JP2002099333A - 電源制御回路 - Google Patents
電源制御回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 貫通電流を防止して、二次側電源の容量低下
を回避する電源制御回路を提供する。 【解決手段】 電池２による入力電圧が所定の値以下に
なれば、電圧検出回路１０がそれを検出して、放電回路
４０が、電荷蓄積回路３０から電荷の供給を受けて、動
作電圧供給回路２０を放電させる。よって、動作電圧供
給回路２０が生成する動作電圧が急速に低下するので、
第一デバイス６にロジック結線された第二デバイスにバ
ックアップ電池からの貫通電流が流れることを防止する
ことができる。また、放電回路４０を動作させるために
電荷蓄積回路３０を使用できるので、放電回路４０を動
作させるためのさらなる電源を必要としない。
を回避する電源制御回路を提供する。 【解決手段】 電池２による入力電圧が所定の値以下に
なれば、電圧検出回路１０がそれを検出して、放電回路
４０が、電荷蓄積回路３０から電荷の供給を受けて、動
作電圧供給回路２０を放電させる。よって、動作電圧供
給回路２０が生成する動作電圧が急速に低下するので、
第一デバイス６にロジック結線された第二デバイスにバ
ックアップ電池からの貫通電流が流れることを防止する
ことができる。また、放電回路４０を動作させるために
電荷蓄積回路３０を使用できるので、放電回路４０を動
作させるためのさらなる電源を必要としない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一次側電源に接続
された第一デバイスと、二次側電源に接続された第二デ
バイスとがロジック的に結線されている場合において、
一次側電源から電圧が供給されなくなったときに、第二
デバイスに流れる貫通電流を防止するための電源制御回
路に関する。
された第一デバイスと、二次側電源に接続された第二デ
バイスとがロジック的に結線されている場合において、
一次側電源から電圧が供給されなくなったときに、第二
デバイスに流れる貫通電流を防止するための電源制御回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に従来技術におけるデバイスがロジ
ック信号線により結線された回路の構成を示す。一次側
電源２０２は電池であり、着脱可能である。一次側電源
２０２の供給する電圧は、動作電圧供給回路２０４によ
って所要の動作電圧とされ、電源供給線２０６を介して
ＣＰＵ２０８に供給される。また、二次側電源３０２
は、バックアップ用の電池であり、二次側電源３０２の
供給する電圧は、ＳＲＡＭ３０４に供給される。二次側
電源３０２の供給する電圧は、ＳＲＡＭ３０４が動作す
るのに必要な電圧を維持している。ＣＰＵ２０８とＳＲ
ＡＭ３０４とはロジック信号線３０６により結線されて
いる。
ック信号線により結線された回路の構成を示す。一次側
電源２０２は電池であり、着脱可能である。一次側電源
２０２の供給する電圧は、動作電圧供給回路２０４によ
って所要の動作電圧とされ、電源供給線２０６を介して
ＣＰＵ２０８に供給される。また、二次側電源３０２
は、バックアップ用の電池であり、二次側電源３０２の
供給する電圧は、ＳＲＡＭ３０４に供給される。二次側
電源３０２の供給する電圧は、ＳＲＡＭ３０４が動作す
るのに必要な電圧を維持している。ＣＰＵ２０８とＳＲ
ＡＭ３０４とはロジック信号線３０６により結線されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、一次側電源２
０２を取り外すか、あるいは一次側電源２０２が消耗、
あるいは電源オフの操作によって動作電圧供給回路が動
作を停止すれば、電源供給線２０６の電圧は徐々に降下
する。そのとき、ロジック信号線３０６がハイレベルを
出力していれば、ＳＲＡＭ３０４に貫通電流が流れる。
この貫通電流は、二次側電源３０２から供給されるた
め、二次側電源３０２の容量低下をもたらす。
０２を取り外すか、あるいは一次側電源２０２が消耗、
あるいは電源オフの操作によって動作電圧供給回路が動
作を停止すれば、電源供給線２０６の電圧は徐々に降下
する。そのとき、ロジック信号線３０６がハイレベルを
出力していれば、ＳＲＡＭ３０４に貫通電流が流れる。
この貫通電流は、二次側電源３０２から供給されるた
め、二次側電源３０２の容量低下をもたらす。
【０００４】そこで、本発明は、貫通電流を防止して、
二次側電源の容量低下を回避する電源制御回路を提供す
ることを課題とする。
二次側電源の容量低下を回避する電源制御回路を提供す
ることを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、デバイスの動
作に必要な動作電圧を供給する電源制御回路である。本
発明に係る電源制御回路は、入力電圧供給源、電圧検出
手段、動作電圧供給手段、電荷蓄積手段、放電手段を備
