JP2002095154A - Electronic device protecting circuit - Google Patents

Electronic device protecting circuit

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JP2002095154A
JP2002095154A JP2000280765A JP2000280765A JP2002095154A JP 2002095154 A JP2002095154 A JP 2002095154A JP 2000280765 A JP2000280765 A JP 2000280765A JP 2000280765 A JP2000280765 A JP 2000280765A JP 2002095154 A JP2002095154 A JP 2002095154A
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Japan
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electronic device
voltage
zener diode
posistor
thermal fuse
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JP2000280765A
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Fumiya Sato
文哉 佐藤
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/042Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage comprising means to limit the absorbed power or indicate damaged over-voltage protection device

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device protecting circuit which can prevent surely an overvoltage from being applied to a secondary battery, a semiconductor element or other electronic devices, and can prevent breakdown, damage, etc., of the protecting circuit itself. SOLUTION: In this electronic device protecting circuit 100, a temperature fuse 7 and a Zener diode 5 are so installed that thermal conduction is mutually enabled. When an overvoltage exceeding a rated voltage is applied to a battery cell 9, a current corresponding to the voltage flows, the Zener diode 5 generates heat, and accelerates fusion of a temperature fuse 7. The current is bypassed to the Zener diode 5 and a positive temperature coefficient resistor 3, and the amount of current flowing in the battery cell 9 is reduced. When a resistance value of the resistor 3 increases, a current flowing in the Zener diode 5 is set to be restrained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばリチウムイ
オン二次電池や半導体素子のような電子デバイスに定格
電圧を越えた過大電圧が印加されることを防いで、それ
らの電子デバイスを性能劣化や損傷等から保護する電子
デバイス保護回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is to prevent an excessive voltage exceeding a rated voltage from being applied to an electronic device such as a lithium ion secondary battery or a semiconductor element, thereby deteriorating the performance of the electronic device. The present invention relates to an electronic device protection circuit for protecting from damage and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子デバイスにその定格電圧を越えた過
大電圧が印加されると、性能が劣化したり、甚だしくは
損傷したりすることがあるので、そのような過大電圧の
印加から電子デバイスを保護するために、種々の保護回
路が提案されている。
2. Description of the Related Art When an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied to an electronic device, performance may be deteriorated or severely damaged. Various protection circuits have been proposed for protection.

【0003】近年、携帯用電子機器や携帯電話機などの
発展に伴って、小型で比較的長時間の放電が可能な薄型
二次電池としてリチウムイオン二次電池が用いられてい
る。リチウムイオン二次電池は、一般に、定格放電電圧
よりも若干高い電圧で充電される。その際、充電器に何
らかの異変が生じたり、ユーザーが誤って規格外の充電
器を接続するなどして、リチウムイオン二次電池に定格
電圧を越えた過大な充電電圧が印加されると、その内部
の電池セルが発熱して劣化したり、ガス圧の上昇などに
起因して損傷する場合がある。このような劣化や破損か
らリチウムイオン二次電池を保護するためには、過大電
圧がリチウムイオン二次電池に印加されることを防ぐ保
護回路が必要である。
[0003] In recent years, with the development of portable electronic devices and portable telephones, lithium ion secondary batteries have been used as thin secondary batteries which are small and can be discharged for a relatively long time. Lithium ion secondary batteries are generally charged at a voltage slightly higher than the rated discharge voltage. At this time, if any abnormalities occur in the charger, or if the user mistakenly connects a non-standard charger, and an excessive charging voltage exceeding the rated voltage is applied to the lithium ion secondary battery, the The internal battery cells may deteriorate due to heat generation, or may be damaged due to an increase in gas pressure. In order to protect the lithium ion secondary battery from such deterioration or damage, a protection circuit for preventing an excessive voltage from being applied to the lithium ion secondary battery is required.

【0004】リチウムイオン二次電池の保護回路に関す
る技術としては、例えば特開平2−87935号公報
(日本国特許第2720988号)に提案されたものが
ある。これは、二次電池の内部の電池セルに対して並列
にツェナーダイオードを接続すると共に、温度ヒューズ
を電池セルと直列に接続しておき、過大電圧が印加され
たときにツェナーダイオードに電流が流れて発熱し、そ
の熱と温度ヒューズ自体の発する熱とで温度ヒューズが
溶断することにより、電池セルに過大電圧が印加される
ことを防ぐというものである。
As a technique relating to a protection circuit for a lithium ion secondary battery, for example, there is a technique proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-87935 (Japanese Patent No. 2720988). This is because a Zener diode is connected in parallel to the battery cell inside the secondary battery, and a thermal fuse is connected in series with the battery cell, so that when an excessive voltage is applied, current flows through the Zener diode. Then, the thermal fuse is blown by the heat and the heat generated by the thermal fuse itself, thereby preventing an excessive voltage from being applied to the battery cell.

【0005】また、実開平6−31345号公報には、
二次電池の正・負両端子間の電圧を電圧検知回路によっ
て検出し、その電圧が上昇して定格電圧を越えた過大電
圧となったことが検知されると、発熱スイッチング素子
がオンになって発熱し、その熱によって感熱遮断素子を
加熱して遮断状態にすることにより、過大電圧が二次電
池に印加されることを防ぐという技術が提案されてい
る。
Further, Japanese Utility Model Laid-Open No. Hei 6-31345 discloses that
The voltage between the positive and negative terminals of the secondary battery is detected by the voltage detection circuit, and when it is detected that the voltage has risen to an excessive voltage exceeding the rated voltage, the heating switching element is turned on. There has been proposed a technique in which an excessive voltage is prevented from being applied to a secondary battery by generating heat and heating the heat-sensitive shut-off element by the heat to be in a cut-off state.

【0006】またその他にも、サーミスタやデジタル回
路素子などを用いた複雑な回路構成の保護回路を介して
二次電池に充電電圧を印加するようにしたものや、ヒュ
ーズの代りにバイメタルを用いたものなども、種々提案
されている。
In addition, a charging voltage is applied to a secondary battery through a protection circuit having a complicated circuit configuration using a thermistor, a digital circuit element, or the like, or a bimetal is used instead of a fuse. Various things have been proposed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来提案されている技術では、さらに過大な電圧が印
加された場合などに、保護回路自体が、破壊されて動作
不能になったり、発熱して電池セルを劣化させたりする
場合があるという問題点がある。
However, according to the above-mentioned conventional techniques, when an excessively high voltage is applied, the protection circuit itself is broken and becomes inoperable, or heat is generated. There is a problem that the battery cell may be deteriorated.

【0008】特開平2−87935号公報に提案された
技術では、例えばユーザーが誤って二次電池を規格外の
充電器に接続して定格電圧よりも大幅に過大な充電電圧
が二次電池に印加された場合などには、まず温度ヒュー
ズが発熱して溶断することで、二次電池に過大電圧が印
加されることは回避できる。しかしながら、その過大電
圧の印加に起因してツェナーダイオードに定格電流を大
幅に越えた過大電流が流れ続けて、そのツェナーダイオ
ード自体が過熱され、甚だしくはその熱によって電池セ
ルが劣化したり破損する場合がある。
In the technique proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-87935, for example, when a user erroneously connects a secondary battery to a non-standard charger, a charging voltage significantly larger than a rated voltage is applied to the secondary battery. When the voltage is applied, for example, the thermal fuse generates heat and is blown first, so that application of an excessive voltage to the secondary battery can be avoided. However, when an excessive current that greatly exceeds the rated current continues to flow through the Zener diode due to the application of the excessive voltage, the Zener diode itself is overheated, and the heat deteriorates or damages the battery cell. There is.

【0009】また、温度ヒューズが溶断する前にツェナ
ーダイオードが破壊されて開放状態になり、このツェナ
ーダイオードが固定的に電流をバイパスさせてしまい、
いつまでも電池セルが充電されなくなったり、電池セル
の正・負両端子が常に短絡状態になるなどして、二次電
池としての用を成さなくなる場合がある。あるいは、ツ
ェナーダイオードが破壊されて中途半端な電気抵抗にな
り、その電気抵抗に電流が流れ続けて、ツェナーダイオ
ード自体が過熱され、その熱によって電池セルが劣化し
たり破損したりする場合がある。
Further, before the thermal fuse is blown, the Zener diode is destroyed and opened, and this Zener diode fixedly bypasses the current,
The battery cell may not be charged forever or the positive and negative terminals of the battery cell may be always short-circuited, and may not be used as a secondary battery. Alternatively, the Zener diode may be broken down to an incomplete electrical resistance, and a current may continue to flow through the electrical resistance, and the Zener diode itself may be overheated, and the heat may cause the battery cell to deteriorate or break.

【0010】また、実開平6−31345号公報に提案
された技術では、例えば上記と同様に誤って定格電圧よ
りも大幅に過大な充電電圧が二次電池に印加された場合
などには、その過大な充電電圧が印加された瞬間では復
帰式感熱素子は未だ遮断状態になっていないので、その
瞬間に過大電流が流れて発熱スイッチング素子が破壊さ
れしまい、過大な充電電圧が印加されているにも関わら
ず、それを検知できなくなって、復帰式感熱素子が機能
しなくなる。延いては、いつまでも過大な充電電圧が二
次電池に印加され続けて、その二次電池が発熱して劣化
したり破損したりすることになる。あるいは、過大な充
電電圧の印加に起因して発熱スイッチング素子が破壊さ
れて常にオン状態になると、いつまでも電流が流れ続け
て発熱スイッチング素子が過熱され、その熱で電池セル
が劣化したり破損したりする場合がある。
In the technique proposed in Japanese Utility Model Laid-Open Publication No. Hei 6-31345, for example, similarly to the case described above, when a charging voltage significantly larger than the rated voltage is applied to a secondary battery by mistake, for example, At the moment when the excessive charging voltage is applied, the reset-type thermosensitive element is not yet in the cut-off state.At that moment, an excessive current flows and the heat generating switching element is destroyed, and the excessive charging voltage is applied. Nevertheless, it cannot be detected, and the reset type thermosensitive element does not function. As a result, an excessively high charging voltage is continuously applied to the secondary battery, and the secondary battery generates heat and is deteriorated or damaged. Alternatively, if the heat-generating switching element is destroyed due to the application of an excessive charging voltage and is constantly turned on, current continues to flow forever and the heat-generating switching element is overheated, and the heat deteriorates or damages the battery cell. May be.

【0011】上記のような従来から提案されている保護
回路自体の破損を防ぐためには、発熱スイッチング素子
やツェナーダイオードの定格電流(許容電流量)の設定
を増大することが有効であるものと考えられる。しかし
ながら、そのように定格電流を増大すると、定格電圧を
越えた充電電圧が印加されても、それを検知したりそれ
に対応して遮断や溶断を確実に行うことが困難になる。
It is considered effective to increase the setting of the rated current (allowable current amount) of the heat-generating switching element and the Zener diode in order to prevent the damage of the protection circuit itself conventionally proposed as described above. Can be However, if the rated current is increased in such a manner, it becomes difficult to detect the applied voltage exceeding the rated voltage, and to reliably perform cutoff and fusing in response thereto.

【0012】あるいは、保護回路を用いることなく、二
次電池に直列に温度ヒューズを接続しただけの構成の場
合には、温度ヒューズが溶断するまでの間に、二次電池
にもそのときの過大電圧に起因した過大電流が流れ続け
るので、その間に二次電池が劣化したり発熱したりする
場合があるという問題点がある。また、ヒューズの代り
にバイメタルを用いたものについても、同様に、そのバ
イメタルが電流を遮断するまでの間に二次電池に過大電
流が流れ続けて、その二次電池を劣化させたり発熱させ
たりする場合があるという問題点がある。
Alternatively, in the case of a configuration in which a thermal fuse is simply connected in series to a secondary battery without using a protection circuit, the secondary battery may be overheated until the thermal fuse is blown. Since an excessive current caused by the voltage continues to flow, there is a problem that the secondary battery may deteriorate or generate heat during that time. Similarly, when a bimetal is used in place of a fuse, an excessive current continues to flow through the secondary battery until the bimetal interrupts the current, causing the secondary battery to deteriorate or generate heat. There is a problem that sometimes.

【0013】また、サーミスタやデジタル回路素子など
を用いた保護回路の場合には、その回路構成が繁雑なも
のとなり、小型化や低コスト化が困難なものとなるとい
う問題点がある。
Further, in the case of a protection circuit using a thermistor, a digital circuit element, or the like, there is a problem that the circuit configuration becomes complicated, and it is difficult to reduce the size and cost.

【0014】また、二次電池の充電の他にも、例えば半
導体素子や液晶表示素子などに対して過大電圧が印加さ
れることを防ぐために用いられる保護回路についても、
上記と同様の問題点がある。
In addition to the charging of the secondary battery, a protection circuit used to prevent an excessive voltage from being applied to, for example, a semiconductor element or a liquid crystal display element is also described.
There are similar problems as described above.

【0015】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、二次電池や半導体素子あるいはその
他の電子デバイスに対して、過大電圧が印加されること
を確実に防止することができると共に、保護回路自体の
破壊や損傷等を防止することができる電子デバイス保護
回路を提供することにある。
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to reliably prevent an excessive voltage from being applied to a secondary battery, a semiconductor element, or another electronic device. It is another object of the present invention to provide an electronic device protection circuit capable of preventing the protection circuit itself from being broken or damaged.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明による電子デバイ
ス保護回路は、電子デバイスの正極および負極の電圧入
力端子に定格電圧を越えた電圧が印加されることを抑止
するものであって、電流が増大すると電気抵抗値が増大
する特性を有しており電子デバイスの電圧入力端子のう
ちの一方の電圧入力端子に一端が接続されたポジスタ
と、定格電圧を越えた電圧の印加による電流が流れるこ
とで温度が上昇して溶断する特性を有しており電子デバ
イスの他方の電圧入力端子に一端が接続された温度ヒュ
ーズと、印加電圧が定格電圧以上に設定された降伏電圧
を越えると電流が増大する特性を有しておりポジスタの
他端と前記温度ヒューズの他端とに接続されたツェナー
ダイオードとを備え、温度ヒューズとツェナーダイオー
ドとが、互いに熱伝導可能に設けられており、電子デバ
イスの電圧入力端子に定格電圧を越えた過大電圧が印加
されると、その電圧に対応した電流が流れることでツェ
ナーダイオードが発熱して温度ヒューズの溶断を促進す
ると共に、過大電圧による電流をツェナーダイオードお
よびポジスタにバイパスさせて電子デバイスに流れる電
流量を減少させ、さらにポジスタの電気抵抗値が増大す
ると、その電気抵抗によって、ツェナーダイオードおよ
びポジスタに流れる電流をそれらの定格電流以下に抑制
するように設定された構成を有している。
SUMMARY OF THE INVENTION An electronic device protection circuit according to the present invention is provided for preventing a voltage exceeding a rated voltage from being applied to positive and negative voltage input terminals of an electronic device. It has the characteristic that the electrical resistance value increases when it increases, and a current flows by applying a voltage exceeding the rated voltage to a posistor whose one end is connected to one of the voltage input terminals of the electronic device. The temperature rises at the temperature and has the characteristic of fusing, the temperature fuse which one end is connected to the other voltage input terminal of the electronic device, and the current increases when the applied voltage exceeds the breakdown voltage set above the rated voltage A zener diode connected to the other end of the posistor and the other end of the thermal fuse, and the thermal fuse and the zener diode conduct heat with each other. When an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied to the voltage input terminal of the electronic device, a current corresponding to the voltage flows, and the zener diode generates heat to accelerate the blowing of the thermal fuse. At the same time, the current caused by the excessive voltage is bypassed to the zener diode and the posistor to reduce the amount of current flowing to the electronic device, and when the electric resistance of the posistor increases, the current flowing to the zener diode and the posistor is reduced by the electric resistance. It has a configuration that is set so as to be suppressed below the rated current.

【0017】また、本発明による他の電子デバイス保護
回路は、印加電圧が定格電圧以上に設定された降伏電圧
を越えると電流が増大する特性を有しており電子デバイ
スの電圧入力端子のうちの一方の電圧入力端子に一端が
接続されたツェナーダイオードと、定格電圧を越えた電
圧の印加による電流が流れることで温度が上昇して溶断
する特性を有しており電子デバイスの他方の電圧入力端
子に一端が接続された温度ヒューズと、電流が増大する
と電気抵抗値が増大する特性を有しておりその電気抵抗
値が非線形に急峻に増大する温度であるキューリー点が
温度ヒューズの溶断温度よりも高く設定されツェナーダ
イオードの他端と温度ヒューズの他端とに接続されたポ
ジスタとを備え、温度ヒューズとポジスタとツェナーダ
イオードとが熱伝導可能に設けられており、電子デバイ
スの電圧入力端子に定格電圧を越えた過大電圧が印加さ
れると、その電圧に対応した電流が流れることで前記ツ
ェナーダイオードおよび前記ポジスタが発熱して温度ヒ
ューズの溶断を促進すると共に、過大電圧による電流を
ツェナーダイオードおよびポジスタにバイパスさせて電
子デバイスに流れる電流量を減少させ、さらにポジスタ
の電気抵抗値が増大すると、その電気抵抗によって、ツ
ェナーダイオードおよびポジスタに流れる電流をそれら
の定格電流以下に抑制するように設定された構成を有し
ている。
Further, another electronic device protection circuit according to the present invention has a characteristic that the current increases when the applied voltage exceeds a breakdown voltage set to a rated voltage or more. A zener diode having one end connected to one of the voltage input terminals and a characteristic in which a current rises due to the application of a voltage exceeding the rated voltage to cause a temperature rise and fusing, and the other voltage input terminal of the electronic device And the Curie point, which is a temperature at which the electric resistance value increases non-linearly and steeply when the current increases, is higher than the melting temperature of the thermal fuse. A posistor that is set high and is connected to the other end of the zener diode and the other end of the thermal fuse is provided. When an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied to the voltage input terminal of the electronic device, a current corresponding to the voltage flows, the Zener diode and the posistor generate heat, and the temperature of the thermal fuse is reduced. In addition to promoting fusing, the excessive current is bypassed to the zener diode and posistor to reduce the amount of current flowing to the electronic device, and when the electric resistance of the posistor increases, the electric resistance causes the current to flow to the zener diode and posistor. It has a configuration that is set so as to suppress the current below their rated current.

