JP2002110027A - Spacer - Google Patents

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JP2002110027A
JP2002110027A JP2001253749A JP2001253749A JP2002110027A JP 2002110027 A JP2002110027 A JP 2002110027A JP 2001253749 A JP2001253749 A JP 2001253749A JP 2001253749 A JP2001253749 A JP 2001253749A JP 2002110027 A JP2002110027 A JP 2002110027A
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Japan
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electron
spacer
image forming
plate
electron beam
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Application number
JP2001253749A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Kaneko
正 金子
Toshihiko Miyazaki
俊彦 宮崎
Tomokazu Ando
友和 安藤
Masahiro Tagawa
昌宏 多川
Naohito Nakamura
尚人 中村
Hideaki Mitsutake
英明 光武
Yoshiyuki Osada
芳幸 長田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a picture image forming device using a surface conductive type electronic discharge element. SOLUTION: A plate type spacer to specify an interval between a rear plate on which the electronic emission element is arranged and a face plate on which a picture image forming member is arranged has a support member on its end part so as to be independent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子、特
に表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置や記録
装置等の画像形成装置に用いるスペーサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron-emitting device, and more particularly to a spacer for use in an image forming apparatus such as an image display device or a recording device using a surface conduction electron-emitting device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の2種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型(以下、FE型と略す)、金属/絶縁層/金
属型(以下、MIM型と略す)や表面伝導型電子放出素
子(以下、SCE型と略す)等がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron emitting devices, a thermionic electron source and a cold cathode electron source, are known. The cold cathode electron source includes a field emission type (hereinafter abbreviated as FE type), a metal / insulating layer / metal type (hereinafter abbreviated as MIM type), a surface conduction electron-emitting device (hereinafter abbreviated as SCE type), and the like. is there.

【0003】FE型の例としては、W.P.Dyke
& W.W.Dolan,”Field emissi
on”,Advance in Electron P
hysics,8,89(1956)やC.A.Spi
ndt,”Physicalproperties o
f thin−film field emissio
n cathodes with molybdenu
m cones”,J.Appl.Phys.,47,
5248(1976)等が知られている。
[0003] As an example of the FE type, W. P. Dyke
& W. W. Dolan, "Field emissi
on ", Advance in Electron P
physics, 8, 89 (1956) and C.I. A. Spi
ndt, “Physicalproperties o
f thin-film field emissio
n cathodes with mollybdenu
m cones ", J. Appl. Phys., 47,
5248 (1976) and the like are known.

【0004】また、MIM型の例としては、C.A.M
ead,”The tunnel−emission
amplifier”,J.Appl.Phys.,3
2,646(1961)等が知られている。
As an example of the MIM type, C.I. A. M
ead, "The tunnel-emission
amplifier ", J. Appl. Phys., 3
2,646 (1961) and the like are known.

【0005】更に、SCE型の例としては、M.I.E
linson,RadioEng.Electron
Phys.,10,1290(1965)等がある。
Further, as an example of the SCE type, M. I. E
Linson, RadioEng. Electron
Phys. , 10, 1290 (1965).

【0006】上記SCE型の電子放出素子は、基板上に
形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すこ
とにより、電子放出が生ずる現象を利用するものであ
る。
The SCE type electron-emitting device utilizes a phenomenon in which an electron is emitted by passing a current through a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface.

【0007】この表面伝導型電子放出素子としては、前
記エリンソン等によるSnO2薄膜を用いたもの、Au
薄膜によるもの[G.Dittmer:”Thin S
olid Films”,9,317(1972)]、
In23/SnO2薄膜によるもの[M.Hartwe
ll and C.G.Fonstad:”IEEET
rans.ED Conf.”,519,(197
5)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、
第26巻、第1号、22頁(1983)]等が報告され
ている。
As the surface conduction type electron-emitting device, one using an SnO 2 thin film by Erinson et al., Au
By a thin film [G. Dittmer: "Thin S
Solid Films ", 9, 317 (1972)],
In 2 O 3 / SnO 2 by thin film [M. Hartwe
ll and C.I. G. FIG. Fonstad: “IEEEET
rans. ED Conf. ", 519, (197
5)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: Vacuum,
26, No. 1, p. 22 (1983)].

【0008】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のM.ハートウェルの素子構成を
図14に示す。同図において11は絶縁性基板である。
13は電子放出部形成用薄膜で、スパッタで形成された
H型形状金属酸化物薄膜等からなり、後述のフォーミン
グと呼ばれる通電処理により電子放出部12が形成され
る。
As a typical device configuration of these surface conduction electron-emitting devices, the above-mentioned M.S. FIG. 14 shows a device configuration of the Hartwell. In the figure, reference numeral 11 denotes an insulating substrate.
Reference numeral 13 denotes a thin film for forming an electron-emitting portion, which is formed of an H-shaped metal oxide thin film or the like formed by sputtering. The electron-emitting portion 12 is formed by an energization process called forming, which will be described later.

