JP2001156306A - Method for recovering defect of thin film photoelectric conversion module and method for manufacturing thin film photoelectric conversion module - Google Patents
Method for recovering defect of thin film photoelectric conversion module and method for manufacturing thin film photoelectric conversion moduleInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜光電変換モジ
ュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製
造方法に係り、特には、透明前面電極層と金属裏面電極
層との間の短絡を絶縁する薄膜光電変換モジュールの欠
陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for repairing a defect in a thin-film photoelectric conversion module and a method for manufacturing a thin-film photoelectric conversion module, and more particularly to insulating a short circuit between a transparent front electrode layer and a metal back electrode layer. The present invention relates to a method for repairing a defect in a thin-film photoelectric conversion module and a method for manufacturing a thin-film photoelectric conversion module.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、薄膜光電変換モジュールは、複
数の薄膜光電変換セルを基板上で相互に直列接続した構
造を有している。それぞれの薄膜光電変換セルは、例え
ば、透明基板上への前面透明電極層、薄膜光電変換ユニ
ット、及び金属裏面電極層の成膜とパターニングとを順
次行うことにより形成される。2. Description of the Related Art Generally, a thin-film photoelectric conversion module has a structure in which a plurality of thin-film photoelectric conversion cells are connected in series on a substrate. Each thin-film photoelectric conversion cell is formed, for example, by sequentially forming and patterning a front transparent electrode layer, a thin-film photoelectric conversion unit, and a metal back electrode layer on a transparent substrate.
【０００３】ところで、薄膜光電変換ユニットの成膜、
特に大面積の薄膜光電変換ユニットの成膜においては、
ピンホールの発生を避けることはできない。このピンホ
ールは、その後の金属裏面電極層の成膜の際に金属材料
で埋め込まれるため、透明前面電極層と金属裏面電極層
との短絡を生じさせる。すなわち、多くの場合、形成直
後の薄膜光電変換セルはそれぞれ短絡欠陥部を有してい
る。[0003] By the way, film formation of a thin film photoelectric conversion unit,
In particular, when forming a large-area thin film photoelectric conversion unit,
The occurrence of pinholes cannot be avoided. Since this pinhole is filled with a metal material when the metal back electrode layer is formed later, a short circuit occurs between the transparent front electrode layer and the metal back electrode layer. That is, in many cases, the thin film photoelectric conversion cells immediately after formation each have a short-circuit defect.
【０００４】このような短絡部を放置した場合、当然の
如く、期待されるほどのモジュール出力を得ることはで
きない。そこで、薄膜光電変換モジュールの製造プロセ
スにおいては、一般に、薄膜光電変換セルを形成した後
に、上記短絡部を絶縁する欠陥修復工程が実施されてい
る。なお、ここでいう「絶縁する」とは、短絡部の抵抗
値を、要求される電気特性を得るのに充分な値にまで高
めることを言う。When such a short-circuit portion is left unattended, the expected module output cannot be obtained as a matter of course. Therefore, in the manufacturing process of the thin-film photoelectric conversion module, a defect repairing step of insulating the short-circuit portion is generally performed after forming the thin-film photoelectric conversion cell. Here, "insulating" means increasing the resistance value of the short-circuit portion to a value sufficient to obtain the required electrical characteristics.
【０００５】上述した欠陥を修復する方法としては、例
えば、逆バイアス処理が知られている。この逆バイアス
処理は、短絡部を有する薄膜光電変換セルに、その発電
方向と同方向に電圧を印加すること（薄膜光電変換セル
をダイオードとして考えた場合には逆方向に電圧を印加
すること）により行われる。このような逆バイアス電圧
を印加すると、ｐｉｎ接合等を有する薄膜光電変換セル
では、電流が短絡部に集中して、局所的な発熱を生ず
る。その結果、ピンホールを埋め込む金属が酸化或いは
溶融除去されて、ピンホールの位置で透明前面電極層と
金属裏面電極層とが絶縁される。As a method of repairing the above-mentioned defect, for example, a reverse bias process is known. In the reverse bias processing, a voltage is applied to the thin-film photoelectric conversion cell having a short-circuit portion in the same direction as the power generation direction (when a thin-film photoelectric conversion cell is considered as a diode, a voltage is applied in the opposite direction). It is performed by When such a reverse bias voltage is applied, in a thin-film photoelectric conversion cell having a pin junction or the like, current concentrates on a short-circuit portion, and local heat generation occurs. As a result, the metal filling the pinhole is oxidized or melted away, and the transparent front electrode layer and the metal back electrode layer are insulated at the position of the pinhole.
【０００６】この逆バイアス処理は、上記の通り、特定
の薄膜光電変換セルに対して、金属裏面電極層と透明前
面電極層との間に逆バイアス電圧を印加することにより
行われるが、透明前面電極層は薄膜光電変換ユニットと
金属裏面電極層とに覆われているため、電圧を直接印加
することはできない。そこで、上記逆バイアス処理は、
従来から、隣り合う一対のセルの金属裏面電極層にそれ
ぞれプローブを接触させることにより行われている。す
なわち、隣り合う一対のセルの一方の透明前面電極層と
他方のセルの金属裏面電極層とが電気的に接続されてい
ることを利用して、それらセルの一方の透明前面電極層
と金属裏面電極層との間への逆バイアス電圧の印加が行
われているのである。As described above, this reverse bias treatment is performed by applying a reverse bias voltage between a metal back electrode layer and a transparent front electrode layer to a specific thin film photoelectric conversion cell. Since the electrode layer is covered with the thin-film photoelectric conversion unit and the metal back electrode layer, a voltage cannot be directly applied. Therefore, the reverse bias processing is
Conventionally, this is performed by bringing probes into contact with metal back electrode layers of a pair of adjacent cells. That is, utilizing the fact that one transparent front electrode layer of a pair of adjacent cells and the metal back electrode layer of the other cell are electrically connected, one transparent front electrode layer of the cells and the metal back electrode The application of the reverse bias voltage to the electrode layer is performed.
【０００７】しかしながら、このような方法で全てのセ
ルについて逆バイアス処理を行うには、プローブを昇降
させる機構やモジュールを水平移動させる機構などが必
要である。また、この方法では、セルに均一に電圧を印
加することが困難であり、しかもプローブとの接触によ
り金属裏面電極層が傷つくことがある。However, in order to perform the reverse bias processing on all cells by such a method, a mechanism for moving the probe up and down and a mechanism for moving the module horizontally are required. Further, in this method, it is difficult to uniformly apply a voltage to the cell, and the metal back electrode layer may be damaged by contact with the probe.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、モジュール出力が十分に
向上された薄膜光電変換モジュールを製造することを可
能とする薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄
膜光電変換モジュールの製造方法を提供することを目的
とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the above problems, and is intended to provide a thin-film photoelectric conversion module capable of manufacturing a thin-film photoelectric conversion module with sufficiently improved module output. An object of the present invention is to provide a defect repair method and a method for manufacturing a thin-film photoelectric conversion module.
