JP2002124099A - パケット式のメモリテスタ - Google Patents

パケット式のメモリテスタ

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JP2002124099A
JP2002124099A JP2000316082A JP2000316082A JP2002124099A JP 2002124099 A JP2002124099 A JP 2002124099A JP 2000316082 A JP2000316082 A JP 2000316082A JP 2000316082 A JP2000316082 A JP 2000316082A JP 2002124099 A JP2002124099 A JP 2002124099A
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M Atome Eriasu
エリアス・エム・アトメ
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Schlumberger Technologies Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のAPGより高速で信号を入力する必
要があるメモリ素子のテストが可能なパケットジェネレ
ータを提供すること。 【解決手段】 データ転送速度でデータを供給してア
ドレス転送速度でアドレスを供給するアルゴリズムパタ
ーンジェネレータ(APG)と、そのAPGの制御に基
づいてユーザの指定した命令を出力するパケット制御メ
モリ(PCM)と、アドレス及びユーザの指定した命令
を受信してそれらを含むアドレスパケットをアドレス転
送速度より速く出力するアドレスジェネレータと、デー
タ及びユーザの指定した命令を受信してそれらを含むデ
ータパケットをデータ転送速度より速い速度で出力する
DPGデータパケットジェネレータとを含むをパケット
ジェネレータ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ素子(半導
体記憶素子)をテストするシステムに関連する。
【0002】
【従来の技術】従来のDRAM或いはSRAMなどの半
導体メモリの信頼性をテストするテストシステムはよく
知られている。従来のテストシステムは、通常はテスト
信号パターン(「テストベクトル(test vector)」と
呼ばれる)をテスト中の半導体素子に送り、テスト中の
素子からの出力信号と予想される信号とを比較してテス
ト中の素子の機能が正常であるかどうかを決定する。こ
のようなテストシステムの例は、Osawa他による米
国特許第5,946,247号、Yamaguchiに
よる米国特許第4,862,460号、Garcia他
による米国特許第4,502,127号に記載されてい
る。またこれらの特許に言及することをもって本発明の
一部とする。
【0003】近年発売されたメモリ素子、例えばMou
ntain View、CA.のRAMBUS社のダイ
レクトRDRAM(Direct RDRAMTM)は、
時間間隔を変えてパケット式でアドレスやデータを通信
する。このパケットは、並列に送信される複数のストリ
ームを含み、それぞれのストリームは8ビットを順に流
す直列8ビットである。ダイレクトRDRAMの詳細に
ついては、RAMBUS社から入手可能なダイレクトR
DRAMデータシートを参照のこと。またこのデータシ
ートに言及することをもって、本明細書の一部とする。
本明細書において「ダイレクトRDRAM」とは、Sy
nclinkなどのダイレクトRDRAMと互換性があ
る任意の素子を意味する。このようなアドレス及びデー
タパケット通信には、散在された命令が更に含まれる。
従って、このような近年のメモリシステムをテストする
には、テストシステムはこのように時間をずらすことが
でき、命令が散在されたパケット式の通信でなければな
らない。
【0004】図1は、ダイレクトRDRAMメモリ素子
100のブロック図である。このダイレクトRDRAM
100は、ROW(行)及びCOLUMN(列)、DA
TA0、DATA1の名称のついた別個の端子を含む。
コマンド「ROWA」及びコマンド「ROWR」は端子
ROWに入力される。コマンド「COLC/M」及びコ
マンド「COLC/X」は端子COLUMNに入力され
る。コマンド「DQA」及びコマンド「DQB」はそれ
ぞれ、端子DATA0及びDATA1に入力される。ダ
イレクトRDRAMは、行の識別にはパケット式のコマ
ンド「ROWA」及び「ROWR」を用い、列の識別に
は「COLC/M」及び「COLC/X」を用い、デー
タ指定にはコマンド「DQA」及び「DQB」の組み合
わせを用いる。
【0005】図2は、コマンド「ROWA」及び「RO
WR」、「COLC」、「COLX」、「COLM」の
ビット指定を示す。コマンド「COLC/X」はコマン
ド「COLC」と「COLX」の組み合わせであり、コ
マンド「COLC/M」はコマンド「COLC」と「C
OLM」の組み合わせである。コマンド「ROWA」及
び「ROWR」のそれぞれは0から2の数字がついた3
つのストリームを含み、それぞれのストリームが直列8
ビットである。図に示されているように、コマンド「R
OWA」は、1ビットの「DR4T」及び「DR4
F」、「DR0」から「DR3」、「BR0」から「B
R3」、2ビットの「RsvB」、2ビットの「Rsv
R」、1ビットの「AV」及び「R0」から「R8」を
含む。ダイレクトRDRAMでは、「DR4T」及び
