JP2002110577A - Vertical reactor - Google Patents

Vertical reactor

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JP2002110577A
JP2002110577A JP2000293008A JP2000293008A JP2002110577A JP 2002110577 A JP2002110577 A JP 2002110577A JP 2000293008 A JP2000293008 A JP 2000293008A JP 2000293008 A JP2000293008 A JP 2000293008A JP 2002110577 A JP2002110577 A JP 2002110577A
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JP
Japan
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holding
boat
groove
wafer
processed
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Application number
JP2000293008A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoshiro Koishi
知城 小石
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical reactor having furnace tubes disposed in the vertical direction, capable of accurately instructing a boat the position of a transfer unit for transferring works stacked in a plurality of stages in the vertical direction to the boat for treating the works in the reactor. SOLUTION: The reactor comprises support posts 24 for horizontally holding a plurality of stages of wafers W stacked in the vertical direction of furnace tubes and each post 24 composed of a hold face 40a for holding a part of the downside of the wafer W, a non-holding face 40b and an opposite face 40c has holding grooves 40 arranged in a plurality of stages along the vertical side of the post 24. At least one of the grooves 40 is a position teaching groove 50 which is disposed at a different position from the opposite faces 40c of other grooves 40 and has an opposite face 50c as a reference plane for teaching a transfer means position data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、半導体
ウェーハに薄膜を形成するための縦型酸化炉、縦型熱拡
散炉、縦型減圧CVD(Chemical Vapor Deposition) 炉
等の縦方向(鉛直方向)に配置された反応管を備える縦
型反応炉に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vertical oxidation furnace, a vertical heat diffusion furnace, and a vertical vacuum CVD (Chemical Vapor Deposition) furnace for forming a thin film on a semiconductor wafer. ) Relates to a vertical reactor equipped with a reaction tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】各種の半導体プロセス設備は、半導体ウ
ェーハの処理効率の観点から一度に複数毎の半導体ウェ
ーハを処理するいわゆるバッチ処理方式が多く採用され
てきたが、半導体ウェーハの大口径化に伴って、半導体
ウェーハを一枚毎に処理する枚葉処理方式に移行しつつ
ある。一方、酸化炉、熱拡散炉、減圧CVD炉等の反応
管内に半導体ウェーハを収容して処理する反応炉では、
枚葉処理方式と比べてバッチ処理方式のほうが処理能
力、品質安定性、コスト等の面から将来的にも優位性を
もっている。上記の酸化炉、熱拡散炉、減圧CVD炉等
の反応管を備える反応炉においては、反応管が縦方向
(鉛直方向)に配置された縦型反応炉と、横方向(水平
方向)に配置された横型反応炉が存在するが、パーティ
クルの発生を抑制でき、配置面積を縮小できる等の理由
から縦型反応炉が主流となっている。
2. Description of the Related Art A variety of semiconductor processing equipment has often adopted a so-called batch processing method for processing a plurality of semiconductor wafers at once from the viewpoint of processing efficiency of semiconductor wafers. Accordingly, a single wafer processing method for processing semiconductor wafers one by one has been shifted. On the other hand, in a reaction furnace in which a semiconductor wafer is accommodated and processed in a reaction tube such as an oxidation furnace, a thermal diffusion furnace, and a low-pressure CVD furnace,
The batch processing system will have an advantage in the future in comparison with the single wafer processing system in terms of processing capacity, quality stability, cost, and the like. In the above-described reaction furnaces having reaction tubes such as an oxidation furnace, a thermal diffusion furnace, and a reduced pressure CVD furnace, a vertical reaction furnace in which the reaction tubes are arranged in a vertical direction (vertical direction) and a reaction tube in a horizontal direction (horizontal direction) are arranged. Although a horizontal reactor is used, a vertical reactor is mainly used because generation of particles can be suppressed and an arrangement area can be reduced.

