JP3273322B2 - Image forming device - Google Patents

Image forming device

Info

Publication number
JP3273322B2
JP3273322B2 JP2000149496A JP2000149496A JP3273322B2 JP 3273322 B2 JP3273322 B2 JP 3273322B2 JP 2000149496 A JP2000149496 A JP 2000149496A JP 2000149496 A JP2000149496 A JP 2000149496A JP 3273322 B2 JP3273322 B2 JP 3273322B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron
image forming
forming apparatus
substrate
face plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000149496A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000348651A (en
Inventor
尚人 中村
英明 光武
俊彦 宮崎
正 金子
昌宏 多川
友和 安藤
芳幸 長田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000149496A priority Critical patent/JP3273322B2/en
Publication of JP2000348651A publication Critical patent/JP2000348651A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3273322B2 publication Critical patent/JP3273322B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子、特
に表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置や記録
装置等の画像形成装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron-emitting device, and more particularly to an image forming apparatus such as an image display device or a recording device using a surface-conduction electron-emitting device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の2種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型(以下、「FE型」と称す。)、金属/絶縁
層/金属型(以下、「MIM型」と称す。)や表面伝導
型電子放出素子(以下、「SCE」と称す。)等があ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron emitting devices, a thermionic electron source and a cold cathode electron source, are known. The cold cathode electron source includes a field emission type (hereinafter, referred to as “FE type”), a metal / insulating layer / metal type (hereinafter, referred to as “MIM type”), and a surface conduction type electron emission element (hereinafter, referred to as “MIM type”). SCE ”).

【0003】FE型の例としては、W.P.Dyke
& W.W.Dolan,“Field emissi
on”,Advance in Electron P
hysics,8,89(1956)やC.A.Spi
ndt,“Physicalproperties o
f thin−film field emissio
n cathodes with molybdenu
m cones”,J.Appl.Phys.,47,
5248(1976)等が知られている。
[0003] As an example of the FE type, W. P. Dyke
& W. W. Dolan, "Field emissi
on ", Advance in Electron P
physics, 8, 89 (1956) and C.I. A. Spi
ndt, "Physicalproperties o
f thin-film field emissio
n cathodes with mollybdenu
m cones ", J. Appl. Phys., 47,
5248 (1976) and the like are known.

【0004】MIM型の例としては、C.A.Mea
d,“The tunnel−emission am
plifier”,J.Appl.Phys.,32,
646(1961)等が知られている。
As an example of the MIM type, C.I. A. Mea
d, "The tunnel-emission am
prifier ", J. Appl. Phys., 32,
646 (1961).

【0005】SCEの例としては、M.I.Elins
in,Radio Eng.Electron Phy
s.,10,(1965)等がある。
As an example of SCE, M. I. Elins
in, Radio Eng. Electron Phys
s. , 10, (1965).

【0006】SCEは基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するものである。
[0006] The SCE utilizes a phenomenon in which electrons are emitted by passing a current through a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface.

【0007】このSCEとしては、前記エリンソン等に
よるSnO2薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの
[G.Dittmer:“Thin Solid Fi
lms”,9,317(1972)]、In23/Sn
2薄膜によるもの[M.Hartwell and
C.G.Fonstad:“IEEE Trans.E
D Conf.”,519(1975)]、カーボン薄
膜によるもの[荒木久他:真空、第26巻、第1号、2
2頁(1983)]等が報告されている。ほかにも本出
願人が先に提案した、微粒子を用いたSCEの例がある
(USP5066883号明細書)。これらのSCE
は、素子構造が簡単である、電子放出の応答速度が速
い、等の特長を持っている。
As the SCE, the one using an SnO 2 thin film by Elinson et al., The one using an Au thin film [G. Dittmer: “Thin Solid Fi
lms ", 9,317 (1972)] , In 2 O 3 / Sn
O 2 due to the thin film [M. Hartwell and
C. G. FIG. Fonstad: "IEEE Trans. E
D Conf. , 519 (1975)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, 2
2 (1983)]. There is another example of SCE using fine particles, which was previously proposed by the present applicant (US Pat. No. 5,066,883). These SCEs
Has features such as a simple element structure and a high electron emission response speed.

【0008】上記SCEの典型的な素子構成として前述
のM.ハートウェルの素子構成を図12に示す。同図に
おいて111は絶縁性基板である。113は電子放出部
形成用薄膜で、スパッタで形成されたH型形状金属酸化
物薄膜等からなり、後述のフォーミングと呼ばれる通電
処理により電子放出部112が形成される。
As a typical element configuration of the SCE, the above-mentioned M.C. FIG. 12 shows the device configuration of the Hartwell. In the figure, reference numeral 111 denotes an insulating substrate. Reference numeral 113 denotes an electron-emitting portion forming thin film, which is formed of an H-shaped metal oxide thin film formed by sputtering, and the like, and the electron-emitting portion 112 is formed by an energization process called forming described later.

【0009】従来、これらのSCEにおいては、電子放
出を行う前に電子放出部形成用薄膜113を予めフォー
ミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部112を
形成するのが一般的であった。すなわち、フォーミング
とは前記電子放出部形成用薄膜113の両端に電圧を印
加通電し、電子放出部形成用薄膜を局所的に破壊、変形
もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子
放出部112を形成することである。なお、電子放出部
112は電子放出部形成用薄膜113の一部に亀裂が発
生しその亀裂付近から電子放出が行われる場合もある。
以下フォーミングにより形成した電子放出部を含む電子
放出部形成用薄膜113を電子放出部を含む薄膜と呼
ぶ。
Conventionally, in these SCEs, it has been common practice to form the electron emitting portions 112 beforehand by performing an energizing process called forming on the electron emitting portion forming thin film 113 before performing electron emission. That is, forming refers to electron emission in which a voltage is applied to both ends of the thin film 113 for forming an electron emission portion and the thin film for formation of an electron emission portion is locally broken, deformed or altered, and is in an electrically high resistance state. Forming the part 112. In some cases, the electron emitting portion 112 has a crack in a part of the thin film 113 for forming the electron emitting portion, and the electron is emitted from the vicinity of the crack.
Hereinafter, the electron-emitting-portion forming thin film 113 including the electron-emitting portion formed by the forming is referred to as a thin film including the electron-emitting portion.

【0010】前記フォーミング処理をしたSCEは、上
述電子放出部を含む薄膜113に電圧を印加し、素子表
面に電流を流すことにより上述電子放出部112より電
子を放出せしめるものである。
In the SCE subjected to the forming process, a voltage is applied to the thin film 113 including the above-described electron-emitting portion, and a current is caused to flow through the surface of the element to cause the electron-emitting portion 112 to emit electrons.

【0011】図13は上述の電子放出部から放出される
電子の放射特性評価装置を示した断面図であり、111
は絶縁性基板、114及び115は素子電極、113は
電子放出部を含む薄膜、112は電子放出部を示し、1
16はガラス基板、117は透明導電膜からなるアノー
ド電極、118は電子照射により可視光を発する蛍光
膜、119はSCEに電圧を印加するための電源、12
0はアノード電極117に電圧を印加するための高圧電
源である。素子電極114及び115には電源119を
接続し、該SCEの上方に電源120を接続したアノー
ド電極117を配置している。アノード電極117及び
蛍光膜118を有するガラス基板116と該SCEは真
空装置内に設置されている。
FIG. 13 is a sectional view showing an apparatus for evaluating the radiation characteristics of electrons emitted from the above-mentioned electron emitting portion.
Is an insulating substrate, 114 and 115 are device electrodes, 113 is a thin film including an electron emitting portion, 112 is an electron emitting portion,
16 is a glass substrate, 117 is an anode electrode made of a transparent conductive film, 118 is a fluorescent film which emits visible light by electron irradiation, 119 is a power supply for applying a voltage to SCE, 12 is
Reference numeral 0 denotes a high-voltage power supply for applying a voltage to the anode electrode 117. A power supply 119 is connected to the device electrodes 114 and 115, and an anode electrode 117 connected to a power supply 120 is arranged above the SCE. The glass substrate 116 having the anode electrode 117 and the fluorescent film 118 and the SCE are installed in a vacuum device.

【0012】上述の評価装置において、素子電極11
4,115間に電圧を印加して電子放出部112より電
子を放出させ、アノード電極117を数百Vから数千V
の電圧を印加すると、放出電子は、絶縁性基板111の
面に対する電子放出部112からの法線(図中の1点鎖
線)に対して、該SCEに印加した電圧の正極側(図1
3では素子電極115側)にずれて飛翔し(以後これを
偏向と呼ぶ)、図中の矢印付点線の軌道をとり、蛍光膜
118上の発光部中心は該法線上からずれる。
In the above evaluation device, the device electrode 11
4, 115, a voltage is applied to cause electrons to be emitted from the electron emitting portion 112, and the anode electrode 117 is set to several hundred volts to several thousand volts.
When the voltage is applied to the surface of the insulating substrate 111, the emitted electrons move from the normal line (dot-dash line in the figure) from the electron emission portion 112 to the positive side of the voltage applied to the SCE (FIG. 1).
In FIG. 3, it flies off the element electrode 115 side (hereinafter referred to as deflection), and takes a trajectory indicated by a dotted line with an arrow in the figure, and the center of the light emitting portion on the fluorescent film 118 is displaced from the normal line.

【0013】上述の放射特性は、絶縁性基板111に平
行な面内での電位分布が、電子放出部112に対して非
対称になることによるものと考えられ、SCEに固有の
特性である(但し、FE,MIM型でも構成によっては
この特性を示す)。
The above-described radiation characteristics are considered to be due to the potential distribution in a plane parallel to the insulating substrate 111 becoming asymmetric with respect to the electron-emitting portion 112, and are characteristics unique to SCE (however, , FE, and MIM types exhibit this characteristic depending on the configuration).

【0014】このようなSCEを複数個配置したマルチ
素子及びパネル構成については、例えば本出願人による
USP5066883号明細書等に記載がある。
The multi-element and panel configuration in which a plurality of such SCEs are arranged are described in, for example, US Pat. No. 5,066,883 by the present applicant.

【0015】上述したような電子放出素子は、10-6
orr程度以上に真空中で動作させることから、該電子
放出素子を用いて画像形成装置を形成する場合、耐大気
圧構造が必要となる。特に、大面積のバックプレート
(図13の絶縁性基板111に対応)及びフェースプレ
ート(図13のガラス基板116に対応)を用いて耐大
気圧支持を行う平面型画像形成装置の場合、各プレート
の板厚が非常に厚くなってしまうので、重量、コストな
どの点で実現性が乏しくなってしまう。これを回避する
ために、耐大気圧のためのスペーサをバックプレートと
フェースプレートの間に支柱として配置し、耐大気圧構
造とすることで、該画像形成装置の軽量化が可能であ
る。また、上記スペーサはパネル間隔を一定に保つ目的
で使用される場合もある。
The electron-emitting device as described above has a 10 -6 T
Since the device is operated in a vacuum of about orr or more, when forming an image forming apparatus using the electron-emitting device, an anti-atmospheric pressure structure is required. In particular, in the case of a flat-type image forming apparatus that supports atmospheric pressure resistance using a large-area back plate (corresponding to the insulating substrate 111 in FIG. 13) and a face plate (corresponding to the glass substrate 116 in FIG. 13), each plate Becomes extremely thick, and the feasibility is poor in terms of weight, cost, and the like. In order to avoid this, a spacer for atmospheric pressure resistance is arranged as a support between the back plate and the face plate to provide an atmospheric pressure resistant structure, whereby the weight of the image forming apparatus can be reduced. Further, the spacer may be used for the purpose of keeping the panel interval constant.

【0016】上述の電子放出素子を用いた平面型の画像
形成装置として、図14に断面を示すような装置が知ら
れている(特開平2−299136号公報)。
As a flat-type image forming apparatus using the above-described electron-emitting device, there is known an apparatus having a cross section shown in FIG. 14 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-299136).

【0017】この画像形成装置は、電子放出素子として
SCEを用いたもので、基板121上に電子放出素子1
25(電極122、123と該電極間に形成された電子
放出部124からなる)が作製され、該基板121と対
向して配置されるフェースプレート130はガラス板1
27の内面に蛍光面128が形成されている。蛍光面1
28はカラー画像形成装置では図15に示すようなブラ
ックストライプなどと呼ばれる黒色導伝材131と蛍光
体132とで構成される。ブラックストライプが設けら
れる目的は、カラー蛍光面で必要となる三原色蛍光体
の、各蛍光体132間の塗り分け部を黒くすることで混
色等を目立たなくすることと、蛍光面128で外光を反
射することにより生じるコントラストの低下を防ぐこと
などである。
This image forming apparatus uses an SCE as an electron-emitting device.
25 (consisting of the electrodes 122 and 123 and the electron-emitting portion 124 formed between the electrodes) is manufactured, and the face plate 130 disposed to face the substrate 121 is a glass plate 1.
A fluorescent screen 128 is formed on the inner surface of the light emitting element 27. Phosphor screen 1
Reference numeral 28 denotes a color image forming apparatus which includes a black conductive material 131 called a black stripe or the like as shown in FIG. The purpose of providing the black stripe is to make the three primary color phosphors necessary for the color phosphor screens black, so that the color separation between the respective phosphors 132 is made black so that color mixing and the like become inconspicuous. This is to prevent a decrease in contrast caused by reflection.

【0018】さらに、蛍光面128の内面側には通常メ
タルバック129が形成されている。メタルバック12
9の目的は、比抵抗が一般に1010〜1012Ω・cmと
高い蛍光体132に電荷(電子)が溜まり電位が低下す
ることを防ぎ、電子ビーム加速用の電圧を印加するため
の電極として作用すること、蛍光体の発光のうち装置内
面側への光を鏡面反射することにより輝度を向上させる
こと、負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体13
2の保護等があり、上記目的に適した材料として通常A
lが用いられる。
Further, a metal back 129 is usually formed on the inner side of the fluorescent screen 128. Metal back 12
The purpose of 9 is to prevent charges (electrons) from accumulating in the phosphor 132, which has a high specific resistance of generally 10 10 to 10 12 Ω · cm, to prevent the potential from lowering, and to serve as an electrode for applying a voltage for electron beam acceleration. To act, to improve the brightness by mirror-reflecting the light emitted from the phosphor toward the inner surface of the device, and to reduce the phosphor 13 from damage due to negative ion collision.
2, etc., and as a material suitable for the above purpose, usually A
1 is used.

【0019】また、電子放出素子125が形成された基
板121とフェースプレート130を大気から受ける圧
力に抗してほぼ一定の間隔に保つために、耐大気圧スペ
ーサ126が配置されている。従来、この耐大気圧スペ
ーサ126は、図16に示されるように格子状に配置さ
れ、各電子放出素子125の1つに対して1つのセル空
間を有するように配置されていた。なお、図16中の1
33は、図14のフェースプレート130の周囲を接続
する外囲器である。
An anti-atmospheric spacer 126 is provided to keep the substrate 121 on which the electron-emitting devices 125 are formed and the face plate 130 at a substantially constant distance against the pressure received from the atmosphere. Conventionally, the atmospheric pressure-resistant spacers 126 are arranged in a lattice as shown in FIG. 16, and are arranged so as to have one cell space for one of the electron-emitting devices 125. Note that 1 in FIG.
An envelope 33 connects the periphery of the face plate 130 in FIG.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例において、耐大気圧スペーサ126は、フェースプ
レート130及び電子放出素子125が形成された基板
121に直接当接して配置されていたため、少しでもス
ペーサ126に位置ずれや変形が生じたりすると、フェ
ースプレート130側においては、内面に形成された蛍
光面128やメタルバック129面を傷つけこれらの剥
離を生じたり、耐圧不良を生じたりする問題があった。
また、基板121側においては、電極122,123を
傷つけ導伝性あるいは絶縁性が劣化し、電子放出素子1
25の特性を劣化させるという問題があった。
However, in the above-mentioned conventional example, the atmospheric pressure-resistant spacer 126 is disposed in direct contact with the substrate 121 on which the face plate 130 and the electron-emitting device 125 are formed. If a displacement or deformation occurs in 126, on the face plate 130 side, there is a problem that the fluorescent screen 128 or the metal back 129 formed on the inner surface is damaged, and these are peeled off, or a pressure resistance failure occurs. .
In addition, on the substrate 121 side, the electrodes 122 and 123 are damaged, and the conductivity or insulation is deteriorated.
There is a problem of deteriorating the characteristics of No. 25.

【0021】また、耐大気圧スペーサ126は、各プレ
ート面に対して垂直な圧力に耐えるように構成されるの
で、通常各プレート間を垂直に結ぶ体積要素を含む形状
からなる。従って、図13を用いて説明した電子放射特
性を持つSCEを用いて画像形成装置を構成する場合に
は、次のような問題点があった。
Since the anti-atmospheric pressure spacer 126 is configured to withstand a pressure perpendicular to the surface of each plate, it usually has a shape including a volume element connecting the plates vertically. Therefore, when the image forming apparatus is configured by using the SCE having the electron emission characteristics described with reference to FIG. 13, there are the following problems.

【0022】(1)放出された電子ビームが正極の素子
電極側に偏向することにより、該電子ビームは正極の素
子電極側に配置された耐大気圧スペーサ126に衝突
し、蛍光面128上へ到達する電子量が減少し、発光効
率が低下する。
(1) The emitted electron beam is deflected to the element electrode side of the positive electrode, so that the electron beam collides with the anti-atmospheric spacer 126 disposed on the element electrode side of the positive electrode, and falls on the phosphor screen 128. The amount of electrons arriving decreases, and the luminous efficiency decreases.

【0023】(2)もしくは、該電子ビームが耐大気圧
スペーサ126に完全に妨げられてしまい、蛍光面12
8上に電子ビームが達しない。
(2) Alternatively, the electron beam is completely blocked by the anti-atmospheric pressure spacer 126, and the phosphor screen 12
8 does not reach the electron beam.

【0024】(3)電子ビームの衝突で起こる耐大気圧
スペーサ126へのチャージアップにより、電位分布の
変化に伴う電子軌道の変化、さらには沿面耐圧低下に伴
う沿面放電による素子破壊等が発生する。
(3) The charge-up of the atmospheric pressure resistant spacer 126 caused by the collision of the electron beam causes a change in the electron trajectory due to a change in the potential distribution, and also causes a device breakdown due to a creeping discharge due to a decrease in the creeping breakdown voltage. .

【0025】(4)耐大気圧スペーサ126が帯電する
ことによって、電子ビームの軌道が電気的な力によって
曲がってしまい、本来当たるべき蛍光面に達せず、周辺
の蛍光面に当たることによって画像がにじむ。
(4) When the anti-atmospheric pressure spacer 126 is charged, the trajectory of the electron beam is bent by an electric force, so that the electron beam does not reach the fluorescent screen that should be hit, and the image bleeds because it hits the surrounding fluorescent screen. .

【0026】(5)上記問題点を回避するために、基板
121上に疎らに電子放出素子125を配置した場合、
高精細な画像形成装置が実現出来ない。
(5) In order to avoid the above problem, when the electron-emitting devices 125 are sparsely arranged on the substrate 121,
A high-definition image forming apparatus cannot be realized.

【0027】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、本発明の第1の目的は、耐大気圧スペーサ12
6により、蛍光面128及び電子放出素子125等に損
傷を与えることのない、長期的に安定で高精細な画像が
得られる画像形成装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide an atmospheric pressure resistant spacer 12.
According to 6, an object of the present invention is to provide an image forming apparatus capable of obtaining a stable and high-definition image for a long time without damaging the phosphor screen 128 and the electron-emitting device 125.

【0028】また、本発明の第2の目的は、電子放出素
子を用いた画像形成装置において、該電子放出素子から
の放出電子の軌道を妨げることのないパネル構造を実現
することであり、特に、本目的に適した該電子放出素子
及び耐大気圧スペーサの配置又は形状を与えることにあ
る。また、該画像形成装置において、高密度な絵素を実
現できる該電子放出素子及び耐大気圧スペーサの配置又
は形状を与えることにある。さらには、該画像形成装置
において、解像度の高い絵素配置を実現できる該電子放
出素子及び耐大気圧スペーサの配置又は形状を与えるこ
とにある。
A second object of the present invention is to realize a panel structure which does not hinder the trajectory of electrons emitted from the electron-emitting device in an image forming apparatus using the electron-emitting device. It is another object of the present invention to provide an arrangement or a shape of the electron-emitting device and the anti-atmospheric pressure spacer suitable for this purpose. Another object of the present invention is to provide an arrangement or shape of the electron-emitting device and the anti-atmospheric pressure spacer capable of realizing a high-density picture element in the image forming apparatus. Still another object of the present invention is to provide an arrangement or a shape of the electron-emitting device and the anti-atmospheric pressure spacer capable of realizing a high-resolution picture element arrangement in the image forming apparatus.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の構成は、以下の通りである。
The configuration of the present invention that achieves the above object is as follows.

【0030】すなわち、本発明は、複数の電子放出素子
が設けられた基板と、該基板に対向して配置され、上記
電子放出素子から放出された電子の照射により画像を形
成する蛍光面が設けられたフェースプレートとを有する
画像形成装置において、上記の基板上には電子放出素子
を形成するいずれの電極よりも基板面から突出した素子
側リブが形成されているとともに、上記フェースプレー
トには蛍光面よりも突出した蛍光面側リブが形成されて
おり、上記基板と上記フェースプレートとの間隔を保持
するための平板状の耐大気圧スペーサが素子側リブ及び
蛍光面側リブを介して上記基板及び上記フェースプレー
トと接し、かつ前記電子放出素子から放出される電子ビ
ームの偏向方向に対して平行あるいは略平行に設けられ
ていることを特徴とするものである。
That is, the present invention provides a substrate on which a plurality of electron-emitting devices are provided, and a fluorescent screen which is arranged to face the substrate and forms an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices. In the image forming apparatus having the face plate provided above, an element-side rib projecting from the substrate surface than any of the electrodes forming the electron-emitting devices is formed on the substrate, and the face plate has a fluorescent light. A phosphor screen side rib protruding from the surface is formed, and a plate-shaped anti-atmospheric spacer for maintaining an interval between the substrate and the face plate is provided on the substrate via the element side rib and the phosphor screen side rib. and then contact with the face plate, and electron beams emitted from said electron-emitting devices
Installed parallel or nearly parallel to the beam deflection direction.
It is characterized by having.

【0031】上記本発明は、前記耐大気圧スペーサが、
複数個の素子側リブ及び蛍光面側リブと接すること、前
記リブのうち少なくとも蛍光面側リブは黒色であるこ
と、前記電子放出素子が冷陰極電子放出素子であるこ
と、前記電子放出素子が表面伝導型電子放出素子である
こと、をその好ましい態様として含むものである。
In the present invention, the atmospheric pressure-resistant spacer is preferably
A plurality of element-side ribs and a phosphor screen-side rib are in contact with each other; at least the phosphor screen-side ribs of the ribs are black; the electron-emitting devices are cold cathode electron-emitting devices; It is a conduction electron-emitting device
It is intended to include the preferred embodiments thereof with.

【0032】本発明によれば、前記耐大気圧スペーサは
電子放出素子や蛍光面と直接接触していないため、該耐
大気圧スペーサに多少の位置ずれや変形が生じても、素
子や蛍光面を損傷することが無く、組立が容易で且つ長
期的に安定した画像が得られるものである。
According to the present invention, since the anti-atmospheric pressure spacer is not in direct contact with the electron-emitting device or the phosphor screen, even if the anti-atmospheric pressure spacer is slightly displaced or deformed, the element or the phosphor screen is not affected. , And an image which is easy to assemble and stable over a long period of time can be obtained.

【0033】本発明において、前記耐大気圧スペーサを
複数個の素子側リブや蛍光体側リブと接するようにする
ことで、耐大気圧スペーサの位置ずれの許容性が増すと
ともに、装置の組立の更なる容易性に寄与する。また、
上記リブを黒色の低融点ガラス等の光反射率、透過率の
いずれもが低い材料で作製することで、蛍光面において
は前述したブラックストライプの作用を損なわず、コン
トラストの良い画像形成装置を提供できる。
In the present invention, by allowing the anti-atmospheric pressure spacer to be in contact with a plurality of element-side ribs and phosphor-side ribs, the tolerance of positional displacement of the anti-atmospheric pressure spacer is increased, and further assembly of the apparatus is performed. It contributes to ease. Also,
By providing the ribs with a material having low light reflectance and transmittance such as black low-melting glass, the function of the above-described black stripe on the phosphor screen is not impaired, and a high-contrast image forming apparatus is provided. it can.

【0034】また、耐大気圧スペーサを電子ビームの偏
向方向に対して平行あるいは略平行に設けて電子ビーム
の軌道空間を確保すると、電子の飛翔を妨げることがな
い。
When the orbital space for the electron beam is secured by providing the anti-atmospheric pressure spacer in parallel or substantially parallel to the direction of deflection of the electron beam, the electron does not hinder the flight.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】[実施形態1]本発明の画像形成
装置の一実施形態例を図1に示す。
[First Embodiment] FIG. 1 shows an embodiment of an image forming apparatus according to the present invention.

【0036】図1において1はガラス基板、2は配線部
3と素子部4とからなる素子電極である。5は電子放出
部であり、素子電極2とともに電子放出素子を構成して
いる。6は側壁、7はスペーサ、8はガラス板、9は蛍
光面で、10はガラス板8の内面に蛍光面9が形成され
て構成されるフェースプレートである。11は素子電極
2より厚く(高く)形成された素子側リブであり、12
は蛍光面9より厚く(高く)形成された蛍光面側リブで
ある。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a glass substrate, and 2 denotes an element electrode including a wiring section 3 and an element section 4. Reference numeral 5 denotes an electron-emitting portion, which constitutes an electron-emitting device together with the device electrode 2. Reference numeral 6 denotes a side wall, 7 denotes a spacer, 8 denotes a glass plate, 9 denotes a fluorescent screen, and 10 denotes a face plate formed by forming a fluorescent screen 9 on the inner surface of the glass plate 8. Reference numeral 11 denotes an element-side rib formed thicker (higher) than the element electrode 2;
Is a phosphor screen side rib formed thicker (higher) than the phosphor screen 9.

【0037】本装置は、複数の素子側リブ11と蛍光面
側リブ12が、これらを横切る方向(X方向)に沿って
配置された複数のスペーサ7と接するように組み上が
る。
The present device is assembled so that the plurality of element-side ribs 11 and the phosphor screen-side ribs 12 are in contact with the plurality of spacers 7 arranged along the direction (X direction) crossing them.

【0038】本実施形態例における電子放出素子部分の
拡大図を図2に示す。図2において、14は電子放出部
形成用薄膜である。また、蛍光面9の平面図を図3に、
フェースプレート10の拡大図を図4に示す。蛍光面側
リブ12は赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光体13
の間に形成されたブラックストライプ15と重なるよう
にストライプ状に形成されている。また、蛍光面9のさ
らに装置内面側には、前述のメタルバック(不図示)が
形成されている。また、不図示ではあるが、入力信号に
応じて画像形成する為に、図1の画像形成装置には、例
えば、後述する様に、変調手段が設けられている。
FIG. 2 is an enlarged view of the electron-emitting device in this embodiment. In FIG. 2, reference numeral 14 denotes a thin film for forming an electron-emitting portion. FIG. 3 is a plan view of the fluorescent screen 9.
FIG. 4 is an enlarged view of the face plate 10. The phosphor screen side ribs 12 are red (R), green (G), and blue (B) phosphors 13.
It is formed in a stripe shape so as to overlap the black stripe 15 formed therebetween. Further, the metal back (not shown) is formed further on the inner side of the device from the fluorescent screen 9. Although not shown, in order to form an image in accordance with an input signal, the image forming apparatus of FIG. 1 is provided with, for example, a modulation unit as described later.

【0039】次に、本装置の作製法を説明する。Next, a method of manufacturing the present apparatus will be described.

【0040】(1)ガラス基板1を有機溶剤により充分
に洗浄後、該基板1面上に、厚さ1000ÅのNiから
なる素子電極2を形成した(図1及び図2参照)。この
時、配線部3はフェースプレート側の蛍光体ストライプ
と直交する方向(図中X方向)に沿って複数本形成し、
素子部4は該複数の配線部3のうち隣り合う一対の配線
部3のそれぞれに電気的に接続され、かつ3μmの間隔
(図2中L1で示す)をもって対向するよう作製し、ま
た配線部3に沿った方向(X方向)に複数個作製した。
(1) After the glass substrate 1 was sufficiently washed with an organic solvent, an element electrode 2 made of Ni having a thickness of 1000 ° was formed on the surface of the substrate 1 (see FIGS. 1 and 2). At this time, a plurality of wiring portions 3 are formed along a direction (X direction in the drawing) orthogonal to the phosphor stripe on the face plate side.
The element section 4 is formed so as to be electrically connected to each of a pair of adjacent wiring sections 3 among the plurality of wiring sections 3 and to face each other at an interval of 3 μm (indicated by L1 in FIG. 2). A plurality of samples were produced in the direction (X direction) along No. 3.

【0041】(2)有機パラジウム(奥野製薬(株)
製、ccp−4230)含有溶液を塗布した後、300
℃で10分間の加熱処理をして、酸化パラジウム(Pd
O)微粒子からなる微粒子膜を形成し、エッチング等で
パターニング処理を施し、各素子電極(素子部)4間に
電子放出部形成用薄膜14を設けた(図2参照)。ここ
で電子放出部形成用薄膜14は、その幅(素子の幅)W
を300μmとし、素子電極4間のほぼ中央部に配置し
た。また、この電子放出部形成用薄膜14の膜厚は10
0Å、シート抵抗値は5×104Ω/□であった。なお
ここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜
であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置
した状態のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは、
重なり合った状態(島状も含む)の膜をさし、その粒径
とは、前記状態で粒子形状が認識可能な微粒子について
の径をいう。
(2) Organic palladium (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.)
After applying a solution containing ccp-4230), 300
C. for 10 minutes to give palladium oxide (Pd
O) A fine particle film made of fine particles was formed and subjected to patterning by etching or the like, and a thin film 14 for forming an electron-emitting portion was provided between the device electrodes (device portions) 4 (see FIG. 2). Here, the width (width of the element) W of the electron emitting portion forming thin film 14 is
Was set to 300 μm, and it was arranged almost at the center between the device electrodes 4. The thickness of the electron emitting portion forming thin film 14 is 10
0 °, and the sheet resistance was 5 × 10 4 Ω / □. Note that the fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and as a fine structure, not only a state in which the fine particles are individually dispersed and arranged, but also the fine particles are adjacent to each other, or
A film in an overlapped state (including an island shape) is referred to, and the particle size refers to the diameter of fine particles whose particle shape can be recognized in the above state.

【0042】(3)次に素子電極素子部4間に電圧を印
加し、電子放出部形成用薄膜14を通電処理(フォーミ
ング処理と呼ぶ)することにより、電子放出部5を素子
電極素子部4間に作製し電子放出素子を完成した。
(3) Next, a voltage is applied between the device electrode element portions 4 to apply a current to the electron emission portion forming thin film 14 (referred to as a forming process). An electron-emitting device was completed in between.

【0043】(4)以上のようにして素子電極配線部3
に沿って複数個作製された電子放出素子に対し、配線方
向(X方向)において各素子間のほぼ中央を通るように
素子側リブ11を設ける。つまり、素子側リブ11は図
中Y方向に沿って形成した。素子側リブ11は、フリッ
トガラスと呼ばれる低融点ガラスを印刷によって、幅、
高さとも100μmの大きさに作製した。
(4) As described above, the device electrode wiring portion 3
The element-side ribs 11 are provided so as to pass through substantially the center between the respective elements in the wiring direction (X direction) for a plurality of electron-emitting elements manufactured along the line. That is, the element-side rib 11 was formed along the Y direction in the figure. The element-side rib 11 is formed by printing low-melting glass called frit glass by printing.
It was manufactured to have a height of 100 μm.

【0044】(5)次にフェースプレート10の作製法
について述べる。
(5) Next, a method of manufacturing the face plate 10 will be described.

【0045】ガラス基板8を弗酸等にてよく洗浄したあ
と、ホトリソグラフィーによりブラックストライプ15
(図3及び図4参照)を形成する。ブラックストライプ
15の材料は黒鉛を主成分とした。その後、三原色蛍光
体13を一色ずつレジストと混ぜスラリー状にして塗布
し、所定の位置に現像、定着させることを繰り返すとい
うCRTで通常用いられるスラリー法にてカラー蛍光面
9を作製した。蛍光体13の厚さは20〜30μmでム
ラやはがれのない良好な塗布状態が得られた。
After thoroughly cleaning the glass substrate 8 with hydrofluoric acid or the like, the black stripes 15 are formed by photolithography.
(See FIGS. 3 and 4). The material of the black stripe 15 was mainly composed of graphite. Thereafter, the three primary color phosphors 13 were mixed with a resist one color at a time in the form of a slurry, applied, and developed and fixed at predetermined positions. The color phosphor screen 9 was produced by a slurry method generally used in CRTs. The thickness of the phosphor 13 was 20 to 30 μm, and a good coating state without unevenness or peeling was obtained.

【0046】(6)次に、フィルミングと呼ばれる、蛍
光面9の表面の平滑化処理を行った後、Alを真空蒸着
により、ほぼ2000Åの厚さで蛍光面9の内面側に一
様に形成することで、メタルバック(不図示)を作製し
た。
(6) Next, after performing a smoothing process of the surface of the fluorescent screen 9, which is called filming, Al is uniformly deposited on the inner surface side of the fluorescent screen 9 with a thickness of about 2000 mm by vacuum evaporation. By forming, a metal back (not shown) was produced.

【0047】(7)蛍光面9、メタルバックの作製後、
やはり印刷法にて、フリットガラスを材料として幅、高
さともほぼ100μmの蛍光面側リブ12を三原色蛍光
体の一組に一本の割合でブラックストライプ15と重な
るように形成した。なお、本実施形態例で蛍光面側リブ
12の材料として用いたフリットガラスは黒色で光の透
過率、反射率ともに低いので、各色蛍光体の間毎に蛍光
面側リブ12を設けることで、ブラックストライプ15
を省略することも可能である。
(7) After manufacturing the phosphor screen 9 and the metal back,
Similarly, a phosphor screen side rib 12 having a width and a height of about 100 μm was formed using frit glass as a material so as to overlap with the black stripe 15 at a rate of one set for each of the three primary color phosphors. In addition, since the frit glass used as the material of the phosphor screen side rib 12 in this embodiment is black and has low light transmittance and low reflectance, the phosphor screen side rib 12 is provided between each color phosphor. Black stripe 15
May be omitted.

【0048】(8)以上のようにして電子放出素子を作
製した基板1とフェースプレート10とを、複数の耐大
気圧スペーサ7と側壁6を介し対向して配置し、フェー
スプレート10、側壁6、基板1の接合部にフリットガ
ラスを塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で400℃
ないし500℃で10分以上焼成することで封着した。
本実施形態例では、図1の如くスペーサ7として、高さ
が5mm,厚さが200μmの平板状のガラス材を用
い、基板1とフェースプレート10とに設けられたリブ
11,12と直交する方向(X方向)に平行に配置し
た。
(8) The substrate 1 on which the electron-emitting device is manufactured as described above and the face plate 10 are arranged so as to face each other via the plurality of atmospheric pressure-resistant spacers 7 and the side walls 6. Then, frit glass is applied to the bonding portion of the substrate 1, and 400 ° C. in the air or in a nitrogen atmosphere.
Sealing was performed by baking at 500 to 500 ° C. for 10 minutes or more.
In the present embodiment, a flat glass material having a height of 5 mm and a thickness of 200 μm is used as the spacer 7 as shown in FIG. 1 and is orthogonal to the ribs 11 and 12 provided on the substrate 1 and the face plate 10. It was arranged parallel to the direction (X direction).

【0049】(9)以上のようにして完成したガラス外
囲器(基板1、側壁6、フェースプレート10で構成さ
れる)内の雰囲気を排気管(不図示)を通じ真空ポンプ
にて排気し、十分な真空度に達した後、10-6Torr
程度の真空度で、不図示の排気管をガスバーナーで熱す
ることで溶着し外囲器の封止を行った。
(9) The atmosphere in the glass envelope (comprised of the substrate 1, the side walls 6, and the face plate 10) completed as described above is exhausted by a vacuum pump through an exhaust pipe (not shown). After reaching a sufficient degree of vacuum, 10 -6 Torr
At a degree of vacuum, an exhaust pipe (not shown) was welded by heating with a gas burner, and the envelope was sealed.

【0050】(10)最後に封止後の真空度を維持する
ために、ゲッター処理を行った。これは、封止を行う直
前あるいは封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等の
加熱法により、画像形成装置内の所定の位置に配置され
たゲッター(不図示)を加熱し、蒸着膜を形成する処理
である。ゲッターは通常Ba等が主成分であり、該蒸着
膜の吸着作用により、真空度を維持するものである。
(10) Finally, a getter process was performed to maintain the degree of vacuum after sealing. In this method, a getter (not shown) disposed at a predetermined position in an image forming apparatus is heated by a heating method such as resistance heating or high-frequency heating immediately before or after sealing to form a deposited film. Processing. The getter usually contains Ba or the like as a main component, and maintains the degree of vacuum by the adsorption action of the deposited film.

【0051】以上述べた構成は、画像形成装置を作製す
る上で必要な概略構成であり、例えば各部材の材料等、
詳細な部分は本実施形態例の内容に限られるものではな
く、画像形成装置の用途に適するよう適宜選択する。
The configuration described above is a schematic configuration necessary for manufacturing an image forming apparatus.
The detailed portion is not limited to the contents of the present embodiment, but is appropriately selected so as to be suitable for the use of the image forming apparatus.

【0052】その一例として、変調用のグリッド電極を
電子放出素子が形成されるのと同一のガラス基板上に形
成した好ましい変形例を示す。図5は本変形例の構成例
を示す斜視図、図6は図5のB−B’断面図である。図
1と同じ部分は同じ符号を付した。図中、17は変調グ
リッド電極、18は電子放出素子(電子放出部5及び素
子電極2からなる)と変調グリッド電極17を絶縁する
ための絶縁体膜である。図5及び図6からわかるよう
に、変調グリッド電極17は、電子放出部5及び素子電
極2の素子部4に対して同一平面上及び下部に形成され
ている。
As one example, a preferred modified example is shown in which a grid electrode for modulation is formed on the same glass substrate on which the electron-emitting devices are formed. FIG. 5 is a perspective view showing a configuration example of the present modified example, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line BB 'of FIG. 1 are given the same reference numerals. In the figure, reference numeral 17 denotes a modulation grid electrode, and reference numeral 18 denotes an insulator film for insulating the electron-emitting device (including the electron-emitting portion 5 and the device electrode 2) from the modulation grid electrode 17. As can be seen from FIGS. 5 and 6, the modulation grid electrode 17 is formed on the same plane as the electron-emitting portion 5 and the device portion 4 of the device electrode 2 and on the lower portion.

【0053】本変形例の製造方法は、上記実施形態例と
同様な蒸着技術及びエッチング技術等により形成できる
ので説明を省略する。
Since the manufacturing method of this modification can be formed by the same vapor deposition technique and etching technique as those of the above embodiment, the description is omitted.

【0054】本変形例の構成において、変調グリッド電
極17に印加する電圧を適当に制御することにより、蛍
光面9(図1参照)に照射する電子ビームの量を制御で
きた。
In the configuration of this modification, the amount of electron beam irradiated on the phosphor screen 9 (see FIG. 1) could be controlled by appropriately controlling the voltage applied to the modulation grid electrode 17.

【0055】以上のように作製した本実施形態例の画像
形成装置においては、蛍光面や電子放出素子を形成する
電極を傷つけることなく、フェースプレートと素子基板
との間に耐大気圧スペーサを容易に配置することがで
き、組立が容易であった。また、スペーサの位置ずれに
よる画像欠陥がなく、多少の応力を加えても長期的に安
定した高精細な画像が得られた。
In the image forming apparatus of this embodiment manufactured as described above, the atmospheric pressure-resistant spacer can be easily provided between the face plate and the element substrate without damaging the phosphor screen and the electrodes forming the electron-emitting devices. And it was easy to assemble. Further, there was no image defect due to the displacement of the spacer, and a high-definition image stable for a long time was obtained even if some stress was applied.

【0056】また、本実施形態例で作製した表面伝導型
電子放出素子から放出される電子ビームは、主にガラス
基板1とフェースプレート10との間に印加される加速
電圧によって、Z方向の速度成分を有すると共に、正極
の素子電極素子部4側に偏向されて+X方向もしくは−
X方向の速度成分を有する。本実施形態例では、この偏
向方向(X方向)に平行にスペーサ7を配置しているた
め、スペーサ7が放出電子の軌道を妨げることによる発
光効率の低下、スペーサ7のチャージアップ等を防止す
ることができる。
Further, the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device manufactured in the present embodiment mainly has a velocity in the Z direction due to an acceleration voltage applied between the glass substrate 1 and the face plate 10. Component, and is deflected toward the positive electrode element part 4 side to be in the + X direction or-
It has a velocity component in the X direction. In the present embodiment, since the spacers 7 are arranged in parallel to the deflection direction (X direction), a decrease in luminous efficiency due to the spacers 7 blocking the trajectories of emitted electrons, a charge-up of the spacers 7 and the like are prevented. be able to.

【0057】また、本実施形態例においては、フェース
プレート10上のストライプ蛍光面をY方向に平行に配
置(図4の13R,13G,13B)したので、電子放
出素子を有するガラス基板1と蛍光面9を有するフェー
スプレート10間のY方向(図4のストライプ蛍光面1
3R,13G,13Bに平行な方向)の精密な位置合わ
せが不要になる。すなわち、ガラス基板1及びフェース
プレート10の間でY方向に多少の位置ずれが生じて
も、表示画像の輝度低下や色ずれは生じなかった。ま
た、複数のスペーサ7(X軸に平行)をフェースプレー
ト10と組み立てる場合も、X方向及びY方向での相互
の精密な位置合わせは不要であり、電子放出素子の配置
に対応した間隔で各スペーサ7を位置決めすれば十分で
あった。
In this embodiment, since the stripe fluorescent surfaces on the face plate 10 are arranged in parallel to the Y direction (13R, 13G, 13B in FIG. 4), the glass substrate 1 having the electron-emitting device and the fluorescent light In the Y direction between face plates 10 having surfaces 9 (stripe fluorescent surface 1 in FIG. 4)
3R, 13G, and 13B) (the direction parallel to 3R, 13B) becomes unnecessary. That is, even if a slight positional shift occurs between the glass substrate 1 and the face plate 10 in the Y direction, the brightness of the displayed image and the color shift did not occur. Also, when assembling a plurality of spacers 7 (parallel to the X-axis) with the face plate 10, precise mutual alignment in the X direction and the Y direction is unnecessary, and each spacer 7 is arranged at intervals corresponding to the arrangement of the electron-emitting devices. It was sufficient to position the spacer 7.

【0058】[実施形態例2]図7は本実施形態例の画
像形成装置の概略構成を示す斜視図である。
[Second Embodiment] FIG. 7 is a perspective view showing a schematic configuration of an image forming apparatus of the present embodiment.