「DR4F」がコマンド「ROWA」または「ROW
R」を認識するためのビットであり、「DR0」から
「DR3」及び「DR4T」、「DR4F」はコマンド
「ROWA」及び「ROWR」のメモリ素子アドレス用
であり、「BR0」から「BR3」はコマンド「ROW
A」及び「ROWR」のバンクアドレス用であり、「A
V」はコマンド「ROWA」及び「ROWR」のどちら
かを選択するためのビットであり、「R0」から「R
8」はコマンド「ROWA」及び「ROWR」の行アド
レス用である。2ビットの「RsvB」はバンクアドレ
スの拡張用に確保され、2ビットの「RsvR」は行ア
ドレスの拡張用に確保されている。
【0006】コマンド「ROWR」は、次にアクセスさ
れる特定のメモリセルのアドレスをプリチャージするた
めに用いられる。コマンド「ROWR」のビット指定
は、1ビットのAV=0という点を除けばコマンド「R
OWA」と同じである。
【0007】図2に示されているように、コマンド「C
OLC」は、1ビットの「S」及び「DC0」から「D
C4」、「C0」から「C5」、「RsvC」、「BC
0」から「BC3」、2ビットの「RsvB」、1ビッ
トの「COP0」から「COP3」を含む。ダイレクト
RDRAMでは、「S」はコマンド「COLC」を認識
するためのビットであり、「DC0」から「DC4」は
コマンド「COLC」のメモリ素子アドレス用であり、
「C0」から「C5」はコマンド「COLC」の列アド
レス用であり、「RsvC」は、列アドレスの拡張用に
確保されたビットであり、「BC0」から「BC3」は
コマンド「COLC」のバンクアドレスであり、1ビッ
トの「RsvB」2つは、バンクアドレスの拡張用に確
保されたビットであり、「COP0」から「COP3」
は読み出し及び書き込み、プリチャージ、節電機能の指
定に用いられる。
【0008】図2に示されているように、コマンド「C
OLC」は、アステリスクで示される決められていない
ビットを含む。コマンド「COLX」及び「COLM」
はコマンド「COLC」の決められていない各ビットに
挿入され、それぞれコマンド「COLC/X」及び「C
OLC/M」を形成する。コマンド「COLC/X」及
び「COLC/M」はそれぞれ、0から4の数字のつい
た5個のストリームを含み、それぞれのストリームは直
列8ビットである。
【0009】コマンド「COLC/X」は、独立したプ
リチャージコマンドの指定、及びハウスキーピング及び
節電に用いられる。コマンド「COLC/X」は、1ビ
ットの「M」及び「DX0」から「DX4」、「XOP
0」から「XOP4」、「BX0」から「BX3」、2
ビットの「RsvB」を含む。ダイレクトRDRAMで
は、「M=0」はコマンド「COLC/X」の認識に用
いられ、「DX0」から「DX4」はコマンド「COL
C/X」のメモリ素子アドレスの指定に用いられ、「X
OP0」から「XOP4」はプリチャージ及び節電機能
をコマンド「COLC/X」が指定するためのオペコー
ド(opecode)フィールドとして用いられ、「BX0」か
ら「BX3」はコマンド「COLC/X」のバンクアド
レスとして用いられ、2ビットの「RsvB」はバンク
アドレスの拡張用に確保されている。
【0010】コマンド「COLC/M」はバイトマスク
制御(byte mask control)を指定するために用いられ
る。コマンド「COLC/M」は、1ビットの「M」、
及び「MA0」から「MA7」、「MB0」から「MB
7」を含む。ダイレクトRDRAMでは、「M=1」は
コマンド「COLC/M」の認識に用いられ、「MA
O」から「MA7」がバイトマスク書き込み制御ビット
として用いられ、「MB0」から「MB7」はバイトマ
スク書き込み制御ビットとして用いられる。
【0011】ダイレクトRDRAMでは、データコマン
ド「DQA」及び「DQB」は0から8の数字がついた
9個のストリームであり、それぞれのストリームは直列
8ビットである。コマンド「DQA」及び「DQB」は
データのみを含む。
【0012】図3は、パケット式のコマンド「ROW
A」及び「ROWR」、「COLC/M」、「COLC
/X」、「DQA」、「DQB」の順序を模式的に示し
ている。パケット式の一連のコマンドの開始から終了ま
での時間間隔を変更することができる。
【0013】従来のあるテストシステムでは、複数の加
速式APG(アルゴリズムパターンジェネレータ)を用
いて、ダイレクトRDRAMと互換性があるテストする
素子に必要な速度でアドレス及びデータコマンドを生成
する。このようなAPGの例は、Osawa他による米
国特許第5,946,247号及びYamaguchi
による米国特許第4,862,460号、Garcia
他による米国特許第4,502,127号に記載されて
いる。また、これらの特許に言及することをもって本明
細書の一部とする。しかしながら、このような加速式A
PGは高価である。更に、複数のAPGからのアドレス
及びデータからコマンドを生成するためには複雑な論理
回路が必要であり、テスターとして用いるためにテスト
システムを製造するのは困難である。
【0014】従って、複数の加速式APGを用いず、時
間間隔を変更でき、パケット式で通信するメモリ素子の
テストシステムが必要である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一実施例は、
テストするメモリ素子へ送るパケット式のアドレス及び
データコマンドを発生するパケットジェネレータを含
む。一実施例では、このパケットジェネレータが、1つ
の加速式でない従来のアルゴリズムパターンジェネレー
タ(APG)から列アドレス及び行アドレス、データを
