JP2002105636A - プラズマ発光モニターで制御されたスパッタ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応性スパッタ装置では、金属ターゲット表
面が反応ガスと反応して制御が難しい。その成膜制御の
ためプラズマ発光モニターが利用され、プラズマ状態と
ターゲットの表面反射状態とを監視している。しかしな
がら、ターゲット表面にノジュール（黒色の突起物）が
あるとターゲット表面の反射率が低下してプラズマ発光
モニターが誤動作する。 【解決手段】 上記ターゲット表面のノジュールを除去
する工程を有することで誤動作を回避する。具体的に
は、物理化学的にＡｒガスのみでスパッタ除去するか、
機械的に研磨して除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発光モニ
ターで制御されたスパッタ方法に関するものであり、特
に光沢のある金属ターゲットを用いて透明導電膜を成膜
する反応性スパッタ方法に好適に適用できるものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ＵＳＰ４，３５６，０７３号公報やＵＳ
Ｐ４，４２２，９１６号公報に見られる円筒状の回転タ
ーゲットを用いたＤＣマグネトロン反応性スパッタ装置
においては、ターゲット材料の利用効率が従来の平板タ
ーゲットに比べて、約２．５〜３倍程度であると言われ
ている（機能材料 １９９１年３月号 Ｖｏｌ．１１Ｎ
ｏ．３ Ｐ３５〜４１「透明導電膜用ターゲット材
料」）。

【０００３】これはターゲット材料が節約できること、
ターゲット交換に伴う生産停止時間が減少することを意
味する。従って、上記回転ターゲットを用いた反応性ス
パッタ装置は大量生産に適している。

【０００４】しかしながらこの反応性スパッタでは、成
膜条件、特にガスの流量の適正範囲が極めて狭く、成膜
の制御が極端に難しいという欠点があった。

【０００５】上記欠点を改善した例として、プラズマ発
光モニターを用いた反応性スパッタ装置が知られている
（Ｓ．Ｓｃｈｉｌｌｅｒ，Ｕ．Ｈｅｉｓｉｇ，Ｃｈｒ．
Ｋｏｒｎｄｏｆｅｒ，Ｊ．Ｓｔｕｍｐｆｅｌ，Ｖ．Ｋｉ
ｒｃｈｈｏｆｆ“Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ ｔｈｅ Ａ
ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ＰｌａｓｍａＥ
ｍｉｓｓｉｏｎ Ｍｏｎｉｔｏｒ ｉｎ Ｗｅｂ Ｃｏ
ａｔｉｇ”（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
２^nd Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ Ｖａｃｕｕｍ Ｗｅｂ Ｃｏａｔｉｎｇ，
Ｆｏｒｔ Ｌａｕｄｅｒｄａｌｅ，Ｆｌｏｒｉｄａ，Ｕ
ＳＡ，Ｏｃｔ．１９８８））。

【０００６】このプラズマ発光モニターは、プラズマ発
光をコリメーターで集光し分光器を介して光電子倍増管
（フォトマルチプライヤー）で光電変換した電気信号に
よりプラズマ状態を監視する装置である。プラズマ発光
モニターの光電子倍増管の感度をある値に設定し、プラ
ズマの発光強度が一定となるよう反応性ガスの導入流量
を調節する機能を持っている。例えばＩＴＯ膜を作るに
は、Ｉｎのプラズマ発光強度（波長＝４５１．１ｎｍ）
が一定となるように、反応性ガス（Ｏ₂）の導入流量を
調整して均質な膜を形成する。

【０００７】また、プラズマの発光強度が一定になるよ
うにＡｒガスの導入流量を調整する方法も提案されてい
る（特開昭６１−１７６０１０号公報）。

【０００８】いずれにしても、プラズマ発光モニターの
導入で反応性スパッタ装置の制御は飛躍的に向上した。

【０００９】さらに、長時間スパッタしていると合金タ
ーゲット表面での黒色突起物（ノジュール）の発生が問
題になっている。ターゲット・メーカーではこの対策と
して粉末冶金法やボンディング技術について改良がなさ
れている。特に、ターゲットの密度を高くして、ターゲ
ット表面のノジュールの発生を抑えている（前述の機能
材料 １９９１年３月号「透明導電膜用ターゲット材
料」参照）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マ発光モニターで制御されたスパッタ装置の上記従来例
において、高密度のＩｎ−Ｓｎ合金ターゲットを用いて
も長時間に渡って透明導電膜ＩＴＯを成膜すると、安定
して成膜する機能、即ち再現性が損なわれるという問題
が生じていた。

