JP2002124501A - Method and apparatus for localized liquid treatment of surface of substrate - Google Patents
Method and apparatus for localized liquid treatment of surface of substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄又はエッチン
グのような、基板の表面の局所化された液体処理の方法
に関する。本発明はまた、上記処理を実行するために使
用される装置に関する。本発明のアプリケーションは、
例えば集積回路又は液晶ディスプレイの製造でしばしば
使用される多くの湿式処理ステップにおいて可能であ
る。The present invention relates to a method for localized liquid treatment of a surface of a substrate, such as cleaning or etching. The present invention also relates to an apparatus used to perform the above processing. The application of the present invention
This is possible, for example, in many wet processing steps often used in the manufacture of integrated circuits or liquid crystal displays.
【０００２】[0002]
【従来の技術】（関連出願）本出願は、１９９８年９月
２３日に出願された米国特許出願シリアル番号第０９／
１５９，８０１号の一部継続出願であり、１９９７年９
月２４日に出願された米国仮特許出願シリアル番号第６
０／０５９，９２９号により、米国特許法第１１９条
（ｅ）に基づく優先権の利益を請求するものである。2. Related Art This application is related to U.S. Patent Application Serial No. 09/1997, filed September 23, 1998.
159,801 is a continuation-in-part application.
Provisional Patent Application Serial Number 6 filed on March 24
No. 0 / 059,929 claims the benefit of priority under 35 USC 119 (e).
【０００３】（背景の技術）集積回路又は液晶ディスプ
レイのようなマイクロエレクトロニクスの装置の製造に
おいて、基板は、エッチング、湿式洗浄又はリンス含む
多数の製造ステップを通過する必要がある。BACKGROUND OF THE INVENTION In the manufacture of microelectronic devices such as integrated circuits or liquid crystal displays, substrates need to go through a number of manufacturing steps including etching, wet cleaning or rinsing.
【０００４】米国特許第５，２７１，７７４号の明細書
及び特開平０７−２１１６８６号公報には、ガス状物質
を基板に適用することによって基板の表面から液体を除
去する方法が記述されている。このガス状物質は、液体
と混合されると液体の表面張力を減少させることから、
遠心力によって、即ち基板に回転運動をさせることによ
って液体は基板の表面から簡単に除去することができ
る。しかしながら、これらの方法は基板全体にのみ適用
可能であって、基板の局所的な処理に使用することはで
きない。ヨーロッパ特許出願公開第８１７２４６号の明
細書は、平坦な基板の表面の湿式洗浄又はエッチングの
ための装置及び方法について記述しており、それによっ
て、基板は一定量の液体の中を移動される。この方法も
また基板全体の処理に関するものであり、上記基板の局
所的な領域の処理に関するものではない。US Pat. No. 5,271,774 and JP-A-07-21116 describe a method for removing liquid from the surface of a substrate by applying a gaseous substance to the substrate. . This gaseous substance, when mixed with a liquid, reduces the surface tension of the liquid,
Liquid can be easily removed from the surface of the substrate by centrifugal force, ie, by causing the substrate to make a rotational movement. However, these methods are only applicable to the whole substrate and cannot be used for local treatment of the substrate. EP-A-817246 describes an apparatus and a method for wet cleaning or etching of the surface of a flat substrate, whereby the substrate is moved through a volume of liquid. This method also relates to the processing of the whole substrate, not to the processing of the local area of the substrate.
【０００５】いくつかの処理ステップの間には、例えば
レジスト又は金属膜（例えば、Ｃｕ）のような特定の層
を除去するために、基板の環状のエッジ領域が処理され
る。ときには、処理されるのは基板の外周縁部（outer
rim）のみで、基板の上面及び底面は未処理のままで残
らなければならない。[0005] During some processing steps, an annular edge region of the substrate is processed to remove a particular layer, such as a resist or a metal film (eg, Cu). Sometimes it is processed that the outer edge of the substrate (outer
rim) alone, the top and bottom surfaces of the substrate must remain untreated.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】これらの処理ステップ
を実行するために、回転する基板のエッジ領域又は周縁
部に液体のビームを向ける複数の技術が存在する。しか
しながら、これらの既存の技術は、洗浄液に対する基板
の表面の保護が不十分である。ゆえに、上記環状のエッ
ジ領域又はその外周縁部を液体で処理する間に基板の表
面を保護する方法を発見することが有利であろう。既存
の技術の他の欠点は、処理中の基板の回転速度が比較的
高速でなければならず、このことは大型の基板に対して
特に問題を含むということにある。To perform these processing steps, there are several techniques for directing a beam of liquid at the edge or periphery of a rotating substrate. However, these existing technologies have insufficient protection of the substrate surface against the cleaning liquid. Therefore, it would be advantageous to find a way to protect the surface of a substrate while treating the annular edge region or its outer peripheral edge with a liquid. Another disadvantage of the existing technology is that the rotational speed of the substrate during processing must be relatively high, which is particularly problematic for large substrates.
【０００７】いくつかの処理ステップは、例えば、例え
ば写真の露光のような処理の間に、正確な横方向の位置
合わせのために使用される基礎となる複数のゼロマーカ
（zero marker）を露出するために、基板の表面から、
より大きなサイズの特徴的な領域を除去することを必要
とする。ゼロマーカ自体の画成は高い精度を要求する
が、複数のゼロマーカの上部の上の層を除去するための
ウィンドウの精度の要求はかなり緩めることができる。
当該技術分野の状態における限りにおいて、フォトレジ
ストステップを用いることは、大部分がこれらの領域の
完成に使用されている。フォトレジストステップを使用
することによって、基板の表面の上にパターン化された
保護レジスト層が取得される。パターンは、エッチング
される領域がレジストで被覆されていないようになって
いる。この後、基板はエッチングされ、フォトレジスト
層は除去される。しかしながら、これは高価で時間のか
かる作業である。[0007] Some processing steps expose a plurality of underlying zero markers that are used for precise lateral alignment, for example, during processing, such as exposure of photographs. From the surface of the substrate,
It requires removing characteristic regions of larger size. Defining the zero markers themselves requires high accuracy, but the accuracy requirements of the window for removing layers above the top of multiple zero markers can be significantly relaxed.
As far as the state of the art, the use of a photoresist step has been largely used to complete these areas. By using a photoresist step, a patterned protective resist layer is obtained on the surface of the substrate. The pattern is such that the areas to be etched are not covered with resist. After this, the substrate is etched and the photoresist layer is removed. However, this is an expensive and time consuming task.
【０００８】膜のない、こうしたより広いサイズの領域
を製造する代替方法は、膜の堆積の間の、遮蔽板による
局所的な遮蔽にて構成される。しかしながら、この技術
は、粒子汚染と基板上での研磨傷（scratch）の形成と
の、増大された危険性をもたらす。その上、この遮蔽技
術は一般的に適用可能ではない。これは、関連の堆積処
理に対する遮蔽板の適合性を必要とする。ゆえに、これ
らのより大きなサイズの特徴的な領域を発生させるため
には、粒子汚染を一切生じさせることなく、精度は下が
るがより低いコストとより高い処理速度とを可能にする
方法を発見することが有利であろう。[0008] An alternative method of producing such larger sized areas without a membrane consists of local shielding by a shield during the deposition of the membrane. However, this technique poses an increased risk of particle contamination and the formation of abrasive scratches on the substrate. Moreover, this shielding technique is not generally applicable. This requires the suitability of the shield for the relevant deposition process. Therefore, in order to generate these larger sized characteristic regions, it is necessary to find a method that allows lower accuracy but lower cost and higher processing speed without any particle contamination. Would be advantageous.
【０００９】特開平１１−１６６８８２号公報は、半導
体の汚染測定に使用される前置濃縮（pre-concentratio
n）技術又は回収技術について記述している。これは、
汚染物質を回収し、続いてそれらの濃度を分析するため
に、基板の表面の上を１滴の液滴が移動される技術であ
る。現在この技術は、ＨＦ処理の手段で表面を疎水性に
することにより、主としてシリコンの表面に対して用い
られている。この方法では、水性の液滴が含まれてい
る。しかしながら、この技術はシリコンの表面に限定さ
れない。いくつかの事例においては、液滴と基板の表面
の間の接触角が不十分であることが観察されている。さ
らに、シリコンの表面の場合に、ＨＦ処理を提供する追
加の処理ステップが不要となるような方法が発見される
ことが有利であろう。Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-166882 discloses a pre-concentratio used for measuring contamination of semiconductors.
n) Describes technology or recovery technology. this is,
A technique in which a single droplet is moved over the surface of a substrate to collect contaminants and subsequently analyze their concentration. At present this technique is mainly used for silicon surfaces by rendering the surface hydrophobic by means of HF treatment. In this method, aqueous droplets are included. However, this technique is not limited to silicon surfaces. In some cases, poor contact angles between the droplet and the surface of the substrate have been observed. Furthermore, it would be advantageous to find a method in which, in the case of a silicon surface, an additional processing step providing an HF treatment is not required.
【００１０】米国特許第５，４９２，５６６号の明細書
は、ベルヌーイ効果によって基板を平坦な表面に保持す
る方法について記述している。上記基板と上記表面との
間に環状のノズルを介して高速でガスを供給することに
よって、上記基板の下で圧力の低下が起こり、従って上
記基板が上記表面に保持される。この方法で保持された
基板に、洗浄又はエッチングのような様々な湿式処理ス
テップを実行することができる。しかしながら、液体自
体が基板の周縁部又は裏面に付着するという危険性があ
る。US Pat. No. 5,492,566 describes a method for holding a substrate on a flat surface by the Bernoulli effect. By supplying gas at a high speed between the substrate and the surface via an annular nozzle, a pressure drop occurs below the substrate, thus holding the substrate on the surface. Various wet processing steps, such as cleaning or etching, can be performed on the substrate held in this manner. However, there is a risk that the liquid itself adheres to the peripheral edge or the back surface of the substrate.
【００１１】本発明の目的は、洗浄又はエッチングステ
ップのような基板の一部に対して液体処理を実行する一
方、上記基板のもう一方の部分はガス状物質の使用によ
って上記液体から保護される方法及び装置を提供するこ
とにある。It is an object of the present invention to perform a liquid treatment on one part of the substrate, such as a cleaning or etching step, while the other part of the substrate is protected from the liquid by using a gaseous substance. It is to provide a method and an apparatus.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の一部の
上に液体を分配して、例えば洗浄又はエッチングを目的
として上記基板を処理する一方、上記基板のもう１つの
部分は上記液体との接触を防止される方法に関し、上記
方法は、上記基板の一部の上に液体を供給するステップ
と、上記液体を供給するステップと同時に、表面にガス
状の界面活性（tensio active）物質を供給するステッ
プとを含み、上記ガス状物質は、上記液体と少なくとも
部分的に混和可能であり、上記液体と混合されたとき、
上記液体よりも低い表面張力を有する混合物を生じさせ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method for dispensing a liquid over a portion of a substrate to treat the substrate, for example, for cleaning or etching, while another portion of the substrate comprises the liquid. A method for preventing contact with the substrate, the method comprising: providing a liquid over a portion of the substrate; and providing the liquid at the same time as providing a gaseous tensio active material on a surface. Supplying the gaseous substance is at least partially miscible with the liquid, and when mixed with the liquid,
This produces a mixture having a lower surface tension than the liquid.
