JP2002082348A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置であり特に入射光を反射するこ
とにより表示を行う反射型液晶表示装置およびその製造
方法に関し、表示装置としての明るさをほぼ保ったま
ま、不具合補修の成功率を向上させる。 【解決手段】 画素電極１１がアクティブ素子のゲート
電極２ａとドレイン電極７との重畳部が認識できる形状
であり、ゲート電極２ａとドレイン電極７の重畳部から
画素電極１１の各辺への概垂線と画素電極１１の各辺と
の交点の少なくとも２箇所の近傍に画素電極１１の切り
欠き部または突起部を有する形状、またはゲート電極２
ａとドレイン電極７の重畳部の直上またはその近傍に凹
凸を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映
像機器に用いられる液晶表示装置およびその製造方法に
関し、更に詳しくは入射光を反射することにより表示を
行う反射型液晶表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、情報の個人化にともない携帯電話
の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイン
トであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対
し、使用環境からの入射光を反射することによりバック
ライトなしで表示が可能な反射型液晶表示装置が注目さ
れている。反射型の液晶表示装置およびその製造方法と
しては、特許番号第２７５６２０６号や特開平６−７５
２３７に記載されている。

【０００３】図７は従来の反射型の液晶表示装置および
その製造方法を各工程ごとに示した断面図、図８
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図７（ａ）および（ｅ）で示
した工程における平面図である。なお、図７は図８中A-
Bでの断面を示している。

【０００４】図７、図８において１は基板、２ａ、３、
４、５、６ａ、７は薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor；以下TFTと略す）を形成するそれぞれゲート電
極、ゲート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース
電極、ドレイン電極、２はゲート電極２ａと一体化した
ゲート配線、６はソース電極６ａと一体化したソース配
線、８はレジスト９をマスクとした加工により第１の凹
凸８ａならびに第１のコンタクトホール８ｂが形成され
る第１の膜、１０は第１の凹凸８ａを被覆し第２のコン
タクトホール１０ａを有する第２の膜、１１は第１の凹
凸８ａに対応する凹凸部１１ｂとドレイン電極７と電気
的に接続したコンタクト部１１ａとを有する画素電極で
ある。

【０００５】まず基板１上に、Ｃｒ、Ｔａ等からなり分
岐したゲート電極２ａを有する複数のゲート配線２を形
成する。次に全面に窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるゲ
ート絶縁膜３を形成後ゲート電極２ａ上のゲート絶縁膜
３上に非晶質シリコン（以下ａ-Ｓｉと略す）からなる
チャネル層４を形成する。次にチャネル層４の両端に低
抵抗ａ-Ｓｉからなるコンタクト層５と、ＴｉやＡｌ等
からなるソース電極６ａおよびドレイン電極７とを重畳
形成する。ここでソース電極６ａはソース配線６から分
岐した形に形成する。次に、チャネル層４の保護膜とし
て全面にＳｉＮからなる第１の膜８を形成しＴＦＴアレ
イが得られる（図７（ａ）、図８（ａ））。

【０００６】以上のようにＴＦＴアレイを形成後、第１
の膜８上にレジスト９をパターン形成する（図７
（ｂ））。次にレジスト９をマスクとして第１の膜８を
加工し、画素電極の形成部に多数の微細な第１の凹凸８
ａとドレイン電極７上に第１のコンタクトホール８ｂと
を形成後レジスト９を除去する（図７（ｃ））。次に、
全面にアクリル系樹脂を塗布後第２のコンタクトホール
１０ａを形成し、さらに硬化させて第２の膜１０を形成
する（図７（ｄ））。次にＡｌ、Ａｇ等の反射効率の高
い金属を、第２の膜１０上ならびに第２のコンタクトホ
ール１０ａを介してドレイン電極７に接続して形成し、
凹凸部１１ｂとコンタクト部１１ａとを有する画素電極
１１とすることによりアクティブ素子アレイ基板が得ら
れる（図７（ｅ）、図８（ｂ））。さらに、上記のアク
ティブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透
明電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して
液晶表示装置が完成する。

