JP2002123190A

JP2002123190A - 素子基板の検査装置及びそれを用いた検査方法

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Publication number: JP2002123190A
Application number: JP2001169394A
Authority: JP
Inventors: 正明 ▲ひろ▼木; Masaaki Hiroki
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-06-05
Filing date: 2001-06-05
Publication date: 2002-04-26
Anticipated expiration: 2021-06-05
Also published as: JP4741110B2

Abstract

(57)【要約】【課題】発光装置において、画素における不良の検査
を作製工程の途中で行うことで、製品の低コスト化を図
る。【解決の手段】本発明の検査装置を用いて、素子基板
上の画素に形成されたＴＦＴ、及び周辺駆動回路に形成
されたＴＦＴを検査することにより、発光装置を完成さ
せる前の段階で不良を発見することが出来る。これによ
り、不良品を最終工程まで通すことにより生じるロスの
低減及びリペアでの修復による歩留まりの向上に寄与す
ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された
発光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正
常に動作するかを検査する装置及び検査方法に関する。
特に半導体素子（半導体薄膜を用いた素子）を用いた発
光装置において、ＥＬ素子を形成する前に画素部が正常
に動作するかどうかを検査する装置、検査方法、検査方
法を作製行程の途中に含む発光装置の作製方法、および
作製方法を用いて作製された発光装置に関する。

【０００２】なお、本発明におけるＥＬ素子とは、一対
の電極間にＥＬ層が挟まれた構造を有し、ＥＬ層は、電
界を加えることで蛍光又は燐光から成る発光が得られる
有機化合物を含む層のことをいう。

【０００３】また、本発明の検査装置により検査される
発光装置とは、ＥＬ素子を用いた画像表示デバイスもし
くは発光デバイスを指す。また、ＥＬ素子にコネクタ
ー、例えば異方導電性フィルム(ＦＰＣ: Flexible Prin
ted Circuit)もしくはＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g）テープもしくはTCP（Tape Carrier Package）が取り
付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプ
リント配線板が設けられたモジュール、またはＥＬ素子
にＣＯＧ（Chip On Glass）方式によりＩＣ（集積回
路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含む
ものとする。

【０００４】

【従来の技術】近年、基板上にＴＦＴ（thin film tran
sistor）を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマ
トリクス型表示装置（発光装置）への応用開発が進めら
れている。特に、ポリシリコン膜を用いたＴＦＴは、従
来のアモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界
効果移動度（モビリティともいう）が高いので、高速動
作が可能である。そのため、従来、基板外の駆動回路で
行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成し
た駆動回路で行うことが可能となっている。

【０００５】このようなアクティブマトリクス型の発光
装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むこと
で製造コストの低減、電気光学装置の小型化、歩留まり
の上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られ
る。

【０００６】さらに、自発光型の素子としてＥＬ素子を
有したアクティブマトリクス型の発光装置（ＥＬディス
プレイを含む）の研究が活発化している。発光装置は有
機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）
又は有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：
Organic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。

【０００７】発光装置が有するＥＬ素子は一対の電極
（陽極と陰極）間に有機化合物からなるＥＬ層が挟まれ
た構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっ
ている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパ
ニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸
送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に
発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光
装置は殆どこの構造を採用している。

【０００８】また他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。

【０００９】本明細書において陰極と陽極の間に設けら
れる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注
入層等は、全てＥＬ層に含まれる。

【００１０】そして、上記構造からなるＥＬ層に一対の
電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層において
キャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書中
では、陽極、ＥＬ層及び陰極で形成される発光素子をＥ
Ｌ素子と呼ぶ。

【００１１】ＥＬ素子が有するＥＬ層は熱、光、水分、
酸素等によって劣化が促進されることから、一般的にア
クティブマトリクス型の発光装置の作製において、画素
部に配線やＴＦＴを形成した後にＥＬ素子が形成され
る。

【００１２】そしてＥＬ素子が形成された後、ＥＬ素子
が設けられた基板（ＥＬパネル）とカバー材とを、ＥＬ
素子が外気に曝されないように貼り合わせてシール材等
により封止（パッケージング）する。

【００１３】パッケージング等の処理により気密性を高
めたら、基板上に形成された素子又は回路から引き回さ
れた端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター
（ＦＰＣ、ＴＡＢ等）を取り付けて、アクティブマトリ
クス型の発光装置が完成する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、アクティブマ
トリクス型の発光装置において、ＥＬ素子の一対の電極
からＥＬ層にかける所定の電圧（ＥＬ層に流れる電流）
は、各画素に設けられたトランジスタによって制御され
る。そのため、画素部が有するトランジスタが正常に機
能しなかったり、配線が断線またはショートするなど、
何らかの不具合が生じると、ＥＬ素子が有するＥＬ層に
所定の電圧（電流）をかけることができなくなる。その
場合、画素は所望の階調を表示することができなくなっ
てしまう。

【００１５】しかし、このように画素部においてＥＬ素
子の発光を制御する配線やトランジスタに何らかの不具
合が生じていても、発光装置を完成させて実際に表示を
行うまで、その不具合の存在を確認することが難しい。
そのため実際には製品にならない画素部を有していて
も、検査により良品との区別をつけるためには、ＥＬ素
子を完成させ、パッケージングし、コネクターを取り付
けて発光装置として完成させる必要がある。この場合、
ＥＬ素子を形成する工程と、パッケージングする工程
と、コネクターを取り付ける工程とが無駄になるため時
間とコストを抑えることができない。また多面取りの基
板を用いてＥＬパネルを形成する場合でも、パッケージ
ングして、コネクターを取り付ける工程が無駄になり、
同様に時間とコストを抑えることができない。

【００１６】アクティブマトリクス型の発光装置に先行
して量産化されているアクティブマトリクス型の液晶デ
ィスプレイでは、２つの基板間に液晶を封入して液晶デ
ィスプレイを完成させる前に、すなわち、画素部におい
て配線やＴＦＴを形成した後で、各画素が有するコンデ
ンサに電荷を蓄積し、その電荷量を各画素に測定して、
画素部に不具合が生じていないかどうかを確認してい
る。

【００１７】しかし、アクティブマトリクス型の発光装
置の場合、一般的に各画素にＴＦＴが２つ以上設けられ
ていることが多い。そして、ＥＬ素子が有する一方の電
極（画素電極）とコンデンサとが、トランジスタを間に
介して接続されている場合がある。この場合、コンデン
サに蓄積した電荷量を測定しても、コンデンサと画素電
極との間に接続されている配線及びトランジスタに不具
合があるかどうかを確認することが難しい。また、発光
装置の場合にはＥＬ素子に電流を流す必要があることか
ら、流れる電流値を測定することも必要である。

【００１８】アクティブマトリクス型の発光装置の量産
化に向けて、発光装置を完成させる前に、画素部におい
て配線及びトランジスタに不具合が生じていないか、言
い換えると、各画素のＥＬ素子の画素電極に所定の電圧
を印加することができるか（もしくは、所定の電流を流
すことができるか）どうかの検査方法の確立が求められ
ている。

【００１９】

【発明を解決するための手段】本発明で開示する電磁波
を用いた検査方法では、素子基板上に形成された半導体
素子や、これに接続され、マトリクス状に形成された画
素及び配線における欠陥があるかどうかを検査する。

【００２０】なお、本明細書中において素子基板とは、
基板上に配線及び半導体素子を形成した後、画素部に独
立して形成される画素のうち、半導体素子に接続された
画素電極まで形成された状態のものをいう。また、半導
体素子とは、半導体物質を用いたスイッチング機能を単
独または複数で構成される素子のことをいい、トランジ
スタ、特に電界効果型トランジスタ、代表的にはＭＯＳ
（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタや薄膜ト
ランジスタ（Thin Film Transistor：TFT）などが挙げ
られる。従って、ＭＯＳトランジスタが形成された半導
体基板やＴＦＴが形成された基板はどちらも素子基板に
含まれる。

【００２１】そして画素部が有する配線のうち、全ての
電流供給線を同じ電位に保った状態で、ゲート信号線を
順に選択してソース信号線に同じ電位を有する信号を順
に入力し、全ての画素を順に選択していく。なお本明細
書において画素が選択されるとは、画素が有するゲート
信号線が選択されている状態で、該画素が有するソース
信号線にビデオ信号が入力されることを意味する。

【００２２】また、対向検出基板を素子基板上に備え、
図１（Ａ）に示すように電磁波源１０１から対向検出基
板１０２と素子基板１０３の間にある気体に電磁波（好
ましくはＸ線）を照射する。なお電磁波源とは、電磁波
を発生することができるものであり、電磁波が発生する
と、電磁波により気体（ここでは、空気）が電離して、
イオンが発生し、電流が流れる電気的な通路が生じる。
なお、本明細書中において、対向検出基板とは、素子基
板上の画素が有する画素電極に流れる電流が電気的な通
路を介して流れる電極が形成された基板のことをいい、
対向検出基板上に形成された電極のことを対向検出電極
とよぶ。また、素子基板の画素電極に流れる電流が対向
検出基板の対向検出電極に流れることを通電状態にある
という。