【００１３】本発明の第１の実施態様である方法におい
ては、上記基板は円形形状であり、上記基板の一部の上
に液体を供給するステップは、液体の流れが上記基板の
平坦な表面に上記表面の所定の領域において当たるよう
に、少なくとも１本の上記液体の流れを供給するステッ
プを含み、上記領域は上記基板の外周縁部に隣接し、上
記表面にガス状の界面活性物質を供給するステップは、
ガス状の界面活性物質の流れが、上記表面に対して、上
記液体の流れが当てられる領域に隣接しかつ回転の中心
により近い領域において当たるように、上記基板の平坦
な表面に少なくとも１本の上記ガス状の界面活性物質の
流れを供給するステップを含み、本方法はさらに、上記
円形形状の基板を、回転軸を中心に、好ましくは水平面
内において回転させるステップを含み、上記軸は上記基
板の表面に対して垂直でありかつ上記基板の重心を通っ
ている。[0013] In a method according to a first embodiment of the present invention, the substrate is circular in shape and the step of supplying liquid over a portion of the substrate includes the step of flowing a liquid over a flat surface of the substrate. Supplying at least one flow of the liquid so as to impinge on a predetermined area of the surface, wherein the area is adjacent to an outer peripheral edge of the substrate, and a gaseous surfactant is applied to the surface. The step of supplying
At least one stream is applied to the flat surface of the substrate such that a flow of the gaseous surfactant hits the surface in an area adjacent to the area where the flow of liquid is applied and closer to the center of rotation. Providing the flow of the gaseous surfactant, the method further comprising rotating the circular substrate about a rotational axis, preferably in a horizontal plane, wherein the axis is the substrate. And passes through the center of gravity of the substrate.
【００１４】上記基板の反対側の表面に追加の液体の流
れを供給することによって、上記反対側の表面の全体を
処理してもよい。The entire opposing surface may be treated by providing an additional flow of liquid to the opposing surface of the substrate.
【００１５】本発明のもう１つの実施態様によれば、液
体の流れは上記基板の外周縁部に向けられることが可能
である一方、上記各平坦な表面は、ガス状の界面活性物
質の流れによって上記液体から保護される。According to another embodiment of the present invention, the flow of liquid can be directed to an outer peripheral edge of the substrate, while each of the flat surfaces comprises a stream of gaseous surfactant. Is protected from the liquid.
【００１６】本発明の他の実施態様である方法において
は、上記基板は円形形状であって２つの面を有し、第１
の面は環状のエッジ領域と中央領域とから構成され、本
方法は、上記円形形状の基板を保持するステップをさら
に含み、上記基板の一部の上に液体を供給するステップ
は、上記基板の第１の面の環状のエッジ領域全体に液体
の流れを供給するステップを含み、ガス状の界面活性物
質の流れを供給するステップは、上記基板の中央領域に
ガス状の界面活性物質の流れを供給するステップを含
む。In a method according to another embodiment of the present invention, the substrate is circular in shape and has two faces, and
Wherein the surface further comprises an annular edge region and a central region, wherein the method further comprises the step of holding the circular substrate, wherein the step of supplying a liquid over a portion of the substrate comprises: Providing a flow of the liquid over the entire annular edge region of the first surface, wherein supplying the flow of the gaseous surfactant comprises flowing the flow of the gaseous surfactant over a central region of the substrate. Including providing.
【００１７】この方法においては、上記基板は回転運動
を与えられてもよく、上記回転軸は上記基板の表面に対
して垂直であり、かつ上記基板の中心を含む。In this method, the substrate may be given a rotational movement, the axis of rotation being perpendicular to the surface of the substrate and including the center of the substrate.
【００１８】上記環状のエッジ領域が処理される表面の
反対側の表面に、追加の液体の流れを供給することによ
って、上記反対側の表面の全体を処理することができ
る。The entire opposite surface can be treated by providing an additional flow of liquid to the surface opposite the surface on which the annular edge region is treated.
【００１９】本発明のもう１つの実施態様の方法におい
ては、基板は円形形状であり、上記基板にガス状の界面
活性物質を供給するステップは、上記所定の量の液体と
上記各平坦な表面との間の各境界領域にガス状の界面活
性物質を供給するステップを含み、本方法はさらに、上
記円形形状の基板を保持するステップと、上記基板の平
坦な表面の両方に係る環状のエッジ領域と、上記基板の
外周縁部とを所定の量の液体に接触させる手段を提供す
るステップとを含む。In a method of another embodiment of the present invention, the substrate is circular in shape and the step of providing the substrate with a gaseous surfactant comprises the predetermined amount of liquid and each of the planar surfaces. Supplying a gaseous surfactant to each boundary region between the substrate and the substrate, the method further comprising: holding the circular shaped substrate; and annular edges on both the flat surface of the substrate. Providing a means for contacting the region and the outer peripheral edge of the substrate with a predetermined amount of liquid.
【００２０】この方法においては、上記基板は回転運動
を与えられてもよく、上記回転軸は上記基板の表面に対
して垂直であり、かつ上記基板の中心を含む。In this method, the substrate may be given a rotational movement, the axis of rotation being perpendicular to the surface of the substrate and including the center of the substrate.
【００２１】本発明の他の実施態様の方法においては、
基板は第１の面と第２の面との２つの面を有し、本方法
はさらに、上記基板の第２の面を平坦な回転する表面の
上に配置するステップを含み、上記回転する表面は、上
記基板の上記第２の面が被覆するような環状のチャネル
を含み、上記ガス状の界面活性物質を供給するステップ
は、上記基板がベルヌーイ効果によって上記回転する表
面の上に保持されるように、上記環状のチャネルを介し
て上記基板の方向にガス状の界面活性物質の流れを供給
するステップを含み、上記基板の一部の上に液体を供給
する上記ステップは、上記基板の第１の面の上に液体の
流れを供給するステップを含む。In another embodiment of the invention, the method comprises:
The substrate has two surfaces, a first surface and a second surface, and the method further comprises the step of placing the second surface of the substrate on a flat rotating surface, wherein the rotating The surface includes an annular channel such that the second side of the substrate covers the surface, and the step of providing the gaseous surfactant comprises the step of holding the substrate on the rotating surface by the Bernoulli effect. Providing a flow of a gaseous surfactant in the direction of the substrate through the annular channel, wherein the step of supplying a liquid over a portion of the substrate comprises: Providing a flow of liquid over the first surface.
【００２２】本発明のもう１つの実施態様の方法におい
ては、上記基板は第１の面と第２の面とを有し、上記基
板の一部の上に液体を供給するステップは、第１のチャ
ネルを介して、好ましくは水平に配置された上記基板の
第１の面の一部に、連続的な液体の流れを供給するステ
ップを含み、本方法はさらに、上記液体の流れを上記第
１の面から第２のチャネルを介して排出するステップを
含み、上記第２のチャネルは上記第１のチャネルの周囲
に同軸状に配置され、上記ガス状の界面活性物質を供給
するステップは、上記第１の面に対して、ガス状の界面
活性物質の流れを上記第２のチャネルの周囲に供給する
ことによって、残留する液体が、上記基板の第１の面の
上記第２のチャネル内に包含されない部分と接触するこ
とを防止するステップを含む。In another embodiment of the invention, the substrate has a first side and a second side, and the step of supplying a liquid over a portion of the substrate comprises the first step. Supplying a continuous flow of liquid to a portion of the first surface of the substrate, preferably horizontally disposed, through the channel of the method, the method further comprising directing the flow of liquid to the first surface. Discharging from one surface through a second channel, wherein the second channel is coaxially disposed about the first channel, and providing the gaseous surfactant comprises: Providing a flow of a gaseous surfactant around the second channel relative to the first surface causes residual liquid to flow within the second channel on the first surface of the substrate. Steps to prevent contact with parts not covered by Including the flop.
【００２３】この実施態様では、上記ガス状の界面活性
物質は、上記基板の表面から追加のチャネルを介して排
出してもよい。In this embodiment, the gaseous surfactant may be discharged from the surface of the substrate via an additional channel.
【００２４】本発明の他の実施態様である方法において
は、上記基板の一部の上に液体を供給するステップは、
所定の量の液体を、好ましくは水平に配置された平坦な
表面の一部と接触させるステップを含み、上記基板にガ
ス状の界面活性物質を供給するステップは、上記基板に
対して、ガス状の界面活性物質の流れを上記所定の量の
液体の周囲に供給するステップを含み、それによって上
記液体は上記表面の残りの部分と接触することを防止さ
れる。In a method according to another embodiment of the present invention, the step of providing a liquid on a portion of the substrate comprises:
Contacting a predetermined amount of liquid with a portion of a flat surface, preferably horizontally disposed, wherein supplying a gaseous surfactant to the substrate comprises applying a gaseous surfactant to the substrate; Supplying a flow of said surfactant material around said predetermined amount of liquid, thereby preventing said liquid from contacting the rest of said surface.
【００２５】この実施態様では、上記ガス状の界面活性
物質は、上記基板の表面から追加のチャネルを介して排
出してもよい。In this embodiment, the gaseous surfactant may be discharged from the surface of the substrate through an additional channel.
【００２６】本発明はまた、基板に局所化された液体処
理を施して上記基板を洗浄又はエッチングするための装
置に関し、上記装置は、上記基板を保持する手段と、上
記基板の表面の第１の部分の上に液体を供給するように
適応された第１の供給システムと、上記基板の第２の部
分にガス状物質を供給するように適応された第２の供給
システムとを備え、上記基板の第２の部分は上記液体に
よって処理される上記第１の部分に隣接している。The present invention also relates to an apparatus for cleaning or etching the substrate by subjecting the substrate to a localized liquid treatment, the apparatus comprising: means for holding the substrate; and a first surface on the surface of the substrate. A first supply system adapted to supply a liquid over a portion of the substrate, and a second supply system adapted to supply a gaseous substance to a second portion of the substrate; A second portion of the substrate is adjacent to the first portion treated by the liquid.
【００２７】こうした装置においては、上記基板に対し
て垂直でありかつ上記基板の中心を含む軸を中心に、上
記基板を回転させる手段を提供してもよい。In such an apparatus, means for rotating the substrate about an axis perpendicular to the substrate and including the center of the substrate may be provided.
【００２８】１つの実施態様によれば、円形形状であっ
て好ましくは水平に配置された基板の少なくとも１つの
平坦な表面の環状のエッジ領域を処理する装置が提案さ
れ、上記装置は少なくとも１対の固定されたノズルを備
え、ノズルは連続的な液体の流れを供給できる装置とし
て画成される。この対のうちの一方のノズルは、液体の
流れを上記環状のエッジ領域に供給することに使用され
る一方、他方は、上記平坦な表面の、上記環状のエッジ
領域に隣接し、かつ上記基板の中心により近い領域にガ
ス状の界面活性物質を分配することに使用される。According to one embodiment, there is proposed an apparatus for treating an annular edge region of at least one flat surface of a substrate which is circular in shape and preferably horizontally arranged, said apparatus comprising at least one pair. Fixed nozzle, the nozzle being defined as a device capable of supplying a continuous liquid flow. One nozzle of the pair is used to supply a flow of liquid to the annular edge region, while the other nozzle of the flat surface is adjacent to the annular edge region and the substrate Used to distribute the gaseous surfactant to the area closer to the center of the surface.
【００２９】上記ノズルの対は、上記基板の固定された
半径に沿った任意の位置に配置することができる。上記
基板の各平坦な表面のうちの、エッジ領域が処理される
表面とは反対側の１つに、ノズルを追加してもよく、上
記ノズルは上記反対側の表面の全体に液体の流れを分配
することに用いられる。The pair of nozzles can be located at any position along a fixed radius of the substrate. A nozzle may be added to one of the flat surfaces of the substrate opposite the surface on which the edge region is to be treated, the nozzle directing a flow of liquid over the opposite surface. Used for distribution.
