JP2002124489A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ分割時の材料ロスを減らし、原価低減
を図る。 【解決手段】 ウエハの厚みをｄとした時、基板の裏面
の、ウエハの表面の所定の位置に対しｄ×tanθで表わ
される距離だけ［０１−１］方向に離れた位置にけがき
傷２３を入れる工程と、ウエハの表面から曲げ応力を加
えて、ウエハを複数個のチップに分割する工程とを含む
ことを特徴とする。
を図る。 【解決手段】 ウエハの厚みをｄとした時、基板の裏面
の、ウエハの表面の所定の位置に対しｄ×tanθで表わ
される距離だけ［０１−１］方向に離れた位置にけがき
傷２３を入れる工程と、ウエハの表面から曲げ応力を加
えて、ウエハを複数個のチップに分割する工程とを含む
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子の製
造方法に関するものであり、特にウエハ単位面積当たり
のチップ取れ数をより多くするための製造方法に関する
ものである。
造方法に関するものであり、特にウエハ単位面積当たり
のチップ取れ数をより多くするための製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、発光ダイオード（ＬＥＤ）が屋内
外の表示デバイスとして脚光を浴びている。特にその高
輝度化に伴い、屋外用ディスプレイ市場が急伸、成長を
続けている。可視光域のＬＥＤはこれまで緑から赤色域
でＧａＰ、ＧａＡｓＰ、及びＧａＡｌＡｓが中心であっ
たが、ＡｌＧａＩｎＰ系が実用化され緑色から赤色域の
高輝度化が実現している。また、短波長の青色から緑色
域についてＧａＮ系ＬＥＤが挙げられるが、緑色域につ
いては動作電圧が低いＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤの需要が
大きい。
外の表示デバイスとして脚光を浴びている。特にその高
輝度化に伴い、屋外用ディスプレイ市場が急伸、成長を
続けている。可視光域のＬＥＤはこれまで緑から赤色域
でＧａＰ、ＧａＡｓＰ、及びＧａＡｌＡｓが中心であっ
たが、ＡｌＧａＩｎＰ系が実用化され緑色から赤色域の
高輝度化が実現している。また、短波長の青色から緑色
域についてＧａＮ系ＬＥＤが挙げられるが、緑色域につ
いては動作電圧が低いＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤの需要が
大きい。
【０００３】代表として、ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤエピ
タキシャル成長ウエハの構造を図４に示した。ＡｌＧａ
ＩｎＰ系ＬＥＤは閃亜鉛鉱型結晶であるＮ−ＧａＡｓ基
板１上にＭＯＣＶＤ法にて、Ｎ−ＧａＡｓバッファ層
６、Ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７、ＡｌＧａＩｎＰ
活性層８、Ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９及びＰ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ電流拡散層１０を順次成長させ基板側及び
エピタキシャル成長側にそれぞれ電極４、５を形成させ
たものである。ここで閃亜鉛鉱型結晶とは、ＧａＡｓや
ＩｎＰのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶がとる特有の結
晶配列を示す結晶構造であり、（１００）面もしくは
（１００）から若干傾斜した面（一般にオフ基板と呼ば
れる）を主面とする単結晶が基板として使用される。閃
亜鉛鉱型結晶では（０１１）面が劈開面でありこの面に
そってウエハをチップに分割することが行われている。
タキシャル成長ウエハの構造を図４に示した。ＡｌＧａ
ＩｎＰ系ＬＥＤは閃亜鉛鉱型結晶であるＮ−ＧａＡｓ基
板１上にＭＯＣＶＤ法にて、Ｎ−ＧａＡｓバッファ層
６、Ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７、ＡｌＧａＩｎＰ
活性層８、Ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９及びＰ−Ａ
ｌＧａＩｎＰ電流拡散層１０を順次成長させ基板側及び
エピタキシャル成長側にそれぞれ電極４、５を形成させ
たものである。ここで閃亜鉛鉱型結晶とは、ＧａＡｓや
ＩｎＰのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶がとる特有の結
晶配列を示す結晶構造であり、（１００）面もしくは
（１００）から若干傾斜した面（一般にオフ基板と呼ば
れる）を主面とする単結晶が基板として使用される。閃
亜鉛鉱型結晶では（０１１）面が劈開面でありこの面に
そってウエハをチップに分割することが行われている。
【０００４】このようなウエハをチップに分割するには