【0009】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に電子放出部形成用薄膜1
3を予めフォーミングと呼ばれる通電処理によって電子
放出部12を形成するのが一般的であった。即ち、フォ
ーミングとは前記電子放出部形成用薄膜13の両端に電
圧を印加通電し、電子放出部形成用薄膜を局所的に破
壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態に
した電子放出部12を形成することである。尚、電子放
出部12は電子放出部形成用薄膜13の一部に亀裂が発
生しその亀裂付近から電子放出が行われる場合もある。
以下フォーミングにより形成した電子放出部を含む電子
放出部形成用薄膜13を電子放出部を含む薄膜と呼ぶ。
Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, the electron-emitting portion forming thin film 1 is formed before electron emission.
In general, the electron-emitting portion 12 was previously formed by applying an electric current called forming in advance. That is, forming refers to an electron emission in which a voltage is applied to both ends of the thin film 13 for forming an electron emission portion, the thin film for forming an electron emission portion is locally broken, deformed or deteriorated, and is in a state of high electrical resistance. That is, the part 12 is formed. Incidentally, in the electron emitting portion 12, a crack may be generated in a part of the thin film 13 for forming the electron emitting portion, and the electron emission may be performed near the crack.
Hereinafter, the electron-emitting-portion-forming thin film 13 including the electron-emitting portion formed by the forming is referred to as a thin film including the electron-emitting portion.

【0010】前記フォーミング処理をした表面伝導型電
子放出素子は、上述電子放出部を含む薄膜13に電圧を
印加し、素子表面に電流を流すことにより上述電子放出
部12より電子を放出せしめるものである。
In the surface-conduction type electron-emitting device subjected to the forming treatment, a voltage is applied to the thin film 13 including the above-mentioned electron-emitting portion, and a current is caused to flow through the surface of the device to cause the electron-emitting portion 12 to emit electrons. is there.

【0011】図15は上述の電子放出部から放出される
電子の放射特性評価装置を示した断面図であり、11は
絶縁性基板、14及び15は素子電極、13は電子放出
部を含む薄膜、12は電子放出部を示し、16はガラス
基板、17は透明導電膜からなるアノード電極、18は
電子照射により可視光を発する蛍光膜、19は電子放出
素子に電圧を印加するための電源、20はアノード電極
17に電圧を印加するための高圧電源である。素子電極
14及び15には電源19を接続し、該電子放出素子の
上方に電源20を接続したアノード電極17を配置して
いる。アノード電極17及び蛍光膜18を有するガラス
基板16と該電子放出素子は真空装置内に設置されてい
る。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing an apparatus for evaluating the radiation characteristics of electrons emitted from the above-mentioned electron-emitting portion, wherein 11 is an insulating substrate, 14 and 15 are device electrodes, and 13 is a thin film including an electron-emitting portion. , 12 indicate an electron emitting portion, 16 indicates a glass substrate, 17 indicates an anode electrode made of a transparent conductive film, 18 indicates a fluorescent film that emits visible light by irradiating electrons, 19 indicates a power supply for applying a voltage to the electron emitting element, Reference numeral 20 denotes a high-voltage power supply for applying a voltage to the anode 17. A power supply 19 is connected to the device electrodes 14 and 15, and an anode 17 connected to a power supply 20 is disposed above the electron-emitting device. The glass substrate 16 having the anode electrode 17 and the fluorescent film 18 and the electron-emitting device are installed in a vacuum device.

【0012】上述の評価装置において、素子電極14,
15間に電圧を印加して電子放出部12より電子を放出
させ、アノード電極17に数百Vから数千Vの電圧を印
加すると、放出電子は、絶縁性基板11の面に対する電
子放出部12からの法線(図中の1点鎖線)に対して、
該素子に印加した電圧の正極側(図15では素子電極1
5側)にずれて飛翔し(図中の矢印付点線の軌道)、蛍
光膜18上の発光部中心は該法線上からずれる。
In the above evaluation device, the device electrodes 14,
When a voltage of several hundred volts to several thousand volts is applied to the anode electrode 17 by applying a voltage between the electron emitting portions 12 and 15, the emitted electrons are emitted from the electron emitting portion 12 to the surface of the insulating substrate 11. With respect to the normal (dashed line in the figure)
The positive electrode side of the voltage applied to the element (the element electrode 1 in FIG. 15)
5) (the trajectory indicated by the dotted line with an arrow in the figure), and the center of the light emitting portion on the fluorescent film 18 is shifted from the normal line.

【0013】上述の放射特性は、絶縁性基板11に平行
な面内での電位分布が、電子放出部に対して非対称にな
ることによるものと考えられ、表面伝導型電子放出素子
に固有の特性である(但し、FE,MIM型でも構成に
よってはこの特性を示す)。
The above-mentioned radiation characteristics are considered to be due to the potential distribution in a plane parallel to the insulating substrate 11 being asymmetric with respect to the electron-emitting portion. (However, the FE or MIM type shows this characteristic depending on the configuration).

【0014】このような表面伝導型電子放出素子を複数
個配置したマルチ素子及びパネル構成については、例え
ば本出願人によるUSP5066883号明細書等に記
載がある。
A multi-element and panel structure in which a plurality of such surface conduction electron-emitting elements are arranged is described in, for example, US Pat. No. 5,066,883 by the present applicant.

