JP2002117572A - 光ピックアップ - Google Patents

光ピックアップ

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JP2002117572A
JP2002117572A JP2000309491A JP2000309491A JP2002117572A JP 2002117572 A JP2002117572 A JP 2002117572A JP 2000309491 A JP2000309491 A JP 2000309491A JP 2000309491 A JP2000309491 A JP 2000309491A JP 2002117572 A JP2002117572 A JP 2002117572A
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semiconductor light
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reflected
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JP2000309491A
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Nobumasa Ono
信正 小野
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Original Assignee
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 受発光半導体チップの数量とパッケージデバ
イスの数量を少くでき、安価でかつ調整が容易で、特性
変動が小さく信頼性の高い光ピックアップを提供する。 【解決手段】 受光半導体チップ16と、その受光半導
体チップ16の受光面と同一方向を向いた発光面を有す
る赤色LDチップ29とが納められた第1パッケージ2
4と、赤色LDチップ29と発光面の向く方向および発
光波長が異なる赤外LDチップ15が納められた第2パ
ッケージ5とを備える。第1,第2反射面17,20を有
する一体型の光学プリズム26によって、赤色LDチッ
プ29からの出射光を光ディスクに導くと共に、光ディ
スクからの反射光を受光半導体チップ16の受光面に導
き、さらに、赤外LDチップ15からの出射光が照射さ
れた光ディスクからの反射光を受光半導体チップ16の
受光面に導く。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスクの情
報を読み取るための発光素子と受光素子を備えた光ピッ
クアップに関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、光ピックアップとしては、ディスクリートの半導体
発光素子(レーザダイオード)と半導体受光素子を組み合
わせて使用するものや、ホログラムレーザ等の半導体発
光素子と半導体受光素子を一体化したパッケージデバイ
スを使用するものがある。
【0003】また、波長780nmの赤外レーザダイオ
ード(以下、LDという)を使用するCD(コンパクト・
ディスク)に対して、近年、波長650nmの赤色LD
を使用するDVD(デジタル・バーサタイル・ディスク)
が普及している。上記波長650nmの赤色LDの光を
使用して、光のスポットサイズを変更することによりC
Dの信号を再生することができる。しかし、CD−R
(コンパクト・ディスク・レコーダブル)は、波長650
nmの赤色LDの発光波長に対する反射率が低く、赤色
LDを使用した光学系では再生できないため、光ディス
クドライブは赤色LDのみでなく、赤外LDも搭載する
必要がある。
【0004】図24は従来のディスクリートのLD,半
導体受光素子で構成された光ピックアップの光学系図で
ある。図24に示すように、赤色LD1206から出射
した光は、平面ビームスプリッタ1207で反射し、ビ
ームスプリッタ1208を透過し、凸レンズ1204で
平行光となり、立ち上げミラー1203で反射し、対物
レンズ1202で光ディスク1201上に集光される。
一方、赤外LD1205から出射した光は、ビームスプ
リッタ1208で反射し、凸レンズ1204をとおり、
立ち上げミラー1203で反射し、対物レンズ1202
で光ディスク1201上に集光される。そして、光ディ
スク1201に集光された光は、光ディスク1201に
より反射し、対物レンズ1202、立ち上げミラー12
03、ビームスプリッタ1208を透過し、平面ビーム
スプリッタ1207を透過し、スポットレンズ1209
にて半導体受光素子1210上に適切な状態で集光され
る。この光学系では、赤色レーザ1206と赤外レーザ
1205の2つの光は、ビームスプリッタ1208で光
軸を一致させている。
【0005】上記光ピックアップの調整としては、光デ
ィスク1201上で焦点を結んだ光が、半導体受光素子
1210上に適切な状態に集光されるように、凸レンズ
1209を光軸方向に動かし、スポット光の集光状態が
適切になるように調整する。また、上記半導体受光素子
1210も、光軸と垂直方向に位置調整し、スポット光
の位置が半導体受光素子1210上の受光パターンの適
切な位置にくるようにする。さらに、赤外LD1205
については、赤色LD6120から出射した光と光軸が
一致するように、光軸に垂直な平面上で位置調整する。
また、赤外レーザ光が、光ディスク1201上で焦点を
結んだとき、半導体受光素子1210上に適切な状態に
集光されるように、凸レンズ1241を光軸方向に動か
し、位置調整する。
【0006】上記光ピックアップでは、パッケージデバ
イスの発光素子は、赤外LD1205と赤色LD120
6の2個で、それぞれ、発光半導体チップを各1個内蔵
しており、発光半導体チップの数量は、計2個を使用し
ている。また、パッケージデバイスの受光素子は、半導
体受光素子1210の1個であり、受光半導体チップを
1個内蔵している。したがって、受発光のパッケージデ
バイスとしては、計3個を使用し、半導体受発光チップ
としても計3個を使用している。
【0007】上記光ピックアップは、波長の異なる赤外
LD1205と赤色LD1206を使用する場合、赤外
LD1205からの光と赤色LD1206からの光をビ
ームスプリッタ1208を使用して重ね合わせ、光ディ
スク1201からの反射光を1つの半導体受光素子12
10で受けるという構成の光学系となる。この場合、半
導体チップの数量は、赤外LD1205と赤色LD12
06および半導体受光素子1210のチップの3個とな
るが、パッケージデバイスとしては、赤外LD1205
と赤色LD1206および半導体受光素子1210の3
個となり、パッケージ数が多く、光ピックアップの組み
立て工程における光学系の調整数も多いという欠点があ
る。さらに、ディスクリートのLDと半導体受光素子を
組み合わせた光学系を使用する場合、LDや受光素子か
らの受発光分離の光学素子までの光路長が長く、発光半
導体チップと受光半導体チップの間に介在する部材も多
いという欠点がある。このため、図24に示す光ピック
アップでは、受発光分離の光学素子であるビームスプリ
ッタ1208,赤外LD1205,赤色LD1206およ
び半導体受光素子1210の位置変動や、LDチップと
受光半導体チップとの間に介在する部材の位置変動によ
り、受光半導体チップ上での光スポットの位置ずれ量が
大きくなり、特性変動が大きく、信頼性に劣るという問
題がある。
【0008】一方、LDと半導体受光素子を1つのパッ
ケージに一体化したホログラムレーザを用いた光ピック
アップでは、LDチップや受光半導体チップからの受発
光分離の光学素子までの光路長が短くなり、発光半導体
チップと受光半導体チップの間に介在する部材も少ない
ので、光スポットの位置ずれ量が小さく、特性変動が小
さく、信頼性に優れている。しかしながら、上記ホログ
ラムレーザは、受発光の光路の分離にホログラムを使用
しており、ホログラムは光の波長により回折角度が変わ
るため、2つの波長の光を1つの受光半導体チップの受
光面の所定位置に所定の形状で集光することが困難であ
る。このため、ホログラムレーザを用いた光ピックアッ
プとしては、赤色のLDチップと受光半導体チップを一
体化したデバイスと、赤外色のLDチップと受光半導体
チップを一体化したデバイスとで構成された光ピックア
ップが用いられている。
【0009】図25は上記ホログラムレーザを用いた光
ピックアップの光学系図である。図25に示すように、
赤色ホログラムレーザ1312から出射した光は、ビー
ムスプリッタ1308を透過し、凸レンズ1304によ
り平行光となり、立ち上げミラー1303で反射し、対
物レンズ1302で光ディスク1上に集光される。そし
て、上記光ディスク1301に集光された光は、光ディ
スク1301で反射し、対物レンズ1302、立ち上げ
ミラー1303、凸レンズ1304にて集光され、ビー
ムスプリッタ1308を透過し、赤色ホログラムレーザ
1312の内部の受光半導体チップ上に適当な状態で集
光される。一方、赤外ホログラムレーザ1311から、
出射した光はビームスプリッタ1308で反射し、以降
は基本的に赤色ホログラムレーザ1312と同様であ
る。
【0010】また、図26は上記光ピックアップで使用
しているホログラムレーザの内部構造図を示している。
図26に示すように、パッケージ1324内のLDチッ
プ1315および受光半導体チップ1316は、金属ス
テム1323に搭載されている。これら半導体チップ1
315,1316と外部との導通をとるための接続ワイ
ヤー,リードピン等は、図26では省略している。
【0011】上記LDチップ1315から出射した光
は、ホログラム素子1314を通り、光ディスク上に集
光され、光ディスクで反射され、ホログラム素子131
4に戻ってくる。そして、光ディスクからの反射光は、
ホログラム素子1314上に形成されたホログラム13
14aにより回折され、LDチップ1315とは別方向
にある受光半導体チップ1316の受光面の所定位置に
適切な形状で集光される。
【0012】このように、図25に示す光ピックアップ
では、受発光のパッケージデバイスとしては、赤色ホロ
グラムレーザ1312,赤外ホログラムレーザ1311
の2個となるが、信号読み取り用の半導体受発光チップ
の数量としては、各ホログラムレーザ1311,131
2に半導体チップ1315,1316を夫々内蔵してい
るため、発光半導体チップが2個、受光半導体チップが
2個の計4個となり、ディスクリートの発光素子と受光
素子を組み合わせた場合の3個より多く、コストが高く
なるという問題がある。
【0013】そこで、この発明の目的は、受発光半導体
チップの数量とパッケージデバイスの数量を少くでき、
安価でかつ調整が容易で、特性変動が小さく信頼性の高
い光ピックアップを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の光ピックアップは、光ディスクから情報
を読み出すために使用される光ピックアップにおいて、