【０００７】上記のように、第２の膜１０を用い第１の
膜８からなる平面状態の多い第１の凹凸８ａ上に曲面状
態からなる凹凸を形成し、その上に凹凸部１１ｂを有す
る画素電極１１を形成することにより、画素電極１１に
よる正反射成分（平面による反射で鏡面状態を示す）が
少なくなる。もって、鏡面状態より散乱面状態に近い画
素電極が得られ、周辺光の映り込みが抑制されるととも
に曲面状態からなる凹凸を制御することにより反射光を
集光することによる反射効率の高い液晶表示装置を得る
ことが可能となる。さらに、第２の膜１０を層間絶縁膜
として用いることが可能であるため、画素電極１１の凹
凸部１１ｂを、ＴＦＴ上を覆いまたゲート配線２上およ
びソース配線６上にまで伸延して形成することができ
る。これにより画素電極１１が大きく、明るい反射型の
液晶表示装置を得ることが可能となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の液晶表示装置およびその製造方法では、画素単位に
ＴＦＴの不具合が生じ、これを補修する場合、透過型で
は画素電極が透明電極でありこれを通じて補修箇所が確
認できたが、反射型ではＡｌ等の金属を画素電極として
用いるため不透過となり補修箇所の確認が困難になる。
以下図９を用いさらに説明する。

【０００９】図９はＴＦＴの不具合の一例を示してい
て、本来図８（ａ）で示すTFTアレイの完成後を示して
いる。ただし、図９では図８（ａ）に示したチャネル層
４を省略して示している。図９のように、ソース電極６
ａとドレイン電極７とが分離して形成されるべきとこ
ろ、パターニングの異常でこれらが分離されず一体化し
電極異常部１３となっている。この場合、画素電位はゲ
ート電極２ａの駆動電位に関係無く常にソース配線６の
信号電位が供給されるため輝点等の不具合として液晶表
示装置では認識される。従来この種の不具合の修正は、
レーザー装置を用い、レーザー光線を照射してソース電
極６ａをソース配線６から切り離すレーザーカットと、
ドレイン電極７（画素電極とはコンタクト部１１ａを介
し接続される）とゲート電極２ａとを接続させるレーザ
ー溶接がなされる。これにより不具合の画素は常にゲー
ト電極２ａの駆動電位となり非表示状態（黒）となる。
この状態は液晶表示装置では表示の不具合として認識さ
れにくいためこれをもって画素の補修としている。しか
るに、図９の不具合を有した状態で画素電極１１形成の
工程まで進めると図８（ｂ）に示したようになり、レー
ザーカットとレーザー溶接による補修をすべきＴＦＴの
部位が確認がしづらく、補修も困難性を伴う。裏面から
の部位確認や画素電極１１形成前での補修も考えられる
が、前者の裏面からの部位確認では、従来の透過型液晶
表示装置の補修用に用いられているレーザー装置（基板
のアレイ作製面を見て、裏面からレーザーを照射する）
の広範囲の改造が必要である。後者の画素電極１１形成
前での補修では、図７に示した一連のアレイ工程の途中
に補修工程をいれることになり、アレイ基板完成後の検
査により全種類の不具合を一括して補修するいまの工程
に対し、生産リードタイムが延び生産性の低下を招くこ
とが懸念される。

【００１０】本発明は上記課題に鑑み、反射型液晶表示
装置としての明るさをほぼ保ったまま、補修の成功率を
向上させる液晶表示装置およびその製造方法を得ること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、画素電
極の形状を、補修のためのレーザー照射位置がアレイ基
板の画素電極面方向から認識できる形状に形成してい
る。

【００１２】この本発明によれば、工程増がないことか
ら生産効率を下げることなく補修の成功率を向上させ、
もって高歩留まりの期待できる液晶表示装置およびその
製造方法が得られる。

