JP2002076402A - Thin film solar battery module - Google Patents
Thin film solar battery moduleInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜太陽電池モジュ
ールに関し、特にホットスポット現象を有効に抑制でき
る構造を有する薄膜太陽電池モジュールに関する。The present invention relates to a thin-film solar cell module, and more particularly to a thin-film solar cell module having a structure capable of effectively suppressing a hot spot phenomenon.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、薄膜太陽電池モジュールは、基
板上にストリング状にスクライブされた透明電極層、光
電変換半導体層および裏面電極層を順次積層することに
より形成された複数の太陽電池セルを、その短辺方向に
沿って互いに直列接続した構造を有している。このよう
な薄膜太陽電池モジュールは単独で使用されることは少
なく、通常、複数の薄膜太陽電池モジュールを直列また
は並列接続したモジュール列として使用される。2. Description of the Related Art In general, a thin-film solar cell module comprises a plurality of solar cells formed by sequentially laminating a transparent electrode layer, a photoelectric conversion semiconductor layer, and a back electrode layer scribed in a string on a substrate. It has a structure connected in series along the short side direction. Such thin film solar cell modules are rarely used alone, and are usually used as a module row in which a plurality of thin film solar cell modules are connected in series or in parallel.
【０００３】ところで、薄膜太陽電池モジュールにおい
て、ある太陽電池セルの受光面に木の葉や鳥の糞などが
付着すると、その太陽電池セルの光起電力が低下し、さ
らにモジュール全体の出力が大幅に低下する。これは、
光起電力が低下した太陽電池セルの抵抗値が極端に増加
するためである。このような特定のモジュールにおける
出力の低下は、モジュール列全体の出力に大きな影響を
及ぼす。In a thin-film solar cell module, when leaves or bird droppings adhere to the light-receiving surface of a certain solar cell, the photovoltaic power of the solar cell is reduced, and the output of the entire module is significantly reduced. I do. this is,
This is because the resistance value of the photovoltaic cell whose photovoltaic voltage has decreased extremely increases. Such a decrease in the output of a specific module has a large effect on the output of the entire module row.
【０００４】さらに、上記付着物によって、より深刻な
問題が生じることもある。すなわち、太陽電池モジュー
ルの両端で短絡が生じるなどの原因で、光起電力が低下
した太陽電池セルに逆方向耐圧以上の電圧が印加される
と、ホットスポット現象と呼ばれる局所的な加熱を生ず
る。特に大面積のモジュールでは出力電流が大きいた
め、ホットスポット現象により金属電極層が溶融し、最
終的にはそのセル自体が破壊されることがある。Further, the above-mentioned deposits may cause more serious problems. That is, when a voltage higher than the reverse breakdown voltage is applied to the photovoltaic cell whose photovoltaic voltage has decreased due to a short circuit at both ends of the photovoltaic module, local heating called a hot spot phenomenon occurs. In particular, since the output current is large in a module having a large area, the metal electrode layer may be melted by the hot spot phenomenon, and eventually the cell itself may be destroyed.
【０００５】従来、付着物に起因する出力の低下やホッ
トスポット現象を抑制するために、例えば薄膜太陽電池
モジュールごとにバイパスダイオードを設けるという対
策が知られている。また、本発明者らは、特願平１１−
２３８７０９号において、付着物に起因する出力の低下
やホットスポット現象の発生を完全に防ぐためには、１
枚の薄膜太陽電池モジュール当り複数個のバイパスダイ
オードを設ける必要があることを開示している。しか
し、このようにバイパスダイオードを設けることは、コ
スト上昇につながるという問題があった。Heretofore, in order to suppress a decrease in output and a hot spot phenomenon caused by deposits, for example, there has been known a measure of providing a bypass diode for each thin film solar cell module. The present inventors have also disclosed in Japanese Patent Application No.
