JP2002100037A - Method and device for manufacturing floppy (registered trademark) disk - Google Patents

Method and device for manufacturing floppy (registered trademark) disk

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JP2002100037A
JP2002100037A JP2000288223A JP2000288223A JP2002100037A JP 2002100037 A JP2002100037 A JP 2002100037A JP 2000288223 A JP2000288223 A JP 2000288223A JP 2000288223 A JP2000288223 A JP 2000288223A JP 2002100037 A JP2002100037 A JP 2002100037A
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JP
Japan
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floppy disk
film
support
fixing means
chamber
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2000288223A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Usuki
一幸 臼杵
Shoichi Nishikawa
正一 西川
Makoto Nagao
信 長尾
Junji Nakada
純司 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a floppy disk which as a small curvature or deformation with high productivity. SOLUTION: In a vacuum chamber 11, the outer peripheral part of a floppy disk base 1 is fixed by a fixing means 2. The fixing means 2 where the floppy disk base 1 is fixed is transferred to a filming chamber 12 adjacent to the inside of the vacuum chamber 11, where a magnetic film is formed by sputtering on the floppy disk base 1. The floppy disk base having the magnetic film formed is then transferred into the vacuum chamber 13.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録などに使用
される高記録密度フロッピーディスクの製造方法および
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a high-density floppy disk used for recording information.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気テープ、フロッピーディスクあるい
はハードディスク等の磁気記録媒体は一般に、非磁性支
持体上に磁性層、保護層などを成膜する工程によって製
造されている。このような磁気記録媒体においては、ス
パッタリング法や蒸着法等の真空成膜法によって作成し
た強磁性金属薄膜を記録層とする蒸着テープや薄膜型ハ
ードディスク等の磁気記録媒体が実用化されている。上
記のような磁気記録媒体は高い磁気エネルギーが容易に
得られ、さらに非磁性基板(支持体)の表面を平滑にす
ることによって平滑な表面性を容易に達成できるため、
スペーシングロスが少なく、高い電磁変換特性を得るこ
とができ、高密度記録材料に適している。特にスパッタ
リング法により得られた磁性層は、蒸着法により得られ
たものに比べて磁気エネルギーを高めることができるた
め、ハードディスクのような高い記録密度が要求される
媒体に採用されている。
2. Description of the Related Art A magnetic recording medium such as a magnetic tape, a floppy disk or a hard disk is generally manufactured by forming a magnetic layer and a protective layer on a non-magnetic support. In such a magnetic recording medium, a magnetic recording medium such as a vapor-deposited tape or a thin-film hard disk having a recording layer of a ferromagnetic metal thin film formed by a vacuum film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method has been put to practical use. In the magnetic recording medium as described above, high magnetic energy can be easily obtained, and smooth surface properties can be easily achieved by smoothing the surface of the non-magnetic substrate (support).
It has a small spacing loss, can obtain high electromagnetic conversion characteristics, and is suitable for high-density recording materials. In particular, a magnetic layer obtained by a sputtering method can increase the magnetic energy as compared with a magnetic layer obtained by a vapor deposition method, and thus is used for a medium requiring a high recording density such as a hard disk.

【0003】一方、フロッピーディスク型の磁気記録媒
体はハードディスクと比較して、耐衝撃性に優れ、低コ
ストであるため非常に広く使用されている。さらに本出
願人は基体上に形成した下層磁性層、もしくは下層磁性
層上に薄膜の磁性層を磁性塗料の塗布によって形成した
塗布型の磁気記録媒体によって、3.5インチのフロッ
ピーディスク1枚当たり200MBを越える大容量の媒
体を提供している。
On the other hand, a floppy disk type magnetic recording medium has been widely used because of its excellent impact resistance and low cost as compared with a hard disk. Further, the present applicant has disclosed that a 3.5-inch floppy disk can be formed by using a lower magnetic layer formed on a substrate or a coating type magnetic recording medium in which a thin magnetic layer is formed on the lower magnetic layer by applying a magnetic paint. It offers media with a large capacity of over 200 MB.

【0004】しかしながら、フロッピーディスクの記録
密度は未だ高性能ハードディスクの1/10以下であ
る。これはハードディスクのように磁性膜をスパッタリ
ング法で作製しようとする試みは多数報告されているも
のの、未だ実用化には至っていないことが大きな要因で
ある。
[0004] However, the recording density of a floppy disk is still 1/10 or less of that of a high-performance hard disk. This is largely because although many attempts have been made to produce a magnetic film by a sputtering method like a hard disk, it has not yet been put to practical use.

【0005】これにはさまざまな理由があるが、その大
きな理由は、そりや変形の少ないフロッピーディスクを
製造することが困難であることがあげられる。高密度フ
ロッピーディスクは転送速度を高めるために、ハードデ
ィスクと同様に高速回転しながら磁気ヘッドと接触また
は接触に近い非常に低いフライングハイトで摺動する
が、このとき、フロッピーディスクが面ぶれを起こすと
ヘッドと強く接触し、摺動が不安定となり、走行耐久
性、信頼性の低下につながる。そのため、フロッピーデ
ィスクの面ぶれは50μm以下に押さえる必要がある。
このような面ぶれは、フロッピーディスクが静的状態で
持っているそりの影響を強く受けるため、たとえば3.
5インチのディスク形状に打ち抜いた状態において、そ
りを1mm以下に抑える必要がある。このそりは支持体
そのものがもともと持っている場合と磁気記録媒体の製
造工程で表裏の応力差が生じて発生する場合があるた
め、面ぶれを低く押さえることは容易なことではない。
There are various reasons for this. One of the major reasons is that it is difficult to manufacture a floppy disk with little warpage or deformation. To increase transfer speed, high-density floppy disks slide at a very low flying height in contact with or close to contact with the magnetic head while rotating at a high speed like a hard disk, but at this time, if the floppy disk It comes into strong contact with the head, and the sliding becomes unstable, leading to a decrease in running durability and reliability. Therefore, it is necessary to keep the surface deviation of the floppy disk to 50 μm or less.
Such run-out is strongly affected by the warpage of the floppy disk in a static state.
It is necessary to suppress the warpage to 1 mm or less in a state where the disk is punched into a 5-inch disk shape. This warpage may be caused by a difference in stress between the front and back surfaces of the magnetic recording medium during the manufacturing process of the magnetic recording medium, when the support itself is originally provided, and it is not easy to suppress surface runout.

【0006】一般に、ハードディスクや光ディスクの製
造に使用されている成膜装置には、枚様式と呼ばれてい
る装置と通過型と呼ばれている装置がある。枚様式成膜
装置はシャッターによってメインチャンバーから独立し
たプロセスチャンバーが複数存在し、このプロセスチャ
ンバー間をディスクが移動し、各チャンバー内でベーキ
ングやスパッタ法により成膜が行なわれるものである。
一方、通過型成膜装置は複数つながったプロセス室をデ
ィスクが通過し、この通過時にベーキングやスパッタ法
により成膜が行われるものである。
[0006] Generally, a film forming apparatus used for manufacturing a hard disk or an optical disk includes an apparatus called a sheet type and an apparatus called a pass type. In a single-plate type film forming apparatus, a plurality of process chambers are provided independently of a main chamber by a shutter, and a disk is moved between the process chambers, and a film is formed in each chamber by baking or sputtering.
On the other hand, in a pass-through type film forming apparatus, a disk passes through a plurality of connected process chambers, and a film is formed by baking or sputtering during the passage.

【0007】ハードディスクや光ディスクの場合は、デ
ィスクが剛性基板であるためディスクの一部を保持する
ことで、ディスクを変形させることなくプロセスチャン
バー間を搬送し、成膜することが可能である。しかし、
フロッピーディスクの場合はディスクが可撓性基板のた
め、ハードディスクのように一部のみを固定しただけで
は、成膜時にディスクが変形してしまうという問題があ
った。そこで、このような枚様式あるいは通過型成膜装
置でフロッピーディスクを製造しようとする場合には、
特願平11−303544号に開示されているように、
スパッタリングで形成する磁性膜や下地膜の形成を表裏
同時に行い、さらにプロセスチャンバー間の搬送および
成膜中に支持体が歪まないように、支持体を剛性の高い
枠で固定する必要がある。
In the case of a hard disk or an optical disk, since the disk is a rigid substrate, by holding a part of the disk, it is possible to transfer the film between process chambers without deforming the disk and form a film. But,
In the case of a floppy disk, since the disk is a flexible substrate, there is a problem that the disk is deformed at the time of film formation if only a part is fixed like a hard disk. Therefore, when manufacturing a floppy disk using such a single-plate or pass-through film forming apparatus,
As disclosed in Japanese Patent Application No. 11-303544,
It is necessary to simultaneously form the magnetic film and the base film to be formed by sputtering on both sides of the substrate, and to fix the support with a highly rigid frame so that the support is not distorted during the transfer between the process chambers and the film formation.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、特願平11−
303544号に記載されているように可撓性支持体の
周囲全体に枠を取り付けたり取り外したりする方法は煩
雑であり生産成が向上しない。また、支持体を固定する
枠が大きく、これを搬送手段に固定したり取り外したり
する際に衝突や摩擦により枠の摩耗が起こることも考え
られる。
SUMMARY OF THE INVENTION However, Japanese Patent Application No.
The method of attaching and detaching the frame around the entirety of the flexible support as described in No. 303544 is complicated and does not improve production. Further, it is conceivable that the frame for fixing the support is large, and the frame is worn due to collision or friction when fixing or detaching the frame to or from the transporting means.

【0009】また、一般に支持体を取り付けた枠が真空
中と大気中を行き来すると、枠に付着したスパッタくず
が大気中で酸化等の影響を受けて剥がれやすくなり、コ
ンタミネーションを発生しやすいといった問題がある。
In general, when a frame on which a support is mounted moves back and forth between vacuum and the atmosphere, sputter debris adhered to the frame is likely to be peeled off in the atmosphere under the influence of oxidation or the like, thereby causing contamination. There's a problem.

【0010】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、枚様式または通過型スパッタ装置を用い、そりや
変形の少ないフロッピーディスクを高い生産性で製造す
る方法およびそのような方法に用いられる装置を提供す
ることを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and a method of manufacturing a floppy disk with little warpage or deformation with high productivity using a sheet-type or pass-through type sputtering apparatus and a method used in such a method. It is intended to provide a device.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明のフロッピーディ
スクの製造方法は、真空室内においてフロッピーディス
ク支持体の外周部を固定手段で固定し、前記フロッピー
ディスク支持体が固定された前記固定手段を前記真空室
内に隣接する成膜室に移動し、該成膜室内で前記フロッ
ピーディスク支持体にスパッタ法により磁性膜を形成
し、該磁性膜が形成されたフロッピーディスク支持体を
真空室内に移動することを特徴とするものである。
According to a method of manufacturing a floppy disk of the present invention, an outer peripheral portion of a floppy disk support is fixed in a vacuum chamber by a fixing means, and the fixing means to which the floppy disk support is fixed is connected to the fixing means. Moving to a film forming chamber adjacent to the vacuum chamber, forming a magnetic film on the floppy disk support by sputtering in the film forming chamber, and moving the floppy disk support on which the magnetic film is formed into the vacuum chamber. It is characterized by the following.

