JP2002100655A - テープキャリア及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
テープキャリア及びこれを用いた半導体装置Info
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ガラス転移温度が高い接着剤を使用し、絶縁フ
ィルムの透明性を向上させてＬＳＩチップの位置決めを
容易にし、更にフリップチップ接合時の耐熱性に耐え、
しかも配線ピッチが５０μｍを超えて微細になってもリ
ード強度が低下せず、従って配線の浮き上がりによる剥
離を防止して製品の歩留と生産性を向上させる。 【解決手段】絶縁フィルム１５に接着剤３を介して貼り
合わせた銅箔に配線パターン２０を形成し、ＬＳＩチッ
プ１０をフリップチップ接合するためパターン面にめっ
きを設けたテープキャリア１において、前記接着剤３が
吸水率０．２％〜２．７％、且つガラス転移温度１８０
℃以上で、前記絶縁フィルム１５が、光の透過性を示す
指標であるカラーメータのＬ値が３５以上である材料か
ら成る構成とする。
ィルムの透明性を向上させてＬＳＩチップの位置決めを
容易にし、更にフリップチップ接合時の耐熱性に耐え、
しかも配線ピッチが５０μｍを超えて微細になってもリ
ード強度が低下せず、従って配線の浮き上がりによる剥
離を防止して製品の歩留と生産性を向上させる。 【解決手段】絶縁フィルム１５に接着剤３を介して貼り
合わせた銅箔に配線パターン２０を形成し、ＬＳＩチッ
プ１０をフリップチップ接合するためパターン面にめっ
きを設けたテープキャリア１において、前記接着剤３が
吸水率０．２％〜２．７％、且つガラス転移温度１８０
℃以上で、前記絶縁フィルム１５が、光の透過性を示す
指標であるカラーメータのＬ値が３５以上である材料か
ら成る構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明性でフリップ
チップ接続時の位置合わせが容易なデバイスホールのな
いテープキャリアに係り、更に詳しくは、フリップチッ
プ接合時の位置合せに透明性を利用する場合に、カラー
メータのＬ値で透明性が示され、寸法安定性のある絶縁
フィルムを用いたＴＡＢ（Ｔape Automated Bonding ）
用テープキャリア及びこれを用いた半導体装置に関する
ものである。
チップ接続時の位置合わせが容易なデバイスホールのな
いテープキャリアに係り、更に詳しくは、フリップチッ
プ接合時の位置合せに透明性を利用する場合に、カラー
メータのＬ値で透明性が示され、寸法安定性のある絶縁
フィルムを用いたＴＡＢ（Ｔape Automated Bonding ）
用テープキャリア及びこれを用いた半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイの市場拡大に伴
い、そのドライバーとしてＴＡＢテープの需要も急増し
ている。液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は高精度化する傾
向にあり、ＴＡＢテープも軽薄短小化が急激に進んでい
る。
い、そのドライバーとしてＴＡＢテープの需要も急増し
ている。液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は高精度化する傾
向にあり、ＴＡＢテープも軽薄短小化が急激に進んでい
る。
【０００３】ＴＡＢは、高集積ＩＣの実装を効率よく行
うために開発された実装方式であり、長尺状のＴＡＢ用
テープキャリア（ＴＡＢテープ）上に半導体チップを連
続的に実装するものである。最近では、液晶パネル用だ
けでなく、ＣＳＰ（Chip Scale Package）用のＴＡＢテ
ープも注目されている。
うために開発された実装方式であり、長尺状のＴＡＢ用
テープキャリア（ＴＡＢテープ）上に半導体チップを連
続的に実装するものである。最近では、液晶パネル用だ
けでなく、ＣＳＰ（Chip Scale Package）用のＴＡＢテ
ープも注目されている。
【０００４】図７に従来のＴＡＢテープのフリップチッ
プ接続構造を示す。一般にＴＡＢテープは、厚さ５０〜
１２５μｍ、幅３５mmあるいは４８mm、７０mm等の幅を
有する有機ポリイミドテープ、ガラスエポキシテープ等
（吸水率１．４％以下）の絶縁フィルム１５に、パンチ
ング加工によりデバイスホール８および実装時にＴＡＢ
テープ本体を送出すパーフォレーションホール（図示せ
ず）を形成し、この絶縁フィルム１５に厚さ８〜２４μ
ｍの厚さの接着剤３を介して、厚さ１８〜３５μｍの圧
延銅箔あるいは電解銅箔等の銅箔を貼り合わせた後、フ
ォトレジスト・エッチングプロセスによって所定の配線
パターン２０を形成している。次いで、このＣｕ配線パ
ターン２０の銅箔信号層（リード）２に、Ｓｎめっき１
６の無電解めっきを行っている。
プ接続構造を示す。一般にＴＡＢテープは、厚さ５０〜
１２５μｍ、幅３５mmあるいは４８mm、７０mm等の幅を
有する有機ポリイミドテープ、ガラスエポキシテープ等
（吸水率１．４％以下）の絶縁フィルム１５に、パンチ
ング加工によりデバイスホール８および実装時にＴＡＢ
テープ本体を送出すパーフォレーションホール（図示せ
ず）を形成し、この絶縁フィルム１５に厚さ８〜２４μ
ｍの厚さの接着剤３を介して、厚さ１８〜３５μｍの圧
延銅箔あるいは電解銅箔等の銅箔を貼り合わせた後、フ
ォトレジスト・エッチングプロセスによって所定の配線
パターン２０を形成している。次いで、このＣｕ配線パ
ターン２０の銅箔信号層（リード）２に、Ｓｎめっき１
６の無電解めっきを行っている。
【０００５】次に、リード２に対し半導体チップ１０
（ここではＬＣＤ駆動用のＬＳＩ）の能動面をフェース
ダウンで向き合わせ、インナリード・ボンディングで、
ＬＳＩチップ１０の素子電極たるＡｕバンプ１７とリー
ド２とをフリップチップ接続し、その後、この接続部を
ポッティング樹脂（図示せず）で封止して、液晶用パネ
ルに実装される。
（ここではＬＣＤ駆動用のＬＳＩ）の能動面をフェース
ダウンで向き合わせ、インナリード・ボンディングで、
ＬＳＩチップ１０の素子電極たるＡｕバンプ１７とリー
ド２とをフリップチップ接続し、その後、この接続部を
ポッティング樹脂（図示せず）で封止して、液晶用パネ
ルに実装される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ＴＡＢ