【0003】この縦型反応炉では、複数の半導体ウェー
ハを保持し、反応管内へ挿入、引き出しされるボート
と、このボートと半導体ウェーハを収納するカセットと
の間で半導体ウェーハの移載を行う移載装置とを備えた
ものが知られている。上記のボートは、ベース上に立設
された、たとえば、石英からなる複数の支持柱を備え、
この支持柱に半導体ウェーハを水平に保持するための複
数の溝が形成されている。移載装置によるボートへの半
導体ウェーハの移載は、予め移載装置い教示したボート
の位置データに基づいて行う。ボートの位置データを教
示するには、オペレータが、たとえば、ティーチングコ
ントローラ等の外部操作装置から移載装置に動作指令を
入力する操作を行いながら、実際に半導体ウェーハの移
載動作を行わせ、オペレータが、半導体ウェーハがボー
トの支持柱に形成された溝に対して適切な位置に載置さ
れたかを目視により確認し、このときの位置を移載装置
に教示する。このとき、ボートの支持柱に形成された溝
は、半導体ウェーハを保持する保持面と、この保持面の
上方に位置する面と、半導体ウェーハの外周に位置する
対向面とから構成されるが、オペレータは、この対向面
と半導体ウェーハの外周縁との間の隙間(クリアラン
ス)が所定の大きさとなるように、移載装置にボートの
位置データを教示する。移載装置に位置データを一度教
示すると、移載装置はこの教示されたボートの位置デー
タに基づいて繰り返し半導体ウェーハの移載を行う。ま
た、移載装置にボートの位置データを教示する作業は、
縦型反応炉においては、通常、周期的にメインテナンス
が行われるため、メインテナンス毎に必要となる。メイ
ンテナンスが行われると、ボート等の構成部品が装置か
ら取り外されたり、分解されたりするため、メインテナ
ンスの前後では、ボートと移載装置との相対位置が変化
したりする可能性があるからである。
[0003] In this vertical reactor, a plurality of semiconductor wafers are held, and a semiconductor wafer is transferred between a boat that is inserted into and pulled out of a reaction tube and a cassette that stores the semiconductor wafers. A device equipped with a mounting device is known. The above-mentioned boat is provided with a plurality of support pillars erecting on the base, for example, made of quartz,
A plurality of grooves for holding the semiconductor wafer horizontally are formed in the support columns. The transfer of the semiconductor wafers to the boat by the transfer device is performed based on the position data of the boat taught by the transfer device in advance. In order to teach the position data of the boat, the operator, for example, performs an operation of inputting an operation command to the transfer device from an external operation device such as a teaching controller, and causes the operator to actually perform the transfer operation of the semiconductor wafer. Confirms visually whether the semiconductor wafer is placed at an appropriate position with respect to the groove formed in the support column of the boat, and teaches the position at this time to the transfer device. At this time, the groove formed in the support column of the boat is configured by a holding surface for holding the semiconductor wafer, a surface located above the holding surface, and an opposing surface located on the outer periphery of the semiconductor wafer. The operator teaches the transfer device the position data of the boat so that the gap (clearance) between the facing surface and the outer peripheral edge of the semiconductor wafer has a predetermined size. Once the position data is taught to the transfer device, the transfer device repeatedly transfers the semiconductor wafer based on the taught position data of the boat. In addition, the work of teaching the position data of the boat to the transfer device is:
In a vertical reactor, maintenance is usually performed periodically, so that it is necessary for each maintenance. This is because when maintenance is performed, components such as the boat are removed from the device or disassembled, and the relative position between the boat and the transfer device may change before and after maintenance. .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、移載装
置にボートの位置データを教示する作業は、上述したよ
うに、オペレータが目視により適切な位置を確認しなが
ら行う作業であるため、正確な教示作業は熟練度を要
し、教示した位置データが教示作業毎にばらつき、溝の
対向面と半導体ウェーハの外周縁との間のクリアランス
がばらついたり、溝の対向面と半導体ウェーハの外周縁
とが接触する可能性があった。教示した位置データが適
切でないと、支持柱と半導体ウェーハとの接触により、
半導体ウェーハに欠けが生じたり、パーティクルが発生
したりする可能性がある。また、教示した位置データが
適切でないと、半導体ウェーハが支持柱の溝から落下す
る可能性もある。半導体ウェーハが落下により破損する
と、反応炉内に存在する他の半導体ウェーハへのパーテ
ィクルの付着による歩留り低下や、装置のメインテナン
スの必要に伴う装置稼働率の低下を招く可能性がある。
さらに、半導体ウェーハが支持柱の溝に対して略一定の
位置にないと、半導体ウェーハが受ける反応炉の輻射熱
や支持柱からの熱分布が変化するため、半導体ウェーハ
に形成される各種の膜の厚さが変化する可能性もある。
このように、従来においては、ボートへの半導体ウェー
ハの移載作業をオペレータが行っていたため、半導体ウ
ェーハとボートの溝の対向面とのクリアランスに対する
マージンを保証することができなかった。また、半導体
ウェーハとボートの溝との相対位置をセンサによって検
出することも可能であるが、装置コストが嵩むという問
題がある。
However, since the operation of teaching the position data of the boat to the transfer device is performed by the operator while visually confirming the appropriate position as described above, accurate teaching is required. The work requires skill, and the taught position data fluctuates for each teaching work, the clearance between the opposing surface of the groove and the outer peripheral edge of the semiconductor wafer varies, or the opposing surface of the groove and the outer peripheral edge of the semiconductor wafer are different. There was a possibility of contact. If the taught position data is not appropriate, the contact between the support pillar and the semiconductor wafer will cause
There is a possibility that the semiconductor wafer may be chipped or particles may be generated. Further, if the taught position data is not appropriate, the semiconductor wafer may fall from the groove of the support column. If the semiconductor wafer is damaged by dropping, there is a possibility that the yield will be reduced due to the adhesion of particles to other semiconductor wafers present in the reaction furnace, and the equipment operation rate will be reduced due to the need for equipment maintenance.
Furthermore, if the semiconductor wafer is not at a substantially constant position with respect to the groove of the support column, the radiant heat of the reaction furnace received by the semiconductor wafer and the heat distribution from the support column change, so that various types of films formed on the semiconductor wafer are changed. Thickness can vary.
As described above, in the related art, since the operation of transferring the semiconductor wafer to the boat has been performed by the operator, a margin for the clearance between the semiconductor wafer and the opposing surface of the groove of the boat cannot be guaranteed. Further, the relative position between the semiconductor wafer and the groove of the boat can be detected by a sensor, but there is a problem that the apparatus cost increases.