一般的にダイシング法が用いられる。ダイシング法では
所定の間隔でウエハをダイシングソー（切断刃）でダイ
シングし、化学エッチングした後チップに分割する方法
である。前記化学エッチングは切断面（ダイシング面）
に発生した表面欠陥を除去するために行われるものであ
る。
一般的にダイシング法が用いられる。ダイシング法では
所定の間隔でウエハをダイシングソー（切断刃）でダイ
シングし、化学エッチングした後チップに分割する方法
である。前記化学エッチングは切断面（ダイシング面）
に発生した表面欠陥を除去するために行われるものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ダイシン
グ法ではダイシング溝の幅及びエッチングによるロスが
発生する。すなわち、２５０μｍ×２５０μｍ間隔でダ
イシングし、エッチングした後のチップサイズは平均２
３０μｍ×２３０μｍの出来上がりとなる。チップの原
価を低減するためには一定のチップサイズのもと、ウエ
ハ単位面積当たりのチップ取れ数を増やすことが必要
で、このダイシング溝の幅及びエッチングによるロスが
問題となる。
グ法ではダイシング溝の幅及びエッチングによるロスが
発生する。すなわち、２５０μｍ×２５０μｍ間隔でダ
イシングし、エッチングした後のチップサイズは平均２
３０μｍ×２３０μｍの出来上がりとなる。チップの原
価を低減するためには一定のチップサイズのもと、ウエ
ハ単位面積当たりのチップ取れ数を増やすことが必要
で、このダイシング溝の幅及びエッチングによるロスが
問題となる。
【０００６】また、ダイシング法によるチップ分割を行
わずに、ウエハ厚みを薄くして基板側からけがき傷（ス
クライブ傷）を入れローラーによって押圧することでチ
ップに分割するブレイク法がある。この方法ではダイシ
ング法のようなダイシング溝の幅及びエッチングによる
ロスが発生しないため、単位面積当たりのチップ取れ数
を増やすことができる。しかし、このブレイク法ではロ
ーラーによる押圧で確実にチップに分割するためには、
チップ高さ（ウエハ厚み）を１００μｍ程度にする必要
がある。しかし、チップ高さが小さくなるとチップ底面
からＰＮ接合面までの距離が小さくなるため、チップを
用いた製品の製造工程において、Ａｇペーストがチップ
側面に這い上がりＰＮ接合面を短絡しリーク不良が発生
するなどの問題がある。
わずに、ウエハ厚みを薄くして基板側からけがき傷（ス
クライブ傷）を入れローラーによって押圧することでチ
ップに分割するブレイク法がある。この方法ではダイシ
ング法のようなダイシング溝の幅及びエッチングによる
ロスが発生しないため、単位面積当たりのチップ取れ数
を増やすことができる。しかし、このブレイク法ではロ
ーラーによる押圧で確実にチップに分割するためには、
チップ高さ（ウエハ厚み）を１００μｍ程度にする必要
がある。しかし、チップ高さが小さくなるとチップ底面
からＰＮ接合面までの距離が小さくなるため、チップを
用いた製品の製造工程において、Ａｇペーストがチップ
側面に這い上がりＰＮ接合面を短絡しリーク不良が発生
するなどの問題がある。
【０００７】さらに、別のチップ分割法として、特開平
５−２８５９３６号公報に開示されたけがき（スクライ
ブ）法とエッチング法を併用したものがある。この併用
法はウエハの一方の面にけがきによって溝を形成し、も
う一方の面には前記けがきによる溝に直交する方向にエ
ッチングによる溝を形成し、しかる後、ローラーの押圧
によってチップに分割するものである。しかし、この併
用法もウエハの厚みは１００μｍ程度まで薄くして実施
されており、前記リーク不良が発生することに変わりは
ない。
５−２８５９３６号公報に開示されたけがき（スクライ
ブ）法とエッチング法を併用したものがある。この併用
法はウエハの一方の面にけがきによって溝を形成し、も
う一方の面には前記けがきによる溝に直交する方向にエ
ッチングによる溝を形成し、しかる後、ローラーの押圧
によってチップに分割するものである。しかし、この併
用法もウエハの厚みは１００μｍ程度まで薄くして実施
されており、前記リーク不良が発生することに変わりは
ない。
【０００８】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、リーク不良を発生することなくウエハ単
位面積当たりのチップ取れ数を増やすことのできる半導
体発光素子の製造方法の提供を目的とするものである。
たものであり、リーク不良を発生することなくウエハ単
位面積当たりのチップ取れ数を増やすことのできる半導
体発光素子の製造方法の提供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係わる半導体発光素子の製造方法は、
（１００）から［０１−１］方向にθ°傾いた面を主表
面とする閃亜鉛鉱型結晶基板上に少なくとも発光層を形
成したウエハを、複数個のチップに分割する半導体発光
素子の製造方法おいて、前記ウエハの厚みをｄとした