【００１３】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、２枚の
基板間に挟持された液晶を有し、上記２枚の基板の一方
の基板にアクティブ素子アレイを有し、上記アクティブ
素子アレイは各々に画素電極を有し、上記画素電極を介
して液晶を駆動し、上記液晶の駆動により画像を表示す
る液晶表示装置において、上記画素電極のゲート電極と
ドレイン電極との重畳部に被認識手段を有することを特
徴とする液晶表示装置であり、補修のためのレーザー照
射位置がアレイ基板の画素電極面方向から認識できると
いう作用を有する。

【００１４】請求項２に記載の発明は、被認識手段は画
素電極の形状が、ゲート電極とドレイン電極の重畳部か
ら上記画素電極の各辺への概垂線と上記画素電極の各辺
との交点の少なくとも２箇所の近傍に画素電極の切り欠
き部または突起部を有する形状である請求項１記載の液
晶表示装置であり、工程増がないことから生産効率を下
げることなく補修のためのレーザー照射位置が認識でき
るという作用を有する。

【００１５】請求項３に記載の発明は、被認識手段は画
素電極の形状が、ゲート電極とドレイン電極の重畳部の
直上またはその近傍に凹凸を有する形状である請求項１
記載の液晶表示装置であり、高開口率で明るさを保ちか
つ工程増がないことから生産効率を下げることなく補修
のためのレーザー照射位置が認識できるという作用を有
する。

【００１６】請求項４に記載の発明は、被認識手段は、
重畳部の直上またはその近傍の凹凸が周囲の凹凸と形状
が異なる請求項３記載の液晶表示装置であり、補修のた
めのレーザー照射位置を示す凹凸の見誤りを低減すると
いう作用を有する。

【００１７】請求項５に記載の発明は、画素電極がAl、
Al合金、Ag、Ag合金のいづれかである、請求項１記載の
液晶表示装置であり、高反射率で明るい画素電極が得ら
れるという作用を有する。

【００１８】請求項６に記載の発明は、２枚の基板間に
挟持された液晶を設け、上記２枚の基板の一方の基板に
アクティブ素子アレイを設け、上記アクティブ素子アレ
イは各々に画素電極を設け、上記画素電極を介して液晶
を駆動し、上記液晶の駆動により画像を表示する液晶表
示装置の製造方法において、基板上にアクティブ素子を
アレイ状に形成する工程と、全面に画素電極材料薄膜を
形成する工程と、上記画素電極材料薄膜を、上記アクテ
ィブ素子を覆いゲート配線上およびソース配線上にまで
一部伸延し、さらに上記アクティブ素子のゲート電極と
ドレイン電極との重畳部から各辺への概垂線と上記各辺
との交点の少なくとも２箇所の近傍に切り欠き部または
突起部を有する形状に形成し画素電極とする工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法であり、
工程増がないことから生産効率を下げることなく補修の
ためのレーザー照射位置が認識できるという作用を有す
る。

【００１９】請求項７に記載の発明は、２枚の基板間に
挟持された液晶を設け、上記２枚の基板の一方の基板に
アクティブ素子アレイを設け、上記アクティブ素子アレ
イは各々に画素電極を設け、上記画素電極を介して液晶
を駆動し、上記液晶の駆動により画像を表示する液晶表
示装置の製造方法において、基板上にアクティブ素子を
アレイ状に形成する工程と、上記アクティブ素子のゲー
ト電極とドレイン電極との重畳部の直上またはその近傍
に凹凸を設けた層間絶縁膜を形成する工程と、上記層間
絶縁膜上に画素電極を形成する工程とを有することを特
徴とする液晶表示装置の製造方法であり、高開口率で明
るさを保ち、かつ工程増がないことから生産効率を下げ
ることなく補修のためのレーザー照射位置が認識できる
という作用を有する。

【００２０】請求項８に記載の発明は、重畳部の直上ま
たはその近傍の凹凸が周囲の凹凸と形状が異なる請求項
７記載の液晶表示装置の製造方法であり、補修のための
レーザー照射位置を示す凹凸の見誤りを低減するという
作用を有する。