第1パッケージに納められた半導体受光素子と、上記第
1パッケージに納められ、上記半導体受光素子の受光面
と同一方向を向いた発光面を有する第1半導体発光素子
と、上記第1パッケージとは別の第2パッケージに納め
られ、上記第1半導体発光素子と発光面の向く方向およ
び発光波長が異なる第2半導体発光素子と、上記第1半
導体発光素子からの出射光を光ディスクに導くと共に、
上記光ディスクからの反射光を上記半導体受光素子の受
光面に導き、さらに、上記第2半導体発光素子からの出
射光が照射された上記光ディスクからの反射光を上記半
導体受光素子の受光面に導く一体型の光学プリズムとを
備えたことを特徴としている。
【0015】上記構成の光ピックアップによれば、上記
第1パッケージに納められた第1半導体受光素子からの
出射光を上記一体型の光学プリズムによって情報が記録
された光ディスク(CD,CD−ROM,DVDおよびM
O(Magnetic Optical Disc)等)に導き、上記光ディスク
からの反射光を光学プリズムによって上記第1パッケー
ジの上記半導体受光素子の受光面に導く。さらに、上記
第1パッケージとは別の第2パッケージの上記第1半導
体発光素子と発光面の向く方向および発光波長が異なる
第2半導体発光素子からの出射光が照射された光ディス
クからの反射光を光学プリズムによって上記半導体受光
素子の受光面に導く。このように、波長変動による光軸
の変動がない光学プリズムを使用することにより、波長
の違いによる光路の折れ曲がる角度が変わることがない
ため、温度変動による半導体発光素子の波長変動によっ
ても、ホログラムレーザのように光路が変わることがな
く、温度による特性変動の少ない光ピックアップが実現
できる。上記第1半導体発光素子と半導体受光素子を1
つのパッケージに納め、一体化した光学プリズムを第1
半導体発光素子と半導体受光素子の近傍に設置すること
により、部品位置ずれ等による特性変動、信頼性等への
影響を小さくできる。また、一体化した光学プリズム
と、第1半導体発光素子と半導体受光素子を納めた第1
パッケージおよび第2半導体発光素子を納めた第2パッ
ケージを使用することにより、信号検出用の受発光半導
体チップの数量(3個)が少なく、かつ、受発光パッケー
ジデバイスの数量(2個)が少ない光ピックアップが可能
となり、安価でかつ調整が容易で、特性変動も小さい信
頼性に優れた光ピックアップが得られる。
【0016】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムが、上記第1半導体発光素子から出射す
る往路側の光が透過し、光ディスクからの反射光である
復路側の光を反射する第1反射面と、上記第1反射面で
反射した復路側の光を上記半導体受光素子の受光面に向
かって反射する第2反射面とを有することを特徴として
いる。
【0017】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズムの第1反射面を上記第1半導体発光素
子から出射する往路側の光が透過し、透過した光が光デ
ィスクに照射される。そして、上記光学プリズムの第1
反射面で光ディスクからの反射光である復路側の光を反
射して、次に上記光学プリズムの第2反射面でその反射
した復路側の光を上記半導体受光素子の受光面に向かっ
て反射する。したがって、上記第1,第2反射面を有す
る簡単な構成の一体型の光学プリズムを用いることによ
って、光ディスクからの異なる波長の2つの反射光を1
つの半導体受光素子に導くことが容易にできる。
【0018】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムが、上記第1半導体発光素子から出射す
る往路側の光を反射する第1反射面と、上記第1反射面
で反射した往路側の光を上記光ディスクの方向に反射
し、かつ、上記光ディスクからの反射光である復路側の
光が透過する第2反射面とを有することを特徴としてい
る。
【0019】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記第1半導体発光素子から出射された往路側の光を上
記光学プリズムの第1反射面で反射し、その反射した光
を上記光学プリズムの第2反射面で光ディスクの方向に
反射して、光ディスクに照射する。そして、上記光ディ
スクからの反射光である復路側の光が光学プリズムの第
2反射面を透過して、上記半導体受光素子の受光面に向
かう。したがって、上記第1,第2反射面を有する簡単
な構成の一体型の光学プリズムを用いることによって、
光ディスクからの異なる波長の2つの反射光を1つの半
導体受光素子に導くことが容易にできる。
【0020】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムと上記光ディスクとの間に配置され、上
記第1半導体発光素子からの出射光の光軸と上記第2半
導体発光素子からの出射光の光軸とを重ね合わせる光学
素子を備えたことを特徴としている。
【0021】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズムと光ディスクとの間に配置されたビー
ムスプリッタやハーフミラー等の光学素子によって、上
記第1半導体発光素子からの出射光の光軸と上記第2半
導体発光素子からの出射光の光軸とを重ね合わせるの
で、第1第2半導体発光素子の異なる波長の光は、光デ
ィスクの同じ位置に照射され、光ディスクからの反射光
である復路側の同じ光路を通って上記半導体受光素子の
受光面に達する。
【0022】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記第1半導体発光素子からの出射光の光軸と上記第2半
導体発光素子からの出射光の光軸とを上記光学プリズム
により重ね合わせるようにしたことを特徴としている。
【0023】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズムから光ディスクに向けて反射される上
記第1半導体発光素子からの出射光の光軸と、上記第2
半導体発光素子からの出射光の光軸とが重なり合うよう
に、上記第2半導体発光素子からの出射光を光学プリズ
ムの第1,第2反射面で反射させる。例えば、上記第1
半導体発光素子から出射する往路側の光が透過し、光デ
ィスクからの反射光である復路側の光を反射する第1反
射面と、上記第1反射面で反射した復路側の光を上記半
導体受光素子の受光面に向かって反射する第2反射面と
を有する光学プリズムでは、その光学プリズムの第1反
射面から第2反射面への復路側の光の光軸と一致し、か
つその復路側の光の進む方向に対して逆方向に進むよう
に、第2半導体発光素子からの出射光を光学プリズムの
第2反射面を透過させて、第1反射面で光ディスクに向
けて反射させる。また、上記第1半導体発光素子から出
射する往路側の光を反射する第1反射面と、上記第1反
射面で反射した往路側の光を光ディスクの方向に反射
し、かつ、上記光ディスクからの反射光である復路側の
光が透過する第2反射面とを有する光学プリズムでは、
上記第1半導体発光素子からの出射光が光学プリズムの
第1反射面から第2反射面に進む往路側の光の光軸と一
致し、かつその往路側の光の進む方向と同一方向に進む
ように、第2半導体発光素子からの出射光を光学プリズ
ムの第1反射面を透過させて、第2反射面で光ディスク
に向けて反射させる。したがって、上記第1,第2半導
体発光素子の2つの光の光軸を重ね合わせるためのビー
ムスプリッタ等の光学素子が不要となり、コストを低減
できる。
【0024】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムの上記第2反射面が、上記第1反射面で
反射した復路側の光が進む方向に配列された複数の反射
面であることを特徴としている。
【0025】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記第1半導体発光素子から出射する往路側の光が透過
し、光ディスクからの反射光である復路側の光を反射す
る第1反射面と、上記第1反射面で反射した復路側の光
を上記半導体受光素子の受光面に向かって反射する第2
反射面とを有する光学プリズムにおいて、上記光学プリ
ズムの第1反射面で上記第1半導体発光素子から出射さ
れた往路側の光が透過し、透過した光が光ディスクに照
射される。そして、上記光学プリズムの第1反射面で光
ディスクからの反射光である復路側の光を反射して、次
に上記光学プリズムの第2反射面でその反射した復路側
の光を上記半導体受光素子の受光面に向かって反射す
る。このとき、上記第2反射面が第1反射面で反射した
復路側の光が進む方向に配列された複数の反射面である
ので、その複数の反射面で第1反射面で反射した復路側
の光が分岐される。したがって、複数の検出方式が可能
なように、復路側の光を複数の光に容易に分離でき、複
数種類の規格の光ディスクから信号を読み取ることが可
能となる。
【0026】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムの上記第2反射面が、上記第1反射面で
反射した復路側の光が進む方向に配列された2つの反射
面であって、上記第1半導体発光素子の発光面と上記半
導体受光素子の受光面の段差距離をcとし、上記光学プ
リズムの上記第1反射面から上記第2反射面のうちの上
記第1反射面に近い側の反射面までの光軸上の距離をa
とし、上記第2反射面である2つの反射面の間の光軸上
の距離をbとしたときに、 c=a+2/b ………………………… (1) の関係が成り立つことを特徴としている。
【0027】まず、上記光学プリズムが、上記第1半導
体発光素子から出射する往路側の光が透過し、光ディス
クからの反射光である復路側の光を反射する第1反射面
と、上記第1反射面で反射した復路側の光を上記半導体
受光素子の受光面に向かって反射する第2反射面とを有
し、その第2反射面が1つである場合について説明す
る。上記第1半導体発光素子の発光面から光ディスクま
での往路側の光路長とその光ディスクから上記半導体受
光素子の受光面までの復路側の光路長を等しくして、上
記半導体受光素子の受光面に結像させるため、上記第1
半導体発光素子の発光面と上記半導体受光素子の受光面
には光軸方向に段差を設けている。この段差は、復路側
が光学プリズムの第1,第2反射面間の光路長だけ第1
半導体発光素子の発光面が光学プリズムから遠くなる。
【0028】したがって、上記実施形態の光ピックアッ
プによれば、上記光学プリズムの上記第2反射面が、上
記第1反射面で反射した復路側の光が進む方向に配列さ
れた複数の反射面であるとき、上記式(1)の関係が成り
立つようにすることによって、光学プリズムの第1反射
面からの復路側の反射光が、第2反射面である2つの反
射面の中間にある仮想の反射面で反射されて上記半導体
受光素子の受光面に入射するときに、その第1反射面か
ら半導体受光素子の受光面までの復路側光路長が上記第
1半導体発光素子の発光面から第1反射面までの往路側
の光路長と等しくなる。そうすることによって、往路の
光路長に対して第2反射面である2つの反射面で分離さ
