JP2004296484A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板搬送手段を用いて基板保持部材に保持した基板を処理する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図10に従来の基板処理装置としての縦型の半導体製造装置の全体構成図を示す。この半導体製造装置は、ウェハカセットを搭載するカセットストッカ5と、カセットストッカ5とボート217との間でウェハ(基板)の搬送を行うウェハ搬送機1と、ボート217と、ボート217を熱処理炉40に挿入及び引き出すボート昇降手段2と、加熱手段を備えた熱処理炉40とから構成される。
【0003】
図示するような縦型の半導体製造装置では、ボート(基板保持部材)は、例えば全体形状が略円柱状をなし、上下に伸びる複数本の柱を構成要素として有し、各柱には多数枚のウェハを水平に保持するための溝が多数設けられている。
3次元にウェハ搬送機(基板搬送手段)を動かし、そのツィーザ(基板支持プレート)に載せたウェハをボートへ搬送し、多数の溝内にウェハを保持させて、熱処理炉40内で処理を行う。
【0004】
ボートが新しくなると、ウェハを溝に安定して保持させるために、ボートとツィーザ間の機械的位置を基板搬送手段にティーチングする必要がある。また、ボートはウェハの処理を繰り返すうちに、熱処理炉内の高温や、エッチングに用いる薬品等のため、経時変化を起こし、例えば前記全体形状が略円柱状のボートでは、中央部がふくらんだ樽状や、平行四辺形等に変形する。また、柱に設けた溝のピッチがくるう場合もある。そのようにボートが古くなったときも、ウェハを溝に安定して保持させるために、ボートとツィーザ間の機械的位置を基板搬送手段にティーチングする必要がある。
【0005】
このため、ボートの交換後や、ボートの洗浄後、あるいは定期的に、ウェハをボートの溝に搬送する際の、ボートとツィーザ間の機械的位置の調整を行う必要がある。
【0006】
従来、基板保持部材(ボート)と基板搬送手段(ウェハ搬送機)の基板支持プレート(ツィーザ)間の機械的位置の調整は目視により行っていた。例えば、基板保持部材の上下2箇所に基板を実際に搬送しながら、基板と基板保持部材の溝との前後左右上下のすき間を目視で確認しながら、基板搬送手段を細かく動かし、基板保持部材の溝に対する基板搬送手段の位置の調整、設定を行っていた。このような調整、設定の作業をティーチングといい、ティーチングで得たデータはティーチングデータとして基板搬送手段に記憶される。基板搬送手段は、このティーチングデータに基づき基板搬送手段を動かして基板保持部材に基板を搬送する。
【0007】
【特許文献1】
特開2002−9135号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
上述したように、基板搬送手段から基板保持部材に基板を搬送するに先立って、基板搬送位置を基板搬送手段にティーチングする必要があるが、基板保持部材の溝に対する基板搬送手段の位置の調整、設定は、人手でしか行うことができず、ティーチングデータには作業者によってばらつきが生じる。このばらつきは熟練作業者でも避けることができない。ティーチングデータにばらつきが生じると、基板搬送時に基板と基板保持部材及び基板支持プレートとの干渉が生じることがあった。
【0010】
また、基板保持部材は基板の処理を繰り返すうちに、経時変化を起こしやすいが、その場合も、基板保持部材の材質や表面状態の変化に対応したティーチングを再度する必要がある。しかし、この場合でも、目視で行うので、ティーチングデータは作業者によってばらつきが生じ、同様な干渉の問題が生じていた。なお、再度ティーチングを行なわず、ティーチングデータを補正することも行なわれているが、その場合であっても、目視で行うため、事情は同じであった。
【0011】
したがって、基板搬送手段の基板支持プレートによる基板保持部材への基板の搬送位置を安定して測定することが要請されていた。
【0012】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、基板搬送手段の基板支持プレートによる基板保持部材への搬送位置を安定して測定することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
第1の発明は、基板を処理する反応室と、前記反応室に隣接された予備室と、前記基板を保持する基板保持部材と、前記基板を載せる基板支持プレートを有し、基板支持プレートに基板を載せつつ前記基板保持部材に搬送する基板搬送手段と、を備え、基板の搬送された基板保持部材を前記反応室に収納して、基板を加熱し反応ガスを供給しつつ排気して前記基板を処理する基板処理装置において、前記予備室に配置される前記基板保持部材の前記基板支持プレートが干渉しない側部に、少なくとも前記基板支持プレートの位置を測定することが可能な位置測定手段を有することを特徴とする基板処理装置である。
予備室に配置される基板保持部材の基板支持プレートが干渉しない側部に、基板支持プレートの位置を測定することが可能な位置測定手段を有するので、基板搬送手段の基板支持プレートによる基板保持部材への搬送位置を安定して測定することができる。位置測定手段により測定する位置には、基板保持部材に保持された基板に対する基板支持プレートの位置の他に、基板保持部材に保持された基板間の距離等がある。
この場合において、特に、上記基板処理装置が、前記基板搬送手段を動かして、前記基板支持プレートに基板を載せつつ予備室に配置した前記基板保持部材に搬送させることにより、前記基板搬送手段に前記基板保持部材への搬送位置をティーチングさせるように構成し、前記予備室に配置した前記基板保持部材に対して、前記ティーチングに基づき基板搬送手段を動かして前記基板保持部材に基板を搬送する機能を有していることが好ましい。
位置測定手段により、少なくとも基板支持プレートの位置を測定できるようにしたので、ティーチングデータを測定結果に基づいて補正することができる。これにより、基板処理装置内のティーチングデータの個人差を解消することができる。
【0014】
第2の発明は、第1の発明において、前記基板搬送手段が複数の基板を載せる複数の基板支持プレートを有し、前記位置測定手段が複数の基板支持プレートの位置を測定するように構成されていることを特徴とする。
位置測定手段により、複数の基板支持プレートの位置を測定できるようにしたので、基板処理装置内のティーチングデータの個人差も解消することができる。
【0015】
第3の発明は、第1又は第2の発明において、前記基板保持部材が基板を保持する溝を有し、前記位置測定手段は、さらに基板又は基板保持部材の溝の位置を測定するように構成したことを特徴とする。
測定手段により、基板支持プレートの位置に加えて基板又は基板保持部材の溝の位置も測定できるようにしたので、基板保持部材の溝に基板を確実に保持するようにティーチングデータを補正できる。
ここで、基板保持部材の溝に保持した基板の位置、あるいは基板支持プレートに載せた基板の位置をセンサユニットで測定することによって、基板の位置を測定できる。また、基板保持部材の溝に保持した基板間の距離を測定することによって得られる溝ピッチから、基板保持部材の溝の位置を間接的に測定できる。
【0016】