受信し、パケット式の列アドレス及び行アドレス、デー
タを生成して、メモリシステムなどのパケット式のメモ
リ素子との通信を可能とする。更にこのパケットジェネ
レータは、従来のタイミング/初期化回路を変更するこ
となく、列アドレス及び行アドレス、データパケットの
時間間隔を変えることができる。従って、このパケット
ジェネレータは、従来のAPGより高速で信号を入力す
る必要があるメモリ素子のテストが可能である。
【0016】従って、本発明の一実施例は、パケット式
のアドレス及びデータコマンドをテストするメモリ素子
に送る方法を含む。この方法は、データ転送速度でデー
タを供給する過程と、アドレス転送速度でアドレスを供
給する過程と、ユーザの指定した命令を供給する過程
と、アドレス転送速度より速い速度で、アドレス及びユ
ーザの指定した命令を含むアドレスパケットをテストす
るメモリ素子に供給する過程と、データ転送速度より速
い速度で、データ及びユーザの指定した命令を含むデー
タパケットをテストするメモリ素子に供給する過程とを
含む。
【0017】以下に図を用いて説明する本発明の様々な
実施例によって発明の詳細がより明らかになるであろ
う。
【0018】
【発明の実施の形態】図1及び図4、図8のそれぞれの
矢印の整合線路は、1ビット或いは複数のビットが送信
される信号経路を示している。また、異なった図に示さ
れている同じ参照符号は同じ要素或いは類似の要素を示
す。
【0019】図4は、メモリテストシステムの例である
テストシステム400のブロック図である。このテスト
システム400は、本発明の一実施例に従ったパケット
ジェネレータ500を含む。詳細は図3を用いて以下に
説明する。パケットジェネレータ500を除く図2の全
ての要素は従来品である。このテストシステム400を
用いて、散在された命令、アドレス、及び/またはデー
タを含むパケット式の通信に応答するダイレクトRDR
AM半導体メモリなどのメモリ素子402をテストす
る。本明細書における「1つ」は、任意の命令或いはデ
ータ、アドレスだけではなく、それらの組み合わせも含
まれる。
【0020】パーソナルコンピュータなどの従来の制御
器404は、パケットジェネレータ500の出力を制御
し、メモリ素子402の状態を表す。制御器404とパ
ケットジェネレータ500との関係は以下に詳しく説明
する。
【0021】タイミング/初期化回路406は、並列に
入力されたビットを直列のビットに変換する。タイミン
グ/初期化回路406の例は、以下に示すHerlei
n他による米国特許に示されている。米国特許第5,4
30,400号及び4,849,702号、4,83
7,521号、4,820,944号、4,789,8
35号、4,675,562号、4,635,256
号、4,511,846号、4,165,092号。ま
たこれらの特許に言及することをもって本明細書の一部
とする。
【0022】ピン電子回路408は、タイミング/初期
化回路406からの2進数の値を電圧値に変換して、こ
の電圧値をテストするメモリ素子402のピン(端子)
に送る。また逆に、このピン電子回路408はテストす
るメモリ素子402からの電圧出力を2進数の値に変換
して、この2進数の値をタイミング/初期化回路406
に送る。制御器404はテストの結果を読み込んで、合
格若しくは不合格の情報をユーザに示す。
【0023】パケットジェネレータ 図5は、本発明の一実施例であるパケットジェネレータ
500の詳細なブロック図である。このパケットジェネ
レータ500は、パケット制御メモリ(PCM)502
と、アルゴリズムパターンジェネレータ(APG)50
4と、行パケットジェネレータ(RPG)506と、列
パケットジェネレータ(CPG)508と、データパケ
ットジェネレータ(DPG)510とを含む。テストす
るメモリ素子402がダイレクトRDRAMの場合は、
RPG506及びCPG508、DPG510の複数の
殆ど同じストリームを用いて、図2を用いて説明したダ
イレクトRDRAM用へのパケット式のコマンドを発生
させる。
【0024】PCM502は従来の命令メモリであり、
グループ命令をRPG506及びCPG508、DPG
510に送信する。それぞれのグループ命令は、DAP
r及びDAPc、DAPdのそれぞれ異なったオフセッ
ト時間命令を決定し、アドレスパケットまたは列パケッ
ト、データパケットそれぞれが送信される前に遅延時間
を指定する。更に、それぞれのグループ命令によって、
命令「CTRLr」及び「CTRLc」、「TYP−S
ELr」、「TYP−SELC」が決まる。命令「CT
RLr」及び「CTRLc」、「TYP−SELr」、
「TYP−SELc」の使用例については後で詳述す
る。制御器404は、PCM502にストアされるグル
ープ命令を供給する。
【0025】命令「CTRLr」及び「スクランブルし
た(scrambled)X」は、コマンド「ROW
A」及び「ROWR」の中に散在させられる。命令「C
TRLr」は、1ビットの「AV」及び「DR4T」、
「DR4F」、「DR0」から「DR3」を含み、「ス
クランブルしたX」は1ビットの「R0」から「R
8」、「BR0」から「BR3」、「RsvR」、「B
R」を含む。
【0026】命令「CTRLc」及び「スクランブした
Y」はコマンド「COLC/M」の中に散在させられ
る。命令「CTRLc」は、1ビットの「S」及び「D
C0」から「DC4」、「M」、「MA0」から「MA
7」、「MB0」から「MB7」を含み、「スクランブ
ルしたY」は1ビットの「C0」から「C5」及び「B
C0」から「BC3」、「COP0」から「COP
