JP2002110635A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2002110635A JP2002110635A JP2000303115A JP2000303115A JP2002110635A JP 2002110635 A JP2002110635 A JP 2002110635A JP 2000303115 A JP2000303115 A JP 2000303115A JP 2000303115 A JP2000303115 A JP 2000303115A JP 2002110635 A JP2002110635 A JP 2002110635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メンテナンスが容易な構造でかつライナ温度
が保持され、エッチング特性を安定させる。 【解決手段】 処理室３１へのエッチング反応生成物の
付着を防ぐために処理室３１内壁に配設された着脱可能
なライナ３７と、ライナ３７を加熱するヒータ３８とを
備えた構成において、ライナ３７の温度を測定する手段
と、この手段により測定されたライナ３７の温度に基づ
いてライナ３７の温度が所望の値となるようにヒータ３
８を制御する手段とを備えた。これにより、ライナ３７
の温度を直接モニタし、コントロールすることができ
る。このため、メンテナンス後のライナ３７の取り付け
ばらつきやライナ３７の個体差によるライナ３７の温度
の変化はなく、レジスト選択比の変化はないため、半導
体デバイスの加工不良がなくなり、歩留り低下の要因が
減少する。
が保持され、エッチング特性を安定させる。 【解決手段】 処理室３１へのエッチング反応生成物の
付着を防ぐために処理室３１内壁に配設された着脱可能
なライナ３７と、ライナ３７を加熱するヒータ３８とを
備えた構成において、ライナ３７の温度を測定する手段
と、この手段により測定されたライナ３７の温度に基づ
いてライナ３７の温度が所望の値となるようにヒータ３
８を制御する手段とを備えた。これにより、ライナ３７
の温度を直接モニタし、コントロールすることができ
る。このため、メンテナンス後のライナ３７の取り付け
ばらつきやライナ３７の個体差によるライナ３７の温度
の変化はなく、レジスト選択比の変化はないため、半導
体デバイスの加工不良がなくなり、歩留り低下の要因が
減少する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製品製造
のための基板処理装置、特に処理室内の温度制御におけ
るプラズマ処理装置に関するものである。
のための基板処理装置、特に処理室内の温度制御におけ
るプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの微細化に伴い、
ドライエッチング工程においては装置の改善が著しく、
高密度プラズマを用いた装置が多用され始めている。高
密度プラズマを用いた装置では高エネルギー、高密度の
イオンが生成されるためプラズマと処理室（以下チャン
バという）の内壁の相互作用が無視できない領域に到達
しているため、エッチング特性の変動、チャンバ間ばら
つきの要因となってきている。
ドライエッチング工程においては装置の改善が著しく、
高密度プラズマを用いた装置が多用され始めている。高
密度プラズマを用いた装置では高エネルギー、高密度の
イオンが生成されるためプラズマと処理室（以下チャン
バという）の内壁の相互作用が無視できない領域に到達
しているため、エッチング特性の変動、チャンバ間ばら
つきの要因となってきている。
【０００３】以下、従来のプラズマ処理装置の一例を、
図面を参照しながら説明する。図３は、一般的な高密度
プラズマを用いたドライエッチャの断面概略図である。
図３において、１はドライエッチチャンバ、２はドライ
エッチチャンバ１内の下部に設置された下部電極、３は
ドライエッチチャンバ１と下部電極２を絶縁するための
Ａｌ2 Ｏ3 セラミック、４は下部電極２上に設置された
被エッチング物であるシリコンウエハ、５は、ドライエ
ッチングチャンバ１上部に設けられたＳｉＣセラミック
等の上部電極、６は上部電極５上に設置され、プラズマ
を発生するためのコイル、７はドライエッチングチャン