第4の発明は、第1乃至第3の発明において、前記位置測定手段が、基板支持プレートを基板保持部材に搬送した際に搬送方向前後2箇所以上に設けられることを特徴とする。
位置測定手段が、基板支持プレートを基板保持部材に搬送した際に搬送方向前後2箇所以上に設けられているので、基板を支持する基板支持プレートが基板搬送方向に垂れなどの変形が生じていても、その変形を考慮したティーチングデータの補正を行うことができる。
【0017】
第5の発明は、基板を処理する反応室と反応室に隣接した予備室とを備え、基板搬送手段を動かして、基板支持プレートに基板を載せつつ前記予備室に配置した基板保持部材に搬送させることにより、前記基板搬送手段に前記基板保持部材への搬送位置をティーチングさせるように構成した基板処理装置を用いて基板を処理する半導体デバイスの製造方法であって、
前記基板搬送手段に、前記基板保持部材における前記基板支持プレートの搬送位置をティーチングする工程と、前記予備室に配置される前記基板保持部材の前記基板支持プレートが干渉しない側部に、少なくとも前記基板支持プレートの位置を測定することが可能な位置測定手段を取り付け、前記位置測定手段を用いて基板搬送手段にティーチングしたティーチングデータを補正する工程と、前記補正されたティーチングデータに基づき前記基板搬送手段を用いて基板保持部材の搬送位置へ基板を搬送する工程と、前記基板保持部材に搬送された前記基板を前記反応室にロードする工程と、前記反応室にロードした基板を加熱し、反応ガスを供給しつつ排気して前記基板を処理する工程と、処理した基板を基板保持部材とともに反応室からアンロードする工程と、を有する半導体デバイスの製造方法である。
位置測定手段により、少なくとも基板支持プレートの位置を測定して、その測定結果に基づいてティーチングデータを補正することができる基板処理装置を用いるので、基板処理装置間のティーチングデータの個人差が解消されて、基板の搬送精度を向上し、高歩留まりの半導体デバイスを製造することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を説明する。
【0019】
基板処理装置としての縦型の半導体製造装置は、基板を処理する処理炉と、処理炉の下方に隣接して設けられて基板を基板保持部材に搬送して処理炉に収容するための予備室とを備える。
【0020】
図11を用いて処理炉、例えば減圧CVD処理炉を説明する。外管(以下、アウタチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下、インナチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウタチューブ205内に同軸的に配置されている。アウタチューブ205とインナチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。なお、処理炉は主制御部120で制御される。
【0021】
アウタチューブ205およびインナチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウタチューブ205およびインナチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウタチューブ205の下端部およびマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材(以下、Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【0022】
マニホールド209の下部には、ガスの供給管232が貫通するよう設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがアウタチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232はガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241は主制御部120のガス流量制御部122に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【0023】
マニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウタチューブ205とインナチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウタチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、主制御部120の圧力制御部123により制御する。
【0024】
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。又、シールキャップ219には、回転手段(以下回転軸254)が連結されており、回転軸254により、石英等よりなる基板保持手段(以下ボート217)及びボート217上に保持されているSi等よりなる基板(以下ウェハ200)を回転させる。又、シールキャップ219は昇降手段(以下ボートエレベータ225)に連結されていて、ボート217を昇降させる。回転軸254、及びボートエレベータ225を所定のスピードにするように、主制御部120の駆動制御部124により制御する。
【0025】
アウタチューブ205の外周には加熱装置(以下ヒータ207)が同軸的にに配置されている。ヒータ207は、アウタチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(以下熱電対263)により温度を検出し、主制御部120の温度制御部121により制御する。前述したインナチューブ204、アウタチューブ205と、マニホールド209とで、ボート217に支持されたウェハ200を収納して処理するための反応室201を構成する。
【0026】
図11に示した処理炉による減圧CVD処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ225によりボート217を下降させる。ボート217に複数枚のウェハ200を保持する。次いで、ヒータ207により加熱しながら、反応室201内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予め反応室201内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ225により、ボート217を上昇させて反応室201内に移し、反応室201の内部温度を所定の処理温度に維持する。反応室201内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸254により、ボート217及びボート217上に保持されているウェハ200を回転させる。同時にガスの供給管232から処理用のガスを供給す乱供給されたガスは、反応室201内を上昇し、ウェハ200に対して均等に供給される。
【0027】
減圧CVD処理中の反応室201内は、排気管231を介して排気され、所定の真空になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間減圧CVD処理を行う。
【0028】
