JP2002110765A - Substrate transfer apparatus for heat processing equipment - Google Patents

Substrate transfer apparatus for heat processing equipment

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JP2002110765A
JP2002110765A JP2000298495A JP2000298495A JP2002110765A JP 2002110765 A JP2002110765 A JP 2002110765A JP 2000298495 A JP2000298495 A JP 2000298495A JP 2000298495 A JP2000298495 A JP 2000298495A JP 2002110765 A JP2002110765 A JP 2002110765A
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JP
Japan
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substrate
wafer
heat treatment
arm
treatment furnace
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JP2000298495A
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Japanese (ja)
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Akio Hashizume
彰夫 橋詰
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus, which can transfer arm, surely holds a substrate without the substrate to move with respect to the arm and can suppress the taking in of the air flow into a heat processing furnace to a minimum level, at transfer time of the substrate into the furnace. SOLUTION: On a substrate transfer arm 10, which transfer substrate W into a heat processing furnace, supporting plane areas 14 directly supporting the substrate at the bottom on the supporting planes areas and a moving restrict area 16 which come close to face an outer periphery edge along the periphery of the substrate are formed and installed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばランプア
ニール装置のように、半導体ウエハ等の各種基板を1枚
ずつ熱処理する熱処理装置に併設され、熱処理炉内へ基
板を搬入し熱処理炉から基板を搬出する基板搬出入装置
に関し、特に、熱処理前の基板を熱処理炉内へ搬入する
基板搬入アームと熱処理後の基板を熱処理炉内から搬出
する基板搬出アームとを備えた基板搬出入装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat treating various substrates such as semiconductor wafers one by one, such as a lamp annealing apparatus, for example, carrying a substrate into a heat treatment furnace and removing the substrate from the heat treatment furnace. More particularly, the present invention relates to a substrate carrying-in / out device including a substrate carrying-in arm for carrying a substrate before heat treatment into a heat treatment furnace and a substrate carrying-out arm for carrying out a substrate after heat treatment from the heat treatment furnace.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の製造工程においては、ハロ
ゲンランプ、アークランプ等のランプからの光照射を利
用して半導体ウエハを加熱し熱処理する枚葉式のランプ
アニール装置が、各種工程で広く使用されている。この
種のランプアニール装置のうち、熱処理炉の内部に水平
方向に固設されたウエハ支持リングを備えそのウエハ支
持リング上にウエハを水平姿勢に支持してウエハを熱処
理する型式の装置には、熱処理炉の側面に形設され熱処
理中は閉塞される開口を通して熱処理炉内へ処理前のウ
エハを搬入し処理後のウエハを熱処理炉内から搬出する
ウエハ搬出入装置が併設されている。このウエハ搬出入
装置の概略構成の1例を、熱処理炉等と共に、図7に模
式的平面図で示す。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a single-wafer type lamp annealing apparatus for heating and heat-treating a semiconductor wafer by using light irradiation from a lamp such as a halogen lamp or an arc lamp is widely used in various processes. Have been. Among this type of lamp annealing apparatus, there is a type of apparatus that has a wafer support ring fixed horizontally in a heat treatment furnace and supports the wafer in a horizontal posture on the wafer support ring to heat-treat the wafer. A wafer loading / unloading device is provided along the side of the heat treatment furnace, which carries a wafer before processing into the heat treatment furnace through an opening which is closed during heat treatment, and carries out the processed wafer from the heat treatment furnace. FIG. 7 is a schematic plan view showing an example of a schematic configuration of the wafer loading / unloading device together with a heat treatment furnace and the like.

