JP2002082270A - 光学装置 - Google Patents
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Abstract
る光学装置を提供する。 【解決手段】 レンズ素子13が形成された光学基板1
1と、レンズ素子に光学的に結合される光学素子16、
19が設けられ、光学基板11が実装される支持基板1
2とを含む光学装置10。光学基板にはフォトリソエッ
チング技術により形成された凸部14が設けられ、支持
基板には凸部を受け入れるべく適合しかつフォトリソエ
ッチング技術により形成される凹部17、18が設けら
れている。両基板11、12は、前記凸部および凹部の
係合により、それらの相対位置が規定されている。
Description
なレンズ素子と該レンズ素子に結合される光学素子とを
含む光学装置に関し、特に、前記レンズ素子を含むこれ
ら光学素子のアライメントを容易とする光学装置に関す
る。
ント方法に、例えば、Tanaka 氏等により、IEIC Trans.
Electron. E80-C 第107〜111頁(1997年)
で開示されているようなパッシブアライメント法があ
る。この従来方法では、光ファイバと光源であるレーザ
チップとの両者の位置決めのために、シリコンプラット
フォームと呼ばれる支持基板が用いられる。このシリコ
ンプラットフォームには、光ファイバを受け入れるV字
状のエッチング溝が形成され、レーザチップを受ける半
田パッドが形成される。これらエッチング溝および半田
パッドは、フォトリソエッチング技術を用いて形成され
ることから、試験光等を用いたいわゆるアクティブアラ
イメント法を適用することなく、前記支持基板上で、例
えば1μm〜6μmのビームスポット径のビームを取り
扱う両光学素子を、1〜2μmの許容誤差内で高精度に
位置決めることができる。
子を結合する場合、このレンズ素子が形成された光学基
板と前記支持基板との正確なアライメントが必要とな
る。レンズ素子のうち、Computer Generated Hologram
(以下、単に、CGH素子と称する。)のようなレンズ
素子は、半導体製造技術であるフォトリソ・エッチング
技術を用いて光学基板にエッチング処理を施すことよ
り、高精度で形成することができる。また、前記したエ
ッチングに用いるマスクの組み合わせにより、微小なC
GH素子に、光学レンズに見られるようなコリメート機
能あるいは集光機能およびプリズムに見られるような偏
向機能等の種々の光学特性を付与することができる。こ
のような微小なCGH素子を前記した支持基板上に位置
決められた光学素子に組み合わせる場合、このCGH素
子と支持基板上の光学素子との高精度での光学的結合を
実現するために、CGH素子が形成された光学基板と、
前記支持基板とを高精度で位置決めする必要がある。
は、前記したCGH素子のようなレンズ素子と、支持基
板に位置決められかつ前記レンズ素子に光学的に結合さ
れる光学素子とを含む光学装置であって光学的結合が比
較的容易かつ高精度で行い得る光学装置を提供すること
にある。
方の面にレンズ素子が形成された光学基板と、前記レン
ズ素子に光学的に結合される光学素子が設けられ、前記
光学基板が実装される支持基板とを含む光学装置であっ
て、前記光学基板は、その他方の面に、フォトリソエッ
チング技術により形成される凸部を備え、前記支持基板
は、前記凸部を受け入れるべく適合しかつフォトリソエ
ッチング技術により形成される凹部を備え、前記凸部お
よび凹部の係合により、前記両基板の相対位置が規定さ
れていることを特徴とする光学装置。
に結合される前記光学素子が設けられる前記支持基板
と、前記レンズ素子が形成された前記光学基板とは、フ
ォトリソエッチング技術を利用して形成される前記凸部
と前記凹部との係合により、相互に位置決められる。こ
のフォトリソエッチング技術によれば、相互に係合する
前記凸部および凹部を高精度で形成することが可能とな
ることから、パッシブアライメント法により、前記支持
基板上の前記光学素子と、前記光学基板に形成されたレ
ンズ素子とを、比較的容易かつ高精度で結合することが
可能となる。
なして形成することが望ましい。前記凸部は、前記光学