【０００９】また、本発明は、複雑な搬送機構等を必要
とすることなく短絡部を絶縁処理することが可能な薄膜
光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モ
ジュールの製造方法を提供することを目的とする。Another object of the present invention is to provide a method for repairing a defect in a thin-film photoelectric conversion module and a method for manufacturing a thin-film photoelectric conversion module capable of insulating a short-circuited portion without requiring a complicated transport mechanism or the like. With the goal.
【００１０】さらに、本発明は、逆バイアス処理の際に
セルに均一に電圧を印加することが可能な薄膜光電変換
モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュール
の製造方法を提供することを目的とする。Another object of the present invention is to provide a method for repairing a defect in a thin-film photoelectric conversion module and a method for manufacturing a thin-film photoelectric conversion module, which can uniformly apply a voltage to a cell during a reverse bias treatment. I do.
【００１１】また、本発明は、電極層を傷つけることな
く短絡部を絶縁処理することが可能な薄膜光電変換モジ
ュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製
造方法を提供することを目的とする。It is another object of the present invention to provide a method for repairing a defect in a thin film photoelectric conversion module and a method for manufacturing a thin film photoelectric conversion module, which can insulate a short-circuit portion without damaging an electrode layer.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、直列アレイを短絡さ
せた状態で複数の薄膜光電変換セルの１つを遮光し且つ
他の薄膜光電変換セルに光照射を行えば、遮光した薄膜
光電変換セルに対して選択的に逆バイアス電圧を印加す
ることができ、短絡部の絶縁処理が可能となることを見
出した。Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that one of a plurality of thin film photoelectric conversion cells is shielded from light and the other is shielded while the serial array is short-circuited. By irradiating light to the thin-film photoelectric conversion cells, it has been found that a reverse bias voltage can be selectively applied to the light-shielded thin-film photoelectric conversion cells, and insulation of a short-circuit portion can be performed.
【００１３】すなわち、本発明によると、基板上に第１
の電極層、薄膜光電変換ユニット、及び第２の電極層を
順次積層した構造をそれぞれ有する複数の薄膜光電変換
セルを相互に直列接続してなる直列アレイを具備する薄
膜光電変換モジュールの欠陥修復方法であって、前記直
列アレイを短絡させた状態で前記複数の薄膜光電変換セ
ルの１つに対して選択的に逆バイアス電圧が印加される
ように前記直列アレイに光を照射することにより前記複
数の薄膜光電変換セルの１つに形成された短絡部を絶縁
する工程を含むことを特徴とする薄膜光電変換モジュー
ルの欠陥修復方法が提供される。That is, according to the present invention, the first
For repairing a thin-film photoelectric conversion module having a serial array in which a plurality of thin-film photoelectric conversion cells each having a structure in which an electrode layer, a thin-film photoelectric conversion unit, and a second electrode layer are sequentially stacked are connected in series Irradiating the serial array with light so that a reverse bias voltage is selectively applied to one of the plurality of thin film photoelectric conversion cells in a state where the serial array is short-circuited. A process for insulating a short-circuit portion formed in one of the thin-film photoelectric conversion cells.
【００１４】また、本発明によると、基板上に第１の電
極層、薄膜光電変換ユニット、及び第２の電極層を順次
積層した構造をそれぞれ有する複数の薄膜光電変換セル
を相互に直列接続してなる直列アレイを形成する工程
と、前記直列アレイを短絡させた状態で前記複数の薄膜
光電変換セルの１つに対して選択的に逆バイアス電圧が
印加されるように前記直列アレイに光を照射することに
より前記複数の薄膜光電変換セルの１つに形成された短
絡部を絶縁する工程とを含むことを特徴とする薄膜光電
変換モジュールの製造方法が提供される。According to the present invention, a plurality of thin-film photoelectric conversion cells each having a structure in which a first electrode layer, a thin-film photoelectric conversion unit, and a second electrode layer are sequentially stacked on a substrate are connected to each other in series. Forming a serial array comprising: applying light to the serial array such that a reverse bias voltage is selectively applied to one of the plurality of thin film photoelectric conversion cells in a state where the serial array is short-circuited. Irradiating a short-circuit portion formed in one of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells by irradiating the thin-film photoelectric conversion cell.
【００１５】本発明において、各薄膜光電変換セルが１
つの薄膜光電変換ユニットを含む場合、通常、上記短絡
部を絶縁する工程は、直列アレイを短絡させた状態で複
数の薄膜光電変換セルの１つを遮光し且つ複数の薄膜光
電変換セルの残りに光を照射することにより遮光された
薄膜光電変換セルに対して選択的に逆バイアス電圧を印
加することを含む。In the present invention, each thin film photoelectric conversion cell has one
When two thin-film photoelectric conversion units are included, the step of insulating the short-circuit portion usually includes shielding one of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells from light in a state where the serial array is short-circuited, and providing the remaining of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells. The method includes selectively applying a reverse bias voltage to the thin-film photoelectric conversion cells that are shielded by light irradiation.
【００１６】本発明において、上記短絡部を絶縁する工
程は、直列アレイと負荷とを直列接続してなる直列構造
を形成し、この直列構造を短絡させた状態で行うことが
好ましい。この場合、短絡部の絶縁処理が行われるセル
に過剰な電圧が印加されるのを防止することができる。In the present invention, the step of insulating the short-circuit portion is preferably performed in a state where a series structure in which a series array and a load are connected in series is formed, and the series structure is short-circuited. In this case, it is possible to prevent an excessive voltage from being applied to the cell in which the insulation processing of the short-circuit portion is performed.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
しながらより詳細に説明する。なお、各図において同様
の部材には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. In each of the drawings, similar members are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
【００１８】図１は、本発明の一実施形態に係る欠陥修
復工程を実施する前の薄膜光電変換モジュールを概略的
に示す断面図である。図１に示す薄膜光電変換モジュー
ル１は、透明基板２上に複数の薄膜光電変換セル１０を
集積した構造を有している。これら薄膜光電変換セル１
０は紙面に垂直な方向に長い短冊状の形状を有してお
り、互いに直列接続されて直列アレイを構成している。
また、それぞれの薄膜光電変換セル１０は、透明基板２
上に、透明前面電極層３、薄膜光電変換ユニット４、及
び金属裏面電極層５を順次積層した構造を有している。
すなわち、このモジュール１は、透明基板２側から入射
する光を光電変換ユニット４により光電変換するもので
ある。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a thin-film photoelectric conversion module before a defect repairing step according to an embodiment of the present invention is performed. The thin-film photoelectric conversion module 1 shown in FIG. 1 has a structure in which a plurality of thin-film photoelectric conversion cells 10 are integrated on a transparent substrate 2. These thin-film photoelectric conversion cells 1
Numeral 0 has a strip-like shape elongated in a direction perpendicular to the paper surface, and is connected in series with each other to form a serial array.