【0012】本発明のフロッピーディスクの製造装置
は、フロッピーディスク支持体が出し入れ可能な真空室
と、該真空室に隣接し前記フロッピーディスク支持体に
スパッタ法により磁性膜を形成する成膜室と、前記フロ
ッピーディスク支持体の外周を着脱自在に固定する固定
手段と、該固定手段を前記真空室と前記成膜室との間で
搬送する搬送手段とを有していることを特徴とするもの
である。
An apparatus for manufacturing a floppy disk according to the present invention comprises: a vacuum chamber in which a floppy disk support can be taken in and out; a film forming chamber adjacent to the vacuum chamber for forming a magnetic film on the floppy disk support by a sputtering method; A fixing means for detachably fixing an outer periphery of the floppy disk support; and a conveying means for conveying the fixing means between the vacuum chamber and the film forming chamber. is there.

【0013】フロッピーディスク支持体に磁性膜を形成
する際のスパッタ法は枚様式、通過型のいずれの方式で
あってもよい。
[0013] The sputtering method for forming the magnetic film on the floppy disk support may be any of a sheet type and a pass type.

【0014】前記フロッピーディスク支持体とは、製品
であるフロッピーディスクの形状とほぼ同じ大きさの支
持体を意味し、たとえば中心部に円形等の孔のあいたド
ーナツ形状、あるいは円形、多角形などといったフロッ
ピーディスクとして用いられる形状であれば特に限定さ
れるものではない。
The floppy disk support means a support having substantially the same size as the shape of the product floppy disk. For example, a donut shape having a hole such as a circle at the center, or a circular or polygonal shape. There is no particular limitation as long as the shape is used as a floppy disk.

【0015】真空室は成膜室に隣接するものであれば、
成膜室の片側に設けられていてもいいし、両側に設けら
れていてもよい。すなわち、フロッピーディスク支持体
の外周部を固定手段で固定する際の真空室と磁性膜が形
成された後のフロッピーディスク支持体が移動する真空
室は同じであってもよいし、違っていてもよい。
If the vacuum chamber is adjacent to the film forming chamber,
It may be provided on one side of the film forming chamber or on both sides. That is, the vacuum chamber in which the outer peripheral portion of the floppy disk support is fixed by the fixing means and the vacuum chamber in which the floppy disk support moves after the magnetic film is formed may be the same or different. Good.

【0016】成膜室は磁性膜を成膜するチャンバの他、
下地膜、シード層、保護層、潤滑層などの各層を成膜す
るチャンバを意味し、さらに成膜前のべーキングチャン
バなども、ここでいう成膜室に含まれるものである。
The film forming chamber is a chamber for forming a magnetic film,
This means a chamber for forming each layer such as a base film, a seed layer, a protective layer, and a lubricating layer, and a baking chamber before film formation is also included in the film forming chamber.

【0017】前記固定手段は、フロッピーディスク支持
体の外周部を固定するものであれば特に限定されるもの
ではなく、外周部の全部を固定するものであっても一部
を固定するものであってもよい。なお、一般にフロッピ
ーディスク支持体は可撓性基板であるため、固定手段は
フロッピーディスク支持体の周縁方向に均一に張力を保
持する機能を有していることが好ましい。
The fixing means is not particularly limited as long as it fixes the outer peripheral portion of the floppy disk support. Even if the fixing means fixes the entire outer peripheral portion, it fixes only a part. You may. In general, since the floppy disk support is a flexible substrate, it is preferable that the fixing means has a function of maintaining tension uniformly in the peripheral direction of the floppy disk support.

【0018】前記固定手段は、フロッピーディスク支持
体の周縁部を把持する半円状の把持部を有する2つの支
持体周縁治具からなることが好ましい。
It is preferable that the fixing means comprises two peripheral jigs having a semicircular grip for gripping a peripheral portion of the floppy disk support.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明のフロッピーディスクの製造方法
および装置によれば、真空室内においてフロッピーディ
スク支持体の外周部を固定手段で固定するため、そりや
変形の少ないフロッピーディスクを製造することが可能
である。
According to the method and apparatus for manufacturing a floppy disk of the present invention, since the outer peripheral portion of the floppy disk support is fixed in the vacuum chamber by the fixing means, it is possible to manufacture a floppy disk with less warpage and deformation. It is.

【0020】また、本発明のフロッピーディスクの製造
方法および装置は、この固定手段を真空室内に隣接する
成膜室に移動し、成膜室内でフロッピーディスク支持体
にスパッタ法により磁性膜を形成し、磁性膜が形成され
たフロッピーディスク支持体を真空室内に移動するの
で、固定手段および搬送手段が大気中を移動することが
ない。このため、固定手段や搬送手段に付着したスパッ
タくずが酸化等の影響を受けて剥がれ、コンタミネーシ
ョンの原因となることがなく、また大気中の微小塵を成
膜室に持ち込むことがほとんどないため、信頼性のある
再生を達成できるフロッピーディスクを製造することが
できる。
In the method and apparatus for manufacturing a floppy disk according to the present invention, the fixing means is moved to a film forming chamber adjacent to a vacuum chamber, and a magnetic film is formed on a floppy disk support in the film forming chamber by sputtering. Since the floppy disk support on which the magnetic film is formed is moved into the vacuum chamber, the fixing means and the transport means do not move in the atmosphere. For this reason, the sputter debris adhered to the fixing means and the transporting means are peeled off by the influence of oxidation and the like, so that they do not cause contamination and almost no minute dust in the air is brought into the film formation chamber. Thus, a floppy disk capable of achieving reliable reproduction can be manufactured.

【0021】また、本発明のフロッピーディスクの製造
方法および装置によれば、フロッピーディスク支持体を
製品となるフロッピーディスクとほぼ同じ形状としたの
で、固定手段にフロッピーディスク支持体を固定したり
取り外したりする際、あるいは固定手段を搬送手段に固
定したり取り外したりする際に、衝突や摩擦によって固
定手段からスパッタくずが剥がれたりしてコンタミネー
ションを発生することがなく、また固定手段をフロッピ
ーディスク支持体の外周を着脱自在に固定することがで
きるものとしたので、フロッピーディスク支持体を固定
手段に取り付けたり取り外したりといった工程に煩わし
さがなく、生産性の向上を図ることができる。
According to the method and apparatus for manufacturing a floppy disk of the present invention, the floppy disk support has substantially the same shape as the product floppy disk, so that the floppy disk support can be fixed to or removed from the fixing means. When fixing or removing the fixing means to or from the transporting means, no spatters are peeled off from the fixing means due to collision or friction, so that contamination is not generated, and the fixing means is fixed to the floppy disk support. Since the outer periphery of the floppy disk can be detachably fixed, the step of attaching and detaching the floppy disk support to and from the fixing means is not troublesome, and productivity can be improved.

【0022】なお、固定手段をフロッピーディスク支持
体の周縁部を把持する半円状の把持部を有する2つの支
持体周縁治具とすると、そりや変形の少ない、信頼性の
ある再生を達成できるフロッピーディスクをより高い生
産性をもって製造することができる。
If the fixing means is a two-peripheral jig having a semicircular grip for gripping the peripheral portion of the floppy disk support, reliable reproduction with less warpage or deformation can be achieved. Floppy disks can be manufactured with higher productivity.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態についてさらに詳細に説明する。図1は本発明
の第一の実施の形態である枚様式スパッタ法によるフロ
ッピーディスク製造装置の概略模式図、図2は第一の実
施の形態を示すフロッピーディスク支持体固定手段の正
面図、図3は図2の側面図、図4は第二の実施の形態を
示すフロッピーディスク支持体固定手段の正面図であ
る。
Embodiments of the present invention will be described below in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a floppy disk manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention, which is a sheet-type sputtering method. FIG. 2 is a front view of a floppy disk support fixing means according to the first embodiment. 3 is a side view of FIG. 2, and FIG. 4 is a front view of a floppy disk support fixing means according to the second embodiment.

【0024】図1に示すように、本発明のフロッピーデ
ィスク製造装置10は、フロッピーディスク支持体1を
搬入口15から搬入可能な搬入真空室11と、搬入真空
室11に隣接し、支持体1にスパッタ法により磁性膜等
を形成するプロセス成膜室12a、12b、12c、1
2dと、支持体1を着脱自在に固定する固定手段2と、
固定手段2を搬入真空室11から成膜室12を矢印に従
って搬出真空室13に搬送する搬送手段14と、磁性膜
等が形成された支持体1を搬出口16から搬出可能な搬
出真空室13とを有してなるものである。プロセス成膜
室の数は特に限定されるものではなく、また、ベーキン
グチャンバ等が設けられていてもよい。
As shown in FIG. 1, a floppy disk manufacturing apparatus 10 according to the present invention includes a loading vacuum chamber 11 into which a floppy disk support 1 can be loaded from a loading port 15 and a loading vacuum chamber 11 adjacent to the loading vacuum chamber 11. Film forming chambers 12a, 12b, 12c, and 1 for forming a magnetic film and the like by sputtering.
2d; fixing means 2 for detachably fixing the support 1;
A transporting means 14 for transporting the fixing means 2 from the loading vacuum chamber 11 to the deposition chamber 12 according to the arrow to an unloading vacuum chamber 13, and an unloading vacuum chamber 13 capable of unloading the support 1 on which the magnetic film or the like is formed from the unloading port 16 And The number of process film forming chambers is not particularly limited, and a baking chamber or the like may be provided.

【0025】支持体1はフロッピーディスク製造装置1
0に導入されるまでの間、しきりを設けたストックケー
ス(図示せず)などに一時的に保管される。製造装置1
0に導入する際には、このストックケースから自動搬送
装置などで支持体1の中心孔を保持されて搬入口15か
ら搬入され、搬入真空室11内で固定手段2に設置され
る。
The support 1 is a floppy disk manufacturing apparatus 1
Until it is introduced to zero, it is temporarily stored in a stock case (not shown) provided with a gap. Manufacturing equipment 1
At the time of introduction into the storage case, the center hole of the support 1 is held from the stock case by an automatic transfer device or the like, and is carried in from the carry-in entrance 15, and is set in the fixing means 2 in the carry-in vacuum chamber 11.

【0026】図2および図3に示すように、固定手段2
は支持体1の外周の一部を把持する支持体周縁固定治具
6と、固定手段2を搬送手段14と接続可能とする接続
部5を有してなるものである。固定治具6は支持体1の
厚みよりも若干広い溝3を有し、この溝3に支持体1の
外周部を挿入することによって支持体1の固定を可能と
している。
As shown in FIG. 2 and FIG.
Has a support periphery fixing jig 6 for gripping a part of the outer periphery of the support 1 and a connection portion 5 for connecting the fixing means 2 to the transport means 14. The fixing jig 6 has a groove 3 slightly larger than the thickness of the support 1, and the support 1 can be fixed by inserting the outer peripheral portion of the support 1 into the groove 3.