える。
作に必要な動作電圧を供給する電源制御回路である。本
発明に係る電源制御回路は、入力電圧供給源、電圧検出
手段、動作電圧供給手段、電荷蓄積手段、放電手段を備
える。
【０００６】入力電圧供給源は入力電圧を生成する。電
圧検出手段は、入力電圧が所定の値以下になったことを
検出する。動作電圧供給手段は、入力電圧を動作電圧に
してデバイスに供給する。電荷蓄積手段は、動作電圧供
給手段が生成する動作電圧を受けて、電荷を蓄積する。
放電手段は、電荷蓄積手段から電荷の供給を受けて、入
力電圧が所定の値以下になった時に動作電圧供給手段を
放電させる。
圧検出手段は、入力電圧が所定の値以下になったことを
検出する。動作電圧供給手段は、入力電圧を動作電圧に
してデバイスに供給する。電荷蓄積手段は、動作電圧供
給手段が生成する動作電圧を受けて、電荷を蓄積する。
放電手段は、電荷蓄積手段から電荷の供給を受けて、入
力電圧が所定の値以下になった時に動作電圧供給手段を
放電させる。
【０００７】上記のように構成された電源制御回路によ
れば、入力電圧が所定の値以下になれば、放電手段が電
荷蓄積手段から電荷の供給を受けて、動作電圧供給手段
を放電させる。よって、動作電圧供給手段が生成する動
作電圧が急速に低下するので、貫通電流を防止すること
ができる。また、放電手段を動作させるために電荷蓄積
手段を使用できるので、放電手段を動作させるためのさ
らなる電源を必要としない。
れば、入力電圧が所定の値以下になれば、放電手段が電
荷蓄積手段から電荷の供給を受けて、動作電圧供給手段
を放電させる。よって、動作電圧供給手段が生成する動
作電圧が急速に低下するので、貫通電流を防止すること
ができる。また、放電手段を動作させるために電荷蓄積
手段を使用できるので、放電手段を動作させるためのさ
らなる電源を必要としない。
【０００８】なお、電荷蓄積手段はコンデンサを有する
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１０】図１は、本発明の実施形態にかかる電源制
御回路を携帯電話に組み込んだ場合の構成を示すブロッ
ク図である。携帯電話は、電源部１、電池２、バックア
ップ電池４、アンテナ１０２、ＲＦ（Radio Frequenc
y）部１０４、ベースバンド信号処理部１０６、音声Ｃ
ＯＤＥＣ（Code / Decode）１０８、スピーカ１１０、
マイク１１２、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memor
y）１１４、Flash ROM（Flash Read Only Memory）１１
６、表示装置１１８、キー（Ｋｅｙ）１２０、システム
コントロールＣＰＵ（Central Processing Unit）１２
２を有する。
御回路を携帯電話に組み込んだ場合の構成を示すブロッ
ク図である。携帯電話は、電源部１、電池２、バックア
ップ電池４、アンテナ１０２、ＲＦ（Radio Frequenc
y）部１０４、ベースバンド信号処理部１０６、音声Ｃ
ＯＤＥＣ（Code / Decode）１０８、スピーカ１１０、
マイク１１２、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memor
y）１１４、Flash ROM（Flash Read Only Memory）１１
６、表示装置１１８、キー（Ｋｅｙ）１２０、システム
コントロールＣＰＵ（Central Processing Unit）１２
２を有する。
【００１１】電源部１は、電池２から入力電圧の供給を
受け、ＲＦ部１０４、ベースバンド信号処理部１０６、
音声ＣＯＤＥＣ１０８、ＳＲＡＭ１１４、Flash ROM１
１６、表示装置１１８に動作電圧を供給する。バックア
ップ電池４は、電源部１のバックアップ用電源である。
携帯電話は送受信双方を行うことができるので、各部の
説明を送受信に分けて説明することにする。
受け、ＲＦ部１０４、ベースバンド信号処理部１０６、
音声ＣＯＤＥＣ１０８、ＳＲＡＭ１１４、Flash ROM１
１６、表示装置１１８に動作電圧を供給する。バックア
ップ電池４は、電源部１のバックアップ用電源である。
携帯電話は送受信双方を行うことができるので、各部の
説明を送受信に分けて説明することにする。
【００１２】受信の場合は、アンテナ１０２は、電波を
受信するためのものである。ＲＦ部１０４は、受信した
電波をＲＦ信号として、ベースバンド信号処理部１０６
に送信する。ベースバンド信号処理部１０６はＣＰＵ６
ａ、ＤＳＰ（Digital SignalProcessor）６ｂ、ＳＲＡ
Ｍ８を有する。ベースバンド信号処理部１０６は、受け
取ったＲＦ信号をベースバンド信号に変換して様々な処
理を行う。その処理の際、ＣＰＵ６ａあるいはＤＳＰ６
ｂがＳＲＡＭ８を使用して様々な演算を行う。音声ＣＯ
ＤＥＣ（Code / Decode）１０８は、ベースバンド信号