このようにして減圧CVD処理が終了すると、次のウェハ200の減圧CVD処理に移るべく、反応室201内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ225によりボート217を下降させて、ボート217及び処理済のウェハ200を反応室201から取出す。反応室201から取出されたボート217上の処理済のウェハ200は、未処理のウェハ200と交換され、再度前述同様にして反応室201内に上昇され、減圧CVD処理が成される。
【0029】
なお、本実施例の処理炉にて処理される処理条件は、Doped Poly−Si膜の成膜を例にあげれば、ウェハ温度530℃、ガス種SiH4、流量400sccm、ガス種PH3、流量100sccm、処理圧力は200Paである。
【0030】
次に図1を用いて、処理炉の下方に設けられる予備室30について説明する。予備室30内には基板搬送手段(以下、ウェハ搬送機1)と基板保持部材(以下、ボート217)とが主に設けられている。
【0031】
ウェハ搬送機1は3次元に動き、複数のウェハ200をボート217に形成した複数の溝15(図2参照)に搬送するように構成されている。そのためにウェハ搬送機1は、上下方向移動機構2、旋回方向移動機構3、及び半径方向移動機構4を備える。Aが上下方向、Bが旋回方向、Cが半径方向である。また、ウェハ搬送機1は、複数枚(例えば5枚)のウェハを一括して保持するセラミック等よりなる複数の基板支持プレート(以下、ツィーザ11)、ツィーザ11間のピッチ可変機構12、ウェハ搬送機制御装置7、位置測定制御装置8を備えている。ツィーザ11は、半径方向移動機構4によって前後方向(半径方向C)に移動可能に設けられ、ボート217に対してアクセスできるように構成されている。なお、上下方向移動機構2、旋回方向移動機構3、半径方向移動機構4は、それぞれの動作軸を有する。各機構2、3、4の動作軸のモータはモータ制御ボード13によって制御される。
【0032】
また、ウェハ搬送機1のアクセス可能な位置にボート217が設けられる。ボート217は、3本の柱217−1、217−2、217−3を構成要素にもつ。図2に示すように、柱217−1(217−2、217−3)には、ウェハ200を多数枚水平に保持するための溝15が多段に設けられている。ツィーザ11に載せられて搬送されてきたウェハ200は、これらの溝15に保持される。
なお、ボート217の真上に前述した処理炉が配設される。
【0033】
本実施の形態では、特に、予備室に配置されるボート217に位置測定手段(以下、センサユニット20)が設けられ、ウェハ搬送機1がボート217にアクセスしたときのツィーザ11の搬送位置等を測定できるように構成されている。センサユニット20は、ツィーザ11との間で干渉が生じないボート217の側部に設けられる。センサユニット20は、溝15に保持されたウェハ200に対するボート217に挿入されたツィーザ11の位置(距離)の他に、溝15に保持されたウェハ200間の距離等を測定できるようになっている。
【0034】
センサユニット20は、5枚のツィーザ11の位置を一括して測定するために、ラインセンサ21を有するように構成されている。ラインセンサ21は、例えば、対向してライン状に設けられた一対の発光部と受光部とかなる光学センサを有して、発光部から出た光がツィーザ11やウェハ200に遮られて受光部に届かなくなったライン状の点をとらえて、ツィーザ11やウェハ200の位置を測定するように構成されている。したがって、センサユニット20はボート217を挟むようにボート217の両側部に設けられる。センサユニット20によるツィーザ11の位置測定は、通常、1度に5枚のツィーザ11を一括で測定可能とするが、1枚のツィーザ11に対しても測定可能とする。
また、センサユニット20の取付け箇所は、ツィーザ11の半径移動方向(搬送方向)において1箇所ないし2箇所以上としてもよい。ここでは前後方向2箇所に設けるようにしている。これはウェハ搬送機1のツィーザ11の搬送方向での垂れを考慮するためであり、搬送方向前後2箇所とすることにより、ツィーザ11の位置測定の信頼性を向上するためである。
センサユニット20で測定された結果は、ウェハ搬送機制御装置7に送られて、必要があるときは、後述するティーチングデータを補正するように処理される。
【0035】
上述したセンサユニット20は、対向する1組のセンサユニット部から構成される。センサユニット部は、ボート直径と略等しい幅を有し、積層した5枚のツィーザ11分の高さと略等しい長さを有する板状の取付板22と、取付板22の幅方向両側に長さ方向に沿って取り付けたラインセンサ21とを備えることで、断面コ字形に形成されている。この断面コ字形に形成された2つのセンサユニット部を、ラインセンサ21が対向するように、ボート217の両側部に設けることで、センサユニット20が構成される。
【0036】
センサユニット20は半導体製造装置間で共用できるようにする。そのために、例えば、図3に示すようにセンサユニット20を着脱自在に取り付けられるようにする。ボートの側部に対応する予備室の底壁31に2つのピン孔32を設け、2つのピン孔32に抜き差し自在なストッパ34付きのピン33をそれぞれ立てる。センサユニット20には2つのピン挿通孔を形成しておき、2つのピン挿通孔に底壁31に立てた2つのピン33をそれぞれ挿入する。これにより、センサユニット20はストッパ34の位置で止り、ストッパ位置に対応するボート側部の所定高さ位置に装着される。上記操作と逆の操作を行なえば、センサユニット20はボート側部から容易に取り外すことができる。
【0037】
このようにセンサユニット20は、ボート217の側部にピン33で着脱自在に取付けられる。常時は使用せず、ティーチングデータを補正するときのみに使用するため、ボートなどと一体構造とするのではなく、ボートとは別体として取扱いが簡単なユニット構造ないし治具としている。
【0038】
次に、図4を用いてセンサユニットを詳細に説明をする。図4(a)はセンサユニットの配置構成を説明する平面図、図4(b)は同じく側面図である。図4(a)において、符号25は光ビームであり、ラインセンサ21の発光部21−1及び21−3から受光部21−2及び21−4に向けてそれぞれ出射される。センサユニット20のラインセンサ21は、前述したようにツィーザ11が挿入されるボートの両側部で、かつボートの前後に設けられるが、光ビーム25が干渉しないように、ボートの柱217−1、217−2、217−3を避けるように設けられる。
【0039】
図4(b)に示すように、センサユニット20は、ボートに6枚のウェハ200を積層して保持したときに、5本のツィーザ11−1〜11−5と、それらのツィーザの上下に存在するウェハ200との間の距離d1、d2を測定することができるようになっている。また、ウェハ200間の距離P(溝ピッチ)を測定して、ボートの溝の位置を間接的に測定できるようになっている。なお、ツィーザ11は前部が二股に分れたフォーク状をしている。
【0040】
次に、上述したウェハ搬送機1のティーチングデータを補正することが可能な半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造する方法を説明する。この半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造するには、主制御部120及びウェハ搬送機制御装置7、位置測定制御装置8等の制御のもとで、ティーチング工程、データ補正工程、基板搬送工程、基板ロード工程、基板処理工程、基板アンロード工程等が行われる。