【0015】上述したような電子放出素子は、10-6
orr程度以上の真空中で動作させることから、該電子
放出素子を用いて画像形成装置を形成する場合、耐大気
圧構造が必要となる。特に、大面積のリアプレート(図
15の絶縁性基板11に対応)及びフェースプレート
(図15のガラス基板16に対応)を用いて耐大気圧支
持を行う平面型画像形成装置の場合、各プレートの板厚
が非常に厚くなってしまうので、重量、コストなどの点
で実現性が乏しくなってしまう。これを回避するため
に、耐大気圧のためのスペーサをリアプレートとフェー
スプレートの間に支柱として配置し、耐大気圧構造とす
ることで、該画像形成装置の軽量化が可能である。
The electron-emitting device as described above has a 10 -6 T
Since the device is operated in a vacuum of about orr or more, when forming an image forming apparatus using the electron-emitting device, an atmospheric pressure resistant structure is required. In particular, in the case of a flat-type image forming apparatus that supports atmospheric pressure resistance using a large-area rear plate (corresponding to the insulating substrate 11 in FIG. 15) and a face plate (corresponding to the glass substrate 16 in FIG. 15), Becomes extremely thick, and the feasibility is poor in terms of weight, cost, and the like. In order to avoid this, the image forming apparatus can be reduced in weight by arranging a spacer for atmospheric pressure resistance as a support between the rear plate and the face plate to have an atmospheric pressure resistant structure.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】上記の耐大気圧スペー
サは、各プレート面に対して垂直な圧力に耐えるように
構成されるので、通常各プレート間を結ぶ面要素を含む
形状からなる。従って、上述の電子放射特性を持つ表面
伝導型電子放出素子を用いて画像形成装置を構成する場
合には、次のような問題点があった。
Since the above-mentioned atmospheric pressure-resistant spacer is configured to withstand a pressure perpendicular to each plate surface, it usually has a shape including a surface element connecting the respective plates. Therefore, when the image forming apparatus is configured using the surface conduction electron-emitting device having the above-described electron emission characteristics, there are the following problems.

【0017】(1)放出された電子ビームが正極の素子
電極側に偏向することにより、正極の素子電極側に配置
された耐大気圧スペーサに衝突し、蛍光体膜上へ到達す
る電子量が減少し、発光効率が低下する。
(1) The emitted electron beam is deflected to the element electrode side of the positive electrode, collides with the anti-atmospheric pressure spacer arranged on the element electrode side of the positive electrode, and the amount of electrons reaching the phosphor film is reduced. And the luminous efficiency decreases.

【0018】(2)電子ビームの衝突で起こる耐大気圧
スペーサへのチャージアップにより、電位分布の変化に
伴う電子軌道の変化、さらには沿面耐圧低下に伴う沿面
放電での素子破壊等が発生する。
(2) Charge-up of the anti-atmospheric pressure spacer caused by electron beam collision causes a change in the electron trajectory due to a change in the potential distribution, and also causes a destruction of the element due to a creeping discharge due to a decrease in the creeping breakdown voltage. .

【0019】(3)上記問題点を回避するために、プレ
ート中に疎に該電子放出素子を配置した場合、高精細な
画像形成装置が実現出来ない。
(3) If the electron-emitting devices are sparsely arranged in the plate to avoid the above problems, a high-definition image forming apparatus cannot be realized.

【0020】以上のような問題点があるため、表面伝導
型電子放出素子は、素子構造が簡単でかつ、複数の素子
を配置することが容易であるという利点があるにもかか
わらず、産業上積極的に応用されるには至っていなかっ
た。
Due to the above-mentioned problems, the surface conduction electron-emitting device has the advantages of a simple device structure and an easy arrangement of a plurality of devices. It had not been actively applied.

【0021】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、本発明の目的は、電子放出素子を用いた画像形
成装置において、該電子放出素子からの放出電子の飛翔
軌道を妨げることなく、高輝度,高精細な画像が得られ
るパネル構造を実現することであり、特に、本目的に適
した耐大気圧スペーサの形状を与えることにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an image forming apparatus using an electron-emitting device without obstructing a trajectory of electrons emitted from the electron-emitting device. Another object of the present invention is to provide a panel structure capable of obtaining a high-brightness, high-definition image, and in particular, to provide a shape of an atmospheric pressure resistant spacer suitable for this purpose.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明は、電子放出素子が配されたリアプレート
と、画像形成部材が配されたフェースプレートとの間隔
を規定する板状スペーサであって、自立できるように、
端部に、支持部材を有することを特徴とするスペーサに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention is directed to a plate-like plate for defining a distance between a rear plate on which an electron-emitting device is provided and a face plate on which an image forming member is provided. It is a spacer, so that it can be independent
The spacer has a support member at an end.

【0023】本発明は、「長手方向の長さが画像形成範
囲よりも長く、前記支持部材が長手方向の両端に配置さ
れてなる」こと、「前記画像形成範囲は、前記リアプレ
ートに配された電子放出素子が配置される範囲である」
こと、「両側面を一対の前記支持部材よって挟持されて
なる」こと、を含むものである。
According to the present invention, it is preferable that "the length in the longitudinal direction is longer than the image forming range, and the supporting members are arranged at both ends in the longitudinal direction", and "the image forming range is disposed on the rear plate. This is the range where the electron-emitting devices are located. ''
And that both sides are sandwiched between the pair of support members.