【００３０】もう１つの実施態様によれば、円形形状で
ある基板の平坦な表面の環状のエッジ領域を処理する装
置が提供され、上記装置は第１の供給システムと第２の
供給システムとを有し、上記基板は、幾何学的中心と、
上記基板に対して上記基板の幾何学的中心において垂直
である軸と、上記基板の軸の周囲の中央部分と、環状の
エッジとを有し、上記第１の供給システムは、上記基板
の表面の環状のエッジ領域全体に上記液体を供給するよ
うに適応された第１の環状のチャネルを含み、上記第２
の供給システムは、上記基板の中央部分にガス状物質を
供給するように適応された中央のチャネルを含み、上記
中央のチャネルは上記基板の軸と同軸であり、上記第２
の供給システムはさらに、第１のチャネルに対して同軸
的に配置されかつ上記基板の幾何学的中心により近接し
た第２の環状のチャネルを含み、上記第２のチャネル
が、上記基板の中央部分から到来するガス状物質を導く
ように適応されることによって、上記液体は上記中央部
分に接触することを防止される。According to another embodiment, there is provided an apparatus for processing an annular edge region of a flat surface of a substrate having a circular shape, the apparatus comprising a first supply system and a second supply system. Wherein said substrate has a geometric center and
An axis perpendicular to the geometric center of the substrate with respect to the substrate, a central portion about an axis of the substrate, and an annular edge; the first supply system includes a surface of the substrate; A first annular channel adapted to supply the liquid over the entire annular edge region of the second annular edge region;
Includes a central channel adapted to supply a gaseous substance to a central portion of the substrate, the central channel being coaxial with an axis of the substrate,
Further includes a second annular channel coaxially disposed with respect to the first channel and closer to the geometric center of the substrate, wherein the second channel comprises a central portion of the substrate. The liquid is prevented from contacting the central portion by being adapted to direct the gaseous material coming from.
【００３１】上記装置は、上記基板に対して垂直であり
かつ上記基板の中心を含む軸を中心に回転してもよい。
上記基板の各平坦な表面のうちの、エッジ領域が処理さ
れる表面とは反対側の１つに、ノズルを追加してもよ
く、上記ノズルは、上記反対側の表面全体に液体の流れ
を分配することに用いられる。The apparatus may rotate about an axis perpendicular to the substrate and including the center of the substrate.
A nozzle may be added to one of the flat surfaces of the substrate opposite the surface on which the edge region is to be treated, the nozzle directing a flow of liquid over the opposite surface. Used for distribution.
【００３２】上記基板と上記第２の環状のチャネルの外
壁との間に、密封装置を追加してもよい。A sealing device may be added between the substrate and the outer wall of the second annular channel.
【００３３】他の実施態様によれば、円形形状であって
好ましくは水平面内に配置された基板の、平坦な表面の
両方に係る環状のエッジ領域と、上記外周縁部とを処理
する装置が提案され、上記装置は、上記基板を保持する
手段と、上記基板の表面の第１の部分の上に液体を供給
するように適応された第１の供給システムと、上記基板
の第２の部分にガス状物質を供給するように適応された
第２の供給システムと、所定の量の処理液の表面より上
で所定の圧力が保持されるように、上記所定の量の処理
液で充填された容器とを備え、上記圧力は大気圧以下で
あり、上記容器は一方の側面に狭い間隙を有し、上記間
隙の中に、上記円形の基板が部分的に挿入されることに
よって、上記基板の上記環状のエッジの少なくとも一部
と上記外周縁部とは上記液体に浸漬され、少なくとも１
対のノズルを備え、上記基板の各面の上にある上記対の
うちの一方のノズルは、ガス状物質の流れを上記容器と
上記基板の間の境界領域に向ける。According to another embodiment, there is provided an apparatus for treating an annular edge region on both flat surfaces of a substrate having a circular shape and preferably located in a horizontal plane, and the outer peripheral edge. Proposed, the apparatus comprises means for holding the substrate, a first supply system adapted to supply liquid over a first portion of a surface of the substrate, and a second portion of the substrate. A second supply system adapted to supply a gaseous substance to the substrate; and a predetermined amount of the processing liquid filled with the predetermined amount of the processing liquid such that a predetermined pressure is maintained above the surface of the predetermined amount of the processing liquid. Wherein the pressure is less than atmospheric pressure, the container has a narrow gap on one side, and the circular substrate is partially inserted into the gap, whereby the substrate At least a portion of the annular edge and the outer peripheral edge It is immersed in the liquid, at least one
A pair of nozzles, one nozzle of the pair on each side of the substrate, directs a flow of gaseous material to a boundary region between the container and the substrate.
【００３４】上記装置は、上記基板に対して垂直であり
かつ上記基板の中心を含む軸を中心に回転してもよい。The apparatus may rotate about an axis perpendicular to the substrate and including the center of the substrate.
【００３５】もう１つの実施態様によれば、好ましくは
水平に配置された基板の局所的な領域を処理する装置が
提案され、上記装置は、上記基板の表面に液体の流れを
供給することに使用される中央のチャネルと、上記第１
のチャネルを同軸的に囲み、上記基板の表面から上記液
体の流れを排出する第２のチャネルとを含む第１の供給
システムと、上記第２のチャネルを同軸的に囲み、上記
基板の表面に界面活性物質の流れを供給することに使用
される第３のチャネルを含む第２の供給システムとを備
えている。According to another embodiment, there is proposed an apparatus for treating a localized area of a substrate, which is preferably arranged horizontally, said apparatus comprising providing a flow of liquid to a surface of said substrate. The central channel used and the first
And a second channel for coaxially surrounding the second channel and discharging the liquid flow from the surface of the substrate. A second supply system including a third channel used to provide a flow of surfactant.
【００３６】この同じ実施態様によれば、上記第３のチ
ャネルに対して第４のチャネルを同軸的に配置すること
が可能であり、上記第４のチャネルは、上記ガス状の界
面活性物質を上記基板の表面から排出することに使用さ
れる。According to this same embodiment, it is possible to arrange a fourth channel coaxially with respect to the third channel, wherein the fourth channel contains the gaseous surfactant. It is used for discharging from the surface of the substrate.
【００３７】上記基板と上記第２のチャネルの外壁との
間には、密封装置を追加してもよい。第４のチャネルの
場合、追加の密封装置は、上記基板と上記装置の外壁と
の間に配置することが可能である。A sealing device may be added between the substrate and the outer wall of the second channel. In the case of the fourth channel, an additional sealing device can be placed between the substrate and the outer wall of the device.
【００３８】他の実施態様によれば、好ましくは水平に
配置された基板の局所的な領域を処理するか、又は同基
板の表面から不純物を回収する装置が提案され、上記装
置は、中央のチャネルを含む第１の供給システムを備
え、上記中央のチャネルが所定の量の液体を含むことに
よって、上記液体は上記基板の表面と接触し、かつ所定
の圧力は上記所定の量の液体の表面の上に保持され、上
記圧力は上記基板の表面で大気圧以下であり、第２のチ
ャネルを含む第２の供給システムを備え、上記第２のチ
ャネルは、上記中央のチャネルを同軸的に囲み、かつ上
記基板の表面にガス状の界面活性物質の流れを供給す
る。According to another embodiment, there is proposed an apparatus for processing a local area of a substrate, preferably arranged horizontally, or for recovering impurities from the surface of the substrate, said apparatus comprising a central device. Providing a first supply system including a channel, wherein the central channel contains a predetermined amount of liquid such that the liquid contacts the surface of the substrate and a predetermined pressure is applied to the surface of the predetermined amount of liquid. And wherein the pressure is sub-atmospheric at the surface of the substrate and comprises a second supply system including a second channel, the second channel coaxially surrounding the central channel. And supplying a flow of a gaseous surfactant to the surface of the substrate.
【００３９】この同じ実施態様によれば、上記第２のチ
ャネルに対して第３のチャネルを同軸的に配置すること
が可能であり、上記第３のチャネルは、上記基板の表面
から上記ガス状の界面活性物質を排出することに使用さ
れる。According to this same embodiment, it is possible to arrange a third channel coaxially with respect to the second channel, wherein the third channel is formed from the surface of the substrate in the gaseous state. Used to remove surface active substances.
【００４０】上記基板と上記中央のチャネルの外壁との
間に、密封装置を追加してもよい。第３のチャネルの場
合、追加の密封装置は、上記基板と上記装置の外壁との
間に配置することが可能である。A sealing device may be added between the substrate and the outer wall of the central channel. In the case of the third channel, an additional sealing device can be arranged between the substrate and the outer wall of the device.
【００４１】[0041]
【発明の実施の形態】次に、添付の図面を参照して本発
明の好ましい本実施形態について説明する。ただし、図
面において、同じ構成要素を同じ参照番号によって示
す。図１ａは、本発明の第１の実施形態に係る方法及び
装置を示し、それによって、洗浄又はエッチングのため
に用いられる液体は、水平に配置された回転する円形形
状の基板１の上に第１のノズル２を介して供給される一
方、ガス状の界面活性（tensio active）物質は第２の
ノズル３を介して供給される。矢印によって、基板の回
転が示されている。この実施形態と以下の全ての実施形
態（回転が適用される場合）における回転は、基板に垂
直でありかつ上記基板の中心を含む軸を中心に発生して
いる。Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, in the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals. FIG. 1a shows a method and apparatus according to a first embodiment of the present invention, whereby the liquid used for cleaning or etching is deposited on a horizontally arranged, rotating circular substrate 1. The gaseous tensioactive material is supplied via a second nozzle 3 while being supplied via one nozzle 2. Arrows indicate rotation of the substrate. The rotation in this embodiment and in all of the following embodiments (where rotation is applied) occurs about an axis that is perpendicular to the substrate and that includes the center of the substrate.
【００４２】図１ａの装置では、両方のノズルは、液体
の流れ及び界面活性物質の流れが基板の表面を２つのス
ポットにおいて、好ましくは上記基板の半径に沿って存
在する２つのスポットにおいて当たるように配置されて
いる。液体の流れが表面に当たるスポットは環状のエッ
ジ領域４に存在し、界面活性ガスの流れが表面に当たる
スポットは、第１のスポットに隣接しかつ基板の中心に
より近い位置に存在する。両方のノズルは固定されてい
る。ノズル２を介して供給される液体は、基板の表面の
はっきりと特定された環状のエッジ領域４を洗浄する
か、又はエッチングするために用いることができる一
方、上記表面の残りの領域は、ガス状の界面活性物質に
よって液体と接触しないように保護される。この物質
は、この液体と混合されたとき上記液体の表面張力を減
少させるため、液体は上記表面の上に拡散せずに、包含
された状態になり、基板の回転運動によって生じる遠心
力によって表面から容易に除去される。基板が配置され
ている区画の壁５は傾斜されているので、それらは、液
滴６を、基板上にはねかけることなしに効率的に除去さ
せることができる。In the apparatus of FIG. 1a, both nozzles are so arranged that the flow of the liquid and the flow of the surfactant hit the surface of the substrate at two spots, preferably at two spots present along the radius of the substrate. Are located in The spot where the liquid flow hits the surface is in the annular edge region 4 and the spot where the surfactant gas flow hits the surface is adjacent to the first spot and closer to the center of the substrate. Both nozzles are fixed. The liquid supplied via the nozzle 2 can be used to clean or etch a well-defined annular edge area 4 of the surface of the substrate, while the remaining area of the surface is Is protected from contact with the liquid by the surface-active substance. This substance, when mixed with this liquid, reduces the surface tension of the liquid, so that the liquid does not diffuse over the surface, but becomes contained, and becomes centrifugal due to the rotational movement of the substrate. Easily removed from Since the walls 5 of the compartment in which the substrate is located are inclined, they can efficiently remove the droplets 6 without splashing onto the substrate.
【００４３】各ノズルと基板の表面との角度は、図１ａ
の例示的な場合とは異なることもある。液体のノズル
は、はねかけることを最小化する角度で配置されること
が有益である。両方のノズルは、それらを上記基板の半
径に沿った可変な位置に固定できるように、可動な構造
上に配置してもよい。基板の片面又は両面の上の固定さ
れた位置に、幾つかの対のノズル（２，３）を配置して
もよい。The angle between each nozzle and the surface of the substrate is shown in FIG.
In some cases. Advantageously, the liquid nozzles are arranged at an angle that minimizes splashing. Both nozzles may be arranged on a movable structure so that they can be fixed at variable positions along the radius of the substrate. Several pairs of nozzles (2, 3) may be arranged at fixed locations on one or both sides of the substrate.