処理部１０６の出力を音声信号に変換してスピーカ１１
０に出力する。携帯電話のユーザはスピーカ１１０に耳
をあてるなどして、携帯電話が受信した音声を聞くこと
ができる。ＳＲＡＭ１１４、Flash ROM１１６、はシス
テムコントロールＣＰＵ１２２が、キー１２０による入
力を受け、ベースバンド信号処理部１０６、表示装置１
１８を制御する際に使用するためのメモリである。表示
装置１１８は、通信相手の電話番号などを表示するため
のディスプレイである。キー１２０は、テンキー、発信
ボタンなどである。システムコントロールＣＰＵ１２２
は、キー１２０による入力を受け、ベースバンド信号処
理部１０６、表示装置１１８を制御する。
受信するためのものである。ＲＦ部１０４は、受信した
電波をＲＦ信号として、ベースバンド信号処理部１０６
に送信する。ベースバンド信号処理部１０６はＣＰＵ６
ａ、ＤＳＰ（Digital SignalProcessor）６ｂ、ＳＲＡ
Ｍ８を有する。ベースバンド信号処理部１０６は、受け
取ったＲＦ信号をベースバンド信号に変換して様々な処
理を行う。その処理の際、ＣＰＵ６ａあるいはＤＳＰ６
ｂがＳＲＡＭ８を使用して様々な演算を行う。音声ＣＯ
ＤＥＣ（Code / Decode）１０８は、ベースバンド信号
処理部１０６の出力を音声信号に変換してスピーカ１１
０に出力する。携帯電話のユーザはスピーカ１１０に耳
をあてるなどして、携帯電話が受信した音声を聞くこと
ができる。ＳＲＡＭ１１４、Flash ROM１１６、はシス
テムコントロールＣＰＵ１２２が、キー１２０による入
力を受け、ベースバンド信号処理部１０６、表示装置１
１８を制御する際に使用するためのメモリである。表示
装置１１８は、通信相手の電話番号などを表示するため
のディスプレイである。キー１２０は、テンキー、発信
ボタンなどである。システムコントロールＣＰＵ１２２
は、キー１２０による入力を受け、ベースバンド信号処
理部１０６、表示装置１１８を制御する。
【００１３】送信の場合は、マイク１１２は、携帯電話
のユーザの発声を受け、音声信号に変換する。音声ＣＯ
ＤＥＣ（Code / Decode）１０８は、マイク１１２の生
成する音声信号を、ベースバンド信号処理部１０６の処
理できる形式にして出力する。ベースバンド信号処理部
１０６は、受け取った音声ＣＯＤＥＣ１０８の出力をＲ
Ｆ信号に変換する。その処理の際、ＣＰＵ６ａあるいは
ＤＳＰ６ｂがＳＲＡＭ８を使用して様々な演算を行う。
ＲＦ部１０４は、ベースバンド信号処理部１０６の出力
を電波に変え、アンテナ１０２は、電波を送信する。Ｓ
ＲＡＭ１１４、Flash ROM１１６、はシステムコントロ
ールＣＰＵ１２２が、キー１２０による入力を受け、ベ
ースバンド信号処理部１０６、表示装置１１８を制御す
る際に使用するためのメモリである。表示装置１１８
は、通信相手の電話番号などを表示するためのディスプ
レイである。キー１２０は、テンキー、発信ボタンなど
である。システムコントロールＣＰＵ１２２は、キー１
２０による入力を受け、ベースバンド信号処理部１０
６、表示装置１１８を制御する。
のユーザの発声を受け、音声信号に変換する。音声ＣＯ
ＤＥＣ（Code / Decode）１０８は、マイク１１２の生
成する音声信号を、ベースバンド信号処理部１０６の処
理できる形式にして出力する。ベースバンド信号処理部
１０６は、受け取った音声ＣＯＤＥＣ１０８の出力をＲ
Ｆ信号に変換する。その処理の際、ＣＰＵ６ａあるいは
ＤＳＰ６ｂがＳＲＡＭ８を使用して様々な演算を行う。
ＲＦ部１０４は、ベースバンド信号処理部１０６の出力
を電波に変え、アンテナ１０２は、電波を送信する。Ｓ
ＲＡＭ１１４、Flash ROM１１６、はシステムコントロ
ールＣＰＵ１２２が、キー１２０による入力を受け、ベ
ースバンド信号処理部１０６、表示装置１１８を制御す
る際に使用するためのメモリである。表示装置１１８
は、通信相手の電話番号などを表示するためのディスプ
レイである。キー１２０は、テンキー、発信ボタンなど
である。システムコントロールＣＰＵ１２２は、キー１
２０による入力を受け、ベースバンド信号処理部１０
６、表示装置１１８を制御する。
【００１４】本発明の実施形態にかかる電源制御回路
は、電源部１、電池２、バックアップ電池４、第一デバ
イス６、第二デバイス８を有する。すなわち、電源部１
が電池２から入力電圧を受け、第一デバイス６（ＣＰＵ
６ａあるいはＤＳＰ６ｂ）に動作電圧を供給する。そし
て、バックアップ電池４が、第二デバイス８（ＳＲＡＭ
８）に動作電圧を供給する。そして、第一デバイス６と
第二デバイス８とはロジック信号線により結合されてい
る。本発明の実施形態にかかる電源制御回路を携帯電話
から抽出したものを図２に示す。
は、電源部１、電池２、バックアップ電池４、第一デバ
イス６、第二デバイス８を有する。すなわち、電源部１
が電池２から入力電圧を受け、第一デバイス６（ＣＰＵ
６ａあるいはＤＳＰ６ｂ）に動作電圧を供給する。そし