【0005】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、縦方向に配置された反応管を備える縦型反応
炉において、反応炉で処理される被処理体を縦方向(鉛
直方向)に複数段に重ねて保持するボートへ移載装置に
よって移載する際に、この移載装置にボートの位置を正
確に教示可能な縦型反応炉を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above problems, and in a vertical reactor having a vertically arranged reaction tube, an object to be processed in the reactor is placed in a vertical (vertical) direction. The object of the present invention is to provide a vertical reactor capable of accurately teaching the position of the boat to the transfer device when transferring the boat to a boat which is held in a plurality of stages and held by the transfer device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の縦型反応炉は、
鉛直方向に配置された反応管と、水平に配置されたベー
ス部材上に鉛直方向に沿って立設され、かつ、前記反応
管内において処理される被処理体を当該反応管の縦方向
に複数段に重ねて水平に保持する支持部材を備え、前記
反応管内に対して挿入および引き出しされるボートと、
教示された前記ボートの位置データにしたがって、前記
ボートに前記被処理体を移載する移載手段と、を有し、
前記ボートの各支持部材は、前記被処理体の下面の一部
を保持する保持面と、前記保持面の上方にある非保持面
と、前記保持面と前記非保持面との間の前記被処理体の
外周縁部に対向する対向面とで構成され、当該支持部材
の縦方向に沿って複数段に配列された保持用溝部を備
え、複数の前記保持用溝部の少なくとも一つは、他の保
持用溝部の前記対向面と異なる位置に配置され、かつ、
前記移載手段に位置データを教示する際の基準面となる
対向面をもつ位置教示用溝部であることを特徴とする。
The vertical reactor according to the present invention comprises:
A reaction tube arranged in a vertical direction, and a plurality of objects to be processed standing in a vertical direction on a base member arranged in a horizontal direction and being processed in the reaction tube are arranged in a plurality of stages in a vertical direction of the reaction tube. A support member that is provided with a support member that is held horizontally in an overlapping manner, and that is inserted into and pulled out of the reaction tube,
Transfer means for transferring the object to be processed to the boat according to the taught position data of the boat,
Each support member of the boat includes a holding surface that holds a part of the lower surface of the object to be processed, a non-holding surface above the holding surface, and the object between the holding surface and the non-holding surface. The holding member is configured with a facing surface facing the outer peripheral edge of the processing body, and includes holding grooves arranged in a plurality of stages along the longitudinal direction of the supporting member, and at least one of the plurality of holding grooves is another. Arranged at a position different from the facing surface of the holding groove portion, and
A position teaching groove having an opposing surface serving as a reference surface when teaching the position data to the transfer means.

【0007】前記基準面となる対向面は、同じ支持部材
の他の対向面に対して前記被処理体の外周縁部に対して
所定の距離だけ近接する位置に配置されている。
[0007] The opposing surface serving as the reference surface is disposed at a position close to the other opposing surface of the same support member by a predetermined distance from the outer peripheral edge of the object to be processed.

【0008】前記移載手段は、前記位置教示用溝部によ
って教示された前記ボートの位置データに基づいて、前
記被処理体を前記ボートの前記保持用溝部に移載する。
The transfer means transfers the workpiece to the holding groove of the boat based on the position data of the boat taught by the position teaching groove.

【0009】前記位置教示用溝部は、前記支持部材の最
下部に位置している。
The position teaching groove is located at the lowermost part of the support member.

【0010】前記被処理体は、円盤状であり、前記位置
教示用溝部の対向面は、前記被処理体の外周縁部に沿っ
た曲率をもつ曲面である。
The object to be processed has a disk shape, and the surface facing the position teaching groove is a curved surface having a curvature along the outer peripheral edge of the object to be processed.

【0011】本発明では、被処理体を移載手段によって
ボートの位置教示用溝部に移載し、位置教示用溝部の基
準面となる対向面に対して被処理体を所定の位置に位置
決めすることによって、移載手段にはボートの位置デー
タが教示される。この教示されたボートの位置データに
基づいて、他の保持用溝部に被処理体を移載する。位置
教示用溝部の対向面が他の保持用溝部の対向面に対して
被処理体の外周縁部から所定距離だけ近接した位置にあ
ると、他の保持用溝部の対向面に被処理体を位置決めす
る際に、上記の所定距離がマージンとなり、支持部材と
被処理体との接触が抑制される。
In the present invention, the object to be processed is transferred to the position teaching groove of the boat by the transfer means, and the object to be processed is positioned at a predetermined position with respect to the opposing surface serving as the reference surface of the position teaching groove. Thereby, the position data of the boat is taught to the transfer means. The object to be processed is transferred to another holding groove based on the taught position data of the boat. When the opposing surface of the position teaching groove is located at a position close to the opposing surface of the other holding groove by a predetermined distance from the outer peripheral edge of the object to be processed, the object is placed on the opposing surface of the other holding groove. At the time of positioning, the predetermined distance serves as a margin, and contact between the support member and the object to be processed is suppressed.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は、本発明の縦型反応
炉の一実施形態としての酸化・拡散炉を示す斜視図であ
る。図1において、酸化・拡散炉1は、カセット収納部
2と、カセット搬送部3と、ウェーハ移載部4と、反応
管7と、ボート部21とを備えている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an oxidation / diffusion furnace as one embodiment of a vertical reaction furnace of the present invention. In FIG. 1, the oxidation / diffusion furnace 1 includes a cassette storage unit 2, a cassette transfer unit 3, a wafer transfer unit 4, a reaction tube 7, and a boat unit 21.

【0013】カセット収納部2は、図1において酸化・
拡散炉1の上部側に設けられており、酸化・拡散炉1に
おいて処理されるべき被処理体としての円盤状のシリコ
ンや石英などのウェーハを複数収容するカセットCを収
容している。
In FIG. 1, the cassette storage section 2
The cassette C is provided on the upper side of the diffusion furnace 1 and houses a plurality of wafers such as disk-shaped silicon and quartz as objects to be processed in the oxidation / diffusion furnace 1.

【0014】カセット搬送部3は、カセット収納部2に
収容されたカセットCのうち、これから処理すべきウェ
ーハを収容したカセットCをウェーハ移載部4まで搬送
する。
The cassette transport section 3 transports a cassette C containing wafers to be processed from among the cassettes C stored in the cassette storage section 2 to the wafer transfer section 4.

【0015】反応管7は、内部において、ウェーハに薄
膜を形成する処理を行うものである。反応管7は、たと
えば、高純度石英管によって構成されており、鉛直方向
に沿って配置されている。この反応管7は、下端側が開
口しており、この開口を通じてボート部21によって保
持されたウェーハが反応管7の内部に収容される。
The reaction tube 7 internally performs processing for forming a thin film on a wafer. The reaction tube 7 is formed of, for example, a high-purity quartz tube, and is arranged along the vertical direction. The lower end of the reaction tube 7 is open, and the wafer held by the boat 21 is accommodated in the reaction tube 7 through the opening.

【0016】ウェーハ移載部4は、カセット搬送部3に
よって搬送されてきたカセットCに収容されたウェーハ
をボート部21に一括して移載する。このウェーハ移載
部4によるウェーハのボート部21への移載は、予めウ
ェーハ移載部4の備える図示しないコントローラにボー
ト部21の位置を教示し、この教示したボート部21の
位置データに基づいて行う。ウェーハ移載部4のコント
ローラにボート部21の位置データを教示するには、テ
ィーチングペンダント等の外部操作装置からウェーハ移
載部4に動作指令を入力する操作を行いながら、実際に
ウェーハのウェーハ移載部4を行わせ、オペレータが、
ウェーハがボート部21に対して適切な位置に載置され
たかを目視により確認し、このときの位置をウェーハ移
載部4に教示する。
The wafer transfer unit 4 collectively transfers the wafers stored in the cassette C transferred by the cassette transfer unit 3 to the boat unit 21. The transfer of wafers to the boat unit 21 by the wafer transfer unit 4 is performed by previously teaching the position of the boat unit 21 to a controller (not shown) of the wafer transfer unit 4 and based on the taught position data of the boat unit 21. Do it. In order to teach the position data of the boat unit 21 to the controller of the wafer transfer unit 4, an operation command is input to the wafer transfer unit 4 from an external operation device such as a teaching pendant, and the wafer transfer of the wafer is actually performed. The loading section 4 is performed, and the operator
It is visually confirmed whether the wafer is placed at an appropriate position with respect to the boat unit 21 and the position at this time is instructed to the wafer transfer unit 4.

【0017】ここで、図2は、ボート部21の概略構成
を示す図である。図2において、ボート部21は反応管
7の下方に配置されており、このボート部21は、ボー
ト23と、ボート23を支持する支持台33と、支持台
33の下部に設けられたキャップ部材32と、キャップ
部材32の下面を保持するフランジ部31と、フランジ
部31を鉛直方向に沿って昇降させる昇降装置30とを
備えている。
FIG. 2 is a view showing a schematic configuration of the boat section 21. As shown in FIG. In FIG. 2, the boat 21 is disposed below the reaction tube 7. The boat 21 includes a boat 23, a support 33 supporting the boat 23, and a cap member provided below the support 33. 32, a flange portion 31 for holding the lower surface of the cap member 32, and a lifting device 30 for raising and lowering the flange portion 31 in the vertical direction.

【0018】ボート23は、ウェーハWを反応管7の縦
方向に複数段に重ねて水平に保持している。なお、ボー
ト23の詳細な構造については後述する。
The boat 23 horizontally holds the wafers W in a plurality of stages in the longitudinal direction of the reaction tube 7. The detailed structure of the boat 23 will be described later.

【0019】昇降装置30は、フランジ部31を上昇さ
せることにより、ボート23、支持台33およびキャッ
プ部材32を同時に上昇させ、ボート23を反応管7内
に挿入する。また、キャップ部材32は、昇降装置30
による上昇によって、反応管7の開口部7aを密封す
る。
The elevating device 30 raises the flange portion 31 to simultaneously raise the boat 23, the support 33 and the cap member 32, and inserts the boat 23 into the reaction tube 7. Further, the cap member 32 is
, The opening 7a of the reaction tube 7 is sealed.

【0020】反応管7は、キャップ部材32によって密
封されると、反応管7の所定の箇所に設けられたガス導
入部から反応ガスが導入され、ウェーハWに所定の処理
が施される。ウェーハWの処理が終了すると、反応管7
の所定の箇所に設けられたガス排気部から反応ガスが反
応管7外に排出される。
When the reaction tube 7 is sealed by the cap member 32, a reaction gas is introduced from a gas introduction portion provided at a predetermined position of the reaction tube 7, and a predetermined process is performed on the wafer W. When the processing of the wafer W is completed, the reaction tube 7
The reaction gas is discharged out of the reaction tube 7 from a gas exhaust unit provided at a predetermined location of the reaction tube.