【0041】
ティーチング工程は、主に装置の立上げ時や、ボートの交換後に行うが、ボートの洗浄後、あるいは定期的に行う場合もある。
ティーチング工程では、ウェハ搬送機1を手動で3次元に動かして、ツィーザ11におけるボート217の搬送位置をティーチングする。
ボート217とウェハ搬送機1のツィーザ11間の機械的位置の調整は目視により行う。作業者がウェハ搬送機1を3次元に動かしてボート217の任意の箇所にウェハ200を載せたツィーザ11を実際に搬送しながら、ウェハ200とボート217の柱217−1、217−2、217−3の溝15との前後左右上下のすき間を目視で確認しながら、ウェハ搬送機1を細かく動かし、ボート217の溝15に対するウェハ搬送機1の位置の調整・設定を行う。
【0042】
この調整・設定によりウェハ搬送機1にティーチングされるツィーザ11の搬送位置データがティーチングデータとなる。ここで取り上げるティーチングデータは、図6に示すように、(a)搬入位置データ、(b)接触位置データ、(c)搬出位置データの3つである。
(a)の搬入位置データTuは、ウェハ200を載せたツィーザ11をボート217にアクセスしたとき、ウェハ200とボート217、及びウェハ200とツィーザ11が干渉することなく、ウェハ200をボート217の溝15の中央に搬送することができるツィーザ11の位置データである。
(b)の接触位置データToは、ウェハ200をボートの溝15の中央に搬送した後、ツィーザ11を下げてウェハ200を溝15に接触させたときのツィーザ11の位置データである。
(c)の下げ位置データTdは、ツィーザ11をさらに下げて、ウェハ200を溝15に完全に保持させた後、ウェハ200とボート217、及びウェハ200とツィーザ11が干渉することなく、ツィーザ11をボート217から抜き取ることができるツィーザ11の位置データである。
【0043】
上述した3つの位置データは、上下方向移動機構2、旋回方向移動機構3、半径方向移動機構4の各動作軸に設けたエンコーダから読み取り、ティーチングデータとしてウェハ搬送機制御装置7に記憶させる。
【0044】
ティーチングデータは、接触位置データToが基準値となる。また、ウェハ200の溝15への接触位置がツィーザ11の基準位置になる。基準値に、ツィーザ11の上げ量Duを加えた値が搬入位置データTuとなる。また、基準値からツィーザ11の下げ量Ddを引いた値が搬出位置データTdとなる。ここで上げ量Duとは、ウェハ200を載せたツィーザ11をボート217等と干渉させることなく出し入れでき、しかも溝15に接触しているウェハ200を溝15の中央に位置させるために、基準位置からツィーザ11を持ち上げる量である。また、下げ量Ddとは、溝15に接触しているウェハ200からツィーザを離して、ボート217等と干渉させることなく、ツィーザ11をボート217から抜き取ることが可能な位置までに、基準位置からツィーザ11を下降させる量である。
作業者は、ツィーザ11を細かく動かすことによって、これらの上げ量Duや下げ量Ddを調整・設定する。このようにしてティーチング工程では、作業者の目視によってウェハ搬送機1にティーチングデータをティーチングさせる。
【0045】
補正工程は、ボートの交換後や、ボートの洗浄後に主に行ない、必要に応じて定期的に行う。
補正工程では、作業者の目視によってウェハ搬送機1にティーチングしたティーチングデータを、センサユニット20を用いて必要に応じて補正する。したがって、この工程において、図1に示したセンサユニット20を、図3に示す方法でボート217の側部に設ける。また予め、ツィーザ11の枚数よりも1枚多い6枚のウェハ200を、センサユニット20がカバーしたボート217の所定の領域にある溝15に連続して積層して保持しておく。
【0046】
センサユニット20をボート側部に装着後、図5のフローに示すように、ティーチングデータに基づいてウェハ搬送機1を3次元に自動で動かして、ウェハ200を保持したボート217の所定の領域に、ウェハ200を載せない空のツィーザ11を移動する(ステップ101)。移動後、今度は目視ではなくセンサユニット20により、溝15に保持されているウェハ200とツィーザ11間の距離(搬送位置)を測定する(ステップ102)。ここではウェーハ搬送方向前後に設けた2箇所のセンサユニット20により2つの搬送位置を測定するので、平均したものを測定結果とする。その測定結果に基づいて、ボート217にアクセスするツィーザ11の搬送位置が既定値内に入っているか否かを判定する(ステップ103)。既定値内に入っていない場合は、ティーチングデータが異常であるとして、ティーチングデータを補正して、測定結果が既定値内に入るまで、上述したティーチングデータ補正のステップ101〜104を繰り返す。測定結果が既定値内に入れば、ティーチング工程は終了する。なお、補正工程を簡略化する場合は、ティーチングデータを1回補正した後、ステップ101〜104を繰り返さずに終了させてもよい。
【0047】
ところで、ティーチングデータのうち、接触位置データは、ウェハ200の溝への接触という直接的な基準を見て作業者が検出するので、比較的個人差は生じがたい。これに対して搬入位置データと搬出位置データとは、間接的な基準はあっても、直接的な基準のない空間を見て作業者が感で検出するので、個人差が生じやすい。そこで、上記ステップ103では、特に、搬入位置データと搬出位置データとが規定値内に入っているか否かを判定して、規定値内に入っていない場合にそのデータを補正している。
【0048】
ここで、図7及び図8を用いてセンサユニット20による具体的なデータ補正の方法を説明する。図7は搬入位置データの補正、図8は搬出位置データの補正の仕方をそれぞれ説明している。
搬入位置データが適正か否かを調べるには、図7に示すように、搬入位置データに基づきウェハ搬送機1をボート217にアクセスして、5枚のツィーザ11を溝15に保持されている6枚のウェハ200間に挿入する。このときのツィーザ11とツィーザ直下のウェハ200との距離d2をセンサユニット20で測定する。距離d2は上げ量Duを直接示すものではないが、
Du=d2+Dt
ただし、Dtはウェハの厚さ
と表わせるから、Du値に換算できる。
したがって、測定値(距離)d2(又はDu値)が規定値内に入っているか否かを判定して(ステップ103)、規定値内に入っていない場合、搬入位置データを補正する(ステップ104)。
【0049】
また、搬出位置データが適正か否かを調べるには、図8に示すように、ツィーザを挿入した状態で、搬出位置データに基づきツィーザ11を下げる。この下げた位置でのツィーザ11と、ツィーザ真上のウェハ200との距離d1をセンサユニット20で測定する。距離d1は下げ量Ddに等しく
Dd=d1
である。
したがって、測定値(距離)d1が規定値内に入っているか否かを判定して(ステップ103)、規定値内に入っていない場合、搬入位置データを補正する(ステップ104)。
【0050】
ここで、5枚のツィーザ11の搬入位置データの補正を行うときは最上段のウェハ200は不要であり、搬出位置データの補正を行なうときは最下段のウェハ200は不要となる。したがって各データの補正を行うときは、ウェハ200は5枚で足りる。しかし、実施の形態のように、6枚のウェハ200を同時に溝15に保持させることによって、5枚のツィーザ11−1〜11−5をボート217から抜かずに、搬入位置データと搬出位置データの両方の補正を行うことができるようになる。