In addition, each thin-film photoelectric conversion cell 10 has a transparent substrate 2
It has a structure in which a transparent front electrode layer 3, a thin-film photoelectric conversion unit 4, and a metal back electrode layer 5 are sequentially laminated thereon.
That is, the module 1 photoelectrically converts light incident from the transparent substrate 2 side by the photoelectric conversion unit 4.
【００１９】図１に示すモジュール１は、例えば以下に
示す方法により製造することができる。まず、透明基板
２の一方の主面上に、透明前面電極層３を大面積の薄膜
として形成する。透明基板２は、ガラス板や透明樹脂フ
ィルム等により構成することができる。また、透明前面
電極層３は、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ2膜、或いはＺｎＯ膜の
ような透明導電性酸化物層等で構成することができる。
透明前面電極層３は単層構造でも多層構造であってもよ
い。透明前面電極層３は、蒸着法、ＣＶＤ法、或いはス
パッタリング法等それ自体既知の気相堆積法を用いて形
成することができる。The module 1 shown in FIG. 1 can be manufactured, for example, by the following method. First, the transparent front electrode layer 3 is formed as a large-area thin film on one main surface of the transparent substrate 2. The transparent substrate 2 can be composed of a glass plate, a transparent resin film, or the like. Further, the transparent front electrode layer 3 can be composed of a transparent conductive oxide layer such as an ITO film, a SnO 2 film, or a ZnO film.
The transparent front electrode layer 3 may have a single-layer structure or a multilayer structure. The transparent front electrode layer 3 can be formed by a known vapor deposition method such as a vapor deposition method, a CVD method, or a sputtering method.
【００２０】透明前面電極層３の表面には、微細な凹凸
を含む表面テクスチャ構造を形成することが好ましい。
透明前面電極層３の表面にこのようなテクスチャ構造を
形成することにより、光電変換ユニット４への光の入射
効率を向上させることができる。表面テクスチャ構造を
形成する方法に特に制限はなく、公知の様々な方法を用
いることができる。It is preferable to form a surface texture structure including fine irregularities on the surface of the transparent front electrode layer 3.
By forming such a texture structure on the surface of the transparent front electrode layer 3, the efficiency of light incidence on the photoelectric conversion unit 4 can be improved. The method for forming the surface texture structure is not particularly limited, and various known methods can be used.
【００２１】次に、大面積の薄膜として形成した透明前
面電極層３にＹＡＧレーザ等を用いたレーザスクライブ
により溝部６を形成して、透明前面電極層３を各セル１
０に対応して分割する。なお、上述したように、セル１
０はそれぞれ短冊状の形状を有しており、その短軸方向
（図１においては水平方向）に集積されている。Next, a groove 6 is formed in the transparent front electrode layer 3 formed as a large-area thin film by laser scribing using a YAG laser or the like, and the transparent front electrode layer 3 is
Divide according to 0. As described above, the cell 1
Numerals 0 each have a strip shape and are integrated in the short axis direction (the horizontal direction in FIG. 1).
【００２２】次に、透明前面電極層３上に薄膜光電変換
ユニット４を形成する。薄膜光電変換ユニット４は、例
えば、透明前面電極層３上にｐ型非単結晶シリコン系半
導体層、非単結晶シリコン系薄膜光電変換層、及びｎ型
非単結晶シリコン系半導体層を順次積層した構造を有す
る。これらｐ型半導体層、光電変換層およびｎ型半導体
層はいずれもプラズマＣＶＤ法により形成することがで
きる。Next, a thin-film photoelectric conversion unit 4 is formed on the transparent front electrode layer 3. The thin-film photoelectric conversion unit 4 has, for example, a p-type non-single-crystal silicon-based semiconductor layer, a non-single-crystal silicon-based thin-film photoelectric conversion layer, and an n-type non-single-crystal silicon-based semiconductor layer sequentially stacked on the transparent front electrode layer 3. Having a structure. These p-type semiconductor layers, photoelectric conversion layers, and n-type semiconductor layers can all be formed by a plasma CVD method.
【００２３】ｐ型シリコン系半導体層は、シリコンまた
はシリコンカーバイドやシリコンゲルマニウム等のシリ
コン合金に、ボロンやアルミニウム等のｐ導電型決定不
純物原子をドープすることにより形成することができ
る。The p-type silicon-based semiconductor layer can be formed by doping silicon or a silicon alloy such as silicon carbide or silicon germanium with a p-conductivity determining impurity atom such as boron or aluminum.
【００２４】ｐ型半導体層上に形成される光電変換層
は、非単結晶シリコン系半導体材料で形成することがで
き、そのような材料としては、真性半導体のシリコン
（水素化シリコン等）やシリコンカーバイド及びシリコ
ンゲルマニウム等のシリコン合金等を挙げることができ
る。また、光電変換機能を十分に備えていれば、微量の
導電型決定不純物を含む弱ｐ型もしくは弱ｎ型のシリコ
ン系半導体材料も用いられ得る。The photoelectric conversion layer formed on the p-type semiconductor layer can be formed of a non-single-crystal silicon-based semiconductor material, such as an intrinsic semiconductor such as silicon (silicon hydride) or silicon. Examples thereof include carbide and silicon alloys such as silicon germanium. If the photoelectric conversion function is sufficiently provided, a weak p-type or weak n-type silicon-based semiconductor material containing a trace amount of impurities for determining conductivity type can also be used.
【００２５】光電変換層上に形成されるｎ型シリコン系
半導体層は、シリコンまたはシリコンカーバイドやシリ
コンゲルマニウム等のシリコン合金に、燐や窒素等のｎ
導電型決定不純物原子をドープすることにより形成する
ことができる。The n-type silicon-based semiconductor layer formed on the photoelectric conversion layer is made of silicon or a silicon alloy such as silicon carbide or silicon germanium, or n-type silicon or the like such as phosphorus or nitrogen.
It can be formed by doping a conductivity type determining impurity atom.