【0027】この溝3は支持体1の着脱を容易にするた
め、支持体1の厚みよりも2μm〜300μm、好まし
くは5μm〜200μm、さらには10μm〜100μ
m広く設けることが好ましい。また、支持体1の挿入を
より容易にするため、支持体1が挿入される固定治具6
の挿入部4には面取りがなされていることが好ましい。
このような面取りがなされることにより、支持体1に多
少のそりや振動があっても、支持体1を容易に溝3に挿
入することができる。また、逆に一度挿入された支持体
1が固定治具6から落下してしまうことを防止するた
め、溝3の先端部は支持体1の厚みより狭く加工され、
支持体1を適度な保持力で固定できるようになっている
ことが好ましい。
The groove 3 is 2 μm to 300 μm thick, preferably 5 μm to 200 μm, more preferably 10 μm to 100 μm thicker than the thickness of the support 1 so that the support 1 can be easily attached and detached.
It is preferable to provide m wide. In order to make the insertion of the support 1 easier, a fixing jig 6 into which the support 1 is inserted is provided.
It is preferable that the insertion portion 4 is chamfered.
With such chamfering, the support 1 can be easily inserted into the groove 3 even if the support 1 has some warpage or vibration. Conversely, in order to prevent the support 1 once inserted from dropping from the fixing jig 6, the tip of the groove 3 is processed to be narrower than the thickness of the support 1,
It is preferable that the support 1 can be fixed with an appropriate holding force.

【0028】搬入真空室11で固定手段2に固定された
支持体1は、搬送手段14によってメイン成膜室12か
らプロセス成膜室12aへ搬送される。各プロセス成膜
室内には、図4に示すような、支持体1の周縁部を把持
する半円状の支持体周縁固定治具7を有する固定手段
2′が設けられていて、支持体1が2つの半円状の固定
手段2および2′で固定されるような構造となっている
ことが好ましい。
The support 1 fixed to the fixing means 2 in the loading vacuum chamber 11 is transferred by the transfer means 14 from the main film forming chamber 12 to the process film forming chamber 12a. In each of the process film forming chambers, as shown in FIG. 4, a fixing means 2 ′ having a semicircular support peripheral edge fixing jig 7 for gripping the peripheral portion of the support 1 is provided. Is preferably fixed by two semicircular fixing means 2 and 2 ′.

【0029】図4において、固定手段2′は、プロセス
成膜室12a、12b、12c、12dそれぞれの内部
にチャンバ接続部8を介して固定されており、搬送手段
14によって搬送された支持体1を受けてこれを固定す
る機能を有する。固定治具7には固定治具6と同様の溝
が設けられており、この溝に沿って支持体1の外周部が
弱く固定される。この状態で、プロセス成膜室12aに
おいて成膜が行われ、1つのプロセスが終了すると、支
持体1は固定治具7から離され、固定手段2の固定治具
6とともに搬送手段14によって次のプロセス成膜室1
2bに搬送される。このようにして、順次、磁性膜や下
地膜などが形成され、各プロセスが実行される。プロセ
ス成膜室12a、12b、12c、12dのそれぞれに
おいて膜が形成されたフロッピーディスク支持体1は搬
出真空室13に移動され、最初の支持体の固定と逆の方
法で固定治具6からはずされ、ストックケースに格納さ
れる。
In FIG. 4, a fixing means 2 ′ is fixed via a chamber connecting portion 8 in each of the process film forming chambers 12 a, 12 b, 12 c, and 12 d, and the support 1 conveyed by the conveying means 14. It has the function of receiving and fixing this. The fixing jig 7 is provided with a groove similar to that of the fixing jig 6, and the outer peripheral portion of the support 1 is weakly fixed along the groove. In this state, a film is formed in the process film forming chamber 12a, and when one process is completed, the support 1 is separated from the fixing jig 7, and the conveying means 14 together with the fixing jig 6 of the fixing means 2 causes the next step. Process deposition chamber 1
2b. In this manner, a magnetic film, a base film, and the like are sequentially formed, and each process is performed. The floppy disk support 1 on which the film is formed in each of the process film forming chambers 12a, 12b, 12c, and 12d is moved to the unloading vacuum chamber 13 and removed from the fixing jig 6 in the reverse method of fixing the first support. And stored in a stock case.

【0030】支持体1を固定治具7から脱離させるた
め、固定治具7の支持体1の固定力は固定治具6の固定
力よりも小さいことが好ましい。このため、固定治具7
の溝幅は固定治具6の溝幅よりも広いことが好ましい。
具体的には、固定治具7の溝幅は支持体1の厚みよりも
10μm〜500μm、好ましくは30μm〜300μ
m、さらには50μm〜200μm広くすることが好ま
しい。なお、固定治具7の溝の深さは固定治具6の溝の
深さよりも深くすることが好ましい。なお、固定治具7
は固定治具6のように支持体1が挿入される挿入部を細
かく設計する必要はない。
In order to detach the support 1 from the fixing jig 7, the fixing jig 7 preferably has a smaller fixing force than the fixing jig 6. For this reason, the fixing jig 7
Is preferably wider than the groove width of the fixing jig 6.
Specifically, the groove width of the fixing jig 7 is 10 μm to 500 μm, more preferably 30 μm to 300 μm than the thickness of the support 1.
m, more preferably 50 μm to 200 μm. It is preferable that the depth of the groove of the fixing jig 7 be larger than the depth of the groove of the fixing jig 6. The fixing jig 7
It is not necessary to finely design the insertion portion into which the support 1 is inserted unlike the fixing jig 6.

【0031】次に、フロッピーディスク製造装置のスパ
ッタ法が連続式である場合について説明する。図5は第
二の実施の形態である連続式スパッタ法によるフロッピ
ーディスク製造装置の概略模式図、図6は複数枚のフロ
ッピーディスクをセット可能な搬送用トレイの概略模式
図である。
Next, a case where the sputtering method of the floppy disk manufacturing apparatus is a continuous type will be described. FIG. 5 is a schematic diagram of a floppy disk manufacturing apparatus using a continuous sputtering method according to a second embodiment, and FIG. 6 is a schematic diagram of a transfer tray on which a plurality of floppy disks can be set.

【0032】図5に示すように、フロッピーディスク製
造装置50は、フロッピーディスク支持体を搬入口52
から搬入可能な搬入真空室51と、搬入真空室51に隣
接し支持体にスパッタ法により磁性膜等を形成する成膜
室52と、支持体を複数枚セット可能な搬送トレイ57
と、搬送トレイ57を搬入真空室51から成膜室52を
経て搬出真空室53に搬送する搬送手段54と、磁性膜
が形成された支持体を搬出口56から搬出可能な搬出真
空室53を有してなるものである。
As shown in FIG. 5, the floppy disk manufacturing apparatus 50 transfers the floppy disk support
Vacuum chamber 51 which can be loaded from above, a film forming chamber 52 which is adjacent to the loaded vacuum chamber 51 and forms a magnetic film or the like on a support by sputtering, and a transfer tray 57 which can set a plurality of supports.
Transport means 54 for transporting the transport tray 57 from the loading vacuum chamber 51 to the unloading vacuum chamber 53 via the film forming chamber 52, and the unloading vacuum chamber 53 capable of unloading the support on which the magnetic film is formed from the unloading port 56. It is what you have.

【0033】枚様式スパッタ法の場合と同様に、支持体
は製造装置50に導入されるまでの間、ストックケース
などに一時的に保管され、製造装置50に導入する際に
は、このストックケースから自動搬送装置などで中心孔
を保持されて、搬入口51から搬入され、搬入真空室5
1内で搬送トレイ57内の固定手段60にセットされ
る。支持体がセットされた搬送トレイ57を成膜室52
に移動し、成膜室52a、52b、52c、52dのそ
れぞれにおいてスパッタ法により磁性膜等が形成され、
膜が形成された支持体は搬送トレイ57にセットされた
状態で搬出真空室53に移動され、搬出真空室53内で
搬送トレイ57内の固定手段6からはずされてストック
ケースに格納される。
As in the case of the single-wafer sputtering method, the support is temporarily stored in a stock case or the like until it is introduced into the manufacturing apparatus 50. The center hole is held by an automatic transfer device or the like, and is carried in from the carry-in port 51, and the carry-in vacuum chamber 5
1 is set on the fixing means 60 in the transport tray 57. The transfer tray 57 on which the support is set is moved to the film forming chamber 52.
And a magnetic film or the like is formed by a sputtering method in each of the film forming chambers 52a, 52b, 52c, and 52d.
The support on which the film is formed is moved to the unloading vacuum chamber 53 while being set on the transfer tray 57, removed from the fixing means 6 in the transfer tray 57 in the unloading vacuum chamber 53, and stored in the stock case.

【0034】図6に示すように、支持体61は搬送トレ
イ57内で固定手段60によって固定される。固定手段
60は、フロッピーディスク支持体61の周縁部を把持
する半円状の把持部を有する2つの支持体周縁治具66
および67と、搬送トレイに固定する搬送トレイ接続部
62および63を有し、トレイ57内に支持体61を固
定するものである。
As shown in FIG. 6, the support 61 is fixed in the transfer tray 57 by fixing means 60. The fixing means 60 includes two support member peripheral jigs 66 having a semicircular grip portion for gripping the peripheral portion of the floppy disk support member 61.
And 67, and transfer tray connecting portions 62 and 63 fixed to the transfer tray, and the support 61 is fixed in the tray 57.

【0035】目的とするフロッピーディスクを製造する
ためには、一般にベーキング、下地膜成膜、磁性膜成膜
を形成するのプロセスが必要である。さらに必要に応じ
て支持体と下地膜との間にシード層、磁性膜上に保護
層、保護層上に潤滑層を形成するプロセスが必要であ
る。
In order to manufacture a desired floppy disk, a process of baking, forming a base film, and forming a magnetic film is generally required. Further, if necessary, a process for forming a seed layer between the support and the underlayer, a protective layer on the magnetic film, and a lubricating layer on the protective layer is required.

【0036】ストックケースに格納されたフロッピーデ
ィスクは、上記工程で成膜されなかった各層(例えば保
護層や潤滑層)の形成工程や、中心孔へのセンターコア
の貼り付け、シェルへの組み込み、バーニッシュ、サー
ボライト、ベリフェイなどの組み込み工程、サーボライ
ト工程などに移される。
The floppy disk stored in the stock case can be formed by forming each layer (for example, a protective layer or a lubricating layer) that has not been formed in the above steps, attaching a center core to a center hole, incorporating the shell into a shell, The process is shifted to the burnishing, servo writing, veri-faying process, and servo writing process.

【0037】以上のように、本発明のフロッピーディス
クの製造方法および装置は、ディスク形状のフロッピー
ディスク支持体をハードディスクや光ディスクと同様の
工程で製造できることから極めて生産性に優れている。
さらに、フロッピーディスク支持体を大きな枠で固定し
た従来の技術に比べて枠の取り付けや取り外しが不要と
なるので枠からの発塵がなくなり、打ち抜き工程の回数
が少なくなる等の優れた利点を有する。
As described above, the method and apparatus for manufacturing a floppy disk of the present invention are extremely excellent in productivity because a disk-shaped floppy disk support can be manufactured in the same process as a hard disk or an optical disk.
Furthermore, compared to the conventional technology in which the floppy disk support is fixed by a large frame, there is no need to attach or detach the frame, so there is no dust from the frame, and there are excellent advantages such as a reduced number of punching steps. .