バ１へのエッチング反応生成物の付着を防ぐために設置
されたＡｌ2 Ｏ3 セラミック等のライナ、８はライナ７
への反応生成物付着量を減らすために設置されたヒー
タ、９はライナ７を均一に加熱するためにヒータ８下部
に接触して設けたブロック、１０はブロック９を温度モ
ニタするために設けた熱伝対である。ライナ７とブロッ
ク９は高温時にブロック９が膨張してもライナ７が割れ
ないように１ｍｍ程度の隙間が空いている。
図面を参照しながら説明する。図３は、一般的な高密度
プラズマを用いたドライエッチャの断面概略図である。
図３において、１はドライエッチチャンバ、２はドライ
エッチチャンバ１内の下部に設置された下部電極、３は
ドライエッチチャンバ１と下部電極２を絶縁するための
Ａｌ2 Ｏ3 セラミック、４は下部電極２上に設置された
被エッチング物であるシリコンウエハ、５は、ドライエ
ッチングチャンバ１上部に設けられたＳｉＣセラミック
等の上部電極、６は上部電極５上に設置され、プラズマ
を発生するためのコイル、７はドライエッチングチャン
バ１へのエッチング反応生成物の付着を防ぐために設置
されたＡｌ2 Ｏ3 セラミック等のライナ、８はライナ７
への反応生成物付着量を減らすために設置されたヒー
タ、９はライナ７を均一に加熱するためにヒータ８下部
に接触して設けたブロック、１０はブロック９を温度モ
ニタするために設けた熱伝対である。ライナ７とブロッ
ク９は高温時にブロック９が膨張してもライナ７が割れ
ないように１ｍｍ程度の隙間が空いている。
【０００４】上記構成のプラズマ処理装置の動作につい
て説明する。まず、ヒータ８をＯＮして、ブロック９お
よびライナ７を加熱する。熱伝対１０にてブロック９の
温度をモニタリングし、真空ポートと通して外部に出力
し、ヒータ８のパワーにフィードバックして、ブロック
９の温度を例えば２５０℃にコントロールしている。ブ
ロック９の温度は２５０℃であるが、ライナ７の温度は
真空中の輻射熱で暖められるだけなので、２００℃前後
になっている。ドライエッチチャンバ１中に、例えばＣ
4 Ｆ8 ガスを２０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガスを５ｓｃｃｍ導入
し、圧力を２０ｍＴｏｒｒに制御する。その後、コイル
６に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１５００Ｗ
印加し、ドライエッチングチャンバ１内にプラズマを発
生させる。さらに、下部電極２に高周波電力を１５００
Ｗ印加し、例えばシリコンウエハ４上のシリコン酸化膜
をエッチングし、コンタクトホールを形成する。
て説明する。まず、ヒータ８をＯＮして、ブロック９お
よびライナ７を加熱する。熱伝対１０にてブロック９の
温度をモニタリングし、真空ポートと通して外部に出力
し、ヒータ８のパワーにフィードバックして、ブロック
９の温度を例えば２５０℃にコントロールしている。ブ
ロック９の温度は２５０℃であるが、ライナ７の温度は
真空中の輻射熱で暖められるだけなので、２００℃前後
になっている。ドライエッチチャンバ１中に、例えばＣ
4 Ｆ8 ガスを２０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガスを５ｓｃｃｍ導入
し、圧力を２０ｍＴｏｒｒに制御する。その後、コイル
６に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１５００Ｗ
印加し、ドライエッチングチャンバ１内にプラズマを発
生させる。さらに、下部電極２に高周波電力を１５００
Ｗ印加し、例えばシリコンウエハ４上のシリコン酸化膜
をエッチングし、コンタクトホールを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような処理装置は
通常エッチング１００時間毎に、エッチングチャンバ１
を大気開放してメンテナンスする必要がある。メンテナ
ンスを行う際、ライナ７を取り外してクリーニングする
必要があるが、再度取り付ける際にブロック９との隙間
が変わる等の原因でライナ７の表面温度が変化する状況
が生じる。また、取り付け方だけでなく、ライナ７、ブ
ロック９等の個体差によってもライナ７の温度が変わっ