【0024】本発明のスペーサによれば、自立できるよ
うに、端部に、支持部材を有することことにより、板状
スペーサの倒れ防止を実現できる。また、長手方向の長
さが画像形成範囲よりも長く、支持部材が長手方向の両
端に配置されてなることにより、電子放出素子を潰すこ
とがない。
According to the spacer of the present invention, since the support member is provided at the end so that the plate-like spacer can stand on its own, the plate-like spacer can be prevented from falling down. In addition, since the length in the longitudinal direction is longer than the image forming range and the support members are disposed at both ends in the longitudinal direction, the electron-emitting device is not crushed.

【0025】[0025]

【実施例】以下、実施例を示し本発明を詳細に説明す
る。
The present invention will be described in detail below with reference to examples.

【0026】<参考例1>図1及び図2は本参考例の画
像形成装置の概略構成を示す図であり、図1は各プレー
ト面に垂直な面における断面図、図2は図1のA−A断
面図である。
<Reference Example 1> FIGS. 1 and 2 are diagrams showing a schematic configuration of an image forming apparatus according to this reference example. FIG. 1 is a sectional view taken along a plane perpendicular to each plate surface. FIG. It is AA sectional drawing.

【0027】これらの図において、1はフェースプレー
ト、2はリアプレート、3は表面伝導型電子放出素子、
4はスペーサ、5はスペーサ4に設けた電子線通過部で
あるところの穴、8は外囲器、10は画像形成部材であ
るところの蛍光体ターゲットである。
In these figures, 1 is a face plate, 2 is a rear plate, 3 is a surface conduction electron-emitting device,
4 is a spacer, 5 is a hole which is an electron beam passing portion provided in the spacer 4, 8 is an envelope, and 10 is a phosphor target which is an image forming member.

【0028】本装置において、表面伝導型電子放出素子
3は、図15に示したように対向する一対の素子電極1
4,15と電子放出部12を含む薄膜13で構成されて
おり、リアプレート2の表面上に配置されている。電子
放出部より放出された電子線は、リアプレート2とフェ
ースプレート1との間に印加される加速電圧及び素子電
極間への印加電圧により、図1中の矢印で示した軌道に
従ってフェースプレート1上の蛍光体ターゲット10に
到達する。
In the present device, the surface conduction electron-emitting device 3 comprises a pair of opposing device electrodes 1 as shown in FIG.
4 and 15 and a thin film 13 including an electron emitting portion 12, and is disposed on the surface of the rear plate 2. The electron beam emitted from the electron-emitting portion is caused by the acceleration voltage applied between the rear plate 2 and the face plate 1 and the voltage applied between the device electrodes according to the trajectory indicated by the arrow in FIG. The phosphor reaches the upper phosphor target 10.

【0029】本装置内は表面伝導型電子放出素子の動作
環境である真空状態に維持されており、各プレート1及
び3を支えるためのスペーサ4が複数配置されている。
図1でわかるように、スペーサ4は電子線軌道を妨げる
位置にあるが、スペーサ4内に電子線通過部5を設ける
ことで、電子線が途中妨げられること無く蛍光体ターゲ
ットに到達するように構成されている。このため、電子
線のロスが無く、スペーサのチャージアップに伴うブレ
ークダウンの無い低電力で発光輝度が高い画像表示装置
が実現されている。
The inside of the apparatus is maintained in a vacuum state, which is the operating environment of the surface conduction electron-emitting device, and a plurality of spacers 4 for supporting the plates 1 and 3 are arranged.
As can be seen from FIG. 1, the spacer 4 is located at a position where the electron beam trajectory is obstructed. However, by providing the electron beam passage portion 5 in the spacer 4, the electron beam can reach the phosphor target without being obstructed on the way. It is configured. For this reason, an image display device with low power consumption and high light emission luminance without loss of electron beams and no breakdown due to charge-up of the spacer is realized.

【0030】本参考例では電子線通過部は円形の穴だ
が、電子線軌道を妨げないならば、三角形、四角形等の
穴でもよい。
In this embodiment, the electron beam passage portion is a circular hole, but a triangular or square hole may be used as long as the electron beam path is not hindered.

【0031】また、このようなスペーサの作成には、
a)板状の感光性ガラスをエッチングすることで、不要
部分を除去して作成する方法。 b)板状の青板ガラス等をRIE(反応性イオンエッチ
ング)やRIBE(反応性イオンビームエッチング)で
不要部分を除去して作成する方法。
In addition, such a spacer is formed by:
a) A method in which unnecessary portions are removed by etching a plate-shaped photosensitive glass. b) A method of forming a plate-shaped blue plate glass or the like by removing unnecessary portions by RIE (reactive ion etching) or RIBE (reactive ion beam etching).

【0032】c)板状の金属をプレス加工や放電加工、
切削等で不要部分を除去して作成し、最後に絶縁性被膜
を施す方法。
C) Press-forming or electric-discharge machining of a plate-like metal,
A method in which unnecessary parts are removed by cutting or the like, and an insulating film is finally applied.