【0018】本発明による電子デバイス保護回路では、
電子デバイスの電圧入力端子に定格電圧を越えた過大電
圧が印加されると、その電圧に対応した電流が流れるこ
とでツェナーダイオードが発熱して温度ヒューズの溶断
を促進し、温度ヒューズが確実に溶断される。また、過
大電圧の印加による電流をツェナーダイオードおよびポ
ジスタにバイパスさせて、電子デバイスに流れる電流量
を減少させる。さらに過大電圧の印加に起因した過大電
流が流れ続けてポジスタの電気抵抗値が増大すると、そ
の電気抵抗によって、ツェナーダイオードおよびポジス
タに流れる電流をそれらの定格電流以下に抑制する。
In the electronic device protection circuit according to the present invention,
When an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied to the voltage input terminal of the electronic device, a current corresponding to that voltage flows and the Zener diode generates heat, promoting the blowing of the thermal fuse, and the thermal fuse being reliably blown Is done. Further, the current caused by the application of the excessive voltage is bypassed to the Zener diode and the posistor to reduce the amount of current flowing to the electronic device. Further, when an excessive current caused by the application of an excessive voltage continues to flow and the electric resistance of the posistor increases, the electric resistance suppresses the current flowing through the zener diode and the posistor to the rated current or less.

【0019】また、本発明による他の電子デバイス保護
回路では、電子デバイスの電圧入力端子に定格電圧を越
えた過大電圧が印加されると、その電圧に対応した電流
が流れることでポジスタとツェナーダイオードとが発熱
して、温度ヒューズの溶断を促進し、温度ヒューズが確
実に溶断される。また、過大電圧による電流をツェナー
ダイオードおよびポジスタにバイパスさせて、電子デバ
イスに流れる電流量を減少させる。さらにポジスタに電
流が流れ続けてその電気抵抗値が増大すると、その電気
抵抗によって、ツェナーダイオードおよびポジスタに流
れる電流を、それらの定格電流以下に抑制する。
In another electronic device protection circuit according to the present invention, when an excessive voltage exceeding a rated voltage is applied to a voltage input terminal of an electronic device, a current corresponding to the voltage flows, so that a posistor and a zener diode are provided. Generates heat, which promotes the blowing of the thermal fuse, and the thermal fuse is reliably blown. In addition, the current caused by the excessive voltage is bypassed to the Zener diode and the posistor to reduce the amount of current flowing to the electronic device. Further, when a current continues to flow through the posistor and its electric resistance increases, the electric resistance suppresses a current flowing through the zener diode and the posistor to a value equal to or lower than their rated current.

【0020】なお、ツェナーダイオードとポジスタとの
間に、上記の温度ヒューズよりも溶断温度の高い温度ヒ
ューズをさらに介挿し、上記の温度ヒューズが溶断した
後に、溶断温度の高い温度ヒューズを溶断させて、ツェ
ナーダイオードおよびポジスタに流れる電流を遮断する
ようにしてもよい。
A thermal fuse having a higher fusing temperature than the above-mentioned thermal fuse is further interposed between the Zener diode and the posistor. After the thermal fuse has blown, the thermal fuse having a higher fusing temperature is blown. , The current flowing through the Zener diode and the posistor may be cut off.

【0021】また、上記の温度ヒューズの代りにサーモ
スタットを設けて、電子デバイスの正極および負極の電
圧入力端子に定格電圧を越えた電圧が印加されてツェナ
ーダイオードやポジスタが発熱して所定の温度以上にな
ると電流を遮断し、その遮断後に、過大電圧が印加され
なくなるなどして温度が下がれば、元の導通状態に自動
的に復帰して、何度でも繰り返して使用することが可能
となるようにしてもよい。
A thermostat is provided in place of the above-mentioned thermal fuse, and a voltage exceeding the rated voltage is applied to the voltage input terminals of the positive electrode and the negative electrode of the electronic device, and the Zener diode and the posistor generate heat and the temperature exceeds a predetermined temperature. When the current is cut off, the current is cut off. After the cutoff, if the temperature drops due to the elimination of excessive voltage, etc., the circuit will automatically return to the original conductive state and can be used repeatedly. It may be.

【0022】あるいは、さらにそのサーモスタットより
も遮断温度の高いサーモスタットを上記の溶断温度の高
い温度ヒューズの代りに設けて、過大電圧が印加されな
くなって温度が下がると元の導通状態に復帰できるよう
にしてもよい。
Alternatively, a thermostat having a higher cut-off temperature than that of the thermostat is provided in place of the above-mentioned thermal fuse having a high fusing temperature, so that when the excessive voltage is not applied and the temperature drops, the thermostat can be returned to the original conductive state. You may.

【0023】本発明の電子デバイス保護回路は、例えば
リチウムイオン二次電池、リチウムポリマ二次電池、リ
チウム金属二次電池、ニッカド二次電池、ニッケル水素
二次電池に好適なものである。ただし、これのみには限
定されず、その他にも、例えば半導体素子や表示素子な
どのように、定格電圧を越えた電圧が印加されると性能
が劣化したり破損したりする恐れのある電子デバイスを
保護する用途などにも好適に用いることが可能であるこ
とは言うまでもない。
The electronic device protection circuit of the present invention is suitable for, for example, a lithium ion secondary battery, a lithium polymer secondary battery, a lithium metal secondary battery, a nickel cadmium secondary battery, and a nickel hydride secondary battery. However, the present invention is not limited to this, and other electronic devices, such as semiconductor devices and display devices, whose performance may be deteriorated or damaged when a voltage exceeding the rated voltage is applied, for example. Needless to say, it can also be suitably used for applications such as protecting

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0025】[第1の実施の形態]図1は、第1の実施
の形態に係る電子デバイス保護回路の概要構成を表した
回路図である。電子デバイス保護回路100は、ポジス
タ3と、ツェナーダイオード5と、温度ヒューズ7と
を、その主要部に備えており、例えばリチウムイオン二
次電池のバッテリーパック内に設けられて、電池セル9
の正極91および負極93に定格電圧を越えた充電電圧
が印加されることを抑止するものである。
[First Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram showing a schematic configuration of an electronic device protection circuit according to a first embodiment. The electronic device protection circuit 100 includes a posistor 3, a zener diode 5, and a thermal fuse 7 in its main part. For example, the electronic device protection circuit 100 is provided in a battery pack of a lithium ion secondary battery, and a battery cell 9 is provided.
To prevent the charging voltage exceeding the rated voltage from being applied to the positive electrode 91 and the negative electrode 93.

【0026】さらに詳細には、ポジスタ3は、電流の増
大に伴って電気抵抗値が増大し、検知電圧を越えるとさ
らに急峻に電気抵抗値が増大する特性を有するもので、
その一端が電池セル9の正極に接続されると共に、他端
がツェナーダイオード5の一端に接続されている。
More specifically, the posistor 3 has such a characteristic that the electric resistance increases with an increase in current, and the electric resistance increases more rapidly when the detected voltage is exceeded.
One end is connected to the positive electrode of the battery cell 9, and the other end is connected to one end of the Zener diode 5.

【0027】温度ヒューズ7は、大電流が流れると発熱
して温度が上昇し、所定の温度以上になると溶断する特
性を有するもので、一端が電池セル9の負極に接続され
ており、他端が負極側外部接続ターミナルに接続される
と共にツェナーダイオード5の既述の一端とは異なる他
端に接続されている。従って、この温度ヒューズ7と電
池セル9とは直列に接続された状態となっており、正極
側外部接続ターミナル11から電池セル9および温度ヒ
ューズ7を通って負極側外部接続ターミナル13に至る
回路が形成されている。
The temperature fuse 7 has a characteristic that it generates heat when a large current flows and rises in temperature, and fuses when the temperature exceeds a predetermined temperature. One end is connected to the negative electrode of the battery cell 9 and the other end is connected. Is connected to the negative terminal side external connection terminal and to the other end of the Zener diode 5 which is different from the above-mentioned one end. Therefore, the temperature fuse 7 and the battery cell 9 are connected in series, and a circuit from the positive side external connection terminal 11 to the negative side external connection terminal 13 through the battery cell 9 and the temperature fuse 7 is formed. Is formed.

【0028】ツェナーダイオード5は、印加電圧が定格
電圧(降伏電圧)を越えると電流が急峻に増大する特性
を有するもので、一端がポジスタ3(の既述の他端)に
接続されており、他端が負極側外部接続ターミナル13
および温度ヒューズ7(の既述の他端)に接続されてい
る。従って、このツェナーダイオード5とポジスタ3と
は直列に接続された状態となっており、正極側外部接続
ターミナル11からツェナーダイオード5およびポジス
タ3を通って負極側外部接続ターミナル13に至る回路
が形成されている。このツェナーダイオード5は、温度
ヒューズ7やポジスタ3との間で良好な熱伝導を行うこ
とができるように実装されている(その詳細は後述す
る)。
The Zener diode 5 has a characteristic that the current sharply increases when the applied voltage exceeds a rated voltage (breakdown voltage). One end of the Zener diode 5 is connected to the posistor 3 (the other end described above). The other end is the negative side external connection terminal 13
And the thermal fuse 7 (the other end described above). Therefore, the zener diode 5 and the posistor 3 are connected in series, and a circuit is formed from the positive side external connection terminal 11 to the negative side external connection terminal 13 through the zener diode 5 and the posistor 3. ing. The Zener diode 5 is mounted so that good heat conduction can be performed between the thermal fuse 7 and the posistor 3 (the details will be described later).

【0029】この電子デバイス保護回路100では、ツ
ェナーダイオード5およびポジスタ3を通る回路が、既
述の温度ヒューズ7および電池セル9を通る回路に対と
並列に接続された状態となっている。従って、正極側外
部接続ターミナル11および負極側外部接続ターミナル
13に電圧が印加されたときに流れる電流は、電池セル
9および温度ヒューズ7を通る回路と、ツェナーダイオ
ード5およびポジスタ3を通る回路とに、分かれること
になる。このとき、それぞれの回路に分かれて流れる電
流の比率は、基本的(理論的)に、電池セル9および温
度ヒューズ7の電気抵抗と、ツェナーダイオード5およ
びポジスタ3の電気抵抗とによって、反比例的に定ま
る。従って、正極側外部接続ターミナル11および負極
側外部接続ターミナル13に印加される電圧がツェナー
ダイオード5の定格電圧以下であれば、ツェナーダイオ
ード5が実質的に非導通状態になるので、ほとんど全て
の電流が温度ヒューズ7を通って電池セル9に流れ込
み、支障なく電池セル9が充電される。また、印加され
る電圧がツェナーダイオード5の定格電圧を越えたもの
である場合には、ツェナーダイオード5が導通状態とな
って、ツェナーダイオード5およびポジスタ3を直列し
てなる回路にも電流が流れる。このようにして、過大電
圧が印加されたときに、それに起因した全ての過大電流
が電池セル9に流れ込ませるのではなく、ツェナーダイ
オード5およびポジスタ3の方にバイパスさせることが
できる。また、過大電圧の印加に起因した過大電流がさ
らに流れ続けたり、さらに高い電圧が印加されると、温
度ヒューズ7が発熱すると共にツェナーダイオード5が
発熱し、その熱によって温度ヒューズ7が溶断されて、
電池セル9に対する過大電圧の印加それ自体を遮断する
ことができる。
In the electronic device protection circuit 100, a circuit passing through the Zener diode 5 and the posistor 3 is connected in parallel with a pair passing through the above-described circuit passing through the thermal fuse 7 and the battery cell 9. Therefore, the current flowing when a voltage is applied to the positive side external connection terminal 11 and the negative side external connection terminal 13 is transmitted to a circuit passing through the battery cell 9 and the temperature fuse 7 and a circuit passing through the zener diode 5 and the posistor 3. , Will be divided. At this time, the ratio of the current flowing through each circuit is basically (theoretical) inversely proportional to the electric resistance of the battery cell 9 and the thermal fuse 7 and the electric resistance of the zener diode 5 and the posistor 3. Is determined. Therefore, if the voltage applied to the positive side external connection terminal 11 and the negative side external connection terminal 13 is equal to or lower than the rated voltage of the Zener diode 5, the Zener diode 5 becomes substantially non-conductive. Flows into the battery cell 9 through the thermal fuse 7, and the battery cell 9 is charged without any trouble. If the applied voltage exceeds the rated voltage of the Zener diode 5, the Zener diode 5 becomes conductive and a current also flows through a circuit in which the Zener diode 5 and the posistor 3 are connected in series. . In this way, when an excessive voltage is applied, all the excessive current caused by the application of the excessive voltage can be bypassed to the Zener diode 5 and the posistor 3 instead of flowing into the battery cell 9. If an excessive current caused by the application of an excessive voltage continues to flow or a higher voltage is applied, the thermal fuse 7 generates heat and the Zener diode 5 generates heat, and the thermal fuse 7 is blown by the heat. ,
The application of excessive voltage to the battery cell 9 itself can be cut off.

【0030】このようにして温度ヒューズ7が溶断され
ても、ツェナーダイオード5およびポジスタ3を直列に
接続してなる回路には過大電圧が印加され続ける。従っ
て、このままの状態では、ツェナーダイオード5が過大
電流や温度上昇に起因して破壊されてしまう。しかし、
ポジスタ3は常温を中心として−30℃から60℃まで
の広い温度範囲で数Ωから数10Ωの電気抵抗を有して
おり、しかもその電気抵抗は、検知温度を越えると急峻
に増大する特性がある。従って、過大電圧が印加されて
ツェナーダイオード5が導通状態になり、それに直列に
接続されたポジスタ3に電流が流れると、そのポジスタ
3自体の電気抵抗が急峻に増大して、ツェナーダイオー
ド5およびポジスタ3に過大電流が流れることを抑制
し、ツェナーダイオード5の破壊を回避することができ
る。
Even if the thermal fuse 7 is blown in this way, an excessive voltage is continuously applied to a circuit formed by connecting the Zener diode 5 and the posistor 3 in series. Therefore, in this state, the Zener diode 5 is destroyed due to an excessive current or a rise in temperature. But,
The posistor 3 has an electrical resistance of several Ω to several tens of Ω over a wide temperature range from −30 ° C. to 60 ° C. around normal temperature, and the electrical resistance has a characteristic that increases sharply when the temperature exceeds the detection temperature. is there. Therefore, when an excessive voltage is applied and the Zener diode 5 becomes conductive and a current flows through the posistor 3 connected in series, the electric resistance of the posistor 3 itself increases sharply, and the zener diode 5 and the posistor 3 3 can be prevented from flowing an excessive current, and the destruction of the Zener diode 5 can be avoided.

【0031】ここで、ツェナーダイオード5の降伏電圧
は、少なくとも電池セル9の定格充電電圧以上に設定す
ることが望ましい。例えば電池セル9の定格充電電圧が
4.2Vの場合には、ポジスタ3による電圧降下分や安
全率などを見込んで、ツェナーダイオード5の降伏電圧
を6.0Vに設定する。これは、ツェナーダイオード5
の降伏電圧を電池セル9の定格充電電圧よりも低く設定
すると、正規の定格電圧による充電の際や、リチウムイ
オン二次電池が長期保存されている間に、ツェナーダイ
オード5およびポジスタ3を直列に接続してなる回路に
電流がバイパスされてしまい、リチウムイオン二次電池
としての充電効率の低下や放電容量の著しい減少を引き
起こす虞があるからである。例えば、電池セル9の定格
充電電圧が4.2Vである場合に、ツェナーダイオード
5の降伏電圧が4.2〜4.5Vあるいはそれ以下に設
定されていると、リチウムイオン二次電池が使用されて
いないときでも、ツェナーダイオード5およびポジスタ
3に約 0.1mAあるいはそれ以上の電流が流れてしま
い、それまでリチウムイオン二次電池に蓄えられていた
電力が暗電流のように流失して、リチウムイオン二次電
池としての放電容量が著しく低下することになる。ま
た、正規の定格充電電圧が印加されても、それによる充
電電流はツェナーダイオード5およびポジスタ3の方に
バイパスして流れてしまうので、電池セル9の方には電
流が流れ込まなくなって、充電効率が著しく低下する。
しかし、ツェナーダイオード5の降伏電圧を、例えば
6.0Vのように電池セル9の充電定格電圧よりも高く
設定することにより、定格充電電圧が印加されていると
きには電池セル9を効率良く充電することが可能となる
と共に、充電後に保持される電池セル9内の電力を、流
失させることなく確実に保持することが可能となる。一
例として、降伏電圧が6.0Vに設定されたツェナーダ
イオード5を流れる暗電流は、約50μAあるいはそれ
未満程度の極めて微少なものである。
Here, it is desirable that the breakdown voltage of the Zener diode 5 be set to at least the rated charging voltage of the battery cell 9. For example, when the rated charging voltage of the battery cell 9 is 4.2 V, the breakdown voltage of the Zener diode 5 is set to 6.0 V in consideration of the voltage drop by the posistor 3 and the safety factor. This is Zener diode 5
Is set lower than the rated charging voltage of the battery cell 9, the Zener diode 5 and the posistor 3 are connected in series during charging at the regular rated voltage or during long-term storage of the lithium ion secondary battery. This is because the current is bypassed to the connected circuit, which may cause a decrease in charging efficiency and a remarkable decrease in discharge capacity of the lithium ion secondary battery. For example, when the rated charging voltage of the battery cell 9 is 4.2 V and the breakdown voltage of the Zener diode 5 is set to 4.2 to 4.5 V or lower, a lithium ion secondary battery is used. Even when it is not, a current of about 0.1 mA or more flows through the Zener diode 5 and the posistor 3, and the power stored in the lithium ion secondary battery is dissipated like a dark current, and the lithium ion The discharge capacity of the secondary battery will be significantly reduced. Further, even if the regular rated charging voltage is applied, the charging current caused by the normal charging voltage bypasses the zener diode 5 and the posistor 3 and flows therethrough. Is significantly reduced.
However, by setting the breakdown voltage of the Zener diode 5 higher than the charging rated voltage of the battery cell 9 such as, for example, 6.0 V, the battery cell 9 can be efficiently charged when the rated charging voltage is applied. And the power in the battery cell 9 held after charging can be reliably held without being lost. As an example, the dark current flowing through the Zener diode 5 whose breakdown voltage is set to 6.0 V is extremely small, about 50 μA or less.