【００２３】そして、素子基板１０３上のある画素が、
選択されているときには選択された画素と対向検出基板
１０２間が接続される。つまり、素子基板上の画素を順
次選択することにより、各画素をそれに応じて対向検出
基板１０２と電気的に接続させることができる。なお、
図１（Ａ）に示すように、素子基板上の特定の画素に流
れる電流を検出する際に、より正確に素子基板上に流れ
る電流を測定することができる位置のことを対応した位
置とよぶ。なお、対向検出基板を素子基板に対応した位
置に備えるためには、画素と対向検出電極が最も短距離
になるように素子基板、もしくは対向検出基板を移動さ
せる必要がある。

【００２４】このとき、対向検出基板１０２に流れる電
流は、対向検出基板１０２と接続された電流計１２３に
より測定することができる。すなわち、ここで測定した
電流値は、素子基板１０３の選択された画素に入力され
たビデオ信号によるものである。そして、測定した電流
の値がある一定の範囲内に納まっているかどうかを評価
することで、各画素が有する配線及びトランジスタに不
具合が生じていないかどうかを検査することができる。

【００２５】ある画素が選択されているときに画素電極
または画素電極となる導電膜に流れる電流が一定の範囲
からはずれている場合、該画素が有するトランジスタが
正常に機能していないとか、配線が断線またはショート
するなどの不具合が生じているものとみなすことができ
る。逆にある画素が選択されているときに画素電極また
は画素電極となる導電膜に流れる電流が一定の範囲に納
まっている場合、該画素が有するトランジスタ及び配線
は正常に機能しているものとみなすことができる。

【００２６】なお、トランジスタ及び配線が正常に機能
しているとみなすことができる電流値の範囲は、実施者
が適宜設定することができる。また検査した結果、不具
合が生じている画素（不良画素）の数が画素部にｎ個以
上存在している場合、該素子基板は不良品とみなされ
る。なお不良品とみなす不良画素の数ｎは、実施者が適
宜設定することができる。

【００２７】本発明の検査方法により検査した素子基板
上に予め形成されている電極（画素電極）上にこれと接
して有機化合物層を形成し、有機化合物層上にこれと接
して電極（対向電極）を形成することにより発光装置と
して完成させ実際に表示を行わなくても、素子基板が良
品か不良品かの区別をつけることが可能になる。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の検査装置及びそれを用い
て素子基板を検査する方法について図１を用いて説明す
る。なお、本発明において発光装置に用いるトランジス
タは、Ｍ０Ｓトランジスタであっても薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴという）であっても良い。また、ＴＦＴ
の場合、構造を限定する必要はなくプレーナ型や逆スタ
ガ型といった構造のＴＦＴを用いればよい。さらに、本
発明で用いる発光装置の駆動回路も公知のものを用いれ
ばよい。

【００２９】また、本発明の検査方法をＥＬ素子を有す
る発光装置に用いる場合には、ＥＬ素子の素子構造及び
ＥＬ材料には、公知のものを用いればよい。

【００３０】本明細書において、検査装置とは、電磁波
源１０１及び対向検出基板１０２をあわせたもののこと
をいう。しかし、ここで示した対向検出基板１０２は、
本発明の実施形態の一例であり、図１（Ａ）に示したよ
うな形状に限られることはない。対向検出基板のその他
の形状に関しては、本明細書中の実施例で詳しく述べる
こととする。

【００３１】また、電磁波源１０１は、電源１０４に接
続されており、電磁波源１０１内部の２枚の電極間に電
源１０４から数ｋＶの高電圧をかけた際に、陰極で発生
した電子が、陽極に衝突することで電磁波を発生させ
る。なお、本発明においては、０．０１〜１００ｎｍの
波長を有するＸ線または軟Ｘ線を用いることが望ましい
が、対向検出基板と素子基板の間にある気体を電離させ
ることができる電磁波がある場合には、それを用いるこ
ともできる。

【００３２】一般的に電磁波は、光イオン化の機能を有
している。この原理としては、安定した原子及び分子に
電磁波を照射することで、原子及び分子中の電子がはじ
き出され、電子がなくなったことによりプラス（＋）の
極性となった原子及び分子が発生する。

【００３３】そして、さらにはじき出された電子が別の
安定した原子又は、分子を攻撃することでマイナス
（−）の極性を持つ原子又は分子を発生させる。

【００３４】これにより、結果として電磁波が照射され
ている気体中は、プラスとマイナスにイオン化された原
子又は、分子が存在することになる。そこで、本発明で
は、素子基板１０３と対向検出基板１０２を図１（Ａ）
に示すように重ね合わせて電磁波源１０１から電磁波を
照射させ、電磁波が素子基板１０３と対向検出基板１０
２との間にある気体に照射されるようにする。このとき
気体（空気）は電磁波により電離するため、素子基板１
０３と対向検出基板１０２との間にイオンによる電気的
な通路を形成させることが可能となる。なお、ここでい
う気体とは、空気のことをいうが、より電離しやすい気
体を用いても良い。また、対向検出基板１０２と素子基
板１０３間の距離は極力近い方が好ましい。なお、具体
的には、対向検出基板１０２と素子基板１０３間の距離
が５００μｍ以下となるのが好ましい。

【００３５】素子基板１０３中には、画素がマトリクス
状に複数形成されている。また、素子基板１０３は、駆
動回路（Ａ）１０７に接続されている。なお、駆動回路
（Ａ）１０７には、ゲート側駆動回路およびソース側駆
動回路を含む。そして、例えば図１（Ａ）に示すように
画素１０５にゲート側駆動回路からの選択信号が入力さ
れると、画素１０５が選択される。なお、ここでいう選
択信号とは、ゲート線に接続されたゲート電極に信号が
入力されることで、ゲート電極を開くことができる信号
のことをいい、選択信号により画素が有するゲート電極
が開く状態にあることを画素が選択されるという。画素
１０５が選択され、ソース側駆動回路からのビデオ信号
が入力されると、素子基板１０３上の画素１０５の画素
電極には、電流が流れる。更にこの電流は電磁波に電離
された気体中を通り、対向検出基板１０２上に形成され
る対向部１０６に流れる。なお、本明細書中において、
対向部１０６とは、素子基板１０３上に形成される画素
１０５に対応して対向検出基板１０２上にマトリクス状
に形成されており、素子基板１０３からの電流が流れる
対向検出電極と対向検出電極と接続された検査用ＴＦＴ
１２０が各対向部に形成されている。なお、本明細書中
において、検査用ＴＦＴ１２０とは、対向検出基板１０
２に接続された駆動回路（Ｂ）１０８から入力される選
択信号により、ゲート電極が開くと、選択された素子基
板１０３上の画素電極から対向検出電極を介して電流を
流すことができるＴＦＴのことをいう。

【００３６】ここで、素子基板１０３にマトリクス状に
形成された画素１０５の拡大図を図１（Ｂ）に示す。な
お、ここではトランジスタの例としてＴＦＴを例示して
説明するが、ＭＯＳトランジスタを用いても構わない。
図１（Ｂ）に示すように、検査を行う素子基板１０３
は、絶縁体上に駆動用ＴＦＴ及び画素部におけるＴＦＴ
（スイッチング用ＴＦＴ及び電流制御用ＴＦＴ）が形成
されている。

【００３７】図１（Ｂ）において、１１０はスイッチン
グ用ＴＦＴである。スイッチング用ＴＦＴ１１０のゲー
ト電極は、ゲート信号線１１１に接続されている。スイ
ッチング用ＴＦＴ１１０のソース領域とドレイン領域
は、一方がソース信号線１１２に、もう一方が電流制御
用ＴＦＴ１１３のゲート電極、各画素が有するコンデン
サ１１４にそれぞれ接続されている。

【００３８】コンデンサ１１４はスイッチング用ＴＦＴ
１１０が非選択状態（オフ状態）にある時、電流制御用
ＴＦＴ１１３のゲート電圧（ゲート電極とソース領域間
の電位差）を保持するために設けられている。なおここ
ではコンデンサ１１４を設ける構成を示したが、本発明
はこの構成に限定されず、コンデンサ１１４を設けない
構成にしても良い。

【００３９】また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース領
域とドレイン領域は、一方が電流供給線１１５に接続さ
れ、もう一方は画素１０５が有する画素電極と接続され
る。なお、電磁波を照射することにより電気的な通路が
形成されると画素電極は対向検出基板１０２上の対向部
１０６が有する検査用ＴＦＴ（図１（Ｃ）１２０）のソ
ース領域に接続される。なお、電流供給線１１５はコン
デンサ１１４に接続されている。

【００４０】また、対向検出基板１０２上にマトリクス
状に形成されている対向部１０６の拡大図を図１（Ｃ）
に示す。各対向部にはそれぞれ検査用ＴＦＴ１２０が形
成されており、ゲート電極は、駆動回路（Ｂ）１０８と
接続されたゲート信号線１２１に接続されている。そし
て、素子基板１０３上のある画素が選択されたときに
は、駆動回路（Ｂ）１０８からの選択信号により、選択
された基板上の画素に対応する対向部１０６が選択され
る。また、検査用ＴＦＴ１２０のドレイン領域は、ドレ
イン配線１２２に接続され、ドレイン配線１２２は、外
部で電流計１２３に接続されている。