時、前記基板の裏面の、前記ウエハの表面の所定の位置
に対しｄ×ｔａｎθで表わされる距離だけ［０１−１］
方向に離れた位置にけがき傷を入れる工程と、前記ウエ
ハの表面から曲げ応力を加えて、前記ウエハを複数個の
チップに分割する工程とを含むことを特徴とする。
に、この発明に係わる半導体発光素子の製造方法は、
（１００）から［０１−１］方向にθ°傾いた面を主表
面とする閃亜鉛鉱型結晶基板上に少なくとも発光層を形
成したウエハを、複数個のチップに分割する半導体発光
素子の製造方法おいて、前記ウエハの厚みをｄとした
時、前記基板の裏面の、前記ウエハの表面の所定の位置
に対しｄ×ｔａｎθで表わされる距離だけ［０１−１］
方向に離れた位置にけがき傷を入れる工程と、前記ウエ
ハの表面から曲げ応力を加えて、前記ウエハを複数個の
チップに分割する工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】また、この発明に係わる半導体発光素子の
製造方法は、前記ウエハの表面の所定の位置に、化学エ
ッチング法により［０１１］方向に延伸する溝を形成す
る工程を含むことを特徴とする。
製造方法は、前記ウエハの表面の所定の位置に、化学エ
ッチング法により［０１１］方向に延伸する溝を形成す
る工程を含むことを特徴とする。
【００１１】さらに、この発明に係わる半導体発光素子
の製造方法は、前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて
複数個のチップに分割する工程は、前記ウエハを円筒体
に対し押圧した状態で［０１−１］方向に相対的に移動
させることを特徴とする。
の製造方法は、前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて
複数個のチップに分割する工程は、前記ウエハを円筒体
に対し押圧した状態で［０１−１］方向に相対的に移動
させることを特徴とする。
【００１２】また、この発明に係わる半導体発光素子の
製造方法は、前記複数個のチップに分割する工程は、前
記ウエハを前記円筒体に対し押圧した状態で［０１１］
方向に相対的に移動させた後、前記ウエハを前記円筒体
に対し押圧した状態で［０１−１］方向に相対的に移動
させることを特徴とする。
製造方法は、前記複数個のチップに分割する工程は、前
記ウエハを前記円筒体に対し押圧した状態で［０１１］
方向に相対的に移動させた後、前記ウエハを前記円筒体
に対し押圧した状態で［０１−１］方向に相対的に移動
させることを特徴とする。
【００１３】また、この発明に係わる半導体発光素子の
製造方法は、前記ウエハを前記円筒体に対し押圧した状
態で［０１−１］方向に相対的に移動する工程におい
て、押圧する方向は前記基板裏面側のけがき傷から分割
されたとき一対になる前記エッチング法により形成され
た溝の方向としたことを特徴とする。
製造方法は、前記ウエハを前記円筒体に対し押圧した状
態で［０１−１］方向に相対的に移動する工程におい
て、押圧する方向は前記基板裏面側のけがき傷から分割
されたとき一対になる前記エッチング法により形成され
た溝の方向としたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法を用いて
作製されたＬＥＤチップを［０１−１］方向から見た断
面図である。本ＬＥＤの構造は（１００）面に対して主
面が［０１−１］方向に１５°傾いたＮ−ＧａＡｓ基板
１１の主面上にＭＯＣＶＤ法を用いて、Ｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層（厚み０．５μｍ）１２、Ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ
0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（厚み１．０μｍ）１
３、アンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0 .5Ｉｎ0.5Ｐ活性層
（厚み０．５μｍ、黄色発光組成に相当）１４、Ｐ−
（Ａｌ0 .7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（厚み１．
０μｍ）１５、Ｐ−（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
電流拡散層（厚み７μｍ）１６を順次エピタキシャル成
長させたウエハのエピタキシャル成長表面にＡｕＢｅ／
Ａｕ材料を蒸着しＰ電極１７を形成し、また、後述のよ
うにＮ−ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨した後、ＡｕＧ
ｅ材料を蒸着しＮ電極１８を形成することによって得ら
れる。
作製されたＬＥＤチップを［０１−１］方向から見た断
面図である。本ＬＥＤの構造は（１００）面に対して主
面が［０１−１］方向に１５°傾いたＮ−ＧａＡｓ基板