基板の前記他方の面から該面に直角に立ち上がり、円形
横断面形状を有する凸部とすることが望ましい。前記支
持基板に設けられる前記凹部は、前記レンズ素子に光学
的に結合される前記光学素子が配置される面上で前記光
学基板の前記凸部を受け入れるべく該光学基板の前記他
方の面に向けて伸長しかつ前記支持基板の端面に至るエ
ッチング溝で構成することができる。
つである光ファイバを収容するためのエッチング溝がフ
ォトリソエッチング技術を用いて形成された面を有する
結晶基板で構成することができる。この結晶基板からな
る支持基板の前記凹部は、前記結晶基板の前記エッチン
グ溝が形成された前記面に前記エッチング溝と平行に伸
長しかつ前記支持基板の端面に至るエッチング溝で構成
することができる。
ことができる。前記レンズ素子は、前記石英基板の一方
の面に形成される。前記凸部は、前記石英基板の他方の
面に塗布された感光性樹脂材料層の露光マスクを用いた
選択露光により硬化した部分を除く不要部分をエッチン
グ処理により除去して形成することができる。前記感光
性樹脂材料層は、UV硬化型エポキシ樹脂材料で構成す
ることができる。
することができる。前記レンズ素子は、前記シリコン基
板の一方の面に形成される。前記凸部は、前記シリコン
基板の他方の面に形成されるマスクを用いた選択エッチ
ング処理により前記マスクから露出した不要部分を除去
して形成することができる。
ような結晶基板で構成することができる。前記凹部は、
マスクおよび異方性エッチングガスを用いた前記結晶基
板への選択エッチング処理により形成されたV溝で構成
することができる。
該ポリマー基板上に塗布された感光性樹脂材料層とで構
成することができる。前記樹脂材料層には、露光マスク
を用いた選択露光により前記樹脂材料層の硬化した部分
を除く不要部分をエッチング処理により除去して形成さ
れた凹溝が前記凸部を受け入れるための前記凹部として
形成される。
として、光の回折現象を利用した回折光学素子であるC
GH素子の他、バルクレンズあるいは非球面レンズ等、
種々のレンズ素子を採用することができる。
イバの他、レーザダイオード或いはフォトダイオードの
ような発光器等、種々の光学素子を設けることができ
る。
について詳細に説明する。 〈具体例1〉図1は、本発明に係る光学装置の具体例1
を概略的に示す斜視図である。本発明に係る光学装置1
0は、レンズ素子が形成される光学基板11と、該光学
基板が組み付けられる支持基板12とを備える。
は、例えば500〜5000μm、より好ましくは10
00〜3000μmの厚さ寸法を有する。石英すなわち
光学基板11の一方の面11aには、図示の例では、レ
ンズ素子として、例えば50〜1000μm、より好ま
しくは100〜800μmの直径を有するCGH素子1
3が形成されている。また、光学基板11の他方の面1
1bには、一対の凸部14が設けられている。
ように、所望の回折光学特性に応じたマスクパターンを
計算機により求め、各マスクパターンを用いたフォトリ
ソグラフィ法により、光学基板11の一方の面11aに
エッチング処理を施すことにより、形成される。これに
より、例えば集光機能、コリメート機能あるいは偏向機
能等、所望の1または複数の光学機能を有するCGH素
子13を形成することができる。このCGH素子13の
ためのエッチング処理で、光学基板11の一方の面11
aに、CGH素子13との相対位置を特定するためのマ
ーキング15を形成することが望ましい。
れているように、半導体製造工程で用いられるフォトリ
ソエッチング技術により形成されることから、光学基板
11の面11a上の所望箇所に1μm以下の許容誤差内
で正確に形成することができる。
た凸部14は、例えばUV硬化型エポキシ樹脂のような
感光膜を用いて形成されている。すなわち、光学基板1
1の他方の面11bの全面に、UV硬化型エポキシ樹脂
材料のような感光性樹脂材料をほぼ均一塗布し、これに
より、例えば10〜500μm、より好ましくは50〜
200μmのほぼ均一な厚さ寸法を有する感光性樹脂材
料層を形成する。この樹脂材料層は、図示しない露光マ
スクを用いて選択露光を受ける。この露光により、前記
樹脂材料層の露光を受けた部分(14)が硬化する。露
光後、例えばウエットエッチング処理により、前記樹脂