【００１１】本発明の目的は、特にＩｎ−Ｓｎ合金のよ
うな光沢のあるターゲットで長時間に渡ってスパッタを
実施しても、均一で均質な透明導電膜が基板に安定的に
製造できるスパッタ方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記円筒状
の回転ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ装
置に関し、Ｉｎ−Ｓｎ合金ターゲットを用いてプラズマ
発光モニターで制御された反応性スパッタ法について鋭
意検討した。

【００１３】その結果、高密度のＩｎ−Ｓｎ合金ターゲ
ットを用いても、長時間に渡って透明導電膜ＩＴＯを成
膜すると、やはりターゲット表面にノジュール（黒色突
起物）が発生しており、このノジュールが発生し表面が
黒化した部分の反射率は低下するため、プラズマ発光の
うち「ターゲット表面で反射してコリメーターに入射す
る発光強度」の実効値が低下し、プラズマ発光モニター
の信号出力が低下していることが分かった。つまり、プ
ラズマ発光モニターはプラズマ発光強度の監視だけでな
く同時にターゲットの表面反射状態も監視しており、タ
ーゲット表面にノジュールが発生すると、プラズマ発光
モニターはプラズマの発光強度が低下したと認識し、誤
動作することが判明した。

【００１４】本発明は、本発明者による上記知見に基づ
き成されたものであり、プラズマ発光モニターで制御さ
れたスパッタ方法において、ターゲット表面のノジュー
ル（黒色突起物）を除去する工程を有することを特徴と
する。

【００１５】また、本発明は、ノジュールを除去する工
程として、反応性ガスを導入せずスパッタガスのみでタ
ーゲット表面をスパッタする工程、または／及び、ター
ゲット表面を機械的に研磨する工程を有することを特徴
とする。

【００１６】また、本発明のスパッタ方法は、透明導電
膜の成膜方法であることを特徴とする。

【００１７】本発明によれば、ターゲット表面のノジュ
ールを除去することにより、元の金属光沢が表われ、プ
ラズマ発光がターゲット表面で反射してプラズマ発光モ
ニターのコリメーターに入射する発光強度の実効値が元
に戻るため、プラズマ発光モニターの誤動作を回避させ
ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例を説明
する。

【００１９】なお、以下の説明は反応性スパッタ法につ
いてのものであるが、ターゲットに光沢があり、プラズ
マ発光モニターで制御されるスパッタ法ならば、その方
式は限定されるものではない。

【００２０】本発明のスパッタ方法における最大の特徴
は、ターゲット表面の黒化したノジュールを除去し、プ
ラズマ発光モニターの誤動作を回避させる点にある。

【００２１】本発明において、ターゲット表面のノジュ
ール（黒色突起物）を除去する第１の方法としては、反
応性ガスを導入せずスパッタガスのみでターゲット表面
をスパッタする方法が挙げられる。

【００２２】ノジュール（黒色突起物）は、反応性ガス
（例えばＯ₂）がある場合にターゲット表面に飛躍的に
発生するため、反応性ガスを導入しない状況でスパッタ
ガス（例えばＡｒガス）のみでスパッタすることによ
り、ターゲット表面のノジュールを効果的に除去するこ
とができる。

【００２３】この場合、ノジュール除去工程のタイミン
グは、例えば長尺基板に成膜を行う際には、ロール単位
で成膜前にノジュール除去工程を入れても良いし、１ロ
ールの成膜をいくつかに分割して成膜途中にノジュール
除去工程を入れても良い。その場合の判断基準は、ノジ
ュールの発生頻度や必要とされるプラズマ発光モニター
の精度等により適宜選択される。

