JP2002128990A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2002128990A JP2002128990A JP2000323007A JP2000323007A JP2002128990A JP 2002128990 A JP2002128990 A JP 2002128990A JP 2000323007 A JP2000323007 A JP 2000323007A JP 2000323007 A JP2000323007 A JP 2000323007A JP 2002128990 A JP2002128990 A JP 2002128990A
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- epoxy resin
- resin composition
- fatty acid
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 離型性、耐熱性、ひいては耐半田クラック
性、連続成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、及び
Ｅ）主鎖骨格に芳香環を有し、炭素数が１８〜３６の脂
肪酸からなる脂肪酸ビスアミドを必須成分とすることを
特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
性、連続成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、及び
Ｅ）主鎖骨格に芳香環を有し、炭素数が１８〜３６の脂
肪酸からなる脂肪酸ビスアミドを必須成分とすることを
特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、連続成形性に優れ
た半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半
導体装置に関するものである。
た半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高度化、軽薄短小化が
求められる中、半導体素子の高集積化、表面実装化が進
んでいる。これに伴い、半導体封止用エポキシ樹脂組成
物への要求は益々厳しくなっているのが現状である。特
に、半導体装置の薄型化に際しては、金型とエポキシ樹
脂組成物の硬化物との間の離型不足に伴う応力の発生に
より、半導体装置内部の半導体素子自体にクラックを生
じたり、硬化物と素子との界面における密着性を低下さ
せることによって、半導体装置の耐半田クラック性を損
なうといった問題が生じている。この点に鑑み、エポキ
シ樹脂組成物の硬化物と金型間の離型性の向上は、封止
材料にとって最も重要な課題の一つとなっている。
求められる中、半導体素子の高集積化、表面実装化が進
んでいる。これに伴い、半導体封止用エポキシ樹脂組成
物への要求は益々厳しくなっているのが現状である。特
に、半導体装置の薄型化に際しては、金型とエポキシ樹
脂組成物の硬化物との間の離型不足に伴う応力の発生に
より、半導体装置内部の半導体素子自体にクラックを生
じたり、硬化物と素子との界面における密着性を低下さ
せることによって、半導体装置の耐半田クラック性を損
なうといった問題が生じている。この点に鑑み、エポキ
シ樹脂組成物の硬化物と金型間の離型性の向上は、封止
材料にとって最も重要な課題の一つとなっている。
【０００３】一般に、離型性を向上させる手段として
は、離型剤を多量に配合する方法がある。しかしなが
ら、多量の離型剤の配合は金型からの離型性を向上させ
る一方、半導体装置内部の半導体素子やそれを搭載する
リードフレームとエポキシ樹脂組成物の硬化物との間の
密着性を低下させる。また、過度に染み出した離型剤が
金型に付着・熱劣化することによって、逆に金型との離
型性低下を引き起こす。このため、離型性及び耐熱性に
優れたエポキシ樹脂組成物の開発が望まれている。
は、離型剤を多量に配合する方法がある。しかしなが
ら、多量の離型剤の配合は金型からの離型性を向上させ
る一方、半導体装置内部の半導体素子やそれを搭載する
リードフレームとエポキシ樹脂組成物の硬化物との間の
密着性を低下させる。また、過度に染み出した離型剤が
金型に付着・熱劣化することによって、逆に金型との離
型性低下を引き起こす。このため、離型性及び耐熱性に
優れたエポキシ樹脂組成物の開発が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、離型性、耐
熱性、ひいては耐半田クラック性、連続成形性に優れた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半
導体装置を提供するものである。
熱性、ひいては耐半田クラック性、連続成形性に優れた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半
導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機質充填材、及び（Ｅ）主鎖骨格に芳香環を有
し、炭素数が１８〜３６の脂肪酸からなる脂肪酸ビスア
ミドを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止
してなることを特徴とする半導体装置である。
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機質充填材、及び（Ｅ）主鎖骨格に芳香環を有
し、炭素数が１８〜３６の脂肪酸からなる脂肪酸ビスア
ミドを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止
してなることを特徴とする半導体装置である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるエポキシ樹脂
としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチ
ルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフト
ール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタ
ン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が
挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。こ
れらの内では、常温では結晶性の固体であるが、融点以
上では極めて低粘度の液状となり、無機質充填材を高充
填化でき、その結果として耐半田クラック性に優れるビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹
脂、スチルベン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニル
型エポキシ樹脂としては、例えば、３，３’，５，５’
−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル、ビ
フェノールジグリシジルエーテル等が挙げられる。その
他のエポキシ樹脂も極力粘度の低いものを使用すること
が望ましい。低粘度のエポキシ樹脂を用いることにより
無機質充填材を高充填化できるが、架橋密度が低くなる
ため離型性に難点があり、本発明の離型剤を用いること
により離型性を改善できる。
としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチ
ルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフト
ール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタ
ン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が
挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。こ
れらの内では、常温では結晶性の固体であるが、融点以
上では極めて低粘度の液状となり、無機質充填材を高充
填化でき、その結果として耐半田クラック性に優れるビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹
脂、スチルベン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニル
型エポキシ樹脂としては、例えば、３，３’，５，５’
−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル、ビ
フェノールジグリシジルエーテル等が挙げられる。その
他のエポキシ樹脂も極力粘度の低いものを使用すること
が望ましい。低粘度のエポキシ樹脂を用いることにより
無機質充填材を高充填化できるが、架橋密度が低くなる
ため離型性に難点があり、本発明の離型剤を用いること
により離型性を改善できる。
【０００７】本発明で用いられるフェノール樹脂として
は、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノー
ル樹脂、フェニレン及び／又はジフェニレン骨格を有す
るフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよ
い。無機質充填材の高充填化のためには、エポキシ樹脂
と同様に低粘度のものが好ましい。可撓性、低吸湿性の
ためには、フェニレン及び／又はジフェニレン骨格を有
するフェノールアラルキル樹脂の使用が望ましい。低粘
度、可撓性を有するフェノール樹脂は、架橋密度が低く
なるため離型性に難点があり、本発明の離型剤を用いる
ことにより離型性を改善できる。
は、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変
性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノー
ル樹脂、フェニレン及び／又はジフェニレン骨格を有す
るフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹
脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよ
い。無機質充填材の高充填化のためには、エポキシ樹脂
と同様に低粘度のものが好ましい。可撓性、低吸湿性の
ためには、フェニレン及び／又はジフェニレン骨格を有
するフェノールアラルキル樹脂の使用が望ましい。低粘
度、可撓性を有するフェノール樹脂は、架橋密度が低く
なるため離型性に難点があり、本発明の離型剤を用いる
ことにより離型性を改善できる。
【０００８】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒
となり得るものを指し、例えば、トリブチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラ
フェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の
有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。又これらの硬化促進剤は単独でも混合して
用いてもよい。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒
となり得るものを指し、例えば、トリブチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラ
フェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の
有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。又これらの硬化促進剤は単独でも混合して
用いてもよい。
【０００９】本発明で用いられる無機質充填材として
は、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化
珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機質充填材の配合
量を特に多くする場合は、溶融シリカを用いるのが一般
的である。溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用
可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキ
シ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状
のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配
合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布がより広
くなるように調整することが望ましい。
は、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化
珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機質充填材の配合
量を特に多くする場合は、溶融シリカを用いるのが一般
的である。溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用
可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキ
シ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状
のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配
合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布がより広
くなるように調整することが望ましい。
【００１０】本発明で用いられる主鎖骨格に芳香環を有
し、炭素数が１８〜３６の脂肪酸からなる脂肪酸ビスア
ミドは非常に耐熱性に優れ、更に離型性を向上させる機
能を有している。芳香環としては、具体的には、ｍ−キ
シリレンビスステアリン酸アミド、 ｐ−キシリレンビ
スステアリン酸アミド、ｐ−フェニレンビスモンタン酸
アミド、ｍ−フェニレンビスモンタン酸アミド等が挙げ
られる。これらは、単独でも混合して用いてもよい。脂
肪酸の鎖長が、炭素数１７以下では十分な離型性が得ら
れないため好ましくない。炭素数３７以上では分子量が
大きいため流動性が低下したり、過度に染み出すことに
より金型汚れの原因となるので好ましくない。なお、本
発明での脂肪酸の炭素数とは、飽和脂肪酸中のアルキル
基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。
し、炭素数が１８〜３６の脂肪酸からなる脂肪酸ビスア
ミドは非常に耐熱性に優れ、更に離型性を向上させる機
能を有している。芳香環としては、具体的には、ｍ−キ
シリレンビスステアリン酸アミド、 ｐ−キシリレンビ
スステアリン酸アミド、ｐ−フェニレンビスモンタン酸
アミド、ｍ−フェニレンビスモンタン酸アミド等が挙げ
られる。これらは、単独でも混合して用いてもよい。脂
肪酸の鎖長が、炭素数１７以下では十分な離型性が得ら
れないため好ましくない。炭素数３７以上では分子量が
大きいため流動性が低下したり、過度に染み出すことに
より金型汚れの原因となるので好ましくない。なお、本
発明での脂肪酸の炭素数とは、飽和脂肪酸中のアルキル
基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。