てしまう。
通常エッチング１００時間毎に、エッチングチャンバ１
を大気開放してメンテナンスする必要がある。メンテナ
ンスを行う際、ライナ７を取り外してクリーニングする
必要があるが、再度取り付ける際にブロック９との隙間
が変わる等の原因でライナ７の表面温度が変化する状況
が生じる。また、取り付け方だけでなく、ライナ７、ブ
ロック９等の個体差によってもライナ７の温度が変わっ
てしまう。
【０００６】ここで図４に示すように、ライナ７の温度
とエッチング特性は相関があり、ライナ７の温度が下が
れば、酸化膜のエッチング速度とレジストのエッチング
速度の比（レジスト選択比）は低下する。その原因は、
ライナ７の温度が下がり、ライナ７へ付着する反応生成
物が増加し、シリコンウエハ４上への反応生成物の堆積
量が減少する。この反応生成物が、レジストのエッチン
グ速度上昇を抑制しているため、結果として、シリコン
ウエハ４上の反応生成物の堆積量が少なければレジスト
のエッチング速度が上昇し、レジスト選択比が低下す
る。さらに、エッチング中にマスクであるレジストが無
くなり、コンタクトホールのパターンが形成できず、加
工不良となり、半導体デバイスの歩留りが低下する。
とエッチング特性は相関があり、ライナ７の温度が下が
れば、酸化膜のエッチング速度とレジストのエッチング
速度の比（レジスト選択比）は低下する。その原因は、
ライナ７の温度が下がり、ライナ７へ付着する反応生成
物が増加し、シリコンウエハ４上への反応生成物の堆積
量が減少する。この反応生成物が、レジストのエッチン
グ速度上昇を抑制しているため、結果として、シリコン
ウエハ４上の反応生成物の堆積量が少なければレジスト
のエッチング速度が上昇し、レジスト選択比が低下す
る。さらに、エッチング中にマスクであるレジストが無
くなり、コンタクトホールのパターンが形成できず、加
工不良となり、半導体デバイスの歩留りが低下する。
【０００７】したがって、この発明の目的は、かかる点
に鑑みてなされたものであり、メンテナンスが容易な構
造でかつライナ温度が保持され、エッチング特性を安定
させ、半導体デバイスの歩留りを安定させるプラズマ処
理装置を提供することである。
に鑑みてなされたものであり、メンテナンスが容易な構
造でかつライナ温度が保持され、エッチング特性を安定
させ、半導体デバイスの歩留りを安定させるプラズマ処
理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
にこの発明の請求項１記載のプラズマ処理装置は、半導
体製品の基板を処理する処理室と、処理室へのエッチン
グ反応生成物の付着を防ぐために処理室内壁に配設され
た着脱可能なライナと、ライナを加熱するヒータとを備
えたプラズマ処理装置であって、前記ライナの温度を測
定する手段と、この手段により測定されたライナの温度
に基づいて前記ライナの温度が所望の値となるように前
記ヒータを制御する手段とを備えた。
にこの発明の請求項１記載のプラズマ処理装置は、半導
体製品の基板を処理する処理室と、処理室へのエッチン
グ反応生成物の付着を防ぐために処理室内壁に配設され
た着脱可能なライナと、ライナを加熱するヒータとを備
えたプラズマ処理装置であって、前記ライナの温度を測
定する手段と、この手段により測定されたライナの温度
に基づいて前記ライナの温度が所望の値となるように前
記ヒータを制御する手段とを備えた。
【０００９】このように、ライナの温度を測定する手段
と、この手段により測定されたライナの温度に基づいて
ライナの温度が所望の値となるようにヒータを制御する
手段とを備えたので、ライナの温度を直接モニタし、コ
ントロールすることができる。このため、メンテナンス
後のライナの取り付けばらつきやライナの個体差による
ライナの温度の変化はなく、レジスト選択比の変化はな
いため、半導体デバイスの加工不良がなくなり、歩留り
低下の要因が減少する。
と、この手段により測定されたライナの温度に基づいて
ライナの温度が所望の値となるようにヒータを制御する
手段とを備えたので、ライナの温度を直接モニタし、コ
ントロールすることができる。このため、メンテナンス
後のライナの取り付けばらつきやライナの個体差による
ライナの温度の変化はなく、レジスト選択比の変化はな
いため、半導体デバイスの加工不良がなくなり、歩留り