In Japanese Patent No. 238709, in order to completely prevent a decrease in output and the occurrence of a hot spot phenomenon due to an attached matter, it is necessary to use 1
It discloses that it is necessary to provide a plurality of bypass diodes per thin film solar cell module. However, there is a problem that providing the bypass diode in this way leads to an increase in cost.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、付着
物に起因する出力の低下やホットスポット現象を抑制で
き、高い信頼性を有する安価な薄膜太陽電池モジュール
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an inexpensive thin-film solar cell module having high reliability, which can suppress a decrease in output and a hot spot phenomenon caused by deposits.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜太陽電池モ
ジュールは、基板上にそれぞれストリング状にスクライ
ブされた透明電極層、光電変換半導体層および裏面電極
層が形成され、前記透明電極層は第１のスクライブ線に
より分離され、前記光電変換半導体層に設けられた第２
のスクライブ線を通して前記裏面電極層と前記透明電極
層とが互いに接続され、前記光電変換半導体層および前
記裏面電極層は第３のスクライブ線により分離された構
造をなし、互いに直列に接続された複数段の太陽電池セ
ルを有する薄膜太陽電池モジュールであって、前記各太
陽電池セルにおける第１のスクライブ線側端部から第３
のスクライブ線を挟んで透明電極層と隣り合う太陽電池
セルの裏面電極層とを接続するための第２のスクライブ
線側端部までの範囲に位置する透明電極層の一部に、前
記第１ないし第３のスクライブ線に平行な部分的スクラ
イブ線が設けられていることを特徴とする。A thin-film solar cell module according to the present invention has a transparent electrode layer, a photoelectric conversion semiconductor layer, and a back electrode layer scribed in a string on a substrate. A second scribe line provided on the photoelectric conversion semiconductor layer.
The back electrode layer and the transparent electrode layer are connected to each other through a scribe line, and the photoelectric conversion semiconductor layer and the back electrode layer form a structure separated by a third scribe line, and are connected in series to each other. A thin-film solar cell module having a plurality of photovoltaic cells, wherein each of the photovoltaic cells has a third scribe line side end to a third end.
A part of the transparent electrode layer located in a range up to the second scribe line side end for connecting the transparent electrode layer and the back electrode layer of the adjacent solar cell with the scribe line interposed therebetween; Or a partial scribe line parallel to the third scribe line is provided.
【０００８】本発明の薄膜太陽電池モジュールにおいて
は、透明電極層に設けられる部分的スクライブ線が、各
太陽電池セルの長手方向の両端部で第３のスクライブ線
と重なるようにすることが好ましい。In the thin-film solar cell module according to the present invention, it is preferable that the partial scribe lines provided on the transparent electrode layer overlap the third scribe lines at both longitudinal ends of each solar cell.
【０００９】本発明において、各太陽電池セルの透明電
極層に設けられた部分的スクライブ線の長さは、前記各
太陽電池セルのストリング幅以上で２５０ｍｍ以下が好
ましく、さらに１５〜１００ｍｍの範囲にあることがよ
り好ましい。In the present invention, the length of the partial scribe line provided on the transparent electrode layer of each solar cell is preferably not less than the string width of each solar cell and not more than 250 mm, and more preferably from 15 to 100 mm. More preferably, there is.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】図１に本発明に係る薄膜太陽電池
モジュールの一例を示す。図１（Ａ）は本発明に係る薄
膜太陽電池モジュールのスクライブ線を模式的に示す平
面図である。なお、図１（Ａ）では薄膜太陽電池モジュ
ールの中央部を省略して長手方向の両端部を示してい
る。図１（Ｂ）は図１（Ａ）の１Ｂ−１Ｂ線に沿う断面
図である。FIG. 1 shows an example of a thin-film solar cell module according to the present invention. FIG. 1A is a plan view schematically showing a scribe line of the thin-film solar cell module according to the present invention. In FIG. 1A, the center part of the thin-film solar cell module is omitted and both ends in the longitudinal direction are shown. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line 1B-1B in FIG.
【００１１】図１の薄膜太陽電池モジュールは、ガラス
基板１上にそれぞれストリング状にスクライブされた透
明電極層２、光電変換半導体層３および裏面電極層４を
順次積層することにより形成された複数の太陽電池セル
１０を、その短辺方向に沿って互いに直列接続した構造
を有している。透明電極層２にはレーザー加工により第
１のスクライブ線２１が設けられ、透明電極層２は第１
のスクライブ線２１により分離されている。光電変換半
導体層３にはレーザー加工により第２のスクライブ線３
１が設けられ、この第２のスクライブ線３１を通して裏
面電極層４と透明電極層２とが互いに接続されている。
また、光電変換半導体層３および裏面電極層４にはレー
ザー加工により第３のスクライブ線４１が設けられ、光
電変換半導体層３および裏面電極層４は第３のスクライ
ブ線４１により分離されている。The thin-film solar cell module shown in FIG. 1 has a plurality of layers formed by sequentially laminating a transparent electrode layer 2, a photoelectric conversion semiconductor layer 3, and a back electrode layer 4 scribed in a string on a glass substrate 1. It has a structure in which solar cells 10 are connected in series along the short side direction. A first scribe line 21 is provided on the transparent electrode layer 2 by laser processing.