【００４１】電流供給線１１２は電源電位が与えられて
おり、また、電源電位は、外付けのＩＣ等により設けら
れた電源によって与えられる。

【００４２】スイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制御用
ＴＦＴ１１３は、ｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型
ＴＦＴでもどちらでも用いることができる。ただし電流
制御用ＴＦＴ１１３のソース領域またはドレイン領域が
後に形成されるＥＬ素子の陽極と接続されている場合、
電流制御用ＴＦＴ１１３はｐチャネル型ＴＦＴであるこ
とが望ましい。また、電流制御用ＴＦＴ１１３のソース
領域またはドレイン領域がＥＬ素子の陰極と接続されて
いる場合、電流制御用ＴＦＴ１１３はｎチャネル型ＴＦ
Ｔであることが望ましい。

【００４３】またスイッチング用ＴＦＴ１１０、電流制
御用ＴＦＴ１１３は、シングルゲート構造ではなく、ダ
ブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲー
ト構造を有していても良い。

【００４４】次に、本発明の対向検出基板１０２及びそ
れを用いて検査する素子基板１０３を図２（Ａ）及び図
２（Ｂ）にそれぞれ示す。なお、図１（Ｂ）に示す画素
１０５がマトリクス状に形成されているのが図２（Ａ）
に示す画素部２０１である。図２（Ａ）には、ソース信
号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）及びゲ
ート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）が画素部２０１に設けられて
いる。

【００４５】ここでは、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）
と、電流供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、ゲート信号線（Ｇ１
〜Ｇｙ）とを１つずつ備えた領域が画素１０５である。

【００４６】図２（Ｂ）は、本発明の対向検出基板１０
２上にマトリクス状に形成される対向部１０６を示す。
なお、図２（Ｂ）には、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）が
設けられている。そして、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｘ）
からの信号により、対向部１０６が選択される。また、
対向部１０６における検査用ＴＦＴ１２０のドレイン領
域は、いずれも電流線（Ａ）と接続され、外部の電流計
１２３に接続されている。

【００４７】つまり、素子基板１０３上の選択された画
素から電気的な通路を通って流れる電流は、対向検出基
板１０２上で選択された対向部１０６に流れ、そして、
電流計１２３において検出される。なお、このように素
子基板１０３上の画素１０５と、それに対応する対向検
出基板１０２上の対向部１０６との距離が極力小さくな
るように対向検出基板を固定するステージ、素子基板を
固定するステージのいずれか一方、もしくはその両方に
位置合わせ機能を持たせても良い。

【００４８】次に素子基板１０３上の画素１０５におけ
るスイッチング用ＴＦＴ１１０及び電流制御用ＴＦＴ１
１３を本発明の検査法を用いて評価する方法について図
３を用いて説明する。

【００４９】図３（Ａ）は、素子基板１０３上の画素部
２０１に形成された画素一つ一つをそれぞれＸ−Ｙ座標
（Ｘ,Ｙ）で示したものである。つまりここでは、紙面
に向かって横方向にＸ列の画素が形成されており、紙面
に向かって縦方向にＹ行の画素が形成されていることを
示している。

【００５０】そして、各画素のゲート電極が選択される
と選択された画素にソース信号線駆動回路と電気的に接
続されるソース信号線からビデオ信号が入力される。こ
のとき、画素電極に流れる電流は気体中を電磁波で照射
して形成される電気的な通路を通り、対向検出基板１０
２の対向検出電極から検査用ＴＦＴ１２０に入力され、
さらにドレイン配線を通り、外部に接続された電流計１
２３に入力される。ここで、電流計１２３により、素子
基板１０３上の選択された画素と対応する対向部との間
に流れる電流を測定することができる。なお、電流計１
２３は、対向検出基板１０２上に形成させることも可能
である。

【００５１】なお、本実施の形態では、ビデオ信号がア
ナログ及びデジタルのいずれの場合においても「白」の
情報を有していた場合、電流制御用ＴＦＴはオンの状態
となっている。よって画素電極には電源電位が与えられ
る。その結果、「白」の情報を有するビデオ信号が入力
された画素から対向検出基板１０２の対向部１０６及び
電流計１２３に電流が流れる。

【００５２】逆に、「黒」の情報を有していた場合、素
子基板１０３に形成された電流制御用ＴＦＴ１１３はオ
フの状態となっている。よって画素電極には電源電位は
与えられない。その結果、「黒」の情報を有するビデオ
信号が入力された画素から対向検出基板１０２の対向部
１０６及び電流計１２３に流れる電流は「白」の情報を
有するビデオ信号が入力された時に比べて少なくなる。

【００５３】上記は、スイッチング用ＴＦＴ１１０及び
電流制御用ＴＦＴ１１３のいずれも正常に機能している
場合である。しかし、これらのいずれかが不良であった
場合には、流れるべき電流が流れなかったり、流れるは
ずのない電流が流れてしまったりといった事態が生じ
る。

【００５４】そこで、本発明では、予め正常に機能する
ＴＦＴを有する画素を用いて、ビデオ信号が「黒」の時
の電流値及び「白」の時の電流値を測定しておき参照デ
ータとするのがよい。

【００５５】さらに本発明では、データの評価には、ビ
デオ信号が白の時と黒の時にそれぞれ流れる電流値の比
（白黒の比）を用いる。

【００５６】図３（Ｂ）には、測定した結果を規格化し
た白黒の比で示した一例を示す。この規格化において
は、参照データを用いて十分に白黒の比（コントラス
ト）がとれるものを１００とした。この表は、縦軸に白
黒の比を取り、横軸に画素の座標を取る。また、白黒の
比に基準を設け、ここでは、白黒の比が２０以上１００
以下であるときには、良品であるとする。つまり、図３
（Ｂ）の斜線領域が良品基準内となる。

【００５７】しかし、座標（１,３）のように白黒の比
が基準値よりも低くなっている場合には、不良品と判断
し、それ以降の工程からはずすことになる。白黒の比の
良品基準は、求められる水準に応じて設定すればよい。

【００５８】以上に示した方法を用いて、各画素の特性
を評価することにより、不良品を早期に発見することが
できる。これにより不良品については、以降のＥＬ素子
形成といった製造プロセスからはずすことができる。更
に不良の程度によっては、リペア工程により修復させて
以降の工程を流すことができる。なお、素子基板の検査
工程が終了後、画素電極（第１の電極）上に有機化合物
層及び陰極（第２の電極）を形成し、発光装置を完成さ
せる方法については以下の実施例において詳細に説明す
る。

【００５９】以上の結果、不良品を最終工程まで通すこ
とにより生じるロスの低減及びリペアでの修復により歩
留まりの向上に寄与することができる。

【００６０】

【実施例】〔実施例１〕本実施例では、本発明の発光装
置の画素部とその周辺に設けられる駆動回路部（ソース
信号線側駆動回路、ゲート信号線側駆動回路、画素選択
信号線側駆動回路）のＴＦＴを同時に作製する方法につ
いて説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回
路部に関しては基本単位であるＣＭＯＳ回路を図示する
こととする。

【００６１】まず、図４（Ａ）に示すように、コーニン
グ社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表
されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウ
ケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板５００１上に酸
化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン
膜などの絶縁膜から成る下地膜５００２を形成する。例
えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏから
作製される酸化窒化シリコン膜５００２ａを１０〜２０
０[nm]（好ましくは５０〜１００[nm]）形成し、同様に
ＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン
膜５００２ｂを５０〜２００[nm]（好ましくは１００〜
１５０[nm]）の厚さに積層形成する。本実施例では下地
膜５００２を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単
層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良
い。

【００６２】島状半導体層５００３〜５００６は、非晶
質構造を有する半導体膜をレーザー結晶化法や公知の熱
結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。
この島状半導体層５００３〜５００６の厚さは２５〜８
０[nm]（好ましくは３０〜６０[nm]）の厚さで形成す
る。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは
シリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金
などで形成すると良い。

【００６３】レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製
するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレ
ーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザーを用いる。
これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器か
ら放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施
者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用
いる場合はパルス発振周波数３００[Hz]とし、レーザー
エネルギー密度を１００〜４００[mJ/cm²](代表的には
２００〜３００[mJ/cm²])とする。また、ＹＡＧレーザ
ーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周
波数３０〜３００[Hz]とし、レーザーエネルギー密度を
３００〜６００[mJ/cm²](代表的には３５０〜５００[mJ
/cm²])とすると良い。そして幅１００〜１０００[μ
m]、例えば４００[μm]で線状に集光したレーザー光を
基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重
ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９０[％]とし
て行う。

【００６４】次いで、島状半導体層５００３〜５００６
を覆うゲート絶縁膜５００７を形成する。ゲート絶縁膜
５００７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、
厚さを４０〜１５０[nm]としてシリコンを含む絶縁膜で
形成する。本実施例では、１２０[nm]の厚さで酸化窒化
シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのよう
な酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシ
リコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いて
も良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プ
ラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicat
e）とＯ₂とを混合し、反応圧力４０[Pa]、基板温度３０
０〜４００[℃]とし、高周波（１３．５６[MHz]）、電
力密度０．５〜０．８[W/cm²]で放電させて形成するこ
とができる。このようにして作製される酸化シリコン膜
は、その後４００〜５００[℃]の熱アニールによりゲー
ト絶縁膜として良好な特性を得ることができる。