低下の要因が減少する。
【００１０】請求項２記載のプラズマ処理装置は、請求
項１において、ライナの温度を測定する手段は、前記ラ
イナのプラズマに晒されない面に設けられた蛍光体と、
この蛍光体の光を取り込めるように蛍光体と非接触で設
置された光ファイバと、この光ファイバと接続された自
励手段を有する蛍光温度計とからなる。
項１において、ライナの温度を測定する手段は、前記ラ
イナのプラズマに晒されない面に設けられた蛍光体と、
この蛍光体の光を取り込めるように蛍光体と非接触で設
置された光ファイバと、この光ファイバと接続された自
励手段を有する蛍光温度計とからなる。
【００１１】このように、ライナの温度を測定する手段
は、ライナのプラズマに晒されない面に設けられた蛍光
体と、この蛍光体の光を取り込めるように蛍光体と非接
触で設置された光ファイバと、この光ファイバと接続さ
れた自励手段を有する蛍光温度計とからなるので、ライ
ナの温度モニタを蛍光温度計で行うことができ、熱伝対
のように被測定物であるライナとの接触がなく、プラズ
マによるノイズもなく、安定した測定ができる。
は、ライナのプラズマに晒されない面に設けられた蛍光
体と、この蛍光体の光を取り込めるように蛍光体と非接
触で設置された光ファイバと、この光ファイバと接続さ
れた自励手段を有する蛍光温度計とからなるので、ライ
ナの温度モニタを蛍光温度計で行うことができ、熱伝対
のように被測定物であるライナとの接触がなく、プラズ
マによるノイズもなく、安定した測定ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１およ
び図２に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形
態のプラズマ処理装置で高密度プラズマを用いたドライ
エッチャの断面概略図、図２はその温度測定部の拡大図
である。図１に示すように、このプラズマ処理装置は、
半導体製造装置のドライエッチング工程において用いら
れ、半導体製品の基板を処理する処理室（ドライエッチ
チャンバ）３１と、処理室内壁に配設された着脱可能な
ライナ３７と、ライナ３７を加熱するヒータ３８とを備
えている。また、ライナ３７の温度を測定する手段と、
この手段により測定されたライナ３７の温度に基づいて
ライナ３７の温度が所望の値となるようにヒータ３８を
制御する手段とを備えている。ライナ３７はドライエッ
チングチャンバ３１へのエッチング反応生成物の付着を
防ぐために設置されたＡｌ2 Ｏ3 セラミック等の部材で
ある。ヒータ３８はヒータライナ３７への反応生成物付
着量を減らすために設置されている。
び図２に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形
態のプラズマ処理装置で高密度プラズマを用いたドライ
エッチャの断面概略図、図２はその温度測定部の拡大図
である。図１に示すように、このプラズマ処理装置は、
半導体製造装置のドライエッチング工程において用いら
れ、半導体製品の基板を処理する処理室（ドライエッチ
チャンバ）３１と、処理室内壁に配設された着脱可能な
ライナ３７と、ライナ３７を加熱するヒータ３８とを備
えている。また、ライナ３７の温度を測定する手段と、
この手段により測定されたライナ３７の温度に基づいて
ライナ３７の温度が所望の値となるようにヒータ３８を
制御する手段とを備えている。ライナ３７はドライエッ
チングチャンバ３１へのエッチング反応生成物の付着を
防ぐために設置されたＡｌ2 Ｏ3 セラミック等の部材で
ある。ヒータ３８はヒータライナ３７への反応生成物付
着量を減らすために設置されている。
【００１３】ライナ３７の温度を測定する手段は、図２
に示すように、ライナ３７のプラズマに晒されない面に
単数あるいは複数設けられた蛍光体と、この蛍光体と接
触することなくこれにほぼ垂直に受光、投光を可能なら
しめるように配設された単数あるいは複数の光ファイバ
４１と、この光ファイバ４１と接続された自励手段を有
する蛍光温度計とからなる。蛍光体４０は蛍光体塗布領
域に塗布されライナ３７の温度をモニタする。光ファイ
バ４１は蛍光体４０の光を取り込めるように蛍光体４０
と非接触で設置されている。なお、自励手段はレーザ光