【0051】
このようにして補正工程では、6枚のウェハ200を保持したボート217に5枚のツィーザ11を挿入したときのツィーザ11とウェハ200間の距離を測定し、また、ツィーザ11を下げたときツィーザ11とウェハ200間の距離を測定して補正することにより、個人差のない適正なティーチングデータを得ることができる。
【0052】
また、図4に示すように、センサユニット20によりウェハ200間を測定することにより溝ピッチデータを得て、この溝ピッチデータから溝位置を換算することもできるので、必要に応じてステップ103で接触位置データも補正することが可能となる。
【0053】
搬送工程は、測定用ではない実際に処理するウェハ200をボート217に搬送する。搬送工程では、ボート217の側部に設けたセンサユニット20を取り外して、補正されたティーチングデータに基づきウェハ搬送機1を用いてボート217の搬送位置へウェハ200を搬送する。
ロード工程では、ボート217に搬送されたウェハ200を、ボートエレベータ225によりボート217を上昇して反応室201にロードする。
処理工程では、反応室201にロードしたウェハ200をヒータ207で加熱し、ガスの供給管232から反応ガスを供給しつつ排気管231排気して、ウェハ200を処理する。
アンロード工程では、ボートエレベータ225によりボート217を下降して、処理したウェハ200を反応室201からアンロードする。
以上述べた工程により、ウェハの搬送精度を向上し、高歩留まりの半導体デバイスを製造することができる。
【0054】
本実施例によれば、縦型の半導体製造装置において、ボート217の側部にセンサユニット20を設けたので、ティーチングデータに基づくウェーハ搬送装置を自動かつ安定して測定できるので、目視によるティーチングデータのバラツキを解消することができる。また、ボート交換時や、ボート217の材質や表面状態の変化が生じた時でも、ボート217に対するウェーハ搬送位置を自動かつ安定して測定できるので、ボート側の変化に対応してティーチングデータを容易に補正できる。
また、センサユニット20によりツィーザ11とウェハ200間の距離を測定し、ティーチングデータの異常を検出し、そのデータをもとにティーチングデータを補正して、ティーチングデータの異常をなくすように構成したので、作業者による作業者の目視による機械的位置の調整を行う必要がなくなり、ティーチングデータないしティーチングデータ補正の個人差を無くすことができる。その結果、ボート交換時やボート経年変化時であっても、ボート217とウェハ200及び、ツィーザ11とウェハ200の干渉を抑止することができる。
【0055】
また、ティーチングデータを補正できるため、ボートとウェハ搬送機のツィーザとの機械的位置の調整を熟練作業者でなくても容易に行うことができ、ティーチング効率を向上できる。
また、センサユニット20が、ウェハ搬送機1をボート217に搬送した際に搬送方向前後2箇所に設けられているので、ウェハ200を支持するツィーザ11が基板搬送方向に垂れなどの変形が生じていても、その変形を考慮したティーチングデータの補正を行うことができる。
また、センサユニット20により複数のツィーザの搬送位置を測定するようにしたので、装置内でのティーチングデータの個人差を解消することができる。また、センサユニット20を着脱自在に取り付けるようにしたので、他の半導体製造装置と共用して使い回しすることができ、コスト面で有利であるばかりでなく、装置間でもティーチングデータの個人差も解消することができる。
【0056】
ボート217の溝15の位置もセンサユニット20によって直接測定できることが好ましいが、ボート217は石英で形成されているので、光の透過や反射等によりボートに設けた溝位置をセンサユニット20で測定するのは実際上困難である。これに対して、ツィーザ11はセラミックで形成され、ウェハ200はシリコンで形成されており、これらの側面は、通常、鏡面仕上げしないので、光の透過や反射の問題が比較的少なく、センサユニット20で測定することが容易である。したがって、溝15の位置を直接測定できなくても、ツィーザやウェハ間の位置を測定することによって、間接的に溝15の位置を測定することが可能となる。
【0057】
なお、上述した実施の形態では、所定の範囲をカバーするセンサユニットを用いて、ボートの一部を代表して所定の範囲(ツィーザをアクセスする範囲)を選択して、その範囲内でのティーチングデータを調べるようにした。ボートの全範囲についてティーチングデータを調べたい場合、センサユニットをユニット単位で昇降させていき、その都度ティーチングデータを調べることにより、ボートの全範囲をカバーすることも可能である。しかし、センサユニットを拡張して全範囲をカバーできるようにすれば、一度に全範囲を調べることができる。
【0058】
図9は、そのようなツィーザのアクセス可能なボートの全範囲について搬送位置を測定できるセンサユニットを示すものである。センサユニット20を構成する取付板22の長さをボート217の全長に略等しい高さにし、その取付板22に取付けるラインセンサ21もボート217の略全長に沿って設けるように構成する。このように構成することにより、ツィーザ11のアクセス位置を測定する範囲をボート217の全範囲とすることが可能となる。
【0059】
また、実施の形態では、ツィーザの位置を5枚一括で測定するようにしたが、1枚でも可能である。
【0060】
【発明の効果】
本発明によれば、基板保持部材の側部に基板支持プレートの位置を測定する位置測定手段を有するので、基板搬送手段の基板支持プレートによる基板保持部材への搬送位置を安定して測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態による基板処理装置の構成要素となる予備室の構成を示す斜視図である。
【図2】実施の形態によるボート、ツィーザ、ウェハの相対位置関係を示す説明図である。
【図3】実施の形態によるセンサユニットの取付け方法を示す説明図である。
【図4】実施の形態のセンサユニットによるツィーザ位置の測定方法を示す説明図であり、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図5】実施の形態によるセンサユニットを用いたティーチングデータ補正の動作を説明するフローチャートである。
【図6】実施の形態によるツィーザによるウェハ移載手順を示す説明図である。
【図7】実施の形態によるセンサユニットを用いてツィーザの搬入位置を測定する説明図である。
【図8】実施の形態によるセンサユニットを用いてツィーザの搬出位置を測定する説明図である。
【図9】実施の形態の変形例を示すセンサユニットの斜視図である。
【図10】従来の半導体製造装置の全体構成図である。
【図11】実施の形態による基板処理装置の構成要素となる処理炉の詳細な断面図である。
【符号の説明】
1 ウェハ搬送機(基板搬送手段)
11 ツィーザ(基板支持プレート)
20 センサユニット(位置測定手段)
30 予備室
200 ウェハ(基板)
217 ボート(基板保持部材)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate held on a substrate holding member by using a substrate transfer unit.