１１の主面上にＭＯＣＶＤ法を用いて、Ｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層（厚み０．５μｍ）１２、Ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ
0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（厚み１．０μｍ）１
３、アンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0 .5Ｉｎ0.5Ｐ活性層
（厚み０．５μｍ、黄色発光組成に相当）１４、Ｐ−
（Ａｌ0 .7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（厚み１．
０μｍ）１５、Ｐ−（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
電流拡散層（厚み７μｍ）１６を順次エピタキシャル成
長させたウエハのエピタキシャル成長表面にＡｕＢｅ／
Ａｕ材料を蒸着しＰ電極１７を形成し、また、後述のよ
うにＮ−ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨した後、ＡｕＧ
ｅ材料を蒸着しＮ電極１８を形成することによって得ら
れる。
【００１５】次に本実施形態のＬＥＤチップの作製方法
を図１及び図２に基づいて説明する。図２（ａ）は基板
の結晶方向を表わすものである。この図に示すＯＦ（オ
リエンテーション・フラット）とは基板と結晶方位の関
係を示すためもので、この例では結晶の劈開面の一つで
ある［０１１］方向２０に平行に設けてある。前記Ｐ電
極（図示せず）の表面に幅１０μｍの［０１１］方向２
０と［０１−１］方向２１に延伸した格子状パターンを
フォトレジストを用いて形成する。前記Ｐ電極のパター
ン形成は基板の劈開面に平行なＯＦに合せてマスクアラ
イメントすることで所望の方向に沿ったパターンを形成
することができる。ここでは前記Ｐ電極のパターン間隔
は２００μｍ×２００μｍとした。格子状に作製された
フォトレジストパターンがついたウエハを、ＨＣｌ：Ｃ
Ｈ3ＣＯＯＨ：Ｈ2Ｏ2＝３１：６２：７の組成からなる
エッチング液に５分間浸漬するとＰ−（Ａｌ0.05Ｇａ
0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流拡散層が除去される。さらに、
エッチング液を３０分放置した後、ウエハを再度このエ
ッチング液に浸漬させ、Ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐクラッド層、アンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ活性層、及びＮ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層を除去させる。このエッチング液はＧ
ａＡｓに対してエッチングレートが遅いため、エピタキ
シャルウエハ表面からのエッチングはＧａＡｓのところ
でほとんど停止する。ＧａＡｓのエッチングはアンモニ
ア系エッチング液にて行い、所望の溝２５（深さｈ）を
得る。アンモニア系のエッチング液はＧａＡｓのエッチ
ングにおいてそのエッチング面を平滑にすることが容易
である。即ち、前記エッチング深さだけチップ高さを高
くすることができるので、チップを用いた製品の製造工
程において、Ａｇペーストがチップ側面に這い上がりＰ
Ｎ接合面を短絡するリーク不良の発生を抑制できる。本
実施の形態では溝２５の深さｈを２０μｍとした。
を図１及び図２に基づいて説明する。図２（ａ）は基板
の結晶方向を表わすものである。この図に示すＯＦ（オ
リエンテーション・フラット）とは基板と結晶方位の関
係を示すためもので、この例では結晶の劈開面の一つで
ある［０１１］方向２０に平行に設けてある。前記Ｐ電
極（図示せず）の表面に幅１０μｍの［０１１］方向２
０と［０１−１］方向２１に延伸した格子状パターンを
フォトレジストを用いて形成する。前記Ｐ電極のパター
ン形成は基板の劈開面に平行なＯＦに合せてマスクアラ
イメントすることで所望の方向に沿ったパターンを形成
することができる。ここでは前記Ｐ電極のパターン間隔
は２００μｍ×２００μｍとした。格子状に作製された
フォトレジストパターンがついたウエハを、ＨＣｌ：Ｃ
Ｈ3ＣＯＯＨ：Ｈ2Ｏ2＝３１：６２：７の組成からなる
エッチング液に５分間浸漬するとＰ−（Ａｌ0.05Ｇａ
0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流拡散層が除去される。さらに、
エッチング液を３０分放置した後、ウエハを再度このエ