【００２１】請求項９に記載の発明は、画素電極材料薄
膜がAl、Al合金、Ag、Ag合金のいづれかである請求項６
記載の液晶表示装置の製造方法であり、簡便なウェット
エッチングが可能でかつ高反射率の明るい画素電極が得
られるという作用を有する。

【００２２】請求項１０に記載の発明は、画素電極材料
薄膜がAl、Al合金、Ag、Ag合金のいづれかである請求項
７記載の液晶表示装置の製造方法であり、簡便なウェッ
トエッチングが可能でかつ高反射率の明るい画素電極が
得られるという作用を有する。

【００２３】請求項１１に記載の発明は、請求項１から
５のいづれかに記載の液晶表示装置を備えた画像表示応
用装置であり、反射型液晶表示装置としての明るさの調
整を特に伴わずに、補修のためのレーザー照射位置をア
レイ基板の画素電極面方向から認識でき、もって画素の
不具合補修の成功率を向上させる作用を有する。

【００２４】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２、図３および図４を用いて説明する。

【００２５】（実施の形態１）図１は液晶表示装置のア
クティブ素子アレイ基板における画素部を部分透過で示
した平面図、図２は各工程を図１中Ｃ-Ｄでの断面で示
した断面図、図３、図４はそれぞれ図２（ａ）および図
２（ｄ）で示す工程での画素部の主要部分を示した平面
図である。

【００２６】図１、図２、図３および図４において、１
２は開口部１２ａを有する第１の絶縁膜、２０はコンタ
クトホール２０ａおよび凹凸表面２０ｂおよび凹凸マー
ク２０ｃを有する第２の絶縁膜、２１は遮光層２２によ
り第１の透過部２４ならびに第２の透過部２５ならびに
第３の透過部２６を有するフォトマスク基板、２３は上
記フォトマスク基板２１を通じて上記第２の絶縁膜２０
に照射する照射光、１１ａ、１１ｂ、１１ｃはそれぞれ
画素電極１１における上記ドレイン電極７とのコンタク
ト部、上記凹凸表面２０ｂ上の凹凸部ならびに上記凹凸
マーク２０ｃ上の凹凸マーク部、１１ｄ、１１ｅはそれ
ぞれ画素電極１１の平面形状における第１の切り欠き部
および第２の切り欠き部である。その他の構成におい
て、従来例として図７および図８において示した液晶表
示装置およびその製造方法と同一構成部分については同
一番号および同一名称を付して詳細な説明を省略する。

【００２７】まず、ガラスからなる基板１上に、Ａｒガ
スを用いたスパッタリング法によりＴｉ/Ａｌ/Ｔｉをそ
れぞれ100/200/100nm積層して成膜後、分岐したゲート
電極２ａを有する複数のゲート配線２を形成する。次
に、プラズマ化学気相蒸着法（以下p-CVD法と略す）に
よりＳｉＮｘ、ａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓｉの３層を成膜
後、ＴＦＴ領域以外のａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓｉをエッチ
ング除去し島状のそれぞれチャネル層４とコンタクト層
５ならびに全面にわたるゲート絶縁膜３を形成する。次
に、再度Ａｒガスを用いたスパッタリング法によりＴｉ
/Ａｌ/Ｔｉをそれぞれ100/200/100nm積層して成膜後、
複数のソース配線６とこれから分岐したＴＦＴのソース
電極６ａならびにドレイン電極７のパターンに加工す
る。ここで同時にコンタクト層５は、ソースならびにド
レインの領域に分離形成される。次に、全面にp-CVD法
によりチャネル層４の保護膜としてＳｉＮｘからなる第
１の絶縁膜１２を形成しＴＦＴアレイが得られる（図２
(a)、図３）。

【００２８】以上のように従来例と同様にＴＦＴアレイ
を形成後、レジストをマスクとして第１の絶縁膜１２を
加工し上記ドレイン電極７上に開口部１２ａを形成する
（図２(b)）。次に全面に感光性アクリル系樹脂（ＪＳ
Ｒ社製ＰＣ３３５）を約３μm塗布し、短辺が解像度に
比べ十分大きい約８μmとした矩形の第１の透過部２４
と、径が解像度限界の約４μmとした第２の透過部２５
と、短辺が解像度限界の約４μmとした楕円形状の第３
の透過部２６とを遮光層２２により形成したフォトマス
ク基板２１を用い、露光機（CANON社製ＭＡ３０００）
により照射光２３での露光後現像することにより、上記
第１の透過部２４に対応し下地のドレイン電極７を十分
露呈したコンタクトホール２０ａと、上記第２の透過部
２５に対応し下地の露呈されない凹形状からなる凹凸表
面２０ｂと、上記第３の透過部２６に対応し上記ゲート
電極２ａと上記ドレイン電極７との重畳部上であって楕
円の凹形状からなる凹凸マーク２０ｃとを有する第２の
絶縁膜２０を形成する（図２(c)）。次に、２２０℃の
熱処理を行い上記第２の絶縁膜２０を温度上昇に伴う軟
化により表面形状を滑らかにしつつ硬化させる。次に全
面にＡｌを成膜後、上記凹凸表面２０ｂならびに凹凸マ
ーク２０ｃを覆い、コンタクトホール２０ａを通じてド
レイン電極７と電気的に接続するとともにゲート配線２
の一部ならびにソース配線６の一部に重なり合うまで伸
延した画素電極１１に加工形成する。ここで画素電極１
１はコンタクト部１１ａ、凹凸部１１ｂ、凹凸マーク部
１１ｃが形成されるとともに、さらに上記画素電極１１
の端辺部であって上記ゲート電極２ａと上記ドレイン電
極７との重畳部から上記画素電極１１の短辺ならびに長
辺へのほぼ垂線の位置に、第１の切り欠き部１１ｄなら
びに第２の切り欠き部１１ｅを加工形成する（図１、図
２(ｄ) 、図４）。さらに、従来例と同様に上記のアク
ティブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透
明電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して
液晶表示装置が完成する。

【００２９】以上の実施の形態１によれば、不透過のＡ
ｌからなる画素電極１１を形成後であっても、第１の切
り欠き部１１ｄならびに第２の切り欠き部１１ｅからの
垂線の交点として、また、凹凸マーク部１１ｃによりゲ
ート電極２ａとドレイン電極７との重畳部をアレイ基板
の表面（画素電極１１面）から認識できる。すなわち、
工程増もなく補修のためのレーザー照射位置がアレイ基
板の画素電極面方向から認識できるという作用を有す
る。

【００３０】これによる不具合補修の一例を前述の図
９、図４ならびに図５を用いて説明する。図５はレーザ
ー装置により補修した不具合部を一部透過で示した平面
図であり、１４はソース電極６ａをソース配線６から切
り離したレーザーカット部、１５はドレイン電極７とゲ
ート電極２ａとを接続させたレーザー溶接部である。ま
ず、複数のソース配線６とこれから分岐したＴＦＴのソ
ース電極６ａならびにドレイン電極７のパターン加工に
おいて、ダスト等がソース電極６ａとドレイン電極７の
パターン間に存在すると電極異常部１３が発生する（図
９）。その後画素電極１１形成の工程まで進めると上記
異常部１３を含めゲート電極２ａとドレイン電極７との
重畳部も直接表面からは確認できない（図４）。しかし
ながら、第１の切り欠き部１１ｄならびに第２の切り欠
き部１１ｅからの垂線の交点として、また凹凸マーク部
１１ｃを用いてゲート電極２ａとドレイン電極７との重
畳部をアレイ基板の表面から確認でき、もって、レーザ
ー装置を用い、ソース電極６ａをソース配線６から切り
離すレーザーカット部１４と、ドレイン電極７とゲート
電極２ａとを接続させるレーザー溶接１５部とを正確に
形成できる。これにより不具合部の画素は常にゲート電
極２ａの駆動電位となり非表示状態（黒）となる。