れた復路の光路長が等しい距離だけ長短にずれるので、
半導体受光素子の受光面で均等にぼける。したがって、
分離された光が均等にぼけるので、例えばビームサイズ
法であるサーボ信号の検出方式に適用できる。
【0029】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光プリズムの上記第2反射面で上記光ディスクの方向
に反射した光を透過すると共に、上記光ディスクからの
反射光である復路側の光の一部を反射し、一部は透過さ
せる分岐用の第3反射面と、その分岐用の第3反射面で
反射した光を上記半導体受光素子の受光面に向かって反
射させる第4反射面とを有し、上記光学プリズムと上記
光ディスクとの間に配置された分岐用光学プリズムを備
え、上記分岐用光学プリズムの第4反射面は、1つまた
は上記第3反射面で反射した復路側の光が進む方向に配
列された複数の反射面であることを特徴としている。
【0030】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記第1半導体発光素子から出射する往路側の光を反射
する第1反射面と、上記第1反射面で反射した往路側の
光を上記光ディスクの方向に反射し、かつ、上記光ディ
スクからの反射光である復路側の光が透過する第2反射
面とを有する光学プリズムにおいて、上記第1半導体発
光素子から出射された往路側の光を上記光学プリズムの
第1反射面で反射し、その反射した光を上記光学プリズ
ムの第2反射面で光ディスクの方向に反射して、分岐用
光学プリズムを透過して光ディスクに照射する。そし
て、上記光ディスクからの反射光である復路側の光が光
学プリズムの第2反射面を透過して、上記半導体受光素
子の受光面に向かう。このとき、上記光学プリズムと上
記光ディスクとの間に配置された分岐用光学プリズムの
分岐用の第3反射面によって、上記光ディスクからの反
射光である復路側の光の一部を反射し、一部は透過さ
せ、さらに分岐用光学プリズムの1つまたは複数の第4
反射面によって、第3反射面で反射した光を上記半導体
受光素子の受光面方向に反射させる。このように上記分
岐用光学プリズムにより光ディスクからの反射光である
復路側の光が分岐される。したがって、複数の検出方式
が可能なように、復路側の光を複数の光に分離でき、複
数種類の規格の光ディスクから信号を読み取ることが可
能となる。
【0031】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記第1半導体発光素子の発光面と上記半導体受光素子の
受光面の段差距離をcとし、上記光学プリズムの上記第
1反射面から上記第2反射面までの光軸上の距離をaと
し、上記分岐用光学プリズムの分岐用の上記第3反射面
から上記第4反射面までの光軸上の距離をbとしたとき
に、 a=2/b+c ………………………… (2) の関係が成り立つことを特徴としている。
【0032】まず、上記光ピックアップを用いた光学系
の往路と復路の光路長について説明すると、上記第1半
導体発光素子の発光面から光ディスクまでの往路側の光
路長とその光ディスクから上記半導体受光素子の受光面
までの復路側の光路長を等しくして、上記半導体受光素
子の受光面に結像させるため、上記第1半導体発光素子
の発光面と上記半導体受光素子の受光面には光軸方向に
段差を設けている。この段差は、往路側の光学プリズム
の第1,第2反射面間の光路長だけ半導体受光素子の受
光面が光学プリズムから遠くなる。
【0033】したがって、上記実施形態の光ピックアッ
プによれば、上記式(2)の関係が成り立つようにするこ
とによって、上記分岐用光学プリズムの第3反射面から
の復路側の反射光が、第3,第4反射面の中間にある仮
想の反射面で反射されて上記半導体受光素子の受光面に
入射するときに、その第3反射面から半導体受光素子の
受光面までの復路側の光路長が上記第1半導体発光素子
の発光面から第3反射面までの往路側の光路長と等しく
なる。そうすることによって、往路の光路長に対して、
分離された復路の光路長が等しい距離だけ長短にずれる
ので、半導体受光素子の受光面で均等にぼける。したが
って、分離された光が均等にぼけるので、例えばビーム
サイズ法であるサーボ信号の検出方式に適用できる。
【0034】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズム中を進んだ後に上記半導体受光素子の受
光面に向かって出射する復路側の光を分離するための回
折格子またはホログラムを備えたことを特徴としてい
る。
【0035】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズム中を進んだ後に上記半導体受光素子の
受光面に向かって出射する復路側の光が上記回折格子ま
たはホログラムによって分離されるので、簡単な構成で
上記半導体素子の受光面に受光される復路側の光を容易
に分離できる。なお、上記回折格子またはホログラム
は、光学プリズムの復路側の光が出射する面に形成して
もよいし、上記回折格子またはホログラムを有する光学
素子を光学プリズムの復路側の光が出射する面に張り付
けてもよいし、上記回折格子またはホログラムを有する
光学素子を光学プリズムの出射面と上記半導体受光素子
の受光面との間に配置してもよい。
【0036】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムを上記第1半導体発光素子からの出射光
の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させて、上記光
ディスクからの反射光である復路側の光の光軸を上記半
導体受光素子の受光面の所定の位置に導くことによっ
て、受光スポットの位置調整を行うことを特徴としてい
る。
【0037】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子からの出射
光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させることに
よって、上記光ディスクからの反射光である復路側の光
の光軸を上記半導体受光素子の受光面の所定の位置に導
くので、ナイフエッジ法,スポットサイズ法等の検出方
法において、回転方向と略垂直な方向に半導体受光素子
の受光面パターンを十分長く形成しておくことにより1
軸の回転のみで、受光スポットの光軸位置を容易に調整
することができる。
【0038】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムの上記第1反射面と上記第2反射面とが
平行でないことを特徴としている。
【0039】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズムの第1反射面と上記第2反射面とが平
行でなく、第2反射面で反射されて半導体受光素子の受
光面に向かう復路側の光の光軸が上記第1半導体発光素
子からの出射光の光軸と角度をなすので、光学プリズム
を第1反射面を透過する上記第1半導体発光素子からの
出射光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させた
り、その光軸に平行に移動させたり、光ディスクからの
反射光である復路の第1反射面と第2反射面との間の光
軸に平行に移動させたりすることによって、受光スポッ
トの光軸位置を容易に調整することができる。
【0040】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から出射され
た光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させると共
に、上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から出
射された光の光軸方向に移動させて、上記光ディスクか
らの反射光を上記半導体受光素子の受光面の所定の位置
に導くことによって、受光スポットの位置調整を行うこ
とを特徴としている。
【0041】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から出射さ
れた光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させると
共に、上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から
出射された光の光軸方向に移動させることによって、上
記光ディスクからの反射光を上記半導体受光素子の受光
面の所定の位置に導くので、受光スポットの光軸位置を
容易に調整することができる。
【0042】また、一実施形態の光ピックアップは、上
記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から出射され
た光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させると共
に、上記光学プリズムを上記第1,第2反射面間の上記
光ディスクからの反射光である復路側の光の光軸に平行
に移動させて、上記光ディスクからの反射光を上記半導
体受光素子の受光面の所定の位置に導くことによって、
受光スポットの位置調整を行うことを特徴としている。
【0043】上記実施形態の光ピックアップによれば、
上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から出射さ
れた光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させると
共に、上記光学プリズムを上記第1,第2反射面間の上
記光ディスクからの反射光である復路側の光の光軸に平
行に移動させることによって、上記光ディスクからの反
射光を上記半導体受光素子の受光面の所定の位置に導く
ので、受光スポットの光軸位置を容易に調整することが
できる。
【0044】また、この発明の光ピックアップは、光デ
ィスクから情報を読み出すために使用される光ピックア
ップにおいて、第1パッケージに納められた半導体受光
素子と、上記第1パッケージに納められ、上記半導体受
光素子の受光面と同一方向を向いた発光面を有する第1
半導体発光素子と、上記第1パッケージとは別の第2パ
ッケージに納められ、上記第1半導体発光素子と発光面
の向く方向および発光波長の異なる第2半導体発光素子
と、上記第1半導体発光素子から出射する往路側の光が
透過し、光ディスクからの反射光である復路側の光が反
射する第1反射面と、上記第1反射面で反射した復路側
の光を上記半導体受光素子の受光面の方向と反対の方向
に向かって反射する第2反射面とを有する第1光学プリ
ズムと、上記第1光学プリズムの上記第2反射面により
反射された復路側の光を、上記半導体受光素子の受光面
の方向に反射させる第2光学プリズムとを備え、上記第
1,第2光学プリズムによって、上記第1半導体発光素
子からの出射光を上記光ディスクに導くと共に、上記光
ディスクからの反射光を上記半導体受光素子の受光面に
導き、さらに、上記第2半導体発光素子からの出射光が
照射された上記光ディスクからの反射光を上記半導体受
光素子の受光面に導くことを特徴としている。
【0045】上記構成の光ピックアップによれば、上記
第1パッケージに納められた第1半導体受光素子からの
出射光が上記第1光学プリズムの第1反射面を透過し、
その第1反射面を透過した光が情報が記録された光ディ
スクに照射され、上記光ディスクからの反射光を第1光
学プリズムの第1反射面によって反射し、その反射した
光を第1光学プリズムの第2反射面で光ディスク側に反
射する。次に、上記第1光学プリズムの第2反射面によ
り反射された復路側の光を上記第2光学プリズムにより
上記半導体受光素子の受光面に導く。さらに、上記第
1,第2光学プリズムによって、第1パッケージとは別
の第2パッケージの上記第1半導体発光素子と発光面の
向く方向および発光波長が異なる第2半導体発光素子か
らの出射光を上記光ディスクに導き、上記光ディスクか
らの反射光を上記半導体受光素子の受光面に導く。この
ように、波長変動による光軸の変動がない光学プリズム
を使用することにより、波長の違いによる光路の折れ曲
がる角度が変わることがないため、温度変動による半導
体発光素子の波長変動によっても、ホログラムレーザの
ように光路が変わることがなく、温度による特性変動の
少ない光ピックアップが実現できる。また、上記第1半
導体発光素子と半導体受光素子を1つのパッケージに納
め、一体化した光学プリズムを第1半導体発光素子と半
導体受光素子の近傍に設置することにより、部品位置ず
れ等による特性変動、信頼性等への影響を小さくでき
る。また、上記第1,第2光学プリズムと、第1半導体
発光素子と半導体受光素子を納めた第1パッケージおよ
び第2半導体発光素子を納めた第2パッケージを使用す
ることにより、信号検出用の受発光半導体チップの数量
(3個)が少なく、かつ、受発光パッケージデバイスの数
量(2個)が少ない光ピックアップが可能となり、安価で
かつ調整が容易で、特性変動も小さい信頼性に優れた光
ピックアップが得られる。また、上記第2光学プリズム
を上記第1光学プリズムの上記第2反射面により反射さ
れた復路側の光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転
させたり、その光軸に略垂直な平面に沿って移動させた
りすることによって、上記光ディスクからの反射光を上
記半導体受光素子の受光面の所定の位置に導くことが可
能となる。
【0046】また、この発明の光ピックアップは、光デ
ィスクから情報を読み出すために使用される光ピックア
ップにおいて、第1パッケージに納められた半導体受光
素子と、上記第1パッケージに納められ、上記半導体受
光素子の受光面と同一方向を向いた発光面を有する第1
半導体発光素子と、上記第1パッケージとは別の第2パ
ッケージに納められ、上記第1半導体発光素子と発光面
の向く方向および発光波長の異なる第2半導体発光素子
と、上記第1半導体発光素子から出射された往路側の光
が透過し、上記光ディスクからの反射光である復路側の
光を反射する第1反射面を有する第1光学プリズムと、
上記第1光学プリズムの上記第1反射面で反射された復
路側の光を上記半導体受光素子の受光面に向かって反射
する第2反射面を有する第2光学プリズムとを備え、上
記第1,第2光学プリズムによって、上記第1半導体発
光素子からの出射光を上記光ディスクに導くと共に、上
記光ディスクからの反射光を上記半導体受光素子の受光
面に導き、さらに、上記第2半導体発光素子からの出射
光が照射された上記光ディスクからの反射光を上記半導
体受光素子の受光面に導くことを特徴としている。
【0047】上記構成の光ピックアップによれば、上記
第1パッケージに納められた第1半導体受光素子からの
出射光が上記第1光学プリズムの第1反射面を透過し、
その第1反射面を透過した光が上記光ディスクに照射さ
れ、上記光ディスクからの反射光を第1光学プリズムの
第1反射面によって反射する。そして、上記第1反射面
により反射された光を上記第2光学プリズムの第2反射
面で反射して、上記半導体受光素子の受光面に導く。さ
らに、上記第1パッケージとは別の第2パッケージの上
記第1半導体発光素子と発光面の向く方向および発光波
長が異なる第2半導体発光素子からの出射光が照射され
た光ディスクからの反射光を第1光学プリズムの第1反
射面によって反射して、その反射された光を上記第2光
学プリズムの第2反射面で反射して、上記半導体受光素
子の受光面に導く。このように、波長変動による光軸の
変動がない第1,第2光学プリズムを使用することによ
り、波長の違いによる光路の折れ曲がる角度が変わるこ
とがないため、温度変動による半導体発光素子の波長変
動によっても、ホログラムレーザのように光路が変わる
ことがなく、温度による特性変動の少ない光ピックアッ
プが実現できる。また、上記第1半導体発光素子と半導
体受光素子を1つのパッケージに納め、一体化した光学
プリズムを第1半導体発光素子と半導体受光素子の近傍
に設置することにより、部品位置ずれ等による特性変
動、信頼性等への影響を小さくできる。また、一体化し
た光学プリズムと、第1半導体発光素子と半導体受光素
子を納めた第1パッケージおよび第2半導体発光素子を
納めた第2パッケージを使用することにより、信号検出
用の受発光半導体チップの数量(3個)が少なく、かつ、
受発光パッケージデバイスの数量(2個)が少ない光ピッ
クアップが可能となり、安価でかつ調整が容易で、特性
変動も小さい信頼性に優れた光ピックアップが得られ
る。さらに、上記第1,第2光学プリズムを上記第1半
導体発光素子からの出射光の光軸に直角な平面に沿って
移動させることによって、上記光ディスクからの反射光
を上記半導体受光素子の受光面の所定の位置に導くこと
が可能となる。
【0048】
【発明の実施の形態】以下、この発明の光ピックアップ
を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0049】(第1実施形態)図1はこの発明の第1実
施形態の光ピックアップに用いられるパッケージデバイ
スの断面図であり、ビームスプリッタで波長の異なる2
つの光の光軸を重ね合わせた以降の光学系は、図24に
示す従来の光学系と同一の構成であるため省略してい
る。
【0050】図1に示すように、基部24aに固定され
た金属ステム23に、第1半導体発光素子としての赤色
LDチップ29と受光半導体チップ16とを搭載してい
る。上記基部24a上に金属ステム23を覆うキャップ
24bを固定し、基部24a,キャップ24bで第1パッケ
ージ24を構成している。上記キャップ24bの上部に
一体型の光学プリズム26を接着している。上記光学プ
リズム26は、赤色LDチップ29から出射する往路側
の光が透過し、光ディスク(図示せず)からの反射光であ
る復路側の光を反射する第1反射面17と、上記第1反
射面17で反射した復路側の光を受光半導体チップ16
の受光面に向かって反射する第2反射面20とを有して
いる。上記赤色LDチップ29,受光半導体チップ16
が納められた第1パッケージ24および光学プリズム2
6は、一体化されたパッケージデバイスになっている。
また、この光ピックアップでは、第2パッケージ5の第
2半導体発光素子としての赤外LDチップ15からの出
射光の光軸がビームスプリッタ8により赤色LD29か
らの出射光の光軸と重なるようにしている。
【0051】上記構成の光ピックアップにおいて、赤色
LDチップ29から出射した光は、光学プリズム26の
第1反射面17を透過し、ビームスプリッタ8を透過し
て光ディスク(図示せず)に向かう。そして、光ディスク
からの反射光は、ビームスプリッタ8を透過し、光学プ
リズム26の第1反射面17で反射して、その反射した
光は、光学プリズム26の第2反射面20で反射された
後、受光半導体チップ16の受光面に到達する。
【0052】上記光学プリズム26の第1反射面17
は、入射光の一部を透過し、一部を反射する蒸着膜であ
る。なお、上記光学プリズム26の第1反射面17は、
偏向方向により選択的に透過し、反射する偏向選択性の
誘電体多層膜であってもよい。上記光学プリズム26の
第1反射面17が偏向選択性の誘電体多層膜である場合
は、赤色LDチップ29から出射した往路側の光と、光
ディスクから反射してきた復路側の光を第1反射面17
で分離するために、往路と復路側の光の偏向方向を90
度異ならせる1/4波長板28を、ビームスプリッタ8
と光ディスク(図示せず)との間の光路上に配置する。
【0053】また、上記赤色LDチップ29からの出射
光がビームスプリッタ8により第2パッケージ5の赤外
LDチップ15からの出射光と光軸が重なるように、赤
色LDチップ29からの出射光の光軸に垂直な面内で第
2パッケージ5の位置を調整している。この位置調整に
より、赤色LDチップ29からの赤色レーザ光は、第2
パッケージ5の赤外LDチップ15からの赤外レーザ光
と同一の光路を通って光ディスクに照射される。そし
て、光ディスクからの反射光は、ビームスプリッタ8を
透過し、光学プリズム26によって受光素子16の同一
位置に到達する。
【0054】上記一体型の光学プリズム26を使用する
ことによって、赤色LDチップ29および赤外LDチッ
プ15の発光波長が温度等により変動した場合でも、回
折格子やホログラムのように光軸が移動することはな
く、優れた特性安定性が得られる。
【0055】この第1実施形態では、受発光のパッケー
ジデバイスの数量は、赤色LDチップ29と受光半導体
チップ16とを一体化した第1パッケージ24と赤外L
Dチップ15が納められた第2パッケージ5の2個であ
る。また、信号検出に使用される受発光半導体チップの
数量も赤色LDチップ29,受光半導体チップ16およ
び赤外LDチップの計3個である。これは、図24に示
す従来の光ピックアップよりデバイス数量で1個少な
く、かつ、図25に示す従来の光ピックアップより信号
読み取り用の半導体チップ数量においても1個少なくな
っている。
【0056】また、赤色LDチップが一体型デバイスで
ある第1パッケージ24に搭載されており、赤外LDチ
ップ15は独立の第2パッケージ5に搭載されている
が、逆に、第1パッケージに赤外LDチップに搭載し、
第2パッケージに赤色LDチップを搭載してもよい。
【0057】なお、波長の異なる一方のLDチップの発
光面が向いている方向を、他方のLDチップの発光面が
向いている方向と同一方向で同一パッケージに搭載しな
い理由は次のとおりである。
【0058】サーボ信号の検出方式では、光ディスクに
向かう往路側の光を3ビームに分ける場合があり、この
ような場合に、通常は回折格子で1ビームを3ビームに
分離する。この3ビームに分けるのが一方の波長の光の
みであるとき、発光波長の異なる2つのLDチップの発
光面方向を同一方向として同一パッケージに納めると、
一方の波長の光を3ビームにするための回折格子が面積
の関係で他方の光も回折してしまい、本来3ビームにす
る必要のない他方の光の効率が低下してしまう。また、
2つのLDチップの両方の光を3ビームに分ける必要が
あるとき、それぞれの3ビームの角度は別にする必要が