ッチング液に浸漬させ、Ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐクラッド層、アンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ活性層、及びＮ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層を除去させる。このエッチング液はＧ
ａＡｓに対してエッチングレートが遅いため、エピタキ
シャルウエハ表面からのエッチングはＧａＡｓのところ
でほとんど停止する。ＧａＡｓのエッチングはアンモニ
ア系エッチング液にて行い、所望の溝２５（深さｈ）を
得る。アンモニア系のエッチング液はＧａＡｓのエッチ
ングにおいてそのエッチング面を平滑にすることが容易
である。即ち、前記エッチング深さだけチップ高さを高
くすることができるので、チップを用いた製品の製造工
程において、Ａｇペーストがチップ側面に這い上がりＰ
Ｎ接合面を短絡するリーク不良の発生を抑制できる。本
実施の形態では溝２５の深さｈを２０μｍとした。
【００１６】次に、Ｎ−ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨
し所望の厚みに加工する。本実施の形態ではウエハ全体
の厚みを１５０μｍとした。さらに、この裏面研磨面を
エッチングすることで研磨によるダメージ層を除去し、
その後、例えばＡｕＧｅをこの面に形成することでＮ電
極１８を得る。以上の工程でＬＥＤのウエハ工程が完了
する。
し所望の厚みに加工する。本実施の形態ではウエハ全体
の厚みを１５０μｍとした。さらに、この裏面研磨面を
エッチングすることで研磨によるダメージ層を除去し、
その後、例えばＡｕＧｅをこの面に形成することでＮ電
極１８を得る。以上の工程でＬＥＤのウエハ工程が完了
する。
【００１７】次に、けがき傷を入れる工程について説明
する。ウエハのＰ電極１７側の表面に粘着シート２４を
貼り、ウエハ表面に形成させた格子状の溝に沿ってＮ−
ＧａＡｓ基板１１裏面側をダイアモンドツールにてけが
き傷を入れる。ここで（１００）に対して［０１−１］
方向２１に１５°傾いたＮ−ＧａＡｓ基板１１を使用し
ているためＯＦと水平方向のけがき傷２３はウエハ表面
に設けられた溝２５に対して［０１−１］方向２１にず
れた状態で対向している。このずれ量は概略ｄ×ｔａｎ
θ（ｄは基板の厚み、θは基板表面の傾き角度）で示さ
れる。本実施の形態の場合、ｄはウエハ全体の厚み１５
０μｍから溝２５の深さ（ｈ）２０μｍを差し引いた正
味のウエハ厚さ１３０μｍであり、θは１５°である。
従って、この値を上式に当てはめるとずらすべき距離は
略３５μｍとなる。
する。ウエハのＰ電極１７側の表面に粘着シート２４を
貼り、ウエハ表面に形成させた格子状の溝に沿ってＮ−
ＧａＡｓ基板１１裏面側をダイアモンドツールにてけが
き傷を入れる。ここで（１００）に対して［０１−１］
方向２１に１５°傾いたＮ−ＧａＡｓ基板１１を使用し
ているためＯＦと水平方向のけがき傷２３はウエハ表面
に設けられた溝２５に対して［０１−１］方向２１にず
れた状態で対向している。このずれ量は概略ｄ×ｔａｎ
θ（ｄは基板の厚み、θは基板表面の傾き角度）で示さ
れる。本実施の形態の場合、ｄはウエハ全体の厚み１５
０μｍから溝２５の深さ（ｈ）２０μｍを差し引いた正
味のウエハ厚さ１３０μｍであり、θは１５°である。
従って、この値を上式に当てはめるとずらすべき距離は
略３５μｍとなる。
【００１８】次にチップに分割する工程について説明す
る。けがきが完了した後、粘着シート２４に貼ったエピ
タキシャルウエハのＮ−ＧａＡｓ基板裏面に保護紙（図
示せず）を貼った後、粘着シート２４側からローラー２
２によって押圧する。このとき［０１１］方向２０にロ
ーラー２２を移動しながら押圧し、第１の劈開面を利用
してウエハをバー状に分割する。次に［０１−１］方向
２１にローラー２２を移動しながら押圧し、第２の劈開
面２６を利用しチップに分割する。これは（１００）面
に対してオフ角度を持たない第１の劈開面に比べ、オフ
角度を持った第２の劈開面２６は良好な劈開面が得にく
いためである。従って第２の劈開面２６を出す工程を第
１の劈開面を出す工程の後に実施する方が、チップの欠
け等が少なく歩留まりが向上する。図２（ｂ）は第２の
劈開面２６を得る［０１−１］方向２１へのローラー２
２の押圧による分割（ブレイク）を示す図である。この
時、けがき傷２３から発生した第２の劈開面２６は１５
°右上方向へ延び、概略ｄ×ｔａｎθで求めた位置で基
板表面側に形成した溝２５に達する。このブレイクが終
わった後、粘着シート２４を拡大すると個々に分離され
たチップが得られる。
る。けがきが完了した後、粘着シート２４に貼ったエピ
タキシャルウエハのＮ−ＧａＡｓ基板裏面に保護紙（図
示せず）を貼った後、粘着シート２４側からローラー２
２によって押圧する。このとき［０１１］方向２０にロ
ーラー２２を移動しながら押圧し、第１の劈開面を利用
してウエハをバー状に分割する。次に［０１−１］方向
２１にローラー２２を移動しながら押圧し、第２の劈開
面２６を利用しチップに分割する。これは（１００）面
に対してオフ角度を持たない第１の劈開面に比べ、オフ
角度を持った第２の劈開面２６は良好な劈開面が得にく
いためである。従って第２の劈開面２６を出す工程を第
１の劈開面を出す工程の後に実施する方が、チップの欠
け等が少なく歩留まりが向上する。図２（ｂ）は第２の
劈開面２６を得る［０１−１］方向２１へのローラー２
２の押圧による分割（ブレイク）を示す図である。この
時、けがき傷２３から発生した第２の劈開面２６は１５
°右上方向へ延び、概略ｄ×ｔａｎθで求めた位置で基
板表面側に形成した溝２５に達する。このブレイクが終
わった後、粘着シート２４を拡大すると個々に分離され
たチップが得られる。
【００１９】一般に、ＬＥＤチップは、チップを用いた
製品の製造工程におけるＡｇペーストによるリーク不良
発生を防止するためチップ高さは１４０μｍ以上が必要
とされる。また、ダイボンド時のダイシェア強度を確保
する観点からチップの表面側のサイズは１８０μｍ×１
８０μｍ以上が要求されている。今回作製したチップ
は、図１に示す通り、チップ裏面サイズ２００μｍ×２
００μｍ、チップ表面サイズ１８０μｍ×１８０μｍ、
チップ高さ１５０μｍとなった。同じチップサイズの場
合、従来例では１８９０チップ／ｃｍ2、本発明による
実施の形態では２５００チップ／ｃｍ2となり２４％の
原価低減が実現できた。けがき、ブレイクによるチップ
分割におけるけがき間隔とチップ分割後に良好な劈開面
が得られる最大の厚みの関係を図３に示した。従来は、
けがき間隔２００μｍの場合、ウエハ厚みは１２０μｍ
であり、けがき間隔２８０μｍの場合、ウエハ厚みは１
５０μｍ（図中●で示す）であった。一方、本発明を用
いた場合、けがき間隔２００μｍで１５０μｍのウエハ
厚み（図中○で示す）が得られた。さらに、ウエハ表面
に設ける格子状の溝深さを３０μｍまでエッチングする
ことが可能であり、この場合１６０μｍのウエハ厚みと
なり、チップを用いた製品の製造工程におけるチップ高
さに関する問題の発生が抑制された。
製品の製造工程におけるＡｇペーストによるリーク不良
発生を防止するためチップ高さは１４０μｍ以上が必要
とされる。また、ダイボンド時のダイシェア強度を確保
する観点からチップの表面側のサイズは１８０μｍ×１
８０μｍ以上が要求されている。今回作製したチップ
は、図１に示す通り、チップ裏面サイズ２００μｍ×２
００μｍ、チップ表面サイズ１８０μｍ×１８０μｍ、
チップ高さ１５０μｍとなった。同じチップサイズの場
合、従来例では１８９０チップ／ｃｍ2、本発明による
実施の形態では２５００チップ／ｃｍ2となり２４％の
原価低減が実現できた。けがき、ブレイクによるチップ
分割におけるけがき間隔とチップ分割後に良好な劈開面
が得られる最大の厚みの関係を図３に示した。従来は、
けがき間隔２００μｍの場合、ウエハ厚みは１２０μｍ
であり、けがき間隔２８０μｍの場合、ウエハ厚みは１
５０μｍ（図中●で示す）であった。一方、本発明を用
いた場合、けがき間隔２００μｍで１５０μｍのウエハ
厚み（図中○で示す）が得られた。さらに、ウエハ表面
に設ける格子状の溝深さを３０μｍまでエッチングする
ことが可能であり、この場合１６０μｍのウエハ厚みと
なり、チップを用いた製品の製造工程におけるチップ高
さに関する問題の発生が抑制された。
【００２０】以上、本説明ではＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ
について説明したが本発明の材料はこれに限定されるも
のではなく、ＧａＡｓＰ系やＧａＡｌＡｓ系など広い範
囲に適用できることは言うまでもない。また、半導体レ
ーザチップの製造工程においてレーザバーからチップに
分割する際にも適用できる。さらに、本実施の形態では
エピタキシャルウエハ表面への溝形成にウエットエッチ
ングのみを用いたがこれに限定されるものではなく、ド
ライエッチングやハーフダイシング後にウエットエッチ
ングを行い残留歪みを除去する方法などを使用しても良
い。
について説明したが本発明の材料はこれに限定されるも
のではなく、ＧａＡｓＰ系やＧａＡｌＡｓ系など広い範
囲に適用できることは言うまでもない。また、半導体レ
ーザチップの製造工程においてレーザバーからチップに
分割する際にも適用できる。さらに、本実施の形態では
エピタキシャルウエハ表面への溝形成にウエットエッチ
ングのみを用いたがこれに限定されるものではなく、ド
ライエッチングやハーフダイシング後にウエットエッチ
ングを行い残留歪みを除去する方法などを使用しても良
い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、傾いた基板であってもウエハ表面の所定の位置にお
いてチップに分割することが容易になる。また、ダイシ
ング法によってチップに分割する時に発生するダイシン
グ溝の幅及びエッチングによるロスをなくすことができ
る。
ば、傾いた基板であってもウエハ表面の所定の位置にお
いてチップに分割することが容易になる。また、ダイシ
ング法によってチップに分割する時に発生するダイシン