【００２６】上述した薄膜光電変換ユニット４の形成に
伴い、透明前面電極層３に形成した溝部６は薄膜光電変
換ユニット４を構成する材料で埋め込まれる。なお、上
述した薄膜光電変換ユニット４には不可避的にピンホー
ル９が形成される。例えば、一般的なサイズのモジュー
ル１では、通常、各セル１０に少なくとも１つのピンホ
ール９が形成される。With the formation of the thin film photoelectric conversion unit 4 described above, the groove 6 formed in the transparent front electrode layer 3 is filled with the material constituting the thin film photoelectric conversion unit 4. Note that a pinhole 9 is inevitably formed in the thin-film photoelectric conversion unit 4 described above. For example, in a module 1 of a general size, at least one pinhole 9 is usually formed in each cell 10.
【００２７】以上のようにして薄膜光電変換ユニット４
を形成した後、ＹＡＧレーザ等を用いたレーザスクライ
ブにより光電変換ユニット４に溝部７を形成する。溝部
７は、あるセル１０の透明前面電極層３とそれに隣り合
うセル１０の裏面金属電極層５とを電気的に接続するた
めに設けられる。As described above, the thin-film photoelectric conversion unit 4
Is formed, a groove 7 is formed in the photoelectric conversion unit 4 by laser scribing using a YAG laser or the like. The groove 7 is provided for electrically connecting the transparent front electrode layer 3 of a certain cell 10 and the rear metal electrode layer 5 of a cell 10 adjacent thereto.
【００２８】次に、光電変換ユニット４上に金属裏面電
極層５を形成する。この金属裏面電極層５は電極として
の機能を有するだけでなく、透明基板２から光電変換ユ
ニット４に入射し裏面電極層５に到達した光を反射して
光電変換ユニット４内に再入射させる反射層としての機
能も有している。金属裏面電極層５は、銀やアルミニウ
ム等を用いて、蒸着法やスパッタリング法等により、例
えば２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の厚さに形成すること
ができる。また、金属裏面電極層５と光電変換ユニット
４との間には、例えば両者の間の接着性を向上させるた
めに、ＺｎＯのような非金属材料からなる透明導電性薄
膜（図示せず）を設けることができる。Next, a metal back electrode layer 5 is formed on the photoelectric conversion unit 4. The metal back electrode layer 5 not only has a function as an electrode, but also reflects light that enters the photoelectric conversion unit 4 from the transparent substrate 2 and reaches the back electrode layer 5 to re-enter the photoelectric conversion unit 4. It also has a function as a layer. The metal back electrode layer 5 can be formed to a thickness of, for example, about 200 nm to 400 nm using silver, aluminum, or the like by an evaporation method, a sputtering method, or the like. In addition, a transparent conductive thin film (not shown) made of a non-metallic material such as ZnO is provided between the metal back electrode layer 5 and the photoelectric conversion unit 4, for example, in order to improve the adhesiveness between the two. Can be provided.
【００２９】上述した金属裏面電極層５の形成に伴い、
光電変換ユニット４に形成した溝部７は金属材料で埋め
込まれ、溝部７の位置で金属裏面電極層５と透明前面電
極層３とが電気的に接続される。また、それとともに、
ピンホール９が金属材料で埋め込まれ、ピンホール９の
位置でも金属裏面電極層５と透明前面電極層３とが電気
的に接続される。With the formation of the metal back electrode layer 5 described above,
The groove 7 formed in the photoelectric conversion unit 4 is filled with a metal material, and the metal back electrode layer 5 and the transparent front electrode layer 3 are electrically connected at the position of the groove 7. Also, with it,
The pinhole 9 is filled with a metal material, and the metal back electrode layer 5 and the transparent front electrode layer 3 are electrically connected even at the position of the pinhole 9.
【００３０】次に、ＹＡＧレーザ等を用いたレーザスク
ライブにより金属裏面電極層５に溝部８を形成して、各
セル１０間で金属裏面電極層５を電気的に絶縁する。さ
らに、ＹＡＧレーザ等を用いたレーザスクライブにより
発電領域を確定し、セル１０が形成する列の両端部に一
対の電極バスバー（図示せず）を設けることにより、図
１に示す構造を得る。Next, grooves 8 are formed in the metal back electrode layer 5 by laser scribing using a YAG laser or the like, and the metal back electrode layer 5 is electrically insulated between the cells 10. Further, the power generation area is determined by laser scribing using a YAG laser or the like, and a pair of electrode bus bars (not shown) are provided at both ends of the row formed by the cells 10 to obtain the structure shown in FIG.
【００３１】上述した方法により得られたモジュール１
には、図１に示すように、単一のセル１０内においてピ
ンホール９の位置で透明前面電極層３と金属裏面電極層
とが短絡されている。このような短絡を放置した場合、
上記の通り、期待されるほどのモジュール出力を得るこ
とはできない。そこで、本実施形態に係る薄膜光電変換
モジュール１の製造プロセスにおいては、薄膜光電変換
セル１０を形成した後に、以下に説明する欠陥修復工程
が実施される。Module 1 obtained by the method described above
In FIG. 1, the transparent front electrode layer 3 and the metal back electrode layer are short-circuited at the position of the pinhole 9 in a single cell 10 as shown in FIG. If such a short circuit is left,
As mentioned above, it is not possible to get the expected module output. Therefore, in the manufacturing process of the thin-film photoelectric conversion module 1 according to the present embodiment, after forming the thin-film photoelectric conversion cell 10, a defect repairing step described below is performed.
【００３２】まず、欠陥修復工程を説明する前に、欠陥
の修復に用いる欠陥修復装置について説明する。First, before describing the defect repairing step, a defect repairing apparatus used for repairing a defect will be described.
【００３３】図２は、本発明の一実施形態に係る薄膜光
電変換モジュール１の欠陥修復装置を概略的に示す図で
ある。図２に示す欠陥修復装置１５は、主に、モジュー
ル１を支持する支持部材１６と光源１７と遮光板１８と
負荷１９と電流計２０とで構成されている。FIG. 2 is a view schematically showing a defect repairing apparatus for the thin-film photoelectric conversion module 1 according to one embodiment of the present invention. The defect repairing device 15 shown in FIG. 2 mainly includes a support member 16 for supporting the module 1, a light source 17, a light shielding plate 18, a load 19, and an ammeter 20.
【００３４】支持部材１６は、光源１７からの光がモジ
ュール１のセル１０に照射されるようにモジュール１を
支持するものであれば特に制限はない。例えば、支持部
材１６としては、ガラス等からなる透明な板状体を用い
ることができる。The support member 16 is not particularly limited as long as it supports the module 1 so that the light from the light source 17 irradiates the cells 10 of the module 1. For example, a transparent plate made of glass or the like can be used as the support member 16.
【００３５】光源１７は、セル１０が光電変換し得る光
を出力し、セル１０に対して光を均一に照射可能なもの
であれば特に制限はない。そのような光源１７として
は、ＬＥＤやキセノンランプ等を挙げることができる。
また、光源１７はパルス光源であってもよい。The light source 17 is not particularly limited as long as it outputs light that can be photoelectrically converted by the cell 10 and can uniformly irradiate the light to the cell 10. Examples of such a light source 17 include an LED and a xenon lamp.