て、バックアップ電池４が、第二デバイス８（ＳＲＡＭ
８）に動作電圧を供給する。そして、第一デバイス６と
第二デバイス８とはロジック信号線により結合されてい
る。本発明の実施形態にかかる電源制御回路を携帯電話
から抽出したものを図２に示す。
【００１５】図３に、電源部１の内部構成を示す。電源
部１は、電圧検出回路１０、動作電圧供給回路２０、電
荷蓄積回路３０、放電回路４０を有する。電源部１は、
入力電圧を生成する電池２から入力電圧を受け、第一デ
バイス６に動作電圧を供給する。
部１は、電圧検出回路１０、動作電圧供給回路２０、電
荷蓄積回路３０、放電回路４０を有する。電源部１は、
入力電圧を生成する電池２から入力電圧を受け、第一デ
バイス６に動作電圧を供給する。
【００１６】電圧検出回路１０は、入力電圧が所定の値
以下になったことを検出する。電池２を取り外したり、
電池２が消耗したりすると、入力電圧が所定の値以下に
なるので、このような場合に、電圧検出回路１０が入力
電圧の低下を検出することになる。
以下になったことを検出する。電池２を取り外したり、
電池２が消耗したりすると、入力電圧が所定の値以下に
なるので、このような場合に、電圧検出回路１０が入力
電圧の低下を検出することになる。
【００１７】動作電圧供給回路２０は、入力電圧を動作
電圧にして第一デバイス６に供給する。電荷蓄積回路３
０は、動作電圧供給回路２０が生成する動作電圧を受け
て、電荷を蓄積する。放電回路４０は、電荷蓄積回路３
０から電圧の供給を受けて、入力電圧が所定の値以下に
なった時に動作電圧供給回路２０を放電させる。
電圧にして第一デバイス６に供給する。電荷蓄積回路３
０は、動作電圧供給回路２０が生成する動作電圧を受け
て、電荷を蓄積する。放電回路４０は、電荷蓄積回路３
０から電圧の供給を受けて、入力電圧が所定の値以下に
なった時に動作電圧供給回路２０を放電させる。
【００１８】図４に、動作電圧供給回路２０、電荷蓄積
回路３０、放電回路４０の詳細な回路図を示す。電圧検
出回路１０は、電池２が生成する入力電圧を入力とす
る。入力電圧は、電池２が正常な状態であれば、例えば
3.6から4.2[V]である。入力電圧が所定の値以下（例え
ば、3.3[V]以下）になった場合には、電圧検出回路１０
は出力をLowにし、入力電圧が所定の値を超えている場
合には、電圧検出回路１０は出力をHighにする。電圧検
出回路１０の出力は、放電回路４０の後述するＮチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor / Field
Effect Transistor）４２のゲート端子に接続されてい
る。
回路３０、放電回路４０の詳細な回路図を示す。電圧検
出回路１０は、電池２が生成する入力電圧を入力とす
る。入力電圧は、電池２が正常な状態であれば、例えば
3.6から4.2[V]である。入力電圧が所定の値以下（例え
ば、3.3[V]以下）になった場合には、電圧検出回路１０
は出力をLowにし、入力電圧が所定の値を超えている場
合には、電圧検出回路１０は出力をHighにする。電圧検
出回路１０の出力は、放電回路４０の後述するＮチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor / Field
Effect Transistor）４２のゲート端子に接続されてい
る。
【００１９】動作電圧供給回路２０は、基準電源２２、
差動増幅器２４、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６を有す
る。基準電源２２は、陰極が接地され、陽極が差動増幅
器２４の＋入力に接続された電池である。基準電源２２
の電圧は、例えば３[V]である。差動増幅器２４は、基
準電源２２の陽極を＋入力に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
２６のソース端子の出力を−入力に、出力をＰチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子に接続した差動増幅器で
ある。すなわち、基準電源２２の電圧から、Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２６のソース端子の出力を減じて増幅し、
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子に出力する。
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６は、ドレーン端子が電池２
の陽極に、ソース端子が第一デバイス６に、ゲート端子
が差動増幅器２４の出力に接続されている。
差動増幅器２４、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６を有す