【0033】d)電子線軌道を遮る部分を設けないよう
に加工された金型を用いて金属を加工する方法。等を用
いることができる。
D) A method of processing metal using a die processed so as not to provide a portion that blocks the electron beam orbit. Etc. can be used.

【0034】なお、電子放出部より放出された電子線
は、蛍光面に近づくにつれ次第に発散するので、電子放
出部とスペーサの距離が小さければ、電子線通過部5は
リアプレート寄りにより小さな穴を設ければよいことに
なり、スペーサ断面積を大きくできるため、スペーサの
支持耐圧を上げることができる。
Since the electron beam emitted from the electron emitting portion gradually diverges as it approaches the phosphor screen, if the distance between the electron emitting portion and the spacer is small, the electron beam passing portion 5 has a small hole near the rear plate. It is only necessary to provide the spacer, and the sectional area of the spacer can be increased, so that the supporting withstand voltage of the spacer can be increased.

【0035】<参考例2>図3及び図4は本参考例の画
像形成装置の特徴を示す図であり、図3は各プレートへ
のスペーサの設置状態を示し、図4はスペーサと電子放
出素子との位置関係を示している。
<Reference Example 2> FIGS. 3 and 4 are views showing the features of the image forming apparatus of this reference example. FIG. 3 shows a state where spacers are installed on each plate. FIG. The positional relationship with the element is shown.

【0036】本参考例では、電子線通過部5がスペーサ
のリアプレート接触部分を切り欠いた構造となってお
り、図4に示されるように電子放出素子の電子放出部1
2をまたぐように配置されている。このため、電子放出
部12を出て間もない広がりの小さい電子を通過するた
めの部分を設ければ済むため、参考例1よりさらにスペ
ーサの支持耐圧を上げることができる。
In this embodiment, the electron beam passing portion 5 has a structure in which a portion of the spacer in contact with the rear plate is cut off, and as shown in FIG.
2 are arranged. For this reason, it is sufficient to provide a portion for passing electrons having a small spread immediately after exiting the electron-emitting portion 12, so that the supporting withstand voltage of the spacer can be further increased as compared with the first embodiment.

【0037】<参考例3>図5及び図6は本参考例の画
像形成装置の概略構成を示す図であり、図5は各プレー
ト面に垂直な面における断面図、図6は図5のA−A断
面図である。
<Embodiment 3> FIGS. 5 and 6 are views showing the schematic arrangement of an image forming apparatus according to this embodiment. FIG. 5 is a sectional view taken along a plane perpendicular to each plate surface, and FIG. It is AA sectional drawing.

【0038】参考例1及び2との違いは、スペーサ4上
部のフェースプレート1と接触する部分の一部を切り欠
いて電子線通過部5としていることである。本参考例の
電子線軌道(図5中の矢印で示した軌道)とスペーサ4
の位置関係では、電子線が蛍光体ターゲット10に衝突
する位置にスペーサが来てしまうため、画素分以上の幅
を有する切り欠きを設け、電子線が蛍光面に衝突して画
素を形成するのを妨げないようにしているものである。
The difference from Reference Examples 1 and 2 is that a part of the upper part of the spacer 4 which is in contact with the face plate 1 is cut off to form an electron beam passing part 5. The electron beam trajectory (the trajectory indicated by the arrow in FIG. 5) and the spacer 4 of this reference example
In the positional relationship described above, since the spacer comes to the position where the electron beam collides with the phosphor target 10, a notch having a width equal to or larger than the pixel is provided, and the electron beam collides with the phosphor screen to form a pixel. It does not hinder.

【0039】<参考例4>図7及び図8は本参考例の画
像形成装置の概略構成を示す図であり、図7は各プレー
ト面に垂直な面における断面図、図8は図7のA−A断
面図である。
<Embodiment 4> FIGS. 7 and 8 are views showing the schematic arrangement of an image forming apparatus according to this embodiment. FIG. 7 is a sectional view taken along a plane perpendicular to each plate surface. It is AA sectional drawing.

【0040】参考例1〜3との違いは、スペーサ4を通
過する電子線軌道が上下方向に2本存在し、これに合わ
せて角型の穴からなる電子線通過部5aと、切り欠き部
からなる電子線通過部5bをスペーサ4に設けた点であ
る。
The difference from the first to third embodiments is that two orbits of the electron beam passing through the spacer 4 are present in the vertical direction, and an electron beam passage portion 5a formed of a square hole and a notch This is the point that the electron beam passing portion 5b made of

【0041】本参考例を含め、電子線通過部となるスペ
ーサ部材の除去部分は、電子線軌道との位置関係に伴
い、参考例1から参考例3までに示した位置を複数組み
合わせた構成も可能である。
According to the present embodiment, the removed portion of the spacer member serving as the electron beam passage portion may have a configuration in which a plurality of positions shown in Reference Examples 1 to 3 are combined according to the positional relationship with the electron beam orbit. It is possible.