有り、2つの回折格子を使う。この場合、2つの光は、
両方の回折格子を通り、不要な回折格子で回折されただ
け光の効率が夫々低下してしまうことになる。
【0059】そこで、一方のLDチップの発光面の向く
方向を他方のLDチップの発光面発光面の向く方向とは
異なる方向とし、さらに異なるパッケージとすれば、そ
れぞれに必要な回折格子は、2つの光が分離している往
路上にそれぞれ個別に配置でき、効率は低下しない。
【0060】(第2実施形態)図2はこの発明の第2実
施形態の光ピックアップに用いられるパッケージデバイ
スの断面図であり、ビームスプリッタで光軸を重ね合わ
せた以降の光学系は、図24に示す従来の光学系と同一
の構成であるため省略している。
【0061】図2に示すように、基部124aに固定さ
れた金属ステム123に、第1半導体発光素子としての
赤色LDチップ129と受光半導体チップ116とを搭
載している。上記基部124a上に金属ステム123を
覆うキャップ124bを固定し、基部124,キャップ1
24bで第1パッケージ124を構成している。上記キ
ャップ124bの上部に一体型の光学プリズム126を
接着している。上記光学プリズム126は、赤色LDチ
ップ129から出射する往路側の光を反射する第1反射
面117と、上記第1反射面117で反射した往路側の
光を光ディスク(図示せず)の方向に反射し、かつ、光デ
ィスクからの反射光である復路側の光が透過する第2反
射面120とを有している。上記赤色LDチップ12
9,受光半導体チップ116が納められた第1パッケー
ジ124および光学プリズム126は、一体化されたパ
ッケージデバイスになっている。また、この光ピックア
ップでは、第2パッケージ105の赤外LDチップ11
5からの出射光の光軸がビームスプリッタ108により
赤色LD129からの出射光の光軸と重なるようにして
いる。
【0062】上記構成の光ピックアップにおいて、上記
赤色LDチップ129から出射した光は、光学プリズム
126の第1反射面117で反射される。そして、第1
反射面117で反射された光は、第2反射面120で光
ディスク側に反射されて、ビームスプリッタ108を透
過し、光ディスク(図示せず)に向かう。そして、光ディ
スクからの反射光は、ビームスプリッタ8および光学プ
リズム126の第2反射面120を透過し、受光半導体
チップ116に到達する。
【0063】上記光学プリズム126の第2反射面12
0は、入射光の一部を透過し、一部を反射する蒸着膜で
ある。また、第2反射面120は、偏向方向により選択
的に透過、反射する偏向選択性の誘電体多層膜であって
もよい。上記第2反射面120が偏向選択性の誘電体多
層膜である場合は、赤色LDチップ129から出射した
往路側の光と、光ディスクから反射してきた復路側の光
を第2反射面120で分離するためには、往路と復路側
の光の偏向方向を90度異ならせる1/4波長板128
を、ビームスプリッタ108と光ディスクの間の光路上
に配置する。
【0064】上記赤色LDチップ129からの出射光の
光軸がビームスプリッタ108により第2パッケージ1
05の赤外LDチップ115からの出射光の光軸と重な
るように、赤色LDチップ129からの出射光の光軸に
垂直な面内で第2パッケージ105を位置調整してい
る。この調整により、赤外レーザ光は、赤色レーザ光と
同一の光路を通って光ディスクに向かう。そして、光デ
ィスクから反射してきた光は、受光半導体チップ116
の同一位置に到達する。
【0065】上記一体型の光学プリズム126を使用す
ることにより、赤色LDチップ129および赤外LDチ
ップ115の発光波長が温度等により変動した場合で
も、回折格子やホログラムのように光軸が移動すること
はなく、優れた特性安定性が得られる。
【0066】この第2実施形態では、受発光のパッケー
ジデバイスの数量は、赤色LDチップ129と受光半導
体チップ116とを一体化した第1パッケージ124と
赤外LDチップが納められた第2パッケージ105の2
個である。また、信号検出に使用される受発光半導体チ
ップの数量も赤色LDチップ129,受光半導体チップ
116および赤外LDチップの計3個である。これは、
図24に示す従来の光ピックアップよりデバイス数量で
1個少なく、かつ、図25に示す従来の光ピックアップ
より半導体チップ数量においても1個少なくなってい
る。
【0067】(第3実施形態)図3はこの発明の第3実
施形態の光ピックアップに用いられるパッケージデバイ
スの断面図であり、光軸を重ね合わせた以降の光学系
は、図24に示す従来の光ピックアップと同一の構成で
あるため省略している。この第3実施形態の光ピックア
ップは、図1の第1実施形態の光ピックアップにおいて
2波長の重ね合わせを一体型の光学プリズム26で実施
したもので、同一構成部は同一参照番号を付して説明を
省略する。
【0068】図3に示すように、第1パッケージ24の
赤色LDチップ29,第2パッケージ5の赤外LDチッ
プ15から夫々出射された波長の異なる2つの光は、光
学プリズム26の第1反射面17において光ディスク側
の光軸が重なり合っている。
【0069】上記第3実施形態の光ピックアップは、第
1実施形態の光ピックアップと同様の効果を有すると共
に、光軸を重ね合わせるためのビームスプリッタが不要
となり、図1の光ピックアップよりも低コストにでき
る。
【0070】(第4実施形態)図4はこの発明の第4実
施形態の光ピックアップに用いられるパッケージデバイ
スの断面図であり、光軸を重ね合わせた以降の光学系
は、図24に示す従来の光学系と同一の構成であるため
省略している。この第4実施形態の光ピックアップは、
図2の第2実施形態の光ピックアップにおいて2波長の
重ね合わせを一体型の光学プリズム126で実施したも
ので、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略す
る。
【0071】図4に示すように、第1パッケージ124
の赤色LDチップ129,第2パッケージ105の赤外
LDチップ115から出射された2つの波長の光は、光
学プリズム126の第2反射面120において光ディス
ク側の光軸が重なり合っている。
【0072】上記第4実施形態の光ピックアップは、第
2実施形態の光ピックアップと同様の効果を有すると共
に、光軸を重ね合わせるためのビームスプリッタが不要
となり、図2の光ピックアップよりもより低コストにで
きる。
【0073】(第5実施形態)図5はこの発明の第5実
施形態の光ピックアップに用いられるパッケージデバイ
スの断面図であり、光軸を重ね合わせた以降の光学系
は、図24に示す従来の光学系と同一の構成であるため
省略している。この第5実施形態の光ピックアップは、
図3の第3実施形態の光ピックアップに対して、一体型
の光学プリズム26を第1パッケージ24から分離して
いる。
【0074】この第5実施形態は、第3実施形態と同様
の効果を有する。
【0075】(第6実施形態)図6はこの発明の第6実
施形態の光ピックアップに用いられるパッケージデバイ
スの断面図であり、光軸を重ね合わせた以降の光学系
は、図24に示す従来の光ピックアップと同一の構成で
あるため省略している。この第6実施形態の光ピックア
ップは、図4の第4実施形態の光ピックアップに対し
て、一体型の光学プリズム126を第1パッケージ12
4から分離している。
【0076】この第6実施形態は、第4実施形態と同様
の効果を有する。
【0077】(第7実施形態)図7はこの発明の第7実
施形態の光ピックアップに用いる一体型の光学プリズム
の側面図である。この第7実施形態の光ピックアップ
は、第1実施形態と同一の構成の光ピックアップに用い
られる。
【0078】図7に示すように、一体型の光学プリズム
226は、側面形状が平行四辺形で両側端面が第1,第
2反射面217,220と同様に平行に傾いている。こ
の光学プリズム226の両側端面は使用していないた
め、傾いていても問題はない。
【0079】上記一体型の光学プリズム226が図7に
示す形状であれば、製造時、例えば図8のように、平板
200を張り合わせてカットし、カットされた部材20
1をさらにカットして光学プリズム202を作成する。
このように光学プリズムを分割する場合に、側面をカッ
トする必要がなく、安価に製造することができる。
【0080】(第8実施形態)図9はこの発明の第8実
施形態の光ピックアップに用いられる一体型の光学プリ
ズムの側面図である。この第8実施形態の光学プリズム
は、第1実施形態と同一の構成の光ピックアップに用い
られる。
【0081】図9に示すように、この光学プリズム32
6は、側面形状が平行四辺形で第1反射面317と片側
端面の第2反射面320とを有している。上記第2反射
面320は反射膜を形成してもよいが、屈折率を利用し
た臨界角となる角度の面としてもよい。
【0082】この第8実施形態では、第2反射面320
の片側に材料がないので、この材料費用およびこの材料
を貼り付ける費用が不要となる利点がある。
【0083】(第9実施形態)図10はこの発明の第9
実施形態の光ピックアップに用いられる光学プリズムの
側面図である。この第9実施形態の光学プリズムは、第
1実施形態の光学プリズムと同一の構成の光ピックアッ
プに用いられる。
【0084】図10に示すように、この光学プリズム4
26は、側面形状が平行四辺形であって、往路側の光と
復路側の光を分離する第1反射面417を光学プリズム
426の一方の端面に形成し、上記第1反射面417に
より反射された復路側の光を受光半導体チップ(図示せ
ず)に向かって反射する第2反射面420を光学プリズ
ム426の他方の端面に形成している。
【0085】この第9実施形態では、第1反射面417
の片側に材料がなく、第2反射面420の片側にも材料
がないので、この材料費用およびこの材料を貼り付ける
費用が不要となる利点がある。
【0086】(第10実施形態)光ピックアップにおい
て、フォーカスサーボ用の信号検出方式には、代表的な
ものとして、ナイフエッジ法、非点収差法、スポットサ
イズ法等がある。また、トラッキングサーボ用信号の検
出方式には、代表的なものとして、DPD(位相差検出)
法,DPP(ディファレンシャルプッシュプル)法,PP
(プッシュプル)法および3ビーム法等がある。さらに、
スポットサイズ法等では、復路側の光を複数の光に分離
する方法がとられる場合がある。したがって、光ディス
クの規格により、複数種類の規格の光ディスクから信号
を読み取るためには、複数の検出方式が可能なように、
復路側の光を複数の光に分離する必要がある場合があ
る。
【0087】そこで、この第10実施形態の光ピックア
ップは、復路側の光を複数の光に分離するものである。
図11はこの発明の第10実施形態の光ピックアップに
用いられるパッケージデバイスの断面図であり、ビーム
スプリッタと赤外LEDチップが納められた第2パッケ
ージおよび光軸を重ね合わせた以降の光学系は、図24
に示す従来の光学系と同一の構成であるため省略してい
る。
【0088】図11に示すように、基部524aに固定
された金属ステム523に、第1半導体発光素子として
の赤色LDチップ529と受光半導体チップ516とを