材料層の前記した硬化部分(14)を除く不要部分が除
去され、これにより、例えば125μmの直径を有する
円柱状の凸部14が形成される。
に、露光マスクおよびエッチング処理を含むフォトリソ
エッチング技術を用いて形成され、しかも前記露光マス
クは、CGH素子13の形成時に形成されたマーキング
15を用いて位置決めされることから、凸部14は、C
GH素子13に関して、1μm以下の高い精度で、位置
決められ、形成される。
素子は、図1に示す例では、光ファイバ16であり、該
光ファイバを支持する支持基板12は、例えば従来よく
知られてたシリコン結晶基板からなる。支持基板12の
上面12aには、CGH素子13に光学的に結合される
光ファイバ16を保持するためのV字溝17が形成され
ている。V字溝17は、従来よく知られているように、
フォトリソエッチング技術を利用して形成することによ
り、面12a上に高精度で形成することができる。特
に、支持基板12が前記した結晶基板から成るとき、エ
ッチング処理として、結晶性を利用した異方性エッチン
グ処理を行うことにより、特定の格子面により、一層正
確なV字溝を形成することが可能となる。
バ16のためのV字溝17に加えて、光学基板11の対
応する凸部14を受けるための一対のエッチング溝18
が形成されている。一対のエッチング溝18は、V字溝
17と平行に伸び、支持基板12の両端面12bおよび
12cに達する。一対のエッチング溝18は、V字溝1
7の形成のためのフォトリソエッチング処理で、単一の
レジストマスクを用いて形成することができ、これによ
り各エッチング溝18は、V字溝17に関して高精度
で、位置決められ、形成される。
板11の他方の面11bが当接するように、両基板11
および12が組み立てられるとき、支持基板12の一対
のエッチング溝18は、支持基板12の端面12bに開
放する端部近傍で、対応する各凸部14の下縁部を受け
入れる。
らなる凹部18との係合により、光学基板11と支持基
板12との位置決めがなされ、必要に応じて光学基板1
1と12が固定的に結合される。
は、凸部14がCGH素子13に関して高精度で形成さ
れ、また凹部18が光ファイバ16を受け入れるV字溝
17すなわち光ファイバ16に関して高精度で形成され
ていることから、凸部14および凹部18との係合によ
り、レンズ素子であるCGH素子13と、これに光学的
に結合される光学素子である光ファイバ16との高精度
での光軸合わせが実際の光を用いることなく可能とな
る。
ライメント法を適用することなく、単に凸部14および
凹部18を係合させることにより、図1に示すようなx
軸、y軸およびz軸方向の誤差が1μm以下の精度で、
しかも光軸の傾きのずれが約0.19度以下という実質
的にずれを無視し得る角度の誤差範囲内で、CGH素子
13と光ファイバ16との光軸合わせであるアライメン
トを行うことができ、両素子13および16を適切に結
合することが可能となる。
ば、アクティブアライメント法を適用することなく、迅
速かつ容易な光軸合わせのためのアライメントが可能と
なる。
光学基板11と異なる材料である前記したような感光性
樹脂材料で形成することに代えて、前記凸部を光学基板
材料自体でこれに一体に形成することができる。この光
学基板11から成る凸部は、光学基板11の他方の面1
1bにフォトリソエッチング技術を施すことにより、光
学基板11の面11bの凸部となるべき部分を除く不要
部分を除去することにより、形成することができる。し
かしながら、前記したとおり、光学基板11が石英から
成る場合、該石英の適正なエッチング処理が容易ではな
いことから、前記したような感光性樹脂材料層のフォト
リソエッチング技術により、凸部14を形成することが
好ましい。
成することができる。シリコン基板は、石英基板に比較
して、例えば塩素系あるいはフッ素系のエッチングガス
を用いるエッチング処理により、高精度での加工が容易
である。このことから、高精度の凸部14を光学基板1
1と一体に形成する上で、光学基板11にシリコン基板
を用いることが有利である。
子13に結合される光学素子が光ファイバ16の例を示
した。図2の具体例2は、この光学素子がレーザダイオ