テープからデバイスホールを無くすことができれば、リ
ードの剥離やリード間の接触を防止して、リードの微細
化や狭ピッチ化を図る上で有利である。しかし、デバイ
スホールの無いＴＡＢテープ構造とした場合、ＴＡＢテ
ープが透明性でないために、フリップチップ接続時の位
置認識ができない。即ち、ＴＡＢテープのフリップチッ
プ接続構造では、配線パターンと電極とが対面するの
で、上から見ながら位置合わせをすることができない。
そして、位置合わせをするには、対面する配線パターン
と素子電極とを光学系を介して見ることのできる新規な
フリップチップボンディング用の装置の開発が必要とな
り、汎用のギャングボンディング方式のボンダを使用で
きないという問題が生じる。
テープからデバイスホールを無くすことができれば、リ
ードの剥離やリード間の接触を防止して、リードの微細
化や狭ピッチ化を図る上で有利である。しかし、デバイ
スホールの無いＴＡＢテープ構造とした場合、ＴＡＢテ
ープが透明性でないために、フリップチップ接続時の位
置認識ができない。即ち、ＴＡＢテープのフリップチッ
プ接続構造では、配線パターンと電極とが対面するの
で、上から見ながら位置合わせをすることができない。
そして、位置合わせをするには、対面する配線パターン
と素子電極とを光学系を介して見ることのできる新規な
フリップチップボンディング用の装置の開発が必要とな
り、汎用のギャングボンディング方式のボンダを使用で
きないという問題が生じる。
【０００７】より具体的に、本発明の実施形態に係る図
１を併用して説明する。まず、デバイスホールの無いＴ
ＡＢテープでフリップチップ接続する形態としては、図
１の形態が考えられる。しかし、絶縁フィルム１５とし
て、例えば宇部興産株式会社製の商品名「ユーピレック
スＳ」のポリイミド樹脂を用いたのでは、上記一般的Ｔ
ＡＢテープの厚さ範囲５０〜１２５μｍの下限である５
０μｍ厚さでも、後述する透明性の度合いを示すＬ値が
３５未満で透明性が無く、汎用のＴＡＢ用インナリード
ボンダ（ギャング・ボンダ）が改造しても使えない。
１を併用して説明する。まず、デバイスホールの無いＴ
ＡＢテープでフリップチップ接続する形態としては、図
１の形態が考えられる。しかし、絶縁フィルム１５とし
て、例えば宇部興産株式会社製の商品名「ユーピレック
スＳ」のポリイミド樹脂を用いたのでは、上記一般的Ｔ
ＡＢテープの厚さ範囲５０〜１２５μｍの下限である５
０μｍ厚さでも、後述する透明性の度合いを示すＬ値が
３５未満で透明性が無く、汎用のＴＡＢ用インナリード
ボンダ（ギャング・ボンダ）が改造しても使えない。
【０００８】一方、片面ＣＣＬ（Copper Clad Laminat
e）では、Ｃｕ厚さ１８μｍ／絶縁フィルム厚さ２５μ
ｍの組合わせを用いた場合でも、Ｌ値が３５未満で透明
性が無く、汎用のＴＡＢ用インナリードボンダ（ギャン
グ・ボンダ）が改造しても使えない。
e）では、Ｃｕ厚さ１８μｍ／絶縁フィルム厚さ２５μ
ｍの組合わせを用いた場合でも、Ｌ値が３５未満で透明
性が無く、汎用のＴＡＢ用インナリードボンダ（ギャン
グ・ボンダ）が改造しても使えない。
【０００９】これに対し、絶縁フィルム１５として、例
えば東レデュポン株式会社製の商品名「カプトンＥＮ」
のポリイミド樹脂を用いれば、透明性が得られる。即
ち、この透明性の絶縁フィルムの片面にスパッタリング
により銅の膜を被着させて、片面銅膜のＣｕ層厚さ８μ
ｍ／絶縁フィルム（東レ・デュポン製カプトンＥＮ）厚
さ３８μｍの２層構造（図２参照）とすると、中間に遮
光性の接着剤が介在しない２層構造であるので、透明性
の度合いを示すカラーメータのＬ値が３５以上となっ
て、フリップチップ接続時の位置合わせに必要な透明性
が得られる。このため、既存の汎用のＴＡＢ用インナリ
ードボンダ（ギャング・ボンダ）を改造して使用するこ
とができる。
えば東レデュポン株式会社製の商品名「カプトンＥＮ」
のポリイミド樹脂を用いれば、透明性が得られる。即
ち、この透明性の絶縁フィルムの片面にスパッタリング
により銅の膜を被着させて、片面銅膜のＣｕ層厚さ８μ
ｍ／絶縁フィルム（東レ・デュポン製カプトンＥＮ）厚
さ３８μｍの２層構造（図２参照）とすると、中間に遮
光性の接着剤が介在しない２層構造であるので、透明性
の度合いを示すカラーメータのＬ値が３５以上となっ
て、フリップチップ接続時の位置合わせに必要な透明性
が得られる。このため、既存の汎用のＴＡＢ用インナリ
ードボンダ（ギャング・ボンダ）を改造して使用するこ
とができる。
【００１０】しかし、この透明性の東レデュポン株式会
社製の「カプトンＥＮ」から成るポリイミド樹脂に、ス
パッタリングにより銅の膜を被着させた２層構成の場
合、Ｃｕ層と絶縁フィルム１５との接着強度（ピール強
度）が弱く、配線ピッチが５０μｍを超えて微細になる
と、リード強度が低下して配線がめっき時に浮き上が
り、剥離して使えない。
社製の「カプトンＥＮ」から成るポリイミド樹脂に、ス
パッタリングにより銅の膜を被着させた２層構成の場
合、Ｃｕ層と絶縁フィルム１５との接着強度（ピール強
度）が弱く、配線ピッチが５０μｍを超えて微細になる
と、リード強度が低下して配線がめっき時に浮き上が
り、剥離して使えない。
【００１１】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ガラス転移温度Ｔｇが高い接着剤を使用し、従来の
３層構造のＴＡＢテープの手法を利用するが、絶縁フィ
ルムは、透明性を表わすＬ値が高く寸法安定性の良いも
のを使用することにより、透明性を向上させて、ＬＳＩ
チップの位置決めを容易にし、更にフリップチップ接合
時の耐熱性に耐え、しかも配線ピッチが５０μｍを超え
て微細になってもリード強度が低下せず、従って配線の
浮き上がりによる剥離を防止して製品の歩留と生産性を
向上させるテープキャリア及びこれを用いた半導体装置
を提供することにある。
し、ガラス転移温度Ｔｇが高い接着剤を使用し、従来の
３層構造のＴＡＢテープの手法を利用するが、絶縁フィ
ルムは、透明性を表わすＬ値が高く寸法安定性の良いも
のを使用することにより、透明性を向上させて、ＬＳＩ
チップの位置決めを容易にし、更にフリップチップ接合
時の耐熱性に耐え、しかも配線ピッチが５０μｍを超え
て微細になってもリード強度が低下せず、従って配線の
浮き上がりによる剥離を防止して製品の歩留と生産性を