Further, the light source 17 may be a pulse light source.
【００３６】遮光板１８は、光源１７からの光がセル１
０の１つに照射されるのを防止することにより、そのセ
ル１０での光電変換を抑制するものである。したがっ
て、遮光板１８は、必ずしも光源１７からの光を完全に
遮光する必要はなく、セル１０が光電変換し得る波長域
の光成分のみを吸収するフィルタのようなものであって
もよい。また、遮光板１８は、光源１７とモジュール１
との間であれば、どこに配置してもよい。The light-shielding plate 18 is used for transmitting light from the light source 17 to the cell 1.
By preventing irradiation of one of the cells 0, photoelectric conversion in the cell 10 is suppressed. Therefore, the light shielding plate 18 does not necessarily need to completely block the light from the light source 17, and may be a filter that absorbs only the light component in the wavelength range where the cell 10 can perform photoelectric conversion. The light shielding plate 18 is provided between the light source 17 and the module 1.
May be located anywhere.
【００３７】遮光板１８を設ける代わりに、各セル１０
に対応してＬＥＤ等の光源１７をアレイ状に設け、光源
１７のＯＮ／ＯＦＦを制御してもよい。遮光板１８を設
けた場合には遮光板１８を物理的に移動させる機構が必
要であるが、光源１７のＯＮ／ＯＦＦを制御する場合に
はそのような物理的移動機構は不要である。したがっ
て、欠陥修復工程に要する時間を短縮することができる
のとともにメンテナンスが容易になる。Instead of providing the light shielding plate 18, each cell 10
In response to this, the light sources 17 such as LEDs may be provided in an array, and ON / OFF of the light sources 17 may be controlled. When the light-shielding plate 18 is provided, a mechanism for physically moving the light-shielding plate 18 is required. However, when the ON / OFF of the light source 17 is controlled, such a physical movement mechanism is unnecessary. Therefore, the time required for the defect repairing step can be reduced, and the maintenance can be facilitated.
【００３８】負荷１９は、欠陥の修復を行うセル１０に
過剰な逆バイアス電圧が印加されるのを防止するために
設けられる。したがって、例えば、光源１７からの光の
照度を、欠陥の修復を行うセル１０に過剰な逆バイアス
電圧が印加されないように制御可能であれば、負荷１９
は必ずしも設ける必要はない。負荷１９としては、可変
抵抗器や出力を制御可能な直流電源等を用いることがで
きる。The load 19 is provided to prevent an excessive reverse bias voltage from being applied to the cell 10 for repairing a defect. Therefore, for example, if the illuminance of the light from the light source 17 can be controlled so that an excessive reverse bias voltage is not applied to the cell 10 for repairing a defect, the load 19 can be controlled.
Need not necessarily be provided. As the load 19, a variable resistor, a DC power supply whose output can be controlled, or the like can be used.
【００３９】電流計２０は、モジュール出力を測定する
こと等を目的として設けられる。電流計２０は必ずしも
設ける必要はないが、設けた場合、欠陥修復装置１５を
出力測定装置としても利用することが可能となる。The ammeter 20 is provided for the purpose of measuring a module output and the like. The ammeter 20 is not necessarily provided, but when it is provided, the defect repairing device 15 can be used as an output measuring device.
【００４０】以上説明した欠陥修復装置１５によるモジ
ュール１の欠陥の修復は、例えば、以下に示す方法によ
り行われる。The repair of the defect of the module 1 by the above-described defect repair apparatus 15 is performed by, for example, the following method.
【００４１】まず、モジュール１を透明基板２が光源１
７側を向くように支持部材１６上に配置する。次に、モ
ジュール１の一対の電極バスバー１１を負荷１９にそれ
ぞれ接続し、さらに、欠陥の修復を行うセル１０に対し
て遮光板１８を位置合わせする。First, the module 1 is connected to the transparent substrate 2 by the light source 1.
It is arranged on the support member 16 so as to face the 7 side. Next, the pair of electrode bus bars 11 of the module 1 are connected to the load 19, respectively, and the light shielding plate 18 is positioned with respect to the cell 10 for repairing a defect.
【００４２】その後、光源１７に電力を供給して、モジ
ュール１に対して光照射を行う。ここで、上述したよう
にセル１０の１つは遮光板１８により遮光されている。
そのため、この遮光されたセル１０は、他のセル１０に
対して逆方向に直列接続されたダイオードとして振る舞
う。すなわち、モジュール１がｎ個のセル１０を有する
場合には、個々のセルの出力電圧Ｖ1に（ｎ−１）を乗
じた電圧（ｎ−１）Ｖ1から負荷１９による電圧降下Ｖ2
を減じた電圧［（ｎ−１）Ｖ1−Ｖ2］がダイオードとし
て振る舞うセル１０に対して逆方向に印加される。その
結果、遮光されたセル１０の短絡部９を構成する金属材
料は溶融除去されるか或いは酸化され、透明前面電極層
３と金属裏面電極層５との絶縁が図られる。Thereafter, power is supplied to the light source 17 to irradiate the module 1 with light. Here, one of the cells 10 is shielded from light by the light shielding plate 18 as described above.
Therefore, the light-shielded cell 10 behaves as a diode connected in series in the opposite direction to the other cells 10. That is, when the module 1 has n cells 10 of the voltage drop V 2 by individual output voltage V 1 of the cell (n-1) obtained by multiplying the voltage (n-1) load from V 1 19
Is applied to the cell 10 acting as a diode in the reverse direction. [(N−1) V 1 −V 2 ] As a result, the metal material forming the short-circuited portion 9 of the light-shielded cell 10 is melted away or oxidized, so that the transparent front electrode layer 3 and the metal back electrode layer 5 are insulated.
【００４３】あるセル１０について上述した絶縁処理を
行った後、遮光板１８を他のセル１０に対して位置合わ
せし、このセル１０についても上述した処理を施す。以
上のようにして、全てのセル１０について絶縁処理を行
うことにより欠陥修復工程を完了する。なお、上述した
欠陥修復工程は、欠陥の修復を行うセル１０に過剰な逆
バイアス電圧が印加されるのを防止するために、光源１
７からの光の照度を調節しつつ行うか、負荷１９が可変
抵抗器である場合には抵抗値を、負荷１９が出力を可変
の直流電源である場合にはその出力を調節しつつ行う
か、或いは光源１７からの光の照度と負荷１９の抵抗値
或いは出力との双方を調節しつつ行う。After performing the above-described insulation processing on a certain cell 10, the light-shielding plate 18 is positioned with respect to another cell 10, and the above-described processing is also performed on this cell 10. As described above, the defect repairing step is completed by performing the insulation process on all the cells 10. The above-described defect repairing step is performed in order to prevent an excessive reverse bias voltage from being applied to the cell 10 for repairing the defect.