Are separated by scribe lines 21. The second scribe line 3 is formed on the photoelectric conversion semiconductor layer 3 by laser processing.
The back electrode layer 4 and the transparent electrode layer 2 are connected to each other through the second scribe line 31.
Further, a third scribe line 41 is provided on the photoelectric conversion semiconductor layer 3 and the back electrode layer 4 by laser processing, and the photoelectric conversion semiconductor layer 3 and the back electrode layer 4 are separated by the third scribe line 41.
【００１２】本発明の薄膜太陽電池モジュールの特徴的
な構成は、透明電極層２の一部に、第１ないし第３のス
クライブ線２１，３１，４１に平行な部分的スクライブ
線２２が設けられていることである。この部分的スクラ
イブ線２２は、各太陽電池セル１０における第１のスク
ライブ線２１の活性領域側の側端部Ｘから、第３のスク
ライブ線４１を挟んで、透明電極層２と隣り合う太陽電
池セル１０の裏面電極層４とを接続するための第２のス
クライブ線３１の活性領域側の側端部Ｙまでの範囲に位
置する透明電極層２の一部に設けられる。The characteristic configuration of the thin-film solar cell module of the present invention is that a partial scribe line 22 parallel to the first to third scribe lines 21, 31, 41 is provided on a part of the transparent electrode layer 2. That is. The partial scribe line 22 extends from the side end X of the active area side of the first scribe line 21 in each solar cell 10 to the solar cell adjacent to the transparent electrode layer 2 with the third scribe line 41 interposed therebetween. The second scribe line 31 for connecting the back electrode layer 4 of the cell 10 is provided on a part of the transparent electrode layer 2 located in a range up to a side end Y on the active region side of the second scribe line 31.
【００１３】本発明において、部分的スクライブ線２２
は、図のＸ（第１のスクライブ線２１の活性領域側の側
端部）からＹ（透明電極層２と隣り合う太陽電池セル１
０の裏面電極層４とを接続するための第２のスクライブ
線３１の活性領域側の側端部）までの範囲であれば透明
電極層２の任意の位置に設けることができる。図２に本
発明に係る薄膜太陽電池モジュールの他の例を示す。図
２（Ａ）は本発明に係る薄膜太陽電池モジュールのスク
ライブ線を模式的に示す平面図であり、図１（Ａ）と同
様に薄膜太陽電池モジュールの中央部を省略して長手方
向の両端部を示している。図２（Ｂ）は図２（Ａ）の２
Ｂ−２Ｂ線に沿う断面図である。In the present invention, the partial scribe line 22
Are from X (the end of the first scribe line 21 on the active region side) to Y (the solar cell 1 adjacent to the transparent electrode layer 2).
0 (the end of the second scribe line 31 on the active region side of the second scribe line 31 for connection with the back electrode layer 4) can be provided at any position on the transparent electrode layer 2. FIG. 2 shows another example of the thin-film solar cell module according to the present invention. FIG. 2A is a plan view schematically showing a scribe line of the thin-film solar cell module according to the present invention. Like FIG. 1A, the central part of the thin-film solar cell module is omitted and both ends in the longitudinal direction are omitted. Part is shown. FIG. 2B is a cross-sectional view of FIG.
It is sectional drawing which follows the B-2B line.
【００１４】図２の薄膜太陽電池モジュールは、透明電
極層２の一部に設けられる部分的スクライブ線２２が各
太陽電池セル１０の長手方向の両端部で第３のスクライ
ブ線４１と重なっていることを除いては、図１と同様の
構造を有する。なお、図２（Ａ）では、便宜上、第３の
スクライブ線４１と部分的スクライブ線２２とをずらし
て示しているが、実際には両者は重なっている。In the thin-film solar cell module shown in FIG. 2, the partial scribe lines 22 provided on a part of the transparent electrode layer 2 overlap the third scribe lines 41 at both ends in the longitudinal direction of each solar cell 10. Except for this, it has the same structure as that of FIG. Note that, in FIG. 2A, the third scribe line 41 and the partial scribe line 22 are shown shifted for convenience, but they are actually overlapped.