る。基準電源２２は、陰極が接地され、陽極が差動増幅
器２４の＋入力に接続された電池である。基準電源２２
の電圧は、例えば３[V]である。差動増幅器２４は、基
準電源２２の陽極を＋入力に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
２６のソース端子の出力を−入力に、出力をＰチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子に接続した差動増幅器で
ある。すなわち、基準電源２２の電圧から、Ｐチャネル
ＭＯＳＦＥＴ２６のソース端子の出力を減じて増幅し、
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子に出力する。
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６は、ドレーン端子が電池２
の陽極に、ソース端子が第一デバイス６に、ゲート端子
が差動増幅器２４の出力に接続されている。
【００２０】電荷蓄積回路３０は、コンデンサ３２、抵
抗３４、ダイオード３６を有する。コンデンサ３２は、
一端が接地され、他端が、抵抗３４およびダイオード３
６の一端に接続されている。コンデンサ３２の容量は、
例えば0.01[μF]である。抵抗３４は、一端がコンデン
サ３２の他端に接続され、他端（点（ｄ））が動作電圧
供給回路２０のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のソース端
子に接続されている。抵抗３４の抵抗値は、例えば330
[kΩ]である。ダイオード３６は、一端がコンデンサ３
２の他端に接続され、他端（点（ｅ））が動作電圧供給
回路２０のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のソース端子に
接続されている。ダイオード３６は、他端から一端へ電
流を流す。
抗３４、ダイオード３６を有する。コンデンサ３２は、
一端が接地され、他端が、抵抗３４およびダイオード３
６の一端に接続されている。コンデンサ３２の容量は、
例えば0.01[μF]である。抵抗３４は、一端がコンデン
サ３２の他端に接続され、他端（点（ｄ））が動作電圧
供給回路２０のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のソース端
子に接続されている。抵抗３４の抵抗値は、例えば330
[kΩ]である。ダイオード３６は、一端がコンデンサ３
２の他端に接続され、他端（点（ｅ））が動作電圧供給
回路２０のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のソース端子に
接続されている。ダイオード３６は、他端から一端へ電
流を流す。
【００２１】なお、抵抗３４およびダイオード３６の一
端は、コンデンサ３２の他端とともに、放電回路４０の
後述するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のドレーン端子に
接続されている。
端は、コンデンサ３２の他端とともに、放電回路４０の
後述するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のドレーン端子に
接続されている。
【００２２】放電回路４０は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
４２、４４、接地抵抗４６、抵抗４８を有する。Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ４２のドレーン端子は、抵抗４８を介
して、抵抗３４およびダイオード３６の一端と、コンデ
ンサ３２の他端とに接続されている。ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ４２のソース端子は、接地されている。Ｎチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ４２のゲート端子は、電圧検出回路１０
の出力に接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４
のドレーン端子は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のソー
ス端子に接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４
のソース端子は、接地されている。ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ４４のゲート端子は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２
のドレーン端子に接続されている。なお、接地抵抗４６
は、電圧検出回路１０の出力を接地する。
４２、４４、接地抵抗４６、抵抗４８を有する。Ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ４２のドレーン端子は、抵抗４８を介
して、抵抗３４およびダイオード３６の一端と、コンデ
ンサ３２の他端とに接続されている。ＮチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ４２のソース端子は、接地されている。Ｎチャネ
ルＭＯＳＦＥＴ４２のゲート端子は、電圧検出回路１０
の出力に接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４
のドレーン端子は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２６のソー
ス端子に接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４
のソース端子は、接地されている。ＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴ４４のゲート端子は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２
のドレーン端子に接続されている。なお、接地抵抗４６
は、電圧検出回路１０の出力を接地する。
【００２３】次に、本発明の実施形態の動作を説明す
る。まず、電池２が正常な状態な場合の動作を説明す
る。電池２が正常な状態な場合は、入力電圧は所定の値
を超えているので、電圧検出回路１０の出力は、Highで
ある。よって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のゲート端
子には、Highが入力され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２
のドレーン端子とソース端子とは導通状態にはならな
い。よって、放電回路４０は作動しない。
る。まず、電池２が正常な状態な場合の動作を説明す
る。電池２が正常な状態な場合は、入力電圧は所定の値
を超えているので、電圧検出回路１０の出力は、Highで
ある。よって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のゲート端
子には、Highが入力され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２
のドレーン端子とソース端子とは導通状態にはならな
い。よって、放電回路４０は作動しない。
【００２４】一方、図４に示す（ａ）点の電圧Vaが、基
準電源２２の電圧（３[V]）よりも小さければ、差動増
幅器２４の出力はHighになるので、チャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２６のドレーン端子とソース端子とは導通状態にな
る。そこで、（ａ）点には電池２からの電圧が与えら
れ、Vaが大きくなる。Vaが、基準電源２２の電圧（３
[V]）よりも大きければ、差動増幅器２４の出力はLowに
なるので、チャネルＭＯＳＦＥＴ２６のドレーン端子と
ソース端子とは導通状態にならない。そこで、（ａ）点
には電池２からの電圧が与えられないので、Vaが小さく
なる。よって、Vaは、基準電源２２の電圧に保たれる。
Vaは、動作電圧として第一デバイス６に与えられる。す
なわち、動作電圧供給回路２０は、入力電圧を動作電圧
にして第一デバイス６に与える。
準電源２２の電圧（３[V]）よりも小さければ、差動増
幅器２４の出力はHighになるので、チャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ２６のドレーン端子とソース端子とは導通状態にな
る。そこで、（ａ）点には電池２からの電圧が与えら
れ、Vaが大きくなる。Vaが、基準電源２２の電圧（３
[V]）よりも大きければ、差動増幅器２４の出力はLowに
なるので、チャネルＭＯＳＦＥＴ２６のドレーン端子と
ソース端子とは導通状態にならない。そこで、（ａ）点
には電池２からの電圧が与えられないので、Vaが小さく
なる。よって、Vaは、基準電源２２の電圧に保たれる。
Vaは、動作電圧として第一デバイス６に与えられる。す
なわち、動作電圧供給回路２０は、入力電圧を動作電圧
にして第一デバイス６に与える。
【００２５】また、動作電圧が第一デバイス６に与えら
れる間、コンデンサ３２には電荷が蓄積され、（ｆ）点
において高い電位Vfを保っている。すなわち、電荷蓄積
回路３０のコンデンサ３２は、動作電圧を受けて、電荷
を蓄積する。
れる間、コンデンサ３２には電荷が蓄積され、（ｆ）点
において高い電位Vfを保っている。すなわち、電荷蓄積
回路３０のコンデンサ３２は、動作電圧を受けて、電荷
を蓄積する。
【００２６】次に、電池２が消耗したり、取り外された