【0032】また、温度ヒューズ7は、定格充電電圧が
印加されたときに、ツェナーダイオード5の発熱と温度
ヒューズ7自体の発熱とによって確実に溶断されるもの
であることが望ましいことは言うまでもない。そのよう
な温度ヒューズ7に用いられる溶断素子としては、融点
が90〜130℃の低融点合金からなるものなどが好適
である。あるいは、さらに低融点であることが必要な場
合には、溶断素子として、低融点合金にカドミウム(C
d)をさらに添加したものや、熱膨脹性マイクロカプセ
ルを含むヒューズ抵抗組成物質層からなるものなどを用
いてもよい。あるいは、可溶体とスプリングと接点とを
備えた一般的な構造の温度ヒューズ7などを用いてもよ
い。
It is needless to say that the thermal fuse 7 should be surely blown by the heat of the Zener diode 5 and the thermal of the thermal fuse 7 itself when the rated charging voltage is applied. As the fusing element used for such a thermal fuse 7, one made of a low melting point alloy having a melting point of 90 to 130 ° C. is suitable. Alternatively, when it is necessary to have a lower melting point, cadmium (C
A material to which d) is further added, or a material having a fuse resistance composition material layer including heat-expandable microcapsules may be used. Alternatively, a thermal fuse 7 having a general structure including a fusible body, a spring, and a contact may be used.

【0033】また、ポジスタ3としては、例えば0〜6
0℃の温度環境において10〜200Ωの電気抵抗を有
し、そのポジスタ3自体の温度が100〜150℃にな
ると電気抵抗が急峻に増大する特性を有するものや、例
えば20〜100mAあるいはそれ以上の電流が流れる
と、温度が上昇して電気抵抗が急峻に増大し、そのポジ
スタ3自体に電流が流れることを抑制するものなどを、
好適に用いることができる。ただし、このような仕様の
みには限定されないことは言うまでもない。また、この
ポジスタ3の主要部の材料としては、ポリマー成分およ
びカーボンブラックなどからなるPTC導電性ポリマー
組成物や、BaTiO3 半導体組成物、あるいはセラミ
ック組成物などが好適である。また、ポジスタ3を高抵
抗状態に保持する温度(検知温度)は、100〜150
℃程度が望ましい。なお、このようなポジスタ3は、温
度の増加に対応して電気抵抗が増加するという正の感温
抵抗特性を有するものであれば、例えば感温抵抗材料と
して感温機能を有する半導体を用いたものでもよい。そ
の場合の感温抵抗の変化率は、例えば4000ppm/
℃などが好適である。
Further, as the posistor 3, for example, 0-6
It has an electric resistance of 10 to 200 Ω in a temperature environment of 0 ° C., and has a characteristic that the electric resistance sharply increases when the temperature of the posistor 3 itself becomes 100 to 150 ° C., for example, 20 to 100 mA or more. When a current flows, the temperature rises and the electric resistance sharply increases, and a device that suppresses the current from flowing through the posistor 3 itself,
It can be suitably used. However, it is needless to say that the present invention is not limited to such specifications. As a material of a main part of the posistor 3, a PTC conductive polymer composition comprising a polymer component and carbon black, a BaTiO 3 semiconductor composition, a ceramic composition, or the like is preferable. The temperature (detection temperature) at which the posistor 3 is maintained in the high resistance state is 100 to 150.
C is desirable. In addition, if such a posistor 3 has a positive temperature-sensitive resistance characteristic that an electric resistance increases in response to an increase in temperature, for example, a semiconductor having a temperature-sensitive function is used as a temperature-sensitive resistance material. It may be something. The rate of change of the temperature-sensitive resistance in this case is, for example, 4000 ppm /
C. and the like are preferred.

【0034】図2は、電子デバイス保護回路がリチウム
イオン二次電池のバッテリーパックの内部で電池セルと
接続されるように実装された状態を模式的に表したもの
である。
FIG. 2 schematically shows a state in which an electronic device protection circuit is mounted so as to be connected to a battery cell inside a battery pack of a lithium ion secondary battery.

【0035】例えば携帯電話用のリチウムイオン二次電
池などの薄い箱型のバッテリーパックでは、プラスチッ
クなどの絶縁性材料からなる外装ケース15の外面の端
部などに、銅合金やステンレスの薄板などから形成され
た正極側外部接続ターミナル11と負極側外部接続ター
ミナル13とが設けられている。その外装ケース15の
内部には、充・放電可能な電池セル9が内蔵されてい
る。電池セル9の外装缶95が負極の場合には、その外
装缶95が電子デバイス保護回路100を介して負極側
外部接続ターミナル13に接続されると共に、電池セル
9の正極97が正極側外部接続ターミナル11に接続さ
れる構造とする。あるいは、電池セル9の外装缶95が
正極の場合には、その外装缶95が正極側外部接続ター
ミナル11に接続されると共に、電池セル9の負極97
が電子デバイス保護回路100を介して負極側外部接続
ターミナル13に接続される構造とする。
For example, in a thin box-type battery pack such as a lithium ion secondary battery for a mobile phone, a copper alloy or stainless steel sheet is used to form an outer end of an outer case 15 made of an insulating material such as plastic. The formed positive side external connection terminal 11 and negative side external connection terminal 13 are provided. A battery cell 9 that can be charged and discharged is built in the exterior case 15. When the outer can 95 of the battery cell 9 is a negative electrode, the outer can 95 is connected to the negative external connection terminal 13 via the electronic device protection circuit 100, and the positive electrode 97 of the battery cell 9 is connected to the positive external connection. It is configured to be connected to the terminal 11. Alternatively, when the outer can 95 of the battery cell 9 is a positive electrode, the outer can 95 is connected to the positive side external connection terminal 11 and the negative electrode 97 of the battery cell 9 is connected.
Is connected to the negative electrode side external connection terminal 13 via the electronic device protection circuit 100.

【0036】電子デバイス保護回路100は、バッテリ
ーパックの内部に設けられ、温度ヒューズ7とツェナー
ダイオード5とポジスタ3とが、例えば難燃性の絶縁紙
またはポリエステルテープまたは熱硬化性プラスティッ
クなどからなる電気的絶縁性のケーシング103で覆わ
れて、電池セル9の側面にユニット状に実装される。な
お、このケーシング103は、ある程度の保温性を有す
るものであることが望ましい。これは、過大電圧が印加
されたときにツェナーダイオード5やポジスタ3から発
せられる熱を外部に逃すことなく、確実に温度ヒューズ
7の温度上昇を促進することができるようにするためで
ある。また、そのためには、ツェナーダイオード5と温
度ヒューズ7との間の配線をできるだけ短くかつ大きな
断面積にすることや、その配線の材質をできるだけ熱伝
導性の良好なものとすることなどが望ましい。また、ケ
ーシング103の内部の熱が電池セル9に伝導すること
を防ぐことができるように、ケーシング103自体の材
質を熱的絶縁性の高いものとすることが望ましい。
The electronic device protection circuit 100 is provided inside the battery pack, and the thermal fuse 7, the Zener diode 5, and the posistor 3 are electrically connected to each other using, for example, flame-retardant insulating paper, polyester tape, or thermosetting plastic. The battery cell 9 is covered with an electrically insulating casing 103 and mounted on the side surface of the battery cell 9 in a unit shape. The casing 103 desirably has a certain degree of heat retention. This is to ensure that the heat generated from the Zener diode 5 and the posistor 3 when an excessive voltage is applied is not released to the outside and the temperature rise of the thermal fuse 7 can be surely promoted. For this purpose, it is desirable to make the wiring between the Zener diode 5 and the thermal fuse 7 as short and as large as possible, and to make the material of the wiring as good as possible thermal conductivity. Further, it is desirable that the material of the casing 103 itself has high thermal insulation so that heat inside the casing 103 can be prevented from being conducted to the battery cells 9.

【0037】図3は、温度ヒューズとツェナーダイオー
ドとを接続する実体的な構造の一例を示した断面.であ
る。温度ヒューズ7は、溶断素子71と、それに接続さ
れた金属板からなる2つの電極端子73,75と、それ
らを包容する電気絶縁性の外装材77とから、その主要
部が構成されている。ツェナーダイオード5は、金属板
からなる2つの電極51,53が対向して配置され、そ
の電極どうしの間に半導体素子55が挟持され、それら
を電気絶縁性の外装材57で包容した構造となってい
る。2つの電極51,53は、外装材57から外側へ突
出した部分が、それぞれ電気的接続用の電極端子とな
る。
FIG. 3 is a sectional view showing an example of a substantial structure for connecting a thermal fuse and a Zener diode. It is. The main part of the thermal fuse 7 includes a fusing element 71, two electrode terminals 73 and 75 made of a metal plate connected to the fusing element 71, and an electrically insulating exterior material 77 that surrounds them. The Zener diode 5 has a structure in which two electrodes 51 and 53 made of a metal plate are arranged to face each other, a semiconductor element 55 is sandwiched between the electrodes, and these are enclosed by an electrically insulating exterior material 57. ing. The portions of the two electrodes 51 and 53 that protrude outward from the exterior material 57 serve as electrode terminals for electrical connection.

【0038】温度ヒューズ7の一方の電極端子73は、
電池セル9の外装缶95に接続されており、他方の電極
端子75は、ツェナーダイオード5の一方の電極51に
接続されている。ツェナーダイオード5の他方の電極5
3は、図3では図示しないポジスタ3の一端に接続され
ている。そのポジスタ3の他端は、電池セル9の正極9
1および正極側外部接続ターミナル11に電気的に接続
されている。
One electrode terminal 73 of the thermal fuse 7 is
The other electrode terminal 75 is connected to the outer can 95 of the battery cell 9 and the other electrode terminal 75 of the zener diode 5. The other electrode 5 of the Zener diode 5
3 is connected to one end of the posistor 3 not shown in FIG. The other end of the posistor 3 is connected to the positive electrode 9 of the battery cell 9.
1 and the positive electrode side external connection terminal 11.

【0039】なお、図3から図13までの各図では、ポ
ジスタ3の図示を省略しているが、実際にはツェナーダ
イオード5の図中右側に突出する電極53がポジスタ3
の一端と接続されており、そのポジスタ3の他端は電池
セル9の正極91に接続されている。また、温度ヒュー
ズ7とツェナーダイオード5とを接続する電極端子75
および電極51は、図3から図13までの各図には図示
しない接続配線等を介して、負極側外部接続ターミナル
13に接続されている。
Although the illustration of the posistor 3 is omitted in each of FIGS. 3 to 13, the electrode 53 projecting rightward in the figure of the zener diode 5 is actually provided with the posistor 3.
The other end of the posistor 3 is connected to the positive electrode 91 of the battery cell 9. Further, an electrode terminal 75 for connecting the thermal fuse 7 and the Zener diode 5 is provided.
The electrode 51 is connected to the negative-side external connection terminal 13 via a connection wiring or the like not shown in each of FIGS. 3 to 13.

【0040】ここで、上記の電極端子や電極は、いずれ
も帯板状の金属板からなるものとし、それらは銅や黄銅
あるいはニッケル系合金のような電気的導電性の良好な
材質とすることが望ましい。また、それらの金属板どう
しの接合は、例えば電気抵抗溶接やはんだ付けなどによ
って行うことが可能である。
Here, each of the above-mentioned electrode terminals and electrodes is made of a strip-shaped metal plate, and is made of a material having good electrical conductivity such as copper, brass or a nickel-based alloy. Is desirable. In addition, the joining of the metal plates can be performed by, for example, electric resistance welding, soldering, or the like.

【0041】特にツェナーダイオード5と温度ヒューズ
7とを接続する金属板は、板厚を厚くすると共にその幅
を広くして、断面積ができるだけ大きくなるようにする
ことが望ましい。また、その配線としての長さをできる
だけ短くすることが望ましい。また、温度ヒューズ7の
電極端子75とツェナーダイオード5の電極51との重
なり合いができるだけ広くなるように接合して、それら
の熱的な伝導性をさらに良好なものとすることが望まし
い。このようにして、ツェナーダイオード5と温度ヒュ
ーズ7との間での熱的な伝導性を良好なものとすること
により、ツェナーダイオード5から発せられる熱を温度
ヒューズ7へと効率的に伝導させて、より確実に温度ヒ
ューズ7の溶断を行うようにすることが可能となる。
In particular, it is desirable that the metal plate connecting the zener diode 5 and the thermal fuse 7 be made thicker and wider so that the cross-sectional area is as large as possible. It is desirable that the length of the wiring be as short as possible. Further, it is desirable that the electrode terminal 75 of the thermal fuse 7 and the electrode 51 of the Zener diode 5 are joined so that the overlap is as wide as possible to further improve their thermal conductivity. In this way, by improving the thermal conductivity between the Zener diode 5 and the thermal fuse 7, the heat generated from the Zener diode 5 is efficiently conducted to the thermal fuse 7. Thus, the thermal fuse 7 can be blown more reliably.

【0042】図4は、温度ヒューズとツェナーダイオー
ドとを接続する実体的な構造の、他の一例を示した断面
図である。温度ヒューズ7とツェナーダイオード5と
が、積み重ねて配置されている。ツェナーダイオード5
の2つの電極51,53は、同じ方向に外側へと突出す
るように配置されているが、それらの電極51,53ど
うしが短絡することを回避するために、それらの間には
絶縁性フィルム59が配置されている。温度ヒューズ7
の外装材77とツェナーダイオード5の外装材57と
は、共に電気的絶縁性を有する材質からなるものである
が、両者が重なり合う部分の厚さは、それぞれ電気的絶
縁性や力学的な強度を損なわない程度に可能な限り薄く
形成されている。
FIG. 4 is a sectional view showing another example of a substantial structure for connecting a thermal fuse and a Zener diode. The thermal fuse 7 and the Zener diode 5 are arranged in a stack. Zener diode 5
Are arranged so as to protrude outward in the same direction, but in order to avoid a short circuit between the electrodes 51 and 53, an insulating film is provided between them. 59 are arranged. Thermal fuse 7
The exterior material 77 and the exterior material 57 of the Zener diode 5 are both made of a material having an electrical insulation property. It is formed as thin as possible without impairing it.

【0043】このような構造により、ツェナーダイオー
ド5の半導体素子55から発せられる熱を、薄い外装材
57,77を介して温度ヒューズ7の溶断素子71へと
効率的に伝導して、それを確実に溶断することができ
る。
With such a structure, the heat generated from the semiconductor element 55 of the Zener diode 5 is efficiently conducted to the fusing element 71 of the thermal fuse 7 through the thin outer package members 57 and 77, and this is ensured. Can be blown.

【0044】図5は、温度ヒューズとツェナーダイオー
ドとを接続する実体的な構造の、さらに他の一例を示し
た断面図である。温度ヒューズ7とツェナーダイオード
5とが、1枚の熱的伝導性の高い熱伝導板17に接着さ
れている。その接着には、熱的伝導性の良好な接着剤
(図示省略)が用いられている。また、温度ヒューズ7
およびツェナーダイオード5の外装材77,57の、熱
伝導板17と接着される部分の厚さは、電気的絶縁性や
力学的な強度を損なわない程度に可能な限り薄く形成さ
れている。熱伝導板17としては、例えば銅、黄銅、ア
ルミニウム、ニッケルのような、熱的伝導性が高く加工
性の良好な金属材料などを用いることが望ましい。
FIG. 5 is a sectional view showing still another example of a substantial structure for connecting a thermal fuse and a Zener diode. The thermal fuse 7 and the Zener diode 5 are bonded to one heat conductive plate 17 having high thermal conductivity. For the bonding, an adhesive (not shown) having good thermal conductivity is used. In addition, thermal fuse 7
The thickness of the parts of the exterior members 77 and 57 of the Zener diode 5 that are bonded to the heat conductive plate 17 is formed as thin as possible without impairing the electrical insulation and mechanical strength. As the heat conductive plate 17, it is desirable to use a metal material having high thermal conductivity and good workability, such as copper, brass, aluminum, and nickel.

【0045】このような構造により、ツェナーダイオー
ド5から発せられる熱を、熱伝導板17によって温度ヒ
ューズ7へと効率的に伝導して、温度ヒューズ7を確実
に溶断することができる。
With such a structure, the heat generated from the Zener diode 5 can be efficiently conducted to the thermal fuse 7 by the thermal conductive plate 17 and the thermal fuse 7 can be reliably blown.

【0046】図6から図13までの各図面は、温度ヒュ
ーズの溶断素子およびツェナーダイオードの半導体素子
を、絶縁性材料からなる1つの外装材の中に包容させた
実体的な構造を、それぞれ例示したものである。
Each of FIGS. 6 to 13 illustrates a substantial structure in which the fusing element of the thermal fuse and the semiconductor element of the Zener diode are enclosed in one package made of an insulating material. It was done.