【0038】次に、本発明のフロッピーディスクの製造
に用いられる支持体、各膜の詳細について説明する。フ
ロッピーディスク支持体の材質は、芳香族ポリイミドフ
ィルム、芳香族ポリアミドフィルム等のような耐熱性樹
脂フィルムであることが好ましい。成膜工程ではベーキ
ングやスパッタプロセス中に支持体の温度が上昇するた
め、支持体の耐熱性が充分でない場合には、弱い力で固
定されている支持体が支持体の軟化点を超えて大きく変
形してしまうおそれがあるからである。支持体の厚みは
10μm〜200μmであることが好ましく、より好ま
しくは20μm〜150μm、さらには30μm〜10
0μmであることが好ましい。厚みが薄すぎると高速回
転時の安定が充分でなく、面ぶれの増加となり、一方、
厚みが厚すぎると回転時の剛性が高いために、接触時の
衝撃に対する信頼性の不足、記録ヘッドの跳躍を招くこ
とになる。
Next, the details of the support and each film used for manufacturing the floppy disk of the present invention will be described. The material of the floppy disk support is preferably a heat-resistant resin film such as an aromatic polyimide film or an aromatic polyamide film. In the film forming step, the temperature of the support increases during the baking or sputtering process.If the heat resistance of the support is not sufficient, the support fixed with a weak force may exceed the softening point of the support. This is because there is a risk of deformation. The thickness of the support is preferably from 10 μm to 200 μm, more preferably from 20 μm to 150 μm, further preferably from 30 μm to 10 μm.
It is preferably 0 μm. If the thickness is too thin, the stability at the time of high-speed rotation is not enough, and the surface run-out increases.
If the thickness is too large, the rigidity at the time of rotation is high, resulting in insufficient reliability against impact at the time of contact and jumping of the recording head.

【0039】支持体そのものが有するそりや変形が大き
い場合、または表裏面の吸湿膨張係数や熱膨張係数の違
いによってそりが発生する場合、あるいは表裏面の表面
粗さが異なる場合などのように、そのままの状態では支
持体として使用することができない場合には、2枚の支
持体を対称となるようにラミネートして使用することが
好ましい。このとき使用する接着剤としては生産性、厚
みの均一性の観点から熱硬化性樹脂または耐熱熱可塑性
樹脂からなる接着シートを使用することが好ましい。
As in the case where the support itself has a large warp or deformation, a case where warpage occurs due to a difference in the coefficient of moisture expansion and thermal expansion between the front and back surfaces, and a case where the surface roughness of the front and back surfaces is different, If the support cannot be used as it is, it is preferable that two supports are laminated and used symmetrically. As the adhesive used at this time, it is preferable to use an adhesive sheet made of a thermosetting resin or a heat-resistant thermoplastic resin from the viewpoint of productivity and uniformity of thickness.

【0040】支持体の表面性が不充分である場合には、
フロッピーディスク支持体を所定の形状に打ち抜く前に
耐熱性樹脂フィルム表面に平滑化を目的とした下塗膜を
形成することが好ましい。下塗膜は支持体の材質と同様
耐熱性が要求されるため、ポリイミド樹脂、ポリアミド
イミド樹脂、シリコン樹脂、フッ素系樹脂などの耐熱性
樹脂を使用することが必要であり、一般的なポリエステ
ル樹脂などは使用できない。中でも下塗膜の素材として
は平滑効果の高い熱硬化型イミド樹脂や熱硬化型シリコ
ン樹脂を用いることが好ましい。この下塗膜の厚みは
0.1μm〜0.3μmであることが好ましい。
When the surface properties of the support are insufficient,
Before punching the floppy disk support into a predetermined shape, it is preferable to form an undercoat for smoothing on the surface of the heat-resistant resin film. Since the lower coating film is required to have the same heat resistance as the material of the support, it is necessary to use a heat-resistant resin such as a polyimide resin, a polyamide-imide resin, a silicone resin, and a fluorine-based resin. Cannot be used. Above all, it is preferable to use a thermosetting imide resin or a thermosetting silicone resin having a high smoothing effect as a material of the undercoat. The thickness of the undercoat is preferably 0.1 μm to 0.3 μm.

【0041】熱硬化型イミド樹脂としては、分子内に末
端不飽和基を2つ以上有するイミドモノマーの熱重合物
であるポリイミド樹脂を好ましくあげることができる。
このようなイミドモノマーとしては例えば下記化学式1
で表されるビスアリルナジイミドがあげられる。
As the thermosetting imide resin, a polyimide resin which is a thermal polymer of an imide monomer having two or more terminal unsaturated groups in the molecule can be preferably exemplified.
Such an imide monomer includes, for example, the following chemical formula 1
And bisallylnadiimide represented by the formula:

【0042】[0042]

【化1】 ここで、R1、R2はそれぞれ独立に選択された水素また
はメチル基、R3 は脂肪族または芳香族炭化水素基等の
2価の連結基を表す。より具体的には R3 は直鎖また
は分岐構造のアルキレン基およびアルケニル基、シクロ
アルキレン基、アルキレン基を有するシクロアルキレン
基、芳香族基、アルキレン基を有する芳香族基、ポリオ
キシアルキレン基、カルボニル基、エーテル基等があげ
られる。イミドモノマーの溶剤溶解性やその重合物であ
るポリイミド樹脂の耐熱性はおもに R3 の構造で決定
される。このため所望の特性は R3 の構造を適宜選択
することにより達成することができる。
Embedded image Here, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen or methyl group, and R 3 represents a divalent linking group such as an aliphatic or aromatic hydrocarbon group. More specifically, R 3 is a linear or branched alkylene group and alkenyl group, a cycloalkylene group, a cycloalkylene group having an alkylene group, an aromatic group, an aromatic group having an alkylene group, a polyoxyalkylene group, a carbonyl group. And ether groups. The solvent solubility of the imide monomer and the heat resistance of the polyimide resin as a polymer thereof are mainly determined by the structure of R 3 . Therefore, desired characteristics can be achieved by appropriately selecting the structure of R 3 .

【0043】熱硬化型ポリイミド樹脂は、すでに重合し
たポリイミドではなく、耐熱性樹脂フィルムにイミドモ
ノマーを付与し、これを熱重合させて作製するポリイミ
ドであることが好ましい。このイミドモノマーはすでに
イミド環化反応が終了し、分子内に末端不飽和基を2つ
以上有するものである。ポリイミドへの重合反応は加熱
などによってビニル基が付加重合することによって進行
する。この重合反応は比較的低温で進行するため、さま
ざまな非磁性支持体上に設けることができる。また、イ
ミドモノマーはその構造から汎用の有機溶剤に溶解する
ので、生産性、作業性にも優れている。さらに、イミド
モノマーは当然、ポリイミドよりも分子量が小さいため
にその溶液の粘度は低く、従って、これを非磁性支持体
上に塗布した場合、凹凸に対する回り込みが良く平滑効
果も充分に高い。
It is preferable that the thermosetting polyimide resin is not polyimide that has already been polymerized, but is polyimide that is prepared by applying an imide monomer to a heat-resistant resin film and thermally polymerizing the same. The imide monomer has already undergone the imide cyclization reaction and has two or more terminal unsaturated groups in the molecule. The polymerization reaction to polyimide proceeds by addition polymerization of a vinyl group by heating or the like. Since this polymerization reaction proceeds at a relatively low temperature, it can be provided on various non-magnetic supports. Further, since the imide monomer is dissolved in a general-purpose organic solvent due to its structure, it is excellent in productivity and workability. Furthermore, the viscosity of the solution is low because the imide monomer has a smaller molecular weight than the polyimide, and therefore, when it is applied on a non-magnetic support, the imide monomer has good wraparound to unevenness and a sufficiently high smoothing effect.

【0044】このようなイミド環と末端不飽和結合を2
つ以上有するイミドモノマー化合物は、特開平59−8
0662号、特開昭60−178862号、特開昭61
−18761号、特開昭63−170358号、特開平
7−53516号などに記載されている公知の合成法で
合成することができる。また、このような化合物は丸善
石油化学からBANIシリーズ、ANIシリーズとして
市販されている。
When such an imide ring and a terminal unsaturated bond are
Imide monomer compounds having at least one
No. 0662, JP-A-60-178882, JP-A-61
No. 18761, JP-A-63-170358, and JP-A-7-53516. Such compounds are commercially available from Maruzen Petrochemical as BANI series and ANI series.

【0045】なお、下塗膜にはその他の成分、例えば重
合を促進するための硬化剤、表面に凹凸を設けるための
耐熱性微粒子(フィラー)、密着性を改善するためのカ
ップリング剤、磁性膜の酸化を防止する防錆剤等が含有
されていてもよい。
In the undercoat, other components, such as a curing agent for accelerating polymerization, heat-resistant fine particles (filler) for forming irregularities on the surface, a coupling agent for improving adhesion, A rust preventive or the like for preventing oxidation of the film may be contained.

【0046】たとえば硬化剤としては、p−トルエンス
ルホン酸、p−キシレンスルホン酸、トルエンスルホン
酸メチル、ピリジニウムp−トルエンスルホネート、ピ
リジニウムm−ニトロベンゼンスルホネート、硫酸メチ
ルヒドラジンなどを好ましく使用することができる。
For example, as a curing agent, p-toluenesulfonic acid, p-xylenesulfonic acid, methyltoluenesulfonate, pyridinium p-toluenesulfonate, pyridinium m-nitrobenzenesulfonate, methylhydrazine sulfate and the like can be preferably used.

【0047】下塗膜の塗布溶剤としては、化学式1の
3 の種類によっても異なるが、多くの構造ではトルエ
ン、キシレン、アセトニトリル、シクロヘキサノン、メ
チルエチルケトン、アセトンなどに溶解可能であり、一
部の構造ではイソプロピルアルコール、エタノール、メ
タノールなどにも溶解可能である。なお、これらの溶剤
を混合溶剤として用いてもよい。
As a coating solvent for the undercoat film,
Although different depending on the type of R 3 , many structures can be dissolved in toluene, xylene, acetonitrile, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetone, and the like, and some structures can be dissolved in isopropyl alcohol, ethanol, methanol, and the like. Note that these solvents may be used as a mixed solvent.

【0048】好ましい硬化性シリコン樹脂としては、有
機基が導入されたケイ素化合物を原料としてゾルゲル法
で作製したシリコン樹脂があげられる。このようなシリ
コン樹脂は二酸化ケイ素の結合の一部を有機基で置換し
た構造からなり、シリコンゴムよりも大幅に耐熱性に優
れている。また、二酸化ケイ素膜よりも柔軟性に優れる
ため、耐熱性樹脂フィルムのような可撓性フィルム上に
作製してもクラックや剥離が生じにくい。
Preferred examples of the curable silicone resin include silicone resins prepared by a sol-gel method using a silicon compound into which an organic group has been introduced as a raw material. Such a silicon resin has a structure in which a part of the bond of silicon dioxide is substituted with an organic group, and is much more excellent in heat resistance than silicon rubber. In addition, since it is more flexible than a silicon dioxide film, cracking and peeling hardly occur even when the film is formed on a flexible film such as a heat-resistant resin film.