りした場合の動作を説明する。この場合、入力電圧が所
定の値以下になるので、電圧検出回路１０は出力がLow
になる。すなわち、電圧検出回路１０は入力電圧が所定
の値以下になったことを検出する。
りした場合の動作を説明する。この場合、入力電圧が所
定の値以下になるので、電圧検出回路１０は出力がLow
になる。すなわち、電圧検出回路１０は入力電圧が所定
の値以下になったことを検出する。
【００２７】そこで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のゲ
ート端子には、Lowが入力される。しかも、Vfが高い電
位である。よって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のドレ
ーン端子とソース端子とは導通状態になる。一般に、Ｎ
チャネルＭＯＳＦＥＴのゲート端子にLowを入力しただ
けでは、ドレーン端子とソース端子とは導通状態になら
ない。ドレーン端子とソース端子との間に、電圧をか
け、電荷を与えなければならない。ここで、Vfが高い電
位であることから、ドレーン端子とソース端子との間
に、電圧をかけ、電荷を与えられるので、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ４２のドレーン端子とソース端子とは導通状
態になるのである。
ート端子には、Lowが入力される。しかも、Vfが高い電
位である。よって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のドレ
ーン端子とソース端子とは導通状態になる。一般に、Ｎ
チャネルＭＯＳＦＥＴのゲート端子にLowを入力しただ
けでは、ドレーン端子とソース端子とは導通状態になら
ない。ドレーン端子とソース端子との間に、電圧をか
け、電荷を与えなければならない。ここで、Vfが高い電
位であることから、ドレーン端子とソース端子との間
に、電圧をかけ、電荷を与えられるので、ＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ４２のドレーン端子とソース端子とは導通状
態になるのである。
【００２８】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４２のドレーン端
子とソース端子とが導通状態になれば（ｂ）点が接地さ
れるので、（ｂ）点の電位VbはLowになる。VbがLowにな
れば、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４のゲート端子には、
Lowが入力される。（ｃ）点の電位Vcは、Vaと同じであ
り、３[V]に保たれており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４
４のドレーン端子とソース端子との間には、充分な電圧
がかかっている。よって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４
のドレーン端子とソース端子との間は、導通状態にな
る。よって、（ｃ）点および（ａ）点が接地され、Vcも
Vaも、電位が急速に低下する。すなわち、入力電圧が所
定の値以下になった時に、放電回路４０は、電荷蓄積回
路３０から電圧の供給を受けて、動作電圧供給回路２０
を放電させる。
子とソース端子とが導通状態になれば（ｂ）点が接地さ
れるので、（ｂ）点の電位VbはLowになる。VbがLowにな
れば、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４のゲート端子には、
Lowが入力される。（ｃ）点の電位Vcは、Vaと同じであ
り、３[V]に保たれており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４
４のドレーン端子とソース端子との間には、充分な電圧
がかかっている。よって、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ４４
のドレーン端子とソース端子との間は、導通状態にな
る。よって、（ｃ）点および（ａ）点が接地され、Vcも
Vaも、電位が急速に低下する。すなわち、入力電圧が所
定の値以下になった時に、放電回路４０は、電荷蓄積回
路３０から電圧の供給を受けて、動作電圧供給回路２０
を放電させる。
【００２９】Vaが急速に低下すれば、第二デバイス８に
バックアップ電池４からの貫通電流が流れない。しか
も、放電回路４０は、電荷蓄積回路３０から電圧の供給
を受けることによって作動するため、放電回路４０のた
めに、さらなる電源を用意する必要が無い。
バックアップ電池４からの貫通電流が流れない。しか
も、放電回路４０は、電荷蓄積回路３０から電圧の供給
を受けることによって作動するため、放電回路４０のた