【００２４】本発明において、ターゲット表面のノジュ
ール（黒色突起物）を除去する第２の方法としては、タ
ーゲット表面を機械的に研磨する方法が挙げられる。こ
の場合、例えば所定の成膜が完了して基板を大気に取出
すときにターゲットの表面を機械的に研磨することがで
きる。

【００２５】ターゲット表面を機械的に研磨する方法と
しては、円筒状ターゲットを所定の回転速度で回転さ
せ、ノジュールを小型回転研磨機、サンドペーパー、ス
クレーパー等の研磨手段を用いて除去する方法が好まし
い。これにより、ターゲット表面を全体的に均一に研磨
して、金属光沢を取り戻すことができる。

【００２６】上記研磨方法を例えばＩｎ−Ｓｎ合金ター
ゲットに実施すると、Ｉｎ−Ｓｎ合金が柔らかく粘りが
あるため、研磨手段が目詰まりを起す場合がある。この
ような場合、研磨手段の使用面積を大きくしてターゲッ
ト表面が一様に研磨されるようにするのが好ましい。ま
た、プラズマ発光モニターのコリメーターが狙っている
位置とそれ以外の位置でターゲットの研磨状況に大きな
差異があると、膜厚ムラとなる可能性があるので、研磨
状況と膜厚ムラとの関係を予め確認しておく必要があ
る。従って、その研磨状況を写真などで記録し、作業を
管理する目安とすることが望ましい。

【００２７】本発明においては、ノジュール除去工程と
して、前記第１の方法と第２の方法を併用することが好
ましい。その理由は、前記第１の方法のみではプラズマ
によるエロージョン（侵食）が大きい位置が必ずしもノ
ジュール密度が高いとは言えないためである。

【００２８】また、ノジュール除去工程を行うの頻度
は、投入する電力、合金ターゲットの密度、ターゲット
のスパッタ時の表面温度等でノジュールの発生状況が複
雑に変化するので、実験的に決めることが望ましい。ま
た、ターゲットを交換した場合には、成膜を行う前にノ
ジュール除去工程を行うことが好ましい。

【００２９】尚、上記ターゲット表面以外にも、例えば
コリメーター内部やその内部に設置された光学部品等の
汚れで同様な発光強度信号の低下が認められる。この場
合もプラズマ発光モニターの精密な制御を行う上で定期
的にクリーニングや部品交換することが望ましい。しか
し、市販のプラズマ発光モニターでは光学部品付近から
Ａｒガスを吹出すなどの光学部品の防着対策が実施され
ている。したがって、上記ノジュールに比べてはるかに
小さい影響である。

【００３０】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。

【００３１】（実施例１）本実施例は、Ｒｏｌｌ ｔｏ
Ｒｏｌｌスパッタ装置により長尺基板上にＩＴＯ膜を
成膜する際、適宜のタイミングでスパッタガスのみでタ
ーゲット表面をスパッタしてノジュールを除去した実施
例である。

【００３２】最初にノジュール除去の手順を、図１の工
程図を用いて説明する。

【００３３】図１の右側において、「長尺基板のセッ
ト」→「真空室の排気」→「ノジュール除去」→「ＩＴ
Ｏ成膜」→のループに沿って矢印の順に工程が進む。こ
こで、「ノジュール除去」をロール単位でやっても良い
し（図１中のの矢印の順）、１ロールの成膜をいくつ
かに分割して成膜途中に「ノジュール除去」を入れても
良い（図１中のの矢印の順）。

【００３４】図１の左側に表記された工程はターゲット
を交換した場合にのみ実施される。この工程の中にある
「Ａｒスパッタ」とは、基本的に本実施例の「ノジュー
ル除去」工程と同一である。この図１の左側に表記され
た工程は、本発明の目的とする再現性の良さを得るため
の手段として実施することが望ましい。その理由は、タ
ーゲット表面の光沢が同一なほど、プラズマ発光モニタ
ーの信号を信頼して精密な制御が可能となるためであ
る。つまり、ターゲット交換直後の１回目の成膜前か
ら、いわゆる「Ａｒスパッタ（ノジュール除去）」工程
を入れることにより、成膜直前に必ず「ノジュール除
去」工程が入るため、ターゲット表面の光沢が同一な状
態で成膜することができるからである。

【００３５】次に、本実施例で用いたＲｏｌｌ ｔｏ
Ｒｏｌｌスパッタ装置について説明する。

【００３６】図２は本実施例における円筒型の回転ター
ゲットを用いた反応性スパッタ装置の断面図である。真
空室２０４は、基板送り出し室２１３、成膜室２１４、
基板巻取り室２１５で構成され、それぞれ不図示の真空
ポンプで排気できる。長尺基板２０１は基板送り出しロ
ール２０２に巻かれ、アイドラー２１６を介して、不図
示の搬送手段によって左から右の方向に搬送され、ステ
アリング機構２１７により基板巻取りロール２０３に整
列して巻取られる。

【００３７】カソード電極２０６は円筒状で、その周囲
にターゲット２０５がボンディングされている。カソー
ド電極２０６の内部には、マグネット２０７と不図示の
冷却手段が設けられている。直流電源２０８は真空室２
０４がアノードとなるように接続され、カソード電極２
０６と真空室２０４との間に電力が印加される。

【００３８】ヒーター２１０、２１１はシースヒーター
を用いた。ヒーター２１０はカソード電極２０６より少
し基板送り出しロール２０２方向に配置し、ヒータ２１
１はカソード電極２０６の真上に配置した。そして、ヒ
ーター２１０はヒーター２１１よりも電気容量の大きい
ものを取り付けた。特にヒーター２１１の直下では、長
尺基板２０１には上からヒータの熱、下からプラズマの
熱が流入する。そこで長尺基板２０１の裏面（図２の上
側の面）の温度を熱電対の接触で測定する。そして、こ
の温度が一定となるようにヒーター２１０、２１１の電
力を制御する。

【００３９】また、膜厚計２０９は光学干渉式膜厚計を
用いた。

【００４０】上記のように構成された装置の運転は、自
動でも手動でも良いが、いずれの場合でも安全のための
インターロック機構を取り付けることが好ましい。

【００４１】上記の装置は次の手順で運転される。

【００４２】先ず、長尺基板２０１が巻き取られた基板
送り出しロール２０２を基板送り出し室２１３にセット
する。そして長尺基板２０１を基板送り出し室２１３、
成膜室２１４、基板巻き取り室２１５の順に引き回し、
基板巻き取りロール２０３に固定し、２〜３回、回転さ
せる。そして不図示の張力発生機構により長尺基板２０
１にテンションをかける。

【００４３】また、長尺基板２０１を導電性の基板とし
て電気的に絶縁する場合、テンションをかけた直後に絶
縁状態の確認をする。

【００４４】次に、不図示の真空ポンプで成膜室２１４
を真空度１０^-3Ｐａ台になるまで排気する。そしてＡｒ
ガスを導入し、真空度を０．３Ｐａとする。

【００４５】さらにヒーター２１０、２１１に通電し、
２つのヒーター直下の前記長尺基板２０１の裏面温度が
それぞれ２１５℃、２００℃となるよう、ヒーター２１
０、２１１の出力を制御する。ヒーター２１０、２１１
の通電から１時間経過した後、ＤＣ電源２０８よりカソ
ード電極２０６に１．８ｋＷの電力を印加する。

【００４６】そしてＡｒ放電の生起を確認できたらＯ₂
ガスを導入し、この長尺基板２０１を搬送速度１．５ｍ
／分で搬送する。さらにプラズマ発光モニター２１８の
光電子倍増管の感度を調整する。プラズマ発光モニター
としては、ＡＲＤＥＮＮＥＡＮＬＡＧＥＮ ＴＥＣＨＮ
ＩＫ社製のＰＥＭ０４を使用した。

【００４７】光電子倍増管の感度調整の方法は、Ａｒガ
スのみで放電させ、プラズマ発光強度（Ｉｎｔｅｎｓｉ
ｔｙ）が９００となるように光電子倍増管のゲインを調
整した。

【００４８】その調整後に再度Ｏ₂ガスを導入し、成膜
を開始する。搬送により成膜部分が膜厚計２０９上部に
到達したら、膜厚計の表示が６０ｎｍになるようにプラ
ズマ発光強度の目標値を調整する。必要に応じてこの調
整を行い透明導電膜を製造する。所望の長さの長尺基板
２０１の成膜が終了したら、Ｏ₂ガス、Ａｒガス、ＤＣ
電源２０８、ヒーター２１０、ヒーター２１１を全て停
止させる。さらに長尺基板２０１の搬送を停止し、１時
間自然冷却した後、真空室２０４を大気圧に戻して、製
品を取り出す。

【００４９】次に、図２の装置を用い、成膜室２１４に
反応性ガス（Ｏ₂ガス）を導入せずスパッタガス（Ａｒ
ガス）のみでターゲット２０５をスパッタしてノジュー
ル除去を行った場合と、このノジュール除去を行わない
場合の光電子倍増管の感度を測定し、本発明による効果
を確認した。

【００５０】具体的には、同一のプラズマ発光となるよ
うＡｒガスのみで１．８ｋＷのＤＣ電力を印加した場合
の光電子倍増管の感度の不安定性で比較したところ（デ
ータ数＝２０）、ノジュールを除去しない場合には光電
子倍増管の感度＝４９０Ｖ±１１２Ｖであったのに対
し、ノジュールを除去した場合には光電子倍増管の感度
＝４４０Ｖ±１１Ｖとなり、本実施例によるノジュール
除去工程を行うことによりロット間の不安定性が約１／
１０となった。

【００５１】次に、図２の装置において長尺基板２０１
としてステンレス鋼板を用い、その上にアモルファスシ
リコン太陽電池（ｎｉｐ構造）を作成し、その最上層は
透明導電膜としてＩＴＯを形成した。

【００５２】このＩＴＯ膜のシート抵抗の不安定性を比
較したところ（データ数＝２０）、ノジュールを除去し
ない場合にはシート抵抗＝１３０〜２９０Ω／□（変動
幅１６０Ω）であったのに対し、ノジュールを除去した
場合にはシート抵抗＝９０〜１４０Ω／□（変動幅５０
Ω）となり、本実施例によるノジュール除去工程を行う
ことによりシート抵抗に関してもロット間の不安定性が
改善された。

【００５３】また、本実施例の場合、大気に戻すことな
く、真空状態でノジュールの除去を行うことができるの
で、生産性が高い。

【００５４】（実施例２）本実施例は、図２の装置によ
り所定のＩＴＯ膜の成膜が完了して長尺基板を大気に取
出すときにターゲットの表面を機械的に研磨してノジュ
ールを除去した実施例である。

【００５５】本実施例では、図１と異なるタイミングで
ノジュール除去を行う。具体的には、「ＩＴＯ成膜」工
程と「長尺基板のセット」工程の間のタイミングで「大
気中においてターゲットの表面を機械的に研磨」してノ
ジュールを除去する。そして、ターゲット表面にノジュ
ールはなくなっているので、「真空室の排気」工程直後
の「ノジュール除去」工程は省略する。

【００５６】ここで、ターゲットを所定の回転速度で回
転させ、小型回転研磨機を用いてターゲット表面を全体
的に均一に研磨することによりノジュールの除去を行っ
た。なお、プラズマ発光モニターのコリメーター２１２
が狙っている位置とそれ以外の位置でターゲットの研磨
状況に大きな差異があると、膜厚ムラとなる可能性があ
るので研磨状況と膜厚ムラとの関係を予め確認しておい
た。

【００５７】その結果、本実施例によるノジュール除去
工程を行うことにより、ロット間の不安定性を実施例１
と同程度に小さく抑えることができた。

【００５８】また、実施例１と同様にＩＴＯ膜を成膜し
たところ、本実施例によるノジュール除去工程を行うこ
とにより、シート抵抗に関しても実施例１と同程度にロ
ット間の不安定性が改善された。

【００５９】（実施例３）本実施例は、実施例１と実施
例２とを複合したものであり、「ノジュール除去」工程
として「反応性ガスを導入せずスパッタガスのみでター
ゲット表面をスパッタする」方法（スパッタ方式）と
「機械的に研磨する」方法（研磨方式）とを有するスパ
ッタ方法である。

【００６０】このスパッタ方法は状況に合わせて適宜２
つの「ノジュール除去」工程を選択できるのでさまざま
な状況に適応可能である。

【００６１】例えば、ターゲットの材質としてＩｎＳｎ
合金を使用する場合、ノジュール除去に関しては、スパ
ッタ方式より研磨方式の方が効果的である。従ってスパ
ッタ方式でノジュール除去が不十分と判断されたとき、
真空室を大気に戻して長尺基板を取り外し、スパッタ方
式の不足部分を研磨方式で仕上げする。

【００６２】ノジュール除去が十分かどうかの判断は次
の２つの手段が好ましい。つまり （１）図２の成膜室２１４に覗き窓を設けてノジュール
の状態を目視確認するか、（２）プラズマ発光モニター
の発光強度信号の減少を記録して、その減少が許容値を
逸脱するかどうか、これ以外の検知手段でも、金属ター
ゲットの光沢状態を検知できるものであれば代替でき
る。

【００６３】また、スパッタ方式は真空加熱状態、研磨
方式は大気状態で使用するのが一般的である。従って、
大気状態から真空加熱状態へ変更する場合の準備時間を
考慮して、工程及びタイミングを決める。

【００６４】さらに、ターゲットの材質によりスパッタ
方式・研磨方式のいずれが効果的か予め実験的に比較し
ておくことが好ましい。

【００６５】さらにまた、ターゲットの表面状態に応じ
てスパッタ方式・研磨方式を使う頻度、組合せ方法、作
業時間等を適宜勘案すればよい。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ターゲット表面のノジュールを除去することでプラズマ
発光モニターへの入射光量の減少を抑制し、そのため透
明導電膜のシート抵抗を一定に保つことが可能となり、
その結果、より長時間に渡る成膜時間でも太陽電池の変
換効率をほぼ一定に保つことができる。

【００６７】さらに成膜の制御が困難と言われている反
応性スパッタ装置のプラズマ発光モニタを活用する手段
が提供されたため、その特徴である高い成膜速度、ター
ゲット材料の節約、ターゲット交換に伴う生産停止時間
の減少等の生産性の良さを活用することが可能となっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるノジュール除去の手順を説明す
るための工程図である。

【図２】本発明の実施例で用いたＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏ
ｌｌスパッタ装置を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

２０１ 長尺基板 ２０２ 基板送り出しロール ２０３ 基板巻取りロール ２０４ 真空室 ２０５ ターゲット ２０６ カソード電極 ２０９ 膜厚計 ２１０，２１１ ヒーター ２１２ コリメーター ２１３ 基板送り出し室 ２１４ 成膜室 ２１５ 基板巻取り室 ２１８ プラズマ発光モニター

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマ発光モニターで制御されたスパ
   ッタ方法において、ターゲット表面のノジュール（黒色
   突起物）を除去する工程を有することを特徴とするスパ
   ッタ方法。
2. 【請求項２】 前記ノジュールを除去する工程が、反応
   性ガスを導入せずスパッタガスのみでターゲット表面を
   スパッタする工程を有することを特徴とする請求項１に
   記載のスパッタ方法。
3. 【請求項３】 前記ノジュールを除去する工程が、ター
   ゲット表面を機械的に研磨する工程を有することを特徴
   とする請求項１に記載のスパッタ方法。
4. 【請求項４】 前記ノジュールを除去する工程が、反応
   性ガスを導入せずスパッタガスのみでターゲット表面を
   スパッタする工程と、ターゲット表面を機械的に研磨す
   る工程とを有することを特徴とする請求項１に記載のス
   パッタ方法。
5. 【請求項５】 前記スパッタ方法は透明導電膜の成膜方
   法であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに
   記載のスパッタ方法。