【0049】原料となるモノマーを汎用溶剤を用いて耐
熱性樹脂フィルム上に直接塗布し硬化させるので、凹凸
に対する回り込みも良く、平滑化効果が高い。さらに縮
重合反応は酸やキレート剤などの触媒の添加によって比
較的低温から進行するため、硬化が短時間で可能であ
り、また汎用の塗布機での作製が可能である。
Since the monomer as a raw material is directly applied to the heat-resistant resin film by using a general-purpose solvent and cured, the wraparound to unevenness is good and the smoothing effect is high. Furthermore, since the condensation polymerization reaction proceeds at a relatively low temperature by the addition of a catalyst such as an acid or a chelating agent, curing can be performed in a short time, and production using a general-purpose coating machine is possible.

【0050】この熱硬化性シリコン樹脂の原料となるモ
ノマーとしては、芳香族炭化水素基、脂肪族やエポキシ
基を含有した有機基、などを有するシランカップリング
剤などが好ましい。芳香族炭化水素基や脂肪族炭化水素
基は硬化した樹脂において柔軟性を付与する効果があ
り、特に芳香族炭化水素基を有するシランカップリング
剤は脂肪族炭化水素基を導入したものより耐熱性に優れ
るためより好ましい。また、エポキシ基を含有したシラ
ンカップリング剤は比較的低温かた塗膜を硬化させる効
果がある。
As a monomer which is a raw material of the thermosetting silicone resin, a silane coupling agent having an aromatic hydrocarbon group, an organic group containing an aliphatic group or an epoxy group, or the like is preferable. Aromatic hydrocarbon groups and aliphatic hydrocarbon groups have the effect of imparting flexibility to the cured resin, and silane coupling agents having aromatic hydrocarbon groups are more heat-resistant than those having aliphatic hydrocarbon groups. Is more preferable because it is excellent. The silane coupling agent containing an epoxy group has an effect of curing a coating film at a relatively low temperature.

【0051】芳香族炭化水素基を含有するシランカップ
リング剤としては下記化学式2で表される構造のものを
あげることができる。
Examples of the silane coupling agent containing an aromatic hydrocarbon group include those having a structure represented by the following chemical formula 2.

【0052】[0052]

【化2】 ここで、R、R′はメチル基など一価の有機基、Aはア
ルキレン基などの二価の有機基またはベンゼン環とSi
が直結(Aは無し)していてもよく、Bはアルコキシ
基、ハロゲン、水酸基などの一価の基であり、X+Y+
Z=4である。
Embedded image Here, R and R ′ are a monovalent organic group such as a methyl group, A is a divalent organic group such as an alkylene group or a benzene ring and Si.
May be directly connected (without A), B is a monovalent group such as an alkoxy group, a halogen, a hydroxyl group, and X + Y +
Z = 4.

【0053】Aはメチレン基またはベンゼン環とSiが
直結(Aは無し)していることが好ましく、Bは反応性
や磁性膜の腐食性を考慮すればアルコキシ基であること
が好ましく、重合反応を容易にするためメトキシ基など
の炭素数4以下のアルコキシ基であることがより好まし
い。Xは好ましくは1または2であるが、重合反応を容
易にするため1であることがより好ましい。Yは好まし
くは0または1であるが、重合反応を容易にするため0
であることがより好ましい。従って、Zは3であること
がより好ましい。具体的には、
A is preferably a direct bond between Si and a methylene group or a benzene ring (A is absent), and B is preferably an alkoxy group in consideration of reactivity and corrosiveness of the magnetic film. Is more preferably an alkoxy group having 4 or less carbon atoms such as a methoxy group. X is preferably 1 or 2, but is more preferably 1 in order to facilitate the polymerization reaction. Y is preferably 0 or 1, but is preferably 0 or 1 to facilitate the polymerization reaction.
Is more preferable. Therefore, Z is more preferably 3. In particular,

【化3】 Embedded image

【化4】 などをあげることができる。Embedded image And so on.

【0054】エポキシ基を有する有機基を含んだシラン
カップリング剤としてはたとえば下記化学式5で表され
る構造のものをあげることができる。
Examples of the silane coupling agent containing an organic group having an epoxy group include those having a structure represented by the following chemical formula 5.

【0055】[0055]

【化5】 ここで、Aはアルキレン基などの2価の有機基、Bは水
素またはアルキル基などの1価の有機基、Rはアルキル
基などの1価の有機基、Xはアルコキシ基、水酸基、ハ
ロゲン、水素から選択される1価の基、L+M+N=4
である。
Embedded image Here, A is a divalent organic group such as an alkylene group, B is a monovalent organic group such as hydrogen or an alkyl group, R is a monovalent organic group such as an alkyl group, X is an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen, A monovalent group selected from hydrogen, L + M + N = 4
It is.

【0056】Aは水素であることが好ましく、Rはメチ
ル基、エチル基などの1価の有機基であることが好まし
い。またXは反応性や磁性膜の腐食性を考慮すればアル
コキシ基であることが好ましく、重合反応を容易にする
ためメトキシ基などの炭素数4以下のアルコキシ基であ
ることがより好ましい。Mは好ましくは1または2であ
るが、重合反応を容易にするため1であることがより好
ましい。Lは好ましくは0または1であるが、重合反応
を容易にするため0であることがより好ましい。従っ
て、Nは3であることがより好ましい。具体的には、
A is preferably hydrogen, and R is preferably a monovalent organic group such as a methyl group or an ethyl group. X is preferably an alkoxy group in consideration of reactivity and corrosiveness of the magnetic film, and more preferably an alkoxy group having 4 or less carbon atoms such as a methoxy group for facilitating a polymerization reaction. M is preferably 1 or 2, but is more preferably 1 for facilitating the polymerization reaction. L is preferably 0 or 1, but is more preferably 0 to facilitate the polymerization reaction. Therefore, N is more preferably 3. In particular,

【化6】 などをあげることができる。これらの化合物は特開昭5
1−11871号、特開昭63−23224号に記載さ
れている。
Embedded image And so on. These compounds are disclosed in
1-111871 and JP-A-63-232224.

【0057】なお、耐熱性、低コスト化、重合速度調整
のため、例えばメチル基などの炭化水素基を含んだシラ
ンカップリング剤を混合して用いてもよい。炭化水素を
含んだシランカップリング剤を併用すると下塗膜の耐熱
性をより向上させることができる。炭化水素基を含んだ
シランカップリング剤としてはR−Si(OR′)
あげることができる。但し、R、R′は炭化水素基であ
る。なお、Rの炭素数は少ないほど下塗膜の耐熱性をよ
り向上させることができる。
It is to be noted that a silane coupling agent containing a hydrocarbon group such as a methyl group may be mixed and used for heat resistance, cost reduction and polymerization rate adjustment. When a silane coupling agent containing a hydrocarbon is used in combination, the heat resistance of the undercoat film can be further improved. Examples of the silane coupling agent containing a hydrocarbon group include R-Si (OR ') 3 . However, R and R 'are hydrocarbon groups. In addition, the heat resistance of a lower coating film can be improved more as the carbon number of R is smaller.

【0058】上記芳香族炭化水素基を有するシランカッ
プリング剤およびエポキシ基を有する有機基を含んだシ
ランカップリング剤のアルコキシシランなどは後述の方
法によって塗布乾燥させることによって加水分解、重合
してシロキサン結合を生成しる。一方、エポキシ基は酸
触媒や熱により開環重合する。この加水分解速度と重合
速度は必要に応じて塩酸などの酸を添加することによっ
て調整することができる。
The above-mentioned silane coupling agent having an aromatic hydrocarbon group and alkoxysilane as a silane coupling agent containing an organic group having an epoxy group are hydrolyzed and polymerized by coating and drying according to the method described below to form siloxane. Create a bond. On the other hand, the epoxy group undergoes ring-opening polymerization by an acid catalyst or heat. The hydrolysis rate and the polymerization rate can be adjusted by adding an acid such as hydrochloric acid as needed.

【0059】より低温から重合を開始させるためには、
硬化剤の併用が好ましく、例えば金属キレート化合物、
有機酸およびその塩、過塩素酸塩などのさまざまな化合
物が知られているが、硬化の低温下、磁性膜の腐食性の
防止を図るため金属キレート化合物であることが好まし
い。例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ランにアルミニウムアセチルアセトネートを硬化触媒と
して加えた場合、100℃前後で短時間加熱するだけで
硬化させることができる。従って、グラビア連続塗布法
を用いて、ブロッキングを生じることなく巻き取ること
ができる。このような硬化剤としては、アルミニウムア
セチルアセトネート、ジルコニウムアセチルアセトネー
ト、チタニウムアセチルアセトネートなどのβ−ジケト
ン類と金属のキレート化合物が特に好ましく用いられ
る。このとき使用される塗布溶剤は塩酸の添加量やシラ
ンカップリング剤の構造によって決定されるが、エタノ
ール、メタノール、イソプロピルアルコール、シクロヘ
キサノンなどを好ましく用いることができる。
In order to start the polymerization from a lower temperature,
It is preferable to use a curing agent in combination, for example, a metal chelate compound,
Various compounds such as organic acids and salts thereof, and perchlorates are known, but are preferably metal chelate compounds in order to prevent the corrosiveness of the magnetic film at a low curing temperature. For example, when aluminum acetylacetonate is added to 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane as a curing catalyst, curing can be performed only by heating at about 100 ° C. for a short time. Therefore, using the gravure continuous coating method, the film can be wound without blocking. As such a curing agent, a chelate compound of a metal with a β-diketone such as aluminum acetylacetonate, zirconium acetylacetonate, or titanium acetylacetonate is particularly preferably used. The coating solvent used at this time is determined by the amount of hydrochloric acid added and the structure of the silane coupling agent, but ethanol, methanol, isopropyl alcohol, cyclohexanone and the like can be preferably used.