【0021】図3はボート23の構造を示す側面図であ
り、図4は図3のA−A線方向の断面図である。図3に
示すように、ボート23は、上記した支持台33に支持
されるベース部材25と、このベース部材25上に立設
された複数の支持柱24と、これら複数の支持柱24の
上端部を連結する連結板26とを備えている。
FIG. 3 is a side view showing the structure of the boat 23, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 3, the boat 23 includes a base member 25 supported by the support 33, a plurality of support columns 24 erected on the base member 25, and upper ends of the plurality of support columns 24. And a connecting plate 26 for connecting the parts.

【0022】図4に示すように、支持柱24は4本設け
られており、この上記のウェーハ移載部4によって、カ
セットCから矢印D方向に移載されるウェーハWと干渉
しない位置に配置されている。支持柱24は、たとえ
ば、SiC(石英)等の材料で形成されている。なお、
本実施形態では、支持柱24の本数を4本としたが、3
本の構成とすることができる。
As shown in FIG. 4, four support columns 24 are provided, and the support columns 24 are arranged at positions where they do not interfere with the wafers W transferred from the cassette C in the direction of arrow D by the wafer transfer section 4. Have been. The support columns 24 are formed of a material such as SiC (quartz), for example. In addition,
In the present embodiment, the number of the support columns 24 is set to four.
It can be configured as a book.

【0023】各支持柱24には、カセットCから矢印D
方向に移載されたウェーハWの下面の一部をそれぞれ保
持するための保持用溝部40が形成されている。この保
持用溝部40は、各支持柱24の縦方向に複数段に配列
されている。すなわち、4本の支持柱24は、それぞれ
互いに対応する位置に保持用溝部40を備えており、こ
れら対応する4つの保持用溝部40によってウェーハW
を保持する。
Each support column 24 has an arrow D
A holding groove 40 for holding a part of the lower surface of the wafer W transferred in the direction is formed. The holding grooves 40 are arranged in a plurality of stages in the longitudinal direction of each support column 24. That is, the four support columns 24 are provided with the holding grooves 40 at positions corresponding to each other, and the wafer W is held by the corresponding four holding grooves 40.
Hold.

【0024】図5は、支持柱24の縦方向の部分断面図
である。図5に示すように、保持用溝部40は、ウェー
ハWの下面を保持する保持面40aと、この保持面40
aの上方にある非保持面40bと、保持面40aと非保
持面40bとの間にありウェーハWの外周縁部に対向す
る対向面40cとで構成されている。保持面40aおよ
び非保持面40bは、ウェーハWの表面に平行な平面で
構成されており、対向面40cは、保持面40aおよび
非保持面40bに直交しているとともに、ウェーハWの
外周縁部に沿った曲率をもつ曲面で構成されている。
FIG. 5 is a vertical partial sectional view of the support column 24. As shown in FIG. As shown in FIG. 5, the holding groove 40 includes a holding surface 40a for holding the lower surface of the wafer W, and a holding surface 40a.
a non-holding surface 40b above the upper surface a, and a facing surface 40c between the holding surface 40a and the non-holding surface 40b and facing the outer peripheral edge of the wafer W. The holding surface 40a and the non-holding surface 40b are formed by planes parallel to the surface of the wafer W, and the facing surface 40c is orthogonal to the holding surface 40a and the non-holding surface 40b, and the outer peripheral edge of the wafer W Is constituted by a curved surface having a curvature along.

【0025】この保持用溝部40の保持面40aと非保
持面40bとの間は、ウェーハWの厚さよりも大きい距
離に設定され、たとえば、4〜10mm程度である。ま
た、保持用溝部40の深さL0 、すなわち、保持用溝部
40の開口側端部から対向40cまでの距離は、たとえ
ば、数mm程度である。このような構造の保持用溝部4
0にウェーハWの下面を保持させたとき、ウェーハWに
形成する薄膜の品質保証、保持用溝部40からのウェー
ハWの落下防止、ウェーハWの破損防止等の観点から、
ウェーハWと対向面40cとの間に一定のクリアランス
CL1を確保することが望ましい。
The distance between the holding surface 40a and the non-holding surface 40b of the holding groove 40 is set to a distance larger than the thickness of the wafer W, for example, about 4 to 10 mm. The depth L 0 of the holding groove 40, that is, the distance from the opening-side end of the holding groove 40 to the facing 40 c is, for example, about several mm. Holding groove 4 having such a structure
When the lower surface of the wafer W is held at 0, from the viewpoints of quality assurance of the thin film formed on the wafer W, prevention of the falling of the wafer W from the holding groove 40, prevention of breakage of the wafer W, and the like,
It is desirable to secure a certain clearance CL1 between the wafer W and the facing surface 40c.