【００４４】この実施形態は、基板の中央部分に接触す
ることなく上記基板の表面の局所化されたエッジ領域の
処理を可能にするという、当該技術分野の状態に対する
改良を表している。本発明に係る方法の付加的な利点
は、基板の回転運動を、既存の方法に比べてより低い速
度で可能にするということである。This embodiment represents an improvement over the state of the art that allows for the treatment of localized edge regions on the surface of the substrate without touching the central part of the substrate. An additional advantage of the method according to the invention is that it allows a rotational movement of the substrate at a lower speed compared to existing methods.
【００４５】図１ｂのように、上記各ノズルが基板の外
周縁部７へと向けられるならば、本発明に係る本方法は
周縁部の処理に適当であり、それによって基板の表面は
液体から保護される。ノズル８（液体）と９（ガス状の
界面活性物質）との第２の対を基板の反対側に追加する
ことによって、周縁部の処理工程を効率的に改良しても
よい。If, as in FIG. 1b, each of the above nozzles is directed to the peripheral edge 7 of the substrate, the method according to the invention is suitable for the processing of the peripheral edge, whereby the surface of the substrate is separated from the liquid. Protected. By adding a second pair of nozzles 8 (liquid) and 9 (gaseous surfactant) on the opposite side of the substrate, the peripheral processing steps may be efficiently improved.
【００４６】図１ｃに図示されたように、基板の反対側
に、付加的なノズル１０を追加してもよい。従って、こ
の装置構成は裏面の洗浄又はエッチングの処理に適当で
あって、基板の裏面１１は、表の面の制限された領域１
２及び外周縁部７と同様に処理される。本発明に係る方
法を用いると、基板の表の面の中央部分１３を処理液か
ら効果的に遮蔽することができる。As shown in FIG. 1c, an additional nozzle 10 may be added on the opposite side of the substrate. Therefore, this apparatus configuration is suitable for the cleaning or etching process of the back surface, and the back surface 11 of the substrate is formed in the restricted area 1 on the front surface.
2 and the outer peripheral edge 7 are processed in the same manner. When the method according to the present invention is used, the central portion 13 on the front surface of the substrate can be effectively shielded from the processing liquid.
【００４７】図２は、円形形状である基板１の環状のエ
ッジ領域２０に液体が分配される、本発明のもう１つの
実施形態に係る方法及び装置を示している。基板は、静
止していても回転していてもよい。装置１９は２つの同
軸的な環状のチャネル２１及び２２を備え、基板の表面
の上方に配置されている。上記装置もまた、基板の中心
の垂直な軸を中心に回転してもよい。外側のチャネル２
１を介して、液体が、回転する基板のエッジの上に供給
される。同時に、好ましくは界面活性であるガス状物質
が、中央のノズル２３を介して基板の中央部分の上に供
給される。ガス状の界面活性物質は、基板の中心から外
側に向かってエッジへと流れ、エッジでそれは内側の同
軸的なチャネル２２の中に導かれる。上記ガス状物質
は、液体が上記表面の中央部分と接触することを防止さ
れるように、上記液体の表面張力を減少させる。基板が
回転している場合において、液体に作用する遠心力は、
基板からの液体の除去をさらに促進する。FIG. 2 shows a method and apparatus according to another embodiment of the present invention in which liquid is distributed to an annular edge region 20 of a substrate 1 having a circular shape. The substrate may be stationary or rotating. Apparatus 19 comprises two coaxial annular channels 21 and 22, located above the surface of the substrate. The apparatus may also rotate about a vertical axis about the center of the substrate. Outer channel 2
Via 1 a liquid is supplied over the edge of the rotating substrate. At the same time, a preferably surface-active gaseous substance is supplied via a central nozzle 23 onto the central part of the substrate. The gaseous surfactant flows outwardly from the center of the substrate to the edge where it is directed into an inner coaxial channel 22. The gaseous substance reduces the surface tension of the liquid such that the liquid is prevented from contacting the central part of the surface. When the substrate is rotating, the centrifugal force acting on the liquid is
Further facilitates removal of liquid from the substrate.
【００４８】この実施形態はまた基板のエッジ領域の処
理を可能にし、液体をエッジ領域の全体に適用すること
ができ、上記エッジ領域はまた中央から供給されるガス
状の界面活性物質によって全体を保護されるという追加
された利点を提供する。両面のエッジ領域を同時に処理
するために、基板の反対側に同様の構造を配置してもよ
い。また、１つの装置１９が適用される場合に、ノズル
を反対側に向けて、図１ｃのノズル１０の作用と同様
に、液体を上記反対側に供給してもよい。装置１９と基
板の表面の間の距離は、液体とガスとの分離が最適化さ
れるように十分に小さい必要がある。This embodiment also allows for processing of the edge region of the substrate, wherein a liquid can be applied to the entire edge region, said edge region also being entirely controlled by a centrally supplied gaseous surfactant. Provides the added benefit of being protected. A similar structure may be placed on the opposite side of the substrate to process both edge regions simultaneously. Also, if one device 19 is applied, the liquid may be supplied to the opposite side with the nozzle facing away, similar to the operation of the nozzle 10 in FIG. 1c. The distance between the device 19 and the surface of the substrate must be small enough so that the separation of liquid and gas is optimized.
【００４９】各装置１９と基板１とが両方とも静止して
いる、もしくは同じ速度で回転している場合には、基板
とチャネル２２の外壁との間に密封装置、例えばＯリン
グを置いて、中央部分と処理されるエッジ領域とを分離
してもよい。If each device 19 and the substrate 1 are both stationary or rotating at the same speed, a sealing device, for example an O-ring, is placed between the substrate and the outer wall of the channel 22, The central portion and the edge region to be processed may be separated.
【００５０】図３ａは、基板１に回転運動が加えられて
いる本発明の他の実施形態に係る方法及び装置を示して
いる。基板の一方の側面には、基板１の各エッジ領域３
２及び外周縁部３３の処理に使用される液体３１の入る
容器３０が存在する。間隙３４は、それが回転する基板
のエッジを非常に小さいすきま（clearance）を用いて
収容できるように作られている。上記容器３０の内部の
圧力は、好ましくは上記容器の外側の圧力以下である。
ノズル（３５，３６）は基板の両面に対して存在して、
好ましくは界面活性であるガス状物質の流れを容器と基
板の間の境界領域に供給し、それによって、液体が基板
の中央部分と接触することを防止している。FIG. 3 a shows a method and apparatus according to another embodiment of the present invention in which a rotational movement is applied to the substrate 1. On one side of the substrate, each edge region 3 of the substrate 1
There is a container 30 for the liquid 31 used for the treatment of the outer periphery 2 and the outer periphery 33. The gap 34 is made such that it can accommodate the edge of the substrate on which it rotates, with very little clearance. The pressure inside the container 30 is preferably less than or equal to the pressure outside the container.
Nozzles (35, 36) are present on both sides of the substrate,
A flow of the gaseous substance, which is preferably surface active, is provided to the interface region between the container and the substrate, thereby preventing liquid from contacting the central portion of the substrate.
【００５１】この実施形態の１つの態様において、容器
は、基板中央の垂直な軸を中心に、基板と同じか又は異
なる速度で回転していてもよい。この方法において、遠
心力は、液体と基板の中央部分との効率的な分離に寄与
する。また、容器が回転している一方、基板が静止して
いてもよい。In one aspect of this embodiment, the container may be rotating at the same or a different speed as the substrate about a vertical axis at the center of the substrate. In this way, the centrifugal force contributes to the efficient separation of the liquid from the central part of the substrate. Further, the substrate may be stationary while the container is rotating.
【００５２】容器は、処理されるエッジ領域の全体が処
理液に浸漬されるように、環状形状であることも可能で
ある。またこの場合、上記環状形状の容器は、上記基板
と同じ速度又は異なる速度で回転してもよい。この場合
もまた、基板は静止していてもよい。図３ｂに示された
ように、容器が環状形状を有するときは、容器は、基板
をそこに配置する底部１００と、上記第１の部分の上に
配置される上部１０１との２つの部分から構成されるも
のとし、次いで、両方の部分の間の区画は、例えば少な
くとも１つの開口１０２を介して、処理液で充填される
ことによって、基板の環状のエッジ領域が上記液体に完
全に浸漬される。上記両方の部分の間には、処理液が容
器から漏れないように、上記容器の両方の部分の外周に
沿って適当な密封装置１０３が設けられる必要がある。
容器と基板の間の各境界領域に等量のガス状の界面活性
物質を供給するために、環状形状の各ノズル１０４を用
いてもよい。The container can also be annular in shape so that the entire edge area to be treated is immersed in the treatment liquid. In this case, the annular container may rotate at the same speed as the substrate or at a different speed. Again, the substrate may be stationary. As shown in FIG. 3b, when the container has an annular shape, the container is made up of two parts, a bottom part 100 on which the substrate is placed and a top part 101 which is placed on the first part. The compartment between both parts is then filled with a treatment liquid, for example via at least one opening 102, so that the annular edge area of the substrate is completely immersed in said liquid You. Between the two parts, a suitable sealing device 103 needs to be provided along the outer periphery of both parts of the container so that the processing liquid does not leak from the container.
Each annular nozzle 104 may be used to supply an equal amount of a gaseous surfactant to each boundary region between the container and the substrate.
【００５３】この実施形態は、基板の両面のエッジ領域
と外周縁部とを同時に処理できるという付加的な利点を
提供する。This embodiment offers the additional advantage that the edge regions on both sides of the substrate and the peripheral edge can be processed simultaneously.
【００５４】本発明に係る先行する実施形態のうちのそ
れぞれにおいて、基板を保持し、かつこれに回転運動を
与えるために、遊星駆動装置を用いることができる。こ
うしたシステムでは、円形基板の外周の周りに配置され
た１組の回転する溝付き車輪が基板を保持し、かつ、こ
れを直接に駆動する。これは、エッジのビードの効率的
な除去をもたらす。また、基板の両面への自由なアクセ
スが確保される。それに代わって、真空チャックを使用
して基板を保持してもよい。In each of the preceding embodiments according to the present invention, a planetary drive can be used to hold and impart a rotational movement to the substrate. In such a system, a set of rotating grooved wheels located around the circumference of the circular substrate hold the substrate and directly drive it. This results in efficient removal of edge beads. Also, free access to both sides of the substrate is ensured. Alternatively, a vacuum chuck may be used to hold the substrate.
【００５５】図４は、ベルヌーイ効果により基板１を保
持するためにガス状の界面活性物質を使用する、本発明
のもう１つの実施形態に係る方法を示している。基板１
は、環状のノズル４１が設けられた回転する平坦な表面
４０の上に配置されている。上記表面４０の回転は、矢
印で示されている。このノズルを介して、界面活性のガ
ス状物質が所定の速度で供給される。この速度によって
基板と平坦な表面との間に圧力低下がもたらされ、これ
により基板が上記表面に保持される。表面４０には支持
部４２が設けられ、基板が所定位置に保持されることを
保証している。FIG. 4 shows a method according to another embodiment of the present invention using a gaseous surfactant to hold the substrate 1 by the Bernoulli effect. Substrate 1
Is arranged on a rotating flat surface 40 provided with an annular nozzle 41. The rotation of the surface 40 is indicated by arrows. Through this nozzle, a surface-active gaseous substance is supplied at a predetermined rate. This speed causes a pressure drop between the substrate and the flat surface, which holds the substrate on the surface. A support 42 is provided on the surface 40 to ensure that the substrate is held in place.
【００５６】環状のノズルの反対側の面にはノズル４３
が設けられ、処理液の流れを供給するために使用され
る。この実施形態は、一方の表面にエッチング液を塗布
する一方、反対側の表面は界面活性ガスによって効果的
に保護される、基板を薄くする処理に適している。The nozzle 43 is provided on the surface opposite to the annular nozzle.
And is used to supply a flow of the processing solution. This embodiment is suitable for a process of thinning a substrate in which one surface is coated with an etchant while the other surface is effectively protected by a surfactant gas.