向上させるテープキャリア及びこれを用いた半導体装置
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１３】（１）請求項１の発明に係るテープキャリ
アは、絶縁フィルムに接着剤を介して貼り合わせた銅箔
に配線パターンを形成し、半導体チップをフリップチッ
プ接合するためパターン面にめっきを設けたテープキャ
リアにおいて、前記接着剤の吸水率が０．２％以上で
２．７％を超さないもので、ガラス転移温度が１８０℃
以上で、前記絶縁フィルムが、光の透過性を示す指標で
あるカラーメータのＬ値が３５以上である材料から成る
ことを特徴とする。
アは、絶縁フィルムに接着剤を介して貼り合わせた銅箔
に配線パターンを形成し、半導体チップをフリップチッ
プ接合するためパターン面にめっきを設けたテープキャ
リアにおいて、前記接着剤の吸水率が０．２％以上で
２．７％を超さないもので、ガラス転移温度が１８０℃
以上で、前記絶縁フィルムが、光の透過性を示す指標で
あるカラーメータのＬ値が３５以上である材料から成る
ことを特徴とする。
【００１４】このテープキャリアによれば、接着剤の吸
水率を０．２％以上、２．７％以下とすることで、接着
剤における吸湿した水分の通過を許容し、耐リフロー時
のクラック（層間剥離）の発生を防止することができ
る。またガラス転移温度Ｔｇを１８０℃以上とすること
で、フリップチップ接合時の耐熱性を確保することがで
きる。更に、絶縁フィルムに、光の透過性を示す指標で
あるカラーメータのＬ値が３５以上である材料を用いて
いるので、デバイスホールを設けていない形態であって
も、その配線パターンと半導体チップのバンプとを対面
させて位置合わせを行う際に、絶縁フィルムを透過し
て、配線パターンを裏面から認識することが可能であ
る。従って、フリップチップ接合時に、絶縁フィルムの
透明性を利用して容易に位置合わせを行うことができ、
既存のギャングボンディング方式のボンダを用いて、正
確にフリップチップ接合することができる。よって、製
品の歩留と生産性を向上させることができる。
水率を０．２％以上、２．７％以下とすることで、接着
剤における吸湿した水分の通過を許容し、耐リフロー時
のクラック（層間剥離）の発生を防止することができ
る。またガラス転移温度Ｔｇを１８０℃以上とすること
で、フリップチップ接合時の耐熱性を確保することがで
きる。更に、絶縁フィルムに、光の透過性を示す指標で
あるカラーメータのＬ値が３５以上である材料を用いて
いるので、デバイスホールを設けていない形態であって
も、その配線パターンと半導体チップのバンプとを対面
させて位置合わせを行う際に、絶縁フィルムを透過し
て、配線パターンを裏面から認識することが可能であ
る。従って、フリップチップ接合時に、絶縁フィルムの
透明性を利用して容易に位置合わせを行うことができ、
既存のギャングボンディング方式のボンダを用いて、正
確にフリップチップ接合することができる。よって、製
品の歩留と生産性を向上させることができる。
【００１５】（２）請求項２の発明は、前記絶縁フィル
ムが、フリップチップ接合時の位置合せに透明性を利用
する場合に、カラーメータのＬ値で透明性が示され、し
かも所定の厚さと幅を有し、寸法安定性のあるポリイミ
ド樹脂であることを特徴とする。
ムが、フリップチップ接合時の位置合せに透明性を利用
する場合に、カラーメータのＬ値で透明性が示され、し
かも所定の厚さと幅を有し、寸法安定性のあるポリイミ
ド樹脂であることを特徴とする。
【００１６】このようなポリイミド樹脂としては、例え
ば、厚さ３８μｍ、幅３５mmで、カラーメータによるＬ
値が、Ｌ値＝５４であるところの、東レデュポン株式会
社製の商品名「カプトンＥＮ」（吸水率１．７％）や、
厚さ２５μｍ以下のＤｕｐｏｎｔ製のＭｉｃｒｏｌｕｘ
ＨＤがある。
ば、厚さ３８μｍ、幅３５mmで、カラーメータによるＬ
値が、Ｌ値＝５４であるところの、東レデュポン株式会
社製の商品名「カプトンＥＮ」（吸水率１．７％）や、
厚さ２５μｍ以下のＤｕｐｏｎｔ製のＭｉｃｒｏｌｕｘ
ＨＤがある。
【００１７】（３）請求項３の発明は、前記銅箔の厚さ
が２５μｍ以下で３μｍ以上であることを特徴とする。
が２５μｍ以下で３μｍ以上であることを特徴とする。
【００１８】これは、Ｃｕ配線の銅箔の厚さを限定する
ことで、微細配線ピッチ（７０μｍ以下）でもエッチン
グ精度を良くし、また厚さ３μｍ以上にすることで、銅
箔と接着剤の密着強度を確保するためである。
ことで、微細配線ピッチ（７０μｍ以下）でもエッチン
グ精度を良くし、また厚さ３μｍ以上にすることで、銅
箔と接着剤の密着強度を確保するためである。
【００１９】この特徴によれば、絶縁フィルムの片面に
スパッタリングにより銅の膜を被着させた形態、つまり
接着剤なしの形態に較べ、銅箔のより強度な密着強度を
得ることができる。
スパッタリングにより銅の膜を被着させた形態、つまり
接着剤なしの形態に較べ、銅箔のより強度な密着強度を
得ることができる。
【００２０】（４）請求項４に記載の発明は、前記配線
パターン上にＳｎの無電解めっきまたは電気めっきが施
されていることを特徴とする。
パターン上にＳｎの無電解めっきまたは電気めっきが施
されていることを特徴とする。
【００２１】（５）請求項５の発明に係る半導体装置
は、請求項１〜４のいずれかに記載のテープキャリアを
用い、その配線パターンと半導体チップのバンプとを対
面させてフリップチップ接合したことを特徴とする。
は、請求項１〜４のいずれかに記載のテープキャリアを
用い、その配線パターンと半導体チップのバンプとを対
面させてフリップチップ接合したことを特徴とする。
【００２２】この半導体装置は、上記デバイスホールの
ない透明性のテープキャリアを用いたものであり、その
配線パターンと半導体チップのバンプとを対面させ、絶
縁フィルムの透明性を利用して位置合わせを行い、ギャ
ングボンディング方式のボンダでフリップチップ接合し
て得ることができる。
ない透明性のテープキャリアを用いたものであり、その
配線パターンと半導体チップのバンプとを対面させ、絶
縁フィルムの透明性を利用して位置合わせを行い、ギャ
ングボンディング方式のボンダでフリップチップ接合し
て得ることができる。
【００２３】＜作用＞本発明は、絶縁フィルムに接着剤
を介して貼り合わせた銅箔に配線パターンを形成し、半