3」、2ビットの「RsvB」、「RsvC」を含む。
【0027】命令「CTRLc」及び「スクランブルし
たX」、「スクランブルしたY」は、コマンド「COL
C/X」の中に散在させられる。命令「CTRLc」
は、1ビットの「S」、「DC0」から「DC4」、
「M」、「DX0」から「DX4」を含み、「スクラン
ブルしたY」は、「C0」から「C5」及び「BC0」
から「BC3」、「COP0」から「COP3」、2ビ
ットの「RsvB」、「RsvC」を含み、「スクラン
ブルしたX」は「XOP0」から「XOP4」及び「B
X0」から「BX3」を含む。
【0028】コマンドの開始を遅らせるために命令「D
APr」及び「DAPc」、「DAPd」を用いると、
タイミング/初期化回路406を用いて先の出力コマン
ドを遅らせるよりも少ない回路ですむ。
【0029】殆ど従来品であるAPG504は、アドレ
ス及び付随するデータをテスタークロック410のテス
タークロツク信号の各クロックサイクルでRPG506
及びCPG508、DPG510に送る。この実施例で
は、制御器404がテストパターンをAPG504の命
令メモリに送る。このAPG504は、テストするメモ
リ素子402のメモリセルのアドレス及びこれらのアド
レスにストアされるデータをそれぞれ指定するアドレス
及びMビットのデータを生成する。この実施例では、そ
れぞれのアドレスは、テストするメモリ素子402のメ
モリセルの行及び列を指定する。
【0030】一実施例では、APG504は、行(X)
及び列(Y)アドレスとMビットのデータをDPG51
0に送る。またAPG504は、スクランブルした行及
び列アドレスをCPG508に送り、スクランブルした
行アドレスをRPG506に送る。スクランブルした行
及び列アドレスとは、テストするメモリ素子402のメ
モリセルの特定のアドレストポロジー(配置)に一致す
るように変更された行及び列アドレスのことである。
【0031】更にAPG504は、PCM502のアド
レスを指定するプログラムカウンタ値(PC)を出力す
る。このPCM502は、APG504によって出力さ
れたデータとアドレスに関係するグループ命令を出力す
る。PCM502は、テスタークロック410のテスタ
ークロック信号の各クロックサイクルでグループ命令を
出力する。
【0032】RPG 図6は、RPG506の実施例のブロック図である。こ
のRPG506は、図2の3つのストリームからなるコ
マンド「ROWA」または「ROWR」の1つのストリ
ームを発生するために用いられる。コマンド「ROW
A」または「ROWR」の3つ全てのストリームを発生
させるために、RPG506で処理を3回繰り返し、ク
ロスポイントマルチプレクサ(cross point multiplexe
r)602A及び602Bの構成のみが異なったストリ
ームを生成する。この3つの殆ど同じRPG506のス
トリームが、コマンド「ROWA」または「ROWR」
の並列のストリームとしてタイミング/初期化回路40
6に送られる。タイミング/初期化回路406は、並列
のストリームを直列に変換してからコマンド「ROW
A」または「ROWR」を出力する。
【0033】RPG506で生成されるストリームが殆
ど同じであることから速度が高められ、APG504が
行アドレスを供給するより速く行アドレスが出力され
る。従って、複数の高速化されたAPGは必要ではな
い。更に、この殆ど同じストリームによって、コマンド
「ROWA」及び「ROWR」の出力タイミングの変更
が制御される。
【0034】RPG506は、従来のクロスポイントマ
ルチプレクサ602A及び602Bを含む。クロスポイ
ントマルチプレクサは、任意の入力信号を任意の出力或
いは複数の出力に割り当てることができる。クロスポイ
ントマルチプレクサ602A及び602Bのそれぞれ
は、(図5のAPG504からの)「スクランブルした
行(X)アドレス」及び(図5のPCM502からの)
命令「CTRLr」を受信するためにそれぞれ接続され
ている。クロスポイントマルチプレクサ602A及び6
02Bのそれぞれは、図4の制御器404から命令「S
ELECTr」を受信するために接続されている。4ビ
ットの命令「SELECTr」は、クロスポイントマル
チプレクサ602A及び602Bを制御して、クロスポ
イントマルチプレクサ602Aへの入力ビットとそこか
ら出力されるビットの関係、及びクロスポイントマルチ
プレクサ602Bへの入力ビットとそこからの出力され
るビットの関係を指定する。
【0035】一実施例では、同じ値の命令「SELEC
Tr」に対する、クロスポイントマルチプレクサ602
Aの出力ビットと入力ビットとの関係と、クロスポイン
トマルチプレクサ602Bの出力ビットと入力ビットと
の関係は異なっている。この違いは、それぞれのクロス
ポイントマルチプレクサ602Aからの出力信号がコマ
ンド「ROWA」の1つのストリームに対応し、クロス
ポイントマルチプレクサ602Bからの出力信号がコマ
ンド「ROWR」の1つのストリームに対応するためで
ある。この出力ビットについては、既に図2を用いて説
明している。それぞれのクロスポイントマルチプレクサ
602A及び602Bは、別個のストリームの並列のコ
マンド「ROWA」及び「ROWR」のを出力すること
に注意されたい。
【0036】クロスポイントマルチプレクサ602A及
び602Bからの出力信号は、入力信号として従来のマ
ルチプレクサ604に送られる。マルチプレクサ604
の出力信号、即ちクロスポイントマルチプレクサ602
A或いは602Bのどちらかの出力信号は、PCM50
2からの「TYP−SELr」によって制御される。テ