【００５７】図５ａは、基板１の表面の上に連続的な液
体の流れが供給される、本発明の他の実施形態に係る方
法及び装置を示している。３つの同軸的なチャネルで構
成されている装置が使用される。中央のチャネル５０
は、基板の表面に液体を供給するために使用される。そ
れを取り囲むチャネル５１は、上記基板から液体を排出
するために使用される。第３のチャネル５２は、液体が
基板の局所化された領域に包含されるように液体の表面
張力を減少させるガス状の界面活性物質を供給するため
に使用される。基板と液体を排出するチャネル５１の外
壁との間には、例えばＯリングである密封装置５３を追
加してもよい。この場合、ガス状の界面活性物質の流れ
は、密封装置から漏れる液体がすべて、処理される領域
に包含されているということを保証する。FIG. 5 a shows a method and apparatus according to another embodiment of the present invention, wherein a continuous liquid flow is provided over the surface of the substrate 1. A device consisting of three coaxial channels is used. Center channel 50
Is used to supply liquid to the surface of the substrate. A channel 51 surrounding it is used to drain liquid from the substrate. The third channel 52 is used to supply a gaseous surfactant that reduces the surface tension of the liquid so that the liquid is contained in a localized area of the substrate. A sealing device 53, for example, an O-ring, may be added between the substrate and the outer wall of the channel 51 for discharging liquid. In this case, the flow of the gaseous surfactant ensures that any liquid leaking from the sealing device is contained in the area to be treated.
【００５８】図５ｂはチャネル５２を取り囲む付加的な
第４のチャネル５４を示しているが、これは、ガス状物
質が基板の残り部分に接触することを防止する必要があ
る場合、又はガス状物質が環境へ漏出することを防止す
る必要がある場合に配置することができる。矢印は、ガ
ス状の界面活性物質がこの第４のチャネルを介して基板
の表面から排出されることを示している。しかしなが
ら、ガスが第４のチャネル５４を介して供給され、第３
のチャネル５２を介して排出されることも同じ程度で可
能である。FIG. 5b shows an additional fourth channel 54 surrounding the channel 52, which may be necessary if gaseous substances need to be prevented from contacting the rest of the substrate or gaseous. It can be deployed when it is necessary to prevent material from leaking into the environment. The arrow indicates that the gaseous surfactant is discharged from the surface of the substrate through this fourth channel. However, gas is supplied via the fourth channel 54 and the third
To the same extent.
【００５９】図５ｂの装置におけるガス状の界面活性物
質の流れの方向に関わらず、ガス状物質が環境へ漏出す
ることを防止するために、基板と上記装置の外壁との間
に付加的な密封装置５５を配置することができる。特
に、第３のチャネル５２が上記装置の最も外側の部分に
配置されている場合（第４のチャネル５４が第２のチャ
ネル５１と第３のチャネル５２との間に配置されるよう
な構造）には、密封装置は、第３のチャネル５２の最も
外側の部分に配置することができる。それに代わって、
第４のチャネルが第３のチャネルの外側に配置されて第
４のチャネルが上記装置の最も外側の部分となる場合に
は、密封装置５５は第４のチャネルに対して配置されて
もよい。この方法では、第４のチャネルの配置（第２の
チャネルと第３のチャネルの間、もしくは第３のチャネ
ルの外側のいずれであっても）によって、ガスがシステ
ムから異なる２つの方向に除去されることが可能にな
る。また上記装置において、密封装置は、基板と最後の
同軸的なチャネルの外壁との間に配置されてもよい。Regardless of the direction of flow of the gaseous surfactant in the apparatus of FIG. 5b, an additional space is provided between the substrate and the outer wall of the apparatus to prevent gaseous substances from leaking into the environment. A sealing device 55 can be arranged. In particular, when the third channel 52 is arranged in the outermost part of the device (a structure in which the fourth channel 54 is arranged between the second channel 51 and the third channel 52). Alternatively, the sealing device can be located in the outermost part of the third channel 52. Instead,
If the fourth channel is located outside the third channel and the fourth channel is the outermost part of the device, the sealing device 55 may be located relative to the fourth channel. In this method, the arrangement of the fourth channel (whether between the second channel and the third channel or outside the third channel) causes gas to be removed from the system in two different directions. It becomes possible. In the above device, the sealing device may be arranged between the substrate and the outer wall of the last coaxial channel.
【００６０】３つ又は４つのチャネルを含む装置は、そ
れが処理される領域を正確にカバーするように構成され
るか、又は、より小型に製造され、続いて、処理される
領域に渡って走査するように構成されてもよい。A device containing three or four channels may be configured to cover exactly the area in which it is to be processed, or it may be made smaller and subsequently over the area to be processed. It may be configured to scan.
【００６１】３つ又は４つのチャネルを含む装置は、有
利な条件によっては、水平に配置された基板の下に配置
されてもよい。この方法では、装置を除去するときの、
基板上へ液体がはねかかることを回避することができ
る。A device comprising three or four channels may be arranged below a horizontally arranged substrate, depending on advantageous conditions. In this method, when removing the device,
The liquid can be prevented from splashing onto the substrate.
【００６２】この実施形態は、フォトレジストパターン
又は遮蔽板を必要としないで、基板の表面の局所的な領
域を洗浄するか、又はゼロマーカ領域のようなこれらの
領域をエッチングするために用いることができる。こう
した大型サイズの膜なし領域（film-free areas）の製
造に対して、この方法は、古典的なフォトステップ方法
よりも迅速かつ安価な方法を提供する。遮蔽板を使用す
る方法に比べると、本発明に係るこの方法は、粒子汚染
又は研磨傷の形成の危険性を除去している。This embodiment can be used to clean localized areas of the surface of the substrate or to etch these areas, such as zero marker areas, without the need for a photoresist pattern or shield. it can. For the production of such large sized film-free areas, this method offers a faster and cheaper method than the classic photostep method. Compared to the method using a shielding plate, this method according to the invention eliminates the risk of particle contamination or the formation of abrasive flaws.
【００６３】図６ａは、不純物回収の技術に適当な、本
発明のもう１つの実施形態に係る方法及び装置を示して
いる。また、これは、ゼロマーカのような大型サイズの
膜なし領域を取得することにも適当である。所定の量の
液体６２は、中央のチャネル６３を介して基板６１の表
面に接触させられる。このチャネルは、上部側で閉じら
れている。有利なことには、チャネル６３内部の圧力
は、基板の表面に作用する大気圧より低い。液体の上に
かかる圧力が低いほど、包含できる液体の量は増大す
る。チャネル６３の周りに配置されたチャネル６４は、
液体が表面の局所化された領域に包含されるように上記
液体の表面張力を減少させるガス状の界面活性物質を供
給するために使用される。上記液体の液滴が使用される
場合には、上記液滴にかかる圧力の低減は不要である。
この場合は、中央のチャネル６３は、上部が開放されて
いてもよい。FIG. 6a shows a method and apparatus according to another embodiment of the present invention suitable for the technique of impurity recovery. It is also suitable for obtaining large size filmless areas such as zero markers. A predetermined amount of the liquid 62 is brought into contact with the surface of the substrate 61 via the central channel 63. This channel is closed on the top side. Advantageously, the pressure inside the channel 63 is below atmospheric pressure acting on the surface of the substrate. The lower the pressure on the liquid, the greater the amount of liquid that can be contained. Channel 64, which is arranged around channel 63,
It is used to supply a gaseous surfactant that reduces the surface tension of the liquid so that the liquid is contained in localized areas of the surface. When liquid droplets of the liquid are used, it is not necessary to reduce the pressure applied to the liquid droplets.
In this case, the center channel 63 may be open at the top.
【００６４】基板とチャネル６３の外壁との間には、Ｏ
リングのような密封装置６５を追加してもよい。この場
合、ガス状の界面活性物質の流れは、密封装置から漏れ
出る液体がすべて、処理される領域上に包含されるとい
うことを保証する。An O between the substrate and the outer wall of the channel 63
A sealing device 65 such as a ring may be added. In this case, the flow of the gaseous surfactant ensures that any liquid escaping from the sealing device is contained on the area to be treated.
【００６５】図６ｂでは、装置に付加的なチャネル６６
が追加されている。装置のこの変形は、ガス状の界面活
性物質が基板の残りの部分と接触すること、又は環境へ
漏出することが防止される必要がある場合に好適であ
る。矢印は、ガス状の界面活性物質が基板の表面からこ
の第３のチャネル６６を介して排出されることを示して
いる。しかしながら、ガスが第３のチャネルを介して供
給され、第２のチャネルを介して排出されることも同じ
程度で可能である。In FIG. 6b, an additional channel 66 is added to the device.
Has been added. This variant of the device is suitable where gaseous surfactants need to be prevented from contacting the rest of the substrate or leaking into the environment. The arrows indicate that the gaseous surfactant is discharged from the surface of the substrate through this third channel 66. However, it is equally possible for the gas to be supplied via the third channel and to be discharged via the second channel.
【００６６】図６ｂの装置におけるガス状の界面活性物
質の流れの方向に関わらず、有利な条件によっては、基
板と上記装置の外壁との間に、ガス状物質の環境への漏
出を防止するために追加の密封装置６７を配置してもよ
い。Regardless of the direction of flow of the gaseous surfactant in the apparatus of FIG. 6b, advantageous conditions prevent leakage of gaseous substances into the environment between the substrate and the outer wall of the apparatus. For this purpose, an additional sealing device 67 may be arranged.
【００６７】この実施形態は、より多量の汚染物質を回
収できるように、液滴よりも大きな所定の量の液体を保
持することが可能なので、当該技術分野の現状において
記述された既存の技術に対する改良物を提供する。液滴
が使用される場合でも、ガス状の界面活性物質の流れが
液滴と処理される表面との接触角を増大させる。結果的
に、それは親水性基板の基板の表面の前処理を不要にす
ることができる。This embodiment is compatible with existing techniques described in the state of the art because it is capable of holding a predetermined amount of liquid larger than a droplet so that a greater amount of contaminants can be recovered. Provide improvements. Even when droplets are used, the flow of the gaseous surfactant increases the contact angle between the droplet and the surface to be treated. Consequently, it can obviate the need for pre-treatment of the surface of the hydrophilic substrate.
【００６８】これまでの詳細な説明は、限定的ではなく
例示的なものと見なされるということと、すべての等価
物を含む添付の特許請求の範囲が本発明の範囲を定義す
ると理解されることとが意図されている。It is to be understood that the foregoing detailed description is to be regarded as illustrative rather than limiting, and that the appended claims, including all equivalents, are intended to define the scope of the invention. And is intended.
【図１ａ】 回転する基板のエッジ領域を洗浄するか、
又はエッチングするために用いられる、本発明の第１の
実施形態に係る方法及び装置を示す正面図及び平面図で
ある。FIG. 1a: cleaning the edge area of a rotating substrate,
3A and 3B are a front view and a plan view showing a method and an apparatus according to the first embodiment of the present invention, which are used for etching.
【図１ｂ】 回転する基板の外周縁部を処理するための
方法及び装置を示す正面図である。FIG. 1b is a front view illustrating a method and apparatus for processing an outer peripheral edge of a rotating substrate.
【図１ｃ】 裏面の洗浄を実行するための本発明に係る
方法及び装置を示す正面図である。FIG. 1c is a front view of a method and apparatus according to the present invention for performing backside cleaning.
【図２】 基板の環状のエッジ領域を洗浄するか、又は
エッチングするために用いられる、本発明に係る第２の
方法及び装置を示す縦断面図及び横断面図である。FIG. 2 shows a longitudinal section and a transverse section of a second method and apparatus according to the invention, used for cleaning or etching an annular edge region of a substrate.
【図３ａ】 基板の環状のエッジ領域及び外周縁部を洗
浄するか、又はエッチングするために用いられる、本発
明に係る第３の方法及び装置を示す縦断面図及び平面図
である。3a and 3b are a longitudinal section and a plan view, respectively, showing a third method and apparatus according to the invention for cleaning or etching the annular edge region and the outer peripheral edge of a substrate.