【００６５】そして、ゲート絶縁膜５００７上にゲート
電極を形成するための第１の導電膜５００８と第２の導
電膜５００９とを形成する。本実施例では、第１の導電
膜５００８をＴａで５０〜１００[nm]の厚さに形成し、
第２の導電膜５００９をＷで１００〜３００[nm]の厚さ
に形成する。

【００６６】Ｔａ膜はスパッタ法で、Ｔａのターゲット
をＡｒでスパッタすることにより形成する。この場合、
Ａｒに適量のＸｅやＫｒを加えると、Ｔａ膜の内部応力
を緩和して膜の剥離を防止することができる。また、α
相のＴａ膜の抵抗率は２０[μΩcm]程度でありゲート電
極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は
１８０[μΩcm]程度でありゲート電極とするには不向き
である。α相のＴａ膜を形成するために、Ｔａのα相に
近い結晶構造をもつ窒化タンタルを１０〜５０[nm]程度
の厚さでＴａの下地に形成しておくとα相のＴａ膜を容
易に得ることができる。

【００６７】Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲット
としたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タング
ステン（ＷＦ₆）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することも
できる。いずれにしてもゲート電極として使用するため
には低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０
[μΩcm]以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大
きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中
に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害さ
れ高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場
合、純度９９．９９９９[％]のＷターゲットを用い、さ
らに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十
分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０
[μΩcm]を実現することができる。

【００６８】なお、本実施例では、第１の導電膜５００
８をＴａ、第２の導電膜５００９をＷとしたが、特に限
定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ
などから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする
合金材料もしくは化合物材料で形成してもよい。また、
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜
に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の
他の組み合わせの一例で望ましいものとしては、第１の
導電膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第
２の導電膜５００９をＷとする組み合わせ、第１の導電
膜５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の
導電膜５００９をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜
５００８を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導
電膜５００９をＣｕとする組み合わせが挙げられる。

【００６９】次に、レジストによるマスク５０１０を形
成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング
処理を行う。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Couple
d Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、
エッチング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂を混合し、１[Pa]の圧
力でコイル型の電極に５００[W]のＲＦ（１３．５６[MH
z]）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側
（試料ステージ）にも１００[W]のＲＦ（１３．５６[MH
z]）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印
加する。ＣＦ₄とＣｌ₂を混合した場合にはＷ膜及びＴａ
膜とも同程度にエッチングされる。

【００７０】上記エッチング条件では、レジストによる
マスクの形状を適したものとすることにより、基板側に
印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第
２の導電層の端部がテーパー形状となる。テーパー部の
角度は１５〜４５°となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残
すことなくエッチングするためには、１０〜２０[％]程
度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に
対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的に
は３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸
化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０[nm]程度エ
ッチングされることになる。こうして、第１のエッチン
グ処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１
の形状の導電層５０１１〜５０１６（第１の導電層５０
１１ａ〜５０１６ａと第２の導電層５０１１ｂ〜５０１
６ｂ）を形成する。このとき、ゲート絶縁膜５００７に
おいては、第１の形状の導電層５０１１〜５０１６で覆
われない領域は２０〜５０[nm]程度エッチングされ薄く
なった領域が形成される（図４（Ａ））。

【００７１】そして、第１のドーピング処理を行いＮ型
を付与する不純物元素を添加する。ドーピングの方法は
イオンドープ法もしくはイオン注入法で行えば良い。イ
オンドープ法の条件はドーズ量を１×１０¹³〜５×１０
¹⁴[atoms/cm²]とし、加速電圧を６０〜１００[keV]とし
て行う。Ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属す
る元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用
いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電
層５０１１〜５０１５がＮ型を付与する不純物元素に対
するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域５０
１７〜５０２５が形成される。第１の不純物領域５０１
７〜５０２５には１×１０²⁰〜１×１０²¹[atoms/cm³]
の濃度範囲でＮ型を付与する不純物元素を添加する（図
４（Ｂ））。

【００７２】次に、図４（Ｃ）に示すように、レジスト
マスクは除去しないまま、第２のエッチング処理を行
う。エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂とを用い、Ｗ
膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチン
グ処理により第２の形状の導電層５０２６〜５０３１
（第１の導電層５０２６ａ〜５０３１ａと第２の導電層
５０２６ｂ〜５０３１ｂ）を形成する。このとき、ゲー
ト絶縁膜５００７においては、第２の形状の導電層５０
２６〜５０３１で覆われない領域はさらに２０〜５０[n
m]程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。

【００７３】Ｗ膜やＴａ膜のＣＦ₄とＣｌ₂の混合ガスに
よるエッチング反応は、生成されるラジカルまたはイオ
ン種と反応生成物の蒸気圧から推測することができる。
ＷとＴａのフッ化物と塩化物の蒸気圧を比較すると、Ｗ
のフッ化物であるＷＦ₆が極端に高く、その他のＷＣ
ｌ₅、ＴａＦ₅、ＴａＣｌ₅は同程度である。従って、Ｃ
Ｆ₄とＣｌ₂の混合ガスではＷ膜及びＴａ膜共にエッチン
グされる。しかし、この混合ガスに適量のＯ₂を添加す
るとＣＦ₄とＯ₂が反応してＣＯとＦになり、Ｆラジカル
またはＦイオンが多量に発生する。その結果、フッ化物
の蒸気圧が高いＷ膜のエッチング速度が増大する。一
方、ＴａはＦが増大しても相対的にエッチング速度の増
加は少ない。また、ＴａはＷに比較して酸化されやすい
ので、Ｏ₂を添加することでＴａの表面が酸化される。
Ｔａの酸化物はフッ素や塩素と反応しないためさらにＴ
ａ膜のエッチング速度は低下する。従って、Ｗ膜とＴａ
膜とのエッチング速度に差を作ることが可能となりＷ膜
のエッチング速度をＴａ膜よりも大きくすることが可能
となる。

【００７４】そして、図５（Ａ）に示すように第２のド
ーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理
よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてＮ型
を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速
電圧を７０〜１２０[keV]とし、１×１０¹³[atoms/cm²]
のドーズ量で行い、図４（Ｂ）で島状半導体層に形成さ
れた第１の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成
する。ドーピングは、第２の形状の導電層５０２６〜５
０３０を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の
導電層５０２６ａ〜５０３０ａの下側の領域にも不純物
元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第
３の不純物領域５０３２〜５０３６が形成される。この
第３の不純物領域５０３２〜５０３６に添加されたリン
（Ｐ）の濃度は、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０ａ
のテーパー部における膜厚に従って緩やかな濃度勾配を
有している。なお、第１の導電層５０２６ａ〜５０３０
ａのテーパー部と重なる半導体層において、第１の導電
層５０２６ａ〜５０３０ａのテーパー部の端部から内側
に向かって若干、不純物濃度が低くなっているものの、
ほぼ同程度の濃度である。

【００７５】図５（Ｂ）に示すように第３のエッチング
処理を行う。エッチングガスにＣＨＦ₆を用い、反応性
イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いて行う。第３の
エッチング処理により、第１の導電層５０２６ａ〜５０
３１ａのテーパー部を部分的にエッチングして、第１の
導電層が半導体層と重なる領域が縮小される。第３のエ
ッチング処理によって、第３の形状の導電層５０３７〜
５０４２（第１の導電層５０３７ａ〜５０４２ａと第２
の導電層５０３７ｂ〜５０４２ｂ）を形成する。このと
き、ゲート絶縁膜５００７においては、第３の形状の導
電層５０３７〜５０４２で覆われない領域はさらに２０
〜５０[nm]程度エッチングされ薄くなった領域が形成さ
れる。

【００７６】第３のエッチング処理によって、第３の不
純物領域５０３２〜５０３６においては、第１の導電層
５０３７ａ〜５０４１ａと重なる第３の不純物領域５０
３２ａ〜５０３６ａと、第１の不純物領域と第３の不純
物領域との間の第２の不純物領域５０３２ｂ〜５０３６
ｂとが形成される。

【００７７】そして、図５（Ｃ）に示すように、Ｐチャ
ネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層５００４、５００
６に第1の導電型とは逆の導電型である第４の不純物領
域５０４３〜５０５４を形成するための第３のドーピン
グを行う。第３の形状の導電層５０３８ｂ、５０４１ｂ
を不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に
不純物領域を形成する。このとき、Ｎチャネル型ＴＦＴ
を形成する島状半導体層５００３、５００５及び配線部
５０４２はレジストマスク５２００で全面を被覆してお
く。不純物領域５０４３〜５０５４にはそれぞれ異なる
濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を
用いたイオンドープ法で形成し、そのいずれの領域にお
いても不純物濃度が２×１０²⁰〜２×１０²¹[atoms/c
m³]となるようにする。

【００７８】以上までの工程でそれぞれの島状半導体層
に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる第３
の形状の導電層５０３７〜５０４１がゲート電極として
機能する。また、５０４２は島状のソース信号線として
機能する。