【００３１】なお以上の説明では、ゲート電極２ａとド
レイン電極７との重畳部の確認を、第１の切り欠き部１
１ｄと第２の切り欠き部１１ｅからの垂線の交点と、さ
らに凹凸マーク部１１ｃとを用いて行ったが、重畳部の
確認は垂線の交点または凹凸マーク部１１ｃのいずれか
一方のみで可能であり、例えば、第１の切り欠き部１１
ｄと第２の切り欠き部１１ｅのみ形成し、凹凸マーク２
０ｃの形成を行わない（すなわち凹凸マーク部１１ｃを
形成しない）としてもよい。また、重畳部から上記画素
電極１１の短辺ならびに長辺へのほぼ垂線の位置に、第
１の切り欠き部１１ｄならびに第２の切り欠き部１１ｅ
を加工形成したが、これらの位置には重畳部が認識でき
るパターンがあればよく、切り欠き形状のみならず、凸
形状の突起部または短辺ならびに長辺での不連続点や変
曲点またはこれらの複合としてもよい。例えば、画素電
極の短辺を不連続とした場合を図６に示す。また、凹凸
マーク２０ｃにおいても、ゲート電極２ａとドレイン電
極７との重畳部上であって楕円の凹形状としたが、重畳
部上近傍であることが画素電極１１表面形状で認識でき
ればよく、任意の凹凸形状または複数の凹凸形状のあつ
まりとしてもよい。さらに、画素電極１１をＡｌからな
る構成としたが、画素電極１１はドレイン電極７と電気
的に接合し高反射率の材料であれば何でもよく、例えば
Ａｌ合金としてＡｌＴｉ、ＡｌＴａ、ＡｌＷ、ＡｌＮ
ｄ、ＡｌＺｒ等、またはＡｇまたはＡｇ合金としてＡｇ
Ｃｕ、ＡｇＰｄＣｕ，ＡｇＴｉＣｕ等からなる材料とし
てもよい。さらに、アクティブ素子をＴＦＴからなる構
成としたが、ＭＩＭ等の非線形２端子素子としてもよい
ことは明らかである。

【００３２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、画素電極
１１の端辺部に第１の切り欠き部１１ｄならびに第２の
切り欠き部１１ｅを形成する、または第２の絶縁膜２０
に凹凸マーク２０ｃを形成することにより、製造工程を
増やすことなく、また、反射型液晶表示装置としての明
るさの調整を特に伴わずに、補修のためのレーザー照射
位置をアレイ基板の画素電極面方向から認識でき、もっ
て画素の不具合補修の成功率を向上させる液晶表示装置
およびその製造方法を得られるという有利な効果がもた
らされ産業的価値が大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における液晶表示装置お
よびその製造方法を一部透過で示した平面図