で励起しており、このような自励手段を有する蛍光温度
計としては、例えば安立計器（株）の（品番）ＦＸ８０
００、（名称）蛍光式光ファイバ温度計がある。
に示すように、ライナ３７のプラズマに晒されない面に
単数あるいは複数設けられた蛍光体と、この蛍光体と接
触することなくこれにほぼ垂直に受光、投光を可能なら
しめるように配設された単数あるいは複数の光ファイバ
４１と、この光ファイバ４１と接続された自励手段を有
する蛍光温度計とからなる。蛍光体４０は蛍光体塗布領
域に塗布されライナ３７の温度をモニタする。光ファイ
バ４１は蛍光体４０の光を取り込めるように蛍光体４０
と非接触で設置されている。なお、自励手段はレーザ光
で励起しており、このような自励手段を有する蛍光温度
計としては、例えば安立計器（株）の（品番）ＦＸ８０
００、（名称）蛍光式光ファイバ温度計がある。
【００１４】また、図１および図２において、３２はド
ライエッチチャンバ３１内の下部に設置された下部電
極、３３はドライエッチチャンバ３１と下部電極３２を
絶縁するためのＡｌ2 Ｏ3 セラミック、３４は下部電極
３２上に設置された被エッチング物であるシリコンウエ
ハ、３５はドライエッチングチャンバ３１上部に設けら
れたＳｉＣセラミック等の上部電極、３６は上部電極３
５上に設置され、プラズマを発生するためのコイル、３
９はライナ３７を均一に加熱するためにヒータ３８下部
に接触して設けたブロック、４２は光ファイバ４１を固
定するためのねじである。ライナ３７とブロック３９は
高温時にブロック３９が膨張してもライナ３７が割れな
いように１ｍｍ程度の隙間が空いている。
ライエッチチャンバ３１内の下部に設置された下部電
極、３３はドライエッチチャンバ３１と下部電極３２を
絶縁するためのＡｌ2 Ｏ3 セラミック、３４は下部電極
３２上に設置された被エッチング物であるシリコンウエ
ハ、３５はドライエッチングチャンバ３１上部に設けら
れたＳｉＣセラミック等の上部電極、３６は上部電極３
５上に設置され、プラズマを発生するためのコイル、３
９はライナ３７を均一に加熱するためにヒータ３８下部
に接触して設けたブロック、４２は光ファイバ４１を固
定するためのねじである。ライナ３７とブロック３９は
高温時にブロック３９が膨張してもライナ３７が割れな
いように１ｍｍ程度の隙間が空いている。
【００１５】以上のように構成されたプラズマ処理装置
の動作を図１および図２を用いて説明する。まず、ヒー
タ３８をＯＮして、ブロック３９およびライナ３７を加
熱する。光ファイバ４１を通して外部より光パルスを蛍
光体４０に照射する。蛍光体４０の発光を光ファイバ４
１を通して外部の蛍光温度計に送っている。蛍光体４０
の発光減衰の温度依存性により、蛍光体４０部の温度を
測定できる。この温度を装置制御部を介して、ヒータ３
８のパワーにフィードバックして、蛍光体４０すなわち
ライナ３７の温度を例えば、２００℃にコントロールし
ている。
の動作を図１および図２を用いて説明する。まず、ヒー
タ３８をＯＮして、ブロック３９およびライナ３７を加
熱する。光ファイバ４１を通して外部より光パルスを蛍
光体４０に照射する。蛍光体４０の発光を光ファイバ４
１を通して外部の蛍光温度計に送っている。蛍光体４０
の発光減衰の温度依存性により、蛍光体４０部の温度を
測定できる。この温度を装置制御部を介して、ヒータ３
８のパワーにフィードバックして、蛍光体４０すなわち
ライナ３７の温度を例えば、２００℃にコントロールし
ている。
【００１６】ドライエッチチャンバ３１中に、例えばＣ
4 Ｆ8 ガスを２０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガスを５ｓｃｃｍ導入
し、圧力を２０ｍＴｏｒｒに制御する。その後、コイル
３６に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１５００
Ｗ印加し、ドライエッチングチャンバ３１内にプラズマ
を発生させる。さらに、下部電極３２に高周波電力を１
５００Ｗ印加し、例えばシリコンウエハ３４上のシリコ
ン酸化膜をエッチングし、コンタクトホールを形成す
る。
4 Ｆ8 ガスを２０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガスを５ｓｃｃｍ導入