[0002]
[Prior art]
FIG. 10 shows an overall configuration diagram of a vertical semiconductor manufacturing apparatus as a conventional substrate processing apparatus. This semiconductor manufacturing apparatus includes a
[0003]
In a vertical type semiconductor manufacturing apparatus as shown in the figure, a boat (substrate holding member) has, for example, a substantially columnar overall shape, and has a plurality of columns extending vertically, and each column has a large number of columns. Many grooves are provided for holding the wafer horizontally.
The wafer transfer device (substrate transfer means) is moved three-dimensionally, the wafer placed on the tweezers (substrate support plate) is transferred to the boat, and the wafer is held in a large number of grooves, and the processing is performed in the
[0004]
When the boat is new, it is necessary to teach the mechanical position between the boat and the tweezers to the substrate transfer means in order to stably hold the wafer in the groove. In addition, the boat undergoes a change over time due to the high temperature in the heat treatment furnace and the chemicals used for etching while repeating the processing of wafers. Deformed into a shape or parallelogram. Further, the pitch of the grooves provided in the pillars may be changed. Even when the boat becomes old, it is necessary to teach the mechanical position between the boat and the tweezers to the substrate transfer means in order to stably hold the wafers in the grooves.
[0005]
Therefore, it is necessary to adjust the mechanical position between the boat and the tweezers when transferring wafers to the grooves of the boat after replacing the boat, cleaning the boat, or periodically.
[0006]
Conventionally, the mechanical position between the substrate holding member (boat) and the substrate support plate (tweezer) of the substrate transfer means (wafer transfer device) has been visually adjusted. For example, while actually transporting the substrate to two places above and below the substrate holding member, while visually checking the front, rear, left, right, and upper gaps between the substrate and the groove of the substrate holding member, finely moving the substrate carrying means, Adjustment and setting of the position of the substrate transfer means with respect to the groove have been performed. The work of such adjustment and setting is called teaching, and data obtained by teaching is stored in the substrate transport means as teaching data. The substrate transport means transports the substrate to the substrate holding member by moving the substrate transport means based on the teaching data.
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-9135
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
[0009]
As described above, prior to transferring the substrate from the substrate transfer means to the substrate holding member, it is necessary to teach the substrate transfer position to the substrate transfer means, but adjustment of the position of the substrate transfer means with respect to the groove of the substrate holding member, The setting can only be performed manually, and the teaching data varies depending on the operator. This variation cannot be avoided even by skilled workers. When the teaching data varies, interference between the substrate and the substrate holding member and the substrate support plate may occur during the transfer of the substrate.
[0010]
Further, the substrate holding member is liable to change with time while the processing of the substrate is repeated. In this case, however, it is necessary to repeat teaching corresponding to the change in the material and surface state of the substrate holding member. However, even in this case, since the teaching data is visually observed, the teaching data varies depending on the operator, and a similar problem of interference occurs. Although teaching data is corrected without performing teaching again, the situation is the same because the correction is performed visually even in such a case.
[0011]
Therefore, it has been demanded to stably measure the position at which the substrate is transferred to the substrate holding member by the substrate support plate of the substrate transfer means.
[0012]
It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of solving the above-mentioned problems of the prior art and stably measuring a position of a substrate transfer unit to be transferred to a substrate holding member by a substrate support plate. It is in.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
A first invention has a reaction chamber for processing a substrate, a preliminary chamber adjacent to the reaction chamber, a substrate holding member for holding the substrate, and a substrate support plate for mounting the substrate, wherein the substrate support plate Substrate carrying means for carrying the substrate to the substrate holding member while placing the substrate, containing the substrate holding member carried by the substrate in the reaction chamber, heating the substrate and exhausting while supplying a reaction gas, In a substrate processing apparatus for processing a substrate, a position measuring unit capable of measuring at least a position of the substrate support plate on a side of the substrate holding member disposed in the preliminary chamber where the substrate support plate does not interfere. A substrate processing apparatus comprising:
Since the substrate holding member disposed in the preliminary chamber has position measuring means on the side where the substrate supporting plate does not interfere with the substrate supporting plate, the substrate holding member using the substrate supporting plate of the substrate carrying means is provided. Can be stably measured. The position measured by the position measuring means includes the distance between the substrates held by the substrate holding member, in addition to the position of the substrate support plate with respect to the substrate held by the substrate holding member.
In this case, in particular, the substrate processing apparatus moves the substrate transporting unit, and transports the substrate to the substrate holding member arranged in the preliminary chamber while placing the substrate on the substrate support plate. The transfer position to the substrate holding member is configured to be taught, and the function of transferring the substrate to the substrate holding member by moving substrate transfer means based on the teaching with respect to the substrate holding member disposed in the preliminary chamber is provided. It is preferable to have.
Since at least the position of the substrate support plate can be measured by the position measuring means, the teaching data can be corrected based on the measurement result. This makes it possible to eliminate individual differences in teaching data in the substrate processing apparatus.
[0014]
In a second aspect based on the first aspect, the substrate transfer means has a plurality of substrate support plates on which a plurality of substrates are placed, and the position measuring means is configured to measure the positions of the plurality of substrate support plates. It is characterized by having.
Since the positions of the plurality of substrate support plates can be measured by the position measuring means, individual differences in teaching data in the substrate processing apparatus can be eliminated.
[0015]
In a third aspect based on the first or second aspect, the substrate holding member has a groove for holding the substrate, and the position measuring means further measures the position of the groove of the substrate or the substrate holding member. It is characterized by comprising.
Since the measuring means can measure not only the position of the substrate support plate but also the position of the groove of the substrate or the substrate holding member, the teaching data can be corrected so that the substrate is reliably held in the groove of the substrate holding member.
Here, the position of the substrate can be measured by measuring the position of the substrate held in the groove of the substrate holding member or the position of the substrate placed on the substrate support plate with the sensor unit. Further, the position of the groove of the substrate holding member can be indirectly measured from the groove pitch obtained by measuring the distance between the substrates held in the groove of the substrate holding member.
[0016]
A fourth invention is characterized in that, in the first to third inventions, the position measuring means is provided at two or more places before and after in the transport direction when the substrate support plate is transported to the substrate holding member.
Since the position measuring means is provided at two or more places before and after in the transport direction when the substrate support plate is transported to the substrate holding member, the substrate support plate supporting the substrate is deformed such as sagging in the substrate transport direction. Also, the teaching data can be corrected in consideration of the deformation.
[0017]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a reaction chamber for processing a substrate, and a preliminary chamber adjacent to the reaction chamber, wherein the substrate transport means is moved to transport the substrate to a substrate holding member arranged in the preliminary chamber while placing the substrate on the substrate support plate. A method of manufacturing a semiconductor device that processes a substrate using a substrate processing apparatus configured to teach the substrate transfer means to a transfer position to the substrate holding member by the substrate transfer means,
A step of teaching the transfer position of the substrate support plate in the substrate holding member to the substrate transfer means, and at least a portion of the substrate holding member disposed in the preliminary chamber on a side of the substrate holding member that does not interfere with the substrate support plate. A step of attaching position measuring means capable of measuring the position of the support plate, correcting the teaching data taught to the substrate transport means using the position measuring means, and the substrate transport means based on the corrected teaching data. Transporting the substrate to the transport position of the substrate holding member by using, and loading the substrate transported to the substrate holding member into the reaction chamber, heating the substrate loaded in the reaction chamber, the reaction gas Processing the substrate by exhausting while supplying air, and removing the processed substrate from the reaction chamber together with the substrate holding member. A step of loading a method of manufacturing a semiconductor device having a.
Since the position measuring means uses a substrate processing apparatus capable of measuring at least the position of the substrate support plate and correcting the teaching data based on the measurement result, individual differences in the teaching data between the substrate processing apparatuses are eliminated. As a result, the substrate transfer accuracy can be improved, and a semiconductor device with a high yield can be manufactured.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
[0019]
A vertical semiconductor manufacturing apparatus as a substrate processing apparatus includes a processing furnace for processing a substrate, and a preparatory chamber provided below and adjacent to the processing furnace for transferring the substrate to a substrate holding member and storing the substrate in the processing furnace. And
[0020]
A processing furnace, for example, a low pressure CVD processing furnace will be described with reference to FIG. The outer tube (hereinafter, outer tube 205) is made of, for example, quartz (SiO 2 ), And has a cylindrical shape having a closed upper end and an opening at the lower end. The inner tube (hereinafter, inner tube 204) has a cylindrical shape having openings at both ends of an upper end and a lower end, and is coaxially arranged in the outer tube 205. The space between the outer tube 205 and the inner tube 204 forms a
[0021]
A manifold 209 made of, for example, stainless steel is engaged with lower ends of the outer tube 205 and the inner tube 204, and the outer tube 205 and the inner tube 204 are held by the
[0022]
A gas supply pipe 232 is provided below the manifold 209 so as to pass therethrough. A gas for processing is supplied into the outer tube 205 through the supply pipe 232 of these gases. These gas supply pipes 232 are connected to gas flow rate control means (hereinafter, mass flow controller (MFC) 241), and the
[0023]
A pressure regulator (eg, APC, N 2 There is a ballast controller, hereafter referred to as APC 242), and a
[0024]
A disc-shaped lid (hereinafter referred to as a seal cap 219) made of, for example, stainless steel is detachably attached to the lower end opening of the manifold 209 via an O-
[0025]
A heating device (hereinafter, heater 207) is coaxially arranged on the outer periphery of the outer tube 205. The temperature of the
[0026]
An example of the low pressure CVD processing method using the processing furnace shown in FIG. 11 will be described. First, the
[0027]
The inside of the
[0028]
When the low-pressure CVD process is completed in this manner, the gas in the
[0029]
The processing conditions in the processing furnace of the present embodiment are, for example, a wafer temperature of 530 ° C. and a gas type of SiH in the case of forming a doped poly-Si film. 4 , Flow rate 400sccm, gas type PH 3 , The flow rate is 100 sccm, and the processing pressure is 200 Pa.
[0030]
Next, the
[0031]
The wafer transfer device 1 is configured to move three-dimensionally and transfer a plurality of
[0032]
Further, a
In addition, the processing furnace described above is disposed right above the
[0033]
In the present embodiment, in particular, a position measuring means (hereinafter, sensor unit 20) is provided in the
[0034]
The
Further, the
The result measured by the
[0035]
The above-described
[0036]
The
[0037]
Thus, the
[0038]
Next, the sensor unit will be described in detail with reference to FIG. FIG. 4A is a plan view illustrating the arrangement of the sensor units, and FIG. 4B is a side view of the same. In FIG. 4A,
[0039]
As shown in FIG. 4 (b), when six
[0040]
Next, a method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor manufacturing apparatus capable of correcting the teaching data of the wafer transfer device 1 described above will be described. In order to manufacture a semiconductor device using this semiconductor manufacturing apparatus, a teaching process, a data correction process, and a substrate transfer process are performed under the control of the
[0041]
The teaching process is mainly performed at the time of starting up the apparatus or after replacing the boat, but may be performed after the boat is washed or periodically.