【0042】即ち、前後左右に隣接する複数の電子放出
素子の電子放出部に対応する電子線軌道を一枚のスペー
サが妨げる場合は、それぞれの電子線軌道に対応する電
子線通過部を1つのスペーサの上下左右に複数設けるこ
とが可能である。さらに、一つの大きな電子線通過部で
複数の電子線軌道を通すような構成も可能である。
That is, when one spacer hinders the electron beam trajectories corresponding to the electron emission portions of a plurality of electron emission elements adjacent to the front, rear, left and right, one electron beam passage portion corresponding to each electron beam trajectory is provided. A plurality of spacers can be provided above, below, right and left of the spacer. Further, a configuration in which a single large electron beam passage portion passes through a plurality of electron beam orbits is also possible.

【0043】<実施例1>上記の各参考例では板状のス
ペーサを用いており、本実施例を説明する前に、この板
状のスペーサを用いる有効性について説明を加える。先
に示した画像形成装置の概略構成図では電子放出素子の
間隔を比較的広く表現しているが、高輝度,高精細な画
像を得るためには極めて隣接して配置されるものであ
る。
<Embodiment 1> In each of the above embodiments, a plate-shaped spacer is used. Before describing this embodiment, the effectiveness of using this plate-shaped spacer will be described. In the schematic configuration diagram of the image forming apparatus described above, the distance between the electron-emitting devices is relatively wide, but they are arranged very close to each other in order to obtain a high-brightness and high-definition image.

【0044】図9は板状のスペーサを用いることが特に
有効となる電子放出素子の配列の一例を示す図であり、
電子放出素子3は隣接素子同志が互いに半素子づつずれ
て配置されている。図中破線矢印は図中ハッチングを施
した素子から出る電子線の飛翔軌道方向を示しており、
他の素子から出る電子線の飛翔軌道方向も同様である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of an arrangement of electron-emitting devices in which it is particularly effective to use a plate-like spacer.
The electron-emitting devices 3 are arranged such that adjacent devices are shifted from each other by half a device. The dashed arrows in the figure indicate the trajectory direction of the electron beam emitted from the hatched element in the figure,
The same applies to the trajectory direction of the electron beam emitted from other elements.

【0045】図9に示したように配列している電子放出
素子に対して、スペーサの配置が可能な方向を考える
と、電子線軌道と平行(X方向)にスペーサを配置した
場合、電子線軌道上にスペーサが位置するため、このよ
うな配置は不適当である。一方、これと直交する方向
(Y方向)の場合、スペーサの接地面を素子の間(一例
として図中太線の位置)にすることができるが、破線矢
印で示したような電子線軌道を遮ってしまう。このため
参考例1〜4では、板状スペーサの一部を除去し電子線
通過部を設けることで、電子放出素子が上述のように配
列している場合にも電子線軌道を遮ることがない。
Considering the direction in which the spacers can be arranged with respect to the electron-emitting devices arranged as shown in FIG. 9, when the spacers are arranged parallel to the electron beam orbit (X direction), Such an arrangement is inappropriate because the spacer is located on the track. On the other hand, in the direction orthogonal to this (Y direction), the ground plane of the spacer can be located between the elements (as an example, the position of the thick line in the figure), but interrupts the electron beam trajectory as indicated by the broken arrow. Would. Therefore, in Reference Examples 1 to 4, by removing a part of the plate-shaped spacer and providing the electron beam passage portion, the electron beam trajectory is not blocked even when the electron-emitting devices are arranged as described above. .

【0046】本実施例は、上記の板状のスペーサを支持
部材により固定した例である。上記の板状スペーサが自
立できない場合には、例えば図10に示すように、板状
スペーサ4の両端を両側面からスペーサ支持部材9で挟
んで該支持部材9をリアプレート等に固定することがで
きる。この場合スペーサ支持部材9の設置面は素子間の
隙間より広くなる為、画像形成範囲(リアプレートの素
子形成範囲)を限定し、その外側にスペーサ支持部材9
を配置することで、素子を潰すことなく板状スペーサの
倒れ防止を実現できる。
This embodiment is an example in which the above-mentioned plate-like spacer is fixed by a support member. When the above-mentioned plate-like spacer cannot stand on its own, for example, as shown in FIG. 10, both ends of the plate-like spacer 4 may be sandwiched from both sides by spacer support members 9 to fix the support member 9 to a rear plate or the like. it can. In this case, since the installation surface of the spacer supporting member 9 is wider than the gap between the elements, the image forming range (the element forming range of the rear plate) is limited, and the spacer supporting member 9 is provided outside the area.
By disposing them, it is possible to prevent the plate-shaped spacer from falling down without crushing the element.

【0047】なお、スペーサ支持部材9と板状スペーサ
4はフリットガラス等で固定することができる。さら
に、図10では電子線通過部5が1つのスペーサ4に2
個配置されているが、先に述べたように電子放出素子や
蛍光体ターゲットの配置に応じて、電子線通過部は適切
な位置に適切な数だけ設けられる。
The spacer supporting member 9 and the plate spacer 4 can be fixed with frit glass or the like. Further, in FIG. 10, the electron beam passing portion 5
As described above, the electron beam passage portions are provided at appropriate positions and in an appropriate number according to the positions of the electron-emitting devices and the phosphor targets.