【図３ｂ】 図３ａに示された装置の代替形態を示す縦
断面図及び平面図である。FIG. 3b shows a longitudinal section and a plan view of an alternative of the device shown in FIG. 3a.
【図４】 ベルヌーイ効果によって基板を保持するため
に用いられる、本発明に係る方法を示す正面図である。FIG. 4 is a front view showing a method according to the invention used to hold a substrate by the Bernoulli effect.
【図５ａ】 連続的な液体の流れを適用することによっ
て基板の局所的な領域を洗浄するか、又はエッチングす
るために用いられる本発明に係る方法及び装置を示す縦
断面図及び横断面図である。5a and 5b are longitudinal and cross-sectional views illustrating a method and apparatus according to the present invention used to clean or etch localized areas of a substrate by applying a continuous liquid flow; is there.
【図５ｂ】 連続的な液体の流れを適用することによっ
て基板の局所的な領域を洗浄するか、又はエッチングす
るために用いられる本発明に係る方法及び装置を示す縦
断面図及び横断面図である。FIG. 5b is a longitudinal and cross-sectional view showing a method and apparatus according to the invention used for cleaning or etching a localized area of a substrate by applying a continuous liquid flow; is there.
【図６ａ】 基板の表面の一部の上に少量の液体を包含
するために用いられる本発明に係る方法及び装置を示す
縦断面図及び横断面図である。6a and 6b are a longitudinal section and a transverse section, respectively, illustrating a method and apparatus according to the invention used to contain a small amount of liquid on a part of the surface of a substrate.
【図６ｂ】 基板の表面の一部の上に少量の液体を包含
するために用いられる本発明に係る方法及び装置を示す
縦断面図及び横断面図である。6a and 6b are a longitudinal section and a transverse section, respectively, illustrating a method and apparatus according to the invention used to contain a small amount of liquid on a part of the surface of a substrate.
１…基板、 ２，３，８，９，１０，２３，３５，３６，１０４，４
１，４３…ノズル、 ４，２０，３２…環状のエッジ領域、 ５…壁、 ６…液滴、 ７，３３…外周縁部、 １１…基板の裏面、 １２…制限された領域、 １３…中央部分、 １９…装置、 ２１，２２，５０，５１，５２，５４…チャネル、 ３０…容器、 ３１，６２…液体、 ３４…間隙、 ４０…平坦な表面、 ４２…支持部、 ５３，５５，６５，１０３…密封装置、 ６１…基板、 ６２…液体、 ６３，６４，６６…チャネル、 ６７…密封装置、 １００…底部、 １０１…上部、 １０２…開口。1 ... substrate, 2, 3, 8, 9, 10, 23, 35, 36, 104, 4
1, 43: nozzle, 4, 20, 32: annular edge area, 5: wall, 6: droplet, 7, 33: outer peripheral edge, 11: back surface of the substrate, 12: restricted area, 13: center Parts, 19 ... device, 21, 22, 50, 51, 52, 54 ... channel, 30 ... container, 31, 62 ... liquid, 34 ... gap, 40 ... flat surface, 42 ... support, 53, 55, 65 103, sealing device, 61, substrate, 62, liquid, 63, 64, 66, channel, 67, sealing device, 100, bottom, 101, top, 102, opening.
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１３年７月９日（２００１．７．９）[Submission date] July 9, 2001 (2001.7.9)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００６３[Correction target item name] 0063
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００６３】図６ａは、不純物回収の技術に適当な、本
発明のもう１つの実施形態に係る方法及び装置を示して
いる。また、これは、ゼロマーカのような大型サイズの
膜なし領域を取得することにも適当である。所定の量の
液体６０は、中央のチャネル６１を介して基板１の表面
に接触させられる。このチャネルは、上部側で閉じられ
ている。有利なことには、チャネル６１内部の圧力は、
基板の表面に作用する大気圧より低い。液体の上にかか
る圧力が低いほど、包含できる液体の量は増大する。チ
ャネル６１の周りに配置されたチャネル６２は、液体が
表面の局所化された領域に包含されるように上記液体の
表面張力を減少させるガス状の界面活性物質を供給する
ために使用される。上記液体の液滴が使用される場合に
は、上記液滴にかかる圧力の低減は不要である。この場
合は、中央のチャネル６１は、上部が開放されていても
よい。FIG. 6a shows a method and apparatus according to another embodiment of the present invention suitable for the technique of impurity recovery. It is also suitable for obtaining large size filmless areas such as zero markers. A predetermined amount of the liquid 60 is brought into contact with the surface of the substrate 1 via the central channel 61. This channel is closed on the top side. Advantageously, the pressure inside channel 61 is
It is lower than the atmospheric pressure acting on the surface of the substrate. The lower the pressure on the liquid, the greater the amount of liquid that can be contained. A channel 62 disposed around the channel 61 is used to supply a gaseous surfactant that reduces the surface tension of the liquid such that the liquid is contained in a localized area of the surface. When liquid droplets of the liquid are used, it is not necessary to reduce the pressure applied to the liquid droplets. In this case, the upper part of the center channel 61 may be open.
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００６４[Correction target item name] 0064
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００６４】基板とチャネル６１の外壁との間には、Ｏ
リングのような密封装置６３を追加してもよい。この場
合、ガス状の界面活性物質の流れは、密封装置から漏れ
出る液体がすべて、処理される領域上に包含されるとい
うことを保証する。An O between the substrate and the outer wall of the channel 61
A sealing device 63 such as a ring may be added. In this case, the flow of the gaseous surfactant ensures that any liquid escaping from the sealing device is contained on the area to be treated.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００６５[Correction target item name] 0065
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００６５】図６ｂでは、装置に付加的なチャネル６４
が追加されている。装置のこの変形は、ガス状の界面活
性物質が基板の残りの部分と接触すること、又は環境へ
漏出することが防止される必要がある場合に好適であ
る。矢印は、ガス状の界面活性物質が基板の表面からこ
の第３のチャネル６４を介して排出されることを示して
いる。しかしながら、ガスが第３のチャネルを介して供
給され、第２のチャネルを介して排出されることも同じ
程度で可能である。In FIG. 6b, an additional channel 64 is added to the device.
Has been added. This variant of the device is suitable where gaseous surfactants need to be prevented from contacting the rest of the substrate or leaking into the environment. The arrow indicates that the gaseous surfactant is discharged from the surface of the substrate through this third channel 64. However, it is equally possible for the gas to be supplied via the third channel and to be discharged via the second channel.
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００６６[Correction target item name] 0066
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００６６】図６ｂの装置におけるガス状の界面活性物
質の流れの方向に関わらず、有利な条件によっては、基
板と上記装置の外壁との間に、ガス状物質の環境への漏
出を防止するために追加の密封装置６５を配置してもよ
い。Regardless of the direction of flow of the gaseous surfactant in the apparatus of FIG. 6b, advantageous conditions prevent leakage of gaseous substances into the environment between the substrate and the outer wall of the apparatus. An additional sealing device 65 may be arranged for this purpose.
【手続補正５】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】符号の説明[Correction target item name] Explanation of sign
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【符号の説明】 １…基板、 ２，３，８，９，１０，２３，３５，３６，１０４，４
１，４３…ノズル、 ４，２０，３２…環状のエッジ領域、 ５…壁、 ６…液滴、 ７，３３…外周縁部、 １１…基板の裏面、 １２…制限された領域、 １３…中央部分、 １９…装置、 ２１，２２，５０，５１，５２，５４…チャネル、 ３０…容器、 ３１…液体、 ３４…間隙、 ４０…平坦な表面、 ４２…支持部、 ５３，５５，６３，６５，１０３…密封装置、 ６０…液体、 ６１，６２，６４…チャネル、 １００…底部、 １０１…上部、 １０２…開口。[Explanation of Signs] 1 ... substrate, 2, 3, 8, 9, 10, 23, 35, 36, 104, 4
1, 43: nozzle, 4, 20, 32: annular edge area, 5: wall, 6: droplet, 7, 33: outer peripheral edge, 11: back surface of the substrate, 12: restricted area, 13: center Parts, 19 ... device, 21, 22, 50, 51, 52, 54 ... channel, 30 ... container, 31 ... liquid, 34 ... gap, 40 ... flat surface, 42 ... support, 53, 55, 63, 65 103, sealing device, 60, liquid, 61, 62, 64, channel, 100, bottom, 101, top, 102, opening.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ 1/1333 ５００ 1/1333 ５００ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ 21/306 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者 パウル・メルテンス ベルギー2820ボンハイデン、デイレウェッ ヒ30アー番 (72)発明者 マルク・メウリス ベルギー3140ケールベルヘン、デー・リー ケンスラーン27番 (72)発明者 マルク・ヘインス ベルギー3210リンデン、メレルネスト14番 Ｆターム(参考） 2H088 FA30 MA20 2H090 JA13 JC19 5F043 EE03 EE07 EE08 EE40 5F046 MA02 MA05 MA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/13 101 G02F 1/13 101 1/1333 500 1/1333 500 H01L 21/027 H01L 21/306 J 21/306 21/30 572B (72) Inventor Paul Mertens Belgium 2820 Bonheiden, 30th Deirweg No. 30 Ar. Belgium 3210 Linden, Merernest 14th F-term (reference) 2H088 FA30 MA20 2H090 JA13 JC19 5F043 EE03 EE07 EE08 EE40 5F046 MA02 MA05 MA10
Claims (48)
板を洗浄又はエッチングする一方、上記基板の他の部分
は上記液体と接触することを防止される方法であって、
上記方法は、 上記基板の一部の上に液体を供給するステップと、 上記液体を供給するステップと同時に、表面にガス状の
界面活性物質を供給するステップとを含み、上記ガス状
物質は、上記液体と少なくとも部分的に混和可能であ
り、上記液体と混合されたとき上記液体よりも低い表面
張力を有する混合物を生じさせる方法。1. A method of dispensing a liquid over a portion of a substrate to wash or etch the substrate while preventing other portions of the substrate from contacting the liquid.
The method comprises the steps of: supplying a liquid onto a portion of the substrate; and supplying the liquid simultaneously with supplying a gaseous surfactant to a surface, wherein the gaseous substance comprises: A method of producing a mixture that is at least partially miscible with the liquid and that has a lower surface tension than the liquid when mixed with the liquid.
液体の流れが上記基板の平坦な表面に上記表面の所定の
領域において当たるように、少なくとも１本の上記液体
の流れを供給するステップを含み、上記領域は上記基板
の外周縁部に隣接し、 上記表面にガス状の界面活性物質を供給する上記ステッ
プは、ガス状の界面活性物質の流れが、上記表面に対し
て、上記液体の流れが当てられる領域に隣接しかつ回転
の中心により近い領域において当たるように、上記基板
の平坦な表面に少なくとも１本の上記ガス状の界面活性
物質の流れを供給するステップを含み、 上記円形形状の基板を回転軸を中心に回転させるステッ
プをさらに含み、上記軸は基板の表面に対して垂直であ
りかつ上記基板の重心を通る請求項１記載の方法。2. The method according to claim 1, wherein the substrate has a circular shape, and the step of supplying a liquid on a part of the substrate includes:
Providing at least one flow of the liquid such that the flow of liquid impinges on a flat surface of the substrate at a predetermined region of the surface, the region being adjacent an outer peripheral edge of the substrate; The step of supplying a gaseous surfactant to the surface may include the step of providing a flow of the gaseous surfactant relative to the surface adjacent to an area where the liquid flow is applied and closer to a center of rotation. Supplying a flow of at least one gaseous surfactant to a flat surface of the substrate, further comprising rotating the circular substrate about a rotation axis, The method of claim 1, wherein the axis is perpendicular to a surface of the substrate and passes through a center of gravity of the substrate.