ストするメモリ素子402がダイレクトRDRAMの場
合は、命令「TYP−SELr」がコマンド「ROW
A」の1つのストリームの出力或いはコマンド「ROW
R」の1つのストリームの出力の内の一方を選択する。
【0037】マルチプレクサ604からの出力信号は、
従来のFIFO(先入れ先出し方式)メモリ素子606
に送られる。(PCM502からの)命令「DAPr」
は、マルチプレクサ604から出力信号を出力する前
に、テスタークロック410(図4)のテスタークロッ
ク信号のカウントするクロック周波数を指定する。この
テスタークロック信号は、FIFOメモリ素子606の
入力端子WT及びRDに接続されている。WT端子への
入力は、MUX604からのデータがFIFOメモリ素
子606に送られる際に制御をし、一方、RD端子への
入力はFIFOメモリ素子606がデータを出力する際
に制御をする。FIFOメモリ素子606は並列に8ビ
ットのデータを出力する。
【0038】CPG 図7は、図6を用いて説明したRPG506の実施例に
類似した構造を持つCPG508の実施例のブロック図
である。テストするメモリ素子402がダイレクトRD
RAMの場合は、CPG508は5つのストリームのコ
マンド「COLC/M」又は「COLC/X」のそれぞ
れのストリームを生成する。コマンド「COLC/M」
又は「COLC/X」の5つ全てのストリームを生成す
るために、CPG508で処理を5回繰り返し、クロス
ポイントマルチプレクサ702A及び702Bの構成の
みが異なったストリームを生成する。CPG508の殆
ど同じ5つのストリームが、コマンド「COLC/M」
又は「COLC/X」の並列のストリームとしてタイミ
ング/初期化回路406に送られる。タイミング/初期
化回路406は、並列のストリームを直列のストリーム
に変換してからコマンド「COLC/M」或いは「CO
LC/X」を出力する。
【0039】CPG508で生成されるストリームが殆
ど同じであることから速度が高められ、APG504が
列アドレスを生成するより速い速度で列アドレスが出力
される。従って、複数の高速化されたAPGは必要では
ない。更に、この殆ど同じ複数のストリームによって、
コマンドの出力タイミングの変更が助けられる。
【0040】クロスポイントマルチプレクサ702A
は、「スクランブルした列(Y)」及び命令「CTRL
c」を受信するように接続されている。クロスポイント
マルチプレクサ702Bは、「スクランブルした列
(Y)アドレス」及び「スクランブルした行(X)アド
レス」、命令「CTRLc」を受信するように接続され
ている。クロスポイントマルチプレクサ702A及び7
02Bのそれぞれは、図4の制御器404からの命令
「SELECTc」を受信するように接続されている。
4ビットの命令「SELECTc」は、クロスポイント
マルチプレクサ702A及び702Bを制御し、クロス
ポイントマルチプレクサ702Aへの入力ビットと70
2Aからの出力ビットとの関係、及びクロスポイントマ
ルチプレクサ702Bへの入力ビットと702Bから出
力ビットとの関係を指定する。
【0041】クロスポイントマルチプレクサ702A及
び702Bの出力信号は、入力信号として従来のマルチ
プレクサ704に送られる。マルチプレクサ704の出
力信号、即ちクロスポイントマルチプレクサ702Aま
たは702Bのどちらかの出力信号は、PCM502か
らの命令「TYP−SELc」によって制御される。こ
の命令「TYP−SELc」は、5つの異なったストリ
ームからなるコマンド「COLC/M」の1つのストリ
ームの出力或いは「COLC/X」の1つのストリーム
の出力の一方から選択する。
【0042】一実施例では、同じ値の命令「SELEC
Tr」に対する、クロスポイントマルチプレクサ702
Aの出力ビットと入力ビットとの関係と、クロスポイン
トマルチプレクサ702Bの出力ビットと入力ビットと
の関係は異なっている。この違いは、クロスポイントマ
ルチプレクサ702Aからの出力信号がコマンド「CO
LC/M」のストリームに対応し、クロスポイントマル
チプレクサ702Bからの出力信号がコマンド「COL
C/X」のストリームに対応しているためである。この
出力ビットについては図2を用いて既に説明している。
クロスポイントマルチプレクサ702Aが並列のコマン
ド「COLC/M」のストリームを出力し、クロスポイ
ントマルチプレクサ702Bが並列のコマンド「COL
C/X」のストリームを出力する。
【0043】マルチプレクサ704の出力信号は、従来
の8ビット幅FIFOメモリ素子706に送られる。
(PCM502からの)命令「DAPc」は、マルチプ
レクサ704からの出力信号を出力する前に、(図4)
テスタークロック410のテスタークロック信号のカウ
ントするクロック周波数を指定する。このテスタークロ
ック信号は、FIFOメモリ素子706の入力端子WT
及びRDに接続されている。入力端子WTへの入力は、
マルチプレクサ704からのデータがFIFOメモリ素
子706に送られる際に制御する。一方、入力端子RD
への入力はFIFOメモリ素子706からデータが出力
される際に制御する。
【0044】DPG 図8は、APG504からのMビットのデータの内の1
ビットのためのDPG510の実施例を示す模式図とブ
ロック図の複合されたものである。APG504からの
Mビットのデータのそれぞれのビットに対して、DPG
510の関連する1つのストリームがある。テストする
メモリ素子402がダイレクトRDRAMの場合は、コ
マンド「DQA」及び「DQB」に対応する9個のスト
リームを2つ発生するためにMは18となる。
