JP2002091377A - 有機ｅｌディスプレイ装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アクティブマトリクスの薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）の特性ばらつきにより画素ごとに有機ＥＬを流れ
る電流が異なることに起因して生ずる、画面の輝度むら
を低減する。 【解決手段】画素内に有機ＥＬ素子(15)の電流を検出す
る電流検出回路(17)と、該電流検出回路(17)の出力電圧
とサンプルホールド回路(18)の出力電圧の差分を増幅し
その出力電圧を電流制御回路に入力する誤差増幅回路(1
3)を設け、負帰還動作により電流検出回路(17の出力電
圧とサンプルホールド(18)回路の出力電圧が等しくなる
ように構成した。
ＦＴ）の特性ばらつきにより画素ごとに有機ＥＬを流れ
る電流が異なることに起因して生ずる、画面の輝度むら
を低減する。 【解決手段】画素内に有機ＥＬ素子(15)の電流を検出す
る電流検出回路(17)と、該電流検出回路(17)の出力電圧
とサンプルホールド回路(18)の出力電圧の差分を増幅し
その出力電圧を電流制御回路に入力する誤差増幅回路(1
3)を設け、負帰還動作により電流検出回路(17の出力電
圧とサンプルホールド(18)回路の出力電圧が等しくなる
ように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の有機エレク
トロルミネセンス（有機ＥＬ）素子をマトリクス上に配
置して構成した表示パネルを用いたディスプレイ装置に
係り、特に、その駆動回路の改良により有機ＥＬ素子間
の輝度のばらつきを低減するようにした有機ＥＬディス
プレイ装置に関するものである。
トロルミネセンス（有機ＥＬ）素子をマトリクス上に配
置して構成した表示パネルを用いたディスプレイ装置に
係り、特に、その駆動回路の改良により有機ＥＬ素子間
の輝度のばらつきを低減するようにした有機ＥＬディス
プレイ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フラットパネルディスプレイとして有機
ＥＬ素子を用いたものが提案されている。有機ＥＬ素子
はたとえば陽極，正孔注入層，有機発光体層，陰極を積
層した素子であり、電気的には発光ダイオードに似た特
性を示すことから有機発光ダイオードとも呼ばれてい
る。
ＥＬ素子を用いたものが提案されている。有機ＥＬ素子
はたとえば陽極，正孔注入層，有機発光体層，陰極を積
層した素子であり、電気的には発光ダイオードに似た特
性を示すことから有機発光ダイオードとも呼ばれてい
る。
【０００３】この有機ＥＬ素子をマトリクス構造に構成
し、画像信号に応じて駆動することによりディスプレイ
が実現出来る。マトリクス構造には液晶と同様にパッシ
ブ型とアクティブ型がある。アクティブ型の画素は、有
機ＥＬ素子と、液晶同様のサンプルホールド用薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）及びホールドコンデンサと、有機Ｅ
Ｌ素子に電流を流す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構
成されている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は低温ポリ
シリコンプロセスにて作成される。このようなアクティ
ブマトリクス型有機ＥＬディスプレイに関する従来技術
としては、例えば、特開平８−２４１０４８号公報、特
開平９−１６１２２号公報、特開平９−１６１２３号公
報等に記載されたものが知られている。
し、画像信号に応じて駆動することによりディスプレイ
が実現出来る。マトリクス構造には液晶と同様にパッシ
ブ型とアクティブ型がある。アクティブ型の画素は、有
機ＥＬ素子と、液晶同様のサンプルホールド用薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）及びホールドコンデンサと、有機Ｅ
Ｌ素子に電流を流す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構
成されている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は低温ポリ
シリコンプロセスにて作成される。このようなアクティ
ブマトリクス型有機ＥＬディスプレイに関する従来技術
としては、例えば、特開平８−２４１０４８号公報、特
開平９−１６１２２号公報、特開平９−１６１２３号公
報等に記載されたものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、アク
ティブマトリクス画素内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
の特性ばらつきが考慮されておらず、画素ごとに輝度が
異なり画面内に輝度むらが発生する課題があった。すな
わち、有機ＥＬ素子の輝度は有機ＥＬ素子を流れる電流
に比例するが、有機ＥＬ素子に電流を流すＴＦＴのゲー
ト電圧−ドレイン電流特性にばらつきが生じるため、各
画素に同じ信号電圧を入力しても有機ＥＬを流れる電流
にもばらつきが生じ、結果として、輝度むらが発生する
という課題があった。
ティブマトリクス画素内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
の特性ばらつきが考慮されておらず、画素ごとに輝度が
異なり画面内に輝度むらが発生する課題があった。すな
わち、有機ＥＬ素子の輝度は有機ＥＬ素子を流れる電流
に比例するが、有機ＥＬ素子に電流を流すＴＦＴのゲー
ト電圧−ドレイン電流特性にばらつきが生じるため、各
画素に同じ信号電圧を入力しても有機ＥＬを流れる電流
にもばらつきが生じ、結果として、輝度むらが発生する
という課題があった。
【０００５】本発明は、上記の如く過大に鑑みて為され
たものであって、その目的は、薄膜トランジスタの特性
ばらつきによらず輝度むらの少ないアクティブマトリク
ス型有機ＥＬディスプレイ装置を提供することにある。
たものであって、その目的は、薄膜トランジスタの特性
ばらつきによらず輝度むらの少ないアクティブマトリク
ス型有機ＥＬディスプレイ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、本発明に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬデ
ィスプレイ装置は、入力画像信号をサンプルしてホール
ドするサンプルホールド回路と、前記有機ＥＬ素子の電
流を検出する電流検出回路と、該電流検出回路の出力電
圧と前記サンプルホールド回路の出力電圧との差分を増
幅して出力する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力
に基づき前記有機ＥＬ素子の電流を制御する電流制御回
路とを設けたことを特徴とするものである。これにより
前記有電流制御回路を構成する薄膜トランジスタのばら
つきを低減させて輝度むらを減少させるようにした。
の、本発明に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬデ
ィスプレイ装置は、入力画像信号をサンプルしてホール
ドするサンプルホールド回路と、前記有機ＥＬ素子の電
流を検出する電流検出回路と、該電流検出回路の出力電
圧と前記サンプルホールド回路の出力電圧との差分を増
幅して出力する誤差増幅回路と、該誤差増幅回路の出力
に基づき前記有機ＥＬ素子の電流を制御する電流制御回
路とを設けたことを特徴とするものである。これにより
前記有電流制御回路を構成する薄膜トランジスタのばら
つきを低減させて輝度むらを減少させるようにした。
【０００７】また、画像信号に対応する電流に基づき有
機ＥＬ素子に流れる電流を制御する回路を設け、この回
路を、前記有機ＥＬ素子の電流と前記画像信号に対応す
る電流との比率がほぼ一定となるように前記有機ＥＬ素
子の電流を制御する構成としてもよい。
機ＥＬ素子に流れる電流を制御する回路を設け、この回
路を、前記有機ＥＬ素子の電流と前記画像信号に対応す
る電流との比率がほぼ一定となるように前記有機ＥＬ素
子の電流を制御する構成としてもよい。
【０００８】前記回路は、前記有機ＥＬ素子の電流を制
御するための第１の薄膜トランジスタと、該第１の薄膜
トランジスタと近接して配置され、かつ前記画像信号に
対応する電流が供給される第２の薄膜トランジスタとを
含むカレントミラー回路を有するものとしてもよい。
御するための第１の薄膜トランジスタと、該第１の薄膜
トランジスタと近接して配置され、かつ前記画像信号に
対応する電流が供給される第２の薄膜トランジスタとを
含むカレントミラー回路を有するものとしてもよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。図１は、本発明に係る有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置のブロック図である。図１におい
て、画像信号は、画像信号入力インターフェース１から
入力される。画像信号の形式により制御回路２の内部構
成は異なるが、制御回路２は入力された画像信号からＸ
軸同期信号，Ｙ軸同期信号，画像信号を発生する動作を
行う。Ｘ軸同期信号はＸ軸駆動回路４に与えられ、Ｘ軸
方向の画素選択動作を行う。Ｙ軸同期信号はＹ軸駆動回
路３に与えられ、Ｙ軸方向の画素選択動作を行う。有機
ＥＬ素子マトリクス６は、複数の有機ＥＬ素子がマトリ
クス状に配置されて構成された画像を表示するための表
示パネルであって、電源回路５から有機ＥＬ素子を発光
させるための電源が供給されている。画像信号がＸ軸駆
動回路４を経て選択されたアクティブマトリクス画素６
１に順次入力されることにより画像が表示される。
て図面を用いて説明する。図１は、本発明に係る有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置のブロック図である。図１におい
て、画像信号は、画像信号入力インターフェース１から
入力される。画像信号の形式により制御回路２の内部構
成は異なるが、制御回路２は入力された画像信号からＸ
軸同期信号，Ｙ軸同期信号，画像信号を発生する動作を
行う。Ｘ軸同期信号はＸ軸駆動回路４に与えられ、Ｘ軸
方向の画素選択動作を行う。Ｙ軸同期信号はＹ軸駆動回
路３に与えられ、Ｙ軸方向の画素選択動作を行う。有機
ＥＬ素子マトリクス６は、複数の有機ＥＬ素子がマトリ
クス状に配置されて構成された画像を表示するための表
示パネルであって、電源回路５から有機ＥＬ素子を発光
させるための電源が供給されている。画像信号がＸ軸駆
動回路４を経て選択されたアクティブマトリクス画素６
１に順次入力されることにより画像が表示される。
【００１０】図２は、図１の有機ＥＬ素子マトリクス６
を構成するアクティブマトリクス画素６１の動作を説明
するためのブロック図である。図２において、１１は電
圧信号入力端子、１２はサンプルホールドパルス入力端
子、１３は誤差増幅回路、１４は電源端子、１５は有機
ＥＬ素子、１６は電流制御回路、１７は電流検出回路、
１８はサンプルホールド回路である。動作は次の通りで
ある。画像信号は、電圧信号入力端子１１から電圧信号
の形式でサンプルホールド回路１８に入力される。サン
プルホールド回路１８はサンプルホールドパルス入力端
子１２から入力されたサンプルホールドパルスにより電
圧信号入力端子１１から入力された電圧信号を一定期間
（通常はリフレッシュ時間）保持する。保持された電圧
は誤差増幅回路１３の一方の入力に入力される。電源端
子１４からの電流は有機ＥＬ素子１５，電流制御回路１
６，電流検出回路１７を流れ、電流検出回路１７にてこ
の電流を電圧として検出し誤差増幅回路１３のもう一方
の入力に入力される。
を構成するアクティブマトリクス画素６１の動作を説明
するためのブロック図である。図２において、１１は電
圧信号入力端子、１２はサンプルホールドパルス入力端
子、１３は誤差増幅回路、１４は電源端子、１５は有機
ＥＬ素子、１６は電流制御回路、１７は電流検出回路、
１８はサンプルホールド回路である。動作は次の通りで
ある。画像信号は、電圧信号入力端子１１から電圧信号
の形式でサンプルホールド回路１８に入力される。サン
プルホールド回路１８はサンプルホールドパルス入力端
子１２から入力されたサンプルホールドパルスにより電
圧信号入力端子１１から入力された電圧信号を一定期間
（通常はリフレッシュ時間）保持する。保持された電圧
は誤差増幅回路１３の一方の入力に入力される。電源端
子１４からの電流は有機ＥＬ素子１５，電流制御回路１
６，電流検出回路１７を流れ、電流検出回路１７にてこ
の電流を電圧として検出し誤差増幅回路１３のもう一方
の入力に入力される。
【００１１】誤差増幅回路１３は電流検出回路１７の出
力電圧とサンプルホールド回路１８の出力電圧を比較し
てその差分を増幅し、その出力電圧を電流制御回路１６
に入力することにより電流検出回路の出力電圧とサンプ
ルホールド回路の出力電圧が等しくなる負帰還動作を行
う。この結果、各画素の電圧信号入力端子１１から入力
される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機ＥＬ
素子１５に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝度
むらが低減される。
力電圧とサンプルホールド回路１８の出力電圧を比較し
てその差分を増幅し、その出力電圧を電流制御回路１６
に入力することにより電流検出回路の出力電圧とサンプ
ルホールド回路の出力電圧が等しくなる負帰還動作を行
う。この結果、各画素の電圧信号入力端子１１から入力
される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機ＥＬ
素子１５に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝度
むらが低減される。
【００１２】図３は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第１の実施形態を示す回路図である。図３にお
いて、２１はｎチャンネル型薄膜トランジスタ（以下、
ＴＦＴと略す）、２２はホールドコンデンサ、２３，２
４，２５はｎチャンネルＴＦＴ、２６，２７，２８は抵
抗器である。この実施形態では、サンプルホールド回路
１８はｎチャンネルＴＦＴ２１とホールドコンデンサ２
２から構成されていて、ホールドコンデンサ２２の両端
電圧として画像信号電圧が保持される。 誤差増幅回路
１３はｎチャンネルＴＦＴ２３，２４と抵抗器２６，２
７からなる差動増幅回路で構成されている。電流検出回
路１７は抵抗器２８で、電圧制御回路１６はｎチャンネ
ルＴＦＴ２５で構成されている。回路動作は図２で説明
した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１から入
力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機Ｅ
Ｌ素子１５に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝
度むらが低減される。
ス画素の第１の実施形態を示す回路図である。図３にお
いて、２１はｎチャンネル型薄膜トランジスタ（以下、
ＴＦＴと略す）、２２はホールドコンデンサ、２３，２
４，２５はｎチャンネルＴＦＴ、２６，２７，２８は抵
抗器である。この実施形態では、サンプルホールド回路
１８はｎチャンネルＴＦＴ２１とホールドコンデンサ２
２から構成されていて、ホールドコンデンサ２２の両端
電圧として画像信号電圧が保持される。 誤差増幅回路
１３はｎチャンネルＴＦＴ２３，２４と抵抗器２６，２
７からなる差動増幅回路で構成されている。電流検出回
路１７は抵抗器２８で、電圧制御回路１６はｎチャンネ
ルＴＦＴ２５で構成されている。回路動作は図２で説明
した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１から入
力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有機Ｅ
Ｌ素子１５に流れるので、各画素の輝度は同一となり輝
度むらが低減される。
【００１３】図４は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第２の実施形態を示す回路図である。図４にお
いて、２９は抵抗器、３０はｐチャンネルＴＦＴ、１５
１は有機ＥＬ素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路１３はｎチャンネルＴＦＴ２３，２４と抵抗器２
６，２９からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路１６がｐチャンネルＴＦＴ３０で構成され
ていて有機ＥＬ素子１５１の接続位置が変更にされてい
る点が図３の第１の実施例と異なる。回路動作は図２で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機ＥＬ素子１５１に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
ス画素の第２の実施形態を示す回路図である。図４にお
いて、２９は抵抗器、３０はｐチャンネルＴＦＴ、１５
１は有機ＥＬ素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路１３はｎチャンネルＴＦＴ２３，２４と抵抗器２
６，２９からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路１６がｐチャンネルＴＦＴ３０で構成され
ていて有機ＥＬ素子１５１の接続位置が変更にされてい
る点が図３の第１の実施例と異なる。回路動作は図２で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機ＥＬ素子１５１に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
【００１４】図５は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第３の実施形態を示す回路図である。図５にお
いて、３１はホールドコンデンサ、３２，３３，３４は
ｐチャンネルＴＦＴ、３５はｎチャンネルＴＦＴ、３
６，３７，３８は抵抗器である。この実施形態ではサン
プルホールド回路１８はｐチャンネルＴＦＴ３２とホー
ルドコンデンサ３１から構成されていて、ホールドコン
デンサ３１の両端電圧として画像信号電圧が保持され
る。 誤差増幅回路１３はｐチャンネルＴＦＴ３３，３
４と抵抗器３６，３７からなる差動増幅回路で構成され
ている。電流検出回路１７は抵抗器３８で、電圧制御回
路１６はｎチャンネルＴＦＴ３５で構成されている。回
路動作は図２で説明した通りであり、各画素の電圧信号
入力端子１１から入力される同じ電圧信号に対し同じ電
流が各画素の有機ＥＬ素子１５１に流れるので、各画素
の輝度は同一となり輝度むらが低減される。
ス画素の第３の実施形態を示す回路図である。図５にお
いて、３１はホールドコンデンサ、３２，３３，３４は
ｐチャンネルＴＦＴ、３５はｎチャンネルＴＦＴ、３
６，３７，３８は抵抗器である。この実施形態ではサン
プルホールド回路１８はｐチャンネルＴＦＴ３２とホー
ルドコンデンサ３１から構成されていて、ホールドコン
デンサ３１の両端電圧として画像信号電圧が保持され
る。 誤差増幅回路１３はｐチャンネルＴＦＴ３３，３
４と抵抗器３６，３７からなる差動増幅回路で構成され
ている。電流検出回路１７は抵抗器３８で、電圧制御回
路１６はｎチャンネルＴＦＴ３５で構成されている。回
路動作は図２で説明した通りであり、各画素の電圧信号
入力端子１１から入力される同じ電圧信号に対し同じ電
流が各画素の有機ＥＬ素子１５１に流れるので、各画素
の輝度は同一となり輝度むらが低減される。
【００１５】図６は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第４の実施形態を示す回路図である。図６にお
いて、３９は抵抗器、４０はｐチャンネルＴＦＴ、１５
２は有機ＥＬ素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路１３はｐチャンネルＴＦＴ３３，３４と抵抗器３
７，３９からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路１６がｐチャンネルＴＦＴ４０で構成され
ていて有機ＥＬ素子１５２の接続位置が変更になってい
る点が図５の第３の実施例と異なる。回路動作は図２で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機ＥＬ素子１５２に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
ス画素の第４の実施形態を示す回路図である。図６にお
いて、３９は抵抗器、４０はｐチャンネルＴＦＴ、１５
２は有機ＥＬ素子である。この実施形態では、誤差増幅
回路１３はｐチャンネルＴＦＴ３３，３４と抵抗器３
７，３９からなる差動増幅回路で構成されている点と、
電圧制御回路１６がｐチャンネルＴＦＴ４０で構成され
ていて有機ＥＬ素子１５２の接続位置が変更になってい
る点が図５の第３の実施例と異なる。回路動作は図２で
説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１か
ら入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の有
機ＥＬ素子１５２に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
【００１６】図７は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第５の実施形態を示す回路図である。図７にお
いて、４１はｎチャンネルＴＦＴ、４２は抵抗器であ
る。この実施形態は図３の第１の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路１３がｎチャンネルＴＦＴ４
１と抵抗器２７で、電流検出回路１７が抵抗２８，４２
から構成されている点が異なっている。回路動作は図２
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機ＥＬ素子１５に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
ス画素の第５の実施形態を示す回路図である。図７にお
いて、４１はｎチャンネルＴＦＴ、４２は抵抗器であ
る。この実施形態は図３の第１の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路１３がｎチャンネルＴＦＴ４
１と抵抗器２７で、電流検出回路１７が抵抗２８，４２
から構成されている点が異なっている。回路動作は図２
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機ＥＬ素子１５に流れるので、各画素の輝度は同一と
なり輝度むらが低減される。
【００１７】図８は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第６の実施形態を示す回路図である。図８にお
いて、４３はｐチャンネルＴＦＴ、４４は抵抗器であ
る。この実施形態は図６の第４の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路１３がｐチャンネルＴＦＴ４
３と抵抗器３９で、電流検出回路１７が抵抗３８，４４
から構成されている点が異なっている。回路動作は図２
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機ＥＬ素子１５２に流れるので、各画素の輝度は同一
となり輝度むらが低減される。
ス画素の第６の実施形態を示す回路図である。図８にお
いて、４３はｐチャンネルＴＦＴ、４４は抵抗器であ
る。この実施形態は図６の第４の実施形態を簡易化した
ものであり、誤差増幅回路１３がｐチャンネルＴＦＴ４
３と抵抗器３９で、電流検出回路１７が抵抗３８，４４
から構成されている点が異なっている。回路動作は図２
で説明した通りであり、各画素の電圧信号入力端子１１
から入力される同じ電圧信号に対し同じ電流が各画素の
有機ＥＬ素子１５２に流れるので、各画素の輝度は同一
となり輝度むらが低減される。
【００１８】尚、図３から図８の実施形態において、各
抵抗器は適当なバイアスを与えた薄膜トランジスタで構
成してもよい。
抵抗器は適当なバイアスを与えた薄膜トランジスタで構
成してもよい。
【００１９】図９は、本発明に係るアクティブマトリク
ス画素の第７の実施形態を示す回路図である。図９にお
いて、５０，５１，５２，５３はｎチャンネルＴＦＴ、
５４はホールドコンデンサ、１１１は電流信号入力端
子、１２１は第２のサンプルホールドパルス入力端子で
ある。この実施形態では、画像信号は電流信号入力端子
１１１から電流信号の形式で入力される。第２のサンプ
ルホールドパルス入力端子１２１には、第１のサンプル
ホールドパルス入力端子１２に入力されるパルスより遅
延したパルスを使用する。すなわちＴＦＴ５０のオンオ
フはＴＦＴ５１のオンオフより遅れる様に構成する。よ
って、第１のサンプルホールドパルス入力端子１２に入
力されるサンプルホールドパルスの位相と、第２のサン
プルホールドパルス入力端子１２１に入力されるサンプ
ルホールドパルスの位相とは、互いに異なっている。
ス画素の第７の実施形態を示す回路図である。図９にお
いて、５０，５１，５２，５３はｎチャンネルＴＦＴ、
５４はホールドコンデンサ、１１１は電流信号入力端
子、１２１は第２のサンプルホールドパルス入力端子で
ある。この実施形態では、画像信号は電流信号入力端子
１１１から電流信号の形式で入力される。第２のサンプ
ルホールドパルス入力端子１２１には、第１のサンプル
ホールドパルス入力端子１２に入力されるパルスより遅
延したパルスを使用する。すなわちＴＦＴ５０のオンオ
フはＴＦＴ５１のオンオフより遅れる様に構成する。よ
って、第１のサンプルホールドパルス入力端子１２に入
力されるサンプルホールドパルスの位相と、第２のサン
プルホールドパルス入力端子１２１に入力されるサンプ
ルホールドパルスの位相とは、互いに異なっている。
【００２０】この結果ＴＦＴ５１がオンした後、ＴＦＴ
５０がオンするとＴＦＴ５２に入力電流が流れ、ホール
ドコンデンサ５４にはＴＦＴ５２のドレイン電流に対応
するゲート−ソース電圧が充電され、有機ＥＬ素子１５
に流れる電流を制御するためのＴＦＴ５３のゲートに印
加される。この電圧は、ＴＦＴ５１がオフすると一定時
間保持される。この結果、ＴＦＴ５２とＴＦＴ５３を近
接して設けると製造条件がほぼ等しいため二つのＴＦＴ
の特性は似たものになるから、ＴＦＴ５３のドレイン電
流すなわち有機ＥＬ素子の電流は入力した電流信号と一
定の比率になる。すなわち、ＴＦＴ５２とＴＦＴ５３
は、カレントミラー回路を構成している。各画素の電流
信号入力端子１１１から入力される同じ電流信号に対し
同じ電流が各画素の有機ＥＬ素子１５に流れるので、各
画素の輝度は同一となり輝度むらが低減される。この実
施例では、サンプルホールドパルスとして互いに位相が
異なる２種類のパルスを使用しているが、ＴＦＴ５１と
ＴＦＴ５２の特性を異ならしめることにより１種類のパ
ルスでも動作可能である。
５０がオンするとＴＦＴ５２に入力電流が流れ、ホール
ドコンデンサ５４にはＴＦＴ５２のドレイン電流に対応
するゲート−ソース電圧が充電され、有機ＥＬ素子１５
に流れる電流を制御するためのＴＦＴ５３のゲートに印
加される。この電圧は、ＴＦＴ５１がオフすると一定時
間保持される。この結果、ＴＦＴ５２とＴＦＴ５３を近
接して設けると製造条件がほぼ等しいため二つのＴＦＴ
の特性は似たものになるから、ＴＦＴ５３のドレイン電
流すなわち有機ＥＬ素子の電流は入力した電流信号と一
定の比率になる。すなわち、ＴＦＴ５２とＴＦＴ５３
は、カレントミラー回路を構成している。各画素の電流
信号入力端子１１１から入力される同じ電流信号に対し
同じ電流が各画素の有機ＥＬ素子１５に流れるので、各
画素の輝度は同一となり輝度むらが低減される。この実
施例では、サンプルホールドパルスとして互いに位相が
異なる２種類のパルスを使用しているが、ＴＦＴ５１と
ＴＦＴ５２の特性を異ならしめることにより１種類のパ
ルスでも動作可能である。
【００２１】図１０は、本発明に係るアクティブマトリ
クス画素の第８の実施形態を示す回路図である。図１０
において、５５，５６，５７，５８はｐチャンネルＴＦ
Ｔ、５９はホールドコンデンサである。図１０の実施形
態は、図９の第７の実施形態のＴＦＴをｐチャンネルで
構成し、ホールドコンデンサ５９，有機ＥＬ素子の接続
位置が変更になっている点が異なるが、基本的な動作及
び効果は図９の第７の実施例と同様である。
クス画素の第８の実施形態を示す回路図である。図１０
において、５５，５６，５７，５８はｐチャンネルＴＦ
Ｔ、５９はホールドコンデンサである。図１０の実施形
態は、図９の第７の実施形態のＴＦＴをｐチャンネルで
構成し、ホールドコンデンサ５９，有機ＥＬ素子の接続
位置が変更になっている点が異なるが、基本的な動作及
び効果は図９の第７の実施例と同様である。
【００２２】以上の実施形態で説明した通り、本発明に
より画素内の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず
輝度むらの少ない有機ＥＬディスプレイを提供出来る効
果がある。
より画素内の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず
輝度むらの少ない有機ＥＬディスプレイを提供出来る効
果がある。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、画素内
の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず輝度むらの
少ない有機ＥＬディスプレイを提供出来る効果がある。
の薄膜トランジスタの特性ばらつきによらず輝度むらの
少ない有機ＥＬディスプレイを提供出来る効果がある。
【図１】本発明の有機ＥＬディスプレイのブロック図
【図２】本発明のアクティブマトリクス画素の動作を説
明するためのブロック図
明するためのブロック図
【図３】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第１
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図４】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第２
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図５】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第３
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図６】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第４
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図７】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第５
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図８】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第６
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図９】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第７
の実施形態を示す回路図
の実施形態を示す回路図
【図１０】本発明に係るアクティブマトリクス画素の第
８の実施形態を示す回路図
８の実施形態を示す回路図
１…画像信号入力インターフェース、２…制御回路、３
…Ｙ軸駆動回路、４…Ｘ軸駆動回路、５…電源回路、６
…有機ＥＬ素子マトリクス、１１…電圧信号入力端子、
１２…サンプルホールドパルス入力端子、１３…誤差増
幅回路、１４…電源端子、１５，１５１，１５２…有機
ＥＬ素子、１６…電流制御回路、１７…電流検出回路、
１８…サンプルホールド回路。
…Ｙ軸駆動回路、４…Ｘ軸駆動回路、５…電源回路、６
…有機ＥＬ素子マトリクス、１１…電圧信号入力端子、
１２…サンプルホールドパルス入力端子、１３…誤差増
幅回路、１４…電源端子、１５，１５１，１５２…有機
ＥＬ素子、１６…電流制御回路、１７…電流検出回路、
１８…サンプルホールド回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 BA06 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 DD28 EE29 FF11 JJ02 JJ03 5C094 AA03 AA07 AA56 BA03 BA27 CA19 DA09 DB01 DB02 DB04 EA04 EA10 FA01 FB12 FB14 FB15 GA10
Claims (7)
- 【請求項１】複数の有機ＥＬ素子をマトリクス上に配置
して構成された表示パネルを用いて、入力された画像信
号に基づき画像の表示を行うアクティブマトリクス型の
有機ＥＬディスプレイ装置において、前記画像信号をサ
ンプルしてホールドするサンプルホールド回路と、前記
有機ＥＬ素子の電流を検出する電流検出回路と、該電流
検出回路の出力電圧と前記サンプルホールド回路の出力
電圧との差分を増幅して出力する誤差増幅回路と、該誤
差増幅回路の出力に基づき前記有機ＥＬ素子の電流を制
御する電流制御回路とを有することを特徴とする有機Ｅ
Ｌディスプレイ装置。 - 【請求項２】前記誤差増幅回路は、差動増幅回路を構成
する２個の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請
求項１記載の有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項３】前記誤差増幅回路は、ゲートが前記サンプ
ルホールド回路に接続され、ソースが前記電流検出回路
に接続された薄膜トランジスタを含むことを特徴とする
請求項１記載の有機ＥＬディスプレイ。 - 【請求項４】複数の有機ＥＬ素子をマトリクス上に配置
して構成された表示パネルを用いて、入力された画像信
号に基づき画像の表示を行うアクティブマトリクス型の
有機ＥＬディスプレイ装置において、前記画像信号に対
応する電流に基づき前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制
御する回路を有し、該回路は、前記有機ＥＬ素子の電流
と前記画像信号に対応する電流との比率がほぼ一定とな
るように前記有機ＥＬ素子の電流を制御することを特徴
とする有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項５】前記回路は、前記有機ＥＬ素子の電流を制
御するための第１の薄膜トランジスタと、該第１の薄膜
トランジスタと近接して配置され、かつ前記画像信号に
対応する電流が供給される第２の薄膜トランジスタとを
含むカレントミラー回路を有することを特徴とする請求
項４記載の有機ＥＬディスプレイ装置。 - 【請求項６】前記回路は、第１の薄膜トランジスタと、
該第１の薄膜トランジスタのドレインとそのソースが接
続される第２の薄膜トランジスタと、前記第１と第２の
薄膜トランジスタの接続部にそのゲート及びドレインが
接続される第３の薄膜トランジスタと、該第３の薄膜ト
ランジスタのゲート−ソース間電圧が充電されるホール
ドコンデンサと、前記有機ＥＬ素子に流れる電流を制御
するためのものであって、前記第３の薄膜トランジスタ
に近接して配置され、かつ前記ホールドコンデンサの両
端電圧がそのゲートに印加される第４の薄膜トランジス
タとを含むことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ装
置。 - 【請求項７】前記第１及び第２の薄膜トランジスタのゲ
ートには、それぞれ前記画像信号をサンプリングするた
めの、互いに位相が異なるパルス信号が供給されること
を特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬディスプレイ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280115A JP2002091377A (ja) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280115A JP2002091377A (ja) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002091377A true JP2002091377A (ja) | 2002-03-27 |
Family
ID=18765013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000280115A Pending JP2002091377A (ja) | 2000-09-11 | 2000-09-11 | 有機ｅｌディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002091377A (ja) |
Cited By (16)
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2000
- 2000-09-11 JP JP2000280115A patent/JP2002091377A/ja active Pending
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