搭載している。上記基部524a上に金属ステム523
を覆うキャップ524bを固定し、基部524,キャップ
524bで第1パッケージ524を構成している。上記
キャップ524bの上部に一体型の光学プリズム526
を接着している。上記光学プリズム526は、赤色LD
チップ529から出射する往路側の光が透過し、光ディ
スク(図示せず)からの反射光である復路側の光を反射す
る第1反射面517と、上記第1反射面517で反射し
た復路側の光を受光半導体チップ516の受光面に向か
って反射する第2反射面としての反射面530,520
を有する。上記赤色LDチップ529,受光半導体チッ
プ516が納められた第1パッケージ524および光学
プリズム526は、一体化されたパッケージデバイスに
なっている。
【0089】上記構成の光ピックアップにおいて、光デ
ィスク(図示せず)からの反射光を第1反射面517で反
射する。そして、上記第1反射面517で反射した光
は、反射面530で一部の光は反射して受光半導体チッ
プ16に到達する一方、一部の光は、反射面530を透
過して反射面520で反射され、受光半導体チップ51
6に到達する。
【0090】なお、この第10実施形態では、復路側の
光を光学プリズム526により2本に分離しているが、
第2反射面の反射面数を3以上にして復路側の光を3本
以上に分離することも可能である。
【0091】図11において、例えばサーボ信号の検出
方式がビームサイズ法であるとき、分離された光は均等
にぼける必要がある。このため、赤色LDチップ529
の発光面と受光半導体チップ516の受光面との段差距
離c1と、第1反射面517から反射面530までの復
路側の光軸上の距離a1と、反射面530から反射面5
20までの復路側の光軸上の距離b1について、 c1=a1+b1/2 ………………………… (3) の関係が成り立つようにする。そうすることによって、
復路側の分離された2つの光は、受光半導体チップ51
6の受光面において、第1反射面517から赤色LDチ
ップ529の発光面までの光路長と等しい光路長を有す
る基準点(往路と復路の光路長が等しくなる点)から等し
い距離だけ離れた位置に夫々入射する。すなわち、第1
反射面517からの復路側の反射光が、反射面530と
反射面520との中間にある仮想の反射面で反射されて
受光半導体チップ516の受光面に入射するときに、そ
の第1反射面517から受光半導体チップ516の受光
面までの光路長が第1反射面517から赤色LDチップ
529の発光面までの光路長と等しくなるようにするこ
とによって、往路の光路長に対して分離された復路の光
路長が等しい距離だけ長短にずれるので、受光半導体チ
ップ516の受光面で均等にぼける。
【0092】(第11実施形態)図12はこの発明の第
11実施形態の光ピックアップに用いられるパッケージ
デバイスの断面図であり、ビームスプリッタで光軸を重
ね合わせた以降の光学系は、図24に示す従来の光学系
と同一の構成であるため省略している。この第11実施
形態の光ピックアップでは、復路側の光を分岐させる。
【0093】図12に示すように、基部624aに固定
された金属ステム623に、第1半導体発光素子として
の赤色LDチップ629と受光半導体チップ616とを
搭載している。上記基部624a上に金属ステム623
を覆うキャップ624bを固定し、基部624,キャップ
624bで第1パッケージ624を構成している。上記
キャップ624bの上部に一体型の光学プリズム626
を接着している。さらに、光学プリズム626上に分岐
用光学プリズム627を接着している。上記光学プリズ
ム626は、赤色LDチップ629から出射する往路側
の光を反射する第1反射面617と、上記第1反射面6
17で反射した往路側の光を光ディスク(図示せず)の方
向に反射し、かつ、光ディスクからの反射光である復路
側の光が透過する第2反射面620とを有している。ま
た、上記分岐用光学プリズム627は、赤色LDチップ
629から出射する往路側の光を透過すると共に、光デ
ィスクからの反射光である復路側の光の一部が透過し、
その復路側の光の一部が反射する第3反射面630と、
上記第3反射面630により反射された光を受光半導体
チップ616の受光面に向けて反射する第4反射面63
2とを有している。
【0094】上記構成の光ピックアップにおいて、光デ
ィスクからの反射光である復路側の光は、分岐用光学プ
リズム627の第3反射面630において一部は反射
し、一部は透過して分岐する。そして、分岐用光学プリ
ズム627の第3面630を透過した光は、光学プリズ
ム626の第2反射面620を透過して受光半導体チッ
プ16に到達する。一方、分岐用光学プリズム627の
第3反射面630で反射した光は、第4反射面632に
より反射し、光学プリズム626の第2反射面620を
透過して受光半導体チップ616に到達する。
【0095】なお、この第11実施形態では、復路側の
光を分岐用光学プリズム627により2本に分離してい
るが、第4反射面の反射面数を3以上にして復路側の光
を3本以上に分離することも可能である。
【0096】図12において、例えばサーボ信号の検出
方式がビームサイズ法であったとき、分離された光は均
等にぼける必要があるため、LDチップ629の発光面
と、受光半導体チップ616の受光面との段差距離c2
と、光学プリズム626の第1反射面617から第2反
射面620までの往路側の光軸上の距離a2と、分岐用
光学プリズム627の面630から面632までの復路
側の光軸上の距離b2について、 a2=b2/2+c2 ………………………… (4) の関係が成り立つようにする。
【0097】このようにして、上記分岐用光学プリズム
627の第3反射面630からの復路側の反射光が、第
3反射面630と第4反射面632との中間にある仮想
の反射面で反射されて受光半導体チップ616の受光面
に入射するときに、その分岐用光学プリズム627の第
3反射面630から受光半導体チップ616の受光面ま
での光路長が分岐用光学プリズム627の第3反射面6
30から赤色LDチップ629の発光面までの光路長と
等しくなるようにすることによって、往路の光路長に対
して分離された復路の光路長が等しい距離だけ長短にず
れるので、受光半導体チップ616の受光面で均等にぼ
ける。
【0098】(第12実施形態)図13はこの発明の第
12実施形態の光ピックアップに用いられるパッケージ
デバイスの断面図であり、ビームスプリッタで光軸を重
ね合わせた以降の光学系は、図24に示す従来の光学系
と同一の構成であるため省略している。
【0099】図13に示すように、上記光学プリズム7
26の面に、復路側の光を分離する回折格子731を設
けている。上記回折格子731は、発光波長の変動によ
り回折角度が異なり、受光半導体チップ16上の光軸位
置が移動する欠点があるが、この第12実施形態では、
図26の従来のホログラムレーザと比較して、回折格子
731が受光半導体チップの近傍に位置しており、回折
角度も小さいため、発光波長の変動による光軸位置の移
動量は少なく、その影響はわずかである。なお、上記回
折格子731の代わりにホログラムであってもよい。
【0100】また、第12実施形態では、回折格子73
1を一体型の光学プリズム726の光出射面に形成して
いるが、回折格子またはホログラムを有する光学素子を
一体型の光学プリズムの光出射面に貼り付けてもよい
し、回折格子またはホログラムを有する光学素子を一体
型の光学プリズムの光出射面と受光半導体チップとの間
に設けてもよい。
【0101】(第13実施形態)図14はこの発明の第
13実施形態の光ピックアップの光学プリズムの調整方
法を説明する図である。この第13実施形態の光ピック
アップは、図1に示すビームスプリッタ8の方向から一
体型の光学プリズム26を見た図である。
【0102】上記光学プリズム26を通して見た赤色L
Dチップ29(図1に示す)の発光点位置が18であり、
受光半導体チップ16(図1に示す)上の受光スポットの
光軸位置が19である。図14の紙面上で発光点位置1
8を中心に、矢印の方向に光学プリズム26を回転させ
て、受光スポットの光軸位置19は矢印の方向に移動さ
せる。
【0103】上記光ピックアップによれば、ナイフエッ
ジ法、スポットサイズ法等の検出方法において、上記矢
印と略垂直な方向に受光半導体チップ上の受光面パター
ンを十分長く形成しておけば、この1軸の回転のみで、
受光スポットの光軸位置を容易に調整することができ
る。
【0104】(第14実施形態)図15はこの発明の第
14実施形態の光ピックアップの一体型の光学プリズム
の断面図である。この第14実施形態の光ピックアップ
の光学プリズムは、回転方向と垂直方向に位置調整が必
要な場合に使用する。
【0105】図15において、光学プリズム826は、
赤色LDチップ(図示せず)から出射する往路側の光が透
過し、光ディスク(図示せず)からの反射光である復路側
の光を反射する第1反射面817と、上記第1反射面8
17で反射した復路側の光を受光半導体チップ(図示せ
ず)の受光面に向かって反射する第2反射面820とを
有し、第1反射面817と第2反射面820は、互いに
平行ではなく第1反射面817と第2反射面820とは
所定の角度をなしている。
【0106】また、図16は上記光学プリズム826の
受光スポットの位置調整方法を説明する図である。図1
6に示すように、上記光学プリズム826は、光ディス
ク(図示せず)からの反射光を第1反射面817で反射
し、その反射された光を第2反射面820により受光半
導体チップ(図示せず)の受光面に向かって反射する。そ
して、上記光学プリズム826を赤色LDチップ(図示
せず)からの光の光軸方向に移動させることにより、第
2反射面820で反射された光が平行移動させて、受光
半導体チップ(図示せず)の受光面上に形成される受光ス
ポットの光軸位置を調整する。例えば、図16におい
て、光学プリズム826を赤色LDチップ(図示せず)か
らの出射光の光軸方向に沿って上方に点線の位置まで移
動させると、第2反射面820で反射される光が図中右
側に平行移動する。
【0107】また、図17は上記光学プリズムの受光ス
ポットの他の位置調整方法を説明する図である。図17
に示すように、上記光学プリズム826を第1反射面8
17で反射された復路側の光の光軸方向に移動させるこ
とにより、第2反射面820で反射された光を平行移動
させて、受光半導体チップ(図示せず)の受光面上に形成
される受光スポットの光軸位置を調整する。例えば、図
17において、光学プリズム826を第1反射面817
から第2反射面820への光軸方向に沿って右方向に点
線の位置まで移動させると、第2反射面820で反射さ
れる光が図中左側に平行移動する。
【0108】図16または図17に示す位置調整方法
と、第13実施形態の図14に示す光プリズムの回転に
よる位置調整方法を組み合わせることにより、受光スポ
ットの位置を2次元平面上で調整することが可能とな
る。
【0109】(第15実施形態)図18はこの発明の第
15実施形態の光ピックアップの光学プリズムの側面図
である。この第15実施形態の光ピックアップは、一体
型の光学プリズム926に別の一体型の光学プリズム9
27を追加して調整するものである。
【0110】図18に示すように、第1光学プリズム9
26は、赤色LDチップ(図示せず)からの出射光が透過
し、光ディスク(図示せず)からの反射光を反射する第1
反射面917と、上記第1反射面917により反射され
た光を光ディスク側に反射する第2反射面920を有し
ている。上記第1光学プリズム926上に、2つの第
3,第4反射面917B,920Bを有する第2光学プリ
ズム927を配置している。
【0111】上記第1光学プリズム926,第2光学プ
リズム927を用いた光ピックアップにおいて、光ディ
スクからの反射光を第1光学プリズム926の第1反射
面917で反射し、その第1反射面917で反射された
光を第2反射面920で再び光ディスク側に反射して、
第2光学プリズム927の第3,第4反射面917B,9
20Bで反射させることにより、受光半導体チップ(図
示せず)の方向に復路側の光軸を向ける。
【0112】図19は上記第1光学プリズム926,第
2光学プリズム927を用いた光ピックアップの受光ス
ポットの位置調整方法を説明する図である。上記第2光
学プリズム927を第1光学プリズム926の上面に沿
って移動させることにより、第2光学プリズム927の
第4反射面920Bで反射された光の光軸を平行移動さ
せて、受光スポットの光軸位置を調整する。例えば、図
19において、第2光学プリズム927を第3反射面9
17Bから第4反射面920Bへの光軸に沿って図中右
方向に移動させると、第4反射面920Bで反射される
光が図中右方向に平行移動する。
【0113】また、図20は図18の第1,第2光学プ
リズム926,927を光ディスク側から見た図であ
り、この光ピックアップでは、第1光学プリズム926
ではなくて、第2光学プリズム927を図20の紙面に
沿って919bを中心に矢印方向に回転させることで、
回転方向の位置調整が可能となる。
【0114】図20において、第1光学プリズム926
を通して見た赤色LDチップの発光点位置が918であ
り、第1光学プリズム926の第2反射面920(図1
8に示す)での光軸位置が919bであり、第2光学プリ
ズム927が実線位置にある場合の反射面920B(図
18に示す)での光軸位置が919である。上記第2光
学プリズム927が実線の位置から919bを中心に点
線の位置まで回転した場合の反射面920B上での光軸
位置は919aとなる。
【0115】図19,図20に示すように、1つの第2
光学プリズム927の回転とスライドにより、受光スポ
ットの位置を2次元平面上で調整することがが可能とな
る。
【0116】(第16実施形態)図21はこの発明の第
16実施形態の光ピックアップの光学プリズムの側面図
である。この第16実施形態は、光学プリズムに別の光
学プリズムを追加して調整するものである。
【0117】図21に示すように、第1光学プリズム1
026は、赤色LDチップ(図示せず)からの出射光が透
過し、光ディスク(図示せず)からの反射光を反射する第
1反射面1017と、上記第1反射面1017により反
射された光を光ディスク側に反射する第2反射面102
0を有している。上記第1光学プリズム926上に、2
つの第3,第4反射面1017B,1020Bを有する側
面三角形状の第2光学プリズム1027を配置してい
る。上記第2光学プリズム1027は、外形の2面を第
3,第4反射面1017B,1020Bに使用している。
この第2光学プリズム1027の第3,第4反射面10
17B,1020Bは、反射膜を形成してもよいし、反
射面の角度を臨界角となる角度としてもよい。また、こ
の第16実施形態の光ピックアップにおいて、受光スポ
ットの位置調整方法は、第15実施形態の図18に示す
光学プリズムと同一の方法で行う。
【0118】(第17実施形態)図22はこの発明の第
17実施形態の光ピックアップに用いられる光学プリズ
ムの側面図である。この第17実施形態の光ピックアッ
プは、2個の独立した光学プリズムを使用して、受光ス
ポットの光軸位置を調整するものである。
【0119】図22に示すように、この光ピックアップ
は、第1反射面1117を有する第1光学プリズム11
26Aと、第2反射面1120を有する第2光学プリズ
ム1126Bとを有している。
【0120】図23(a)〜(c)が上記第1,第2光学プリ
ズム1126A,1126Bを用いた光ピックアップの
受光スポットの位置調整方法を示す図である。
【0121】図23(a)は図22に示す第1,第2光学プ
リズム1126A,1126Bを光ディスク側から見た
図であり、第1光学プリズム1126Aの第1反射面1
117での光軸位置が1118であり、第2光学プリズ
ム1126Bでの第2反射面1120での光軸位置が1
119である。図23(b)に示すように、第1,第2光学
プリズム1126A,1126Bを、光軸位置1118
を中心に実線の位置から点線の位置まで回転させた場合
の第2反射面1120での光軸位置は1119aとな
る。これに合わせて、受光点側の第2光学プリズム11
26Bを実線の位置からの点線の位置まで矢印の方向に
移動させることにより、第2反射面1120での光軸位
置は119bとなる。
【0122】図23(a)〜(c)に示すように、第1,第2
光学プリズム1126A,1126Bを用いた場合も、
受光スポットの位置を2次元平面上で調整することが可
能となる。
【0123】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の光
ピックアップによれば、半導体受光素子の受光面と同一
方向を向いた発光面を有する第1半導体発光素子からの
出射光を光ディスクに導くと共に、上記光ディスクから
の反射光を半導体受光素子の受光面に導き、さらに、第
2半導体発光素子からの出射光が照射された光ディスク
からの反射光を半導体受光素子の受光面に導く一体型の
光学プリズム光プリズムを用いることによって、発光波
長に依存する光学部品(ホログラム)を使用しないで、発
光波長の変動による特性変動を小さくすることができ
る。また、上記半導体受光素子と第1半導体発光素子を
第1パッケージに納め、第2半導体発光素子を第1パッ
ケージとは別の第2パッケージに納めて、半導体発光素
子,半導体受光素子の数量および受発光のパッケージデ
バイスの数量も少ないため、材料価格も安価となる。ま
た、光学プリズムの設置位置が半導体発光素子,半導体
受光素子に近いため、光学プリズムの位置変動に対する
特性変動も小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1はこの発明の第1実施形態の光ピックア
ップに用いられるパッケージデバイスの断面図である。
【図2】 図2はこの発明の第2実施形態の光ピックア
ップに用いられるパッケージデバイスの断面図である。
【図3】 図3はこの発明の第3実施形態の光ピックア
ップに用いられるパッケージデバイスの断面図である。
【図4】 図4はこの発明の第4実施形態の光ピックア
ップに用いられるパッケージデバイスの断面図である。
【図5】 図5はこの発明の第5実施形態の光ピックア
ップに用いられるパッケージデバイスの断面図である。
【図6】 図6はこの発明の第6実施形態の光ピックア
ップに用いられるパッケージデバイスの断面図である。
【図7】 図7はこの発明の第7実施形態の光ピックア
ップに用いられる光学プリズムの側面図である。
【図8】 図8は上記光学プリズムの製作時のカット説
明図である。
【図9】 図9はこの発明の第8実施形態の光ピックア
ップに用いられる光学プリズムの側面図である。
【図10】 図10はこの発明の第9実施形態の光ピッ
クアップに用いられる光学プリズムの側面図である。
【図11】 図11はこの発明の第10実施形態の光ピ
ックアップに用いられるパッケージデバイスの断面図で
ある。
【図12】 図12はこの発明の第11実施形態の光ピ
ックアップに用いられるパッケージデバイスの断面図で
ある。
【図13】 図13はこの発明の第12実施形態の光ピ
ックアップに用いられるパッケージデバイスの断面図で
ある。
【図14】 図14はこの発明の第13実施形態の光ピ
ックアップに用いられる光学プリズムの回転による受光
スポットの位置調整方法を示す図である。
【図15】 図15はこの発明の第14実施形態の光ピ
ックアップに用いられる光学プリズムの側面図である。
【図16】 図16は上記光ピックアップの光学プリズ
ムの移動による受光スポットの位置調整方法を示す図で
ある。
【図17】 図17は上記光ピックアップの光学プリズ
ムの移動による受光スポットの位置調整方法を示す図で
ある。
【図18】 図18はこの発明の第15実施形態の光ピ
ックアップの第1,第2光学プリズムの側面図である。
【図19】 図19は上記光学プリズムの移動による受
光スポットの位置調整方法を示す図である。
【図20】 図20は上記光学プリズムの回転による受
光スポットの位置調整方法を示す図である。
【図21】 図21はこの発明の第16実施形態の光ピ
ックアップに用いられる光学プリズムの側面図である。
【図22】 図22はこの発明の第17実施形態の光ピ
ックアップに用いられる2つの独立した第1,第2光学
プリズムの側面図である。
【図23】 図23(a)は上記第1,第2光学プリズムの
上面図であり、図23(b)は上記第1,第2光学プリズム
の回転による受光スポットの位置調整方法を示す図であ
り、図23(c)は上記第2光学プリズムの移動による受
光スポットの位置調整方法を示す図である。
【図24】 図24は従来のディスクリートのLDと半
導体受光素子を用いた光ピックアップの光学系を示す図
である。
【図25】 図25は従来のホログラムレーザを用いた
光ピックアップの光学系を示す図である。
【図26】 図26は上記ホログラムレーザの内部構造
を示す概略図である。
【符号の説明】
5,105…第2パッケージ、 8…ビームスプリッタ、 16,116,516,616…受光半導体チップ、 17,117,317,417,517,617,817,9
17,1017,1117…第1反射面、 18,19,918,919,919a,919b,1118,
1119,1119a,1119b…光軸位置、 20,120,220,320,420,520,620,8
20,920,1020,1120…第2反射面、 23,123,523,623…金属ステム、 24,124,524,624…第1パッケージ、 24a,124a,524a,624a…基部、 24b,124b,524b,624b…キャップ、 26,126,226,326,426,526,726,8
26…光学プリズム、 926,1026,1126A…第1光学プリズム、 927,1027,1126B…第2光学プリズム、 28,128…1/4波長板、 29,129,529,629…赤色LDチップ、 630,917B,1017B,…第3反射面、 632,920B ,1020B…第4反射面、 731…回折格子、 1201,1301…光ディスク、 1202,1302…対物レンズ、 1203,1303…立ち上げミラー、 1204,1304…凸レンズ、 1205…赤外LD、 1206…赤色LD、 1207…平面ビームスプリッタ、 1208,1308…ビームスプリッタ、 1209…スポットレンズ、 1210…受光素子、 1241…凸レンズ、 1311…赤外ホログラムレーザ、 1312…赤色ホログラムレーザ、 1314…ホログラム素子、 1314a…ホログラム、 1315…LDチップ、 1316…受光半導体チップ、 1323…金属ステム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/12 H01L 31/12 E Fターム(参考) 5D119 AA04 AA36 AA38 AA41 BA01 CA09 CA16 DA01 DA05 EA02 EA03 EC45 EC47 FA05 FA08 JA10 JA14 JA43 KA02 LB07 NA02 5F089 BA04 BB01 BC16 BC25 CA20 EA03 GA01

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光ディスクから情報を読み出すために使
    用される光ピックアップにおいて、 第1パッケージに納められた半導体受光素子と、 上記第1パッケージに納められ、上記半導体受光素子の
    受光面と同一方向を向いた発光面を有する第1半導体発
    光素子と、 上記第1パッケージとは別の第2パッケージに納めら
    れ、上記第1半導体発光素子と発光面の向く方向および
    発光波長が異なる第2半導体発光素子と、 上記第1半導体発光素子からの出射光を光ディスクに導
    くと共に、上記光ディスクからの反射光を上記半導体受
    光素子の受光面に導き、さらに、上記第2半導体発光素
    子からの出射光が照射された上記光ディスクからの反射
    光を上記半導体受光素子の受光面に導く一体型の光学プ
    リズムとを備えたことを特徴とする光ピックアップ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の光ピックアップにおい
    て、 上記光学プリズムは、 上記第1半導体発光素子から出射する往路側の光が透過
    し、光ディスクからの反射光である復路側の光を反射す
    る第1反射面と、上記第1反射面で反射した復路側の光
    を上記半導体受光素子の受光面に向かって反射する第2
    反射面とを有することを特徴とする光ピックアップ。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の光ピックアップにおい
    て、 上記光学プリズムは、 上記第1半導体発光素子から出射する往路側の光を反射
    する第1反射面と、上記第1反射面で反射した往路側の
    光を上記光ディスクの方向に反射し、かつ、上記光ディ
    スクからの反射光である復路側の光が透過する第2反射
    面とを有することを特徴とする光ピックアップ。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の光ピックアップにおい
    て、 上記光学プリズムと上記光ディスクとの間に配置され、
    上記第1半導体発光素子からの出射光の光軸と上記第2
    半導体発光素子からの出射光の光軸とを重ね合わせる光
    学素子を備えたことを特徴とする光ピックアップ。
  5. 【請求項5】 請求項2または3に記載の光ピックアッ
    プにおいて、 上記第1半導体発光素子からの出射光の光軸と上記第2
    半導体発光素子からの出射光の光軸とを上記光学プリズ
    ムにより重ね合わせるようにしたことを特徴とする光ピ
    ックアップ。
  6. 【請求項6】 請求項2に記載の光ピックアップにおい
    て、 上記光学プリズムの上記第2反射面は、上記第1反射面
    で反射した復路側の光が進む方向に配列された複数の反
    射面であることを特徴とする光ピックアップ。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の光ピックアップにおい
    て、 上記光学プリズムの上記第2反射面は、上記第1反射面
    で反射した復路側の光が進む方向に配列された2つの反
    射面であって、 上記第1半導体発光素子の発光面と上記半導体受光素子
    の受光面の段差距離をcとし、上記光学プリズムの上記
    第1反射面から上記第2反射面のうちの上記第1反射面
    に近い側の反射面までの光軸上の距離をaとし、上記第
    2反射面である2つの反射面の間の光軸上の距離をbと
    したときに、 c=a+2/b ………………………… (1) の関係が成り立つことを特徴とする光ピックアップ。
  8. 【請求項8】 請求項3に記載の光ピックアップにおい
    て、 上記光プリズムの上記第2反射面で上記光ディスクの方
    向に反射した光を透過すると共に、上記光ディスクから
    の反射光である復路側の光の一部を反射し、一部は透過
    させる分岐用の第3反射面と、その分岐用の第3反射面
    で反射した光を上記半導体受光素子の受光面に向かって
    反射させる第4反射面とを有し、上記光学プリズムと上
    記光ディスクとの間に配置された分岐用光学プリズムを
    備え、 上記分岐用光学プリズムの第4反射面は、1つまたは上
    記第3反射面で反射した復路側の光が進む方向に配列さ
    れた複数の反射面であることを特徴とする光ピックアッ
    プ。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載の光ピックアップにおい
    て、 上記第1半導体発光素子の発光面と上記半導体受光素子
    の受光面の段差距離をcとし、上記光学プリズムの上記
    第1反射面から上記第2反射面までの光軸上の距離をa
    とし、上記分岐用光学プリズムの分岐用の上記第3反射
    面から上記第4反射面までの光軸上の距離をbとしたと
    きに、 a=2/b+c ………………………… (2) の関係が成り立つことを特徴とする光ピックアップ。
  10. 【請求項10】 請求項1に記載の光ピックアップにお
    いて、 上記光学プリズム中を進んだ後に上記半導体受光素子の
    受光面に向かって出射する復路側の光を分離するための
    回折格子またはホログラムを備えたことを特徴とする光
    ピックアップ。
  11. 【請求項11】 請求項1に記載の光ピックアップにお
    いて、 上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子からの出射
    光の光軸に垂直な面でスライドまたは回転させて、上記
    光ディスクからの反射光である復路側の光の光軸を上記
    半導体受光素子の受光面の所定の位置に導くことによっ
    て、受光スポットの位置調整を行うことを特徴とする光
    ピックアップ。
  12. 【請求項12】 請求項2に記載の光ピックアップにお
    いて、 上記光学プリズムの上記第1反射面と上記第2反射面と
    が平行でないことを特徴とする光ピックアップ。
  13. 【請求項13】 請求項12に記載の光ピックアップに
    おいて、 上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から出射さ
    れた光の光軸を中心に回転させると共に、上記光学プリ
    ズムを上記第1半導体発光素子から出射された光の光軸
    方向に移動させて、上記光ディスクからの反射光を上記
    半導体受光素子の受光面の所定の位置に導くことによっ
    て、受光スポットの位置調整を行うことを特徴とする光
    ピックアップ。
  14. 【請求項14】 請求項12に記載の光ピックアップに
    おいて、 上記光学プリズムを上記第1半導体発光素子から出射さ
    れた光の光軸を中心に回転させると共に、上記光学プリ
    ズムを上記第1,第2反射面間の上記光ディスクからの
    反射光である復路側の光の光軸に平行に移動させて、上
    記光ディスクからの反射光を上記半導体受光素子の受光
    面の所定の位置に導くことによって、受光スポットの位
    置調整を行うことを特徴とする光ピックアップ。
  15. 【請求項15】 光ディスクから情報を読み出すために
    使用される光ピックアップにおいて、 第1パッケージに納められた半導体受光素子と、 上記第1パッケージに納められ、上記半導体受光素子の
    受光面と同一方向を向いた発光面を有する第1半導体発
    光素子と、 上記第1パッケージとは別の第2パッケージに納めら
    れ、上記第1半導体発光素子と発光面の向く方向および
    発光波長の異なる第2半導体発光素子と、 上記第1半導体発光素子から出射する往路側の光が透過
    し、光ディスクからの反射光である復路側の光が反射す
    る第1反射面と、上記第1反射面で反射した復路側の光
    を上記半導体受光素子の受光面の方向と反対の方向に向
    かって反射する第2反射面とを有する第1光学プリズム
    と、 上記第1光学プリズムの上記第2反射面により反射され
    た復路側の光を、上記半導体受光素子の受光面の方向に
    反射させる第2光学プリズムとを備え、 上記第1,第2光学プリズムによって、上記第1半導体
    発光素子からの出射光を上記光ディスクに導くと共に、
    上記光ディスクからの反射光を上記半導体受光素子の受
    光面に導き、さらに、上記第2半導体発光素子からの出
    射光が照射された上記光ディスクからの反射光を上記半
    導体受光素子の受光面に導くことを特徴とする光ピック
    アップ。
  16. 【請求項16】 光ディスクから情報を読み出すために
    使用される光ピックアップにおいて、 第1パッケージに納められた半導体受光素子と、 上記第1パッケージに納められ、上記半導体受光素子の
    受光面と同一方向を向いた発光面を有する第1半導体発
    光素子と、 上記第1パッケージとは別の第2パッケージに納めら
    れ、上記第1半導体発光素子と発光面の向く方向および
    発光波長の異なる第2半導体発光素子と、 上記第1半導体発光素子から出射された往路側の光が透
    過し、上記光ディスクからの反射光である復路側の光を
    反射する第1反射面を有する第1光学プリズムと、 上記第1光学プリズムの上記第1反射面で反射された復
    路側の光を上記半導体受光素子の受光面に向かって反射
    する第2反射面を有する第2光学プリズムとを備え、 上記第1,第2光学プリズムによって、上記第1半導体
    発光素子からの出射光を上記光ディスクに導くと共に、
    上記光ディスクからの反射光を上記半導体受光素子の受
    光面に導き、さらに、上記第2半導体発光素子からの出
    射光が照射された上記光ディスクからの反射光を上記半
    導体受光素子の受光面に導くことを特徴とする光ピック
    アップ。
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