グ溝の幅及びエッチングによるロスをなくすことができ
る。
【００２２】さらに、本発明では、基板裏面に形成され
たけがき傷から発生した劈開面が溝に達するため、チッ
プの高さを十分に確保することができ、チップを用いた
製品の製造工程におけるリーク発生不良を抑制すること
が可能となる。
たけがき傷から発生した劈開面が溝に達するため、チッ
プの高さを十分に確保することができ、チップを用いた
製品の製造工程におけるリーク発生不良を抑制すること
が可能となる。
【００２３】また、本発明では、ウエハ表面の所定の位
置においてチップに分割することが容易になる。さら
に、劈開を利用してチップに分割しているため、ダイシ
ング法による分割時に生じる歪みは発生しない。
置においてチップに分割することが容易になる。さら
に、劈開を利用してチップに分割しているため、ダイシ
ング法による分割時に生じる歪みは発生しない。
【００２４】さらに、本発明では、ローラーによる押圧
後に得られる分割されたチップの欠け等の発生を少なく
することができ、歩留まりが向上し製造原価を低減する
ことが可能となる。
後に得られる分割されたチップの欠け等の発生を少なく
することができ、歩留まりが向上し製造原価を低減する
ことが可能となる。
【００２５】また、本発明では、ローラーの押圧により
チップに分割する際、けがき傷と溝を繋ぐ形で劈開面が
形成されるためチップへの分割が容易になり、チップ側
面の欠け等の発生を抑えることができる。
チップに分割する際、けがき傷と溝を繋ぐ形で劈開面が
形成されるためチップへの分割が容易になり、チップ側
面の欠け等の発生を抑えることができる。
【図１】本発明の製造方法を用いて作製したＬＥＤチッ
プの構造図である。
プの構造図である。
【図２】本発明に係わるチップ分割方法を示す図であ
り、（ａ）は基板と結晶方向の関係を示すもの、（ｂ）
はバー状に分割されたウエハをチップに分割するときの
状態を示すものである。
り、（ａ）は基板と結晶方向の関係を示すもの、（ｂ）
はバー状に分割されたウエハをチップに分割するときの
状態を示すものである。
【図３】本発明を利用した時のけがき間隔とウエハ厚み
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図４】従来のＬＥＤチップに係わるエピタキシャルウ
エハ構造断面図である。
エハ構造断面図である。
１１ Ｎ−ＧａＡｓ基板 １２ Ｎ−ＧａＡｓバッファ層 １３ Ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 １４ アンドープ（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性
層 １５ Ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 １６ Ｐ−（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流拡散
層 １７ Ｐ電極 １８ N電極 ２０ ［０１１］方向 ２１ ［０１−１］方向 ２２ ローラー ２３ けがき傷 ２４ 粘着シート ２５ 溝 ２６ 第２の劈開面
層 １５ Ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層 １６ Ｐ−（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流拡散
層 １７ Ｐ電極 １８ N電極 ２０ ［０１１］方向 ２１ ［０１−１］方向 ２２ ローラー ２３ けがき傷 ２４ 粘着シート ２５ 溝 ２６ 第２の劈開面
Claims (5)
- 【請求項１】 （１００）から［０１−１］方向にθ°
傾いた面を主表面とする閃亜鉛鉱型結晶基板上に少なく
とも発光層を形成したウエハを、複数個のチップに分割
する半導体発光素子の製造方法おいて、 前記ウエハの厚みをｄとした時、前記基板の裏面の、前
記ウエハの表面の所定の位置に対しｄ×ｔａｎθで表わ
される距離だけ［０１−１］方向に離れた位置にけがき
傷を入れる工程と、 前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて、前記ウエハを
複数個のチップに分割する工程とを含むことを特徴とす
る半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記ウエハの表面の所定の位置に、化学
エッチング法により［０１１］方向に延伸する溝を形成
する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導
体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて
複数個のチップに分割する工程は、前記ウエハを円筒体
に対し押圧した状態で［０１−１］方向に相対的に移動
させることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素
子の製造方法。 - 【請求項４】 前記複数個のチップに分割する工程は、
前記ウエハを前記円筒体に対し押圧した状態で［０１
１］方向に相対的に移動させた後、 前記ウエハを前記円筒体に対し押圧した状態で［０１−
１］方向に相対的に移動させることを特徴とする請求項
３に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記ウエハを前記円筒体に対し押圧した
状態で［０１−１］方向に相対的に移動する工程におい
て、 押圧する方向は前記基板裏面側のけがき傷から分割され
たとき一対になる前記エッチング法により形成された溝
の方向としたことを特徴とする請求項３または請求項４
のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000317516A JP3856639B2 (ja) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000317516A JP3856639B2 (ja) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124489A true JP2002124489A (ja) | 2002-04-26 |
| JP3856639B2 JP3856639B2 (ja) | 2006-12-13 |
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ID=18796291
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000317516A Expired - Fee Related JP3856639B2 (ja) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 半導体発光素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3856639B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087422A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Sharp Corp | 光結合型半導体装置、及びそれを備える電子機器 |
| WO2015068344A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置 |
| CN107871770A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
-
2000
- 2000-10-18 JP JP2000317516A patent/JP3856639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2015068344A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置 |
| CN105706257A (zh) * | 2013-11-07 | 2016-06-22 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光装置 |
| JPWO2015068344A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2017-03-09 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置 |
| US9799811B2 (en) | 2013-11-07 | 2017-10-24 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting device |
| JP2019145801A (ja) * | 2013-11-07 | 2019-08-29 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置 |
| CN107871770A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN107871770B (zh) * | 2016-09-27 | 2023-08-22 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| US11983039B2 (en) | 2016-09-27 | 2024-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3856639B2 (ja) | 2006-12-13 |
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