【0026】一方、本実施形態に係るボート23の支持
柱24においては、上記の保持用溝部40のうちの少な
くとも一つが位置教示用溝部50となっている。図5に
示すように、位置教示用溝部50は、ウェーハWの下面
を保持する保持面50aと、この保持面50aの上方に
ある非保持面50bと、保持面50aと非保持面50b
との間にありウェーハWの外周縁部に対向する対向面5
0cとで構成されている。位置教示用溝部50の保持面
50aと非保持面50bとの距離は、上記の保持用溝部
40の保持面40aと非保持面40bとの距離と同じ値
に設定されている。
On the other hand, in the support column 24 of the boat 23 according to the present embodiment, at least one of the holding grooves 40 is a position teaching groove 50. As shown in FIG. 5, the position teaching groove 50 includes a holding surface 50a for holding the lower surface of the wafer W, a non-holding surface 50b above the holding surface 50a, a holding surface 50a and the non-holding surface 50b.
And an opposing surface 5 facing the outer peripheral edge of the wafer W
0c. The distance between the holding surface 50a and the non-holding surface 50b of the position teaching groove 50 is set to the same value as the distance between the holding surface 40a and the non-holding surface 40b of the holding groove 40 described above.

【0027】位置教示用溝部50の対向面50cは、保
持面50aおよび非保持面50bに直行しているととも
に、ウェーハWの外周縁部に沿った曲率をもつ曲面で構
成されている。さらに、この対向面50cは、保持用溝
部40の対向面40cとは異なる位置に配置され、対向
面40cに対してウェーハWの外周縁部に所定の距離L
だけ近接する位置に配置されている。すなわち、対向面
50cは、対向面40cよりもウェーハWの中心部側に
配置されている。この対向面50cは、上記したウェー
ハ移載部4のコントローラにウェーハWを移載すべきボ
ート23の位置を教示する際の基準面となる。すなわ
ち、この対向面50cの位置を基準として、ボート部2
1の位置をウェーハ移載部4のコントローラに教示す
る。
The facing surface 50c of the position teaching groove 50 is formed of a curved surface which is perpendicular to the holding surface 50a and the non-holding surface 50b and has a curvature along the outer peripheral edge of the wafer W. Further, the opposing surface 50c is arranged at a position different from the opposing surface 40c of the holding groove 40, and a predetermined distance L is provided between the opposing surface 40c and the outer peripheral edge of the wafer W.
Are located only in close proximity. That is, the facing surface 50c is disposed closer to the center of the wafer W than the facing surface 40c. The facing surface 50c serves as a reference surface when teaching the position of the boat 23 on which the wafer W is to be transferred to the controller of the wafer transfer unit 4 described above. That is, based on the position of the facing surface 50c, the boat unit 2
The position 1 is taught to the controller of the wafer transfer unit 4.

【0028】上記の位置教示用溝部50は、支持柱24
の最下部に設けられていることが好ましい。通常、支持
柱24の最下部には、ダミーのウェーハWがセットされ
るからである。対向面50cの位置は、他の対向面40
cの位置と異なるため、対向面50cの付近の反応ガス
の気流が他の対向面40cの付近の反応ガスの気流の状
態とは異なる可能性があり、ウェーハWに形成される薄
膜の均一性に影響を及ぼす可能性があるからである。さ
らに、位置教示用溝部50は、4本の支持柱24の全て
に設ける。
The above-described position teaching groove 50 is provided in the support column 24.
Is preferably provided at the lowermost part. Normally, a dummy wafer W is set at the lowermost portion of the support column 24. The position of the facing surface 50c is different from that of the other facing surface 40c.
c, the gas flow of the reactant gas near the opposing surface 50c may be different from the state of the gas flow of the reactant gas near the other opposing surface 40c, and the uniformity of the thin film formed on the wafer W Because it may affect the Further, the position teaching grooves 50 are provided on all of the four support columns 24.

【0029】次に、上記構成のボート23へのウェーハ
Wの移載のための位置データの教示動作の一例について
説明する。まず、オペレータは、外部操作装置を操作
し、ウェーハ移載部4によってカセットCに収容された
ウェーハWを把持し、ボート23に設けられた位置教示
用溝部50に向けて移動させる。オペレータは、位置教
示用溝部50に接近するウェーハWを目視で確認しなが
ら、図5に示したように、ウェーハWの外周縁部と対向
面50cとの間に所定のクリアランスCL2が形成され
る位置までウェーハWを移動させる。オペレータは、ウ
ェーハWの外周縁部と対向面50cとの間に所定のクリ
アランスCL2が形成されたことを確認したら、この位
置で位置決めし、外部操作装置からウェーハ移載部4の
コントローラにこの位置を教示する。
Next, an example of the teaching operation of the position data for transferring the wafer W to the boat 23 having the above configuration will be described. First, the operator operates the external operation device, grips the wafer W stored in the cassette C by the wafer transfer unit 4, and moves the wafer W toward the position teaching groove 50 provided on the boat 23. While visually checking the wafer W approaching the position teaching groove 50, the operator forms a predetermined clearance CL2 between the outer peripheral edge of the wafer W and the facing surface 50c as shown in FIG. The wafer W is moved to the position. When the operator confirms that a predetermined clearance CL2 has been formed between the outer peripheral edge of the wafer W and the facing surface 50c, the operator determines the position at this position and sends the position to the controller of the wafer transfer unit 4 from the external operation device. Teach.

【0030】上記のオペレータの操作によって、ウェー
ハ移載部4のコントローラへのボート23の位置データ
の教示が完了する。
By the operation of the operator, the teaching of the position data of the boat 23 to the controller of the wafer transfer section 4 is completed.