7 is performed while adjusting the illuminance of the light from the LED 7, or adjusting the resistance value when the load 19 is a variable resistor, or adjusting the output when the load 19 is a variable DC power supply. Alternatively, the adjustment is performed while adjusting both the illuminance of light from the light source 17 and the resistance value or output of the load 19.
【００４４】以上の処理を全てのセル１０に対して実施
した後、通常、モジュール１の裏面側に封止樹脂層（図
示せず）を介して有機保護フィルム（図示せず）を設け
る。この封止樹脂層は、透明基板２上に形成された各薄
膜光電変換セル１０を封止するものであり、有機保護フ
ィルムをこれらセル１０に接着することが可能な樹脂が
用いられる。そのような樹脂としては、例えば、ＥＶＡ
（エチレン・ビニルアセテート共重合体）等を用いるこ
とができる。また、有機保護フィルムとしては、ポリフ
ッ化ビニルフィルム（例えば、テドラーフィルム（登録
商標名））等が用いられる。これら封止樹脂／有機保護
フィルムは、真空ラミネート法により薄膜光電変換モジ
ュール１の裏面側に同時に貼着することができる。After the above processing is performed on all the cells 10, an organic protective film (not shown) is usually provided on the back side of the module 1 via a sealing resin layer (not shown). This sealing resin layer is for sealing each thin-film photoelectric conversion cell 10 formed on the transparent substrate 2, and is made of a resin capable of bonding an organic protective film to these cells 10. As such a resin, for example, EVA
(Ethylene / vinyl acetate copolymer) or the like can be used. As the organic protective film, a polyvinyl fluoride film (for example, Tedlar film (registered trademark)) or the like is used. These sealing resin / organic protective film can be simultaneously attached to the back surface of the thin-film photoelectric conversion module 1 by a vacuum lamination method.
【００４５】これら封止樹脂層及び有機保護フィルム
は、上述した欠陥修復工程の前に設けてもよい。この場
合、複数のセル１０を直列接続してなる直列アレイと負
荷１９との接続は、一対の電極バスバー１１と接続され
た取り出し電極（図示せず）等を介して行われる。The sealing resin layer and the organic protective film may be provided before the above-described defect repairing step. In this case, the connection between the load 19 and the series array formed by connecting the plurality of cells 10 in series is performed via an extraction electrode (not shown) connected to the pair of electrode bus bars 11.
【００４６】以上説明したように、本実施形態による
と、短絡部の絶縁処理は、直列アレイを短絡させた状態
で、複数の薄膜光電変換セル１０の１つを遮光し且つ他
の薄膜光電変換セル１０に光照射を行うことにより行わ
れる。すなわち、本実施形態によると、金属裏面電極層
５にプローブ等を接触させることなく短絡部の絶縁処理
を行うことができる。したがって、本実施形態による
と、複雑な搬送機構等を必要とすることなく短絡部を絶
縁処理することが可能となる。また、プローブ等を用い
る必要がないため、金属裏面電極層５が傷つけられるこ
とがなく、しかも、逆バイアス処理の際にセル１０に均
一に電圧を印加することができる。さらに、上述した欠
陥修復工程の際に、負荷１９が可変抵抗器である場合に
はその抵抗値と電流計２０の読みとを記録することによ
り、負荷１９が出力を可変の直流電源である場合にはそ
の出力電圧と電流計２０の読みとを記録することによ
り、モジュール１の出力特性を測定することができる。
すなわち、モジュール１の出力特性を測定しつつ欠陥の
修復を行うことができる。As described above, according to the present embodiment, the insulation of the short-circuit portion is performed by shielding one of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells 10 from light while keeping the series array short-circuited. This is performed by irradiating the cell 10 with light. That is, according to the present embodiment, the insulation treatment of the short-circuit portion can be performed without bringing the probe or the like into contact with the metal back electrode layer 5. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to insulate the short-circuit portion without requiring a complicated transport mechanism or the like. In addition, since it is not necessary to use a probe or the like, the metal back electrode layer 5 is not damaged, and a voltage can be uniformly applied to the cell 10 during the reverse bias treatment. Further, when the load 19 is a variable resistor at the time of the above-described defect repairing step, the resistance value and the reading of the ammeter 20 are recorded, so that the load 19 is a DC power supply whose output is variable. The output characteristics of the module 1 can be measured by recording its output voltage and the reading of the ammeter 20.
That is, the defect can be repaired while measuring the output characteristics of the module 1.
【００４７】なお、上述した実施形態においては、本発
明を図１に示すモジュール１の欠陥修復処理に適用した
が、短絡部９が透明前面電極層３と金属裏面電極層５と
を電気的に接続している場合は、本発明をタンデム型の
モジュールの欠陥修復処理に適用することも可能であ
る。In the above-described embodiment, the present invention is applied to the defect repairing process of the module 1 shown in FIG. 1, but the short-circuit portion 9 electrically connects the transparent front electrode layer 3 and the metal back electrode layer 5 to each other. If connected, the present invention can be applied to the tandem-type module defect repair processing.
【００４８】[0048]
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００４９】以下に示す方法により、図１に示す薄膜光
電変換モジュール１を作製し、その後、図２に示す欠陥
修復装置１５を用いてモジュール１の欠陥を修復した。The thin-film photoelectric conversion module 1 shown in FIG. 1 was manufactured by the method described below, and thereafter, the defect of the module 1 was repaired using the defect repairing device 15 shown in FIG.
【００５０】まず、一方の主面にＳｎＯ2膜３を有する
９１０ｍｍ×４５０ｍｍのガラス基板を準備した。次
に、ＹＡＧレーザを用いて基板１の長辺に平行にレーザ
スキャンすることにより、ＳｎＯ2膜３をスクライブし
て複数の帯状パターンに分割した。First, a 910 mm × 450 mm glass substrate having a SnO 2 film 3 on one main surface was prepared. Next, the SnO 2 film 3 was scribed and divided into a plurality of band-shaped patterns by performing laser scanning in parallel with the long side of the substrate 1 using a YAG laser.
【００５１】その後、プラズマＣＶＤ法により、ＳｎＯ
2膜３上に、厚さ１０ｎｍのｐ型水素含有非晶質シリコ
ンカーバイド層、厚さ３００ｎｍのｉ型水素含有非晶質
シリコン層、及び厚さ１０ｎｍのｎ型水素含有微結晶シ
リコン層を順次成膜した。なお、ｐ型水素含有非晶質シ
リコンカーバイド層は不純物としてボロンをドープさ
れ、ｉ型水素含有非晶質シリコン層はノンドープであ
り、ｎ型水素含有微結晶シリコン層は燐をドープされて
いる。以上のようにして、ｐ−ｉ−ｎ接合を有する薄膜
光電変換ユニット４を形成した。Thereafter, SnO is formed by plasma CVD.