【図２】本発明の一実施の形態における液晶表示装置お
よびその製造方法を各工程において図３中および図４中
Ｃ-Ｄでの断面で示した断面図

【図３】本発明の一実施の形態における液晶表示装置お
よびその製造方法において図２（ａ）で示す工程での平
面図

【図４】本発明の一実施の形態における液晶表示装置お
よびその製造方法において図２（ｄ）で示す工程での平
面図

【図５】本発明の一実施の形態における液晶表示装置お
よびその製造方法において不具合補修の一例を一部透過
で示す平面図

【図６】本発明の他の実施の形態における液晶表示装置
およびその製造方法を示した平面図

【図７】従来の液晶表示装置およびその製造方法を各工
程において図８中Ａ-Ｂでの断面で示した断面図

【図８】従来の液晶表示装置およびその製造方法におい
て図７（ａ）および（ｅ）で示す工程での平面図

【図９】液晶表示装置での不具合の一例を示した平面図

【符号の説明】

１ 基板 ２ ゲート配線 ２ａ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ チャネル層 ５ コンタクト層 ６ ソース配線 ６ａ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 第１の膜 ８ａ 第１の凹凸 ８ｂ 第１のコンタクトホール ９ レジスト １０ 第２の膜 １０ａ 第２のコンタクトホール １１ 画素電極 １１ａ コンタクト部 １１ｂ 凹凸部 １１ｃ 凹凸マーク部 １１ｄ 第１の切り欠き部 １１ｅ 第２の切り欠き部 １２ 第１の絶縁膜 １２ａ 開口部 １３ 電極異常部 １４ レーザーカット部 １５ レーザー溶接部 ２０ 第２の絶縁膜 ２０ａ コンタクトホール ２０ｂ 凹凸表面 ２０ｃ 凹凸マーク ２１ フォトマスク基板 ２２ 遮光層 ２３ 照射光 ２４ 第１の透過部 ２５ 第２の透過部 ２６ 第３の透過部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅野 悟久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宇野 光宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA13 HA02 JA26 JA39 JA40 JB05 JB07 JB71 KA05 KA12 KA18 KB24 MA08 MA47 MA52 NA29 PA08 5C094 AA42 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB02 ED11 ED15 FB12 FB15 5F110 AA16 AA24 AA27 BB01 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK35 HL03 HL06 HL14 HM18 NN02 NN24 NN35

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２枚の基板間に挟持された液晶を有し、
   前記２枚の基板の一方の基板にアクティブ素子アレイを
   有し、前記アクティブ素子アレイは各々に画素電極を有
   し、前記画素電極を介して液晶を駆動し、前記液晶の駆
   動により画像を表示する液晶表示装置において、前記画
   素電極のゲート電極とドレイン電極との重畳部に被認識
   手段を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 被認識手段は、画素電極の形状が、ゲー
   ト電極とドレイン電極の重畳部から前記画素電極の各辺
   への概垂線と前記画素電極の各辺との交点の少なくとも
   ２箇所の近傍に画素電極の切り欠き部または突起部を有
   する形状である請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 被認識手段は、画素電極の形状が、ゲー
   ト電極とドレイン電極の重畳部の直上またはその近傍に
   凹凸を有する形状である請求項１記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 被認識手段は、重畳部の直上またはその
   近傍の凹凸が周囲の凹凸と形状が異なる請求項３記載の
   液晶表示装置。
5. 【請求項５】 画素電極がAl、Al合金、Ag、Ag合金のい
   づれかである、請求項１記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 ２枚の基板間に挟持された液晶を設け、
   前記２枚の基板の一方の基板にアクティブ素子アレイを
   設け、前記アクティブ素子アレイは各々に画素電極を設
   け、前記画素電極を介して液晶を駆動し、前記液晶の駆
   動により画像を表示する液晶表示装置の製造方法におい
   て、基板上にアクティブ素子をアレイ状に形成する工程
   と、全面に画素電極材料薄膜を形成する工程と、前記画
   素電極材料薄膜を、前記アクティブ素子を覆いゲート配
   線上およびソース配線上にまで一部伸延し、さらに前記
   アクティブ素子のゲート電極とドレイン電極との重畳部
   から各辺への概垂線と前記各辺との交点の少なくとも２
   箇所の近傍に切り欠き部または突起部を有する形状に形
   成し画素電極とする工程とを有することを特徴とする液
   晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 ２枚の基板間に挟持された液晶を設け、
   前記２枚の基板の一方の基板にアクティブ素子アレイを
   設け、前記アクティブ素子アレイは各々に画素電極を設
   け、前記画素電極を介して液晶を駆動し、前記液晶の駆
   動により画像を表示する液晶表示装置の製造方法におい
   て、基板上にアクティブ素子をアレイ状に形成する工程
   と、前記アクティブ素子のゲート電極とドレイン電極と
   の重畳部の直上またはその近傍に凹凸を設けた層間絶縁
   膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に画素電極を形
   成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の
   製造方法。
8. 【請求項８】 重畳部の直上またはその近傍の凹凸が周
   囲の凹凸と形状が異なる請求項７記載の液晶表示装置の
   製造方法。
9. 【請求項９】 画素電極材料薄膜がAl、Al合金、Ag、Ag
   合金のいづれかである請求項６記載の液晶表示装置の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 画素電極材料薄膜がAl、Al合金、Ag、
    Ag合金のいづれかである請求項７記載の液晶表示装置の
    製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１から５のいづれかに記載の液
    晶表示装置を備えた画像表示応用装置。