【0047】図6に示した構造では、1枚の電極21の
表裏に、それぞれ温度ヒューズ7の溶断素子71とツェ
ナーダイオード5の半導体素子55とが配置されてい
る。その電極21の図中上側の面には、溶断素子71が
左側にオフセットされて配置されて、その半分程度が左
側に突出するように設定されている。その突出した部分
の下面には電極端子73が接合されている。その電極端
子73は外装材19から外に向けて図中左側に突出し
て、電池セル9の外装缶95などに接続される。電極2
1の下面には、そのほぼ全面に半導体素子55が接合さ
れている。その半導体素子55の下面には、電極53が
接合されており、その電極53は外装材19から外に向
けて図中右側に突出して、電池セル9の正極91に接続
される。このような構造により、外装材19の内部で、
半導体素子55から発せられる熱を外部へと逃さないよ
うにしながら電極21を介して溶断素子71へと効率的
に伝導して、その溶断素子71を確実に溶断することが
できると共に、溶断素子71と半導体素子55とを組み
合わせてなる構造をさらに簡易なものとすることができ
る。
In the structure shown in FIG. 6, the fusing element 71 of the thermal fuse 7 and the semiconductor element 55 of the Zener diode 5 are arranged on the front and back of one electrode 21 respectively. On the upper surface of the electrode 21 in the figure, a fusing element 71 is arranged so as to be offset to the left, and about half thereof is set to protrude to the left. An electrode terminal 73 is joined to the lower surface of the protruding portion. The electrode terminal 73 protrudes outward from the exterior material 19 to the left in the figure, and is connected to the exterior can 95 of the battery cell 9 or the like. Electrode 2
A semiconductor element 55 is joined to almost the entire lower surface of the semiconductor device 1. An electrode 53 is joined to the lower surface of the semiconductor element 55, and the electrode 53 protrudes outward from the exterior material 19 to the right in the figure and is connected to the positive electrode 91 of the battery cell 9. With such a structure, inside the exterior material 19,
The heat generated from the semiconductor element 55 is efficiently conducted to the fusing element 71 via the electrode 21 while preventing the heat generated from the semiconductor element 55 from escaping to the outside, so that the fusing element 71 can be reliably blown. And the semiconductor element 55 can be further simplified.

【0048】あるいは、例えば図7に示したように、半
導体素子55を溶断素子71と共に電極23の上面に配
置した構造としてもよい。
Alternatively, for example, as shown in FIG. 7, a structure may be employed in which the semiconductor element 55 is arranged on the upper surface of the electrode 23 together with the fusing element 71.

【0049】図8に示した構造は、図7の構造に、さら
に熱伝導性の良好なアルミニウムのような金属などから
なる熱伝導板17および絶縁性フィルム61を追加配置
したものである。このような構造により、その熱伝導板
17と絶縁性フィルム61とを介して、半導体素子55
から発せられる熱を溶断素子71へとさらに効果的に伝
導させることが可能となる。また、溶断素子71と半導
体素子55とが一枚の熱伝導板17に固定されているの
で、外部から機械的な衝撃力や熱的なストレスなどが加
えられた場合でも、それらに起因した溶断素子71や半
導体素子55の損傷や電気的接続の破断などを、熱伝導
板17の機械的な強度の補強によって防ぐことも可能と
なる。ここで、絶縁性フィルム61を熱伝導板17と溶
断素子71との間に介挿したのは、それらの間で電気的
な短絡が生じることを防ぐためであることは言うまでも
ない。
The structure shown in FIG. 8 is obtained by additionally disposing a heat conducting plate 17 made of a metal such as aluminum having good heat conductivity and an insulating film 61 in addition to the structure shown in FIG. With such a structure, the semiconductor element 55 is interposed between the heat conductive plate 17 and the insulating film 61.
Can be more effectively conducted to the fusing element 71. Further, since the fusing element 71 and the semiconductor element 55 are fixed to one heat conductive plate 17, even if a mechanical impact force or a thermal stress is applied from the outside, the fusing caused by them is performed. Damage to the element 71 and the semiconductor element 55 and breakage of the electrical connection can be prevented by reinforcing the mechanical strength of the heat conductive plate 17. Here, needless to say, the reason why the insulating film 61 is interposed between the heat conductive plate 17 and the fusing element 71 is to prevent an electrical short circuit between them.

【0050】図9に示した構造は、半導体素子55と溶
断素子71とを直接に積層し、その半導体素子55の上
面には電極53を、溶断素子71の下面には電極83
を、それぞれ接合したものである。このような構造によ
り、半導体素子55から発せられる熱を直接的に溶断素
子71へと伝導させて、最も効果的な熱伝導を行うこと
が可能となる。
In the structure shown in FIG. 9, the semiconductor element 55 and the fusing element 71 are directly laminated, and the electrode 53 is provided on the upper surface of the semiconductor element 55, and the electrode 83 is provided on the lower surface of the fusing element 71.
Are joined together. With such a structure, the heat generated from the semiconductor element 55 is directly conducted to the fusing element 71, so that the most effective heat conduction can be performed.

【0051】あるいは、例えば図10に示したように、
半導体素子55と溶断素子71との間に電極85を電極
として介挿させるようにしてもよい。
Alternatively, for example, as shown in FIG.
The electrode 85 may be interposed between the semiconductor element 55 and the fusing element 71 as an electrode.

【0052】図11に示した構造は、半導体素子55と
溶断素子71とを、共に1枚の電極87に接合し、その
電極87を電気的な接続用の配線として用いると共に、
熱を伝導させるための部材として用いるようにしたもの
である。半導体素子55には電極53が接合されてい
る。その電極53は、電池セル9の正極91に接続され
る。溶断素子71には電極83が接合されている。その
電極83は、電池セル9の外装缶95に接続されてい
る。このような構造により、1枚の電極87を介して溶
断素子71と半導体素子55とを直列に接続すると共
に、その電極87を介して溶断素子71と半導体素子5
5との間で良好な熱伝導を行うことが可能となる。しか
もその構造を簡易なものとすることができる。
In the structure shown in FIG. 11, the semiconductor element 55 and the fusing element 71 are both joined to a single electrode 87, and the electrode 87 is used as an electrical connection wiring.
This is used as a member for conducting heat. The electrode 53 is joined to the semiconductor element 55. The electrode 53 is connected to the positive electrode 91 of the battery cell 9. An electrode 83 is joined to the fusing element 71. The electrode 83 is connected to the outer can 95 of the battery cell 9. With such a structure, the fusing element 71 and the semiconductor element 55 are connected in series via one electrode 87, and the fusing element 71 and the semiconductor element 5 are connected via the electrode 87.
5 can perform good heat conduction. Moreover, the structure can be simplified.

【0053】あるいは、例えば図12に示したように、
電極87の表面に熱伝導板17をさらに貼り合わせるこ
とにより、溶断素子71と半導体素子55との間での熱
の伝導をさらに良好なものとすることができると共に、
機械的な強度をさらに補強することができる。
Alternatively, for example, as shown in FIG.
By further adhering the heat conductive plate 17 to the surface of the electrode 87, heat conduction between the fusing element 71 and the semiconductor element 55 can be further improved, and
The mechanical strength can be further reinforced.

【0054】図13に示した構造は、2つの電極端子8
4,86と溶断素子71と半導体素子55とが、平面的
に並べて配置され、それぞれの隣設する端面どうしが、
例えば溶着法などによって接合されているものである。
なお、溶断素子71と半導体素子55との間には電極端
子88が介挿されており、これが図示しない接続配線を
介して負極側外部接続ターミナル13に接続されてい
る。このような構造により、半導体素子55から発せら
れる熱を直接的に溶断素子71へと伝導させて、その熱
伝導をさらに効果的なものとすることが可能となると共
に、溶断素子71と半導体素子55とを組み合わせてな
る構造を最も簡易で薄型のものにすることが可能とな
る。
The structure shown in FIG.
4, 86, the fusing element 71, and the semiconductor element 55 are arranged side by side in a plane, and the end faces adjacent to each other are
For example, they are joined by a welding method or the like.
An electrode terminal 88 is interposed between the fusing element 71 and the semiconductor element 55, and is connected to the negative side external connection terminal 13 via a connection wiring (not shown). With such a structure, the heat generated from the semiconductor element 55 can be directly conducted to the fusing element 71 to make the heat conduction more effective. 55 can be made simplest and thinner.

【0055】なお、図6から図13までの各図面に示し
た構造では、いずれも、温度ヒューズ7とツェナーダイ
オード5とを一体構造に形成して、絶縁性材料からなる
1つの外装材19の中に包容しているが、ツェナーダイ
オード5とポジスタ3とを一体構造に形成して1つの外
装材の中に包容してもよい。このような構造により、大
電流が流れてツェナーダイオード5が発熱した際に、そ
の熱をポジスタ3に確実に伝えて電気抵抗を増大させる
ことにより、過大電流が流れることを抑制して、ツェナ
ーダイオード5の破壊を確実に防ぐことができる。
In each of the structures shown in FIGS. 6 to 13, the thermal fuse 7 and the Zener diode 5 are formed in an integrated structure, and the one exterior material 19 made of an insulating material is formed. Although enclosed inside, the Zener diode 5 and the posistor 3 may be formed in an integrated structure and enclosed in one exterior material. With such a structure, when a large current flows and the Zener diode 5 generates heat, the heat is reliably transmitted to the posistor 3 to increase the electric resistance, thereby suppressing the flow of the excessive current and thereby preventing the Zener diode 5 from flowing. 5 can be reliably prevented.

【0056】図14は、温度ヒューズとツェナーダイオ
ードとポジスタとを、1つのケーシングの中に包容した
実体的な構造の一例を示した断面図である。温度ヒュー
ズ7の上にはツェナーダイオード5が重ねて配置され、
さらにそのツェナーダイオード5の上にはポジスタ3が
重ねて配置されている。温度ヒューズ7は溶断素子71
を専用の外装材77で被覆したものである。ツェナーダ
イオード5は半導体素子55を専用の外装材57で被覆
したものである。ポジスタ3は感温素子31を専用の外
装材37で被覆したものである。それらの外装材37,
57,77は、いずれも電気絶縁性材料からなるもので
ある。
FIG. 14 is a sectional view showing an example of a substantial structure in which a thermal fuse, a Zener diode, and a posistor are contained in one casing. The Zener diode 5 is disposed on the thermal fuse 7 in an overlapping manner.
Further, the posistor 3 is arranged on the zener diode 5 so as to overlap. The thermal fuse 7 is connected to the fusing element 71.
Is covered with a special exterior material 77. The Zener diode 5 is obtained by covering the semiconductor element 55 with a special package member 57. The posistor 3 is obtained by covering the temperature-sensitive element 31 with a special exterior material 37. Those exterior materials 37,
57 and 77 are both made of an electrically insulating material.

【0057】温度ヒューズ7、ツェナーダイオード5、
ポジスタ3の側面には、それぞれ電極端子171,17
3,151,153,131,133が配置されてい
る。温度ヒューズ7の図中左側の側面の電極端子171
は電池セル9の負極に接続されており、右側の側面の電
極端子173はツェナーダイオード5の右側の側面の電
極端子153と接合されている。ツェナーダイオード5
の左側の側面の電極端子151は、ポジスタ3の左側の
側面の電極端子131と接合されている。ポジスタ3の
右側の側面の電極端子133は、正極側外部接続ターミ
ナル11および電池セル9の正極に接続されている。温
度ヒューズ7とツェナーダイオード5とを接続する電極
端子173,153、およびツェナーダイオード5とポ
ジスタ3とを接続する電極端子151,131は、例え
ば銅、黄銅、アルミニウム合金、銀など、電気的伝導性
および熱的伝導性が共に良好な金属板を用いることが望
ましい。
Temperature fuse 7, Zener diode 5,
Electrode terminals 171 and 17 are provided on the side surfaces of the posistor 3, respectively.
3, 151, 153, 131 and 133 are arranged. Electrode terminal 171 on the left side surface of thermal fuse 7 in the figure
Is connected to the negative electrode of the battery cell 9, and the electrode terminal 173 on the right side is joined to the electrode terminal 153 on the right side of the Zener diode 5. Zener diode 5
Is connected to the electrode terminal 131 on the left side surface of the posistor 3. The electrode terminal 133 on the right side surface of the posistor 3 is connected to the positive electrode side external connection terminal 11 and the positive electrode of the battery cell 9. The electrode terminals 173 and 153 connecting the thermal fuse 7 and the Zener diode 5 and the electrode terminals 151 and 131 connecting the Zener diode 5 and the posistor 3 are made of, for example, copper, brass, aluminum alloy, silver, or the like. It is desirable to use a metal plate having good thermal conductivity.

【0058】このような構造により、ツェナーダイオー
ド5から温度ヒューズ7に熱が効率的に伝導されるよう
にして、過大電圧が印加された際に温度ヒューズ7を確
実に溶断することが可能となる。また、ツェナーダイオ
ード5からポジスタ3に熱が効率的に伝導されるように
して、過大電流が流れるとポジスタ3の温度を確実に上
昇させてその電気抵抗を増大させることにより、過大電
流に起因したツェナーダイオード5の破壊を防ぐことが
できる。また、温度ヒューズ7と電池セル9の負極93
とを接続する電極端子171や、ポジスタ3と電池セル
9の正極91とを接続する電極端子133は、例えばニ
ッケル系金属や鉄系金属など、電気的な伝導性が高く、
かつ熱的な伝導性が比較的低い材質のものを用いること
が望ましい。このようにすることにより、ツェナーダイ
オード5から発せられる熱に起因した電池セル9の過熱
を防ぐことができる。
With such a structure, heat can be efficiently conducted from the Zener diode 5 to the thermal fuse 7 so that the thermal fuse 7 can be reliably blown when an excessive voltage is applied. . In addition, heat is efficiently conducted from the Zener diode 5 to the posistor 3, and when an excessive current flows, the temperature of the posistor 3 is surely increased to increase its electric resistance. The destruction of the Zener diode 5 can be prevented. Further, the temperature fuse 7 and the negative electrode 93 of the battery cell 9
The electrode terminal 171 for connecting the positive electrode 91 and the electrode terminal 133 for connecting the posistor 3 to the positive electrode 91 of the battery cell 9 have high electrical conductivity, for example, a nickel-based metal or an iron-based metal.
It is desirable to use a material having relatively low thermal conductivity. By doing so, it is possible to prevent the battery cells 9 from being overheated due to the heat generated from the Zener diode 5.

【0059】図15に示した構造は、温度ヒューズ7の
溶断素子71と、ツェナーダイオード5の半導体素子5
5と、ポジスタ3の感温素子31とを、電極172,1
74,176を介して接合して一体化し、それを1つの
外装材181に包容したものである。溶断素子71の図
中下面に接合された電極83は電池セル9の負極93に
接続されている。溶断素子71の下面には電極83が接
続されている。溶断素子71の上面に配置された電極1
72および半導体素子55の下面に配置された電極17
4は、図示しない接続配線などを介して負極側外部接続
ターミナル13に接続されている。半導体素子55の上
面と感温素子31の下面との間には電極176が配置さ
れている。感温素子31の上面には、電極53が接合さ
れており、その電極53は正極側外部接続ターミナル1
1に接続されている。このような構造により、半導体素
子55から溶断素子71に熱を効率的に伝導させること
により、過大電圧が印加された際に溶断素子71を確実
に溶断することができる。また、半導体素子55から感
温素子31に熱を効率的に伝導させることにより、過大
電流が流れた際に、感温素子31の温度を確実に上昇さ
せて、その電気抵抗を増大させることができ、過大電流
に起因した半導体素子55の破壊を防ぐことが可能とな
る。
The structure shown in FIG. 15 is based on the fusing element 71 of the thermal fuse 7 and the semiconductor element 5 of the Zener diode 5.
5 and the temperature-sensitive element 31 of the posistor 3 are connected to the electrodes 172, 1
It is bonded and integrated via the vias 74 and 176, and is contained in one exterior material 181. The electrode 83 joined to the lower surface of the fusing element 71 in the figure is connected to the negative electrode 93 of the battery cell 9. An electrode 83 is connected to the lower surface of the fusing element 71. Electrode 1 arranged on upper surface of fusing element 71
72 and the electrode 17 arranged on the lower surface of the semiconductor element 55
Reference numeral 4 is connected to the negative electrode side external connection terminal 13 via a connection wiring (not shown). An electrode 176 is arranged between the upper surface of the semiconductor element 55 and the lower surface of the temperature sensing element 31. An electrode 53 is joined to the upper surface of the temperature sensing element 31, and the electrode 53 is connected to the positive electrode side external connection terminal 1.
1 connected. With such a structure, by efficiently conducting heat from the semiconductor element 55 to the fusing element 71, the fusing element 71 can be reliably blown when an excessive voltage is applied. In addition, by efficiently conducting heat from the semiconductor element 55 to the temperature-sensitive element 31, it is possible to surely raise the temperature of the temperature-sensitive element 31 and increase its electric resistance when an excessive current flows. As a result, it is possible to prevent the semiconductor element 55 from being destroyed due to an excessive current.

【0060】あるいは、図16に示したように、感温素
子31と半導体素子55とを、電極176を介さずに直
接に接合させて、さらに簡易な構造としてもよい。
Alternatively, as shown in FIG. 16, the temperature-sensitive element 31 and the semiconductor element 55 may be directly joined without the interposition of the electrode 176 to have a simpler structure.

【0061】次に、第1の実施の形態に係る電子デバイ
ス保護回路の、さらに詳細な作用について説明する。
Next, a more detailed operation of the electronic device protection circuit according to the first embodiment will be described.