【0060】耐熱性樹脂フィルムに熱硬化型ポリイミド
樹脂層または熱硬化型シリコン樹脂層からなる下塗層を
作製するには、必要に応じて硬化剤などを加えたモノマ
ーを有機溶剤に溶解し、この塗布液をワイヤーバー法、
グラビア法、スプレー法、ディップコート法、スピンコ
ート法等の手法によって耐熱性樹脂フィルム上に塗布し
たのち乾燥する方法を使用することができる。さらにそ
ののち、必要に応じて下塗膜を焼成して硬化を促進さ
せ、耐熱性や耐溶剤性、密着性などを向上させることが
できる。また、乾燥は溶剤を揮発させるために行われる
ものであるが、この時点で同時に硬化を行うこともでき
る。乾燥方法としては、一般的に行われている熱風乾
燥、赤外線乾燥などを使用することができる。このとき
の乾燥温度は60℃〜250℃程度であることが好まし
い。
To prepare an undercoat layer comprising a thermosetting polyimide resin layer or a thermosetting silicone resin layer on a heat-resistant resin film, a monomer to which a curing agent or the like is added as necessary is dissolved in an organic solvent. This coating solution is applied to the wire bar method,
A method of applying the composition on a heat-resistant resin film by a gravure method, a spray method, a dip coating method, a spin coating method or the like and then drying the applied film can be used. Further, after that, if necessary, the undercoating film is baked to accelerate the curing, and the heat resistance, the solvent resistance, the adhesion and the like can be improved. Drying is performed to volatilize the solvent, but curing can be performed simultaneously at this time. As the drying method, hot air drying, infrared drying and the like which are generally performed can be used. The drying temperature at this time is preferably about 60C to 250C.

【0061】塗膜乾燥の後、さらに硬化を促進させる焼
成方法としては熱風加熱、赤外線加熱、熱ローラー加熱
などを使用することができる。このときの加熱温度は、
塗膜の厚みと後の磁性膜の成膜方法および成膜温度にも
よるが、厚みが1μm前後の場合には100℃〜350
℃が好ましく、200℃〜270℃であることがより好
ましい。温度がこれよりも低い場合には重合反応の進行
が不充分であったり、磁性膜スパッタ時に残留ガスや分
解ガスを発生し、磁性膜の結晶成長を阻害することがあ
る。逆に高すぎると支持体の変形を引き起こしたり、生
産性の低下につながる。なお、一部の素材では加熱によ
る重合以外にも紫外線照射、電子線照射などによる重合
も可能である。
After the coating film is dried, as a firing method for further promoting the curing, hot air heating, infrared heating, hot roller heating and the like can be used. The heating temperature at this time is
Depending on the thickness of the coating film, the method of forming the magnetic film and the film forming temperature, if the thickness is about 1 μm, the temperature is 100 ° C. to 350 ° C.
C. is preferable, and more preferably 200 to 270C. If the temperature is lower than this, the progress of the polymerization reaction may be insufficient, or a residual gas or a decomposition gas may be generated during the sputtering of the magnetic film, which may hinder the crystal growth of the magnetic film. Conversely, if it is too high, the support may be deformed or productivity may be reduced. Some materials can be polymerized by ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, or the like, in addition to polymerization by heating.

【0062】また、下塗膜表面に高さが非常に低い微小
突起を設けることによって、磁気記録媒体と摺動部材と
の真実接触面積を低減し、摺動特性を改善することがで
きるため、基材の磁性膜面には微小突起構造を設けるこ
とが好ましい。この微小突起構造は接着後の支持体のハ
ンドリング性を著しく高める効果も有している。このよ
うな微小突起を作製する方法としては、溶剤に分散した
球状シリカ粒子を塗布する方法、エマルジョンを塗布し
て有機物の突起を形成する方法などが使用できるが、耐
熱性を確保するためにはシリカ粒子がより好ましい。ま
た突起をフィルム表面に固定するためにバインダを用い
ることも可能であるが、耐熱性を確保するため充分な耐
熱性を有する樹脂を用いることが好ましく、このような
素材としては接着剤として使用する熱硬化性イミド樹脂
や熱硬化性シリコン樹脂を用いることが好ましい。
Further, by providing minute projections having a very low height on the surface of the undercoating film, the real contact area between the magnetic recording medium and the sliding member can be reduced and the sliding characteristics can be improved. It is preferable to provide a minute projection structure on the surface of the magnetic film of the substrate. This microprojection structure also has the effect of significantly improving the handleability of the support after bonding. As a method for producing such micro projections, a method of applying spherical silica particles dispersed in a solvent, a method of applying an emulsion to form organic projections, and the like can be used.However, in order to ensure heat resistance, Silica particles are more preferred. It is also possible to use a binder to fix the protrusions to the film surface, but it is preferable to use a resin having sufficient heat resistance to ensure heat resistance, and such a material is used as an adhesive. It is preferable to use a thermosetting imide resin or a thermosetting silicone resin.

【0063】微小突起の高さはディスク表面で5nm〜
60nmが好ましく、10nm〜30nmがより好まし
い。密度は0.1個/μm2 〜100個/μm2 の範囲
であることが好ましく、1個/μm2 〜10/μm2
範囲であることがより好ましい。なお、この微小突起の
高さ、密度はいずれも平均値である。微小突起の高さが
高すぎると、記録再生ヘッドと媒体のスペーシングロス
によって電磁変換特性が劣化し、一方低すぎると摺動特
性の改善効果が少なくなる。また、微小突起の密度が小
さすぎると摺動特性の改善効果が少なくなり、大きすぎ
ると凝集粒子の増加によって高い突起が増加し電磁変換
特性が劣化することになる。なお、バインダの塗布厚み
は20nm以下であることが好ましい。バインダの塗布
厚みが厚すぎると乾燥後にフィルム裏面と接着(ブロッ
キング)を生じる場合がある。
The height of the microprojections is 5 nm to
60 nm is preferable, and 10 nm to 30 nm is more preferable. The density is preferably in the range of 0.1 pieces / μm 2 to 100 pieces / μm 2 , and more preferably in the range of 1 piece / μm 2 to 10 / μm 2 . The height and the density of the minute projections are both average values. If the height of the minute projections is too high, the electromagnetic conversion characteristics are degraded due to the spacing loss between the recording / reproducing head and the medium, while if too small, the effect of improving the sliding characteristics is reduced. On the other hand, if the density of the fine projections is too low, the effect of improving the sliding characteristics is reduced. Preferably, the thickness of the binder applied is 20 nm or less. If the coating thickness of the binder is too large, adhesion (blocking) to the film back surface may occur after drying.

【0064】フロッピーディスクの支持体、特に芳香族
ポリアミド、芳香族ポリイミドは吸水率が高く、磁性膜
形成時にそのまま使用すると、加熱と同時にベースに含
有される水分が急激に放出されるため、磁気特性の劣化
を招くことがある。このような場合には磁性膜の形成に
先立ち、ベーキングプロセスを用いることが有効であ
る。ベーキング温度は磁性膜成膜温度よりも高いことが
好ましく、具体的には150℃〜400℃程度が好まし
く、さらには200℃〜300℃であることが好まし
い。ベーキングはランプ加熱、赤外線ヒータなどの加熱
手段を用いて行うことができる。
The support of a floppy disk, particularly an aromatic polyamide or aromatic polyimide, has a high water absorption. If used as it is when forming a magnetic film, the moisture contained in the base is rapidly released at the same time as the heating, so that the magnetic properties are high. May be deteriorated. In such a case, it is effective to use a baking process before forming the magnetic film. The baking temperature is preferably higher than the magnetic film forming temperature, specifically, preferably about 150 ° C. to 400 ° C., and more preferably 200 ° C. to 300 ° C. Baking can be performed using heating means such as lamp heating and an infrared heater.

【0065】磁性層となる強磁性金属薄膜はスパッタ法
により形成することが好ましい。スパッタの方法として
はDCマグネトロンスパッタ法、RFマグネトロンスパ
ッタ法などの公知の方法を用いることができる。磁性層
の組成としては、コバルトや鉄を主体とした金属または
合金を使用することができる。具体的には、Co−C
r,Co−Ni−Cr,Co−Cr−Ta,Co−Cr
−Pt,Co−Cr−Ta−Pt,Co−Cr−Pt−
Si,Co−Cr−Pt−B,Co−O,Fe−Pt等
が好ましく、特に電磁変換特性を改善するという観点か
らはCo−Cr−Pt,Co−Cr−Pt−Taがより
好ましい。磁性層の厚みは10nm〜30nmとするこ
とが好ましい。
The ferromagnetic metal thin film serving as a magnetic layer is preferably formed by a sputtering method. As a sputtering method, a known method such as a DC magnetron sputtering method or an RF magnetron sputtering method can be used. As the composition of the magnetic layer, a metal or alloy mainly composed of cobalt or iron can be used. Specifically, Co-C
r, Co-Ni-Cr, Co-Cr-Ta, Co-Cr
-Pt, Co-Cr-Ta-Pt, Co-Cr-Pt-
Si, Co-Cr-Pt-B, Co-O, Fe-Pt and the like are preferable, and Co-Cr-Pt and Co-Cr-Pt-Ta are more preferable from the viewpoint of improving electromagnetic conversion characteristics. The thickness of the magnetic layer is preferably set to 10 nm to 30 nm.

【0066】また、磁性層の静磁気特性を改善するため
には下地層を設けることが好ましく、下地層の組成とし
ては公知の金属または合金など、たとえばCr,V,T
i,Ta,W,Si等またはこれらの合金を使用するこ
とができ、特にCr,Cr−Tiがより好ましい。下地
層の厚みは5nm〜100nmとすることが好ましく、
さらには10nm〜60nmとすることがより好ましい
さらに下地層の結晶配向性を制御するために、下地層の
下にシード層を用いることが好ましく、シード層の組成
としてはTa,Mo,W,V,Zr,Cr,Rh,H
f,Nb,Mn,Ni,Al,Ru,Tiまたはこれら
の合金、より好ましくはTa,Cr,Ti,Siまたは
これらの合金が好ましく、シード層の厚みは5nm〜6
0nmとすることが好ましい。さらに下地層と下塗膜も
しくは耐熱性樹脂フィルムの密着性を高めるために密着
層を設けてもよく、密着層の組成としてはCr,V,T
i,Ta,W,Siなどまたはこれらの合金を用いるこ
とが好ましい。
In order to improve the magnetostatic properties of the magnetic layer, it is preferable to provide an underlayer. The composition of the underlayer may be a known metal or alloy such as Cr, V, T
i, Ta, W, Si or the like or an alloy thereof can be used, and particularly, Cr and Cr-Ti are more preferable. The thickness of the underlayer is preferably 5 nm to 100 nm,
More preferably, the thickness is 10 nm to 60 nm. In order to further control the crystal orientation of the underlayer, a seed layer is preferably used under the underlayer. The composition of the seed layer is Ta, Mo, W, V , Zr, Cr, Rh, H
f, Nb, Mn, Ni, Al, Ru, Ti or alloys thereof, more preferably Ta, Cr, Ti, Si or alloys thereof, and the thickness of the seed layer is 5 nm to 6 nm.
It is preferably set to 0 nm. Further, an adhesion layer may be provided to enhance the adhesion between the underlayer and the undercoating or the heat-resistant resin film. The composition of the adhesion layer may be Cr, V, T
It is preferable to use i, Ta, W, Si or the like or an alloy thereof.

【0067】スパッタ法で磁性層を形成する際には、支
持体を加熱した状態で成膜することが好ましく、高温で
成膜するほど高保持力、低ノイズのフロッピーディスク
を作製することができる。この加熱はスパッタに先立っ
たベーキングプロセスで行い基板が冷却する前にスパッ
タプロセスを開始することが好ましい。
When the magnetic layer is formed by the sputtering method, it is preferable to form the film while the support is heated. The higher the temperature, the higher the coercive force and the lower the noise of the floppy disk. . This heating is preferably performed in a baking process prior to the sputtering, and the sputtering process is preferably started before the substrate is cooled.