【0031】ボート23の位置データが教示されたウェ
ーハ移載部4は、教示された位置データに基づいて、ウ
ェーハWの移載動作を行う。具体的には、まず、カセッ
ト収納部2に収容されたウェーハWを保持するカセット
Cがカセット搬送部3によってウェーハ移載部4まで搬
送される。
The wafer transfer unit 4 to which the position data of the boat 23 is taught performs the transfer operation of the wafer W based on the taught position data. Specifically, first, the cassette C holding the wafers W stored in the cassette storage unit 2 is transferred to the wafer transfer unit 4 by the cassette transfer unit 3.

【0032】ウェーハ移載部4は、教示された位置デー
タに基づいて、カセットCに保持されたウェーハWを一
括してボート23に移載する。ボート23の支持柱24
の最下部に位置する位置教示用溝部50と、この位置教
示用溝部50の上の複数段の保持用溝部40にウェーハ
Wが一括して移載され、ウェーハWが複数段に重ねられ
る。
The wafer transfer section 4 collectively transfers the wafers W held in the cassette C to the boat 23 based on the taught position data. Support column 24 of boat 23
The wafers W are collectively transferred to the position teaching groove 50 located at the lowermost position and the holding grooves 40 in a plurality of stages above the position teaching groove 50, and the wafers W are stacked in a plurality of stages.

【0033】このとき、図5に示したように、位置教示
用溝部50の対向面50cと保持用溝部40の対向面4
0cとの間には、距離Lの隔たりが存在するため、ウェ
ーハWの外周縁部と対向面40cとの間のクリアランス
CL1は、少なくとも距離Lよりも大きくなることが保
証されている。すなわち、位置教示用溝部50の対向面
50cを基準として教示された位置データに多少のばら
つきが存在しても、ウェーハWの外周縁部と対向面40
cとの間のクリアランスCL1は、少なくとも距離Lの
分だけは確保される。
At this time, as shown in FIG. 5, the facing surface 50c of the position teaching groove 50 and the facing surface 4c of the holding groove 40 are formed.
0c, there is a distance L, so that the clearance CL1 between the outer peripheral edge of the wafer W and the facing surface 40c is guaranteed to be at least larger than the distance L. In other words, even if there is some variation in the position data taught with reference to the opposing surface 50c of the position teaching groove 50, the outer peripheral edge of the wafer W and the opposing surface 40c are not affected.
The clearance CL1 between the first and second members c is secured at least by the distance L.

【0034】このように、本実施形態によれば、位置教
示用溝部50の対向面50cを基準としてボート23の
位置をウェーハ移載部4に教示することにより、ウェー
ハWの外周縁部と対向面40cとの間のクリアランスC
L1の大きさが大きくばらついたり、ウェーハWの外周
縁部と対向面40cとが接触する等の不具合を防ぐこと
ができる。この結果、ウェーハWは、保持用溝部40に
対して安定した位置に位置決めされ、ウェーハWに形成
される膜質の安定化が可能となる。また、ウェーハWの
破損によるパーティクルの発生を防ぎ、歩留りおよび装
置稼働率の低下を防ぐことができる。
As described above, according to the present embodiment, the position of the boat 23 is instructed to the wafer transfer unit 4 with reference to the facing surface 50c of the position teaching groove 50, so that the outer peripheral edge of the wafer W is opposed. Clearance C between surface 40c
Problems such as a large variation in L1 and a contact between the outer peripheral edge of the wafer W and the facing surface 40c can be prevented. As a result, the wafer W is positioned at a stable position with respect to the holding groove 40, and the quality of the film formed on the wafer W can be stabilized. Further, generation of particles due to breakage of the wafer W can be prevented, and a decrease in yield and apparatus operation rate can be prevented.

【0035】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れない。上述した実施形態では、ボート23の支持柱2
4のダミーウェーハを保持する最下部に位置教示用溝部
50を設ける構成としたが、たとえば、支持柱24の最
下部、中間部、最上部等の複数箇所に設ける構成として
もよい。この場合には、支持柱24の最下部、中間部、
最上部に位置教示用溝部50を設け、それぞれに位置に
おいて、ウェーハ移載部4のコントローラにウェーハW
を移載すべきボート23の位置を教示する。ウェーハ移
載部4のコントローラでは、これら複数位置でのボート
23の位置が異なる場合には、これらの位置データから
支持柱24の加工誤差および組付誤差による傾きを算出
し、この支持柱24の傾きに応じて教示された位置デー
タを補正する構成とすることも可能である。これによ
り、支持柱24が傾いていることによるウェーハWと支
持柱24との接触を防ぐことができる。
The present invention is not limited to the above embodiment. In the embodiment described above, the support column 2 of the boat 23 is used.
Although the position teaching groove portion 50 is provided at the lowermost portion holding the dummy wafer of No. 4, the configuration may be provided at a plurality of locations such as the lowermost portion, the intermediate portion, and the uppermost portion of the support column 24. In this case, the lowermost part, the middle part,
A groove 50 for position teaching is provided at the top, and the wafer W
Is taught the position of the boat 23 to which is to be transferred. When the position of the boat 23 at the plurality of positions is different, the controller of the wafer transfer unit 4 calculates a tilt due to a processing error and an assembling error of the support column 24 from the position data. It is also possible to adopt a configuration in which the taught position data is corrected according to the inclination. Thereby, contact between the wafer W and the support column 24 due to the tilt of the support column 24 can be prevented.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明によれば、縦方向に配置された反
応管を備える縦型反応炉において、反応炉で処理される
被処理体を縦方向(鉛直方向)に複数段に重ねて保持す
るボートへ移載手段によって移載する際に、この移載手
段にボートの位置を正確に教示することが可能となる。
According to the present invention, in a vertical reactor having a vertically arranged reaction tube, an object to be processed in the reactor is held in a plurality of stages in the vertical direction (vertical direction). When the transfer is performed by the transfer means on the boat, the position of the boat can be accurately taught to the transfer means.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の縦型反応炉の一実施形態としての酸化
・拡散炉を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an oxidation / diffusion furnace as one embodiment of a vertical reaction furnace of the present invention.

【図2】ボート部21の概略構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a boat unit 21.

【図3】ボート23の構造を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing the structure of the boat 23.

【図4】図3のA−A線方向の断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 3;

【図5】支持柱24の縦方向の部分断面図である。FIG. 5 is a vertical partial sectional view of a support column 24.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…酸化・拡散炉、2…カセット収納部、3…カセット
搬送部、4…ウェーハ移載部、7…反応管,21…ボー
ト部、23…ボート、24…支持柱、40…保持用溝
部、40a…保持面、40b…非保持面、40c…対向
面、50…位置教示用溝部、50a…保持面、50b…
非保持面、50c…対向面、W…ウェーハ。
REFERENCE SIGNS LIST 1 oxidation / diffusion furnace, 2 cassette storage unit, 3 cassette transfer unit, 4 wafer transfer unit, 7 reaction tube, 21 boat unit, 23 boat, 24 support column, 40 holding groove unit , 40a: holding surface, 40b: non-holding surface, 40c: facing surface, 50: groove for position teaching, 50a: holding surface, 50b ...
Non-holding surface, 50c: facing surface, W: wafer.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】鉛直方向に配置された反応管と、 水平に配置されたベース部材上に鉛直方向に沿って立設
され、かつ、前記反応管内において処理される被処理体
を当該反応管の縦方向に複数段に重ねて水平に保持する
支持部材を備え、前記反応管内に対して挿入および引き
出しされるボートと、 教示された前記ボートの位置データにしたがって、前記
ボートに前記被処理体を移載する移載手段と、を有し、 前記ボートの各支持部材は、前記被処理体の下面の一部
を保持する保持面と、前記保持面の上方にある非保持面
と、前記保持面と前記非保持面との間の前記被処理体の
外周縁部に対向する対向面とで構成され、当該支持部材
の縦方向に沿って複数段に配列された保持用溝部を備
え、 複数の前記保持用溝部の少なくとも一つは、他の保持用
溝部の前記対向面と異なる位置に配置され、かつ、前記
移載手段に位置データを教示する際の基準面となる対向
面をもつ位置教示用溝部であることを特徴とする縦型反
応炉。
1. A reaction tube arranged in a vertical direction, and an object to be processed standing in a vertical direction on a horizontally arranged base member and processed in the reaction tube, A support member for vertically holding a plurality of stages and holding horizontally, a boat inserted and withdrawn into and from the reaction tube, and the object to be processed on the boat according to the taught position data of the boat. Transfer means for transferring, each supporting member of the boat, a holding surface holding a part of the lower surface of the object, a non-holding surface above the holding surface, the holding member And a holding groove formed in a plurality of stages along the longitudinal direction of the supporting member, the holding member being constituted by a facing surface facing the outer peripheral edge of the object to be processed between the surface and the non-holding surface. At least one of the holding grooves of the other holding groove A vertical reactor having a position teaching groove disposed at a different position from the facing surface of the groove and having a facing surface serving as a reference surface when teaching position data to the transfer means.
【請求項2】前記基準面となる対向面は、同じ支持部材
の他の対向面に対して前記被処理体の外周縁部に所定の
距離だけ近接する位置に配置されている請求項1に記載
の縦型反応炉。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the opposing surface serving as the reference surface is disposed at a position close to an outer peripheral edge of the object by a predetermined distance from another opposing surface of the same support member. The vertical reactor as described.
【請求項3】前記移載手段は、前記位置教示用溝部によ
って教示された前記ボートの位置データに基づいて、前
記被処理体を前記ボートの前記保持用溝部に移載する請
求項2に記載の縦型反応炉。
3. The transfer unit according to claim 2, wherein the transfer unit transfers the workpiece to the holding groove of the boat based on the position data of the boat taught by the position teaching groove. Vertical reactor.
【請求項4】前記位置教示用溝部は、前記支持部材の最
下部に位置している請求項3に記載の縦型反応炉。
4. The vertical reactor according to claim 3, wherein said position teaching groove is located at a lowermost portion of said support member.
【請求項5】前記被処理体は、円盤状であり、 前記位置教示用溝部の対向面は、前記被処理体の外周縁
部に沿った曲率をもつ曲面である請求項1に記載の縦型
反応炉。
5. The vertical object according to claim 1, wherein the object to be processed has a disk shape, and a surface facing the position teaching groove is a curved surface having a curvature along an outer peripheral edge of the object to be processed. Type reactor.
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