【0048】<参考例5>本参考例は、板状のスペーサ
に替えて十字形状のスペーサを用いて画像形成装置を構
成したものである。図11は本参考例におけるスペーサ
の形状及び配置を示しており、図11(a)はスペーサ
と多数の電子源の電子放出部との位置関係を示す平面
図、図11(b),(c)は1つのスペーサの側面図で
ある。尚、図11(c)には電子放出部及び電子線軌道
も併せて記している。
<Embodiment 5> In this embodiment, an image forming apparatus is constructed by using a cross-shaped spacer instead of a plate-shaped spacer. FIG. 11 shows the shape and arrangement of the spacers in the present reference example. FIG. 11A is a plan view showing the positional relationship between the spacers and the electron-emitting portions of a large number of electron sources, and FIGS. 11B and 11C. () Is a side view of one spacer. Note that FIG. 11C also shows the electron emitting portion and the electron beam orbit.

【0049】本参考例のスペーサは図11(b)に示さ
れるように十字形状の一部を除去し、図中のh寸法が電
子線軌道によって決まる一定の高さ以下とし、図11
(c)に示されるように電子線軌道が妨げられないよう
に形成している。
As shown in FIG. 11 (b), the spacer of this embodiment has a part of the cross shape removed, and the dimension h in the figure is set to a certain height or less determined by the electron beam orbit.
As shown in (c), the electron beam orbit is formed so as not to be disturbed.

【0050】本参考例におけるスペーサの作成方法を図
12を用いて説明する。図12(a)と(b)に示され
る3枚のガラス(金属やセラミックでも良い)の板を用
意し、同図(b)の板については同図(c)に示すよう
にその一部をグラインダー等で切り落として電子線通過
部を形成し、同図(d)のように互いにフリットガラス
で接着して作成する。また、ガラス等の塊を削り出すだ
けで、所望の形状に加工することも可能である。
A method of forming a spacer in this embodiment will be described with reference to FIG. 12 (a) and 12 (b) are prepared, and three sheets of glass (may be metal or ceramic) are prepared. As shown in FIG. Are cut off with a grinder or the like to form an electron beam passage portion, and are bonded to each other with frit glass as shown in FIG. In addition, it is possible to process into a desired shape only by shaving a lump such as glass.

【0051】このように本参考例のスペーサは、リアプ
レートやフェースプレートとの設置面が十字状であるた
め自立できる構造となっている。一般に良好な大面積高
密度画像表示装置の大気圧支持等に用いるスペーサは自
立出来る構造のものが好ましい。その理由を説明する
と、自立させることが困難な板状のスペーサを用いる場
合には図10に示したようなスペーサ支持部材を接地面
に設ける必要があり、このスペーサ支持部材は画像表示
領域外に配置される。このため大面積画像表示装置で
は、個々のスペーサが長くなり、その形状公差を維持す
るのが困難となるからである。
As described above, the spacer of the present embodiment has a cross-shaped installation surface with the rear plate and the face plate, and thus has a structure capable of standing on its own. Generally, it is preferable that the spacer used for supporting the atmospheric pressure of a good large-area high-density image display device has a self-standing structure. The reason is as follows. When a plate-like spacer which is difficult to stand on its own is used, it is necessary to provide a spacer support member as shown in FIG. 10 on the ground plane, and this spacer support member is located outside the image display area. Be placed. For this reason, in the large-area image display device, the individual spacers become long, and it is difficult to maintain the shape tolerance.

【0052】このように本参考例のスペーサを用いるこ
とで、電子線の軌道を妨げることなく、特に大面積画像
表示装置の実現が可能となる。
As described above, by using the spacer of this embodiment, it is possible to realize a particularly large-area image display device without hindering the trajectory of the electron beam.

【0053】<参考例6>本参考例におけるスペーサの
形状及び配置を図13に示す。図13(a)は1つのス
ペーサと4つの電子放出部との位置関係を示す平面図で
あり、図3(b)はスペーサの斜視図である。
Reference Example 6 FIG. 13 shows the shape and arrangement of the spacers in this reference example. FIG. 13A is a plan view showing a positional relationship between one spacer and four electron-emitting portions, and FIG. 3B is a perspective view of the spacer.

【0054】本参考例のスペーサは、電子線飛翔方向の
2次元的な広がりに対応するため、参考例5におけるス
ペーサの作成工程の際に、図12(a)に示した部材に
も図12(c)に示したような加工を2箇所に施してあ
る。
Since the spacer of this embodiment corresponds to the two-dimensional spread in the electron beam flight direction, the members shown in FIG. The processing as shown in (c) is applied to two places.

【0055】本参考例においてもスペーサ4は自立型で
あるため、参考例5と同様に大面積画像表示装置の実現
が可能である。
Also in this embodiment, since the spacer 4 is self-supporting, a large-area image display device can be realized as in the case of the fifth embodiment.