求項２記載の方法。3. The method according to claim 2, wherein the rotational movement is performed in a horizontal plane.
中心に上記円形形状の基板を回転させるステップをさら
に含み、上記軸は上記基板の表面に対して垂直でありか
つ上記基板の重心を通り、 上記基板の一部の上に液体を供給する上記ステップは、
液体の流れが上記基板の外周縁部に当たるように、少な
くとも１本の上記液体の流れを供給するステップを含
み、 上記表面にガス状の界面活性物質を供給する上記ステッ
プは、上記基板の平坦な表面のエッジ領域に少なくとも
１本のガス状の界面活性物質の流れを供給するステップ
を含み、上記領域は、その上に上記液体の流れが供給さ
れる上記周縁部の領域に隣接する請求項１記載の方法。4. The method according to claim 1, wherein the substrate has a circular shape and further comprises rotating the circular substrate about a rotation axis, wherein the axis is perpendicular to a surface of the substrate and a center of gravity of the substrate. Passing the liquid over a portion of the substrate through
Providing at least one flow of the liquid such that the flow of the liquid impinges on the outer peripheral edge of the substrate, wherein the step of supplying a gaseous surfactant to the surface comprises: 2. The method of claim 1, further comprising the step of providing at least one gaseous surfactant flow to an edge region of the surface, said region being adjacent to said peripheral region where said liquid flow is provided. The described method.
求項４記載の方法。5. The method of claim 4, wherein said rotational movement is performed in a horizontal plane.
第１の面と第２の面との２つの面を有し、 上記第２の面の少なくとも一部に追加の液体の流れを供
給するステップをさらに含む請求項２記載の方法。6. The substrate has two surfaces, a first surface including a region of the outer peripheral edge, and a second surface, and a flow of an additional liquid to at least a part of the second surface. 3. The method of claim 2, further comprising providing
プは、液体を上記第２の面全体に供給するステップを含
む請求項６記載の方法。7. The method of claim 6, wherein the step of providing an additional liquid flow comprises the step of supplying liquid to the entire second surface.
を有し、第１の面は環状のエッジ領域と中央の領域とか
ら構成され、 上記円形形状の基板を保持するステップをさらに含み、 上記基板の一部の上に液体を供給する上記ステップは、
上記基板の第１の面の環状のエッジ領域全体に液体の流
れを供給するステップを含み、 上記ガス状の界面活性物質の流れを供給するステップ
は、上記表面の中央の領域にガス状の界面活性物質の流
れを供給するステップを含む請求項１記載の方法。8. The substrate is circular in shape and has two surfaces, the first surface comprising an annular edge region and a central region, further comprising the step of holding the circular substrate. Providing the liquid on a portion of the substrate comprises:
Providing a flow of liquid over an annular edge region of the first surface of the substrate, wherein providing a flow of the gaseous surfactant comprises providing a gaseous interface to a central region of the surface. The method of claim 1, comprising providing a flow of the active substance.
上記基板の重心を通る回転軸を用いて、上記基板に回転
運動を与えるステップをさらに含む請求項８記載の方
法。9. The method of claim 8, further comprising the step of imparting a rotational motion to the substrate using an axis of rotation perpendicular to the surface of the substrate and passing through a center of gravity of the substrate.
む第１の面と第２の面との２つの面を有し、 上記第２の面全体に追加の液体の流れを供給するステッ
プをさらに含む請求項８記載の方法。10. The substrate has two surfaces, a first surface including a region of the outer peripheral edge, and a second surface, and supplies an additional flow of liquid to the entire second surface. The method of claim 8, further comprising the step of:
プは、上記液体と上記各平坦な表面の間の各境界領域に
ガス状の界面活性物質の各流れを供給するステップを含
み、 上記液体は、エッチング液、洗浄液及びリンス液よりな
るグループから選択され、 上記円形形状の基板を保持するステップと、 上記基板の両方の平坦な表面の環状のエッジ領域と上記
基板の外周縁部とを所定の量の液体に接触させる手段を
提供するステップとをさらに含む請求項１記載の方法。11. The method according to claim 11, wherein the step of supplying the gaseous surfactant to the surface includes the step of providing a gaseous surfactant in each boundary region between the liquid and the flat surface. Supplying the respective flows of the above, wherein the liquid is selected from the group consisting of an etching liquid, a cleaning liquid and a rinsing liquid; and a step of holding the circular-shaped substrate; and an annular surface of both flat surfaces of the substrate. Providing a means for contacting the edge region and an outer peripheral edge of the substrate with a predetermined amount of liquid.
り、 上記洗浄液は、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２及びＨ２Ｏの混合
物と、ＨＣｌ、Ｈ２Ｏ ２及びＨ２Ｏの混合物と、希塩酸
と、Ｏ３を含む混合物とからなるグループより選択さ
れ、 上記リンス液は、Ｈ２Ｏと、Ｈ２Ｏ及び酸の混合物とか
らなるグループより選択され、上記酸の混合物は２と６
の間のｐＨを有する請求項１１記載の方法。12. The etching solution is a dilute aqueous solution.
The cleaning solution is NH4OH, H2O2And H2O mixing
Material, HCl, H2O 2And H2O mixture and dilute hydrochloric acid
And O3Selected from the group consisting of
The rinsing liquid is H2O and H2Such as a mixture of O and an acid
Selected from the group consisting of 2 and 6
The method of claim 11 having a pH between.
テップは、上記円形形状の基板を水平面内で保持するス
テップを含む請求項１１記載の方法。13. The method of claim 11, wherein said step of holding said circular shaped substrate includes holding said circular shaped substrate in a horizontal plane.
をさらに含み、上記回転の軸は上記基板の表面に対して
垂直でありかつ上記基板の中心を通る請求項１１記載の
方法。14. The method of claim 11, further comprising the step of imparting a rotational motion to said substrate, said axis of rotation being perpendicular to a surface of said substrate and passing through a center of said substrate.
つの面を有し、 上記基板の第２の面を平坦な回転する表面の上に配置す
るステップをさらに含み、上記回転する表面は、上記基
板の上記第２の面が覆うような環状のチャネルを含み、 上記ガス状の界面活性物質を供給するステップは、上記
基板がベルヌーイ効果によって上記回転する表面の上に
保持されるように、ガス状の界面活性物質の流れを上記
環状のチャネルを介して上記基板の方向に供給するステ
ップを含み、 上記基板の一部の上に液体を供給する上記ステップは、
上記基板の第１の面の上に上記液体の流れを供給するス
テップを含む請求項１記載の方法。15. The substrate according to claim 1, wherein the substrate has a first surface and a second surface.
Further comprising placing the second surface of the substrate on a flat rotating surface, the rotating surface having an annular channel overlaid by the second surface of the substrate. Supplying the gaseous surfactant comprises flowing the gaseous surfactant through the annular channel such that the substrate is retained on the rotating surface by the Bernoulli effect. Supplying the liquid in the direction of the substrate, and supplying the liquid onto a part of the substrate,
The method of claim 1, comprising providing the flow of liquid over a first side of the substrate.
し、 上記基板の一部の上に液体を供給する上記ステップは、
第１のチャネルを介して、連続的な液体の流れを上記基
板の第１の面の一部に供給するステップを含み、 上記液体の流れを上記第１の面から第２のチャネルを介
して排出するステップをさらに含み、上記第２のチャネ
ルは上記第１のチャネルの周りに同軸的に配置され、 上記ガス状の界面活性物質を供給するステップは、上記
第１の面に対して、ガス状の界面活性物質の流れを上記
第２のチャネルの周囲に供給することによって、残留す
る液体が、上記基板の第１の面の上記第２のチャネル内
に包含されない部分と接触することを防止するステップ
を含む請求項１記載の方法。16. The method according to claim 16, wherein the substrate has a first surface and a second surface, and the step of supplying a liquid on a portion of the substrate comprises:
Supplying a continuous flow of liquid to a portion of a first surface of the substrate via a first channel, wherein the flow of liquid is transmitted from the first surface through a second channel. Evacuating, wherein the second channel is coaxially disposed about the first channel, and supplying the gaseous surfactant comprises, relative to the first surface, Supplying a stream of surface-active material around the second channel to prevent residual liquid from contacting portions of the first surface of the substrate that are not contained within the second channel. The method of claim 1, comprising the step of:
求項１６記載の方法。17. The method of claim 16, wherein said substrate is located in a horizontal position.
から追加のチャネルを介して排出される請求項１６記載
の方法。18. The method of claim 16, wherein said gaseous surfactant is discharged from said substrate via an additional channel.
上記ステップは、所定の量の液体を平坦な表面の一部と
接触させるステップを含み、 上記表面にガス状の界面活性物質を供給する上記ステッ
プは、上記表面に対して、上記所定の量の液体の周囲に
ガス状の界面活性物質の流れを供給するステップを含
み、それによって、上記液体が上記表面の残りの部分と
接触することを防止する請求項１記載の方法。19. The step of providing a liquid over a portion of the substrate includes contacting a predetermined amount of the liquid with a portion of a flat surface, wherein the surface comprises a gaseous surfactant. The step of providing includes providing a flow of a gaseous surfactant to the surface around the predetermined amount of liquid, such that the liquid contacts the rest of the surface. 2. The method of claim 1 wherein the method is performed.
求項１９記載の方法。20. The method of claim 19, wherein said substrate is located in a horizontal position.
から追加のチャネルを介して排出するステップをさらに
含む請求項１９記載の方法。21. The method of claim 19, further comprising evacuating the gaseous surfactant from the substrate through an additional channel.
行なって上記基板の洗浄又はエッチングをする装置であ
って、 上記基板を保持する手段と、 上記基板の表面の第１の部分の上に液体を供給するよう
に適応された第１の供給システムと、 上記基板の第２の部分にガス状物質を供給するように適
応された第２の供給システムとを備え、上記基板の第２
の部分は上記液体によって処理される上記第１の部分に
隣接している装置。22. An apparatus for cleaning or etching the substrate by performing localized liquid treatment on the substrate, comprising: means for holding the substrate; and a first portion on a surface of the substrate. A first supply system adapted to supply a liquid to the substrate; a second supply system adapted to supply a gaseous substance to a second portion of the substrate;
Wherein the portion is adjacent to the first portion treated by the liquid.
は、上記基板を、上記基板に対して垂直な軸を中心に回
転させ、上記軸は上記基板の幾何学的中心を通る請求項
２２記載の装置。23. The apparatus of claim 22, further comprising a rotating device, wherein the rotating device rotates the substrate about an axis perpendicular to the substrate, the axis passing through a geometric center of the substrate. Equipment.
と第２の面とを有し、上記第１の面は環状のエッジ領域
を有し、 上記第１の供給システムは、上記基板の環状のエッジ領
域の上に液体の流れを供給するように適応された少なく
とも１つのノズルを含み、 上記第２の供給システムは、上記環状のエッジ領域に隣
接する上記第１の面の領域の上にガス状の界面活性物質
を分配するように適応された少なくとも１つのノズルを
含み、上記第１の面の領域は環状のエッジ領域よりも上
記基板の中心に近く、 上記第１及び第２の供給システムに係る上記少なくとも
１つの各ノズルは、連続的な流体の流れを供給する請求
項２３記載の装置。24. The substrate, wherein the substrate has a circular shape, and has a first surface and a second surface, wherein the first surface has an annular edge region; And at least one nozzle adapted to supply a flow of liquid over an annular edge region of the substrate, wherein the second supply system includes an area of the first surface adjacent the annular edge region. Including at least one nozzle adapted to dispense a gaseous surfactant over the substrate, wherein the first surface area is closer to the center of the substrate than the annular edge area; 24. The apparatus of claim 23, wherein the at least one nozzle of the two supply systems provides a continuous fluid flow.
４記載の装置。25. The substrate according to claim 2, wherein the substrate is disposed horizontally.
An apparatus according to claim 4.
る上記少なくとも１つの各ノズルは、上記基板の固定さ
れた半径に沿った任意の位置に配置することが可能な請
求項２４記載の装置。26. The apparatus of claim 24, wherein the at least one respective nozzle of the first and second supply systems can be located at any location along a fixed radius of the substrate. .
体に向けるように適応されたノズルをさらに備えた請求
項２４記載の装置。27. The apparatus of claim 24, further comprising a nozzle adapted to direct a flow of the processing liquid over the second surface of the substrate.
板に対して上記基板の幾何学的中心において垂直な軸
と、上記基板の軸の回りの中央部分と、環状のエッジと
を有し、 上記第１の供給システムは、上記基板の表面の環状のエ
ッジ領域全体に上記液体を供給するように適応された第
１の環状のチャネルを含み、 上記第２の供給システムは、上記基板の中央部分にガス
状物質を供給するように適応された中央のチャネルを含
み、上記中央のチャネルは上記基板の軸と同軸であり、 上記第２の供給システムはさらに、第１のチャネルに関
して同軸的に配置されかつ上記基板の幾何学的中心によ
り近接した第２の環状のチャネルを含み、上記第２のチ
ャネルが、上記基板の中央部分から到来する上記ガス状
物質を導くように適応されることによって、上記液体は
上記中央部分と接触することを防止される請求項２２記
載の装置。28. The substrate has a geometric center, an axis perpendicular to the substrate at the geometric center of the substrate, a central portion about the axis of the substrate, and an annular edge. And wherein the first supply system includes a first annular channel adapted to supply the liquid over an annular edge region of a surface of the substrate, and wherein the second supply system includes the substrate. A central channel adapted to supply a gaseous substance to a central portion of the substrate, wherein the central channel is coaxial with the axis of the substrate; and the second supply system is further coaxial with respect to the first channel. A second annular channel disposed in close proximity to the geometric center of the substrate, the second channel adapted to direct the gaseous material coming from a central portion of the substrate. By 23. The apparatus of claim 22, wherein said liquid is prevented from contacting said central portion.
央部分と環状のエッジとを有し、 上記第１の供給システムは、上記基板の表面の環状のエ
ッジ領域全体に上記液体を供給するように適応された第
１の環状のチャネルを含み、 上記第２の供給システムは、上記基板の中央部分にガス
状物質を供給するように適応された中央のチャネルを含
み、上記中央のチャネルは上記基板の軸と同軸であり、 上記第２の供給システムはさらに、上記第１のチャネル
に関して同軸的に配置されかつ上記基板の幾何学的中心
により近接した第２の環状のチャネルを含み、上記第２
のチャネルが、上記基板の中央部分から到来する上記ガ
ス状物質を導くように適応されることによって、上記液
体は上記中央部分と接触することを防止される請求項２
３記載の装置。29. The substrate having a central portion about an axis of the substrate and an annular edge, wherein the first supply system supplies the liquid to an entire annular edge region on a surface of the substrate. The second supply system includes a central channel adapted to supply a gaseous substance to a central portion of the substrate, the central channel comprising: Is coaxial with the axis of the substrate; the second supply system further includes a second annular channel disposed coaxially with respect to the first channel and closer to a geometric center of the substrate; The second
Wherein said channel is adapted to direct said gaseous material coming from a central portion of said substrate, whereby said liquid is prevented from contacting said central portion.
3. The device according to 3.
は、上記基板に対して垂直でありかつ上記基板の幾何学
的中心を通る軸を中心に上記装置を回転させる請求項２
８記載の装置。30. The apparatus of claim 2, further comprising a rotating device, wherein the rotating device rotates the device about an axis perpendicular to the substrate and passing through a geometric center of the substrate.
An apparatus according to claim 8.
し、 上記第２の面全体に処理液の流れを分配するように適応
されたノズルをさらに備えた請求項２８記載の装置。31. The substrate according to claim 28, wherein the substrate has a first surface and a second surface, and further comprising a nozzle adapted to distribute a flow of the processing liquid across the second surface. Equipment.
の外壁との間に配置された密封装置をさらに備えた請求
項２８記載の装置。32. The apparatus of claim 28, further comprising a sealing device disposed between said substrate and an outer wall of said second annular channel.
エッジと外周縁部とを有する２つの面を有し、 所定の量の処理液の表面の上で所定の圧力を維持するよ
うに上記所定の量の処理液で充填された容器をさらに備
え、上記圧力は大気圧以下であり、上記容器は一方の側
面に狭い間隙を有し、上記間隙の中に、上記円形の基板
が部分的に挿入されることによって、上記基板の上記環
状のエッジの少なくとも一部と上記外周縁部とは上記液
体に浸漬され、 少なくとも１対のノズルをさらに備え、上記基板の各面
の上にある上記対のうちの１つのノズルは、ガス状物質
の流れを上記容器と上記基板の間の境界領域に向ける請
求項２２記載の装置。33. The substrate has a circular shape and has two surfaces having an annular edge and an outer peripheral edge, and the substrate is configured to maintain a predetermined pressure on a surface of a predetermined amount of the processing liquid. The apparatus further includes a container filled with a predetermined amount of the processing liquid, wherein the pressure is equal to or less than the atmospheric pressure, the container has a narrow gap on one side, and the circular substrate partially covers the gap. At least a part of the annular edge and the outer peripheral edge of the substrate are immersed in the liquid by being inserted into the liquid, further comprising at least one pair of nozzles, and 23. The apparatus of claim 22, wherein one nozzle of the pair directs a flow of a gaseous substance to a boundary region between the container and the substrate.
エッジと外周縁部とを有する２つの面を有し、 所定の量の処理液の表面の上で所定の圧力を維持するよ
うに上記所定の量の処理液で充填された容器をさらに備
え、上記圧力は大気圧以下であり、上記容器は一方の側
面に狭い間隙を有し、上記間隙の中に、上記円形の基板
が部分的に挿入されることによって、上記基板の上記環
状のエッジの少なくとも一部と上記外周縁部とは上記液
体に浸漬され、 少なくとも１対のノズルをさらに備え、上記基板の各面
の上にある上記対のうちの１つのノズルは、ガス状物質
の流れを上記容器と上記基板の間の境界領域に向ける請
求項２３記載の装置。34. The substrate has a circular shape and has two surfaces having an annular edge and an outer peripheral edge, and the substrate is configured to maintain a predetermined pressure on a surface of a predetermined amount of the processing liquid. The apparatus further includes a container filled with a predetermined amount of the processing liquid, wherein the pressure is equal to or less than the atmospheric pressure, the container has a narrow gap on one side, and the circular substrate partially covers the gap. At least a part of the annular edge and the outer peripheral edge of the substrate are immersed in the liquid by being inserted into the liquid, further comprising at least one pair of nozzles, and 24. The apparatus of claim 23, wherein one nozzle of the pair directs a flow of a gaseous substance to a boundary region between the container and the substrate.
項３３記載の装置。35. The apparatus of claim 33, wherein said substrate is disposed in a horizontal plane.
は上記基板に対して垂直である軸を中心に上記容器を回
転させ、上記軸は上記基板の幾何学的中心を通る請求項
３３記載の装置。36. The apparatus of claim 33, further comprising a rotating device, wherein the rotating device rotates the container about an axis perpendicular to the substrate, the axis passing through a geometric center of the substrate. apparatus.
の表面に液体の流れを供給することに用いられる中央の
チャネルと、上記第１のチャネルを同軸的に取り囲みか
つ上記基板の表面から上記液体の流れを排出する第２の
チャネルとを含み、 上記第２の供給システムは、上記第２のチャネルを同軸
的に取り囲みかつ上記基板の表面に界面活性物質の流れ
を供給することに用いられる第３のチャネルを含む請求
項２２記載の装置。37. The first supply system includes a central channel used to supply a flow of liquid to the surface of the substrate, a first channel coaxially surrounding the first channel, and wherein A second channel for discharging a flow of liquid, wherein the second supply system is used to coaxially surround the second channel and supply a flow of a surfactant to a surface of the substrate. 23. The apparatus of claim 22, including a third channel.
項３７記載の装置。38. The apparatus of claim 37, wherein said substrate is located in a horizontal plane.
ネルをさらに備え、上記第４のチャネルは上記第３のチ
ャネルに関して同軸的に配置され、上記第４のチャネル
は上記基板の表面から上記ガス状の界面活性物質を排出
することに用いられる請求項３７記載の装置。39. The second supply system further comprises a fourth channel, wherein the fourth channel is coaxially disposed with respect to the third channel, wherein the fourth channel extends from the surface of the substrate. 38. The apparatus of claim 37, wherein said apparatus is used to discharge gaseous surfactants.
は上記基板と上記第２のチャネルの外壁との間に配置さ
れる請求項３７記載の装置。40. The apparatus of claim 37, further comprising a sealing device, wherein the sealing device is located between the substrate and an outer wall of the second channel.
は、上記基板と上記第２のチャネルの外壁の間と、上記
基板と上記装置の外壁の間とに配置される請求項３９記
載の装置。41. The apparatus of claim 39, further comprising a sealing device, wherein the sealing device is disposed between the substrate and an outer wall of the second channel and between the substrate and an outer wall of the device. .
の外壁である請求項４１記載の装置。42. The device of claim 41, wherein the outer wall of the device is the outer wall of the fourth channel.
の外壁である請求項４１記載の装置。43. The device of claim 41, wherein the outer wall of the device is the outer wall of the third channel.
ネルを含み、上記中央のチャネルが所定の量の液体を含
むことによって、上記液体は上記基板の表面と接触し、
かつ上記所定の量の液体の表面の上で所定の圧力は維持
され、上記圧力は上記基板の表面の上の大気圧以下であ
り、 上記第２の供給システムは第２のチャネルを含み、上記
第２のチャネルは上記中央のチャネルを同軸的に取り囲
みかつ上記基板の表面にガス状の界面活性物質の流れを
供給する請求項２２記載の装置。44. The first supply system includes a central channel, wherein the central channel includes a predetermined amount of liquid such that the liquid contacts the surface of the substrate;
And a predetermined pressure is maintained over a surface of the predetermined amount of liquid, the pressure being less than or equal to atmospheric pressure above a surface of the substrate, the second supply system includes a second channel, 23. The apparatus of claim 22, wherein a second channel coaxially surrounds the central channel and provides a flow of a gaseous surfactant to a surface of the substrate.
項４４記載の装置。45. The apparatus of claim 44, wherein said substrate is located in a horizontal plane.
ネルをさらに備え、上記第３のチャネルは上記第２のチ
ャネルに関して同軸的であり、上記第３のチャネルは上
記基板の表面から上記ガス状の界面活性物質を排出する
ことに用いられる請求項４４記載の装置。46. The second supply system further comprises a third channel, wherein the third channel is coaxial with respect to the second channel, and wherein the third channel is configured to remove the gas from a surface of the substrate. 46. The apparatus of claim 44, wherein said apparatus is used to discharge surface-like surfactant.
は上記基板と上記中央のチャネルの外壁との間に配置さ
れる請求項４４記載の装置。47. The apparatus of claim 44, further comprising a sealing device, wherein the sealing device is located between the substrate and an outer wall of the central channel.
は上記基板と上記中央のチャネルの外壁の間と、上記基
板と上記第３のチャネルの外壁の間とに配置される請求
項４６記載の装置。48. The apparatus of claim 46, further comprising a sealing device, wherein the sealing device is disposed between the substrate and an outer wall of the central channel and between the substrate and an outer wall of the third channel. apparatus.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/553,988 US6398975B1 (en) | 1997-09-24 | 2000-04-20 | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| US09/553988 | 2000-04-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124501A true JP2002124501A (en) | 2002-04-26 |
| JP4931285B2 JP4931285B2 (en) | 2012-05-16 |
Family
ID=24211599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001122236A Expired - Lifetime JP4931285B2 (en) | 2000-04-20 | 2001-04-20 | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP4931285B2 (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100412 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100415 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110607 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110610 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110707 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110712 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110805 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110810 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110830 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120214 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4931285 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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