In the teaching process, the transfer position of the
Adjustment of the mechanical position between the
[0042]
With this adjustment / setting, the transfer position data of the tweezer 11 to be taught to the wafer transfer device 1 becomes teaching data. As shown in FIG. 6, the teaching data taken here are (a) carry-in position data, (b) contact position data, and (c) carry-out position data.
The (a) carry-in position data Tu indicates that when the tweezer 11 on which the
The contact position data To of (b) is the position data of the tweezer 11 when the
The lowering position data Td of (c) indicates that the
[0043]
The above-described three position data are read from encoders provided on each operation axis of the
[0044]
The teaching data uses the contact position data To as a reference value. Further, the contact position of the
The operator adjusts and sets the raising amount Du and the lowering amount Dd by finely moving the
[0045]
The correction process is mainly performed after replacing the boat or after cleaning the boat, and is performed periodically as necessary.
In the correction step, the teaching data, which has been taught to the wafer transfer device 1 visually by an operator, is corrected as necessary using the
[0046]
After the
[0047]
By the way, among the teaching data, the contact position data is detected by the worker by looking at the direct reference of the contact with the groove of the
[0048]
Here, a specific data correction method by the
To check whether the carry-in position data is appropriate or not, as shown in FIG. 7, the wafer transfer machine 1 accesses the
Du = d2 + Dt
Where Dt is the thickness of the wafer
Can be converted to a Du value.
Therefore, it is determined whether or not the measured value (distance) d2 (or Du value) is within a specified value (step 103). If not, the carry-in position data is corrected (step 104). ).
[0049]
To check whether the unloading position data is appropriate or not, as shown in FIG. 8, the
Dd = d1
It is.
Therefore, it is determined whether or not the measured value (distance) d1 is within the specified value (step 103), and if not, the carry-in position data is corrected (step 104).
[0050]
Here, when correcting the carry-in position data of the five
[0051]
In this manner, in the correction step, the distance between the
[0052]
Further, as shown in FIG. 4, groove pitch data can be obtained by measuring between
[0053]
In the transfer step, the
In the loading step, the
In the processing step, the
In the unloading step, the
Through the steps described above, the accuracy of wafer transfer can be improved, and a semiconductor device with a high yield can be manufactured.
[0054]
According to the present embodiment, in the vertical semiconductor manufacturing apparatus, the
Further, the distance between the tweezer 11 and the
[0055]
In addition, since the teaching data can be corrected, the mechanical positions of the boat and the tweezers of the wafer transfer device can be easily adjusted even by a non-skilled operator, and teaching efficiency can be improved.
Further, since the
Further, since the transport positions of the plurality of tweezers are measured by the
[0056]
It is preferable that the position of the
[0057]
In the above-described embodiment, a predetermined range (a range where a tweezer is accessed) is selected on behalf of a part of a boat by using a sensor unit that covers a predetermined range, and teaching within the range is performed. I checked the data. When it is desired to check the teaching data for the entire range of the boat, it is possible to cover the entire range of the boat by moving the sensor unit up and down in units of units and checking the teaching data each time. However, if the sensor unit is expanded to cover the entire range, the entire range can be checked at once.
[0058]
FIG. 9 shows a sensor unit capable of measuring the transport position over the entire range of an accessible boat of such a tweezer. The length of the mounting
[0059]
Further, in the embodiment, the position of the tweezers is measured in a lump of five sheets, but the number of tweezers may be measured in one sheet.
[0060]
【The invention's effect】
According to the present invention, the position of the substrate supporting plate is measured by measuring the position of the substrate supporting plate on the side of the substrate holding member. Can be.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a spare chamber which is a component of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a relative positional relationship between a boat, a tweezer, and a wafer according to the embodiment.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a method for mounting the sensor unit according to the embodiment.
4A and 4B are explanatory diagrams illustrating a method for measuring a tweezer position by the sensor unit according to the embodiment, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a side view.
FIG. 5 is a flowchart illustrating an operation of teaching data correction using the sensor unit according to the embodiment.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a wafer transfer procedure using a tweezer according to the embodiment.
FIG. 7 is an explanatory diagram for measuring a carry-in position of a tweezer using the sensor unit according to the embodiment;
FIG. 8 is an explanatory diagram for measuring a carry-out position of a tweezer using the sensor unit according to the embodiment.
FIG. 9 is a perspective view of a sensor unit showing a modification of the embodiment.
FIG. 10 is an overall configuration diagram of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
FIG. 11 is a detailed sectional view of a processing furnace which is a component of the substrate processing apparatus according to the embodiment.
[Explanation of symbols]
1 Wafer transfer machine (substrate transfer means)
11 Tweezers (substrate support plate)
20 sensor unit (position measuring means)
30 spare room
200 wafer (substrate)
217 Boat (substrate holding member)
Claims (1)
前記反応室に隣接された予備室と、
前記基板を保持する基板保持部材と、
前記基板を載せる基板支持プレートを有し、基板支持プレートに基板を載せつつ前記基板保持部材に搬送する基板搬送手段と、を備え、
基板の搬送された基板保持部材を前記反応室に収納して、基板を加熱し反応ガスを供給しつつ排気して前記基板を処理する基板処理装置において、
前記予備室に配置される前記基板保持部材の前記基板支持プレートが干渉しない側部に、少なくとも前記基板支持プレートの位置を測定することが可能な位置測定手段を有することを特徴とする基板処理装置。A reaction chamber for processing the substrate;
A preliminary chamber adjacent to the reaction chamber;
A substrate holding member for holding the substrate,
Having a substrate support plate on which the substrate is mounted, and a substrate transfer means for transferring the substrate to the substrate holding member while mounting the substrate on the substrate support plate,
In the substrate processing apparatus for storing the substrate holding member transported of the substrate in the reaction chamber, and processing the substrate by heating and exhausting the substrate while supplying a reaction gas,
A substrate processing apparatus, comprising: a position measuring unit capable of measuring at least a position of the substrate supporting plate on a side of the substrate holding member arranged in the preliminary chamber where the substrate supporting plate does not interfere. .
Priority Applications (1)
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