導体（ＬＳＩ）チップをフリップチップ接合するため配
線パターン面にＳｎめっきを施したテープキャリア、特
にデバイスホールの無いテープキャリアにおいて、接着
剤及び絶縁フィルムについて、更には銅箔について、下
記の要件を充足することが重要であるとの認識に基づい
てなされたものである。
を介して貼り合わせた銅箔に配線パターンを形成し、半
導体（ＬＳＩ）チップをフリップチップ接合するため配
線パターン面にＳｎめっきを施したテープキャリア、特
にデバイスホールの無いテープキャリアにおいて、接着
剤及び絶縁フィルムについて、更には銅箔について、下
記の要件を充足することが重要であるとの認識に基づい
てなされたものである。
【００２４】（１）接着剤の吸水率が０．２％以上（２
３℃、２４ｈ水中）であり、２．７％を超さないこと。
３℃、２４ｈ水中）であり、２．７％を超さないこと。
【００２５】これは、吸湿の水分を接着剤層から放失さ
せるためで、耐リフロー時のクラック（層間剥離）を防
止するものである。しかし、接着剤の吸水率が０．２％
未満ではその接着剤層でダイボンディング剤とトランス
ファーモールド樹脂の吸湿したものが通過しにくくなる
ため適さない。一方、接着剤が２．７％を超すと接着剤
層のみでリフロー（温度約２４０℃）の加熱の際、吸湿
の水分を接着剤層から放失しきれずに、耐リフロー時の
クラック（層間剥離）を発生させるためである。
せるためで、耐リフロー時のクラック（層間剥離）を防
止するものである。しかし、接着剤の吸水率が０．２％
未満ではその接着剤層でダイボンディング剤とトランス
ファーモールド樹脂の吸湿したものが通過しにくくなる
ため適さない。一方、接着剤が２．７％を超すと接着剤
層のみでリフロー（温度約２４０℃）の加熱の際、吸湿
の水分を接着剤層から放失しきれずに、耐リフロー時の
クラック（層間剥離）を発生させるためである。
【００２６】（２）またガラス転移温度Ｔｇが１８０℃
以上であること。
以上であること。
【００２７】接着剤層は、フリップチップ接合のために
温度約２００℃×時間４Ｓｅｃ程度の加熱と時間に対し
て耐えられる必要があるためである。
温度約２００℃×時間４Ｓｅｃ程度の加熱と時間に対し
て耐えられる必要があるためである。
【００２８】（３）絶縁フィルムの光の透過性の指標で
あるＬ値が３５以上であること。
あるＬ値が３５以上であること。
【００２９】（ａ）このＬ値は、図５に示すカラーメー
ターの原理で測定されるものである。
ターの原理で測定されるものである。
【００３０】タングステン電球を規定の電圧で点灯して
得られる光源５０からの標準の光Ｐａλを、試料５１に
照射する。次に、その反射光Ｐａλ・ρλ（ρλ：試料
の反射率）を、所定の３つの単波長の光エネルギーに分
け、即ち、光源の分光分布調整用の色温度変換フィルタ
［（Ｔλ）ｘ、（Ｔλ）ｙ、（Ｔλ）ｚ］５２、三刺激
値フィルタ（ベクトルｘλ、ベクトルｙλ、ベクトルｚ
λ）５３、受光器スペクトル感度補正フィルタ［（Ｃ
λ）ｘ、（Ｃλ）ｙ、（Ｃλ）ｚ］５４を通して、三色
に分光して受光器５５で受光し、それぞれ光電変換を行
う。図示のＳλのグラフ５６は受光器５５の持つ３つの
総合スペクトル感度を示す。また、Ｘ、Ｙ、Ｚのグラフ
５７は受光器における受光量（三刺激値）を示す。これ
らの三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚはグラフ５７の斜線の面積に比
例した電流として測定される。
得られる光源５０からの標準の光Ｐａλを、試料５１に
照射する。次に、その反射光Ｐａλ・ρλ（ρλ：試料
の反射率）を、所定の３つの単波長の光エネルギーに分
け、即ち、光源の分光分布調整用の色温度変換フィルタ
［（Ｔλ）ｘ、（Ｔλ）ｙ、（Ｔλ）ｚ］５２、三刺激
値フィルタ（ベクトルｘλ、ベクトルｙλ、ベクトルｚ
λ）５３、受光器スペクトル感度補正フィルタ［（Ｃ
λ）ｘ、（Ｃλ）ｙ、（Ｃλ）ｚ］５４を通して、三色
に分光して受光器５５で受光し、それぞれ光電変換を行
う。図示のＳλのグラフ５６は受光器５５の持つ３つの
総合スペクトル感度を示す。また、Ｘ、Ｙ、Ｚのグラフ
５７は受光器における受光量（三刺激値）を示す。これ
らの三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚはグラフ５７の斜線の面積に比
例した電流として測定される。
【００３１】ここで、光源のエネルギー分布をＰλと
し、スペクトル３刺激値をベクトルｘλ、ベクトルｙ
λ、ベクトルｚλとし、物体の反射率をρλとしたと
き、三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚは次のように表される。
し、スペクトル３刺激値をベクトルｘλ、ベクトルｙ
λ、ベクトルｚλとし、物体の反射率をρλとしたと
き、三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚは次のように表される。
【００３２】 Ｘ＝Ｃ∫Ｐλ・ベクトルｘλ・ρλ・ｄλ Ｙ＝Ｃ∫Ｐλ・ベクトルｙλ・ρλ・ｄλ Ｚ＝Ｃ∫Ｐλ・ベクトルｚλ・ρλ・ｄλ 但し、Ｃ＝１／∫Ｐλ・ｙλ・ｄλ 上述した透明度を表すＬ値は、このカラーメータから出
力される三刺激値Ｘ、Ｙ、ＺのうちのＹ値を用いて、Ｌ
＝１０√Ｙで与えられる。このＬ値が３５以上では、絶
縁フィルム１５に光の透過性があり、Ｌ値が３５未満で
は透過性がない。即ち、既存のＴＡＢテープ用ＩＬＢ
（インナ・リード・ボンディング）ボンダでは、ＬＳＩ
チップの位置合わせに絶縁フィルムの光の透過性が必要
で、その指標であるＬ値が３５以上が必要である。
力される三刺激値Ｘ、Ｙ、ＺのうちのＹ値を用いて、Ｌ
＝１０√Ｙで与えられる。このＬ値が３５以上では、絶
縁フィルム１５に光の透過性があり、Ｌ値が３５未満で
は透過性がない。即ち、既存のＴＡＢテープ用ＩＬＢ
（インナ・リード・ボンディング）ボンダでは、ＬＳＩ
チップの位置合わせに絶縁フィルムの光の透過性が必要
で、その指標であるＬ値が３５以上が必要である。
【００３３】（ｂ）図３及び図４は、フリップチップボ
ンダの方式の模式図である。
ンダの方式の模式図である。
【００３４】図３は既存のＴＡＢテープ用のＩＬＢ（イ
ンナ・リード・ボンディング）ボンダを用いてフリップ
チップ接合を行う場合を示しており、絶縁フィルム１５
上の銅箔信号層２にＳｎめっき１６を施したＴＡＢテー
プ（ＴＡＢ用テープキャリア）１に対し、ウェハ３１に
Ａｕバンプ１７を形成（バンピング）したＬＳＩチップ
１０を対向させて位置合わせを行う。即ち、ステージ３
２上にＬＳＩチップ１０を能動面が上側となるように載
置し、その上方にＴＡＢテープ１を銅箔信号層２側が下
側となるようにして配置し、Ａｕバンプ１７とＳｎめっ
き１６の施された銅箔信号層２とを対面させる。このと
き絶縁フィルム１５はＬ値が３５以上であり光の透過性
があるので、絶縁フィルム１５側から図示しないＣＣＤ
カメラで視認することができる。従って、絶縁フィルム
１５を通してＴＡＢテープ１の銅箔信号層２のボンディ
ング位置にＬＳＩチップ１０を容易に位置合わせするこ
とができる。ＬＳＩチップの位置合わせ後、ボンディン
グツール３３を押し下げて、ギャングボンディングす
る。このように絶縁フィルム１５の透明性を利用してチ
ップの位置合わせを行うので、デバイスホールの無いＴ
ＡＢテープであっても、位置ずれの発生をなくし、生産
歩留りを大幅に向上させることができる。
ンナ・リード・ボンディング）ボンダを用いてフリップ
チップ接合を行う場合を示しており、絶縁フィルム１５
上の銅箔信号層２にＳｎめっき１６を施したＴＡＢテー
プ（ＴＡＢ用テープキャリア）１に対し、ウェハ３１に
Ａｕバンプ１７を形成（バンピング）したＬＳＩチップ
１０を対向させて位置合わせを行う。即ち、ステージ３
２上にＬＳＩチップ１０を能動面が上側となるように載
置し、その上方にＴＡＢテープ１を銅箔信号層２側が下
側となるようにして配置し、Ａｕバンプ１７とＳｎめっ
き１６の施された銅箔信号層２とを対面させる。このと
き絶縁フィルム１５はＬ値が３５以上であり光の透過性
があるので、絶縁フィルム１５側から図示しないＣＣＤ
カメラで視認することができる。従って、絶縁フィルム
１５を通してＴＡＢテープ１の銅箔信号層２のボンディ
ング位置にＬＳＩチップ１０を容易に位置合わせするこ
とができる。ＬＳＩチップの位置合わせ後、ボンディン
グツール３３を押し下げて、ギャングボンディングす
る。このように絶縁フィルム１５の透明性を利用してチ
ップの位置合わせを行うので、デバイスホールの無いＴ
ＡＢテープであっても、位置ずれの発生をなくし、生産
歩留りを大幅に向上させることができる。
【００３５】図４は、新規なフリップチップ−ＩＬＢボ
ンダを用いてフリップチップ接合を行う場合を示してい
る。図３の場合と異なる点は、ステージ３２に、絶縁フ
ィルム１５側が位置するようにしてＬＳＩチップ１０を
載置し、その上方にＬＳＩチップ１０を能動面をＴＡＢ
テープ１に向けて位置させていることにある。即ち、Ｔ
ＡＢテープ１の銅箔信号層２に対し、それより面規模の
小さいＬＳＩチップ１０をその素子電極側が来るように
対面させている。ＬＳＩチップ１０側から図示しないＣ
ＣＤカメラで撮像することになるので、比較的容易にフ
リップチップ接続位置を視認することができ、チップの
位置合わせを行うことができる。なお、この新規なフリ
ップチップ−ＩＬＢボンダを使用した構成では、絶縁フ
ィルム１５に光の透過性は、必ずしも必要でない。
ンダを用いてフリップチップ接合を行う場合を示してい
る。図３の場合と異なる点は、ステージ３２に、絶縁フ
ィルム１５側が位置するようにしてＬＳＩチップ１０を
載置し、その上方にＬＳＩチップ１０を能動面をＴＡＢ
テープ１に向けて位置させていることにある。即ち、Ｔ
ＡＢテープ１の銅箔信号層２に対し、それより面規模の
小さいＬＳＩチップ１０をその素子電極側が来るように
対面させている。ＬＳＩチップ１０側から図示しないＣ
ＣＤカメラで撮像することになるので、比較的容易にフ
リップチップ接続位置を視認することができ、チップの
位置合わせを行うことができる。なお、この新規なフリ
ップチップ−ＩＬＢボンダを使用した構成では、絶縁フ
ィルム１５に光の透過性は、必ずしも必要でない。
【００３６】（４）上記条件を満たすと同時に、貼り合
わせる銅箔に、厚さ２５μｍ以下３μｍ以上のものを選
定使用すること。
わせる銅箔に、厚さ２５μｍ以下３μｍ以上のものを選
定使用すること。
【００３７】これは微細配線ピッチ（７０μｍ以下）で
は、Ｃｕ配線の銅箔の厚さを限定することで、エッチン
グ精度を良くするためである。また厚さ３μｍ以上にす
ることで、銅箔の粗化面最大あらさＲｚ＝２．５μｍで
も、接着剤との接着を確保（銅箔と接着剤の密着強度を
確保する）するためである。
は、Ｃｕ配線の銅箔の厚さを限定することで、エッチン
グ精度を良くするためである。また厚さ３μｍ以上にす
ることで、銅箔の粗化面最大あらさＲｚ＝２．５μｍで
も、接着剤との接着を確保（銅箔と接着剤の密着強度を
確保する）するためである。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図示の
実施例を中心に説明する。
実施例を中心に説明する。
【００３９】（実施例１：図１）本発明の組合せの実施
例１として、テープ基材たる絶縁フィルム１５に、厚さ
３８μｍで幅３５mmのポリイミド樹脂、ここでは光の透
過性を示す指標であるカラーメータによるＬ値が、Ｌ値
＝５４であるところの、東レデュポン株式会社製の商品
名「カプトンＥＮ」（吸水率１．７％）を用い、このテ
ープ基材に、巴川製作所株式会社の巴川Ｘ接着剤３（吸
水率１．２％）を厚さ８μｍに塗布することにより、接
着剤付き絶縁フィルムを得た。尚、ここに接着剤３は巴
川Ｘに限定するものではなく、巴川Ｖ、巴川ＳＰであっ
てもよい。
例１として、テープ基材たる絶縁フィルム１５に、厚さ
３８μｍで幅３５mmのポリイミド樹脂、ここでは光の透
過性を示す指標であるカラーメータによるＬ値が、Ｌ値
＝５４であるところの、東レデュポン株式会社製の商品
名「カプトンＥＮ」（吸水率１．７％）を用い、このテ
ープ基材に、巴川製作所株式会社の巴川Ｘ接着剤３（吸
水率１．２％）を厚さ８μｍに塗布することにより、接
着剤付き絶縁フィルムを得た。尚、ここに接着剤３は巴
川Ｘに限定するものではなく、巴川Ｖ、巴川ＳＰであっ
てもよい。
【００４０】この接着剤付き絶縁フィルムに、パンチン
グで、送り穴（パーフォレーション）を打抜きした後、
電解銅箔から成る厚さ９μｍで粗化面最大あらさ１．５
μｍの銅箔を貼り合わせキュアした。なお、絶縁フィル
ムにデバイスホールは設けなかった。１１としてデバイ
スホールのなしの領域を示す。
グで、送り穴（パーフォレーション）を打抜きした後、
電解銅箔から成る厚さ９μｍで粗化面最大あらさ１．５
μｍの銅箔を貼り合わせキュアした。なお、絶縁フィル
ムにデバイスホールは設けなかった。１１としてデバイ
スホールのなしの領域を示す。
【００４１】その後、この銅箔に対し、配線パターン２
０の形成をフォトレジとエッチングプロセスにより実施
し、リードピッチが３４μｍのものと５０μｍの２種類
の銅箔信号層（リード）２を得た。
０の形成をフォトレジとエッチングプロセスにより実施
し、リードピッチが３４μｍのものと５０μｍの２種類
の銅箔信号層（リード）２を得た。
【００４２】次に、形成したＣｕ配線パターン表面にＳ
ｎ（０．５μｍ厚さ）無電解めっきを施してＣＯＦ（Ch
ip On FilmあるいはChip on Flexible Circuit）用のＴ
ＡＢテープを完成した。次に、汎用のギャングボンディ
ング方式のボンダで、図３に示すように、ＬＳＩチップ
１０をステージ３２に固定（約５００℃加熱）した後、
ＣＯＦ用ＴＡＢテープ１のリード２をＬＳＩチップ１０
のＡｕバンプ１７に、カプトンＥＮの透明性を利用して
画像処理により位置合わせした。そして、フリップチッ
プボンダのボンディングツール３３を約１００℃で加熱
加圧し、フリップチップ接合９を約３ｓｅｃ以内で完了
した。
ｎ（０．５μｍ厚さ）無電解めっきを施してＣＯＦ（Ch
ip On FilmあるいはChip on Flexible Circuit）用のＴ
ＡＢテープを完成した。次に、汎用のギャングボンディ
ング方式のボンダで、図３に示すように、ＬＳＩチップ
１０をステージ３２に固定（約５００℃加熱）した後、
ＣＯＦ用ＴＡＢテープ１のリード２をＬＳＩチップ１０
のＡｕバンプ１７に、カプトンＥＮの透明性を利用して
画像処理により位置合わせした。そして、フリップチッ
プボンダのボンディングツール３３を約１００℃で加熱
加圧し、フリップチップ接合９を約３ｓｅｃ以内で完了
した。
【００４３】その結果、本発明の材料選定構造のもの
が、ＴＡＢテープの微細ピッチの品質を保持し、従来の
ギャングボンディング方式のボンダでもボンディング性
が向上した。
が、ＴＡＢテープの微細ピッチの品質を保持し、従来の
ギャングボンディング方式のボンダでもボンディング性
が向上した。
【００４４】一方、比較のため、絶縁フィルム１５とし
て東洋メタライジング製の「カプトンＥＮ」厚さ３８μ
ｍを用い、これにスパッタリングにより銅の膜を被着し
てＣｕめっきし、銅層厚さ８μｍのものとした２層フィ
ルムを用いて、同様にＣＯＦ用ＴＡＢテープを製作し
た。この組み合わせでは、配線パターン２０として、リ
ードピッチ３４μｍのものと５０μｍの２種類を作成し
た後にＳｎめっきをしたところ、Ｓｎの染み込み（リー
ド配線の浮き上がりによる剥離）が認められ、特にリー
ドピッチが３４μｍのものは、全面剥離してＴＡＢテー
プの品質を満足しなかった。
て東洋メタライジング製の「カプトンＥＮ」厚さ３８μ
ｍを用い、これにスパッタリングにより銅の膜を被着し
てＣｕめっきし、銅層厚さ８μｍのものとした２層フィ
ルムを用いて、同様にＣＯＦ用ＴＡＢテープを製作し
た。この組み合わせでは、配線パターン２０として、リ
ードピッチ３４μｍのものと５０μｍの２種類を作成し
た後にＳｎめっきをしたところ、Ｓｎの染み込み（リー
ド配線の浮き上がりによる剥離）が認められ、特にリー
ドピッチが３４μｍのものは、全面剥離してＴＡＢテー
プの品質を満足しなかった。
【００４５】（実施例２：図６）上記実施例では、デバ
イスホール無しのフリップチップ接続タイプのＴＡＢテ
ープで、配線パターンの上表面にソルダレジストを塗布
しない形態について説明したが、ソルダレジストあるい
はフォトソルダレジストを塗布する場合にも応用可能で
ある。
イスホール無しのフリップチップ接続タイプのＴＡＢテ
ープで、配線パターンの上表面にソルダレジストを塗布
しない形態について説明したが、ソルダレジストあるい
はフォトソルダレジストを塗布する場合にも応用可能で
ある。
【００４６】図６に液晶ディスプレイのドライバーとし
て用いるＴＡＢテープの実施例を示す。ポリイミド樹脂
製絶縁フィルムのテープ基材（厚さ７５μｍ、幅７０m
m）として、光の透過性を示すカラーメータのＬ値が
「Ｌ値＝５４」である東レデュポン株式会社製の商品名
「カプトンＥＮ」（吸水率１．７％）を用い、このテー
プ基材に、接着剤２（吸水率１．２％）を厚さ８μｍに
塗布することにより、接着剤付き絶縁フィルムを得た。
て用いるＴＡＢテープの実施例を示す。ポリイミド樹脂
製絶縁フィルムのテープ基材（厚さ７５μｍ、幅７０m
m）として、光の透過性を示すカラーメータのＬ値が
「Ｌ値＝５４」である東レデュポン株式会社製の商品名
「カプトンＥＮ」（吸水率１．７％）を用い、このテー
プ基材に、接着剤２（吸水率１．２％）を厚さ８μｍに
塗布することにより、接着剤付き絶縁フィルムを得た。
【００４７】パンチングで送り穴（パーフォレーション
ホール）７を打ち抜きした後、厚さ１８μｍの銅箔テー
プを用いてラミネートし、キュアした。デバイスホール
は設けなかった。そのパターン面の銅箔の厚さ１８μｍ
に対して、フォトアプリケーション（露光・エッチン
グ）により、インナーリード２１、入力側及び出力側の
アウターリード２２から成る配線パターン２０を形成し
た。５はこの配線パターン２０上に部分的に設けたソル
ダレジストを示す。１１はデバイスホールなしの領域を
示す。
ホール）７を打ち抜きした後、厚さ１８μｍの銅箔テー
プを用いてラミネートし、キュアした。デバイスホール
は設けなかった。そのパターン面の銅箔の厚さ１８μｍ
に対して、フォトアプリケーション（露光・エッチン
グ）により、インナーリード２１、入力側及び出力側の
アウターリード２２から成る配線パターン２０を形成し
た。５はこの配線パターン２０上に部分的に設けたソル
ダレジストを示す。１１はデバイスホールなしの領域を
示す。
【００４８】次に、配線パターン３の領域のうち、カバ
ーコート材２０の樹脂層から露出している部分に、無電
解Ｓｎめっきを０．４μｍ厚さ施して完成品のＴＡＢテ
ープとした。
ーコート材２０の樹脂層から露出している部分に、無電
解Ｓｎめっきを０．４μｍ厚さ施して完成品のＴＡＢテ
ープとした。
【００４９】次に、このＴＡＢテープに対して、ＬＳＩ
チップ１０をその能動面をＴＡＢテープ側にして対面さ
せ、その素子電極たるバンプ１７を、デバイスホールな
しの領域１１の周囲のインナーリード２１に対し位置合
わせし、フリップチップ接合した。
チップ１０をその能動面をＴＡＢテープ側にして対面さ
せ、その素子電極たるバンプ１７を、デバイスホールな
しの領域１１の周囲のインナーリード２１に対し位置合
わせし、フリップチップ接合した。
【００５０】上記実施例１及び実施例２によれば、次の
ような利点が得られる。
ような利点が得られる。
【００５１】（１）本実施例のＴＡＢテープとフリップ
チップ接続構造により、従来のボンダでボンディングが
可能となった。
チップ接続構造により、従来のボンダでボンディングが
可能となった。
【００５２】（２）本実施例のＴＡＢテープとフリップ
チップ接続構造により、微細配線（ピッチ５０μｍ以下
特にピッチ３４μｍ）のＣＯＦ用ＴＡＢテープの製造の
歩留と生産性が向上し、安定した量産ができるようにな
った。
チップ接続構造により、微細配線（ピッチ５０μｍ以下
特にピッチ３４μｍ）のＣＯＦ用ＴＡＢテープの製造の
歩留と生産性が向上し、安定した量産ができるようにな
った。
【００５３】（３）本実施例のＴＡＢテープとフリップ
チップ接続構造は、従来のボンダでのボンディング性が
向上し、その歩留と生産性が向上し、安定した量産がで
きるようになった。
チップ接続構造は、従来のボンダでのボンディング性が
向上し、その歩留と生産性が向上し、安定した量産がで
きるようになった。
【００５４】（４）本実施例のＴＡＢテープとフリップ
チップ接続構造は、絶縁抵抗性がくまた、耐マイグレー
ション特性に優れた、微細配線（ピッチ５０μｍ以下）
のＣＯＦ用ＴＡＢテープに最適であることが判明した。
チップ接続構造は、絶縁抵抗性がくまた、耐マイグレー
ション特性に優れた、微細配線（ピッチ５０μｍ以下）
のＣＯＦ用ＴＡＢテープに最適であることが判明した。
【００５５】（５）本実施例のＣＯＦ用のＴＡＢ用テー
プ構造は、片面のポッティングあるいはトランスファー
モールド・タイプで、絶縁抵抗性が高くまた、耐マイグ
レーション特性に優れた、微細配線（ピッチ８０μｍ以
下）のＣＳＰ(Chip Scale Package)、Ｔａｐｅ−ＢＧＡ
（Ball Grid Array ）、のフリップチップタイプ及びワ
イヤボンディングタイプのＣＳＰ等に適する。
プ構造は、片面のポッティングあるいはトランスファー
モールド・タイプで、絶縁抵抗性が高くまた、耐マイグ
レーション特性に優れた、微細配線（ピッチ８０μｍ以
下）のＣＳＰ(Chip Scale Package)、Ｔａｐｅ−ＢＧＡ
（Ball Grid Array ）、のフリップチップタイプ及びワ
イヤボンディングタイプのＣＳＰ等に適する。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。
のような優れた効果が得られる。
【００５７】（１）請求項１〜５に記載の発明によれ
ば、テープキャリアの接着剤の吸水率を０．２％以上
２．７％以下としているので、接着剤における吸湿した
水分の通過を許容し、耐リフロー時のクラック（層間剥
離）の発生を防止することができる。またガラス転移温
度Ｔｇを１８０℃以上としているので、フリップチップ
接合時の耐熱性を確保することができる。更に、絶縁フ
ィルムに、光の透過性を示す指標であるカラーメータの
Ｌ値が３５以上である材料を用いているので、デバイス
ホールを設けていない形態であっても、その配線パター
ンと半導体チップのバンプとを対面させて位置合わせを
行う際に、絶縁フィルムを透過して、配線パターンを裏
面から認識することが可能である。従って、フリップチ
ップ接合時に、絶縁フィルムの透明性を利用して容易に
位置合わせを行うことができ、汎用の既存のギャングボ
ンディング方式のボンダを用いて、正確にフリップチッ
プ接合することができる。よって、製品の歩留と生産性
を向上させることができる。
ば、テープキャリアの接着剤の吸水率を０．２％以上
２．７％以下としているので、接着剤における吸湿した
水分の通過を許容し、耐リフロー時のクラック（層間剥
離）の発生を防止することができる。またガラス転移温
度Ｔｇを１８０℃以上としているので、フリップチップ
接合時の耐熱性を確保することができる。更に、絶縁フ
ィルムに、光の透過性を示す指標であるカラーメータの
Ｌ値が３５以上である材料を用いているので、デバイス
ホールを設けていない形態であっても、その配線パター
ンと半導体チップのバンプとを対面させて位置合わせを
行う際に、絶縁フィルムを透過して、配線パターンを裏
面から認識することが可能である。従って、フリップチ
ップ接合時に、絶縁フィルムの透明性を利用して容易に
位置合わせを行うことができ、汎用の既存のギャングボ
ンディング方式のボンダを用いて、正確にフリップチッ
プ接合することができる。よって、製品の歩留と生産性
を向上させることができる。
【００５８】（２）請求項３に記載の発明によれば、テ
ープキャリアの銅箔の厚さを２５μｍ以下で３μｍ以上
としているので、微細配線ピッチ（７０μｍ以下）でも
エッチング精度を良くし、また銅箔と接着剤の密着強度
を確保することができる。
ープキャリアの銅箔の厚さを２５μｍ以下で３μｍ以上
としているので、微細配線ピッチ（７０μｍ以下）でも
エッチング精度を良くし、また銅箔と接着剤の密着強度
を確保することができる。
【図１】本発明のＴＡＢ用テープ（デバイスホール無
し）におけるインナリードのフリップチップ接続状態を
示す断面図である。
し）におけるインナリードのフリップチップ接続状態を
示す断面図である。
【図２】スパッタリングにより銅の膜を被着した、接着
剤レスのＴＡＢ用テープ（デバイスホール無し）のイン
ナリードのフリップチップ接続状態を示す断面図であ
る。
剤レスのＴＡＢ用テープ（デバイスホール無し）のイン
ナリードのフリップチップ接続状態を示す断面図であ
る。
【図３】汎用のＴＡＢテープ用ＩＬＢボンダを用いてフ
リップチップ接合を行う場合の工程を示した図である。
リップチップ接合を行う場合の工程を示した図である。
【図４】新規なフリップチップボンダを用いてフリップ
チップ接合を行う場合の工程を示した図である。
チップ接合を行う場合の工程を示した図である。
【図５】光の透過性を示す指標であるカラーメータのＬ
値の測定原理を示す概略図である。
値の測定原理を示す概略図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す図である。
【図７】従来のＴＡＢテープ（デバイスホール有り）に
おけるインナリードのフリップチップ接続状態を示す断
面図である。
おけるインナリードのフリップチップ接続状態を示す断
面図である。
１ ＴＡＢテープ（ＴＡＢ用テープキャリア） ２ 銅箔信号層（リード） ３ 接着剤 ５ ソルダレジスト ７ 送り穴 ８ デバイスホール ９ フリップチップ接合 １０ ＬＳＩチップ １１ デバイスホール無し １５ 絶縁フィルム １６ Ｓｎめっき １７ Ａｕバンプ ２０ 配線パターン
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁フィルムに接着剤を介して貼り合わせ
た銅箔に配線パターンを形成し、半導体チップをフリッ
プチップ接合するためパターン面にめっきを設けたテー
プキャリアにおいて、 前記接着剤は、その吸水率が０．２％以上で２．７％を
超さないもので、且つガラス転移温度が１８０℃以上で
あり、 前記絶縁フィルムは、光の透過性を示す指標であるカラ
ーメータのＬ値が３５以上である材料から成ることを特
徴とするテープキャリア。 - 【請求項２】前記絶縁フィルムが、フリップチップ接合
時の位置合せに透明性を利用する場合に、カラーメータ
のＬ値で透明性が示され、寸法安定性のあるポリイミド
樹脂から成ることを特徴とする請求項１記載のテープキ
ャリア。 - 【請求項３】前記銅箔の厚さが２５μｍ以下で３μｍ以
上であることを特徴とする請求項１又は２記載のテープ
キャリア。 - 【請求項４】前記配線パターン上にＳｎの無電解めっき
または電気めっきが施されていることを特徴とする請求
項１、２又は３記載のテープキャリア。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載のテープキ
ャリアを用い、その配線パターンと半導体チップのバン
プとを対面させてフリップチップ接合したことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290331A JP2002100655A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | テープキャリア及びこれを用いた半導体装置 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100655A true JP2002100655A (ja) | 2002-04-05 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000290331A Pending JP2002100655A (ja) | 2000-09-20 | 2000-09-20 | テープキャリア及びこれを用いた半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002100655A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289651A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-10-04 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | チップオンフィルム基板及びその製造方法 |
| JP2008166850A (ja) * | 2008-03-27 | 2008-07-17 | Sharp Corp | 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール |
| JP2009260201A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Powertech Technology Inc | チップ実装装置、及び、チップパッケージアレイ |
| JP2011143595A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属化ポリイミドフィルム、及びそれを用いたフレキシブル配線板 |
| KR20190130003A (ko) * | 2017-03-24 | 2019-11-20 | 카드랩 에이피에스 | 캐리어와 이에 고정되는 복수의 전기 회로로 된 조립체 및 그 제조 방법 |
-
2000
- 2000-09-20 JP JP2000290331A patent/JP2002100655A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289651A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-10-04 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | チップオンフィルム基板及びその製造方法 |
| JP2008166850A (ja) * | 2008-03-27 | 2008-07-17 | Sharp Corp | 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール |
| JP2009260201A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Powertech Technology Inc | チップ実装装置、及び、チップパッケージアレイ |
| JP2011143595A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属化ポリイミドフィルム、及びそれを用いたフレキシブル配線板 |
| KR20190130003A (ko) * | 2017-03-24 | 2019-11-20 | 카드랩 에이피에스 | 캐리어와 이에 고정되는 복수의 전기 회로로 된 조립체 및 그 제조 방법 |
| KR102532161B1 (ko) * | 2017-03-24 | 2023-05-16 | 카드랩 에이피에스 | 캐리어와 이에 고정되는 복수의 전기 회로로 된 조립체 및 그 제조 방법 |
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