【0003】図7に示したウエハ搬出入装置1は、ウエ
ハ搬入アーム2とウエハ搬出アーム3との2つのウエハ
搬送アームを備えている。ウエハ搬出入装置1自体は、
水平面内で回動可能であり、また、ウエハ搬入アーム2
およびウエハ搬出アーム3は、それぞれ伸縮自在であ
る。そして、ウエハ搬入アーム2は、ウエハのアライメ
ントを行うウエハ位置決めユニット4から処理前のウエ
ハを取り出し、そのウエハを、熱処理炉5の開口を通し
て熱処理炉5内へ搬入し、熱処理炉5に配設され昇降自
在の複数本の支持ピンを備えたウエハ移載機構を介して
ウエハ支持リング上に水平姿勢で支持させる(熱処理炉
5の詳細は図示せず)。また、ウエハ搬出アーム3は、
熱処理が終了したウエハを、ウエハ支持リング上からウ
エハ移載機構を介して取り出し、熱処理炉5の開口を通
して熱処理炉5内から搬出し、ウエハを冷却させるウエ
ハ待機ユニット(ウエハ冷却ユニット)6へ移動させ
る。
The wafer loading / unloading device 1 shown in FIG. 7 has two wafer transport arms, a wafer loading arm 2 and a wafer loading arm 3. The wafer loading / unloading device 1 itself includes:
It is rotatable in a horizontal plane, and has a wafer loading arm 2
The wafer carrying arm 3 is extendable and retractable. The wafer carrying arm 2 takes out the unprocessed wafer from the wafer positioning unit 4 for aligning the wafer, carries the wafer into the heat treatment furnace 5 through the opening of the heat treatment furnace 5, and is disposed in the heat treatment furnace 5. The wafer is supported on a wafer support ring in a horizontal position via a wafer transfer mechanism having a plurality of vertically movable support pins (details of the heat treatment furnace 5 are not shown). Further, the wafer unloading arm 3 is
The heat-treated wafer is taken out from the wafer support ring via the wafer transfer mechanism, taken out of the heat treatment furnace 5 through the opening of the heat treatment furnace 5, and moved to a wafer standby unit (wafer cooling unit) 6 for cooling the wafer. Let it.

【0004】このようなウエハ搬出入装置1のウエハ搬
出アーム3は、熱処理が終了した直後の高温、例えば5
00℃以上のウエハを支持して熱処理炉5内から搬出す
る。このような高温のウエハに、それよりはるかに温度
の低い(室温)のウエハ搬出アーム3が面接触したり、
ウエハをウエハ搬出アーム3で吸着したりすると、ウエ
ハが割れてしまう恐れがある。このため、ウエハ搬出ア
ーム3は、その上面に形設された例えば3個の支持突起
によりウエハの下面に点接触してウエハを支持するよう
な構造となっている。そして、ウエハ搬出入装置1の2
つのウエハ搬送アーム、すなわちウエハ搬入アーム2と
ウエハ搬出アーム3とは、従来、同じ構造、すなわち、
ウエハの下面に点接触してウエハを支持する構造となっ
ている。
The wafer unloading arm 3 of such a wafer unloading / unloading apparatus 1 has a high temperature immediately after the completion of the heat treatment, for example, 5 ° C.
The wafer at a temperature of 00 ° C. or higher is supported and unloaded from the heat treatment furnace 5. The wafer carrying arm 3 of much lower temperature (room temperature) comes into surface contact with such a high temperature wafer,
If the wafer is sucked by the wafer unloading arm 3, the wafer may be broken. For this reason, the wafer unloading arm 3 has a structure in which, for example, three support protrusions formed on the upper surface thereof make point contact with the lower surface of the wafer to support the wafer. Then, 2 of the wafer loading / unloading device 1
Conventionally, two wafer transfer arms, ie, the wafer carry-in arm 2 and the wafer carry-out arm 3, have the same structure, that is,
The structure is such that the wafer is supported in point contact with the lower surface of the wafer.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ランプアニール装置で
は、熱処理炉内において正確に濃度管理された雰囲気状
態でウエハを加熱して熱処理する必要がある。ところ
が、従来のウエハ搬出入装置1のように、ウエハ搬入ア
ーム2が、ウエハの下面に点接触してウエハを支持する
構造であると、ウエハ搬入アーム2の平面部上面とウエ
ハ下面との間に隙間ができることになり、このため、熱
処理炉内で濃度管理する雰囲気ガス(処理ガス)以外の
空気等の外気が、前記隙間部分に滞留し保持されて、熱
処理炉内へのウエハの搬入時に持ち込まれることにな
る。この結果、熱処理炉内へウエハを搬入した後、熱処
理炉内を濃度管理すべき雰囲気にするまでのガス置換時
間が長くなって、スループットが低下する、といった問
題点がある。
In the lamp annealing apparatus, it is necessary to heat the wafer by heating the wafer in an atmosphere whose concentration is accurately controlled in a heat treatment furnace. However, if the wafer loading arm 2 has a structure in which the wafer loading arm 2 supports the wafer by making point contact with the lower surface of the wafer as in the conventional wafer loading / unloading apparatus 1, the gap between the upper surface of the flat surface portion of the wafer loading arm 2 and the lower surface of the wafer may be reduced. Therefore, an outside air such as air other than the atmosphere gas (processing gas) whose concentration is controlled in the heat treatment furnace is retained and held in the gap portion, and thus, when the wafer is loaded into the heat treatment furnace. Will be brought in. As a result, there is a problem in that after the wafer is loaded into the heat treatment furnace, the gas replacement time until the inside of the heat treatment furnace is changed to an atmosphere in which the concentration is to be controlled is lengthened, and the throughput is reduced.

【0006】また、ウエハをウエハ支持リング上に確実
に支持させるためには、ウエハ搬入アーム2によりウエ
ハを熱処理炉内の決められた位置に正しく搬送しなけれ
ばならない。ところが、ウエハ搬入アーム2が、ウエハ
の下面に点接触してウエハを支持する構造であると、ウ
エハ位置決めユニット4でウエハをアライメントしてい
ても、ウエハ位置決めユニット4からウエハを熱処理炉
内へ搬入する過程で、ウエハ搬入アーム2上でウエハが
微少移動する可能性が考えられる。ウエハ搬入アーム2
上でウエハが移動すると、ウエハ支持リング上にウエハ
を支持させることができずに、ウエハが熱処理炉内で落
下するといったことが起こる。あるいは、熱処理炉内に
おいて温度分布を生じるような場合には、ウエハを常に
ウエハ支持リング上の同じ位置に支持させるようにしな
いと、ウエハの熱処理における面内均一性が再現良く得
られない、といった問題点がある。
In order to reliably support the wafer on the wafer support ring, the wafer must be properly transferred to a predetermined position in the heat treatment furnace by the wafer carrying arm 2. However, if the wafer loading arm 2 has a structure that supports the wafer by making point contact with the lower surface of the wafer, the wafer is loaded from the wafer positioning unit 4 into the heat treatment furnace even if the wafer is aligned by the wafer positioning unit 4. During the process, there is a possibility that the wafer slightly moves on the wafer carrying arm 2. Wafer loading arm 2
When the wafer moves above, the wafer cannot be supported on the wafer support ring, and the wafer falls in the heat treatment furnace. Alternatively, in the case where a temperature distribution occurs in the heat treatment furnace, it is necessary to always support the wafer at the same position on the wafer support ring, and in-plane uniformity in the heat treatment of the wafer cannot be obtained with good reproducibility. There is a problem.

【0007】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、熱処理炉内への基板の搬入時におけ
る熱処理炉内への外気の持ち込みを最小限に抑え、熱処
理炉内への基板の搬入後における熱処理炉内部のガス置
換に要する時間を短縮化して、スループットを向上させ
ることができるとともに、熱処理炉内への基板の搬入の
過程で、基板をアームに対し移動させることなく確実に
支持して、常に熱処理炉内の決められた位置に正しく搬
送することを可能にし、熱処理炉内部のウエハ支持リン
グ上に基板を確実にかつその一定位置に支持させること
ができる熱処理装置の基板搬出入装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and minimizes the introduction of outside air into a heat treatment furnace when a substrate is carried into the heat treatment furnace. The time required for gas replacement inside the heat treatment furnace after loading the substrate can be shortened, and the throughput can be improved. In addition, the substrate can be reliably moved without being moved to the arm during the process of loading the substrate into the heat treatment furnace. The substrate of the heat treatment apparatus, which can always be transported to a predetermined position in the heat treatment furnace correctly, and can surely support the substrate on the wafer support ring in the heat treatment furnace at a fixed position. It is intended to provide a carry-in / out device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
熱処理前の基板を水平姿勢に支持して熱処理炉内へ搬入
する基板搬入アームと熱処理後の基板を水平姿勢に支持
して熱処理炉内から搬出する基板搬出アームとを備えた
熱処理装置の基板搬出入装置において、前記基板搬入ア
ームが、基板の下面と面接触して基板を支持する支持平
面を有し、その基板搬入アームに、前記支持平面上に支
持された基板の外周縁に沿うように基板の外周端面に近
接して対向する移動規制部を形設したことを特徴とす
る。
The invention according to claim 1 is
Substrate unloading of a heat treatment apparatus having a substrate carrying arm for supporting a substrate before heat treatment in a horizontal position and carrying it into a heat treatment furnace, and a substrate carrying arm for supporting a substrate after heat treatment in a horizontal position and carrying it out of the heat treatment furnace In the loading device, the substrate carrying arm has a supporting plane for supporting the substrate in surface contact with the lower surface of the substrate, and the substrate carrying arm is provided along the outer peripheral edge of the substrate supported on the supporting plane. It is characterized in that a movement restricting portion is formed close to and opposed to the outer peripheral end surface of the substrate.

【0009】請求項2に係る発明は、熱処理前の基板を
水平姿勢に支持して熱処理炉内へ搬入する基板搬入アー
ムと熱処理後の基板を水平姿勢に支持して熱処理炉内か
ら搬出する基板搬出アームとを備えた熱処理装置の基板
搬出入装置において、前記基板搬入アームが、基板を吸
着して支持する吸着手段を有することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate carrying arm for supporting a substrate before heat treatment in a horizontal position and carrying it into a heat treatment furnace, and a substrate for supporting a substrate after heat treatment in a horizontal position and carrying it out of the heat treatment furnace. In a substrate carrying-in / out device of a heat treatment apparatus having a carrying-out arm, the substrate carrying-in arm has a suction unit for sucking and supporting a substrate.

【0010】請求項3に係る発明は、請求項1または請
求項2記載の基板搬出入装置において、基板搬出アーム
が、基板の下面に点接触して基板を支持する少なくとも
3個の支持突起を有することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate loading and unloading device according to the first or second aspect, the substrate unloading arm has at least three support projections for supporting the substrate in point contact with the lower surface of the substrate. It is characterized by having.

【0011】請求項1に係る発明の基板搬出入装置で
は、基板搬入アームは、その支持平面が基板の下面と面
接触して基板を支持するので、基板搬入アームの支持平
面と基板下面との間には、熱処理炉内へ基板を搬入する
際に空気等の外気が滞留し保持されるような隙間ができ
ない。したがって、熱処理炉内への基板の搬入時におけ
る熱処理炉内への外気の持ち込みが最小限に抑えられ
る。このため、熱処理炉内へ基板を搬入した後、熱処理
炉内を濃度管理すべき雰囲気にするまでのガス置換時間
が短くて済むことになる。また、基板搬入アームの支持
平面上に支持された基板は、その外周端面に近接して対
向する移動規制部により基板搬入アーム上での移動が規
制されて確実に支持されるので、常に熱処理炉内の決め
られた位置に正しく搬送され、熱処理炉内部のウエハ支
持リング上に基板を確実にかつその一定位置に支持させ
ることが可能になる。
In the substrate loading / unloading device according to the first aspect of the present invention, the substrate loading arm supports the substrate with its supporting plane in surface contact with the lower surface of the substrate. There is no gap between the outside and the outside air such as air when the substrate is carried into the heat treatment furnace. Therefore, carry-in of outside air into the heat treatment furnace when the substrate is carried into the heat treatment furnace can be minimized. For this reason, after the substrate is carried into the heat treatment furnace, the gas replacement time until the inside of the heat treatment furnace is set to an atmosphere in which the concentration is to be controlled can be shortened. Further, the substrate supported on the support plane of the substrate carry-in arm is surely supported by the movement restricting portion, which is in close proximity to the outer peripheral end face thereof, and the movement thereof is regulated by the movement restricting portion. The substrate is correctly conveyed to a predetermined position in the inside of the heat treatment furnace, and the substrate can be supported on the wafer support ring in the heat treatment furnace reliably and at a predetermined position.

【0012】請求項2に係る発明の基板搬出入装置で
は、基板搬入アームは、その吸着手段により基板を吸着
して支持するので、基板搬入アームの吸着面と基板下面
との間には、熱処理炉内へ基板を搬入する際に空気等の
外気が滞留し保持されるような隙間ができない。したが
って、熱処理炉内への基板の搬入時における熱処理炉内
への外気の持ち込みが最小限に抑えられる。このため、
熱処理炉内へ基板を搬入した後、熱処理炉内を濃度管理
すべき雰囲気にするまでのガス置換時間が短くて済むこ
とになる。また、基板は、吸着手段により吸着されて基
板搬入アームに固定され、基板搬入アームに対し移動す
ることがないので、常に熱処理炉内の決められた位置に
正しく搬送され、熱処理炉内部のウエハ支持リング上に
基板を確実にかつその一定位置に支持させることが可能
になる。
In the substrate loading / unloading device according to the second aspect of the present invention, since the substrate loading / unloading arm sucks and supports the substrate by the suction means, a heat treatment is performed between the suction surface of the substrate loading / unloading arm and the substrate lower surface. When carrying the substrate into the furnace, there is no gap in which outside air such as air stays and is held. Therefore, carry-in of outside air into the heat treatment furnace when the substrate is carried into the heat treatment furnace can be minimized. For this reason,
After the substrate is loaded into the heat treatment furnace, the gas replacement time until the inside of the heat treatment furnace is brought into an atmosphere in which the concentration should be controlled can be shortened. Further, the substrate is adsorbed by the suction means and fixed to the substrate carrying arm and does not move with respect to the substrate carrying arm, so that the substrate is always properly transported to a predetermined position in the heat treatment furnace, and the wafer support inside the heat treatment furnace is supported. The substrate can be supported on the ring reliably and at a fixed position.

【0013】請求項3に係る発明の基板搬出入装置で
は、基板搬出アームは、3個の支持突起が基板の下面に
点接触して基板を支持するので、熱処理が終了した直後
の高温の基板を支持しても、基板が割れる心配が無い。
In the substrate loading and unloading device according to the third aspect of the present invention, the substrate unloading arm supports the substrate by the three support projections being in point contact with the lower surface of the substrate. There is no need to worry about the substrate breaking even if it is supported.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1および図2は、この発明の実施形態の
1例を示し、図1は、熱処理装置、例えばランプアニー
ル装置の熱処理炉内へ基板、例えば半導体ウエハを搬入
し熱処理炉内からウエハを搬出するウエハ搬出入装置の
構成要素の1つであるウエハ搬入アームのウエハ支持部
分の平面図であり、図2は、図1のII−II矢視縦断面図
である。ウエハ搬出入装置の基本構成および機能は、図
7に関して説明した従来の装置と同様であり、それらの
説明を省略する。
FIGS. 1 and 2 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a state in which a substrate, for example, a semiconductor wafer is loaded into a heat treatment furnace of a heat treatment apparatus, for example, a lamp annealing apparatus, and the wafer is loaded from the heat treatment furnace. FIG. 2 is a plan view of a wafer supporting portion of a wafer loading arm which is one of the components of the wafer loading / unloading device for unloading the wafer, and FIG. The basic configuration and functions of the wafer loading / unloading device are the same as those of the conventional device described with reference to FIG. 7, and a description thereof will be omitted.

【0016】図1および図2に示したウエハ搬入アーム
10は、二股になった前方部の上面が、ウエハWの外周
形状に対応するように円弧状に凹んでおり、その凹部1
2の底面が、ウエハWの外周縁部下面と面接触してウエ
ハWを水平姿勢に支持する支持平面14となる。また、
凹部12の内周面が、支持平面14上に支持されたウエ
ハWの外周端面に近接して対向する移動規制部16とな
る。
1 and 2, the upper surface of the bifurcated front portion is recessed in an arc shape so as to correspond to the outer peripheral shape of the wafer W.
The bottom surface of the wafer 2 serves as a support plane 14 that is in surface contact with the lower surface of the outer peripheral edge of the wafer W to support the wafer W in a horizontal posture. Also,
The inner peripheral surface of the concave portion 12 serves as a movement restricting portion 16 that is close to and opposes the outer peripheral end surface of the wafer W supported on the support plane 14.

【0017】このウエハ搬入アーム10は、ウエハ位置
決めユニットから処理前のウエハを取り出し、そのウエ
ハWが凹部12内に収まるようにしてウエハWを支持す
る。このとき、ウエハWの下面と支持平面14とは面接
触しているので、それらの間に、空気等の外気が滞留し
保持されるような隙間は形成されない。したがって、ウ
エハ搬入アーム10が駆動されて熱処理炉内へウエハW
を搬入した際に、熱処理炉内への外気の持ち込みが最小
限に抑えられる。このため、熱処理炉内へウエハWを搬
入した後に行われるガス置換に要する時間が短くて済む
ことになる。また、ウエハ搬入アーム10がウエハWを
支持したとき、ウエハWの外周端面は移動規制部16に
近接して対向し、移動規制部16によってウエハ搬入ア
ーム10上での移動が規制される。したがって、ウエハ
Wは、ウエハ搬入アーム10によって常に熱処理炉内の
決められた位置に正しく搬送され、熱処理炉に配設され
たウエハ移載機構を介してウエハ支持リング上に確実に
かつその一定位置に支持される。
The wafer carrying arm 10 takes out an unprocessed wafer from the wafer positioning unit and supports the wafer W so that the wafer W fits in the recess 12. At this time, since the lower surface of the wafer W and the support plane 14 are in surface contact, no gap is formed between them so that outside air such as air stays and is held. Accordingly, the wafer loading arm 10 is driven to move the wafer W into the heat treatment furnace.
When carrying in, the carry-in of outside air into the heat treatment furnace is minimized. For this reason, the time required for gas replacement performed after loading the wafer W into the heat treatment furnace can be shortened. Further, when the wafer carrying arm 10 supports the wafer W, the outer peripheral end surface of the wafer W is opposed to and close to the movement regulating unit 16, and the movement on the wafer carrying arm 10 is regulated by the movement regulating unit 16. Therefore, the wafer W is always properly transported to a predetermined position in the heat treatment furnace by the wafer carrying arm 10, and is surely and fixedly placed on the wafer support ring via the wafer transfer mechanism provided in the heat treatment furnace. Supported by

【0018】図3は、図1および図2に実施形態を示し
た発明とは別構成の発明の実施形態の1例を示し、ウエ
ハ搬入アームのウエハ支持部分の平面図である。このウ
エハ搬入アーム18は、二股になった前方部の上面側の
複数個所、図示例では3個所に吸盤20が取着されてい
る。そして、このウエハ搬入アーム18では、ウエハW
の下面を吸盤20で吸着して、ウエハWを水平姿勢に支
持する。
FIG. 3 is a plan view showing an example of an embodiment of the invention different from the invention shown in FIGS. 1 and 2 and showing a wafer supporting portion of a wafer carrying arm. The suction cups 20 are attached to the wafer carrying arm 18 at a plurality of locations on the upper surface side of the bifurcated front portion, in the illustrated example, at three locations. Then, in the wafer carrying arm 18, the wafer W
Is sucked by the suction cup 20 to support the wafer W in a horizontal posture.

【0019】また、図4は、別の実施形態を示し、ウエ
ハ搬入アームのウエハ支持部分の平面図である。このウ
エハ搬入アーム22は、桿状をなし、先端部分に吸着部
24が設けられており、ウエハ搬入アーム22の桿状部
分の内部に、吸着部24に連通する真空吸引路26が形
成されている。このウエハ搬入アーム22は、ウエハW
の上面中央部を吸着部24で吸着して、ウエハWを懸吊
状態で水平姿勢に支持する。
FIG. 4 shows another embodiment, and is a plan view of a wafer supporting portion of a wafer carrying arm. The wafer carrying arm 22 has a rod shape, and a suction portion 24 is provided at a tip portion thereof. A vacuum suction path 26 communicating with the suction portion 24 is formed inside the rod portion of the wafer carrying arm 22. The wafer carrying arm 22 is used for the wafer W
The suction unit 24 sucks the central part of the upper surface of the wafer W to support the wafer W in a suspended state in a horizontal position.

【0020】図3に示したウエハ搬入アーム18および
図4に示したウエハ搬入アーム22はいずれも、ウエハ
Wを吸着して支持するので、ウエハ搬入アーム18、2
2の吸着面とウエハW下面との間には、熱処理炉内へウ
エハWを搬入する際に空気等の外気が滞留し保持される
ような隙間は形成されない。したがって、ウエハ搬入ア
ーム18、22によりウエハWを支持して熱処理炉内へ
搬入した際に、熱処理炉内への外気の持ち込みが最小限
に抑えられる。このため、熱処理炉内へウエハWを搬入
した後に行われるガス置換に要する時間が短くて済むこ
とになる。また、ウエハWは、吸盤20や吸着24によ
り吸着されてウエハ搬入アーム18、22に固定される
ため、ウエハ搬入アーム18、22に対し移動すること
がない。したがって、ウエハWは、ウエハ搬入アーム1
8、22によって常に熱処理炉内の決められた位置に正
しく搬送され、熱処理炉内部のウエハ支持リング上に確
実にかつその一定位置に支持されることになる。
The wafer carrying arm 18 shown in FIG. 3 and the wafer carrying arm 22 shown in FIG.
No gap is formed between the suction surface 2 and the lower surface of the wafer W such that outside air such as air stays and is retained when the wafer W is carried into the heat treatment furnace. Therefore, when the wafer W is supported by the wafer carrying arms 18 and 22 and is carried into the heat treatment furnace, the introduction of outside air into the heat treatment furnace is minimized. For this reason, the time required for gas replacement performed after loading the wafer W into the heat treatment furnace can be shortened. Further, since the wafer W is sucked by the suction cup 20 and the suction 24 and fixed to the wafer carrying arms 18 and 22, the wafer W does not move with respect to the wafer carrying arms 18 and 22. Therefore, the wafer W is loaded on the wafer loading arm 1
By means of 8 and 22, the wafer is always correctly transported to a predetermined position in the heat treatment furnace, and is surely supported on a wafer support ring in the heat treatment furnace at a fixed position.

【0021】次に、図5および図6は、ウエハ搬出入装
置のウエハ搬出アームの構成例を示し、図5は平面図で
あり、図6は図5のVI−VI矢視縦断面図である。
FIGS. 5 and 6 show examples of the structure of a wafer carry-out arm of the wafer carry-in / out device. FIG. 5 is a plan view, and FIG. 6 is a vertical sectional view taken along the line VI-VI of FIG. is there.

【0022】図5および図6に示したウエハ搬出アーム
28は、二股になった前方部の上面が、ウエハWの外周
形状に対応するように円弧状に凹んでおり、その凹部3
0の底面上に複数個、図示例では3個の支持突起32が
形設されている。そして、このウエハ搬出アーム28
は、3個の支持突起32によりウエハWの下面に点接触
してウエハWを支持する。したがって、このウエハ搬出
アーム28により、熱処理が終了した直後の高温、例え
ば500℃以上のウエハWを支持しても、ウエハWが割
れる心配は無い。
5 and 6, the upper surface of the bifurcated front portion is concavely formed in an arc shape corresponding to the outer peripheral shape of the wafer W.
A plurality of, in the illustrated example, three support projections 32 are formed on the bottom surface of the zero. Then, the wafer unloading arm 28
The three support projections 32 support the wafer W in point contact with the lower surface of the wafer W. Therefore, even if the wafer carrying arm 28 supports the wafer W at a high temperature, for example, 500 ° C. or more immediately after the completion of the heat treatment, there is no fear that the wafer W is broken.

【0023】この発明に係るウエハ搬出入装置は、図1
ないし図4に示したような構成のウエハ搬入アーム1
0、18、22を備えるとともに、図5および図6に示
したような構成のウエハ搬出アーム28を備えており、
従来の装置とは異なり、ウエハ搬入アーム10、18、
22とウエハ搬出アーム28とでウエハWの支持構造を
異にしている。
FIG. 1 shows a wafer loading / unloading apparatus according to the present invention.
Or a wafer loading arm 1 having a configuration as shown in FIG.
0, 18, and 22, and a wafer unloading arm 28 having a configuration as shown in FIGS. 5 and 6.
Unlike conventional devices, wafer loading arms 10, 18,
The support structure of the wafer W is different between the wafer 22 and the wafer unloading arm 28.

【0024】[0024]

【発明の効果】請求項1および請求項2に係る各発明の
熱処理装置の基板搬出入装置を使用すると、熱処理炉内
への基板の搬入時における熱処理炉内への外気の持ち込
みが最小限に抑えられ、熱処理炉内への基板の搬入後に
おける熱処理炉内部のガス置換に要する時間が短縮化さ
れるので、スループットを向上させることができる。ま
た、基板は、熱処理炉内への基板の搬入の過程でアーム
に対し移動することなく確実に支持されて、常に熱処理
炉内の決められた位置に正しく搬送されるので、基板を
熱処理炉内部のウエハ支持リング上に確実にかつその一
定位置に支持させることを可能にする。そして、熱処理
炉内での基板の落下事故を無くし、基板の熱処理におけ
る面内均一性を再現良く得ることができる。
According to the first and second aspects of the present invention, the use of the substrate carry-in / out device of the heat treatment apparatus minimizes the introduction of outside air into the heat treatment furnace when the substrate is carried into the heat treatment furnace. Thus, the time required for gas replacement in the heat treatment furnace after the substrate is carried into the heat treatment furnace is reduced, so that the throughput can be improved. In addition, the substrate is reliably supported without moving with respect to the arm during the process of loading the substrate into the heat treatment furnace, and is always correctly transported to a predetermined position in the heat treatment furnace. On the wafer support ring of the same. Further, it is possible to eliminate the accident of dropping the substrate in the heat treatment furnace and to obtain in-plane uniformity in the heat treatment of the substrate with good reproducibility.

【0025】請求項3に係る発明の基板搬出入装置で
は、請求項1および請求項2に係る各発明の上記効果を
奏しつつ、熱処理が終了した直後の高温の基板を熱処理
炉内から搬出するのに際し、基板搬出アームによって基
板を支持した時に基板が割れる、といった心配を無くす
ことができる。
In the substrate loading / unloading device according to the third aspect of the present invention, the high-temperature substrate immediately after the completion of the heat treatment is carried out from the heat treatment furnace while exhibiting the above effects of the first and second inventions. In this case, it is possible to eliminate a fear that the substrate is broken when the substrate is supported by the substrate carrying arm.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施形態の1例を示し、ランプアニ
ール装置のウエハ搬出入装置の構成要素の1つであるウ
エハ搬入アームのウエハ支持部分の平面図である。
FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention, and is a plan view of a wafer supporting portion of a wafer loading arm which is one of components of a wafer loading / unloading device of a lamp annealing apparatus.

【図2】図1のII−II矢視縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view taken along the line II-II of FIG.

【図3】図1および図2に実施形態を示した発明とは別
構成の発明の実施形態の1例を示し、ウエハ搬入アーム
のウエハ支持部分の平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing an example of an embodiment of the invention having a different configuration from the invention shown in FIGS. 1 and 2, and is a plan view of a wafer support portion of a wafer loading arm;

【図4】同じく別構成の発明の別の実施形態を示し、ウ
エハ搬入アームのウエハ支持部分の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a wafer support portion of a wafer loading arm according to another embodiment of the present invention having another configuration.

【図5】ウエハ搬出入装置のウエハ搬出アームの構成例
を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a configuration example of a wafer carry-out arm of the wafer carry-in / out device.

【図6】図5のVI−VI矢視縦断面図である。6 is a vertical sectional view taken along the line VI-VI in FIG. 5;

【図7】ウエハ搬出入装置の概略構成の1例を、熱処理
炉等と共に示す模式的平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view showing an example of a schematic configuration of a wafer loading / unloading device together with a heat treatment furnace and the like.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、18、22 ウエハ搬入アーム 12 ウエハ搬入アームの凹部 14 支持平面 16 移動規制部 20 吸盤 24 吸着部 26 真空吸引路 28 ウエハ搬出アーム 30 ウエハ搬出アームの凹部 32 支持突起 W 半導体ウエハ 10, 18, 22 Wafer carry-in arm 12 Wafer carry-in arm recess 14 Support plane 16 Movement restricting unit 20 Suction cup 24 Suction unit 26 Vacuum suction path 28 Wafer carry-out arm 30 Wafer carry-out arm recess 32 Support protrusion W Semiconductor wafer

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B65G 1/00 547 B65G 1/00 547A 49/07 49/07 G F27D 3/00 F27D 3/00 Z H01L 21/26 H01L 21/26 G Fターム(参考) 3C007 DS01 ES02 EV01 EV05 EV07 EV14 EW00 FS01 NS09 NS11 NS17 3F022 AA08 CC02 KK01 KK10 3F061 AA01 BA02 BE01 BE05 BE12 BE24 BF00 CA01 DB00 DB04 DB06 4K055 AA06 BA03 BA05 5F031 CA02 FA01 FA07 GA05 GA06 GA08 GA24 GA38 KA03 MA30 PA20 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) B65G 1/00 547 B65G 1/00 547A 49/07 49/07 G F27D 3/00 F27D 3/00 Z H01L 21/26 H01L 21/26 GF term (reference) 3C007 DS01 ES02 EV01 EV05 EV07 EV14 EW00 FS01 NS09 NS11 NS17 3F022 AA08 CC02 KK01 KK10 3F061 AA01 BA02 BE01 BE05 BE12 BE24 BF00 CA01 DB00 DB04 DB06 4K055 AA07 GA03 GA05 FA05 GA24 GA38 KA03 MA30 PA20

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 熱処理前の基板を水平姿勢に支持して熱
処理炉内へ搬入する基板搬入アームと、 熱処理後の基板を水平姿勢に支持して熱処理炉内から搬
出する基板搬出アームと、を備えた熱処理装置の基板搬
出入装置において、 前記基板搬入アームが、基板の下面と面接触して基板を
支持する支持平面を有し、その基板搬入アームに、前記
支持平面上に支持された基板の外周縁に沿うように基板
の外周端面に近接して対向する移動規制部を形設したこ
とを特徴とする熱処理装置の基板搬出入装置。
1. A substrate carrying arm for supporting a substrate before heat treatment in a horizontal position and carrying it into a heat treatment furnace, and a substrate carrying arm for supporting a substrate after heat treatment in a horizontal position and carrying it out of the heat treatment furnace. In the substrate loading / unloading device of the heat treatment apparatus, the substrate loading arm has a support plane for supporting the substrate in surface contact with the lower surface of the substrate, and the substrate loading arm supports the substrate supported on the support plane. And a movement restricting portion formed adjacent to and facing the outer peripheral end surface of the substrate along the outer peripheral edge of the substrate.
【請求項2】 熱処理前の基板を水平姿勢に支持して熱
処理炉内へ搬入する基板搬入アームと、 熱処理後の基板を水平姿勢に支持して熱処理炉内から搬
出する基板搬出アームと、を備えた熱処理装置の基板搬
出入装置において、 前記基板搬入アームが、基板を吸着して支持する吸着手
段を有することを特徴とする熱処理装置の基板搬出入装
置。
2. A substrate carrying arm for supporting a substrate before heat treatment in a horizontal position and carrying it into a heat treatment furnace, and a substrate carrying arm for supporting a substrate after heat treatment in a horizontal position and carrying it out of the heat treatment furnace. A substrate loading / unloading device for a heat treatment apparatus, comprising: a substrate loading / unloading device, wherein the substrate loading / unloading arm includes a suction unit that sucks and supports the substrate.
【請求項3】 前記基板搬出アームが、基板の下面に点
接触して基板を支持する少なくとも3個の支持突起を有
する請求項1または請求項2記載の熱処理装置の基板搬
出入装置。
3. The substrate carrying-in / out apparatus of a heat treatment apparatus according to claim 1, wherein said substrate carrying-out arm has at least three support projections for supporting said substrate in point contact with a lower surface of said substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015103696A (en) * 2013-11-26 2015-06-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate transport device

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