し、圧力を２０ｍＴｏｒｒに制御する。その後、コイル
３６に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１５００
Ｗ印加し、ドライエッチングチャンバ３１内にプラズマ
を発生させる。さらに、下部電極３２に高周波電力を１
５００Ｗ印加し、例えばシリコンウエハ３４上のシリコ
ン酸化膜をエッチングし、コンタクトホールを形成す
る。
【００１７】この構成では、ライナ３７の温度を直接モ
ニタし、コントロールしているため、メンテナンス後の
ライナ３７の取り付けばらつきやライナ３７の個体差に
よるライナ３７の温度の変化は無く、図４に示すような
レジスト選択比の変化はないため、半導体デバイスの加
工不良が無くなり、歩留り低下の要因が減少する。ま
た、ライナ３７の温度モニタを蛍光温度計で行うため、
熱伝対のように被測定物（図３においてブロック９）と
の接触が無く、プラズマによるノイズもないため、安定
した測定ができる。また、メンテナンス後の組み付け
時、従来のように、ライナ３７に熱伝対を固定する作業
が無いため、メンテナンス作業は容易である。
ニタし、コントロールしているため、メンテナンス後の
ライナ３７の取り付けばらつきやライナ３７の個体差に
よるライナ３７の温度の変化は無く、図４に示すような
レジスト選択比の変化はないため、半導体デバイスの加
工不良が無くなり、歩留り低下の要因が減少する。ま
た、ライナ３７の温度モニタを蛍光温度計で行うため、
熱伝対のように被測定物（図３においてブロック９）と
の接触が無く、プラズマによるノイズもないため、安定
した測定ができる。また、メンテナンス後の組み付け
時、従来のように、ライナ３７に熱伝対を固定する作業
が無いため、メンテナンス作業は容易である。
【００１８】
【発明の効果】この発明の請求項１記載のプラズマ処理
装置によれば、ライナの温度を測定する手段と、この手
段により測定されたライナの温度に基づいてライナの温
度が所望の値となるようにヒータを制御する手段とを備
えたので、ライナの温度を直接モニタし、コントロール
することができる。このため、メンテナンス後のライナ
の取り付けばらつきやライナの個体差によるライナの温
度の変化はなく、レジスト選択比の変化はないため、半
導体デバイスの加工不良がなくなり、歩留り低下の要因
が減少する。
装置によれば、ライナの温度を測定する手段と、この手
段により測定されたライナの温度に基づいてライナの温
度が所望の値となるようにヒータを制御する手段とを備
えたので、ライナの温度を直接モニタし、コントロール
することができる。このため、メンテナンス後のライナ
の取り付けばらつきやライナの個体差によるライナの温
度の変化はなく、レジスト選択比の変化はないため、半
導体デバイスの加工不良がなくなり、歩留り低下の要因
が減少する。
【００１９】請求項２では、ライナの温度を測定する手
段は、ライナのプラズマに晒されない面に設けられた蛍
光体と、この蛍光体の光を取り込めるように蛍光体と非
接触で設置された光ファイバと、この光ファイバと接続
された自励手段を有する蛍光温度計とからなるので、ラ
イナの温度モニタを蛍光温度計で行うことができ、熱伝
対のように被測定物であるライナとの接触がなく、プラ
ズマによるノイズもなく、安定した測定ができる。ま
た、メンテナンスを行なう際、ライナ等の取付け方によ
って測定温度が変わることがないので、メンテナンス作
業は容易である。
段は、ライナのプラズマに晒されない面に設けられた蛍
光体と、この蛍光体の光を取り込めるように蛍光体と非
接触で設置された光ファイバと、この光ファイバと接続
された自励手段を有する蛍光温度計とからなるので、ラ
イナの温度モニタを蛍光温度計で行うことができ、熱伝
対のように被測定物であるライナとの接触がなく、プラ
ズマによるノイズもなく、安定した測定ができる。ま
た、メンテナンスを行なう際、ライナ等の取付け方によ
って測定温度が変わることがないので、メンテナンス作
業は容易である。
【図１】この発明の実施の形態のプラズマ処理装置で高
密度プラズマを用いたドライエッチャの断面概略図であ
る。
密度プラズマを用いたドライエッチャの断面概略図であ
る。
【図２】図１の温度測定部の拡大図である。
【図３】従来例におけるドライエッチャの断面概略図で
ある。
ある。
【図４】ライナ温度とレジスト選択比の関係を示すグラ
フである。
フである。
１ ドライエッチチャンバ ２ 下部電極 ３ Ａｌ2 Ｏ3 セラミック ４ シリコンウエハ ５ 上部電極 ６ コイル ７ ライナ ８ ヒータ ９ ブロック １０ 熱伝対 ３１ ドライエッチチャンバ ３２ 下部電極 ３３ Ａｌ2 Ｏ3 セラミック ３４ シリコンウエハ ３５ 上部電極 ３６ コイル ３７ ライナ ３８ ヒータ ３９ ブロック ４０ 蛍光体 ４１ 光ファイバ ４２ ねじ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製品の基板を処理する処理室と、
処理室へのエッチング反応生成物の付着を防ぐために処
理室内壁に配設された着脱可能なライナと、ライナを加
熱するヒータとを備えたプラズマ処理装置であって、前
記ライナの温度を測定する手段と、この手段により測定
されたライナの温度に基づいて前記ライナの温度が所望
の値となるように前記ヒータを制御する手段とを備えた
プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 ライナの温度を測定する手段は、前記ラ
イナのプラズマに晒されない面に設けられた蛍光体と、
この蛍光体の光を取り込めるように蛍光体と非接触で設
置された光ファイバと、この光ファイバと接続された自
励手段を有する蛍光温度計とからなる請求項１記載のプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303115A JP2002110635A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303115A JP2002110635A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002110635A true JP2002110635A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18784362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000303115A Pending JP2002110635A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002110635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011134927A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Sony Corp | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
| JP2013074251A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
-
2000
- 2000-10-03 JP JP2000303115A patent/JP2002110635A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011134927A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Sony Corp | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
| US8649893B2 (en) | 2009-12-25 | 2014-02-11 | Sony Corporation | Semiconductor manufacturing device, semiconductor device manufacturing method, simulation device, and simulation program |
| JP2013074251A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
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