【0068】フロッピーディスクの走行耐久性および耐
食性を改善するため、強磁性金属薄膜上には保護膜およ
び潤滑膜を設けることが好ましい。保護膜の材質として
は、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コ
バルト、酸化ニッケルなどの酸化物、窒化チタン、窒化
ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭化ケイ素、炭化ク
ロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カ
ーボンなどの炭素を好ましくあげられる。保護膜はヘッ
ド材質と同等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜であ
ることがより好ましく、さらに摺動中に焼付けを生じに
くく、その効果が安定して持続するものが好ましい。そ
のような保護膜としてはDLC膜(ダイヤモンドライク
カーボン)といわれる硬質炭素膜があげられる。
In order to improve the running durability and corrosion resistance of the floppy disk, it is preferable to provide a protective film and a lubricating film on the ferromagnetic metal thin film. As the material of the protective film, oxides such as silica, alumina, titania, zirconia, cobalt oxide and nickel oxide, titanium nitride, silicon nitride, nitrides such as boron nitride, silicon carbide, chromium carbide, carbides such as boron carbide, Carbon such as graphite and amorphous carbon is preferred. The protective film is more preferably a hard film having a hardness equal to or higher than that of the head material, and more preferably a film which hardly causes seizure during sliding, and its effect is stably maintained. As such a protective film, there is a hard carbon film called a DLC film (diamond-like carbon).

【0069】DLC膜は、プラズマCVD法、スパッタ
リング法等で作成したアモルファス炭素膜で、微視的に
はsp2 結合によるクラスターとsp3 結合によるクラ
スターの混合物である。このDLC膜はビッカース硬度
で1000kg/mm2 以上であることが好ましく、2
000kg/mm2 以上であることがより好ましい。D
LC膜の構造をラマン光分光分析によって測定すると、
1540cm-1 付近にいわゆるGピークと呼ばれるメ
インピークが、1390cm-1 にいわゆるDピークと
呼ばれるショルダーが検出され、これによって確認する
ことができる。
The DLC film is an amorphous carbon film formed by a plasma CVD method, a sputtering method, or the like, and is microscopically a mixture of clusters formed by sp 2 bonds and clusters formed by sp 3 bonds. The DLC film preferably has a Vickers hardness of at least 1,000 kg / mm 2 ,
More preferably, it is at least 000 kg / mm 2 . D
When the structure of the LC film is measured by Raman spectroscopy,
The main peak, so-called G peak near 1540 cm -1 is detected shoulder called a D-peak 1390 cm -1, whereby it is possible to confirm.

【0070】これらの硬質炭素膜はスパッタリング法や
CVD法によって作製することができるが、生産性、品
質の安定性、および厚み10nm以下の超薄膜でも良好
な耐摩耗性を確保できるという観点からCVD法によっ
て作成することが好ましい。特にプラズマCVD法によ
って、メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカ
ン、あるいはエチレン、プロピレン等のアルケン、また
はアセチレン等のアルキンをはじめとした炭素含有化合
物を分解して生成した化学種を、磁性膜またはその手前
に設けたメッシュに負バイアス電圧を印加し加速して堆
積する手法により設けることが好ましい。
These hard carbon films can be prepared by a sputtering method or a CVD method. However, from the viewpoint that productivity, stability of quality, and good abrasion resistance can be ensured even with an ultrathin film having a thickness of 10 nm or less. It is preferable to make it by a method. In particular, the chemical species generated by decomposing carbon-containing compounds such as alkane such as methane, ethane, propane and butane, or alkene such as ethylene and propylene, or acetylene such as acetylene by a plasma CVD method, It is preferable to apply a negative bias voltage to the mesh provided in front of the mesh and accelerate and deposit the mesh.

【0071】さらに、原料ガスに窒素ガスを混合し、
C,H,NからなるDLCとすることでヘッドに対する
摩擦係数を低減することができる。保護膜の膜厚が厚い
と電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が
生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するため、膜厚は2
nm〜30nmが好ましく、とくに5nm〜20nmと
することが好ましい。
Further, nitrogen gas is mixed with the raw material gas,
By using a DLC composed of C, H, and N, the coefficient of friction with respect to the head can be reduced. When the thickness of the protective film is large, the electromagnetic conversion characteristics are deteriorated and the adhesion to the magnetic layer is reduced. When the thickness is small, the abrasion resistance is insufficient.
nm to 30 nm is preferable, and particularly preferably 5 nm to 20 nm.

【0072】潤滑膜としては公知の炭化水素系潤滑剤、
フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などを使用することができ
る。炭化水素系潤滑剤としてはステアリン酸、オレイン
酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル
類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸
モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルア
ルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステ
アリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルア
ミン等のアミン類などがあげられる。
As the lubricating film, a known hydrocarbon-based lubricant,
Fluorinated lubricants, extreme pressure additives and the like can be used. Examples of the hydrocarbon-based lubricant include carboxylic acids such as stearic acid and oleic acid, esters such as butyl stearate, sulfonic acids such as octadecylsulfonic acid, phosphoric esters such as monooctadecyl phosphate, stearyl alcohol, oleyl alcohol and the like. Alcohols, carboxylic acid amides such as stearamide, amines such as stearylamine, and the like.

【0073】フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤があげられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエ
チレンオキシド重合体、パーフルオロ−n−プロピレン
オキシド重合体(CF2CF2CF2O)n、パーフルオロ
イソプロピレンオキシド重合体(CF(CF3)CF2O)
n またはこれらの共重合体等が好ましい。具体的には分
子末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パーフ
ルオロエチレン共重合体(FOMBLIN Z−DO
L)などがあげられる。
Examples of the fluorine-based lubricant include lubricants in which part or all of the alkyl groups of the hydrocarbon-based lubricant are substituted with fluoroalkyl groups or perfluoropolyether groups. Examples of the perfluoropolyether group include a perfluoromethylene oxide polymer, a perfluoroethylene oxide polymer, a perfluoro-n-propylene oxide polymer (CF 2 CF 2 CF 2 O) n , and a perfluoroisopropylene oxide polymer (CF ( CF 3 ) CF 2 O)
n or a copolymer thereof is preferred. Specifically, a perfluoromethylene-perfluoroethylene copolymer having a hydroxyl group at a molecular terminal (FOMBLIN Z-DO)
L) and the like.

【0074】極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等
のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン
酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ
亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベ
ンジル等の硫黄系極圧剤などを好ましくあげることがで
きる。
Examples of extreme pressure additives include phosphoric esters such as trilauryl phosphate, phosphites such as trilauryl phosphite, thiophosphites and thiophosphoric esters such as trilauryl trithiophosphite, and the like. Preferred are sulfur-based extreme pressure agents such as dibenzyl sulfide.

【0075】上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して
使用することができる。これらの潤滑剤を磁性膜もしく
は保護膜上に付与する方法としては、潤滑剤を有機溶剤
に溶解し、ワイヤーバー法、グラビア法、スピンコート
法、ディップコート法等で塗布するか、製造装置内に設
けた蒸着プロセスチャンバを用いて真空蒸着法によって
付着させればよい。潤滑剤の塗布量としては1mg/m
2 〜30mg/m2 が好ましく、2mg/m2 〜20m
g/m2 がより好ましい。
The above lubricants can be used alone or in combination of two or more. As a method of applying these lubricants on the magnetic film or the protective film, the lubricant is dissolved in an organic solvent and applied by a wire bar method, a gravure method, a spin coating method, a dip coating method, or the like in a manufacturing apparatus. May be attached by a vacuum evaporation method using the evaporation process chamber provided in the above. The amount of lubricant applied is 1 mg / m
2 to 30 mg / m 2 is preferable, and 2 mg / m 2 to 20 m
g / m 2 is more preferred.

【0076】防錆剤としてはベンゾトリアゾール、ベン
ズイミダゾール、プリン、ピリミジンなどの窒素含有複
素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖などを導入し
た誘導体、ベンゾチアゾール、2−メルカプトンベンゾ
チアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル
化合物などの窒素および硫黄含有複素環類およびこれら
の誘導体等があげられる。防錆剤は潤滑剤に混合して用
いてもよいし、保護膜上に塗布して用いてもよく、また
潤滑剤を塗布する前に保護膜上に防錆剤を塗布しその上
に潤滑剤を塗布して用いてもよい。防錆剤の塗布量は
0.1mg/m2〜10mg/m2 程度であることが好ま
しく、0.5mg/m2 〜5mg/m2 程度であることが
より好ましい。
Examples of the rust preventive include nitrogen-containing heterocycles such as benzotriazole, benzimidazole, purine and pyrimidine, and derivatives having an alkyl side chain introduced into the mother nucleus thereof, benzothiazole, 2-mercaptone benzothiazole, Examples thereof include nitrogen and sulfur-containing heterocycles such as a seindene ring compound and a thiouracil compound, and derivatives thereof. The rust inhibitor may be used as a mixture with the lubricant, or may be used by applying it on the protective film. Before applying the lubricant, apply the rust inhibitor on the protective film and lubricate it An agent may be applied and used. The coating amount of rust preventives is more preferably preferably from 2 to 10 mg / m 2 about 0.1 mg / m, is 0.5mg / m 2 ~5mg / m 2 approximately.

【0077】上記目的で使用可能なテトラザインデン環
化合物として具体的には下記化学式7で表される構造の
ものをあげることができる。
Specific examples of the tetrazaindene ring compound usable for the above purpose include those having a structure represented by the following chemical formula 7.

【0078】[0078]

【化7】 ここで、Rはアルキル基、アルコキシ基、アルキルアミ
ド基から選ばれる炭化水素基であり、特に炭素数3以上
20以下で、アルコキシ基の場合には R4 OCOCH2
−(R4 はC37−,C613−,フェニル)、アルキ
ル基の場合にはC613−,C919−,C1735−、ア
ルキルアミド基の場合には R5NHCOCH2−(R5
はフェニル,C37−)であることが好ましい。
Embedded image Here, R is a hydrocarbon group selected from an alkyl group, an alkoxy group, and an alkylamide group, and particularly has 3 to 20 carbon atoms. In the case of an alkoxy group, R 4 OCOCH 2
- (R 4 is C 3 H 7 -, C 6 H 13 -, phenyl), C 6 H 13 in the case of the alkyl group -, C 9 H 19 -, C 17 H 35 -, in the case of an alkylamide group Is R 5 NHCOCH 2- (R 5
Is preferably phenyl, C 3 H 7 —).

【0079】また、チオウラシル環化合物の具体例には
下記化学式8で表される構造のものをあげることができ
る。
Further, specific examples of the thiouracil ring compound include those having a structure represented by the following chemical formula 8.

【0080】[0080]

【化8】 但し、Rは上記テトラザインデン環化合物におけるもの
と同様のものから選択される。
Embedded image However, R is selected from the same as those in the above tetrazaindene ring compound.

【0081】以下に、実施例を示す。Hereinafter, examples will be described.

【0082】(実施例)磁性面の最大突起粗さRmaxが
80nm、平均中心線粗さRaが0、7nm、厚み25
μmの芳香族ポリアミドからなる耐熱性樹脂フィルムを
160℃のオーブン中で1時間乾燥した。この芳香族ポ
リアミドフィルム2枚を磁性面が外側となるように熱硬
化性接着シート(ソニーケミカル社製00C02)を用
いてロールラミネータで貼り合わせ支持体とした。この
ときのラミネート温度は120℃であった。
(Example) The maximum protrusion roughness Rmax of the magnetic surface is 80 nm, the average center line roughness Ra is 0, 7 nm, and the thickness is 25.
A heat-resistant resin film made of a μm aromatic polyamide was dried in an oven at 160 ° C. for 1 hour. The two aromatic polyamide films were bonded to each other with a roll laminator using a thermosetting adhesive sheet (00C02 manufactured by Sony Chemical Co., Ltd.) so that the magnetic surface was on the outside. The lamination temperature at this time was 120 ° C.

【0083】次にこの支持体の両面にディップコート法
で熱硬化性イミド樹脂(丸善石油化学(株)社製BANI
−NB)のエタノール−シクロヘキサン溶液を塗布し室
温で乾燥した後、230℃で30分間加熱し、厚み1.
0μmの下塗膜を作製した。さらにこの下塗膜上に、直
径18nmのシリカ粒子のエタノール−シクロヘキサン
溶液をディップコート法により塗布した後、250℃で
5分間乾燥して突起高さの平均値が約20nm、突起密
度が10個/μm2 の微小突起を形成した。この下塗膜
を設けたフィルムを3.7inchディスク形状に打ち
抜き、フロッピーディスク支持体を作製した。
Next, a thermosetting imide resin (BANI manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) was applied on both sides of the support by dip coating.
-NB) in ethanol-cyclohexane and dried at room temperature, and then heated at 230 ° C for 30 minutes to obtain a thickness of 1.
An undercoat of 0 μm was prepared. Further, an ethanol-cyclohexane solution of silica particles having a diameter of 18 nm was applied on the undercoating film by a dip coating method, and then dried at 250 ° C. for 5 minutes. The average value of the projection height was about 20 nm, and the projection density was 10 pieces. / μm 2 minute projections were formed. The film provided with the undercoat was punched into a 3.7-inch disk shape to prepare a floppy disk support.

【0084】次に、このフロッピーディスク支持体をス
トックケースに格納し、枚様式スパッタ装置の搬入真空
室に入れ、ストックケースからフロッピーディスク支持
体を取り出して図4に示した固定治具6に把持させた。
固定治具6をメインチャンバに搬送し、固定治具7設置
されている各プロセスチャンバで成膜した。このプロセ
スチャンバは230℃のベーキングチャンバ、200℃
のベーキングチャンバ、Arイオンによるクリーニング
チャンバ、Ta−Siシード層のスパッタチャンバ、C
r−Ti下塗膜のスパッタチャンバ、Co−Cr−Pt
磁性膜のスパッタチャンバ、0℃のクリーニングチャン
バ、C,H,NからなるDLC保護膜のCVD成膜チャ
ンバの順で、各プロセスチャンバの滞在時間は10秒と
した。成膜が終了したフロッピーディスクは再びストッ
クケースに格納し予備排気室を通して大気中に取り出し
た。
Next, the floppy disk support is stored in a stock case, placed in a carry-in vacuum chamber of a sheet type sputtering apparatus, and the floppy disk support is taken out of the stock case and gripped by a fixing jig 6 shown in FIG. I let it.
The fixing jig 6 was transported to the main chamber, and a film was formed in each process chamber in which the fixing jig 7 was installed. The process chamber is a baking chamber at 230 ° C, 200 ° C
Baking chamber, Ar ion cleaning chamber, Ta-Si seed layer sputtering chamber, C
r-Ti undercoat sputter chamber, Co-Cr-Pt
The residence time of each process chamber was set to 10 seconds in the order of a magnetic film sputtering chamber, a 0 ° C. cleaning chamber, and a DLC protective film CVD chamber made of C, H, and N. The floppy disk on which the film formation was completed was stored again in the stock case and taken out to the atmosphere through the preliminary exhaust chamber.

【0085】続いて、フロッピーディスクにセンターコ
アを貼り付け、ディップコート法で両面の保護膜上にパ
ーフルオロポリエーテル系潤滑剤(アウジモント社製F
OMBLIN Z−DOL)をフッ素系溶剤(住友スリ
ーエム社製FC−77)に溶解した溶液と塗布し、厚み
1nmの潤滑膜を作製した。このフロッピーディスクを
富士写真フィルム社製Zip100カートリッジに組み
込んで、フロッピーディスク媒体を作製した。
Subsequently, a center core was attached to a floppy disk, and a perfluoropolyether-based lubricant (Fusion made by Ausimont Co., Ltd.) was applied on the protective films on both sides by dip coating.
OMBLIN Z-DOL) was applied with a solution of a fluorine-based solvent (FC-77 manufactured by Sumitomo 3M) to form a lubricating film having a thickness of 1 nm. This floppy disk was incorporated into a Zip100 cartridge manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. to prepare a floppy disk medium.

【0086】作製したフロッピーディスクはそりや変形
がなく、外観は良好であった。また3000rpmにお
ける面ぶれを光ファイバ式変位計で評価したところ、内
周で20μm、外周で40μmであり回転安定性は良好
であった。内周部でMRヘッドを用いて130kFCI
の信号の記録再生を行ったが、1周における出力のモジ
ュレーションが少なく、C/Nは35dBであった。さ
らに、23℃50%RHの環境下、Zip100ドライ
ブにおける固定トラック(内周)連続走行耐久試験を行
ったが、300時間走行後も出力の低下は0.8dBで
あり、良好な耐久性を示した。
The prepared floppy disk had no warpage or deformation and had a good appearance. When the runout at 3000 rpm was evaluated by an optical fiber displacement meter, the inner circumference was 20 μm and the outer circumference was 40 μm, and the rotation stability was good. 130kFCI using MR head on inner circumference
Was recorded and reproduced, the output modulation in one round was small, and the C / N was 35 dB. Furthermore, a fixed track (inner circumference) continuous running durability test was performed in a Zip100 drive under an environment of 23 ° C. and 50% RH. The output decreased by 0.8 dB even after running for 300 hours, indicating good durability. Was.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施の形態である枚様式スパッ
タ法によるフロッピーディスク製造装置の概略模式図
FIG. 1 is a schematic diagram showing a floppy disk manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention, which is formed by a sheet-type sputtering method.

【図2】第一の実施の形態を示すフロッピーディスク支
持体固定手段の正面図
FIG. 2 is a front view of a floppy disk support fixing means according to the first embodiment;

【図3】図2に示すフロッピーディスク支持体固定手段
の断面図
FIG. 3 is a sectional view of the floppy disk support fixing means shown in FIG. 2;

【図4】第二の実施の形態を示すフロッピーディスク支
持体固定手段の正面図
FIG. 4 is a front view of a floppy disk support fixing means according to a second embodiment;

【図5】第二の実施の形態である連続式スパッタ法によ
るフロッピーディスク製造装置の概略模式図
FIG. 5 is a schematic diagram of a floppy disk manufacturing apparatus according to a continuous sputtering method according to a second embodiment.

【図6】複数枚のフロッピーディスクをセット可能な搬
送用トレイの概略模式図
FIG. 6 is a schematic diagram of a transport tray on which a plurality of floppy disks can be set.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フロッピーディスク支持体 2 固定手段 10 フロッピーディスク製造装置 11 搬入真空室 12 成膜室 13 搬出真空室 14 搬送手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Floppy disk support 2 Fixing means 10 Floppy disk manufacturing apparatus 11 Loading vacuum chamber 12 Deposition chamber 13 Unloading vacuum chamber 14 Transport means

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長尾 信 神奈川県小田原市扇町2丁目12番1号 富 士写真フイルム株式会社内 (72)発明者 中田 純司 神奈川県小田原市扇町2丁目12番1号 富 士写真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 5D112 AA02 AA24 FA04 FB21 FB25 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Shin Nagao, Inventor 2-12-1, Ogimachi, Odawara-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fuji Photo Film Co., Ltd. (72) Inventor Junji Nakata 2-12-1, Ogimachi, Odawara-shi, Kanagawa Prefecture Fuji Photo Film Co., Ltd. F-term (reference) 5D112 AA02 AA24 FA04 FB21 FB25

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空室内においてフロッピーディスク支
持体の外周部を固定手段で固定し、前記フロッピーディ
スク支持体が固定された前記固定手段を前記真空室内に
隣接する成膜室に移動し、該成膜室内で前記フロッピー
ディスク支持体にスパッタ法により磁性膜を形成し、該
磁性膜が形成されたフロッピーディスク支持体を真空室
内に移動することを特徴とするフロッピーディスクの製
造方法。
1. An outer peripheral portion of a floppy disk support is fixed in a vacuum chamber by fixing means, and the fixing means to which the floppy disk support is fixed is moved to a film forming chamber adjacent to the vacuum chamber. A method of manufacturing a floppy disk, comprising: forming a magnetic film on the floppy disk support in a film chamber by a sputtering method; and moving the floppy disk support on which the magnetic film is formed into a vacuum chamber.
【請求項2】 前記固定手段が、前記フロッピーディス
ク支持体の周縁部を把持する半円状の把持部を有する2
つの支持体周縁治具からなることを特徴とする請求項1
記載のフロッピーディスクの製造方法。
2. The fixing device according to claim 2, wherein the fixing means has a semicircular grip for gripping a peripheral edge of the floppy disk support.
2. A support jig comprising two supporting members.
A method for manufacturing the floppy disk according to the above.
【請求項3】 フロッピーディスク支持体が出し入れ可
能な真空室と、該真空室に隣接し前記フロッピーディス
ク支持体にスパッタ法により磁性膜を形成する成膜室
と、前記フロッピーディスク支持体の外周を着脱自在に
固定する固定手段と、該固定手段を前記真空室と前記成
膜室との間で搬送する搬送手段とを有していることを特
徴とするフロッピーディスクの製造装置。
3. A vacuum chamber in which a floppy disk support can be taken in and out, a film forming chamber adjacent to the vacuum chamber for forming a magnetic film on the floppy disk support by sputtering, and an outer periphery of the floppy disk support. An apparatus for manufacturing a floppy disk, comprising: fixing means for detachably fixing; and conveying means for conveying the fixing means between the vacuum chamber and the film forming chamber.
【請求項4】 前記固定手段が、前記フロッピーディス
ク支持体の周縁部を把持する半円状の把持部を有する2
つの支持体周縁治具からなることを特徴とする請求項3
記載のフロッピーディスクの製造装置。
4. A fixing device according to claim 2, wherein said fixing means has a semicircular grip for gripping a peripheral edge of said floppy disk support.
4. A support jig comprising two peripheral jigs.
An apparatus for manufacturing a floppy disk according to the above.
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