【００１５】ここで、図１の薄膜太陽電池モジュールを
製造する場合、透明電極層２にレーザー加工により第１
スクライブ線２１および部分的スクライブ線２２を順次
設ける工程が必要になる。一方、図２の薄膜太陽電池モ
ジュールを製造する場合、光電変換半導体層３および裏
面電極層４にレーザー加工により第３のスクライブ線４
１を設けるのと同じ工程で、透明電極層２に部分的スク
ライブ線２２を設けることができる。すなわち、第３の
スクライブ線４１を設けるためのレーザー加工時に、太
陽電池セル１０の長手方向の両端部においてレーザービ
ームのスポット間隔を短くする（言い換えれば、太陽電
池セル１０上でのレーザービームの移動速度を遅くす
る）ことにより、透明電極層２に加えられる熱エネルギ
ーを増大させることができるので、第３のスクライブ線
４１と同時に部分的スクライブ線２２を設けることがで
きる。したがって、図２の薄膜太陽電池モジュールの方
が、図１のものよりも製造工程の点で有利である。Here, in the case of manufacturing the thin-film solar cell module of FIG.
A step of sequentially providing the scribe line 21 and the partial scribe line 22 is required. On the other hand, when the thin-film solar cell module of FIG. 2 is manufactured, the third scribe line 4 is formed on the photoelectric conversion semiconductor layer 3 and the back electrode layer 4 by laser processing.
1 can be provided with the partial scribe lines 22 in the transparent electrode layer 2 in the same step. That is, at the time of laser processing for providing the third scribe line 41, the spot interval of the laser beam is shortened at both ends in the longitudinal direction of the solar cell 10 (in other words, the movement of the laser beam on the solar cell 10). By reducing the speed), the thermal energy applied to the transparent electrode layer 2 can be increased, so that the partial scribe lines 22 can be provided simultaneously with the third scribe lines 41. Therefore, the thin-film solar cell module of FIG. 2 is more advantageous in manufacturing steps than that of FIG.
【００１６】図１および図２のいずれの場合でも、透明
電極層２のうち部分的スクライブ線２２と第１スクライ
ブ線２１とで挟まれる幅の狭い方の領域は、いわゆるデ
ィシペーション(dissipation)領域である。すなわち、
透明電極層２のディシペーション領域を流れる電流に
は、部分的スクライブ線２２に沿ってストリング長手方
向に迂回して流れる成分が多くなる。In either case of FIGS. 1 and 2, the narrower area of the transparent electrode layer 2 sandwiched between the partial scribe line 22 and the first scribe line 21 is a so-called dissipation area. is there. That is,
In the current flowing through the dissipation region of the transparent electrode layer 2, a component that flows in the string longitudinal direction along the partial scribe line 22 increases.
【００１７】本発明者らは、上記のように透明電極層２
に部分的スクライブ線２２を設けた薄膜太陽電池モジュ
ールの出力特性を調べた。そして、１つの太陽電池セル
をｐｉｎ接合の光電変換半導体層により構成されるダイ
オードとシャント抵抗成分との並列接続で表し、この太
陽電池セルを複数の直列接続した等価回路に対応させて
シミュレーションを行った。その結果、透明電極層２に
部分的スクライブ線２２を設けることは、シャント抵抗
成分の低下をもたらすことを究明した。したがって、一
部の太陽電池セルの受光面に異物が付着して遮光された
場合でも、シャント抵抗成分の低下により、その太陽電
池セルの抵抗値がそれほど増加しないため、モジュール
全体の出力の低下を抑制できる。また、太陽電池セルの
受光面に異物が付着し、かつ太陽電池モジュールの両端
で短絡が生じた場合でも、シャント抵抗成分の低下によ
り、その太陽電池セルに逆方向耐圧以上の電圧が印加さ
れにくくなり、ホットスポット現象が抑制される。The present inventors have proposed that the transparent electrode layer 2
The output characteristics of a thin-film solar cell module provided with a partial scribe line 22 were examined. Then, one solar cell is represented by a parallel connection of a diode constituted by a pin junction photoelectric conversion semiconductor layer and a shunt resistance component, and a simulation is performed in such a manner that the solar cell corresponds to a plurality of equivalent circuits connected in series. Was. As a result, it has been found that the provision of the partial scribe line 22 in the transparent electrode layer 2 causes a reduction in the shunt resistance component. Therefore, even when foreign matter adheres to the light receiving surface of some of the solar cells and the light is blocked, the shunt resistance component decreases, and the resistance of the solar cells does not increase so much. Can be suppressed. In addition, even when foreign matter adheres to the light receiving surface of the solar cell and a short circuit occurs at both ends of the solar cell module, a voltage higher than the reverse breakdown voltage is less likely to be applied to the solar cell due to a decrease in the shunt resistance component. And the hot spot phenomenon is suppressed.
【００１８】もし、本発明の構成を採らず、部分的スク
ライブ線を設けずにホットスポット現象が発生した場
合、発生した段の太陽電池セルは破壊され、起電力を生
じない。その場合、モジュールの全段に対して破壊され
た段の割合で出力が低下するので、長期的にはモジュー
ル出力が著しく低下するおそれがある。If the hot spot phenomenon occurs without employing the configuration of the present invention and providing a partial scribe line, the solar cell at the stage where the hot spot phenomenon occurs is destroyed, and no electromotive force is generated. In that case, the output decreases at the ratio of the destroyed stage to all the stages of the module, so that the module output may significantly decrease in the long term.
【００１９】なお、付着物がない場合の太陽電池モジュ
ールの出力特性に関してはシャント抵抗成分が高い方が
好ましい。このため本発明の太陽電池モジュールでは付
着物がないときの出力特性はいくぶん低下するが、付着
物に起因する出力低下およびホットスポット現象の抑制
効果に対する寄与が大きい。In addition, as for the output characteristics of the solar cell module when there is no attached matter, it is preferable that the shunt resistance component is higher. For this reason, in the solar cell module of the present invention, the output characteristics when there is no attached matter are somewhat reduced, but the contribution to the effect of suppressing the output reduction and the hot spot phenomenon caused by the attached matter is large.
【００２０】本発明においては、各太陽電池セル１０の
透明電極層２に設けられる個々の部分的スクライブ線２
２の長さを適切に設定することが好ましい。具体的に
は、部分的スクライブ線２２の長さは、各太陽電池セル
１０のストリング幅以上で２５０ｍｍ以下が好ましく、
さらに１５〜１００ｍｍの範囲にあることがより好まし
い。部分的スクライブ線２２の長さが太陽電池セル１０
のストリング幅より短いと、ディシペーション領域には
部分的スクライブ線２２に沿ってストリング長手方向に
迂回しなくても電流が流れることができるので、部分的
スクライブ線２２を設けることによる効果がほとんど得
られない。一方、部分的スクライブ線２２の長さが長す
ぎると、部分的スクライブ線２２に沿ってストリング長
手方向に流れる電流により透明導電層２内に電位分布が
生じ、太陽電池モジュールの出力特性に悪影響を与え
る。In the present invention, individual partial scribe lines 2 provided on the transparent electrode layer 2 of each solar cell 10 are provided.
It is preferable to set the length of 2 appropriately. Specifically, the length of the partial scribe line 22 is preferably equal to or greater than the string width of each solar cell 10 and equal to or less than 250 mm,
More preferably, it is in the range of 15 to 100 mm. The length of the partial scribe line 22 is equal to
If the string width is shorter than the string width, current can flow in the dissipation area along the partial scribe line 22 without detouring in the longitudinal direction of the string, so that the effect obtained by providing the partial scribe line 22 is almost obtained. Absent. On the other hand, if the length of the partial scribe line 22 is too long, the current flowing in the longitudinal direction of the string along the partial scribe line 22 causes a potential distribution in the transparent conductive layer 2 and adversely affects the output characteristics of the solar cell module. give.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００２２】９１０ｍｍ×４５５ｍｍのガラス基板上
に、ストリング長さ８９０ｍｍ、ストリング幅９ｍｍ
で、透明電極層に図２に示したような部分スクライブ線
を設けた太陽電池セルを４８段形成した例について説明
する。On a 910 mm × 455 mm glass substrate, a string length of 890 mm and a string width of 9 mm
Next, an example in which forty-eight solar cells having a transparent electrode layer provided with partial scribe lines as shown in FIG. 2 are formed will be described.
【００２３】ＳｎＯ2からなる透明電極層２が形成され
た９１０ｍｍ×４５５ｍｍのガラス基板１を用意し、レ
ーザービームを照射して透明電極層２に第１のスクライ
ブ線２１を設けた。A 910 mm × 455 mm glass substrate 1 on which a transparent electrode layer 2 made of SnO 2 was formed was prepared, and the transparent electrode layer 2 was provided with a first scribe line 21 by irradiating a laser beam.
【００２４】次に、プラズマＣＶＤ法により、透明電極
層２上にｐ型アモルファスシリコン、ｉ型アモルファス
シリコンおよびｎ型アモルファスシリコンを製膜して光
電変換半導体層３を形成した。ガラス基板１側からレー
ザービームを照射して光電変換半導体層３に第２のスク
ライブ線３１を設けた。Next, p-type amorphous silicon, i-type amorphous silicon, and n-type amorphous silicon were formed on the transparent electrode layer 2 by a plasma CVD method to form the photoelectric conversion semiconductor layer 3. A second scribe line 31 was provided on the photoelectric conversion semiconductor layer 3 by irradiating a laser beam from the glass substrate 1 side.
【００２５】次いで、スパッタリングにより、光電変換
半導体層３上にＡｇからなる裏面電極層４を形成した。
ガラス基板１側からレーザービームを照射して光電変換
半導体層３および裏面電極層４に第３のスクライブ線４
１を設けた。また、この工程では、ストリング長手方向
の両端部において第３のスクライブ線４１を加工するた
めのレーザービームのスポット間隔を短くすることによ
り、第３のスクライブ線４１の下部にある透明電極層２
を３０ｍｍずつスクライブして部分的スクライブ線２２
を設けた。以上のようにして、図２に示すような薄膜太
陽電池モジュールを製造した。Next, the back electrode layer 4 made of Ag was formed on the photoelectric conversion semiconductor layer 3 by sputtering.
A third scribe line 4 is applied to the photoelectric conversion semiconductor layer 3 and the back electrode layer 4 by irradiating a laser beam from the glass substrate 1 side.
1 was provided. Further, in this step, the transparent electrode layer 2 below the third scribe line 41 is formed by shortening the spot interval of the laser beam for processing the third scribe line 41 at both ends in the longitudinal direction of the string.
Scribe lines 30mm by 30mm
Was provided. As described above, a thin-film solar cell module as shown in FIG. 2 was manufactured.
【００２６】得られた薄膜太陽電池モジュールについ
て、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で入射
して最大出力を測定した。実験は、付着物が存在しない
状態、および１つの段の太陽電池セルの全受光面に付着
物を付着させて遮光した状態でそれぞれ行った。その結
果、付着物が存在しない状態での最大出力は３５Ｗ、付
着物が存在する状態での最大出力は３４．５Ｗであり、
顕著な出力低下は認められなかった。さらに、モジュー
ルの両端を短絡して光を照射したが、遮光した段の太陽
電池セルのホットスポット現象は観察されず、破壊は生
じなかった。With respect to the obtained thin-film solar cell module, the maximum output was measured by injecting light of AM 1.5 at a light quantity of 100 mW / cm 2 . The experiment was performed in a state where there was no attached matter, and in a state where the attached matter was attached to all the light receiving surfaces of the solar cells in one stage and light was shielded. As a result, the maximum output in the state where there is no attached matter is 35 W, the maximum output in the state where the attached matter is present is 34.5 W,
No remarkable decrease in output was observed. Further, the light was irradiated by short-circuiting both ends of the module. However, no hot spot phenomenon was observed in the solar cell in the shaded stage, and no destruction occurred.
【００２７】一方、本発明の構成を採らず、部分スクラ
イブ線を設けずに同様のモジュールを作製して同様の実
験を行った。付着物が存在せず遮光しなかった場合の出
力は３５．３Ｗであったが、１つの段の太陽電池セルを
遮光した場合の出力は５Ｗまで下がった。また、１つの
段の太陽電池セルを遮光し、両端を短絡した状態で光を
照射した場合はホットスポット現象が発生し、遮光した
太陽電池セルが破壊した。On the other hand, a similar module was fabricated without the configuration of the present invention and without providing a partial scribe line, and a similar experiment was performed. The output in the case where there was no attached matter and the light was not shielded was 35.3 W, but the output in the case where one stage of the solar cell was shielded from light dropped to 5 W. In addition, when light was irradiated in a state where the solar cell in one stage was shielded from light and both ends were short-circuited, a hot spot phenomenon occurred, and the light-shielded solar cell was destroyed.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、透
明電極層に部分的スクライブ線を設けることにより、付
着物に起因する出力の低下やホットスポット現象を抑制
でき、高い信頼性を有する安価な薄膜太陽電池モジュー
ルを提供することができる。As described above in detail, according to the present invention, by providing a partial scribe line in the transparent electrode layer, it is possible to suppress a decrease in output and a hot spot phenomenon caused by the attached matter, and to achieve high reliability. An inexpensive thin-film solar cell module can be provided.
【図１】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を
示す平面図および断面図。FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view illustrating an example of a thin-film solar cell module according to the present invention.
【図２】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの他の例
を示す平面図および断面図。FIG. 2 is a plan view and a sectional view showing another example of the thin-film solar cell module according to the present invention.
１…ガラス基板 ２…透明電極層 ２１…第１のスクライブ線 ２２…部分的スクライブ線 ３…光電変換半導体層 ３１…第２のスクライブ線 ４…裏面電極層 ４１…第３のスクライブ線 １０…太陽電池セル REFERENCE SIGNS LIST 1 glass substrate 2 transparent electrode layer 21 first scribe line 22 partial scribe line 3 photoelectric conversion semiconductor layer 31 second scribe line 4 back electrode layer 41 third scribe line 10 sun Battery cell
Claims (4)
イブされた透明電極層、光電変換半導体層および裏面電
極層が形成され、前記透明電極層は第１のスクライブ線
により分離され、前記光電変換半導体層に設けられた第
２のスクライブ線を通して前記裏面電極層と前記透明電
極層とが互いに接続され、前記光電変換半導体層および
前記裏面電極層は第３のスクライブ線により分離された
構造をなし、互いに直列に接続された複数段の太陽電池
セルを有する薄膜太陽電池モジュールであって、前記各
太陽電池セルにおける第１のスクライブ線側端部から第
３のスクライブ線を挟んで透明電極層と隣り合う太陽電
池セルの裏面電極層とを接続するための第２のスクライ
ブ線側端部までの範囲に位置する透明電極層の一部に、
前記第１ないし第３のスクライブ線に平行な部分的スク
ライブ線が設けられていることを特徴とする薄膜太陽電
池モジュール。1. A transparent electrode layer, a photoelectric conversion semiconductor layer, and a back electrode layer, each of which is scribed in a string, are formed on a substrate, and the transparent electrode layers are separated by a first scribe line. The back electrode layer and the transparent electrode layer are connected to each other through a second scribe line provided in the semiconductor device, and the photoelectric conversion semiconductor layer and the back electrode layer form a structure separated by a third scribe line. A thin-film solar cell module having a plurality of solar cells connected in series, wherein each of the solar cells is adjacent to a transparent electrode layer across a third scribe line from a first scribe line side end. A part of the transparent electrode layer located in a range up to the second scribe line side end for connecting the back electrode layer of the solar cell,
A thin-film solar cell module, wherein a partial scribe line parallel to the first to third scribe lines is provided.
られた部分的スクライブ線は、前記各太陽電池セルの長
手方向の両端部で前記第３のスクライブ線と重なってい
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池モジ
ュール。2. A partial scribe line provided on a transparent electrode layer of each solar cell overlaps with the third scribe line at both ends in a longitudinal direction of each solar cell. The thin-film solar cell module according to claim 1.
られた部分的スクライブ線の長さは、前記各太陽電池セ
ルのストリング幅以上で２５０ｍｍ以下であることを特
徴とする請求項１または２に記載の薄膜太陽電池モジュ
ール。3. The length of the partial scribe line provided in the transparent electrode layer of each solar cell is not less than the string width of each solar cell and not more than 250 mm. 3. The thin-film solar cell module according to 2.
ライブ線の長さは、１５〜１００ｍｍの範囲にあること
を特徴とする請求項３に記載の薄膜太陽電池モジュー
ル。4. The thin-film solar cell module according to claim 3, wherein the length of the partial scribe line provided on the transparent electrode layer is in a range of 15 to 100 mm.
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