めに、さらなる電源を用意する必要が無い。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、入力電圧が所定の値以
下になれば、放電手段が電荷蓄積手段から電荷の供給を
受けて、動作電圧供給手段を放電させる。よって、動作
電圧供給手段が生成する動作電圧が急速に低下するの
で、貫通電流を防止することができる。また、放電手段
を動作させるために電荷蓄積手段を使用できるので、放
電手段を動作させるためのさらなる電源を必要としな
い。
下になれば、放電手段が電荷蓄積手段から電荷の供給を
受けて、動作電圧供給手段を放電させる。よって、動作
電圧供給手段が生成する動作電圧が急速に低下するの
で、貫通電流を防止することができる。また、放電手段
を動作させるために電荷蓄積手段を使用できるので、放
電手段を動作させるためのさらなる電源を必要としな
い。
【図１】本発明の実施形態にかかる電源制御回路を携帯
電話に組み込んだ場合の構成を示すブロック図である。
電話に組み込んだ場合の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる電源制御回路を携帯
電話から抽出したものを示すブロック図である。
電話から抽出したものを示すブロック図である。
【図３】電源部１の内部構成を示すブロック図である。
【図４】動作電圧供給回路２０、電荷蓄積回路３０、放
電回路４０の詳細な構成を示す回路図である。
電回路４０の詳細な構成を示す回路図である。
【図５】従来技術におけるデバイスがロジック信号線に
より結線された回路の構成を示す図である。
より結線された回路の構成を示す図である。
１ 電源部 ２ 電池 １０ 電圧検出回路 ２０ 動作電圧供給回路 ３０ 電荷蓄積回路 ４０ 放電回路
Claims (2)
- 【請求項１】デバイスの動作に必要な動作電圧を供給す
る電源制御回路であって、 入力電圧を生成する入力電圧供給源と、 前記入力電圧が所定の値以下になったことを検出する電
圧検出手段と、 前記入力電圧を前記動作電圧にして前記デバイスに供給
する動作電圧供給手段と、 前記動作電圧供給手段が生成する前記動作電圧を受け
て、電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、 前記電荷蓄積手段から前記電荷の供給を受けて、前記入
力電圧が所定の値以下になった時に前記動作電圧供給手
段を放電させる放電手段と、 を備えた電源制御回路。 - 【請求項２】前記電荷蓄積手段は、コンデンサを有する
請求項１に記載の電源制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000287366A JP2002099333A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 電源制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000287366A JP2002099333A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 電源制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002099333A true JP2002099333A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18771120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000287366A Withdrawn JP2002099333A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-21 | 電源制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002099333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7474143B2 (en) | 2001-04-05 | 2009-01-06 | Fujitsu Limited | Voltage generator circuit and method for controlling thereof |
-
2000
- 2000-09-21 JP JP2000287366A patent/JP2002099333A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7474143B2 (en) | 2001-04-05 | 2009-01-06 | Fujitsu Limited | Voltage generator circuit and method for controlling thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |