JP2002107457A

JP2002107457A - 蛍光体構造物及びそれを有する放射線撮像装置と放射線撮像システム

Info

Publication number: JP2002107457A
Application number: JP2000302456A
Authority: JP
Inventors: Kazuaki Tashiro; 和昭田代; Osamu Hamamoto; 修浜本; Osamu Yuki; 修結城; Kenji Kajiwara; 賢治梶原; Noriyuki Umibe; 紀之海部
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-10-02
Filing date: 2000-10-02
Publication date: 2002-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】画質を低下させることなく高感度な画像を得
る。【解決手段】基板上に柱状体１０１が設けられ、柱状
体の間に、入射する電磁波を異なる波長の光に変換する
蛍光体が充填されてなる蛍光体構造物。入射する放射線
を異なる波長の光に変換する蛍光体構造物と、蛍光体構
造物からの光を電気信号として検出する撮像素子と、を
備えた放射線撮像装置であって、蛍光体構造物は、本発
明の蛍光構造物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光体構造物及び
それを有する放射線撮像装置と放射線撮像システムに関
し、更に詳しくは、医療用、産業用ディジタルＸ線撮像
装置等に好適に使用可能な蛍光体構造物、それを有する
放射線撮像装置（例えば２次元放射線撮像装置）および
放射線撮像システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】医療機器の分野では、病院内での診断効
率の向上や、より精度の高い医療機器が強く望まれ、そ
の流れの中で、従来フィルムを用いたＸ線撮像装置が主
流であったＸ線画像の分野においても、“Ｘ線画像情報
のディジタル化”の要求が高まりつつある。

【０００３】ディジタル化が達成されればＸ線画像情報
を光磁気ディスクのような記録媒体を用いて管理でき、
またさまざまな通信方式等により患者のＸ線画像情報
を、リアルタイムに遠隔地で見ることが可能となる。ま
たディジタルのＸ線画像情報は画像処理により、従来に
比べより一層高い精度での診断が可能となる。またこの
ディジタル化の流れは、医療の世界ばかりでなく、産業
分野においても進行しており、例えばディジタルＸ線撮
像装置を結晶解析に応用する研究も行われている。

【０００４】現在“Ｘ線画像情報のディジタル化”のた
めの放射線撮像装置として２次元のＣＣＤ型撮像素子と
蛍光板を用いたものが提案されている。図１０にこの構
成の概略を示す。図１０において、１０２は撮像素子、
１０１は蛍光板である。１０３は実装領域である。

【０００５】また蛍光板の解像度をあげるために蛍光体
を分割した例を図１１に示す。図１１において、１１ａ
は画素に対応させて分割された蛍光体、１１ｂは分割部
材を示す。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
成では以下の問題点があった。

【０００７】Ｘ線の利用効率を良くするためには蛍光板
１０１の厚さを増し、ここでの吸収を増加させることが
必要である。ところが従来の図１０に示す放射線撮像装
置では、蛍光板１０１の膜厚を増加させると蛍光体内で
の光の散乱が大きくなり解像度が悪くなるので蛍光体の
膜厚を十分大きくすることができなかった。つまり蛍光
板の蛍光膜に使用する蛍光体の量を増すことによって、
感度を高くすると反対に鮮鋭度が低下してしまうという
問題があった。

【０００８】また従来の放射線撮像装置で蛍光体を分割
して解像度をあげようとすると、画素の開口率が減少し
て、感度が落ちてしまうという問題があった。たとえば
医療の胸部撮影用に１００μｍピッチの画素とする場
合、分割のための壁材は高さが２００μｍ、幅が１０μ
ｍ程度で作成するのが限度である。特にアスペクト比
（高さと幅の比）を大きくすると作成が困難になる。図
１１に示したような分割では、画素の開口率は８０％が
限度となる。

【０００９】しかも１画素に１個の分割蛍光体を対応さ
せるためには貼り合わせ時に蛍光体と撮像素子のアライ
メントをとる必要があり、工程の負荷が大きくなるとい
う問題があった。とくに大面積の撮像装置を作成する場
合にアライメントを合せても、蛍光体と画素のピッチず
れを起こしてしまい、画素ごとに蛍光体による光量がば
らつき、モアレ等を起こしてしまうという問題があっ
た。

【００１０】本発明は、画質を低下させることなく高感
度な画像が得られる放射線撮像装置と蛍光体構造物を提
供することを目的とする。

【００１１】また本発明は、高解像度と高感度化を実現
するための蛍光体構造物を実現するコストのかからない
簡便な構造を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段および作用】本発明の蛍光
体構造物は、基板上に複数の柱状体が設けられ、該柱状
体の間に、入射する電磁波を異なる波長の光に変換する
蛍光体が充填されてなる蛍光体構造物である。

【００１３】本発明の放射線撮像装置は、入射する放射
線を異なる波長の光に変換する蛍光体構造物と、該蛍光
体構造物からの光を電気信号として検出する撮像素子
と、を備えた放射線撮像装置であって、前記蛍光体構造
物は、上記本発明の蛍光構造物である放射線撮像装置で
ある。

【００１４】本発明の放射線撮像システムは、本発明の
放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処
理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を
記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信
号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段から
の信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を
発生させるための放射線源とを具備することを特徴とす
る放射線線撮像システムである。

【００１５】本発明によれば、簡便な方法と構造で高い
アスペクト比の柱状物体をもって蛍光体の感度を犠牲に
せずに、解像度を大幅に改善できる。

【００１６】また放射線とはＸ線やα，β，γ線等をい
い、電磁波とは前記放射線、可視光、赤外線、紫外線等
を含むものであり、光は可視光、赤外線、紫外線等を含
むものである。

【００１７】なお、円錐状、角錐状、切断円錐状等の形
状であっても幅と高さの比（アスペクト比）がある程度
高くなると、細長い物体つまり柱状とみなすことがで
き、本願における柱状体とはこのような形状もふくまれ
る。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。

【００１９】（実施例１）図１は１画素の上に円柱状物
体を配置した本発明による構造の概念図である。図１に
おいて蛍光体は省略されている。

【００２０】図１において、１０１は直径１０μｍの
（柱状体となる）円柱状物体であり、１画素あたり平均
１３本入るように配置される。１０２は画素境界、１０
３は１画素領域である。図７に本実施例による放射線撮
像装置の斜視図を示す。図７において、７０１は図１の
円柱状物体１０１を蛍光体７０３内に配置した蛍光体構
造物、７０３は樹脂に分散させた蛍光体、７０４は撮像
素子、７０５は周辺回路を含む実装領域である。矢印は
Ｘ線の照射を示す。

【００２１】本実施例では、撮像素子として複数の画素
を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。画素は１００
μｍのピッチで配置されている。

【００２２】ＣＭＯＳ型撮像素子は、ホトダイオード等
の光電変換素子、この光電変換素子からの電荷を転送す
る転送用ＭＯＳトランジスタ、この電荷に対応する信号
を読み出す増幅用ＭＯＳトランジスタ、増幅用ＭＯＳト
ランジスタの入力部をリセットするリセット用ＭＯＳト
ランジスタ、画素を選択する選択用トランジスタ等から
構成される画素を複数配列することで画素領域が構成さ
れるものである。

【００２３】次に、図５（ａ）から図５（ｆ）、図６
（ａ），（ｂ）を用いて、本発明に係る放射線撮像装置
の製造方法を説明する。

【００２４】工程（ａ）図５（ａ）に示すように、基板５０３上にポリメチルメ
タクリレートＰＭＭＡを主成分とする厚さ２００μｍの
レジスト層５０２を設け、次に柱状物体の所望の配列パ
ターンを有するＸ線用マスク５０１を通して、シンクロ
トロン放射光（波長２〜５Å程度のＸ線）を用い、レジ
スト層５０２を露光する。Ｘ線露光技術を用いること
で、アスペクト比（高さと幅の比）が大きいレジストパ
ターンを形成することができる。

【００２５】工程（ｂ）図５（ｂ）に示すように、露光したレジスト層５０２を
有する基板５０３を現像し、所望のパターンに配列され
たレジストパターン５０４を形成する。レジストパター
ンは円柱状である。複数のレジストパターンは、撮像素
子の１画素あたり１３本入るピッチで形成される。

【００２６】工程（ｃ）図５（ｃ）に示すように、工程（ｂ）において形成され
たレジストパターン５０４に従って、電鋳、電気メッキ
または無電解メッキ等を使って、ニッケル（Ｎｉ）、銅
（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属５０５を堆積する。

【００２７】工程（ｄ）図５（ｄ）に示すように、基板５０３およびレジストパ
ターン５０４を除去することにより、複数の穴部を有す
る金型５０６を得る。

【００２８】工程（ｅ）図５（ｅ）に示すように、工程（ｄ）において作製され
た金型５０６を用い、射出成型法やトランスファー成型
法等の公知の成型技術を用い、金型の複数の穴部に樹脂
を充填しつつ、金型の表面を覆うように、樹脂を設け
る。金型を除去することにより、樹脂からなる柱状物体
５０７を有する蛍光体構造物を形成する。

【００２９】工程（ｆ）図５（ｆ）に示すように、工程（ｅ）で作成した樹脂か
らなる柱状物体５０７の表面に電鋳等により、Ｘ線等の
放射線により蛍光体中で発生した可視光を反射すること
のできる材料、たとえば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）等の金属層５０８を形成する。

【００３０】以上の工程により図６（ａ）に示す蛍光体
構造物基板を作製する。

【００３１】さらにＧｄ₂Ｏ₂Ｓの粉末状蛍光体を分散
させた光硬化型樹脂を蛍光体構造物基板にスキージ等で
充填し、しかる後に紫外線を照射し、光硬化型樹脂を硬
化させる。

【００３２】これにより図６（ｂ）に示す蛍光体構造物
を作製する。そして、図６（ｂ）の蛍光体構造物を、Ｃ
ＭＯＳ型撮像素子の上に貼り合わせることにより図７の
放射線撮像装置が作製される。

【００３３】次に本実施例の作用を図８，図９を用いて
説明する。図８は４画素の概略平面図を示す。１００μ
ｍピッチで配列した画素１０３中に平均１３本の柱状物
体１０１がある。このとき柱状物体で光を利用できない
面積比は画素あたり平均１３％であるので画素あたりの
いわゆる開口率はおよそ８７％である。Ｘ線フォトンが
蛍光体の×印の点に入射すると可視光が矢印の様にあら
ゆる方向に向かって発生する。従来はこれらの光のうち
画素に対して平行な方向に広がる光がボケの原因になっ
ていた。しかしながら本実施例によると、画素に対して
平行な方向に広がる光は、蛍光体中に設けられた柱状物
体に遮られ、反射される。大部分の光は１００μｍ以上
に届くことはなく解像度の低下はわずかである。図９に
示すように解像度の指標を示すＭＴＦ（Modulation Tra
nsfer Function）を測定すると本発明のＭＴＦは従来の
ものに比べ大幅に改善された。この結果光量は十分多く
感度が高く、しかも十分な解像度を実現することができ
た。

【００３４】本実施例では柱状物体の表面や基板の内面
に金属層を設けて、蛍光体からの光を撮像素子に効率よ
く導くことができる。

【００３５】画素は１００μｍピッチで配置され、一方
柱状物体配列の平均ピッチは画素のピッチよりも十分小
さいピッチとなっているので、蛍光体構造物と撮像素子
を貼り合わせる場合、アライメントの必要がない。この
とき複数の柱状物体は、撮像素子の１画素あたり平均１
３本入るピッチで形成されるので、各画素当りの蛍光体
からの光量は十分均等になる。

【００３６】本実施例の製法では垂直に形成する場合が
最も容易なので、柱状物体は撮像素子に対して垂直にな
るように配列したが、蛍光体中の光が反射されて撮像素
子に入射すればよいので、垂直配列には限定されない。
ただし斜めになっているものは効果が薄く概略垂直に配
列することが望ましい。

【００３７】本実施例に用いられる撮像素子として、Ｍ
ＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型撮像素
子等が挙げられるが、ＣＭＯＳ型撮像素子が特に好適で
ある。ＣＭＯＳ型撮像素子は消費電力が少ないので大板
にした場合発熱が押さえられ、ランダムアクセス，画素
加算等が容易に実現できるので画格や読取り画素サイズ
を自由に変えられ、医療での応用の場合動画で局所的な
部位を粗くみる透視モードや，広い範囲で細かく見る静
止画モードがあり、これらのモード切り替えを行うこと
が容易になる等の利点がある。

【００３８】本実施例では柱状物体の表面や基板の内面
に金属層を設けたが、蛍光体からの光を吸収する樹脂
（例えば前記ポリメチルメタクリレートＰＭＭＡを主成
分とする樹脂にカーボン粉末を添加した黒色のＸ線用レ
ジストを用いて前記と同様な方法で形成する）で柱状物
体を構成しても、同様の効果を発揮する。またこの場合
ポリメチルメタクリレートＰＭＭＡを主成分とするレジ
スト層をパターニングして形成した柱状物体の表面や基
板の内面に蛍光体からの光を吸収する部材としてカーボ
ン層を蒸着法で設けても同様の効果を発揮する。柱状物
体の断面は円形、矩形を問わず、それぞれが独立した柱
状物体であれば、同様の効果を発揮する。

【００３９】柱状物体の平均ピッチが撮像素子の画素の
ピッチよりも大きくしても、本発明の効果は発揮され
る。この場合は、撮像装置の解像度は柱状物体の配列ピ
ッチだけで決定される。複数の画素の出力を加算して、
柱状物体の平均配列ピッチより配列ピッチの大きい新し
い画素の出力として利用すれば良い。

【００４０】柱状物体は配列ピッチがランダムになるよ
うに配置されても同様の効果を発揮する。

【００４１】前記柱状物体はＸ線を遮蔽する鉛やタング
ステン、金などの比較的重い元素からなる金属を使っ
て、これをエッチングで構成することもできる。Ｘ線が
物体に当ったあとの不要な散乱線が蛍光体で吸収される
ことが減少し解像度を落とすこともなくなる。

【００４２】（実施例２）図２は同一形状の矩形柱状物
体２０１を向きを揃えて配列した場合を示す斜視図であ
る。図３は同一形状の矩形柱状物体３０１を向きを変え
て配列した場合を示す斜視図である。図４は断面積の異
なる矩形柱状物体４０１を向きを揃えて配列した場合を
示す斜視図である。図２〜図４において、２０１，３０
１，４０１は（柱状体となる）矩形柱状物体、２０３，
３０３，４０３は１画素領域である。

【００４３】これらの例では撮像素子の１画素あたり７
から８本入るピッチで矩形柱状物体は設置される。放射
線撮像装置の全体は実施例１の図７に示したものと同様
である。また本実施例では、撮像素子として複数の画素
を含むＣＭＯＳ型撮像素子を用いている。画素は１００
μｍのピッチで配置されている。

【００４４】本実施例に係る放射線撮像装置は基本的に
実施例１と同様な工程で作製することができる。

【００４５】柱状物体の高さは２００μｍ、断面は矩形
をしている。

【００４６】柱状物体の表面、基板の内面には蛍光体中
で発生した可視光を反射することのできる金Ａｕ、ニッ
ケルＮｉ等の金属を形成する。

【００４７】蛍光体構造物を、ＣＭＯＳ型撮像素子の上
に貼り合わせることにより放射線撮像装置が作製され
る。

【００４８】次に本実施例の作用を説明する。

【００４９】１００μｍピッチで配列した画素中に平均
７から８本の矩形柱状物体がある。このとき開口率はお
よそ８５％である。

【００５０】同一形状の矩形柱状物体を向きを揃えて配
列した場合、ある一方向の解像度を特に高めることがで
きる。この方向に関しては連続した壁を設置した場合に
近い効果を示す。撮像装置の走査方向によって解像度を
変えたい場合に好適な構造である。

【００５１】同一形状の矩形柱状物体を向きを変えて配
列した場合、方向による解像度の差はなくすことができ
る。円柱に対して反射面が平面で、反射方向の断面積が
広いので、光の広がりかたが少なく解像度が上がる。

【００５２】断面積の異なる矩形柱状物体を向きを変え
て配列した場合、円柱状の柱状物を配置した場合と同一
形状の矩形柱状物体を向きを変えて配列した場合の中間
的な作用を示す。

【００５３】本実施例の場合も大部分の光は１００μｍ
以上に届くことはなく解像度の低下はわずかである。こ
の結果光量は十分多く感度が高く、しかも十分な解像度
を実現することができた。

【００５４】本実施例では柱状物体の表面や基板の内面
に金属層を設けて、蛍光体からの光を撮像素子に効率よ
く導くことができる。

【００５５】画素は１００μｍピッチで配置され、一方
柱状物体配列の平均ピッチは画素のピッチよりも十分小
さいピッチとなっているので、蛍光体構造物と撮像素子
を貼り合わせる場合、アライメントの必要がない。この
とき複数の柱状物体は、撮像素子の１画素あたり平均７
から８本入るピッチで形成されるので、各画素当りの蛍
光体からの光量は十分均等になる。

【００５６】本実施例に用いられる撮像素子として、Ｍ
ＯＳ型撮像素子、ＣＭＯＳ型撮像素子、ＣＣＤ型撮像素
子等が挙げられるが、ＣＭＯＳ型撮像素子が特に好適で
ある。ＣＭＯＳ型撮像素子は、消費電力が少ないので大
板にした場合発熱が押さえられ、ランダムアクセス，画
素加算等が容易に実現できるので画格や読取り画素サイ
ズを自由に変えられ、医療での応用の場合動画で局所的
な部位を粗く見る透視モードや，広い範囲で細かく見る
静止画モードがあり、これらのモード切り替えを行うこ
とが容易になる等の利点がある。

【００５７】本実施例では柱状物体の表面や基板の内面
に金属層を設けたが、蛍光体からの光を吸収する樹脂で
柱状物体を構成しても、同様の効果を発揮する。また柱
状物体の表面や基板の内面に蛍光体からの光を吸収する
部材を設けても同様の効果を発揮する。

【００５８】柱状物体の平均ピッチが撮像素子の画素の
ピッチよりも大きくしても、本発明の効果は発揮され
る。この場合は、撮像装置の解像度は柱状物体の配列ピ
ッチだけで決定される。複数の画素の出力を加算して、
柱状物体の平均配列ピッチより配列ピッチの大きい新し
い画素の出力として利用すれば良い。

【００５９】柱状物体は配列ピッチがランダムになるよ
うに配置されても同様の効果を発揮する。

【００６０】前記柱状物体はＸ線を遮蔽する金属で構成
することもできる。Ｘ線が物体に当ったあとの不要な散
乱線が蛍光体で吸収されることが減少し解像度を落とす
こともなくなる。

【００６１】次に、本発明による放射線撮像装置を用い
た放射線検出システムについて説明する。ここでは放射
線撮像装置の一例としてＸ線撮像装置を取り挙げて説明
する。

【００６２】図１２は本発明によるＸ線検出装置のＸ線
診断システムへの応用例を示したものである。

【００６３】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、本発明による蛍光体構造物を上部に実装した光電
変換装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患
者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射
に対応して蛍光体は発光し、これを光電変換して、電気
的情報を得る。この情報はディジタルに変換されイメー
ジプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディ
スプレイ６０８０で観察できる。

【００６４】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００により記録手段となるフィルム６１１０に記
録することもできる。

【００６５】

【発明の効果】本発明により画質を低下させることなく
高感度な画像が得られる放射線撮像装置、放射線撮像シ
ステムおよび蛍光体構造物を提供することができた。

【００６６】高解像度と高感度化を実現するために蛍光
体構造物を実現するコストのかからない簡便な構造を提
供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】１画素の上に円柱状物体を配置した本発明にな
る構造の概念図を示す斜視図である。

【図２】同一形状の矩形柱状物体２０１を向きを揃えて
配列した場合を示す斜視図である。

【図３】同一形状の矩形柱状物体３０１を向きを変えて
配列した場合を示す斜視図である。

【図４】断面積の異なる矩形柱状物体４０１を向きを変
えて配列した場合を示す斜視図である。

【図５】（ａ）から（ｆ）は本発明に係る放射線撮像装
置の製造方法を示す断面図である。

【図６】（ａ），（ｂ）は本発明に係る放射線撮像装置
の製造方法を説明する斜視図である。

【図７】本実施例による放射線撮像装置の斜視図であ
る。

【図８】本発明の作用を説明する図である。

【図９】ＭＴＦの測定結果を示す特性図である。

【図１０】従来の構成を説明する斜視図である。

【図１１】蛍光体の解像度をあげるために蛍光体を分割
した例を示す斜視図である。

【図１２】本発明によるＸ線検出装置のＸ線診断システ
ムへの応用例を示した図である。

【符号の説明】

１０１円柱状物体１０２画素境界１０３１画素領域２０１，３０１，４０１矩形柱状物体２０３，３０３，４０３１画素領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｎ 5/321 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ (72)発明者結城修東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者梶原賢治東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者海部紀之東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 FF04 FF05 FF06 GG19 JJ05 JJ37 4M118 AA01 AA10 AB01 BA10 BA14 CA02 CB11 FA06 GA09 GA10 GC20 5C024 AX12 AX16 CX37 CX41 GX03 GY31 5F088 AA01 BB07 EA04 HA09 JA17 LA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に複数の柱状体が設けられ、該柱
状体の間に、入射する電磁波を異なる波長の光に変換す
る蛍光体が充填されてなる蛍光体構造物。
【請求項２】前記柱状体は、配列ピッチがランダムに
なるように配置されることを特徴とする請求項１に記載
の蛍光体構造物。
【請求項３】前記柱状体は、Ｘ線を遮蔽する部材を有
することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蛍
光体構造物。
【請求項４】前記柱状体は、前記蛍光体からの光を反
射する部材を有することを特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の蛍光体構造物。
【請求項５】前記柱状体は、前記蛍光体からの光を吸
収する部材を有することを特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の蛍光体構造物。
【請求項６】入射する放射線を異なる波長の光に変換
する蛍光体構造物と、該蛍光体構造物からの光を電気信
号として検出する撮像素子と、を備えた放射線撮像装置
であって、前記蛍光体構造物は、請求項１から請求項５
のいずれかの請求項に記載の蛍光構造物である放射線撮
像装置。
【請求項７】前記撮像素子は一定の配列ピッチの複数
の画素を有し、前記柱状体の平均配列ピッチが前記画素
の前記配列ピッチよりも小さいことを特徴とする請求項
６に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】前記撮像素子は一定の配列ピッチの複数
の画素を有し、前記柱状体の前記平均配列ピッチが前記画素の前記配列
ピッチよりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の
放射線撮像装置。
【請求項９】請求項６から請求項８のいずれかの請求
項に記載の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段と、前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする放射線線撮像システム。