ード19の例を示す。レーザダイオード19は、従来よ
く知られた半導体チップの形態で形成されており、図示
しない半田パッドを介してその発光面19aを光学基板
11のレンズ素子13bに向けるべく、支持基板12の
前記一方の端面12bに沿わせてその上面12a上に固
定されている。
田パッドは、従来よく知られているように、半導体製造
技術を利用して支持基板12の面12a上に、高精度で
形成することができる。また、光学基板11の凸部14
を受けるV字溝18は、前記半田パッドにおけると同様
に、フォトリソエッチング技術を利用して形成すること
により、面12a上に高精度で形成することができる。
ば、具体例1におけると同様に、単に凸部14および凹
部18を係合させることにより、CGH素子13とレー
ザダイオード19との光軸合わせであるアライメントを
行うことができ、両素子13および19を適切に結合す
ることが可能となる。
したが、これに代えて、例えばフォトダイオードのよう
な種々の発光器、フォトトランジスタのような受光器あ
るいはその他の光学素子を支持基板12上に配置するこ
とができる。
持基板12に保持される光ファイバ16を収容するため
のV字溝17が、光学基板11の一対の凸部14の一方
を受ける凹部として、併用されている。また、両凸部1
4は、頂角を下方に向けて形成された三角形の横断面形
状を有する。
素子13が形成された面11aと反対側の面11bの上
半部には、前記したと同様なUV硬化型エポキシ樹脂層
20が形成されている。前記エポキシ樹脂層20は、透
光性を示すことから、このエポキシ樹脂層20により、
レンズ素子13への光の透過が阻止されることはない。
と一体に凸部14が形成されている。一方の凸部14
は、支持基板12の上面12aに形成されたエッチング
溝18に適合すべく、該溝の断面形状に対応する三角の
横断面形状を有し、他方の凸部14は、光ファイバ16
の端面を支持基板12の一方の端面12bから間隔をお
いて受け入れるV字溝17の端部に適合すべく、その溝
17の断面形状に対応する三角の横断面形状を有する。
脂層20は、具体例1に沿って説明したと同様に、光学
基板11の他方の面11bの全面に、UV硬化型エポキ
シ樹脂材料をほぼ均一塗布した後、該エポキシ樹脂材料
に図示しない露光マスクを用いて選択露光を施し、この
選択露光により硬化した部分(14および20)を除く
不要部分を除去することにより、形成することができ
る。
フォトリソエッチング技術を用いて形成されることか
ら、レンズ素子13に関して、高精度で形成することが
できる。従って、両凸部14と、対応する凹部17およ
び18との係合により、具体例1および2に示したと同
様に、レンズ素子13と光ファイバ16との高精度での
アライメントが容易に行える。
部14の断面形状は、前記した三角形状に代えて、半円
横断面形状の他、凹部17および18に受け入れられる
種々の断面形状を採用することができる。
持基板12は、ポリエチレンテレフタレート(PET)
のようなポリマーから成る基板層21と、該基板層上に
形成された例えばUV硬化型エポキシ樹脂層22とから
成る。
21の上面21a上で、支持基板12の幅方向へ相互に
間隔をおいて該支持基板の一端12bから他方の端面1
2bへ向けて伸長する帯状部分22aからなり、各帯状
部分22a間で、光ファイバ16を受ける凹部17、対
応する凸部14を受けるそれぞれの凹部18が規定され
ている。
状部分22aは、基板層21の上面21aの全面に、U
V硬化型エポキシ樹脂材料をほぼ均一塗布した後、該エ
ポキシ樹脂材料に図示しない露光マスクを用いて選択露
光を施し、この選択露光により硬化した部分(22a)
を除く不要部分をエッチング処理で除去することによ
り、形成することができる。
は、基板層21の上面21aにより規定される底部17
a、18aと、該底部の両側縁から直角に立ち上がる一
対の側壁部17b、18bとで規定される全体にU字状
のエッチング溝が示されている。U字溝17の幅寸法
は、該溝に受け入れられる凸部14の下縁部を受け入れ
るに必要な幅寸法であれば、凸部14の直径よりも小さ
な値に設定することができ、同様に、U字溝18の幅寸
法は、これに受け入れられる光ファイバ16の外径(直
径)よりも小さな値に設定することができる。
は、V字形状等、適宜選択することができる。また、基
板層21は、ポリマーに代えて、種々の材料を適用する
ことができる。
のCGH素子が設けられた例について説明したが、この
CGH素子に代えて、バルクレンズあるいは非球面レン
ズ等の必要数のレンズ素子を光学基板11に形成するこ
とができ、またこの複数のレンズ素子に対応して支持基
板12に複数の光学素子を配置することができる。
H素子のようなレンズ素子が形成された光学基板と、前
記レンズ素子に光学的に結合される光学素子が高精度で
位置決められる支持基板とは、フォトリソエッチング技
術を用いてそれぞれに高精度に形成された凸部および凹
部の係合により、高精度で相互の位置決めがなされるこ
とから、前記レンズ素子と該レンズ素子に光学的に結合
される前記光学素子とを比較的容易かつ高精度で結合す
ることができる。
である。
である。
である。
である。
Claims (11)
- 【請求項1】 一方の面にレンズ素子が形成された光学
基板と、前記レンズ素子に光学的に結合される光学素子
が設けられ、前記光学基板が実装される支持基板とを含
む光学装置であって、前記光学基板は、その他方の面
に、フォトリソエッチング技術により形成される凸部を
備え、前記支持基板は、前記凸部を受け入れるべく適合
しかつフォトリソエッチング技術により形成される凹部
を備え、前記凸部および凹部の係合により、前記両基板
の相対位置が規定されていることを特徴とする光学装
置。 - 【請求項2】 前記凸部および前記凹部は、それぞれ対
をなして形成されている請求項1記載の光学装置。 - 【請求項3】 前記凸部は、前記光学基板の前記他方の
面から該面に直角に立ち上がり、円形横断面形状を有す
る請求項1記載の光学装置。 - 【請求項4】 前記支持基板は、前記レンズ素子に光学
的に結合される前記光学素子が配置される面を有し、前
記凹部は、前記光学素子が配置された前記面上で前記光
学基板の前記凸部を受け入れるべく該光学基板の前記他
方の面に向けて伸長しかつ前記支持基板の端面に至るエ
ッチング溝からなる請求項1記載の光学装置。 - 【請求項5】 前記支持基板は、前記光学素子の1つで
ある光ファイバを収容するためのエッチング溝がフォト
リソエッチング技術を用いて形成された面を有する結晶
基板からなり、前記凹部は、前記結晶基板の前記エッチ
ング溝が形成された前記面に前記エッチング溝と平行に
伸長しかつ前記支持基板の端面に至るエッチング溝から
なる請求項1記載の光学装置。 - 【請求項6】 前記光学基板は石英基板であり、前記レ
ンズ素子は、前記石英基板の一方の面に形成され、前記
凸部は、前記石英基板の他方の面に塗布された感光性樹
脂材料層の露光マスクを用いた選択露光により硬化した
部分を除く不要部分をエッチング処理により除去して形
成されている請求項1記載の光学装置。 - 【請求項7】 前記感光性樹脂材料層はUV硬化型エポ
キシ樹脂材料からなる請求項6記載の光学装置。 - 【請求項8】 前記光学基板はシリコン基板であり、前
記レンズ素子は、前記シリコン基板の一方の面に形成さ
れ、前記凸部は、前記シリコン基板の他方の面に形成さ
れるマスクを用いた選択エッチング処理により前記マス
クから露出した不要部分を除去して形成されている請求
項1記載の光学装置。 - 【請求項9】 前記支持基板は結晶基板からなり、前記
凹部はマスクおよび異方性エッチングガスを用いた前記
結晶基板への選択エッチング処理により形成されたV溝
からなる請求項1記載の光学装置。 - 【請求項10】 前記支持基板は、ポリマー基板と、該
ポリマー基板上に塗布された感光性樹脂材料層とから成
り、該樹脂材料層には、露光マスクを用いた選択露光に
より前記樹脂材料層の硬化した部分を除く不要部分をエ
ッチング処理により除去して形成された凹溝が、前記凸
部を受け入れるための前記凹部として、形成されている
請求項1記載の光学装置。 - 【請求項11】 前記レンズ素子はCGH素子である請
求項1記載の光学装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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