【００１１】本発明で用いられる主鎖骨格に芳香環を含
有し、炭素数が１８〜３６の脂肪酸から成る脂肪酸ビス
アミドの特性を損なわない範囲で他の離型剤を併用する
こともできる。例えば、カルナバワックス等の天然ワッ
クス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステア
リン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。
又、主鎖骨格に芳香環を含有し、炭素数が１８〜３６の
脂肪酸からなる脂肪酸ビスアミドの配合量としては、全
エポキシ樹脂組成物中に０．０２〜０．５重量％が好ま
しい。０．０２重量％未満の場合では十分な離型性が得
られない。０．５重量％を越えると成形時に半導体装置
内部の半導体素子やそれを搭載するリードフレームとエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に移行するため、密
着性を著しく損ない耐湿性を低下させ、その結果として
耐半田クラック性に悪影響を及ぼす。更に過度に染み出
すことで金型汚れが発生するので好ましくない。
有し、炭素数が１８〜３６の脂肪酸から成る脂肪酸ビス
アミドの特性を損なわない範囲で他の離型剤を併用する
こともできる。例えば、カルナバワックス等の天然ワッ
クス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステア
リン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。
又、主鎖骨格に芳香環を含有し、炭素数が１８〜３６の
脂肪酸からなる脂肪酸ビスアミドの配合量としては、全
エポキシ樹脂組成物中に０．０２〜０．５重量％が好ま
しい。０．０２重量％未満の場合では十分な離型性が得
られない。０．５重量％を越えると成形時に半導体装置
内部の半導体素子やそれを搭載するリードフレームとエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に移行するため、密
着性を著しく損ない耐湿性を低下させ、その結果として
耐半田クラック性に悪影響を及ぼす。更に過度に染み出
すことで金型汚れが発生するので好ましくない。
【００１２】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じ
てカップリング剤、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチ
モン、リン化合物等の難燃剤、カーボンブラック等の着
色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴム等
の低応力剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合して
もよい。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用い
て混合後、加熱ニーダ、熱ロール、押し出し機等を用い
て加熱混練し、続いて冷却、粉砕して得られる。本発明
のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子等の電子部品
を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファー
モールド、コンプレッションモールド、インジェクショ
ンモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよ
い。
（Ｅ）成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じ
てカップリング剤、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチ
モン、リン化合物等の難燃剤、カーボンブラック等の着
色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴム等
の低応力剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合して
もよい。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用い
て混合後、加熱ニーダ、熱ロール、押し出し機等を用い
て加熱混練し、続いて冷却、粉砕して得られる。本発明
のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子等の電子部品
を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファー
モールド、コンプレッションモールド、インジェクショ
ンモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよ
い。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
配合割合は重量部とする。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）・製、ＹＸ４０００Ｈ Ｋ、融点１０５℃、エポキシ当量１９１） ７．５重量部 フェノールアラルキル樹脂（軟化点７５℃、水酸基当量１７４）６．８重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという） ０．２重量部 球状溶融シリカ ８４．９重量部 ｍ−キシリレンビスステアリン酸アミド（炭素数１８） ０．３重量部 カーボンブラック ０．３重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２
５℃の２軸ロールを用いて２０回混練し、得られた混練
物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とし
た。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で
評価した。
配合割合は重量部とする。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）・製、ＹＸ４０００Ｈ Ｋ、融点１０５℃、エポキシ当量１９１） ７．５重量部 フェノールアラルキル樹脂（軟化点７５℃、水酸基当量１７４）６．８重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという） ０．２重量部 球状溶融シリカ ８４．９重量部 ｍ−キシリレンビスステアリン酸アミド（炭素数１８） ０．３重量部 カーボンブラック ０．３重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２
５℃の２軸ロールを用いて２０回混練し、得られた混練
物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とし
た。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で
評価した。
【００１４】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。
単位はｃｍ。 離型性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７
５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で１４
４ｐＱＦＰ（２０×２０×１．７ｍｍ厚さ）を１０回連
続で成形した。この１０回の成形で、離型時に金型に付
着したり、硬化物に割れ・欠けが発生した回数が５回以
上のものを×、１〜４回のものを△、発生なしのものを
○と判定した。 連続成形性：トランスファー成形機を用いて、金型温度
１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で
１４４ｐＱＦＰ（２０×２０×１．７ｍｍ厚さ）を連続
で成形した。カル落ち、パッケージ欠け等の成形不良が
発生した時の成形ショット数を示した。 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間
２分で１４４ｐＱＦＰ（２０×２０×１．７ｍｍ厚さ）
を成形し、１７５℃、８時間で後硬化させ、８５℃、相
対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後２４
０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。その後超音波探傷装
置で内部を透視し、［（剥離発生パッケージ数）／（全
パッケージ数）×１００）］を求め、０％のものを○、
２０％未満のものを△、２０％以上のものを×とした。
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。
単位はｃｍ。 離型性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７
５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で１４
４ｐＱＦＰ（２０×２０×１．７ｍｍ厚さ）を１０回連
続で成形した。この１０回の成形で、離型時に金型に付
着したり、硬化物に割れ・欠けが発生した回数が５回以
上のものを×、１〜４回のものを△、発生なしのものを
○と判定した。 連続成形性：トランスファー成形機を用いて、金型温度
１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で
１４４ｐＱＦＰ（２０×２０×１．７ｍｍ厚さ）を連続
で成形した。カル落ち、パッケージ欠け等の成形不良が
発生した時の成形ショット数を示した。 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間
２分で１４４ｐＱＦＰ（２０×２０×１．７ｍｍ厚さ）
を成形し、１７５℃、８時間で後硬化させ、８５℃、相
対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後２４
０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。その後超音波探傷装
置で内部を透視し、［（剥離発生パッケージ数）／（全
パッケージ数）×１００）］を求め、０％のものを○、
２０％未満のものを△、２０％以上のものを×とした。
【００１５】実施例２〜５、比較例１〜３ 実施例１以外に用いた各成分は、以下の通りである。オ
ルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５
℃、エポキシ当量１９６）、フェノールノボラック樹脂
（軟化点１１０℃、水酸基当量１０４）、ｐ−フェニレ
ンビスモンタン酸アミド（炭素数２９）、ｍ−キシリレ
ンビスラウリン酸アミド（炭素数１２）、ｍ−キシリレ
ンビス長鎖脂肪酸アミド（炭素数＞３７）、エチレンビ
スステアリン酸アミド（炭素数１８）。表１の配合に従
い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実
施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
ルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５
℃、エポキシ当量１９６）、フェノールノボラック樹脂
（軟化点１１０℃、水酸基当量１０４）、ｐ−フェニレ
ンビスモンタン酸アミド（炭素数２９）、ｍ−キシリレ
ンビスラウリン酸アミド（炭素数１２）、ｍ−キシリレ
ンビス長鎖脂肪酸アミド（炭素数＞３７）、エチレンビ
スステアリン酸アミド（炭素数１８）。表１の配合に従
い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実
施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
【表１】
【００１６】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、離型
性、耐熱性に優れており、その結果として、これを用い
た半導体装置は連続成形性、耐半田クラック性に優れて
いる。
性、耐熱性に優れており、その結果として、これを用い
た半導体装置は連続成形性、耐半田クラック性に優れて
いる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC04X CC05X CC07X CD04W CD05W CD06W CD13W CD20W CE00X DF017 DJ007 DJ017 EN026 EP028 EU116 EU136 EW016 EW176 FD017 FD156 FD170 GQ05 4J036 AA01 AD07 AD08 DA02 FA01 FA12 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB09 EB12 EC05 EC20
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノー
ル樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、及び
（Ｅ）主鎖骨格に芳香環を有し、炭素数が１８〜３６の
脂肪酸からなる脂肪酸ビスアミドを必須成分とすること
を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 成分（Ｅ）が、全エポキシ樹脂組成物
中に０．０２〜０．５重量％含む請求項１記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323007A JP2002128990A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323007A JP2002128990A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002128990A true JP2002128990A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18800778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000323007A Pending JP2002128990A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2002128990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019093196A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 共栄社化学株式会社 | アミド化合物を含有するワックス材料 |
-
2000
- 2000-10-23 JP JP2000323007A patent/JP2002128990A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019093196A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 共栄社化学株式会社 | アミド化合物を含有するワックス材料 |
| JPWO2019093196A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2020-09-24 | 共栄社化学株式会社 | アミド化合物を含有するワックス材料 |
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