【0062】充電の際などに、負極側外部接続ターミナ
ル13と正極側外部接続ターミナル11とに電池セル9
の定格電圧を越えた過大な電圧が印加されると、その電
圧は、ツェナーダイオード5とポジスタ3とを直列に接
続してなる回路にも印加される。このときには、まだポ
ジスタ3の電気抵抗は増大していないので、ポジスタ3
での電圧降下は少なく、その電圧降下分を差し引いても
過大な電圧がツェナーダイオード5に印加される。その
印加された電圧がツェナーダイオード5の降伏電圧を越
えた電圧であると、ツェナーダイオード5に大電流が流
れて発熱し、その熱が温度ヒューズ7に伝導して、その
温度ヒューズ7を加熱する。やがて温度ヒューズ7は溶
断されて、電池セル9に対する過大電圧の印加が完全に
遮断されるが、それまでの間は過大電圧に起因した大電
流のほとんどがツェナーダイオード5およびポジスタ3
の方に流れ、電池セル9にはほとんど流れないので、温
度ヒューズ7が溶断されるまでの間も電池セル9を過大
電圧の印加に起因した破損や劣化から保護することがで
きる。
At the time of charging or the like, the battery cell 9 is connected to the negative side external connection terminal 13 and the positive side external connection terminal 11.
When an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied, the voltage is also applied to a circuit in which the zener diode 5 and the posistor 3 are connected in series. At this time, since the electric resistance of the posistor 3 has not yet increased,
Is small, and an excessive voltage is applied to the Zener diode 5 even if the voltage drop is subtracted. If the applied voltage exceeds the breakdown voltage of the Zener diode 5, a large current flows through the Zener diode 5 to generate heat, and the heat is conducted to the thermal fuse 7 to heat the thermal fuse 7. . Eventually, the thermal fuse 7 is blown and the application of the excessive voltage to the battery cell 9 is completely cut off. Until then, most of the large current due to the excessive voltage is reduced by the Zener diode 5 and the posistor 3.
, And hardly flows into the battery cell 9, so that the battery cell 9 can be protected from damage or deterioration due to application of an excessive voltage even before the thermal fuse 7 is blown.

【0063】このとき、ツェナーダイオード5およびポ
ジスタ3に流れる電流は、負極側外部接続ターミナル1
3と正極側外部接続ターミナル11とに印加される電圧
からツェナーダイオード5の降伏電圧を差し引いた電圧
値をポジスタ3の初期抵抗値で割った値となる。従っ
て、印加電圧が極めて過大で、それに対応して流れる電
流値がポジスタ3の定格電流値よりも大きくなる場合に
は、ポジスタ3の電気抵抗が増大して、そのポジスタ3
自体およびツェナーダイオード5に流れる電流を抑制す
る。また、大電流が流れ続けて発熱が継続し、ツェナー
ダイオード5が過熱状態になる場合にも、その熱によっ
てポジスタ3の電気抵抗が増大して、そのポジスタ3お
よびツェナーダイオード5に流れる電流を抑制する。こ
れにより、ツェナーダイオード5の破損等を防ぐことが
できる。
At this time, the current flowing through the Zener diode 5 and the posistor 3 is changed to the negative side external connection terminal 1.
The value obtained by subtracting the breakdown voltage of the Zener diode 5 from the voltage applied to the positive terminal 3 and the external terminal 11 is divided by the initial resistance of the posistor 3. Accordingly, when the applied voltage is extremely large and the current value corresponding to the applied voltage is larger than the rated current value of the posistor 3, the electric resistance of the posistor 3 increases, and the
The current flowing through itself and the Zener diode 5 is suppressed. Further, even when a large current continues to flow and heat is generated, and the Zener diode 5 is overheated, the heat increases the electric resistance of the posistor 3 and suppresses the current flowing through the posistor 3 and the zener diode 5. I do. This can prevent the Zener diode 5 from being damaged.

【0064】図17は、第1の実施の形態に係る電子デ
バイス保護回路を組み込んだリチウムイオン二次電池に
過大電圧を印加した場合の、電流、電圧、温度のそれぞ
れの過渡特性を表したものである。ここに示した一例で
は、雰囲気温度が20℃、電池セル9の定格充電電圧が
4.2V、温度ヒューズ7の溶断温度が90℃、ツェナ
ーダイオード5の降伏電圧が6V、連続定格電力が60
0mW、最大瞬間電力が1200mW、ポジスタ3の定
格電流が100mW、検知温度が130℃、25℃にお
ける抵抗値が20Ωに設定されている場合に、定格出力
が10V・1Aの充電器を接続したときの、過渡特性を
示したものである。
FIG. 17 shows the respective transient characteristics of current, voltage and temperature when an excessive voltage is applied to a lithium ion secondary battery incorporating the electronic device protection circuit according to the first embodiment. It is. In the example shown here, the ambient temperature is 20 ° C., the rated charging voltage of the battery cell 9 is 4.2 V, the fusing temperature of the thermal fuse 7 is 90 ° C., the breakdown voltage of the Zener diode 5 is 6 V, and the continuous rated power is 60
0 mW, the maximum instantaneous power is 1200 mW, the rated current of the POSISTOR 3 is 100 mW, the detection temperature is 130 ° C., and the resistance value at 25 ° C. is set to 20Ω, and the rated output is 10 V · 1 A when a charger is connected. 5 shows the transient characteristics of FIG.

【0065】充電器をリチウムイオン二次電池に接続す
ると、印加電圧が立ち上がり、ツェナーダイオード5に
その降伏電圧である6Vを越えた電圧が印加されて、ツ
ェナーダイオード5およびポジスタ3に電流が流れ始め
る。やがて3秒頃に印加電圧が10Vになると、ポジス
タ3に印加される電圧は4Vとなる。このとき、ポジス
タ3はまだ過熱されておらず検知温度未満であるから、
その電気抵抗値は初期値の20Ω程度である。従って、
このときポジスタ3の電流の初期値は200mA程度と
なる。このとき、ツェナーダイオード5に印加される電
圧は6V、電流はポジスタ3と同じ200mA程度であ
るから、その発熱に消費される電力は1200mW程度
であり、これはツェナーダイオード5の最大瞬間電力で
ある1200mW以下となっている。
When the charger is connected to the lithium ion secondary battery, the applied voltage rises, a voltage exceeding the breakdown voltage of 6 V is applied to the Zener diode 5, and a current starts flowing through the Zener diode 5 and the posistor 3. . Eventually, when the applied voltage becomes 10 V around 3 seconds, the voltage applied to the posistor 3 becomes 4 V. At this time, since the posistor 3 has not yet been overheated and is lower than the detection temperature,
Its electric resistance is about 20Ω, which is the initial value. Therefore,
At this time, the initial value of the current of the posistor 3 is about 200 mA. At this time, the voltage applied to the Zener diode 5 is about 6 V, and the current is about 200 mA, which is the same as that of the posistor 3. Therefore, the power consumed for the heat generation is about 1200 mW, which is the maximum instantaneous power of the Zener diode 5. It is 1200 mW or less.

【0066】ポジスタ3の電流値は、ポジスタ3自体が
検知温度に到達するまで増大を続ける。その増大する電
流によって、ツェナーダイオード5およびポジスタ3の
発熱量も増大する。ポジスタ3の温度が上昇して検知温
度の130℃に達すると、そのポジスタ3自体の電気抵
抗が急峻に増大して約40Ωとなり、電流が200mA
から100mAに抑制される。このとき、ツェナーダイ
オード5に印加される電圧は、ポジスタ3の40Ωの電
気抵抗による電圧降下で6Vとなっているから、ツェナ
ーダイオード5の発熱による消費電力は600mWとな
るが、これは連続定格電力の600mW以下である。こ
の発熱が継続されると、やがてツェナーダイオード5の
温度は緩やかに上昇して、約100℃に達する。このツ
ェナーダイオード5から発せられる熱は、温度ヒューズ
7を加熱する。そして温度が90℃に達すると、温度ヒ
ューズ7が溶断されて、電池セル9への過大電圧の印加
が完全に遮断される。なお、温度ヒューズ7が溶断され
るに至るまでの間は、充電器からリチウムイオン二次電
池全体に流れる電流は、約800〜1000mAで安定
している。
The current value of the posistor 3 continues to increase until the posistor 3 itself reaches the detection temperature. Due to the increased current, the amount of heat generated by the Zener diode 5 and the posistor 3 also increases. When the temperature of the posistor 3 rises to reach the detection temperature of 130 ° C., the electric resistance of the posistor 3 itself sharply increases to about 40Ω, and the current becomes 200 mA.
To 100 mA. At this time, since the voltage applied to the Zener diode 5 is 6 V due to a voltage drop due to the electric resistance of 40Ω of the posistor 3, the power consumption due to the heat generated by the Zener diode 5 is 600 mW. Of 600 mW or less. When this heat generation continues, the temperature of the Zener diode 5 gradually rises up to about 100 ° C. The heat generated from the Zener diode 5 heats the thermal fuse 7. When the temperature reaches 90 ° C., the thermal fuse 7 is blown, and the application of the excessive voltage to the battery cell 9 is completely cut off. Until the thermal fuse 7 is blown, the current flowing from the charger to the entire lithium ion secondary battery is stable at about 800 to 1000 mA.

【0067】温度ヒューズ7が溶断されると、過大電圧
の印加に起因した電流は、電池セル9を含んだ回路には
流れず、ツェナーダイオード5およびポジスタ3を直列
に接続してなる回路の方にのみ流れるが、このときには
既にポジスタ3の電気抵抗が増大しているので、ツェナ
ーダイオード5に流れる電流が100mAに抑制されて
いると共に、印加される電圧がポジスタ3の電気抵抗に
よる電圧降下で6Vに抑制されているので、ツェナーダ
イオード5の破壊や過熱を防ぐことができる。
When the thermal fuse 7 is blown, the current resulting from the application of the excessive voltage does not flow to the circuit including the battery cell 9 but to the circuit formed by connecting the Zener diode 5 and the posistor 3 in series. However, at this time, since the electric resistance of the posistor 3 has already increased, the current flowing through the zener diode 5 is suppressed to 100 mA, and the applied voltage is 6 V due to the voltage drop due to the electric resistance of the posistor 3. Therefore, destruction and overheating of the Zener diode 5 can be prevented.

【0068】図18は、第1の実施の形態に係る電子デ
バイス保護回路を組み込んだ薄型のリチウムイオン二次
電池に、その充電定格電圧を越えた過大電圧を印加する
実験を行った結果の一例を示したものである。
FIG. 18 shows an example of the result of an experiment in which an excessive voltage exceeding the charging rated voltage is applied to a thin lithium ion secondary battery incorporating the electronic device protection circuit according to the first embodiment. It is shown.

【0069】この実験では、温度ヒューズ7とツェナー
ダイオード5とを短い帯状の金属板で接続した構造とし
ている。この実験を行った際の雰囲気温度は約30℃で
ある。直流電源である充電器の出力電圧は10V、最大
電流は2Aである。ポジスタ3の30℃における電気抵
抗値は約20A、検知温度は120℃である。ツェナー
ダイオード5の降伏電圧は約6V、温度ヒューズ7の溶
断温度は90℃である。なお、図18のグラフでは、横
軸は、電圧の印加開始からの経過時間を示し、左側の縦
軸は、ツェナーダイオード5、ポジスタ3、電池セル9
のそれぞれの電圧を示し、右側の縦軸は、電池セル9の
充電電流およびツェナーダイオード5を流れる電流をア
ンペア単位(A)で示すと共に、温度ヒューズ7の温度
を摂氏温度(℃)で示している。
In this experiment, the structure is such that the thermal fuse 7 and the Zener diode 5 are connected by a short band-shaped metal plate. The ambient temperature at which this experiment was performed is about 30 ° C. The output voltage of the charger as a DC power supply is 10 V, and the maximum current is 2 A. The electrical resistance value of the posistor 3 at 30 ° C. is about 20 A, and the detection temperature is 120 ° C. The breakdown voltage of the Zener diode 5 is about 6 V, and the fusing temperature of the thermal fuse 7 is 90 ° C. In the graph of FIG. 18, the horizontal axis indicates the elapsed time from the start of voltage application, and the left vertical axis indicates the Zener diode 5, the posistor 3, and the battery cell 9
The vertical axis on the right shows the charging current of the battery cell 9 and the current flowing through the Zener diode 5 in amperes (A), and the temperature of the thermal fuse 7 in degrees Celsius (° C.). I have.

【0070】まず、充電器が接続されると、約1秒程度
の立ち上がり時間(応答遅れ)の後、電池セル9の電圧
が10Vにまで上昇し、ポジスタ3には4Vの電圧が印
加され、ツェナーダイオード5には6Vの電圧が印加さ
れる。このとき、ツェナーダイオード5の降伏電圧以上
の電圧が印加されているので、ツェナーダイオード5が
電流を流す状態になり、そのツェナーダイオード5およ
びそれに直列に接続されているポジスタ3には、約20
0mAの電流が流れる。従って、ツェナーダイオード5
は約1200mW(=6V×200mA)の電力によっ
て発熱し、その熱によって、ツェナーダイオード5およ
びポジスタ3ならびに温度ヒューズ7が加熱されて、そ
れらの温度が上昇する。また、ポジスタ3自体も約80
0mW(=4V×200mA)の電力によって発熱する
が、この熱も温度ヒューズ7等の加熱に寄与する。また
このとき、電池セル9には、10Vの電圧が印加され
て、約1.8A程度の充電電流が安定的に流れる。
First, when the charger is connected, after a rise time (response delay) of about 1 second, the voltage of the battery cell 9 rises to 10 V, and a voltage of 4 V is applied to the posistor 3. A voltage of 6 V is applied to the Zener diode 5. At this time, since a voltage equal to or higher than the breakdown voltage of the Zener diode 5 is applied, the Zener diode 5 enters a state in which a current flows, and about 20 volts are applied to the Zener diode 5 and the posistor 3 connected in series thereto.
A current of 0 mA flows. Therefore, the Zener diode 5
Generates heat by electric power of about 1200 mW (= 6 V × 200 mA), and the heat heats the Zener diode 5, the posistor 3, and the thermal fuse 7 to increase their temperature. Also, the POSISTOR 3 itself is about 80
Heat is generated by electric power of 0 mW (= 4 V × 200 mA), and this heat also contributes to heating of the thermal fuse 7 and the like. At this time, a voltage of 10 V is applied to the battery cell 9, and a charging current of about 1.8 A flows stably.

【0071】このような充電状態が、例えば数分間に亘
って継続されると、電池セル9は過大電圧による充電で
発熱して劣化したり破損したりする場合があるが、この
ような過大電圧による充電状態が約40秒間続くと、温
度ヒューズ7が90℃の溶断温度に到達して溶断するの
で、電池セル9に対する過大電圧の印加(換言すれば過
大電流の流れ込み)が遮断される。こうして温度ヒュー
ズ7が溶断すると、電池セル9の電圧はその定格出力電
圧である4.2Vあるいはそれ以下の充電途中の電圧値
になる。
When such a state of charge is continued for, for example, several minutes, the battery cell 9 may generate heat due to charging with an excessive voltage and may be deteriorated or damaged. When the charging state continues for about 40 seconds, the thermal fuse 7 reaches the fusing temperature of 90 ° C. and blows, so application of an excessive voltage to the battery cell 9 (in other words, inflow of an excessive current) is cut off. When the thermal fuse 7 is blown in this manner, the voltage of the battery cell 9 becomes the rated output voltage of 4.2 V or lower, or a voltage value during charging.

【0072】しかし、そのように温度ヒューズ7が溶断
しても、ツェナーダイオード5およびポジスタ3には約
200mAの電流が流れ続けているので、ツェナーダイ
オード5およびポジスタ3の発熱は継続される。この熱
が温度ヒューズ7に伝導して、溶断の後もその温度は上
昇し続け、過大電圧の印加を開始してから50秒後には
約100℃に達する。これは、ツェナーダイオード5の
温度が少なくとも約100℃あるいはそれ以上に達して
いることを意味している。このような状態がさらに継続
されると、ツェナーダイオード5をはじめとしてポジス
タ3も過熱されて劣化したり破損したりする場合があ
る。しかし、ポジスタ3の温度がその検知温度である1
20℃に達すると(図示省略)、ポジスタ3の電気抵抗
が急峻に増大して、ポジスタ3およびツェナーダイオー
ド5に流れる電流が約100mAに抑制されるので、そ
れ以降はツェナーダイオード5やポジスタ3の発熱量が
それまでの半分以下になる。これにより、ツェナーダイ
オード5やポジスタ3が過熱によって劣化したり破損し
たりすることを回避することができる。
However, even if the thermal fuse 7 is blown, the current of about 200 mA continues to flow through the Zener diode 5 and the posistor 3, so that the heat generation of the Zener diode 5 and the posistor 3 is continued. This heat is conducted to the thermal fuse 7, and the temperature continues to rise even after the blow, and reaches about 100 ° C. 50 seconds after the start of the application of the excessive voltage. This means that the temperature of the Zener diode 5 has reached at least about 100 ° C. or higher. When such a state is further continued, the zener diode 5 and the posistor 3 may be overheated to be deteriorated or damaged. However, the temperature of the posistor 3 is the detected temperature 1
When the temperature reaches 20 ° C. (not shown), the electric resistance of the posistor 3 sharply increases, and the current flowing through the posistor 3 and the zener diode 5 is suppressed to about 100 mA. The calorific value is reduced to less than half. This can prevent the Zener diode 5 and the posistor 3 from being deteriorated or damaged due to overheating.

【0073】なお、この実験のように、電池セル9に印
加される過大電圧がツェナーダイオード5の降伏電圧の
2倍未満の場合には、ポジスタ3よりもツェナーダイオ
ード5の発熱の方が支配的となるので、そのツェナーダ
イオード5から発せられる熱を温度ヒューズ7に伝導さ
せることにより、温度ヒューズ7を確実に溶断すること
ができる。
When the excessive voltage applied to the battery cell 9 is less than twice the breakdown voltage of the Zener diode 5 as in this experiment, the heat generation of the Zener diode 5 is more dominant than that of the posistor 3. By conducting the heat generated from the Zener diode 5 to the thermal fuse 7, the thermal fuse 7 can be reliably blown.

【0074】[第2の実施の形態]図19は、本発明の
第2の実施の形態に係る電子デバイス保護回路の概要構
成を表した図である。この電子デバイス保護回路101
は、図1に示したような第1の実施の形態における、ポ
ジスタ3とツェナーダイオード5とを入れ替えて配置し
たものである。またその構造は、第1の実施の形態で図
3〜図13の各図に示した構造におけるツェナーダイオ
ード5をポジスタ3に置き換えたものとすればよく、ま
た図14〜図16の各図に示した構造におけるツェナー
ダイオード5とポジスタ3との配置を入れ替えたものと
すればよい。
[Second Embodiment] FIG. 19 is a diagram showing a schematic configuration of an electronic device protection circuit according to a second embodiment of the present invention. This electronic device protection circuit 101
In this embodiment, the posistor 3 and the zener diode 5 in the first embodiment as shown in FIG. Further, the structure may be such that the Zener diode 5 in the structure shown in each of FIGS. 3 to 13 in the first embodiment is replaced with a posistor 3, and each of FIGS. What is necessary is just to replace the arrangement of the Zener diode 5 and the posistor 3 in the structure shown.

【0075】この電子デバイス保護回路101では、正
極側外部接続ターミナル11と負極側外部接続ターミナ
ル13とに過大電圧が印加されると、ツェナーダイオー
ド5に降伏電圧を越えた電圧が印加されて電流が流れる
状態になり、ツェナーダイオード5が発熱すると共に、
ポジスタ3が発熱する。そのポジスタ3およびツェナー
ダイオード5は、温度ヒューズ7に対して熱を効率的に
伝導させることができるような構造に配置されている。
従って、過大電圧の印加に伴って、ポジスタ3およびツ
ェナーダイオード5が発熱すると、その熱によって温度
ヒューズ7が確実に溶断される。また、温度ヒューズ7
が溶断された後にも、暫くはポジスタ3およびツェナー
ダイオード5の発熱は継続されるが、やがて温度が上昇
してポジスタ3の検知温度に達するとポジスタ3の電気
抵抗が急峻に増大して、それ以降はポジスタ3およびツ
ェナーダイオード5の電流が抑制されるので、過熱によ
るツェナーダイオード5の劣化や破損等を防ぐことがで
きる。
In this electronic device protection circuit 101, when an excessive voltage is applied to the positive external connection terminal 11 and the negative external connection terminal 13, a voltage exceeding the breakdown voltage is applied to the Zener diode 5 and a current is generated. As a result, the Zener diode 5 generates heat,
The posistor 3 generates heat. The posistor 3 and the zener diode 5 are arranged in a structure that can efficiently conduct heat to the thermal fuse 7.
Therefore, when the posistor 3 and the Zener diode 5 generate heat due to the application of the excessive voltage, the heat surely blows the thermal fuse 7. In addition, thermal fuse 7
After the fuse is blown, the heat generation of the posistor 3 and the zener diode 5 is continued for a while. However, when the temperature rises and reaches the detection temperature of the posistor 3, the electric resistance of the posistor 3 increases sharply. Thereafter, the currents of the posistor 3 and the zener diode 5 are suppressed, so that deterioration or breakage of the zener diode 5 due to overheating can be prevented.

【0076】なお、このようにポジスタ3を温度ヒュー
ズ7に近接させて配置した場合には、発熱量の大きなポ
ジスタ3を用いて、ツェナーダイオード5の降伏電圧の
約2倍以上の電圧が印加された場合にも、そのポジスタ
3が効果的に発熱して温度ヒューズ7を確実に溶断する
ことができる。
When the posistor 3 is arranged close to the thermal fuse 7 as described above, a voltage of about twice or more of the breakdown voltage of the zener diode 5 is applied by using the posistor 3 having a large heat value. In this case, the posistor 3 generates heat effectively, and the thermal fuse 7 can be reliably blown.

【0077】図20は、この電子デバイス保護回路10
1を組み込んだ薄型のリチウムイオン二次電池に、その
充電定格電圧を越えた過大電圧を実際に印加する実験を
行った結果の一例を示したものである。この実験では、
温度ヒューズ7とポジスタ3とが短い帯状の金属板で電
気的および熱的に接続されている構造とした。実験を行
った雰囲気の温度は約30℃である。直流電源である充
電器の出力電圧は15V、最大電流は0.9Aである。
ポジスタ3の30℃における電気抵抗値は約20Ω、検
知温度は120℃である。ツェナーダイオード5の降伏
電圧は約6V、温度ヒューズ7の溶断温度は90℃であ
る。なお、図20のグラフでは、横軸は、電圧の印加開
始からの経過時間を示し、左側の縦軸は、ツェナーダイ
オード5、ポジスタ3、電池セル9の、それぞれの電圧
を示し、右側の縦軸は、電池セル9の充電電流およびツ
ェナーダイオード5を流れる電流を示すと共に、温度ヒ
ューズ7の温度を摂氏温度で示している。
FIG. 20 shows this electronic device protection circuit 10.
1 shows an example of a result of an experiment in which an excessive voltage exceeding a charging rated voltage is actually applied to a thin lithium ion secondary battery incorporating the battery No. 1. In this experiment,
The thermal fuse 7 and the posistor 3 are electrically and thermally connected by a short band-shaped metal plate. The temperature of the atmosphere in which the experiment was performed is about 30 ° C. The output voltage of the charger as a DC power supply is 15 V, and the maximum current is 0.9 A.
The electrical resistance of the posistor 3 at 30 ° C. is about 20Ω, and the detection temperature is 120 ° C. The breakdown voltage of the Zener diode 5 is about 6 V, and the fusing temperature of the thermal fuse 7 is 90 ° C. In the graph of FIG. 20, the horizontal axis indicates the elapsed time from the start of voltage application, the left vertical axis indicates the respective voltages of the Zener diode 5, the posistor 3, and the battery cell 9, and the right vertical axis The axis shows the charging current of the battery cell 9 and the current flowing through the Zener diode 5, and the temperature of the thermal fuse 7 in degrees Celsius.

【0078】まず、充電器が接続されると、約1秒程度
の立ち上がり時間の経過後、電池セル9の電圧が15V
にまで上昇し、ポジスタ3には約9Vの電圧が印加さ
れ、ツェナーダイオード5には約6Vの電圧が印加され
る。このとき、ツェナーダイオード5の降伏電圧以上の
電圧が印加されているので、ツェナーダイオード5が導
通状態になり、ツェナーダイオード5およびそれに直列
に接続されているポジスタ3には、約100mAの電流
が流れる。従って、ツェナーダイオード5は約600m
W(=6V×100mA)の電力によって発熱する。ポ
ジスタ3も約900mW(=9V×100mA)の電力
によって発熱し、この熱が主体となって温度ヒューズ7
を加熱する。またこのとき、電池セル9には15Vの電
圧が印加されて、約0.8A程度の充電電流が安定的に
流れる。
First, when the charger is connected, after a rise time of about 1 second elapses, the voltage of the battery cell 9 becomes 15V.
, And a voltage of about 9 V is applied to the posistor 3 and a voltage of about 6 V is applied to the Zener diode 5. At this time, since a voltage equal to or higher than the breakdown voltage of the Zener diode 5 is applied, the Zener diode 5 becomes conductive, and a current of about 100 mA flows through the Zener diode 5 and the posistor 3 connected in series thereto. . Therefore, the Zener diode 5 is about 600 m
Heat is generated by electric power of W (= 6 V × 100 mA). The posistor 3 also generates heat by electric power of about 900 mW (= 9 V × 100 mA), and the heat mainly causes the thermal fuse 7.
Heat. At this time, a voltage of 15 V is applied to the battery cell 9, and a charging current of about 0.8 A flows stably.

【0079】このような状態が続くと、ポジスタ3は、
それ自体の発熱および温度ヒューズ7の発熱によって加
熱されて、その電気抵抗が増大するので、ポジスタ3お
よびツェナーダイオード5の電流は次第に低下して行
く。例えば約1秒では0.1Aだった電流値は、約20
秒には0.07Aにまで低下している。しかし、それで
もポジスタ3およびツェナーダイオード5の発熱は停止
することなく継続され、その熱によって温度ヒューズ7
がさらに加熱されて行く。例えば20秒ではポジスタ3
の温度は約120℃近くにまで達している(図示省
略)。このような発熱が継続されて温度ヒューズ7の温
度が90℃の溶断温度に到達すると、温度ヒューズ7が
溶断されて、電池セル9に対する過大電圧の印加が遮断
される。
When such a state continues, the posistor 3
Since the electric resistance is increased by the heat generated by the heat generated by itself and the heat generated by the thermal fuse 7, the current of the posistor 3 and the Zener diode 5 gradually decreases. For example, the current value which was 0.1 A in about 1 second becomes about 20
It has dropped to 0.07A per second. However, the heat generation of the posistor 3 and the Zener diode 5 is continued without stopping, and the heat causes the thermal fuse 7
Will be heated further. For example, in 20 seconds, Posista 3
Has reached about 120 ° C. (not shown). When such heat generation is continued and the temperature of the thermal fuse 7 reaches the fusing temperature of 90 ° C., the thermal fuse 7 is blown and the application of the excessive voltage to the battery cell 9 is cut off.

【0080】しかしその一方で、ツェナーダイオード5
およびポジスタ3には約60mAの電流が流れ続けるの
で、温度ヒューズ7の溶断以降もツェナーダイオード5
およびポジスタ3の発熱が継続されて、それら自体の温
度がさらに上昇する。このため、溶断した後の温度ヒュ
ーズ7の温度は、過大電圧の印加を開始してから40秒
後には約98℃に達する。これは、ポジスタ3の温度が
少なくとも約98℃あるいはそれ以上に達していること
を意味している。このような状態がさらに継続される
と、ポジスタ3がさらに過熱されると共にツェナーダイ
オード5も過熱されて、それらが劣化したり破損したり
する場合がある。しかし、ポジスタ3の温度がその検知
温度である120℃に達すると、ポジスタ3の電気抵抗
が急峻に増大して、ポジスタ3およびツェナーダイオー
ド5に流れる電流が急激に抑制され、それ以降はツェナ
ーダイオード5やポジスタ3の発熱が抑制される。これ
により、ツェナーダイオード5やポジスタ3の過熱に起
因した劣化や破損を防ぐことができる。
However, on the other hand, the Zener diode 5
Since a current of about 60 mA continues to flow through the posistor 3 and the zener diode 5 even after the thermal fuse 7 is blown.
Further, the heat generation of the posistors 3 is continued, and the temperatures of the pistors 3 themselves further rise. For this reason, the temperature of the thermal fuse 7 after being blown reaches about 98 ° C. 40 seconds after the start of the application of the excessive voltage. This means that the temperature of the posistor 3 has reached at least about 98 ° C. or higher. If such a state is further continued, the posistor 3 is further overheated and the zener diode 5 is also overheated, which may cause deterioration or damage. However, when the temperature of the posistor 3 reaches its detection temperature of 120 ° C., the electric resistance of the posistor 3 sharply increases, and the current flowing through the posistor 3 and the zener diode 5 is rapidly suppressed. 5 and the heat of the posistor 3 are suppressed. This can prevent the Zener diode 5 and the posistor 3 from being deteriorated or damaged due to overheating.

【0081】なお、この実験で確認したように、発熱量
の大きなポジスタ3を温度ヒューズ7に対して近接させ
て配置し、そのポジスタ3から温度ヒューズ7へと熱を
伝導させるようにした構造では、電池セル9に印加され
る過大電圧がツェナーダイオード5の降伏電圧の2倍以
上である場合、ツェナーダイオード5の発熱よりもポジ
スタ3の発熱の方が支配的となるので、ポジスタ3から
発せられる熱を温度ヒューズ7に伝導させて、その温度
ヒューズ7を確実に溶断することができると共に、温度
ヒューズ7が溶断した後にポジスタ3が電流を抑制する
までの時間をさらに短くすることができる。
As confirmed by this experiment, the structure in which the posistor 3 having a large amount of heat is arranged close to the thermal fuse 7 and heat is conducted from the posistor 3 to the thermal fuse 7 is adopted. When the excessive voltage applied to the battery cell 9 is more than twice the breakdown voltage of the zener diode 5, the heat generated by the posistor 3 is more dominant than the heat generated by the zener diode 5, and is generated from the posistor 3. By conducting heat to the thermal fuse 7, the thermal fuse 7 can be reliably blown, and the time required for the posistor 3 to suppress the current after the thermal fuse 7 has blown can be further reduced.

【0082】[第3の実施の形態]図21は、本発明の
第3の実施の形態に係る電子デバイス保護回路を表すも
のである。この電子デバイス保護回路は、第1の実施の
形態における保護回路における温度ヒューズの代りにサ
ーモスタット70を用いたものである。ここで、サーモ
スタット70は、加熱されて遮断しきい値を越えた温度
になると電流を遮断し、温度がその遮断しきい値未満に
戻ると、電流を流すことができる状態に戻るという機能
を備えた電気回路素子である。従って、そのサーモスタ
ット70の遮断しきい値温度を温度ヒューズ7の溶断温
度と同様に設定することで、第1の実施の形態と同様の
保護回路としての機能を実現することができる。さらに
は、それに加えて、外部からの過大電圧の印加を停止す
るなどしてサーモスタット70やツェナーダイオード5
の温度が通常の室温程度に戻れば、サーモスタット70
が再び元の導通状態に戻るので、何度でもサーモスタッ
ト70を自動復帰させて、この電子デバイス保護回路1
02を繰り返し使用することができる。
[Third Embodiment] FIG. 21 shows an electronic device protection circuit according to a third embodiment of the present invention. This electronic device protection circuit uses a thermostat 70 instead of the thermal fuse in the protection circuit according to the first embodiment. Here, the thermostat 70 has a function of shutting off current when heated to a temperature exceeding the cutoff threshold, and returning to a state in which current can flow when the temperature returns below the cutoff threshold. Electric circuit element. Therefore, by setting the cut-off threshold temperature of the thermostat 70 to be the same as the fusing temperature of the thermal fuse 7, a function as a protection circuit similar to that of the first embodiment can be realized. In addition to this, the thermostat 70 and the Zener diode 5
When the temperature returns to the normal room temperature, the thermostat 70
Returns to the original conductive state again, so that the thermostat 70 is automatically returned any number of times, and the electronic device protection circuit 1
02 can be used repeatedly.

【0083】ここで、サーモスタット70としては、例
えば熱膨脹率の異なる2種類の金属板を貼り合わせたも
のの先端に電気接点を配置し、それと固定側の電気接点
との継/断が温度変化によって行われるように設定され
たバイメタル(図示省略)のようなのものが、簡易な構
造で上記のような作用を実現できるので望ましい。例え
ば、第1の実施の形態で述べた実験例の場合には、サー
モスタット70の遮断しきい値温度を例えば70℃〜9
0℃程度に設定すればよい。
Here, as the thermostat 70, for example, two kinds of metal plates having different coefficients of thermal expansion are bonded to each other, and an electric contact is arranged at the tip of the thermostat. A bimetal (not shown) set so as to be able to perform the above-described operation with a simple structure is desirable. For example, in the case of the experimental example described in the first embodiment, the cut-off threshold temperature of the thermostat 70 is set to, for example, 70 ° C. to 9 ° C.
What is necessary is just to set to about 0 degreeC.

【0084】なお、ポジスタ3を温度ヒューズ7に近接
させて配置した第2の実施の形態で説明したような回路
構成および実体的構造の場合でも、図22に示した電子
デバイス保護回路103のように、温度ヒューズ7の代
りにサーモスタット70を用いることが可能である。
Even in the case of the circuit configuration and the substantial structure described in the second embodiment in which the posistor 3 is arranged close to the thermal fuse 7, the electronic device protection circuit 103 shown in FIG. Alternatively, a thermostat 70 can be used instead of the thermal fuse 7.

【0085】[第4の実施の形態]図23は本発明の第
4の実施の形態に係る電子デバイス保護回路の概要構成
を表した図である。この電子デバイス保護回路は、第1
の実施の形態の電子デバイス保護回路における、ポジス
タとツェナーダイオードとの間に、溶断温度のさらに高
い温度ヒューズ(以後これを高温度ヒューズと呼ぶ)を
介挿したものである。その他の構成は第1の実施の形態
と同様である。
[Fourth Embodiment] FIG. 23 is a diagram showing a schematic configuration of an electronic device protection circuit according to a fourth embodiment of the present invention. This electronic device protection circuit has a first
In the electronic device protection circuit according to the embodiment, a thermal fuse having a higher fusing temperature (hereinafter referred to as a high thermal fuse) is interposed between the posistor and the Zener diode. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

【0086】この電子デバイス保護回路104では、過
大電圧が印加されたときに、まずツェナーダイオード5
やポジスタ3が発熱して、負極側外部接続ターミナル1
3と電池セル9の負極との間に設けられている温度ヒュ
ーズ7が溶断する。ここまでの作用については、第1の
実施の形態と同様である。このようにして温度ヒューズ
7が溶断された後にも、ポジスタ3、ツェナーダイオー
ド5、高温度ヒューズ79には、ポジスタ3の検知電流
値以下の電流が流れ続ける。そのときの電流値は、ポジ
スタ3の温度と放熱量とに依存して変化するが、例えば
第1の実施の形態と同様の条件の場合には約20〜10
0mA程度となる。このように、温度ヒューズ7の溶断
後も電流が流れ続けるので、ポジスタ3やツェナーダイ
オード5の発熱が継続されるが、その熱によって高温度
ヒューズ79がさらに加熱され、溶断温度に達して溶断
される。このように、過大電圧が印加された場合、まず
電池セル9に接続された温度ヒューズ7が溶断され、そ
の後、さらに過大電圧が印加され続けると、高温度ヒュ
ーズ79が溶断される。これにより、過大電圧が電池セ
ル9に印加されることを確実に防ぐことができると共
に、温度ヒューズ7の溶断後にポジスタ3やツェナーダ
イオード5に流れる電流を高温度ヒューズ79の溶断に
よって完全に遮断することにより、ポジスタ3やツェナ
ーダイオード5や電池セル9の過熱に起因した劣化や損
傷を、さらに確実に防ぐことができる。
In the electronic device protection circuit 104, when an excessive voltage is applied, first, the Zener diode 5
And the posistor 3 generates heat, and the negative side external connection terminal 1
The thermal fuse 7 provided between the battery 3 and the negative electrode of the battery cell 9 is blown. The operation up to this point is the same as in the first embodiment. Even after the thermal fuse 7 is blown in this way, a current equal to or less than the detected current value of the posistor 3 continues to flow through the posistor 3, the zener diode 5, and the high-temperature fuse 79. The current value at that time changes depending on the temperature of the posistor 3 and the amount of heat radiation. For example, under the same conditions as in the first embodiment, about 20 to 10
It is about 0 mA. As described above, since the current continues to flow even after the thermal fuse 7 is blown, the heat generation of the posistor 3 and the Zener diode 5 is continued. However, the heat further heats the high temperature fuse 79 to reach the blowout temperature and blow. You. As described above, when an excessive voltage is applied, the thermal fuse 7 connected to the battery cell 9 is blown first, and thereafter, when the excessive voltage is further applied, the high-temperature fuse 79 is blown. As a result, it is possible to reliably prevent an excessive voltage from being applied to the battery cell 9, and to completely cut off the current flowing through the posistor 3 and the zener diode 5 after the thermal fuse 7 is blown by blowing the high-temperature fuse 79. As a result, deterioration and damage due to overheating of the posistor 3, the Zener diode 5, and the battery cell 9 can be more reliably prevented.

【0087】なお、第2の実施の形態で説明したよう
な、ポジスタ3を温度ヒューズ7に近接させて配置した
回路構成および実体的構造の場合でも、図24に示した
電子デバイス保護回路105のように、ツェナーダイオ
ード5とポジスタ3との間に高温度ヒューズ79を介挿
して、上記と同様にポジスタ3やツェナーダイオード5
に流れる電流を完全に遮断することが可能である。
In the case of the circuit configuration and the substantial structure in which the posistor 3 is arranged close to the thermal fuse 7 as described in the second embodiment, the electronic device protection circuit 105 shown in FIG. As described above, the high temperature fuse 79 is inserted between the Zener diode 5 and the posistor 3, and the posistor 3 and the zener diode 5 are similarly connected as described above.
It is possible to completely cut off the current flowing through.

【0088】また、温度ヒューズ7の代りに、それと同
等の遮断しきい値温度に設定されたサーモスタットを用
いると共に、高温度ヒューズ79の代りに、それと同等
の遮断しきい値温度に設定された高温度サーモスタット
を用いるようにしてもよい。このようにすることによ
り、何度でもサーモスタットや高温度サーモスタットを
自動復帰させて繰り返し使用することが可能となる。
In place of the thermal fuse 7, a thermostat set to the same cut-off threshold temperature is used, and instead of the high temperature fuse 79, a high cut-off temperature set to the same cut-off threshold temperature is used. A temperature thermostat may be used. By doing so, the thermostat or the high-temperature thermostat can be automatically returned and used repeatedly as many times as necessary.

【0089】[第5の実施の形態]図25は、上記の各
実施の形態で説明したような電子デバイス保護回路と共
に、制御用ICおよび電界効果トランジスタ等(図示省
略)を備えた一般的な過大電圧充電防止回路を併せ用い
るようにした場合のリチウムイオン二次電池の内部の概
要構成を模式的に示したものである。このように過大電
圧充電防止回路110と電子デバイス保護回路100と
を合わせ用いることにより、リチウムイオン二次電池1
に対する過大電圧の印加に起因した電池セル9の破損や
劣化の防止に関して、さらに高い安全率を達成すること
ができる。例えば、過大電圧充電防止回路110が静電
破壊などの偶発的な故障や回路の破損などに起因して動
作不良となった場合でも、電子デバイス保護回路100
によって過大電圧の印加から電池セル9を確実に保護す
ることができる。
[Fifth Embodiment] FIG. 25 shows a general configuration including a control IC, a field-effect transistor and the like (not shown) together with the electronic device protection circuit described in each of the above embodiments. 3 schematically shows a schematic configuration inside a lithium ion secondary battery when an overvoltage charging prevention circuit is used together. By thus using the overvoltage charging prevention circuit 110 and the electronic device protection circuit 100 together, the lithium ion secondary battery 1
A higher safety factor can be achieved with respect to prevention of breakage and deterioration of the battery cell 9 due to application of an excessive voltage to the battery cell 9. For example, even if the overvoltage charging prevention circuit 110 malfunctions due to accidental failure such as electrostatic breakdown or circuit damage, the electronic device protection circuit 100
Thereby, the battery cell 9 can be reliably protected from application of an excessive voltage.

【0090】なお、本発明に係る電子デバイス保護回路
を適用して保護することが可能な電子デバイスとして
は、上記の各実施の形態で示したような電池セルのみに
は限定されないことは言うまでもない。その他にも、例
えば、電源から駆動用電圧等が供給される半導体集積回
路や液晶表示装置などの電子デバイスに対して過大電圧
が印加されることを防ぐことなどにも適用可能である。
It is needless to say that the electronic device that can be protected by applying the electronic device protection circuit according to the present invention is not limited to the battery cells described in the above embodiments. . In addition, the present invention can be applied to, for example, preventing an excessive voltage from being applied to an electronic device such as a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display device to which a driving voltage or the like is supplied from a power supply.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1ないし7
のいずれかに記載の電子デバイス保護回路によれば、電
子デバイスの電圧入力端子に定格電圧を越えた過大電圧
が印加されると、その電圧に対応した電流がツェナーダ
イオードに流れて発熱を生じ、その熱で温度ヒューズの
溶断を促進するようにしたので、過大電圧が印加された
場合に、確実に温度ヒューズを溶断することができると
いう効果を奏する。また、このとき、過大電圧の印加に
起因した電流をツェナーダイオードおよびポジスタにバ
イパスさせて、電子デバイスに流れる電流量を減少させ
るようにしたので、温度ヒューズが溶断しなくとも、電
子デバイスに過大電圧の印加に起因した過大電流が流れ
ることを防ぐことができる。しかも、さらに過大電流が
流れ続けてポジスタの電気抵抗値が増大すると、その電
気抵抗によって、ツェナーダイオードおよびポジスタに
流れる電流を抑制して、それらの定格電流以下にするよ
うにしたので、過大電圧の印加に起因したツェナーダイ
オードやポジスタの過熱や破壊や損傷等を防ぐことがで
きる。
As described above, claims 1 to 7 are described.
According to the electronic device protection circuit according to any of the above, when an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied to the voltage input terminal of the electronic device, a current corresponding to the voltage flows through the zener diode to generate heat, Since the heat promotes the blowing of the thermal fuse, there is an effect that the thermal fuse can be reliably blown when an excessive voltage is applied. Also, at this time, the current caused by the application of the excessive voltage is bypassed to the zener diode and the posistor to reduce the amount of current flowing through the electronic device. Can be prevented from flowing due to excessive current caused by the application of. In addition, if the excessive current continues to flow and the electrical resistance of the posistor increases, the electrical resistance suppresses the current flowing through the zener diode and the posistor to make them less than their rated currents. It is possible to prevent overheating, destruction, damage, and the like of the Zener diode and the posistor due to the application.

【0092】また、請求項14ないし19のいずれかに
記載の電子デバイス保護回路によれば、ポジスタと温度
ヒューズとを近接して設けておき、電子デバイスの電圧
入力端子に定格電圧を越えた過大電圧が印加されると、
ツェナーダイオードが導通状態となって、過大電圧に応
じた電流が流れてポジスタとツェナーダイオードとが共
に発熱し、そのポジスタの発する熱が主体となって温度
ヒューズの溶断を促進するようにしたので、過大電圧が
印加された場合に、さらに確実に温度ヒューズを溶断す
ることができるという効果を奏する。また、このとき過
大電圧の印加に起因した電流をツェナーダイオードおよ
びポジスタにバイパスさせて、電子デバイスに流れる電
流量を減少させるようにしたので、温度ヒューズが溶断
しなくとも、電子デバイスに過大電圧の印加に起因した
過大電流が流れることを防ぐことができる。しかも、さ
らに過大電流が流れ続けると、ポジスタの電気抵抗値が
それ自体の発熱によって急峻に増大し、その電気抵抗に
よって、ツェナーダイオードおよびポジスタに流れる電
流を抑制して、それらの定格電流以下にするようにした
ので、過大電圧の印加に起因したツェナーダイオードや
ポジスタの過熱や破壊や損傷等を、さらに迅速かつ確実
に防ぐことができる。
According to the electronic device protection circuit of the present invention, a posistor and a thermal fuse are provided close to each other, and an excessive voltage exceeding a rated voltage is applied to a voltage input terminal of the electronic device. When voltage is applied,
Since the Zener diode becomes conductive, a current corresponding to the excessive voltage flows, the Postar and the Zener diode generate heat together, and the heat generated by the Postar is mainly used to promote the blowing of the thermal fuse. When an excessive voltage is applied, the temperature fuse can be blown more reliably. In addition, at this time, the current caused by the application of the excessive voltage is bypassed to the zener diode and the posistor to reduce the amount of current flowing to the electronic device. It is possible to prevent an excessive current from flowing due to the application. In addition, when an excessive current continues to flow, the electric resistance value of the posistor increases sharply due to its own heat generation, and the electric resistance suppresses the current flowing through the zener diode and the posistor to make them less than their rated current. As a result, overheating, destruction, damage, and the like of the Zener diode and the posistor due to the application of the excessive voltage can be more quickly and reliably prevented.

【0093】また、請求項8ないし13のいずれか、ま
たは請求項20ないし24のいずれかに記載の電子デバ
イス保護回路によれば、温度ヒューズの代りにサーモス
タットを設けて、過大電圧が印加されなくなって温度が
下がれば元の正常な状態に復帰できるようにしたので、
過大電圧が印加されなくなって正常な電圧が印加される
状態に戻れば、温度ヒューズのような部品の取り替えを
必要とすることなく、何度でも繰り返し使用することが
できるという効果を奏する。
According to the electronic device protection circuit according to any one of claims 8 to 13 or 20 to 24, a thermostat is provided instead of a thermal fuse so that excessive voltage is not applied. If the temperature drops, it can return to the original normal state,
If the excessive voltage is no longer applied and the state returns to the state where the normal voltage is applied, there is an effect that the device can be used repeatedly as many times as necessary without replacing components such as the thermal fuse.

【0094】また、特に請求項5または6、あるいは請
求項17または18のいずれかに記載の電子デバイス保
護回路によれば、ツェナーダイオードとポジスタとの間
に、上記の温度ヒューズよりも溶断温度の高い温度ヒュ
ーズをさらに介挿し、上記の温度ヒューズが溶断した後
に、溶断温度の高い温度ヒューズを溶断させて、ツェナ
ーダイオードおよびポジスタに流れる電流を遮断するよ
うにしたので、過大電圧の印加に起因したツェナーダイ
オードやポジスタや電池セルの過熱や破壊や損傷等を、
さらに確実に防ぐことができるという効果を奏する。
According to the electronic device protection circuit according to any one of claims 5 and 6, or 17 or 18, the fusing temperature is lower than the thermal fuse between the Zener diode and the posistor. A high-temperature fuse was further inserted, and after the above-mentioned thermal fuse was blown, the high-temperature fuse with a high fusing temperature was blown to cut off the current flowing through the Zener diode and the posistor. Overheating, destruction or damage of the Zener diode, posistor or battery cell
The effect that it can prevent more reliably is produced.

【0095】また、特に請求項12または13、あるい
は請求項23または24のいずれかに記載の電子デバイ
ス保護回路によれば、ツェナーダイオードとポジスタと
の間に、上記のサーモスタットよりも遮断温度がさらに
高いサーモスタットをさらに介挿するようにしたので、
過大電圧の印加に起因したツェナーダイオードやポジス
タの過熱や破壊や損傷等をさらに確実に防ぐことができ
ると共に、過大電圧が印加されなくなって定格電圧の範
囲内の正常な電圧が印加される状態に戻れば、温度ヒュ
ーズのような部品の取り替えを必要とすることなく、ツ
ェナーダイオードとポジスタとの間のサーモスタットを
元の導通状態に自動的に復帰させて、何度でも繰り返し
て使用することができるという効果を奏する。
According to the electronic device protection circuit according to the twelfth or thirteenth aspect, or the twenty-third or the twenty-third aspect, the shut-off temperature between the Zener diode and the posistor is further lower than that of the thermostat. As we inserted high thermostat more,
The overheating, destruction, damage, etc. of the Zener diode and posistor caused by the application of excessive voltage can be prevented more reliably, and the excess voltage is no longer applied and the normal voltage within the rated voltage range is applied. On return, the thermostat between the zener diode and the posistor automatically returns to its original conducting state without the need for replacement of components such as thermal fuses, allowing it to be used over and over again This has the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る電子デバイス
保護回路の概要構成を表した回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a schematic configuration of an electronic device protection circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】リチウムイオン二次電池のバッテリーパックの
内部で電池セルと接続されるように実装された電子デバ
イス保護回路を模式的に示した図である。
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an electronic device protection circuit mounted so as to be connected to a battery cell inside a battery pack of a lithium ion secondary battery.

【図3】温度ヒューズとツェナーダイオードとを接続す
る実体的な構造の一例を示した断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing an example of a substantial structure for connecting a thermal fuse and a Zener diode.

【図4】温度ヒューズとツェナーダイオードとを接続す
る実体的な構造の、他の一例を示した断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of a substantial structure for connecting a thermal fuse and a Zener diode.

【図5】温度ヒューズとツェナーダイオードとを接続す
る実体的な構造の、さらに他の一例を示した断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing still another example of a substantial structure for connecting a thermal fuse and a Zener diode.

【図6】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイオ
ードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実体
的な構造の一例を示した図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse and a semiconductor element of a Zener diode are contained in one exterior material.

【図7】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイオ
ードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実体
的な構造の、他の一例を示した図である。
FIG. 7 is a diagram showing another example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse and a semiconductor element of a Zener diode are enclosed in one exterior material.

【図8】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイオ
ードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実体
的な構造の、他の一例を示した図である。
FIG. 8 is a diagram showing another example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse and a semiconductor element of a zener diode are enclosed in one exterior material.

【図9】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイオ
ードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実体
的な構造の、他の一例を示した図である。
FIG. 9 is a diagram showing another example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse and a semiconductor element of a zener diode are contained in one exterior material.

【図10】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイ
オードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実
体的な構造の、他の一例を示した図である。
FIG. 10 is a diagram showing another example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse and a semiconductor element of a zener diode are enclosed in one exterior material.

【図11】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイ
オードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実
体的な構造の、他の一例を示した図である。
FIG. 11 is a diagram showing another example of the substantial structure in which the fusing element of the thermal fuse and the semiconductor element of the Zener diode are enclosed in one exterior material.

【図12】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイ
オードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実
体的な構造の、他の一例を示した図である。
FIG. 12 is a diagram showing another example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse and a semiconductor element of a zener diode are contained in one exterior material.

【図13】温度ヒューズの溶断素子およびツェナーダイ
オードの半導体素子を1つの外装材の中に包容させた実
体的な構造の、他の一例を示した図である。
FIG. 13 is a diagram showing another example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse and a semiconductor element of a Zener diode are enclosed in one exterior material.

【図14】温度ヒューズとツェナーダイオードとポジス
タとを、1つのケーシングの中に包容した実体的な構造
の一例を示した断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of a substantial structure in which a thermal fuse, a zener diode, and a posistor are contained in one casing.

【図15】温度ヒューズの溶断素子と、ツェナーダイオ
ードの半導体素子と、ポジスタの感温素子とを、それぞ
れ電極を介して接合して一体化した実体的な構造の一例
を示した断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse, a semiconductor element of a Zener diode, and a thermosensitive element of a posistor are joined and integrated via electrodes. .

【図16】温度ヒューズの溶断素子と、ツェナーダイオ
ードの半導体素子と、ポジスタの感温素子とを、それぞ
れ電極を介して接合して一体化した実体的な構造の、他
の一例を示した断面図である。
FIG. 16 is a cross-section showing another example of a substantial structure in which a fusing element of a thermal fuse, a semiconductor element of a Zener diode, and a thermosensitive element of a posistor are joined together through electrodes to be integrated. FIG.

【図17】電子デバイス保護回路を組み込んだリチウム
イオン二次電池に過大電圧を印加した場合の、電流、電
圧、温度のそれぞれの過渡特性を表した図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating transient characteristics of current, voltage, and temperature when an excessive voltage is applied to a lithium ion secondary battery incorporating an electronic device protection circuit.

【図18】電子デバイス保護回路を組み込んだ薄型のリ
チウムイオン二次電池に、その充電定格電圧を越えた過
大電圧を印加する実験を行った結果の一例を示した図で
ある。
FIG. 18 is a diagram illustrating an example of a result of an experiment in which an excessive voltage exceeding a charging rated voltage is applied to a thin lithium ion secondary battery incorporating an electronic device protection circuit.

【図19】本発明の第2の実施の形態に係る電子デバイ
ス保護回路の概要構成を表した図である。
FIG. 19 is a diagram illustrating a schematic configuration of an electronic device protection circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図20】第2の実施の形態に係る電子デバイス保護回
路を組み込んだ薄型のリチウムイオン二次電池に充電定
格電圧を越えた過大電圧を実際に印加する実験を行った
結果の一例を示した図である。
FIG. 20 shows an example of a result of an experiment in which an excessive voltage exceeding a charging rated voltage is actually applied to a thin lithium ion secondary battery incorporating the electronic device protection circuit according to the second embodiment. FIG.

【図21】電子デバイス保護回路における温度ヒューズ
の代りに、サーモスタットを用いた回路構成の主要部を
示した図である。
FIG. 21 is a diagram showing a main part of a circuit configuration using a thermostat instead of a thermal fuse in the electronic device protection circuit.

【図22】図21に示した回路において温度ヒューズの
代りにサーモスタットを用いた回路構成の主要部を示し
た図である。
FIG. 22 is a diagram showing a main part of a circuit configuration using a thermostat instead of a thermal fuse in the circuit shown in FIG. 21;

【図23】図1に示した電子デバイス保護回路における
ポジスタとツェナーダイオードとの間に、高温度ヒュー
ズを介挿した回路構成の主要部を示したものである。
FIG. 23 illustrates a main part of a circuit configuration in which a high-temperature fuse is interposed between a posistor and a zener diode in the electronic device protection circuit illustrated in FIG.

【図24】図2に示した電子デバイス保護回路における
ツェナーダイオードとポジスタとの間に高温度ヒューズ
を介挿した回路構成の主要部を示したものである。
FIG. 24 illustrates a main part of a circuit configuration in which a high-temperature fuse is interposed between a Zener diode and a posistor in the electronic device protection circuit illustrated in FIG. 2;

【図25】電子デバイス保護回路と共に、制御用ICお
よび電界効果トランジスタ等を備えた一般的な過大電圧
充電防止回路を併せ用いるようにした場合の、リチウム
イオン二次電池の内部の概要構成を模式的に示した図で
ある。
FIG. 25 is a schematic diagram showing the schematic internal configuration of a lithium ion secondary battery when a general overvoltage protection circuit including a control IC and a field effect transistor is used together with an electronic device protection circuit. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…リチウムイオン二次電池、3…ポジスタ、5…ツェ
ナーダイオード、7…温度ヒューズ、9…電池セル、7
0…サーモスタット、100…電子デバイス保護回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lithium ion secondary battery, 3 ... Posister, 5 ... Zener diode, 7 ... Thermal fuse, 9 ... Battery cell, 7
0: thermostat, 100: electronic device protection circuit

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子デバイスの正極および負極の電圧入
力端子に定格電圧を越えた電圧が印加されることを抑止
する電子デバイス保護回路であって、 電流が増大すると電気抵抗値が増大する特性を有し、前
記電子デバイスの電圧入力端子のうちの一方の電圧入力
端子に一端が接続されたポジスタと、 前記定格電圧を越えた電圧の印加による電流が流れるこ
とで温度が上昇して溶断する特性を有し、前記電子デバ
イスの他方の電圧入力端子に一端が接続された温度ヒュ
ーズと、 印加電圧が前記定格電圧以上に設定された降伏電圧を越
えると電流が増大する特性を有し、前記ポジスタの他端
と前記温度ヒューズの他端とに接続されたツェナーダイ
オードとを備えており、 前記温度ヒューズと前記ツェナーダイオードとが互いに
熱伝導可能に設けられており、前記電子デバイスの電圧
入力端子に前記定格電圧を越えた過大電圧が印加される
と、その電圧に対応した電流が流れることで前記ツェナ
ーダイオードが発熱して前記温度ヒューズの溶断を促進
すると共に、前記過大電圧による電流を前記ツェナーダ
イオードおよび前記ポジスタにバイパスさせて前記電子
デバイスに流れる電流量を減少させ、さらに前記ポジス
タの電気抵抗値が増大すると、その電気抵抗によって、
前記ツェナーダイオードおよび前記ポジスタに流れる電
流をそれらの定格電流以下に抑制するように設定されて
いることを特徴とする電子デバイス保護回路。
An electronic device protection circuit for preventing a voltage exceeding a rated voltage from being applied to voltage input terminals of a positive electrode and a negative electrode of an electronic device, wherein an electric resistance value increases when a current increases. A posistor having one end connected to one of the voltage input terminals of the voltage input terminals of the electronic device; and a characteristic in which a temperature rises and a fusing is caused by a current flowing by applying a voltage exceeding the rated voltage. A temperature fuse having one end connected to the other voltage input terminal of the electronic device; and a characteristic in which a current increases when an applied voltage exceeds a breakdown voltage set to be equal to or higher than the rated voltage. And a Zener diode connected to the other end of the thermal fuse. The thermal fuse and the Zener diode are provided so as to be able to conduct heat to each other. When an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied to the voltage input terminal of the electronic device, a current corresponding to the voltage flows, and the Zener diode generates heat to accelerate the blowing of the thermal fuse. In addition, the current due to the excessive voltage is bypassed to the Zener diode and the posistor to reduce the amount of current flowing to the electronic device, and further, when the electric resistance of the posistor increases, the electric resistance causes
An electronic device protection circuit, wherein a current flowing through the Zener diode and the posistor is set to be equal to or less than their rated current.
【請求項2】 前記温度ヒューズと前記ポジスタと前記
ツェナーダイオードとが熱伝導可能に設けられていると
共に、前記ポジスタの電気抵抗値が非線形に急峻に増大
する温度であるキューリー点が前記温度ヒューズの溶断
温度よりも高く設定されており、 前記電子デバイスの電圧入力端子に前記定格電圧を越え
た過大電圧が印加されると、前記ポジスタと前記ツェナ
ーダイオードとが発熱して前記温度ヒューズの溶断を促
進することを特徴とする請求項1記載の電子デバイス保
護回路。
2. The thermal fuse, the posistor, and the zener diode are provided so as to be able to conduct heat, and the Curie point at which the electric resistance of the posistor increases non-linearly and steeply is set at the temperature of the thermal fuse. It is set higher than the fusing temperature, and when an excessive voltage exceeding the rated voltage is applied to the voltage input terminal of the electronic device, the posistor and the zener diode generate heat to accelerate the fusing of the thermal fuse. The electronic device protection circuit according to claim 1, wherein
【請求項3】 前記温度ヒューズと前記ツェナーダイオ
ードとを電気的に接続する導体の長さを、前記温度ヒュ
ーズと前記電池とを電気的に接続する導体の長さよりも
短くして、前記温度ヒューズと前記ツェナーダイオード
との間での熱伝導に要する距離を、前記温度ヒューズと
前記電池との間での熱伝導に要する距離よりも短くした
ことを特徴とする請求項1記載の電子デバイス保護回
路。
3. The thermal fuse, wherein a length of a conductor electrically connecting the thermal fuse and the Zener diode is shorter than a length of a conductor electrically connecting the thermal fuse and the battery. 2. The electronic device protection circuit according to claim 1, wherein a distance required for heat conduction between the thermal fuse and the Zener diode is shorter than a distance required for heat conduction between the thermal fuse and the battery. .
【請求項4】 前記ツェナーダイオードと前記温度ヒュ
ーズとが熱伝導部材によって熱的に結合されていること
を特徴とする請求項1記載の電子デバイス保護回路。
4. The electronic device protection circuit according to claim 1, wherein said Zener diode and said thermal fuse are thermally coupled by a heat conducting member.
【請求項5】 前記ツェナーダイオードと前記ポジスタ
との間に、前記温度ヒューズよりも溶断温度の高い温度
ヒューズをさらに介挿したことを特徴とする請求項1記
載の電子デバイス保護回路。
5. The electronic device protection circuit according to claim 1, wherein a thermal fuse having a higher fusing temperature than the thermal fuse is further interposed between the Zener diode and the posistor.
【請求項6】 前記溶断温度の高い温度ヒューズと前記
ツェナーダイオードと前記ポジスタとが熱伝導可能に設
けられていることを特徴とする請求項5記載の電子デバ
イス保護回路。
6. The electronic device protection circuit according to claim 5, wherein the thermal fuse having a high fusing temperature, the zener diode, and the posistor are provided so as to be able to conduct heat.
【請求項7】 前記電子デバイスが、リチウムイオン二
次電池であることを特徴とする請求項1記載の電子デバ
イス保護回路。
7. The electronic device protection circuit according to claim 1, wherein the electronic device is a lithium ion secondary battery.
【請求項8】 前記温度ヒューズの代りに、前記電子デ
バイスの正極および負極の電圧入力端子に定格電圧を越
えた電圧が印加されて所定の温度以上になると電流を遮
断するサーモスタットを設けたことを特徴とする請求項
1記載の電子デバイス保護回路。
8. A thermostat that, in place of the thermal fuse, is provided with a thermostat that cuts off current when a voltage exceeding a rated voltage is applied to voltage input terminals of a positive electrode and a negative electrode of the electronic device and exceeds a predetermined temperature. The electronic device protection circuit according to claim 1, wherein:
【請求項9】 前記温度ヒューズの代りに、前記電子デ
バイスの正極および負極の電圧入力端子に定格電圧を越
えた電圧が印加されて所定の温度以上になると電流を遮
断するサーモスタットを設けたことを特徴とする請求項
2記載の電子デバイス保護回路。
9. A thermostat for interrupting a current when a voltage exceeding a rated voltage is applied to a voltage input terminal of a positive electrode and a negative electrode of the electronic device and a temperature exceeds a predetermined temperature is provided instead of the thermal fuse. The electronic device protection circuit according to claim 2, wherein:
【請求項10】 前記温度ヒューズの代りに、前記電子
デバイスの正極および負極の電圧入力端子に定格電圧を
越えた電圧が印加されて所定の温度以上になると電流を
遮断するサーモスタットを設けたことを特徴とする請求
項3記載の電子デバイス保護回路。
10. A thermostat for interrupting a current when a voltage exceeding a rated voltage is applied to a voltage input terminal of a positive electrode and a negative electrode of the electronic device and a temperature exceeds a predetermined temperature, instead of the thermal fuse. The electronic device protection circuit according to claim 3, wherein:
【請求項11】 前記温度ヒューズの代りに、前記電子
デバイスの正極および負極の電圧入力端子に定格電圧を
越えた電圧が印加されて所定の温度以上になると電流を
遮断するサーモスタットを設けたことを特徴とする請求
項4記載の電子デバイス保護回路。
11. A thermostat for interrupting a current when a voltage exceeding a rated voltage is applied to a voltage input terminal of a positive electrode and a negative electrode of the electronic device and a temperature exceeds a predetermined temperature is provided instead of the thermal fuse. The electronic device protection circuit according to claim 4, wherein:
【請求項12】 前記ツェナーダイオードと前記ポジス
タとの間に、前記サーモスタットよりも遮断温度の高い
サーモスタットをさらに介挿したことを特徴とする請求
項8記載の電子デバイス保護回路。
12. The electronic device protection circuit according to claim 8, wherein a thermostat having a higher cut-off temperature than the thermostat is further interposed between the Zener diode and the posistor.
【請求項13】 前記遮断温度の高いサーモスタットと
前記ツェナーダイオードと前記ポジスタとが熱伝導可能
に設けられていることを特徴とする請求項12記載の電
子デバイス保護回路。
13. The electronic device protection circuit according to claim 12, wherein the thermostat having a high cutoff temperature, the zener diode, and the posistor are provided so as to be able to conduct heat.
【請求項14】 電子デバイスの正極および負極の電圧
入力端子に定格電圧を越えた電圧が印加されることを抑
止する電子デバイス保護回路であって、 印加電圧が前記定格電圧以上に設定された降伏電圧を越
えると電流が増大する特性を有し、前記電子デバイスの
電圧入力端子のうちの一方の電圧入力端子に一端が接続
されたツェナーダイオードと、 前記定格電圧を越えた電圧の印加による電流が流れるこ
とで温度が上昇して溶断する特性を有し、前記電子デバ
イスの他方の電圧入力端子に一端が接続された温度ヒュ
ーズと、 電流が増大すると電気抵抗値が増大する特性を有し、そ
の電気抵抗値が非線形に急峻に増大する温度であるキュ
ーリー点が前記温度ヒューズの溶断温度よりも高く設定
され、前記ツェナーダイオードの他端と前記温度ヒュー
ズの他端とに接続されたポジスタとを備えており、 前記温度ヒューズと前記ポジスタと前記ツェナーダイオ
ードとが熱伝導可能に設けられており、前記電子デバイ
スの電圧入力端子に前記定格電圧を越えた過大電圧が印
加されると、その電圧に対応した電流が流れることで前
記ツェナーダイオードおよび前記ポジスタが発熱して前
記温度ヒューズの溶断を促進すると共に、前記過大電圧
による電流を前記ツェナーダイオードおよび前記ポジス
タにバイパスさせて前記電子デバイスに流れる電流量を
減少させ、さらに前記ポジスタの電気抵抗値が増大する
と、その電気抵抗によって、前記ツェナーダイオードお
よび前記ポジスタに流れる電流をそれらの定格電流以下
に抑制するように設定されていることを特徴とする電子
デバイス保護回路。
14. An electronic device protection circuit for preventing a voltage exceeding a rated voltage from being applied to voltage input terminals of a positive electrode and a negative electrode of an electronic device, wherein the breakdown voltage is set to be equal to or higher than the rated voltage. When the voltage exceeds the voltage, the current increases.The Zener diode having one end connected to one of the voltage input terminals of the electronic device. A temperature fuse having one end connected to the other voltage input terminal of the electronic device, and having a characteristic that the electric resistance increases as the current increases, A Curie point at which the electric resistance value sharply increases nonlinearly is set higher than the fusing temperature of the thermal fuse, and the other end of the Zener diode and the temperature A posistor connected to the other end of the fuse, wherein the temperature fuse, the posistor, and the zener diode are provided so as to be able to conduct heat, and the voltage input terminal of the electronic device exceeds the rated voltage. When an excessive voltage is applied, a current corresponding to the applied voltage flows, and the Zener diode and the posistor generate heat to promote blowing of the thermal fuse. By reducing the amount of current flowing through the electronic device by bypassing the posistor, and further increasing the electric resistance of the posistor, the electric resistance suppresses the current flowing through the zener diode and the posistor below their rated current. Electronic device protection circuit characterized by being set as follows: Road.
【請求項15】 前記温度ヒューズと前記ポジスタとを
電気的に接続する導体の長さを、前記温度ヒューズと前
記電池とを電気的に接続する導体の長さよりも短くし
て、前記温度ヒューズと前記ポジスタとの間での熱伝導
に要する距離を、前記温度ヒューズと前記電池との間で
の熱伝導に要する距離よりも短くしたことを特徴とする
請求項14記載の電子デバイス保護回路。
15. A length of a conductor that electrically connects the thermal fuse and the posistor is shorter than a length of a conductor that electrically connects the thermal fuse and the battery. 15. The electronic device protection circuit according to claim 14, wherein a distance required for heat conduction with the posistor is shorter than a distance required for heat conduction between the thermal fuse and the battery.
【請求項16】 前記ポジスタと前記温度ヒューズとが
熱伝導部材によって熱的に結合されていることを特徴と
する請求項14記載の電子デバイス保護回路。
16. The electronic device protection circuit according to claim 14, wherein said posistor and said thermal fuse are thermally coupled by a heat conducting member.
【請求項17】 前記ツェナーダイオードと前記ポジス
タとの間に、前記温度ヒューズよりも溶断温度の高い温
度ヒューズをさらに介挿したことを特徴とする請求項1
4記載の電子デバイス保護回路。
17. A thermal fuse having a higher fusing temperature than the thermal fuse is further interposed between the Zener diode and the posistor.
5. The electronic device protection circuit according to 4.
【請求項18】 前記溶断温度の高い温度ヒューズと前
記ツェナーダイオードと前記ポジスタとを熱伝導可能に
設けたことを特徴とする請求項17記載の電子デバイス
保護回路。
18. The electronic device protection circuit according to claim 17, wherein the thermal fuse having a high fusing temperature, the zener diode, and the posistor are provided so as to be able to conduct heat.
【請求項19】 前記電子デバイスが、リチウムイオン
二次電池であることを特徴とする請求項14記載の電子
デバイス保護回路。
19. The electronic device protection circuit according to claim 14, wherein the electronic device is a lithium ion secondary battery.
【請求項20】 前記温度ヒューズの代りに、前記電子
デバイスの正極および負極の電圧入力端子に定格電圧を
越えた電圧が印加されて所定の温度以上になると電流を
遮断するサーモスタットを設けたことを特徴とする請求
項14記載の電子デバイス保護回路。
20. A thermostat which, in place of said thermal fuse, cuts off current when a voltage exceeding a rated voltage is applied to voltage input terminals of a positive electrode and a negative electrode of said electronic device and exceeds a predetermined temperature. The electronic device protection circuit according to claim 14, wherein:
【請求項21】 前記温度ヒューズの代りに、前記電子
デバイスの正極および負極の電圧入力端子に定格電圧を
越えた電圧が印加されて所定の温度以上になると電流を
遮断するサーモスタットを設けたことを特徴とする請求
項15記載の電子デバイス保護回路。
21. A thermostat for interrupting a current when a voltage exceeding a rated voltage is applied to a voltage input terminal of a positive electrode and a negative electrode of the electronic device and a temperature exceeds a predetermined temperature, instead of the thermal fuse. The electronic device protection circuit according to claim 15, wherein:
【請求項22】 前記温度ヒューズの代りに、前記電子
デバイスの正極および負極の電圧入力端子に定格電圧を
越えた電圧が印加されて所定の温度以上になると電流を
遮断するサーモスタットを設けたことを特徴とする請求
項16記載の電子デバイス保護回路。
22. A thermostat which, in place of said thermal fuse, cuts off current when a voltage exceeding a rated voltage is applied to voltage input terminals of a positive electrode and a negative electrode of said electronic device and exceeds a predetermined temperature. 17. The electronic device protection circuit according to claim 16, wherein:
【請求項23】 前記ツェナーダイオードと前記ポジス
タとの間に、前記サーモスタットよりも遮断温度の高い
サーモスタットをさらに介挿したことを特徴とする請求
項20記載の電子デバイス保護回路。
23. The electronic device protection circuit according to claim 20, wherein a thermostat having a higher cut-off temperature than the thermostat is further interposed between the zener diode and the posistor.
【請求項24】 前記遮断温度の高いサーモスタットと
前記ツェナーダイオードと前記ポジスタとが熱伝導可能
に設けられていることを特徴とする請求項23記載の電
子デバイス保護回路。
24. The electronic device protection circuit according to claim 23, wherein the thermostat having a high cutoff temperature, the zener diode, and the posistor are provided so as to be able to conduct heat.
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