【００７９】レジストマスク５２００を除去した後、導
電型の制御を目的として、それぞれの島状半導体層に添
加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程
はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。
その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマ
ルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱
アニール法では酸素濃度が１[ppm]以下、好ましくは
０．１[ppm]以下の窒素雰囲気中で４００〜７００
[℃]、代表的には５００〜６００[℃]で行うものであ
り、本実施例では５００[℃]で４時間の熱処理を行う。
ただし、第３の形状の導電層５０３７〜５０４２に用い
た配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため
層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で
活性化を行うことが好ましい。

【００８０】さらに、３〜１００[％]の水素を含む雰囲
気中で、３００〜４５０[℃]で１〜１２時間の熱処理を
行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程
は熱的に励起された水素により半導体層のダングリング
ボンドを終端する工程である。水素化の他の手段とし
て、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を
用いる）を行っても良い。

【００８１】次いで、図６（Ａ）に示すように、第１の
層間絶縁膜５０５５を無機絶縁材料により形成する。な
お、本実施例では、酸化窒化シリコン膜からなる第１の
層間絶縁膜５０５５を１００〜２００[nm]の厚さで形成
する。さらに、その上に有機絶縁物材料から成る第２の
層間絶縁膜５０５６を形成した後、第１の層間絶縁膜５
０５５、第２の層間絶縁膜５０５６、及びゲート絶縁膜
５００７に対してコンタクトホールを形成し、各配線
（接続配線、信号線を含む）５０５７〜５０６２、５０
６４をパターニング形成した後、接続配線５０６２に接
する画素電極５０６３をパターニング形成する。

【００８２】第２の層間絶縁膜５０５６としては、有機
樹脂を材料とする膜を用い、その有機樹脂としてはポリ
イミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン）等を使用することができる。特に、第２の層間
絶縁膜５０５６は平坦化の意味合いが強いので、平坦性
に優れたアクリルが好ましい。本実施例ではＴＦＴによ
って形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリ
ル膜を形成する。好ましくは１〜５[μm]（さらに好ま
しくは２〜４[μm]）とすれば良い。

【００８３】コンタクトホールの形成は、ドライエッチ
ングまたはウエットエッチングを用い、Ｎ型の不純物領
域５０１７、５０１８、５０２１、５０２３またはＰ型
の不純物領域５０４３〜５０５４に達するコンタクトホ
ール、配線５０４２に達するコンタクトホール、電流供
給線に達するコンタクトホール（図示せず）、及びゲー
ト電極に達するコンタクトホール（図示せず）をそれぞ
れ形成する。

【００８４】また、配線（接続配線、信号線を含む）５
０５７〜５０６２、５０６４として、Ｔｉ膜を１００[n
m]、Ｔｉを含むアルミニウム膜を３００[nm]、Ｔｉ膜１
５０[nm]をスパッタ法で連続形成した３層構造の積層膜
を所望の形状にパターニングしたものを用いる。勿論、
他の導電膜を用いても良い。

【００８５】また、本実施例では、画素電極５０６３と
してＩＴＯ膜を１１０[nm]の厚さに形成し、パターニン
グを行った。画素電極５０６３を接続配線５０６２と接
して重なるように配置することでコンタクトを取ってい
る。また、酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛
（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いても良い。この
画素電極５０６３がＥＬ素子の陽極となる。（図６
（Ａ））なお、検出の関係で画素電極面積に対して配線
領域の面積が多くなると誤差が多くなるため画素エリア
の比は、高い方が良い。又、表示素子においては、高開
口率が求められるために両者の要求は合致している。

【００８６】ここまで形成したら、本発明の検査方法及
び検査装置を用いて本発明の実施の形態で説明したよう
に素子基板の検査を行う。また、ここまで形成した本実
施例における発光装置の画素部の上面図を図７（Ａ）
に、回路図を図７（Ｂ）に示す。なお、図７（Ａ）及び
図７（Ｂ）では、共通の符号を用いるので互いに参照す
ればよい。

【００８７】スイッチング用ＴＦＴ７０２のソースはソ
ース配線７１５に接続され、ドレイン領域はドレイン配
線７０５に接続される。また、ドレイン配線７０５は電
流制御用ＴＦＴ７０６のゲート電極７０７に電気的に接
続される。また、電流制御用ＴＦＴ７０６のソースは電
流供給線７１６に電気的に接続され、ドレイン領域はド
レイン配線７１７に電気的に接続される。また、ドレイ
ン配線７１７は点線で示される画素電極（陽極）７１８
に電気的に接続される。

【００８８】このとき、７１９で示される領域には保持
容量が形成される。保持容量７１９は、電流供給線７１
６と電気的に接続された半導体膜７２０、ゲート絶縁膜
と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート電極７０７と
の間で形成される。また、ゲート電極７０７、第１層間
絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電流供給線７１６で
形成される容量も保持容量として用いることが可能であ
る。

【００８９】さらに本実施例において用いる対向検出基
板の上面図を図８に示す。なお、本実施例において用い
る対向検出基板は、電磁波を透過しやすい材料としてガ
ラス、石英を用いればよい。なお、本実施例では電磁波
として０．１〜１００ｎｍの波長の電磁波である軟エッ
クス線を用いる。また、対向検出基板は、本実施例で説
明した素子基板の作製と同様の方法を用いて作製するこ
とができる。ただし、対向検出基板に形成された対向検
出電極は、素子基板の画素電極を形成させた材料とは異
なり、ベリリウム、アルミニウムからなり、軟Ｘ線を透
過しやすい材料を用いるとよい。また、これらの材料
は、各対向部全面にベタに形成しても良いが、ストライ
プ状に形成しても、メッシュ状に形成しても良い。

【００９０】なお、対向検出基板を別の低温成膜プロセ
スにより作製した場合には、ガラス、石英の他に塩化ビ
ニルやアクリルといった有機樹脂を用いることができ
る。

【００９１】８０１は検査用ＴＦＴであり、検査用ＴＦ
Ｔ８０１のソース領域８０２はソース配線８０３により
対向検出電極に接続され、空気中の気体に軟エックス線
が照射され、電気的通路が生じたときに素子基板の画素
電極と電気的に接続される。また、検査用ＴＦＴ８０１
のドレイン領域８０４はドレイン配線（８０５ａ及び８
０５ｂ）に接続され、外部に設けられた電流計（図示せ
ず）に電気的に接続される。

【００９２】なお、軟Ｘ線が気体に照射されると気体は
電離するが、本発明における電離とは、電流が画素電極
から、電離された気体中を介して対向検出電極に流れる
程度に電離することをいう。

【００９３】また、ゲート電極８０６は、ゲート線８０
７に接続され、対向検出電極は、８０８に点線で示され
る領域である。

【００９４】画素電極を有する素子基板を形成させた
ら、以下に示すように素子基板の検査を行う。まず、素
子基板９０１と対向検出基板９０２を図９に示すように
上下に備え検査を行う。なお、本実施例では、素子基板
９０１と対向検出基板９０２を図９に示すような配置と
し、対向検出基板の上方から電磁波を照射して、空気を
電離させる構成としたが、本発明はこれに限られること
はなく空気が電離され、これにより素子基板９０１と対
向検出基板９０２との間に電流を流すことのできる電気
的な通路を形成させることができればよい。

【００９５】電磁波源９０３から対向検出基板９０２に
軟Ｘ線を照射すると、対向検出基板９０２を軟Ｘ線が透
過して、対向検出基板９０２と素子基板９０１の間にあ
る空気中に軟Ｘ線が照射される。図９において９０７で
示されるように空気が軟Ｘ線により電離されることによ
り見かけの抵抗が形成される。

【００９６】これにより、空気中に電気的な通路が形成
され、素子基板９０１上の選択された画素にビデオ信号
が入力されたときに画素電極９０４に流れる電流が、こ
の電気的な通路を通り対向検出基板９０２上の対向検出
電極９０５に入力される。

【００９７】ここで入力された電流は、対向検出電極９
０５と接続された検査用ＴＦＴ（図示せず）のソース領
域からドレイン領域を経て、ドレイン配線により外部の
電流計９０６に入力される。外部の電流計により、素子
基板９０１上の画素にビデオ信号が入力されたとき
（白）と、入力されていないとき（黒）に画素電極に流
れるそれぞれの電流量を検出し、これを白黒の比として
示すことにより、素子基板９０１上のＴＦＴの品質を評
価する。そして、ある基準値よりも低い品質のものをは
ずしてＥＬ素子形成のプロセスを行う。更に、不良の原
因や不良の程度によっては、リペア工程により修復させ
て以降の工程に流すことも可能である。

【００９８】次に、図６（Ｂ）に示すように、珪素を含
む絶縁膜（本実施例では酸化珪素膜）を５００[nm]の厚
さに形成し、画素電極５０６３に対応する位置に開口部
を形成して、バンクとして機能する第３の層間絶縁膜５
０６５を形成する。開口部を形成する際、ウエットエッ
チング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とす
ることができる。開口部の側壁が十分になだらかでない
と段差に起因するＥＬ層の劣化が顕著な問題となってし
まうため、注意が必要である。

【００９９】次に、ＥＬ層５０６６及び陰極（ＭｇＡｇ
電極）５０６７を、真空蒸着法を用いて大気解放しない
で連続形成する。なお、ＥＬ層５０６６の膜厚は８０〜
２００[nm]（典型的には１００〜１２０[nm]）、陰極５
０６７の厚さは１８０〜３００[nm]（典型的には２００
〜２５０[nm]）とすれば良い。

【０１００】この工程では、赤色に対応する画素、緑色
に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次、
ＥＬ層５０６６及び陰極５０６７を形成する。但し、Ｅ
Ｌ層５０６６は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリ
ソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはな
らない。そこで、メタルマスクを用いて所望の画素以外
を隠し、必要箇所だけ選択的にＥＬ層５０６６及び陰極
５０６７を形成する蒸着法などの方法を用いるのが好ま
しい。

【０１０１】即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て
隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光の
ＥＬ層５０６６を選択的に形成する。次いで、緑色に対
応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマス
クを用いて緑色発光のＥＬ層５０６６を選択的に形成す
る。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠す
マスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のＥＬ
層５０６６を選択的に形成する。なお、ここでは全て異
なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスク
を使いまわしても構わない。

【０１０２】ここではＲＧＢに対応した３種類のＥＬ素
子を形成する方式を用いたが、白色発光のＥＬ素子とカ
ラーフィルタを組み合わせた方式、青色または青緑発光
のＥＬ素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを
組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を利用
してＲＧＢに対応したＥＬ素子を重ねる方式などを用い
ても良い。

【０１０３】なお、ＥＬ層５０６６を形成する材料とし
ては公知の材料を用いることができる。公知の材料とし
ては、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ま
しい。例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子
注入層からなる４層をＥＬ層とすれば良い。

【０１０４】次に、同じゲート信号線にゲート電極が接
続されたスイッチング用ＴＦＴを有する画素（同じライ
ンの画素）上に、メタルマスクを用いて対向電極５０６
７を形成する。なお本実施例では対向電極５０６７には
陰極材料であるＭｇＡｇを用いたが、本発明はこれに限
定されない。対向電極５０６７として他の公知の材料を
用いても良い。

【０１０５】最後に、窒化珪素膜からなるパッシベーシ
ョン膜５０６８を３００[nm]の厚さに形成する。パッシ
ベーション膜５０６８を形成しておくことで、ＥＬ層５
０６６を水分等から保護することができ、ＥＬ素子の信
頼性をさらに高めることができる。

【０１０６】こうして図６（Ｂ）に示すような構造の発
光装置が完成する。なお、本実施例における発光装置の
作成工程においては、回路の構成及び工程の関係上、ゲ
ート電極を形成している材料であるＴａ、Ｗによってソ
ース信号線を形成し、ソース、ドレイン電極を形成して
いる配線材料であるＡｌによってゲート信号線を形成し
ているが、異なる材料を用いても良い。

【０１０７】ところで、本実施例の発光装置は、画素部
だけでなく駆動回路部にも最適な構造のＴＦＴを配置す
ることにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向
上しうる。また結晶化工程においてＮｉ等の金属触媒を
添加し、結晶性を高めることも可能である。それによっ
て、ソース信号線駆動回路の駆動周波数を１０[MHz]以
上にすることが可能である。

【０１０８】まず、極力動作速度を落とさないようにホ
ットキャリア注入を低減させる構造を有するＴＦＴを、
駆動回路部を形成するＣＭＯＳ回路のＮチャネル型ＴＦ
Ｔとして用いる。なお、ここでいう駆動回路としては、
シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、線順次駆動
におけるラッチ、点順次駆動におけるトランスミッショ
ンゲートなどが含まれる。

【０１０９】本実施例の場合、Ｎチャネル型ＴＦＴの活
性層は、ソース領域、ドレイン領域、ゲート絶縁膜を間
に挟んでゲート電極と重なるオーバーラップＬＤＤ領域
（Ｌ _OV領域）、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と
重ならないオフセットＬＤＤ領域（Ｌ_OFF領域）及びチ
ャネル形成領域を含む。

【０１１０】また、ＣＭＯＳ回路のＰチャネル型ＴＦＴ
は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならない
ので、特にＬＤＤ領域を設けなくても良い。勿論、Ｎチ
ャネル型ＴＦＴと同様にＬＤＤ領域を設け、ホットキャ
リア対策を講じることも可能である。

【０１１１】その他、駆動回路において、チャネル形成
領域を双方向に電流が流れるようなＣＭＯＳ回路、即
ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるよう
なＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回路を形成
するＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル形成領域の両サイ
ドにチャネル形成領域を挟む形でＬＤＤ領域を形成する
ことが好ましい。このような例としては、点順次駆動に
用いられるトランスミッションゲートなどが挙げられ
る。また駆動回路において、オフ電流を極力低く抑える
必要のあるＣＭＯＳ回路が用いられる場合、ＣＭＯＳ回
路を形成するＮチャネル型ＴＦＴは、Ｌ_OV領域を有して
いることが好ましい。このような例としては、やはり、
点順次駆動に用いられるトランスミッションゲートなど
が挙げられる。

【０１１２】なお、実際には図６（Ｂ）の状態まで完成
したら、さらに外気に曝されないように、気密性が高
く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム
等）や透光性のシーリング材でパッケージング（封入）
することが好ましい。その際、シーリング材の内部を不
活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バ
リウム）を配置したりするとＥＬ素子の信頼性が向上す
る。

【０１１３】また、パッケージング等の処理により気密
性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引
き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネ
クター（フレキシブルプリントサーキット：ＦＰＣ）を
取り付けて製品として完成させる。このような出荷でき
る状態にまでした状態を本明細書中では発光装置とい
う。

【０１１４】〔実施例２〕次に、本発明を用いて検査を
行う素子基板の画素部の構造において、実施例１で示し
たのと異なる構造を有する場合について図１０を用いて
説明する。

【０１１５】画素部１００１において、ソース信号線駆
動回路に接続されたソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、ＦＰ
Ｃを介して発光装置の外部の電源に接続された電流供給
線（Ｖ１〜Ｖｘ）、書き込み用ゲート信号線駆動回路に
接続された書き込み用ゲート信号線（第１のゲート信号
線）（Ｇａ１〜Ｇａｙ）、消去用ゲート信号線駆動回路
に接続された消去用ゲート信号線（第２のゲート信号
線）（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）が画素部１００１に設けられて
いる。

【０１１６】ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）と、電流供給
線（Ｖ１〜Ｖｘ）と、書き込み用ゲート信号線（Ｇａ１
〜Ｇａｙ）と、消去用ゲート信号線（Ｇｅ１〜Ｇｅｙ）
とを備えた領域が画素１００５である。画素部１００１
にはマトリクス状に複数の画素１００５が配列されるこ
とになる。本実施例に示す素子基板は、実施例１の構成
と組み合わせて実施することが可能である。

【０１１７】〔実施例３〕本実施例では、本発明の検査
を行う場合に実施例１で示したのとは異なる対向検出基
板を用いて検査を行う方法について図１１を用いて説明
する。

【０１１８】図１１において、１１０１は電磁波の中で
も０．１〜１００ｎｍの波長を有する軟Ｘ線を発生させ
る電磁波源であり、電磁波源１１０１には電源１１０４
が接続されている。

【０１１９】電磁波源１１０１から放射された軟Ｘ線
は、遮蔽板１１０５の対象面上に相応した微細な穴を通
過して対向検出基板１１０２に照射され、その他の部分
は遮蔽板１１０５により遮蔽される。なお、遮蔽板１１
０５は、軟Ｘ線を充分に遮蔽できる材料で形成されてい
る。そして、軟Ｘ線は対向検出基板１１０２を透過して
対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に位置す
る空気中に照射される。なお、本実施例で用いる対向検
出基板１１０２は、実施例１で用いたようなマトリクス
状に形成された対向部ごとに検査用ＴＦＴおよび対向検
出電極が形成されているものとは異なり、絶縁体上に金
属等の導体からなる膜形成させ、全面が対向検出電極と
して形成されている。なお、導体からなる膜は、全面ベ
タ状である必要はなく、ストライプ状、もしくはメッシ
ュ状に形成されていても良い。

【０１２０】また、対向検出基板１１０２は、素子基板
１１０３上に重なるようにのせて検査を行うことができ
る。

【０１２１】なお、対向検出電極を形成する導体として
は、ベリリウムやアルミニウムといった軟Ｘ線の透過率
の高い金属材料を用いると良い。また、遮蔽板１１０５
は、軟Ｘ線を遮蔽させるものであればよい。例えば、鉛
ガラスのような軟Ｘ線の透過率の低い材料を用い、軟Ｘ
線を照射させる部分に穴を開けて使用してもよい。

【０１２２】そして、本実施例においては、電磁波源１
１０１及び遮蔽板１１０５の下方に位置する対向検出基
板１１０２及び素子基板１１０３を同時にずらしながら
対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に存在す
る空気中に軟Ｘ線を照射する。すなわち、ここでは、素
子基板１１０３は、対向検出基板１１０２と連動してい
る。

【０１２３】軟Ｘ線が対向検出基板１１０２を透過して
対向検出基板１１０２と素子基板１１０３の間に存在す
る空気中に照射されることで、対向検出基板１１０２と
素子基板１１０３間に電気的な通路が形成され、これに
より素子基板１１０３上に形成された画素が有する画素
電極と対向検出基板１１０２上に形成された対向検出電
極とに流れる電流値の測定を行うことができる。

【０１２４】なお、ここでは、対向検出基板１１０２と
素子基板１１０３を連動させて素子基板を検査する構成
を示したが、これらを固定させ、電磁波源のみを移動さ
せる構成にすることも可能である。

【０１２５】測定方法及び評価方法に関しては、実施例
１と同様の方法を用いれば良い。なお、本実施例の構成
は、実施例１及び実施例２の構成と組み合わせて実施す
ることが可能である。

【０１２６】〔実施例４〕本実施例では、本発明の検査
を行う場合に実施例１及び実施例３で示したのとは異な
る対向検出基板を用いて検査を行う方法について図１２
を用いて説明する。

【０１２７】図１２において、１２０１は電磁波の中で
も０．０１〜１００ｎｍの波長を有するＸ線を発生させ
る電磁波源であり、電磁波源１２０１には電源１２０４
が接続されている。

【０１２８】電磁波源１２０１から放射されたＸ線は、
対向検出基板１２０２に集められた後、対向検出基板１
２０２を透過して素子基板１２０３上に放射される。こ
こで、対向検出基板１２０２上に形成される対向検出電
極に用いられる材料としては、Ｘ線の透過率の高いベリ
リウムやアルミニウムといった材料を用いると良い。

【０１２９】本実施例では、電磁波源１２０１と対向検
出基板１２０２の下方に素子基板１２０３が備えられて
おり、素子基板１２０３の各画素を検査するたびに素子
基板１２０３を移動させる。また、ミラー１２０５は、
Ｘ線を集光させる働きを有する。すなわち、本実施例に
おいて電磁波源１２０１と対向検出基板１２０２は固定
されており、素子基板１２０３が、異なる画素を検査す
る度に移動する構成になっている。

【０１３０】そして、Ｘ線が対向検出基板１２０２と素
子基板１２０３の間に存在する空気中に照射されること
で、対向検出基板１２０２と素子基板１２０３との間に
電気的な通路が形成され、これにより素子基板１２０３
上に形成された画素が有する画素電極から対向検出基板
１２０２上の対向検出電極に流れる電流値の測定を行う
ことができる。本実施例においては、対向検出基板１２
０２を透過したＸ線が素子基板１２０３上の測定したい
画素に照射されるために、所望の位置に電気的な通路を
形成することができるため、より正確に電流値を測定す
ることができる。

【０１３１】なお、ここでは、素子基板１２０３が移動
する構成を示したが、素子基板１２０３を固定して、電
磁波源１２０１と対向検出基板１２０２を連動させて検
査する構成にすることも可能である。また、この対向検
出基板１２０２をリング状にしてＸ線が通過するような
形状にしても良いし、近傍に単なる電極を備えても良
い。

【０１３２】本実施例においては、測定方法及び評価方
法は、実施例１と同様であるが、Ｘ線を集めるのが困難
な場合には、必要に応じて周囲に反射率の高いミラーを
備えたり、キャピラリープレートなどを備えて、Ｘ線を
所望の位置に照射しやすい環境にすることも可能であ
る。また、対向検出基板１２０２と素子基板間の距離は
極力近い方が好ましい。なお、本実施例の構成は、実施
例１〜実施例３の構成と自由に組み合わせて実施するこ
とが可能である。

【０１３３】〔実施例５〕実施例１〜実施例４では、素
子基板として表面にＴＦＴが形成された基板を例示した
が、本発明はＴＦＴの代わりに半導体基板に形成された
ＭＯＳトランジスタを用いた場合においても実施するこ
とができる。例えば、ＭＯＳトランジスタが形成された
半導体基板（典型的にはシリコンウェハ）も素子基板と
して検査することが可能である。

【０１３４】なお、本実施例の素子基板を検査するにあ
たって、発明の実施の形態、実施例３もしくは実施例４
に示された検査方法のいずれの構成を用いることができ
る。

【０１３５】〔実施例６〕本実施例では、本発明の表示
パネルにＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターを接続し、実際
に製品として出荷することができる形体にした場合につ
いて図１５、１６により説明する。

【０１３６】図１５において、１８０１は本発明の検査
方法をパスした画素部であり、複数の画素が設けられて
いる。

【０１３７】１８０２はソース信号線駆動回路、１８０
３はゲート信号線駆動回路である。ゲート信号線駆動回
路１８０３から出力された選択信号によって、ソース信
号線駆動回路１８０２から出力されたビデオ信号が画素
部１８０１の指定された画素に入力される。ビデオ信号
はデジタルでもアナログでもどちらでも良い。またソー
ス信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１８
０３はいくつ設けられていても良い。

【０１３８】ソース信号線駆動回路１８０２及びゲート
信号線駆動回路１８０３からなる駆動回路と、画素部１
８０１と、画素部１８０１が有する配線及び駆動回路が
有する配線を外部へ接続するコネクターとを有するモジ
ュールを、本明細書ではＯＬＥＤパネル１８０７と呼
ぶ。ＯＬＥＤパネル１８０７には、必ずしも駆動回路が
付けられている必要はなく、画素部１８０１と画素部１
８０１が有する配線は、別に形成されていても良い。

【０１３９】ここで、駆動回路と画素部１８０１とが別
の基板上に設けられＦＰＣやＴＡＢ等のコネクターによ
り接続されているＯＬＥＤパネルを外付け型ＯＬＥＤパ
ネルと呼び、駆動回路と画素部１８０１とが同じ基板上
に設けられているＯＬＥＤパネルを、一体型ＯＬＥＤパ
ネルと呼ぶ。なお、図１６（Ａ）に外付け型ＯＬＥＤパ
ネルを示し、図１６（Ｂ）に一体型ＯＬＥＤパネルを示
す。

【０１４０】図１６（Ａ）に外付け型ＯＬＥＤパネルの
上面図を示す。基板１８１０上に画素部１８０１が設け
られており、画素部１８０１が有する配線はＦＰＣ１８
１１を介して、外付け用基板１８１２上に設けられたソ
ース信号線駆動回路１８０２とゲート信号線駆動回路１
８０３とに接続されている。そして外部接続用ＦＰＣ１
８１２により、ソース信号線駆動回路１８０２及びゲー
ト信号線駆動回路１８０３と、画素部１８０１とが有す
る配線が外部へ接続されている。

【０１４１】図１６（Ｂ）に一体型ＯＬＥＤパネルの上
面図を示す。基板１８１０上に画素部１８０１、ソース
信号線駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８
０３が設けられている。画素部１８０１、ソース信号線
駆動回路１８０２及びゲート信号線駆動回路１８０３が
有する配線は外部接続用ＦＰＣ１８１２を介して、外部
へ接続されている。

【０１４２】図１５において、１８０４はコントローラ
ーであり、駆動回路を駆動し、画素部に１８０１に画像
を表示させるための機能を有している。例えば、外部か
ら入力された画像情報を有する信号をソース信号線駆動
回路１８０２に入力したり、駆動回路が駆動するための
信号（例えばクロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス
信号（ＳＰ））を生成したり、駆動回路や画素部１８０
１に電位を供給するための電源としての機能を有してい
る。

【０１４３】駆動回路と、画素部１８０１と、コントロ
ーラー１８０４と、画素部１８０１、駆動回路、及びコ
ントローラーがそれぞれ有する配線を外部へ接続するコ
ネクターとを有するモジュールを、本明細書ではＯＬＥ
Ｄモジュール１８０８と呼ぶ。ＯＬＥＤモジュール１８
０８は、ＯＬＥＤパネル１８０７に駆動回路及びコント
ローラー１８０４を付けたものである。

【０１４４】１８０５はマイコンであり、コントローラ
ー１８０４の駆動を制御している。マイコン１８０５
と、ＯＬＥＤモジュール１８０８とを有するモジュール
を本明細書ではマイコン付きＯＬＥＤモジュール１８０
９と呼ぶ。

【０１４５】なお実際には、ＯＬＥＤパネル１８０７、
ＯＬＥＤモジュール１８０８またはマイコン付きＯＬＥ
Ｄモジュール１８０９の形体で製品として出荷される。
本明細書において、ＯＬＥＤパネル１８０７、ＯＬＥＤ
モジュール１８０８またはマイコン付きＯＬＥＤモジュ
ール１８０９を全て発光装置に含めるものとする。

【０１４６】なお、本実施例で示す発光装置は、実施例
１に示した作製方法及び検査方法を用いることができ、
また、実施例２と同様の画素部の構成を用いることがで
きる。また、実施例３または、実施例４に示した検査方
法により検査を行うことができ、実施例５に示す素子基
板を適用することもできる。

【０１４７】〔実施例７〕本発明は、大型基板上に複数
の素子基板を同時に形成する場合においても実施するこ
とができる。

【０１４８】なお、この場合には、素子基板とは別に形
成された駆動回路と対向検出基板と電磁波源を連動させ
て、検査したい素子基板上に移動させればよい。また、
素子基板のみを移動させて検査させても良い。