2 On the film 3, a 10 nm-thick p-type hydrogen-containing amorphous silicon carbide layer, a 300 nm-thick i-type hydrogen-containing amorphous silicon layer, and a 10 nm-thick n-type hydrogen-containing microcrystalline silicon layer are sequentially formed. A film was formed. The p-type hydrogen-containing amorphous silicon carbide layer is doped with boron as an impurity, the i-type hydrogen-containing amorphous silicon layer is non-doped, and the n-type hydrogen-containing microcrystalline silicon layer is doped with phosphorus. As described above, the thin-film photoelectric conversion unit 4 having the pin junction was formed.
【００５２】次に、ＹＡＧレーザを用いて基板１の長辺
に平行にレーザスキャンすることにより、この薄膜光電
変換ユニット４のスクライブを行い、薄膜光電変換ユニ
ット４を複数の帯状パターンに分割した。Next, the thin film photoelectric conversion unit 4 was scribed by laser scanning in parallel with the long side of the substrate 1 using a YAG laser, and the thin film photoelectric conversion unit 4 was divided into a plurality of strip patterns.
【００５３】次に、薄膜光電変換ユニット４上に、スパ
ッタ法により、厚さ９０ｎｍのＺｎＯ膜（図示せず）及
び厚さ３００ｎｍのＡｇ膜５を順次成膜して裏面電極層
を形成した。この裏面電極層についても、同様に、ＹＡ
Ｇレーザを用いたレーザスクライブを行い、複数の帯状
パターンに分割した。Next, a ZnO film (not shown) having a thickness of 90 nm and an Ag film 5 having a thickness of 300 nm were sequentially formed on the thin film photoelectric conversion unit 4 by a sputtering method to form a back electrode layer. Similarly, for the back electrode layer, YA
Laser scribing using a G laser was performed to divide the laser beam into a plurality of strip patterns.
【００５４】続いて、ＹＡＧレーザを用いて基板２の短
辺に平行にレーザスクライブを行い、ＳｎＯ2膜３、薄
膜光電変換ユニット４、及び裏面電極層をそれぞれ基板
２の長辺方向に分割した。その後、ＹＡＧレーザ等を用
いたレーザスクライブにより発電領域を確定した。以上
のようにして、それぞれ８９０ｍｍ×９ｍｍのサイズを
有し且つ基板２の短辺に平行な方向に直列接続された５
０段の薄膜光電変換セル１０を形成した。Subsequently, laser scribing was performed in parallel with the short side of the substrate 2 using a YAG laser to divide the SnO 2 film 3, the thin film photoelectric conversion unit 4, and the back electrode layer in the long side direction of the substrate 2, respectively. . Thereafter, the power generation area was determined by laser scribing using a YAG laser or the like. As described above, each of the 5 having the size of 890 mm × 9 mm and being connected in series in a direction parallel to the short side of the substrate 2.
A zero-stage thin-film photoelectric conversion cell 10 was formed.
【００５５】さらに、セル１０が形成する直列アレイの
両端部に一対の電極バスバー１１を設けることにより、
図１に示すモジュール１を得た。Further, by providing a pair of electrode bus bars 11 at both ends of the serial array formed by the cells 10,
The module 1 shown in FIG. 1 was obtained.
【００５６】以上説明した方法で１０枚のモジュール１
を製造し、それぞれについて、光源としてキセノンラン
プを用いた放射照度１００ｍＷ／ｃｍ2、ＡＭ１．５の
ソーラーシュミレータにより出力特性を調べた。なお、
測定温度は２５℃とした。その結果、モジュール１の最
大出力は平均で２５Ｗであり、Ｆ．Ｆ．は平均で５０％
であった。According to the method described above, ten modules 1
Were manufactured, and the output characteristics of each were examined using a solar simulator having an irradiance of 100 mW / cm 2 and an AM of 1.5 using a xenon lamp as a light source. In addition,
The measurement temperature was 25 ° C. As a result, the maximum output of module 1 is 25 W on average, and F. Is 50% on average
Met.
【００５７】次に、これらモジュール１のそれぞれに対
し、図２に示す装置１５を用いて上述した欠陥修復処理
を施した。なお、本実施例では、光源１７としてはキセ
ノンランプを用い、放射照度は１００ｍＷ／ｃｍ2とし
た。また、絶縁処理を行うセル１０に全く光が照射され
ないように遮光板１８を用いて制御するのとともに、負
荷１９としては出力を可変な直流電源を用い、各セル１
０に印加される逆バイアス電圧が４〜１０Ｖ程度となる
ように制御した。Next, each of the modules 1 was subjected to the above-described defect repair processing using the apparatus 15 shown in FIG. In this example, a xenon lamp was used as the light source 17 and the irradiance was 100 mW / cm 2 . In addition, the light-shielding plate 18 is used to control the cell 10 to be subjected to the insulation treatment so that no light is irradiated, and a DC power supply whose output is variable is used as the load 19.
Control was performed so that the reverse bias voltage applied to 0 was about 4 to 10 V.
【００５８】以上の条件で各セル１０について０．５秒
間づつ欠陥修復工程を実施し、その後、上記条件下でモ
ジュール１の出力特性を調べた。その結果、モジュール
１の平均出力は３５Ｗにまで向上し、Ｆ．Ｆ．も平均で
７０％にまで向上した。Under the above conditions, a defect repairing step was performed for each cell 10 for 0.5 seconds, and then the output characteristics of the module 1 were examined under the above conditions. As a result, the average output of the module 1 is improved to 35 W, and F. Also increased to an average of 70%.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
直列アレイを短絡させた状態で複数の薄膜光電変換セル
の１つに対して選択的に逆バイアス電圧が印加されるよ
うに直列アレイに光を照射することにより複数の薄膜光
電変換セルの１つに形成された短絡部が絶縁処理され
る。そのため、本発明では、短絡部を絶縁処理するた
め、すなわちモジュール出力を向上させるために、複雑
な搬送機構等を必要とすることがない。また、本発明で
は、プローブ等を金属裏面電極層に接触させることなく
所望のセルに逆バイアス電圧を印加することができるの
で、逆バイアス処理の際にセルに均一に電圧を印加する
ことができ、しかも電極層を傷つけることがない。As described above, according to the present invention,
One of the plurality of thin film photoelectric conversion cells is irradiated by irradiating light to the serial array so that a reverse bias voltage is selectively applied to one of the plurality of thin film photoelectric conversion cells in a state where the serial array is short-circuited. Is insulated. Therefore, in the present invention, a complicated transport mechanism or the like is not required for insulating the short-circuit portion, that is, for improving the module output. Further, in the present invention, a reverse bias voltage can be applied to a desired cell without bringing a probe or the like into contact with the metal back electrode layer, so that a voltage can be uniformly applied to the cell during the reverse bias treatment. Moreover, the electrode layer is not damaged.
【００６０】すなわち、本発明によると、モジュール出
力が十分に向上された薄膜光電変換モジュールを製造す
ることを可能とする薄膜光電変換モジュールの欠陥修復
方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法が提供され
る。また、本発明によると、複雑な搬送機構等を必要と
することなく短絡部を絶縁処理することが可能な薄膜光
電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジ
ュールの製造方法が提供される。さらに、本発明による
と、逆バイアス処理の際にセルに均一に電圧を印加する
ことが可能な薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及
び薄膜光電変換モジュールの製造方法が提供される。ま
た、本発明によるとは、電極層を傷つけることなく短絡
部を絶縁処理することが可能な薄膜光電変換モジュール
の欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法
が提供される。That is, according to the present invention, there are provided a method for repairing a defect of a thin-film photoelectric conversion module and a method for manufacturing a thin-film photoelectric conversion module, which make it possible to manufacture a thin-film photoelectric conversion module with sufficiently improved module output. . Further, according to the present invention, there are provided a method of repairing a defect of a thin-film photoelectric conversion module and a method of manufacturing a thin-film photoelectric conversion module, which can insulate a short-circuit portion without requiring a complicated transport mechanism or the like. Further, according to the present invention, there is provided a method for repairing a defect in a thin-film photoelectric conversion module and a method for manufacturing a thin-film photoelectric conversion module, capable of uniformly applying a voltage to a cell during a reverse bias treatment. Further, according to the present invention, there are provided a method of repairing a defect of a thin-film photoelectric conversion module and a method of manufacturing a thin-film photoelectric conversion module, which can insulate a short-circuit portion without damaging an electrode layer.
【図１】本発明の第１の実施形態に係る欠陥修復工程を
実施する前の薄膜光電変換モジュールを概略的に示す断
面図。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a thin-film photoelectric conversion module before a defect repairing step according to a first embodiment of the present invention is performed.
【図２】本発明の第１の実施形態に係る薄膜光電変換モ
ジュールの欠陥修復装置を概略的に示す図。FIG. 2 is a view schematically showing a defect repairing apparatus for the thin-film photoelectric conversion module according to the first embodiment of the present invention.
１…薄膜光電変換モジュール ２…透明基板 ３…透明前面電極層 ４…薄膜光電変換ユニット ５…裏面金属電極層 ６〜８…溝 ９…ピンホールまたは短絡部 １０…薄膜光電変換セル １１…電極バスバー １５…欠陥修復装置 １６…支持部材 １７…光源 １８…遮光板またはフィルタ １９…負荷 ２０…電流計 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thin film photoelectric conversion module 2 ... Transparent substrate 3 ... Transparent front electrode layer 4 ... Thin film photoelectric conversion unit 5 ... Backside metal electrode layer 6-8 ... Groove 9 ... Pinhole or short circuit part 10 ... Thin film photoelectric conversion cell 11 ... Electrode bus bar 15 Defect repairing device 16 Support member 17 Light source 18 Light shield plate or filter 19 Load 20 Ammeter
Claims (4)
ニット、及び第２の電極層を順次積層した構造をそれぞ
れ有する複数の薄膜光電変換セルを相互に直列接続して
なる直列アレイを具備する薄膜光電変換モジュールの欠
陥修復方法であって、 前記直列アレイを短絡させた状態で前記複数の薄膜光電
変換セルの１つに対して選択的に逆バイアス電圧が印加
されるように前記直列アレイに光を照射することにより
前記複数の薄膜光電変換セルの１つに形成された短絡部
を絶縁する工程を含むことを特徴とする薄膜光電変換モ
ジュールの欠陥修復方法。1. A series array in which a plurality of thin film photoelectric conversion cells each having a structure in which a first electrode layer, a thin film photoelectric conversion unit, and a second electrode layer are sequentially stacked on a substrate are connected in series to each other. A method for repairing a defect of a thin film photoelectric conversion module, comprising: connecting a serial bias to one of the plurality of thin film photoelectric conversion cells in a state where the serial array is short-circuited. A method for repairing a defect in a thin-film photoelectric conversion module, comprising a step of irradiating an array with light to insulate a short-circuit portion formed in one of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells.
アレイを短絡させた状態で前記複数の薄膜光電変換セル
の１つを遮光し且つ前記複数の薄膜光電変換セルの残り
に光を照射することにより前記遮光された薄膜光電変換
セルに対して選択的に逆バイアス電圧を印加することを
含む請求項１に記載の薄膜光電変換モジュールの欠陥修
復方法。2. The step of insulating the short-circuit portion includes irradiating one of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells with light and irradiating light to the rest of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells in a state where the serial array is short-circuited. The method of claim 1, further comprising selectively applying a reverse bias voltage to the light-shielded thin-film photoelectric conversion cell.
なる直列構造を形成し、該直列構造を短絡させた状態で
前記短絡部を絶縁する工程を行うことを特徴とする請求
項１または２に記載の薄膜光電変換モジュールの欠陥修
復方法。3. The method according to claim 1, wherein a series structure is formed by connecting the series array and the load in series, and a step of insulating the short-circuit portion is performed in a state where the series structure is short-circuited. 3. The method for repairing a defect of a thin-film photoelectric conversion module according to item 2.
ニット、及び第２の電極層を順次積層した構造をそれぞ
れ有する複数の薄膜光電変換セルを相互に直列接続して
なる直列アレイを形成する工程と、 前記直列アレイを短絡させた状態で前記複数の薄膜光電
変換セルの１つに対して選択的に逆バイアス電圧が印加
されるように前記直列アレイに光を照射することにより
前記複数の薄膜光電変換セルの１つに形成された短絡部
を絶縁する工程とを含むことを特徴とする薄膜光電変換
モジュールの製造方法。4. A series array in which a plurality of thin film photoelectric conversion cells each having a structure in which a first electrode layer, a thin film photoelectric conversion unit, and a second electrode layer are sequentially laminated on a substrate is connected in series to each other. Forming, and irradiating the serial array with light so that a reverse bias voltage is selectively applied to one of the plurality of thin film photoelectric conversion cells in a state where the serial array is short-circuited. Insulating a short-circuit portion formed in one of the plurality of thin-film photoelectric conversion cells.
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