【0059】基板1上への電子放出素子の作製法、蛍光
面9の作製法及び装置全体の作製法は実施形態例1と同
様なので省略する。また、実施形態例1と同様である側
壁も図面上省略した。
The method for fabricating the electron-emitting device on the substrate 1, the method for fabricating the phosphor screen 9, and the method for fabricating the entire device are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted. Further, the same side wall as in the first embodiment is omitted in the drawing.

【0060】本実施形態例においては、素子側リブ1
1、蛍光面側リブ12、耐大気圧スペーサ7のいずれ
も、実施形態例1のように直線状に連続したものでな
く、分割して配置した。
In this embodiment, the element-side rib 1
1, all of the phosphor screen side ribs 12 and the atmospheric pressure resistant spacers 7 are not linearly continuous as in the first embodiment, but are arranged separately.

【0061】但し、それぞれの耐大気圧スペーサ7に対
応する位置の蛍光面9及び基板1面には、高さ、幅とも
約100μmのリブが、フリットガラスを成分としてや
はり印刷法にて形成されていて、耐大気圧スペーサ7は
蛍光面9や電子放出素子を形成する電極(不図示)とは
直接接することがないので、実施形態例1と同様の効果
がある。
However, ribs having a height and a width of about 100 μm are formed on the phosphor screen 9 and the substrate 1 surface at positions corresponding to the respective atmospheric pressure-resistant spacers 7 by frit glass as a component, also by a printing method. Since the anti-atmospheric pressure spacer 7 does not directly contact the phosphor screen 9 or the electrode (not shown) forming the electron-emitting device, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0062】さらに、本実施形態例の構成では、個々の
耐大気圧スペーサ7の長さが実施形態例1に比べ短かい
ため、加工時における変形等が少なく、精度の高い耐大
気圧スペーサを作製できるという利点があった。また、
装置内を真空に排気する際、コンダクタンスを妨げるも
のが少ないので、封止可能な真空度(10-6Torr程
度)に達するまでの時間が短くて済むという利点があっ
た。
Further, in the structure of the present embodiment, since the length of each of the atmospheric pressure resistant spacers 7 is shorter than that of the embodiment 1, deformation at the time of processing is small, and a highly accurate atmospheric pressure resistant spacer is used. There is an advantage that it can be manufactured. Also,
When the inside of the apparatus is evacuated to vacuum, there are few things that hinder the conductance, so that there is an advantage that the time required to reach a sealable degree of vacuum (about 10 −6 Torr) can be shortened.

【0063】[参考形態例] 図8は本参考形態例の画像形成装置の概略構成を示す斜
視図である。
[0063] Reference embodiment] FIG. 8 is a perspective view showing a schematic configuration of an image forming apparatus of the present reference embodiment.

【0064】本参考形態例においては、蛍光面9は図9
に示すように、蛍光体13がいわゆるデルタ配列となっ
ている。16は黒色導伝材で、図のような蛍光体配列の
場合はブラックマトリクスと呼ばれる。デルタ形の蛍光
体配列を用いた場合は、同色蛍光体間の間隔(これをド
ットピッチと呼ぶ)をPと表した時、画面水平方向の同
色蛍光体間隔は(√3)P/2となり、水平方向の解像
度が増し、より高精細で高密度な画像を形成できるとい
う利点がある。
[0064] In this preferred embodiment example, the phosphor screen 9 9
As shown in the figure, the phosphors 13 have a so-called delta arrangement. Reference numeral 16 denotes a black conductive material, which is called a black matrix in the case of a phosphor array as shown in the figure. When the delta-type phosphor array is used, when the interval between phosphors of the same color (referred to as dot pitch) is represented by P, the phosphor interval of the same color in the horizontal direction of the screen is (画面 3) P / 2. This has the advantage that the resolution in the horizontal direction is increased and a higher definition and higher density image can be formed.

【0065】このようなデルタ配列蛍光面の場合におい
て、図8に示すように、素子側リブ11及び蛍光面側リ
ブ12を、三菱状の形状にて作製し、該リブ11及び1
2のそれぞれと、円柱状のスペーサ7とが接するように
配置することで、蛍光面9や素子電極3,4を損傷する
ことなく、より一層高精細な画像が安定して得られる画
像形成装置を作製することができた。
In the case of such a delta array fluorescent screen, as shown in FIG. 8, the element side rib 11 and the fluorescent screen side rib 12 are manufactured in a Mitsubishi-like shape, and the ribs 11 and 1 are formed.
2 is arranged so that each of them comes into contact with the columnar spacer 7, so that an even higher-definition image can be stably obtained without damaging the phosphor screen 9 and the device electrodes 3 and 4. Could be produced.

【0066】[実施形態例] 本実施形態例は、実施形態例1の電子放出素子等が形成
されたガラス基板1を、図10に示す態様、すなわち電
子放出素子を単純マトリクス配置した態様を示すもので
ある。
[Embodiment 3 ] In this embodiment, the glass substrate 1 on which the electron-emitting devices of Embodiment 1 and the like are formed is shown in FIG. 10, that is, the electron-emitting devices are arranged in a simple matrix. It is shown.

【0067】図10において、図1〜図4と同じ部分は
同じ符号を付した。
In FIG. 10, the same parts as those in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals.

【0068】本実施形態例の電子放出素子も実施形態例
1と同様な表面伝導型の素子であり、各電子放出素子に
おいては、一対の素子電極素子部4も耐大気圧スペーサ
7と同じくほぼX軸方向に沿って配置されている。
The electron-emitting device of this embodiment is also a surface conduction type device similar to that of the first embodiment. In each electron-emitting device, a pair of device electrode element portions 4 are also substantially the same as the atmospheric pressure resistant spacer 7. They are arranged along the X-axis direction.

【0069】フェースプレート10上には、Y方向に平
行なストライプ状の赤(R)蛍光面13R、緑(G)蛍
光面13G、青(B)蛍光面13Bの3種の蛍光面が繰
り返し形成されており、各蛍光面間にはブラックストラ
イプ15が形成されている。また、素子側リブ11は素
子電極素子部4より厚く(高く)素子電極配線部3と重
なるようにY方向に平行に形成されており、蛍光面側リ
ブ12は蛍光面9より厚く(高く)ブラックストライプ
15と重なるようにY方向に平行に形成されている。
On the face plate 10, three types of fluorescent screens, that is, a red (R) fluorescent screen 13R, a green (G) fluorescent screen 13G, and a blue (B) fluorescent screen 13B, which are stripe-shaped parallel to the Y direction, are repeatedly formed. The black stripes 15 are formed between the phosphor screens. The element side rib 11 is formed thicker (higher) than the element electrode element part 4 and parallel to the Y direction so as to overlap the element electrode wiring part 3, and the phosphor screen side rib 12 is thicker (higher) than the phosphor screen 9. It is formed parallel to the Y direction so as to overlap with the black stripe 15.

【0070】本画像形成装置においては、複数の素子側
リブ11と蛍光面側リブ12が、これらを横切る方向
(X方向)に平行に配置された複数の耐大気圧スペーサ
7と接するように組み上げる。
In the present image forming apparatus, the plurality of element-side ribs 11 and the phosphor screen-side ribs 12 are assembled so as to be in contact with the plurality of anti-atmospheric pressure spacers 7 arranged in parallel in a direction crossing these (X direction). .

【0071】本実施形態例の画像形成装置は、実施形態
例1と同等な蒸着技術及びエッチング技術等により形成
できるので、その製造方法についての説明は省略する。
Since the image forming apparatus of the present embodiment can be formed by the same vapor deposition technique and etching technique as those of Embodiment 1, the description of the manufacturing method is omitted.

【0072】本実施形態例においても実施形態例1と同
様に、電子放出素子から放出される電子ビームの偏向方
向と平行に耐大気圧スペーサ7を配置しているため、電
子ビームが耐大気圧スペーサ7にその軌道を妨げられる
ことはない。従って、電子ビームは耐大気圧スペーサ7
が無い場合と同じように、蛍光面9に衝突することがで
きた。
In this embodiment, as in the first embodiment, the anti-atmospheric pressure spacer 7 is arranged in parallel to the direction of deflection of the electron beam emitted from the electron-emitting device. The trajectory is not obstructed by the spacer 7. Therefore, the electron beam is applied to the atmospheric pressure resistant spacer 7.
Could collide with the phosphor screen 9 in the same manner as in the case where there was no.

【0073】また、本実施形態例の画像形成装置におい
ては、リブ11及び12を設けることにより、蛍光面や
電子放出素子を形成する電極を傷つけることなく、フェ
ースプレート10と素子基板1との間に耐大気圧スペー
サ7を容易に配置することができ、組立が容易であっ
た。また、耐大気圧スペーサ7の位置ずれによる画像欠
陥がなく、多少の応力を加えても長期的に安定した高精
細な画像が得られた。
Further, in the image forming apparatus of the present embodiment, the ribs 11 and 12 are provided so that the gap between the face plate 10 and the element substrate 1 can be maintained without damaging the phosphor screen and the electrodes forming the electron-emitting devices. The atmospheric pressure-resistant spacer 7 can be easily arranged in the above, and the assembly is easy. In addition, there was no image defect due to the displacement of the atmospheric pressure resistant spacer 7, and a long-term stable high-definition image was obtained even if some stress was applied.

【0074】また、本実施形態例の画像形成装置におい
ては、フェースプレート10上のストライプ蛍光面をY
方向に平行に配置したので、電子放出素子を有するガラ
ス基板1と蛍光面9を有するフェースプレート10間の
Y方向(ストライプ蛍光面9に平行な方向)の精密な位
置合わせが不要になる。すなわち、ガラス基板1及びフ
ェースプレート10の間でY方向に多少の位置ずれが生
じても、表示画像の輝度低下や色ずれは生じなかった。
また、複数の耐大気圧スペーサ7(X軸に平行)をフェ
ースプレート10と組み立てる場合も、X方向及びY方
向での相互の精密な位置合わせは不要であり、電子放出
素子の配置に対応した間隔で各耐大気圧スペーサ7を位
置決めすれば十分であった。
In the image forming apparatus of this embodiment, the stripe fluorescent surface on the face plate 10 is
Since they are arranged parallel to the directions, precise alignment in the Y direction (direction parallel to the stripe fluorescent screen 9) between the glass substrate 1 having the electron-emitting devices and the face plate 10 having the fluorescent screen 9 becomes unnecessary. That is, even if a slight positional shift occurs between the glass substrate 1 and the face plate 10 in the Y direction, the brightness of the displayed image and the color shift did not occur.
Also, when assembling a plurality of atmospheric pressure-resistant spacers 7 (parallel to the X axis) with the face plate 10, precise mutual alignment in the X direction and the Y direction is unnecessary, and the arrangement corresponds to the arrangement of the electron-emitting devices. It was sufficient to position each anti-atmospheric pressure spacer 7 at intervals.

【0075】本実施形態例の変形例として、フェースプ
レート10の構成を変形した例を示す。図11は、本変
形例のフェースプレート10の蛍光面配置を示したもの
であり、図10に示した例との違いは、各色のストライ
プ蛍光面を一画素に対応する間隔で区切ったものであ
る。その区切りの部分19には黒色遮光部材等を設けて
もよい。
As a modification of this embodiment, an example in which the configuration of the face plate 10 is modified will be described. FIG. 11 shows the arrangement of the fluorescent screen of the face plate 10 of the present modification. The difference from the example shown in FIG. 10 is that the stripe fluorescent screen of each color is separated at intervals corresponding to one pixel. is there. A black light-blocking member or the like may be provided in the partition 19.

【0076】本変形例においても、電子放出素子を有す
るガラス基板1と蛍光面9を有するフェースプレート1
0間のY方向(ストライプ蛍光面9に平行な方向)の精
密な位置合わせが不要になる。すなわち、ガラス基板1
及びフェースプレート10の間でY方向に多少の位置ず
れが生じても、表示画像の色ずれは生じなかった。ま
た、複数の耐大気圧スペーサ7(X軸に平行)をフェー
スプレート10と組み立てる場合も、X方向及びY方向
での相互の精密な位置合わせは不要であり、表示画像の
色ずれを生じさせない為には、電子放出素子の配置に対
応した間隔で各耐大気圧スペーサ7を位置決めすれば十
分であった。
Also in this modification, the glass substrate 1 having the electron-emitting devices and the face plate 1 having the fluorescent screen 9
Precise positioning in the Y direction between 0 (direction parallel to the stripe fluorescent screen 9) is not required. That is, the glass substrate 1
Even if there was some displacement in the Y direction between the face plate 10 and the face plate 10, no color displacement of the displayed image occurred. Also, when assembling a plurality of atmospheric pressure-resistant spacers 7 (parallel to the X-axis) with the face plate 10, precise mutual alignment in the X-direction and the Y-direction is unnecessary, and no color shift of the displayed image occurs. For this purpose, it is sufficient to position each anti-atmospheric pressure spacer 7 at intervals corresponding to the arrangement of the electron-emitting devices.

【0077】また、他の変形例としては、素子側リブ1
1を数電子放出素子おきに、又は、蛍光面側リブ12を
R,G,Bの3本のストライプ蛍光面おきに設置するな
ど、様々な変形が可能である。
As another modified example, the element-side rib 1
Various modifications are possible, such as installing one every few electron-emitting devices, or installing the phosphor screen side ribs 12 every three stripe phosphor screens of R, G, and B.

【0078】[0078]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の画像形成
装置は、基板から突出した素子側リブと、フェースプレ
ートの蛍光面より突出した蛍光面側リブに耐大気圧スペ
ーサが接するように配置することにより、以下の効果を
奏する。
As described above, the image forming apparatus of the present invention is arranged such that the atmospheric pressure-resistant spacer is in contact with the element side rib projecting from the substrate and the phosphor screen side rib projecting from the phosphor screen of the face plate. By doing so, the following effects can be obtained.

【0079】(1)基板とフェースプレートの間隔を保
持するための耐大気圧スペーサが、電子放出素子や蛍光
面と直接接触していないため、耐大気圧スペーサに多少
の位置ずれや変形が生じても、素子や蛍光面を損傷する
ことが無い。これにより、装置の組立が容易になると共
に、画像欠陥の少ない長期的に安定した画像が得られ
る。
(1) Since the atmospheric pressure-resistant spacer for maintaining the distance between the substrate and the face plate is not in direct contact with the electron-emitting device or the phosphor screen, some displacement or deformation occurs in the atmospheric pressure-resistant spacer. However, the device and the phosphor screen are not damaged. Thereby, assembling of the apparatus becomes easy, and a long-term stable image with few image defects can be obtained.

【0080】(2)蛍光体側リブを黒色とすることで、
よりコントラストの高い画像が得られる。
(2) By making the phosphor side ribs black,
An image with higher contrast can be obtained.

【0081】また、電子放出素子から放出される電子ビ
ームの偏向方向と平行に耐大気圧スペーサを配置するこ
とにより、電子ビームの軌道を妨げることのないパネル
構造を実現することが出来る。従って、次のような特有
の効果がある。
Further, by disposing the anti-atmospheric pressure spacer in parallel with the direction of deflection of the electron beam emitted from the electron-emitting device, it is possible to realize a panel structure which does not hinder the trajectory of the electron beam. Therefore, the following specific effects are obtained.

【0082】(a)蛍光体上への到達電子量の損失がな
く、発光効率の低下のない安定した発光が得られる。
(A) There is no loss in the amount of electrons that reach the phosphor, and stable light emission without a decrease in luminous efficiency can be obtained.

【0083】(b)耐大気圧スペーサのチャージアップ
による電位分布の変化に伴う電子軌道の変化、沿面耐圧
低下に伴う沿面放電による素子破壊等が発生しない。
(B) A change in the electron trajectory due to a change in the potential distribution due to the charge-up of the atmospheric pressure-resistant spacer and a device breakdown due to a creeping discharge due to a decrease in the creeping breakdown voltage do not occur.

【0084】(c)沿面耐圧の増加により、加速電圧を
上げることが出来るため、より高効率で輝度の高い発光
部が得られる。
(C) The acceleration voltage can be increased by increasing the surface breakdown voltage, so that a light emitting portion with higher efficiency and higher luminance can be obtained.

【0085】(d)電子放出素子及び耐大気圧スペーサ
を高密度に配置できるため、高精細な画像形成装置を実
現出来る。
(D) Since the electron-emitting devices and the anti-atmospheric pressure spacers can be arranged at a high density, a high-definition image forming apparatus can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態例1の画像形成装置の概略構成を示す
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of an image forming apparatus according to a first embodiment.

【図2】実施形態例1の画像形成装置の電子放出素子部
拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged view of an electron-emitting device of the image forming apparatus according to the first embodiment.

【図3】実施形態例1の画像形成装置における蛍光面の
拡大平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view of a phosphor screen in the image forming apparatus according to the first embodiment.

【図4】実施形態例1の画像形成装置におけるフェース
プレートの拡大斜視図である。
FIG. 4 is an enlarged perspective view of a face plate in the image forming apparatus according to the first embodiment.

【図5】変調用のグリッド電極を素子基板上に備えた本
発明の変形例を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a modification of the present invention in which a grid electrode for modulation is provided on an element substrate.

【図6】図5の素子基板の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of the element substrate of FIG. 5;

【図7】実施形態例2の画像形成装置の概略構成を示す
斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view illustrating a schematic configuration of an image forming apparatus according to a second embodiment.

【図8】参考形態例の画像形成装置の概略構成を示す斜
視図である。
FIG. 8 is a perspective view illustrating a schematic configuration of an image forming apparatus according to a reference embodiment .

【図9】参考形態例の画像形成装置における蛍光面の拡
大平面図である。
FIG. 9 is an enlarged plan view of a phosphor screen in the image forming apparatus according to the reference embodiment .

【図10】実施形態例の画像形成装置の概略構成を示
す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view illustrating a schematic configuration of an image forming apparatus according to a third embodiment.

【図11】蛍光面の変形例を示す拡大平面図である。FIG. 11 is an enlarged plan view showing a modification of the phosphor screen.

【図12】表面伝導型電子放出素子の典型的な素子構成
を示す図である。
FIG. 12 is a view showing a typical device configuration of a surface conduction electron-emitting device.

【図13】表面伝導型電子放出素子の特性評価装置の概
略構成図である。
FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a device for evaluating characteristics of a surface conduction electron-emitting device.

【図14】従来の平面型画像形成装置の概略構成を示す
縦断面図である。
FIG. 14 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a conventional flat-type image forming apparatus.

【図15】従来の画像形成装置に用いられるストライプ
形蛍光面の拡大平面図である。
FIG. 15 is an enlarged plan view of a stripe-shaped fluorescent screen used in a conventional image forming apparatus.

【図16】従来例の画像形成装置の耐大気圧スペーサの
配置を説明する斜視図である。
FIG. 16 is a perspective view illustrating an arrangement of an atmospheric pressure resistant spacer of the conventional image forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板(バックプレート) 2 素子電極 3 素子電極配線部 4 素子電極素子部 5 電子放出部 6 側壁(外囲器) 7 耐大気圧スペーサ 8 ガラス基板 9 蛍光面 10 フェースプレート 11 素子側リブ 12 蛍光面側リブ 13 蛍光体 14 電子放出部形成用薄膜 15 ブラックストライプ 16 ブラックマトリクス 17 変調グリッド電極 18 絶縁体膜 19 蛍光面の区切り部分 111 絶縁性基板 112 電子放出部 113 電子放出部形成用薄膜 114,115 素子電極 116 ガラス基板 117 アノード電極 118 蛍光膜 119 電源 120 高圧電源 121 基板 122,123 電極 124 電子放出部 125 電子放出素子 126 耐大気圧スペーサ 127 ガラス板 128 蛍光面 129 メタルバック 130 フェースプレート 131 ブラックストライプ 132 蛍光体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate (back plate) 2 Element electrode 3 Element electrode wiring part 4 Element electrode element part 5 Electron emission part 6 Side wall (envelope) 7 Atmospheric pressure-resistant spacer 8 Glass substrate 9 Phosphor screen 10 Face plate 11 Element side rib 12 Fluorescence Surface side rib 13 Phosphor 14 Thin film for forming electron emission portion 15 Black stripe 16 Black matrix 17 Modulation grid electrode 18 Insulator film 19 Separation portion of fluorescent surface 111 Insulating substrate 112 Electron emission portion 113 Thin film for forming electron emission portion 114, 115 Device electrode 116 Glass substrate 117 Anode electrode 118 Phosphor film 119 Power supply 120 High voltage power supply 121 Substrate 122,123 Electrode 124 Electron emission part 125 Electron emission element 126 Atmospheric pressure resistant spacer 127 Glass plate 128 Fluorescent surface 129 Metal back 130 Face plate 1 1 black stripe 132 phosphor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 正 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 多川 昌宏 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 安藤 友和 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 長田 芳幸 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−22328(JP,A) 特開 平3−49135(JP,A) 特開 平2−299140(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 31/12 H01J 29/87 H01J 1/30 - 1/316 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Tadashi Kaneko 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Masahiro Tagawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Tomokazu Ando 3- 30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Yoshiyuki 3-30-2 Shimomaruko 3-chome, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) reference Patent flat 3-22328 (JP, a) JP flat 3-49135 (JP, a) JP flat 2-299140 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7 H01J 31/12 H01J 29/87 H01J 1/30-1/316

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の電子放出素子が設けられた基板
と、該基板に対向して配置され、上記電子放出素子から
放出された電子の照射により画像を形成する蛍光面が設
けられたフェースプレートとを有する画像形成装置にお
いて、上記の基板上には電子放出素子を形成するいずれ
の電極よりも基板面から突出した素子側リブが形成され
ているとともに、上記フェースプレートには蛍光面より
も突出した蛍光面側リブが形成されており、上記基板と
上記フェースプレートとの間隔を保持するための平板状
耐大気圧スペーサが素子側リブ及び蛍光面側リブを介
して上記基板及び上記フェースプレートと接し、かつ前
記電子放出素子から放出される電子ビームの偏向方向に
対して平行あるいは略平行に設けられていることを特徴
とする画像形成装置。
1. A face plate provided with a substrate on which a plurality of electron-emitting devices are provided, and a fluorescent screen provided to face the substrate and forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices. In the image forming apparatus having the above, an element-side rib projecting from the substrate surface than any of the electrodes forming the electron-emitting devices is formed on the substrate, and the face plate projects from the phosphor screen. Phosphor-side ribs are formed, and are formed in a flat plate shape to maintain the distance between the substrate and the face plate.
And contact with the substrate and the face plate atmospheric pressure resistant spacers via the device-side rib and the fluorescent surface side ribs, and before
The direction of deflection of the electron beam emitted from the electron-emitting device
An image forming apparatus provided in parallel or substantially parallel to the image forming apparatus.
【請求項2】 前記耐大気圧スペーサが、複数個の素子
側リブ及び蛍光面側リブと接することを特徴とする請求
項1に記載の画像形成装置。
2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the anti-atmospheric pressure spacer contacts a plurality of element-side ribs and phosphor screen-side ribs.
【請求項3】 前記リブのうち少なくとも蛍光面側リブ
は黒色であることを特徴とする請求項1に記載の画像形
成装置。
3. The image forming apparatus according to claim 1, wherein at least the phosphor screen side rib of the rib is black.
【請求項4】 前記電子放出素子が冷陰極電子放出素子
である請求項1に記載の画像形成装置。
4. The image forming apparatus according to claim 1, wherein said electron-emitting device is a cold cathode electron-emitting device.
【請求項5】 前記電子放出素子が表面伝導形電子放出
素子である請求項1に記載の画像形成装置。
5. The image forming apparatus according to claim 1, wherein said electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device.
JP2000149496A 1993-05-20 2000-05-22 Image forming device Expired - Fee Related JP3273322B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000149496A JP3273322B2 (en) 1993-05-20 2000-05-22 Image forming device

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5-139926 1993-05-20
JP13992693 1993-05-20
JP5-145418 1993-05-26
JP14541893 1993-05-26
JP2000149496A JP3273322B2 (en) 1993-05-20 2000-05-22 Image forming device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06129860A Division JP3118683B2 (en) 1993-05-20 1994-05-20 Image forming device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000348651A JP2000348651A (en) 2000-12-15
JP3273322B2 true JP3273322B2 (en) 2002-04-08

Family

ID=27317976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000149496A Expired - Fee Related JP3273322B2 (en) 1993-05-20 2000-05-22 Image forming device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3273322B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222443A (en) 2010-04-14 2011-11-04 Canon Inc Image display device and rib forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000348651A (en) 2000-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7449826B2 (en) Image display device with voltage applier
JP3230735B2 (en) Image forming apparatus and driving method thereof
JP3305252B2 (en) Image forming device
JP2000311631A (en) Electron beam device and spacer
JP3195290B2 (en) Image forming device
US7034449B2 (en) Image display apparatus and method of manufacturing the same
JP2002150979A (en) Electron beam generating device and imaging device
JP3535832B2 (en) Electron beam emitting apparatus and image forming apparatus
JP3466870B2 (en) Method of manufacturing image forming apparatus
JP3302298B2 (en) Image forming device and image display device
JP3273322B2 (en) Image forming device
JP3118683B2 (en) Image forming device
JP3302293B2 (en) Image forming device
JPH087809A (en) Image forming device
JP3826077B2 (en) Electron beam apparatus and method for manufacturing the electron beam apparatus
JP2000357479A (en) Image forming device
JPH11317152A (en) Electron beam device, image display device, and manufacture of electron beam device
JP2002367540A (en) Image display device
JP2000251648A (en) Electron beam generator and image forming device using the same
JP3305168B2 (en) Electron beam generator and image forming apparatus using the same
JP3305169B2 (en) Electron beam generator and image forming apparatus using the same
JP3619043B2 (en) Image forming apparatus
JP3461260B2 (en) Image forming device
JP3119417B2 (en) Image display device
JP2000251657A (en) Electron beam device and image forming device using same

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011204

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090201

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100201

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100201

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110201

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120201

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130201

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140201

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees