JP2002084030A

JP2002084030A - 導波路型レーザ

Info

Publication number: JP2002084030A
Application number: JP2000271959A
Authority: JP
Inventors: Manabu Oguma; 学小熊; Ryoichi Kasahara; 亮一笠原; Takuya Tanaka; 拓也田中; Toshimi Kominato; 俊海小湊
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2000-09-07
Filing date: 2000-09-07
Publication date: 2002-03-22
Anticipated expiration: 2020-09-07
Also published as: JP3600785B2

Abstract

(57)【要約】【課題】温度調整機構と、グレーティング作成時に必
要な微細加工又は紫外線照射プロセスを省いて導波路型
レーザを提供すること。【解決手段】符号１１はＳｉ基板上に作成された比屈
折率が１％の石英系導波路で、１２はアレイ導波路格子
であり、アレイ導波路格子１２のポート１３とポート１
４が３ｄＢカップラ１５に接続されて導波路型ループミ
ラーを形成している。１６は半導体アンプで、端面１９
には高反射コートがなされ、１８の石英系導波路チップ
上に実装されている。このように、導波路型ループミラ
ー内にアレイ導波路格子を設けたので、導波路型ループ
ミラー中に発振波長を選択することにより、光通信に有
用なシングルモード発振をすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型レーザに
関し、より詳細には、導波路型波長可変レーザであっ
て、光通信で欠かすことのできないレーザ光源に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信に用いるレーザ光源は、光信号の
波形が長距離を伝搬して劣化しないように、シングルモ
ード発振することが不可欠である。通信用に用いられる
代表的なレーザとしては、半導体レーザにグレーティン
グを組み込んだＤＦＢ（Distributed Feedback；分布帰
還）またはＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector；分
布ブラッグ反射器）レーザなどがある。しかし、半導体
材料のみで作成したレーザは温度変化に対し、発振波長
が大きくシフトしてしまうという問題がある。

【０００３】そのため、近年盛んに研究開発が進められ
ているＤＷＤＭシステム（Dense Wavelength Division
Multiplexing System）に用いるには、温度調整機構を
内蔵するなどの工夫が必要で、コスト的にも問題があっ
た。これらの問題を解決するために、半導体材料より温
度依存性が小さい石英系導波路にグレーティングを書き
込み、半導体増幅器とハイブリッド集積したレーザが提
案されている。

【０００４】図２は、半導体増幅器とハイブリッド集積
したレーザの代表的な構成を示す図である。図中符号２
１は石英系導波路、２２はファイバ接続部、２３はグレ
ーティング、２４は半導体アンプである。このレーザ
は、温度変化に対する発振波長のシフト量が８分の１に
なるだけでなく、レンズ系を用いることなく、光通信に
は不可欠なファイバとの接続が可能になり、生産コスト
も低く押さえることが可能になった。しかし、環境温度
の大きな変化に対しては、発振波長がホッピングしてし
まうという新たな問題が生じた。

【０００５】しかし、この問題を解決する方法として、
石英系導波路上に微細な溝を作成し、屈折率の温度変化
が半導体材料や石英系ガラス材料とは正負が逆向きのポ
リマー等の材料を導波路上の溝の中に流し込むことによ
り、レーザ共振器全体として共振器長の温度変化を石英
導波路上のグレーティング波長の温度依存性とを一致さ
せ、発振波長の温度依存性を低く抑えかつホッピングを
抑制することが提案・報告されている(Tanaka et.al."H
ybrid integration external cavity laser without te
mperature dependent mode hopping",Electron Lett.19
99,35,pp179-180)。

【０００６】しかし、上記導波路型レーザでも発振波長
の温度依存性を完全に消すことは出来ず、温度調整機構
をモジュール内に内蔵する必要性は残ったままであっ
た。さらに、これらのグレーティングを用いたレーザ
は、グレーティング作成のために微細加工または紫外線
照射などの特別なプロセスが必要であるというコスト上
の問題がある。

【０００７】さらに、石英導波路と半導体アンプを組み
合わせたシングルモードレーザでは、グレーティングで
決まる一定の波長でしか発振できず、発振波長を大きく
変えて、かつ安定にシングルモード発振を実現したとい
う報告はまだなされていない。

【０００８】また、小型な波長可変なシングルモード・
レーザとしては、Grating CoupledSampled Refrector L
aser(B.Broberg et.al.,"Widely tunable semiconducto
r lasers",LEOS'98 ThQ1,1998) やSuper Structure Gra
ting DBR Laser(H.Ishii et.al.,"Quasicontinuous Wav
elength Tuning in Super-Structure-Grarting(SSG)DBR
Lasers",IEEE J.Quantum Electron,vol.32,pp.433-45
5,1996) がある。しかし、実際に発振波長を制御するに
は発振波長をモニタしながらの微調整が必要であるとい
う問題があり、また、発振波長の温度無依存化機能を付
与するのが難しいという大きな問題があった。

【０００９】一方、異なる波長の光信号を扱うＤＷＤＭ
システムでは、それぞれの信号を目的の場所まで、どの
ようにして届けるかというシステム上の課題があり、様
々な研究が行われている。小規模なネットワークの場合
では使用する波長とパスとを１対１対応させることが可
能だが、電話のように不特定多数から不特定多数へ信号
を伝えるネットワークを考えると、全ての発信者から全
ての受信者まで個別の波長とパスを用意することは実質
的に不可能で、何らかの区間毎にパスを切り替える必要
がある。このパス切り替え方法としては、物理的に光信
号のルートを変える方法（特開平５−７２５７５号公報
参照）と、光信号の波長を切り替える方法がある。

【００１０】後者を用いたシステムの提案例としては
(M.Koga et.al."Design and perfomance of an optical
path cross-connect system based on wavelength pat
h concept",IEEE Journal of Lightwave Tech.,vol.14,
No.6,pp.1106-1119,1996) 等があげられる。これらの方
法では、各入力チャンネル毎に全ての出力チャンネル数
だけ波長の異なるシングルモードレーザを用意する必要
があるが、ある特定の一瞬時に動作しているレーザは各
チャンネル毎に１台以下であり、高額なレーザを余分に
持たなければならないという問題があった。

【００１１】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、温度調整機構と、
グレーティング作成時に必要な微細加工又は紫外線照射
プロセスを省いて導波路型レーザを提供することにあ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、共振器
内に波長選択性を有する反射鏡を内蔵する導波路型レー
ザにおいて、少なくとも１端の反射鏡に導波路型ループ
ミラーを用い、該導波路型ループミラー内にアレイ導波
路格子を設けたことを特徴とするものである。

【００１３】請求項２に記載の発明は、屈折率の温度依
存性または線膨張係数が異なる複数の材料を用いること
により、前記アレイ導波路格子の透過波長の温度依存性
と、共振器全体の共振器長の温度依存性を小さく抑えた
ことを特徴とするものである。

【００１４】請求項３に記載の発明は、前記アレイ導波
路格子における個々のアレイ導波路にあたえる導波路長
差が、一種類一定ではなく、２種類以上の複数の導波路
長差を個々のアレイ導波路にあたえたことを特徴とする
ものである。

【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の発明において、前記アレイ導波路のＦＳＲ（Fr
ee Spectral Range）とは異なるＦＳＲを有する導波路
型フィルタを具備することを特徴とするものである。

【００１６】請求項５に記載の発明は、請求項４に記載
の発明において、前記導波路型フィルタとして透過波長
可変な導波路型フィルタを用いることを特徴とするもの
である。

【００１７】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５
いずれか１項に記載の発明において、前記導波路型ルー
プミラー内のアレイ導波路格子の透過域の中心波長がＩ
ＴＵ（International Telecommunication Union）グリ
ッドに搭載されていることを特徴とするものである。

【００１８】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６
いずれか１項に記載の発明において、石英系導波路と、
該石英系導波路上にハイブリッド実装した半導体増幅器
とから共振器が構成されていることを特徴とするもので
ある。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。

【００２０】（実施例１）図１は、本発明の導波路型レ
ーザの一実施例を示す構成図で、図中、１１はＳｉ基板
上に作成された比屈折率が１％の石英系導波路で、１２
はアレイ導波路格子であり、アレイ導波路格子１２のポ
ート１３とポート１４が３ｄＢカップラ１５に接続され
て導波路型ループミラーを形成している。１６は半導体
アンプで、端面１９には高反射コートがなされ、１８の
石英系導波路チップ上に実装されている。さらにアレイ
導波路格子には、ポリマー材料を挿入するための溝１７
が掘られていて、アレイ導波路格子のもつ屈折率の温度
依存性と半導体アンプの有する温度依存性とをキャンセ
ルするように設計されている。

【００２１】アレイ導波路格子１２は９本のアレイ導波
路からなり、最も内側の導波路より４番目までのｍ番目
のアレイ導波路の導波路長を隣接する内側の導波路より
ΔＬ１だけ長くなるように設計され、５番目から９番目
までアレイ導波路の導波路長を隣接する内側の導波路よ
りΔＬ２だけ長くなるように設計されている。なお、導
波路の有効屈折率をｎとし、真空中の光速をＣとする
と、Ｃ／ｎΔＬ１＝２００・１０⁹、Ｃ／ｎΔＬ２＝２
１４・１０⁹となるように設計した。実施例に用いたΔ
１％の導波路の１．５μｍ帯での有効屈折率はおよそ
１．４５であるのでΔＬ１＝１０３４μｍ、ΔＬ２＝９
６５μｍになった。

【００２２】さらに、最も内側の導波路に対する各々の
アレイ導波路の長さに比例した幅の溝を、９本のアレイ
導波路型上に作成した。この溝は伝搬損失も考慮して溝
幅が太くなりすぎないように複数の溝に分け、溝幅の総
和が横切る導波路の導波路長差に比例するように設計し
た。また、使用する半導体アンプと石英導波路からなる
共振器長全体の温度依存性をキャンセルするように９本
の導波路すべてを横断する溝も作成した。溝を作成した
後、石英系導波路や半導体アンプとは屈折率の温度依存
性の正負が逆向きのポリマー材料を選択し溝に注入し
た。

【００２３】このアレイ導波路格子のポート１３とポー
ト１４をＭＭＩ（Multi Mode Interferometer）からな
る３ｄＢカップラ１５に同じ向きから導き入れ、反対側
の２つのポートのうち一方を半導体アンプ実装部に、も
う一方をファイバ実装部に導いた。

【００２４】半導体アンプにはＩｎＰよりなる導波路型
半導体増幅器を用いた。半導体増幅器の全長はおよそ５
００μｍであった。石英導波路端面と向き合わない反対
面１９には１．５μｍ帯で高反射になるＨＲコートを施
してあるものを用いた。

【００２５】以上のアレイ導波路格子を含む導波路型ル
ープミラーと半導体アンプとからなる共振器長は真空中
換算でおよそ３０ｍｍになった。共振器１周の長さが真
空中換算でおよそ３０ｍｍであるということは約１０Ｇ
Ｈｚ間隔でレーザ発振しうることを示している。

【００２６】図４は、できあがったアレイ導波路格子部
分の特性を示す図である。アレイ導波路格子１２のポー
ト１３からポート１４への透過波長依存性である。用い
た半導体アンプの増幅帯域を鑑み１５４５ｎｍから１５
６５ｎｍの波長域の特性を評価した。通常のアレイ導波
路格子と同様に周期的に透過率が高いピークが繰り返し
現れている。しかし、上述のような複数の導波路長差を
アレイ導波路にあたえたので、すべてのピークの透過率
が等しくはならず、ひとつの波長近傍のみで透過率が最
大になる。その結果、半導体アンプの１０ｎｍ前後の利
得帯域全体から、上述の透過率が最大になる１つのピー
ク内に、レーザ発振できる波長領域が限られることにな
る。

【００２７】図５は、最も透過率の大きなピークの拡大
図である。この図５には併せて１０ＧＨｚ間隔のガイド
ラインを示している。この１０ＧＨｚという値はレーザ
発振しうる共振周期に相当する。１０ＧＨｚ隣の透過率
は大きく異なることから、この透過率のピークの中から
単一の波長の光のみレーザ発振することがわかる。

【００２８】図６は、半導体アンプを駆動したときのＩ
−Ｌ特性図である。発振閾値は４５ｍＡで、１００ｍＡ
注入したとき１．２ｍＷの光出力を得た。その時のレー
ザ発振スペクトルを図７に示す。発振はシングルモード
発振であり、アイソレーションは約４０ｄＢであった。
次に、作成したレーザ全体を乾燥空気を満した恒温槽に
入れて環境温度を５度から５０度まで変化させてレーザ
発振特性を評価した。図８にレーザの発振強度を、図９
に発振波長の温度依存性を示す。いずれも１００ｍＡ電
流注入時のデータである。半導体アンプの利得の温度依
存性のため、レーザ発振強度は１．２５ｍＷから０．６
ｍＷまで変化したが、レーザ発振波長は、波長選択素子
であるＡＷＧの温度依存性と、共振器長の温度依存性を
同時に温度依存性に設計したため、ほとんど温度変化は
見られず、５度から５０度の環境温度変化全域にわたっ
て±２．５ＧＨｚ以下であった。

【００２９】（実施例２）図３は、本発明の導波路型レ
ーザの第２の実施例を示す図である。図中３１はＳｉ基
板上に作製された比屈折率が１％の石英系導波路で、３
２は第１のアレイ導波路格子であり、第１のアレイ導波
路格子のポート３３とポート３４が３ｄＢカップラ３５
に接続され導波路型ループミラーを形成している。この
導波路型ループミラーの片方の出口をファイバ接続部４
０に導き導波路型レーザの出力ポートとした。さらに導
波路型ループミラーのもう片方の出口は第２のアレイ導
波路格子３７に導かれ、その第２のアレイ導波路格子の
反対側は、半導体アンプ３６に接続されている。さらに
端面３９には高反射コートがなされている。符号３８は
石英系導波路チップである。

【００３０】第１のアレイ導波路格子３２は９本のアレ
イ導波路からなり、最も内側の導波路型よりｍ番目のア
レイ導波路の導波路長が隣接する内側の導波路長よりΔ
Ｌ３だけ長くなるように設計されている。なお、導波路
の有効屈折率をｎとし、真空中の光速をＣとすると、Ｃ
／ｎΔＬ３＝１００・１０⁹となるように設計した。実
施例に用いたΔ１％の導波路型の１．５μｍ帯での有効
屈折率はおよそ１．４５であるのでΔＬ３＝２０６９μ
ｍになった。

【００３１】第２のアレイ導波路格子３７は３本のアレ
イ導波路格子からなり、最も下側の導波路よりｍ番目の
アレイ導波路の導波路長が隣接する下側の導波路長より
ΔＬ４だけ長くなるように設計されている。なお、導波
路の有効屈折率をｎとし、真空中の光速をＣとすると、
Ｃ／ｎΔＬ４＝２１９９・１０⁹となるように設計し、
ΔＬ４＝９４μｍになった。

【００３２】図１０は、第２のアレイ導波路格子の詳細
構造図である。この第２のアレイ導波路格子３７にはヒ
ータ４１による波長シフト動作が出来るように、最も上
側のアレイ導波路型上に４ｍｍ長×４０μｍ幅のヒータ
４１ａを、中心のアレイ導波路に２ｍｍ長×４０μｍ幅
のヒータ４１ｂを装荷して直列駆動できるように電極４
２ａ，４２ｂを接続した。また、３本のアレイ導波路４
５ａ，４５ｂ，４５ｃに分配される光強度が等しくなる
ように中央のアレイ導波路に比べ、両側のアレイ導波路
にテーパー部４３，４４を設けた。さらに透過帯域波長
可変な第２のアレイ導波路格子のフィルタ特性を補うた
め、第２のアレイ導波路格子３７は導波路型ループミラ
ー外におき、共振器を一周する光が第２のアレイ導波路
格子を２回通過するように工夫した。

【００３３】図１１は、第２のアレイ導波路のヒーター
を駆動したときの透過特性の変化を示す図である。電圧
の増加と共に、第２のアレイ導波路の透過帯域は約１５
５０ｎｍから１５６０ｎｍまで制御することができた。

【００３４】以上の第１のアレイ導波路格子を含む導波
路型ループミラーと、第２のアレイ導波路格子と、半導
体アンプとから構成される共振器長が、真空中換算で６
０ｍｍになるように、導波路型ループミラーと第２のア
レイ導波路格子との間の長さを設計した。共振器一周の
長さが６０ｍｍであるということは、共振器周波数は
５．０ＧＨｚとなる。

【００３５】図１２は、第１のアレイ導波路格子の透過
特性と、第２のアレイ導波路格子の透過特性と、共振器
のうち石英導波路部分を１周する時のトータルの透過特
性とを、搭載した半導体アンプの利得帯域である１５４
５ｎｍから１５６５ｎｍまでにわたり示したものであ
る。

【００３６】第１のアレイ導波路格子の透過域のピーク
は１００ＧＨｚ間隔に並び、かつ、ＩＴＵグリッドにの
っている。また第２のアレイ導波路格子の透過特性によ
り、１０ｎｍ前後にわたる半導体アンプの利得帯域のう
ち発振できる領域を選択している。

【００３７】第１のアレイ導波路格子をふくむ導波路型
ループミラーと第２のアレイ導波路格子からなる共振器
の石英導波路部分を一周する時のトータルの透過特性の
うち、最も透過率が大きくなった波長領域の拡大図を図
１３と図１４に示す。図１３をみると、トータルの透過
特性に１００ＧＨｚ毎に透過率のピークがあることが判
るが、第２のアレイ導波路格子の特性のため、１つのピ
ークのみ選択的に透過率が大きくなっていることがわか
る。さらに図１４をみると、トータルの透過特性のひと
つの透過ピークの幅は十分にせまく、５ＧＨｚの共振器
周波数だけずれたレーザの縦モードは十分に抑圧できる
ことがわかる。

【００３８】図１５は、出来上がった導波路型レーザの
Ｉ−Ｌ特性の一例を示す図である。第２のアレイ導波路
格子のヒータに０．４Ｗ電力を印加したときの特性で、
レーザ発振の閾値は１１０ｍＡで、１５０ｍＡ印加した
ときに０．４５ｍＷのレーザ出力を得た。このときのレ
ーザからの出力光を図１６に示す。発振はシングルモー
ド発振で、サイドモード等は十分に抑圧され、３０ｄＢ
前後のアイソレーションを得た。つぎに半導体アンプに
１５０ｍＡ印加して、第２のアレイ導波路格子のヒータ
ーに徐々に電力を印加していったときのレーザ発振波長
の変化を図１７に示す。ヒータの駆動電力の増加に伴い
レーザ発振波長が離散的に変化していき、かつ発振波長
はＩＴＵグリッド上（１００ＧＨｚ間隔 ±２．５ＧＨ
ｚ）に制御されていた。発振波長切替時以外は全ての波
長でシングルモード発振であった。

【００３９】本実施例では、石英系導波路を用いてアレ
イ導波路格子を有する導波路型ループミラーを作製した
が、ＩｎＰなどの半導体導波路やポリマーなどの有機物
材料、ガーネットなどの無機材料を用いた導波路を使用
しても構わない。

【００４０】本実施例では、透過波長可変な導波路型フ
ィルタとしてアレイ導波路本数の少ないアレイ導波路格
子を用いたが、マッハツェンダー型フィルタやラティス
型フィルタ、トランスバーサルフィルタ等を用いても同
様の効果が得られる。

【００４１】また本実施例では、導波路型フィルタの透
過波長調整にヒーターによる熱光学効果を用いたが、紫
外線や電子線、放射線の照射によっても調整可能であ
り、導波路型フィルタを半導体導波路等で作製した場合
には電流注入等によっても調整可能である。

【００４２】本実施例では、屈折率の温度変化の異なる
複数の材料を用いて導波路型レーザの発振波長の温度依
存性を消失させたが、線膨張係数の異なる複数の材料を
用いて光導波路部分に加わる応力を制御する方法でも導
波路型レーザの発振波長の温度依存性を消失させること
が可能である。

【００４３】本実施例の第１の実施例では、導波路型ル
ープミラー中のアレイ導波路格子のアレイ導波路を内側
と外側とで２群に分けたが、アレイ導波路１本毎に２群
に分けても同様の効果が得られる。

【００４４】また本実施例の第１の実施例では、アレイ
導波路を２群にわけ２種類の導波路長差を与えたが、３
群以上にわけ３種類以上の導波路長差を与えても同様の
効果が得られる。

【００４５】さらに本実施例では導波路型ループミラー
中に１つの導波路格子を入れたが、複数のアレイ導波路
格子を具備し、バーニア効果で発振波長を選択すること
も可能である。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、少
なくとも１端の反射鏡に導波路型ループミラーを用い、
該導波路型ループミラー内にアレイ導波路格子を設けた
ので、導波路型ループミラー中に発振波長を選択するこ
とにより、光通信に有用なシングルモード発振をするこ
とができる。また、微細加工や紫外線照射などの特殊な
工程を必要とせずに、通常の導波路型フィルタとプロセ
ス技術が供用できるので、安価なレーザが提供できる。

【００４７】また、波長選択素子であるアレイ導波路格
子の透過帯域波長と、半導体アンプを含む共振器全体の
共振器長の温度依存性とを同時にアサーマル化できるの
で、できあがった導波路型レーザの発振波長の温度無依
存化が可能である。そのため高価な温度制御機構を省く
ことが可能で、安価なレーザモジュールが作製可能であ
る。

【００４８】さらに、アレイ導波路格子の周期性を利用
することにより、波長選択性が緩いが波長可変であるフ
ィルタと組み合わせて、可変幅の大きな波長可変レーザ
を安価に作製することが可能になった。また、アレイ導
波路格子の周期性により決まった周期でレーザ発振波長
を選択することが可能であるので、発振波長を変更時に
波長をグリッドに乗せる等の微細調整の手間も必要なく
なった。

【００４９】このような、発振波長が温度無依存である
シングルモードレーザや、レーザ発振波長が広範囲に可
変なシングルモードレーザは従来非常に高価であった
が、本発明によれば、安価かつ小型な導波路型シングル
モードレーザが提供可能であり、ＷＤＭ光システムの構
築に価格面で大きく寄与し、交換器などの装置の小型化
にも寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の導波路型レーザの構成図であ
る。

【図２】比較例である従来の導波路型レーザの構成図で
ある。

【図３】第２の実施例の導波路型レーザの構成図であ
る。

【図４】第１の実施例の導波路型レーザのうち、アレイ
導波路型部分の透過特性を示すグラフである。

【図５】第１の実施例の導波路型レーザのうち、アレイ
導波路型部分の透過特性のうち透過率の高いところを詳
細に示すグラフである。

【図６】第１の実施例の導波路型レーザのＩ−Ｌ特性を
示すグラフである。

【図７】第１の実施例の導波路型レーザの発振波長特性
を示すグラフである。

【図８】第１の実施例の導波路型レーザのレーザ発振強
度の温度依存性を示すグラフである。

【図９】第１の実施例の導波路型レーザのレーザ発振波
長の温度依存性を示すグラフである。

【図１０】第２の実施例の導波路型レーザのうち、第２
のアレイ導波路型の構造を詳細に示した構成図である。

【図１１】第２の実施例の導波路型レーザのうち、第２
のアレイの導波路型の波長シフト動作を示したグラフで
ある。

【図１２】第２の実施例の導波路型レーザのうち、第１
のアレイ導波路型を含む導波路型型ループミラーの透過
スペクトルと、第２のアレイ導波路型の透過スペクトル
と、共振器のうち石英導波路型部分の透過スペクトルを
重ねて示したグラフである。

【図１３】図１２のスペクトル図の部分拡大図である。

【図１４】図１３のスペクトル図の部分拡大図である。

【図１５】第２の実施例の導波路型レーザのＩ−Ｌ特性
を示すグラフである。

【図１６】第２の実施例の導波路型レーザの発振波長特
性を示すグラフである。

【図１７】第２の実施例の導波路型レーザの発振波長可
変動作を示すグラフである。

【符号の説明】

１１，３１石英系導波路１２アレイ導波路格子１３，１４アレイ導波路格子の入出力ポート１５，３５３ｄＢのカップラ１６，３６半導体アンプ１７ポリマーを流し込む溝１８，３８石英系導波路チップ１９，３９高反射コートが施された半導体アンプの端
面２０，４０ファイバ接続部２１石英系導波路チップ２２ファイバ接続部２３グレーティング、２４半導体アンプ３２第１のアレイ導波路格子３３，３４第１のアレイ導波路格子の入出力ポート３７第２のアレイ導波路型４１ａ，４１ｂ，４１ｃヒータ４１ａ，４２ｂ電極４３，４４テーパー部４５ａ，４５ｂ，４５ｃアレイ導波路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中拓也東京都千代田区大手町二丁目３番１号日本電信電話株式会社内 (72)発明者小湊俊海東京都千代田区大手町二丁目３番１号日本電信電話株式会社内Ｆターム(参考） 2H047 KA11 LA09 MA07 NA00 QA04 TA41 5F073 AA67 AB12 AB25 AB28 CA12 EA03 FA13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】共振器内に波長選択性を有する反射鏡を
内蔵する導波路型レーザにおいて、少なくとも１端の反
射鏡に導波路型ループミラーを用い、該導波路型ループ
ミラー内にアレイ導波路格子を設けたことを特徴とする
導波路型レーザ。
【請求項２】屈折率の温度依存性または線膨張係数が
異なる複数の材料を用いることにより、前記アレイ導波
路格子の透過波長の温度依存性と、共振器全体の共振器
長の温度依存性を小さく抑えたことを特徴とする請求項
１に記載の導波路型レーザ。
【請求項３】前記アレイ導波路格子における個々のア
レイ導波路にあたえる導波路長差が、一種類一定ではな
く、２種類以上の複数の導波路長差を個々のアレイ導波
路にあたえたことを特徴とする請求項１に記載の導波路
型レーザ。
【請求項４】前記アレイ導波路のＦＳＲとは異なるＦ
ＳＲを有する導波路型フィルタを具備することを特徴と
する請求項１又は請求項２に記載の導波路型レーザ。
【請求項５】前記導波路型フィルタとして透過波長可
変な導波路型フィルタを用いることを特徴とする請求項
４に記載の導波路型レーザ。
【請求項６】前記導波路型ループミラー内のアレイ導
波路格子の透過域の中心波長がＩＴＵグリッドに搭載さ
れていることを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項
に記載の導波路型レーザ。
【請求項７】石英系導波路と、該石英系導波路上にハ
イブリッド実装した半導体増幅器とから共振器が構成さ
れていることを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項
に記載の導波路型レーザ。