connection electrode to a land pattern formed on an inspection circuit board,
On the land pattern of the inspection circuit board, there are provided contacts formed by forming coil springs in a ring shape individually corresponding to the solder balls, and the solder balls are pressed against these contacts. A contact structure for a semiconductor IC.
【請求項2】 接続電極として半田ボールを備えた半導
体ICの半田ボールを、検査回路基板上に形成されたラ
ンドパターンに電気的に接続するための構造であって、
前記半導体ICと検査回路基板との間に仲介プリント基
板が設けられ、この仲介プリント基板の上下面には、前
記半田ボールとランドパターンに個別に対応してコイル
ばねをリング状に形成してなる接触子が設けられてお
り、これらの上下の接触子に対して前記半田ボールとラ
ンドパターンとがそれぞれ圧接されていることを特徴と
する半導体ICのコンタクト構造。
2. A structure for electrically connecting a solder ball of a semiconductor IC having a solder ball as a connection electrode to a land pattern formed on an inspection circuit board,
An intermediary printed circuit board is provided between the semiconductor IC and the inspection circuit board, and coil springs are formed in a ring shape on the upper and lower surfaces of the intermediary printed circuit board so as to individually correspond to the solder balls and the land patterns. A contact structure for a semiconductor IC, wherein a contact is provided, and the solder ball and the land pattern are pressed against the upper and lower contacts, respectively.
【請求項3】 接続電極として半田ボールを備えた半導
体ICの半田ボールを、検査回路基板上に形成されたラ
ンドパターンに電気的に接続するための構造であって、
前記検査回路基板の裏面側には弾性シートが、表面側に
は前記半導体ICとの間に絶縁性シートが介在され、こ
の絶縁性シートには、前記半田ボールに個別に対応した
位置に導電性の接触子が保持されており、これらの接触
子に対して前記半田ボールとランドパターンとがそれぞ
れ圧接されていることを特徴とする半導体ICのコンタ
クト構造。
3. A structure for electrically connecting a solder ball of a semiconductor IC having solder balls as connection electrodes to a land pattern formed on an inspection circuit board,
An elastic sheet is interposed on the back side of the inspection circuit board and an insulating sheet is interposed between the front side and the semiconductor IC, and the insulating sheet has conductive parts at positions individually corresponding to the solder balls. Wherein the solder balls and the land patterns are pressed against the contacts, respectively.
【請求項4】 前記接触子は、金属ボールまたは金属棒
からなることを特徴とする請求項3記載の半導体ICの
コンタクト構造。
4. The contact structure of a semiconductor IC according to claim 3, wherein said contact is made of a metal ball or a metal bar.
JP2000322179A 2000-10-23 2000-10-23 Semiconductor ic contact structure Pending JP2002131375A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000322179A JP2002131375A (en) 2000-10-23 2000-10-23 Semiconductor ic contact structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000322179A JP2002131375A (en) 2000-10-23 2000-10-23 Semiconductor ic contact structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002131375A true JP2002131375A (en) 2002-05-09

Family

ID=18800099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000322179A Pending JP2002131375A (en) 2000-10-23 2000-10-23 Semiconductor ic contact structure

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002131375A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3414593B2 (en) Conductive contact
JP4060919B2 (en) Electrical connection device, contact manufacturing method, and semiconductor test method
JP3343549B2 (en) Contact structure having silicon finger contactor and integrated assembly structure using the same
JP3634074B2 (en) Conductive contact
JP3653131B2 (en) Conductive contact
US7990168B2 (en) Probe card including a sub-plate with a main supporter and a sub-supporter with the sub-supporter having probe needles
US7217139B2 (en) Interconnect assembly for a probe card
KR100980369B1 (en) Probe Needle Structure and Manufacturing Method of The Same
EP1943528A1 (en) Probe card with stacked substrate
JP2005010147A (en) Module with inspection function, and its inspection method
KR20060080426A (en) Pogo pin and test socket including the same
US6674297B1 (en) Micro compliant interconnect apparatus for integrated circuit devices
JPH1164425A (en) Method and device for continuity inspection in electronic part
JP3342789B2 (en) Conductive contact
JP4167202B2 (en) Conductive contact
JP3878578B2 (en) Contact probe, semiconductor and electrical inspection apparatus using the same
JPH10132855A (en) Probe card for ic inspection
KR20090073745A (en) Probe card
JPS612338A (en) Inspection device
KR101391794B1 (en) probe unit and probe card
KR102012202B1 (en) Probe card and method for manufacturing the same, method for detecting of semiconductor device using the same
KR20180075249A (en) Test socket having double S conductive wire contact structure
JP2002131375A (en) Semiconductor ic contact structure
KR20010076322A (en) Contact structure having contact bumps
WO2000004394A1 (en) Socket for device measurement, and method of measuring device

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060123