【０１４９】複数の素子基板を検査する際には、検査す
る度に検査する素子基板と素子基板に接続される駆動回
路を電気的に接続し直す必要がある。なお、この時用い
られる素子基板側の接続端子は、検査用の端子を予め設
けておいても良いが、最終的にＦＰＣにより外部と接続
する際に用いる端子を用いることも可能である。

【０１５０】〔実施例８〕本発明の検査法を用いて検査
した後で作製された発光装置は、自発光型であるため液
晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性に優れ、
しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部
に用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を大画面で
鑑賞するには対角３０インチ以上（典型的には４０イン
チ以上）の電気器具（発光装置を筐体に組み込んだ電気
器具）の表示部として用いることができる。

【０１５１】なお、発光装置には、パソコン用ディスプ
レイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディス
プレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。
また、その他にも様々な電気器具の表示部として本発明
の検査方法を用いた発光装置を用いることができる。

【０１５２】その様な本発明の電気器具としては、ビデ
オカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコン
ポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた
画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（Ｄ
ＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるデ
ィスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜
め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さ
が重要視されるため、発光装置を用いることが望まし
い。それら電気器具の具体例を図１３、図１４に示す。

【０１５３】図１３（Ａ）は表示用ディスプレイであ
り、筐体１３０１、支持台１３０２、表示部１３０３等
を含む。本発明の発光装置は表示部１３０３に用いるこ
とができる。発光装置は自発光型であるためバックライ
トが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とす
ることができる。

【０１５４】図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
１３１１、表示部１３１２、音声入力部１３１３、操作
スイッチ１３１４、バッテリー１３１５、受像部１３１
６等を含む。本発明の発光装置は表示部１３１２に用い
ることができる。

【０１５５】図１３（Ｃ）は頭部取り付け型の電気器具
の一部（右片側）であり、本体１３２１、信号ケーブル
１３２２、頭部固定バンド１３２３、スクリーン部１３
２４、光学系１３２５、表示部１３２６等を含む。本発
明の発光装置は表示部１３２６に用いることができる。

【０１５６】図１３（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体１３３
１、記録媒体（ＤＶＤ等）１３３２、操作スイッチ１３
３３、表示部（ａ）１３３４、表示部（ｂ）１３３５等
を含む。表示部（ａ）１３３４は主として画像情報を表
示し、表示部（ｂ）１３３５は主として文字情報を表示
するが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、
（ｂ）１３３４、１３３５に用いることができる。な
お、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機
器なども含まれる。

【０１５７】図１３（Ｅ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体１３４
１、表示部１３４２、アーム部１３４３を含む。本発明
の発光装置は表示部１３４２に用いることができる。

【０１５８】図１３（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体１３５１、筐体１３５２、表示部１３５３、
キーボード１３５４等を含む。本発明の発光装置は表示
部１３５３に用いることができる。

【０１５９】なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。

【０１６０】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速
度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。

【０１６１】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。

【０１６２】ここで図１４（Ａ）は携帯電話であり、本
体１４０１、音声出力部１４０２、音声入力部１４０
３、表示部１４０４、操作スイッチ１４０５、アンテナ
１４０６を含む。本発明の発光装置は表示部１４０４に
用いることができる。なお、表示部１４０４は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を
抑えることができる。また、周囲が暗い場合印可する電
圧を下げて、輝度を下げれば低電力化により有効であ
る。

【０１６３】また、図１４（Ｂ）は音響再生装置、具体
的には車載用オーディオであり、本体１４１１、表示部
１４１２、操作スイッチ１４１３、１４１４を含む。本
発明の発光装置は表示部１４１２に用いることができ
る。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携
帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表
示部１４１２は黒色の背景に白色の文字を表示すること
で消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置
において特に有効である。

【０１６４】図１４（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体１４２１、表示部（Ａ）１４２２、接眼部１４２３、
操作スイッチ１４２４、表示部（Ｂ）１４２５、バッテ
リー１４２６を含む。本発明の発光装置は、表示部
（Ａ）１４２２、表示部（Ｂ）１４２５にて用いること
ができる。また、表示部（Ｂ）１４２５を、主に操作用
パネルとして用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表
示することで消費電力を抑えることができる。

【０１６５】また、本実施例にて示した電気器具におい
ては、消費電力を低減するための方法としては、外部の
明るさを感知するセンサ部を設け、暗い場所で使用する
際には、表示部の輝度を落とすなどの機能を付加するな
どといった方法が挙げられる。

【０１６６】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜実施例７に
示したいずれの構成を適用しても良い。

【０１６７】

【発明の効果】本発明の検査方法によって、素子基板を
発光装置として完成させ実際に表示を行わなくても、素
子基板が良品か不良品かの区別をつけることが可能にな
り、不良品を以降の製造プロセスからはずすことができ
る。その結果、製造コストの低減及び歩留まりの向上に
寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の検査装置を示す図。

【図２】本発明の素子基板及び対向検出基板の画素
構造を示す図。

【図３】本発明の検査による評価法を示す図。

【図４】発光装置を作製する方法を示す図。

【図５】発光装置を作製する方法を示す図。

【図６】発光装置を作製する方法を示す図。

【図７】本発明を用いて検査した素子基板の上面
図。

【図８】本発明に用いた対向検出基板の上面図。

【図９】本発明の検査方法を示す図。

【図１０】発光装置の画素の回路図。

【図１１】本発明の対向検出基板の構成を示す図。

【図１２】本発明の対向検出基板の構成を示す図。

【図１３】発光装置を用いた電気器具。

【図１４】発光装置を用いた電気器具。

【図１５】本発明の検査法を用いて検査された発光装
置。

【図１６】本発明の検査法を用いて検査された発光装
置。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁波源と、対向検出基板とを有し、前記電磁波源は、前記対向検出基板と検査される素子基
板との間の気体を電離させるものであることを特徴とす
る素子基板の検査装置。
【請求項２】請求項１において、前記電磁波源とは、
０．０１〜１００ｎｍの波長の電磁波またはＸ線を発生
するものであることを特徴とする素子基板の検査装置。
【請求項３】請求項１または請求項２において、前記対向検出基板と前記素子基板の間の電流を測定する
手段を有することを特徴とする素子基板の検査装置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか一におい
て、前記対向検出基板が対向検出電極を有することを特徴と
する素子基板の検査装置。
【請求項５】請求項４において、前記対向検出電極が
０．０１〜１００ｎｍの波長の電磁波またはＸ線を透過
させる導体からなることを特徴とする素子基板の検査装
置。
【請求項６】請求項５において、前記対向検出電極がベ
リリウムまたはアルミニウムからなることを特徴とする
素子基板の検査装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
て、前記対向検出基板がＴＦＴおよびＴＦＴに接続した電極
を複数有することを特徴とする素子基板の検査装置。
【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれか一におい
て、前記素子基板を電磁波源と素子基板上の検出位置が最短
距離になるように移動させる手段を有することを特徴と
する素子基板の検査装置。
【請求項９】請求項１乃至請求項７のいずれか一におい
て、前記対向検出基板および前記素子基板を前記電磁波源と
前記素子基板上の検出位置及びそれに対応した対向検出
電極の位置が最短距離になるように移動させる手段を有
することを特徴とする素子基板の検査装置。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか一に記
載の素子基板の検査装置を用いて素子基板と対向検出基
板の間の電流を測定し、前記素子基板の各画素電極の通
電状態を検査することを特徴とする素子基板の検査方
法。
【請求項１１】電磁波源から電磁波を照射し、前記対向検出基板と検査される素子基板との間の気体を
電離させることを特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項１２】請求項１１において、前記電磁波源から
０．０１〜１００ｎｍの波長の電磁波またはＸ線を発生
させることを特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項１３】請求項１１または請求項１２において、前記対向検出基板と前記素子基板の間の電流を測定する
ことを特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項１４】請求項１１乃至請求項１３のいずれか一
において、前記素子基板を前記電磁波源と前記素子基板上の検出位
置が最短距離になるように移動させることを特徴とする
素子基板の検査方法。
【請求項１５】請求項１１乃至請求項１７のいずれか一
において、前記対向検出基板および前記素子基板を前記電磁波源と
前記素子基板上の検出位置及びそれに対応した前記対向
検出電極の位置が最短距離になるように移動させること
を特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項１６】半導体素子と接続された電極を有する素
子基板を形成し、前記素子基板を検査し、前記半導体素子に接続された電極に接してＥＬ層を形成
し、前記ＥＬ層に接した電極を形成する発光装置の作製方法
であって、前記素子検査は、電磁波源から電磁波を照射し、前記素子基板と前記対向検出基板との間の気体を電離さ
せ、前記素子基板と前記対向検出基板の間の電流を測定し、前記素子基板の各画素電極の通電状態を検査することを
特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】請求項１６において、前記電磁波源から
０．０１〜１００ｎｍの波長の電磁波またはＸ線を発生
させることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】請求項１６または請求項１７に記載の作
製方法で作製されたことを特徴とする発光装置。