【0045】DPG510のM個のストリームが、コマ
ンド「DQA」又は「DQB」の並列のストリームとし
てタイミング/初期化回路406に送られる。タイミン
グ/初期化回路406は、並列のストリームを直列のス
トリームに変換してから、コマンド「DQA」又は「D
QB」を出力する。
【0046】DPG510によって速度が高められるた
め、APG504がデータを供給するより速い速度でデ
ータが出力される。従って、複数の高速化されたAPG
は必要ない。
【0047】DPG510は、APG504から出力さ
れた行アドレス及び列アドレスを受信するように接続さ
れた従来のクロスポイントマルチプレクサ802を含
む。制御器404(図4)からの命令「SELECT
d」は、クロスポイントマルチプレクサ802を制御す
る。クロスポイントマルチプレクサ802は、その出力
信号をデータメモリ804に送る。
【0048】メモリ804は、データ値と列及び行アド
レスとの関係のテーブルを格納する。メモリ804は、
アドレス指定が容易なSRAMなどの従来のメモリであ
る。メモリ804は、APG504からの列及び行アド
レスを用いて、データ値を検索して、そのデータ値を論
理アレイ806に送る。列及び行アドレスとデータ値と
のこのような関係は図1の制御器404によって容易に
プログラムできる。
【0049】論理アレイ806は、データメモリ804
からのデータ値出力とAPG504からのMビットのデ
ータの1ビットのDmの組み合わせから複数のデータ値
を生成する。この論理アレイ806は、N個の論理ゲー
トを含み、それぞれの論理ゲートはXOR型である。
【0050】この実施例において、N個の論理ゲートの
それぞれは、(A)データメモリ804からのデータ値
の1個のビットと、(B)APG504からのMビット
のデータの1ビットのDmとを受信するように接続され
ている。N個の論理ゲートのそれぞれは、XORによっ
て(A)と(B)の入力ビットから出力ビットを生成す
る。従って、論理アレイ806は、APG504からの
MビットのデータのそれぞれのビットからN個のビット
を生成する。この実施例ではNは8である。
【0051】論理アレイ806からのNビットの出力
は、従来のFIFOメモリ素子808に送られる。命令
「DAPd」は、論理アレイ806からNビットを出力
する前にカウントするための図4のテスタークロック4
10のテスタークロック信号のクロックサイクル(オフ
セット)の数を指定する。このテスタークロック信号
は、FIFOメモリ素子808の入力端子のWT及びR
Dに接続されている。端子WTへの信号入力は、論理ア
レイ806からNビットの出力がFIFOメモリ素子8
08に送られる際に制御する。一方、入力端子RDへの
信号の入力は、FIFOメモリ素子808からNビット
の出力が出力される際に制御する。
【0052】タイミング/初期化回路406は、FIF
Oメモリ素子808からのNビットの出力を直列のNビ
ットのストリームに変換する。テストするメモリ素子が
ダイレクトRDRAMの場合はNは8であり、FIFO
メモリ素子808からの8ビットの出力のそれぞれは、
パケット式のデータコマンド「DQA」或いは「DQ
B」のどちらかの1つのストリームに対応する。
【0053】従って、論理アレイ806を用いると、テ
ストシステム400はAPG504のみを用いた場合よ
り速いビットレートでデータを生成する。例えば、AP
G504が10メガビット/秒のレートでデータを出力
し、テストするメモリ素子402に80メガビット/秒
のレートでデータを入力する必要がある場合は、DPG
510を用いてテストするメモリ素子402へのデータ
の入力レートを高める。論理アレイ806によって、A
PG504から出力されるデータのビットレートがN倍
になる。この時、Nは論理ゲートの数であり、論理アレ
イ806からの出力ビットに対応する。
【0054】変更 本明細書で用いた全てのパラメータは例示目的である。
また、上記した本発明の実施例は単に例示目的であって
発明を制限するものではない。本発明の範囲を逸脱する
ことなく様々な変更が可能であることは当分野の技術者
には明白であろう。従って、全ての変更は上記した請求
項に含まれ、本発明の範囲内である。
【0055】
【発明の効果】上記のパケットジェネレータを提供する
ことで、従来のAPGより高速で信号を入力する必要が
あるメモリ素子のテストが可能となる。
【0056】
【図面の簡単な説明】
【図1】テストするメモリ素子の例である。
【図2】複数のストリームコマンドの例である。
【図3】パケット式のコマンドの順序の例を示してい
る。
【図4】本発明の実施例に従ったパケットジェネレータ
を用いたテストシステムの例である。
【図5】本発明の実施例に従ったパケットジェネレータ
である。
【図6】図5のRPGの実施例である。
【図7】図5のCPGの実施例である。
【図8】図5のDPGの一部の実施例である。
【符号の説明】
100 メモリ素子 400 テストシステム 402 メモリ素子 404 制御器 406 タイミング/初期化回路 408 ピン電子回路 410 テスタークロック 500 パターンジェネレータ(パケットジェネレー