【0056】以上の実施例においては、本発明の画像形
成装置を画像表示装置に応用した例を示したが、本発明
はこの範囲に限られるものではなく、光プリンタの画像
形成用発光ユニット等、記録装置への応用も可能であ
る。
In the above embodiment, an example in which the image forming apparatus of the present invention is applied to an image display apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this range, and a light emitting unit for image forming of an optical printer and the like can be used. Application to a recording device is also possible.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
自立できるように、端部に、支持部材を有することこと
により、板状スペーサの倒れ防止を実現でき、長手方向
の長さが画像形成範囲よりも長く、支持部材が長手方向
の両端に配置されてなることにより、電子放出素子を潰
すことがなく、高輝度、高精細な画像形成装置が実現出
来る。
As described above, according to the present invention,
By having a support member at the end so that it can stand on its own, it is possible to prevent the plate-shaped spacer from falling down, the length in the longitudinal direction is longer than the image forming range, and the support members are arranged at both ends in the longitudinal direction. Accordingly, a high-brightness, high-definition image forming apparatus can be realized without crushing the electron-emitting device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】参考例1にて示す画像形成装置の概略構成を示
す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an image forming apparatus according to a first embodiment.

【図2】図1のA−A面における断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】参考例2にて示す画像形成装置におけるプレー
トとスペーサの設置状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an installation state of a plate and a spacer in the image forming apparatus shown in Reference Example 2.

【図4】参考例2にて示す画像形成装置におけるスペー
サと電子放出素子との位置関係を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a positional relationship between a spacer and an electron-emitting device in the image forming apparatus shown in Reference Example 2.

【図5】参考例3にて示す画像形成装置の概略構成を示
す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an image forming apparatus according to a third embodiment.

【図6】図5のA−A面における断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the plane AA of FIG.

【図7】参考例4にて示す画像形成装置の概略構成を示
す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view illustrating a schematic configuration of an image forming apparatus according to a fourth embodiment.

【図8】図7のA−A面における断面図である。8 is a cross-sectional view taken along the plane AA in FIG.

【図9】電子放出素子の配列とスペーサの設置位置の一
例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of an arrangement of electron-emitting devices and an installation position of a spacer.

【図10】実施例1にて示すスペーサの支持方法を説明
するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a spacer supporting method described in the first embodiment.

【図11】参考例5にて示す画像形成装置におけるスペ
ーサの形状及び配置を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing the shape and arrangement of spacers in the image forming apparatus shown in Reference Example 5.

【図12】参考例5におけるスペーサの作成方法を説明
するための図である。
FIG. 12 is a diagram for explaining a method of forming a spacer in Reference Example 5.

【図13】参考例6にて示す画像形成装置におけるスペ
ーサの形状及び配置を示す図である。
FIG. 13 is a view showing the shape and arrangement of spacers in the image forming apparatus shown in Reference Example 6.

【図14】表面伝導型電子放出素子の構成図の一例であ
る。
FIG. 14 is an example of a configuration diagram of a surface conduction electron-emitting device.

【図15】表面伝導型電子放出素子の特性評価装置の構
成図である。
FIG. 15 is a configuration diagram of a device for evaluating characteristics of a surface conduction electron-emitting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フェースプレート 2 リアプレート 3 電子放出素子 4 スペーサ 5 電子線通過部 8 外囲器 9 スペーサ支持部材 10 蛍光体ターゲット 11 絶縁性基板 12 電子放出部 13 薄膜 14 素子電極(負極) 15 素子電極(正極) 16 ガラス基板 17 アノード電極 18 蛍光膜 19 電源 20 高圧電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Face plate 2 Rear plate 3 Electron emission element 4 Spacer 5 Electron beam passage part 8 Enclosure 9 Spacer support member 10 Phosphor target 11 Insulating substrate 12 Electron emission part 13 Thin film 14 Element electrode (negative electrode) 15 Element electrode (positive electrode) ) 16 glass substrate 17 anode electrode 18 fluorescent film 19 power supply 20 high voltage power supply

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 友和 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 多川 昌宏 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 中村 尚人 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 光武 英明 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 長田 芳幸 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5C032 AA01 CC10 5C036 EE05 EE19 EF01 EF06 EF09 EG02 EH01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tomokazu Ando 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Masahiro Tagawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Non Co., Ltd. (72) Inventor Naoto Nakamura 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Hideaki Mitsutake 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Yoshiyuki Nagata 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 5C032 AA01 CC10 5C036 EE05 EE19 EF01 EF06 EF09 EG02 EH01

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子放出素子が配されたリアプレート
と、画像形成部材が配されたフェースプレートとの間隔
を規定する板状スペーサであって、自立できるように、
端部に、支持部材を有することを特徴とするスペーサ。
1. A plate-like spacer for defining an interval between a rear plate on which an electron-emitting device is arranged and a face plate on which an image forming member is arranged, and which is capable of standing independently.
A spacer having a support member at an end.
【請求項2】 長手方向の長さが画像形成範囲よりも長
く、前記支持部材が長手方向の両端に配置されてなるこ
とを特徴とする請求項1に記載のスペーサ。
2. The spacer according to claim 1, wherein the length in the longitudinal direction is longer than the image forming range, and the support members are arranged at both ends in the longitudinal direction.
【請求項3】 前記画像形成範囲は、前記リアプレート
に配された電子放出素子が配置される範囲であることを
特徴とする請求項2に記載のスペーサ。
3. The spacer according to claim 2, wherein the image forming range is a range in which the electron-emitting devices arranged on the rear plate are arranged.
【請求項4】 両側面を一対の前記支持部材よって挟持
されてなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか
に記載のスペーサ。
4. The spacer according to claim 1, wherein both side surfaces are sandwiched by a pair of said support members.
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