タ) 502 パケット制御メモリ(PCM) 504 アルゴリズムパターンジェネレータ(APG) 506 行パケットジェネレータ(RPG) 508 列パケットジェネレータ(CPG) 510 データパケットジェネレータ(DPG) 602A、602B クロスポイントマルチプレクサ 604 マルチプレクサ 606 FIFOメモリ素子 702A、702B クロスポイントマルチプレクサ 704 マルチプレクサ 706 FIFOメモリ素子 802 クロスポイントマルチプレクサ 804 メモリ 806 論理アレイ 808 FIFOメモリ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G032 AA07 AB01 AD06 AE07 AE12 AF10 AG02 AK13 5L106 AA01 AA02 DD22 DD23

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テストする素子へのパケット式のアド
    レス及びデータコマンドを発生するパケットジェネレー
    タであって、 データ転送速度でデータを供給し、かつアドレス転送速
    度でアドレスを供給するアルゴリズムパターンジェネレ
    ータ(APG)と、 ユーザの指定した命令を格納し、前記APGの制御に基
    づいて前記ユーザの指定した命令を出力するパケット制
    御メモリ(PCM)と、 前記APGからのアドレス及び前記PCMからのユーザ
    の指定した命令を受けるように接続されたアドレスジェ
    ネレータであって、前記アドレス及び前記ユーザの指定
    した命令を含むアドレスパケットを前記アドレス転送速
    度より速く出力する、該アドレスジェネレータと、 前記PCMからのユーザの指定した命令と、前記APG
    からのデータ及びアドレスを受信するように接続された
    データパケットジェネレータ(DPG)であって、前記
    データ及び前記ユーザの指定した命令を含むデータパケ
    ットをデータ転送速度より速い速度で出力する、該DP
    Gとを含むことを特徴とするパケットジェネレータ。
  2. 【請求項2】 前記それぞれのアドレスが行アドレス
    及び列アドレスを含み、前記アドレスジェネレータが、 前記APGからの行アドレス及び前記PCMからのユー
    ザの指定した命令を受信するように接続された行パケッ
    トジェネレータ(RPG)であって、前記行アドレス及
    び前記ユーザの指定した命令を含む行パケットを出力す
    る、該RPGと、 前記APGからの列アドレス及び前記PCMからのユー
    ザの指定した命令とを受信するように接続された列パケ
    ットジェネレータ(CPG)であって、前記列アドレス
    及び前記ユーザの指定した命令を含む列パケットを出力
    する、該CPGとを含むことを特徴とする請求項1に記
    載のパケットジェネレータ。
  3. 【請求項3】 前記列パケット及び前記行パケット、
    前記データパケットを受けるように接続されたメモリ素
    子を更に含むことを特徴とする請求項2に記載のパケッ
    トジェネレータ。
  4. 【請求項4】 前記PCMが前記DPGにタイミング
    命令を供給し、前記タイミング命令が、前記DPGがデ
    ータパケットの出力を遅らせる時間を指定することを特
    徴とする請求項1に記載のパケットジェネレータ。
  5. 【請求項5】 前記PCMが前記CPGにタイミング
    命令を送り、前記タイミング命令が、前記CPGが列パ
    ケットの出力を遅らせる時間を指定することを特徴とす
    る請求項2に記載のパケットジェネレータ。
  6. 【請求項6】 前記PCMが前記RPGにタイミング
    命令を送り、前記タイミング命令が、前記RPGが行パ
    ケットの出力を遅らせる時間を指定することを特徴とす
    る請求項2に記載のパケットジェネレータ。
  7. 【請求項7】 前記APG及び前記PCMに接続され
    た制御器を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の
    パケットジェネレータ。
  8. 【請求項8】 前記RPGが、 前記APGからの行アドレス及び前記PCMからのユー
    ザの指定した命令を受信するようにそれぞれ接続された
    第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサであっ
    て、前記第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサ
    のそれぞれの出力が制御器によって選択され、前記第1
    及び第2のクロスポイントマルチプレクサのそれぞれの
    前記出力信号が行アドレスを含むパケットである、該第
    1及び第2のクロスポイントマルチプレクサと、 前記第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサのそ
    れぞれから出力信号を受信するように接続されたマルチ
    プレクサであって、前記制御器からの命令に従って前記
    第1或いは第2のクロスポイントマルチプレクサの一方
    の出力信号を出力する、該マルチプレクサと、 前記マルチプレクサからの出力を受信するように接続さ
    れたFIFOメモリであって、前記行アドレスパケット
    の出力を遅らせるように前記制御器が前記FIFOメモ
    リに遅延信号を送る、該FIFOメモリとを含むことを
    特徴とする請求項7に記載のパケットジェネレータ。
  9. 【請求項9】 前記CPGが、 前記APGからの列アドレス及び前記PCMからのユー
    ザの指定した命令を受信するようにそれぞれ接続された
    第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサであっ
    て、前記第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサ
    のそれぞれの出力信号が前記制御器によって選択され、
    前記第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサのそ
    れぞれの前記出力信号が列アドレスを含むパケットであ
    る、該第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサ
    と、 前記第1及び第2のクロスポイントマルチプレクサのそ
    れぞれから出力信号を受信するように接続されたマルチ
    プレクサであって、前記制御器からの命令に従って前記
    第1或いは第2のクロスポイントマルチプレクサの一方
    の出力信号を出力する、該マルチプレクサと、 前記マルチプレクサからの出力信号を受信するように接
    続されたFIFOメモリであって、前記列アドレスパケ
    ットの出力を遅らせるように前記制御器が遅延信号を送
    る、該FIFOメモリとを更に含むことを特徴とする請
    求項7に記載のパケットジェネレータ。
  10. 【請求項10】 更に前記APG及び前記PCMに接
    続された制御器を更に含むことを特徴とする請求項1に
    記載のパケットジェネレータ。
  11. 【請求項11】 前記DPGが、 前記APGからのアドレスを受信するように接続され、
    アドレス値を出力するクロスポイントマルチプレクサ
    と、 前記クロスポイントマルチプレクサからのアドレス値を
    受信するように接続され、データ値を生成するメモリ素
    子と、 前記メモリ素子からのデータ値及び前記APGからのデ
    ータのデータビットとを受信するように接続され、デー
    タパケットを出力する論理アレイと、 前記データパケットを受信するように接続されたFIF
    Oメモリであって、前記データパケットの前記出力を遅
    らせるように前記制御器が遅延信号を供給する、該FI
    FOメモリとを更に含むことを特徴とする請求項10に
    記載のパケットジェネレータ。
  12. 【請求項12】 パケット式のアドレス及びデータコ
    マンドをテストする素子に供給する方法であって、 データ転送速度でデータを供給する過程と、 アドレス転送速度でアドレスを供給する過程と、 ユーザの指定した命令を供給する過程と、 前記アドレス及び前記ユーザの指定した命令を含むアド
    レスパケットを前記アドレス転送速度より速い速度で前
    記テストする素子に供給する過程と、 前記データと前記ユーザの指定した命令とを含むデータ
    パケットを前記データの転送速度より速い速度で前記テ
    ストする素子に供給する過程とを含むことを特徴とする
    方法。
  13. 【請求項13】 前記アドレスのそれぞれが、行アド
    レス及び列アドレスを含むことを特徴とする請求項12
    に記載の方法。
  14. 【請求項14】 前記アドレスパケットを供給する過
    程が、 前記行アドレス及び前記ユーザの指定した命令を含む行
    パケットを供給する過程と、 前記列アドレス及び前記ユーザの指定した命令とを含む
    列パケットを供給する過程とを更に含むことを特徴とす
    る請求項13に記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記データパケットを供給する過程
    が、 データ遅延信号を供給する過程と、 前記データ遅延信号に基づいて前記データパケットの出
    力を遅らせる過程とを更に含むことを特徴とする請求項
    12に記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記行パケットを供給する過程が、 行遅延信号を供給する過程と、 前記行遅延信号に基づいて前記行パケットの出力を遅ら
    せる過程とを更に含むことを特徴とする請求項14に記
    載の方法。
  17. 【請求項17】 前記列パケットを供給する過程が、 列遅延信号を供給する過程と、 前記列遅延信号に基づいて前記列パケットの出力を遅ら
    せる過程とを更に含むことを特徴とする請求項14に記
    載の方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500454B1 (ko) * 2003-07-28 2005-07-12 삼성전자주식회사 메모리 모듈 테스트 시스템 및 메모리 모듈 평가 시스템
JP2008171504A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Yokogawa Electric Corp メモリ試験装置
US7895485B2 (en) * 2008-01-02 2011-02-22 Micron Technology, Inc. System and method for testing a packetized memory device
JP4843102B2 (ja) * 2008-06-20 2011-12-21 株式会社アドバンテスト 試験装置および試験方法
US8362791B2 (en) 2008-06-20 2013-01-29 Advantest Corporation Test apparatus additional module and test method

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